Комплементарные транзисторы это: Комплементарные пары транзисторов

Комплементарная пара – транзистор – Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Cтраница 1

Комплементарная пара транзисторов в двухтактной схеме эмит-терного или истокового повторителя не требует парафазного сигнала для раскачки. Это существенно упрощает схему ОУ и является основной причиной распространения такой схемной конфигурации двухтактных эмиттерных повторителей. Оконечные каскады ОУ выполняются как на одиночных комплементарных парах транзисторов, так и на комплементарных парах на основе составных транзисторов.  [1]

Усилитель выполнен на комплементарной паре транзисторов, причем нагрузка включена в их эмиттерную цепь. Следовательно, транзисторы работают в режиме повторителей напряжения. Усиление мощности обусловлено усилением тока. В режиме покоя оба транзистора закрыты, поскольку напряжение на эмиттерных переходах равно нулю. Во время положительной полуволны входного сигнала открыт п – р – n – транзистор, ток / К1 через нагрузку протекает в направлении, указанном штриховой стрелкой.

Во время отрицательной полуволны открыт р – п – / 7-транзистор и ток / К2 протекает в направлении, указанном другой стрелкой.  [2]

Это объясняется тем, что усилительные свойства комплементарной пары транзисторов примерно одинаковые и применение УЭ в качестве динамической нагрузки, а динамической нагрузки в качестве УЭ почти равнозначно. КБЗ, которая для кремниевых транзисторов средней мощности достигает десяти вольт. Следовательно, с помощью комплементарной пары транзисторов в каскаде с динамической нагрузкой можно транслировать постоянный потенциал вниз от единиц до десятков вольт, что весьма существенно для интегральных усилителей, где используются непосредственные связи между каскадами.  [3]

Можно, конечно, применять и не комплементарную пару транзисторов, например транзисторы типа ВС490, но при этом увеличится значение коэффициента формы синусоидального напряжения.  [4]

Двухтактные эмиттерные повторители в ОУ выполняются на комплементарной паре транзисторов, один из которых обычный п-р – п транзистор с вертикальной инжекцией носителей, а другой – транзистор р-п – р тина, реализованный на подложке. Иногда в одном плече двухтактного эмит-терного повторителя применяется составной транзистор, который состоит из входного р-п – р транзистора с горизонтальной инжекцией носителей и выходного п-р – п транзистора с вертикальной инжекцией носителей. Составной транзистор является транзистором р-п – р типа, и его можно сформировать в кристалле без дополнительных технологических операций. Для питания транзисторов двухтактного оконечного каскада необходимо иметь либо два источника питания, либо один источник питания и два конденсатора очень большой емкости, либо один источник и выходной трансформатор ( см. гл. Поскольку ни трансформатор, ни конденсаторы большой емкости по микроэлектронной технологии получить невозможно, то для питания транзисторов двухтактного оконечного каскада ОУ используют почти всегда два источника питания.  [5]

Для создания усилителей очень низких частот и особенно усилителей постоянных и медленно изменяющихся напряжений и токов используют двухкаекадные усилители на комплементарных парах транзисторов с непосредственными связями. Транзисторы и резисторы в коллекторных ( RK) и эмиттерных ( R3) цепях попарно симметричны и подобраны таким образом, что обеспечивается стабильный рабочий режим по постоянному току и параметры усилителя очень мало зависят от изменений напряжения источника питания и изменений температуры. Если на входе и выходе усилителя устанавливаются разделительные конденсаторы С1 и С2, то усилитель пригоден только для усиления импульсных сигналов и сигналов переменного тока.  [6]

Соответствующие варианты включения КМОП /) / Д-5-триггера при неполном использовании его функциональных возможностей показаны на рис. 5.35 г – у КМОП ИС не рекомендуется оставлять неподключенным ни одного неиспользованного входа из-за открывания входной комплементарной пары транзисторов, что приводит к протеканию большого сквозного тока и резкому увеличению потребления мощности в статическом режиме.  [7]

Принципиальная электрическая схема радиоприемника Эхо-601 – стерео.  [8]

Все каскады УЗЧ имеют гальванические связи. Выходные каскады – двухтактные на комплементарных парах транзисторов.  [9]

Темпера-ура поддерживается простым терморегулятором, выполненным на

комплементарной паре транзисторов. Резистор обратной связи регулирует интервал между температурами, что позволяет достичь точность поддержания температур г 0 5; I С.  [10]

Более эффективны способы компенсации прохождения сигналов управления на выход. С этой точки зрения предпочтительны последовательно-параллельные ключи, в которых один ключ всегда работает на запирание, а другой на отпирание, и ключи на комплементарной паре транзисторов, один из которых имеет канал п-типа, а другой р-типа.  [11]

Электрические параметры интегральных операционных.  [12]

На выходе усилителя используется эмит-терный повторитель на комплементарных транзисторах Т ] з и Ti4, работающих в режиме В. Такой режим работы способствует уменьшению мощности, отбираемой от источников питания. При этом благодаря использованию

комплементарной пары транзисторов Т з и Ги выходной каскад обеспечивает передачу сигналов как положительной, так и отрицательной полярности. При появлении в коллекторной цепи Т12 сигналов положительной полярности отпирается п-р-и-транзистор Т ( 4 и передает сигнал на выход, а при появлении сигналов отрицательной полярности отпирается р-п-р-транзистор Ti3, также обеспечивая передачу сигнала на выход.  [13]

Это объясняется тем, что усилительные свойства комплементарной пары транзисторов примерно одинаковые и применение УЭ в качестве динамической нагрузки, а динамической нагрузки в качестве УЭ почти равнозначно. КБЗ, которая для кремниевых транзисторов средней мощности достигает десяти вольт. Следовательно, с помощью комплементарной пары транзисторов в каскаде с динамической нагрузкой можно транслировать постоянный потенциал вниз от единиц до десятков вольт, что весьма существенно для интегральных усилителей, где используются непосредственные связи между каскадами.

 [14]

Комплементарная пара транзисторов в двухтактной схеме эмит-терного или истокового повторителя не требует парафазного сигнала для раскачки. Это существенно упрощает схему ОУ и является основной причиной распространения такой схемной конфигурации двухтактных эмиттерных повторителей. Оконечные каскады ОУ выполняются как на одиночных комплементарных парах транзисторов, так и на комплементарных парах на основе составных транзисторов.  [15]

Страницы:      1    2

Характеристики мощных комплементарных полевых транзисторов

Это нужно знать Весь перечень знаний находится на этой странице Многие любители высококачественного звуковоспроизведения уже давно оценили достоинство использования комплементарных полевых транзисторов в выходных каскадах УНЧ. Достоинство это не скрывается под большими семейными трусами, а наоборот так и норовит прорости наружу в виде красивого (“мягкого/лампового”) звучания, малого уровня искажений и устойчивости к перегрузкам. А по таким параметрам, как коэффициент демпфирования, передача низких и высоких частот, ширина рабочей полосы пропускания – они превосходят даже классические образцы ламповых усилителей. Итак. Высокая температурная стабильность, малая мощность управления, слабая подверженность к пробою, самоограничение тока стока, высокое быстродействие в режиме коммутации, малый уровень шума – это основные преимущества полевых MOSFET транзисторов перед вакуумными приборами и биполярными транзисторами. Теперь о главном – какие выбрать полевики! Начнём с исходной точки – мощных и дорогих комплементарных полевых транзисторов, специально разработанных для аудиоаппаратуры. Такие транзисторы отличаются слабой зависимостью крутизны (forward transfer admitance) от тока стока и сглаженными выходными ВАХ. Параметры некоторых специализированных КМОП транзисторов, приведены в табл. 1.  Транзистор    Канал   U СИmax, В   UЗИmax, В   IСmax, А   RСИ, Ом   Pmax, Вт   СЗИ, пФ   10N20  20N20 (Exicon)  N-кан  200  ±14  8  16  –  125  250  500  950  10P20  20P20 (Exicon)  P-кан  200  ±14  8  16  –  125  250  700  1900  2SK133  2SK134  2SK135 (Hitachi)  N-кан  120  140  160  ±14  7  –  100  600  2SJ48  2SJ49  2SJ50 (Hitachi)  P-кан  120  140  160  ±14  7  –  100  900  2SK1056  2SK1057  2SK1058 (Hitachi)  N-кан  120  140  160  ±15  7  –  100  600  2SJ160  2SJ161  2SJ162 (Hitachi)  P-кан  120  140  160  ±15  7  –  100  900  2SK175 (Hitachi)  N-кан  180  ±15  8  1,7  125   –  2SJ55 (Hitachi)  P-кан  180  ±15  8  1,0  125   –  2SK1529  2SK1530 (Toshiba)   N-кан  180  200  ±20  10  12  –  120  150  700  900  2SJ200  2SJ201 (Toshiba)   P-кан  180  200  ±20  10  12  –  120  150  1300  1500  BUZ900P  BUZ901P   N-кан  160  180  ±14  8  –  125  500  BUZ905P  BUZ906P   P-кан  160  180  ±14  8  –  125  730 Ненамного худшими параметрами будут обладать усилители, построенные на массовых, а потому недорогих, мощных MOSFET-ах, изначально предназначенных для коммутационных (Fast Switching) миссий. Причём по некоторым характеристикам, таким как: крутизна характеристики, сопротивление сток-исток в открытом состоянии, подобные транзисторы превосходят своих специализированных аудио коллег. Количество такого Fast Switching комплементарного MOSFET-добра никем немерено, поэтому ограничусь параметрами всего лишь нескольких КМОП экземпляров, наиболее популярных в радиолюбительском УНЧ-строении.  Транзистор    Канал   UСИ max, В   UЗИ max, В   IС max, А   RСИ, Ом   Pmax, Вт   СЗИ, пФ   IRFZ34  N-кан  55  ±20  29  0,04  68  700  IRF9Z34N  P-кан  55  ±20  19  0,1  68  620  IRF130  IRF131  IRF132  IRF133  N-кан  100  60  100  60  ±20  14  14  12  12  0,18  0,18  0,25  0,25  75  600  IRF9130  IRF9131  IRF9132  IRF9133  P-кан  100  60  100  60  ±20  12  12  10  10  0,3  0,3  0,4  0,4  75  700  IRF530  IRF531  IRF532  IRF533  N-кан  100  60  100  60  ±20  14  14  12  12  0,18  0,18  0,25  0,25  75  600  IRF9530  IRF9531  IRF9532  IRF9533  P-кан  100  60  100  60  ±20  12  12  10  10  0,3  0,3  0,4  0,4  75  700  IRF540  IRF541  IRF542  IRF543  N-кан  100  80  100  80  ±20  28  28  25  25  0,077  0,077  0,1  0,1  125  1450  IRF9540  IRF9541  IRF9542  IRF9543  P-кан  100  80  100  80  ±20  19  19  15  15  0,2  0,2  0,3  0,3  125  1100  IRF630  IRF631  IRF632  IRF633  N-кан  200  150  200  150  ±20  9  9  8  8  0,4  0,4  0,5  0,5  75  600  IRF9630  IRF9631  IRF9632  IRF9633  P-кан  200  150  200  150  ±20  6,5  6,5  5,5  5,5  0,8  0,8  1,2  1,2  75  560  IRF640  IRF641  IRF642  IRF643  N-кан  200  150  200  150  ±20  18  18  16  16  0,18  0,18  0,22  0,22  125  1600  IRF9640  IRF9641  IRF9642  IRF9643  P-кан  200  150  200  150  ±20  11  11  8  8  0,5  0,5  0,7  0,7  125  1100  IRFP140  N-кан  100  ±20  31  0,077  180  1275  IRFP9140  P-кан  100  ±20  21  0,2  180  1300 А для желающих ознакомиться с примерами схем УНЧ с выходными каскадами, построенными на мощных комплементарных транзисторах, приведу несколько ссылок: Схема усилителя низкой частоты на мощных полевых транзисторах, реализованная по чисто ламповой схемотехнике Ссылка на схему . Схемы УНЧ на TDA7293 мощностью 200 Вт и выходными каскадами на полевых транзисторах Ссылка на схему . Схемы УНЧ на TDA7293 мощностью 800 Вт и выходными каскадами на полевых транзисторах Ссылка на схему .

© 2017 Vpayaem.ru   All Rights Reserved

Схема комплементарной симметрии — усилители

Усилители

Переходные транзисторы доступны как типы PNP и NPN. Если два типа транзисторов соединены в один каскад (рисунок ниже), путь тока (указанный стрелками) в выходной цепи завершается через коллекторно-эмиттерные переходы транзисторов. При подключении к этому Таким образом, схема упоминается как схема комплементарной симметрии .

Схема дополнительной симметрии обеспечивает все преимущества обычной схемы. двухтактные усилители без необходимости в каскаде драйвера фазоинвертора или для входного трансформатора с отводом от средней точки. Параллельное подключение выхода цепь по отношению к нагрузке устраняет необходимость в отводной первичной обмотке. трансформатор в выходной цепи.

Схема комплементарной симметрии с нулевым смещением.

На рисунке выше показаны два транзистора в комплементарном соединении симметрии. Транзистор Q ₁ представляет собой транзистор PNP и транзистор Q ₂ — NPN-транзистор. Отрицательный входной сигнал смещает транзистор Q ₁ в прямом направлении и заставляет его проводить. Положительный входной сигнал смещает транзистор в прямом направлении Q ₂ и заставляет его проводить. Поскольку один транзистор проводит, другой непроводящие, потому что сигнал, который идет вперед, смещает один транзистор, обратное смещение другого транзистора.

Результирующее действие в выходной цепи можно понять, рассмотрев схема рисунка ниже. Это упрощенная версия выходной схемы. Внутренняя цепь эмиттер-коллектор транзистора Q ₁ представлен переменным резистором R ₁ и транзистора Q ₂ переменным резистором Р ₂ .

Упрощенный вариант выходной схемы комплементарной схемы симметрии.

При отсутствии входного сигнала и работе класса B (нулевое смещение эмиттер-база) переменные плечи переменных резисторов можно считать находящимися в выключенном состоянии позиции (бесконечные сопротивления R ₁ и Р ₂ ). Ток через транзисторы не течет ни через нагрузочный резистор R _L . Когда входящий сигнал идет положительный, транзисторный Q ₂ проводящий и транзисторный Q ₁ остается непроводящим. Переменный резистор Р ₁ остается в выключенном состоянии. Переменное плечо резистора R ₂ движется к точке 3 и ток проходит через последовательную цепь состоит из батареи В _CC2 , переменного резистора R ₂ и резистор R _L . Величина текущего потока зависит от величины входящего сигнала, регулируемый рычаг перемещается к точке 3 для увеличения прямого смещения и к точке 4 для уменьшения смещение вперед. Ток течет в направлении пунктирной стрелки, выдает напряжение указанной полярности. Когда входной сигнал проходит минус, транзистор Q ₁ проводники и транзистор Q ₂ становится непроводящим. То же действие повторяется с переменный резистор R ₁ . Ток течет через батарею В _CC1 , нагрузочный резистор R _L и переменный резистор R ₁ в направлении, указанном сплошная стрелка и создает напряжение на резисторе R _L с указанием полярности.

Для работы класса А схемы дополнительной симметрии напряжение Сеть делителя (не показана) используется для подачи прямого смещения на два транзисторы, чтобы коллекторный ток не отключался в любое время. В упрощенной схеме (рисунок выше) переменных резисторов не будет. положение Off в любое время. Постоянный ток смещения в выходной цепи протекает от плюсовой клеммы аккумулятора В _CC2 , через переменный резистор R ₂ , переменный резистор Р ₁ , и к отрицательной клемме аккумулятора В _CC1 . Через резистор R _L ток не течет. Под этим условиях, выходную цепь можно считать балансным мостом, плечи моста из резисторов R ₁ и R ₂ и батареи V _CC1 и В _СС2 . Когда входной сигнал становится положительным, транзистор Вопрос ₂ проводник и транзистор Q ₁ проводит меньше. В упрощенной схеме переменное плечо резистора R ₁ перемещается к точке 1 и к точке резистора R ₂ перемещается к точке 3. Это действие приводит к дисбалансу мост и ток течет через резистор R _L в направлении пунктирной стрелки, создавая напряжение с указана полярность. Когда входной сигнал становится отрицательным, транзистор Q ₁ проводник и транзистор Q ₂ проводит меньше. В упрощенной схеме переменное плечо резистора R ₁ перемещается к точке 2 и к точке резистора R ₂ движется к точке 4. Мост снова разбалансирован, и ток течет через резистор R _L в направлении сплошной стрелки, производя напряжение с указанной полярностью.

Ни в классе B, ни в классе A постоянный ток не протекает через нагрузочный резистор. Преимущество этого свойства можно получить, подключив громкоговоритель напрямую. вместо резистора Р _Л . Громкоговоритель не будет смещен постоянным током, протекающим через него, и поэтому искажения не произойдут.

На рисунке ниже показана дополнительная схема симметрии, к которой было применено прямое смещение. Напряжение, развиваемое на диодах D ₁ и D ₂ обеспечивает прямое смещение для каждого транзистор. Два диода выбраны в соответствии с характеристиками транзисторы. Р ₁ и R ₂ обеспечить необходимый ток смещения и обычно делаются равными, чтобы смещать оба транзисторы поровну.

Схема дополнительной симметрии со смещающими диодами.

Коэффициент усиления по постоянному току в комплементарных транзисторах

Действительно ли это совпадение только с точностью до 10%?

Быстрая проверка таблицы данных:

Действительно, hFe кажется хорошо согласованным между этими двумя параметрами, но имейте в виду, что эти кривые представляют типичный характеристики. Изготовитель гарантирует только значения в таблице характеристик:

При указанных условиях (Ic=4A Vce=4V) минимальное значение hFe равно 20, а максимальное равно 70. Значение hFe около 50 из приведенной выше кривой соответствует действительности. посередине, поэтому мы должны ожидать распределения по Гауссу, но они не говорят о его дисперсии. Кроме того, hFe сильно меняется в зависимости от температуры:

Кривые от другого транзистора, но вы поняли. Так как речь идет о силовых транзисторах, то они предположительно будут использоваться в усилителе мощности и соответственно будут греться, причем не обязательно до одной температуры, также температура будет разной, и возможно один транзистор будет установлен на более прохладной части тепла раковина и т. д.

Другими словами, правда “между 20 и 70” при определенных условиях, что совсем не похоже на “hFe соответствует 10%”.

Наличие одинакового hFe для обоих транзисторов означает, что оба они будут одинаково нагружать схему драйвера (которая обеспечивает их базовый ток), и это должно уменьшить некоторые формы искажений.

Это то, что вы обычно ожидаете от «дополнительной пары»: два транзистора, которые производитель попытается сделать очень похожими, но на самом деле недостаточно, чтобы называться «согласованными». Кроме того, невозможно изготовить НПН и ПНП с одинаковыми характеристиками.

Если вы хотите, чтобы два транзистора были максимально согласованы и идентичны, единственный способ — изготовить их из одной и той же кремниевой пластины и расположить рядом друг с другом, чтобы они были изготовлены в одинаковых условиях. Они должны быть одного типа (например, 2x NPN).

Пример: SSM2220 или более дешевая серия DMMT. В этом случае транзисторы маломощные, в одном корпусе, чтобы попытаться сохранить их температуру как можно ближе, и они либо на одном кремниевом кристалле, либо на той же кремниевой пластине с тщательно контролируемым согласованием, проверенным тестированием. Очень важным моментом в этих согласованных транзисторах является согласование Vbe, так как именно оно определяет входное напряжение смещения, если они используются как пара с длинным хвостом.

PS: Если вы хотите построить аудиоусилитель, 2955/3055 класса B не рекомендуется.

РЕДАКТИРОВАТЬ:

Легче сопоставить NPN и NPN, потому что это один и тот же процесс изготовления, и вы можете изготовить оба транзистора в одних и тех же условиях, на одной пластине, на одном производственном цикле.

Однако, если они не расположены рядом друг с другом на одной и той же пластине, такие вещи, как легирование, осаждение паров и т. д., никогда не будут идеально однородными на вашей пластине, и они будут меняться между пластинами… так что ваши два «идентичных» транзистора будут имеют большой разброс в своих характеристиках… это факт производства кремниевых чипов.

NPN и PNP используют разные процессы изготовления, с разными шагами, выполняемыми в разном порядке, который будет зависеть от разных параметров.