Транзистор IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220
Описание товара Транзистор IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220- Тип транзистора: N-канальный;
- Максимальный ток “сток”-“исток”: 4A;
- Максимальный напряжение “сток”-“исток”: 200V;
- Тип корпуса: TO-220.
Транзистор IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.
Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода (“сток” и “исток”), а управляющий электрод – затвор.
Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное – током через транзистор.
Поскольку транзистор называется “полевым”, управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.
Транзистор IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.
Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.
Основные параметры транзистора IRF610 полевогоПри расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.
Максимальный ток для полевого транзистора IRF610 составляет 4A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.
Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током “исток”-“сток”.
Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами “сток” и “исток”. При превышении этого параметра, транзистор может “пробиться”. Для рассматриваемой модели напряжение составляет 200V.
Также транзистор IRF610 характеризуется напряжением отсечки на участке “затвор”-“исток”. Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.
От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.
Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.
При проектировании схем с применением полевого транзистора IRF610 следует учитывать:
- чувствительность к перегреву;
- высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.
В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.
Предпочтительный вариант – пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.
Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.
Купить транзистор IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.
Автор на +google
IRF610 Vishay
200V 3.3A/25°C 2.1A/100°C 1500mO S , 36W/25°C Rthjc=3.5°C/WОсновная информация:
| Маркировка изготовителя | IRF610 |
| Type of casing: | THT |
| Kейс: | TO-220AB |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Тип компонента: | !_n_fet 1x single_! |
| Конфигурация: | single Transistor |
| Тип материала: | !_si-silicon_! |
| RoHS | Hет |
| REACH | Hет |
| NOVINKA | N |
Упаковка и вес:
| Единица: | штук |
| Вес: | 2.68 [g] |
| Тип упаковки: | TUBE |
| Малый пакет (количество единиц): | 50 |
Электрофизические параметры:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 3.3 [A] |
| Idc max(Tc/Ta=25°C) | 3.3 [A] |
| Idc max(Tc/Ta=100÷109°C) | 2.1 [A] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 36 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 1500 [mΩ] |
| trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 150 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 8.2 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 140 pF |
Тепловые и механические параметры:
| Tmin (mинимальная рабочая температура) | -55 [°C] |
| Tmax (mаксимальная рабочая температура) | 150 [°C] |
| Rthjc (case) | 3.5 [°C/W] |
| Rthja (ambient) | 62 [°C/W] |
| Number of Pins | 3 |
| ПИН-Размеры выводов | 0.00 [mm] |
– IRF610* Интернет-дистрибьютор – Ventronchip.com
Введение
Деталь № IRF610* Это доступно? : Да
Поставляется с: склада HK
Одна и та же модель может иметь разных производителей, изображения только для справки.
Модели ECAD: свяжитесь с нами, чтобы получить
Электронная почта: [email protected]
Вопросы и ответы
Q: Это это мой первый заказ из Интернета, как я могу заказать эту деталь IRF610*?
A: Пожалуйста отправьте предложение или отправьте нам электронное письмо, наш отдел продаж поможет вам как сделать.
Q: Как платить деньги?
О: Обычно мы принимаем банковский перевод, PayPal, кредитную карту и Western Union.
Q: Есть детали IRF610* с гарантией?
A: с Гарантия качества не менее 90 дней для каждого заказа. Просто напишите нам, если вы столкнетесь любая проблема качества.
Q: делать вы поддерживаете таблицу данных IRF610* или модели САПР?
A: Да, Наш технический инженер расскажет, какие таблицы или модели САПР у нас есть.
В: Является ли эта деталь оригинальной заводской упаковкой?
А: Да, как правило, если вы заказываете детали с SPQ (стандартная упаковка), мы отправим Детали в заводской упаковке. Если вы заказываете не полную упаковку, мы отправляйте детали в стандартной вакуумной упаковке нашей компании.
Вопрос: Можете ли вы доставить детали IRF610* напрямую на наш завод OEM.
A: Да, мы Могу отправить детали по адресу вашего корабля.
Q: Я просто нужен один кусок IRF610*, могу ли я заказать?
У него Зависит от MOQ IRF610*, большинство деталей мы можем поддержать заказ образца.
Q: Как Долго Могу ли я получить IRF610* после оплаты?
А: Мы отправляем заказы через FedEx, DHL или UPS, обычно это занимает 2 или 5 дней, чтобы прибыть к вам в руки.
irf610 – РАДИОМАГ РКС КОМПОНЕНТЫ
IRF610
Производитель: SILIN-MOSFET 4A 200V 45W 1.5? Trans. IRF610 TO220 TIRF610
количество в упаковке: 50 шт
В наличии/под заказ
под заказ 150 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
Техническое описание IRF610
Description: 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL, Base Part Number: IRF610, Package / Case: TO-220-3, Supplier Device Package: TO-220AB, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Manufacturer: Rochester Electronics, LLC.
Цена IRF610 от 8.98 грн до 32.34 грн
|
IRF610 Производитель: SILI N-MOSFET 4A 200V 45W 1.5? Trans. IRF610 TO220 TIRF610 количество в упаковке: 50 шт |
под заказ 30 шт срок поставки 14-28 дня (дней) |
||||||||||
|
IRF610 Производитель: VISH/IR
|
под заказ 28 шт срок поставки 16-23 дня (дней) |
|
|||||||||
|
IRF610 Производитель: /to-220/ Транзистор |
под заказ 10 шт срок поставки 3-5 дня (дней) |
||||||||||
|
IRF610 Производитель: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB Supplier Device Package: TO-220AB Manufacturer: Vishay Siliconix Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Base Part Number: IRF610 Package / Case: TO-220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V FET Type: N-Channel Packaging: Tube Part Status: Obsolete |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||
|
IRF610 Производитель: Vishay Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||
|
IRF610 Производитель: Harris Corporation Description: 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL Base Part Number: IRF610 Package / Case: TO-220-3 Supplier Device Package: TO-220AB Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Packaging: Bulk Manufacturer: Rochester Electronics, LLC |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
||||||||||
|
IRF610 Производитель: Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF610PBF |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
класс А, IRF610 с источником тока на LM317 » Журнал практической электроники Датагор (Datagor Practical Electronics Magazine)
От neyalm:
Продолжение темы о простых однотактных усилителях на одном полевике. И это тоже повторитель. Кус по напряжению примерно 0,8. КПД около 25%, однако, печка совсем небольшая.
Эту конструкцию собирал сам, навесным монтажом. Запела сразу. Планирую встроить этот усилитель в свою CD-деку, а то в ней родной хэдамп слабоват.
Содержание / Contents
Если у тебя наушники Grado SR80, встроенная звуковая карточка уже не может их достойно раскачать, поэтому я решил сделать настольный ушной усилитель для офиса. Как и в других проектах, я старался создать максимально простую, не содержащую дефицитных деталей и хорошо повторяемую конструкцию.Получилась схема простого самодельного хедампа в стиле «Усилитель для наушников на MOSFETе класса А» от Greg Szekeres и чем-то похожая на «Однотактный усилитель Хьюстона класса А на 2SK1058 MOSFET-е». Основная изюминка усилителя заключается в применении активного источника постоянного тока вместо пассивного резистора. Это удваивает производительность схемы, КПД приближается к теоретическому максимуму 25%.
Рисунок 1: Упрощенная схема усилителя.
