Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

цены от 750 рублей, отзывы, производители, поиск и каталог моделей

Другой город Абакан Алдан Александров Алексин Анапа Ангарск Армавир Архангельск Асбест Астрахань Балабаново Балаково Балашиха Балашов Барнаул Батайск Бежецк Белгород Березники Березовский Бийск Благовещенск Бор Борисоглебск Братск Бронницы Брянск Бузулук Великие Луки Великий Новгород Видное Владикавказ Владимир Волгоград Волгодонск Волжский Вологда Волоколамск Воронеж Воскресенск Выборг Вышний Волочек Вязьма Глазов Грозный Гусь-Хрустальный Дзержинск Дмитров Долгопрудный Домодедово Донской Дубна Егорьевск Екатеринбург Елабуга Елец Железногорск Железнодорожный Жуковский Звенигород Зеленоград Зеленодольск Зима Златоуст Иваново Ивантеевка Ижевск Иркутск Истра Йошкар-Ола Казань Калининград Калуга Каменка Кашира Кемерово Кимры Кингисепп Кинешма Киржач Кириши Киров Клин Клинцы Ковров Коломна Конаково Копейск Королев Костомукша Кострома Красногорск Краснодар Красноярск Кропоткин Кстово Курган Курск Липецк Лиски Луховицы Лыткарино Люберцы Магнитогорск Майкоп Малоярославец Миасс Мичуринск Можайск Москва Московский Мурманск Муром Мытищи Набережные Челны Нальчик Наро-Фоминск Нахабино Нижний Новгород Нижний Тагил Новокузнецк Новокуйбышевск Новомосковск Новороссийск Новосибирск Новочебоксарск Новочеркасск Ногинск Обнинск Одинцово Озерск Октябрьский Омск Оренбург Орехово-Зуево Орск Орёл Павлово Пенза Переславль-Залесский Пермь Петрозаводск Печора Подольск Покров Псков Пушкино Пятигорск Раменское Реутов Ржев Рославль Россошь Ростов Ростов-на-Дону Рыбинск Рязань Салават Салехард Самара Санкт-Петербург Саранск Саратов Саров Сасово Севастополь Северодвинск Сергиев Посад Серов Серпухов Смоленск Солнечногорск Сортавала Сочи Ставрополь Старый Оскол Стерлитамак Ступино Сургут Сходня Сызрань Таганрог Тамбов Тверь Темрюк Тольятти Томск Троицк Московская обл. Троицк Челябинская обл. Тула Тюмень Ульяновск Уфа Ухта Фрязино Химки Чайковский Чебоксары Челябинск Череповец Чехов Шадринск Шатура Шахты Щекино Щелково Щербинка Электросталь Энгельс Ялта Ярославль

Ваш город
Краснодар

Выбрать город Другой город Абакан Алдан Александров Алексин Анапа Ангарск Армавир Архангельск Асбест Астрахань Балабаново Балаково Балашиха Балашов Барнаул Батайск Бежецк Белгород Березники Березовский Бийск Благовещенск Бор Борисоглебск Братск Бронницы Брянск Бузулук Великие Луки Великий Новгород Видное Владикавказ Владимир Волгоград Волгодонск Волжский Вологда Волоколамск Воронеж Воскресенск Выборг Вышний Волочек Вязьма Глазов Грозный Гусь-Хрустальный Дзержинск Дмитров Долгопрудный Домодедово Донской Дубна Егорьевск Екатеринбург Елабуга Елец Железногорск Железнодорожный Жуковский Звенигород Зеленоград Зеленодольск Зима Златоуст Иваново Ивантеевка Ижевск Иркутск Истра Йошкар-Ола Казань Калининград Калуга Каменка Кашира Кемерово Кимры Кингисепп Кинешма Киржач Кириши Киров Клин Клинцы Ковров Коломна Конаково Копейск Королев Костомукша Кострома Красногорск Краснодар Красноярск Кропоткин Кстово Курган Курск Липецк Лиски Луховицы Лыткарино Люберцы Магнитогорск Майкоп Малоярославец Миасс Мичуринск Можайск Москва Московский Мурманск Муром Мытищи Набережные Челны Нальчик Наро-Фоминск Нахабино Нижний Новгород Нижний Тагил Новокузнецк Новокуйбышевск Новомосковск Новороссийск Новосибирск Новочебоксарск Новочеркасск Ногинск Обнинск Одинцово Озерск Октябрьский Омск Оренбург Орехово-Зуево Орск Орёл Павлово Пенза Переславль-Залесский Пермь Петрозаводск Печора Подольск Покров Псков Пушкино Пятигорск Раменское Реутов Ржев Рославль Россошь Ростов Ростов-на-Дону Рыбинск Рязань Салават Салехард Самара Санкт-Петербург Саранск Саратов Саров Сасово Севастополь Северодвинск Сергиев Посад Серов Серпухов Смоленск Солнечногорск Сортавала Сочи Ставрополь Старый Оскол Стерлитамак Ступино Сургут Сходня Сызрань Таганрог Тамбов Тверь Темрюк Тольятти Томск Троицк Московская обл. Троицк Челябинская обл. Тула Тюмень Ульяновск Уфа Ухта Фрязино Химки Чайковский Чебоксары Челябинск Череповец Чехов Шадринск Шатура Шахты Щекино Щелково Щербинка Электросталь Энгельс Ялта Ярославль Продолжить

Реле контроля напряжения трехфазные (3ф)

Другой город Абакан Алдан Александров Алексин Анапа Ангарск Армавир Архангельск Асбест Астрахань Балабаново Балаково Балашиха Балашов Барнаул Батайск Бежецк Белгород Березники Березовский Бийск Благовещенск Бор Борисоглебск Братск Бронницы Брянск Бузулук Великие Луки Великий Новгород Видное Владикавказ Владимир Волгоград Волгодонск Волжский Вологда Волоколамск Воронеж Воскресенск Выборг Вышний Волочек Вязьма Глазов Грозный Гусь-Хрустальный Дзержинск Дмитров Долгопрудный Домодедово Донской Дубна Егорьевск Екатеринбург Елабуга Елец Железногорск Железнодорожный Жуковский Звенигород Зеленоград Зеленодольск Зима Златоуст Иваново Ивантеевка Ижевск Иркутск Истра Йошкар-Ола Казань Калининград Калуга Каменка Кашира Кемерово Кимры Кингисепп Кинешма Киржач Кириши Киров Клин Клинцы Ковров Коломна Конаково Копейск Королев Костомукша Кострома Красногорск Краснодар Красноярск Кропоткин Кстово Курган Курск Липецк Лиски Луховицы Лыткарино Люберцы Магнитогорск Майкоп Малоярославец Миасс Мичуринск Можайск Москва Московский Мурманск Муром Мытищи Набережные Челны Нальчик Наро-Фоминск Нахабино Нижний Новгород Нижний Тагил Новокузнецк Новокуйбышевск Новомосковск Новороссийск Новосибирск Новочебоксарск Новочеркасск Ногинск Обнинск Одинцово Озерск Октябрьский Омск Оренбург Орехово-Зуево Орск Орёл Павлово Пенза Переславль-Залесский Пермь Петрозаводск Печора Подольск Покров Псков Пушкино Пятигорск Раменское Реутов Ржев Рославль Россошь Ростов Ростов-на-Дону Рыбинск Рязань Салават Салехард Самара Санкт-Петербург Саранск Саратов Саров Сасово Севастополь Северодвинск Сергиев Посад Серов Серпухов Смоленск Солнечногорск Сортавала Сочи Ставрополь Старый Оскол Стерлитамак Ступино Сургут Сходня Сызрань Таганрог Тамбов Тверь Темрюк Тольятти Томск Троицк Московская обл. Троицк Челябинская обл. Тула Тюмень Ульяновск Уфа Ухта Фрязино Химки Чайковский Чебоксары Челябинск Череповец Чехов Шадринск Шатура Шахты Щекино Щелково Щербинка Электросталь Энгельс Ялта Ярославль

Ваш город
Санкт-Петербург

Выбрать город Другой город Абакан Алдан Александров Алексин Анапа Ангарск Армавир Архангельск Асбест Астрахань Балабаново Балаково Балашиха Балашов Барнаул Батайск Бежецк Белгород Березники Березовский Бийск Благовещенск Бор Борисоглебск Братск Бронницы Брянск Бузулук Великие Луки Великий Новгород Видное Владикавказ Владимир Волгоград Волгодонск Волжский Вологда Волоколамск Воронеж Воскресенск Выборг Вышний Волочек Вязьма Глазов Грозный Гусь-Хрустальный Дзержинск Дмитров Долгопрудный Домодедово Донской Дубна Егорьевск Екатеринбург Елабуга Елец Железногорск Железнодорожный Жуковский Звенигород Зеленоград Зеленодольск Зима Златоуст Иваново Ивантеевка Ижевск Иркутск Истра Йошкар-Ола Казань Калининград Калуга Каменка Кашира Кемерово Кимры Кингисепп Кинешма Киржач Кириши Киров Клин Клинцы Ковров Коломна Конаково Копейск Королев Костомукша Кострома Красногорск Краснодар Красноярск Кропоткин Кстово Курган Курск Липецк Лиски Луховицы Лыткарино Люберцы Магнитогорск Майкоп Малоярославец Миасс Мичуринск Можайск Москва Московский Мурманск Муром Мытищи Набережные Челны Нальчик Наро-Фоминск Нахабино Нижний Новгород Нижний Тагил Новокузнецк Новокуйбышевск Новомосковск Новороссийск Новосибирск Новочебоксарск Новочеркасск Ногинск Обнинск Одинцово Озерск Октябрьский Омск Оренбург Орехово-Зуево Орск Орёл Павлово Пенза Переславль-Залесский Пермь Петрозаводск Печора Подольск Покров Псков Пушкино Пятигорск Раменское Реутов Ржев Рославль Россошь Ростов Ростов-на-Дону Рыбинск Рязань Салават Салехард Самара Санкт-Петербург Саранск Саратов Саров Сасово Севастополь Северодвинск Сергиев Посад Серов Серпухов Смоленск Солнечногорск Сортавала Сочи Ставрополь Старый Оскол Стерлитамак Ступино Сургут Сходня Сызрань Таганрог Тамбов Тверь Темрюк Тольятти Томск Троицк Московская обл. Троицк Челябинская обл. Тула Тюмень Ульяновск Уфа Ухта Фрязино Химки Чайковский Чебоксары Челябинск Череповец Чехов Шадринск Шатура Шахты Щекино Щелково Щербинка Электросталь Энгельс Ялта Ярославль Продолжить

принцип работы и назначение. Подключение реле контроля напряжения

a:2:{s:4:”TEXT”;s:11867:”Зачем устанавливать реле?

     Некоторые обладатели техники считают, что сеть достаточно стабильна и проблемы их не коснутся, однако это не так, и перегрузки могут возникнуть из-за различных явлений. В этом случае https://techtrends.ru/catalog/rele-kontrolya/” target=”_blank”>реле контроля напряжения может спасти технику от сгорания, а ее владельцев – от больших трат.


    Если на воздушной линии случайно произойдет обрыв, это может привести к большому скачку напряжения, который будет значительно превышать обычные параметры. Чувствительная техника не выдержит таких перемен и сгорит без дополнительной защиты. Причиной обрыва легко может стать непогода, например, разбушевавшийся ветер. Из-за повреждения нейтрального провода может возникнуть схожая проблема с такими же итогами.
    На уровень напряжения может повлиять и расположение трансформатора. Если он находится далеко от здания, то при передаче тока уровень может упасть до слишком низких значений, что отрицательно скажется на технике при ее работе в этот момент.
    Если в сеть включается мощный прибор, потребляющий большое количество энергии, то на другой фазе в этот момент может упасть напряжение. Это негативно скажется на других приборах, которые находятся на пустой фазе, они могут повредиться и даже сгореть.


     Все эти проблемы могут возникнуть в любое время, никто не застрахован от них, поэтому лучше заранее позаботиться о защите своей техники, установив реле контроля напряжения.




Принцип работы устройства и его конструкция

     Механизм управляется специальной микросхемой, которая контролирует работу и отслеживает уровень напряжения в сети. Если оно приближается к опасным параметрам, оборудование включается и выравнивает уровень. Стоит помнить, что реле работает только в определенном диапазоне – от 100 до 400 Вт, поэтому не нужно надеяться на его помощь во время грозы. От попадания молнии это устройство не защитит, тут потребуется ограничитель напряжения, который устанавливается отдельно.


Как устроено реле контроля напряжения?

    У него есть две части, которые отвечают за работу – электронная и силовая. Первая отслеживает уровень напряжения и контролирует его, а вторая отвечает за регулирование нагрузки.
    Самой важной частью в этом устройстве является специальный микропроцессор, который контролирует всю деятельность. По-другому он называется компактор. Оборудование на основе таких процессоров считается лучшим вариантом, поскольку оно способно регулировать напряжение наиболее плавно, без лишних скачков.
    Главными свойствами для реле являются быстрое срабатывание и действие, чтобы устройство могло защитить технику. Уровень быстродействия зависит от установленных настроек.
    По своему действию реле отличается от стабилизаторов, оно не распределяет все напряжение по сети, а просто отключает аварийные участки, где напряжение отличается от нормы. Именно поэтому использование таких устройств считается более эффективным.




Где используется реле?

     Сфера использования этого устройства достаточно широкая, поскольку оно применяется для защиты от перегрузки в электросети и обеспечении безопасности приборов. Поскольку техника и различное оборудование используется повсюду, то и реле может быть установлено в любом заведении и помещении, где имеются приборы, которые необходимо защитить.


    Реле справляется с защитой как однофазной, так и трехфазной сети, помимо этого, оберегая ее от обрывов, слипаний и перекосов.
    Может использоваться для защиты устройств, которые имеют значительную нагрузку на мотор во время работы, также помогает при взаимодействии с приборами, имеющими длительный переходный цикл.
    Некоторые установки требуют определенного качественного напряжения или полных фаз, в этом случае не обойтись без реле.
    Применяется также в обычных квартирах и домах, чтобы защитить бытовую технику и приборы, в общественных заведениях, где используется дорогостоящее и высокоточное оборудование, на производстве – чтобы не допустить сбоя в работе промышленной техники.




Преимущества устройства

     Использование реле имеет немало плюсов. Это удобное и современное оборудование позволяет защитить технику и не беспокоиться о ее сохранности, а также обладает положительными качествами, которые обеспечивают широкие возможности для работы.


    Агрегат способен работать в условиях значительного температурного диапазона от -20 до +40 градусов по Цельсию, поэтому его можно использовать не только в помещении, но и на улице, если регион не отличается слишком холодными зимами.
    Производители выпускают довольно большое количество различных устройств со своими функциями и особенностями, поэтому не составит труда подобрать подходящий вариант, как по характеристикам, так и по бюджету.
    Использование реле экономит расходы на ремонт или покупку новой техники, защищая имеющиеся приборы.
    Прибор не требует сложной установки, поэтому можно провести монтаж самостоятельно, имея минимальные навыки обращения с подобными устройствами.
    Модели выглядят достаточно приятно, чтобы не выделяться на фоне обстановки и не нарушать гармоничность интерьера своим присутствием.
    Интенсивность света не меняется во время перемены напряжения в сети. Если произошел обрыв линии из-за каких-то погодных явлений, то устройство просто отключит аварийный участок во избежание проблем.



“;s:4:”TYPE”;s:4:”HTML”;}

Контроль постоянного напряжения | Электротехническая Компания Меандр

Параметр

Ед.изм.

РКН-1-1-15DC24B РКН-1-1-15 DC27В РКН-1-1-15 DC48В РКН-1-1-15 DC60В РКН-1-1-15 DC110В
РКН-1-1-15 DC220В
РКН-1-1-15 DC250В

Номинальное напряжение Uном

В

24

27

48

60

110

220 250

Минимальное допустимое напряжение питания

В

16

18

32

39

72 143 175

Максимальное допустимое напряжение питания

В

36

38

72

90

165
330
325

Контроль перенапряжения, Uном

%

+5…+30

Контроль снижения напряжения, Uном

%

-30…-5

Точность установки порогов напряжения, Uном

%

5

Точность измерения, Uном

%

2

Гистерезис напряжения порога срабатывания, Uном

%

5

Диапазон установки времени задержки, t

с

0,1-10

Время включения, tвкл 200

Максимальный коммутируемый ток: АС250В 50Гц (АС1)/DC30В (DC1)

А

8

Максимальное коммутируемое напряжение B 400(AC1-2A)

Максимальная коммутируемая мощность: АС250В 50Гц (АС1)/DC30В (DC1)

ВА/Вт

2000/240

Максимальное напряжение между цепями питания и контактами реле

В

АС2000 (50Гц – 1мин)

Потребляемая мощность, не более ВА 4

Механическая износостойкость, не менее

циклов

10×106

Электрическая износостойкость, не менее

циклов

100000

Количество и тип выходных контактов   2 переключающие группы
Диапазон рабочих температур 0С

-25…+55 (УХЛ4)

 -40…+55 (УХЛ2)

Температура хранения 0С -40…+70
Помехоустойчивость от пачек импульсов в соответствии с ГОСТ Р 51317.4.4-99 (IEC/EN 61000-4-4)   уровень 3 (2кВ/5кГц)
Помехоустойчивость от перенапряжения в соответствии с ГОСТ Р 51317.4.5-99 (IEC/EN 61000-4-5)   уровень 3 (2кВ А1-А2)

Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150-69

 

УХЛ4 или УХЛ2

Степень защиты (по корпусу/по клеммам)

 

IP40/IP20

Степень загрязнения в соответствии с ГОСТ 9920-89   2
Относительная влажность воздуха % до 80 (при 250С)
Высота над уровнем моря   до 2000
Рабочее положение в пространстве   произвольное
Режим работы   круглосуточный

Габаритные размеры

мм

18х93х62

Масса, не более

кг

0,065

Реле контроля напряжения. Принцип работы и подключение

Для защиты дорогостоящей бытовой или электрической техники от скачков напряжения, в следствие которых возможна их поломка, используется реле контроля напряжения. Данное устройство обеспечивает номинальное напряжение электросети. Об особенностях конструкции и подключения реле контроля напряжения поговорим далее.

Оглавление:

  1. Устройство и принцип работы реле контроля напряжения
  2. Сфера использования и преимущества применения реле контроля напряжения
  3. Разновидности реле контроля фаз и напряжения
  4. Рекомендации по выбору реле контроля напряжения
  5. Реле контроля напряжения: подключение и монтаж

Устройство и принцип работы реле контроля напряжения

Принцип работы реле контроля напряжения состоит в том, чтобы не допустить перенапряжение или недостаточное напряжение электросети.

В ответе на вопрос, почему следует устанавливать реле контроля напряжения, выделим несколько причин:

  • во время обрыва воздушной линии на территории частного сектора, возможен скачок напряжения на 160 Вт больше обычного, в следствие этого некоторые легко уязвимые электроприборы с легкостью перегорают и требуют ремонта;
  • в непогоду или по другим причинам обрыв нейтрального провода ведет к возрастанию нагрузки и повреждению электротехники;
  • при расположении дома вдали трансформатора, напряжение падает до критически низкого уровня, это также отрицательно сказывается на работе электротехники;
  • во время включения мощного потребителя электричества, фаза перегружается, в результате из-за недостатка напряжения возможна поломка приборов.

Реле состоит из микросхемы, которая руководит его работой. Микросхема – определяет снижение или повышение напряжение, передает сигнал электромагнитному реле, и происходит мгновенное включение прибора, которых выравнивает напряжение.

Диапазон работы реле контроля напряжения составляет от 100 до 400 Вт. Во время грозы, разряды молнии превышают эти показатели, поэтому не рекомендуется надеяться на реле контроля напряжения, и включать электроприборы в непогоду. Для таких целей существуют ограничители напряжения.

Реле контроля напряжения состоит из двух частей:

  • электронной,
  • силовой.

Первая часть контролирует напряжение, а вторая – выполняет действия по распределению нагрузки.

Основная часть реле – это микропроцессор или компактор. Реле на основе микропроцессора, является лучшим, так как способно плавно регулировать изменения напряжения.

Основным свойством реле контроля напряжения является быстрое действие и срабатывание. Порог срабатывания зависит от настройки потенциометра.

Реле контроля напряжения отличается от стабилизаторов принципом действия. Во время скачков напряжения реле отключает те участки, на которых напряжение не достигает нормы. Стабилизаторы – регулируют и распределяют напряжение равномерно по всей сети.

Поэтому во время возникновения аварийных ситуаций более эффективным является использование реле контроля напряжения, которое отключит аварийные участки.

Сфера использования и преимущества применения реле контроля напряжения

Для избежания перегрузки электроприборов, таких как холодильник, бойлер, котел, во время понижения или повышения напряжения в электросети, используется реле контроля напряжения.

Реле контроля напряжения имеет широкую сферу использования, так как электрические приборы присутствуют практически повсюду, то и реле контроля напряжение необходимо в любом заведении.

Сфера использования реле контроля напряжения:

  • защита однофазной или трехфазной сети;
  • защита от возникновения обрыва, слипания, перекоса фазы;
  • предотвращение нарушения последовательной работы фаз;
  • защита электрического оборудования от поломок;
  • использование при защите приборов, которые имеют длительную переходную работу;
  • при использовании устройств с нагрузкой на электродвигатель;
  • специальные установки требующие качественного напряжения и наличия полных фаз;
  • используются для защиты бытовых и электрических приборов от перенапряжения в жилых домах и квартирах;
  • применяются в общественных заведениях: школах, супермаркетах, магазинах электроники, компьютерных залах, больницах, кинотеатрах, для защиты дорогостоящего оборудования от поломки;
  • в промышленных заведениях на фабриках и заводах, для предотвращения сбоя в работе оборудования.

Преимущества использования реле контроля напряжения:

  • высокий диапазон рабочей температуры от -20 до +40, позволяет использовать устройства, как снаружи так и внутри помещений;
  • разнообразие видов данных устройств позволяет выбрать реле контроля напряжения в соотношении с материальными предпочтениями;
  • реле контроля напряжения обеспечивает надежную защиту дорогостоящей техники от пере- или недонапряжения и предотвращает ее поломку;
  • широкий выбор моделей и производителей реле контроля напряжения открывает перед покупателем много возможностей по удовлетворению индивидуальных запросов;
  • легкость монтажа позволяет установить этот прибор самостоятельно, не прибегая к помощи электрика;
  • современные модели отличаются наличием оригинального дизайна, который с легкостью вписывается в общий интерьер помещения;
  • во время скачков напряжения отсутствует увеличение или снижение интенсивности света;
  • прибор автоматически отключает участки электросети, которые повреждены в случае аварии или плохой погоды.

Разновидности реле контроля фаз и напряжения

В соотношении с типом подключения выделяют реле:

  • вилко-розетчастой формы;
  • в виде удлинителя;
  • устанавливаемое на рейку.

1. Реле напряжения первого типа отличается наличием вилки, которая облегчает его установку. Такой прибор достаточно просто воткнуть в розетку. Он защищает только отдельные группы потребителей. Управление прибором осуществляет микроконтроллер. Он анализирует текущее питающее напряжение, а затем показывает это значение на цифровом экране. Регулирует и отключает нагрузку электромагнитное реле. Такие устройства имеют кнопки, которые позволяют отключать и регулировать пределы напряжения.

2. Удлинительное реле контроля напряжение схоже с предыдущим типом устройства. Отличаются они тем, что реле удлинитель имеет несколько розеток и позволяет произвести одновременную защиту двух и более устройств.

3. Реле, устанавливаемое на D I N рейку монтируется непосредственно в распределительный шкаф. Такие устройства позволяют произвести защиту от напряжения всего дома или квартиры. Они отличаются наличием дополнительных функций и настроек, работают при нескольких режимах.

В соотношении с типом нагрузки выделяют реле контроля напряжения:

  • однофазное,
  • трехфазное.

Чтобы защитить трехфазные двигатели и оборудование используют устройства первого типа. Они предназначены для защиты кондиционеров, холодильников, компрессоров, и других приборов с электроприводом.

В помещении, обеспечивающем контроль полнофазости рекомендуется также использовать трехфазные реле контроля. При наличии трехфазного входа в помещении возможна установка реле контроля трехфазного напряжения, но если одна из фаз пропадет, то две оставшиеся будут также отключены. Даже при малейших скачках или перекосах фаз реле будет мгновенно срабатывать. Например, в случае если напряжение на одной фазе составляет 220 Вт, а на второй 210 Вт, мгновенно будут обесточены все фазы. Хотя данное напряжение абсолютно нормально и не принесет вреда большинству электроприборов.

Поэтому, при наличии трех фаз на входе, лучше установить на каждую отдельную фазу отдельных однофазный реле. При выборе мощности реле контроля напряжения однофазного типа следует учитывать, что на устройстве указывается мощность, которую оно пропускает через себя, но не размыкает. Поэтому следует выбирать однофазное реле контроля на несколько десятков ампер выше, чем мощность электросети.

Рекомендации по выбору реле контроля напряжения

1. Чтобы реле контроля напряжения купить обратитесь в специализированный магазин, в котором предоставят гарантию и консультацию по безопасному использованию данного устройства.

2. Реле контроля напряжения цена зависит от таких факторов:

  • тип устройства: розетное – самое дешевое, удлинительное – средней стоимости, реечное – более дорогое;
  • производитель: отечественные реле дешевле, так как не требуют оплаты за транспортировку, в отличии от заграничных;
  • дополнительные функции – возможность ручной или автоматической регулировки предела мощности прибора;
  • дизайн – некоторые модели имеют привлекательный внешний вид, характеризуются наличием нескольких цветов, и стоят, соответственно, дороже.

3. При выборе однофазного реле следует правильно рассчитать мощность устройства. Бытовые реле характеризуются наличием силовых контактов, мощность которых не превышает 100 А. Рекомендуется увеличить размер необходимой мощности реле на 25 %, а затем исходя из полученного результата, выбирать устройство однофазного типа. Например, если мощность номинального аппарата 20 А, то мощность реле, необходимого для обеспечения нормальной работы электросети, составит 35, 30 А.

4. Трехфазные реле выбрать легче, так как они все выпускаются мощностью в 16 А.

5. Во время покупки реле обязательно ознакомьтесь с инструкцией по эксплуатации, потребуйте гарантийный талон на товар. Обратите внимание на технические характеристики прибора, материал, из которого выполнен корпус, максимальная и минимальная рабочая температура.

6. Перед установкой реле следует монтировать устройство автоматического выключения, которое способно выключить электросеть, в том случае если напряжение выше или ниже допустимой нормы.

7. Выбирайте устройство с наличием дисплея, который постоянно будет высвечивать значение напряжения.

8. При выборе розетных реле контроля напряжения, установите их на все дорогостоящие приборы, которые оснащены электродвигателем.

9. Материал корпуса должен быть негорючим, наиболее приемлемый вариант – поликарбонат.

10. Обратите внимание на наличие функции контроля времени срабатывания устройства.

11. Дополнительная защита прибора от перегрева, измерение точного значения мощности электросети – позволят реле контроля напряжения работать более качественно.

Реле контроля напряжения: подключение и монтаж

Перед тем как ознакомиться с правилами установки реле контроля напряжения, рассмотрим причины, по которым следует устанавливать данное устройство.

При заниженной мощности электросети, например, если постоянное значение мощности в доме составляет 160-190 Вт, то холодильник, срок эксплуатации которого составляет около десяти лет, проработает при таких условиях максимум три года. Установка реле контроля напряжения не поможет, так как данный прибор будет постоянно отключать электроснабжение, и холодильник будет периодически размораживаться. В данной ситуации необходима установка стабилизатора. Но, если в электросети постоянно происходят скачки напряжения, обрывы, тогда монтаж реле контроля напряжения вполне уместен.

Для подключения реле понадобится наличие:

  • прибора реле контроля напряжения,
  • небольшого провода, сечение которого составляет 0,4 0,6 см,
  • железной рейки для крепления автомата,
  • саморезов,
  • плоскогубцев,
  • индикатора,
  • отвертки.

Перед установкой реле контроля напряжения следует обесточить электросеть. Для этого выключите входные автоматы. Вблизи расположения автоматов установите рейку, при помощи отвертки и саморезов закрепите ее на стене. Реле закрепляется на рейке при помощи специальной конструкции защелок, которые располагаются сзади.

На входном автомате, с помощью индикатора, отыщите фазу (индикатор должен светится).

В месте входа фазного провода в помещение следует его разрезать. Один конец провода следует подключить к реле, на входной контакт, а второй конец подсоединяется к выходному контакту.

Далее возьмите отрезок провода и подсоедините его к нулевому проводу автомата, а второй конец провода подсоединяется к реле контроля напряжения, на нулевой контакт.

Включите электроснабжение и проверьте работоспособность устройства.

Схема реле контроля напряжения розетного типа самая простая. Такое устройство, после покупки просто втыкается в розетку, а в него уже устанавливается вилка определенного прибора.

Обязательным элементом защиты реле напряжения является установка вводного автомата. Он монтируется поблизости автомата и самого реле. Номинал данного устройства на один шаг меньше номинала реле.

При установке реле, мощность которого превышает 65 А, следует использовать устройство дополнительного пуска. Чтобы избежать частых срабатываний.

 

Принцип работы реле контроля напряжения

Реле напряжения – это устройства с автоматическим срабатыванием, которые защищают электрическую технику от возможного понижения / повышения напряжения (относительно номинального значения 230 В) в однофазных сетях. Есть приборы, предназначенные для тех же функций при трехфазном питании. При отклонении значений напряжений в любую сторону такое реле отключит нагрузку. Что, в свою очередь, исключит негативное влияние бросков напряжения на эксплуатируемое электрооборудование.

Причинами отклонений напряжения в сети могут быть такие факторы:

— При обрыве воздушной линии электропередач напряжение может достигать 380 В, что вызовет перегорание большинства бытовых электроприборов.

— Разрыв нулевого провода ветром либо по другим причинам приводит к возрастанию напряжения и выходу электроприборов из строя.

— Если объект (здание) находится на большом расстоянии от понижающего трансформатора, возрастают потери в соединительных проводах, что ведет к сильному понижению значений напряжения на входе в дом с последующей поломкой техники.

— Если в сеть включен потребитель значительной мощности, то эта фаза перегружена. В результате напряжение на ней падает ниже номинального, приводя к сгоранию электротехники.

Следует помнить, что реле напряжения работают в диапазоне напряжений 100 – 420 В. Поэтому они не в состоянии защитить электрические приборы от импульсных молниевых разрядов, достигающих несколько тысяч вольт.

Конструктивная схема всех типов реле напряжений состоит из 2-х основных частей – силовой и электронной. В составе электроники имеется микропроцессор, предназначенный непосредственно для контроля напряжения. Если его значение вышло за заданные границы, микропроцессор подает сигнал на силовую часть реле. А она оперативно (от долей до нескольких секунд) отключает напряжение от нагрузки. Эта характеристика реле напряжения называется его быстродействием.

Пределы срабатывания (по напряжению) у всех реле RBUZ составляют:

— Нижний 120 – 210 В.

— Верхний 220 – 280 В.

После стабилизации напряжения в сети у реле срабатывает таймер задержки подключения приборов (3 – 600 с). Это дополнительный фактор защиты компрессорного оборудования, которое чувствительно к частым повторным пускам. Для него рекомендуется устанавливать время задержки 120 – 180 с.

Настройка реле (пороги срабатывания, время задержки и т. д.) осуществляется при помощи трех кнопок (механических либо сенсорных).

У всех реле торговой марки RBUZ (кроме D16, D25-63) реализован алгоритм True RMS, который обеспечивает более точное измерение напряжения и отключение питания от нагрузки до того, как последняя получит повреждения. Благодаря True RMS уменьшается влияние сетевых помех на измерение напряжения, форма которого отлична от синусоиды.

Во всех моделях реле напряжения RBUZ (исключая D16, D25-63) имеется профессиональная модель времени отключения нагрузки. Она не отключает защищаемое оборудование при безопасных по величине и длительности отклонениях напряжения. За основу взята кривая «ITIC (CBEMA) Curve» (http://www. home.agilent.com/upload /cmc_upload/All/1.pdf?&cc=UA&lc=eng). Она называется графиком терпимости подключаемого оборудования и содержится в прошивке микропроцессора реле напряжения. В том случае, когда забросы напряжения, а также их продолжительность не больше, чем запас прочности подключаемой нагрузки, отсоединение питания с нее не делается.

Все реле контроля напряжения RBUZ снабжены энергонезависимой памятью, с помощью которой сохраняются все настройки параметров их работы и критические значения напряжения.

Также они (кроме линии D) имеют встроенную защиту от перегревов. А в линейке Dt применена интересная функция. С целью увеличения продолжительности ресурса ее контактной группы и снижения ее искрения нагрузку коммутируют в максимальной близости к моменту перехода синусоиды через нулевое значение.

 

Оцените новость:

ОВЕН МНС1. Функциональная схема прибора

Контроль напряжения в сети

МНС1 может контролировать напряжение как в однофазной (220 В 50 Гц), так и в трехфазной (220/380 В 50 Гц) сети с нулевым проводом.

Для контроля напряжения пользователем устанавливается номинальное напряжение сети, зона допустимого отклонения, время задержки срабатывания аварийного отключения электродвигателя и время задержки его включения.

При выходе значения напряжения за допустимые пределы МНС1 по истечении заданного времени осуществляет защитное отключение электродвигателя и сигнализирует о возникновении аварийной ситуации.

При возврате значения напряжения в допустимые пределы по истечении заданного времени включения МНС1 осуществляет пуск электродвигателя.

При включении напряжения в трехфазной сети в паузу перед запуском, при неправильном чередовании, «слипании» фаз или обрыве фазы МНС1 осуществляет немедленное защитное отключение электрооборудования.

Контроль температуры обмотки двигателя

Контроль температуры осуществляется по сигналам внешнего датчика позисторного типа, установленного на объекте (например, в обмотке статора защищаемого электродвигателя). Параметры срабатывания и отпускания защиты по температуре вводятся пользователем в прибор при программировании.

При превышении заданной температуры срабатывания термозащиты МНС1 осуществляет немедленное отключение электродвигателя и сигнализирует о возникновении аварийной ситуации.

Повторный пуск электродвигателя может осуществляться по выбору пользователя в автоматическом или ручном режиме. В автоматическом режиме МНС1 формирует команду пуска электродвигателя при снижении температуры до значения, находящегося ниже точки отпускания термозащиты. Пуск происходит по истечении заданного времени включения. В ручном режиме повторный запуск двигателя осуществляется оператором.

При необходимости канал защиты по температуре в МНС1 может быть отключен.

Программирование

Перед началом работы необходимо задать параметры работы прибора. Заданные параметры сохраняются в энергонезависимой памяти прибора и остаются неизменными при выключении питания.

Программирование прибора осуществляется с помощью кнопки на передней панели.

Переход от процедуры к процедуре программирования осуществляется перемычками внутри прибора.

Stereo Voltage Control – OVERSTAYER Recording Equipment, Inc.

Overstayer Stereo Voltage Control сочетает в себе регулировку усиления и мощь ячеек усиления VCA, теплоту и характер нашей дискретной аналоговой схемы гармоник, а также мощность сверхплавного звука. 2-полосный полочный эквалайзер. SVC имеет управление динамикой от быстрого ограничения пиков до плавного сжатия RMS, с несколькими начальными коэффициентами и контролем поведения для создания новых уникальных огибающих. Используйте регулятор LEVEL для перехода к гармоникам для дальнейшего изменения переходных пиков, добавления музыкального гармонического цвета и связности, а также увеличения кажущейся громкости.Эквалайзер и фильтры позволяют вам формировать и управлять как можно более низким теплом или плавным верхним присутствием по желанию. Каждый из его многочисленных каскадов может добавлять свой характер и гармоники, кумулятивно преобразуя сигнал так, как это обычно невозможно в одном устройстве.

Встроенный регулятор смешивания позволяет со вкусом сбалансировать даже агрессивные настройки. Кроме того, вы можете создать настраиваемое формирование сжатия, используя фильтр верхних частот боковой цепи для низкочастотного отклика, или даже дополнительно, используя вставку внешней боковой цепи.

ХАРАКТЕРИСТИКИ
  • Высокоинтерактивный контроль стереодинамики, тембра и гармоник

  • Управляемая динамика от быстрого ограничения пиков до плавного среднеквадратичного сжатия

  • Ячейка усиления VCA настроена на управление и придать свою собственную гармоническую окраску

  • Широкий диапазон управления синхронизацией в сочетании с поведением для экстремальных переходных процессов и формирования сустейна

  • Наберите номер присутствия и восстановите высокие частоты с помощью стереофонической верхней полки EQ

  • Интерактивный регулятор низких частот со встроенным боковым фильтром, эквалайзером низких частот и фильтром низких частот 50 Гц с резонансным пиком

  • 10-сегментный светодиодный индикатор уменьшения усиления

  • Универсальный блок питания с 5-контактным разъемом XLR и кабель US IEC

РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ

Доступно для покупки у этих дилеров.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки вашего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в cookie-файлах может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Методы управления напряжением в энергосистеме – типы и объяснение

Напряжение системы питания может изменяться при изменении нагрузки. Напряжение обычно высокое при малой нагрузке и низкое при большой нагрузке. Для поддержания напряжения системы в определенных пределах требуется дополнительное оборудование, которое увеличивает напряжение системы, когда оно низкое, и снижает напряжение, когда оно слишком высокое. Ниже приведены методы, используемые в энергосистеме для управления напряжением.

  1. Трансформатор переключения ответвлений под нагрузкой
  2. Выкл. – трансформатор переключения отводов
  3. Шунтирующие реакторы
  4. Модификаторы синхронной фазы
  5. Шунтирующий конденсатор
  6. Статическая система VAR (SVS)

Управление напряжением системы с помощью шунтирующего индуктивного элемента называется компенсацией шунта. Компенсация шунта бывает двух типов: статическая компенсация шунта и синхронная компенсация. В статической шунтирующей компенсации используются шунтирующий реактор, шунтирующий конденсатор и статическая система VAR, тогда как шунтирующая компенсация использует модификатор синхронной фазы.Методы, используемые для управления напряжением, подробно описаны ниже.

1. Выключенный трансформатор переключения ответвлений нагрузки – В этом методе напряжение регулируется путем изменения коэффициента трансформации трансформатора. Трансформатор отключается от источника питания перед переключением ответвления. В большинстве случаев переключение трансформатора выполняется вручную.

2. Трансформатор переключения ответвлений под нагрузкой – Это устройство используется для изменения передаточного числа трансформатора для регулирования напряжения системы, когда трансформатор подает нагрузку.Большая часть силового трансформатора оснащена устройством РПН.

3. Шунтирующий реактор – Шунтирующий реактор – это индуктивный токовый элемент, который подключается между линией и нейтралью. Шунтирующий реактор компенсирует индуктивный ток от линии передачи или подземных кабелей. Он в основном используется в линиях передачи сверхвысокого и сверхвысокого напряжения на большие расстояния для управления реактивной мощностью.

Шунтирующие реакторы используются на передающей оконечной подстанции, принимающей оконечной подстанции и в промежуточной подстанции длинной линии сверхвысокого и сверхвысокого напряжения.В длинной линии передачи шунтирующий реактор подключается на расстоянии 300 км, чтобы ограничить напряжение в промежуточной точке.

4. Шунтирующие конденсаторы – Шунтирующие конденсаторы – это конденсаторы, подключенные параллельно линии. Устанавливается на приемной подстанции, распределительных подстанциях и в коммутационных подстанциях. Шунтирующий конденсатор подавал в линию реактивный вольт-ампер. Он размещен в трехфазном банке.

5. Модификатор синхронной фазы – Модификатор синхронной фазы – это синхронный двигатель, работающий без механической нагрузки.Он связан с нагрузкой на приемном конце линии. Модификатор синхронной фазы поглощает или генерирует реактивную мощность, изменяя возбуждение обмотки возбуждения. Он поддерживает постоянное напряжение при любом состоянии нагрузки, а также улучшает коэффициент мощности.

6. Series Var Systems (SVS) – Статический компенсатор VAR вводит или поглощает индуктивную VAR в систему, когда напряжение становится выше или ниже эталонного значения. В статическом компенсаторе VAR тиристор используется в качестве коммутирующего устройства вместо автоматических выключателей.В настоящее время переключение тиристоров используется в системе вместо механического переключения, поскольку переключение тиристоров происходит быстрее и обеспечивает работу без переходных процессов за счет управления переключением.

Управление напряжением и защита в электроэнергетических системах

Основанная на двадцатилетнем опыте автора, эта книга подробно демонстрирует практичность современного, концептуально нового, широкомасштабного управления напряжением в интеллектуальных сетях передачи и распределения. Приводятся доказательства огромных преимуществ этого подхода, а также того, что можно получить с помощью новых функций управления, которые могут обеспечить современные доступные технологии.Представлено различие между решениями по регулированию напряжения в большой зоне (V-WAR) и защитой по напряжению в большой зоне (V-WAP), демонстрируя надлежащую синергию между ними, когда они работают в одной и той же энергосистеме, а также простоту и эффективность защитное решение в этом случае.

Автор дает обзор и подробные описания регуляторов напряжения, проводя различие между общими неразвитыми приложениями, работающими в полевых условиях, и современными и доступными решениями для автоматического управления, которые еще недостаточно известны или воспринимаются такими, какими они являются: практичными, высокими -производительность и надежные решения.В конце этого тщательного и сложного предварительного анализа читатель видит истинные преимущества и ограничения более традиционных решений по управлению напряжением, а также получает понимание и оценку предлагаемых здесь инновационных решений по управлению и защите напряжения в сети; решения, направленные на повышение безопасности, эффективности и качества работы электроэнергетических систем по всему миру.

Управление напряжением и защита в электроэнергетических системах: от системных компонентов до глобального управления поможет показать инженерам, работающим в электроэнергетических компаниях, и системным операторам значительные преимущества новых решений управления, а также заинтересует академических исследователей в области управления, изучающих способы повышения устойчивости и эффективности энергосистемы.

Достижения в области промышленного контроля стремится сообщать и поощрять передачу технологий в области управления. Быстрое развитие технологий управления оказывает влияние на все области дисциплины управления. Серия предлагает исследователям возможность представить расширенное описание новых работ по всем аспектам промышленного контроля.

Приложения управления Управление инженерными системами Электроэнергетические системы Управление реактивной мощностью Управление напряжением Защита по напряжению Стабильность напряжения Глобальное управление

Об авторах

ДокторСандро Корси, старший научный сотрудник и руководитель проекта в CESI S.p.A .. Ранее он был менеджером и руководителем отдела контроля напряжения в исследовательском отделе ENEL. Его основные интересы заключаются в исследованиях, консультациях, спецификациях, проектировании и применении в реальных энергосистемах контроля сетевого напряжения, управления генераторами, силовой электронике, системах HVDC, автоматизации подстанций, системах безопасности и защиты сети, передовых методах и технологиях управления и связи. Он имеет большой опыт в области применения систем управления электросетью в Италии и за ее пределами.Его международный опыт также включает проекты, связанные со SCADA / EMS, специализированными энергетическими рынками и интеграцией сетей в пул UCTE / ETNSO. Он был пионером в исследованиях и применении «Систем автоматического регулирования напряжения передающей сети и систем глобальной защиты». Что касается возобновляемых источников энергии, он имеет многолетний опыт исследований и практического применения специальных систем управления в фотоэлектрических, ветровых генераторах и генераторах топливных элементов, а также на электростанциях. Член рабочих и SC CIGRE, IEEE-PES и CEI. Член Совета директоров IREP и IET-GTD; Редакция IJRET.Автор более 100 технических статей в основных материалах конференций и обзорах по устойчивости, управлению и защите энергосистем. Рецензент IEEE-Transactions, а также документов IET, Elsevier, EPSR, IJRET и международных конференций.

Da-Lite – низковольтная система управления одним двигателем

закрыть

Ты почти сделал!

Получите максимум удовольствия от наших писем, рассказав нам о себе.

