Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

IRFBC40 Электроника в YIC Сток

Все компоненты Eelctronics будут очень безопасно упаковываться благодаря антистатической защите от ESD.

Все продукты будут упаковываться в антистатический пакет. Корабль с антистатической защитой от ESD.
За пределами упаковки ESD-упаковки мы будем использовать информацию нашей компании: Part Mumber, Brand и Quantity.
Мы проверим все товары перед отправкой, обеспечим все продукты в хорошем состоянии и обеспечим детали новой оригинальной таблицей соответствия.
После того как все товары обеспечат никакие проблемы после упаковки, мы будем упаковывать безопасно и послать глобальным курьерским.

Глобальная отгрузка DHL / FedEx / TNT / UPS

Срок поставки
Время доставки потребуется 2-4 дня для большинства стран мира для DHL / UPS / FEDEX / TNT.
Стоимость доставки справка DHL.
1). Вы можете предложить свою учетную запись экспресс-доставки для отправки, если у вас нет экспресс-счета для отправки, мы можем предложить нашу учетную запись заранее.

2). Используйте наш аккаунт для отгрузки, Стоимость пересылки (ReferenceDHL, в разных странах разные цены).
Стоимость пересылки: (Ссылка DHL)
Вес (кг) Цена (USD $)
0.00kg-1.00kg USD $ 60,00
1.00kg-2.00kg USD $ 70,00
2.00kg-3.00kg USD $ 80.00

Больше деталей: https: // WWW. yic-electronics.com /shipment-way.htm
Пожалуйста, не стесняйтесь связаться с нами. Присылайте любые вопросы или вопросы на наш Email [email protected]
Мы можем сделать все возможное для вас. Большое спасибо за вашу поддержку.
Способ оплаты: Банковский перевод = телеграфный перевод (T / T) или PayPal или Western Union

Банковский перевод (T / T)



Наше название банка HSBC: Гонконгская и Шанхайская банковская корпорация с ограниченной ответственностью (HSBC Гонконг)

Название компании: YIC International Co. , Limited
Банковские сборы и платежные реквизиты, нажмите “Способ оплаты».

Western Union


Полная оплата Western Union.
Шаг 1. Зайдите в местное отделение Western Union или зайдите на их сайт (www.westernunion.com)
Шаг 2. Следуйте их инструкциям. Банковские сборы и платежные реквизиты, нажмите “Способ оплаты».

Счет PayPal:

Счет PayPal:
Идентификатор учетной записи PayPal: [email protected]
Компания: YIC International Co., Limited

Если вы хотите оплатить с помощью кредитной карты, выберите «Оплатить с помощью моей учетной записи PayPal», чтобы продолжить с помощью PayPal. (www.paypal.com)

Автогенераторы в импульсных источниках питания

Автогенераторы в импульсных источниках питания

Из анализа известных статей В. Козельского и А.Колганова напрашивается вывод, что тема по разработке хороших мощных импульсных источников питания до сих пор является актуальной. Проблема со сквозным током вроде бы окончательно решена. Недостаток рассмотренных схем заключается только в громоздкости конструкции и несколько устаревшей элементной базе. Но выражаю огромную благодарность за аккуратное описание рассматриваемых в этих статьях технических решений.

Предлагаемая конструкция – просто переход на более современную элементную базу. На рис.1

приведена типовая схема полумостового преобразователя напряжения, с одной первичной обмоткой.

Цепи входного выпрямителя определяются выходной мощностью преобразователя. При выходной мощности до 100Вт, в качестве диодного моста можно использовать DB107. При увеличении мощности можно использовать мосты типа BR310 и более мощные. Выпрямитель во вторичной обмотке импульсного трансформатора не представляет интереса и поэтому не показан. Его можно выполнить по любой схеме, в зависимости от параметров и характера нагрузки. Подстроечный резистор предназначен для изменения частоты автогенератора в широких пределах.

В качестве автогенератора используется одна микросхема, типа IR2153 (можно использовать практически любую из целого ряда микросхем: IR2151, IR2152, IR2155, IR21531). Если найдете, то желательно с индексом “D” в конце названия. Типовая схема включения показана на

рис.2.

Автогенератор IR2153 имеет внешнее регулирование частоты, фиксированную паузу на 1,2мкс, миниатюрный DIP-8 и SOIC корпус. Схемно заложенной фиксированной паузы на 1,2мкс достаточно при использовании любых современных мощных MOSFET транзисторов. В автогенераторе встроен стабилитрон на 15,6В, который и стабилизирует напряжение питания, получаемое через мощный токоограничительный резистор от цепи основного питания. Для питания цепи управления верхнего ключа, используется внешний высоковольтный, быстрый диод. В IR2153D этот диод встроен в микросхему.

В качестве выходных ключей необходимо использовать мощные MOSFET транзисторы с встроенным диодом защиты, например IRFBC40. При питании от первичной сети ~220В допустимое напряжение сток-исток выбираемого транзистора должно быть не менее 400В. Величина тока выбираемого MOSFET транзистора определяется необходимой мощностью преобразователя. Фактически выходная мощность определяется только применяемыми выходными транзисторами. Если посмотреть каталог фирмы International Rectifier, то видно, что выбор MOSFET транзисторов огромен, диапазон токов – от единиц до сотен ампер.

Токоограничительные резисторы в цепях затвора предназначены для ограничения выходного тока управления при перезаряде входной емкости MOSFET транзисторов. При выходной мощности более 50Вт, все мощные MOSFET транзисторы, конечно же, необходимо устанавливать на радиаторы.

Рабочая частота автогенератора задается одной RC-цепью. Рекомендуется использовать резистор номиналом не менее 5..10 кОм. Частота генерации определяется формулой 1.

Особое внимание необходимо уделить аккуратной трассировке управляющих и силовых цепей MOSFET транзисторов. Особенности расположения элементов около микросхемы и трассировки земли показаны на рис.3.

При сборке платы необходимо обеспечить электростатическую защиту MOSFET транзисторов. Запаивать в плату их надо в последнюю очередь.

Выбор рабочей частоты и расчет выходного трансформатора достаточно подробно приведен в различной литературе.

Выбранная для примера микросхема IR2153, конечно же не является последним словом техники. Кто хочет в широком диапазоне регулировать время паузы между импульсами, могут поработать с такими автогенераторами, как R2156 или IR21571.

IRFBC40 Електронний дистриб’ютор | IRFBC40 Electro-Films (EFI) / Vishay на Y-IC.

com Всі компоненти Eelctronics будуть упаковані дуже безпечно антистатичним захистом ESD.

Всі товари будуть упаковані в антистатичний пакет. Поставляється з антисептичним захистом ESD.

На етикетці упаковки зовнішнього ESD буде використана інформація нашої компанії: Частина Мембер, Бренд та Кількість.
Ми перевіримо весь товар перед відправкою, забезпечимо всі товари в належному стані та забезпечимо деталі новими оригінальними таблицями відповідності.
Після того, як усі товари не забезпечать ніяких проблем після упаковки, ми будемо безпечно упаковувати та відправляти глобальним експресом.

Глобальна доставка DHL / FedEx / TNT / UPS

Час доставки
Час доставки потребує 2-4 днів для більшості країн світу для DHL / UPS / FEDEX / TNT.
Довідкова вартість доставки DHL.
1). Ви можете запропонувати свій рахунок швидкої доставки для відправлення, якщо у вас немає експрес-рахунку для відправки, ми можемо запропонувати невдалий наш рахунок.
2). Використовуйте наш рахунок для відправлення, вартість доставки (ReferenceDHL, різні країни мають різну ціну.)
Вартість доставки: (Довідковий DHL)
Вага (кг) Ціна (дол. США)
0,00кг-1,00кг 60,00 доларів США
1,00кг-2,00кг 70,00 доларів США
2,00кг-3,00кг 80,00 доларів США

Детальніше: https: // www. y-ic.com /shipment-way.htm
Будь ласка, не соромтеся звертатися до нас. Надішліть будь-які запити чи запитання на електронний лист [email protected]
Ми можемо зробити найкраще для вас. Дуже дякую за вашу підтримку.
Спосіб оплати: Банківський переказ = Телеграфний переказ (T / T) або PayPal або Western Union

Переказ коштів (T / T)



Наша назва банку HSBC: Гонконгська та Шанхайська банківська корпорація з обмеженою відповідальністю (HSBC Hong Kong)

Назва вигідної компанії: YIC International Co.

, Limited
Банківські збори та дані платіжного рахунку, натисніть “Спосіб оплати”.

Вестерн юніон


Повна оплата Western Union.
Крок 1. Перейдіть до місцевого відділення Western Union або перейдіть на його веб-сайт (www.westernunion.com)
Крок 2. Дотримуйтесь їх інструкцій.

Банківські збори та дані платіжного рахунку, натисніть “Спосіб оплати”.

Рахунок PayPal:

Рахунок PayPal:
Ідентифікатор рахунку PayPal: [email protected]
Компанія: YIC International Co., Limited

Якщо ви хочете здійснити оплату за допомогою кредитної картки, будь ласка, виберіть “Оплатити моїм рахунком PayPal”, щоб продовжити через paypal. (www.paypal.com) Таблицы данных

IRFBC40 | Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы

На главную Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные даташиты IRFBC40 | Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – Single N-Channel 600V 6.
2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

IRFB4310ZPBF Таблицы данных | Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – Single N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB

Информационные листы IRFD9120 | Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночный P-канал 100 В, 1 А (Ta) 1.3 Вт (Ta) сквозное отверстие 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

  • Автор: & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspIRFBC40, Техническое описание IRFBC40, IRFBC40 PDF, Vishay Siliconix

Обзор продукта
Изображение:
Номер детали производителя: IRFBC40
Категория продукта: Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные
Наличие: Нет
Производитель: Vishay Siliconix
Описание: N-канал 600 В 6. 2A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Лист данных: N / A
Упаковка: К-220-3
Минимум: 1
Время выполнения: 3 (168 часов)
Количество: Под заказ
Отправить запрос предложений: Запрос

IRFBC40 Изображения только для справки.

