Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ внСшний Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ для всСх iOS-устройств, совмСстим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 Π΄ΠΎ 24:00 ΠΏΠ½-ΠΏΡ‚ | c 10:00 Π΄ΠΎ 18:00 сб
0 Comments

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

IRFZ44N β€” ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ MOSFET транзистор β€” DataSheet

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠœΠΈΠ½.Π’ΠΈΠΏ.Макс.Π•Π΄. ΠΈΠ·ΠΌ.Условия
 V(BR)DSS ΠΠ°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ пробоя сток-исток 55 β€”β€” Π’VGS = 0 Π’, ID = 250 ΠΌΠΊA
 βˆ†V(BR)DSS/βˆ†TJΠ’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт напряТСния пробоя β€”0.058β€”Π’/Β°CΠ”ΠΎ 25Β°C, ID = 1 ΠΌA
RDS(on)БтатичСскоС сопротивлСниС ΡΡ‚ΠΎΠΊ-исток Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии β€”β€”17.5мОмVGS = 10 Π’, ID = 25 A (4)
 VGS(th)ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π°  Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ 2.0 β€”4.0Π’VDS = VGS, ID = 250 ΠΌΠΊA
 gfsΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° характСристики19 β€” β€”SVDS = 25 Π’, ID = 25 A (4)
 IDSSΠ’ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΊ-исток β€” β€” 25мкАVDS = 55 Π’, VGS = 0 Π’
β€” β€”250VDS = 44 Π’, VGS = 0 Π’, TJ = 150Β°C
  IGSSΠ’ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈβ€” β€” 100нАVGS = 20 Π’
 Π’ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ β€”β€”-100VGS = -20 Π’
QgΠ‘ΡƒΠΌΠΌΠ°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ заряд Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°β€”β€”63нКлID = 25 A, VDS = 44 Π’, VGS = 10 Π’
QgsЗаряд ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком
β€”
β€”14
QgdЗаряд ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ стоком——23
 td(on)ВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ β€”12—нсVDD = 28 Π’,  ID = 25, ARG = 12 Ом,  VGS = 10 Π’ (4)
trВрСмя нарастания—60 β€”
 td(off)ВрСмя Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ β€”44 β€”
 tf Π’рСмя спада—45β€”
LDВнутрСнняя ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ стока—4.5β€”Π½Π“Π½
LSВнутрСнняя ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ истока—7.5β€”
CissВходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒβ€”1470β€”ΠΏΠ€VGS = 0 Π’, VDS = 25 Π’, Ζ’ = 1.0 MΠ“Ρ†
CossВыходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒβ€”360β€”
CrssΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Π°Ρ пСрСходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒβ€”88β€”
EASЭнСргия Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° (2)β€”530 (5)150 (6)ΠΌΠ”ΠΆIAS = 25 A, L = 0.47 ΠΌΠ“Π½

rudatasheet.ru

irfz44n транзистор характСристики, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ, DataSheet Π½Π° русском

 

Π₯арактСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ МОП-транзистора irfz44n ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ Π² datasheet, говорят Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ являСтся ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ устройством Π½Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ основС с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ) ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

. Π₯арактСризуСтся Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями: напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ сток-исток Π΄ΠΎ 55 Π’, Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ стока Π΄ΠΎ 49 А, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ малСньким ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм 17.5 мОм ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ рассСивания Π΄ΠΎ 94 Π’Ρ‚. Рабочая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 175 Β°C. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ для Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Ρ…, высокоскоростных ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… систСм источников питания, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΎΡ€Π³Π°Π½Ρ‹ управлСния двигатСлями.

НазначСниС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ²

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΡΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ структуру, графичСскоС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Основой Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ транзистора являСтся ΠΏΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅, с двумя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ (сток ΠΈ исток), ΠΊΠ°Π½Π°Π» с элСктронной ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°). Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° этого ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° зависит ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄) ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния.

ГрафичСскоС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Рассмотрим графичСскоС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. Канал Ρ‚ΠΈΠΏΠ°-n рисуСтся ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ΠΈΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΠΉ, ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΡ‹ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΊ Π½Π΅ΠΌΡƒ линиями истока ΠΈ стока. Π‘Ρ‚Ρ€Π΅Π»ΠΊΠ°, направлСнная Π½Π° ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ΠΈΡ€Π½ΡƒΡŽ Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚Ρƒ, ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π±ΡƒΠΊΠ²Π°ΠΌΠΈ: Π‘-сток (D-drain), И-исток (S-source). Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, обозначаСтся Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Π— (G-gate). Π’ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ β€œΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉβ€ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ истоку Π°Π½ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. ВсС графичСскоС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΎ Π² ΠΊΡ€ΡƒΠ³, ΡΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ корпус ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°.

Распиновка

НаиболСС ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ распространСниС rfz44n ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ» Π² пластиковом корпусС ВО220 с ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ отвСрстиСм ΠΏΠΎΠ΄ Π²ΠΈΠ½Ρ‚, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ для дискрСтных ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΉ International Rectifier. Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° irfz44n, Ссли ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π»ΠΈΡ†Π΅Π²ΡƒΡŽ сторону, ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ: слСва Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ (G), справа исток (S). Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ являСтся стоком (D), элСктричСски соСдинСнным с встроСнным Π² корпус Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Под ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΎΠΉ International Rectifier ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ экзСмпляры Π² корпусах D2PAK ΠΈ ВО-262 (irfz44ns, irfz44nl), Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎ ВО-220.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики

Π’Π΅ΡΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² MOSFET-транзисторов Π½Π΅ указываСтся Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ понадобится Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ„Π΅ΡΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌ. Но Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ достаточно Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ основныС Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ устройство Π² своих элСктронных схСмах. IRFZ44N характСризуСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ основными ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ (ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π΄ΠΎ +25 градусов):

  • МаксимальноС напряТСниС стока-истока (V DSS) β€” 55 Π’;
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока (I D) β€” 49 A;
  • Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ проводящСго ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° сток-исток (R DSon) β€” 5 мОм;
  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ (P D) β€” 94 Π’Ρ‚

Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… тСхничСских описаниях Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ МОП (ΠΈΠ»ΠΈ mosfet) транзистора с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Ρ‚ΡŒΡΡ с сокращСния ΠœΠ”ΠŸ. ΠœΠ”Πœ это ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ слов ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π», диэлСктрик ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ. ΠŸΡ€ΠΈ этом эти транзисторы ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π½Π° устройства с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. Π£ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Π΅Π½ ΠΎΡ‚ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠ½Ρ‡Π°ΠΉΡˆΠΈΠΌ слоСм диэлСктрика (ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,1 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°).

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния

ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ допустимыС значСния, ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² самом Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚. Π’ Π½ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠΈΡˆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… значСниях эксплуатации Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°. Π˜ΡΠΏΡ‹Ρ‚Π°Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° проводятся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π΄ΠΎ 25 градусов, Ссли ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π» ΠΈΠ½ΠΎΠ³ΠΎ. Π˜Π·ΡƒΡ‡ΠΈΠ² Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ эти ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, ΡƒΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ± использовании Π² своих схСмах. НапримСр, ΠΎ возмоТности ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…. Π’Π°ΠΊ, Ρƒ рассматриваСмого MOSFET ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎ 100 Β°C ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ с 49 А Π΄ΠΎ 35 А.

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

НС являСтся Ρ‚Π°ΠΉΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° силового МОП-транзистора сильно зависят ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, насколько качСствСнно отводится ΠΎΡ‚ Π½Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ расчСты связанныС с ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°, вводятся ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния. Π˜Ρ… значСния ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ возмоТности Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ распространСния Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°. Π§Π΅ΠΌ большС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, Ρ‚Π΅ΠΌ быстрСС увСличится Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Π΅ΠΌ большС Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимой Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ кристалла ΠΈ внСшнСй срСдой, Ρ‚Π΅ΠΌ дольшС врСмя Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°, ΠΏΡ€ΠΈ этом пропускаСмый Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. Π£ рассматриваСмого экзСмпляра ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ сопротивлСния.

ЭлСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

ΠŸΠΎΠ½ΡΡ‚Π½ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ, ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ пропускаСмыС Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, заявлСнных ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ. ВмСстС с этим ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ‚ΡƒΡŽΡ‚ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ устройства с запасом 20-30% ΠΏΠΎ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ уровням ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π° Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ приводят  Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСктричСскиС характСристики. Π£  IRFZ44N элСктричСскиС характСристики, ΠΏΡ€ΠΈ Tj= 25Β°C (Ссли Π½Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ ΠΈΠ½ΠΎΠ΅) прСдставлСны Π½ΠΈΠΆΠ΅.

