Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ внСшний Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ для всСх iOS-устройств, совмСстим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 Π΄ΠΎ 24:00 ΠΏΠ½-ΠΏΡ‚ | c 10:00 Π΄ΠΎ 18:00 сб
0 Comments

IR2104 β€” ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ β€” DataSheet

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΊ содСрТимому

Бвойства
  • Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ

β€” ΠŸΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ работоспособны ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π΄ΠΎ +600 Π’

β€” НСчувствитСлСн ΠΊ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниям

β€” НСвосприимчив ΠΊ скорости нарастания напряТСния dV/dt

ΠšΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ IR2104

  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ напряТСний питания ΠΎΡ‚ 10 Π΄ΠΎ 20 Π’
  • ΠžΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ сниТСнии напряТСния
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄ совмСстим с Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ Π½Π° 3.3 Π’, 5 Π’ ΠΈ 15 Π’
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΉ проводимости
  • Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ установлСнноС врСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π² Ρ„Π°Π·Π΅ со Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ
  • Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°
  • Богласованная Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° распространСния для ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ²
  • Π‘Π΅Π· свинца

 

IR2104(S) β€” Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ для Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ…, высокоскоростных MOSFET ΠΈ IGBT транзисторов с зависимыми Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ ΠΎΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ высокого ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ.

Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ HVIC ΠΈ ΠšΠœΠžΠŸ структуры Π±Π΅Π· эффСкта защСлкивания ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ микросхСму ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ использованиС Π² ΡΠΊΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… условиях.  ЛогичСский Π²Ρ…ΠΎΠ΄ совмСстим со стандартными КМОП ΠΈΠ»ΠΈ LSTTL Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π²ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ Π½Π° 3.3 Π’. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ высокий ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΉ проводимости. Π‘Π²ΠΎΠ±ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован для управлСния ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ MOSFET ΠΈ IGBT транзистором Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΎΡ‚ 10 Π΄ΠΎ 600 Π’.

 

Π’ΠΈΠΏΡ‹ корпусов для IR2104S ΠΈ IR2104Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

 

 

 

ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния
ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠœΠΈΠ½.Макс.Π•Π΄. ΠΈΠ·ΠΌ.
VBΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ части— 0. 3625Π’
VSНапряТСниС смСщСния нуля Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ частиVB β€” 25VB + 0.3
VHOΠ’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ частиVS β€” 0.3VB + 0.3
VCCНапряТСниС питания Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΈ логичСской части-0.325
VLOΠ’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ части-0.3VCC + 0.3
VINЛогичСскоС напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ (IN & SD)-0.3VCC + 0.3
dV
s
/dt
ДопустимоС смСщСниС ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… процСссах—50Π’/нс
PD Π Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠ°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Tокр≀ +25 Β°Π‘8-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ корпус PDIPβ€”1Π’Ρ‚
8-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ корпус SOICβ€”0. 625
RthJA Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС кристалл-ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ срСда8-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ корпус PDIPβ€”125Β°Π‘/Π’Ρ‚
8-Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ корпус SOICβ€”200
TJΠ’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° кристалла—150Β°Π‘
TSΠ’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния β€”
150
TLΠ’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° припоя (10 с)β€”300

 

Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ значСния
ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠœΠΈΠ½.Макс.Π•Π΄. ΠΈΠ·ΠΌ.
VBΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ частиVS + 10VS + 20Π’
VSНапряТСниС смСщСния нуля Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ части600
VHOΠ’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π² Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ частиVSVB
VCCНапряТСниС питания Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΈ логичСской части1020
VLO
Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ части
0VCC
VINЛогичСскоС напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ (IN & SD)0VCC
TAΠ’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды-40125Β°Π‘

 

ДинамичСскиС элСктричСскиС характСристики. VBIAS (VCC, VBS) = 15 Π’, CL = 1000 ΠΏΠ€ ΠΈ TA = 25Β°C
ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠœΠΈΠ½.Π’ΠΈΠΏ.Макс.Π•Π΄. ΠΈΠ·ΠΌ.Условия
tonВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡβ€”
680
820нсVS = 0 Π’
toffВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡβ€”150220VS = 600 Π’
tsdВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡβ€”160220
tr Π’рСмя нарастания ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈβ€”100170
tf Π’рСмя спада ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈβ€”5090
DTВрСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ400520650
MTБогласованиС Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°Ρ…β€”β€”60