CAD Модели

Атрибуты продукта
Упаковка / Ящик: К-220-3
Производитель: Vishay Siliconix
Номер базового продукта: IRFBC40
Комплект устройства поставщика: К-220АБ
Рассеиваемая мощность (макс. ): 125 Вт (TC)
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 1300 пФ при 25 В
Напряжение сток-источник (Vdss): 600 В
Технологии: МОП-транзистор (оксид металла)
Ток – непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 6.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. Показания при минимальном значении включения): 10 В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 1.2Ом при 3.7A 10В
Vgs (th) (макс.) @ Id: 4 В при 250 мкА
Vgs (макс.): ± 20 В
FET Характеристика:
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 60 нКл при 10 В

Альтернативные модели
Деталь Сравнить Производители Категория Описание
ПроизводительНомер детали: IRFBC40 сравнить: Текущая часть Производитель: VISHAY Категория: МОП-транзисторы Описание: Trans MOSFET N-CH 600V 6. 2A 3Pin (3 + Tab) TO-220AB
Производитель № детали: IRFBC40_NL сравнить: IRFBC40 VS IRFBC40_NL Производитель: Fairchild Категория: Описание: Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A, 3 контакта (3 + вкладка) TO-220AB
Производитель № детали: IRFBC40 сравнить: IRFBC40 VS IRFBC40 Производитель: Fairchild Категория: Описание: Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3Pin TO-220AB

Описания

Для этой части пока нет релевантной информации.

ХАРАКТЕРИСТИКИ

ОПИСАНИЕ Этот силовой полевой МОП-транзистор разработан с использованием корпоративного процесса MESH OVERLAY ™ на основе консолидированной компоновки полос. Эта технология соответствует и улучшает характеристики по сравнению со стандартными деталями из различных источников.

■ ТИПИЧНОЕ RDS (вкл.) = 1,0 Ом
■ ЧРЕЗВЫЧАЙНО ВЫСОКАЯ СПОСОБНОСТЬ dv / dt
■ ЛАВИНА 100% ИСПЫТАНА
■ ОЧЕНЬ НИЗКАЯ ВНУТРЕННЯЯ МОЩНОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
■ МИНИМИЗАЦИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЗАРЯДКИ

ПРИЛОЖЕНИЯ 9027 ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ (ИИП)
■ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ DC-AC ДЛЯ СВАРКИ
ОБОРУДОВАНИЕ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ БЕСПЕРЕБОЙНЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ И ДВИГАТЕЛЬ

ECCN / UNSPSC
USHTS: 85412
CNHTS: 85412

MXHTS: 85412999
ТАРИК: 85412

ECCN: EAR99

Экологическая и экспортная классификации
Статус RoHS: Не соответствует требованиям RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL): 1 (без ограничений)
Статус REACH: ДОСТИГАЕМОСТЬ Без изменений
ECCN: EAR99
HTSUS: 8541. 29.0095

Дистрибьюторы
IRFBC40 Vishay / Siliconix МОП-транзистор N-Chan 600 В, 6,2 А Под заказ

НЕТ

IRFBC40 Vishay Siliconix Силовой полевой транзистор , 6.2A I (D), 600 В, 1,2 Ом, 1 элемент, N-канал, Кремний, Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, TO-220, 3 контакта Под заказ

НЕТ

IRFBC40 Vishay Siliconix N-канал 600 В 6,2 A (Tc) 125 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB Под заказ

НЕТ

Популярность по регионам
  • 1. Филиппины

    100

  • 2. Китай

    98

  • 3. Испания

    97

  • 4. Франция

    96

  • 5.Южная Корея

    94

  • 6. Греция

    91

  • 7. Вьетнам

    91

  • 8. Израиль

    91

  • 9.Хорватия

    89

  • 10. Мали

    89

  • 11. Италия

    89

  • 12. Россия

    88

  • 13.Тайвань

    88

  • 14. Бразилия

    86

  • 15. Гонконг

    86

  • 16. Соединенное Королевство

    85

  • 17.Мавритания

    85

  • 18. Палау

    85

  • 19. Малайзия

    85

  • 20. Бельгия

    85

  • 21.Индия

    85

  • 22. Мексика

    85

  • 23. Сербия

    85

  • 24. Турция

    85

  • 25.Германия

    84

  • 26. Шри-Ланка

    83

  • 27. Канада

    83

  • 28. Швейцария

    83

  • 29.Тунис

    83

  • 30. Польша

    82

  • 31. Чешская Республика

    82

  • 32. США

    79

  • 33.Аргентина

    76

  • 34. Сингапур

    73

  • 35. Ирландия

    72

  • 36. Молдова

    71

  • 37. Перу

    69

  • 38. Япония

    61

  • 39. Австрия

    60

  • 40. Нидерланды

    36

  • IRFBC40 Популярность по регионам

    Вас также может заинтересовать

    Связанный параметр
    • Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные, N-канальные, 100 В, 170 мА (Ta) 360 мВт (Ta), поверхностный монтаж SOT-23-3
    • Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные, N-канальный, 60 В 57A (Tc) 92 Вт (Tc), поверхностный монтаж D2PAK
    • Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные, N-канальные, 200 В, 18 А (Tc) 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж D2PAK
    • Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные, P-Channel 60V 4A (Ta) 3. 1 Вт (Ta) для поверхностного монтажа 8-SOIC
    • Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные, N-канальные 900V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
    • Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 30V 98A LFPAK

    Статьи по теме

    IRF520 Power MOSFET: распиновка, техническое описание, спецификации [FAQ]

    Миа 21 декабря 2020 447

    IRF520 – это силовой МОП-транзистор 9.Ток коллектора 2А и напряжение пробоя 100В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и поэтому обычно используется с микроконтроллерами …

    Читать дальше »

    IRF540N MOSFET: распиновка, эквивалент, схема [FAQ]

    Игги 23 декабря 2020 1153

    IRF540N – это N-канальный МОП-транзистор. В этом блоге рассказывается о распиновке IRF540N MOSFET, таблице данных, эквиваленте, функциях и другой информации о том, как использовать и где использовать это устройство.Топ-5 проектов в области электроники …

    Читать дальше »

    IRF3205 MOSFET: распиновка, эквивалент, техническое описание [видео]

    Миа 26 янв.2021 г. 727

    IRF3205 – это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор, который может коммутировать токи до 110 А и 55 В. Его легко найти в упаковке TO-220AB. Этот чип в основном используется в потребительских устройствах с полным мостом…

    Читать дальше »

    IRFZ44N MOSFET: техническое описание, применение, аналог [видео]

    Биллили 21 ноя 2020 1041

    Описание IRFZ44N – это N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы, в этом блоге описаны распиновка, таблица данных, характеристики и другая информация о том, как использовать и где использовать это устройство. Каталог D …

    Читать дальше »

    N-канал 600 В 6.2A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

    • Атрибуты продукта
    • Описания
    • Характеристики
    • CAD Модели
    Упаковка / Ящик: К-220-3
    Производитель: Vishay Siliconix
    Номер базового продукта: IRFBC40
    Комплект устройства поставщика: К-220АБ
    Рассеиваемая мощность (макс.): 125 Вт (TC)
    Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 1300 пФ при 25 В
    Напряжение сток-источник (Vdss): 600 В
    Технологии: МОП-транзистор (оксид металла)
    Ток – непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 6.2A (Tc)
    Напряжение привода (макс. Показания при минимальном значении включения): 10 В
    Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 1.2Ом при 3.7A 10В
    Vgs (th) (макс.) @ Id: 4 В при 250 мкА
    Vgs (макс.): ± 20 В
    FET Характеристика:
    Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 60 нКл при 10 В

    По этой части пока нет релевантной информации.

    ХАРАКТЕРИСТИКИ

    ОПИСАНИЕ Этот силовой полевой МОП-транзистор разработан с использованием корпоративного процесса MESH OVERLAY ™ на основе консолидированной компоновки полос. Эта технология соответствует и улучшает характеристики по сравнению со стандартными деталями из различных источников.

    ■ ТИПИЧНОЕ RDS (вкл.) = 1,0 Ом
    ■ ЧРЕЗВЫЧАЙНО ВЫСОКАЯ СПОСОБНОСТЬ dv / dt
    ■ ЛАВИНА 100% ИСПЫТАНА
    ■ ОЧЕНЬ НИЗКАЯ ВНУТРЕННЯЯ МОЩНОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
    ■ МИНИМИЗАЦИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЗАРЯДКИ

    ПРИЛОЖЕНИЯ 9027 ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ (ИИП)
    ■ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ DC-AC ДЛЯ СВАРКИ
    ОБОРУДОВАНИЕ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ БЕСПЕРЕБОЙНЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ
    ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ И ДВИГАТЕЛЬ

    По этой части пока нет релевантной информации.

Запрошенная страница не может быть найдена!

Все категорииБатареиКонденсаторы Неполяризованные полиэфирные пленочные конденсаторы Керамические дисковые конденсаторы Керамические многослойные конденсаторы Высоковольтные керамические конденсаторы Металлизированные полиэфирные коробчатые конденсаторы Майларовый конденсатор Поляризованный танталовый конденсатор 4V 6.3V 10V 16V 20V 25V 35V 40V 50V 63V 100V 160V 200-250V 300-350V 400-450V Конденсаторы SMD Конденсаторы SMD 0603 Конденсаторы SMD 0805 Конденсаторы SMD 1206 Конденсаторы SMD 1210 Конденсаторы SMD Корпус A Конденсаторы SMD Корпус B Конденсаторы SMD Корпус C Конденсаторы SMD Корпус Подстроечные конденсаторы Конденсаторы VAC Box Автомобильные аксессуары Заклепки Зажимы Автомобильные зажимы Разъемы Аудио Моно и стерео разъемы Банановые разъемы Барьерная клеммная колодка Разъемы BLOCK Разъемы Cannon Коаксиальные разъемы Коаксиальные разъемы (SMA-SMB-SMC) Обжимные клеммные разъемы Разъемы Crocodile Разъемы D-SUB Разъемы TJC Разъемы Dup Разъемы Разъемы IDC 2.Разъемы IDC с шагом 0 мм Шаг 2,54 мм с нейлоновой изоляцией Концевые клеммы шнура USB-разъемы Разъемы для подключения к плате Разъемы между проводами Разъемы между проводами Разъемы SM Охлаждающие вентиляторы Кристаллические генераторыДиоды Мостовой ректификатор Стандартный диодный стабилитрон (0,5 Вт) Стабилитрон (1 Вт) Стабилитрон (5 Вт) ) SMD-диод Стандартный SMD-диод стабилитрон SMD-диодElectronics Project BoxesПредохранители Автоматические предохранители Керамические предохранители Миниатюрные предохранители Предохранители SMD ТермопредохранителиГаджеты и подарки ВидеокамерыТеплоусадочные муфтыHeat SinkIC Base and Headers Arduino Stackable Headers Flat Pin Round ICs Shorting Jumper Block ZIF Sockets Логические устройства ИС логики КМОП ИС логики TTL ИС оптопары, таймера Другие ИС Индукторы Индукторы с осевыми выводами Индукторы SMD Переменные индукторы Наборы общего назначения в разобранном видеРучкиЖКД-СВЕТИ Огни высокой мощности Неоновые светодиодные индикаторы Светодиоды SMD 7-сегментный дисплей Гистограмма Круглый матричный дисплей 3 мм.8-миллиметровый светодиодный индикатор соломенной шляпы 5-миллиметровый круглый светодиод 8-миллиметровый круглый светодиод 8-миллиметровый светодиодный индикатор соломенной шляпы 10-миллиметровый круглый светодиод 12-миллиметровый круглый светодиодМагниты Микроконтроллеры ATMEL MicroChipMotors Пропеллеры Печатные платы Гайки и болты Прокладки и стойки для печатных плат Проволочная обмотка 3296 3362 3386 WH06-1 WH06-2 Wh212A-2 Ручка Big Wh248-1A Wh248-1B Блок питания Адаптер переменного тока в постоянный Преобразователи переменного тока Адаптер для ноутбука Зарядное устройство Адаптер для принтера Реле твердотельные реле Резисторы SMD 0603 1% Резисторы SMD 0603 5% Резисторы SMD 0805 1% резисторы SMD 0805 5% резисторы SMD 1206 5% резисторы SMD 2512 5% 1/8 Вт (+ -0.1%) 1/8 Вт (+ – 1%) 1/8 Вт (+ – 5%). 25 Вт (+ -1%). 25 Вт (+ -5%) 1/2 Вт (+ – 5%) 1 Вт (+ – 5%) 2 Вт (+ – 5%) 5 Вт (+ – 5%) 10 Вт (+ – 5%) Сеть резисторов DIP Сеть резисторов SIP Резонаторы Датчики Датчики тока Датчики эффекта Холла Датчики влажности ИК-датчики Датчики движения LDR Датчики герконового переключателя Датчики щелевого датчика Температурные датчики Ультразвуковые Датчики Датчик расхода и уровня воды Интеллектуальные платы Модули ускорения Arduino и совместимые платы Модули камер Макетные платы и программаторы Модули датчиков газа PIR Модули датчиков давления Пульты реле Модули RF Модули RFID Модули регулятора напряжения Модули регулятора напряжения Вольтметр Динамики и зуммеры Переключатели DIP-переключатели Переключатель с фиксацией нажатием Push-to-Make Переключатель Кулисные переключатели Поворотный переключатель Селекторный переключатель Ползунковый переключатель Горизонтальный слайд SMD Ползунок Вертикальный слайд Тактовый переключатель 2 контакта 2 контакта (SMD) 4 контакта 4 контакта (SMD) ТумблерыТермисторы Термисторы NTC Термисторы PTC Инструменты Обжимные инструменты Сверла Клей Пистолеты и палочки Лупы Мультиметр Прочие необходимые инструменты Пайка лента и клей Транзисторы МОП-транзисторы NPN PNP SCR SMD-транзисторы Тиристоры TRIACS Варисторы Регуляторы напряжения Отрицательные положительные провода и кабели Стыковые соединители Кабельные наконечники и гильзы Кабельные стяжки Концевые соединители для проводов Соединители для кабелей Кабельные перемычки Провода для ноутбуков Сальники Ленточные кабели Винтовые соединители для проводов Спиральные обмоточные ленты Втулка для снятия натяжения

Электронные компоненты – cad audio dk

Трубы
ECC 81 / 12AT7 Philips / Mullard 12
ECC 82 / 12AU7 Philips / Mullard 12
ECC 82 / 12AU7 Haltron / div. 11
ECC 83/12 AU7 Русский NOS 11
ECC 84 Philips 11
ECC 85 Philips 11
ECC88 / 6DJ8 Philips / Mullard 12
ECC88 / 6DJ8 Русский NOS 11
ECC91 Маллард 12
PCC88 Сименс 12
5670 Сильвания 11
Спросите типы, не указанные здесь

Полупроводники

Биполярный Транзисторы

Лист данных

МПСА42 TO92 НПН 300 В 0.5A 0,27
BC546B TO92 НПН 65 В 100 мА 0,22
BDW42 TO220 НПН 100 В 15A

0,53

BD648 TO220 PNP DARL 80 В 8A 0,44
BDW93C TO220 НПН Дарл 100 В 12A

0,59

BDW94C TO220 PNP DARL 100 В 12A

0,59

БУ406 TO220 НПН 200 В 7A 0,50
2SC2581 SANKEN * TO3P НПН 200 В 10A 3,80
2SA1106 SANKEN * TO3P PNP 200 В 10A 3,80
2SC3281 TOSHIBA * TO264 НПН 200 В 15A

3,80

2SA1302 TOSHIBA * TO264 PNP 200 В 15A

3,80

2SC3306 SANKEN TO3P НПН 400 В 10A 3,80
СОВЕТ 121 TO220 NPN DARL 80 В 5A 0,53
СОВЕТ 127 TO220 PNP DARL 80 В 5A 0,59
* продается только парами
ПИТАНИЕ ФЭЦ Лист данных
RFP70N03 TO220 N 30 В 70A 1,63
IRL3103 TO220 N 30 В 64A 1,63
RFP14N05 TO220 N 50 В 14A ​​ 1,18
BUZ10 TO220 N 50 В 23A 1,33
BUZ11 TO220 N 50 В 30A 1,45
MTP3055 TO220 N 60 В 12A 1,33
RF1S25N06 TO263AB N 60 В 25A 1,33
RFP50N06 TO220 N 60 В 50A 1.73
БУК455-60Б TO220 N 60 В 38A 1,63
IRF9520 TO220-P 100 В 6,8А 1,59
MTP12P10 TO220 N 100 В 12A 1,33
IRF530 TO220 N 100 В 17A 1,33
IRFP3710 TO247 N 100 В 51A 3,48
IXFX180N10 TO247 N 100 В 180A 5,00
BUZ21 TO220 N 100 В 21A 1,86
IRF3415 TO22O N 150 В 43A 1,86
2SK1058 TO3P N 160 В 7A 7,61
2SJ162 TO3P-P 160 В 7A 7,61
MTW32N20 TO247 N 200 В 32A 7,44
IRF9640 TO220-P 200 В 11A 1,91
NTP30N20 TO220 N 200 В 30A 7,34
STW34NB20 TO247 N 200 В 34A 7,34
STW38NB20 TO247 N 200 В 38A 7,34
IRFP240 TO247 N 200 В 20A 3,38
IRFP250 TO247 N 200 В 33A 3,38
IRFP260 TO247 N 200 В 46A 4,8
IRFP241 * 1 TO247 N 200 В 16A 3,38
IRFP9240 * 1 TO247-P 200 В 12A 3,38
STP16NF20 N 200 В 16A 2,54
IRF630 TO220 N 200 В 10A 0,91
IRF640 TO220 N 200 В 18A 1,18
IRFP254 TO247 N 250 В 23A 4,08
FQPF16N25 TO220 N 250 В 16A 2,81
P11NB40 TO220 N 400 В 11A 2,18
IRF730 TO220 N 400 В 5.5A 1,50
IRF740 TO220 N 400 В 10A 1,98
IRFP350 TO247 N 400 В 16A 4,5
IRFP450 TO247 N 500 В 14A ​​ 4,08
IRFP460 TO247 N 500 В 17A 5,35
IRFS820 TO220F N 500 В 2.5A 1,18
IRF830 TO220 N 500 В 4,4A 1,50
IRF840 TO220 N 500 В 8A 1,99
10N50 TO220 N 500 В 10A 3,44
IXFK35N50 TO247 N 500 В 35A 9,89
СТх25НБ50 TO247 N 500 В 15A 4,08
IXFT26N50Q TO247 N 500 В 26A 7,61
IRFIBC30G TO220 N 600 В 2,5A 1,50
IRFBC40 TO220 N 600 В 6.2А 1,63
07N60C2 TO263 N 650 В 7,3А 1,63
11N60C2 TO220 N 650 В 11A 2,60
20N60C2 TO247 N 650 В 20A 3,97
20Н60С5 TO220 N 650 В 20A 3,97
20Н60С5 TO247 N 650 В 20A 3,97
SPW20N60 TO247 N 650 В 20A 3,97
IRFBE20 TO220 N 800 В 1.8A 1,18
IRFPE50 TO220 N 800 В 11A 5,88
IXFh23N80 TO247 N 800 В 13A 9,58
APT80IR2BN TO247 N 800 В 8A 7,61
IXFX27N80 TO247 N 800 В 27A 23,06
IXFX34N80 TO247 N 800 В 34A 27,99
11N80 TO220 N 800 В 11A 4,26
STW6NC90Z TO247 N 900 В 6A 1,50
W9NB90 TO247 N 900 В 9A 2,81
IXTh22N90 TO247 N 900 В 11A 10,11
ИКСШ45Н140А TO247 N 1400 В 35A 18,56
IGBT Лист данных
GT20D101 TO264 N 250 В 20A
GT20D201 TO264-P 250 В 20A 18
GT20J301 TO264 N 600 В 20A 12,80
IRG4BC20KD TO220 N 600 В 6.5A 1,50
IRG4RC10SD Д-ПАК N 600 В 9A 3,0
IRG4PC30W TO247 N 600 В 12A 3,36
G4PC50UD TO247 N 600 В 30A 10,34
G4BC20ND TO220 N 600 В 10A 4,04
IRGB30B60 TO247 N 600 В 78A 9,17
IXGh50N60 TO247 N 600 В 75A 17,55
* продано только парами
Напряжение Регуляторы
ЛМ340ЛАЗ-15 TO92 15 В 0.1A 0,35
КА7805 TO220 5V 1A 0,61
L7808CD TO220 8V 1A 0,61
LM2940-5 TO220 5V 1A 0,61
78M12CS TO220 12 В 0,5А 0,46
LM340T12 / 7812 TO220 12 В 1A 0,61
КА7815 TO220 15 В 1A 0,61
LM7824 TO220 24 В 1A 0,61
КА7915 TO220 -15В 1A 0,61
79L05 TO92 -5В 0.1A 0,41
79L15 TO92 -15В 0,1А 0,41
LM317T TO220 1,2-37В 1,5А 0,80
LM337T TO220 1,2-37В NEG 1,5А 0,80
LM78L12 SO8 12 В 0.1A 0,41
LM78L15 SO8 15 В 0,1А 0,41
LM2575T-12 ТО220-5 шаг переключение вниз 12 В 1A 2,20
TRIAC
BTA26-600B TO220 TRIAC 600 В 25A 3,48
ДИОДЕР-ДИВ
1N5818 AX СЧ 30 В 1A 0,41
P6KE200A AX SUPP 200 В 0,41
ДИОДЕР-PWR
CTB24 SANKEN TO220 СЧ 40 В 60A 3,72
STPS 3045 TO220 СЧ 45 В 2X15A 1,21
IXYS BPS 15-0045Б СЧ 45 В 15A 1,09
8TQ100 TO220 СЧ 100 В 8A 1,09
40CPQ100 СЧ 100 В 40A 3,72
BYW32-150 TO220 UF 150 В 32A 1,55
BYW29E200 TO220 200 В 8A 0,87
BYW51-200 TO220 UF 200 В 2X10A 1,20
CTL32S SANKEN TO3P 200 В 2X20A 3,50
RURG3020C TO247 UF 200 В 2x30A 3,50
DSEI60-02A TO247 35 нс 200 В 69A 3,84
ДСЕК60-02А TO247 35 нС 200 В 2X30A 3,84
BYT30P400 TO220 UF 400 В 30A 4,68
MUR840 TO220 UF 400 В 8A 1,09
BYW29-400 TO220 400 В 8A 1,09
CTM34S SANKEN TO3P 400 В 2X15A 4,22
CTM34R SANKEN TO3P 400 В 2X15A 4,22
8ETH06 TO220 UF 600 В 8A 1,23
DSEP15-06A TO247 35 нс 600 В 15A 2,43
DSEI30-06 TO247 35нс 600 В 37A 4,22
DSEI30-10A TO247 35 нС 1000 В 30A 4,22
DSEI120-06A TO247 35 нс 600 В 126A 7,67
DDSEI60-06A TO247 600 В 60A 4,55
FESF16FT 600 В 16A 2,43
MUR860 TO220 UF 600 В 8A 1,04
DSEI60-04A TO247 30 нс 1000 В 2X60A 6,95
DSEP15-12CR TO247 20нс 1200 В 15A 3,86
DSEP60-12A TO247 40нс 1200 В 60A 6,49
DSP25-12A TO247 10 мс 1200 В 2X28 / 43A 5,95
Мост Выпрямители
GBU8A МОСТ 60 В 8A 0,94
KBU4G BEIDGE 400 В 4A 0,94
KBL06 МОСТ 600 В 4A 0,94
2KBP08M МОСТ 800 В 2A 0,60
OPAMPS
LM324 DIP quad op 0,50
LM324 SOIC quad op 0,50
LM339 SOIC четырехъядерный 0,36
LM2902M SOIC quad op 0,46
MC1458 DIP двойной op 0,31
BA10393 DIP двойной комп 0,41
LM741 SOIC op 0,31
полевой транзистор ВОДИТЕЛЬ
HIP2500 SOIC HALF BR DRV 500 В 1,30
IR2110S SOIC HALF BR DRV 500 В 1,30

* 1 доступны в согласованных парах, спросите у нас

цены могут быть изменены без предварительного уведомления, цены действительны только для текущих запасов.

это лишь небольшая часть того, что у нас есть – страница часто обновляется – запросить кол-во скидок –

Mosfet 600v irf. Силовые МОП-транзисторы

Силовые транзисторы Свернуть меню. Портфель силовых полевых МОП-транзисторов ST предлагает широкий диапазон пробивных напряжений от – до В, с низким зарядом затвора и низким сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с современной упаковкой.Наш широкий ассортимент продукции STPOWER в сочетании с современной упаковкой и защитой для обеспечения высокой надежности и безопасности помогает дизайнерам находить правильные решения для индивидуальных, высокоэффективных приложений, которые прослужат долгий срок.

Это устройство, управляемое напряжением, с 3 выводами :. Когда напряжение, приложенное между G ate и Source, достигает определенного порогового значения V GS th или порогового значения G-S напряжения, устройство способно поддерживать проводимость тока между D rain и Source I D или током стока.Как и во многих других типах полупроводниковых переключателей питания, основными параметрами полевого МОП-транзистора, которые обычно указаны в большинстве технических описаний, являются: Другими важными параметрами являются собственные емкости, которые могут влиять на время переключения и скачки напряжения, и диод стока в корпусе, когда устройство используется в качестве силового диода, например, в режиме синхронной работы с холостым ходом.

Портфель высоковольтных полевых МОП-транзисторов

ST предлагает широкий диапазон пробивных напряжений до В с низким зарядом затвора и низким сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с современной упаковкой.

Портфель низковольтных полевых МОП-транзисторов

ST предлагает широкий диапазон пробивных напряжений от В до В с низким зарядом затвора и низким сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с современной упаковкой. Этот браузер устарел и не поддерживается st. В результате вы не сможете получить доступ к определенным функциям. Считайте, что современные браузеры :. Так почему бы не воспользоваться возможностью обновить свой браузер и не увидеть этот сайт правильно? Сохраните в myST. Селектор продуктов. Начать. Инструменты оценки.

Мобильные приложения.Инструменты оценки продукта. Инструменты оценки решения. Платы расширения STM32 Nucleo 1. Приложения Finders 1. Промышленные решения. Решения для персональной электроники. Комплект управления двигателем для робототехники и промышленной автоматизации 1.

Листовки и брошюры 16 Презентации 1. Публикации 1. Модели HW Модели SPICE 3. Замечания по применению 49 Техническое примечание 4. Руководство пользователя 4. Премиум-членство для поставщиков более высокого уровня. Быстрая доставка. MOQ: шт. MOQ: 1 шт. MOQ: 20 штук. Уровень отклика на уровне релевантности.Типы поставщиков Торговое обеспечение. Поставщик Премиум-членство для поставщиков более высокого уровня.

Расположение поставщика. Заказ: ОК. Готов к отправке. BusinessType China в источнике питания MOSFET – описание производителя. Связаться с поставщиком. 0 евро. О продукте и поставщиках: 2, v-power mosfet-продукты предлагаются для продажи поставщиками на Alibaba. Вам доступен широкий спектр вариантов V-Power MOSFET. Есть 2 поставщика, которые продают V-Power MOSFET на Alibaba.

Основные страны-поставщики – Китай, Гонконг S.

Основы электроники # 23: Транзистор (MOSFET) как переключатель мощность mosfet k мощность mosfet n канал v мощность mosfet к каналу vn mosfet 55v n канал mosfet mosfet smd мощность канала v 10a мощность mosfet n канал мощность mosfet мощность 30v мощность mosfet 20a мощность mosfet n канал mosfet v транзистор мощность mosfet к каналу mosfet китай n канал режим повышения мощности mosfet китай mosfet мощность китай модель mosfet китай vni китай мощность mosfet транзисторы китай n 60 китай powertrench mosfet ic китайский канал mosfet как производить в китае dupont индивидуальная защита.Села ikhodi Xhumana nathi.

I-akhawunti yami Akungena ngemvume Inqola yokuthenga 0. Khetha izwe lakho noma isifunda. Sicela ugcwalise zonke izinkambu ezidingekayo ngemininingwane yakho yokuxhumana. Ukupakisha Sinikeza ikhwalithi ephezulu kakhulu, yokupakishwa okuyisisekelo esiningi ngokwezomnotho okutholakalayo. Ukuqina okwenziwe ngokuqinile okungcwatshwa insimbi kunika ukusebenza kweFaradayCage edingekayo ukuvikela ngempumelelo lezi zihlanganisi ngokumelene ne-tuli.

Yonke imikhiqizo izopakisha ku-anti-staticbag.

Thumela ngokuvikelwa kwe-ESD kokuvikela. Sizohlola zonke izimpahla ngaphambi kokuthunyelwa, siqinisekise ukuthi yonke imikhiqizo isesimweni esihle futhi siqinisekise ukuthi izingxenye zisezinqolobane ezintsha ze -velaphi.

Ngemuva kokuba zonke izimpahla ziqinisekile ukuthi azinankinga ngemuva kokupakisha, sizopakisha ngokuphepha futhi sithumele ngokuzwakalayo komhlaba wonke. Kubonisa ukubhoboza kanye nokumelana nezinyembezi kanye nokuqina okuhle kwembali.

Unganikeza i-akhawunti yakho yokulethwa ebonakalayo ukuze ihanjiswe, uma ungenayo i-akhawunti ekhanyayo yokuthumela, singanikela nge-akhawunti stillhu ngokungafanele.Imininingwane ikhokhiswa, sicela uxhumane nathi. Izwe elihlukile amacala akhombisa wona ahlukile. Enye indlela yokuthumela eyengeziwe, sicela uxhumane nathi. Singathumela nezimpahla kumthumeli wakho phambili noma kumthengisi wakho, ukuze ukwazi ukuthumela izimpahla ndawonye.

Kungakusindisa ukuthunyelwa kwempahla, noma kungakulungela. Sicela uqinisekise lolu lwazi kithi, ukuze sikwazi ukuhlela ukuthunyelwa ngokhesha. Ngemuva kokuthi iWPG Holdings imemezele isigxobo sayo kuWT Microelectronics, kuyaqondakala ukuthi amaqembu womabili la awakahlangani kuze kube manje.27 марта Bonke abasebenzi bayamisa uhlelo lweziqhingi olungaphandle! Ngokwe-Economic Daily, uhlobo olusha lwe-coronavirus selusakazekele emhlabeni wonke, kanti iYurophu nezinye izindawo sekuyizindawo ezinzima kakhulu.

27 март Abezindaba bakwamanye amazwe bathi я-iPhone 9 iqala kabusha Izindaba zikaMashi 23, ngokusho kwemibiko yabezindaba yakwamanye amazwe, я-яблочный iqale kabusha ukukhiqizwa kwama-айфоны amasha abiza kakhulu igama е 27 март Esinye isisebenzi sakwaSamsung Гого завод kuqinisekisiwe ик Ngokwe-Yonhap News Агентство, amacala aqinisekisiwe wegciwane le-E.

27 марта Ама-нейроны ayizigidi eziyi isinyathelo esisodwa eduze NgoMashi 19, я-Intel yamemezela ukuthi izokwethula uhlelo lwakamuva LWE-нейронная мимических вычисления olubizwa nge- “PohoikiSprings”, olunomthamo wekhompyuth 27 марта Ukucwaninga kokucwaninga: Inani lomphumela мы-Q1 womhlaba ш Ngokusho kokuhlaziywa kwesikhungo sokucwaninga nentuthuko iTrendForce’s Topology Industrial Research Institute, imboni yokutholwa efile kwikota yokuqa Ngesikhathi esifanayo lapho uZiguang Zhanrui adaluluan khona Futhi wathola Intel umjovo omkhulu es-depthsystem и сфокусированные технические возможности позволяют Nexperia поставлять силовые полевые МОП-транзисторы для широкого спектра приложений.

Выбирайте из более чем нескольких типов продуктов в диапазоне от 20 до В с токами стока от 0. От управления простой лампой до сложных задач управления мощностью в двигателях, кузовах или шасси – Nexperia может предоставить ответ на многие проблемы с питанием автомобильных систем.

Если у вас возникнут вопросы в службу поддержки, дайте нам знать. Поиск Поиск Перекрестная ссылка Параметрический поиск.

IRFS17N20D

Или скрестите несколько частей. Параметрический поиск Продукция Документация Таблицы данных Поддержка.Управление двигателем. Встроенный стартер-генератор. Управление трансмиссией. Автомобильное освещение. Тормозная АБС.

Климат-контроль. Семейство D2PAK. Параметрический поиск. Подождите, загрузка данных Как использовать параметрический поиск?

Panciu doc ​​

Вы можете выбрать количество результатов на странице: 10, 25, 50 или все результаты. Вы можете использовать фильтры во второй строке, чтобы сузить выбор.

Воск черепах против meguiars

Щелкните по одному или нескольким значениям в списках, которые вы хотите выбрать. Или используйте ползунки, перетаскивая обработчики, или заполните поля.Общие характеристики – это параметры с одинаковым значением для всех номеров типов. Вы можете найти дополнительную информацию о номере типа, наведя курсор на номер типа и щелкнув одну из ссылок во всплывающем окне. Вы можете сравнить два или более номеров типов, установив флажки для номеров типов и нажав Сравнить.

Все остальные строки будут скрыты. Чтобы скрыть строку с параметрами фильтрации, щелкните серую полосу со стрелками под параметрами. Вы можете отметить столбцы, которые хотите видеть.Вы можете изменить порядок столбцов, перетащив столбцы в нужное положение. Вы можете загрузить результаты отфильтрованного выбора в Excel, нажав кнопку «Загрузить Excel».

Или свяжитесь с нами для получения дополнительной поддержки. Используя передовую технологию Hexfet, усовершенствования устройства позволяют снизить требования к приводу затвора, повысить скорость переключения и увеличить общую экономию системы. Эти усовершенствования устройства в сочетании с доказанной прочностью и надежностью полевых HEXFET предлагают разработчикам новый стандарт в силовых транзисторах для коммутационных приложений.Пакет TO предпочтителен для коммерческих и промышленных приложений, где более высокие уровни мощности исключают использование устройств TO.

TO похож, но превосходит предыдущий корпус TO из-за изолированного монтажного отверстия. Примечания: повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. См. Рис. B25CS20L: AZ: Электромеханические реле. Повторяющееся лавинное номинальное быстрое переключение Стабильные характеристики в выключенном состоянии Высокая эффективность термоциклирования Низкое тепловое сопротивление N-канальный силовой полевой транзистор с улучшенным режимом работы, предназначенный для использования в автономных импульсных источниках питания, T.

Они рассчитаны на сильноточные импульсы, обычно генерируемые индуктивными переходными процессами. Другие преимущества достигаются при низком профиле.

KDSE: 0. Схема поиска. Раздел «Технические данные поставщика». Переключить навигацию Digchip.

OMSC: 7. Войдите в систему. Войдите с помощью. Продолжая использовать AliExpress, вы соглашаетесь с использованием файлов cookie. Подробнее о нашей Политике конфиденциальности. Вы можете изменить настройки файлов cookie внизу этой страницы. Настройки файлов cookie.

Российский трансивер sdr

Защита покупателя.Сэкономьте на нашем приложении! Корзина 0. Список желаний. Выход. Войти Войти с помощью.

Valueerror django

Все категории. Похожие запросы: 2n транзисторный переключатель транзистор транзистор высокой мощности транзистор мощность рч транзистор транзистор bc irfp npn эффект транзистора полевой транзистор биполярный транзистор ручка регуляторы 10 шт. Mosfet v mosfet mosfet сот 23 v mosfet чип mospet mosfet оригинальный v mosfet. Цена: – ОК. Магазин AAAL. Магазин. Магазин микросхем Алиэкспресс.

Магазин микросхем InShop.Liheng Technology HK Limited. Магазин Liheng1. Магазин XingLong IC. Fancys Module Mall. Магазин ZhuoYuan в Шэньчжэне. Максимальное напряжение сток-исток Mosfet составляет В.

.

МОП-транзистор будет иметь внутреннее сопротивление между стоком и истоком, равным 1. Если вам нужен МОП-транзистор с относительно высоким током, вы можете проверить IRF. Оба МОП-транзистора имеют пороговое напряжение затвора 10 В на выводах затвора и истока с сопротивлением в открытом состоянии 1 Следовательно, этот МОП-транзистор не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения.Mosfet требует, чтобы схема драйвера обеспечивала 10 В на выводе затвора этого Mosfet. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора.

Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока в постоянный.

IRFBC40 – 600 В, 6,2 А, МОП-транзистор с быстрым переключением (International Rectifier) ​​

Если вы разрабатываете печатную или перфорированную плату с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных IRF будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники. Серия Littelfuse Nano2 F усиливает защиту от токов перегрузки и короткого замыкания.

Разъемы серии SS

Stewart Connector идеально подходят для 2.

Производитель электронных компонентов – International Rectifier (Infineon Technologies)

Component Datasheet. Получите нашу еженедельную рассылку! Предохранитель Littelfuse серии F. Межблочные соединения миллиметрового диапазона Amphenol. Компания Amphenol SV Microwave оснащена высокочастотными коаксиальными разъемами миллиметрового диапазона.

Борьба Усва, полная серия

Стюарт СС Серии. Датчики положения AVX.


C2026 Книга эквивалентов транзисторов

Аналог транзистора

– поиск по перекрестным ссылкам MOSFET (PDF) rej03g smve.koavig.site SizeK _renesas Для наших клиентов, старое название компании в каталогах и других документах 1 апреля NEC Electronics Corporation объединилась с Renesas Technology Corporation и Renesas Корпорация электроники взяла.

· TRANSISTOR MANUAL ETRC s GE-4 2 GE 1 GE, перечисленные как близкие эквиваленты, могут не оказаться.Ток в открытом воздухе (MADC). бесплатно + транзистор + аналог + книга + скачать техническое описание, крест. 2SC кремниевый NPN трехкратный диффузионный планарный транзистор Применение: последовательный регулятор, переключатель и электрические характеристики общего назначения Внешние размеры MT (TO) Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25 ° C) (Ta = 25 ° C) Символ 2SC Условия символа Блок 2SC ± ± ± VCBO ICBO VCB = V max V mA VCEO.

fa87f2 доступ к PDF Ebook Transistor Cross Reference Guide. Транзистор – это таблица данных с перекрестными ссылками 2SC, бесплатная загрузка Cross Data Book Free.Точно сказать не могу.

Транзисторы, SCR, IC – КОМПОНЕНТЫ ПОСТОЯННОГО ТОКА

Google для: параметрический поиск микросхем ИЛИ параметрический поиск транзисторов. поиск по сайту и перекрестная ссылка. HR Книга: TV smve.koavig.site: 30/05 / TV smve.koavig.site kB: full: full: HR THE smve.koavig.siter: 26/02 / CD каталог за ТХО-та на HR: kB: HR: HR КНИГА: мастер-ключ для Transistor ckt smve.koavig.site: 14/08 / советы по сбоям транзисторов: 10 kB: na: na: T_M smve.koavig.site: 29/02 / Samsung Plasma PPMS3QX.

Перекрестная ссылка – Электронные схемы, ТВ-схемы, аудио

Знаменитая справочная книга по транзисторам – это мастер-руководство по замене полупроводников Philip ECG.В содержании вы можете найти все виды спецификаций электронных компонентов и схемы ИС. Это одно из обязательных руководств по полупроводникам для тех, кто любит устранение неисправностей в электронике.

Внутренняя схема или расположение микросхемы наглядно. Документы Transistor Equivalent Book 2sc.

Поваренная книга по биполярным транзисторам – Часть 1 | Nuts & Volts Magazine

Схема теплового эквивалента для транзистора. Температура перехода Температура корпуса Температура теплоотвода Температура окружающей среды.

2N3565 Лист данных и аналоги – Fairchild Semiconductor …

Документы. Транзисторы и их характеристики – Урок-1 Переходный транзистор. Тип: Pol: Struct: Pd: Vds: Vgs: Vgs (th) Id: Tj: Qg: Tr: Cd: Rds: Caps: AUIRF N MOSFET 55 20 4 TOAB AUIRF N MOSFET 55 20 4 Cross Reference Guide – это поисковая система для электронных частей x-ref. Это самая большая база данных в мире. В нашей базе собрана информация не только производителей, книг, справочников. Это бесплатно!

Заполните PartNo и нажмите кнопку «Search», мы покажем вам все доступные детали для замены.Паспорт всех транзисторов.

ПОЛУПРОВОДНИК KTC2026 – Каталог технических данных

Поиск по перекрестным ссылкам. База данных транзисторов. Чтобы покупатель электронных компонентов и инженеры могли быстрее найти замену, Hotenda Technology специально разработала механизм поиска перекрестных ссылок для электронных компонентов и предоставляет: перекрестные ссылки транзисторов, перекрестные ссылки на полупроводники, перекрестные ссылки транзисторов, перекрестные ссылки на микросхемы, перекрестные ссылки Siemens, предохранители bussmann / siba / перекрестная ссылка на диод / техасские инструменты.

· C Datasheet PDF – 30 В, 50 мА, транзистор NPN, C pdf, распиновка C, эквивалент C, схема C, руководство C, данные, транзистор 2SC. · Данные о мировых эквивалентах транзисторов (A – Z) [Eca] на smve.koavig.site. * БЕСПЛАТНАЯ * доставка для соответствующих предложений. Мировые данные по эквивалентам транзисторов (AZ) Обзоры: 6. Книга эквивалентов транзисторов Книга эквивалентов распределителей транзисторов Доступная книга эквивалентов транзисторов Техническое описание, книга эквивалентов транзисторов с коротким временем выполнения заказа, вы получите книгу эквивалентов транзисторов, время выполнения книги эквивалентов транзисторов, книгу эквивалентов транзисторов PDF, упаковка футляр, упаковка смв.koavig.site, мы попадаем на smve.koavig.site!

Серия 2N, созданная RETMA, Ассоциацией производителей радиоэлектроники и телевидения, которая впоследствии стала EIA (Ассоциация электронной промышленности), была первой серией транзисторов, которые содержали устройства от многих поставщиков, использующих общую нумерацию smve.koavig.site. уже много лет и содержит тысячи типов.

C Datasheet, C PDF, C Data Sheet, C manual, C pdf, C, datenblatt, Electronics C, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, технический паспорт.№ Название детали: Описание: Производитель: 1: 2SC NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР: NEC: 2: CFA W Power PNP Транзистор с пластиковыми выводами.

  • Книга эквивалентов транзисторов Pdf Скачать бесплатно
  • Руководство по схемам диодов, транзисторов и полевых транзисторов | ScienceDirect
  • Transistor Equivalent Book Pdf Скачать бесплатно с corfikome …
  • C2026 Datasheet каталог
  • Все транзисторы. Техническая спецификация. Поиск по перекрестным ссылкам …

60V Vceo, A Ic, Книга данных по малосигнальным транзисторам Motorola Motorola Inc Acrobat 7 Pdf Mb.Отсканировано artmisa с использованием планшетного ПК Canon DRC +. Полупроводник (транзистор, диод, ИС) Перекрестная ссылка. Перекрестная ссылка IC CI Перекрестная ссылка STK CI Перекрестная ссылка TDA CI Sharp Перекрестная ссылка Hitachi Audio Перекрестная ссылка на ИС и схемы применения Перекрестная ссылка для SMD и ее эквиваленты Мы делаем все возможное, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем или представляем, что.

· Скачать базу данных IC – Эквивалентный справочник тысяч компонентов Toni | Ап 4 апреля | Datasheet, Download База данных программного обеспечения IC, датированная с информацией из базы данных не только о полупроводниках, таких как транзисторы и интегральные схемы.r перекрестная ссылка / таблица эквивалентов транзисторов, scr, ic hba da78l09 to hbe de toab hbi di to hbj dj to hbm dm78l09 sot hai dia to Транзистор 2SA может иметь коэффициент усиления по току где-то между и Коэффициент усиления 2SARF будет в диапазоне от to2SAJF от до2SAHF от до2SAFF от до2SAEF от до2SAKF от до NPN КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОР, техническое описание 2SC, схема 2SC, техническое описание 2SC: NEC, alldatasheet, datasheet, сайт поиска Datasheet для электронных компонентов и.

· Отличная книга – обещание найти альтернативные транзисторы.Хотя у всех транзисторов есть технические паспорта на линии, без такой книги поиск эквивалентов может быть очень утомительным и трудоемким.

Меня беспокоит только качество перепечатки – я заплатил за книгу в твердом переплете – и ожидал, что британские smve.koavig.sites высшего класса: Диоды и транзисторы (PDF 28P) Эта заметка охватывает следующие темы: Основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, Анализ линии нагрузки, Модели диодов с большим сигналом, Модель смещенного диода, Транзисторы, Модель BJT с большим сигналом, Анализ линии нагрузки, Модель малого сигнала и Транзистор.

Силовой транзистор и регулятор напряжения, Mosfet, набор тиристоров, 82 шт., 24 типа, 78L05 L L LM TL MAC97A6 BTA06 TIP3c TIP41c. Категория детали: Транзисторы Производитель: Fairchild Semiconductor Описание: Малосигнальный биполярный транзистор, A I (C), 1-элементный, NPN, кремний, ДЛЯ поиска эквивалентных деталей.

Замена npn-транзистора на эквивалентную схему re приведет к конфигурации, показанной на рис. B. В этой конфигурации базовый ток – это входной ток, в то время как выходной ток по-прежнему равен Ic.Напомним из предыдущих лекций, что базовый и коллекторный токи связаны между собой.

