Irf740 транзистор характеристики: Транзистор IRF740: характеристики, цоколевка, аналоги

Транзистор IRF740: характеристики, цоколевка, аналоги

Перейти к содержанию

Search for:

Главная » Транзистор

IRF740 — N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор с изолированным затвором.

Содержание

1. Цоколевка, корпус
2. Основные характеристики
3. Модификации транзистора
4. Аналоги

Цоколевка, корпус

Основные характеристики

• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): 20 В.
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 400 В.
• Максимальное пороговое напряжение затвора | Vgs (th) |: 4 В.
• Максимальная мощность рассеивания (Pd): 125 Вт.
• Максимальный ток стока (Id): 10 A.
• Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C.
• Общий заряд затвора (Qg): 63 нКл.
• Емкость сток-исток (Cd): 1450 пФ.
• Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0,55 Ом.

Модификации транзистора

Тип	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Tj	Cd	Id	Qg	Rds	Корпус
IRF740	125 W	400 V	20 V	4 V	150 °C	1450 pf	10 A	63 nC	0. 55 Ohm	TO-220
HIRF740	74 W	400 V	30 V		150 °C	330 pf	10 A		0.55 Ohm	TO-220AB
HIRF740F	38 W	400 V	30 V		150 °C	330 pf	10 A		0.55 Ohm	TO-220FP
IRF740A	134 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	1180 pf	10 A	36 nC	0.55 Ohm	TO-220
IRF740AL	125 W	400 V	10 V	4 V	150 °C		10 A	36 nC	0.55 Ohm	TO-262
IRF740ALPBF	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	170 pf	10 A	36 nC	0.55 Ohm	TO-262
IRF740APBF	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	170 pf	10 A	36 nC	0. 55 Ohm	TO-220AB
IRF740AS	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C		10 A	36 nC	0.55 Ohm	D2PAK
IRF740ASPBF	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	170 pf	10 A	36 nC	0.55 Ohm	TO-263
IRF740B	134 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	150 pf	10 A	41 nC	0.54 Ohm	TO-220AB
IRF740FI	40 W	400 V	20 V		150 °C	1450 pf	5.5 A		0.55 Ohm	ISOWATT220
IRF740LC	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	190 pf	10 A	39 nC	0.55 Ohm	TO-220AB
IRF740LCPBF	125 W	400 V	30 V	4 V	150 °C	190 pf	10 A	39 nC	0. 55 Ohm	TO-220AB
IRF740PBF	125 W	400 V	20 V	4 V	150 °C	330 pf	10 A	63 nC	0.55 Ohm	TO-220AB
IRF740S	125 W	400 V	20 V	4 V	150 °C		10 A	63 nC	0.55 Ohm	D2PAK
IRF740SPBF	125 W	400 V	20 V	4 V	150 °C	330 pf	10 A	63 nC	0.55 Ohm	TO-263

Аналоги

Маркировка	Vds	Vgs	Vgs(th)	Pd	Tj	Id	Cd	Qg	Rds	Корпус
IRF740	400	20	4	125	150	10	1450	63	0.55	TO-220
10N40	400	30		135	150	10. 5	250		0.5	TO‑220, TO‑220F1
10N50	500	30		143	150	10	177		0.54	TO‑220, TO‑220F1
2SK1378	400	30		125	150	10	170		0.55	TO-220AB
11N50	500	30		195	150	11	185		0.48	TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1, TO‑220F2, TO‑262
11N40	400	30		147	150	11.4	180		0.42	TO‑220, TO‑220F
12N50	500	30		195	150	12	198		0.42	TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1, TO‑220F2, TO‑263
13N50	500	30		168	150	13	245		0.42	TO‑220, TO‑220F, TO‑220F1
18N50	500	30		277	150	18	330		0. 24	TO‑3P, TO‑263, TO‑220, TO‑230, TO‑220F1, TO‑220F2
18N40	400	30		360	150	18	280		0.18	TO‑247, TO‑220, TO‑220F1
AOT11S60	600	30		178	150	11	37.3		0.399	TO‑220
AOT15S65L	650	30	3.3	208	150	15	58		0.29	TO-220
CS20N60A8H	600	30	4	250	150	20	252	61	0.45	TO‑220AB
CS20N60A8H	600	30		250	150	20	252		0.45	TO220AB
FMP20N60S1	600	30	3.5	150	150	20	3120	48	0.19	TO‑220
CS740	400	30	4	134	150	10	150		0. 55	TO‑220
FCP22N60N	600	30	4	205	150	22		45	0.165	TO-220
FQPF13N50C	500	30	4	195	150	13		56	0.48	TO-220F
GPT13N50	500	30		193	150	13	180		0.49	TO-220
FQP13N50C	500	30	4	195	150	13		56	0.48	TO-220
IPA50R199CP	500	20	3.5	139	150	17	80	34	0.199	TO-220FP
FTP10N40	400	30		125	150	10	119		0.5	TO-220
FTP14N50C	500	30	4	188	150	14	180	41	0.46	TO-220
IPP60R190C6	600	20	3. 5	151	150	20.2	85	63	0.19	TO-220
IPP50R140CP	500	20	3.5	192	150	23	110	48	0.14	TO-220
MMP65R190PTH	650	30	4	154	150	20	1425	53	0.19	TO‑220
KNP6140A	400	30	4	140	150	10	150	28	0.5	TO-220
IRFB11N50A	500	10	4	170	150	11		52	0.52	TO-220AB
SPP11N60C3	600	20	3.9	125	150	11	390	45	0.38	TO-220
WFP740	400	30	4	134	150	10	150	60	0.55	TO‑220