Необходимо учитывать две особенности. Во-первых, повторитель на полевике позволяет получать приличные токи, но Кус по напряжению меньше 1. Усилитель применяется в случаях, когда источник сигнала имеет достаточное напряжение на выходе (например, mp3 плеер или компьютер). Во-вторых, схема чувствительна к питанию, любой шум БП беспрепятственно попадет к вам в уши. Вполне подойдет маломощный блок питания: 10-20В , 750мА постоянки должно хватить.
Схема приведена на рисунке 2. Я использовал IRF610, но его можно заменить и другим полевиком, выбор очень велик. Источник тока 250мА построен на LM317.
Рисунок 2. Схема усилителя.
Этот усилитель будет использоваться в офисе, а значит, и дизайн корпуса должен быть соответствующий. К счастью, у меня нашелся трупик внешнего CD-ROMa Plextor, поразмыслив, я понял, что из него получится прекрасный корпус, гармонирующий с моим рабочим местом. Корпус уже оснащен выключателем питания, внутри легко поместится БП, снаружи – входные гнезда RCA и выходное – под мини джек. Чудненько! Лишнее отверстие на задней стенке предназначалось для USB гнезда, его я уже выковырял для другого проекта.
Фотография 1: Корпус внешнего CD-ROMa Plextor.
Я использовал макетные платы площадью примерно 10см кв., но запоет и с любой другой платой. Детали использовались те, что были под рукой, ни одной не пришлось покупать. Резисторы – обычные, металло – пленочные(правда, подобранные), входной конденсатор пленочный, 1 мкФ, выход шунтирует полипропиленовый 0,47мкФ. Конденсатор в питании, 0,1мкФ, также пленочный. Можете применять более крутые разделительные конденсаторы, думаю, это положительно скажется на звуке. Не рекомендую использовать угольные резисторы, особенно в источнике тока, их сопротивление сильно плывет при нагревании.
Фотография 2: Усилитель в сборе.
Радиаторы можно оторвать от разных умерших устройств. Радиаторы площадью 10 см кв. умеренно нагреваются, прикручивание их к металлическому корпусу позволит еще эффективнее отводить тепло. Обязательно ставьте полевик и стабилизатор на изолирующие прокладки.
Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.Фотография 3: Усилитель в корпусе.
Первые испытания усилителя производились с регулируемым БП, при низких напряжениях. Ток выставляется 100 килоомным переменником, на выходе полевика(исток) нужно получить половину питающего напряжения(сток). Нужно подправлять ток несколько раз за первые несколько часов работы, пока все не устаканится. Усь работает при питании 10-20В, но, похоже, для уверенной работы требует от 13В. С регулируемым БП шумов в слышимом диапазоне не наблюдалось. Этого нельзя утверждать для случая нестабилизированного питания.
Фотография 4: Испытания в разгаре.
Вскоре у меня появился новый USB осциллограф, отличная возможность и его испытать. Модель DSO-2150, двуканальный, полоса 60МГц, максимальная частота выборки 150 млн. раз/с . Когда я прогонял синусоиду, результаты, как и ожидалось, были хороши на всем звуковом диапазоне. Привожу два скриншота испытаний прямоугольником: 100Гц и 4800 Гц.
Фотография 5: 100Гц, прямоугольник.
Фотография 6: 4800Гц, прямоугольник.
Верхняя половина (зеленый) показывает входной сигнал, а нижняя (желтый) – выходной. Мой генератор не безупречен, это видно на картинке входного сигнала. Посмотрите на амплитуду сигнала на входе и на выходе – становится понятным, что Кус=0,8. Как вы можете заметить, на первой фотографии (100Гц) наблюдаем спад. Этот спад уменьшается с повышением частоты ,и с 300Гц до 20кГц картина идеальная. Поскольку музыка складывается в основном из гармонических колебаний, а синусоиду усилитель практически не искажает, нет повода для беспокойств.
Последние штрихи: приклеиваю переднюю панель к алюминиевой пластине эпоксидкой, ставлю обратно в корпус. Громкость будет регулироваться источником, поэтому внешнего регулятора нет. Родной регулятор громкости CD-ROMa был удален, отверстие заклеено.
Фотография 7: Лицевая панель CD-ROMa.
Фотография 8: Полностью собранный усилитель.
Для такого простого асинхронного усилителя, звук великолепный, на мой слух. Усилок раскачивает мои Grado SR80 с такой легкостью, на которую mp3 плеер просто не способен. Звук у этого усилителя нравится мне даже больше, чем у встроенного в предусилитель NAD C162 хедампа.
Камрад, рассмотри датагорские рекомендации
🌼 Полезные и проверенные железяки, можно брать
Куплено и опробовано читателями или в лаборатории редакции.
IRF610 Power MOSFET | Vishay
Пожалуйста, внимательно прочтите заявление об отказе от ответственности перед тем, как продолжить, и перед использованием этих данных. Использование вами этих данных означает ваше согласие с условиями, изложенными ниже. Щелкните ссылку Я СОГЛАСЕН, чтобы продолжить и принять эти условия. и условия.
Эти данные предоставляются вам бесплатно для вашего использования, но остаются исключительной собственностью Vishay Intertechnology, Inc.(«Vishay»), Samacsys / Supplyframe Inc. или Ultra Librarian / EMA Design Automation, Inc. (совместно именуемые «Компания»). Эти данные предоставляется только для удобства и в информационных целях. Включение ссылок на эти данные на сайте Vishay не означает одобрения или одобрения Vishay каких-либо продуктов, услуг или мнений Компании. Пока Vishay и Компания приложили разумные усилия для обеспечения точности данных, Vishay и Компания не гарантируют, что данные будут безошибочными.Vishay и Компания не делают никаких заявлений, гарантий или гарантий того, что данные полностью точные или актуальные. В некоторых случаях данные могли быть упрощены, чтобы удалить проприетарные детали при сохранении важные геометрические детали интерфейса для использования клиентами. Vishay и компания категорически отказываются от всех подразумеваемых гарантий в отношении данные, включая, помимо прочего, любые подразумеваемые гарантии, товарную пригодность или пригодность для определенной цели.Никто вышеуказанных сторон несут ответственность за любые претензии или убытки любого характера, включая, помимо прочего, упущенную выгоду, штрафные или косвенные убытки, связанные с данными.
Обратите внимание, что нажатие кнопки «Я СОГЛАСЕН» приведет к тому, что вы покинете веб-сайт Vishay и перейдете на внешний веб-сайт. Вишайские медведи не несет ответственности за точность, законность или содержание внешнего веб-сайта или последующих ссылок.Пожалуйста свяжитесь владельцу внешнего веб-сайта для получения ответов на вопросы по его содержанию.
MOSFET – управление IRF610 от 12 В?
MOSFET – управление IRF610 от 12 В? – Обмен электротехнического стекаСеть обмена стеками
Сеть Stack Exchange состоит из 178 сообществ вопросов и ответов, включая Stack Overflow, крупнейшее и пользующееся наибольшим доверием онлайн-сообщество, где разработчики могут учиться, делиться своими знаниями и строить свою карьеру.
Посетить Stack Exchange- 0
- +0
- Авторизоваться Зарегистрироваться
Electrical Engineering Stack Exchange – это сайт вопросов и ответов для профессионалов в области электроники и электротехники, студентов и энтузиастов.Регистрация займет всего минуту.