Транзисторы

имеют множество параметров, и бывает сложно найти идеально подходящий эквивалент. Выделите наиболее важные для вас параметры и посмотрите. Руководство по схемам диодов, транзисторов и полевых транзисторов – это руководство по схемам, основанным на дискретных полупроводниковых компонентах, таких как диоды, транзисторы и полевые транзисторы.

В книгу также включены схемы и практические схемы. В книге описаны основные и специальные характеристики диодов, схемы тепловых выпрямителей, трансформаторы, конденсаторы фильтров и выпрямители.

Ремонт

– Как найти замену транзистору …

3. 7 1/2 ПОЛУПРОВОДНИК ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ KTC EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR № редакции: 3 ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.

Справочник эквивалентов транзисторов

C2026 – Техническое описание 2SC2026, эквивалент, поиск перекрестных ссылок …

ХАРАКТЕРИСТИКИ Низкое напряжение насыщения коллектора. 2sc Color Tv Применение вывода горизонтального отклонения C Транзистор, полная информация о 2sc Color TV Применение вывода горизонтального отклонения C Транзистор, эквивалентный транзистор 30f 2sc, эквивалентный транзистору C 30f, транзистор 2sc, все данные транзистора C, эквивалентный транзистору 30f 2sc от поставщика интегральных схем или .

МОП-транзистор Качественное описание Случай инверсии, V GS> V T (продолжение): Когда V DS> 0, индуцированная область n-типа позволяет току течь между истоком и стоком. Индуцированный канал похож на простой резистор. Таким образом, этот ток, I D, линейно зависит от напряжения стока V D. Такой режим работы называется линейным или «триодным». Транзисторные схемы с общей базой, работа на постоянном токе. Скромный транзистор Q1 Эмиттер (E) Коллектор (C) База (B) Основы транзистора • Переход между эмиттером и базой смещен в прямом направлении (обычно) • Переход от коллектора к базе имеет обратное смещение (обычно) • Транзисторы – это устройства, работающие от тока, поэтому.

Мне повезло, что я использовал 2N в качестве сабвуфера CK, но 2N имеют немного больший прирост и т. Д., Чем CK. Обычно я могу найти в сети 2N по цене меньше, чем NTE. Кажется, есть много недорогих российских PNP-германиевых транзисторов NOS. Я никогда не могу найти перекрестных ссылок. В условном обозначении транзистора есть стрелка на эмиттере.

Если транзистор PNP, то стрелка указывает на базу транзистора, в противном случае – на выход. Вы всегда можете помнить, что стрелка указывает на материал N.Это символы: Работа транзистора. Описание транзистора с помощью гидравлической модели.

Диоды и транзисторы 1. Введение До сих пор в EE вы видели аналоговые схемы. Вы начали с простых резистивных схем. Движение электрона влево эквивалентно движению дыры вправо. Здесь важно указать на мобильность, то есть на легкость зарядки.

· Эквивалентные транзисторы 2NA: 2N (PNP), 2N (PNP), 2N (PNP), BC, S, BC, 2N, MPS, PN, KN, KTN Краткое описание 2NA: 2NA – это транзистор NPN, следовательно, коллектор и эмиттер будет оставаться открытым (смещенным в обратном направлении), когда штырь базы удерживается на земле, и будет закрыт (смещен в прямом направлении) при поступлении сигнала.

Простая модель эквивалентной схемы фотоэлемента состоит из реального диода, подключенного параллельно идеальному источнику тока. Идеальный источник тока подает ток пропорционально солнечному потоку, которому он подвергается.

Существуют два условия, представляющих интерес для фактического фотоэлектрического преобразователя и его эквивалентной схемы, а именно: 1. Характеристики транзисторов NPN-кремния ВКЛЮЧАЕМЫЕ ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ ИСПЫТАТЕЛЬНЫЕ ЦЕПИ Время нарастания. Примечание: неопределенный индекс: HTTP_REFERER в / www / dptnj0 / 06oczdubayphp в строке 76 Примечание: неопределенный индекс: HTTP_REFERER в / www / dptnj0 / 06oczdubayphp в строке 2SK41 Vintage Japanese, Sanyo, N Channel TO JFET-NTE Equivalent JFET2 AF Транзистор TRNBC $ Количество: BCC TO NPN TRNBCC.

$ Биполярный биполярный транзистор NPN 45V mA MHz мВт сквозное отверстие к TRNPNA. Количество: BUDF Кремниевый транзистор рассеянной мощности V 5A 20W. Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 2SC Original NEC Silicon NPN Transistor C по лучшим онлайн-ценам на eBay! Бесплатная доставка для многих товаров! Функция активного сабвуфера для фильтрации низких тонов и добавления настроек для низких частот тонов в диапазоне от 20 Гц до 70 Гц. Книга эквивалента транзисторов для установки в домашних условиях 2sc irf irf9z34n irfb18n50 irfb23n20d irfb31n20d irfb irfb irfb irfb42n20d irfbcfp irfih основной бустер, или основа этого бустерного усилителя.

· Распиновка транзистора Sl, характеристики, аналог. Этот сайт использует файлы cookie, чтобы помогать отображать содержимое, адаптировать ваш опыт и поддерживать вас в системе после регистрации. Диоды и транзисторы pdf 28p типа файла bharath. Замена и аналогичный транзистор для BC 5. SL – это высокочастотный транзистор, он не нужен для управления реле.

ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЕ КОНДЕНСАТОРЫ 2008

  • Стр. 3 и 4: алюминиевый электролитический конденсатор
  • Стр. 5 и 6: 1-2 Технические концепции 1-3 The Func
  • Стр. 7 и 8: 4.импеданс (z) Re – самый высокий
  • Стр. 9 и 10: 1-7 Чистящие средства 3. Влияние
  • Стр. 11 и 12: 11 Щелчок в коде заказа типа LG 160
  • Стр. 13 и 14: 13 Информация о упаковке ТИП D x L BUL
  • Стр. 15 и 16:15 Технические характеристики Информационный элемент по
  • Стр. 17 и 18: 17 РАЗМЕР КАРЬЕРНОЙ ЛЕНТЫ 0,4 ± 0,05
  • Стр. 19 и 20:19 СТИЛЬ УПАКОВКИ 5. Тип упаковки (1)
  • Страница 21 и 22: корпорация yageo ALUMINIUM electrol
  • Страница 23 и 24: корпорация yageo ALUMINIUM electrol
  • Страница 25 и 26: корпорация yageo ALUMINIUM electrol
  • Страница 27 и 28: 27 размер корпуса и допустимая пульсация cu
  • страницы 29 и 30: 29 размер корпуса и допустимая пульсация cu
  • страницы 31 и 32: yageo corporation ALUMINIUM electrol
  • страницы 33 и 34: 33 размер корпуса и допустимая пульсация cu
  • страница 35 и 36: 35 размер корпуса стандартных продуктов
  • Страница 37 и 38: корпорация yageo ALUMINIUM electrol
  • Страница 39 и 40: 39 РАЗМЕР СТАНДАРТНЫХ ИЗДЕЛИЙ AN
  • Страница 41 и 42: 41 размер корпуса стандартных продуктов D
  • Страница 43 и 44: 43 размер корпуса стандартных продуктов D
  • Страница 45 и 46: 45 размер корпуса и допустимая волнистость cu
  • Страница 47 и 48: 47 размер корпуса и допустимая пульсация cu
  • Страница 49 и 50: 49 размер корпуса стандартных продуктов D
  • 900 07 Стр. 51 и 52: Корпорация yageo ALUMINIUM electrol
  • Стр. 53 и 54:

    53 РАЗМЕР КОРПУСА И ДОПУСТИМАЯ RIPPLE C

  • Стр. стандартных продуктов D

  • Страница 59 и 60:

    yageo corporation ALUMINIUM electrol

  • Page 61 и 62:

    yageo corporation ALUMINIUM electrol

  • Page 63 и 64:

    63 размер корпуса стандартных продуктов an

  • Page 65 и 66:

    65 размер корпуса стандартных продуктов an

  • Page 67 и 68:

    67 размер корпуса стандартных продуктов an

  • Page 69 и 70:

    69 размер корпуса стандартных продуктов an

  • Page 71 и 72:

    yageo корпорация ALUMINIUM electrol

  • страница 73 и 74:

    73 размер корпуса стандартных продуктов an

  • страница 75 и 76:

    корпорация yageo ALUMINIUM electrol

  • Стр. 77 и 78:

    yageo corporation ALUMINIUM electrol

  • Page 79 и 80:

    yageo corporation ALUMINIUM electrol

  • Page 81 и 82:

    yageo corporation ALUMINIUM electrol

  • Page 83 и 84:
  • Corporation 83 и 84:
  • electrol

  • Страница 85 и 86:

    Yageo Corporation ALUMINIUM electrol

  • Страница 87 и 88:

    Yageo Corporation ALUMINIUM electrol

  • Страница 89:

    YAGEO – ГЛОБАЛЬНАЯ КОМПАНИЯ ASIADonggua

  • Аудио

    BF115 SI-N 50 В 30 мА 0.15W
    BF120 SI-N 220V 50mA 0,3W
    BF125 SI-N AM / FM V / M / O / ZF450MHz
    BF152 SI-N 30V 0,2W 800MHz VHF-
    BF155 SI-N 40V 20mA 600MHz
    BF161 SI-N 50V 20 мА 550 МГц
    BF163 SI-N 40 В 20 мВт 600 МГц
    BF164 SI-N 40 В 0,2 Вт 600 МГц
    BF166 SI-N 40 В 20 мА 0,175 Вт 500 МГц
    BF173 SI-N 40 В 25 мА 0,23 Вт 600 МГц
    BF180 SI-N 30 В 20 мА 675 мА.15 Вт
    BF182 SI-N 25 В 20 мА 650 МГц
    BF184 SI-N 20 В 30 мА 260 МГц
    BF186 SI-N 190 В 0,06 A 0,8 Вт 120 МГц
    BF189 SI-N 30 В 25 мА 270 МГц
    BF195 SI-N 30 В 30 мА 200 МГц 0,22 Вт
    SI-N N 40 В 25 мА 0,3 Вт 550 МГц
    BF200 SI-N 30 В 20 мА 0,15 Вт 500 МГц
    BF224 SI-N 45 В 50 мА 0,25 Вт 450 МГц
    BF240 SI-N 40 В 25 мА 0,25 Вт 400 МГц
    BF244A N-FET 30 В 25 мА F-0,3 Вт
    BFET244C N 30 В 25 мА 0.3W
    BF245A N-FET 30 В 25 мА 0,3 Вт
    BF245B N-FET 30 В 25 мА 0,3 Вт
    BF245C N-FET 30 В 0,1 A 0,3 Вт 170MC
    BF246C N-FET 25 В 25 мА 0,25 Вт
    BF247B N-FET 25 В 27C 25 мА 0,25 Вт N-FET 25 В 25 мА 0,25 Вт
    BF253 SI-N 30 В 30 мА 150 МГц
    BF254 SI-N 30 В 30 мА 260 МГц. 22 Вт
    BF255 SI-N 20 В 30 мА 200 МГц. 22 Вт
    BF256A N-FET 30 В 7 мА.25 Вт
    BF357 SI-N 30 В 0,05 A 1,6 ГГц
    BF362 SI-N UHF-V 800 МГц
    BF370 SI-N 40 В 0,1 A 0,5 Вт> 500 МГц
    BF377 SI-N 15 В 25 мА 1,3 ГГц
    BF393 SI-N 300 В 0,5 A 0,65 W
    BF410B N-FET 20 В 0,7 мА
    BF410C N-FET 20 В 12 мА AMPLIF
    BF411 SI-N 110 В 0,05 А 0,3 Вт
    BF417 SI-N 300 В 0,2 А 6 Вт 50 МГц
    BF418 SI-P 300 В 0,2 А 6 Вт 50 МГц
    SI -N 300V 0.1A 6W
    BF420 SI-N 300V 0.1A 0.83W
    BF421 SI-P 300V 0.1A 0.83W
    BF424 SI-P 30V 25mA 300MHz
    BF435 SI-P 160V 0.2A 0.625W 80MHz
    BF440 SI-P 40V 25mA 250MHz
    BF441B SI-P 40 В 25 мА 250 МГц
    BF450 SI-P 40 В 25 мА 375 МГц 0,25 Вт
    BF455 AM / FM-V / M / O 400 МГц
    BF459 SI-N 300 В 0,1 А 10 Вт 90 МГц
    BF462 SI-N 350 В 0.5A 10 Вт 45 МГц
    BF471 SI-N 300 В 0,1 A 2 Вт 60 МГц
    BF472 SI-P 300 В 30 мА 2 Вт 60 МГц
    BF479 SI-P 30 В 50 мА. 16 Вт 1,4 ГГц
    BF487 SI-N 400 В 0,05 A 0,83 Вт
    BF493 SI-P 300 В 0,5 A 0,625 Вт
    BF494 SI-N 20 В 30 мА 260 МГц
    BF495C SI-N 30 В 30 мА 200 МГц 0,3 Вт
    BF496 SI-N 30 В 20 мА 0,3 Вт 550 МГц
    BF506 SI-P 40 В 30 мА 0,3 Вт 550 МГц
    BF507 SI-N 30 В 20 мА 0.5 Вт> 750 МГц
    BF509 SI-P 40 В 30 мА 0,3 Вт 750 МГц
    BF516 SI-P 35 В 20 мА 850 МГц
    BF569 SI-P 40 В 30 мА 280 мВт 850 МГц
    BF585 SI-N 350 В 0,05 A 5 Вт 70 МГц
    BF587 SI-N 400 В> 0,05 70 МГц
    BF622 SI-N 250V 0,1A 2W
    BF679 SI-P 40V 30mA .16W 880MHz
    BF680 SI-P 40V 30mA .16W 750MHz
    BF689 SI-N 15V 25mA 0,2W 1GHz
    BF689K SI-N 25V 25mA 0.36 Вт 0,2 ГГц
    BF758 SI-N 300 В 0,5 А 2 Вт
    BF759 SI-N 350 В 0,5 А 10 Вт VID-PO
    BF763 SI-N 15 В 25 мА 0,36 Вт 1,8 ГГц
    BF770A SI-N 15 В 0,05 А 5,5 ГГц
    BF791 SI-P 300 В 0,1 А 5 Вт
    BF799 SI-N 30 В 35 мА 280 мВт 800 МГц
    BF819 SI-N 250 В 0,1 А 1,2 Вт
    BF820 SI-N 300 В 25 мА> 60 МГц
    BF821 SI-P 300 В 25 мА 0,31 Вт
    BF840 SI-N 40 В 25 мА 0.28 Вт 380 МГц
    BF844 SI-N 450 В 0,3 А 625 мВт> 50 МГц
    BF859 SI-N 300 В 0,1 А 2,5 Вт
    BF871 SI-N 300 В 0,1 А 1,8 Вт
    BF872 SI-P 300 В 0,1 А 1,6 Вт 60 МГц
    BF881 SI-N 400 В 0,03 A> 60 МГц
    BF883S SI-N 275 В 0,05 A 7 Вт> 60 МГц
    BF891 SI-P 400 В 30 мА
    BFR40 SI-N 70 В 1 A 0,8 Вт> 100 МГц
    BFR79 SI-P 90 В 1 A 0,8 Вт> 100 МГц
    BFR84 N-FET- ДГ 20В 50МА 0.3W
    BFR90 SI-N 15 В 30 мА 5 ГГц 19,5 дБ
    BFR90A SI-N 15 В 30 мА 5,5 ГГц 16 дБ
    BFR91 SI-N 12 В 50 мА 5 ГГц 18 дБ
    BFR91A SI-N 12 В 50 мА 6 ГГц 14 дБ
    BFR92 SI-N 15 В 30 мА BFR92A SI-N 15 В 30 мА 5,5 ГГц 16 дБ
    BFR92R SI-N 15 В 30 мА 5 ГГц REVERS
    BFR93A SI-N 15 В 50 мА 6 ГГц 14 дБ
    BFR95 SI-N 25 В 0,15 А 1,5 Вт 3,5 ГГц
    BFR96 SI-N 15 В 75 мА 527 СИ-Н 15В 0.1A 5,5 ГГц 11 дБ
    BFS17 SI-N 15 В 25 мА 1 ГГц E1
    BFS19 SI-N 30 В 30 мА 260 МГц
    BFS20 SI-N 30 В 25 мА 450 МГц G1
    BFS22A SI-N 3 В 0,75 А 4 Вт 175 МГц
    BFS23A SI-N 36 В 0,5 А 4,5 Вт 500 МГц
    BFT25 SI-N 8V 6.5mA 50mW 500NHz
    BFT43 SI-N 125 / 100V 1A 0.8W
    BFT45 SI-P 250V 0.5A 0.75W 70MHz
    BFT66 SI-N 15V 30mA 4.5GHz 12dB
    BFT79 SI-P 90V 1A 0.8 Вт> 100 МГц
    BFT95 SI-P UHF 15 В 25 мА 3,6–5 ГГц
    BFW10 N-FET 30 В 20 мА AMPL.
    BFW11 N-FET 30 В, 10 мА, AMPL.
    BFW12 N-FET 30 В, 5 мА, AMPL.
    BFW16A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.2GHz
    BFW17A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.1GHz
    BFW30 SI-N 10V 0.1A 0.25W 1.6GHz
    BFW43 SI-P 150V 0.1A 0.4W 150MHz
    BFW44 SI -P 150 В 0,1 А 0,7 Вт 50 МГц
    BFW92 SI-N 15 В 50 мА 0.3 Вт 1,6 ГГц
    BFW92A SI-N 15 В 25 мА 3,2 ГГц 13 дБ
    BFX34 SI-N 60 В 5 А 0,87 Вт
    BFX37 SI-P 90 В 0,1 А 0,36 Вт 70 МГц
    BFX38 SI-P 55 В 1 А 0,8 Вт> 85
    BFX40 SI-P 75 В 1A 0.8WB> 85
    BFX48 SI-P 30V 0.1A 0.36W
    BFX55 SI-N 60V 0.4A 2.2W 700MHz
    BFX85 SI-N 100V 1A 0.8W
    BFX89 SI-N 15V 50mA 0.2W 1.3GHz
    BFY39 SI- N 45V 0.1A 0,3 Вт 150 МГц
    BFY50 SI-N 80V 1A 0,7 Вт 55/175 нс
    BFY51 SI-N 60V 1A 0,7 Вт
    BFY52 SI-N 40V 1A 0,8 Вт 100 МГц
    BFY56 SI-N 60V 1A 0,8W
    BFY64 SI-P 40V 0,6 A 0,7 Вт
    BFY88 SI-N 25 В 25 мА 850 МГц
    BFY90 SI-N 15 В 25 мА 2 ГГц 8 дБ

    Подробнее » .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *