Комплементарные транзисторы это: Комплементарные пары транзисторов

Комплементарная пара транзисторов принцип действия

В различных электронных схемах часто возникает необходимость менять полярность напряжения, прикладываемого к нагрузке, в процессе работы. Схемотехника таких устройств реализуется с помощью ключевых элементов. Ключи могут быть выполнены на переключателях, электромагнитных реле или полупроводниковых приборах. Н-мост на транзисторах позволяет с помощью управляющих сигналов переключать полярность напряжения поступающего на исполнительное устройство.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Комплементарные пары транзисторов
• Как работают транзисторы
• Двухтактный каскад
• Комплементарная логика на МОП транзисторах
• Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона
• Биполярные транзисторы и схема их включения
• 20. Принцип работы биполярного транзистора. 21. Npn- и pnp-транзистор.

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: КАК РАБОТАЕТ ТРАНЗИСТОР – ОБЪЯСНЯЮ НА ПАЛЬЦАХ

Комплементарные пары транзисторов

Разрез биполярного транзистора bipolar junction transistor, или BJT схематически показан на рисунке слева вверху. Он образуется двумя P-N переходами, соединенными встречно.

В данном случае очень тонкая внутренняя область, называемая базой, имеет р-проводимость, а весь транзистор имеет структуру n-p-n существуют также транзисторы p-n-p. К правому переходу прикладывается внешнее положительное напряжение, повышающее его потенциальный барьер, как показано на рисунке слева внизу. Тогда при понижении потенциального барьера левого перехода отрицательным внешним напряжением электроны пойдут в базу, но в силу ее очень малой толщины тут же достигнут правого перехода и будут подхвачены положительным напряжением правой области, переходя в нее.

Следуя этому поведению электронов, левая область называется эмиттером, а правая — коллектором. То же самое будет и для дырок в p-n-p транзисторе. Очень небольшая часть электронов, перешедших в базу соединится с дырками и взаимоуничтожится рекомбинирует , эти носители образуют электрический ток базы. Основной ток пойдет в коллектор. Наиболее распространенная схема усиления с общим эмиттером приведена в центре рисунка.

Она аналогична схеме включения лампового триода на рис. Однако существует довольно существенное отличие: в лампах работают без тока сетки, тогда как в транзисторе принципиально должен быть ток базы.

Это означает, что транзистор по этой схеме имеет сравнительно с лампой низкое входное сопротивление. Приведенный справа внизу на рисунке эмиттерный повторитель аналогичен катодному повторителю. Его усиление по напряжению примерно равно 1 нет усиления , однако входные токи базы значительно меньше, то есть входное сопротивление выше, чем в усилителе с общим эмиттером. Усилительные свойства транзистора характеризуются статическим коэффициентом передачи тока h 21Э , приводимым в справочниках для схемы с общим эмиттером.

Выбор рабочей точки усилителя определяет класс работы усилителя, изображенный на рисунке. Класс А предполагает работу всего сигнала в пределах линейной области и обеспечивает самые малые искажения сигнала, однако при низком к.

Например, на приведенной схеме в резисторе нагрузки теряется по постоянному току значительная мощность при большой постоянной составляющей тока. Снизив постоянную составляющую тока в рабочей точке до нуля, получаем класс В.

С целью дальнейшего уменьшения потерь мощности по постоянному току в коллекторном резисторе прибегают к комплементарной паре транзисторов n – p – n и p – n – p , включенных последовательно, как показано на рисунке справа.

Каждый из транзисторов пары работает в одном полупериоде синусоиды сигнала, как показано в центе рисунка, во втором полупериоде он закрыт. Однако на практике трудно настроить усилитель, чтобы на выходе оба полупериода точно стыковались, на рисунке эта нестыковка преувеличена, что приведет к искажениям сигнала. По этой причине используется промежуточный класс АВ. Файловый архив студентов.

Логин: Пароль: Забыли пароль? Email: Логин: Пароль: Принимаю пользовательское соглашение. FAQ Обратная связь Вопросы и предложения. Добавил: Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам. Скачиваний: Комбинационные цифровые устройства, пример. Последовательностные цифровые устройства, пример. Модель конечного автомата, основные свойства зависимости , примеры. Диаграмма переходов конечного автомата. Таблица переходов конечного автомата.

Гонки в цифровых устройствах. Синхронизация цифровых устройств как средство устранения неопределенности, вызванной гонками. Минимизация логических функций методом Вейча-Карно. Минимизация логических функций методом Квайна-МакКласки. Минимизация логических функций методом свертки таблицы истинности. Сравнение методов минимизация логических функций. Автоматическое управление движением с помощью конечных выключателей, пример.

Цикловая схема управления производственным механизмом, пример. Импульсная сау на примере электронагревателя. Блок-схема алгоритма работы регулятора на примере стабилизатора напряжения с автотрансформатором.

Пример стабилизатора напряжения с реостатом. Электронный усилитель, график возникновения нелинейных искажений. Катодный повторитель как пример простой схемы с отрицательной обратной связью. P-n переход принцип работы полупроводникового диода. Принцип работы биполярного транзистора.

Npn- и pnp-транзистор. Классы работы усилителя. Пример усилителя звуковой частоты. Уменьшение искажений в усилителе с помощью отрицательной обратной связи. Линейная система с отрицательной обратной связью.

Условия возникновения самовозбуждения. Генератор импульсов. Стабилизация частоты импульсов генератора.

Конструкция электромагнитного реле, условное графическое обозначение. Различные типы контактов электроаппаратов. Схема с памятью для включения-отключения электродвигателя от двух кнопок. Таблицы истинности полностью и не полностью определенные. Схема синхронизации цифрового устройства на логической схеме. Схема синхронизации цифрового устройства на дешифраторе.

Схема информационных потоков на примере микропроцессора к вс1. Асу, сау, асу тп; примеры. Применение эвм для управления движением.

Влияние времени выполнения управляющей программы на точность остановки механизма. Эмиттерный повторитель. Комплементарная пара транзисторов. Возникновение самовозбуждения усилителя на определенных частотах.

Как работают транзисторы

Транзистором называется полупроводниковый прибор, который может усиливать, преобразовывать и генерировать электрические сигналы. Первый работоспособный биполярный транзистор был изобретен в году. Материалом для его изготовления служил германий. А уже в году на свет появился кремниевый транзистор. В биполярном транзисторе используются два типа носителей заряда – электроны и дырки, отчего такие транзисторы и называются биполярными. Кроме биполярных существуют униполярные полевые транзисторы, у которых используется лишь один тип носителей – электроны или дырки. В этой статье будут рассмотрены.

Что такое биполярные транзисторы и какой у них принцип работы? Инструкция, как Помимо этого бывают еще биполярные комплементарные транзисторы. Такая пара нашла применение в различных радиосхемах. Данную.

Двухтактный каскад

Режим работы транзистора и усилителя чистый класс “А” обычно определяется, как однотактный. При этом, постоянное напряжение смещения транзистора составляет половину запирающего, а амплитуда сигнала есть величина меньше напряжения смещения. Этим обусловлен основной недостаток класса “А” – маленькая выходная мощность. При работе в классе “А” постоянная составляющая протекающего тока, чуть больше амплитуды переменной составляющей и транзистор всегда открыт – находится в проводящем состоянии. Основное преимущество класса “А” – то, что рабочая область транзистора находится на линейном участке вольт – амперной характеристики и искажения усиливаемого сигнала минимальны. Усилители работающие в двухтактном режиме класса “А” малопригодны для высококачественного звуковоспроизведения сложного сигнала, так как постоянно протекающий повышенный постоянный ток, способствует дополнительному увеличению несимметричности правой и левой полуволны сигнала, это добавляет фазовые искажения и звук теряет разборчивость. Такой характер звука некоторые малоопытные слушатели воспринимают как “ламповую мягкость”. Нагрев двух мощных комплементарных звукопроводящих транзисторов увеличивает в два раза тепловые – гармонические искажения на низких и инфранизких частотах, что приводит к образованию паразитной частотной модуляции. Но, паразитная частотная модуляция имеет место в других классах и сильно проявляется при повышенной динамической активности звукового сигнала.