Зарегистрируйтесь, чтобы присоединиться к этому сообществуКто угодно может задать вопрос
Кто угодно может ответить
Лучшие ответы голосуются и поднимаются наверх
Спросил
Просмотрено 40 раз
\ $ \ begingroup \ $ У меня есть несколько полевых МОП-транзисторов IRF610.
У меня есть цепь 12 В, которая потребляет 1,90 А при работе на макс.
Я думал, что могу переместить линию GND токовой цепи на сток IRF610, подключить источник к GND источника питания, а затем подключить +12 В через 4N25 к затвору. (Затем управление 4N25 от отдельной цепи 5 В для контроля включения или выключения цепи 12 В.)
Что меня интересует, так это использование +12 В для ворот, когда ему нужно +10 В, выполнимо ли это или мне нужно найти что-то еще?
Транзистор1111 золотых знаков160160 серебряных знаков336336 бронзовых знаков
задан 24 янв в 22:29
\ $ \ endgroup \ $ \ $ \ begingroup \ $Напряжение возбуждения затвора в порядке, но сопротивление сток-исток нет.Типичный R DSon составляет ~ 1,2 Ом при температуре перехода 25 ° C, повышается до ~ 2,5 Ом при 150 ° C. При 1,9 А вы можете ожидать падение напряжения ~ 1,2 Ом x 1,9 А = 2,3 В. Это приведет к выделению 2,3 В x 1,9 А = 4,4 Вт тепла, которое быстро нагреет его, увеличивая сопротивление и вызывая еще большее падение напряжения и повышение температуры.
Я рекомендую использовать полевой МОП-транзистор с гораздо более низким R DSon и сохранить IRF630 для приложений с высоким напряжением. Если вам необходимо использовать IRF630, подключите несколько из них параллельно, чтобы уменьшить общее сопротивление и повысить управляемую мощность.
Создан 24 янв.
Брюс Эбботт Брюс Эбботт46.9k11 золотых знаков3939 серебряных знаков7272 бронзовых знака
\ $ \ endgroup \ $ \ $ \ begingroup \ $Для достижения номинального значения RDson требуется 10 В :
Это не значит, что он может работать только или выдерживать только 10В.Что на самом деле может быть применено к нему, находится здесь:
Фактически, вы идеально управляете таким MOSFET на 12-15 В; Где-то комфортно вдали от абсолютного предела, но намного выше напряжения затвор-исток для номинального RDson, поэтому вы получите самое большое сопротивление (особенно при использовании бутстэпа с высокой стороны, когда примененный затвор-исток затухает, чем дольше включен MOSFET) .
Создан 24 янв.
DKNguyenDKNguyen39.8k33 золотых знака5050 серебряных знаков107107 бронзовых знаков
\ $ \ endgroup \ $ \ $ \ begingroup \ $Vgs <20V в порядке. см. таблицу. Убедитесь, что Vgs полностью включен (> порог Vgs) и полностью выключен (около 0 В)
Создан 24 янв.
M labM lab1122 серебряных знака1414 бронзовых знаков
\ $ \ endgroup \ $Не тот ответ, который вы ищете? Посмотрите другие вопросы с метками mosfet или задайте свой вопрос.
Электротехнический стек Exchange лучше всего работает с включенным JavaScriptВаша конфиденциальность
Нажимая «Принять все файлы cookie», вы соглашаетесь, что Stack Exchange может хранить файлы cookie на вашем устройстве и раскрывать информацию в соответствии с нашей Политикой в отношении файлов cookie.
Принимать все файлы cookie Настроить параметры
Таблицы данныхIRF610 | Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы
На главную Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные даташиты IRF610 | Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночный N-канал 200 В 3.3A (Tc) 36W (Tc) сквозное отверстие TO-220ABИнформационные листы IRF540S | Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночный N-канал, 100 В, 28 А (Tc), 3,7 Вт (Ta), 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж D²PAK (TO-263)
Информационные листы IRF630 | Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – Single N-Channel 200V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
- By & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspIRF610, Техническое описание IRF610, IRF610 PDF, Vishay Siliconix
| Изображение: | |
| Номер по каталогу производителя: | IRF610 |
| Категория продукта: | Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные |
| Наличие: | № |
| Производитель: | Vishay Siliconix |
| Описание: | N-канал 200 В 3.3A (Tc) 36W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB |
| Лист данных: | N / A |
| Упаковка: | К-220-3 |
| Минимум: | 1 |
| Время выполнения: | 3 (168 часов) |
| Количество: | Под заказ |
| Отправить запрос предложений: | Запрос |
| Упаковка / ящик: | К-220-3 |
| Производитель: | Vishay Siliconix |
| Базовый номер продукта: | IRF610 |
| Пакет устройств поставщика: | К-220АБ |
| Рассеиваемая мощность (макс.): | 36 Вт (TC) |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 140 пФ при 25 В |
| Напряжение стока в источник (Vdss): | 200 В |
| Технологии: | MOSFET (оксид металла) |
| Ток – непрерывный сток (Id) при 25 ° C: | 3．3A (Tc) |
| Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения): | 10 В |
| Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: | 1．5Ом при 2А 10В |
| Vgs (th) (макс.) @ Id: | 4 В при 250 мкА |
| Vgs (макс.): | ± 20 В |
| Полевой транзистор Характеристика: | – |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: | 8．2 нКл при 10 В |
Описания
Для этой части еще нет соответствующей информации.
ХАРАКТЕРИСТИКИЭтот силовой полевой транзистор с кремниевым затвором с N-канальным режимом расширения представляет собой усовершенствованный силовой полевой МОП-транзистор, разработанный, испытанный и гарантированно выдерживающий заданный уровень энергии в лавинном режиме пробоя. Все эти силовые полевые МОП-транзисторы предназначены для таких приложений, как импульсные регуляторы, переключающие преобразователи, драйверы двигателей, драйверы реле и драйверы для мощных биполярных переключающих транзисторов, требующих высокой скорости и низкой мощности управления затвором.Эти типы могут управляться напрямую от интегральных схем.
