Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

IRF520 характеристики транзистора, цоколевка, аналоги и datasheet

Как указано в технических характеристиках транзистора, IRF520 является мощным MOSFET- устройством, с изолированным затвором, n-канальным. Он разработан американской International Rectifier (IR) для схем, в которых имеет значение большая скорость переключения и высокая проводимость открытого канала. Например, в импульсных источниках питания, устройствах управления двигателем, бесперебойниках и в других популярных схемах. Широко распространены на рынке радиоприборов от разных производителей, купивших лицензию у IR на известную во всем мире технологию этой компании HEXFET®.

Совсем недавно (с 2014 года) International Rectifier стала частью американской компании Infineon Technologies, которая продолжает выпускать IRF520 с аналогичной маркировкой и улучшенными характеристиками.

Цоколевка

irf520 имеет следующую распиновку. Большинство производителей выпускают его в корпусе ТО-220АВ. Если смотреть на транзистор со стороны маркировки, то назначение контактов такое: самая левая ножка — это затвор (G), посередине находится сток (D), а справа исток (S).

Технические характеристики

Как и большинство мощных MOSFET от IR, IRF520 имеет неплохие предельно допустимые характеристики и достаточно хороший запас по прочности. Несмотря на это, не стоит злоупотреблять и превышать эти значения, в случае применения данного транзистора в своих разработках. Для повышения надежности и продления срока службы устройства, рекомендуемые эксплуатационные значения будут на 20-30% ниже от перечисленных в техническом описании:

  • максимальное напряжение между стоком и истоком (VDS) — 100 В;
  • сопротивление открытого канала RDS(ON) – 0.27 Ом;
  • допустимый постоянный ток стока (ID): при TC до +25ОС – 9.2 А; при TC до +100ОС – 6.5 А;
  • пиковый импульсный ток стока (IDM) – 37 А;
  • отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS) — ±20 В;
  • рассеиваемая мощность (PD) до 60 Вт;
  • температура хранения (TJ) от — 55 до +175 °C;
  • максимальная температура кристалла (TC) до +175 °C.

Рассмотрим электрические параметры IRF520. Они предоставляются изготовителями устройства в техописании, ниже предельно допустимых значений, в виде отдельной таблицы и для определенных режимов измерения. Температура окружающей среды при этом не превышает +25 °C, если не указано иного.

Аналоги

К полными аналогами irf520 можно отнести: SiHF520, irf520PbF, BUZ20B, D84CL2, IRF120, MTP8N08, MTP8N10, RCA9212A. Функционально близкими по своим свойствам будут: STP14NF12 (STM), RPF12N08 (Intersil, Fairchild), 2SK2399 (Toshiba). При замене следует внимательно ознакомиться с документацией и принимать решение в зависимости от назначения и режимов работы устройства. Среди российских изделий также существуют похожие транзисторы, к ним относятся: КП520 и КП744А.

Модуль для Arduino

В интернет-магазинах (и не только) довольно часто встречается модуль “силовой ключ” сделанный на IRF520. Это готовое решение, на базе рассматриваемого устройства, популярно для начинающих радиолюбителей для управления нагрузкой с помощью Arduino. При этом  есть возможность управлять при помощи ШИМ, что позволяет, например, регулировать скорость двигателя или задавать яркость свечения светодиода.

Производители

Префикс IRF известен во всем мире и стал де-факто стандартом при маркировке силовой электроники многих производителей. IRF520, именно с таким обозначением различные производители продолжают выпускать его. К ним относятся: Inchange Semiconductor Company Limited, International Rectifier, Vishay Siliconix, New Jersey Semi-Conductor Products, STMicroelectronics (STM), Fairchild Semiconductor, Intersil Corporation, Supertex, ARTSCHIP ELECTRONICS. На отечественном рынке наиболее распространены изделия выпускаемые компаниями Vishay Siliconix и STM. Вы можете скачать даташит, кликнув по ссылке с наименованием изготовителя.

MOSFET модуль на IRF520 за 90р на fixfly.ru

В наличии: 4шт.

Вы получите : 6 бонусов Можно посмотреть и потрогать в магазине на Стачек.

Профессиональные консультации. Обращайтесь.

Проверяем все модели перед отправкой.

Описание

Доставка и оплата

Описание

Модуль MOSFET транзистора IRF520. Силовой ключ. Позволяет коммутировать силовую нагрузку. Управлять работой нагрузки ШИМ сигналом.

Спецификация

  • MOSFET: IRF520
  • Размер: 26×33мм
  • Напряжение нагрузки: до 24VDC
  • Ток нагрузки без радиатора: 1А
  • Ток нагрузки с охлаждением: 5А
  • Управляющий сигнал: 5В

Подключение:

  • V+ и V- – нагрузка
  • Vin и GND – питание нагрузки
  • SIG – управляющий сигнал
  • GND – земля управляющего сигнала
  • Vcc – не используется


Самара.

Варианты доставки:

Стоимость доставки одной единицы товара. Стоимость доставки нескольких единиц смотрите в корзине.


Варианты оплаты:

Картами Visa, Mastercard и Мир. В том числе Сбербанк Онлайн, Альфа-Клик, ВТБ24-Онлайн, PSB On-Line, Русский Стандарт.

Наличными в магазине, курьеру, в пунктах выдачи.

Этот товар можно купить только в магазине по адресу Санкт-Петербург, пр.Стачек, д.72. ДК Газа правый вход.
Мы не можем отправить его курьером или в пункты выдачи заказов.

IRF520 инвентарь и цена- Electronics-chip.com

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
IRF510STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 5. 6A D2PAK запрос
IRF510STRLPBF Electro-Films (EFI) / Vishay MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK запрос
IRF520 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 запрос
IRF520NL International Rectifier (Infineon Technologies) MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 запрос
IRF513 FAIRCHILD N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V запрос
IRF511 FAIRCHILD N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V запрос
IRF520N International Rectifier (Infineon Technologies) MOSFET N-CH 100V 9. 7A TO-220AB запрос
IRF520A FAIRCHILD Advanced Power MOSFET запрос
IRF510STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK запрос
IRF520 INTERSIL 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET запрос
IRF520 STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 запрос
IRF520N International Rectifier MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB запрос
IRF520 Electro-Films (EFI) / Vishay MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB запрос
IRF510STRL Electro-Films (EFI) / Vishay MOSFET N-CH 100V 5. 6A D2PAK запрос
IRF520
SAMSUNG
ORIGINAL IN STOCK запрос
IRF510STRR Electro-Films (EFI) / Vishay MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK запрос
IRF520 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB запрос
IRF510STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK запрос
IRF512 FAIRCHILD N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V запрос
IRF510STRRPBF Electro-Films (EFI) / Vishay MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK запрос

(Новый и оригинальный) IRF520 IRF520N TO-220 N-Channel IR Power MOSFET в наличии


Описание и отзывы
Характеристики

 

Номер модели:Посылка
Бренд Namer

Новый

ЦенаПожалуйста, свяжитесь с нами

 

 

1. Мы принимаем банковский перевод Paypal,Western Union и Alipay.

2. банковские сборы являются ответственностью покупателя.

3. Отправить предложение руем, верны в это время, но могут быть изменены через 1 неделю.

Из-за колебаний валюты и количества заказа.

 

 

 

 

1. Мы можем отправить товары к DHL, UPS, TNT, FedEx и Почта Китая.
Пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую для выбора выбранного вами товара.
2. Мы отправим товары в течение 3 рабочих дней после получения оплаты.
3. Мы не несем ответственности за несчастные случаи, задержки или другие вопросы, которые находятся в ведении транспортной компании.

4. Любые импортные сборы или почтовые расходы являются обязанностью покупателя.

 

 

1. Все детали, которые мы предлагаем, являются новыми и оригинальными, если не указано.

2. Если товары, которые вы покупаете в нашем магазине, не идеальны по качеству,

Мы организуем ваше переоборудование или замену. Но товары должны оставаться их первоначальным состоянием.

3. Мы преуспеваем в зависимости от удовлетворенности наших клиентов, ваши отзывы очень важны для нас.

 

 

Как профессиональный электронный оптовик в Шэньчжэне,
Наша компания уже несколько лет является известной торговой корпорацией.
Мы специализируемся на производстве:

 

Интегральные схемыМодулиРеле общего назначенияРезисторы для поверхностного монтажа

С украшением в виде кристаллов для поверхностного монтажа

ТранзисторыОптопарыКонденсаторы
RJ45 разъемыДиоды для подавления переходных скачков напряженияСветодиодыИндукторы
USB разъемыПредохранителиПереключатели

 

Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, свяжитесь с нами в любое время.
· Компания: Shenzhen Xiongfa Weiye Electronics Co., Ltd.
· Тел: + 86 0755-83201446 82553064
· Факс: + 86 0755-83041529
· WeChat: + 86 15914503090

· WhatsApp: + 86 15989305840
· Электронная почта: веб-мастер @ centrondz. com

· Skype: webmaster @ centrondz.com

Знаете ли вы N-канальный силовой MOSFET-IRF520?

На прошлой неделе Jotrin Electronics представила множество связанных электронных компонентов и знаний.

На этой неделе мы продолжим знакомство с электронными компонентами, мы тщательно выберем некоторые из популярных компонентов на рынке, а затем объясним их соответствующие функции, инструкции и функции.

На этот раз я выбрал модель электронных компонентов, названную IRF520, которая представляет собой N-канальный силовой МОП-транзистор.Как инженер-электронщик, вы должны знать его, но в конце концов, это лишь небольшая группа людей. Я надеюсь, что вы сможете получить ценную информацию. Приступим сейчас.

IRF520 – это силовой МОП-транзистор с током коллектора 9,2 А и напряжением пробоя 100 В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и, следовательно, обычно используется с микроконтроллерами, такими как Arduino, для переключения сильноточных нагрузок.


Простое описание IRF520

IRF520 – это одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым транзистором на 100 В в корпусе TO-220AB.IRF520 выпускают многие известные производители, в том числе Infineon, Vishay Siliconix, STMicroelectronics и др. Используется корпус TO-220AB.

Напряжение между стоком и источником составляет 100 В, максимальная входная емкость при Vds составляет 360 пФ при 25 В. Его рабочая температура составляет -55 ° C ~ 175 ° C.

IRF540 – это N-канальный силовой МОП-транзистор. Mosfet может переключать нагрузки, которые потребляют непрерывный ток до 9,2 А и работают при напряжении ниже 100 В. Он также имеет приличное сопротивление в открытом состоянии 0.27 Ом, что увеличивает эффективность МОП-транзистора, поскольку он будет рассеивать меньше тепла в виде потерь.

Полевые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay предоставляют разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления при включении и экономической эффективности.

Корпус TO-220AB универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление.

и низкая стоимость упаковки TO-220AB способствуют его широкому признанию во всей отрасли.

Этот МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора, составляющее всего 4 В, это означает, что МОП-транзистор может быть включен даже при 5 В с вывода GPIO микроконтроллеров, таких как Arduino. Но это не означает, что Mosfet будет полностью включаться всего лишь с 5 В, ему нужно около 10 В, подаваемое на вывод затвора, чтобы полностью включиться и обеспечить ток коллектора 9,2 А. Поэтому, если вы ищете Mosfet для использования с микроконтроллером, вам следует рассмотреть Mosfet логического уровня, например 2N7002 и т. Д.

В качестве альтернативы вы также можете использовать схему драйвера для подачи 10 В на вывод затвора этого МОП-транзистора с помощью транзистора. Кроме того, МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может также использоваться в схемах преобразователя постоянного тока в постоянный.

Особенности IRF520

1.N-канальный силовой полевой МОП-транзистор
2. непрерывный ток утечки (ID): 9.2A
3. слив к источнику напряжения пробоя: 100 В
4.Сопротивление источника слива (RDS) равно 0.27 Ом
5.Пороговое напряжение затвора (VGS-ое) не более 4В
6. время нарастания и спада 30 нс и 20 нс
7. Он обычно используется с Arduino из-за низкого порогового напряжения.

Преимущества IRF520:
1. соответствует требованиям RoHS
2.Low RDS (вкл.)
3. ведущее качество в отрасли
4.Динамический dv / dt Рейтинг
5. быстрое переключение
6.Полностью лавинный рейтинг
7,175 ° C Рабочая температура

Целевые приложения:

1. Потребительский полный мост
2. полный мост
3. толкать-тянуть
Другое приложение
1. Коммутационные аппараты большой мощности
2.Контроль скорости двигателей
3. светодиодные диммеры или мигалки
4. приложения для высокоскоростной коммутации
5. преобразователи или инверторные схемы

Описание для IRF520 Pinout

IRF520N имеет три контакта: Source, Gate и Drain. Они соответствуют разным функциям. Подробное описание выводов IRF520N см. В таблице данных IRF520N.Вы можете бесплатно скачать IRF520N Pdf в конце статьи. Мы помогли вам найти техническое описание в Интернете.


КТО МОЖЕТ ЗАМЕНИТЬ НА IRF520

Когда нам понадобился IRF520, мы обнаружили, что такого компонента нет, как с этим бороться?

Как только это произойдет, нам нужно понять соответствующие свойства IRF520N, а затем найти заменяющие электронные компоненты, что означает, что этот заменяющий компонент имеет те же функции и свойства, что и IRF520N.

IRF520 Альтернативы: IRF540N, IRF3205

Другие аналогичные N-канальные МОП-транзисторы: 2N7000, FDV301N, 2N7002

irf520 техническое описание (1/9 страницы) VISHAY | Power MOSFET

Номер документа:

www.vishay.com

S11-0511-Rev. B, 21-Mar-11

1

Это техническое описание может быть изменено без предварительного уведомления.

ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА И ДАННАЯ ТЕХНИЧЕСКАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ МОЖЕТ СООТВЕТСТВОВАТЬ ОСОБЫМ ОТКАЗАМ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, УСТАНОВЛЕННЫМ НА www.vishay.com/doc?


Power MOSFET

IRF520, SiHF520

DYNAMIC

Рейтинг

• Повторяющиеся лавины Номинальный

• Рабочая температура 175 ° C

• Быстрое переключение

• Простота параллельного подключения

• Простые требования к приводу

• Соответствует директиве RoHS 2002/95 / EC

ОПИСАНИЕ

Полевые МОП-транзисторы поколения Power от Vishay обеспечивают конструктору

наилучшее сочетание быстрого переключения,

повышенной прочности конструкции

устройства

,

low

на сопротивлении

и

рентабельности.

Корпус TO-220AB универсально предпочтителен для всех

коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеяния мощности от

до примерно 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление

и низкая стоимость корпуса TO-220AB способствуют его ширине

. признание во всей отрасли.

Примечания

а. Повторяющийся рейтинг; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. рис. 11).

г. VDD = 25 В, пусковая TJ = 25 ° C, L = 3.5 мГн, Rg = 25 , IAS = 9,2 А (см. Рис.12).

г. ISD 9,2 A, dI / dt  110 A / мкс, VDD  VDS, TJ 175 ° C.

г. 1,6 мм от корпуса.

ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА

VDS (V)

100

RDS (вкл.) () VGS = 10 В

0,27

Qg (макс.) (NC)

16

Qgs3 (

Qgs3 (

Qgs)

Qgs3 (

Qgs3)

4,4

Qgd (nC)

7,7

Конфигурация

Одиночный

N-канальный полевой МОП-транзистор

G

D

S

TO-220AB

G

D

D 9000 RoHS *

СООТВЕТСТВУЕТ

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА

Упаковка

TO-220AB

Не содержит свинца (Pb)

IRF520PbF

SiHF520-E3

03 SnPb2ings 25 ° C, если не указано иное)

ПАРАМЕТР

СИМВОЛ

ПРЕДЕЛ

БЛОК

Напряжение сток-исток

VDS

100

В

Напряжение затвор-исток

VGS

± 20

Постоянный ток утечки

VGS при 10 В

TC = 25 ° C

ID

9. 2

A

TC = 100 ° C

6,5

Импульсный ток стокаa

IDM

37

Коэффициент линейного снижения

0,40

Вт / ° C

Energy

EAS

Single Pulse

0003 200

мДж

Повторяющееся лавинное течение

IAR

9,2

A

Повторяющееся лавинное движение Energya

EAR

6,0

мДж

Максимальное рассеивание мощности

Максимальное рассеивание мощности

Вт

Пиковое восстановление диода dV / dtc

dV / dt

5.5

В / нс

Диапазон рабочих температур спая и хранения

TJ, Tstg

– 55 до + 175

° C

Рекомендации по пайке (пиковая температура)

на 10 с

300d

Момент затяжки

6-32 или винт M3

10

фунт-сила · дюйм

1,1

Н · м

* Концевые заделки, содержащие свинец, не соответствуют требованиям RoHS, могут применяться исключения

CINCI ANI LA ​​AUSCHWITZ PDF

5 Ani La Auschwitz Загрузить> ,, Kielar ,, – ,, Cinci ,, Ani ,, La ,, Auschwitz ,, 5 ,. Меня совершенно потрясла эта книга, от которой у меня перехватило дыхание. Конечно, все мы знаем общую историю Холокоста и Освенцима – Биркенау, но индив. «Vijf jaar Auschwitz» – это het ongelooflijke verhaal van een man die de verschrikkingen van dit continratiekamp overleefde. Van het begin to het einde heeft hij.

Автор: Самурамар Аралраджас
Страна: Шри-Ланка
Язык: Английский (Испанский)
Жанр: Финансы
Опубликовал (последний): 9 июля 2004 г.
Страниц: 462
PDF Размер файла: 8.58 Мб
Размер файла ePub: 14.62 Мб
ISBN: 313-7-81554-657-4
Загрузки: 39262
Цена: Бесплатно * [ * Требуется бесплатная регистрация ]
Загрузил: Микалабар

Веслав Килар, работающий в хет-кампусе как верплегер, lijkendrager, schrijver bij ee «Vijf jaar Auschwitz», является het ongelooflijke verhaal van een man die de verschrikkingen van dit contratiekamp overleefde.

Катаржина Демьянюк оценила это как потрясающе 22 окт. Рассказ о человеке, который оказался одним из первых, кто вошел, и одним из последних и немногих, кто покинул Освенцим. Эта рецензия бала скрыта, так как содержит спойлеры.

Веслав Килар Чинчи Ани Ла Аушвиц

Заключенных, которые превратились в «мусульманских» «ходячих скелетов» в лагерной идиоме, отправляли прямо в газовые камеры, и действительно не имело значения, были ли они евреями, польскими христианами или любыми другими гражданами. Хеннинг оценил это как потрясающе 09 ноября. Оказывается, «избранные» Освенцима были для всех. Hij komt er levend uit en is later cineaste gworden, als ik het goed heb.

Лучшая книга, которую я когда-либо читал, произвела на меня такое впечатление, когда я читал ее впервые, будучи подростком. Я прочитал ее по крайней мере 14 раз, и я смогу прочитать ее завтра снова: пока нет викторин или викторин.

И если я говорю о «разных способах», то это не просто газовые камеры… Согласно книге «пациенты» и другие часто убивались инъекциями «фенола», а также «старыми методами» огнестрельного оружия. мы рассмотрим удаление спама, клеветнических атак на других участников или крайне оскорбительного содержания, например.

Войти через Facebook Параметры входа. Опубликовано впервые опубликовано 1 января. В нем много историй, которые я буду хранить в надежном месте. Откройте для себя новые книги на Goodreads.

Миклош Ньишли – Википедия

Я прочитал много книг об ужасах концлагерей, но эта действительно проникла в мое сердце. Я почти уверен, что эта книга – одно из моих любимых воспоминаний об Освенциме. Что мне действительно понравилось в этой истории, так это то, что хотя по сути она представляет собой рассказ о жизни в Освенциме из первых рук, она в значительной степени лишена эмоций.

Хочу прочитать сохранение…. Я надеюсь, что это действительно произошло, потому что это лучший ответ на вопрос Примо Леви: это можно было бы получить и на английском Het boek leest zeer traag door de oubollige schrijfstijl en de zeer lange zinnen met heel veel woorden die tegenwoordig amper nog gebruikt worden .

Я определенно не могу понять, как бы я справился с переносом трупов мертвых или наблюдением за людьми, идущими на смерть через смертельную инъекцию, которую я знал, или газовую камеру цинки, о существовании которой я знал.Фактически он был одним из первых узников этого концлагеря.

Посмотреть все 3 комментариев. Het is natuurlijk een gruwelijk verhaal. Я разочарован всеми, кто читал книгу и считал Веслава Килара евреем.

Vijf jaar Auschwitz: verslag van een overlevende

Что ж, я освящаюсь, мне сегодня нужно было ударить по голове книгой. На самом деле не имеет значения, к какой этнической группе он принадлежит, но я считаю это поверхностным, и Polen hadden heel wat meer kans om te overleven dan de Joodse kampbewoners.

Das hat sich auch in diesem Buch gezeigt – wie kann Gewissen und Verstand so kollektiv versagen? Мы серьезно относимся к злоупотреблениям в наших форумах. Hoe moeilijk het ook was om het uit te lezen.

Самый важный для меня эпизод был в конце книги, где рассказчик возвращает вещи, которые он взял у очень молодого немецкого пленного, в раскаянии за то, что ударил его. По этой книге еще нет тем для обсуждения. Отзыв Лауры Александры 18 апр., Иногда целых пациентов из больничной палаты лагеря отправляли в крематорий, и не было разницы, кем бы они ни были … Русских военнопленных также убивали различными способами. Я полностью потрясен этой книгой, что у меня перехватило дыхание.

В сочинениях Леви всегда есть намек на надежду, и к ним можно возвращаться снова и снова; Anus Mundi – грязная штука, бывшая библиотека в твердом переплете, которая казалась больной и мягкой в ​​моих руках. Войдите в Goodreads, чтобы узнать, читал ли кто-нибудь из ваших друзей Cinci ani la Auschwitz. Het is gruwelijk en soms bijna niet te geloven dat dit ook werkelijk is gebeurd.

Эта книга не дает вам ничего, кроме самого реального понимания того, что значит быть там, в Освенциме. Toen tijdens een process icnci Duitsland enige neo-nazi’s door de rechtbank werden veroordeeld, maakte het lezen van het boek van Kielar deel uit van de straf.

De schrijver wordt als ausdhwitz jongen door de Nazi opgepakt en komt als een van de eerste gevangenen в Терехте Освенцима. Мы не будем удалять любой контент только за ненормативную лексику или критику конкретной книги. Так что то, что кто-то выжил там больше года, было само по себе чудом.

IRF520 Power MOSFET: распиновка, техническое описание, спецификации [FAQ]

IRF520 – это силовой МОП-транзистор с током коллектора 9,2 А и напряжением пробоя 100 В.МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и, следовательно, обычно используется с микроконтроллерами, такими как Arduino, для переключения сильноточных нагрузок.

Каталог


Конфигурация контактов IRF520

Имя контакта

Описание

Источник

Ток течет через Источник

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора

Слив

Ток протекает через сток


IRF520 Спецификация

Атрибут

Значение атрибута

Производитель:

Vishay / Siliconix

Категория продукта:

Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные

Тип монтажа:

SMD / SMT

Упаковка-Чемодан:

ТО-252-3

Количество каналов:

1 канал

Полярность транзистора:

N-канал

Vds-сток-исток-напряжение пробоя:

100 В

Id-Continuous-Drain-Current:

9. 2 А

Сопротивление Rds-On-Drain-Source:

270 мОм

Напряжение затвора-источника Vgs:

20 В

Максимальная рабочая температура:

+ 175 К

Технологии:

Si

Упаковка:

Катушка

Режим канала:

Улучшение

Конфигурация:

Одноместный

Время падения:

20 нс

Минимальная рабочая температура:

– 55 С

Рассеиваемая мощность Pd:

3. 7 Вт

Время нарастания:

30 нс

Тип транзистора:

1 канал N

Типичное время задержки выключения:

19 нс

Типичное время задержки включения:

8.8 нс

Вес:

0,050717 унций


IRF520 Характеристики

  • Динамический рейтинг dV / dt

  • Повторяющийся сход лавины Рейтинг

  • 175 ° C Рабочая температура

  • Быстрое переключение

  • Простота распараллеливания

  • Требования к простому диску

  • Соответствует директиве RoHS 2002/95 / EC


IRF520 Приложения

  • Преобразователи постоянного тока в постоянный

  • Приложения, требующие быстрого переключения

  • Источники бесперебойного питания

  • Зарядные устройства

  • Системы управления батареями

  • Применение солнечной энергии

  • Цепи драйвера двигателя

  • Компьютерные и телекоммуникационные приложения


Функциональные эквиваленты IRF520

Номер детали

Описание

Производитель

ТРАНЗИСТОРЫ

IRF520

10А, 100В, 0. 27 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-220AB, TO-220, 3 КОНТАКТА

STMicroelectronics

ИРФ520ПБФТРАНЗИСТОРЫ

Силовой полевой транзистор, 9,2 А, I (D), 100 В, 0,27 Ом, 1-элементный, N-канал, кремний, металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

Vishay Intertechnologies

SIHF520-E3 ТРАНЗИСТОРЫ

ТРАНЗИСТОР 9.2 А, 100 В, 0,27 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-220AB, СООТВЕТСТВИЕ ROHS, TO-220, 3 КОНТАКТА, питание общего назначения на полевых транзисторах

Vishay Siliconix

SIHF520 ТРАНЗИСТОРЫ

ТРАНЗИСТОР 9,2 А, 100 В, 0,27 Ом, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET Питание общего назначения

Vishay Siliconix


Где и как использовать компоненты, такие как реле, транзисторы и т.

д.Из-за низких требований к мощности затвора его можно легко использовать на выходе Arduino, Raspberry Pi и различных микросхем и микроконтроллеров для управления нагрузками с высоким током. Помимо вышеперечисленных применений, он также может использоваться в схемах аудиоусилителей.


Испытательные цепи IRF520

  • Испытательная цепь времени переключения

  • Цепь индуктивного тестирования без зажимов

  • Испытательная цепь dV / dt восстановления пикового диода


Как безопасно и долго запускать IRF520 в цепи

Чтобы получить долгосрочную производительность, используйте IRF520, по крайней мере, на 20% ниже его максимальных значений.Максимальный ток стока составляет 9,2 А, поэтому не используйте нагрузку более 7,36 А. Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, поэтому напряжение нагрузки должно быть ниже 80 В. Напряжение между затвором и истоком должно быть ниже ± 20 В и всегда хранить и эксплуатировать транзистор при температуре выше -55 по Цельсию и ниже +175 по Цельсию.


IRF520 Упаковка


IRF520 Популярность по регионам


IRF520 Производитель

Vishay Intertechnology была основана в 1962 г.Феликс Зандман. Компания начала свою деятельность с одной технологии, которая имела две линейки продукции: фольговые резисторы и тензодатчики сопротивления фольги. В 1985 году, превратившись из стартапа в ведущего мирового производителя этих оригинальных продуктов, компания начала серию постоянных стратегических приобретений, чтобы стать производителем электронных компонентов широкого профиля. Сегодня Vishay Intertechnology – один из крупнейших мировых производителей дискретных полупроводников и пассивных электронных компонентов. Эти компоненты используются практически во всех типах электронных устройств и оборудования на промышленных, компьютерных, автомобильных, бытовых, телекоммуникационных, военных, аэрокосмических рынках, рынках источников питания и в медицине.


Техническое описание компонентов


Часто задаваемые вопросы

IRF520 – это силовой МОП-транзистор с током коллектора 9,2 А и напряжением пробоя 100 В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и, следовательно, обычно используется с микроконтроллерами, такими как Arduino, для переключения сильноточных нагрузок.

  • Для чего используются силовые полевые МОП-транзисторы?

Силовые полевые МОП-транзисторы широко используются в транспортных средствах , включая широкий спектр транспортных средств.В автомобильной промышленности мощные полевые МОП-транзисторы широко используются в автомобильной электронике . Силовые полевые МОП-транзисторы (включая DMOS, LDMOS и VMOS) обычно используются для в широком спектре других приложений.

Как правило, полевой МОП-транзистор работает как переключатель , а полевой МОП-транзистор управляет потоком напряжения и тока между истоком и стоком. Работа полевого МОП-транзистора зависит от МОП-конденсатора, который представляет собой поверхность полупроводника под слоями оксида между выводами истока и стока.

  • Как проверить мой МОП-транзистор?
1) Держите MosFet за корпус или язычок, но не прикасайтесь к металлическим частям пробников test с любыми другими клеммами MosFet до тех пор, пока это не понадобится. 2) Сначала прикоснитесь плюсовым проводом измерителя к воротам MosFet . 3) Теперь переместите положительный зонд в «Слив». Вы должны получить «низкое» значение.
  • Что такое N-канал Mosfet?

Полевой МОП-транзистор N является типом полевого МОП-транзистора , в котором канал полевого МОП-транзистора состоит из большинства электронов в качестве носителей тока. … МОП-транзистор истощенного типа обычно включен (максимальный ток течет от стока к истоку), когда нет разницы в напряжении между выводами затвора и истока.

  • В чем разница между транзистором и МОП-транзистором?

BJT представляет собой биполярный переход транзистор , тогда как MOSFET представляет собой металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор . … BJT используются для приложений с низким током, тогда как MOSFET используется для приложений с высокой мощностью.В настоящее время считается, что в аналоговых и цифровых схемах MOSFET используются чаще, чем BJTS.

  • В чем разница между транзисторами с каналом N и P?

В канальном MOSFET N – исток соединен с землей, сток – с нагрузкой, и полевой транзистор включается, когда на затвор подается положительное напряжение. … Это означает, что если вы хотите использовать МОП-транзистор P для переключения напряжений выше 5 В, вам понадобится другой транзистор (какой-то), чтобы включать и выключать его.

Полевой транзистор MOSFET (металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) представляет собой полупроводниковое устройство, которое широко используется для переключения и усиления электронных сигналов в электронных устройствах. МОП-транзистор представляет собой трехполюсное устройство, такое как исток, затвор и сток.

  • Как подключить Mosfet к Arduino?

Сначала поместим N-канальный MOSFET MOSFET на макетную плату – убедитесь, что каждый вывод имеет свой собственный узел.Свяжите вывод истока с GND, затвор – с выводом 2 Uno, а сток – с черным проводом на вентиляторе. Красный провод вентилятора соединяет с положительной шиной на макетной плате.

IRF520 MOSFET Распиновка, техническое описание, характеристики и альтернативы

IRF520 – это мощный Mosfet с током коллектора 9,2 А и напряжением пробоя 100 В.МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и, следовательно, обычно используется с микроконтроллерами, такими как Arduino, для переключения сильноточных нагрузок.

Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Источник

Ток течет через Источник

2

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора

3

Слив

Ток протекает через сток

Характеристики
  • N-канальный силовой полевой МОП-транзистор
  • Постоянный ток утечки (ID): 9.
  • Напряжение пробоя сток-исток: 100 В
  • Сопротивление истока стока (RDS) 0,27 Ом
  • Пороговое напряжение затвора (VGS-ое) 4В (макс.)
  • Время нарастания и спада 30 нс и 20 нс
  • Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового напряжения.
  • Доступен в упаковке К-220

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных IRF520 по ссылке внизу страницы

Альтернативные МОП-транзисторы IRF520

IRF540N, IRF3205

Другие N-канальные МОП-транзисторы

2N7000, FDV301N

Обзор полевого МОП-транзистора IRF520

IRF540N представляет собой N-канальный силовой МОП-транзистор.Mosfet может переключать нагрузки, которые потребляют непрерывный ток до 9,2 А и работают при напряжении ниже 100 В. Он также имеет приличное сопротивление в открытом состоянии 0,27 Ом, что увеличивает эффективность Mosfet, поскольку он будет рассеивать меньше тепла в виде потерь.

Этот МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора, составляющее всего 4 В, это означает, что МОП-транзистор может быть включен даже при 5 В с вывода GPIO микроконтроллеров, таких как Arduino. Но это не означает, что Mosfet будет полностью включаться всего лишь с 5 В, ему нужно около 10 В, подаваемое на вывод затвора, чтобы полностью включиться и подать 9.Ток коллектора 2А. Поэтому, если вы ищете Mosfet для использования с микроконтроллером, вам следует рассмотреть Mosfet логического уровня, например 2N7002 и т. Д.

В качестве альтернативы вы также можете использовать схему драйвера для подачи 10 В на вывод затвора этого МОП-транзистора с помощью транзистора. Кроме того, МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может также использоваться в схемах преобразователя постоянного тока в постоянный.

Приложения
  • Коммутационные аппараты большой мощности
  • Регулировка скорости двигателей
  • Светодиодные диммеры или мигалки
  • Высокоскоростные коммутационные приложения
  • Преобразователи или схемы инвертора

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных IRF520 будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.