Irf730 характеристики: Транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220

Транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220

Цена:

47 грн

артикул 12890

отсутствует

Тип: Полевые транзисторы
Транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220 используется для подключения нагрузки с потребляемым током не более 7A

Описание товара Транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220

• Тип транзистора: N-канальный;
• Максимальный ток “сток”-“исток”: 7A;
• Максимальный напряжение “сток”-“исток”: 400V;
• Тип корпуса: TO-220.

Отличительные особенности и преимущества транзистора IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220

Транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.

Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода (“сток” и “исток”), а управляющий электрод – затвор.

Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное – током через транзистор.

Поскольку транзистор называется “полевым”, управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

Транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.

Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.

Основные параметры транзистора IRF730 полевого

При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.

Максимальный ток для полевого транзистора IRF730 составляет 7A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.

Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током “исток”-“сток”.

Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами “сток” и “исток”. При превышении этого параметра, транзистор может “пробиться”. Для рассматриваемой модели напряжение составляет 400V.

Также транзистор IRF730 характеризуется напряжением отсечки на участке “затвор”-“исток”. Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.

От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.

Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.

При проектировании схем с применением полевого транзистора IRF730 следует учитывать:

• чувствительность к перегреву;
• высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.

В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.

Предпочтительный вариант – пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.

Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.

Купить транзистор IRF730 полевой N-канальный 400V 7A корпус TO-220 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.

Автор на +google

БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА Заказов от 3000 гривен Послегарантийный сервис Ремонт после гарантийного срока

• КАЧЕСТВО

  каждый заказ мы проверяем
  и даем гарантию на все товары

• БЫСТРЫЙ СЕРВИС

  быстрая и надежная доставка
  товаров по Украине: Киев, Харьков,
  Днепр, Одесса, Львов

• ВЫГОДНАЯ ЦЕНА

  лучшие цены на весь ассортимент
  найдете дешевле – мы доплатим

• ПОСЛЕГАРАНТИЙНЫЙ СЕРВИС

  отремонтируем любую поломку даже после гарантийного срока

Похожие товары

IRF730 транзистор MOSFET N-CH 400V 5,5A TO-220 100W, цена 46.

Характеристики и описание

IRF730  транзистор  MOSFET N-CH 400V 5,5A TO-220 100W

Изображения служат только для ознакомления
См. спецификации продукта

Производитель: International Rectifier

Категория продукта: МОП-транзистор

RoHS:  Подробности

Торговая марка: International Rectifier

Полярность транзистора: N-Channel

Vds – напряжение пробоя сток-исток: 400 V

Vds – напряжение пробоя затвор-исток: 20 V

Id – непрерывный ток утечки: 5. 5 A

Rds Вкл – сопротивление сток-исток: 750 mOhms

Конфигурация: Single

Максимальная рабочая температура: + 150 C

Pd – рассеивание мощности: 100 W

Вид монтажа: Through Hole

Упаковка / блок: TO-220-3

Упаковка: Tube

Канальный режим: Enhancement

Время спада: 9 ns

Крутизна характеристики прямой передачи – Мин.: 2.9 S

Минимальная рабочая температура: – 65 C

Время нарастания: 11 ns

Размер фабричной упаковки: 50

Типичное время задержки выключения: 15 ns

Был online: Сегодня

Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

92% позитивных отзывов

11 лет на Prom.ua

1000+ заказов

• Каталог продавца
• Отзывы

  1813

Код: IRF 730

Доставка из г. Киев

20+ купили

46.20 грн

Киев ∙ 

Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.

Доставка

Оплата и гарантии

IRF730, эквивалент, применение и другие детали

В этом посте мы собираемся обсудить распиновку транзистора IRF730, эквивалент, применение и другие подробности о том, как и где использовать этот N-канальный МОП-транзистор.

Объявления

Объявления

Характеристики / технические характеристики

• Тип упаковки: TO-220AB и TO-220
333
• Тип транзистора: N Канал
• Максимальное напряжение от стока к источнику: 400 В
• Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ±
  20 В
• Максимальный постоянный ток утечки: 5,5 А
• Максимальный импульсный ток стока: 22 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
• Минимальное напряжение, необходимое для проведения: 2–4 В
• Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

Replacement and Equivalent

IRFS731, IRF730FI, IRF730S, IRFI730G, BUZ60, IRFS730, IRF330, IRF331, STP7NA40, BUK452-60A, MTP3055E, IRF730FI, STP7NA40, FI, IRF730S, STB7NA4, STP7NA40FI, IRFS731 , STP7NA40, STP7NA40FI, 2SK2679, BUK445-400B, BUK455-400B, MTP5N40E

 

IRF730 MOSFET Объяснение / описание Этот полевой МОП-транзистор способен управлять нагрузкой до 5,5 А при напряжении нагрузки 400 В, а максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 75 Вт, при этом максимальный импульсный ток стока этого транзистора составляет 22 А.

Этот полевой МОП-транзистор в основном предназначен для приложений, требующих высокой скорости переключения, поэтому его можно использовать в источниках бесперебойного питания, кроме того, его также можно использовать в преобразователях постоянного тока, в приложениях, связанных с телекоммуникациями, в приложениях, связанных с освещением, и во многих промышленных областях. Приложения. Транзистор IRF730 требует малой мощности привода затвора, благодаря чему им можно напрямую управлять с выхода микросхем и электронных платформ.

Помимо этого IRF730 также может использоваться для усиления звука и может использоваться для создания усилителей звука высокой мощности.

