Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Транзистор IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220

Описание товара Транзистор IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220
  • Тип транзистора: N-канальный;
  • Максимальный ток “сток”-“исток”: 4A;
  • Максимальный напряжение “сток”-“исток”: 200V;
  • Тип корпуса: TO-220.
Отличительные особенности и преимущества транзистора IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220

Транзистор IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.

Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода (“сток” и “исток”), а управляющий электрод – затвор.

Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное – током через транзистор.

Поскольку транзистор называется “полевым”, управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

Транзистор IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.

Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.

Основные параметры транзистора IRF610 полевого

При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.

Максимальный ток для полевого транзистора IRF610 составляет 4A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.

Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током “исток”-“сток”.

Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами “сток” и “исток”. При превышении этого параметра, транзистор может “пробиться”. Для рассматриваемой модели напряжение составляет 200V.

Также транзистор IRF610 характеризуется напряжением отсечки на участке “затвор”-“исток”. Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.

От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.

Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.

При проектировании схем с применением полевого транзистора IRF610 следует учитывать:

  • чувствительность к перегреву;
  • высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.

В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.

Предпочтительный вариант – пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.

Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.

Купить транзистор IRF610 полевой N-канальный 200V 4A корпус TO-220 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.

Автор на +google

IRF610 Vishay

200V 3.3A/25°C 2.1A/100°C 1500mO S , 36W/25°C Rthjc=3.5°C/W

Основная информация:

Маркировка изготовителяIRF610 
Type of casing:THT 
Kейс:TO-220AB 
KategorieFET N-Channel 
Тип компонента:!_n_fet 1x single_! 
Конфигурация:single Transistor 
Тип материала:!_si-silicon_! 
RoHSHет 
REACHHет 
NOVINKA

Упаковка и вес:

Единица:штук 
Вес:2.68 [g]
Тип упаковки:TUBE 
Малый пакет (количество единиц):50 

Электрофизические параметры:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)3.3 [A]
Idc max(Tc/Ta=25°C)3.3 [A]
Idc max(Tc/Ta=100÷109°C)2.1 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)36  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)1500 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)150 [ns]
Qg (Total Gate Charge)8.2 [nC]
Cin/CL Load Capacitance140 pF

Тепловые и механические параметры:

Tmin (mинимальная рабочая температура)-55 [°C]
Tmax (mаксимальная рабочая температура)150 [°C]
Rthjc (case)3.5 [°C/W]
Rthja (ambient)62 [°C/W]
Number of Pins
ПИН-Размеры выводов0.00 [mm]

– IRF610* Интернет-дистрибьютор – Ventronchip.com

Введение

Деталь № IRF610* Это доступно? : Да
Поставляется с: склада HK
Одна и та же модель может иметь разных производителей, изображения только для справки.
Модели ECAD: свяжитесь с нами, чтобы получить
Электронная почта: [email protected]

Вопросы и ответы

Q: Это это мой первый заказ из Интернета, как я могу заказать эту деталь IRF610*?

A: Пожалуйста отправьте предложение или отправьте нам электронное письмо, наш отдел продаж поможет вам как сделать.

Q: Как платить деньги?

О: Обычно мы принимаем банковский перевод, PayPal, кредитную карту и Western Union.

Q: Есть детали IRF610* с гарантией?

A: с Гарантия качества не менее 90 дней для каждого заказа. Просто напишите нам, если вы столкнетесь любая проблема качества.

Q: делать вы поддерживаете таблицу данных IRF610* или модели САПР?

A: Да, Наш технический инженер расскажет, какие таблицы или модели САПР у нас есть.

В: Является ли эта деталь оригинальной заводской упаковкой?

А: Да, как правило, если вы заказываете детали с SPQ (стандартная упаковка), мы отправим Детали в заводской упаковке. Если вы заказываете не полную упаковку, мы отправляйте детали в стандартной вакуумной упаковке нашей компании.

Вопрос: Можете ли вы доставить детали IRF610* напрямую на наш завод OEM.

A: Да, мы Могу отправить детали по адресу вашего корабля.

Q: Я просто нужен один кусок IRF610*, могу ли я заказать?