Комплементарная логика на МОП транзисторах

Существуют различные виды полупроводниковых приборов — тиристоры, триоды, они классифицируются по назначению и типу конструкции. Полупроводниковые биполярные транзисторы способны переносить одновременно заряды двух типов, в то время, как полевые только одного. Ранее вместо транзисторов в электрических схемах использовались специальные малошумящие электронные лампы, но они были больших габаритов и работали за счет накаливания. Биполярный транзистор ГОСТ Может находиться в корпусе и без него.

Если открыть любую книгу по электронной технике, сразу видно как много элементов названы по именам их создателей: диод Шоттки , диод Зенера он же стабилитрон , диод Ганна, транзистор Дарлингтона. Инженер-электрик Сидни Дарлингтон Sidney Darlington экспериментировал с коллекторными двигателями постоянного тока и схемами управления для них.

Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона

В этом усилителе используются два симметричных транзистора, pnp – и npn -типа, называемые комплементарной парой. На рис. В положительном полупериоде входного сигнала транзистор T 1 открыт, а транзистор Т2 закрыт. Ток i 1 транзистора T 1 создает положительную полуволну тока в нагрузочном резисторе R H. В отрицательном полупериоде открывается транзистор Т 2 , и теперь его ток i 2 , имеющий противоположное току i 1 направление, протекает через нагрузочный резистор. Следует отметить, что в рассматриваемом каскаде транзисторы включены по схеме с общим коллектором, то есть как эмиттерные повторители, поскольку выходной сигнал снимается с эмиттеров транзисторов.

Биполярные транзисторы и схема их включения

В соответствии с принципом противофазности функция усиления мощности входного сигнала тока либо напряжения распределяется между двумя плечами каскада таким образом, что при нарастании входного сигнала ток нарастает лишь в одном из плеч; при спаде входного сигнала нарастает ток в противоположном плече [1]. Каскады, в которых усиление мощности нарастающих и спадающих сигналов возложено на единственный активный прибор, называют однотактными. Двухтактная схема доминирует в схемотехнике КМОП – и N-МОП -логики, выходных каскадов операционных усилителей , транзисторных усилителей мощности звуковой частоты. При нулевом управляющем напряжении оба транзистора закрыты, ток нагрузки равен нулю [3]. При дальнейшем росте управляющего напряжения выходное напряжение повторяет входное со сдвигом на 0. Аналогично, при отрицательных управляющих напряжениях открывается нижний pnp транзистор, соединяя нагрузку с отрицательной шиной питания, а верхний остаётся закрытым [3]. Верхний по схеме транзистор p-типа проводимости открывается низким логическим уровнем и передаёт на выход высокий логический уровень, нижний транзистор открывается высоким логическим уровнем и передаёт на выход низкий уровень, коммутируя нагрузку на нижнюю шину питания [6] [7]. В устойчивых состояниях логического нуля и логической единицы открыт только один из двух транзисторов, а другой закрыт [7].

В статье объясняется принцип работы транзистора PNP проводимости, что комплиментарная пара для кого-либо транзистора – это транзистор.

20. Принцип работы биполярного транзистора. 21. Npn- и pnp-транзистор.

В современном значении транзистором называют полупроводниковый радиоэлемент, предназначенный для изменения параметров электрического тока и управления им.

У обычного полупроводникового триода имеется три вывода: база, на которую подаются сигналы управления, эмиттер и коллектор. Существуют также составные транзисторы большой мощности. Поражает шкала размеров полупроводниковых устройств — от нескольких нанометров бескорпусные элементы, используемые в микросхемах , до сантиметров в диаметре мощных транзисторов, предназначенных для энергетических установок и промышленного оборудования.

Поскольку они являются управляемыми напряжением, а не током приборами, полевые транзисторы с изолированным затвором дают возможность собирать схемы минимальной сложности. Посмотрите, например, на схему инвертора, построенного на p- и n-канальных полевых транзисторах с изолированным затвором. Давайте соединим эту схему с источником питания и используем входной переключатель, а затем исследуем её работу. Следует отметить, что используемые транзисторы работают в режиме обогащения. Для смещения и включения транзистора между затвором и стоком точнее, между затвором и подложкой прикладывается напряжение необходимой полярности.

Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок.

