IRFBC40 Электроника в YIC Сток
Все компоненты Eelctronics будут очень безопасно упаковываться благодаря антистатической защите от ESD.Все продукты будут упаковываться в антистатический пакет. Корабль с антистатической защитой от ESD.
За пределами упаковки ESD-упаковки мы будем использовать информацию нашей компании: Part Mumber, Brand и Quantity.
Мы проверим все товары перед отправкой, обеспечим все продукты в хорошем состоянии и обеспечим детали новой оригинальной таблицей соответствия.
После того как все товары обеспечат никакие проблемы после упаковки, мы будем упаковывать безопасно и послать глобальным курьерским.
Глобальная отгрузка DHL / FedEx / TNT / UPS
- Срок поставки
- Время доставки потребуется 2-4 дня для большинства стран мира для DHL / UPS / FEDEX / TNT.
1). Вы можете предложить свою учетную запись экспресс-доставки для отправки, если у вас нет экспресс-счета для отправки, мы можем предложить нашу учетную запись заранее.
2). Используйте наш аккаунт для отгрузки, Стоимость пересылки (ReferenceDHL, в разных странах разные цены).
Стоимость пересылки: | (Ссылка DHL) |
---|---|
Вес (кг) | Цена (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD $ 60,00 |
1.00kg-2.00kg | USD $ 70,00 |
2.00kg-3.00kg | USD $ 80.00 |
Больше деталей: https: // WWW. yic-electronics.com /shipment-way.htm
Пожалуйста, не стесняйтесь связаться с нами. Присылайте любые вопросы или вопросы на наш Email [email protected]
Мы можем сделать все возможное для вас. Большое спасибо за вашу поддержку.
Способ оплаты: Банковский перевод = телеграфный перевод (T / T) или PayPal или Western Union
Банковский перевод (T / T)
Наше название банка HSBC: Гонконгская и Шанхайская банковская корпорация с ограниченной ответственностью (HSBC Гонконг)
Название компании: YIC International Co. , Limited
Банковские сборы и платежные реквизиты, нажмите “Способ оплаты».
Western Union
Полная оплата Western Union.
Шаг 1. Зайдите в местное отделение Western Union или зайдите на их сайт (www.westernunion.com)
Шаг 2. Следуйте их инструкциям. Банковские сборы и платежные реквизиты, нажмите “Способ оплаты».
Счет PayPal:
Счет PayPal: | |
---|---|
Идентификатор учетной записи PayPal: | [email protected] |
Компания: | YIC International Co., Limited |
Если вы хотите оплатить с помощью кредитной карты, выберите «Оплатить с помощью моей учетной записи PayPal», чтобы продолжить с помощью PayPal. (www.paypal.com)
Автогенераторы в импульсных источниках питания
Автогенераторы в импульсных источниках питания
Из анализа известных статей В. Козельского и А.Колганова напрашивается вывод, что тема по разработке хороших мощных импульсных источников питания до сих пор является актуальной. Проблема со сквозным током вроде бы окончательно решена. Недостаток рассмотренных схем заключается только в громоздкости конструкции и несколько устаревшей элементной базе. Но выражаю огромную благодарность за аккуратное описание рассматриваемых в этих статьях технических решений.
Предлагаемая конструкция – просто переход на более современную элементную базу. На рис.1
приведена типовая схема полумостового преобразователя напряжения, с одной первичной обмоткой.Цепи входного выпрямителя определяются выходной мощностью преобразователя. При выходной мощности до 100Вт, в качестве диодного моста можно использовать DB107. При увеличении мощности можно использовать мосты типа BR310 и более мощные. Выпрямитель во вторичной обмотке импульсного трансформатора не представляет интереса и поэтому не показан. Его можно выполнить по любой схеме, в зависимости от параметров и характера нагрузки. Подстроечный резистор предназначен для изменения частоты автогенератора в широких пределах.
В качестве автогенератора используется одна микросхема, типа IR2153 (можно использовать практически любую из целого ряда микросхем: IR2151, IR2152, IR2155, IR21531). Если найдете, то желательно с индексом “D” в конце названия. Типовая схема включения показана на
Автогенератор IR2153 имеет внешнее регулирование частоты, фиксированную паузу на 1,2мкс, миниатюрный DIP-8 и SOIC корпус. Схемно заложенной фиксированной паузы на 1,2мкс достаточно при использовании любых современных мощных MOSFET транзисторов. В автогенераторе встроен стабилитрон на 15,6В, который и стабилизирует напряжение питания, получаемое через мощный токоограничительный резистор от цепи основного питания. Для питания цепи управления верхнего ключа, используется внешний высоковольтный, быстрый диод. В IR2153D этот диод встроен в микросхему.
В качестве выходных ключей необходимо использовать мощные MOSFET транзисторы с встроенным диодом защиты, например IRFBC40. При питании от первичной сети ~220В допустимое напряжение сток-исток выбираемого транзистора должно быть не менее 400В. Величина тока выбираемого MOSFET транзистора определяется необходимой мощностью преобразователя. Фактически выходная мощность определяется только применяемыми выходными транзисторами. Если посмотреть каталог фирмы International Rectifier, то видно, что выбор MOSFET транзисторов огромен, диапазон токов – от единиц до сотен ампер.
Токоограничительные резисторы в цепях затвора предназначены для ограничения выходного тока управления при перезаряде входной емкости MOSFET транзисторов. При выходной мощности более 50Вт, все мощные MOSFET транзисторы, конечно же, необходимо устанавливать на радиаторы.
Рабочая частота автогенератора задается одной RC-цепью. Рекомендуется использовать резистор номиналом не менее 5..10 кОм. Частота генерации определяется формулой 1.
Особое внимание необходимо уделить аккуратной трассировке управляющих и силовых цепей MOSFET транзисторов. Особенности расположения элементов около микросхемы и трассировки земли показаны на рис.3.
При сборке платы необходимо обеспечить электростатическую защиту MOSFET транзисторов. Запаивать в плату их надо в последнюю очередь.
Выбор рабочей частоты и расчет выходного трансформатора достаточно подробно приведен в различной литературе.
Выбранная для примера микросхема IR2153, конечно же не является последним словом техники. Кто хочет в широком диапазоне регулировать время паузы между импульсами, могут поработать с такими автогенераторами, как R2156 или IR21571.
IRFBC40 Електронний дистриб’ютор | IRFBC40 Electro-Films (EFI) / Vishay на Y-IC.
com Всі компоненти Eelctronics будуть упаковані дуже безпечно антистатичним захистом ESD.Всі товари будуть упаковані в антистатичний пакет. Поставляється з антисептичним захистом ESD.
Ми перевіримо весь товар перед відправкою, забезпечимо всі товари в належному стані та забезпечимо деталі новими оригінальними таблицями відповідності.
Після того, як усі товари не забезпечать ніяких проблем після упаковки, ми будемо безпечно упаковувати та відправляти глобальним експресом.
Глобальна доставка DHL / FedEx / TNT / UPS
- Час доставки
- Час доставки потребує 2-4 днів для більшості країн світу для DHL / UPS / FEDEX / TNT.
1). Ви можете запропонувати свій рахунок швидкої доставки для відправлення, якщо у вас немає експрес-рахунку для відправки, ми можемо запропонувати невдалий наш рахунок.
2). Використовуйте наш рахунок для відправлення, вартість доставки (ReferenceDHL, різні країни мають різну ціну.)
Вартість доставки: | (Довідковий DHL) |
---|---|
Вага (кг) | Ціна (дол. США) |
0,00кг-1,00кг | 60,00 доларів США |
1,00кг-2,00кг | 70,00 доларів США |
2,00кг-3,00кг | 80,00 доларів США |
Детальніше: https: // www. y-ic.com /shipment-way.htm
Будь ласка, не соромтеся звертатися до нас. Надішліть будь-які запити чи запитання на електронний лист [email protected]
Ми можемо зробити найкраще для вас. Дуже дякую за вашу підтримку.
Спосіб оплати: Банківський переказ = Телеграфний переказ (T / T) або PayPal або Western Union
Переказ коштів (T / T)
Наша назва банку HSBC: Гонконгська та Шанхайська банківська корпорація з обмеженою відповідальністю (HSBC Hong Kong)
Назва вигідної компанії: YIC International Co.
, LimitedБанківські збори та дані платіжного рахунку, натисніть “Спосіб оплати”.
Вестерн юніон
Повна оплата Western Union.
Крок 1. Перейдіть до місцевого відділення Western Union або перейдіть на його веб-сайт (www.westernunion.com)
Крок 2. Дотримуйтесь їх інструкцій.
Рахунок PayPal:
Рахунок PayPal: | |
---|---|
Ідентифікатор рахунку PayPal: | [email protected] |
Компанія: | YIC International Co., Limited |
Якщо ви хочете здійснити оплату за допомогою кредитної картки, будь ласка, виберіть “Оплатити моїм рахунком PayPal”, щоб продовжити через paypal. (www.paypal.com) Таблицы данных
IRFBC40 | Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы
На главную Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные даташиты IRFBC40 | Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – Single N-Channel 600V 6.IRFB4310ZPBF Таблицы данных | Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – Single N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Информационные листы IRFD9120 | Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночный P-канал 100 В, 1 А (Ta) 1.3 Вт (Ta) сквозное отверстие 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Автор: & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspIRFBC40, Техническое описание IRFBC40, IRFBC40 PDF, Vishay Siliconix
Изображение: | |
Номер детали производителя: | IRFBC40 |
Категория продукта: | Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные |
Наличие: | Нет |
Производитель: | Vishay Siliconix |
Описание: | N-канал 600 В 6. 2A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB |
Лист данных: | N / A |
Упаковка: | К-220-3 |
Минимум: | 1 |
Время выполнения: | 3 (168 часов) |
Количество: | Под заказ |
Отправить запрос предложений: | Запрос |
Упаковка / Ящик: | К-220-3 |
Производитель: | Vishay Siliconix |
Номер базового продукта: | IRFBC40 |
Комплект устройства поставщика: | К-220АБ |
Рассеиваемая мощность (макс. ): | 125 Вт (TC) |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1300 пФ при 25 В |
Напряжение сток-источник (Vdss): | 600 В |
Технологии: | МОП-транзистор (оксид металла) |
Ток – непрерывный сток (Id) при 25 ° C: | 6.2A (Tc) |
Напряжение привода (макс. Показания при минимальном значении включения): | 10 В |
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: | 1.2Ом при 3.7A 10В |
Vgs (th) (макс.) @ Id: | 4 В при 250 мкА |
Vgs (макс.): | ± 20 В |
FET Характеристика: | – |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: | 60 нКл при 10 В |
Деталь | Сравнить | Производители | Категория | Описание | |
ПроизводительНомер детали: IRFBC40 | сравнить: Текущая часть | Производитель: VISHAY | Категория: МОП-транзисторы | Описание: Trans MOSFET N-CH 600V 6. 2A 3Pin (3 + Tab) TO-220AB | |
Производитель № детали: IRFBC40_NL | сравнить: IRFBC40 VS IRFBC40_NL | Производитель: Fairchild | Категория: | Описание: Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A, 3 контакта (3 + вкладка) TO-220AB | |
Производитель № детали: IRFBC40 | сравнить: IRFBC40 VS IRFBC40 | Производитель: Fairchild | Категория: | Описание: Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3Pin TO-220AB |
Описания
Для этой части пока нет релевантной информации.
ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПИСАНИЕ Этот силовой полевой МОП-транзистор разработан с использованием корпоративного процесса MESH OVERLAY ™ на основе консолидированной компоновки полос. Эта технология соответствует и улучшает характеристики по сравнению со стандартными деталями из различных источников. ■ ТИПИЧНОЕ RDS (вкл.) = 1,0 Ом
■ ЧРЕЗВЫЧАЙНО ВЫСОКАЯ СПОСОБНОСТЬ dv / dt
■ ЛАВИНА 100% ИСПЫТАНА
■ ОЧЕНЬ НИЗКАЯ ВНУТРЕННЯЯ МОЩНОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
■ МИНИМИЗАЦИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЗАРЯДКИ
ПРИЛОЖЕНИЯ 9027 ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ (ИИП)
■ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ DC-AC ДЛЯ СВАРКИ
ОБОРУДОВАНИЕ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ БЕСПЕРЕБОЙНЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ И ДВИГАТЕЛЬ
USHTS: | 85412 |
CNHTS: | 85412 |
MXHTS: | 85412999 |
ТАРИК: | 85412 |
ECCN: | EAR99 |
Статус RoHS: | Не соответствует требованиям RoHS |
Уровень чувствительности к влаге (MSL): | 1 (без ограничений) |
Статус REACH: | ДОСТИГАЕМОСТЬ Без изменений |
ECCN: | EAR99 |
HTSUS: | 8541. 29.0095 |
IRFBC40 | Vishay / Siliconix | МОП-транзистор N-Chan 600 В, 6,2 А | Под заказ | НЕТ | |
IRFBC40 | Vishay Siliconix | Силовой полевой транзистор , 6.2A I (D), 600 В, 1,2 Ом, 1 элемент, N-канал, Кремний, Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB, TO-220, 3 контакта | Под заказ | НЕТ | |
IRFBC40 | Vishay Siliconix | N-канал 600 В 6,2 A (Tc) 125 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB | Под заказ | НЕТ |
1. Филиппины
100
2. Китай
98
3. Испания
97
4. Франция
96
5.Южная Корея
94
6. Греция
91
7. Вьетнам
91
8. Израиль
91
9.Хорватия
89
10. Мали
89
11. Италия
89
12. Россия
88
13.Тайвань
88
14. Бразилия
86
15. Гонконг
86
16. Соединенное Королевство
85
17.Мавритания
85
18. Палау
85
19. Малайзия
85
20. Бельгия
85
21.Индия
85
22. Мексика
85
23. Сербия
85
24. Турция
85
25.Германия
84
26. Шри-Ланка
83
27. Канада
83
28. Швейцария
83
29.Тунис
83
30. Польша
82
31. Чешская Республика
82
32. США
79
33.Аргентина
76
34. Сингапур
73
35. Ирландия
72
36. Молдова
71
37. Перу
69
38. Япония
61
39. Австрия
60
40. Нидерланды
36
- Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные, N-канальные, 100 В, 170 мА (Ta) 360 мВт (Ta), поверхностный монтаж SOT-23-3
- Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные, N-канальный, 60 В 57A (Tc) 92 Вт (Tc), поверхностный монтаж D2PAK
- Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные, N-канальные, 200 В, 18 А (Tc) 150 Вт (Tc), поверхностный монтаж D2PAK
- Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные, P-Channel 60V 4A (Ta) 3. 1 Вт (Ta) для поверхностного монтажа 8-SOIC
- Транзисторы – полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы – одиночные, N-канальные 900V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
- Транзисторы – полевые, полевые МОП-транзисторы – одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 30V 98A LFPAK
- Атрибуты продукта
- Описания
- Характеристики
- CAD Модели
IRFBC40 Популярность по регионам
Вас также может заинтересовать Связанный параметрСтатьи по теме
IRF520 Power MOSFET: распиновка, техническое описание, спецификации [FAQ]
Миа 21 декабря 2020 447
IRF520 – это силовой МОП-транзистор 9.Ток коллектора 2А и напряжение пробоя 100В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и поэтому обычно используется с микроконтроллерами …
Читать дальше »
IRF540N MOSFET: распиновка, эквивалент, схема [FAQ]
Игги 23 декабря 2020 1153
IRF540N – это N-канальный МОП-транзистор. В этом блоге рассказывается о распиновке IRF540N MOSFET, таблице данных, эквиваленте, функциях и другой информации о том, как использовать и где использовать это устройство.Топ-5 проектов в области электроники …
Читать дальше »
IRF3205 MOSFET: распиновка, эквивалент, техническое описание [видео]
Миа 26 янв.2021 г. 727
IRF3205 – это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор, который может коммутировать токи до 110 А и 55 В. Его легко найти в упаковке TO-220AB. Этот чип в основном используется в потребительских устройствах с полным мостом…
Читать дальше »
IRFZ44N MOSFET: техническое описание, применение, аналог [видео]
Биллили 21 ноя 2020 1041
Описание IRFZ44N – это N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы, в этом блоге описаны распиновка, таблица данных, характеристики и другая информация о том, как использовать и где использовать это устройство. Каталог D …
Читать дальше »
N-канал 600 В 6.2A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Упаковка / Ящик: | К-220-3 |
Производитель: | Vishay Siliconix |
Номер базового продукта: | IRFBC40 |
Комплект устройства поставщика: | К-220АБ |
Рассеиваемая мощность (макс.): | 125 Вт (TC) |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1300 пФ при 25 В |
Напряжение сток-источник (Vdss): | 600 В |
Технологии: | МОП-транзистор (оксид металла) |
Ток – непрерывный сток (Id) при 25 ° C: | 6.2A (Tc) |
Напряжение привода (макс. Показания при минимальном значении включения): | 10 В |
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: | 1.2Ом при 3.7A 10В |
Vgs (th) (макс.) @ Id: | 4 В при 250 мкА |
Vgs (макс.): | ± 20 В |
FET Характеристика: | – |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: | 60 нКл при 10 В |
По этой части пока нет релевантной информации.
ХАРАКТЕРИСТИКИ ОПИСАНИЕ Этот силовой полевой МОП-транзистор разработан с использованием корпоративного процесса MESH OVERLAY ™ на основе консолидированной компоновки полос. Эта технология соответствует и улучшает характеристики по сравнению со стандартными деталями из различных источников. ■ ТИПИЧНОЕ RDS (вкл.) = 1,0 Ом
■ ЧРЕЗВЫЧАЙНО ВЫСОКАЯ СПОСОБНОСТЬ dv / dt
■ ЛАВИНА 100% ИСПЫТАНА
■ ОЧЕНЬ НИЗКАЯ ВНУТРЕННЯЯ МОЩНОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
■ МИНИМИЗАЦИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЗАРЯДКИ
ПРИЛОЖЕНИЯ 9027 ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ (ИИП)
■ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ DC-AC ДЛЯ СВАРКИ
ОБОРУДОВАНИЕ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ БЕСПЕРЕБОЙНЫХ ДВИГАТЕЛЕЙ
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ И ДВИГАТЕЛЬ
По этой части пока нет релевантной информации.
Запрошенная страница не может быть найдена!
Все категорииБатареиКонденсаторы Неполяризованные полиэфирные пленочные конденсаторы Керамические дисковые конденсаторы Керамические многослойные конденсаторы Высоковольтные керамические конденсаторы Металлизированные полиэфирные коробчатые конденсаторы Майларовый конденсатор Поляризованный танталовый конденсатор 4V 6.3V 10V 16V 20V 25V 35V 40V 50V 63V 100V 160V 200-250V 300-350V 400-450V Конденсаторы SMD Конденсаторы SMD 0603 Конденсаторы SMD 0805 Конденсаторы SMD 1206 Конденсаторы SMD 1210 Конденсаторы SMD Корпус A Конденсаторы SMD Корпус B Конденсаторы SMD Корпус C Конденсаторы SMD Корпус Подстроечные конденсаторы Конденсаторы VAC Box Автомобильные аксессуары Заклепки Зажимы Автомобильные зажимы Разъемы Аудио Моно и стерео разъемы Банановые разъемы Барьерная клеммная колодка Разъемы BLOCK Разъемы Cannon Коаксиальные разъемы Коаксиальные разъемы (SMA-SMB-SMC) Обжимные клеммные разъемы Разъемы Crocodile Разъемы D-SUB Разъемы TJC Разъемы Dup Разъемы Разъемы IDC 2.Разъемы IDC с шагом 0 мм Шаг 2,54 мм с нейлоновой изоляцией Концевые клеммы шнура USB-разъемы Разъемы для подключения к плате Разъемы между проводами Разъемы между проводами Разъемы SM Охлаждающие вентиляторы Кристаллические генераторыДиоды Мостовой ректификатор Стандартный диодный стабилитрон (0,5 Вт) Стабилитрон (1 Вт) Стабилитрон (5 Вт) ) SMD-диод Стандартный SMD-диод стабилитрон SMD-диодElectronics Project BoxesПредохранители Автоматические предохранители Керамические предохранители Миниатюрные предохранители Предохранители SMD ТермопредохранителиГаджеты и подарки ВидеокамерыТеплоусадочные муфтыHeat SinkIC Base and Headers Arduino Stackable Headers Flat Pin Round ICs Shorting Jumper Block ZIF Sockets Логические устройства ИС логики КМОП ИС логики TTL ИС оптопары, таймера Другие ИС Индукторы Индукторы с осевыми выводами Индукторы SMD Переменные индукторы Наборы общего назначения в разобранном видеРучкиЖКД-СВЕТИ Огни высокой мощности Неоновые светодиодные индикаторы Светодиоды SMD 7-сегментный дисплей Гистограмма Круглый матричный дисплей 3 мм.8-миллиметровый светодиодный индикатор соломенной шляпы 5-миллиметровый круглый светодиод 8-миллиметровый круглый светодиод 8-миллиметровый светодиодный индикатор соломенной шляпы 10-миллиметровый круглый светодиод 12-миллиметровый круглый светодиодМагниты Микроконтроллеры ATMEL MicroChipMotors Пропеллеры Печатные платы Гайки и болты Прокладки и стойки для печатных плат Проволочная обмотка 3296 3362 3386 WH06-1 WH06-2 Wh212A-2 Ручка Big Wh248-1A Wh248-1B Блок питания Адаптер переменного тока в постоянный Преобразователи переменного тока Адаптер для ноутбука Зарядное устройство Адаптер для принтера Реле твердотельные реле Резисторы SMD 0603 1% Резисторы SMD 0603 5% Резисторы SMD 0805 1% резисторы SMD 0805 5% резисторы SMD 1206 5% резисторы SMD 2512 5% 1/8 Вт (+ -0.1%) 1/8 Вт (+ – 1%) 1/8 Вт (+ – 5%). 25 Вт (+ -1%). 25 Вт (+ -5%) 1/2 Вт (+ – 5%) 1 Вт (+ – 5%) 2 Вт (+ – 5%) 5 Вт (+ – 5%) 10 Вт (+ – 5%) Сеть резисторов DIP Сеть резисторов SIP Резонаторы Датчики Датчики тока Датчики эффекта Холла Датчики влажности ИК-датчики Датчики движения LDR Датчики герконового переключателя Датчики щелевого датчика Температурные датчики Ультразвуковые Датчики Датчик расхода и уровня воды Интеллектуальные платы Модули ускорения Arduino и совместимые платы Модули камер Макетные платы и программаторы Модули датчиков газа PIR Модули датчиков давления Пульты реле Модули RF Модули RFID Модули регулятора напряжения Модули регулятора напряжения Вольтметр Динамики и зуммеры Переключатели DIP-переключатели Переключатель с фиксацией нажатием Push-to-Make Переключатель Кулисные переключатели Поворотный переключатель Селекторный переключатель Ползунковый переключатель Горизонтальный слайд SMD Ползунок Вертикальный слайд Тактовый переключатель 2 контакта 2 контакта (SMD) 4 контакта 4 контакта (SMD) ТумблерыТермисторы Термисторы NTC Термисторы PTC Инструменты Обжимные инструменты Сверла Клей Пистолеты и палочки Лупы Мультиметр Прочие необходимые инструменты Пайка лента и клей Транзисторы МОП-транзисторы NPN PNP SCR SMD-транзисторы Тиристоры TRIACS Варисторы Регуляторы напряжения Отрицательные положительные провода и кабели Стыковые соединители Кабельные наконечники и гильзы Кабельные стяжки Концевые соединители для проводов Соединители для кабелей Кабельные перемычки Провода для ноутбуков Сальники Ленточные кабели Винтовые соединители для проводов Спиральные обмоточные ленты Втулка для снятия натяжения
|
Mosfet 600v irf. Силовые МОП-транзисторы
Силовые транзисторы Свернуть меню. Портфель силовых полевых МОП-транзисторов ST предлагает широкий диапазон пробивных напряжений от – до В, с низким зарядом затвора и низким сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с современной упаковкой.Наш широкий ассортимент продукции STPOWER в сочетании с современной упаковкой и защитой для обеспечения высокой надежности и безопасности помогает дизайнерам находить правильные решения для индивидуальных, высокоэффективных приложений, которые прослужат долгий срок.
Это устройство, управляемое напряжением, с 3 выводами :. Когда напряжение, приложенное между G ate и Source, достигает определенного порогового значения V GS th или порогового значения G-S напряжения, устройство способно поддерживать проводимость тока между D rain и Source I D или током стока.Как и во многих других типах полупроводниковых переключателей питания, основными параметрами полевого МОП-транзистора, которые обычно указаны в большинстве технических описаний, являются: Другими важными параметрами являются собственные емкости, которые могут влиять на время переключения и скачки напряжения, и диод стока в корпусе, когда устройство используется в качестве силового диода, например, в режиме синхронной работы с холостым ходом.
Портфель высоковольтных полевых МОП-транзисторовST предлагает широкий диапазон пробивных напряжений до В с низким зарядом затвора и низким сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с современной упаковкой.
Портфель низковольтных полевых МОП-транзисторовST предлагает широкий диапазон пробивных напряжений от В до В с низким зарядом затвора и низким сопротивлением в открытом состоянии в сочетании с современной упаковкой. Этот браузер устарел и не поддерживается st. В результате вы не сможете получить доступ к определенным функциям. Считайте, что современные браузеры :. Так почему бы не воспользоваться возможностью обновить свой браузер и не увидеть этот сайт правильно? Сохраните в myST. Селектор продуктов. Начать. Инструменты оценки.
Мобильные приложения.Инструменты оценки продукта. Инструменты оценки решения. Платы расширения STM32 Nucleo 1. Приложения Finders 1. Промышленные решения. Решения для персональной электроники. Комплект управления двигателем для робототехники и промышленной автоматизации 1.
Листовки и брошюры 16 Презентации 1. Публикации 1. Модели HW Модели SPICE 3. Замечания по применению 49 Техническое примечание 4. Руководство пользователя 4. Премиум-членство для поставщиков более высокого уровня. Быстрая доставка. MOQ: шт. MOQ: 1 шт. MOQ: 20 штук. Уровень отклика на уровне релевантности.Типы поставщиков Торговое обеспечение. Поставщик Премиум-членство для поставщиков более высокого уровня.
Расположение поставщика. Заказ: ОК. Готов к отправке. BusinessType China в источнике питания MOSFET – описание производителя. Связаться с поставщиком. 0 евро. О продукте и поставщиках: 2, v-power mosfet-продукты предлагаются для продажи поставщиками на Alibaba. Вам доступен широкий спектр вариантов V-Power MOSFET. Есть 2 поставщика, которые продают V-Power MOSFET на Alibaba.
Основные страны-поставщики – Китай, Гонконг S.
Основы электроники # 23: Транзистор (MOSFET) как переключатель мощность mosfet k мощность mosfet n канал v мощность mosfet к каналу vn mosfet 55v n канал mosfet mosfet smd мощность канала v 10a мощность mosfet n канал мощность mosfet мощность 30v мощность mosfet 20a мощность mosfet n канал mosfet v транзистор мощность mosfet к каналу mosfet китай n канал режим повышения мощности mosfet китай mosfet мощность китай модель mosfet китай vni китай мощность mosfet транзисторы китай n 60 китай powertrench mosfet ic китайский канал mosfet как производить в китае dupont индивидуальная защита.Села ikhodi Xhumana nathi.I-akhawunti yami Akungena ngemvume Inqola yokuthenga 0. Khetha izwe lakho noma isifunda. Sicela ugcwalise zonke izinkambu ezidingekayo ngemininingwane yakho yokuxhumana. Ukupakisha Sinikeza ikhwalithi ephezulu kakhulu, yokupakishwa okuyisisekelo esiningi ngokwezomnotho okutholakalayo. Ukuqina okwenziwe ngokuqinile okungcwatshwa insimbi kunika ukusebenza kweFaradayCage edingekayo ukuvikela ngempumelelo lezi zihlanganisi ngokumelene ne-tuli.
Yonke imikhiqizo izopakisha ku-anti-staticbag.
Thumela ngokuvikelwa kwe-ESD kokuvikela. Sizohlola zonke izimpahla ngaphambi kokuthunyelwa, siqinisekise ukuthi yonke imikhiqizo isesimweni esihle futhi siqinisekise ukuthi izingxenye zisezinqolobane ezintsha ze -velaphi.
Ngemuva kokuba zonke izimpahla ziqinisekile ukuthi azinankinga ngemuva kokupakisha, sizopakisha ngokuphepha futhi sithumele ngokuzwakalayo komhlaba wonke. Kubonisa ukubhoboza kanye nokumelana nezinyembezi kanye nokuqina okuhle kwembali.
Unganikeza i-akhawunti yakho yokulethwa ebonakalayo ukuze ihanjiswe, uma ungenayo i-akhawunti ekhanyayo yokuthumela, singanikela nge-akhawunti stillhu ngokungafanele.Imininingwane ikhokhiswa, sicela uxhumane nathi. Izwe elihlukile amacala akhombisa wona ahlukile. Enye indlela yokuthumela eyengeziwe, sicela uxhumane nathi. Singathumela nezimpahla kumthumeli wakho phambili noma kumthengisi wakho, ukuze ukwazi ukuthumela izimpahla ndawonye.
Kungakusindisa ukuthunyelwa kwempahla, noma kungakulungela. Sicela uqinisekise lolu lwazi kithi, ukuze sikwazi ukuhlela ukuthunyelwa ngokhesha. Ngemuva kokuthi iWPG Holdings imemezele isigxobo sayo kuWT Microelectronics, kuyaqondakala ukuthi amaqembu womabili la awakahlangani kuze kube manje.27 марта Bonke abasebenzi bayamisa uhlelo lweziqhingi olungaphandle! Ngokwe-Economic Daily, uhlobo olusha lwe-coronavirus selusakazekele emhlabeni wonke, kanti iYurophu nezinye izindawo sekuyizindawo ezinzima kakhulu.
27 март Abezindaba bakwamanye amazwe bathi я-iPhone 9 iqala kabusha Izindaba zikaMashi 23, ngokusho kwemibiko yabezindaba yakwamanye amazwe, я-яблочный iqale kabusha ukukhiqizwa kwama-айфоны amasha abiza kakhulu igama е 27 март Esinye isisebenzi sakwaSamsung Гого завод kuqinisekisiwe ик Ngokwe-Yonhap News Агентство, amacala aqinisekisiwe wegciwane le-E.
27 марта Ама-нейроны ayizigidi eziyi isinyathelo esisodwa eduze NgoMashi 19, я-Intel yamemezela ukuthi izokwethula uhlelo lwakamuva LWE-нейронная мимических вычисления olubizwa nge- “PohoikiSprings”, olunomthamo wekhompyuth 27 марта Ukucwaninga kokucwaninga: Inani lomphumela мы-Q1 womhlaba ш Ngokusho kokuhlaziywa kwesikhungo sokucwaninga nentuthuko iTrendForce’s Topology Industrial Research Institute, imboni yokutholwa efile kwikota yokuqa Ngesikhathi esifanayo lapho uZiguang Zhanrui adaluluan khona Futhi wathola Intel umjovo omkhulu es-depthsystem и сфокусированные технические возможности позволяют Nexperia поставлять силовые полевые МОП-транзисторы для широкого спектра приложений.
Выбирайте из более чем нескольких типов продуктов в диапазоне от 20 до В с токами стока от 0. От управления простой лампой до сложных задач управления мощностью в двигателях, кузовах или шасси – Nexperia может предоставить ответ на многие проблемы с питанием автомобильных систем.
Если у вас возникнут вопросы в службу поддержки, дайте нам знать. Поиск Поиск Перекрестная ссылка Параметрический поиск.
IRFS17N20D
Или скрестите несколько частей. Параметрический поиск Продукция Документация Таблицы данных Поддержка.Управление двигателем. Встроенный стартер-генератор. Управление трансмиссией. Автомобильное освещение. Тормозная АБС.
Климат-контроль. Семейство D2PAK. Параметрический поиск. Подождите, загрузка данных Как использовать параметрический поиск?
Panciu doc Вы можете выбрать количество результатов на странице: 10, 25, 50 или все результаты. Вы можете использовать фильтры во второй строке, чтобы сузить выбор.
Воск черепах против meguiarsЩелкните по одному или нескольким значениям в списках, которые вы хотите выбрать. Или используйте ползунки, перетаскивая обработчики, или заполните поля.Общие характеристики – это параметры с одинаковым значением для всех номеров типов. Вы можете найти дополнительную информацию о номере типа, наведя курсор на номер типа и щелкнув одну из ссылок во всплывающем окне. Вы можете сравнить два или более номеров типов, установив флажки для номеров типов и нажав Сравнить.
Все остальные строки будут скрыты. Чтобы скрыть строку с параметрами фильтрации, щелкните серую полосу со стрелками под параметрами. Вы можете отметить столбцы, которые хотите видеть.Вы можете изменить порядок столбцов, перетащив столбцы в нужное положение. Вы можете загрузить результаты отфильтрованного выбора в Excel, нажав кнопку «Загрузить Excel».
Или свяжитесь с нами для получения дополнительной поддержки. Используя передовую технологию Hexfet, усовершенствования устройства позволяют снизить требования к приводу затвора, повысить скорость переключения и увеличить общую экономию системы. Эти усовершенствования устройства в сочетании с доказанной прочностью и надежностью полевых HEXFET предлагают разработчикам новый стандарт в силовых транзисторах для коммутационных приложений.Пакет TO предпочтителен для коммерческих и промышленных приложений, где более высокие уровни мощности исключают использование устройств TO.
TO похож, но превосходит предыдущий корпус TO из-за изолированного монтажного отверстия. Примечания: повторяющаяся оценка; ширина импульса ограничена макс. См. Рис. B25CS20L: AZ: Электромеханические реле. Повторяющееся лавинное номинальное быстрое переключение Стабильные характеристики в выключенном состоянии Высокая эффективность термоциклирования Низкое тепловое сопротивление N-канальный силовой полевой транзистор с улучшенным режимом работы, предназначенный для использования в автономных импульсных источниках питания, T.
Они рассчитаны на сильноточные импульсы, обычно генерируемые индуктивными переходными процессами. Другие преимущества достигаются при низком профиле.
KDSE: 0. Схема поиска. Раздел «Технические данные поставщика». Переключить навигацию Digchip.
OMSC: 7. Войдите в систему. Войдите с помощью. Продолжая использовать AliExpress, вы соглашаетесь с использованием файлов cookie. Подробнее о нашей Политике конфиденциальности. Вы можете изменить настройки файлов cookie внизу этой страницы. Настройки файлов cookie.
Российский трансивер sdrЗащита покупателя.Сэкономьте на нашем приложении! Корзина 0. Список желаний. Выход. Войти Войти с помощью.
Valueerror djangoВсе категории. Похожие запросы: 2n транзисторный переключатель транзистор транзистор высокой мощности транзистор мощность рч транзистор транзистор bc irfp npn эффект транзистора полевой транзистор биполярный транзистор ручка регуляторы 10 шт. Mosfet v mosfet mosfet сот 23 v mosfet чип mospet mosfet оригинальный v mosfet. Цена: – ОК. Магазин AAAL. Магазин. Магазин микросхем Алиэкспресс.
Магазин микросхем InShop.Liheng Technology HK Limited. Магазин Liheng1. Магазин XingLong IC. Fancys Module Mall. Магазин ZhuoYuan в Шэньчжэне. Максимальное напряжение сток-исток Mosfet составляет В.
.МОП-транзистор будет иметь внутреннее сопротивление между стоком и истоком, равным 1. Если вам нужен МОП-транзистор с относительно высоким током, вы можете проверить IRF. Оба МОП-транзистора имеют пороговое напряжение затвора 10 В на выводах затвора и истока с сопротивлением в открытом состоянии 1 Следовательно, этот МОП-транзистор не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения.Mosfet требует, чтобы схема драйвера обеспечивала 10 В на выводе затвора этого Mosfet. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора.
Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока в постоянный.
IRFBC40 – 600 В, 6,2 А, МОП-транзистор с быстрым переключением (International Rectifier)
Если вы разрабатываете печатную или перфорированную плату с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных IRF будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники. Серия Littelfuse Nano2 F усиливает защиту от токов перегрузки и короткого замыкания.
Разъемы серии SSStewart Connector идеально подходят для 2.
Производитель электронных компонентов – International Rectifier (Infineon Technologies)
Component Datasheet. Получите нашу еженедельную рассылку! Предохранитель Littelfuse серии F. Межблочные соединения миллиметрового диапазона Amphenol. Компания Amphenol SV Microwave оснащена высокочастотными коаксиальными разъемами миллиметрового диапазона.
Борьба Усва, полная серияСтюарт СС Серии. Датчики положения AVX.
C2026 Книга эквивалентов транзисторов
Аналог транзистора– поиск по перекрестным ссылкам MOSFET (PDF) rej03g smve.koavig.site SizeK _renesas Для наших клиентов, старое название компании в каталогах и других документах 1 апреля NEC Electronics Corporation объединилась с Renesas Technology Corporation и Renesas Корпорация электроники взяла.
· TRANSISTOR MANUAL ETRC s GE-4 2 GE 1 GE, перечисленные как близкие эквиваленты, могут не оказаться.Ток в открытом воздухе (MADC). бесплатно + транзистор + аналог + книга + скачать техническое описание, крест. 2SC кремниевый NPN трехкратный диффузионный планарный транзистор Применение: последовательный регулятор, переключатель и электрические характеристики общего назначения Внешние размеры MT (TO) Абсолютные максимальные номинальные значения (Ta = 25 ° C) (Ta = 25 ° C) Символ 2SC Условия символа Блок 2SC ± ± ± VCBO ICBO VCB = V max V mA VCEO.
fa87f2 доступ к PDF Ebook Transistor Cross Reference Guide. Транзистор – это таблица данных с перекрестными ссылками 2SC, бесплатная загрузка Cross Data Book Free.Точно сказать не могу.
Транзисторы, SCR, IC – КОМПОНЕНТЫ ПОСТОЯННОГО ТОКА
Google для: параметрический поиск микросхем ИЛИ параметрический поиск транзисторов. поиск по сайту и перекрестная ссылка. HR Книга: TV smve.koavig.site: 30/05 / TV smve.koavig.site kB: full: full: HR THE smve.koavig.siter: 26/02 / CD каталог за ТХО-та на HR: kB: HR: HR КНИГА: мастер-ключ для Transistor ckt smve.koavig.site: 14/08 / советы по сбоям транзисторов: 10 kB: na: na: T_M smve.koavig.site: 29/02 / Samsung Plasma PPMS3QX.
Перекрестная ссылка – Электронные схемы, ТВ-схемы, аудио
Знаменитая справочная книга по транзисторам – это мастер-руководство по замене полупроводников Philip ECG.В содержании вы можете найти все виды спецификаций электронных компонентов и схемы ИС. Это одно из обязательных руководств по полупроводникам для тех, кто любит устранение неисправностей в электронике.
Внутренняя схема или расположение микросхемы наглядно. Документы Transistor Equivalent Book 2sc.
Поваренная книга по биполярным транзисторам – Часть 1 | Nuts & Volts Magazine
Схема теплового эквивалента для транзистора. Температура перехода Температура корпуса Температура теплоотвода Температура окружающей среды.
2N3565 Лист данных и аналоги – Fairchild Semiconductor …
Документы. Транзисторы и их характеристики – Урок-1 Переходный транзистор. Тип: Pol: Struct: Pd: Vds: Vgs: Vgs (th) Id: Tj: Qg: Tr: Cd: Rds: Caps: AUIRF N MOSFET 55 20 4 TOAB AUIRF N MOSFET 55 20 4 Cross Reference Guide – это поисковая система для электронных частей x-ref. Это самая большая база данных в мире. В нашей базе собрана информация не только производителей, книг, справочников. Это бесплатно!
Заполните PartNo и нажмите кнопку «Search», мы покажем вам все доступные детали для замены.Паспорт всех транзисторов.
ПОЛУПРОВОДНИК KTC2026 – Каталог технических данных
Поиск по перекрестным ссылкам. База данных транзисторов. Чтобы покупатель электронных компонентов и инженеры могли быстрее найти замену, Hotenda Technology специально разработала механизм поиска перекрестных ссылок для электронных компонентов и предоставляет: перекрестные ссылки транзисторов, перекрестные ссылки на полупроводники, перекрестные ссылки транзисторов, перекрестные ссылки на микросхемы, перекрестные ссылки Siemens, предохранители bussmann / siba / перекрестная ссылка на диод / техасские инструменты.
· C Datasheet PDF – 30 В, 50 мА, транзистор NPN, C pdf, распиновка C, эквивалент C, схема C, руководство C, данные, транзистор 2SC. · Данные о мировых эквивалентах транзисторов (A – Z) [Eca] на smve.koavig.site. * БЕСПЛАТНАЯ * доставка для соответствующих предложений. Мировые данные по эквивалентам транзисторов (AZ) Обзоры: 6. Книга эквивалентов транзисторов Книга эквивалентов распределителей транзисторов Доступная книга эквивалентов транзисторов Техническое описание, книга эквивалентов транзисторов с коротким временем выполнения заказа, вы получите книгу эквивалентов транзисторов, время выполнения книги эквивалентов транзисторов, книгу эквивалентов транзисторов PDF, упаковка футляр, упаковка смв.koavig.site, мы попадаем на smve.koavig.site!
Серия 2N, созданная RETMA, Ассоциацией производителей радиоэлектроники и телевидения, которая впоследствии стала EIA (Ассоциация электронной промышленности), была первой серией транзисторов, которые содержали устройства от многих поставщиков, использующих общую нумерацию smve.koavig.site. уже много лет и содержит тысячи типов.
C Datasheet, C PDF, C Data Sheet, C manual, C pdf, C, datenblatt, Electronics C, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, технический паспорт.№ Название детали: Описание: Производитель: 1: 2SC NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР: NEC: 2: CFA W Power PNP Транзистор с пластиковыми выводами.
- Книга эквивалентов транзисторов Pdf Скачать бесплатно
- Руководство по схемам диодов, транзисторов и полевых транзисторов | ScienceDirect
- Transistor Equivalent Book Pdf Скачать бесплатно с corfikome …
- C2026 Datasheet каталог
- Все транзисторы. Техническая спецификация. Поиск по перекрестным ссылкам …
60V Vceo, A Ic, Книга данных по малосигнальным транзисторам Motorola Motorola Inc Acrobat 7 Pdf Mb.Отсканировано artmisa с использованием планшетного ПК Canon DRC +. Полупроводник (транзистор, диод, ИС) Перекрестная ссылка. Перекрестная ссылка IC CI Перекрестная ссылка STK CI Перекрестная ссылка TDA CI Sharp Перекрестная ссылка Hitachi Audio Перекрестная ссылка на ИС и схемы применения Перекрестная ссылка для SMD и ее эквиваленты Мы делаем все возможное, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем или представляем, что.
· Скачать базу данных IC – Эквивалентный справочник тысяч компонентов Toni | Ап 4 апреля | Datasheet, Download База данных программного обеспечения IC, датированная с информацией из базы данных не только о полупроводниках, таких как транзисторы и интегральные схемы.r перекрестная ссылка / таблица эквивалентов транзисторов, scr, ic hba da78l09 to hbe de toab hbi di to hbj dj to hbm dm78l09 sot hai dia to Транзистор 2SA может иметь коэффициент усиления по току где-то между и Коэффициент усиления 2SARF будет в диапазоне от to2SAJF от до2SAHF от до2SAFF от до2SAEF от до2SAKF от до NPN КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОР, техническое описание 2SC, схема 2SC, техническое описание 2SC: NEC, alldatasheet, datasheet, сайт поиска Datasheet для электронных компонентов и.
· Отличная книга – обещание найти альтернативные транзисторы.Хотя у всех транзисторов есть технические паспорта на линии, без такой книги поиск эквивалентов может быть очень утомительным и трудоемким.
Меня беспокоит только качество перепечатки – я заплатил за книгу в твердом переплете – и ожидал, что британские smve.koavig.sites высшего класса: Диоды и транзисторы (PDF 28P) Эта заметка охватывает следующие темы: Основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, Анализ линии нагрузки, Модели диодов с большим сигналом, Модель смещенного диода, Транзисторы, Модель BJT с большим сигналом, Анализ линии нагрузки, Модель малого сигнала и Транзистор.
Силовой транзистор и регулятор напряжения, Mosfet, набор тиристоров, 82 шт., 24 типа, 78L05 L L LM TL MAC97A6 BTA06 TIP3c TIP41c. Категория детали: Транзисторы Производитель: Fairchild Semiconductor Описание: Малосигнальный биполярный транзистор, A I (C), 1-элементный, NPN, кремний, ДЛЯ поиска эквивалентных деталей.
Замена npn-транзистора на эквивалентную схему re приведет к конфигурации, показанной на рис. B. В этой конфигурации базовый ток – это входной ток, в то время как выходной ток по-прежнему равен Ic.Напомним из предыдущих лекций, что базовый и коллекторный токи связаны между собой.
Транзисторыимеют множество параметров, и бывает сложно найти идеально подходящий эквивалент. Выделите наиболее важные для вас параметры и посмотрите. Руководство по схемам диодов, транзисторов и полевых транзисторов – это руководство по схемам, основанным на дискретных полупроводниковых компонентах, таких как диоды, транзисторы и полевые транзисторы.
В книгу также включены схемы и практические схемы. В книге описаны основные и специальные характеристики диодов, схемы тепловых выпрямителей, трансформаторы, конденсаторы фильтров и выпрямители.
Ремонт– Как найти замену транзистору …
3. 7 1/2 ПОЛУПРОВОДНИК ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ KTC EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR № редакции: 3 ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ.
Справочник эквивалентов транзисторовC2026 – Техническое описание 2SC2026, эквивалент, поиск перекрестных ссылок …
ХАРАКТЕРИСТИКИ Низкое напряжение насыщения коллектора. 2sc Color Tv Применение вывода горизонтального отклонения C Транзистор, полная информация о 2sc Color TV Применение вывода горизонтального отклонения C Транзистор, эквивалентный транзистор 30f 2sc, эквивалентный транзистору C 30f, транзистор 2sc, все данные транзистора C, эквивалентный транзистору 30f 2sc от поставщика интегральных схем или .
МОП-транзистор Качественное описание Случай инверсии, V GS> V T (продолжение): Когда V DS> 0, индуцированная область n-типа позволяет току течь между истоком и стоком. Индуцированный канал похож на простой резистор. Таким образом, этот ток, I D, линейно зависит от напряжения стока V D. Такой режим работы называется линейным или «триодным». Транзисторные схемы с общей базой, работа на постоянном токе. Скромный транзистор Q1 Эмиттер (E) Коллектор (C) База (B) Основы транзистора • Переход между эмиттером и базой смещен в прямом направлении (обычно) • Переход от коллектора к базе имеет обратное смещение (обычно) • Транзисторы – это устройства, работающие от тока, поэтому.
Мне повезло, что я использовал 2N в качестве сабвуфера CK, но 2N имеют немного больший прирост и т. Д., Чем CK. Обычно я могу найти в сети 2N по цене меньше, чем NTE. Кажется, есть много недорогих российских PNP-германиевых транзисторов NOS. Я никогда не могу найти перекрестных ссылок. В условном обозначении транзистора есть стрелка на эмиттере.
Если транзистор PNP, то стрелка указывает на базу транзистора, в противном случае – на выход. Вы всегда можете помнить, что стрелка указывает на материал N.Это символы: Работа транзистора. Описание транзистора с помощью гидравлической модели.
Диоды и транзисторы 1. Введение До сих пор в EE вы видели аналоговые схемы. Вы начали с простых резистивных схем. Движение электрона влево эквивалентно движению дыры вправо. Здесь важно указать на мобильность, то есть на легкость зарядки.
· Эквивалентные транзисторы 2NA: 2N (PNP), 2N (PNP), 2N (PNP), BC, S, BC, 2N, MPS, PN, KN, KTN Краткое описание 2NA: 2NA – это транзистор NPN, следовательно, коллектор и эмиттер будет оставаться открытым (смещенным в обратном направлении), когда штырь базы удерживается на земле, и будет закрыт (смещен в прямом направлении) при поступлении сигнала.
Простая модель эквивалентной схемы фотоэлемента состоит из реального диода, подключенного параллельно идеальному источнику тока. Идеальный источник тока подает ток пропорционально солнечному потоку, которому он подвергается.
Существуют два условия, представляющих интерес для фактического фотоэлектрического преобразователя и его эквивалентной схемы, а именно: 1. Характеристики транзисторов NPN-кремния ВКЛЮЧАЕМЫЕ ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ ИСПЫТАТЕЛЬНЫЕ ЦЕПИ Время нарастания. Примечание: неопределенный индекс: HTTP_REFERER в / www / dptnj0 / 06oczdubayphp в строке 76 Примечание: неопределенный индекс: HTTP_REFERER в / www / dptnj0 / 06oczdubayphp в строке 2SK41 Vintage Japanese, Sanyo, N Channel TO JFET-NTE Equivalent JFET2 AF Транзистор TRNBC $ Количество: BCC TO NPN TRNBCC.
$ Биполярный биполярный транзистор NPN 45V mA MHz мВт сквозное отверстие к TRNPNA. Количество: BUDF Кремниевый транзистор рассеянной мощности V 5A 20W. Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 2SC Original NEC Silicon NPN Transistor C по лучшим онлайн-ценам на eBay! Бесплатная доставка для многих товаров! Функция активного сабвуфера для фильтрации низких тонов и добавления настроек для низких частот тонов в диапазоне от 20 Гц до 70 Гц. Книга эквивалента транзисторов для установки в домашних условиях 2sc irf irf9z34n irfb18n50 irfb23n20d irfb31n20d irfb irfb irfb irfb42n20d irfbcfp irfih основной бустер, или основа этого бустерного усилителя.
· Распиновка транзистора Sl, характеристики, аналог. Этот сайт использует файлы cookie, чтобы помогать отображать содержимое, адаптировать ваш опыт и поддерживать вас в системе после регистрации. Диоды и транзисторы pdf 28p типа файла bharath. Замена и аналогичный транзистор для BC 5. SL – это высокочастотный транзистор, он не нужен для управления реле.
ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЕ КОНДЕНСАТОРЫ 2008
53 РАЗМЕР КОРПУСА И ДОПУСТИМАЯ RIPPLE C
yageo corporation ALUMINIUM electrol
yageo corporation ALUMINIUM electrol
63 размер корпуса стандартных продуктов an
65 размер корпуса стандартных продуктов an
67 размер корпуса стандартных продуктов an
69 размер корпуса стандартных продуктов an
yageo корпорация ALUMINIUM electrol
73 размер корпуса стандартных продуктов an
корпорация yageo ALUMINIUM electrol
yageo corporation ALUMINIUM electrol
yageo corporation ALUMINIUM electrol
yageo corporation ALUMINIUM electrol
Yageo Corporation ALUMINIUM electrol
Yageo Corporation ALUMINIUM electrol
YAGEO – ГЛОБАЛЬНАЯ КОМПАНИЯ ASIADonggua
Аудио
BF115 SI-N 50 В 30 мА 0.15W
BF120 SI-N 220V 50mA 0,3W
BF125 SI-N AM / FM V / M / O / ZF450MHz
BF152 SI-N 30V 0,2W 800MHz VHF-
BF155 SI-N 40V 20mA 600MHz
BF161 SI-N 50V 20 мА 550 МГц
BF163 SI-N 40 В 20 мВт 600 МГц
BF164 SI-N 40 В 0,2 Вт 600 МГц
BF166 SI-N 40 В 20 мА 0,175 Вт 500 МГц
BF173 SI-N 40 В 25 мА 0,23 Вт 600 МГц
BF180 SI-N 30 В 20 мА 675 мА.15 Вт
BF182 SI-N 25 В 20 мА 650 МГц
BF184 SI-N 20 В 30 мА 260 МГц
BF186 SI-N 190 В 0,06 A 0,8 Вт 120 МГц
BF189 SI-N 30 В 25 мА 270 МГц
BF195 SI-N 30 В 30 мА 200 МГц 0,22 Вт
SI-N N 40 В 25 мА 0,3 Вт 550 МГц
BF200 SI-N 30 В 20 мА 0,15 Вт 500 МГц
BF224 SI-N 45 В 50 мА 0,25 Вт 450 МГц
BF240 SI-N 40 В 25 мА 0,25 Вт 400 МГц
BF244A N-FET 30 В 25 мА F-0,3 Вт
BFET244C N 30 В 25 мА 0.3W
BF245A N-FET 30 В 25 мА 0,3 Вт
BF245B N-FET 30 В 25 мА 0,3 Вт
BF245C N-FET 30 В 0,1 A 0,3 Вт 170MC
BF246C N-FET 25 В 25 мА 0,25 Вт
BF247B N-FET 25 В 27C 25 мА 0,25 Вт N-FET 25 В 25 мА 0,25 Вт
BF253 SI-N 30 В 30 мА 150 МГц
BF254 SI-N 30 В 30 мА 260 МГц. 22 Вт
BF255 SI-N 20 В 30 мА 200 МГц. 22 Вт
BF256A N-FET 30 В 7 мА.25 Вт
BF357 SI-N 30 В 0,05 A 1,6 ГГц
BF362 SI-N UHF-V 800 МГц
BF370 SI-N 40 В 0,1 A 0,5 Вт> 500 МГц
BF377 SI-N 15 В 25 мА 1,3 ГГц
BF393 SI-N 300 В 0,5 A 0,65 W
BF410B N-FET 20 В 0,7 мА
BF410C N-FET 20 В 12 мА AMPLIF
BF411 SI-N 110 В 0,05 А 0,3 Вт
BF417 SI-N 300 В 0,2 А 6 Вт 50 МГц
BF418 SI-P 300 В 0,2 А 6 Вт 50 МГц
SI -N 300V 0.1A 6W
BF420 SI-N 300V 0.1A 0.83W
BF421 SI-P 300V 0.1A 0.83W
BF424 SI-P 30V 25mA 300MHz
BF435 SI-P 160V 0.2A 0.625W 80MHz
BF440 SI-P 40V 25mA 250MHz
BF441B SI-P 40 В 25 мА 250 МГц
BF450 SI-P 40 В 25 мА 375 МГц 0,25 Вт
BF455 AM / FM-V / M / O 400 МГц
BF459 SI-N 300 В 0,1 А 10 Вт 90 МГц
BF462 SI-N 350 В 0.5A 10 Вт 45 МГц
BF471 SI-N 300 В 0,1 A 2 Вт 60 МГц
BF472 SI-P 300 В 30 мА 2 Вт 60 МГц
BF479 SI-P 30 В 50 мА. 16 Вт 1,4 ГГц
BF487 SI-N 400 В 0,05 A 0,83 Вт
BF493 SI-P 300 В 0,5 A 0,625 Вт
BF494 SI-N 20 В 30 мА 260 МГц
BF495C SI-N 30 В 30 мА 200 МГц 0,3 Вт
BF496 SI-N 30 В 20 мА 0,3 Вт 550 МГц
BF506 SI-P 40 В 30 мА 0,3 Вт 550 МГц
BF507 SI-N 30 В 20 мА 0.5 Вт> 750 МГц
BF509 SI-P 40 В 30 мА 0,3 Вт 750 МГц
BF516 SI-P 35 В 20 мА 850 МГц
BF569 SI-P 40 В 30 мА 280 мВт 850 МГц
BF585 SI-N 350 В 0,05 A 5 Вт 70 МГц
BF587 SI-N 400 В> 0,05 70 МГц
BF622 SI-N 250V 0,1A 2W
BF679 SI-P 40V 30mA .16W 880MHz
BF680 SI-P 40V 30mA .16W 750MHz
BF689 SI-N 15V 25mA 0,2W 1GHz
BF689K SI-N 25V 25mA 0.36 Вт 0,2 ГГц
BF758 SI-N 300 В 0,5 А 2 Вт
BF759 SI-N 350 В 0,5 А 10 Вт VID-PO
BF763 SI-N 15 В 25 мА 0,36 Вт 1,8 ГГц
BF770A SI-N 15 В 0,05 А 5,5 ГГц
BF791 SI-P 300 В 0,1 А 5 Вт
BF799 SI-N 30 В 35 мА 280 мВт 800 МГц
BF819 SI-N 250 В 0,1 А 1,2 Вт
BF820 SI-N 300 В 25 мА> 60 МГц
BF821 SI-P 300 В 25 мА 0,31 Вт
BF840 SI-N 40 В 25 мА 0.28 Вт 380 МГц
BF844 SI-N 450 В 0,3 А 625 мВт> 50 МГц
BF859 SI-N 300 В 0,1 А 2,5 Вт
BF871 SI-N 300 В 0,1 А 1,8 Вт
BF872 SI-P 300 В 0,1 А 1,6 Вт 60 МГц
BF881 SI-N 400 В 0,03 A> 60 МГц
BF883S SI-N 275 В 0,05 A 7 Вт> 60 МГц
BF891 SI-P 400 В 30 мА
BFR40 SI-N 70 В 1 A 0,8 Вт> 100 МГц
BFR79 SI-P 90 В 1 A 0,8 Вт> 100 МГц
BFR84 N-FET- ДГ 20В 50МА 0.3W
BFR90 SI-N 15 В 30 мА 5 ГГц 19,5 дБ
BFR90A SI-N 15 В 30 мА 5,5 ГГц 16 дБ
BFR91 SI-N 12 В 50 мА 5 ГГц 18 дБ
BFR91A SI-N 12 В 50 мА 6 ГГц 14 дБ
BFR92 SI-N 15 В 30 мА BFR92A SI-N 15 В 30 мА 5,5 ГГц 16 дБ
BFR92R SI-N 15 В 30 мА 5 ГГц REVERS
BFR93A SI-N 15 В 50 мА 6 ГГц 14 дБ
BFR95 SI-N 25 В 0,15 А 1,5 Вт 3,5 ГГц
BFR96 SI-N 15 В 75 мА 527 СИ-Н 15В 0.1A 5,5 ГГц 11 дБ
BFS17 SI-N 15 В 25 мА 1 ГГц E1
BFS19 SI-N 30 В 30 мА 260 МГц
BFS20 SI-N 30 В 25 мА 450 МГц G1
BFS22A SI-N 3 В 0,75 А 4 Вт 175 МГц
BFS23A SI-N 36 В 0,5 А 4,5 Вт 500 МГц
BFT25 SI-N 8V 6.5mA 50mW 500NHz
BFT43 SI-N 125 / 100V 1A 0.8W
BFT45 SI-P 250V 0.5A 0.75W 70MHz
BFT66 SI-N 15V 30mA 4.5GHz 12dB
BFT79 SI-P 90V 1A 0.8 Вт> 100 МГц
BFT95 SI-P UHF 15 В 25 мА 3,6–5 ГГц
BFW10 N-FET 30 В 20 мА AMPL.
BFW11 N-FET 30 В, 10 мА, AMPL.
BFW12 N-FET 30 В, 5 мА, AMPL.
BFW16A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.2GHz
BFW17A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.1GHz
BFW30 SI-N 10V 0.1A 0.25W 1.6GHz
BFW43 SI-P 150V 0.1A 0.4W 150MHz
BFW44 SI -P 150 В 0,1 А 0,7 Вт 50 МГц
BFW92 SI-N 15 В 50 мА 0.3 Вт 1,6 ГГц
BFW92A SI-N 15 В 25 мА 3,2 ГГц 13 дБ
BFX34 SI-N 60 В 5 А 0,87 Вт
BFX37 SI-P 90 В 0,1 А 0,36 Вт 70 МГц
BFX38 SI-P 55 В 1 А 0,8 Вт> 85
BFX40 SI-P 75 В 1A 0.8WB> 85
BFX48 SI-P 30V 0.1A 0.36W
BFX55 SI-N 60V 0.4A 2.2W 700MHz
BFX85 SI-N 100V 1A 0.8W
BFX89 SI-N 15V 50mA 0.2W 1.3GHz
BFY39 SI- N 45V 0.1A 0,3 Вт 150 МГц
BFY50 SI-N 80V 1A 0,7 Вт 55/175 нс
BFY51 SI-N 60V 1A 0,7 Вт
BFY52 SI-N 40V 1A 0,8 Вт 100 МГц
BFY56 SI-N 60V 1A 0,8W
BFY64 SI-P 40V 0,6 A 0,7 Вт
BFY88 SI-N 25 В 25 мА 850 МГц
BFY90 SI-N 15 В 25 мА 2 ГГц 8 дБ