У него Зависит от MOQ IRF610*, большинство деталей мы можем поддержать заказ образца.

Q: Как Долго Могу ли я получить IRF610* после оплаты?

А: Мы отправляем заказы через FedEx, DHL или UPS, обычно это занимает 2 или 5 дней, чтобы прибыть к вам в руки.

irf610 – РАДИОМАГ РКС КОМПОНЕНТЫ

IRF610

Производитель: SILI
N-MOSFET 4A 200V 45W 1.5? Trans. IRF610 TO220 TIRF610
количество в упаковке: 50 шт
В наличии/под заказ
под заказ 150 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)

Техническое описание IRF610

Description: 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL, Base Part Number: IRF610, Package / Case: TO-220-3, Supplier Device Package: TO-220AB, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 200V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Bulk, Manufacturer: Rochester Electronics, LLC.

Цена IRF610 от 8.98 грн до 32.34 грн

IRF610
Производитель: SILI
N-MOSFET 4A 200V 45W 1.5? Trans. IRF610 TO220 TIRF610
количество в упаковке: 50 шт
под заказ 30 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
IRF610
Производитель: VISH/IR

под заказ 28 шт
срок поставки 16-23&nbspдня (дней)
14+ 28.91 грн
15+ 27.6 грн
76+ 27.16 грн
300+ 26.73 грн
IRF610
Производитель:
/to-220/ Транзистор
под заказ 10 шт

срок поставки 3-5&nbspдня (дней)
IRF610
Производитель: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Manufacturer: Vishay Siliconix
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Base Part Number: IRF610
Package / Case: TO-220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C:
3.3A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
FET Type: N-Channel
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF610
Производитель: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF610
Производитель: Harris Corporation
Description: 3.3A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Base Part Number: IRF610
Package / Case: TO-220-3
Supplier Device Package: TO-220AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status:
Active
Packaging: Bulk
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
IRF610
Производитель: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF610PBF
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

класс А, IRF610 с источником тока на LM317 » Журнал практической электроники Датагор (Datagor Practical Electronics Magazine)


От neyalm:
Продолжение темы о простых однотактных усилителях на одном полевике. И это тоже повторитель. Кус по напряжению примерно 0,8. КПД около 25%, однако, печка совсем небольшая.
Эту конструкцию собирал сам, навесным монтажом. Запела сразу. Планирую встроить этот усилитель в свою CD-деку, а то в ней родной хэдамп слабоват.


Содержание / Contents

Если у тебя наушники Grado SR80, встроенная звуковая карточка уже не может их достойно раскачать, поэтому я решил сделать настольный ушной усилитель для офиса. Как и в других проектах, я старался создать максимально простую, не содержащую дефицитных деталей и хорошо повторяемую конструкцию.
Получилась схема простого самодельного хедампа в стиле «Усилитель для наушников на MOSFETе класса А» от Greg Szekeres и чем-то похожая на «Однотактный усилитель Хьюстона класса А на 2SK1058 MOSFET-е». Основная изюминка усилителя заключается в применении активного источника постоянного тока вместо пассивного резистора. Это удваивает производительность схемы, КПД приближается к теоретическому максимуму 25%.

Рисунок 1: Упрощенная схема усилителя.

Необходимо учитывать две особенности. Во-первых, повторитель на полевике позволяет получать приличные токи, но Кус по напряжению меньше 1. Усилитель применяется в случаях, когда источник сигнала имеет достаточное напряжение на выходе (например, mp3 плеер или компьютер). Во-вторых, схема чувствительна к питанию, любой шум БП беспрепятственно попадет к вам в уши. Вполне подойдет маломощный блок питания: 10-20В , 750мА постоянки должно хватить.
Схема приведена на рисунке 2. Я использовал IRF610, но его можно заменить и другим полевиком, выбор очень велик. Источник тока 250мА построен на LM317.


Рисунок 2. Схема усилителя.

Этот усилитель будет использоваться в офисе, а значит, и дизайн корпуса должен быть соответствующий. К счастью, у меня нашелся трупик внешнего CD-ROMa Plextor, поразмыслив, я понял, что из него получится прекрасный корпус, гармонирующий с моим рабочим местом. Корпус уже оснащен выключателем питания, внутри легко поместится БП, снаружи – входные гнезда RCA и выходное – под мини джек. Чудненько! Лишнее отверстие на задней стенке предназначалось для USB гнезда, его я уже выковырял для другого проекта.