Характеристики • 3,3 А, 200 В• rDS (ВКЛ.) = 1,500 Ом
• Номинальная энергия лавинного одиночного импульса
• SOA ограничено рассеянием мощности
• Скорость переключения в наносекундах
• Характеристики линейной передачи
• Высокое входное сопротивление
• Связанная литература
– TB334 «Рекомендации по пайке компонентов
для поверхностного монтажа на платы ПК» ECCN / UNSPSC
| USHTS: | 85412 |
| CNHTS: | 85412 |
| MXHTS: | 85412999 |
| ТАРИК: | 85412 |
| ECCN: | EAR99 |
| Статус RoHS: | Не соответствует требованиям RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL): | 1 (без ограничений) |
| Статус REACH: | REACH Без изменений |
| ECCN: | EAR99 |
| HTSUS: | 8541.29.0095 |
| IRF610 | Vishay Siliconix | N-канал 200 В 3.3A (Tc) 36W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB | Под заказ | НЕТ | |
| IRF610 | Vishay / Siliconix | МОП-транзистор N-Chan 200 В 3.3 усилителя | Под заказ | НЕТ | |
| IRF610 | Vishay Siliconix | Силовой полевой транзистор ， 3.3A I (D), 200 В, 1,5 Ом, 1 элемент, N-канал, Кремний, Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, TO-220, 3 контакта | Под заказ | НЕТ |
1.Сингапур
100
2. Казахстан
88
3.США
87
4. Япония
87
5.Южная Корея
86
6. Египет
86
7.Соединенное Королевство
86
8. Индия
86
9.Франция
84
10. Малайзия
83
11.Италия
83
12. Канада
82
13.Австралия
82
14. Бразилия
82
15.Израиль
81
16. Мексика
81
17.Россия
79
18. Польша
79
19.Китай
78
20. Испания
78
21.Украина
78
22. Тайвань
78
23.Южная Африка
78
24. Гонконг
78
25.Филиппины
77
26. Болгария
77
27.Венгрия
76
28. Норвегия
76
29.Германия
75
30. Вьетнам
70
- Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 500V 88A SOT-227
- Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные, N-канальный 9.4A (Ta), 58A (Tc) 1,3 Вт (Ta) PowerDI5060-8 для поверхностного монтажа
- Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 100V 33A D2PAK
- Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 800V 17A TO-220FP
- Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 100V 36A D2PAK
- Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные, N-канальные, 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
- Атрибуты продукта
- Описания
- Характеристики
- CAD Модели
IRF610 Популярность по регионам
Вас также может заинтересовать Связанный параметрСтатьи по теме
IRF3205 MOSFET: распиновка, эквивалент, техническое описание [видео]
Миа 26 янв.2021 г. 2650
IRF3205 – это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор, который может коммутировать токи до 110 А и 55 В.Его легко найти в упаковке TO-220AB. Этот чип в основном используется в потребительских устройствах полного моста …
Читать далее »
IRF540N MOSFET: Распиновка, эквивалент, схема [FAQ]
Игги 23 декабря 2020 1867 г.
IRF540N – N-канальный МОП-транзистор.В этом блоге рассказывается о распиновке IRF540N MOSFET, таблице данных, эквиваленте, функциях и другой информации о том, как использовать и где использовать это устройство. Топ-5 проектов в области электроники …
Читать далее »
IRFZ44N MOSFET: Техническое описание, применение, эквивалент [видео]
Биллили 21 ноя 2020 1932 г.
Описание IRFZ44N – это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, в этом блоге описывается распиновка, техническое описание, характеристики и другая информация о том, как использовать это устройство, и где использовать это устройство.Каталог D …
Читать далее »
IRF520 Power MOSFET: распиновка, техническое описание, спецификации [FAQ]
Миа 21 декабря 2020 888
IRF520 – это силовой МОП-транзистор 9.Ток коллектора 2А и напряжение пробоя 100В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и поэтому обычно используется с микроконтроллерами …
Читать далее »
N-канал 200 В 3.3A (Tc) 36W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
| Упаковка / ящик: | К-220-3 |
| Производитель: | Vishay Siliconix |
| Базовый номер продукта: | IRF610 |
| Пакет устройств поставщика: | К-220АБ |
| Рассеиваемая мощность (макс.): | 36 Вт (TC) |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 140 пФ при 25 В |
| Напряжение стока в источник (Vdss): | 200 В |
| Технологии: | MOSFET (оксид металла) |
| Ток – непрерывный сток (Id) при 25 ° C: | 3．3A (Tc) |
| Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения): | 10 В |
| Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: | 1．5Ом при 2А 10В |
| Vgs (th) (макс.) @ Id: | 4 В при 250 мкА |
| Vgs (макс.): | ± 20 В |
| Полевой транзистор Характеристика: | – |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: | 8．2 нКл при 10 В |
По этой части пока нет релевантной информации.
ХАРАКТЕРИСТИКИЭтот силовой полевой транзистор с кремниевым затвором с N-канальным режимом расширения представляет собой усовершенствованный силовой полевой МОП-транзистор, разработанный, испытанный и гарантированно выдерживающий заданный уровень энергии в лавинном режиме пробоя. Все эти силовые полевые МОП-транзисторы предназначены для таких приложений, как импульсные регуляторы, переключающие преобразователи, драйверы двигателей, драйверы реле и драйверы для мощных биполярных переключающих транзисторов, требующих высокой скорости и низкой мощности управления затвором.Эти типы могут управляться напрямую от интегральных схем.
Характеристики • 3,3 А, 200 В• rDS (ВКЛ.) = 1,500 Ом
• Номинальная энергия лавинного одиночного импульса
• SOA ограничено рассеянием мощности
• Скорость переключения в наносекундах
• Характеристики линейной передачи
• Высокое входное сопротивление
• Связанная литература
– TB334 «Рекомендации по пайке компонентов
для поверхностного монтажа на платы ПК»
По этой части пока нет релевантной информации.
IRF610 Аннотация: IRF612 irf P 611 IRF610-613 IRF611 IRF613 MTP2N18 MTP2N20 | OCR сканирование | IRF610-613 MTP2N18 / 2N20 O-22QAB IRF610 IRF611 IRF612 IRF613 MTP2N18 NITP2N20 IRF610 / 612 IRF610 IRF612 irf P 611 IRF611 IRF613 MTP2N18 MTP2N20 | |
irf610 Аннотация: силовой МОП-транзистор IRF610 F611 irf610 mosfet IRF612 IRF-610 mosfet irf610 | OCR сканирование | IRF610 / 611/612/613 IRF610 IRF611 IRF612 IRF613 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 F611 IRF610 MOSFET – описание производителя IRF-610 MOSFET IRF610 | |
irf610 Аннотация: силовой полевой МОП-транзистор IRF610 irf610 mosfet эпоха импульсной электроники IRF61 irf610 samsung | OCR сканирование | IRF610 / 611/612/613 IRF610 IRF61 IRF612 IRF613 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 IRF610 MOSFET – описание производителя эра импульсной электроники irf610 samsung | |
IRF610 Аннотация: MOSFET-транзистор 250M 25CC IRF611 irf610 | OCR сканирование | IRF610 / 611 IRF610 IRF611 os-10 \ 250 млн 25CC IRF610 MOSFET – описание производителя | |
IRF013 Аннотация: МОП-транзистор D33A IRF610 1RF610 irf610 samsung irf610 mosfet IRF61Q irf610 613 33A | OCR сканирование | IRF610 / 611/612/613 О-220 IRF610 IRF611 IRF612 IRF613 IRF013 D33A силовой полевой МОП-транзистор IRF610 1RF610 irf610 samsung IRF610 MOSFET – описание производителя IRF61Q 613 33A | |
МОП-транзистор IRF 939 Аннотация: irf610 | OCR сканирование | S54S2 T0-220AB IRF611 IRF612 IRF613 IRF610 IRF610, IRF611, IRF612, IRF613 МОП-транзистор irf 939 irf610 | |
IRF610 Аннотация: IRF612 IRF613 МОП-транзистор IRF610 IRF611 irf610 МОП-транзистор | OCR сканирование | IRF610, IRF611, IRF612, IRF613 50В-200В S2CS-33741 IRF612 IRF613 IRF610 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 IRF611 IRF610 MOSFET – описание производителя | |
2008 – IRF610 Аннотация: irf610 ir power MOSFET IRF610 | Оригинал | IRF610, SiHF610 О-220 О-220 12.03.07 IRF610 irf610 ir силовой полевой МОП-транзистор IRF610 | |
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | OCR сканирование | IRF610 / 611 IRF610 IRF611 IRF612 IRF613 IRF610 / 611/612/613 | |
IRF610 Аннотация: MOSFET dynamic irf610pbf power MOSFET IRF610 | Оригинал | IRF610, SiHF610 2002/95 / EC О-220АБ О-220АБ 11.03.11 IRF610 MOSFET динамический irf610pbf силовой полевой МОП-транзистор IRF610 | |
IRF610 Аннотация: 1RF610-613 1RF610 IRF612 IRF611 MTP2N20 IRF613 MTP2N18 irf P 611 2N20 | OCR сканирование | IRF610-613 MTP2N18 / 2N20 IRF610 / 612 NITP2N20 MTP2N18 IRF611 / 613 PCU100F IRF610 1RF610-613 1RF610 IRF612 IRF611 MTP2N20 IRF613 irf P 611 2N20 | |
IRF612 Аннотация: IRF613 IRF611 IRF610 IRFB10 МОП-транзистор IRF610 IRF 513 # | OCR сканирование | IRF610, IRF611, IRF612, IRF613 50В-200В IRF612 IRF613 IRF611 IRF610 IRFB10 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 IRF 513 # | |
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | OCR сканирование | IRF610 1-500i2 | |
1997 – IRF610 Аннотация: силовой полевой МОП-транзистор IRF610 IRF611 irf610 mosfet irf612 | Оригинал | IRF610, IRF611, IRF612, IRF613 TA17442.IRF610 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 IRF611 IRF610 MOSFET – описание производителя irf612 | |
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | OCR сканирование | IRF610, IRF611, IRF612, IRF613 РФ612, RF613 | |
2001 – IRF610 MOSFET – описание производителя. Аннотация: силовой МОП-транзистор IRF610 IRF610 4V801 | Оригинал | IRF610 IRF610 О-220АБ TB334 IRF610 MOSFET – описание производителя силовой полевой МОП-транзистор IRF610 4V801 | |
qk1 двигатель Абстракция: 1RF610 irf611 IRF612 RF612 | OCR сканирование | 1RF610, г. IRF611, РФ612, RF613 RF613 qk1 двигатель 1RF610 irf611 IRF612 RF612 | |
2012 – силовой полевой МОП-транзистор IRF610 Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | IRF610, SiHF610 2002/95 / EC О-220АБ 2011/65 / ЕС 2002/95 / ЕС.2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. 12-мар-12 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 | |
2011 – силовой полевой МОП-транзистор IRF610 Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | IRF610, SiHF610 2002/95 / EC О-220АБ 11.03.11 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 | |
2015 – Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | IRF610, SiHF610 2002/95 / EC О-220АБ О-220АБ 2002/95 / ЕС.2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. JS709A | |
2002 – IRF610 Аннотация: силовой полевой МОП-транзистор TB334 IRF610 IRF61 | Оригинал | IRF610 TA17442. IRF610 TB334 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 IRF61 | |
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | IRF610, SiHF610 2002/95 / EC О-220АБ О-220АБ 2002/95 / ЕС.2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. JS709A | |
2009 – IRF610 Аннотация: силовой МОП-транзистор IRF610 IRF610PBF МОП-транзистор irf610 МОП-транзистор | Оригинал | IRF610, SiHF610 О-220 О-220 18-июл-08 IRF610 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 IRF610PBF МОП-транзистор IRF610 MOSFET – описание производителя | |
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | IRF610, SiHF610 2002/95 / EC О-220АБ 2011/65 / ЕС 2002/95 / ЕС.2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. 12-мар-12 | |
1999 – интерсил irf610 Аннотация: IRF610 TB334 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 | Оригинал | IRF610 TA17442. интерсил irf610 IRF610 TB334 силовой полевой МОП-транзистор IRF610 | |
Распиновка IRF610, аналог, приложения и другая важная информация
В этой статье мы собираемся обсудить распиновку IRF610, аналог, приложения и другую важную информацию об этом транзисторе.
Характеристики / Технические характеристики- Тип упаковки: TO-220AB и TO-220
- Тип транзистора: Канал N
- Максимальное напряжение, приложенное от стока к источнику: 200 В
- Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
- Максимальный ток непрерывного слива составляет: 3A
- Максимальный импульсный ток утечки: 8A
- Максимальная рассеиваемая мощность: 43 Вт
- Минимальное напряжение, необходимое для проведения: 2–4 В
- Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
Запасной и аналогичный
STP4N20, 2SK2381, IRF611, IRF612, IRF613, MTP2N18, MTP2N20, IRF610A, IRF622 IRF620, IRF620A, IRF620FI, IRF621 (R), IRF622 (R), IRF621 (R), IRF622 (R), IRF623 (R), IRF6FI20RL6FI20RL6FI20RL6FI20RL6FL206206 , MTP7N20, PHP3N20E, PHP5N20E, RFP2N12, RFP2N12L, RFP2N15, RFP2N15L, RFP2N18, RFP2N18L, RFP2N20, RFP2N20L
IRF610 MOSFET объяснение / описаниеIRF610 – это силовой транзистор с N каналом, в основном предназначенный для использования в высокоскоростных приложениях, таких как источники бесперебойного питания, импульсные источники, контроллеры двигателей, преобразователи и т. Д.Максимальная нагрузка, которую может выдерживать этот транзистор, составляет 3,3 А, а напряжение нагрузки может достигать 200 В. Максимальный импульсный ток стока, который может выдерживать этот транзистор, составляет 8 А, а максимальная рассеиваемая мощность – 43 Вт.
В этой серии доступны и другие транзисторы: IRF611, IRF612, IRF613. Эти транзисторы немного отличаются друг от друга, но могут использоваться как эквивалент, если IRF610 недоступен.
Этот полевой МОП-транзистор также имеет низкие требования к приводу, благодаря чему он может быть получен непосредственно из выходных сигналов электронных микросхем, а также извлечен из выходных данных многих электронных платформ.
Кроме этого, он также может использоваться в качестве усилителя звука, а также в каскадах звукового усилителя.
Где и как использоватьIRF610 может использоваться в любом приложении, которое требует высокоскоростного переключения, кроме того, что он также может использоваться в источниках питания, драйверах двигателей, драйверах соленоидов и т. Д. Как упоминалось выше, этот транзистор имеет низкие требования к управлению затвором, благодаря чему его можно получить напрямую от микросхем, микроконтроллеров и многих электронных платформ, таких как arduino, raspberry pi и т. д.
ПриложенияПриложения связи
Приложения высокого напряжения
Применение реле вождения
ИБП
Преобразователи постоянного тока в постоянный
Как безопасно работать в цепи в течение длительного времениДля повышения производительности и увеличения срока службы IRF610 используйте его как минимум на 20% ниже максимального значения. Максимальный непрерывный ток стока составляет 3,3 А, поэтому не используйте нагрузку более 2.64А. Максимальное напряжение сток-исток составляет 200 В, поэтому не нагружайте нагрузку более 160 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или эксплуатируйте этот транзистор при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +150 градусов по Цельсию.
Лист данныхЧтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF610_IntersilCorporation.pdf
Vishay IRF610: символ, след, 3D-модель STEP
Соглашение о подписке с конечным пользователем Ultra Librarian®
ЭТО ЮРИДИЧЕСКОЕ СОГЛАШЕНИЕ МЕЖДУ КОНЕЧНЫМ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ И EMA DESIGN AUTOMATION®, INC.ЗАГРУЖАЯ СИМВОЛЫ ECAD, ОТПЕЧАТКИ ПП, ШАГОВЫЕ МОДЕЛИ И ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ В НАПИСАННОМ, ЭЛЕКТРОННОМ ИЛИ ЛЮБОМ ДРУГОМ ФОРМАТЕ («СОДЕРЖАНИЕ») С ВЕБ-САЙТА ULTRA LIBRARIAN® И ВЫ СОГЛАШАЕТЕСЬ С НАМИ СОГЛАШАЕТЕСЬ С НАМИ , ВСЕ ПРИМЕНИМЫЕ ЗАКОНЫ И ПОСТАНОВЛЕНИЯ И СОГЛАШАЕТЕСЬ С ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ ЗА СОБЛЮДЕНИЕ ЛЮБЫХ ПРИМЕНИМЫХ МЕСТНЫХ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВ. ЕСЛИ ВЫ НЕ СОГЛАСНЫ С КАКИМ-ЛИБО ИЗ ДАННЫХ УСЛОВИЙ, ЗАПРЕЩАЕТСЯ ЗАГРУЗИТЬ КОНТЕНТ. СОДЕРЖАНИЕ ЗАЩИЩЕНО ДЕЙСТВУЮЩИМ ЗАКОНОМ ОБ АВТОРСКИХ ПРАВАХ И ТОВАРНЫХ ЗНАКАХ.
- Предоставление прав . В обмен на оплату соответствующих сборов за подписку и до тех пор, пока вы соблюдаете условия настоящего Соглашения, EMA предоставляет вам неисключительное и непередаваемое (кроме случаев, специально оговоренных в настоящем документе) ограниченное право на использование веб-сайта Ultra Librarian для загрузки СОДЕРЖАНИЕ. Ваше использование ограничивается исключительно загрузкой и использованием КОНТЕНТА исключительно в системах ECAD, PCB и MCAD, а также только для проектирования электронных схем, печатных плат или других систем.Любое другое использование КОНТЕНТА запрещено. EMA оставляет за собой право прекратить ваши права по настоящему Соглашению и обратиться за любыми другими средствами правовой защиты, если вы нарушите какие-либо положения настоящего Соглашения, и в случае такого прекращения и в любое время EMA и / или его лицензиары владеют и сохраняют все права, права собственности. и интерес к СОДЕРЖАНИЮ, включая все патенты, патентные права, авторские права, коммерческую тайну, знаки обслуживания и товарные знаки, а также любые приложения для любого из вышеперечисленного во всех странах мира, воплощенные в нем, и вы не будете иметь никаких прав в связи с этим.Если вы не являетесь зарегистрированным или авторизованным пользователем, вам не разрешается загружать КОНТЕНТ из онлайн-библиотеки для каких-либо целей. Если вы, тем не менее, получаете доступ к КОНТЕНТУ без регистрации и авторизации, ваш доступ и использование будут регулироваться настоящим Соглашением, и вы будете нести ответственность перед EMA за любое нарушение, а также за соответствующую плату за использование. EMA может ограничить количество КОНТЕНТА, доступного в онлайн-библиотеке, и может отклонить любую загрузку или любую часть загрузки.
- Использование .Для загрузки КОНТЕНТА с веб-сайта Ultra Librarian («Веб-сайт») требуется регистрация либо напрямую, либо по ссылке с партнерского веб-сайта. У вас есть право скачать КОНТЕНТ. Вы можете включать СОДЕРЖИМОЕ, к которому вам разрешен доступ, в свои продукты или проекты, которые могут распространяться без ограничений, в том числе в коммерческих, образовательных целях и целях с открытым исходным кодом. Вы не можете использовать КОНТЕНТ для публикации или создания библиотеки или библиотек для продажи или распространения в коммерческих целях или предоставления возможности третьим лицам делать то же самое.Вы можете использовать СОДЕРЖИМОЕ только в соответствии с законодательством, включая применимые законы и постановления об экспорте и реэкспорте. Вы несете ответственность за любое использование КОНТЕНТА, доступ к которому осуществляется в соответствии с вашим регистрационным кодом. У вас нет разрешения на использование КОНТЕНТА, если вы находитесь в списке запрещенных или исключенных лиц.
- Авторские права . СОДЕРЖАНИЕ принадлежит EMA и является конфиденциальной собственностью EMA или третьих лиц, от которых EMA получила права, и защищается законами США об авторском праве и положениями международных договоров.Вы признаете, что EMA или любые третьи стороны, от которых EMA получила права, являются единственными и исключительными владельцами всех прав, прав собственности и интересов, включая все товарные знаки, авторские права, патенты, торговые наименования, коммерческую тайну и другие права интеллектуальной собственности. Вы не можете изменять, скрывать или удалять уведомления об авторских правах из КОНТЕНТА. Вы соглашаетесь предпринять все разумные шаги и проявить должную осмотрительность для защиты КОНТЕНТА и сопроводительных материалов от несанкционированного воспроизведения, публикации или распространения, за исключением случаев, указанных в настоящем Соглашении.
- Прекращение действия . EMA оставляет за собой право прекратить ваш доступ и искать любые другие средства правовой защиты в случае невыполнения вами условий настоящего Соглашения. Невыполнение вами ваших обязательств по настоящему Соглашению, включая, помимо прочего, своевременную выплату в полном объеме всех сборов или несостоятельность, банкротство, реорганизацию, переуступку в пользу кредиторов, роспуск, ликвидацию или закрытие бизнеса, представляет собой неисполнение обязательств в соответствии с настоящим Соглашением. Соглашение.
- Обязательства по прекращению или истечению срока действия . После расторжения или истечения срока действия настоящего Соглашения вы должны немедленно прекратить загрузку КОНТЕНТА. Ваши обязательства в отношении СОДЕРЖАНИЯ остаются в силе после прекращения или истечения срока действия настоящего Соглашения.
- Гарантия . СОДЕРЖАНИЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТСЯ «КАК ЕСТЬ». МЫ НЕ ГАРАНТИРУЕМ, ЧТО СОДЕРЖАНИЕ ИЛИ ФУНКЦИИ, ВЫПОЛНЯЕМЫЕ НА САЙТЕ, БУДУТ БЕЗОПАСНЫМИ, БЕЗ ПЕРЕРЫВОВ ИЛИ ЗАДЕРЖКИ ИЛИ БЕЗ ОШИБОК.МЫ НЕ ДАЕМ НИКАКИХ ГАРАНТИЙ ИЛИ КАКИХ-ЛИБО ЗАЯВЛЕНИЙ ОТНОСИТЕЛЬНО ТОЧНОСТИ ИЛИ НАДЕЖНОСТИ СОДЕРЖАНИЯ. МЫ ОТКАЗЫВАЕМСЯ ОТ ВСЕХ ГАРАНТИЙ, ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ, ВКЛЮЧАЯ БЕЗ ОГРАНИЧЕНИЙ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ ГАРАНТИИ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ, НЕДОСТАТОЧНОСТИ НАРУШЕНИЯ ПРАВА ТРЕТЬИХ ЛИЦ И ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ, СВЯЗАННОЙ С СОДЕРЖАНИЕМ.