 

БтатичСскиС ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ характСристики.
VBIAS (VCC, VBS) = 15 Π’ ΠΈ TA = 25Β°C. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ VIN, VTH and IIN ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Β«COMΒ». ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ VO ΠΈ IO ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Β«COMΒ» ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ для ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ².
ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠžΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠœΠΈΠ½.Π’ΠΈΠΏ.Макс.Π•Π΄. ΠΈΠ·ΠΌ.Условия
VIHЛогичСская Β«1Β» (HO) ΠΈ логичСский Β«0Β» (LO) Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅3β€”β€”Π’VCC = 10… 20 Π’
VILЛогичСская Β«1Β» (HO) ΠΈ логичСский Β«0Β» (LO) Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅β€”β€”0.8VCC = 10… 20 Π’
VSD,TH+ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ SD 3β€”β€”VCC = 10… 20 Π’
VSD,TH-ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ SDβ€”β€”0. 8VCC = 10… 20 Π’
VOHВысокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, VBIAS β€” VOβ€”β€”100ΠΌΠ’IO = 0 A
VOLНизкий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, VOβ€”β€”100IO = 0 A
ILKΠ’ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ смСшСния питания——60мкАVB = VS = 600 Π’
IQBSΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ для VBSβ€”3055VIN = 0 Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 5 Π’
IQCC ΠŸΠΎΡ‚рСбляСмый Ρ‚ΠΎΠΊ для VCCβ€”150270VIN = 0 Π’ ΠΈΠ»ΠΈ 5 Π’
IIN+Π’ΠΎΠΊ смСщСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ для логичСской Β«1Β»β€”310VIN = 5 Π’
IIN- Π’ΠΎΠΊ смСщСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ для логичСского Β«0Β»β€”β€”1VIN = 0 Π’
VCCUV+ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ сниТСния ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния VCC88. 99.8Π’
VCCUV-ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ сниТСния ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния VCC7.48.2 9
IO+ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания130210—мАVO = 0 Π’
PW ≀ 10 ΠΌΠΊΡ
IO-ΠœΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания270360β€”VO = 15 Π’
PW ≀ 10 ΠΌΠΊΡ

 

Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π±Π»ΠΎΠΊ-схСма

 

РасполоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ²

 

 

НазначСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ²
INЛогичСский Π²Ρ…ΠΎΠ΄ для управлСния Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ (HO ΠΈ LO), Π² Ρ„Π°Π·Π΅ с HO
SDΠ’Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигналов
VBНапряТСниС питания Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π°
HO
Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π°
VSΠ’ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‚ питания Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π°
VCCΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π° ΠΈ логичСской части
LOΠ’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π°
COMΠ’ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‚ питания Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π°

 

ВрСмСнная Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° Π²Ρ…ΠΎΠ΄/Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄

ВрСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠ±ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сигнал ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

ВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ

БогласованиС Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ

Если Π²Ρ‹ нашли ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΊΡƒ, поТалуйста, Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅ Ρ„Ρ€Π°Π³ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ тСкста ΠΈ Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ Ctrl+Enter.

admin Π”Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Ρ‹

TDA7050 β€” ΠΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠ½ΠΎ/стСрСо ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ

ULN2003 β€” ΠœΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π° ΠΈΠ· ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°

IR2104 | International Rectifier (Infineon Technologies) IR2104 Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ Infinity-Semiconductor.com

Π“Π»Π°Π²Π½Π°ΡΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы (ICs)PMIC – Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹IR2104

International Rectifier (Infineon Technologies)

Π˜Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прСдставлСниСм. Π‘ΠΌΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ спСцификации для Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°.

ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°

Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ части: IR2104
Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ / ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Π° IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP
Листки: IR2104. pdf
Бтатус RoHs Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΡ‚ свинСц / Π½Π΅ соотвСтствуСт RoHS
БостояниС Π½Π° складС 6952 pcs stock
Π”ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· Π“ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠ½Π³
ΠŸΡƒΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6952 pcs

Π—Π°ΠΏΡ€ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π½Ρƒ
ΠŸΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉΡΡ‚Π°, Π·Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅ всС ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля своСй ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ. НаТмитС Β« SUBMIT RFQ Β», ΠΈ ΠΌΡ‹ вскорС свяТСмся с Π²Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎ элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅ Или Π½Π°ΠΏΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ Π½Π°ΠΌ:Info@infinity-electronic.com
  • ЦСлСвая Ρ†Π΅Π½Π°:
  • Кол-Π²ΠΎ:

ΠŸΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉΡΡ‚Π°, Π΄Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π½Π°ΠΌ Π²Π°ΡˆΡƒ Ρ†Π΅Π»Π΅Π²ΡƒΡŽ Ρ†Π΅Π½Ρƒ, Ссли количСство ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅ΠΌΠΎΠ΅.

  • Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ части
  • Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ
  • ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ΅ Π»ΠΈΡ†ΠΎ
  • Π­Π». ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π°
  • Π‘ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅

ВСхничСскиС характСристики IR2104

Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ части IR2104 ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP Бтатус бСсплатного свидания / Бтатус RoHS Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΡ‚ свинСц / Π½Π΅ соотвСтствуСт RoHS
Кол-Π²ΠΎ Π² Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ 6952 pcs ВСхничСская спСцификация IR2104. pdf
НапряТСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° – поставка 10 V ~ 20 V ΠŸΠΎΡΡ‚Π°Π²Ρ‰ΠΈΠΊ Π£ΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° устройства 8-PDIP
Π‘Π΅Ρ€ΠΈΠΈ – ВрСмя нарастания / спада (Typ) 100ns, 50ns
ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° Tube Π£ΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° / 8-DIP (0.300β€³, 7.62mm)
Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ названия *IR2104 Рабочая Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° -40Β°C ~ 150Β°C (TJ)
ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ 2 Π’ΠΈΠΏ установки Through Hole
Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π²Π»Π°Π³ΠΈ (MSL) 1 (Unlimited) ЛогичСскоС напряТСниС – VIL, VIH 0.8V, 3V
Бтатус бСсплатного свидания / Бтатус RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Π’ΠΈΠΏ Π²Π²ΠΎΠ΄Π° Non-Inverting
Π‘ΠΎ стороны высокого напряТСния – Макс (Bootstrap) 600V Π’ΠΈΠΏ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ IGBT, N-Channel MOSFET
УправляСмая конфигурация Half-Bridge ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ΅ описаниС Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-PDIP
Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ – ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ (источник, ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ) 210mA, 360mA Ρ‚ΠΎΠΊ заряда Synchronous
НомСр Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° IR2104

  • ΠΎΡ‚Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°
  • ПослС ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠΈ
  • Листки

ΠΎΡ‚Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°

β˜… Π‘Π•Π‘ΠŸΠ›ΠΠ’ΠΠΠ― Π”ΠžΠ‘Π’ΠΠ’ΠšΠ ОВ DHL / FEDEX / UPS, Π•Π‘Π›Π˜ Π—ΠΠšΠΠ—ΠΠ’Π¬ Π‘ΠžΠ›Π¬Π¨Π• 1000 USD.
(Π’ΠžΠ›Π¬ΠšΠž Π”Π›Π― ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм, Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ, RF / IF ΠΈ RFID, оптоэлСктроники, Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, трансформаторов, изоляторов, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Ρ€Π΅Π»Π΅)

FEDEX www.FedEx.com ΠžΡ‚ 35,00 $ базовая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ доставки зависит ΠΎΡ‚ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΈ страны.
DHL www.DHL.com ΠžΡ‚ 35,00 $ базовая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ доставки зависит ΠΎΡ‚ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΈ страны.
UPS www.UPS.com ΠžΡ‚ 35,00 $ базовая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ доставки зависит ΠΎΡ‚ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΈ страны.
Ρ‚Ρ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ» www.TNT.com ΠžΡ‚ 35,00 $ базовая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ доставки зависит ΠΎΡ‚ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΈ страны.