Фотография 1: Корпус внешнего CD-ROMa Plextor.

Я использовал макетные платы площадью примерно 10см кв., но запоет и с любой другой платой. Детали использовались те, что были под рукой, ни одной не пришлось покупать. Резисторы – обычные, металло – пленочные(правда, подобранные), входной конденсатор пленочный, 1 мкФ, выход шунтирует полипропиленовый 0,47мкФ. Конденсатор в питании, 0,1мкФ, также пленочный. Можете применять более крутые разделительные конденсаторы, думаю, это положительно скажется на звуке. Не рекомендую использовать угольные резисторы, особенно в источнике тока, их сопротивление сильно плывет при нагревании.


Фотография 2: Усилитель в сборе.

Радиаторы можно оторвать от разных умерших устройств. Радиаторы площадью 10 см кв. умеренно нагреваются, прикручивание их к металлическому корпусу позволит еще эффективнее отводить тепло. Обязательно ставьте полевик и стабилизатор на изолирующие прокладки.

Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

Фотография 3: Усилитель в корпусе.

Первые испытания усилителя производились с регулируемым БП, при низких напряжениях. Ток выставляется 100 килоомным переменником, на выходе полевика(исток) нужно получить половину питающего напряжения(сток). Нужно подправлять ток несколько раз за первые несколько часов работы, пока все не устаканится. Усь работает при питании 10-20В, но, похоже, для уверенной работы требует от 13В. С регулируемым БП шумов в слышимом диапазоне не наблюдалось. Этого нельзя утверждать для случая нестабилизированного питания.


Фотография 4: Испытания в разгаре.

Вскоре у меня появился новый USB осциллограф, отличная возможность и его испытать. Модель DSO-2150, двуканальный, полоса 60МГц, максимальная частота выборки 150 млн. раз/с . Когда я прогонял синусоиду, результаты, как и ожидалось, были хороши на всем звуковом диапазоне. Привожу два скриншота испытаний прямоугольником: 100Гц и 4800 Гц.


Фотография 5: 100Гц, прямоугольник.


Фотография 6: 4800Гц, прямоугольник.

Верхняя половина (зеленый) показывает входной сигнал, а нижняя (желтый) – выходной. Мой генератор не безупречен, это видно на картинке входного сигнала. Посмотрите на амплитуду сигнала на входе и на выходе – становится понятным, что Кус=0,8. Как вы можете заметить, на первой фотографии (100Гц) наблюдаем спад. Этот спад уменьшается с повышением частоты ,и с 300Гц до 20кГц картина идеальная. Поскольку музыка складывается в основном из гармонических колебаний, а синусоиду усилитель практически не искажает, нет повода для беспокойств.
Последние штрихи: приклеиваю переднюю панель к алюминиевой пластине эпоксидкой, ставлю обратно в корпус. Громкость будет регулироваться источником, поэтому внешнего регулятора нет. Родной регулятор громкости CD-ROMa был удален, отверстие заклеено.

Фотография 7: Лицевая панель CD-ROMa.


Фотография 8: Полностью собранный усилитель.


Для такого простого асинхронного усилителя, звук великолепный, на мой слух. Усилок раскачивает мои Grado SR80 с такой легкостью, на которую mp3 плеер просто не способен. Звук у этого усилителя нравится мне даже больше, чем у встроенного в предусилитель NAD C162 хедампа.

Камрад, рассмотри датагорские рекомендации

🌼 Полезные и проверенные железяки, можно брать

Куплено и опробовано читателями или в лаборатории редакции.

 

IRF610 Power MOSFET | Vishay

Пожалуйста, внимательно прочтите заявление об отказе от ответственности перед тем, как продолжить, и перед использованием этих данных. Использование вами этих данных означает ваше согласие с условиями, изложенными ниже. Щелкните ссылку Я СОГЛАСЕН, чтобы продолжить и принять эти условия. и условия.