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°

ΠŸΡ€Π΅Ρ„ΠΈΠΊΡ IRF Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΎ происхоТдСниС рассматриваСмого экзСмляра Π½Π° Π·Π°Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… извСстной амСриканского ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ International Rectifier (IR). Π’ 2007 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ IR ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°Π»Π° Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ производства МОП-транзисторов ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Vishay Intertechnology, Π° ΡƒΠΆΠ΅ Π² 2015 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ другая компания (Infineon Technologies) ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‚ΠΈΠ»Π° IR. Π’ настоящСС врСмя ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ нСзависимыС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ свою ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ с прСфиксом IRF, поэтому Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ соврСмСнных Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΆΠ΅ символами Π² ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ. НапримСр Vishay, которая большС Π½Π΅ выпускаСт транзисторы irfz44n, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Ρƒ Π½Π΅Π΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ устройства, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… тСхописаниях, Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ, ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ символы β€œPbF”, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это бСзсвинцовая тСхнология изготовлСния MOSFET-транзисторов, Π½Π°Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΏΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… странах, ΠΈΠ· Π·Π° Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Π° Π½Π° использованиС Π² элСктроникС вСщСств опасных для Π·Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΡŒΠ΅ ΠΈ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ срСды.

Π’ Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ ΠΎΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства указываСтся Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ HEXFET-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ изготовлСния ΠΎΡ‚ International Rectifier Corporation, которая позволяСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ соотвСтствСнно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² Π²ΠΎ врСмя ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ примСнСния ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. ВСхнология стала популярной Π² 1978 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ, Π½ΠΎ Π΅Ρ‘ Π΄ΠΎ сих ΠΏΠΎΡ€ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ силовых MOSFET-транзисторов. Π£ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎ HEXFET-структура International Rectifier, прСдставлСна Π½Π° рисункС.

IRFZ44N Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ IR ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ с  HEXFET-структурой, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ самоС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком 17.5 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠΌ. ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ β€œPower MOSFET” Π² тСхописании ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Π°Π΄Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ устройства ΠΊ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌ.

Аналоги

ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹Ρ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² для irfz44n Π½Π΅ сущСствуСт, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ своим тСхничСским характСристикам ΠΈ описанию МОП-транзисторы. К Π½ΠΈΠΌ относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³Π°ΠΌΠΈ являСтся ΠšΠŸ723 ΠΈ КП812А1, хотя рабочая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Ρƒ Π½ΠΈΡ… Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС (Π΄ΠΎ 150Β°C).

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΏΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠΌ ΠΎ схСмС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Irfz44N, ΠΊΠ°ΠΊ писалось Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΎΠ½ являСтся ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ транзистором-МОП с Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠ½Ρ‡Π°ΠΉΡˆΠΈΠΌ слоСм SiO2. Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ структуры ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° p–n. ΠŸΡ€ΠΈ отсутствии ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния проводящий Ρ‚ΠΎΠΊ отсутствуСт ΠΈ транзистор находится Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии. Если ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° устройство ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ VGS, Ρ‚.Π΅. Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ плюс, Π° Π½Π° исток минус, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ влияниСм элСктричСского поля появится ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π» n-проводимости. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ питания Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, ΠΏΠΎ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ‡Ρ‘Ρ‚ стоковый Ρ‚ΠΎΠΊ ID.

Π§Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ напряТСниС подаСтся Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, Ρ‚Π΅ΠΌ большС элСктронов притягиваСтся Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ сток-исток ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ ΡˆΠΈΡ€Π΅ ΠΎΠ½Π° становится для протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Однако, этот процСсс ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ длится Π΄ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ областями Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ отсСчки. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ, Π² области насыщСния стоковый Ρ‚ΠΎΠΊ пСрСстаСт расти. ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ насыщСния (Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ) примСняСтся Π² схСмах усилСния, Π° отсСчки Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ…. Π’ Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ процСсс ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, для Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ VGS, ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик (Typical ΠΎutput сharacteristics). Для mosfet области насыщСния ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ проходящих ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ оси напряТСния стока-истока.

Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡ

ПолСвой транзистор irfz44n ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ популярСн Ρƒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… элСктронных схСмах усилСния Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ транзисторС, сСнсорных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡΡ…, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ² скорости вращСния Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ… с Π°Ρ€Π΄ΡƒΠΈΠ½ΠΎ ΠΈ Π΄Ρ€. Π•Π³ΠΎ часто ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Π² высокочастотных ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… Π±Π»ΠΎΠΊΠ°Ρ… питания, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…, стабилизаторах, ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… ΠΈ схСмах ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌ Π’Π°ΠΌ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΌΡƒ создания интСрСсных ΠΈΠ΄Π΅ΠΉ Π½Π° основС этого Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°.