β˜… ВрСмя доставки потрСбуСтся 2-4 дня для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° стран ΠΌΠΈΡ€Π° ΠΏΠΎ DHL / UPS / FEDEX / TNT.

ΠŸΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉΡΡ‚Π°, Π½Π΅ ΡΡ‚Π΅ΡΠ½ΡΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊ Π½Π°ΠΌ, Ссли Ρƒ вас Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ вопросы ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ доставки. Π‘Π²ΡΠΆΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ с Π½Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎ элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅ Info@infinity-electronic.com

ΠŸΠžΠ‘Π›Π•ΠŸΠ ΠžΠ”ΠΠ–ΠΠΠ― Π“ΠΠ ΠΠΠ’Π˜Π―

  1. ΠšΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρƒ ΠΎΡ‚ Infinity-Semiconductor.com Π±Ρ‹Π» прСдоставлСн Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ срок 1 Π³ΠΎΠ΄. Π’ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ Π±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ бСсплатноС тСхничСскоС обслуТиваниС Π² случаС возникновСния ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ…-Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ с нашими ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ.
  2. Если Π²Ρ‹ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΡ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ с качСством Π½Π°ΡˆΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ² послС ΠΈΡ… получСния, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ заявку Π½Π° бСзусловноС Π²ΠΎΠ·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ссли это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ.
  3. Если Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ нСисправСн ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ Π½Π°ΠΌ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 1 Π“ΠžΠ”Π, всС транспортныС ΠΈ Ρ‚Π°ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ сборы Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ нСсут ΠΌΡ‹.

БвязанныС Ρ‚Π΅Π³ΠΈ
  • International Rectifier (Infineon Technologies) IR2104
  • IR2104 Π΄ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΠ±ΡŒΡŽΡ‚ΠΎΡ€
  • IR2104 ΠŸΠΎΡΡ‚Π°Π²Ρ‰ΠΈΠΊ
  • IR2104 Π¦Π΅Π½Π°
  • Π€ΠΎΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ IR2104
  • IR2104 Image
  • IR2104 PDF Datasheet
  • IR2104 Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡŽ
  • IR2104 Datasheet
  • IR2104 сток
  • ΠšΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ IR2104
  • ΠšΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ International Rectifier (Infineon Technologies) IR2104
  • International Rectifier (Infineon Technologies) IR2104
  • International Rectifier (Infineon Technologies) ΠŸΠΎΡΡ‚Π°Π²Ρ‰ΠΈΠΊ
  • International Rectifier (Infineon Technologies) Π”ΠΈΡΡ‚Ρ€ΠΈΠ±ΡŒΡŽΡ‚ΠΎΡ€
  • International Rectifier (Infineon Technologies) IR2104
  • International Rectifier IR2104
  • Infineon Technologies IR2104
  • International Rectifier (Infineon Technologies) IR2104
  • IR (Infineon Technologies) IR2104

ΡΠΎΠΏΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Ρ‹
IR2104SPBF
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 41784 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2104SPBF. pdf
RFQ
IR2104STRPBF
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 62598 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2104STRPBF.pdf
RFQ
IR2103PBF
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8DIP
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 55779 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2103PBF.pdf
RFQ
IR2103STR
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 6428 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2103STR.pdf
RFQ
IR2103STRPBF
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 105575 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2103STRPBF. pdf
RFQ
IR2103SPBF
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 46807 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2103SPBF.pdf
RFQ
IR2103
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8DIP
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 3787 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2103.pdf
RFQ
IR2104PBF
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 37107 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2104PBF.pdf
RFQ
IR2105
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 3156 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2105. pdf
RFQ
IR2104S
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 6473 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2104S.pdf
RFQ
IR2103S
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 3416 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2103S.pdf
RFQ
IR2104STR
ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ: International Rectifier (Infineon Technologies)
ОписаниС: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
Π’ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ: 5757 pcs
Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ: IR2104STR.pdf
RFQ

Новости отрасли
Π ΠΎΠΌ добавляСт 10 Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… SiC Mosfets
Β«Π’Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ сСрии SCT3xxxxxHR позволяСт Rohm ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ самый . ..
ON добавляСт ΠΊ SiC MOSFETs
ON Semiconductor прСдставила Π΄Π²Π° SiC MOSFET, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ для э…
APEC: TI Π΄ΡƒΠΌΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡ΠΈΠΏ AC-DC с Ρ€Π΅Π·Π΅Ρ€Π²Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 15 ΠΌΠ’Ρ‚
Β«Π­Ρ‚ΠΎ устройство обСспСчиваСт Π½Π°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ баланс ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ в…
Бпонсированный ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π΅Π½Ρ‚: SIGLENT SVA1015X Spectrum Analyzer
Анализатор спСктра SIGLENT SVA1015X – это ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈ гибки…
ΠžΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ расходы Π½Π° производство ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ„Π°Π±Ρ€ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ² сократятся Π½Π° 14% Π² этом Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈ вырастут Π½Π° 27% Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ.
Π‘ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ спадом Π² сСкторС памяти, спад Π² 2019 го…
Power Stamp Alliance сокращаСт ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ процСссорС для ΠΌΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ½Π³Π° Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² питания ΠΈ добавляСт эталонный Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½
Альянс (Artesyn Embedded Technologies, Bel Power Solutions, Flex ΠΈ STMicroelectronics) соз…
APEC: SiC power ΠΈ ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Π»Π°Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ элСктроинструмСнты
ΠŸΠΎΠΈΡΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ возмоТности Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Ρ‹, ΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ мСню Π² сти. ..
Dengrove добавляСт ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ DC / DC-ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΎΡ‚ Recom
Они ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… высокой п…
ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ Π²ΠΎΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ процСссор Arm для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ высокого Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ
LS1046A являСтся Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ 64-Π±ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ портфСля Arm Layerscape компан…

IR2104 MOSFET Распиновка, тСхничСскоС описаниС, характСристики ΠΈ характСристики

15 сСнтября 2022 β€“ 0 ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠ΅Π²

          IR2104 МОП-транзистор
          Распиновка МОП-транзистора IR2104

      IR2104 β€” это высокоскоростная микросхСма Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Half-Bridge , которая ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ для Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Π•Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для управлСния ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ устройствами, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ MOSFET ΠΈ IGBT ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ МОП-транзисторами ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π°. IR2104 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ источника 0,21 А ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ потрСблСния 0,36 А. ЛогичСский Π²Ρ…ΠΎΠ΄ совмСстим со стандартным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ CMOS ΠΈΠ»ΠΈ LSTTL с логичСским напряТСниСм Π΄ΠΎ 3,3 Π’.

       

      ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² IR2104

      НомСр ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°

      НазваниС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°

      ОписаниС

      1

      Π’ΠšΠš

      НапряТСниС питания Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°

      2

      Π’

      Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚

      3

      SD

      ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ (Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ)

      4

      БОМ

      ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ микросхСмы ΠΈ сигнальная зСмля

      5

      ОБ

      НиТний Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°

      6

      ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²

      ΠŸΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²ΠΎΠ·Π²Ρ€Π°Ρ‚ Π½Π° сторонС высокого напряТСния

      7

      Π“Πž

      Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° со стороны высокого уровня

      8

      Π’Π‘

      ΠŸΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ источник питания Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ высокого давлСния

       

      Π₯арактСристики ΠΈ характСристики
      • ΠŸΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π», ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ
      • ΠŸΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ работоспособСн Π΄ΠΎ +600 Π’
      • Устойчив ΠΊ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ
      • ΠΠ΅Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΈΠΈΠΌΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ dV/dt
      • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ питания ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ 10 Π΄ΠΎ 20 Π’
      • Π‘Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии
      • Π‘ΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΎΠΉ 3,3 Π’, 5 Π’ ΠΈ 15 Π’
      • Π›ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° прСдотвращСния пСрСкрСстной проводимости
      • Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‚Π²ΠΎΠ΅ врСмя
      • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ стороны высокого напряТСния совпадаСт ΠΏΠΎ Ρ„Π°Π·Π΅ с Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ
      • Π’Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°
      • Богласованная Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ° распространСния для ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ²

       

      IR2104 Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Ρ‹

      DGD2104, IR2103

      Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ MOSFET

      IR2153, IR2110

      9002 .

       

      Как ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ МОП-транзистор IR2104?