Эти данные предоставляются вам бесплатно для вашего использования, но остаются исключительной собственностью Vishay Intertechnology, Inc.(«Vishay»), Samacsys / Supplyframe Inc. или Ultra Librarian / EMA Design Automation, Inc. (совместно именуемые «Компания»). Эти данные предоставляется только для удобства и в информационных целях. Включение ссылок на эти данные на сайте Vishay не означает одобрения или одобрения Vishay каких-либо продуктов, услуг или мнений Компании. Пока Vishay и Компания приложили разумные усилия для обеспечения точности данных, Vishay и Компания не гарантируют, что данные будут безошибочными.Vishay и Компания не делают никаких заявлений, гарантий или гарантий того, что данные полностью точные или актуальные. В некоторых случаях данные могли быть упрощены, чтобы удалить проприетарные детали при сохранении важные геометрические детали интерфейса для использования клиентами. Vishay и компания категорически отказываются от всех подразумеваемых гарантий в отношении данные, включая, помимо прочего, любые подразумеваемые гарантии, товарную пригодность или пригодность для определенной цели.Никто вышеуказанных сторон несут ответственность за любые претензии или убытки любого характера, включая, помимо прочего, упущенную выгоду, штрафные или косвенные убытки, связанные с данными.

Обратите внимание, что нажатие кнопки «Я СОГЛАСЕН» приведет к тому, что вы покинете веб-сайт Vishay и перейдете на внешний веб-сайт. Вишайские медведи не несет ответственности за точность, законность или содержание внешнего веб-сайта или последующих ссылок.Пожалуйста свяжитесь владельцу внешнего веб-сайта для получения ответов на вопросы по его содержанию.

MOSFET – управление IRF610 от 12 В?

MOSFET – управление IRF610 от 12 В? – Обмен электротехнического стека
Сеть обмена стеками

Сеть Stack Exchange состоит из 178 сообществ вопросов и ответов, включая Stack Overflow, крупнейшее и пользующееся наибольшим доверием онлайн-сообщество, где разработчики могут учиться, делиться своими знаниями и строить свою карьеру.

Посетить Stack Exchange
  1. 0
  2. +0
  3. Авторизоваться Зарегистрироваться

Electrical Engineering Stack Exchange – это сайт вопросов и ответов для профессионалов в области электроники и электротехники, студентов и энтузиастов.Регистрация займет всего минуту.

Зарегистрируйтесь, чтобы присоединиться к этому сообществу

Кто угодно может задать вопрос

Кто угодно может ответить

Лучшие ответы голосуются и поднимаются наверх

Спросил

Просмотрено 40 раз

\ $ \ begingroup \ $

У меня есть несколько полевых МОП-транзисторов IRF610.
У меня есть цепь 12 В, которая потребляет 1,90 А при работе на макс.

Я думал, что могу переместить линию GND токовой цепи на сток IRF610, подключить источник к GND источника питания, а затем подключить +12 В через 4N25 к затвору. (Затем управление 4N25 от отдельной цепи 5 В для контроля включения или выключения цепи 12 В.)

Что меня интересует, так это использование +12 В для ворот, когда ему нужно +10 В, выполнимо ли это или мне нужно найти что-то еще?

Транзистор

1111 золотых знаков160160 серебряных знаков336336 бронзовых знаков

задан 24 янв в 22:29

\ $ \ endgroup \ $ \ $ \ begingroup \ $

Напряжение возбуждения затвора в порядке, но сопротивление сток-исток нет.Типичный R DSon составляет ~ 1,2 Ом при температуре перехода 25 ° C, повышается до ~ 2,5 Ом при 150 ° C. При 1,9 А вы можете ожидать падение напряжения ~ 1,2 Ом x 1,9 А = 2,3 В. Это приведет к выделению 2,3 В x 1,9 А = 4,4 Вт тепла, которое быстро нагреет его, увеличивая сопротивление и вызывая еще большее падение напряжения и повышение температуры.

Я рекомендую использовать полевой МОП-транзистор с гораздо более низким R DSon и сохранить IRF630 для приложений с высоким напряжением. Если вам необходимо использовать IRF630, подключите несколько из них параллельно, чтобы уменьшить общее сопротивление и повысить управляемую мощность.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.