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ

Π’ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π½Π΅Ρ‚Π΅ Π²ΡΡ‚рСчаСтся ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ DataSheet irfz44n Π½Π° русском языкС, Π½ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ описаниС Π½Π° английском ΠΎΡ‚ производитСля.  НиТС прСдставлСно Ρ‚Π΅Ρ… описаниС ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ радиоэлСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²:

 

shematok.ru

Вранзистор IRFZ44N: ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, datasheet

IRFZ44N – это N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ MOSFET (КМОП). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ транзистор ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌΠΈ тСхничСскими характСристиками. Вранзистор IRFZ44N идСально ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для управлСния ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСивания достигаСт 110 Π’Ρ‚. БСзусловно, Π² этом случаС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ (Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€).

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзистора IRFZ44N

  • НапряТСниС сток-исток Uси (max): 60Π’
  • Π’ΠΎΠΊ сток-исток ΠΏΡ€ΠΈ 25 Π‘  Iси (max): 50А
  • НапряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток UΠ·ΠΈ  (max): Β±20Π’
  • Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии Rси: 28 мОм
  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Pси  (max): 110Π’Ρ‚
  • ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° характСристики : 15S
  • ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅: 4Π’
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ: TO-220AB, TO-220FP, TO-263

Π“Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ установочныС Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ транзистора IRFZ44N

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° транзистора IRFZ44N

Аналог  IRFZ44N

  • HUF75329P3
  • 2SK1879 (блиТайший Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³)
  • BUZ102 (блиТайший Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³)
  • IRFZ40 (блиТайший Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³)
  • STP45NF06 (блиТайший Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³)

Datasheet IRFZ44N (68,0 Kb, скачано: 4 515)

www.joyta.ru

ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор IRFZ44N


Π—Π°Π΄ΡƒΠΌΠ°Π» я ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ½ΡƒΡŽ разрядку для аккумуляторов Ρ‚ΠΈΠΏΠ° АА с использованиСм ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ Arduino. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρƒ мСня Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ»Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΎΡ€Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ разряда ΠΏΡ€ΠΈ достиТСнии ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° аккумуляторС. ПослС чтСния ΠΊΠ½ΠΈΠ³ ΠΈ статСй я ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠ», Ρ‡Ρ‚ΠΎ для выполнСния этой Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ сущСствуСт Π΄Π²Π° Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ: пСрвая – Ρ€Π°Π·ΠΎΡ€Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ€Π΅Π»Π΅ с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚ 5 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚; вторая – с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Ρ‚ΠΈΠΏΠ° MOSFET.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° обозначСния:


Π― Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π» ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ транзистор с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (MOSFET) IRFZ44N.
ДокумСнтация Π½Π° IRFZ44N – IRFZ44N_ru.PDF

Для Π΅Π³ΠΎ открытия (сниТСниС напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ «исток» «сток» сильно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ) Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Β«Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Β» Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ называСтся Β«ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅Β».
Для транзистора IRFZ44N Β«ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅Β» нормируСтся ΠΎΡ‚ 2 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Π΄ΠΎ 4 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚.



Из Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ (смотритС Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ свСрху) ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρƒ транзистора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока 4,5 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π° ΠΈ напряТСнии, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Π½Π° исток ΠΈ сток (разрядная Ρ†Π΅ΠΏΡŒ). Из Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ ΠΌΡ‹ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Uзс = 4,5 Π’, Uис = 1,5 Π’ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор Iис = 7 А. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ рассчитываСм сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ «исток – сток», ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ Ома: Rис = 1,5/7 = 0,214 Ом. Из Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΌΡ‹ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сопротивлСниС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Rds(on) = 0,0175 Ом. Π― ΡΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ аккумулятор Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,5 АмпСр. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ, какая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° транзисторС ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ 0,5 A: P = 0,5*0,5*0,214 = 0,0535 Π’Ρ‚. Π”ΡƒΠΌΠ°ΡŽ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор нСсильно нагрССтся.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ» ΠΊΡƒΠΏΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π° Aliexpress 10 транзисторов IRFZ44N, Ρ€Π΅ΡˆΠΈΠ» всС ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ cΡ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΠ» Lcr-t4 – ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ.


Vt Π½Π° фотографиях соотвСтствуСт ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅.

Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ: ~8