      На ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½ΠΈΠΆΠ΅ схСмах ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° типичная схСма примСнСния Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° IR2104 . Π˜ΠΌΠ΅ΠΉΡ‚Π΅ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ бутстрапный Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΈ бутстрапный кондСнсатор ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для возбуТдСния высокого напряТСния. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ бутстрСпного кондСнсатора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Π»ΠΈΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Ρ‡Π°.

       

      IR2104 MOSFET УпрощСнная ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма

       

      Π˜Π½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹

      20048

    • Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ источники питания
    • ЭлСктроинструмСнт
    • Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ
    • Π ΠΎΠ±ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ°
    •  

      2D-модСль ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹

        ΠœΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ

        MOSFET

        ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ MOSFET

        IGBT

        Биловая элСктроника



      IR2104:ПониманиС всСго ΠΎΠ± этом Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π΅ MOSFET

      НСкоторыС Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ зависят ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм. Они ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ H-мост для управлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΎΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ потрСбляСмой мощности для получСния усилСнных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². Π£ нас Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π² Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π΅ полумоста IR2104.

      Но ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ этот Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚? По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ чтСния ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅ΡˆΡŒ для сСбя всС особСнности ΠΈ условия эксплуатации. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΌΡ‹ объясняСм, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ микросхСму IR2104 Π² элСктронных ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ… «сдСлай сам».

      1. Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ IR2104?

      ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ° IR2104 прСдставляСт собой полумостовой Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€. Он ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ для Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Он ΠΏΠΈΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ МОП-транзистор. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° IR2104 Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ рСгулятор уровня ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности.

      Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρ‹ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² IGBT ΠΈ MOSFET ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ сигналы высокого ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ уровня. ЛогичСский Π²Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ΅ 3,3 Π’ ΠΈ совмСстим с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ LSTTL ΠΈ CMOS. Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ нСвосприимчивы ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ HVC ΠΈ Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠ°ΠΌ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ допускаСтся ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ.

      (Аналогичный ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ SOIC Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° полумоста IR2014).

      2. Π₯ΠΠ ΠΠšΠ’Π•Π Π˜Π‘Π’Π˜ΠšΠ˜

      Помимо ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ, Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ MOSFET IR2104 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ нСсколько Π²Ρ‹Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ характСристик, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ

      • Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ составляСт 10 Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ составляСт 20 Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€.
      • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ напряТСния VCC составляСт ΠΎΡ‚ 12 Π’ Π΄ΠΎ 36 Π’ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
      • На Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ напряТСниС питания логичСского элСмСнта составляСт 12–15 Π’ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
      • Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ совмСстимых Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигналов: 3,3–15 Π’.
      • Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° IR2104 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ SMD-Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½.
      • Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ШИМ.
      • ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, микросхСма ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.
      • Π˜ΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ Π²ΠΈΠ½Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ для питания Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.
      • Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ имССтся Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌ для Π²Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΈ питания Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠΈ.
      • Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΡƒ, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΡ€Π΅ΡΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ.

      3. Распиновка IR2104

      Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, распиновка IR2104 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ восСмь вставляСмых Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· отвСрстиС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Часто Π΅Π³ΠΎ 8-DIP-ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ поставляСтся с двумя Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌΠΈ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ CMOS. Они, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… MOSFET ΠΈ полумостовых Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°Ρ… IGBT.

      (8-контактная микросхСма Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° PDIP).

      4. Как ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ IR2104

      Π’ΠΎ врСмя Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ полумостовой Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ШИМ-сигналы ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° являСтся Arduino Uno. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊ Arduino Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ D9 ΠΎΠ½ управляСт Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΈ высоким значСниями MOSFET. Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ D8 Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Arduino ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ сигналы. Π’ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ ШИМ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΡΠΈΠ½Ρ…Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ с ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΌ Ρ†ΠΈΠΊΠ»ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ насос заряда Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π».

      (Π’ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ использованию ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° IR2104).

      Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ ограничСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ слСдуСт ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ использовании ИБ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Π° Π²ΠΎ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ поврСТдСния. К Π½ΠΈΠΌ относятся:

      • TA, Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды: ΠΎΡ‚ -40 Π΄ΠΎ 125Β°C.

      Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

      Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *