Комплементарные пары импортных транзисторов: 2N3904 / 2N3906 – Биполярные импортные – ТРАНЗИСТОРЫ – Электронные компоненты (каталог)

Содержание

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.

								На главную страницу \|\| Карта сайта Справочник транзисторов маломощных биполярных. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных. Справочник полевых транзисторов отечественных. Справочник отечественных smd транзисторов . Каталог MOSFET транзисторов . Использование справочных данных транзисторов для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой. Использование справочных данных транзистора для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
								От составителя: В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики. Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам Содержание: Раздел составных транзисторов (всего 49 штук) Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук) Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук) Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук) Показать/скрыть краткое описание транзисторов Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров: n-p-n p-n-p Составные транзисторы Высоковольтные Показать все
Типы корпусов

Наименование	Аналог	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Umax, В	h31e max
КТ501(А-Е)	BC212	TO-18		pnp	0,3	30	240	КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)	MPSA56	TO-92		pnp	0,15	90	240	Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 – MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)	2SC2240	TO-92		npn	0,15	100	240	Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 – 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) – КТ502.
КТ504(А,Б,В)	BSS73	TO-39		npn	1	350	100	КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 – BSS73.
KТ505(А,Б)	BSS76	TO-39		pnp	1	300	100	КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)	BUX54	TO-39		npn	2	800	30	КТ506А и КТ506Б для переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509А		TO-39		pnp	0,02	450	60	2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
КТ520(А,Б)	MPSA42	TO-92 DPAK		npn	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах .
КТ521(А,Б)	MPSA92	TO-92		pnp	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529А		TO-92		pnp	1	60	250	КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара – КТ530.
КТ530А		TO-92		npn	1	60	250	Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538А	MJE13001	TO-92		npn	0.5	600	90	Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)	MJE18002			npn	2,5	500	100	КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)				npn	3,5	30	250	ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
2Т708(А-В)	2SB678	TO-39		pnp	2,5	100	1500	составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)	BDX86	TO-3		pnp	10	100	2000	мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А		TO-3		npn	5	3000	40	КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)	BU806	TO-220		pnp	10	200	1000	мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А		TO-3		npn	3	2500	20	2Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)	2SD472H	TO-3		npn	10	100	750	2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)	BDX33	TO-220		npn	10	100	750	составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719А	BD139	TO-126		npn	1,5	120	70	КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720А	BD140			pnp	1,5	100
КТ721А	BD237			npn	1,5	100		BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722А	BD238			pnp	1,5	100		Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723А	MJE15028			npn	10	100		Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724А	MJE15029			pnp	10	100		Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ729	2N3771			npn	30	60		Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ730	2N3773			npn	16	140		Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732А	MJE4343	TO-218		npn	16	160	15	КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733А	MJE4353	TO-218		pnp	16	160	15	КТ733 – Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738А	TIP3055	TO-218		npn	15	70	70	КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739А	TIP2955	TO-218		pnp	15	70	70	КТ739 – Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 – MJE4343
КТ805(А-ВМ)	KSD363 BD243	TO-220		npn	5	160	15	КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 – транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ)				npn	0,5	100	150	КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП – источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ)		TO-3		npn	10	130	50	КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В)		TO-3		npn	10	700	30	КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)	BD140 ZTX753	TO-126 DPAK		pnp	1,5	100	100	Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 – транзистор BD140. Комплементарная пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) – КТ815.
КТ815(А-Г)	BD139 ZTX653	TO-126 DPAK		npn	1,5	100	100	КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)	BD238 MJE172	TO-126 DPAK		pnp	3	80	100	КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара – КТ817.
КТ817(А-Г)	BD237 MJE182	TO-126 DPAK		npn	3	80	100	КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б – транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В – BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г – BD237 и MJE182. Комплементарная пара – КТ816.
КТ818(А-ГМ)	BDW22 BD912	TO-220 TO-3		pnp	10 15	100	100	Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 – BDW22 и BD912. Комплементарная пара – транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)	BDW51 BD911	TO-220 TO-3		npn	10 15	100	100	Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 – BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)	2Т6050	TO-220 TO-3		pnp	15 20	100	18000	Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 – транзистор КТ827. Импортный аналог – 2T6050.
КТ826(А-В)		TO-3		npn	1	700	120	Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)	2N6057 BDX87	TO-3		npn	20	100	18000	Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 – транзистор КТ825. Импортный аналог – 2N6057.
КТ828(А-Г)	BU207	TO-3		npn	5	800	15	характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)	TIP122 2N6045	TO-220		npn	8	100	3000	Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 – транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)	2N5781	TO-39		pnp	2	90	160	транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 – 2N5781.
2Т831(А-В)	2N4300	TO-39		npn	2	50	200	2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)	BU323	TO-3		npn	15	500	3000	составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)	2N6111	TO-220		pnp	7,5	30	100	транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 – импортный 2N6111
2Т836(А-В)	BD180	TO-39		pnp	3	90	100	2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)	2N6108 2N6111	TO-220		pnp	8	70	200	pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 – транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А	2SD1554 BU208	TO-3		npn	5	1500	14	Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги – 2SD1554 и BU208.
КТ839А	2SC1172 MJ16212	TO-3		npn	10	1500	12	Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)	BUX97	TO-3		npn	6	400	100	Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)	MJ413 2N3442	TO-3		npn	10	600	35	Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)	2SB506	TO-3		pnp	5	300	30	Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844А	MJ15011	TO-3		npn	10	250	60	КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845А		TO-3		npn	5	400	100	КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846А	BU208	TO-3		npn	5	1500	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847А	BUX48 2N6678	TO-3		npn	15	650	100	Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848А	BUX37	TO-3		npn	15	400	1000	Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 – BUX37.
КТ850(А-В)	2SD401	TO-220		npn	2	250	200	КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики приведены в datasheet .
КТ851(А-В)	2SB546	TO-220		pnp	2	200	200	КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1500	Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)	TIP127 2N6042	TO-220		pnp	8	100	750	Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)	MJE13006	TO-220		npn	10	500	50	КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)	MJE9780	TO-220		pnp	5	250	100	КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками – MJE9780.
2Т856(А-В)	BUX48	TO-3		npn	10	950	60	2Т856 для переключательных устройств. Аналог – BUX48.
КТ856(А1,Б1)	BUV48	TO-218		npn	10	600	60	КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857А	BU408	TO-220		npn	7	250	50	КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог – BU408.
КТ858А	BU406	TO-220		npn	7	400	60	транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог – BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859А	MJE13005	TO-220		npn	3	800	60	Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками – MJE13005.
2Т860(А-В)		TO-39		pnp	2	90	100	2Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г)		TO-3		npn	15	400	100	2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,В	D44Vh20	TO-220		npn	10	160	300	Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 – D44Vh20.
КТ863БС	D44Vh20	TO-220 TO-263		npn	12	160	300	КТ863БС – более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А	2N3442	TO-3		npn	10	200	100	КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А	2SA1073	TO-3		pnp	10	200	60	Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867А	TIP35	TO-3		npn	25	200	100	КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)	BU426			pnp	6	400	60	КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 – BU426.
КТ872(А-В)	BU508 MJW16212	TO-218		npn	8	700	16	Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 – транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)	2SD1940	TO-3		npn	10	90	200	2Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)	MJE2955	TO-3		pnp	10	90	140	2Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)	2N6285	TO-3		pnp	20	80	10000	Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)	BUX98	TO-3		npn	30	900	50	КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879				npn	50	200	25	КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)	2N6730			pnp	2	100	140	2Т880 – для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)	2N5150			npn	2	100	200	2Т881 – применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В)		TO-220		npn	1	300	100	2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б)		TO-220		pnp	1	300	100	2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б)		TO-220		npn	2	800	40	2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б)		TO-3		npn	40	500	12	мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)	MJW16212	TO-218		npn	10	1400	25	Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 – MJW16212.
КТ887 А,Б		TO-3		pnp	2	700	120	КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б		TO-39		pnp	0,1	900	120	Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)	BU323	TO-218		npn	20	350	700	Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)	BU323A	TO-3		npn	15	400	300	мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)	BDW84	TO-218		pnp	20	80	10000	Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 – BDW84.
КТ897(А,Б)	BU931Z	TO-3		npn	20	350	4000	Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 – BU931.
КТ898 (А,Б)	BU931P	TO-218		npn	20	350	1500	Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 – BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899А	BU806	TO-220		npn	8	150	1000	Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками – BU806.
КТ8101(А,Б)	MJE4343 2SC3281	TO-218		npn	16	200	100	мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 – транзистор MJE4343. Комплементарная пара – КТ8102.
КТ8102(А,Б)	MJE4353 2SA1302	TO-218		pnp	16	200	100	Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 – MJE4353.
КТ8106 (А,Б)	MJH6286	TO-218		npn	20	80	3000	Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 – MJH6286.
КТ8107(А-В)	BU208	TO-218		npn	8	700	12	КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 – BU208.
КТ8109	TIP151	TO-220		npn	7	350	150	Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)	BUT11			npn	7	400	30	Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)	BDV67	TO-218		npn	20	100	750	Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог – BDV67.
КТ8115(А-В)	BD650 TIP127	TO-220		pnp	8 5	100	1000	Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 – BD650. Комплементарная пара – КТ8116.
КТ8116(А-В)	TIP132	TO-220 DPAK		npn	8 5	100	1000	Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117А	BUV48	TO-218		npn	10	400	10	мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118А	MJE8503	TO-220		npn	3	800	40	КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120А		TO-220		npn	8	450	10	КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,Б		TO-220		npn	4	400	60	КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А		TO-220		npn	2	150	40	КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В)		TO-220		npn	10	400	7	Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)	MJE13007	TO-220		npn	8	400	30	мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)	BD676			pnp	4	80	15000
КТ8131 (А,Б)	BD677			npn	4	80	15000
КТ8133 (А,Б)				npn	8	240	3000
КТ8137А	MJE13003	TO-126		npn	1,5	700	40	Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)				npn	8	100	750
КТ8143 (А-Ш)		КТ-9М		npn	80	300	15	биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б)		TO-3		npn	25	800	55
КТ8146(А,Б) КТ8154(А,Б) КТ8155(А-Г)		ТО-3		npn	15 30 50	800 600 600		мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)	BU807	TO-220		npn	8	200	1000	КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В)		TO-218		npn	15	1500	8	для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)	BDV65	TO-218		npn	12	100	1000	КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)	BDV64	TO-218		pnp	12	100	1000	КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А				npn	7	500	40
КТ8164(А,Б)	MJE13005	TO-220		npn	4	400	60	Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)				pnp	2	80	250
КТ8168 (А-Г)				npn	2	80	250
КТ8170(А1,Б1)	MJE13003	TO-126		npn	1. 5	400	40	Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)				npn	20	350	10000
КТ8176(А,Б,В)	TIP31	TO-220		npn	3	100	50	КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)	TIP32	TO-220		pnp	3	100	50	КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)		ISOTOP		npn	75	1500	10	мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)				npn	10	350	400
КТ8212(А,Б,В)	TIP41	TO-220		npn	6	100	75	КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)	TIP42	TO-220		pnp	6	100	75	Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)	TIP112	TO-220		npn	2	100	1000	Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1000	Составной транзистор КТ8215 – Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)	MJD31B			npn	2	800	275
КТ8217 (А-Г)	MJD32B			pnp	10	100	275
КТ8218 (А-Г)				npn	4	100	750
КТ8219 (А-Г)				pnp	4	40	750
КТ8224(А,Б)	BU2508	TO-218		npn	8	700	7	Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог – BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)	BU2525	TO-218		npn	12	800	10	Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229А	TIP35F	TO-218		npn	25	180	75	КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230А	TIP36F	TO-218		pnp	25	180	75	КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231А	BU941			npn	15	500	300	datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)	BU941ZP	TO-218		npn	20	350	300	КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)	КТ829	TO-220		npn	15	150	9000	Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247А	BUL45D	TO-220		npn	5	700	22	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог – BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248А	BU2506	TO-218		npn	5	1500	60	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог – BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251А	BDV65	TO-218		npn	10	180	1000	Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)	BU323Z	TO-220 TO-218		npn	15	350	2000	для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А				npn	2	800	30
КТ8255А	BU407	TO-220		npn	7	330	200	КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)	SGSD96	TO-220		npn	20	180	1000	для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)	MJE 13004	TO-220		npn	4	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)	MJE13007 13007	TO-220		npn	8	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)	MJE13008	TO-220		npn	15	500	15	для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261А	BUL44	TO-126		npn	2	400	20	КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)	SEC80	TO-220		npn	7	350	300	Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270А	MJE13001	TO-126		npn	0.5	600	90	КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)	BD136	TO-126		pnp	1.5	80	250	КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)	BD135	TO-126		npn	1.5	80	250	КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)	SGSD93ST	TO-220		npn	20	180	1000	Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)	2SD1071	TO-220 TO-218		npn	10	350	300	для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В)		TO-218		npn	60	120	1000	Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В)		TO-218		pnp	60	120	1000	Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В)		TO-218		pnp	60	120	100	для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)	КТ829	TO-220		npn	12	100	500	для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)	BUF410	TO-218 TO-3		npn	30	450	40	для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)	2SC1413	TO-218 TO-3		npn	5	800	40	для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290А	BUh200	TO-220		npn	10	700	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)	KSD882	TO-126		npn	3	30	400	КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)	KSD772	TO-126		pnp	3	30	400	КТ8297 – Комплементарная пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,Б		TO-220 D2PAK		npn	8	160	250	КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3	TIP122	TO-220		npn	15	100	1000	для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками – транзистор TIP122.
ПИР-1	BUV48	TO-218		npn	20	450	8	ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
								Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

Маломощные комплементарные полевые транзисторы. – Начальные сведения – практические советы. – Начинающим – Каталог статей

На выходе УМЗЧ мощные транзисторы структуры МОП (MOSFET) уже не диковинка, там их преимущества очевидны и они активно «завоёвывают» это место. В классической немецкой литературе по схемотехнике (см. 1; 2) приводятся неоспоримые, подтверждённые расчётами и измерениями факты преимущества маломощных полевых транзисторов с p-n переходом (JFET) над биполярными и во входных каскадах .

Прежде всего, и это главное, они гораздо более линейны!

При слабом возбуждении (обычное явление во входных каскадах) напряжение на входе, соответствующее коэффициенту нелинейных искажений на выходе 1% составит для полевого, включенного с общим стоком 100 мВ, для биполярного всего 1 мВ. При том, что это будут чётные гармоники, возрастающие с увеличением напряжения линейно, а у биполярного присутствуют и чётные и нечётные. Нечётные гармоники, биполярного, пропорциональны квадрату входного напряжения, т.е. возрастают резко. Дифкаскады соответственно дадут 1% Кг при 17 мВ на входе (биполярный) и 1500 мВ (полевые).

Разница по уровню искажений в обеих вариантах включения просто огромна – целых два порядка! (см. 1).

Однако многие радиолюбители избегают повторять конструкции усилителей или разрабатывать новые с полевыми маломощными транзисторами во входных каскадах. Сразу предвижу ряд аргументов против:

– они с большим разбросом параметров!;

– нет доступных для подбора комплементарных пар, подбирать не из чего!

– их вообще трудно подбирать, и для этого их надо очень много!

– выберешь из нескольких десятков две пары, а остальные куда девать?

– маломощные полевые транзисторы боятся статического заряда, легко пробиваются.

На последний аргумент ответить просто – на входе применяются полевые транзисторы с p-n переходом, (JFET) они не боятся статики, так как не имеют изолированного затвора. Если вдруг на нём возникнет открывающее напряжение, то структура откроется как обычный диод. Сопротивление цепи затвор-канал резко уменьшится и пропустит статический заряд без всякого повреждения.

По второму аргументу: существуют, и вполне доступны, ряд транзисторов, как с n-каналом, так и p-канальных. В таблице 1 приведены три типа первой структуры, и два вида второй, с близкими значениями начального тока, пригодные для входных каскадов. Здесь разберёмся подробнее. Напряжение в рабочей точке для тока стока 1 – 1,5 мА составляет у них от 0,5 до 1,5 В, что позволяет работать без захода в область открытого канала при обычных входных напряжениях УМЗЧ, в том числе усилителей без общей ООС.

Это ещё одна характерная особенность полевых транзисторов с p-n переходом, в отличие от биполярных, которую необходимо учитывать. При напряжении затвор- исток равном нулю и токе, равном начальному, они, как и некоторые ламповые триоды, пентоды, вполне работоспособны и используются. Но только до тех пор, пока амплитуда входного напряжения не превысит примерно 0,2 В, в отрицательную сторону для p -канальных и положительную для n – канальных транзисторов, при котором переход приоткрывается в прямом направлении и резко снижается сопротивление затвора, что вызывает ограничение входного сигнала. Т.е. штатный режим работы полевых транзисторов с p-n переходом, как и у ламп – с запирающими напряжениями на затворе. Вот только у ламп нет комплементарных пар разной проводимости.

Из отечественных, p -канальных имеются в продаже КП103Л, парные КП103ЛР, микросборки из двух практически идентичных транзисторов К504НТ (в пластмассе – КР504НТ), и всё. Из импортные доступны 2SJ103. Из множества отечественных, n – канальних, КП303Д выбраны не случайно. У них более близкие параметры крутизны и тока стока к указанным выше p –канальным. В комплементарные к указанным p -канальны не подходят КП307 (слишком большая крутизна) и КП302 (слишком большой начальный ток и крутизна). Большой ассортимент импортных n – канальних для подбора комплементарних пар ограничен теми, у которых более низкие значения крутизны.

Это ещё одна особенность полевых транзисторов с p-n переходом. Их необходимо подбирать в комплементарные пары не только по одинаковому напряжению затвор-исток при определённом рабочем токе стока, но и по крутизне вблизи рабочей точки. Ещё лучше, если крутизна будет равна во всём диапазоне токов, и начальные токи стока также будут одинаковы. Это в идеале. В реалиях наши коллеги-разработчики обычно советуют подбирать их только по начальному току стока с разбросом не хуже +-20% и всё, уповая на всесильную способность общей ООС уменьшать искажения. Этого мало, особенно для схем без ОООС. Вполне возможен более точный подбор. Что очень положительно скажется на работе любых вариантов УМЗЧ, как с общей ОООС, так и без неё.

Будем считать, что подбор по одинаковой крутизне S и напряжению затвор исток в рабочей точке Uзи хороший, если он лучше 20% и отличный, если разница не превышает 10%.

Сравнение разных полевых транзисторов, выбранных с близкими изначально, по паспортным характеристикам параметрам, приведено в таблице 1. Здесь, и далее: Io – начальный ток стока при соединённых выводах затвора и истока, мА; Ic – ток стока, мА; Uзи – модуль напряжения смещения затвор-исток, V; S – крутизна характеристики, mA/V. В p –канальных полевых транзисторах напряжение смещения Uзи на истоке относительно затвора отрицательное, у n – канальних положительное. Для удобства в таблицах Uзи указано по модулю, без указания знака.

Даже беглый взгляд на таблицу 1 ясно показывает, что при близком значении у всех начального тока стока, крутизна не сильно, но существенно различается. Она, в общем и целом выше, как и «положено», у n – канальних. Интересно, что у 2SJ103GR №14 она неожиданно выше, чем у его «коллеги» с противоположной проводимостью 2SK246GR №1, причём разница не превышает всего 8,5%. Но на краю диапазона токов, при 0,5 мА разница в Uзи у них уже достигает 22,4 %, что многовато. Ещё удивительнее, что ещё лучше «паруются»… импортные с отечественными!! Например, КП103ЛР №22 с 2SK246GR №1; 2SJ103GR №14 с КП303Д №60.

На рисунке 1 приведены примеры неудачных пар, подобранных только по начальному току стока или крутизне (график слева на рисунке), или по одинаковому напряжению и одинаковому току стока в рабочей точке (график справа).

В таблицах 5-11 приведены результаты измерения всех транзисторов, из которых подбирались пары. Их не так много понадобилось. Анализ этих данных показывает, что многие из оставшихся некомплементарных транзисторов образуют отличные дифференциальные пары. Которые также возможно использовать во входных каскадах УМЗЧ вместо биполярных транзисторов, и получить выигрыш по искажениям и шумам.

Оставшиеся непарными пригодятся для построения генераторов тока (ГСТ). Здесь также у полевых преимущество – ГСТ получается проще и в виде двухполюсника.

Рис 1.

В таблицах №2, 3, 4 приведены примеры подобранных отличных комплементарных пар, в том числе и «чисто импортных» – BF245А с 2SJ103GR. На сопровождающих их рисунках №2;3;4 близость параметров показана более наглядно.

Рис 2.

Рис 3.

Ниже приведена схема стенда для измерения полевых маломощных транзисторов с pn-перехордом. Подстроечные резисторы в истоке задают ток транзистора, отражаемый в показаниях амперметра (Io и Ic). Вольтметр показывает напряжение смещения Uзи. Приборы должны быть достаточно точными.

Список литературы:

1. П. Шкритек, “Справочное руководство по звуковой схемотехнике”, М, изд. “Мир”, 1991 г, стр. 74-82, приложение А10.

2. У. Титце, К. Шенк, “Полупроводниковая схемотехника”, М, изд. “Мир”, 1983 г, стр. 56-65.

Все вопросы по данной теме будем обсуждать на форуме: http://devicemusic.ucoz.ru/forum/16-106-1

Биполярные транзисторы, их схемы включения

Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов.

Транзистором называется полупроводниковый прибор, который может усиливать, преобразовывать и генерировать электрические сигналы. Первый работоспособный биполярный транзистор был изобретен в 1947 году. Материалом для его изготовления служил германий. А уже в 1956 году на свет появился кремниевый транзистор.

В биполярном транзисторе используются два типа носителей заряда – электроны и дырки, отчего такие транзисторы и называются биполярными. Кроме биполярных существуют униполярные (полевые) транзисторы, у которых используется лишь один тип носителей – электроны или дырки. В этой статье будут рассмотрены биполярные транзисторы.

Долгое время транзисторы в основном были германиевыми, и имели структуру p-n-p, что объяснялось возможностями технологий того времени. Но параметры германиевых транзисторов были нестабильны, их самым большим недостатком следует считать низкую рабочую температуру, – не более 60..70 градусов Цельсия. При более высоких температурах транзисторы становились неуправляемыми, а затем и вовсе выходили из строя.

Со временем кремниевые транзисторы начали вытеснять германиевых собратьев. В настоящее время в основном они, кремниевые, и применяются, и в этом нет ничего удивительного. Ведь кремниевые транзисторы и диоды (практически все типы) сохраняют работоспособность до 150…170 градусов. Кремниевые транзисторы также являются «начинкой» всех интегральных микросхем.

Транзисторы по праву считаются одним из великих открытий человечества. Придя на смену электронным лампам, они не просто заменили их, а совершили переворот в электронике, удивили и потрясли мир. Если бы не было транзисторов, то многие современные приборы и устройства, такие привычные и близкие, просто не появились на свет: представьте себе, например, мобильный телефон на электронных лампах!

Большинство кремниевых транзисторов имеют структуру n-p-n, что также объясняется технологией производства, хотя существуют и кремниевые транзисторы типа p-n-p, но их несколько меньше, нежели структуры n-p-n. Такие транзисторы используются в составе комплементарных пар (транзисторы разной проводимости с одинаковыми электрическими параметрами). Например, КТ315 и КТ361, КТ815 и КТ814, а в выходных каскадах транзисторных УМЗЧ КТ819 и КТ818. В импортных усилителях очень часто применяется мощная комплементарная пара 2SA1943 и 2SC5200.

Часто транзисторы структуры p-n-p называют транзисторами прямой проводимости, а структуры n-p-n обратной. В литературе такое название почему-то почти не встречается, а вот в кругу радиоинженеров и радиолюбителей используется повсеместно, всем сразу понятно, о чем идет речь. На рисунке 1 показано схематичное устройство транзисторов и их условные графические обозначения.

Рисунок 1.

Кроме различия по типу проводимости и материалу, биполярные транзисторы классифицируются по мощности и рабочей частоте. Если мощность рассеивания на транзисторе не превышает 0,3 Вт, такой транзистор считается маломощным. При мощности 0,3…3 Вт транзистор называют транзистором средней мощности, а при мощности свыше 3 Вт мощность считается большой. Современные транзисторы в состоянии рассеивать мощность в несколько десятков и даже сотен ватт.

Транзисторы усиливают электрические сигналы не одинаково хорошо: с увеличением частоты усиление транзисторного каскада падает, и на определенной частоте прекращается вовсе. Поэтому для работы в широком диапазоне частот транзисторы выпускаются с разными частотными свойствами.

По рабочей частоте транзисторы делятся на низкочастотные, – рабочая частота не свыше 3 МГц, среднечастотные – 3…30 МГц, высокочастотные – свыше 30 МГц. Если же рабочая частота превышает 300 МГц, то это уже сверхвысокочастотные транзисторы.

Вообще, в серьезных толстых справочниках приводится свыше 100 различных параметров транзисторов, что также говорит об огромном числе моделей. А количество современных транзисторов таково, что в полном объеме их уже невозможно поместить ни в один справочник. И модельный ряд постоянно увеличивается, позволяя решать практически все задачи, поставленные разработчиками.

Существует множество транзисторных схем (достаточно вспомнить количество хотя бы бытовой аппаратуры) для усиления и преобразования электрических сигналов, но, при всем разнообразии, схемы эти состоят из отдельных каскадов, основой которых служат транзисторы. Для достижения необходимого усиления сигнала, приходится использовать несколько каскадов усиления, включенных последовательно. Чтобы понять, как работают усилительные каскады, надо более подробно познакомиться со схемами включения транзисторов.

Сам по себе транзистор усилить ничего не сможет. Его усилительные свойства заключаются в том, что малые изменения входного сигнала (тока или напряжения) приводят к значительным изменениям напряжения или тока на выходе каскада за счет расходования энергии от внешнего источника. Именно это свойство широко используется в аналоговых схемах, – усилители, телевидение, радио, связь и т.д.

Для упрощения изложения здесь будут рассматриваться схемы на транзисторах структуры n-p-n. Все что будет сказано об этих транзисторах, в равной степени относится и к транзисторам p-n-p. Достаточно только поменять полярность источников питания, электролитических конденсаторов и диодов, если таковые имеются, чтобы получить работающую схему.

Схемы включения транзисторов

Всего таких схем применяется три: схема с общим эмиттером (ОЭ), схема с общим коллектором (ОК) и схема с общей базой (ОБ). Все эти схемы показаны на рисунке 2.

Рисунок 2.

Но прежде, чем перейти к рассмотрению этих схем, следует познакомиться с тем, как работает транзистор в ключевом режиме. Это знакомство должно упростить понимание работы транзистора в режиме усиления. В известном смысле ключевую схему можно рассматривать как разновидность схемы с ОЭ.

Работа транзистора в ключевом режиме

Прежде, чем изучать работу транзистора в режиме усиления сигнала, стоит вспомнить, что транзисторы часто используются в ключевом режиме.

Такой режим работы транзистора рассматривался уже давно. В августовском номере журнала «Радио» 1959 года была опубликована статья Г. Лаврова «Полупроводниковый триод в режиме ключа». Автор статьи предлагал регулировать частоту вращения коллекторного двигателя изменением длительности импульсов в обмотке управления (ОУ). Теперь подобный способ регулирования называется ШИМ и применяется достаточно часто. Схема из журнала того времени показана на рисунке 3.

Рисунок 3.

Но ключевой режим используется не только в системах ШИМ. Часто транзистор просто что-то включает и выключает.

В этом случае в качестве нагрузки можно использовать реле: подали входной сигнал – реле включилось, нет – сигнала реле выключилось. Вместо реле в ключевом режиме часто используются лампочки. Обычно это делается для индикации: лампочка либо светит, либо погашена. Схема такого ключевого каскада показана на рисунке 4. Ключевые каскады также применяются для работы со светодиодами или с оптронами.

Рисунок 4.

На рисунке каскад управляется обычным контактом, хотя вместо него может быть цифровая микросхема или микроконтроллер. Лампочка автомобильная, такая применяется для подсветки приборной доски в «Жигулях». Следует обратить внимание на тот факт, что для управления используется напряжение 5В, а коммутируемое коллекторное напряжение 12В.

Ничего странного в этом нет, поскольку напряжения в данной схеме никакой роли не играют, значение имеют только токи. Поэтому лампочка может быть хоть на 220В, если транзистор предназначен для работы на таких напряжениях. Напряжение коллекторного источника также должно соответствовать рабочему напряжению нагрузки. С помощью подобных каскадов выполняется подключение нагрузки к цифровым микросхемам или микроконтроллерам.

В этой схеме ток базы управляет током коллектора, который, за счет энергии источника питания, больше в несколько десятков, а то и сотен раз (зависит от коллекторной нагрузки), чем ток базы. Нетрудно заметить, что происходит усиление по току. При работе транзистора в ключевом режиме обычно для расчета каскада пользуются величиной, называемой в справочниках «коэффициент усиления по току в режиме большого сигнала», – в справочниках обозначается буквой β. Это есть отношение тока коллектора, определяемого нагрузкой, к минимально возможному току базы. В виде математической формулы это выглядит вот так: β = Iк/Iб.

Для большинства современных транзисторов коэффициент β достаточно велик, как правило, от 50 и выше, поэтому при расчете ключевого каскада его можно принять равным всего 10. Даже, если ток базы и получится больше расчетного, то транзистор от этого сильнее не откроется, на то он и ключевой режим.

Чтобы зажечь лампочку, показанную на рисунке 3, Iб = Iк/β = 100мА/10 = 10мА, это как минимум. При управляющем напряжении 5В на базовом резисторе Rб за вычетом падения напряжения на участке Б-Э останется 5В – 0,6В = 4,4В. Сопротивление базового резистора получится: 4,4В / 10мА = 440 Ом. Из стандартного ряда выбирается резистор с сопротивлением 430 Ом. Напряжение 0,6В это напряжение на переходе Б–Э, и при расчетах о нем не следует забывать!

Для того, чтобы база транзистора при размыкании управляющего контакта не осталась «висеть в воздухе», переход Б–Э обычно шунтируется резистором Rбэ, который надежно закрывает транзистор. Об этом резисторе не следует забывать, хотя в некоторых схемах его почему-то нет, что может привести к ложному срабатыванию каскада от помех. Собственно, все про этот резистор знали, но почему-то забыли, и лишний раз наступили на «грабли».

Номинал этого резистора должен быть таким, чтобы при размыкании контакта напряжение на базе не оказалось бы меньше 0,6В, иначе каскад будет неуправляемым, как будто участок Б–Э просто замкнули накоротко. Практически резистор Rбэ ставят номиналом примерно в десять раз больше, нежели Rб. Но даже если номинал Rб составит 10Ком, схема будет работать достаточно надежно: потенциалы базы и эмиттера будут равны, что приведет к закрыванию транзистора.

Такой ключевой каскад, если он исправен, может включить лампочку в полный накал, или выключить совсем. В этом случае транзистор может быть полностью открыт (состояние насыщения) или полностью закрыт (состояние отсечки). Тут же, сам собой, напрашивается вывод, что между этими «граничными» состояниями существует такое, когда лампочка светит вполнакала. В этом случае транзистор наполовину открыт или наполовину закрыт? Это как в задаче о наполнении стакана: оптимист видит стакан, наполовину налитый, в то время, как пессимист считает его наполовину пустым. Такой режим работы транзистора называется усилительным или линейным.

Работа транзистора в режиме усиления сигнала

Практически вся современная электронная аппаратура состоит из микросхем, в которых «спрятаны» транзисторы. Достаточно просто подобрать режим работы операционного усилителя, чтобы получить требуемый коэффициент усиления или полосу пропускания. Но, несмотря на это, достаточно часто применяются каскады на дискретных («рассыпных») транзисторах, и поэтому понимание работы усилительного каскада просто необходимо.

Самым распространенным включением транзистора по сравнению с ОК и ОБ является схема с общим эмиттером (ОЭ). Причина такой распространенности, прежде всего, высокий коэффициент усиления по напряжению и по току. Наиболее высокий коэффициент усиления каскада ОЭ обеспечивается когда на коллекторной нагрузке падает половина напряжения источника питания Eпит/2. Соответственно, вторая половина падает на участке К-Э транзистора. Это достигается настройкой каскада, о чем будет рассказано чуть ниже. Такой режим усиления называется классом А.

При включении транзистора с ОЭ выходной сигнал на коллекторе находится в противофазе с входным. Как недостатки можно отметить то, что входное сопротивление ОЭ невелико (не более нескольких сотен Ом), а выходное в пределах десятков КОм.

Если в ключевом режиме транзистор характеризуется коэффициентом усиления по току в режиме большого сигнала β, то в режиме усиления используется «коэффициент усиления по току в режиме малого сигнала», обозначаемый, в справочниках h31э. Такое обозначение пришло из представления транзистора в виде четырехполюсника. Буква «э» говорит о том, что измерения производились при включении транзистора с общим эмиттером.

Коэффициент h31э, как правило, несколько больше, чем β, хотя при расчетах в первом приближении можно пользоваться и им. Все равно разброс параметров β и h31э настолько велик даже для одного типа транзистора, что расчеты получаются лишь приблизительными. После таких расчетов, как правило, требуется настройка схемы.

Коэффициент усиления транзистора зависит от толщины базы, поэтому изменить его нельзя. Отсюда и большой разброс коэффициента усиления у транзисторов взятых даже из одной коробки (читай одной партии). Для маломощных транзисторов этот коэффициент колеблется в пределах 100…1000, а у мощных 5…200. Чем тоньше база, тем выше коэффициент.

Простейшая схема включения транзистора ОЭ показана на рисунке 5. Это просто небольшой кусочек из рисунка 2, показанного во второй части статьи. Такая схема называется схемой с фиксированным током базы.

Рисунок 5.

Схема исключительно проста. Входной сигнал подается в базу транзистора через разделительный конденсатор C1, и, будучи усиленным, снимается с коллектора транзистора через конденсатор C2. Назначение конденсаторов, – защитить входные цепи от постоянной составляющей входного сигнала (достаточно вспомнить угольный или электретный микрофон) и обеспечить необходимую полосу пропускания каскада.

Резистор R2 является коллекторной нагрузкой каскада, а R1 подает постоянное смещение в базу. С помощью этого резистора стараются сделать так, чтобы напряжение на коллекторе было бы Eпит/2. Такое состояние называют рабочей точкой транзистора, в этом случае коэффициент усиления каскада максимален.

Приблизительно сопротивление резистора R1 можно определить по простой формуле R1 ≈ R2 * h31э / 1,5…1,8. Коэффициент 1,5…1,8 подставляется в зависимости от напряжения питания: при низком напряжении (не более 9В) значение коэффициента не более 1,5, а начиная с 50В, приближается к 1,8…2,0. Но, действительно, формула настолько приблизительна, что резистор R1 чаще всего приходится подбирать, иначе требуемая величина Eпит/2 на коллекторе получена не будет.

Коллекторный резистор R2 задается как условие задачи, поскольку от его величины зависит коллекторный ток и усиление каскада в целом: чем больше сопротивление резистора R2, тем выше усиление. Но с этим резистором надо быть осторожным, коллекторный ток должен быть меньше предельно допустимого для данного типа транзистора.

Схема очень проста, но эта простота придает ей и отрицательные свойства, и за эту простоту приходится расплачиваться. Во – первых усиление каскада зависит от конкретного экземпляра транзистора: заменил транзистор при ремонте, – подбирай заново смещение, выводи на рабочую точку.

Во-вторых, от температуры окружающей среды, – с повышением температуры возрастает обратный ток коллектора Iко, что приводит к увеличению тока коллектора. И где же тогда половина напряжения питания на коллекторе Eпит/2, та самая рабочая точка? В результате транзистор греется еще сильнее, после чего выходит из строя. Чтобы избавиться от этой зависимости, или, по крайней мере, свести ее к минимуму, в транзисторный каскад вводят дополнительные элементы отрицательной обратной связи – ООС.

На рисунке 6 показана схема с фиксированным напряжением смещения.

Рисунок 6.

Казалось бы, что делитель напряжения Rб-к, Rб-э обеспечит требуемое начальное смещение каскада, но на самом деле такому каскаду присущи все недостатки схемы с фиксированным током. Таким образом, приведенная схема является всего лишь разновидностью схемы с фиксированным током, показанной на рисунке 5.

Схемы с термостабилизацией

Несколько лучше обстоит дело в случае применения схем, показанных на рисунке 7.

Рисунок 7.

В схеме с коллекторной стабилизацией резистор смещения R1 подключен не к источнику питания, а к коллектору транзистора. В этом случае, если при увеличении температуры происходит увеличение обратного тока, транзистор открывается сильнее, напряжение на коллекторе уменьшается. Это уменьшение приводит к уменьшению напряжения смещения, подаваемого на базу через R1. Транзистор начинает закрываться, коллекторный ток уменьшается до приемлемой величины, положение рабочей точки восстанавливается.

Совершенно очевидно, что такая мера стабилизации приводит к некоторому снижению усиления каскада, но это не беда. Недостающее усиление, как правило, добавляют наращиванием количества усилительных каскадов. Зато подобная ООС позволяет значительно расширить диапазон рабочих температур каскада.

Несколько сложней схемотехника каскада с эмиттерной стабилизацией. Усилительные свойства подобных каскадов остаются неизменными в еще более широком диапазоне температур, чем у схемы с коллекторной стабилизацией. И еще одно неоспоримое преимущество, – при замене транзистора не приходится заново подбирать режимы работы каскада.

Эмиттерный резистор R4, обеспечивая температурную стабилизацию, также снижает усиление каскада. Это для постоянного тока. Для того, чтобы исключить влияние резистора R4 на усиление переменного тока, резистор R4 шунтирован конденсатором Cэ, который для переменного тока представляет незначительное сопротивление. Его величина определяется диапазоном частот усилителя. Если эти частоты лежат в звуковом диапазоне, то емкость конденсатора может быть от единиц до десятков и даже сотен микрофарад. Для радиочастот это уже сотые или тысячные доли, но в некоторых случаях схема прекрасно работает и без этого конденсатора.

Для того, чтобы лучше понять, как работает эмиттерная стабилизация, надо рассмотреть схему включения транзистора с общим коллектором ОК.

Схема с общим коллектором (ОК) Показана на рисунке 8. Эта схема является кусочком рисунка 2, из второй части статьи, где показаны все три схемы включения транзисторов.

Рисунок 8.

Нагрузкой каскада является эмиттерный резистор R2, входной сигнал подается через конденсатор C1, а выходной снимается через конденсатор C2. Вот тут можно спросить, почему же эта схема называется ОК? Ведь, если вспомнить схему ОЭ, то там явно видно, что эмиттер соединен с общим проводом схемы, относительно которого подается входной и снимается выходной сигнал.

В схеме же ОК коллектор просто соединен с источником питания, и на первый взгляд кажется, что к входному и выходному сигналу отношения не имеет. Но на самом деле источник ЭДС (батарея питания) имеет очень маленькое внутреннее сопротивление, для сигнала это практически одна точка, один и тот же контакт.

Более подробно работу схемы ОК можно рассмотреть на рисунке 9.

Рисунок 9.

Известно, что для кремниевых транзисторов напряжение перехода б-э находится в пределах 0,5…0,7В, поэтому можно принять его в среднем 0,6В, если не задаваться целью проводить расчеты с точностью до десятых долей процента. Поэтому, как видно на рисунке 9, выходное напряжение всегда будет меньше входного на величину Uб-э, а именно на те самые 0,6В. В отличие от схемы ОЭ эта схема не инвертирует входной сигнал, она просто повторяет его, да еще и снижает на 0,6В. Такую схему еще называют эмиттерным повторителем. Зачем же такая схема нужна, в чем ее польза?

Схема ОК усиливает сигнал по току в h31э раз, что говорит о том, что входное сопротивление схемы в h31э раз больше, чем сопротивление в цепи эмиттера. Другими словами можно не опасаясь спалить транзистор подавать непосредственно на базу (без ограничительного резистора) напряжение. Просто взять вывод базы и соединить его с шиной питания +U.

Высокое входное сопротивление позволяет подключать источник входного сигнала с высоким импедансом (комплексное сопротивление), например, пьезоэлектрический звукосниматель. Если такой звукосниматель подключить к каскаду по схеме ОЭ, то низкое входное сопротивление этого каскада просто «посадит» сигнал звукоснимателя, – «радио играть не будет».

Отличительной особенностью схемы ОК является то, что ее коллекторный ток Iк зависит только от сопротивления нагрузки и напряжения источника входного сигнала. При этом параметры транзистора тут вообще никакой роли не играют. Про такие схемы говорят, что они охвачены стопроцентной обратной связью по напряжению.

Как показано на рисунке 9 ток в эмиттерной нагрузке (он же ток эмиттера) Iн = Iк + Iб. Принимая во внимание, что ток базы Iб ничтожно мал по сравнению с током коллектора Iк, можно полагать, что ток нагрузки равен току коллектора Iн = Iк. Ток в нагрузке будет (Uвх – Uбэ)/Rн. При этом будем считать, что Uбэ известен и всегда равен 0,6В.

Отсюда следует, что ток коллектора Iк = (Uвх – Uбэ)/Rн зависит лишь от входного напряжения и сопротивления нагрузки. Сопротивление нагрузки можно изменять в широких пределах, правда, при этом особо усердствовать не надо. Ведь если вместо Rн поставить гвоздь – сотку, то никакой транзистор не выдержит!

Схема ОК позволяет достаточно легко измерить статический коэффициент передачи тока h31э. Как это сделать, показано на рисунке 10.

Рисунок 10.

Сначала следует измерить ток нагрузки, как показано на рисунке 10а. При этом базу транзистора никуда подключать не надо, как показано на рисунке. После этого измеряется ток базы в соответствии с рисунком 10б. Измерения должны в обоих случаях производиться в одних величинах: либо в амперах, либо в миллиамперах. Напряжение источника питания и нагрузка должны оставаться неизменными при обоих измерениях. Чтобы узнать статический коэффициент передачи тока достаточно ток нагрузки разделить на ток базы: h31э ≈ Iн/Iб.

Следует отметить, что при увеличении тока нагрузки h31э несколько уменьшается, а при увеличении напряжения питания увеличивается. Эмиттерные повторители часто строятся по двухтактной схеме с применением комплементарных пар транзисторов, что позволяет увеличить выходную мощность устройства. Такой эмиттерный повторитель показан на рисунке 11.

Рисунок 11.

Рисунок 12.

Включение транзисторов по схеме с общей базой ОБ

Такая схема дает только усиление по напряжению, но обладает лучшими частотными свойствами по сравнению со схемой ОЭ: те же транзисторы могут работать на более высоких частотах. Основное применение схемы ОБ это антенные усилители диапазонов ДМВ. Схема антенного усилителя показана на рисунке 12.

Ранее ЭлектроВести писали, что дожди могут стать новым источником возобновляемой и предельно дешевой энергии: ученые из Гонконга придумали новый тип электрогенератора с высоким КПД и удельной мощностью в тысячу раз большей, чем у существовавших до сих пор других подобных устройств. Их изобретение позволяет получать из падения одной капли воды с высоты 15 см напряжение свыше 140 вольт, а энергии этого падения хватит для питания 100 небольших светодиодных ламп.

По материалам: electrik.info.

полные аналоги импортных транзисторов серии BC8xx от АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»

11.09.2019

В рамках импортозамещения Брянский завод полупроводниковых приборов АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» приступил к серийному выпуску ряда комплементарных пар маломощных высокочастотных биполярных транзисторов КТ228…КТ235, которые являются полными аналогами популярных импортных транзисторов серии ВС8хх, в корпусе для поверхностного монтажа КТ-46 (SOT-23).

Транзисторы данных серий идеально подходят для применения в переключающих и усилительных схемах, генераторах ВЧ-колебаний и в другой РЭА производственно-технического назначения.

Транзисторы поставляются в катушках по 3000 штук, что позволит их использовать при автоматическом монтаже на печатные платы.

Технические храктеристики транзисторов КТ228…КТ235

Название	Аналог	Uкэ max, В	Iк max, А	h31э	Uкэ нас, В	fгр min, МГц
PNP
КТ228А9	ВС807	45	0.5	100 – 600	0.7	80
КТ228Б9	ВС807-16			100 – 250
КТ228В9	ВС807-25			160 – 400
КТ228Г9	ВС807-40			250 – 600
КТ233А9	ВС856	65	0.1	125 – 475	0.65	100
КТ233Б9	ВС856А			125 – 250
КТ233В9	ВС856В			220 – 475
КТ234А9	ВС857	45	0.1	125 – 800	0.65	100
КТ234Б9	ВС857А			125 – 250
КТ234В9	ВС857В			220 – 475
КТ234Г9	ВС857С			420 – 800
КТ235А9	ВС858В	30	0.1	220 – 475	0.65	100
NPN
КТ229А9	ВС817	45	0.5	100 – 600	0.7	100
КТ229Б9	ВС817-16			100 – 250
КТ229В9	ВС817-25			160 – 400
КТ229Г9	ВС817-40			250 – 600
КТ230А9	ВС846	65	0.1	110 – 450	0.6	100
КТ230Б9	ВС846А			110 – 220
КТ230В9	ВС846В			200 – 450
КТ231А9	ВС847	45	0.1	110 – 800	0.6	100
КТ231Б9	ВС847А			110 – 220
КТ231В9	ВС847В			200 – 450
КТ231Г9	ВС847С			420 – 800
КТ232А9	ВС848В	30	0.1	200 – 450	0.6	100

Габариты корпуса КТ-46 (размеры в мм.)

Сколько азотистых оснований в рнк?

Сколько азотистых оснований в днк?

В ДНК встречается четыре вида азотистых оснований (аденин (A), гуанин (G), тимин (T) и цитозин (C)).

Какое азотистое основание днк аналогично Урацилу в Рнк?

Для сокращенного обозначения пользуются большими латинскими буквами. К азотистым основаниям относят аденин (A), гуанин (G), цитозин (C), которые входят в состав как ДНК, так и РНК. Тимин (T) входит в состав только ДНК, а урацил (U) встречается только в РНК.

Что такое комплементарные пары азотистых оснований?

Спаренные основания — пара двух азотистых оснований нуклеотидов на комплементарных цепочках нуклеиновых кислот (противоположных ДНК или одинаковых РНК), соединённая с помощью водородных связей. …

Что соответствует Урацилу?

К азотистым основаниям относят аденин (A), гуанин (G), цитозин (C) и тимин (T), который входит в состав только ДНК, а урацил (U) заменяет его в РНК. … Аденин и гуанин — производные пурина, а цитозин, урацил и тимин — производные пиримидина.

Сколько видов азотистых оснований входит в состав молекулы днк?

Чаще всего в качестве неверного ответа указывают, что в состав молекулы ДНК входит только два типа азотистых оснований. Молекула ДНК состоит из 2 полинуклеотидных цепей, закрученных относительно друг друга в спираль. Каждая цепь ДНК состоит из четырех нуклеотидов: аденина, гуанина, тимина и цитозина.

Сколько аминокислот в днк?

Как известно, в состав ДНК могут входить четыре азотистых основания: аденин (А), гуанин (Г), тимин (Т) и цитозин (Ц). Число сочетаний из 4 по 3 составляет 4 3 = 64 , то есть ДНК может кодировать 64 аминокислоты. Однако всего кодируется только 20 аминокислот.

Что Комплементарно Урацилу?

Комплементарность нуклеиновых кислот

В случае нуклеиновых кислот — как олиго- так и полинуклеотидов, азотистые основания нуклеотидов способны вследствие образования водородных связей формировать парные комплексы аденин—тимин (или урацил в РНК) и гуанин—цитозин при взаимодействии цепей нуклеиновых кислот.

Что удерживает основания в днк?

Что удерживает основания в ДНК? Основания удерживаются за счет длинной цепи из остатков сахаров, называемых дезоксирибозой, каждый из которых связан с фосфатной группой. Эта структура называется сахарофосфатным остовом. Комплементарные основания удерживаются друг с другом за счет водородных связей.

Какое азотистое основание комплементарно Цитозину?

Гуанин – азотистое основание пуринового ряда, оксо- аминопроизводное пурина, входит в состав нуклеотидов нуклеиновых кислот. Комплементарен с цитозином.

Что такое комплементарные пары?

Комплементарные пары отечественных транзисторов — пара транзисторов, сходных (или приблизительно сходных) по абсолютным значениям параметров, но имеющих разные типы проводимостей. … также — комплементарные пары импортных транзисторов.

В чем заключается суть принципа комплементарности?

Водородные связи возникают между радикалами гетероциклических оснований, причем всегда соблюдается следующее правило: тимин всегда соединен с аденином, а цитозин – с гуанином. Эта закономерность и составляет сущность комплементарности.

На чем основан принцип комплементарности?

Принцип комплиментарности — это биологический закон, согласно которому пурины (молекулы, химический каркас которых включает 3 углеродных кольца, в ДНК и РНК это аденин и цитозин) взаимодействуют только с пиримидинами (у них 2 углеродных кольца, в ДНК это тимин и гуанин, а в РНК — урацил).28 мая 2015 г.

Каким образом происходит удвоение днк?

Он происходит в процессе деления клетки на матрице родительской молекулы ДНК. Генетический материал, заключенный в ДНК, удваивается и делится между дочерними клетками. Репликацию ДНК осуществляет специальный фермент — ДНК-полимераза. Цепи ДНК расходятся, и каждая из них становится матрицей.

Почему в днк тимина в Рнк урацил?

По всей вероятности, тимин используется в ДНК вместо урацила для увеличения надежности генетической информации. В противоположность этому РНК не репарируется, и в ней используется урацил, так как он представляет собой менее дорогой строительный блок.

Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)

Характеристики транзисторов КТ829, kt829, внешний вид и цоколевка транзистора, схема замены.

Обозначение транзистора КТ829А на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ829А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Распиновка

Производят данный транзистор в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип корпуса данного прибора — КТ-28 по ГОСТ 18472-2 (зарубежный ТО-220). Весит он не более двух грамм. Имеет следующую цоколевку: 1 — база, 2 — коллектор, 3 — эмиттер.

Очень редко встречается в пластиковом корпусе ТО-252 (КТ-89), например КТ829-А2, со схожей распиновкой. Если смотреть на маркировку указанную на корпусе, то слева на право будут — база, коллектор, эмиттер.

Транзисторы – купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например – “Гулливер”.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях “Радиотехника У-7101 стерео,” “Радиотехника У-101 стерео.” На главную страницу
В начало

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

Характеристики транзистора КТ829А

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(12000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (60) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>750
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>4 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора

Технические параметры

Таблица 1. Технические харакетристики транзисторов КТ829 с буквенными индексами А-Г.

Транзистор	Предельные параметры	Параметры при T = 25°C	RТ п-к, °C/Вт
		при T = 25°C
IК, max, А	IК и, max, А	UКЭ0 гр, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	при TК, °C	Tп max, °C	TК max, °C	h31Э	UКЭ, В	IК, А	UКЭ нас, В	IКЭR, мА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tвкл, мкс	tвыкл, мкс
КТ829А	8	12	100	100	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08
КТ829Б	8	12	80	80	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08
КТ829В	8	12	60	60	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08
КТ829Г	8	12	45	45	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08

Аналог транзистора КТ829

Вместо КТ829 можно использовать схему составного транзистора

KT829A Datasheet (PDF)

0.1. kt829a.pdf Size:33K _no

n-p-n, 829Ik max,A 8Uo (U max)[Ur max],B100U max,B 100P max(P max), 60T max,C 150h31(h31)[S21 ] 750 U(U),B 3 I(I),A 3U ,B 2I(IR), 1500f(fh31), 4R -(R -),/ 2.08

0.2. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia

0.3. kt829a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE

Другие транзисторы… KT826V, KT827A, KT827B, KT827V, KT828A, KT828B, KT828G, KT828V, 2SC1740, KT829B, KT829G, KT829V, KT830, KT830A, KT830G, KT830V, KT834A.

Аналоги транзистора КТ829А

2SD686, 2SD691, 2SD692, BDW23C, BDх53C, BD263A, BD265A, BD267A, BD335, BD647, BD681

Схема эквивалентной замены

Для замены транзистора КТ829 можно использовать пару КТ817 и КТ819, схема эквивалентного включения приведена ниже.

Рис. 5. Эквивалентная схема для замены мощного составного транзистора КТ829.

Скачать даташит на транзистор КТ829: transistor-kt829-datasheet.pdf (75 КБ).

RadioStorage.net.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для КТ829 является КТ853. У него как и у рассматриваемого устройства, ток коллектора 8 А, рассеиваемая мощность с теплоотводом 60 Вт, граничная частота передачи тока 4 МГц.

Производители

В СССР эти приборы изготавливались на Фрязинском заводе имени 50-летия СССР и возможно на Хасавюртском заводе «Эльтав». В настоящее время продолжают выпускать этот транзистор АО «Группа кремний ЭЛ», АО «Элиз» г. Фрязино, а также ЗАО «Кремний Маркетинг» г. Брянск. Кликнув по наименованию предприятия, можно скачать техническое описание (DataShet) на кт829.

( 1 оценка, среднее 5 из 5 )

Чем заменить bc557 – BC557B, BC557C – Биполярные импортные – ТРАНЗИСТОРЫ – Электронные компоненты (каталог) – Delvik.ru – Доска объявлений Перми

обзор параметров и опыт применения российскими радиотехниками

Если вы начали заниматься любительской радиотехникой, вам понадобятся ходовые транзисторы, которые имею широкое применение в радиотехнике и сравнительно низкую цену. В данном обзоре я расскажу вам про комплементарную пару транзисторов BC547 и BC557. Данные транзисторы были куплены в 2013 году и на их основе уже собранно множество электронных схем. Одной из них, я вас познакомлю в данном обзоре. Мы все, часто покупаем Li-Ion аккумуляторы в Китае. Многие из них не имеют защиты, но даже имеющие защиту отключают питание в аварийных ситуациях, когда напряжение на АКБ уменьшится на 2.4-2.6В. В тоже время производители рекомендуют ставить аккумуляторы на зарядку при достижении напряжения 3В. Как быть, если это самодельный фонарь и т.п., как сберечь не дешевые Li-Ion аккумуляторы? Вы сталкивались с такими проблемами? Тогда вам под Кат…

Для начала сообщу, что, как и в остальных обзорах, магазин, в котором я купил данные радиокомпоненты уже не продает данный лот, потому я нашел подобный у другого продавца. Что бы не было сомнения, что я купил данные транзисторы на Али, можно увидеть под спойлером подтверждение покупки:

Ранее эти транзисторы стоили дороже

< Предыдущая		Следующая >

Я постараюсь вкратце рассказать об этих транзисторах, насколько это возможно на не специализированном сайте по радиотехнике, что бы достопочтенная публика, зашедшая в мой обзор из-за любопытства, не стала зевать и скучать. Всем же «технарям» будет достаточно поглядеть на Даташит этих транзисторов, что бы отпали все вопросы: BC547 и BC557
Данные транзисторы комплементарно парные, т.е NPN и PNP транзисторы с близкими по величине коэффициентами передачи тока β.
Краткие характеристики и цоколевка транзистора ниже на схеме:

Я протестировал эти китайские транзисторы, они держат напряжение 30В (коллектор-эмиттер) имеют коэффициент усиления Hfe: 140-160. Я использовал их при максимальном токе коллектора 100мА — выше не рисковал. В общем, заключение по транзисторам — вполне годные высокочастотные транзисторы имеющие высокий коэффициент усиления. Вполне приемлемые характеристики.
На этом бы можно было обзор и закончить…))) Но это не наш метод ©.
Потому мы изготовим очень востребованное устройство, использующее PNP транзистор, регулируемый стабилитрон TL431 и N канальный полевой транзистор (выпаян из старой материнской платы).
При изготовлении самоделок, часто требуется ограничить разряд Li-Ion аккумуляторов, до рекомендуемого производителем минимума в 3В. Чаще всего мы покупаем аккумуляторы без защиты. Но даже если аккумулятор имеет защитную плату, то все равно она скорее пригодна только для аварийного отключения аккумулятора, что бы предотвратить его возгорание или приведение в полную негодность. Схему типовой платы защиты привожу ниже:

Эта схема взята из Даташита микросхемы-контролера DW01, которая имеет очень много китайских аналогов. Данная схема уже приводилась в обзоре на Муське Однако, как я уже отметил, данная схема пригодна только для аварийного отключения аккумулятора и малопригодна для повседневного использования, т.к отключает АКБ при напряжении 2.4-2.6В. Поискав в Интернета, ничего не нашел простого и пригодного для отключения литиевого аккумулятора, потому попросил своего друга по форуму «Паяльник» Владимира 65, смоделировать мне схему под мои нужды. Так и появилась на свет эта схема защиты от переразряда. Привожу её ниже:

Транзистор VT1 — Logic Level P75N02LD (можно любой другой Logic Level)
Транзистор VT2 — BC557
VD1 — TL431
Кнопка S1 (без фиксации) нужна для запуска схемы, после срабатывания защиты, или для принудительного использования заряда батареи, при уровне заряда ниже порогового значения.
На скору руку была изготовлена печатная плата (каюсь, опять из гетинакса), впаяны детали. Полевой транзистор можно использовать со старых материнских плат, обычно там несколько штук N канальных Logic Level транзисторов. Транзистор распаян со стороны печатных дорожек.

ссылка на схему в формате lay
Тестирование проводилось при помощи Лабораторного блока питания и лампочки в качестве нагрузки. Результат тестирования Вы можете увидеть ниже на фото:

Напряжение отсечки выставлено на 3В, на фото видно, что еще при 3.1В лампочка горит, а при 3В полевой транзистор закрывается и лампочка обесточивается. Сама схема выполнена таким образом, что после достижения на аккумуляторе порогового напряжения, схема защиты тоже отключается от аккумулятора. Потому пришлось ввести в схему кнопку без фиксации, нажатие на которую открывает транзистор. Так же эту кнопку можно использовать для принудительного использования энергии аккумулятора, даже если напряжение на нем ниже порогового уровня… Эта функция бывает востребована, что бы не в полной в темноте искать зарядное устройство))) В заключение покажу кемпинговый фонарь, куда я встроил эту схему защиты от разряда…

На этом фото (ниже) видно комбинированную схему, зарядного устройства совмещенной с схемой защитного устройства на smd элементах
Вот такой коротенький обзор сегодня… Вопросы скидывайте в комментариях, постараюсь ответить всем.
UPD: Поскольку много вопросов в комментариях, расскажу как работает схема ограничения.
Полевой транзистор можно представить электронным выключателем (по сути он это и есть), при появлении напряжения на его затворе, он открывается и будет открытым, пока напряжение на затворе не исчезнет. В момент кратковременного замыкания кнопки, питание появляется на TL431, и если напряжение выше выставленного порога, то TL открывается и открывает полевой транзистор. В таком положении, все будет находиться, до тех пор пока напряжение упадет ниже порога. Порог выставляется подстроечным резистором. Таким образом обобщим:
1. Если к схеме присоединить литиевый аккумулятор, то ничего не произойдет, не смотря на уровень зарядки аккумулятора.
2. Если нажать кратковременно кнопку, то если напряжение на аккумуляторе выше 3В, то схема сработает, если ниже 3В, то ничего не произойдет.
3. Если поставить на зарядку аккумулятор, не отключая плату защиты, то тоже ничего не произойдет, даже если акб полностью зарядится, пока вы не нажмете кнопку, а дальше 2 варианта рассмотренных в п.2.
4. Варианта отключить схему защиты нет, после открытия полевого транзистора, схема остается во «включенном» состоянии и кушает, пусть небольшой ток, но все же кушает. Помогает только «передергивание» аккумулятора. Ток потребляемый платой защиты можно снизить увеличив номинал резисторов делителя R5-R6.
Теперь почему я собрал эту схему и получил справедливую критику от нашего профессора kirich: в 2013 году не было зарядных устройств с защитой АКБ от глубокого разряда, потому я даже купил у китайцев набор и 10 микросхем DW01 и двойных полевиков (8 ножковая микросхема) стоимостью 6.8 баксов. Подтверждение покупки под спойлером
Покупка

Если бы это было доступно как сейчас, то я бы не маялся «дурью»…
Некоторые плюсы моей схемы:
1. Её можно очень легко перестроить под другое напряжение, отличное от напряжения литиевого аккумулятора
2. Можно всячески менять схему, например вынести TL431 и 2 резистора делителя, перед полевиком, тогда схема начнет работать по другому, автоматически отключатся при пороговом напряжении, и автоматически включатся если напряжение подымется выше порога (при зарядке, к примеру), но при напряжении около порога будет небольшая светомузыка, т.к нет гистерезиса))) Ну может кому то это надо…
UPD2: Вот еще схема, правда тестировалась только в мультисиме, в железе не собиралась.
Добавил в схему защиты выключатель нагрузки. Нефиксируемая кнопка на замыкание последовательно включает и выключает нагрузку. Функция защиты от разряда сохранилась. Схема только в мультисиме, в железе не проверялась.
UPD3: ~~Ну раз пошла такая пьянка, режь последний огурец~~… Еще схемы… Правда от цен на супервизоры просто охреневаю…
mysku.ru
ТРАНЗИСТОР BC547 и BC557

Цоколевка транзистора BC547

Характеристики транзистора BC547
Структура – n-p-n

Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В

Напряжение коллектор-база, не более: 50 В

Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V

Ток коллектора, не более: 0.1 А

Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт

Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 110 до 800

Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц

Корпус: TO-92

Комплементарная пара
Комплементарной парой для BC547 является транзистор BC557 c p-n-p структурой.
Аналоги
Транзистор BC547 можно заменить на BC546, BC550

Характеристики транзистора BC557
Структура – p-n-p

Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В

Напряжение коллектор-база, не более: -50 В

Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V

Ток коллектора, не более: -0.1 А

Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт

Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe ): от 110 до 800

Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц

Корпус: TO-92

Комплементарная пара
Комплементарной парой для BC557 является транзистор BC547 c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор BC557 можно заменить на BC556, BC560

< Предыдущая Следующая >
bsh2.ru
Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах.
Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах.
Пример – популярная схема переговорного устройства(уоки – токи) на 27мГц.
Схема состоит из двух компонентов – LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом.
Режимы прием – передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.
В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 – VT5) и два комплементарных BC557(VT3 – VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450).
Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 – его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.
Конденсаторы C1 – C11 слюдяные, C12 – C13 – оксидные(электролитические), любого типа.
Катушка генератора L1 – 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника).
Катушка L2 – 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом.
Антенной служит безкаркасная катушка – пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 – 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

На главную страницу
elektrikaetoprosto.ru
Транзистор комплементарной пары
– купить транзистор комплементарной пары с бесплатной доставкой на AliExpress
Отличные новости !!! Вы находитесь в нужном месте в поисках транзистора с комплементарной парой. К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально есть тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях. Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.
Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку и надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.
AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене.Каждый день вы найдете новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, поскольку этот верхний транзистор с комплементарной парой скоро станет одним из самых востребованных бестселлеров. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что купили дополнительную пару транзисторов на AliExpress. Благодаря самым низким ценам в Интернете, дешевым тарифам на доставку и возможности получения на месте вы можете еще больше сэкономить.
Если вы все еще не уверены в транзисторе с комплементарной парой и думаете о выборе аналогичного продукта, AliExpress – отличное место для сравнения цен и продавцов. Мы поможем вам решить, стоит ли доплачивать за высококлассную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь. И, если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе. Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца. Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг и часто имеет комментарии, оставленные предыдущими клиентами, описывающими их опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз.Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово – просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.
А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет. Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны – и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress.Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, вы сможете приобрести транзистор с дополнительной парой по самой выгодной цене.
У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы. На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните самый лучший шоппинг прямо здесь.
Import ON ON Semiconductor D44h21 D45h21 Complementary Pairing Transis – Kartzapper.com
Доставка, отслеживание заказа и доставка?
Наши торговые представители доступны Пн-Сб: 9:30 до 18:00 , Вы можете отслеживать свои заказы по номеру службы поддержки клиентов 8448188526. Если вы используете мобильный веб-сайт Kartzapper.com , вы можно нажать один раз, коснуться подключения, чтобы позвонить в нашу службу поддержки клиентов.
Каковы правила доставки Kartzapper.com для оптовых заказов?
Мы стремимся доставлять грузы, закупленные через Kartzapper.com, в отличном состоянии и в кратчайшие сроки. Ваш заказ будет застрахован от повреждений, связанных с транспортировкой, и может быть востребован в случае любого непредвиденного ущерба. Мы доставляем ваши заказы в течение 7-60 дней в зависимости от размера и индивидуальных требований. Однако, если ваш заказ не будет доставлен вам в течение 75 дней с момента оплаты, вы должны потребовать возмещения, которое наша команда с радостью одобрит.
Как мне проверить статус моего заказа?
Нажмите на раздел «Мои заказы» в главном меню приложения / веб-сайта, чтобы проверить статус вашего заказа. Мы также будем отправлять сообщение и электронное письмо на каждом этапе процесса доставки.
Как я могу проверить, выполняет ли Kartzapper.com мой ПИН-код?
Пин-код, как правило, не является ограничением в Индии для крупных заказов, поскольку мы доставим посылку в ближайший к вам контакт-центр.
Мы связались с контактными центрами по всей стране.Чтобы снизить стоимость доставки, от вас могут потребовать организовать вывоз партии товара из ближайшего контакт-центра наиболее экономичным и подходящим для вас способом.
Доставляет ли Kartzapper.com оптовые поставки за пределы Индии?
Да, мы отправляем товары и за пределы Индии, однако оплата будет отдельной, и вы должны будете предоставить документы, удостоверяющие личность. Пожалуйста, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов, если вы находитесь за пределами Индии и хотите сделать заказ через Kartzapper.com.
Как я могу быстрее доставить свой груз?
У вас есть возможность самостоятельно выбрать срок доставки на вкладке доставки на каждой странице продукта. Как правило, рекомендуется выбирать наиболее экономичную услугу в соответствии с вашим бизнесом.
Какова политика Kartzapper.com в отношении доставки образцов?
Мы стремимся доставить образцы, полученные через Kartzapper.com, в отличном состоянии и в кратчайшие сроки. Для образцов мы взимаем с вас часть стоимости доставки на основе вашего пин-кода.То же самое будет добавлено к стоимости вашего заказа перед оформлением заказа.
Если посылка утеряна или не будет доставлена в желаемое место, мы вернем полную сумму заказа, включая все расходы по доставке, при оплате через Интернет.
Если вы вернете доставленный вам заказ, стоимость доставки также будет возмещена. Kartzapper.com просто вычтет расходы на возврат и доставку из вашего возмещения, которое будет основано на фактической стоимости. Однако, если вы отправите свой возврат самостоятельно, мы возместим расходы на самовывоз на основе Kartzapper.com Политика возврата. Для учетных записей, поведение которых при возврате нарушает нашу политику справедливого использования, стоимость доставки не возвращается.
* Стоимость заказа рассчитывается с учетом скидок / НДС / GST или любых других применимых сборов.
Мы стремимся доставлять грузы, закупленные через Kartzapper.com, в отличном состоянии и в кратчайшие сроки. Ваш заказ будет застрахован от повреждений, связанных с транспортировкой, и может быть востребован в случае любого непредвиденного ущерба. Мы доставляем ваши заказы в течение 7-60 дней в зависимости от размера и индивидуальных требований.Однако, если ваш заказ не будет доставлен вам в течение 75 дней с момента оплаты, вы должны потребовать возмещения, которое наша команда с радостью одобрит.
Какова политика добросовестного использования Kartzapper.com?
Мы стремимся предоставить нашим клиентам лучший опыт. Тем не менее, некоторые учетные записи возвращают большую часть товаров или предпочитают не принимать наши поставки. Мы хотим воспрепятствовать несправедливому использованию нашей либеральной политики возвращения. Чтобы защитить права наших клиентов, мы оставляем за собой право взимать плату за доставку по всем заказам и отключать опцию наложенного платежа для аккаунтов, которые имеют высокий процент возвратов и отправлений, не принятых по стоимости размещенных заказов.
Как мне проверить статус моего заказа?
Нажмите на раздел «Мои заказы» в главном меню приложения / веб-сайта, чтобы проверить статус вашего заказа.
Как я могу проверить, выполняет ли Kartzapper.com мой ПИН-код?
Вы можете узнать, доставляет ли Kartzapper.com ваш ПИН-код, с помощью инструмента курьерской службы, доступного на странице продукта. Нажмите «Проверить варианты доставки» и введите ПИН-код своего региона в соответствующее поле, чтобы получить необходимую информацию о стандартном времени доставки заказа и наличии наложенного платежа для выбранного продукта.ПИН-коды, которые мы обслуживаем, часто обновляются, поэтому, если мы не доставим ваш ПИН-код сегодня, вернитесь и проверьте, не изменилось ли оно. Этот инструмент не требуется для оптовых заказов, так как мы отправим товары в ближайший пункт выдачи в вашем районе, где вы сможете забрать посылку, если доставка на пороге невозможна.
Как мне доставляются образцы, приобретенные на Kartzapper.com?
Все заказы, размещенные на Kartzapper.com, отправляются через нашу собственную курьерскую службу – Kartzapper.com Logistics или через других курьерских партнеров, таких как Blue Dart, Delhivery, Ecom-express и т. д.
Доставляет ли Kartzapper.com образцы за пределы Индии?
Да, мы доставляем образцы и за пределы Индии, однако оплата будет отдельной, и вы должны будете предоставить документы, удостоверяющие личность. Пожалуйста, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов, если вы находитесь за пределами Индии и хотите заказать образец на Kartzapper.com.
Как я могу быстрее доставить свой заказ?
К сожалению, в настоящее время у нас нет услуг по ускорению доставки заказа.В будущем, если мы будем предлагать такую услугу и пин-код вашего региона пригоден для обслуживания, вы получите сообщение с нашей стороны.
Некоторые товары будут отмечены как образцы быстрой доставки, и вы можете заказать их, чтобы получить быструю доставку в течение 2-7 дней.
Я получил частичный / частичный заказ или Нежелательный / недействительный пакет?
Пожалуйста, свяжитесь с нами по поводу кражи в течение 48 часов с момента доставки, в противном случае претензия не будет рассмотрена. В ходе расследования мы просим вас принять к сведению следующие моменты.
Не используйте товар, по которому предъявляются претензии.
Вам может потребоваться такая информация, как краткое описание дела (будет предложено несколько вопросов, чтобы помочь нам разобраться в сценарии)
Моментальные снимки пакета и других коробок (если есть) (Попытайтесь закрыть стороны, которые, по мнению пользователей, выглядят испорченными / поврежденными.
Возврат по предоплаченным заказам / заказам наложенным платежом будет произведен после расследования
Вы не несете ответственности за возмещение, если он / она попадает в любой из сценариев, указанных ниже:
Отсутствие адекватной информации по делу:
Отсутствие снимков пакета и коробки (если есть)
Если была получена посылка о хищении, претензии о хищении должны быть предъявлены в тот же день.
Запрещается выбрасывать упаковку в течение 3-4 дней после доставки. Возможно, нам потребуется забрать вашу упаковку для расследования на нашей стороне.
Вы использовали товар, по которому была подана претензия.
В случае отсутствия какого-либо компонента в многокомпонентном элементе, таком как Kurta, Простыни, комплекты внутреннего износа и т. Д., Будет предоставлена только возможность обмена на основании эксплуатационной готовности и типа продукта
Транзистор
– Энциклопедия Нового Света
Транзистор – это полупроводниковое устройство, которое использует небольшое количество напряжения или электрического тока для управления большим изменением напряжения или тока.Благодаря быстрому отклику и точности он может использоваться в самых разных приложениях, включая усиление, переключение, стабилизацию напряжения, модуляцию сигнала и в качестве генератора. Транзистор является фундаментальным строительным блоком как цифровых, так и аналоговых схем – схемы, которая управляет работой компьютеров, сотовых телефонов и всей другой современной электроники. Транзисторы могут быть упакованы индивидуально или как часть интегральной схемы, которая может содержать тысячи транзисторов на очень небольшой площади.
Введение
Современные транзисторы делятся на две основные категории: транзисторы с биполярным переходом (BJT) и полевые транзисторы (FET). Приложение тока в транзисторах BJT и напряжения в полевых транзисторах между входными и общими клеммами увеличивает проводимость между общей и выходной клеммами, тем самым контролируя протекание тока между ними.
Термин «транзистор» первоначально относился к типу точечного контакта, но он имел очень ограниченное коммерческое применение, будучи замененным гораздо более практичным типом биполярного перехода в начале 1950-х годов.По иронии судьбы, и сам термин «транзистор», и наиболее широко используемое для него сегодня схематическое обозначение – это именно те, которые конкретно относятся к этим давно устаревшим устройствам; ^[1] попыток представить более точные версии ни к чему не привели.
В аналоговых схемах транзисторы используются в усилителях (усилители постоянного тока, усилители звука, усилители радиочастоты) и источниках питания с линейной регулировкой. Транзисторы также используются в цифровых схемах, где они функционируют как электронные переключатели, но редко как дискретные устройства, почти всегда включаемые в монолитные интегральные схемы.Цифровые схемы включают логические элементы, оперативную память (RAM), микропроцессоры и процессоры цифровых сигналов (DSP).
История
Первые три патента на принцип полевого транзистора были зарегистрированы в Германии в 1928 году физиком Юлиусом Эдгаром Лилиенфельдом, но Лилиенфельд не опубликовал исследовательских статей о своих устройствах, и они были проигнорированы промышленностью. В 1934 году немецкий физик доктор Оскар Хайль запатентовал еще один полевой транзистор. Нет прямых доказательств того, что эти устройства были построены, но более поздние работы в 1990-х годах показывают, что одна из разработок Лилиенфельда работала, как описано, и дала значительную выгоду.Юридические документы из патента Bell Labs показывают, что Шокли и Пирсон построили операционные версии на основе патентов Лилиенфельда, но они никогда не ссылались на эту работу ни в одной из своих более поздних исследовательских работ или исторических статей. ^[2]
16 декабря 1947 года Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн построили первый практический точечный транзистор в Bell Labs. Эта работа была результатом их усилий во время войны по созданию сверхчистых германиевых “кристаллических” смесительных диодов, используемых в радиолокационных устройствах в качестве элемента частотного смесителя в микроволновых радиолокационных приемниках.Ранняя ламповая технология не использовалась достаточно быстро для этой роли, что вынудило команду Bell использовать вместо нее твердотельные диоды. Обладая этими знаниями, они обратились к разработке триода, но обнаружили, что это совсем не просто. В конце концов Бардин разработал новую ветвь физики поверхности, чтобы объяснить «странное» поведение, которое они наблюдали, и Бардин и Браттейн в конце концов сумели построить работающее устройство.
Bell Telephone Laboratories потребовалось общее название для нового изобретения: «Полупроводниковый триод», «Твердый триод», «Триод с поверхностными состояниями», «Кристаллический триод» и «Иотатрон» все рассматривались, но «транзистор» придумал Джон Р.Пирс выиграл внутреннее голосование. Обоснование названия приводится в следующем отрывке из Технического меморандума компании, призывающего к голосованию:
Транзистор. Это сокращенная комбинация слов «крутизна» или «передача» и «варистор». Устройство логически относится к семейству варисторов и имеет крутизну или передаточный импеданс устройства с усилением, так что эта комбинация является описательной.
Bell Telephone Laboratories – Технический меморандум (28 мая 1948 г.)
Пирс вспомнил название несколько иначе:
Я дал название, чтобы понять, что делает устройство.И в то время это должен был быть двойник вакуумной лампы. Электронная лампа имела крутизну, поэтому транзистор имел «трансрезистентность». И название должно совпадать с названиями других устройств, таких как варистор и термистор. И… я предложил название «транзистор».
Джон Р. Пирс дал интервью для шоу PBS “Transistorized!”
Bell немедленно запустила ограниченное производство точечных транзисторов в Western Electric в Аллентауне, штат Пенсильвания.Были продемонстрированы прототипы полностью транзисторных AM-радиоприемников, но на самом деле это были лишь лабораторные диковинки. Однако в 1950 году Шокли разработал принципиально другой тип твердотельного усилителя, который стал известен как «транзистор» с биполярным переходом. Хотя он работает по совершенно иному принципу, чем точечный «транзистор», это устройство, которое сегодня чаще всего называют «транзистором». Они также были лицензированы рядом других компаний-производителей электроники, включая Texas Instruments, которые производили ограниченную серию транзисторных радиоприемников в качестве инструмента продаж.Ранние транзисторы были химически «нестабильными» и подходили только для маломощных низкочастотных приложений, но по мере развития конструкции транзистора эти проблемы постепенно преодолевались.
Первым коммерческим транзисторным радиоприемником в мире, который часто ошибочно приписывают Sony, был Regency TR-1, созданный Regency Division I.D.E.A. (Industrial Development Engineering Associates) из Индианаполиса, штат Индиана, о котором было объявлено 18 октября 1954 года. Он был выставлен на продажу в ноябре 1954 года по цене 49,95 доллара (что эквивалентно 361 доллару в долларах 2005 года) и продано около 150 000 единиц.Он использовал четыре NPN-транзистора и питался от батареи на 22,5 В.
Акио Морита, соучредитель японской фирмы Tokyo Tsushin Kogyo, находился с визитом в США, когда Bell Labs объявила о наличии производственных лицензий, включая подробные инструкции по производству переходных транзисторов. Morita получил специальное разрешение от Министерства финансов Японии на оплату лицензионного сбора в размере 50 000 долларов, а в 1955 году компания представила собственное «карманное» радио под торговой маркой Sony.(Термин «карман» был предметом некоторой интерпретации, поскольку Sony, как известно, делала специальные рубашки с большими карманами для своих продавцов). Вскоре за этим продуктом последовали более амбициозные разработки, но, как правило, он считается началом роста Sony в производственную сверхдержаву.
В течение следующих двух десятилетий транзисторы постепенно заменили более ранние электронные лампы в большинстве приложений, а позже сделали возможным появление многих новых устройств, таких как интегральные схемы и персональные компьютеры.
Шокли, Бардин и Браттейн были удостоены Нобелевской премии по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Бардин впоследствии получил вторую Нобелевскую премию по физике, один из двух человек, получивших более одного в той же дисциплине, за свою работу по исследованию сверхпроводимости.
В августе 1948 года немецкие физики Герберт Ф. Матаре (1912–) и Генрих Велкер (около 1912–1981), работавшие в Compagnie des Freins et Signaux Westinghouse в Париже, Франция, подали заявку на патент на усилитель на основе неосновной несущей. процесс впрыска, который они назвали «транзистроном».«Поскольку Bell Labs не объявляла о транзисторе публично до июня 1948 года, транзистрон считался разработанным независимо. Матаре впервые наблюдал эффекты крутизны при производстве германиевых дуодиодов для немецкого радиолокационного оборудования во время Второй мировой войны. Транзистроны производились для коммерческих целей. французской телефонной компании и вооруженных сил, а в 1953 году на Дюссельдорфской радиоварке был продемонстрирован твердотельный радиоприемник с четырьмя транзистронами.
Типы
Транзисторы подразделяются на:
Полупроводниковые материалы: германий, кремний, арсенид галлия, карбид кремния
Структура: BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, «другие типы»
Полярность: NPN, PNP, N-канал, P-канал
Максимальная номинальная мощность: низкая, средняя, высокая
Максимум рабочая частота: низкая, средняя, высокая, радиочастота (RF), микроволновая печь (максимальная эффективная частота транзистора обозначается термином fT {\ di splaystyle f _ {\ mathrm {T}}}, сокращение от «частота перехода.«Частота перехода – это частота, на которой транзистор дает единичное усиление).
Применение: переключатель, общего назначения, аудио, высокое напряжение, супер-бета, согласованная пара. поверхностный монтаж, массив шариковой сетки
Таким образом, конкретный транзистор может быть описан как: кремний, поверхностный монтаж, BJT, NPN, маломощный, высокочастотный переключатель.
Транзистор с биполярным переходом
Транзистор с биполярным переходом (BJT) был первым типом транзистора, который производился серийно.Биполярные транзисторы названы так потому, что они проводят с использованием как мажоритарных, так и неосновных носителей. Три клеммы BJT называются эмиттером , базой и коллектором . Два p-n перехода существуют внутри BJT: переход база / эмиттер, и переход база / коллектор. BJT обычно описывается как устройство, работающее от тока, потому что ток коллектора / эмиттера регулируется током, протекающим между выводами базы и эмиттера.В отличие от полевого транзистора, BJT представляет собой устройство с низким входным сопротивлением. Из-за этой экспоненциальной зависимости BJT имеет более высокую крутизну, чем FET.
Биполярные транзисторы могут быть сделаны проводящими светом, поскольку поглощение фотонов в основной области генерирует фототок, который действует как базовый ток; ток коллектора примерно в бета раз больше фототока. Устройства, предназначенные для этой цели, имеют в корпусе прозрачное окошко и называются фототранзисторами.
Полевой транзистор
Полевой транзистор (FET), иногда называемый униполярным транзистором , использует либо электроны (N-канальный FET), либо отверстия (P-канальный FET) для проводимости.Четыре вывода полевого транзистора названы истоком , затвором , стоком , и корпусом (подложка). На большинстве полевых транзисторов корпус соединен с источником внутри корпуса, и это предполагается в следующем описании.
Напряжение, приложенное между затвором и истоком (корпусом), управляет током, протекающим между стоком и истоком. По мере увеличения напряжения затвор / исток (Vgs) ток стока / истока (Ids) увеличивается параболически.В полевых транзисторах ток стока / истока протекает через проводящий канал около затвора . Этот канал соединяет сток , область с источником , область . Проводимость канала изменяется электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным между выводами затвор / исток. Таким образом регулируется ток, протекающий между стоком и истоком.
Полевые транзисторы
делятся на два семейства: полевые транзисторы с переходом (JFET) и полевые транзисторы с изолированным затвором (IGFET).IGFET более известен как металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET) из-за их первоначальной конструкции как слой металла (затвор), слой оксида (изоляция) и слой полупроводника. В отличие от IGFET, затвор JFET образует PN-диод с каналом, который находится между истоком и стоком. Функционально это делает N-канальный полевой транзистор JFET твердотельным эквивалентом триода для электронных ламп, который аналогично образует диод между своей сеткой и катодом. Кроме того, оба устройства работают в режиме истощения , они оба имеют высокий входной импеданс, и оба они проводят ток под управлением входного напряжения.
MESFET – это полевые транзисторы JFET, в которых обратносмещенный PN-переход заменен переходом Шоттки полупроводник-металл. Они, а также HEMFET (полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов), в которых для переноса заряда используется двумерный электронный газ с очень высокой подвижностью носителей, особенно подходят для использования на очень высоких частотах (микроволновые частоты; несколько ГГц).
В отличие от биполярных транзисторов, полевые транзисторы не усиливают фототок. Тем не менее, есть способы использовать их, особенно JFET, в качестве светочувствительных устройств, используя фототоки в переходах канал-затвор или канал-тело.
Полевые транзисторы
дополнительно делятся на типы с режимом истощения и с режимом улучшения , в зависимости от того, включен или выключен канал с нулевым напряжением затвор-исток. Для режима улучшения канал отключен при нулевом смещении, и потенциал затвора может «улучшить» проводимость. В режиме истощения канал включен при нулевом смещении, и потенциал затвора (противоположной полярности) может «истощить» канал, уменьшая проводимость. Для любого режима более положительное напряжение затвора соответствует большему току для N-канальных устройств и более низкому току для P-канальных устройств.Почти все полевые транзисторы JFET работают в режиме истощения, поскольку диодные переходы имели бы прямое смещение и проводимость, если бы они были устройствами в режиме улучшения; большинство IGFET – это типы расширенного режима.
Другие типы транзисторов
Биполярный транзистор с гетеропереходом (HBT) – это усовершенствованный биполярный транзистор (BJT), который может обрабатывать сигналы очень высоких частот до нескольких сотен ГГц. Это распространено в современных сверхбыстрых цепях, в основном в радиочастотных (RF) системах.
Однопереходные транзисторы могут использоваться как простые генераторы импульсов.Они состоят из основного корпуса полупроводника P-типа или N-типа с омическими контактами на каждом конце (клеммы Base1 и Base2 ). Переход с полупроводником противоположного типа формируется в точке по длине корпуса для третьего вывода (эмиттер).
Полевые транзисторы с двумя затворами имеют один канал с двумя затворами в каскоде; конфигурация, оптимизированная для высокочастотных усилителей, смесителей и генераторов.
Матрицы транзисторов используются для приложений общего назначения, генерации функций и низкоуровневых малошумящих усилителей.Они включают в себя два или более транзисторов на общей подложке для обеспечения точного согласования параметров и теплового отслеживания, характеристик, которые особенно важны для усилителей с длинными хвостовиками.
Транзисторы Дарлингтона содержат биполярный транзистор средней мощности, подключенный к силовому биполярному транзистору. Это обеспечивает высокий коэффициент усиления по току, равный произведению коэффициентов усиления по току двух транзисторов. Силовые диоды часто подключаются между определенными клеммами в зависимости от конкретного использования.
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT-транзистор) использует IGFET средней мощности, аналогично подключенный к силовому BJT, чтобы обеспечить высокое входное сопротивление.Силовые диоды часто подключаются между определенными клеммами в зависимости от конкретного использования. БТИЗ особенно подходят для тяжелых промышленных приложений.
Одноэлектронные транзисторы (SET) состоят из островка затвора между двумя туннельными переходами. Туннельный ток регулируется напряжением, подаваемым на затвор через конденсатор. [1] [2]
Наножидкостный транзистор Управляйте движением ионов через субмикроскопические каналы, заполненные водой. Нанофлюидный транзистор – основа будущих химических процессоров.
Триггерные транзисторы (прототип Intel, также известные как трехмерные транзисторы) используют один затвор, который уложен поверх двух вертикальных затворов, что позволяет электронам перемещаться по поверхности в три раза больше.
Лавинные транзисторы способны переключать очень высокие токи с временем нарастания и спада менее наносекунд (время перехода).
Баллистический транзистор, электроны проносятся сквозь лабиринт.
Спиновые транзисторы являются магниточувствительными устройствами.
Тонкопленочные транзисторы используются в ЖК-дисплеях.
Транзисторы с плавающим затвором используются для энергонезависимой памяти.
Фототранзисторы реагируют на свет
Полевой транзистор с перевернутой Т-образной схемой, часть устройства проходит вертикально из горизонтальной плоскости в виде перевернутой Т-образной формы, отсюда и название.
Ионно-чувствительные полевые транзисторы для измерения концентрации ионов в растворе.
FinFET Область истока / стока образует ребра на поверхности кремния.
FREDFET Эпитаксальный диодный полевой транзистор с быстрым реверсом
EOSFET Электролит-оксид-полупроводниковый полевой транзистор (нейрочип)
Полупроводниковые материалы
Первые BJT были изготовлены из германия (Ge) и некоторых высокомощных типов. все еще есть. Типы кремния (Si) в настоящее время преобладают, но в некоторых усовершенствованных микроволновых и высокопроизводительных версиях теперь используется составной полупроводник , арсенид галлия (GaAs) и полупроводниковый сплав , кремний-германий (SiGe).Одноэлементные полупроводниковые материалы (Ge или Si) описываются как «элементарные».
Упаковка
Транзисторы со сквозным отверстием (рулетка, отмеченная в сантиметрах)
Транзисторы бывают разных корпусов (держателей микросхем). Две основные категории: для сквозного монтажа (или с выводами ) и для поверхностного монтажа, также известное как устройство для поверхностного монтажа (технология поверхностного монтажа, SMD). «Ball grid array» (BGA) – это новейший корпус для поверхностного монтажа (в настоящее время только для больших массивов транзисторов).Он имеет припойные «шарики» на нижней стороне вместо выводов. Поскольку они меньше по размеру и имеют более короткие межсоединения, SMD имеют лучшие высокочастотные характеристики, но более низкую номинальную мощность.
Корпуса транзисторов изготавливаются из стекла, металла, керамики или пластика. Пакет часто диктует номинальную мощность и частотные характеристики. Силовые транзисторы имеют большие корпуса, которые можно прикрепить к радиаторам для улучшения охлаждения. Кроме того, у большинства силовых транзисторов коллектор или сток физически соединены с металлической банкой / металлической пластиной.С другой стороны, некоторые «микроволновые» транзисторы для поверхностного монтажа размером с песчинки.
Часто транзисторы определенного типа доступны в разных корпусах. Пакеты транзисторов в основном стандартизированы, но назначение функций транзистора клеммам нет: разные типы транзисторов могут назначать разные функции клеммам корпуса. Назначение выводов может меняться даже для одного и того же типа транзистора (обычно обозначается буквой суффикса к номеру детали, например, BC212L и BC212K).
Использование
На заре создания транзисторных схем биполярный переходной транзистор (или BJT) был наиболее часто используемым транзистором. Даже после того, как полевые МОП-транзисторы стали доступны, BJT оставался предпочтительным транзистором для цифровых и аналоговых схем из-за простоты их изготовления и скорости. Тем не менее, полевой МОП-транзистор имеет несколько желаемых свойств для цифровых схем, и крупные достижения в области цифровых схем подтолкнули конструкцию МОП-транзистора к современному уровню техники. MOSFET теперь широко используются как для аналоговых, так и для цифровых функций.
Коммутаторы
Транзисторы обычно используются в качестве электронных переключателей как для мощных приложений, включая импульсные источники питания, так и для маломощных приложений, таких как логические вентили.
Усилители
Огромное количество продуктов, от мобильных телефонов до телевизоров, включает усилители для воспроизведения звука, радиопередачи и обработки сигналов. Первые дискретные транзисторные усилители звука едва выдавали несколько сотен милливатт, но мощность и точность воспроизведения звука постепенно увеличивались по мере появления лучших транзисторов и развития архитектуры усилителя.
Транзисторы обычно используются в усилителях современных музыкальных инструментов, где схемы мощностью до нескольких сотен ватт являются обычными и относительно дешевыми. Транзисторы в значительной степени заменили клапаны в инструментальных усилителях. Некоторые производители усилителей для музыкальных инструментов смешивают в одной цепи транзисторы и вакуумные лампы, чтобы использовать преимущества обоих устройств.
Компьютеры
Электронные компьютеры «первого поколения» использовали вакуумные лампы, которые выделяли большое количество тепла, были громоздкими и ненадежными.Разработка транзистора была ключом к миниатюризации и надежности компьютера. Компьютеры «второго поколения», существовавшие в конце 1950-х и 1960-х годах, имели платы, заполненные отдельными транзисторами и сердечниками магнитной памяти. Впоследствии транзисторы, другие компоненты и их необходимая проводка были объединены в единый массовый компонент: интегральную схему. Транзисторы, встроенные в интегральные схемы, заменили большинство дискретных транзисторов в современных цифровых компьютерах.
Важность
Многие считают транзистор одним из величайших изобретений в современной истории, занимающим важное место в печатном станке, автомобиле и телефоне. Это ключевой активный компонент практически во всей современной электронике. Его важность в современном обществе основывается на его способности массового производства с использованием высокоавтоматизированного процесса (изготовления), который позволяет достичь исчезающе низких затрат на транзистор.
Хотя миллионы отдельных (известных как дискретный ) транзисторов все еще используются, подавляющее большинство транзисторов изготовлено в виде интегральных схем (часто сокращенно IC и также называемых микрочипами или просто микросхемами ) вместе с диодами. , резисторы, конденсаторы и другие электронные компоненты для изготовления законченных электронных схем.Логический вентиль состоит примерно из двадцати транзисторов, тогда как усовершенствованный микропроцессор, по состоянию на 2006 год, может использовать до 1,7 миллиарда транзисторов (MOSFET) [3].
Низкая стоимость, гибкость и надежность транзистора сделали его универсальным устройством для немеханических задач, таких как цифровые вычисления. Транзисторные схемы также заменили электромеханические устройства для управления приборами и механизмами. Часто дешевле и эффективнее использовать стандартный микроконтроллер и написать компьютерную программу для выполнения функции управления, чем разработать эквивалентную функцию механического управления.
Из-за низкой стоимости транзисторов и, следовательно, цифровых компьютеров, существует тенденция к оцифровке информации. Поскольку цифровые компьютеры предлагают возможность быстро находить, сортировать и обрабатывать цифровую информацию, все больше и больше усилий прилагается к тому, чтобы сделать информацию цифровой. В результате сегодня большая часть мультимедийных данных доставляется в цифровой форме, а затем конвертируется и представляется в аналоговой форме компьютерами. Сферы, на которые повлияла цифровая революция, включают телевидение, радио и газеты.
Преимущества транзисторов перед электронными лампами
До появления транзисторов вакуумные лампы (или в Великобритании термоэлектронные лампы или просто клапанов ) были основными активными компонентами в электронном оборудовании. Ключевые преимущества, которые позволили транзисторам заменить своих предшественников на электронных лампах в большинстве приложений:
Меньший размер (несмотря на продолжающуюся миниатюризацию электронных ламп)
Высокоавтоматизированное производство
Более низкая стоимость (при массовом производстве)
Более низкая возможная эксплуатация напряжения (но вакуумные лампы могут работать и при более высоких напряжениях)
Нет периода прогрева (большинству электронных ламп требуется от 10 до 60 секунд для правильной работы)
Меньшее рассеивание мощности (отсутствие мощности нагревателя, очень низкое напряжение насыщения)
Более высокая надежность и большая физическая прочность (хотя электронные лампы более прочны в электрическом отношении.Кроме того, вакуумная трубка намного более устойчива к ядерным электромагнитным импульсам (NEMP) и электростатическому разряду (ESD))
Намного более длительный срок службы (катоды вакуумной трубки в конечном итоге израсходуются, и вакуум может загрязняться)
Доступны дополнительные устройства (позволяет использовать схемы с комплементарной симметрией : вакуумные лампы с полярностью, эквивалентной PNP BJT или полевым транзисторам P-типа, недоступны)
Возможность управления большими токами (силовые транзисторы доступны для управления сотнями ампер, вакуумные лампы для управления даже один ампер большие и дорогие)
Гораздо менее микрофонный (вибрация может модулировать характеристики вакуумной лампы, хотя это может способствовать звучанию гитарных усилителей)
“ Природа ненавидит вакуумную лампу ” Myron Glass (см. John R.Pierce), Bell Telephone Laboratories, около 1948 года.
Галерея
С 1960-х годов доступен широкий спектр транзисторов, и производители постоянно вводят улучшенные типы. Ниже приведены несколько примеров из основных семейств. Если не указано иное, все типы изготавливаются из кремниевых полупроводников. Дополнительные пары показаны как канал NPN / PNP или N / P. Ссылки ведут к таблицам данных производителя, которые находятся в формате PDF. (В некоторых таблицах данных точность указанной категории транзисторов вызывает споры.)
2N3904 / 2N3906, BC182 / BC212 и BC546 / BC556: универсальные, BJT, универсальные, маломощные, дополнительные пары. У них есть пластиковые корпуса, и они стоят примерно десять центов США в небольших количествах, что делает их популярными среди любителей.
AF107: германий, 0,5 Вт, 250 МГц, PNP BJT.
BFP183: Низкое энергопотребление, микроволновая печь, 8 ГГц, NPN BJT.
LM394: «пара суперматч» с двумя NPN BJT на одной подложке.
2N2219A / 2N2905A: BJT, общего назначения, средней мощности, дополнительная пара.В металлических корпусах они рассчитаны примерно на один ватт.
2N3055 / MJ2955: В течение многих лет уважаемый NPN 2N3055 был «стандартным» силовым транзистором. Его дополнение, PNP MJ2955, прибыло позже. Эти BJT 1 МГц, 15 А, 60 В, 115 Вт используются в усилителях мощности звука, источниках питания и системах управления.
2SC3281 / 2SA1302: Эти BJT, изготовленные Toshiba, имеют характеристики с низким уровнем искажений и используются в мощных усилителях звука. Они широко подделывались [4].
BU508: NPN, питание 1500 В, BJT. Разработанный для горизонтального отклонения телевизоров, его способность к высоковольтному напряжению также делает его пригодным для использования в системах зажигания.
MJ11012 / MJ11015: 30 А, 120 В, 200 Вт, дополнительная пара BJT Дарлингтона большой мощности. Используется в усилителях звука, управлении и переключении мощности.
2N5457 / 2N5460: JFET (режим истощения), общего назначения, малой мощности, комплементарная пара.
BSP296 / BSP171: IGFET (режим улучшения), средняя мощность, почти комплементарная пара.Используется для преобразования логического уровня и управления силовыми транзисторами в усилителях.
IRF3710 / IRF5210: IGFET (режим улучшения), 40 А, 100 В, 200 Вт, пара почти комплементарная. Для мощных усилителей и переключателей мощности, особенно в автомобилях.
См. Также
Электронные компоненты
Полупроводник
Ширина запрещенной зоны
Крутизна
Транссопротивление
Очень крупномасштабная интеграция
Количество транзисторов
Справочник Мура
Закон Мура
Амос, С.W. & M. R. Джеймс. Принципы транзисторных схем. Баттерворт-Хайнеманн, 1999. ISBN 0750644273
Карсон, Ральф С. Принципы прикладной электроники. Bew York: McGraw – Hill 1961.
Horowitz, Paul & Winfield Hill. Искусство электроники. Cambridge University Press, 1989.
ISBN 0521370957
Riordan, Michael & Hoddeson, Lillian. Хрустальный огонь. W.W Norton & Company, Limited.1998. ISBN 0393318516 Изобретение транзистора и рождение информационного века
Уорнес, Лайонел. Аналоговая и цифровая электроника. Macmillan Press Ltd. 1998. ISBN 0333658205
Прочие
Роберт Г. Арнс, (октябрь 1998 г.). Другой транзистор: ранняя история металлооксидного полупроводникового полевого транзистора. [5] Engineering Science and Education Journal 7 (5): 233-240 ISSN 0963-7346
Armand Van Dormael.«Французский транзистор» Труды конференции IEEE 2004 г. по истории электроники, Блетчли-Парк, июнь 2004 г. [6].
Герберт Ф. Матаре, изобретатель транзистора, настал момент. 24 февраля 2003 г. The New York Times . [7].
Майкл Риордан. Как Европа упустила транзистор.
IEEE Spectrum 42 (11) (ноябрь 2005 г.): 52–57 ISSN | 0018-9235
К. Д. Ренмор. 1980 “Кремниевые чипы и ты”. Полное руководство по полупроводниковым приборам, 2-е издание.Wiley-IEEE Press.
Внешние ссылки
Все ссылки получены 25 марта 2020 г.
Кредиты
New World Encyclopedia Авторы и редакторы переписали и завершили статью Wikipedia в соответствии со стандартами New World Encyclopedia . Эта статья соответствует условиям лицензии Creative Commons CC-by-sa 3.0 (CC-by-sa), которая может использоваться и распространяться с указанием авторства. Кредит предоставляется в соответствии с условиями этой лицензии, которая может ссылаться как на участников New World Encyclopedia, , так и на самоотверженных добровольцев Фонда Викимедиа.Чтобы процитировать эту статью, щелкните здесь, чтобы просмотреть список допустимых форматов цитирования. История более ранних вкладов википедистов доступна исследователям здесь:
История этой статьи с момента ее импорта в Энциклопедию Нового Света :
Примечание. могут применяться ограничения на использование отдельных изображений, на которые распространяется отдельная лицензия.
Другие интегральные схемы для бизнеса и промышленности CD4007CN MM5607AN Инвертор с двойной комплементарной парой IC NSC 50 шт.
CD4007CN MM5607AN Инвертор с двойной комплементарной парой IC NSC 50 шт.
Купите Мужские кроссовки для ходьбы и других видов ходьбы Brooks в.KomarKids Girls Character Pajama Set (Чудо-женщина, 3 предмета). Дата первого упоминания: 11 апреля, линия плетеного сцепления Pro Braking PBC7805-WHT-GOL (белый шланг и банджо из нержавеющей стали): автомобильная промышленность, изготовлена в традиционном стиле. 4-сторонняя эластичная конструкция лучше движется во всех направлениях, носки с рисунком овощей подходят для девочек и женщин. Доступна версия для двусторонней печати. Наша новейшая ткань для хранения в помещении. Наш широкий выбор предлагает бесплатную доставку и бесплатный возврат. Купите Мужские футболки с длинным рукавом и другие повседневные рубашки на пуговицах с отворотом и отворотом в народном стиле.5-миллиметровая кабельная цепь длиной 16 или 18 дюймов. Специальная рецептура фрикционного материала для автомобиля обеспечивает максимальный контроль с минимальным тормозным путем. Количество 100 от Fastenere: Industrial & Scientific. С этой лампой вам не нужно жертвовать стилем ради функциональности, поскольку она поставляется с дизайнерским льняным абажуром светло-бежевого цвета Bavaria и простым в использовании трехпозиционным переключателем. но у вас может быть уникальный в своем роде, M4 Exhaust производит выхлопные трубы, которые добавляют мощности и более гоночный звук для вашего мотоцикла, а также снижают общий вес. ПОГОДОЗАЩИТА: наши виниловые наклейки особенно обработаны от УФ-излучения.Гладкая и дышащая кожаная подкладка, от плеча до плеча 20 Длина рукава от плеча 23 Бюст 44 Бедра 42 Длина от центра спины 25 Форма платья – 36-26-37 В моем доме курение запрещено, ваша заколка для волос будет доставлена в красивой подарочной упаковке и в сладком Маленькая подарочная сумка из органзы, похоже, Ginzkey была немецкой компанией. Золото – самый популярный цвет, и будьте уверены, ваше примитивное сердце будет таким же прекрасным и будет уникальным для вас. Мы импортируем таитянский жемчуг прямо из кристально чистых лагун Французской Полинезии, Spring Clipart Baby Rainy Days Chubbies and Friends 2015, Этот впечатляющий 35-миллиметровый мегамрамор для стрелков размером «валун» имеет диаметр более 1–3 / 8 дюймов или прядь волос, чтобы держать близкого человека ближе к вашему сердцу.Холщовая сумка-тоут Эта многоразовая большая сумка сделана из 100% хлопкового холста.
Nous vous répondons sous 24 часа
ПЛК HMI с модулями ввода-вывода
Модели HMC3000
| В этой серии представлены сенсорные блоки с последовательным интерфейсом и Ethernet связь, поддержка установок Класса I, Раздела 2, высокоскоростная счетчики и таймеры, а также позволяет выбрать либо собственную лестничную диаграмму, либо IEC. программирование.Доступны многочисленные конфигурации ввода / вывода.
4.3 “HMI + PLC, 1 слот для модуля ввода / вывода, 1 порт Ethernet, 1 порт USB, 1 последовательный порт
395 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3043A-M, дисплей, серия HMC3000, 4,3 дюйма, 4.3_inch, $ 395, 1_serial_port, 1_ethernet_port, 201-400, 201-400 долларов, 1_USB_PORT
Модели HMC3000
| В этой серии представлены сенсорные блоки с последовательным интерфейсом и Ethernet связь, поддержка установок Класса I, Раздела 2, высокоскоростная счетчики и таймеры, а также позволяет выбрать либо собственную лестничную диаграмму, либо IEC. программирование.Доступны многочисленные конфигурации ввода / вывода.
7,0 “HMI + ПЛК, 3 слота для модулей ввода / вывода, 1 порт Ethernet, 1 порт USB, 2 последовательных порта
495 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3070A-M, дисплей, серия HMC3000, 7,0 “, 7.0 дюймов, 7 дюймов, 7 дюймов, 495 долларов США, 2_serial_ports, 1_ethernet_port, 401-600, 401-600 долларов США, 1_USB_Port
Модели HMC3000
| В этой серии представлены сенсорные блоки с последовательным интерфейсом и Ethernet связь, поддержка установок Класса I, Раздела 2, высокоскоростная счетчики и таймеры, а также позволяет выбрать либо собственную лестничную диаграмму, либо IEC. программирование.Доступны многочисленные конфигурации ввода / вывода.
10,2-дюймовый HMI + ПЛК, 5 слотов для модулей ввода-вывода, 1 порт Ethernet, 1 порт USB, 2 последовательных порта
750 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3102A-M, дисплей, серия HMC3000, 10,2 дюйма, 10.2_inch, 750 $, 2_serial_ports, 1_ethernet_port, $ 600 +, 1_USB_PORT
Модели HMC7000
| Варианты как с сенсорным экраном, так и с программируемой функциональной клавиатурой имеется в наличии.Установки Класса I, Раздела 2, высокоскоростные счетчики и таймеры и выберите программирование в релейной логике или IEC. Многочисленные вводы / выводы доступные конфигурации.
3 “HMI + ПЛК, встроенный ввод / вывод, 12 цифровых входов (2 высокоскоростных), 6 релейных выходов, 2 цифровых выхода NPN, 1 последовательный порт
495 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7030A-L, дисплей, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, Display_Plus_IO, 3.0 “, 3,0 дюйма, 3 дюйма, 3 дюйма, серия HMC7000, 495 долл. США, цифровые выходы, 02_NPN_digital_outputs, 02 NPN цифровых выходов, 6_Relay_digital_outputs, 6 реле цифровые выходы, 12_Digital_Inputs, 12 цифровых входов, 2_High_speed, 2 высокоскоростных входа, 1_serial_port, 401-600 $, 401-600
Модели HMC7000
| Варианты как с сенсорным экраном, так и с программируемой функциональной клавиатурой имеется в наличии.Установки Класса I, Раздела 2, высокоскоростные счетчики и таймеры и выберите программирование в релейной логике или IEC. Многочисленные вводы / выводы доступные конфигурации.
3 “HMI + PLC, 3 слота для модулей ввода / вывода, функциональные клавиши, 1 последовательный порт, 1 порт USB
495 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7030A-M, дисплей, серия HMC7000, 3,0 дюйма, 3.0 дюймов, 3 дюйма, 3 дюйма, 495 долларов США, 1_serial_port, 401-600 $, 401-600, 1_USB_Port, Функциональные клавиши
Модели HMC7000
| Варианты как с сенсорным экраном, так и с программируемой функциональной клавиатурой имеется в наличии.Установки Класса I, Раздела 2, высокоскоростные счетчики и таймеры и выберите программирование в релейной логике или IEC. Многочисленные вводы / выводы доступные конфигурации.
4.3 “HMI + ПЛК, 3 слота для модулей ввода / вывода, 1 порт Ethernet, 2 последовательных порта, 1 порт USB
$ 495,00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7043A-M, дисплей, серия HMC7000, 4.3 дюйма, 4,3 дюйма, 495 долл. США, 2_serial_ports, 1_ethernet_port, 495 долларов США, 401-600 долларов США, 401-600 долларов США, 1_USB_Port
Модели HMC7000
| Варианты как с сенсорным экраном, так и с программируемой функциональной клавиатурой имеется в наличии.Установки Класса I, Раздела 2, высокоскоростные счетчики и таймеры и выберите программирование в релейной логике или IEC. Многочисленные вводы / выводы доступные конфигурации.
5.7 “HMI + PLC, 5 слотов для модулей ввода / вывода, функциональные клавиши, 2 последовательных порта, 1 порт USB
425,00 долл. США
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7057A-M, дисплей, серия HMC7000, 5.7 дюймов, 5,7 дюйма, 425 долл. США, 2_serial_ports, 1_ethernet_port, 401-600, 401-600 долларов
Модели HMC7000
| Варианты как с сенсорным экраном, так и с программируемой функциональной клавиатурой имеется в наличии.Установки Класса I, Раздела 2, высокоскоростные счетчики и таймеры и выберите программирование в релейной логике или IEC. Многочисленные вводы / выводы доступные конфигурации.
7.0 “HMI + PLC, 5 слотов для модулей ввода / вывода, 1 порт Ethernet, 2 последовательных порта, 1 порт USB
750,00 долл. США
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7070A-M, дисплей, серия HMC7000, 7 дюймов, 7 дюймов, 7.0 дюймов, 7,0 дюймов, 750 долл. США, $ 600 +, 2_serial_port, 1_ethernet_port, 1_USB_Port
Модели ввода-вывода HMC3000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC3000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
16 цифровых выходов PNP (2 ШИМ), 16 цифровых входов (2 высокоскоростных)
175 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3-M1616P, без дисплея, модуль ввода-вывода, ввод-вывод, HMC3000, 175 долл. США, 16_PNP_digital_outputs, Sixteen_PNP_digital_outputs, цифровые выходы, 16_digital_inputs, 16 цифровых входы, 0-200, $ 0- $ 200, 2_pwm_outputs, 2 выхода pwm
Модели ввода-вывода HMC3000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC3000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
12 релейных выходов, 2 цифровых выхода PNP, 2 цифровых выхода PWM, 16 цифровых входов (2 высокоскоростных)
175 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3-M1614Y, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, 0–200, 0–200 долл. США, HMC3000, 175 долл. США, 12_relay_digital_outputs, 12 релейных выходов, 16 цифровых входов, 16_digital_inputs, 02_pnp_digital_outputs, 2 цифровых выхода pnp, 2_PWM_outputs, 2 PWM
Модели ввода-вывода HMC3000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC3000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
12 цифровых выходов PNP (2 ШИМ), 12 цифровых входов (2 высокоскоростных), 2 аналоговых входа (напряжение, ток),
150 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3-M1212P0200, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC3000, 150 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 12_PNP_digital_outputs, 12 цифровых выходов PNP, 12_Digital_Inputs, 12 цифровых входы, 2_analog_input, 2 аналоговых входа
Модели ввода-вывода HMC3000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC3000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
2 цифровых выхода PNP, 10 релейных цифровых выходов, 2 аналоговых входа (напряжение, ток), 2 цифровых выхода PWM
150 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3-M1212Y0200, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC3000, 150 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 02_PNP_digital_outputs, 2 цифровых выхода PNP, 10_relay_digital_outputs, 10 реле цифровые выходы, 12_digital_inputs, 12 цифровых входов, 2_analog_inputs, 2 аналоговых входы, 2_pwM_outputs, 2 выхода Pwm
Модели ввода-вывода HMC3000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC3000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
10 цифровых выходов PNP (2 ШИМ), 12 цифровых входов (2 высокоскоростных), 1 аналоговый выход (напряжение, ток), 2 аналоговых входа (напряжение, ток)
165 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3-M1210P0201, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC3000, 165 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 10_PNP_digital_outputs, 10 цифровых выходов PNP, 12_Digital_Inputs, 12 цифровых входы, 1_analog_output, 1 аналоговый выход, 2_analog_inputs, 2 аналоговых входа, 2_pwM_outputs, 2 выхода PWM
Модели ввода-вывода HMC3000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC3000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
2 цифровых выхода PNP, 8 релейных цифровых выходов, 12 цифровых входов (2 высокоскоростных), 1 аналоговый Выход (напряжение, ток), 2 аналоговых входа (напряжение, ток)
165 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3-M1210Y0201, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC3000, 165 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 02_PNP_digital_outputs, 2 цифровых выхода PNP, 8_relay_digital_outputs, 8 реле цифровые выходы, 12_digital_inputs, 12 цифровых входов, 1_analog_output, 1 аналоговый выход, 2_аналоговых_входа, 2 аналоговых входа
Модели ввода-вывода HMC3000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC3000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
8 цифровых выходов PNP (2 ШИМ), 8 цифровых входов, 1 аналоговый выход, 4 Аналоговые входы (ток, напряжение, RTD, термопара)
275 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3-M0808P0401T, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC3000, 275 долл. США, 201-400 долл. США, 201-400 $, 8_pnp_digital_outputs, 8 цифровых выходов pnp, 2_pwM_outputs, 2 PWM выходы, 8_digital_inputs, 8 цифровых входов, 1_analog_output, 1 аналоговый выход, 4_temperature_inputs, 4 входа температуры
Модели ввода-вывода HMC3000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC3000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
2 цифровых выхода PNP, 6 релейных цифровых выходов, 2 выхода PWM, 8 цифровых Входы, 1 аналоговый выход (напряжение, ток), 4 аналоговых входа (ток, напряжение, RTD, термопара)
275 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC3-M0808Y0401T, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC3000, 275 долл. США, 201-400 долл. США, 201-400 долларов США, 02_pnp_digital_outputs, 2 цифровых выхода pnp, 6_relay_digital_outputs, 6 релейных цифровых выходов, 2_pwm_outputs, 2 выхода PWM, 8_digital_inputs, 8 цифровых входов, 1_analog_output, 1 аналоговый выход, 4_temperature_inputs, 4 входа температуры
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
16 цифровых входов (2 высокоскоростных)
99 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MI-01, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 99 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 16_digital_inputs, 16 цифровых входов
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
4 аналоговых входа (напряжение, ток)
190 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MI-02, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 190 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 4_analog_inputs, 4 аналоговых входа,
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
8 аналоговых входов (напряжение)
200 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MI-03, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 200 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 8_analog_inputs, 8 аналоговых входов
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
8 аналоговых входов (ток)
200 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MI-04, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 200 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 8_analog_inputs, 8 аналоговых входов
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
8 цифровых выходов NPN, 8 цифровых входов (2 высокоскоростных)
99 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MIO-01, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 99 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 8_NPN_digital_outputs, 8 цифровых выходов NPN, 8 цифровых входов, 8_digital_inputs
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
8 цифровых выходов PNP, 8 цифровых входов (2 высокоскоростных)
99 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MIO-02, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 99 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 8_PNP_digital_outputs, 8 цифровых выходов PNP, 8_digital_inputs, 8 цифровых входов
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
2 аналоговых выхода (напряжение, ток), 2 аналоговых входа (напряжение, ток)
225 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MIO-03, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 225, 201-400, 201-400 долл. США, 2_analog_outputs, 2 аналоговых выхода, 2_analog_inputs, 2 аналоговых входа
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
8 цифровых выходов NPN (2 ШИМ), 8 цифровых входов (4 высокоскоростных)
120 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MIO-04, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 120 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 8 NPN Цифровые выходы, 8_NPN_digital_outputs, 8_digital_inputs, 8 цифровых входов, 2_PWM_outputs, 2 выхода pwm, 4_high_speed_inputs, 4 высокоскоростных входа
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
8 цифровых выходов PNP (2 ШИМ), 8 цифровых входов (4 высокоскоростных)
120 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MIO-05, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 120 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 8 PNP Цифровые выходы, 8_PNP_digital_outputs, 8_digital_inputs, 8 цифровых входов, 2_PWM_outputs, 2 выхода pwm, 4_high_speed_inputs, 4 высокоскоростных входа
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
6 релейных выходов, 2 цифровых выхода NPN (2 ШИМ), 8 цифровых входов (4 высокоскоростных)
120 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MIO-06, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 120 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 8_NPN_digital_outputs, 8 NPN цифровых выходов, 6_relay_digital_outputs, 6 реле цифровые выходы, 2_PWM_outputs, 2 выхода PWM, 8 цифровых входов, 8_digital_inputs, 4_high_speed_inputs, 4 высокоскоростных входа
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
6 релейных выходов, 2 цифровых выхода PNP (2 ШИМ), 8 цифровых входов (4 высокоскоростных)
120 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MIO-07, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 120 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 8_PNP_digital_outputs, 8 PNP цифровых выходов, 6_relay_digital_outputs, 6 реле цифровые выходы, 2_PWM_outputs, 2 выхода PWM, 8 цифровых входов, 8_digital_inputs, 4_high_speed_inputs, 4 высокоскоростных входа
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
2 аналоговых выхода, 4 аналоговых входа (ток, напряжение, RTD, термопара)
250 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MIO-08, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 250 долларов США, 201-400 долларов США, 201-400 долларов США, 2_аналоговых_выхода, 2 аналоговых выхода, 4 аналоговых входа, 4_аналоговых_входа, 4_temperature_inputs, 4 входа температуры
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
12 релейных цифровых выходов
120 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MO-01, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 120 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 12_relay_digital_outputs, 12 релейных цифровых выходов
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
16 цифровых выходов NPN
130 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MO-02, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 130 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 16_npn_digital_outputs, 16 цифровых выходов npn
Модели ввода-вывода HMC7000
| Соедините одну из наших моделей дисплея HMC7000 с большим выбором модулей ввода-вывода и расширить возможности HMI для увеличения функциональности ПЛК.Смешивание и подберите дополнительные модули ввода-вывода для удовлетворения ваших уникальных потребностей проекта.
16 цифровых выходов PNP
130 долларов.00
Доступны количественные скидки
Более Информация Модель HMC7-MO-03, без дисплея, модуль ввода-вывода, модуль ввода-вывода, HMC7000, 130 долл. США, 0–200 долл. США, 0–200 долл. США, 16_pnp_digital_outputs, 16 цифровых выходов pnp
Составные / дополнительные »Примечания по электронике
Пара Шиклая, соединение или соединение / комплементарная пара, представляет собой двухтранзисторную схему, которая дополняет пару Дарлингтона и предлагает аналогичное усиление бета-усиления.
Учебное пособие по парам Дарлингтона Включает:
Пара Дарлингтон Схемы Дарлингтона Дарлингтонский дизайн Пара Шиклай Выходная пара Дарлингтон / Шиклай
См. Также: Конструкция транзисторной схемы Типы транзисторных схем
Хотя конфигурация Дарлингтона широко используется, менее известная пара Шиклаи обеспечивает очень полезную конфигурацию схемы, которая также используется, часто в сочетании с Дарлингтоном.
Пара Sziklai использует конфигурацию схемы, очень похожую на пару Дарлингтона, и во многих случаях пара Sziklai может предложить ряд полезных преимуществ во многих случаях.
Хотя название пара Sziklai является наиболее распространенным термином для схемы, она также может быть известна как составная пара Sziklai или дополнительная пара – иногда ее также называют «соединением Sziklai».
Джордж Шиклай
Пара Шиклай названа в честь венгра Джорджа Клиффорда Шиклая.Он родился 9 июля 1909 года в Будапеште. Он получил образование в Будапештском университете, а затем в Мюнхенском техническом университете.
В 1930 году он эмигрировал в США, где мы работали в нескольких компаниях, включая Radio Corporation of America и Westinghouse Electric Corporation, а затем в 1967 году он поселился в исследовательской лаборатории Lockheed Palo Alto Research Laboratory.
Шиклаи владеет около 160 патентами, в том числе на цветное телевидение, а также является автором первой телевизионной камеры Image Orthicon.Он также изобрел конфигурацию транзисторной схемы, которая носит его имя: пара Шиклая.
Шиклай умер 9 сентября 1998 года в Пало-Альто, Калифорния, США.
Базовая схема пары Sziklai
Схема пар Шиклаи использует топологию, очень похожую на топологию Дарлингтона, и обеспечивает аналогичную конфигурацию бета-бустинга для обеспечения очень высоких уровней усиления.
Как и Дарлингтон, пара Шиклаи использует два транзистора, причем коллектор первого транзистора подключен непосредственно к базе второго.
Два транзистора в паре имеют разные типы, один PNP, а другой NPN.
Если входным транзистором является NPN, а вторым – PNP, то общая конфигурация будет выглядеть как NPN-транзистор для внешнего мира.

Конфигурация пары Sziklai (NPN)
Также возможно иметь пару Sziklai или составную пару в версии PNP:

Конфигурация пары Sziklai (PNP)
Как и в случае с Darlington, целесообразно включить обходной резистор.

Sziklai Конфигурации пары с байпасным резистором
Байпасный резистор включен для облегчения процесса отключения.Без резистора нет пути разряда для емкости эмиттера базы. В том числе это позволяет заряду, хранящемуся в этом конденсаторе, рассеиваться, и это способствует более быстрому отключению.
Включение этого резистора является хорошей конструкцией, но если скорость не является проблемой, то резистор можно не устанавливать, но если стоимость и количество компонентов не уменьшаются до минимума, разумно включить его.
Определение номинала резистора не является точной наукой. Резисторы меньшего размера обеспечат более быстрое отключение, но если они будут слишком малы, большая часть управляющего тока для второго транзистора пройдет через резистор, и усиление будет потеряно.Если значение резистора низкое и он принимает ток от базы второго транзистора, то коэффициент усиления по току будет уменьшен, и уравнение для общего коэффициента усиления пары Szlikai должно будет это учитывать.
Типичные значения могут составлять несколько сотен Ом для силовой цепи и несколько тысяч Ом для транзистора с малым током.
Прирост пары Шиклай
Хотя усиление пары Шиклай или составной пары почти такое же, как у Дарлингтона, это не совсем то же самое.Прирост Дарлингтона рассчитывается по следующей формуле:
β = βQ1 βQ2 + βQ1 + βQ2
Прирост пары Шиклай немного отличается, поскольку нет отдельного вклада от 2 квартала, как показано ниже.
Ввиду того, что членами βQi и βQ2 сами по себе можно пренебречь, мы получаем более знакомое уравнение, которое можно использовать как для пар Дарлингтона, так и для пар Шиклая.
Характеристики пары Sziklai
Хотя Darlington используется во многих приложениях, пара Sziklai имеет ряд преимуществ и может быть эффективно использована в ряде приложений.Некоторые из его функций включают:
Между базой и эмиттером составного транзистора только одна база-эмиттер.
Чуть меньшее усиление, чем у Darlington
Более высокое напряжение насыщения, чем у Дарлингтона.
Может использоваться в псевдокомплементарном выходе с Дарлингтоном – истинно комплементарная пара будет использовать обе одинаковые конфигурации схемы. Эта конфигурация, в которой используются три транзистора NPN и один транзистор PNP.Он предлагает ряд преимуществ, в том числе:
Характеристики нижней «тянущей» пары, в которой используется один транзистор NPN, более точно соответствует характеристикам верхней пары толкателей, которая состоит из двух транзисторов NPN (транзисторы PNP имеют нижнюю часть). мобильность носителей). Настоящая дополнительная пара будет использовать все NPN для нижней пары и все PNP для верхней пары.
Ранее кремниевые PNP-транзисторы были дороже своих NPN-эквивалентов из-за технологии обработки, а также из-за большого объема, особенно для версий с силовыми транзисторами.
Поскольку сейчас доступно много PNP-транзисторов с почти эквивалентной производительностью их NPN-аналогам, преимущества использования пары Sziklai / соединение меньше, чем они были раньше.
Известно, что пара Sziklai обеспечивает лучший уровень линейности, чем пара Дарлингтона, что может быть выгодно, особенно в аудиоприложениях.
Составная пара Sziklai находит применение во многих областях электроники. Возможно, наиболее распространенные области находятся в выходных аудиоканалах, где его можно использовать как половину двухтактного усилителя, а другую половину – как Дарлингтон.Таким образом, пара Шиклая позволяет выходу работать в режиме дополнительной симметрии.
Пара Sziklai также находит применение в ряде цифровых схем. Опять же, это позволяет выходам работать в режиме дополнительной симметрии, а также тот факт, что для этого требуется только одно падение напряжения на входе на диоде вместо двух для Дарлингтона, делает его привлекательным во многих областях.
Другие схемы и схемотехника:
Основы операционных усилителей Схемы операционных усилителей Цепи питания Конструкция транзистора Транзистор Дарлингтона Транзисторные схемы Схемы на полевых транзисторах Условные обозначения схем
Вернуться в меню «Конструкция схемы».. .
Ошибка декодирования stealth cam
Лучшие компьютерные продукты и услуги Хотите разместить статью в категории «Компьютеры» или в любой из подкатегорий ниже? Щелкните здесь, чтобы отправить свою статью. Хотели бы вы, чтобы ваш продукт или услуга были указаны на этой странице? Свяжитесь с нами. Компьютерная криминалистика Базы данных восстановления данных компьютерных игр …
6 марта 2018 г. · libv4l2: ошибка: 4 последовательных ошибки декодирования кадров, последняя ошибка: ошибка libjpeg: конец изображения v4l2: сбой буфера удаления из очереди ioctl: ошибка ввода / вывода, idx = 1 При более высоком разрешении аналогично 800×600.Веб-камера C310 должна иметь разрешение 1280×720.
Бесплатный декодер VIN Dodge, который позволяет вам искать варианты, модель, год выпуска, двигатель, трансмиссию и технические характеристики. Кроме того, вы также можете проверить записи о титулах и происшествиях, нажав Проверить историю. КАК РАСШИФРОВАТЬ DODGE VIN. Позиция 1. Позиция одного из VIN идентифицирует страну или место окончательной сборки Dodge. 1-5 Северная Америка …
Передача файлов с экрана компьютера на цифровую камеру путем воспроизведения фильма со страницами и записи его как видео; Передача файлов в телетрансляции путем воспроизведения фильма и записи на цифровую камеру в виде видео прямо с экрана; Веселье.IP через птичьих носителей в соответствии с RFC1149 и RFC 2549. RFC 1149 предлагает шестнадцатеричную печать …
01 сентября 2020 г. · Платформа Android поддерживает использование USB-камер plug-and-play (то есть веб-камер) с использованием стандартного Android Camera2 API и интерфейс HIDL камеры. Веб-камеры обычно поддерживают драйверы USB-класса видео (UVC), а в Linux для управления камерами UVC используется стандартный драйвер Video4Linux (V4L).
18 марта 2020 г. · St Peter’s Woodlands Grammar в Гленелге – первая школа в Южной Австралии, предлагающая программу Let’s Decode детям в ELC, Reception, Year 1 и Year 2.

Комплементарные пары импортных транзисторов: 2N3904 / 2N3906 – Биполярные импортные – ТРАНЗИСТОРЫ – Электронные компоненты (каталог)

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.

На главную страницу || Карта сайта

Справочник транзисторов маломощных биполярных.

Использование справочных данных транзисторов

Использование справочных данных транзистора

От составителя:

Маломощные комплементарные полевые транзисторы. – Начальные сведения – практические советы. – Начинающим – Каталог статей

Биполярные транзисторы, их схемы включения

полные аналоги импортных транзисторов серии BC8xx от АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ»

Технические храктеристики транзисторов КТ228…КТ235

Габариты корпуса КТ-46 (размеры в мм.)

Сколько азотистых оснований в рнк?

Сколько азотистых оснований в днк?

Какое азотистое основание днк аналогично Урацилу в Рнк?

Что такое комплементарные пары азотистых оснований?

Что соответствует Урацилу?

Сколько видов азотистых оснований входит в состав молекулы днк?

Сколько аминокислот в днк?

Что Комплементарно Урацилу?

Что удерживает основания в днк?

Какое азотистое основание комплементарно Цитозину?

Что такое комплементарные пары?

В чем заключается суть принципа комплементарности?

На чем основан принцип комплементарности?

Каким образом происходит удвоение днк?

Почему в днк тимина в Рнк урацил?

Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)

Обозначение транзистора КТ829А на схемах

Распиновка

Транзисторы – купить… или найти бесплатно.

Характеристики транзистора КТ829А

Технические параметры

Аналог транзистора КТ829

KT829A Datasheet (PDF)

Аналоги транзистора КТ829А

Схема эквивалентной замены

Комплементарная пара

Производители

Чем заменить bc557 – BC557B, BC557C – Биполярные импортные – ТРАНЗИСТОРЫ – Электронные компоненты (каталог) – Delvik.ru – Доска объявлений Перми

обзор параметров и опыт применения российскими радиотехниками

ТРАНЗИСТОР BC547 и BC557

Характеристики транзистора BC547

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560

– купить транзистор комплементарной пары с бесплатной доставкой на AliExpress

Import ON ON Semiconductor D44h21 D45h21 Complementary Pairing Transis – Kartzapper.com

– Энциклопедия Нового Света

Введение

История

Типы

Транзистор с биполярным переходом

Полевой транзистор

Другие типы транзисторов

Полупроводниковые материалы

Упаковка

Использование

Коммутаторы

Усилители

Компьютеры

Важность

Преимущества транзисторов перед электронными лампами

Галерея

См. Также

Прочие

Внешние ссылки

Кредиты

Другие интегральные схемы для бизнеса и промышленности CD4007CN MM5607AN Инвертор с двойной комплементарной парой IC NSC 50 шт.

CD4007CN MM5607AN Инвертор с двойной комплементарной парой IC NSC 50 шт.

ПЛК HMI с модулями ввода-вывода

Составные / дополнительные »Примечания по электронике

Джордж Шиклай

Базовая схема пары Sziklai

Прирост пары Шиклай

Характеристики пары Sziklai

Ошибка декодирования stealth cam

Больше новостей

Добавить комментарий Отменить ответ