Irfz44Npbf: IRFZ44NPBF, Транзистор, N-канал 55В 41А [TO-220AB], Infineon

IRFZ44NPBF от 119 рублей в наличии 3148 шт производства INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44NPBF

всего в наличии 3148 шт

В корзину

Минимально 1 шт и кратно 1 шт

+17 баллов

Аналоги для IRFZ44NPBF / Infineon

Исходное наименование		i	Упаковка	Корпус	Тип	Uси	Iс(25°C)	RDS on	Rси (вкл)	Uзатв (ном)	Uзатв(макс)	Qзатв	Pрасс	Примечание	Cзатв	Особенности	Карточка товара
IRFZ44NPBF (INFIN)			в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Совместимая по корпусу и выводам, улучшенная по характеристикам замена
STP55NF06 (ST)	P+		в линейках 50 шт
PSMN015-60PS. 127 (NEX-NXP)	P+			TO-220-3
Совместимая по корпусу и выводам, но с отличиями по параметрам замена
WMK80N06T1 (WAYON)	P-		в линейках 1000 шт	TO-220-3
Аналогичная по основным параметрам, но без гарантии совместимости по корпусу или выводам замена
WMO80N06T1 (WAYON)	A+		в ленте 2500 шт
STP75NF75 (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0. 011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STP65NF06 (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
WMO076N06LG2 (WAYON)	A+		в ленте 2500 шт
STP80NF70 (ST)	A+		в линейках 50 шт	TO-220-3										Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 68V, 0. 0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IRF2807PBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
IRFZ44NSTRLPBF (INFIN)	A+		в ленте 800 шт
IRFZ44NSPBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт	TO-263-3 D2PAK
IRFI1010NPBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
WMO060N06LG2 (WAYON)	A+		в ленте 2500 шт
CSD18563Q5AT (TI)	A+		в ленте 250 шт	DFN-8 TDFN8										60-V N-Channel NexFET Power MOSFET
IRF1010NSPBF (INFIN)	A+		в линейках 50 шт
WMQ060N06LG2 (WAYON)	A+		1 шт
AUIRF2807 (INFIN)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0. 013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
CSD18537NQ5A (TI)	A+		в ленте 2500 шт	DFN-8 TDFN8										60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
STP60NF06 (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0. 016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STP55NF06FP (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STP55NF06L (ST)	A+		в линейках 50 шт											Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0. 02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STB55NF06T4 (ST)	A+		1000 шт											Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
STB60NF06T4 (ST)	A+		в ленте 1000 шт											N-channel 60V – 0. 014Om – 60A STripFET™ II Power MOSFET
STP60NF06L (ST)	A+		50 шт											Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
STB75NF75LT4 (ST)	A+		в ленте 1000 шт											Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0. 013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
STB80NF55-06-1 (ST)	A+			TO-262-3										Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Близкий по наименованию товар
IRFZ44NPBF (VBSEMI)   IRFZ44NPBF (INFIN)	SN			—
IRFZ44NPBF-VB (VBSEMI)	SN			—

IRFZ44NPBF N-Channel MOSFET TO-220 Упаковка

Нажмите, чтобы увеличить

₹24,75 (без учета всех налогов)

• Номер детали: IRFZ9001NPB2
• Производитель: Infineon Technologies
• Напряжение сток-исток (Vdss): 55 В
• Вг (макс. ): ±20 В

Ссылка клиента:

IRFZ44NPBF N-канальный МОП-транзистор TO-220 Количество в упаковке

Для массовых запросов, пожалуйста, напишите нам на [электронная почта защищена]

Сравнить

Добавить в список желаний

Артикул: ST2001CO1077 Категории: Компонент, Компоненты, МОП-транзистор Теги: Компонент, IRFZ44, IRFZ44 MOSFET, IRFZ44 MOSFET N-канальный MOSFET, MOSFET, N-канальный MOSFET

• Описание продукта
• ИНФОРМАЦИЯ О ПРОДУКТЕ
• информация о доставке
• Перевозка и доставка

Описание продукта

IRFZ44NPBF N-канальный МОП-транзистор TO-220, комплект

Мощные МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, защищенной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности. Корпус TO-220AB повсеместно предпочтителен для коммерческого и промышленного применения при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220AB способствуют его широкому распространению в отрасли.

Характеристики/характеристики:

• Деталь №: IRFZ44NPBF
• Производитель: Infineon Technologies
• Напряжение сток-исток (Vdss): 55 В
• Ток – непрерывный слив (Id) при 25°C: 49 A (Tc)
• Напряжение привода (макс. число включенных, минимальное число включенных): 10 В
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17,5 мОм @ 25 А, 10 В
• Vgs(th) (макс.) @ Id: 4 В @ 250 мкА
• Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs: 63 нКл при 10 В
• Вг (макс.): ±20 В
• Статус RoHS: Соответствует ROHS3
• Рабочая температура: от -55°C до 175°C (TJ)
• Тип монтажа: Сквозное отверстие
• Пакет/кейс: ТО-220-3

Спецификация: IRFZ44-N-Channel MOSFET

Комплектация:

• 1 X IRFZ44NPBF N-Channel MOSFET TO-220 Упаковка

Примечание. Изображения продуктов приведены только в иллюстративных целях и могут отличаться от реального продукта.

ИНФОРМАЦИЯ О ПРОДУКТЕ

Сведения об отгрузке

Доставка и доставка

Мы делаем все возможное, чтобы добраться до каждого уголка Индии, используя несколько лучших курьерских служб, работающих в стране, таких как Delhivery, DTDC, BlueDart, XpressBees, Ecom Express и т. д. согласно отзыву для курьерского партнера по адресу местонахождение заказчика. Некоторые внутренние районы Индии, которые не покрываются этими курьерскими службами, покрываются нами через India-Post. Мы ежедневно прилагаем все усилия, чтобы отправить заказ в тот же день, когда он был заказан, или в течение следующих 24 часов с момента размещения заказа. Большинство заказов, размещенных до 13:00, отправляются и отправляются в тот же день. Заказы размещаются почтой, которая запланирована на отгрузку на следующий день. Такие же усилия прилагаются в течение всей недели, включая будни, а иногда и выходные и праздничные дни. Мы обеспечиваем местный самовывоз (самовывоз для местных клиентов) в будние дни и частично в выходные дни.

Только зарегистрированные клиенты, которые приобрели этот продукт, могут оставить отзыв.

IRFZ44NPBF vs IRLZ44NPBF Comparison – Utmel

Home /All Category /IRFZ44NPBF vs IRLZ44NPBF /

Hide Shared Attributes
Mfr.’s Part #	IRFZ44NPBF	IRLZ44NPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Description:	MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB	MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB
Factory Lead Time	12 Weeks	12 Weeks
КОНТАКЦИЯ КОНТАКТА	TIN	–
MONTE	через отверстие	через отверстие
0110
Package / Case	TO-220-3	TO-220-3
Number of Pins	3	3
Transistor Element Material	SILICON	SILICON
Рабочая температура	-55 ° C ~ 175 ° C TJ	-55 ° C ~ 175 ° C TJ
Упаковка	Tub97
Series	HEXFET®	HEXFET®
JESD-609 Code	e3	e3
Part Status	Active	Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	1 (Unledimited)
Количество терминаций	3	3
Прекращение	по отверстию	0110
ECCN Code	EAR99	EAR99
Resistance	17. 5MOhm	22mOhm
Additional Feature	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	AVALANCHE RATED
Подкатегория	Полевой транзистор общего назначения Мощность	–
Напряжение – номинальное постоянное	55 В	55 В
Технология	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel)	250	–
Current Rating	49A	47A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s)	30	–
Lead Pitch	2. 54mm	2.54mm
Number of Elements	1	1
Power Dissipation-Max	94W Tc	3.8W Ta 110W Tc
Element Configuration	Single	Single
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation	83W	83W
Соединение корпуса	DRAIN	DRAIN
Время задержки включения
FET TYPE	N-канал	N-канал
Приложение транзистора	. 25a, 10v	22m ω @ 25a, 10V
VGS (TH) (MAX) @ ID	4V @ 2501110	2V @ 250μa
Входной капсул (CISS)
(CISS) (CISS) (CISS)
(CISS) (CISS)
(CISS) (CISS)
. 1470 пФ при 25 В	1700 пФ при 25 В
Current – Continuous Drain (Id) @ 25°C	49A Tc	47A Tc
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V	48nC @ 5V
Время роста	60NS	84NS
ВЫСОВОСТИ (MAX RDS ON, MIN RDS ON)	10V	4V
VGS (MAK	Время падения (тип. )	45 NS	15 NS
.	2V
CODE JEDEC-95	TO-220AB	TO-220AB
ВАШ0110	55V	55V
Dual Supply Voltage	55V	55V
Recovery Time	95 ns	120 ns
Nominal Vgs	2.1 V	2 V
Height	8. 77mm	19.8mm
Length	10.668mm	10.5156mm
Width	4.826mm	4.69mm
Radiation Hardening	No	No
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
RoHS Status	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Lead Free	Lead Free	Бессвинцовый
Покрытие клемм	–	Матовое олово (Sn) – с никелевым (Ni) барьером
Количество каналов	–	1
Макс. Температура соединения (TJ)	–	175 ° C

Популярные блоги

• Как вытащить? Это N-канал или P-канал?

  23 декабря 2021 г. 1602

• Все, что вам нужно знать о схеме выпрямителя

  16 декабря 2021 г. 882

• Силикон -карбид (SIC) и галльский аттрой (Gan), который будет широко щетковой. материалы ГВБ?

  07 октября 2021 г. 844

• Что такое SMT (технология поверхностного монтажа)?

  02 December 2021 759

• MOSFET vs.