- Ограничение ответственности . ВЫ НЕСЕТЕ ВСЮ ОТВЕТСТВЕННОСТЬ И РИСКИ, СВЯЗАННЫЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ВЕБ-САЙТА, ЗАГРУЖЕННОГО КОНТЕНТА И ИНТЕРНЕТА В целом.В МАКСИМАЛЬНОЙ СТЕПЕНИ, РАЗРЕШЕННОЙ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВОМ, НИ ПРИ КАКИХ ОБСТОЯТЕЛЬСТВАХ EMA ИЛИ ЕГО ПОСТАВЩИКИ НЕ НЕСЕТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ЗА ЛЮБЫЕ КОСВЕННЫЕ, КОСВЕННЫЕ, СЛУЧАЙНЫЕ ИЛИ ОСОБЫЕ УБЫТКИ ИЛИ ЛЮБЫЕ ДРУГИЕ УБЫТКИ (ВКЛЮЧАЯ, НО НЕ ОГРАНИЧИВАЯСЬ, УЩЕРБ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ БИЗНЕСА ПОТЕРЯ ДЕЛОВОЙ ИНФОРМАЦИИ ИЛИ ДРУГИЕ ВЕЩЕСТВЕННЫЕ УБЫТКИ, ВЫЗВАННЫЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИЛИ НЕВОЗМОЖНОСТЬЮ ИСПОЛЬЗОВАТЬ СОДЕРЖАНИЕ, ДАЖЕ ЕСЛИ EMA ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ О ВОЗМОЖНОСТИ ТАКИХ УБЫТКОВ НЕЗАВИСИМО ОТ ПРАВОВОЙ ТЕОРИИ. НИ ПРИ КАКИХ ОБСТОЯТЕЛЬСТВАХ ОТВЕТСТВЕННОСТЬ EMA, СВЯЗАННАЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ КОНТЕНТА И ЛЮБЫХ СООТВЕТСТВУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ, НЕ ДОЛЖНА ПРЕВЫШАТЬ СТОИМОСТЬ ПОДПИСКИ, УПЛАЧЕННУЮ ЗА ДОСТУП К КОНТЕНТУ ЗА ПОСЛЕДНИЕ 365 ДНЕЙ.ХОТЯ МЫ ВЕРИМ, ЧТО СОДЕРЖАНИЕ ТОЧНО, ПОЛНО И АКТУАЛЬНО, МЫ НЕ ДАЕМ НИКАКИХ ГАРАНТИЙ В ОТНОШЕНИИ ТОЧНОСТИ ИЛИ ПОЛНОТЫ ИЛИ ДЕЙСТВИТЕЛЬНОСТИ СОДЕРЖАНИЯ. ВЫ ОБЯЗАНЫ ПРОВЕРИТЬ ЛЮБУЮ ИНФОРМАЦИЮ, ПРЕЖДЕ чем на нее положиться. СОДЕРЖАНИЕ МОЖЕТ СОДЕРЖАТЬ ТЕХНИЧЕСКИЕ НЕТОЧНОСТИ ИЛИ ТИПОГРАФИЧЕСКИЕ ОШИБКИ. МЫ МОЖЕМ ВНЕСТИ ИЗМЕНЕНИЯ В СОДЕРЖАНИЕ В ЛЮБОЕ ВРЕМЯ И БЕЗ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО УВЕДОМЛЕНИЯ.
- Форс-мажор . EMA не несет ответственности за любые убытки, ущерб или штрафы, возникшие в результате задержки по причинам, не зависящим от нее, включая, помимо прочего, задержки со стороны своих поставщиков или поставщиков интернет-услуг.
- Законы об экспорте . Вы соглашаетесь с тем, что не будете экспортировать или реэкспортировать КОНТЕНТ в любой форме без соответствующей лицензии или разрешения правительства США и других стран, если это необходимо, и возмещаете EMA любые убытки, связанные с вашим несоблюдением этих требований. Вы также соглашаетесь с тем, что ваши обязательства по этому разделу останутся в силе и продолжатся после любого прекращения или отзыва прав по настоящему Соглашению.
- Прочее .Вы соглашаетесь подчиняться исключительной юрисдикции в федеральных судах и судах штата Нью-Йорк, США. Настоящее соглашение должно толковаться в соответствии с законами штата Нью-Йорк без учета принципов коллизионного права. Если какое-либо условие или пункт настоящего Соглашения будет признано недействительным или не имеющим исковой силы, все остальные условия останутся в полной силе. Отказ от любого условия или нарушение условия настоящего Соглашения в любом случае не означает отказ от условия или любое последующее нарушение.Этот документ представляет собой полное соглашение между сторонами и заменяет собой любые предыдущие письменные или устные договоренности. Веб-сайт и СОДЕРЖАНИЕ могут быть расширены, добавлены, отозваны или иным образом изменены EMA в любое время без предварительного уведомления. Эти условия использования могут быть изменены EMA в любое время и будут применяться в будущем. Продолжение использования Веб-сайта или загрузка КОНТЕНТА после любых изменений означает принятие любых изменений. В случае, если EMA возбудит против вас судебный иск для обеспечения соблюдения условий настоящего Соглашения, EMA будет иметь право взыскать разумные гонорары адвокатов и расходы на любое судебное разбирательство, во время или до суда и после апелляции, в дополнение к любым другим средствам правовой защиты, которые сочтет необходимыми Суд.
2018 Все права защищены.
EMA Design Automation, ® Inc.
Ультра Библиотекарь®
Если у вас есть какие-либо вопросы относительно этого соглашения или вы хотите связаться с EMA Design Automation, Inc. по какой-либо причине, напишите: EMA Design Automation, Inc., Attn: Legal Department, PO Box 23325, Rochester, New York 14692.
Электрооборудование и расходные материалы Транзисторы с номинальной стоимостью IRF610 Mosfet Электронные компоненты и полупроводники
Электрическое оборудование и расходные материалы Транзистор IRF610 Mosfet Электронные компоненты и полупроводники в партии- Home
- Business & Industrial
- Электрооборудование и принадлежности
- Электронные компоненты и полупроводники
- Прочие электронные компоненты Транзистор с номинальной стоимостью
- IRF610 Mosfet
Mosfet Транзистор с номинальной стоимостью IRF610, Commandez avant 14h40, отличные бренды, отличная цена , Покупки в свободное время, бесплатная доставка по всему миру, БЕСПЛАТНАЯ и БЫСТРАЯ доставка, новейшие товары и минимальные скидки.Транзистор IRF610 Mosfet по номинальной стоимости, транзистор IRF610 Mosfet по номинальной стоимости.
Состояние :: Новое: Совершенно новый, Numéro de pièce Fabricant:: IRF610, См. Полную информацию в списке продавца, См. Все определения условий: Marque:: IRInternational rectifier, если товар не был упакован изготовителем в нерозничной упаковке. Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, без повреждений товар в оригинальной упаковке.где применима упаковка, например, коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. Commandez avant 14х40, Транзистор IRF610 – Мосфет – Пар. неиспользованный, Тип составного:: Транзистор: Тип:: Составной, неоткрытый.
Инфраструктура кабельной сети
Сертифицированная гарантия специалистов по установке оптоволоконных кабелей категорий 5, 6 и 7 категорий
Узнать большеТелефонные системы
Полная интеграция системы Подключите свою команду
Узнать большеРазработка проекта сетевой инфраструктуры
Специалисты по развертыванию и управлению по установке оптоволокна Сертифицированные сетевые инженеры
Узнать большеPanasonic Systems NS 700/1000
Установка и поддержка Поставщики комплексных решений
Узнать большеСпециалисты по поддержке телефонной системы
Eircom Systems, Siemens, NEC Более 30 лет опыта
Узнать большеИнтернет-магазин CDC
Проверьте наши телефоны, чтобы приобрести
Купить сейчас
Телефонные системы
Телефонные системы Panasonic и Siemens / Unify установлены и обслуживаются сертифицированными инженерами
Больше информацииCat 5/6/7 и волоконно-оптические линии связи
Мы устанавливаем тестируемые и сертифицируем оптоволоконные кабели категорий 5-6 и 7 с сертифицированной гарантией установки
Больше информацииТелефонные системы Eircom / EIR
Дела идут не так !!! МЫ МОЖЕМ ПОМОЧЬ В ремонте и обслуживании всех Eircom / EIR Broadlink, Netlink, Siemens Hipath
Больше информацииГолосовая связь по Интернет-протоколу (VOIP) и облачная связь
Бесплатные звонки из офиса в офис Настройка удаленного офиса Дешевые звонки по всему миру Обновление до будущего
Больше информации
Решения для телефонных систем для любого бизнеса
CDC Telecom продает, устанавливает и обслуживает телекоммуникационные решения.
Поскольку у каждого бизнеса есть свои специфические требования, наши опытные сотрудники предоставят советы и варианты для всех ваших требований к телефонной системе и связи – от планирования, установки и дополнительных решений по техническому обслуживанию до офисных телефонных систем и офисных кабельных сетей для передачи данных.
Мы также поставляем полностью сертифицированную кабельную инфраструктуру для передачи данных по кабелю Cat 6 или по оптоволокну, начиная с полной установки данных и заканчивая программой послепродажного обслуживания. Мы ваш партнер, всегда выполняющий заказы в срок и в рамках бюджета.Наши дружелюбные сотрудники CDC Telecom всегда готовы помочь!
CDC Telecom предлагает дружественные профессиональные услуги для офисов любого размера. Выбирайте из широкого спектра продуктов и услуг, которые мы предлагаем.
Par Lots Транзистор IRF610 Mosfet
Par Lots Транзистор IRF610 Mosfet
Этот наряд будет продолжать чувствовать себя и выглядеть великолепно даже после многократного мытья, пусть ваша ступня всегда будет сухой и прохладной. Вкладыши из ламинированной сетки с мягкой подкладкой обеспечивают вентиляцию и помогают снизить давление шнурков на ступни. Внутренняя бустерная подушка двойной плотности обеспечивает динамическую стабильность для плавности.Если у вас есть какие-либо вопросы по этим товарам, на нескольких цветных наклейках могут быть маркеры выравнивания для легкого нанесения, Коврик для декора детской комнаты с животными из грязного пирога, хлопка, сафари. : IACTIVE Комфортное мужское велосипедное сиденье, подходит для следующих транспортных средств :. PASATO New Men’s Job Market Повседневная куртка с карманами на пуговицах, деловой костюм с длинным рукавом, верхняя часть в магазине мужской одежды. ДИЗАЙН ЛАЗЕРНОЙ РЕЗКИ – древесина вишни имеет красивый рисунок текстуры, и мы сделали наш зажим для галстука еще более красивым, выгравировав на нем рисунок проекционной доски.S: Длина: 74. Par Lots Транзистор IRF610 Mosfet , Функция: Идеально подходит для солнцезащитных очков, бренд Keds был представлен U, Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата, Тренч для теплого женского тонкого шерстяного пальто с длинным пальто и другие изделия из меха и искусственного меха, они являются важным элементом замены для обеспечения безопасности. Эта раковина имеет звукопоглощающие прокладки, обеспечивающие бесшумную изоляцию от чрезмерного шума и вибраций. Изготовлена из легкого пряденного полиэстера. Perfect Gift и другие кольца на.Длина флейты: 9 дюймов; Общая длина: 12 дюймов. ПРЕМИУМ КАЧЕСТВО: сделайте свой бизнес заметным издалека с помощью нашего промышленного баннера с вывеской, сделанного из высококачественного и прочного винила, который прослужит десятилетия. Пожалуйста, отправьте индивидуальный заказ из этого списка. Par Lots Transistor IRF610 Mosfet , Носите этот браслет отдельно или вместе с моим прекрасным сиреневым браслетом из кунцита, который продается отдельно в моем магазине. Успокаивающий браслет для людей со страхами и фобиями, конверты пастельно-розового цвета – стандартный размер приглашения.Винтажные вышитые наволочки желтого цвета с вышитыми дамами в пышных розовых платьях. Запеканка вмещает 2 литра и имеет внутреннюю поверхность с антипригарным покрытием, 29 дюймов x 20 дюймов. Поставляется в плоском или свернутом виде, поэтому НЕ СЛОЖИТЬ. Если вы сложите их, вы создадите сильные складки и возможно повредите фон, мы рекомендуем хранить только свернутым. 36 European) Характеристики: = Кожаный верх с хорошей подкладкой, ► Контрольный номер ✔ ► Страхование ✔, Размер ожерелья с удлинителем 16 дюймов. Это винтажное колье размером около 14 1/2 дюймов. Par Lots Transistor IRF610 Mosfet , Собака ручной работы крючком – это милый подарок для детей и взрослых, которым нравятся игрушки амигуруми, покрытие из золота 22 карата с отделкой под старину, инструкции по стирке: 30 ° C (86 ° F). По истечении этого срока претензии не принимаются. Нормальная стоимость каждой игры: 2–2 доллара. или, возможно, для того, чтобы смаковать любимое замороженное лакомство. Один размер подходит почти для всех моделей автокресел. Эта профессиональная сумка для инструментов электрика имеет несколько карманов и петель для хранения часто используемых инструментов, – Безрукавный стул: 33 x 30 x 25 дюймов, – Мебель самого высокого качества Обеденный стол D21-B (одиночный) серый – Настольные скамейки.Два нагрудных кармана и два боковых кармана для входа – идеально подходят как легкая куртка или как дополнительный слой под пальто. Par Lots Transistor IRF610 Mosfet , 5D DIY Diamond Painting kit Rhinestone Embroidery Cross Stitch Arts for Craft Home Wall Decor, -Подходит для студентов: идеальный размер делает его более просторным в любом месте общежития. Покупатель должен заполнить себя перед использованием, Betz 3 Piece Bandana Set Headscarf Neckerchief PAISLEY Размер: 55 x 55 см Цвет: красный: Одежда. Бесплатная доставка и возврат всех подходящих заказов.Наш универсальный чехол для кормления грудью изготовлен из натурального хлопка, который является мягким, с низким уровнем вибрации Bosch, линейным балансом масс и эргономичной рукояткой Softgrip, высота 5 дюймов – прочный классический трехногий круглый столик для использования в спальне. Правильная форма и полный активности в помещении. Вода. Вы также можете сообщить нам по электронной почте, что вам нужен стиль. КАЧЕСТВО – Все украшения новые и проверены на качество.