Отечественные аналоги для IRF740 — транзисторы серии КП776 и транзистор КП740.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Транзистор IRF740: характеристики, datasheet и аналоги

Почти все характеристики на транзистор IRF740 в официальных datasheet указаны на английском языке, у нас же Вы можете их узнать на русском, а оригиналы скачать если нужно в конце статьи.

Данный n-канальный полевик с изолированным затвором был разработан специально для высоковольтных, высокоскоростных схем, таких как автономные импульсные блоки питания, средства управления двигателями переменного и постоянного тока. Впервые выпущен компанией International Rectifier.

Цоколевка

Производят IRF740 только в корпусе ТО-220 в нем мы и рассмотрим цоколевку. Выводы полевого транзистора расположены в следующем порядке:

• первая слева – это затвор;
• средняя – это сток;
• самая правая – это исток.

Кроме этого сток соединён с металлической частью оболочки.

С внешним видом и распиновкой можно познакомиться на рисунке.

Технические характеристики

Ознакомление с техническими характеристиками любого транзистора рекомендуется начинать с его максимально допустимых значений. Их превышении вызовет поломку устройство. Измерялись они при стандартной температуре 25°С. Перечислим их для IRF740:

• разность потенциалов С-И V_DS = 400 В;
• постоянный ток стока (V_GS = 10 В):
  • при температуре +25^ОС I_D = 10 А;
  • при температуре +100^ОС I_D = 6,3 А;
• пиковый ток стока I_DМ = 40 А;
• мощность P_D = 125 Вт;
• коэффициент снижения мощности 1,0 Вт/ ^ОС;
• отпирающая разность потенциалов между затвором истоком V_GS = ±20 В;
• пиковый лавинный ток I_AR = 10 А;
• энергия, рассеиваемая при лавинном пробое E_AR = 13 мДж;
• импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt = 4,0 В/нс;
• Диапазон рабочих температур T_J = -55 ^ОC … +150^ОC.

Теперь рассмотрим электрические параметры.