 

 

Где мы можем его использовать и как использовать

IRF730 можно выбрать для высоковольтных приложений до 400 В. Помимо этого, этот транзистор можно использовать в различных приложениях общего назначения. Пользователь или разработчик также может использовать его на выходе микросхем и микроконтроллеров для управления нагрузками до 5,5 А, а также на выходе электронных платформ, таких как arduino и raspberry pi.

 

Приложения

Телекоммуникационные приложения

Приложения высокого напряжения

Приложения для вождения реле

Зарядные устройства и схемы BMS

. Долгосрочная производительность электронных компонентов, разработчик или пользователь не должны использовать их с максимальными возможностями или номиналами, поэтому мы рекомендуем использовать компонент как минимум на 20% ниже его максимальных номиналов. Следовательно, то же самое относится к IRF730, максимальное напряжение сток-исток транзистора составляет 400 В, поэтому не управляйте нагрузкой более 320 В, максимальный непрерывный ток транзистора составляет 5,5 А, поэтому не управляйте нагрузкой более 4,4 А. Максимальный импульсный ток сухого транзистора составляет 22 А, поэтому не подключайте нагрузку более 17,6 А и всегда используйте и храните транзистор при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +150 градусов по Цельсию.

 

Техническое описание

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF730_IntersilCorporation.pdf

Спецификация IRF730 MOSFET

• N-канальный MOSFET
• Напряжение стока к источнику ( В _ds ) is 400 В
• Напряжение затвор-исток ( В _gs ) равно +/- 20 В
• Затвор для порогового напряжения ( В _{г (й)} ) 4В
• Ток стока ( I _d ) 5A
• Импульсный ток стока (
  I _DM ) 22A
• Рассеиваемая мощность ( P _d ) 74 Вт
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R _DS ) 1 Ом
• Ток стока при нулевом напряжении затвора (I _DSS ) 250 мкА
• Общий заряд затвора (Q _г ) равен 18Nc
• Пиковое восстановление диода (dv/dt) составляет 4v/ns
• Время нарастания ( tr ) равно 38 нс
• Температура перехода ( T _J ) находится в пределах 150 ℃

Распиновка IRF730 MOSFET Распиновка IRF730 MOSFET

Номер контакта	Название контакта	Описание
1	Ворота	Gate запустит устройство MOSFET
2	Слив	Ток протекает через сток
3	Источник	Ток протекает через источник

 

Корпус полевого МОП-транзистора IRF730

Корпус полевого МОП-транзистора, используемый в IRF730, называется TO-220AB. Этот корпус в основном используется для мощных полупроводниковых устройств.

Большая часть корпуса TO-220AB изготовлена ​​из эпоксидной смолы и пластика, а часть крепления радиатора выполнена из металла, что помогает отводить тепло наружу.

Описание спецификации МОП-транзистора IRF730

IRF730 — это устройство с быстрым переключением МОП-транзистора, в этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики отдельно с объяснением применения.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения IRF730 будут такими: напряжение сток-исток 400 В, напряжение затвор-исток 20 В, пороговое напряжение затвора 4 В, значения напряжения покажут, что это средняя мощность. коммутационное устройство.

Характеристики тока

Значение тока стока составляет 5,5 А, токовая нагрузка полупроводникового устройства означает способность выдерживать нагрузку.

Характеристики рассеяния

Рассеивание мощности МОП-транзистора IRF730 составляет 74 Вт, значение рассеивания означает теплоемкость устройства.

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии будет 1 Ом, это общее сопротивление, которое может предложить MOSFET IRF730.

Ток стока напряжения нулевого затвора

Значение тока стока напряжения нулевого затвора составляет 250Ua.

Температура перехода

Температура перехода МОП-транзистора IRF730 составляет 150 ℃ .

IRF730 MOSFET ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ IRF730 MOSFET Техническое описание

Если вам нужна таблица данных в формате pdf, пожалуйста, щелкните эту ссылку

IRF730 MOSFET эквивалент

IRF730 MOSFET имеет эквивалентные MOSFET, такие как IRF740, IRF840, IRFB13N50A, IRFB9N7NA4 и STPNA4.

Каждый из МОП-транзисторов в этом списке имеет почти одинаковые электрические и физические характеристики, мы можем использовать любой из этих МОП-транзисторов в качестве эквивалента для IRF730.

IRF730, IRF740, IRFB9N65A

В таблице ниже представлено сравнение IRF730, IRF740 и IRFB9.N65A, в этой таблице мы попытались перечислить основные электрические характеристики.

Характеристики	IRF730	IRF740	IRFB9N65A
Напряжение сток-исток (Vds)	400 В	400 В	650 В
Напряжение затвор-исток (Vgs)	20 В	20 В	30 В
Пороговое напряжение затвора (Vg(th))	4 В	5 В	5В
Ток стока (Id)	5,5 А	10 А	8,5 А
Общий заряд затвора (кг)	38 нКл	63 нКл	48 нКл
Рассеиваемая мощность	74 Вт	125 Вт	167 Вт
Температура перехода (TJ)	150°C	150°C	150°C
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS)	1 Ом	0,55 Ом	0,93 МОм
Время нарастания (tr)	38 нс	27 нс	48 нс
Пакет	ТО-220АБ	ТО-220АБ	ТО-220АБ

Таблица сравнения IRF730, IRF740 и IRFB9N65A показывает, что IRF730 и IRF740 имеют почти одинаковые электрические характеристики.