Комплементарная пара транзисторов в двухтактной схеме эмит-терного или истокового повторителя не требует парафазного сигнала для раскачки. Это существенно упрощает схему ОУ и является основной причиной распространения такой схемной конфигурации двухтактных эмиттерных повторителей. Оконечные каскады ОУ выполняются как на одиночных комплементарных парах транзисторов, так и на комплементарных парах на основе составных транзисторов. Усилитель выполнен на комплементарной паре транзисторов , причем нагрузка включена в их эмиттерную цепь. Следовательно, транзисторы работают в режиме повторителей напряжения. Усиление мощности обусловлено усилением тока. В режиме покоя оба транзистора закрыты, поскольку напряжение на эмиттерных переходах равно нулю.

Первичная обмотка L 3 играет роль автотрансформатора. Транзисторный усилитель мощности звуковой частоты с заземленным эмиттером. На рис. КПД такого усилителя мощности очень мал из-за большого тока, потребляемого от источника питания.

Характеристики мощных комплементарных полевых транзисторов

Это нужно знать Весь перечень знаний находится на этой странице Многие любители высококачественного звуковоспроизведения уже давно оценили достоинство использования комплементарных полевых транзисторов в выходных каскадах УНЧ. Достоинство это не скрывается под большими семейными трусами, а наоборот так и норовит прорости наружу в виде красивого (“мягкого/лампового”) звучания, малого уровня искажений и устойчивости к перегрузкам. А по таким параметрам, как коэффициент демпфирования, передача низких и высоких частот, ширина рабочей полосы пропускания – они превосходят даже классические образцы ламповых усилителей. Итак. Высокая температурная стабильность, малая мощность управления, слабая подверженность к пробою, самоограничение тока стока, высокое быстродействие в режиме коммутации, малый уровень шума – это основные преимущества полевых MOSFET транзисторов перед вакуумными приборами и биполярными транзисторами. Теперь о главном – какие выбрать полевики! Начнём с исходной точки – мощных и дорогих комплементарных полевых транзисторов, специально разработанных для аудиоаппаратуры. Такие транзисторы отличаются слабой зависимостью крутизны (forward transfer admitance) от тока стока и сглаженными выходными ВАХ. Параметры некоторых специализированных КМОП транзисторов, приведены в табл. 1.  Транзистор    Канал   UСИmax, В   UЗИmax, В   IСmax, А   RСИ, Ом   Pmax, Вт   СЗИ, пФ   10N20  20N20 (Exicon)  N-кан  200  ±14  8  16  –  125  250  500  950  10P20  20P20 (Exicon)  P-кан  200  ±14  8  16  –  125  250  700  1900  2SK133  2SK134  2SK135 (Hitachi)  N-кан  120  140  160  ±14  7  –  100  600  2SJ48  2SJ49  2SJ50 (Hitachi)  P-кан  120  140  160  ±14  7  –  100  900  2SK1056  2SK1057  2SK1058 (Hitachi)  N-кан  120  140  160  ±15  7  –  100  600  2SJ160  2SJ161  2SJ162 (Hitachi)  P-кан  120  140  160  ±15  7  –  100  900  2SK175 (Hitachi)  N-кан  180  ±15  8  1,7  125   –  2SJ55 (Hitachi)  P-кан  180  ±15  8  1,0  125   –  2SK1529  2SK1530 (Toshiba)   N-кан  180  200  ±20  10  12  –  120  150  700  900  2SJ200  2SJ201 (Toshiba)   P-кан  180  200  ±20  10  12  –  120  150  1300  1500  BUZ900P  BUZ901P   N-кан  160  180  ±14  8  –  125  500  BUZ905P  BUZ906P   P-кан  160  180  ±14  8  –  125  730 Ненамного худшими параметрами будут обладать усилители, построенные на массовых, а потому недорогих, мощных MOSFET-ах, изначально предназначенных для коммутационных (Fast Switching) миссий. Причём по некоторым характеристикам, таким как: крутизна характеристики, сопротивление сток-исток в открытом состоянии, подобные транзисторы превосходят своих специализированных аудио коллег. Количество такого Fast Switching комплементарного MOSFET-добра никем немерено, поэтому ограничусь параметрами всего лишь нескольких КМОП экземпляров, наиболее популярных в радиолюбительском УНЧ-строении.  Транзистор    Канал   UСИ max, В   UЗИ max, В   IС max, А   RСИ, Ом   Pmax, Вт   СЗИ, пФ   IRFZ34  N-кан  55  ±20  29  0,04  68  700  IRF9Z34N  P-кан  55  ±20  19  0,1  68  620  IRF130  IRF131  IRF132  IRF133  N-кан  100  60  100  60  ±20  14  14  12  12  0,18  0,18  0,25  0,25  75  600  IRF9130  IRF9131  IRF9132  IRF9133  P-кан  100  60  100  60  ±20  12  12  10  10  0,3  0,3  0,4  0,4  75  700  IRF530  IRF531  IRF532  IRF533  N-кан  100  60  100  60  ±20  14  14  12  12  0,18  0,18  0,25  0,25  75  600  IRF9530  IRF9531  IRF9532  IRF9533  P-кан  100  60  100  60  ±20  12  12  10  10  0,3  0,3  0,4  0,4  75  700  IRF540  IRF541  IRF542  IRF543  N-кан  100  80  100  80  ±20  28  28  25  25  0,077  0,077  0,1  0,1  125  1450  IRF9540  IRF9541  IRF9542  IRF9543  P-кан  100  80  100  80  ±20  19  19  15  15  0,2  0,2  0,3  0,3  125  1100  IRF630  IRF631  IRF632  IRF633  N-кан  200  150  200  150  ±20  9  9  8  8  0,4  0,4  0,5  0,5  75  600  IRF9630  IRF9631  IRF9632  IRF9633  P-кан  200  150  200  150  ±20  6,5  6,5  5,5  5,5  0,8  0,8  1,2  1,2  75  560  IRF640  IRF641  IRF642  IRF643  N-кан  200  150  200  150  ±20  18  18  16  16  0,18  0,18  0,22  0,22  125  1600  IRF9640  IRF9641  IRF9642  IRF9643  P-кан  200  150  200  150  ±20  11  11  8  8  0,5  0,5  0,7  0,7  125  1100  IRFP140  N-кан  100  ±20  31  0,077  180  1275  IRFP9140  P-кан  100  ±20  21  0,2  180  1300 А для желающих ознакомиться с примерами схем УНЧ с выходными каскадами, построенными на мощных комплементарных транзисторах, приведу несколько ссылок: Схема усилителя низкой частоты на мощных полевых транзисторах, реализованная по чисто ламповой схемотехнике Ссылка на схему . Схемы УНЧ на TDA7293 мощностью 200 Вт и выходными каскадами на полевых транзисторах Ссылка на схему . Схемы УНЧ на TDA7293 мощностью 800 Вт и выходными каскадами на полевых транзисторах Ссылка на схему .

© 2017 Vpayaem.ru   All Rights Reserved

Коэффициент усиления по постоянному току в комплементарных транзисторах

Действительно ли это соответствует только 10%?

Быстрая проверка таблицы данных:

Действительно, hFe кажется хорошо согласованным между ними, но имейте в виду, что эти кривые представляют типичных характеристик . Изготовитель гарантирует только значения в таблице характеристик:

При указанных условиях (Ic=4A Vce=4V) минимальное значение hFe равно 20, а максимальное равно 70. Значение hFe около 50 из приведенной выше кривой соответствует действительности. посередине, поэтому мы должны ожидать распределения по Гауссу, но они не говорят о его дисперсии. Кроме того, hFe сильно меняется в зависимости от температуры:

Кривые от другого транзистора, но вы поняли идею. Так как речь идет о силовых транзисторах, то они предположительно будут использоваться в усилителе мощности и соответственно будут греться, причем не обязательно до одной температуры, также температура будет разной, и возможно один транзистор будет установлен на более прохладной части тепла раковина и т.д.

Другими словами, правда “между 20 и 70” при определенных условиях, что не имеет ничего общего с этим “hFe соответствует 10%”.

Наличие одинакового hFe для обоих транзисторов означает, что оба они будут одинаково нагружать схему драйвера (которая обеспечивает их базовый ток), и это должно уменьшить некоторые формы искажений.

Это то, что вы обычно ожидаете от «дополнительной пары»: два транзистора, которые производитель попытается сделать очень похожими, но на самом деле недостаточно, чтобы называться «согласованными». Кроме того, невозможно изготовить НПН и ПНП с одинаковыми характеристиками.

Если вы хотите, чтобы два транзистора были максимально согласованы и идентичны, единственный способ — изготовить их из одной и той же кремниевой пластины и расположить рядом друг с другом, чтобы они были изготовлены в одинаковых условиях. Они должны быть одного типа (например, 2x NPN).

Пример: SSM2220 или более дешевая серия DMMT. В этом случае транзисторы маломощные, в одном корпусе, чтобы попытаться сохранить их температуру как можно ближе, и они либо на одном кремниевом кристалле, либо на той же кремниевой пластине с тщательно контролируемым согласованием, проверенным тестированием. Очень важным моментом в этих согласованных транзисторах является согласование Vbe, так как именно оно определяет входное напряжение смещения, если они используются как пара с длинным хвостом.

PS: Если вы хотите собрать аудиоусилитель, 2955/3055 в классе B очень не рекомендуется.

РЕДАКТИРОВАТЬ:

Легче сопоставить NPN и NPN, потому что это один и тот же процесс изготовления, и вы можете изготовить оба транзистора в одних и тех же условиях, на одной пластине, на одном производственном цикле.

Однако, если они не расположены рядом друг с другом на одной и той же пластине, такие вещи, как легирование, осаждение паров и т. д., никогда не будут идеально однородными на вашей пластине, и они будут меняться между пластинами… так что ваши два «идентичных» транзистора будут имеют большой разброс в своих характеристиках… это факт производства кремниевых чипов.

NPN и PNP используют разные процессы изготовления, с разными шагами, выполняемыми в разном порядке, который будет зависеть от разных параметров… так что сопоставить их еще сложнее.

Таким образом, 10% на самом деле совсем неплохо.

Можно провести аналогию: машина, производящая винты, легко сможет производить почти идентичные винты в одной и той же партии, если она использует одни и те же инструменты и настройки, нет необходимости сверхточно настраивать ее. Но если вы хотите изготавливать гайки, точно соответствующие винтам, то вам нужно настроить машину для изготовления гаек так, чтобы она очень точно соответствовала машине для изготовления винтов, что намного сложнее. ..

двухтактный – Имеют ли комплементарные транзисторы проходные отверстия?

спросил 1 год, 7 месяцев назад

Изменено 1 год, 7 месяцев назад

Просмотрено 273 раза

\$\начало группы\$

Здесь у меня есть 2 двухтактных схемы, одна из комплементарных BJT CPH5524, а другая также с использованием комплементарного MOSFET BSL316C.

Я хотел бы иметь возможность толкать и тянуть на частоте около 100 кГц. Я беспокоился о съемке, которая может привести к тому, что вещи станут слишком горячими для комфорта. Если я выберу «дополнительные» детали, устранит ли это проблему прострела, тем самым устранив усилия, необходимые для поиска совпадающих частей?

^{смоделируйте эту схему – схема создана с помощью CircuitLab}

Каковы преимущества использования двухтактного биполярного транзистора по сравнению с двухтактным полевым МОП-транзистором? Обе упомянутые части удовлетворяют моим требованиям к нагрузке 24 В (максимум) 1 А, время переключения также намного выше, чем требуется. Какой из них лучше по сути?

• двухтактный

\$\конечная группа\$

4

\$\начало группы\$

Имеются ли дополнительные транзисторы с проходными отверстиями?

Двухтактные конфигурации эмиттерного повторителя и истокового повторителя, показанные в вашем вопросе , НЕ имеют какие-либо проблемы с прострелом.

Если я выберу «дополнительные» детали, устранит ли это проблемы прострелить?

В показанных схемах НЕТ ПРОБЛЕМ относительно прострела. Дополнительные детали не понадобятся. Конечно, обе части должны быть NPN и PNP и рассчитаны на эквивалентное напряжение, ток и hFE, но с этим типом схемы никогда не может быть проблемы сквозного пробоя, потому что вы НЕ МОЖЕТЕ иметь оба транзистора смещенными «включенными» при в то же время из-за способа соединения оснований (ворот).