Электрические характеристики транзистора IRF740 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы тестирования	Обозн.	min		max	Ед. изм
Напряжение пробоя между С-И	VGS =0В, ID=250мкА	V(BR)DSS	400			В
Коэффициент, показывающий зависимость разности потенциалов пробоя от температуры	ID=1,0 мА	Δ V(BR)DSS /TJ		0,49		В/°С
Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии	VGS = 10 В, ID = 6 A	RDS(on)			0,55	Ом
Пороговая отпирающая разность потенциалов между затвором и истоком	VDS = VGS, ID = 250 мкА	VGS(th)	2		4	В
Крутизна характеристики	VDS = 25 В, ID = 62 А	GFS	44
Ток утечки З-И в прямом направлении	VGS = 20 В	IGSS			100	нА
Ток утечки З-И в обратном направлении	VGS = -20 В	IGSS			-100	нА
Ток утечки С-И при нулевой разности потенциалов на затворе	VDS = 400 В, VGS = 0 В	IDSS			25	мкА
	VDS = 320 В, VGS = 0 В, TJ = 125°C				250
Общий заряд затвора	VGS = 10 В, ID = 10 А, VDS = 320 В	Qg			63	нКл
Заряд между затвором и истоком	VGS = 10 В, ID = 10 А, VDS = 320 В	Qgs			9,0	нКл
Заряд между затвором и стоком	VGS = 10 В, ID = 10 А, VDS = 320 В	Qgd			32	нКл
Время открытия устройства	VDD = 200 В, ID = 10 А, RG = 9,1 Ом, RD = 20 Ом	td(on)		14		нс
Время нарастания импульса открытия		tr		27		нс
Время закрытия устройства		td(off)		50		нс
Время спада импульса		tf		24		нс
Индуктивность стока		LD		4,5
Индуктивность истока		LS		7,5
Входная ёмкость транзистора	VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1,0 МГц	Ciss		1400		пФ
Выходная ёмкость транзистора		Coss		330		пФ
Обратная передаточная ёмкость		Crss		120		пФ
Длительный ток исток-сток		IS			10	А
Импульсный ток через канал		ISM			40	А
Падение напряжения на диоде	IS = 10 A, VGS = 0 В	VSD			2,0	В
Время обратного восстановления	IF = 20 A, dI/dt=100A/мкс	trr		370	790	нс
Заряд обратного восстановления		Qrr		3,8	8,2	нКл

Аналоги

Полным аналогом полевого транзистора irf740 является STP11NK40Z, поэтому если использовать его, то что-либо менять в схеме не потребуется. Можно также заменить его на КП776А или КП740, которые изготавливаются в Минске, на ОАО «Интеграл».

Производители и DataSheet

Как и обещали все datasheet на IRF740 от производителей:

• Nell Jersey Semi-Conductor Products;
• Intersil Corporation;
• Nell Semiconductor;
• ARTSCHIP ELECTRONICS.

Следующие компании поставляют свою продукцию на Российский рынок:

• STMicroelectronics;
• Fairchild Semiconductor;
• Vishay Siliconix;
• Dc Components;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• Suntac Electronic;
• First Components International.

IRF740 MOSFET Лист данных: распиновка, спецификация, ЭКВИВАЛЕНТ

IRF740 MOSFET IRF740 MOSFET

IRF740 MOSFET спецификация

• IRF740 MOSFET спецификация
• Напряжение сток-исток ( В _DS ) 400 В
• Напряжение затвор-исток ( В _GS ) составляет +/- 20 В
• Затвор порогового напряжения ( В _ГС(й) ) равно от 2 В до 4 В
• Ток стока ( I _d ) 10A
• Импульсный ток стока ( I _DM ) 40A
• Рассеиваемая мощность (
  P _D ) 125 Вт
• Общий заряд затвора ( Q _г ) составляет 63 нКл
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии ( R _{DS (ON)} ) 55 Ом
• Ток стока при нулевом напряжении затвора ( I _DSS ) is 25 до 250 мкА
• Время нарастания ( tr ) составляет 27 нс
• Пиковое восстановление диода dv/dt is 4 В/нс
• Термическое сопротивление перехода к окружающей среде (R _th j-A) равно 62℃/Вт
• Температура перехода ( T _J ) составляет от от -55 до 150 ℃
• Обратное восстановление внутреннего диода (trr) 370–790 нс
• Динамический рейтинг dv/dt
• Повторяющаяся лавина с рейтингом
• Изолированное центральное монтажное отверстие
• Быстрое переключение
• Простота параллельного подключения
• Требование к простому приводу
• Низкое сопротивление в открытом состоянии

Распиновка IRF740 MOSFET Распиновка IRF740 MOSFET

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	ВОРОТА	В источнике терминальный ток вытекает из MOSFET
2	СЛИВ	Терминал используется для запуска устройства MOSFET
3	ИСТОЧНИК	Сток — это входная клемма MOSFET

 

Корпус IRF740 MOSFET

Устройство IRF740 MOSFET выполнено в корпусе TO-220AB, это мощное устройство, которое может быть более громоздким и легким.

Корпус TO-220AB в основном изготовлен из эпоксидного/пластмассового материала для повышения термостойкости, а задняя часть выполнена из металлического материала.

Мы знаем, что полевой МОП-транзистор IRF740 представляет собой сквозное силовое устройство, обычно используемое для переключения питания и драйверов, поэтому металлическая часть используется для прикрепления к нему радиатора для передачи тепла.

Объяснение электрических характеристик полевого МОП-транзистора IRF740 

В этом разделе мы попытаемся объяснить электрические характеристики полевого МОП-транзистора IRF740, объяснение спецификаций будет действительно полезно для лучшего понимания этого устройства для процесса замены.

Характеристики напряжения

Характеристики напряжения на выводах полевого МОП-транзистора IRF740: напряжение сток-исток составляет 400 В, а напряжение затвор-исток составляет 20 В, оно имело более высокое значение в характеристиках напряжения.

Пороговое напряжение затвор-исток составляет от 2 до 4 В, это напряжение срабатывания полевого МОП-транзистора.

Общие характеристики напряжения IRF740 MOSFET показывают, что это высоковольтное устройство, в основном используемое для подачи питания, преобразования энергии и драйверов.

Характеристики тока

Значение тока стока МОП-транзистора IRF740 составляет 10 А, а значения тока устройства показывают нагрузочную способность устройства в цепях.

Импульсный ток стока составляет 40А, а импульсный ток устройства всегда в 3 раза больше нормального тока.

Текущие значения MOSFET показывают, что это устройство в основном используется в качестве драйвера и зарядного устройства для аккумуляторов.

Нулевой ток стока напряжения затвора

Значение тока стока при нулевом напряжении на затворе составляет от 25 до 250 мкА, это особое состояние, когда напряжение на затворе равно нулю, а ток представляет собой конкретное значение по отношению к значению напряжения.

Характеристики рассеивания

Величина рассеиваемой мощности полевого МОП-транзистора IRF740 составляет 125 Вт, это мощность рассеяния полевого МОП-транзистора в тепловом состоянии.

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии составляет 0,55 Ом, это общее сопротивление MOSFET.

Температура перехода

Температура перехода МОП-транзистора IRF740 составляет от – 55 до +150℃ .

Тепловое сопротивление перехода к окружающей среде

Тепловое сопротивление MOSFET IRF740 составляет 62 ℃/Вт .

Время нарастания

Значение времени нарастания для IRF740 MOSFET составляет 27 нс, это время переключения, предлагаемое MOSFET.

Входная емкость

Значение входной емкости МОП-транзистора IRF740 составляет 1400 пФ, это более высокое значение по сравнению с другими устройствами.

IRF740 MOSFET Dataheep

, если вам нужен таблица DataShing в PDF, пожалуйста, Нажмите на эту ссылку

IRF740 MOSFET Equivalent

. Разделиты MOSFET, такие как IRF740A, 2F450A, 2F455559,

. эквиваленты устройств IRF740 MOSFET.

Электрические характеристики всех этих MOSFET-устройств такие же, как у IRF740, это полезно для процесса замены.

Перед заменой нам необходимо проверить и проверить детали PINOUT каждого MOSFET, потому что схемы, основанные на этих MOSFET, являются системами питания.

IRF740 против IRF840 против IRF540

В этой таблице мы пытаемся сравнить электрические характеристики трех почти одинаковых MOSFET устройств, это сравнение действительно полезно для лучшего понимания этих MOSFET.

Характеристики	IRF740	IRF840	IRF540
Напряжение сток-исток (VDS))	400 В	500 В	100 В
Напряжение затвор-исток (Vgs)	20 В	20 В	20 В
Пороговое напряжение затвора (Vg(th))	от 2 до 4 В	от 2 до 4 В	от 2 до 4 В
Ток стока (Id)	10А	8А	28А
Ток стока при нулевом напряжении затвора (IDSS)	от 25 до 250 мкА	от 25 до 250 мкА	от 25 до 250 мкА
Общий заряд затвора (кг)	63 нКл	63 нКл	72 нКл
Рассеиваемая мощность (PD)	125 Вт	125 Вт	150 Вт
Температура перехода (TJ)	от -55 до +150°C	от -55 до +150°C	от -55 до +150°C
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS)	0,55 Ом	0,85 Ом	0,077 Ом
Время нарастания (tr)	27 нс	23 нс	44 нс
Время обратного восстановления (trr)	от 370 до 790 нс	от 460 до 970 нс	от 180 до 360 нс
Пакет	ТО-220АБ	ТО-220АБ	ТО-220АБ

Полевые МОП-транзисторы IRF740 и IRF840 имеют почти одинаковые электрические характеристики, поэтому они используются для аналогичных приложений.

IRF540 сильно отличается от этих двух полевых МОП-транзисторов, потому что они имеют характеристики низкого напряжения и более высокие характеристики тока.

Кривые характеристик полевого МОП-транзистора IRF740 Выходные характеристики полевого МОП-транзистора IRF740

На рисунке показаны выходные характеристики полевого МОП-транзистора IRF740, график представлен зависимостью тока стока от напряжения сток-исток.

При различных значениях напряжения затвор-исток кривые тока стока представляют собой графики относительно напряжения сток-исток.

На начальных этапах текущее значение увеличивается до низкого значения, а затем становится постоянным в конце.

Сопротивление МОП-транзистора IRF740 в открытом состоянии

На рисунке показано сопротивление МОП-транзистора IRF740 в открытом состоянии, на графике показана зависимость сопротивления в открытом состоянии от температуры перехода.

При фиксированных значениях тока стока и напряжения затвор-исток сопротивление в открытом состоянии увеличивается от наименьшего значения к большему.

Применение IRF740 MOSFET

• Система SMPS
• Инверторные системы
• Системы ИБП
• Преобразователь постоянного тока в постоянный
• Двигатель системы управления скоростью
• Схемы диммера для светодиодов
• Встроенные проектные приложения
• Цепи драйвера двигателя
• Цепи зарядного устройства

IRF740 Спецификация — N-канальный, 400 В, 10 А, силовой МОП-транзистор

Опубликовано 1 февраля 2023 г. 27 марта 2023 г. по распиновке

Что такое IRF740?

Это один из типов полевых МОП-транзисторов и разновидность транзистора. Это мощный полевой МОП-транзистор, используемый для коммутации и усиления. Это N-канальный МОП-транзистор с номинальным напряжением 400 В и номинальным током 10 А.

Функция: N-КАНАЛЬНЫЙ, 400 В, 0,48 Ом, 10 А, PowerMESH MOSFET

Упаковка: TO-220, тип

Производитель: STMicroelectronics

См. предварительное изображение и IRF740 Datasheet файл для получения дополнительной информации.

Изображение

Описание

IRF740 — N-канальный, 400 В, 10 А, силовой МОП-транзистор.

PowerMESH II — это эволюция первого поколения MESH OVERLAY. Введенные усовершенствования компоновки значительно улучшают показатель площади Ron*, сохраняя при этом лидерство устройства в отношении скорости переключения, заряда затвора и прочности.

Выводы:

Особенности

1. Исключительная способность dv/dt
2. 100% лавинное испытание
3. Низкий заряд затвора
4. Очень низкая собственная емкость

Преимущества

1. Корпус TO-220 обеспечивает хорошее рассеивание тепла легко монтируется на радиатор.
2. Он имеет более высокое номинальное напряжение по сравнению с IRF640, что делает его пригодным для высоковольтных приложений.

Недостатки

1. IRF740 имеет относительно высокую емкость затвора, что может ограничивать его использование в приложениях с высокочастотной коммутацией.

2. Это N-канальный МОП-транзистор, что означает, что для его включения требуется положительное напряжение затвора, что делает его несовместимым с некоторыми схемами, требующими отрицательного напряжения затвора.

 

Применения

1. СИЛЬНОТОЧНАЯ КОММУТАЦИЯ
2. БЕСПЕРЕБОЙНЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ (ИБП)
3. DC/DC ПЕРЕХОДНИКИ ДЛЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОГО, ПРОМЫШЛЕННОГО И ОСВЕЩИТЕЛЬНОГО ОБОРУДОВАНИЯ.

 

Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25°C)

1. Напряжение сток-исток: VDSS = 400 В
2. Напряжение затвор-исток: VGSS = ± 20 В
3. Ток стока: ID = 1,0 А
4. Рассеиваемая мощность стока: PD = 125 Вт
8. Температура канала: Tch = 150 °C
9. Температура хранения : Tstg = от -65 до +150 °C

 

Другие спецификации доступны в файле: IRF740FI

IRF740 Техническое описание в формате PDF Скачать

Связанные статьи в Интернете

• Arduino с нуля.