Страна* AfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua И BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia И HerzegowinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Индийский океан TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCayman IslandsCentral африканских RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Килинг) IslandsColombiaComorosCongoCongo, The DRCCook IslandsCosta RicaCote D’IvoireCroatiaCubaCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEast TimorEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland (Мальвинские) острова Фарерские IslandsFijiFinlandFranceFrance, MetropolitanFrench GuianaFrench PolynesiaFrench Южный TerritoriesGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuineaGuinea-BissauGuyanaHaitiHeard и MC Острова Дональда Священное море (Ватикан) Гондурас Гонконг Венгрия I ЦеландИндияИндонезияИран (Исламская Республика) ИракИрландияОстров ЧеловекаИзраильИталияЯмайкаЯпонияИорданияКазахстанКенияКирибатиКорея, Д.P.R.O.Korea, Rebuplic OfKuwaitKyrgyzstanLaosLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesia, Федеративные Штаты OfMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmar (Бирма) NamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPanamaPapua Новый GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarReunionRomaniaRussiaRwandaSaint Киттс И NevisSaint LuciaSaint Винсент и GrenadinesSamoaSan MarinoSao Фолиант И PrincipeSaudi ArabiaScotlandSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Грузия и Южная С.Южная Корея, Испания, Шри-Ланка Елена Пьер и МикелонСуданСуринам Острова Шпицберген и Ян-МайенСвазилендШвецияШвейцарияСирийская Арабская Республика ТайваньТаджикистанТанзания, Объединенная РеспубликаТаиландТогоТокелауТонгаТринидад и ТобагоТунисТурцияТуркменистанУкраина Соединённые Штаты Америки Соединённые Штаты Америки Соединённые Штаты Америки Соединённые Штаты Америки Соединённые Штаты Америки. Малые островаУзбекистанВануатуВенесуэлаВьетнамВиргинские острова (Британские) Виргинские острова (США) УэльсОстров Уоллис и ФутунаЗападная СахараЙеменЮгославия (Сербия и Черногория) ЗамбияЗимбабве

Какой рынок вы обслуживаете? BroadcastCommercial AVCommercial Interiors / WorkspaceData & SecurityDisplay / Tech SolutionsNational Service Provider / DistributorRental & StagingResidential AV

В каком качестве ваша компания работает в AV-индустрии? Архитектор / дизайнер, консультант, дилер, дистрибьютор, реселлер, конечный пользователь

закрыть

Спасибо, что связались с нами!

Теперь вы подписаны на получение обновлений по электронной почте от Legrand | средний

ЗАКРЫТЬ

LTspice: Коммутаторы с управлением напряжением | Analog Devices

Некоторые файлы cookie необходимы для безопасного входа в систему, но другие необязательны для функциональной деятельности.Сбор наших данных используется для улучшения наших продуктов и услуг. Мы рекомендуем вам принять наши файлы cookie, чтобы обеспечить максимальную производительность и функциональность нашего сайта. Для получения дополнительной информации вы можете просмотреть сведения о файлах cookie. Узнайте больше о нашей политике конфиденциальности.

Принять и продолжить Принять и продолжить

Файлы cookie, которые мы используем, можно разделить на следующие категории:

Строго необходимые файлы cookie:
Это файлы cookie, которые необходимы для работы аналога.com или предлагаемые конкретные функции. Они либо служат единственной цели передачи данных по сети, либо строго необходимы для предоставления онлайн-услуг, явно запрошенных вами.
Аналитические / рабочие файлы cookie:
Эти файлы cookie позволяют нам выполнять веб-аналитику или другие формы измерения аудитории, такие как распознавание и подсчет количества посетителей и наблюдение за тем, как посетители перемещаются по нашему веб-сайту. Это помогает нам улучшить работу веб-сайта, например, за счет того, что пользователи легко находят то, что ищут.
Функциональные файлы cookie:
Эти файлы cookie используются для распознавания вас, когда вы возвращаетесь на наш веб-сайт. Это позволяет нам персонализировать наш контент для вас, приветствовать вас по имени и запоминать ваши предпочтения (например, ваш выбор языка или региона). Потеря информации в этих файлах cookie может сделать наши службы менее функциональными, но не помешает работе веб-сайта.
Целевые / профилирующие файлы cookie:
Эти файлы cookie записывают ваше посещение нашего веб-сайта и / или использование вами услуг, страницы, которые вы посетили, и ссылки, по которым вы переходили.Мы будем использовать эту информацию, чтобы сделать веб-сайт и отображаемую на нем рекламу более соответствующими вашим интересам. Мы также можем передавать эту информацию третьим лицам с этой целью.
Снижение cookie

Контроль напряжения магнетизма в мультиферроичных гетероструктурах

Philos Trans A Math Phys Eng Sci. 2014 28 февраля; 372 (2009): 20120439.

Ming Liu

1 Лаборатория исследования электронных материалов, ключевая лаборатория Министерства образования и Международный центр диэлектрических исследований, Сианьский университет Цзяотун, Сиань 710049, Китай

Nian ИКС.Sun

2 Департамент электротехники и вычислительной техники Северо-Восточного университета, Бостон, Массачусетс 02115, США

1 Лаборатория исследования электронных материалов, ключевая лаборатория Министерства образования и Международного центра диэлектрических исследований, Си ‘ Университет Цзяотун, Сиань 710049, Китай

2 Кафедра электротехники и вычислительной техники Северо-Восточного университета, Бостон, Массачусетс 02115, США

Авторские права © 2014 Автор (ы) Опубликовано Королевским обществом.Все права защищены.Эта статья цитировалась в других статьях в PMC.

Abstract

Электрическая настройка магнетизма имеет большое фундаментальное и техническое значение для быстрых, компактных и сверхмалых электронных устройств. Мультиферроики, одновременно проявляющие сегнетоэлектричество и ферромагнетизм, вызвали большой интерес благодаря способности управлять магнетизмом с помощью электрического поля посредством магнитоэлектрической (МЭ) связи. В частности, сильное деформационное МЭ взаимодействие, наблюдаемое в слоистых мультиферроидных гетероструктурах, делает практически возможным реализацию электрически реконфигурируемых микроволновых устройств, сверхмалой мощности электроники и магнитоэлектрической памяти с произвольным доступом (MERAM).В этом обзоре мы демонстрируем эту замечательную манипуляцию электромагнитным полем в различных мультиферроидных композитных системах с целью создания новых компактных, легких, энергоэффективных и настраиваемых электронных и микроволновых устройств. Прежде всего, демонстрируются настраиваемые микроволновые устройства на основе композитов феррит / сегнетоэлектрик и магнит-металл / сегнетоэлектрик, демонстрирующие возможность перестройки гигантского ферромагнитного резонанса (ФМР) с узкой шириной линии ФМР. Затем обсуждается манипулирование магнитосопротивлением с помощью электрического поля в мультиферроидных устройствах с анизотропным магнитосопротивлением и гигантском магнитосопротивлении для создания маломощных электронных устройств.Наконец, управление обменным смещением и детерминированное переключение намагниченности электронным полем продемонстрировано в мультиферроичных гетероструктурах с обменно-связанными антиферромагнетиками / ферромагнетиками / сегнетоэлектриками при комнатной температуре, что указывает на важный шаг к MERAM. Кроме того, также представлен недавний прогресс в электрически энергонезависимой настройке магнитных состояний. Эти настраиваемые мультиферроидные гетероструктуры и устройства предоставляют большие возможности для реконфигурируемых радиочастотных / микроволновых систем связи и радаров, спинтроники, датчиков и запоминающих устройств нового поколения.

Ключевые слова: мультиферроидные гетероструктуры, магнитоэлектрическая связь, энергонезависимая

1. Введение

В последнее десятилетие постоянно растущий спрос на более быстрые, малые и сверхмалые электронные устройства стимулировал исследование управления степенью вращения. свободы и магнитных состояний с помощью электрического поля (E-field) вместо тока [1–7]. Например, современные радиочастотные (РЧ) / микроволновые магнитные устройства настраиваются с помощью громоздких, шумных и энергоемких электромагнитов, что ограничивает их использование в самолетах, радарах, спутниковых и портативных устройствах связи, где масса и мощность потребление в большом почете [8].Кроме того, устройства хранения данных теперь становятся настолько маленькими, что локальное магнитное поле, необходимое для записи одного бита, влияет на соседние биты, вызывая нестабильность хранимых данных [7,9]. Решение состоит в том, чтобы создавать новые материалы и функциональные возможности и интегрировать их в энергонезависимые маломощные электронные устройства. Совсем недавно мультиферроики, проявляющие сегнетоэлектричество и ферромагнетизм одновременно, вызвали большой интерес из-за способности изменять магнитное состояние путем приложения E-поля посредством магнитоэлектрической (МЭ) связи [10–21].В частности, сильное деформационное МЭ взаимодействие, наблюдаемое в слоистых мультиферроидных гетероструктурах, делает практически возможным управление спиновым состоянием электронным полем для маломощной электроники [8,11,15,22–26]. МЭ связь (обозначающая обратную МЭ связь во всех контекстах) в мультиферроичных гетероструктурах обычно индуцируется приложением электрического поля к сегнетоэлектрической фазе, которое вызывает деформацию через обратный пьезоэлектрический эффект. Такая деформация может быть однородно передана магнитной фазе и приводит к эффективной магнитной анизотропии за счет магнитоупругого эффекта [27–30].В большинстве случаев этот эффект позволяет вращать магнитный момент на 90 ° и показывает больший коэффициент МЭ связи в композитных мультиферроиках, чем тот, который наблюдается в однофазных мультиферроиках, на несколько порядков [9,15]. Были разработаны различные МЭ устройства на основе мультиферроидных гетероструктур, в том числе регулируемые по напряжению устройства обработки ВЧ / СВЧ-сигналов, устройства магнитоэлектрической оперативной памяти (MERAM) [16,25,31] и устройства с регулируемым напряжением магнитосопротивления [32]. Эти устройства управляются напряжением, работают быстрее, компактнее и намного более энергоэффективны по сравнению с их современными аналогами.

В этом обзоре мы представим последние достижения в области мультиферроидных гетероструктур и устройств с трех сторон. Во-первых, перестройка микроволновых характеристик электромагнитным полем продемонстрирована в композитах феррит / сегнетоэлектрик и магнит-металл / сегнетоэлектрик, демонстрируя возможность перестройки гигантского ферромагнитного резонанса (ФМР) с узкой шириной линии ФМР [12,13,33]. Во-вторых, обсуждается манипуляция магнитосопротивлением с помощью электрического поля в устройствах с мультиферроидным анизотропным магнитосопротивлением (AMR) и гигантским магнитосопротивлением (GMR) для реализации маломощных электронных устройств [25,32,34].Наконец, управление обменным смещением электронным полем, таким образом детерминированное переключение намагниченности, демонстрируется в мультиферроидных системах с обменным смещением при комнатной температуре, что указывает на важный шаг к MERAM. Кроме того, в этот обзор включены последние достижения в области энергонезависимой настройки магнитных состояний. Эти новые настраиваемые мультиферроидные гетероструктуры и устройства открывают широкие возможности для реконфигурируемых систем радиочастотной / микроволновой связи и радаров, спинтроники, датчиков и запоминающих устройств нового поколения.

2. Электрическая настройка ферромагнитного резонанса в мультиферроидных гетероструктурах для легких, компактных и сверхмалых микроволновых устройств

МЭ взаимодействие, наблюдаемое в мультиферроидных композитах, обеспечивает эффективную передачу энергии между электрическим и магнитным полями и приводит к новым важным функциям и устройствам. Сильная МЭ связь имеет решающее значение для микроволновых устройств, где эффективная магнитная анизотропия, индуцированная электрическим полем, определяет возможность настройки характеристик микроволнового излучения.Однако продемонстрированный диапазон перестройки большинства этих устройств был очень ограничен, с возможностью перестройки частоты Δ f менее 150 МГц и низким настраиваемым магнитно-резонансным полем Δ H менее 50 Э [8,35]. Это в основном связано с большими тангенсами угла потерь на микроволновых частотах двух составляющих фаз, которые необходимо оптимизировать во всех аспектах, включая индивидуальную магнитную фазу, такую ​​как магнитострикция и намагничивание, пьезоэлектрическая фаза, режим связи и способ магнитного поля и электрическое поле применяется для достижения сильной МЭ связи.Здесь мы обсуждаем значительную настройку ФМР электромагнитным полем в новых композитах феррит / сегнетоэлектрик и магнитный металл / сегнетоэлектрик.

Магнитные ферриты широко используются в устройствах СВЧ, таких как фазовращатели, фильтры и резонаторы [36]. В нашей работе процесс центрифугирования используется для получения высококристаллических толстых пленок феррита шпинели различного состава непосредственно из водного раствора при температуре менее 90 ° C [37]. Сообщалось, что ферритовые пленки, полученные методом спинового распыления, демонстрируют высокую частоту ФМР, низкий тангенс угла потерь микроволнового излучения и высокую проницаемость, и их применяли в различных магнитных устройствах ВЧ / СВЧ.Поскольку новые химические связи образуются на границе раздела между ферритовыми пленками и сегнетоэлектрическими подложками, в гетероструктурах феррит / сегнетоэлектрик ожидается сильная межфазная адгезия, которая имеет решающее значение для достижения большой МЭ связи. На (011) -ориентированный монокристалл Pb (Mg 1/3 Nb 2/3 ) O 3 –PbTiO 3 (PMN-PT) и Pb (Zn 1/3 Nb 2/3 ) O 3 –PbTiO 3 (PZN-PT) подложки при низкой температуре 90 ° C.Монокристаллы PMN-PT (011) и PZN-PT (011) имеют большие анизотропные пьезоэлектрические коэффициенты в плоскости и могут вызывать большую деформацию растяжения в плоскости [01-1] и деформацию сжатия в направлении [100]. при приложении электрического поля во внеплоскостном направлении [011]. Перестройка ФМР на электронное поле измерялась системой электронного парамагнитного резонанса в режиме развертки поля, когда образец помещался в прямоугольный резонатор с рабочей частотой 9,3 ГГц. Электрическое поле прикладывалось перпендикулярно подложке, а магнитное поле прикладывалось в направлении в плоскости [100], которое перпендикулярно направлению распространения микроволн.При приложении электрического поля монокристаллическая подложка PMN-PT подвергается деформации сжатия в направлении [100]. Эта деформация может когерентно передаваться пленкам Fe 3 O 4 и приводит к эффективному магнитному полю H eff за счет магнитоупругого эффекта. В принципе, H eff можно записать как

2,1

где λ s – постоянная магнитострикции магнитных материалов, Y – модуль Юнга, d – пьезоэлектрический коэффициент сегнетоэлектрических материалов, который может быть положительным (растяжение) или отрицательным (сжимающим) , а M s – намагниченность [27].Следовательно, большие λ s и d и маленькие M s необходимы для получения прочных ME-соединений. На практике H eff может быть количественно определено путем измерения FMR, как описано в уравнении Киттеля

2.2

где H r – резонансное поле, f – микроволновая частота и γ – гиромагнитное отношение. В режиме развертки поля ( f, – постоянная величина), индуцированная E-полем магнитная анизотропия H eff количественно подтверждается наблюдением сдвига резонансного поля H r .В режиме качания частоты ( H r является константой) резонансная частота f смещается при изменении эффективной магнитной анизотропии. показана зависимость спектров ФМР спектров ФМР от E-поля в мультиферроидных гетероструктурах феррит / сегнетоэлектрик, полученных методом спинового распыления. d P / d H представляет производную поля для поглощения микроволновой мощности в пленках Fe 3 O 4 в режиме развертки поля. Значительные сдвиги резонансных полей до Δ H r = 600 Oe или H eff = −600 Oe, что соответствует большому МЭ-коэффициенту микроволнового излучения (d H eff / d E ) 67 Э см кВ -1 , наблюдались в гетероструктурах Fe 3 O 4 / PMN-PT (011) при приложении электрического поля от -3 до 6 кВ см -1 .Согласно уравнению (2.1), мы связываем эту сильную МЭ-связь с большим пьезоэлектрическим коэффициентом PMN-PT (011) ( d 31 = −1500 пКл N −1 ), большой магнитострикцией Fe 3 O 4 (λ = 35 ppm) и малая намагниченность (4 πM с = 6000 G). Усиление поля ФМР при приложении электрических полей вызвано деформацией сжатия, индуцированной электрическим полем вдоль [100], которая создает отрицательную H eff в этом направлении (определяется знак H eff . на произведение λ с d ) и переводит FMR в область сильного поля.Кроме того, в гетероструктуре Fe 3 O 4 / PZN-PT (011) наблюдался гигантский диапазон перестройки поля ФМР 860 Э с шириной линии ФМР 330 Э. применяется, что соответствует коэффициенту связи МЭ 108 Э см кВ -1 ( b ). Это связано с большим пьезоэлектрическим коэффициентом PZN-PT (011), чем у монокристалла PMN-PT. По сравнению с Fe 3 O 4 / PMN-PT (011) ширина линии ФМР уменьшилась с Δ H = 480–620 Э в Fe 3 O 4 / PMN-PT до Δ H = 330–380 Э в Fe 3 O 4 / PZN-PT, что приводит к значительному увеличению отношения настраиваемого поля ФМР к ширине линии ФМР, равному 2.5.

Настройка электронного поля спектров ферромагнитного резонанса в ( a ) Fe 3 O 4 / PMN-PT (011) и ( b ) Fe 3 O 4 / PZN-PT ( 011) структуры, в которых внешние магнитные поля прикладываются вдоль направления [100] в плоскости, а внешние электрические поля прикладываются во внеплоскостном направлении [011]. d P / d H представляет собой производную магнитного поля поглощения микроволновой мощности. (Онлайн-версия в цвете.)

В дополнение к электрическому контролю микроволновых характеристик в феррит / сегнетоэлектрических гетероструктурах также изучались металлические / сегнетоэлектрические микроволновые гетероструктуры. Совсем недавно мы сообщили о новом классе микроволновых магнитных тонкопленочных материалов, пленках FeGaB, которые имеют большую константу магнитострикции и низкие поля насыщения, необходимые для применения в мультиферроидных композитах [38]. При изменении уровня легирования B образовывалась аморфная фаза FeGaB, которая приводила к превосходной магнитной мягкости с коэрцитивной силой менее 1 Э, узкой шириной линии ФМР 16–20 Э в полосе X (9.6 ГГц), большой λ s 50–70 ppm, высокая намагниченность насыщения 11–15 кГс и частота самосмещенного FMR 1,85 ГГц. Сочетание этих свойств делает пленки FeGaB потенциальными кандидатами для перестраиваемых МЭ СВЧ устройств и других приложений магнитных устройств ВЧ / СВЧ. В нашей работе аморфные пленки FeGaB толщиной 100 нм были совместно напылены на монокристаллические подложки PZN-PT (011) при комнатной температуре. Легкая магнитная ось вдоль направления [01-1] в плоскости создавалась при приложении внешнего магнитного поля силой 100 Э в этом направлении во время роста пленки.На тыльную сторону подложки PZN-PT в качестве нижнего электрода наносился слой Au. Образец укладывали лицевой стороной вниз на копланный волновод с двумя портами, подключенными к анализатору цепей, как схематически показано на рис. Электрические поля прикладывались перпендикулярно подложкам, а направление распространения микроволн было вдоль легкой оси магнитного поля [01-1]. Манипуляция электромагнитным полем характеристик микроволн в FeGaB / PZN-PT измерялась анализатором цепей по методу качания частоты. a показывает электрическую настройку коэффициентов передачи S 21 , определенных как усиление прямого напряжения, в структурах FeGaB / PZN-PT (011).При увеличении напряжения положение пика поглощения, представляющее частоту ФМР, демонстрирует сильную зависимость от электрического поля [33]. Самая низкая частота FMR составляет 1,75 ГГц при нулевом электрическом поле, а самая высокая – 7,57 ГГц при 6 или 8 кВ см -1 . Полный частотный диапазон FMR с электростатической перестройкой составляет 5,82 ГГц, что примерно на два порядка выше, чем другие известные значения [35]. Это большое увеличение резонансной частоты при приложении электрических полей также можно интерпретировать уравнениями (2.1) и (2.2). Положительный H eff вдоль направления [01-1] в плоскости был получен в результате положительной магнитострикции FeGaB и деформации растяжения, вызванной E-полем (положительный d ) в PZN-PT (011 ). Следовательно, резонансная частота f приводится в высокочастотную область, как описано в уравнении (2.1), где внешнее магнитное поле является постоянным. b показывает зависимость петель магнитного гистерезиса от электрического поля при приложении магнитного поля вдоль направления [100].Процесс намагничивания оказывается сложнее и показывает большое изменение поля насыщения намагниченности от 10 до 700 Э, когда электрическое поле было приложено от 0 до 6 кВ см -1 . В основном это происходит из-за большой положительной магнитострикции FeGaB и деформации сжатия, вызванной электрическим полем вдоль направления [100], что приводит к большой отрицательной H eff и магнитной жесткой оси вдоль этого направления.

( a ) Зависимость поглощения микроволнового пропускания от электрического поля, S 21 , с качанием частоты.Электрическое поле прикладывалось не в плоскости [011]; Направление распространения микроволн было в плоскости [01-1]. Пик поглощения представляет собой частоту ФМР. ( b ) Зависимость петель магнитного гистерезиса от E-поля, где магнитное поле приложено вдоль направления [100]. (Онлайн-версия в цвете.)

Мы продемонстрировали сильные МЭ связи в гетероструктурах феррит / сегнетоэлектрик и магнитный металл / сегнетоэлектрик, которые можно использовать для управления характеристиками СВЧ и создания настраиваемых ВЧ-устройств.В нашей лаборатории мы также изготовили много других мультиферроидных гетероструктур для различных приложений. Краткое описание их МЭ-связи показано на. Наибольшая индуцированная E-полем H eff из 3500 Э была достигнута в структуре терфенол-D / PZN-PT (011) из-за огромной константы магнитострикции в магнитной фазе. Гигантская электростатически настраиваемая магнитная анизотропия, а также частота FMR делают эти мультиферроидные гетероструктуры отличными кандидатами для реконфигурируемых микроволновых мультиферроиков со сверхнизкой мощностью.

Таблица 1.

Сравнение МЭ связи в различных мультиферроидных гетероструктурах. ЖИГ, феррит железо-иттриевого граната.

905 48 5820
структура δH (э) δH / δE (э см кВ −1 ) δf (МГц) 19 δf (МГц) 19 902 МГц см кВ −1 )
YIG / PZN-PT 220 35
Ni 2 PT 905 48
FeCoB / PZN-PT 500 82 4300 720
NiFe (10 нм) / PZN-PT
NiCo / PZN-PT 400 65
FeGaB / PMN-PT 330 33 PT 750 94 970
NZFO / PMN-PT 50 8
ZFO / PMN-PT 140 23-905 905 905 905 905 905 905 905 905 905 Fe 3 O 4 / PMN-PT 600 67
Fe 3 O 4 / PZN-PT 860-905
терфенол-D / PZN-PT 3500 590

3.Электрическая настройка магнитосопротивления в слоистых мультиферроичных гетероструктурах для сверхмалой мощности электроники

Энергоэффективный подход к электрической модуляции магнитосопротивления был продемонстрирован в мультиферроиках AMR и GMR гетероструктурах. Гигантская магнитная анизотропия, индуцированная E-полем, вызванная сильной МЭ-связью, используется для управления ориентацией намагниченности и, таким образом, динамического управления магнитосопротивлением в устройствах AMR и GMR [32,34]. Это можно выразить уравнением сопротивления как функции H eff :

3.1

Здесь H k и H d – это поле магнитной анизотропии и поле размагничивания, которые довольно малы в тонких магнитно-мягких пленках, а θ – угол между намагниченностью и током. поток, который сильно зависит от внешнего магнитного поля H и H eff . демонстрирует модулирующее электромагнитное сопротивление электромагнитным полем в мультиферроичной AMR-структуре Ni 80 Co 20 / PZN-PT (011), где Ni 80 Co толщиной 40 нм толщиной 20 пленок с λ s = -20 ppm были нанесены на монокристаллические подложки PZN-PT (011) с ориентацией (011) методом магнетронного распыления.Легкая магнитная ось вдоль направления [01-1] в плоскости была сделана, поскольку образец находился в присутствии магнитного поля 200 Э во время осаждения. Как текущее, так и приложенное внешнее магнитное поле параллельны направлению в плоскости [100] (жесткая магнитная ось). Без магнитного поля смещения минимальный AMR был достигнут при нулевом электрическом поле, вызванном ортогональностью между направлением намагничивания (легкая ось) и электрическим током (жесткая ось), как схематично показано на a .При увеличении напряженности электрического поля, которое прикладывается во внеплоскостном направлении [011], ориентация намагниченности поворачивается в плоскости от [01-1] до [100] и параллельно току направлении, что приводит к максимальному магнитосопротивлению в соответствии с уравнением (3.1). Вращение намагниченности происходит из-за большого индуцированного электрическим полем положительного сигнала H eff s <0, d <0, λ s d > 0), который изменяется легкая магнитная ось в направлении [100].Аналогичные результаты наблюдались, когда внешнее магнитное поле смещения 50 Э было приложено вдоль направления [01-1], в котором требуется большая индуцированная электрическим полем магнитная анизотропия, чтобы сначала преодолеть внешнее магнитное поле смещения, а затем повернуть магнитные моменты до 100] и дают максимальное магнитосопротивление. Также была продемонстрирована динамическая настройка магнитосопротивления электронным полем, как показано в b . Без магнитных полей смещения магнитосопротивление хорошо модулировалось прямоугольным электрическим полем (0–2 кВ см –1 ) с частотой 0.5 Гц. Под действием магнитного поля смещения 50 Э магнитосопротивление периодически изменялось синусоидальным E-полем (1–4 кВ см –1 ) [34].

( a ) Модуляция электронного поля AMR в Ni 80 Co 20 / PZN-PT (011) с полями магнитного смещения 0 и 50 Э, где начальная легкая ось магнитного поля расположена вдоль [01- 1] и перпендикулярно измеряемому току и внешним магнитным полям. (b ) E-поле, динамически модулирующее AMR при различных внешних магнитных полях смещения 0 (i) и 50 Э (ii) в ответ на прямоугольные и синусоидальные E-поля, соответственно.(Онлайн-версия в цвете.)

Кроме того, спиновые клапаны или структуры ГМС из Ta (10 нм) / FeMn (15 нм) / Ni 80 Fe 20 (8 нм) / Cu (2 нм) / Co (4 нм) / Ta (10 нм) были нанесены непосредственно на (011) -ориентированные подложки PZN-PT без вакуума с помощью магнетронного распыления, как схематически показано на рис. Здесь Co – свободный слой с отрицательной константой магнитострикции -50 ppm; Ni 80 Fe 20 – закрепленный магнитный слой с почти нулевой постоянной магнитострикции.Во время осаждения легкая магнитная ось вдоль [100] (конфигурация I) или [01-1] (конфигурация II) создавалась с помощью внешнего магнитного поля. a , c показывает зависимость петель магнитного гистерезиса от электрического поля в двух конфигурациях измерения, где легкая ось магнитного поля, направление тока, а также внешнее магнитное поле параллельны направлению [100] (I; a ) и направление [01-1] (II; c ). По мере увеличения электрического поля изменения в петлях магнитного гистерезиса демонстрируют противоположную тенденцию в обеих конфигурациях, указывая на то, что индуцированная электрическим полем магнитная анизотропия приводит к легкой оси магнитного поля вдоль направления [100] и жесткой оси вдоль направления [01-1] направление.Кроме того, коэрцитивное поле было значительно увеличено на 100% в конфигурации I, когда было приложено электрическое поле 6 кВ см -1 . Для закрепленного магнитного слоя из Ni 80 Fe 20 петли гистерезиса практически не менялись при различных E-полях из-за близкой к нулю константы магнитострикции [34].

Зависимость петель магнитного гистерезиса ( a , c ) и гигантского магнитосопротивления ( b , d ) от поля в мультиферроидной структуре FeMn / Ni 80 Fe 20 / Cu / Co / ПЗН-ПТ (011).Легкая магнитная ось, направление тока и внешнее магнитное поле расположены вдоль направлений [100] и [01-1] соответственно. (Онлайн-версия в цвете.)

b , d показывает модуляцию электронного поля GMR для обеих конфигураций. Типичные петли гистерезиса магнитосопротивления с отношением GMR 3% были достигнуты для конфигурации I ( b ). Было обнаружено, что коэрцитивное поле увеличивалось на 100% при приложении электрического поля 6 кВ см -1 , что могло позволить переключение намагниченности на 180 ° в слое Co, как показано линиями стрелок.Используя это преимущество, переключение магнитосопротивления до 3% было достигнуто за счет уменьшения электрического поля в различных магнитных полях 55 или -55 э. В конфигурации II зависимость магнитосопротивления от электрического поля показывает петли гистерезиса, аналогичные тем, которые наблюдаются в процессе намагничивания ( c ). Мы связали это явление с полем магнитной анизотропии, индуцированной E-полем, которое приводит к максимальному повороту намагниченности на 90 °. Однако в этой конфигурации была достигнута только половина отношения GMR из-за индуцированного электрическим полем поворота намагниченности на 90 °, а не переключения намагниченности на 180 °.Этот результат отличался от изменения GMR в конфигурации I, где переключение намагниченности на 180 ° происходит из-за настройки коэрцитивного поля E-полем, что приводит к максимальному изменению сопротивления на 3%.

4. Управление электронным полем обменного смещения в антиферромагнитных / ферромагнитных / сегнетоэлектрических мультиферроидных гетероструктурах

Ранее мы продемонстрировали, что деформационное взаимодействие МЭ в мультиферроидных композитах приводит к индуцированной электрическим полем магнитной анизотропии, которая приводит к изменению ФМР и магнитосопротивление.Его можно использовать для перестраиваемых устройств спинтроники и СВЧ. Однако в системах хранения информации, таких как MERAM, требуется детерминированное переключение намагниченности на 180 °. В мультиферроичных системах с обменной связью сообщалось, что ферромагнитный порядок переключается путем изменения соседних антиферромагнитных порядков. Например, Борисов и др. [39] продемонстрировал в 2005 г., что перпендикулярным обменным полем смещения МЭ гетероструктуры [Co / Pt] × 3] / Cr 2 O 3 (111) можно управлять с помощью электронного поля и охлаждения магнитным полем.Кроме того, индуцированный E-полем обменный сдвиг смещения в мультиферроидных гетероструктурах NiFe / YMnO 3 , приводящий к одностороннему переключению намагниченности, также был продемонстрирован Лаухиным и др. При очень низких температурах. [40]. Здесь мы показываем модулированное электронным полем обменное смещение и реализацию динамического переключения намагниченности около 180 ° при комнатной температуре в новых мультиферроичных гетероструктурах FeMn / Ni 80 Fe антиферромагнетик (AFM) / ферромагнетик (FM) / сегнетоэлектрик (FE). 20 / FeGaB / PZN-PT (011).Регулировка обменного смещения E-полем и детерминированное переключение намагниченности около 180 ° при комнатной температуре в мультиферроичных гетероструктурах AFM / FM / FE открывают новый путь для MERAM и других технологий памяти [25].

В нашей работе обменно-связанные пленки Ta (5 нм) / FeMn (15 нм) / Ni 80 Fe 20 (2 нм) / FeGaB (14 нм) / Ta (20 нм) были нанесены на (011) вырезать монокристаллические подложки FE PZN-PT (011) с помощью магнетронного распыления. Аморфная пленка FeGaB с большой константой магнитострикции 70 ppm была выбрана в качестве ФМ фазы [38].Пленка FeMn с ориентацией (111) была нанесена в качестве слоя AFM, чему способствовало введение слоя Ni 80 Fe 20 толщиной 2 нм между FeGaB и FeMn, чтобы вызвать сильную обменную связь в FeMn / Ni 80 Fe 20 / FeGaB многослойный. Пленка FeGaB осаждалась в присутствии магнитного поля, которое приводило к расположению в плоскости легкой оси магнитного поля либо вдоль плоскости [100] ( d 31 ) (конфигурация I) или [01-1] ( d 32 ) ПЗН-ПТ (конфигурация II).представлена ​​зависимость петель магнитного гистерезиса от поля E для обеих конфигураций. При нулевом E-поле поле обменного смещения 48 Э наблюдалось в петле магнитного гистерезиса для конфигурации I при θ = 0 ° ( a ). При приложении электрических полей через направление толщины подложки PZN-PT (011) намагниченность FeGaB оказывается трудно насыщаемой. Это в основном возникает для индуцированного электрическим полем отрицательного H eff в направлении [100].Также наблюдалось небольшое уменьшение обменного смещения Δ H ex = -4 Э. Когда внешнее магнитное поле было приложено вдоль θ = 55 °, наблюдалась гораздо более выраженная зависимость обменного смещения от E-поля, демонстрирующая заметный сдвиг обменного смещения вниз от 45 до 3 Э при приложенном E-поле 6 кВ см −1 , как показано в b . При θ = 90 ° петли магнитного гистерезиса приобретают квадратную форму из-за индуцированной электрическим полем положительной эффективной магнитной анизотропии вдоль направления [01-1], которая сопровождалась незначительным изменением поля обменного смещения.В конфигурации II наблюдается противоположная тенденция петель магнитного гистерезиса и сдвигов обменного смещения при изменении электрического поля. Магнитное поле, индуцированное E-полем, вдоль легкой оси магнитного поля было получено без заметного изменения полей обменного смещения для θ = 0 °, как показано на d . Однако для θ = 45 ° и 60 °, значительные улучшения H ex с 33 до 50 Э и с 22 до 70 Э с Δ H ex / H ex = 218 % были достигнуты соответственно, как показано в e , f .

( a c ) Зависимость петель магнитного гистерезиса от электрического поля в конфигурации I для θ = 0 °, 55 °, 90 °. ( d f ) Зависимость петель магнитного гистерезиса от электрического поля в конфигурации II для θ = 0 °, 45 °, 60 °. (Онлайн-версия в цвете.)

отображает угловую зависимость обменного смещения H ex при различных E-полях для обеих конфигураций I и II. Сильная угловая зависимость обменного смещения θ H ex от E-поля наблюдалась при промежуточных углах θ между 0 ° и 90 °.Максимальное изменение обменного поля, вызванное E-полем Δ H ex = -42 Э, наблюдалось при θ = 55 ° для конфигурации I, как показано в a , тогда как значительное увеличение Δ H ex до 48 Э достигается, как показано в b , для конфигурации II. Чтобы дополнительно подтвердить повторяемость сдвига поля обменного смещения при различных E-полях, поле обменного смещения в зависимости от числа переключений E-поля показано в c при 0 и 6 кВ см -1 , что указывает на надежность и повторяемость Сдвиг обменного смещения, индуцированный электронным полем.

Угловая зависимость обменного смещения при различных E-полях. ( a ) Корреляция обменного смещения с E-полем в конфигурации I. Линия стрелки указывает на заметное смещение вниз обменного смещения, вызванное E-полем, до 42 Oe при θ = 55 °. ( b ) Корреляция обменного смещения с E-полем в конфигурации II. Стрелка показывает значительный сдвиг вверх, вызванный электронным полем, до 48 Э или 218% при θ = 60 °. ( c ) Поле обменного смещения в зависимости от числа переключений E-полей между 6 (кружки) и 0 кВ см -1 (квадраты).(Онлайн-версия в цвете.)

Гигантская зависимость обменного смещения от электрического поля в гетероструктурах AFM / FM / FE предоставляет большие возможности для реализации электрически детерминированного переключения намагниченности в пленке FeGaB, что составляет один важный шаг к MERAM и имеет большой потенциал. в области электронной записи новых устройств спинтроники и памяти [25].

5. Электрическая энергонезависимая настройка магнитных состояний в слоистых мультиферроидных гетероструктурах

Энергонезависимая коммутация намагниченности имеет большое фундаментальное значение для устройств спинтроники и систем хранения информации.Обычно это реализуется путем приложения магнитных полей, которые создаются большими электрическими токами, или, в последнее время, с эффектом вращающего момента путем пропускания поляризованного по спину тока через магнитную пленку. Оба метода требуют большого тока или плотности тока, что делает систему громоздкой, шумной и потребляет много энергии. Следовательно, энергоэффективный способ энергонезависимого переключения намагниченности, индуцированного напряжением или электрическим полем, вызвал большой интерес в последнее десятилетие. Хорошо известно, что индуцированные электрическим полем фазовые переходы очень заметны в сегнетоэлектрических материалах с составом вблизи морфотропной границы раздела фаз.Например, ромбоэдрический фазовый переход в ромбический происходит в (011) -ориентированном PZN (6–7%) – ПТ при достаточных полинговых полях. Большинство таких фазовых переходов являются энергонезависимыми, когда требуется дополнительная энергия для преодоления остаточных состояний, чтобы вернуться в исходные состояния. Следовательно, ожидается изменение решетки гистерезисного типа как функция E-поля. Этот эффект может быть использован для реализации энергонезависимых устройств спинтроники и СВЧ на основе мультиферроидных гетероструктур.

В нашей работе мы наносили пленки FeGaB толщиной 50 нм на подложки PZN-PT с ориентацией (011).Электрическое поле прикладывалось вне плоскости [011], тогда как внешнее магнитное поле прикладывалось в направлении [01-1]. Спектры ФМР пленок FeGaB были измерены в режимах развертки поля и частоты. Положительное значение H eff ожидается из-за положительной магнитострикции FeGaB и деформации растяжения, вызванной E-полем, вдоль направления [01-1], что может привести к FMR в высокочастотную область или к низкочастотной области магнитного поля. – или режим подметания соответственно.показаны петли гистерезиса поля FMR в зависимости от E-поля с рабочей частотой 12 ГГц и частоты FMR в зависимости от E-поля с магнитным полем смещения 50 Oe. Оба они демонстрируют линейную корреляцию при низких электрических полях, что указывает на отсутствие сегнетоэлектрического фазового перехода в PZN-PT (011). Когда электрическое поле достигает критического порога E c1 ∼5,8 кВ см −1 , наблюдаются внезапные изменения как резонансного поля, так и частоты, что указывает на появление фазового перехода с резким изменением решетки и гигантской МЭ-связи. эффект.В сильном электрическом поле поле и частота FMR насыщаются с небольшим изменением деформации. При уменьшении электрического поля с 8 кВ см -1 , орторомбическая фаза и состояние деформации остаются достаточно стабильными до тех пор, пока не будет достигнуто другое критическое поле E c2 ∼3 кВ см -1 . Симметричное поведение возникает при приложении отрицательного электрического поля от 0 до -8 кВ см -1 . Такой гистерезисный тип управления напряжением и магнитным состоянием Э-полем дает возможность реализовать энергонезависимое переключение ФМР, что чрезвычайно важно в реконфигурируемых МЭ СВЧ-устройствах.

Петли гистерезиса E-поля в зависимости от частоты FMR, измеренные при подмагничивающем магнитном поле 50 Э (кружки) и E-поля в зависимости от поля FMR с рабочей частотой 12 ГГц (квадраты) в гетероструктурах FeGaB / PZN-PT (011). Электрическое поле прикладывалось в направлении вне плоскости [011], а магнитное поле прикладывалось в плоскости вдоль направления [01-1]. (Онлайн-версия в цвете.)

Настройка намагниченности E-field и энергонезависимое переключение намагниченности в FeGaB / PZN-PT (011) показаны на.Изменение нормированных петель магнитного гистерезиса FeGaB / PZN-PT (011) при различных электрических полях ( a ) означает, что создается большое отрицательное напряжение, индуцированное электрическим полем H eff , что затрудняет насыщение намагниченности в направление [100]. Когда внешнее магнитное смещение 200 Э было приложено вдоль направления [100], наблюдалась петля гистерезиса намагниченности как функции электрического поля, как показано в b , что согласуется с индуцированным электрическим полем ФМР. петли гистерезиса.Это указывает на то, что имеет место обратимое и стабильное изменение решетки из-за фазового перехода в PZN-PT, что приводит к двум состояниям остаточной намагниченности. Энергонезависимое переключение намагниченности между двумя состояниями остаточной намагниченности продемонстрировано в c . В качестве смещения прикладывается электрическое поле 5 кВ см -1 . Импульсы поля (менее 1 с) 3 и 7 кВ см -1 прикладываются попеременно с периодом 75 с. При приложении импульса электрического поля 3 кВ см -1 намагниченность в FeGaB увеличивается и остается на высоком уровне намагниченности 95%.Напротив, коэффициент намагничивания уменьшается и остается на уровне 35% при приложении импульса электрического поля 7 кВ см -1 . Таким образом, в FeGaB было реализовано динамическое переключение намагниченности под действием импульса электрического поля. Этот тип переключения намагниченности памяти приведет к энергонезависимой настройке FMR с высокой энергоэффективностью.

( a ) Зависимость петель магнитного гистерезиса FeGaB / PZN-PT (011) от E-поля, где магнитное поле направлено вдоль направления [100]. ( b ) Петля гистерезиса намагниченности в зависимости от E-поля FeGaB при магнитном поле смещения 200 Э, когда подложка PZN-PT претерпевает фазовый переход.( c ) Энергонезависимое переключение намагниченности, индуцированное импульсным напряжением электрического поля. (Онлайн-версия в цвете.)

6. Резюме

Управление электрическим полем магнитных состояний, включая магнитную анизотропию, ФМР, магнитосопротивление, обменное смещение, а также энергонезависимое переключение намагниченности, было успешно продемонстрировано в мультиферроидных гетероструктурах. Гигантский диапазон FMR с регулируемым полем и частотой с малой шириной линии, наблюдаемый в металлических ферромагнитных / сегнетоэлектрических гетероструктурах и гетероструктурах из феррита / сегнетоэлектрика, осажденных методом спинового напыления, открывает большие возможности для следующего поколения электростатически настраиваемых микроволновых устройств, таких как фильтры, фазовращатели, резонаторы и т. Д. и т.п.В устройствах с настраиваемым мультиферроиком магнитосопротивление сопротивление модулировалось в зависимости от электрического поворота направлений намагничивания путем приложения напряжения, а не приложения магнитного поля или тока. Эта концепция и конструкция удовлетворяют постоянно растущим требованиям к более быстрой, компактной и сверхмалой мощности электроники и имеют большое влияние на область исследований устройств магнитосопротивления. В мультиферроидных гетероструктурах с обменной связью, 180-градусное детерминированное переключение намагниченности в ферромагнитных слоях было реализовано посредством электрической настройки обменной связи.Это индуцированное электрическим полем 180 ° детерминированное переключение намагниченности необходимо для MERAM, где магнитные биты переключаются электрическим полем. В этом обзоре также представлены некоторые предварительные результаты по электрически индуцированному энергонезависимому переключению намагниченности, в котором импульс напряжения может переключать намагниченность самостоятельно. Одним словом, эффекты регулируемых по напряжению магнитных состояний в мультиферроидных гетероструктурах оказываются чрезвычайно значительными, что демонстрирует большой потенциал для создания небольших, более быстрых, сверхмалых мощных электронных и микроволновых устройств.

Финансовые отчеты

Эта работа финансируется AFRL через UES FA8650-090-D-5037, NSF в соответствии с номерами грантов. 0746810; и 0824008.

Ссылки

1. Eerenstein W, Mathur ND, Scott JF. 2006 г. Мультиферроидные и магнитоэлектрические материалы. Природа 442, 759–765. (10.1038 / nature05023) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 2. Рамеш Р., Спалдин Н.А. 2007 г. Мультиферроики: прогресс и перспективы в тонких пленках. Nat. Матер. 6, 21–29. (10.1038 / nmat1805) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 3.Weisheit M, Fahler S, Marty A, Souche Y, Poinsignon C, Givord D. 2007 г. Модификация магнетизма в тонкопленочных ферромагнетиках под действием электрического поля. Наука 315, 349–351. (10.1126 / science.1136629) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 4. Ван Дж. И др. 2003 г. Эпитаксиальные мультиферроидные тонкопленочные гетероструктуры BiFeO 3 . Наука 299, 1719–1722. (10.1126 / science.1080615) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 5. Цымбал Э.Ю., Кольштедт Х. 2006 г. Прикладная физика: туннелирование через сегнетоэлектрик.Наука 313, 181–183. (10.1126 / science.1126230) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 6. Эеренштейн В., Виора М., Прието Д.Л., Скотт Дж.Ф., Матур Н.Д. 2007 г. Гигантские острые и стойкие обратные магнитоэлектрические эффекты в мультиферроидных эпитаксиальных гетероструктурах. Nat. Матер. 6, 348–351. (10.1038 / nmat1886) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 7. Бибес М., Бартелеми А. 2008 г. Мультиферроики: к магнитоэлектрической памяти. Nat. Матер. 7, 425–426. (10.1038 / nmat2189) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 8. Сринивасан Г.2010 г. Магнитоэлектрические композиты. Анну. Rev. Mater. Res. 40, 153–178. (10.1146 / annurev-matsci-070909-104459) [CrossRef] [Google Scholar] 10. Спалдин Н.А., Чеонг С.В., Рамеш Р. 2010 г. Мультиферроики: прошлое, настоящее и будущее. Phys. Сегодня 63, 38–43. (10.1063 / 1.3502547) [CrossRef] [Google Scholar] 11. Ху Дж-М, Ли З, Чен Л-К, Нань Ч. 2011 г. Магниторезистивная оперативная память высокой плотности, работающая при сверхнизком напряжении при комнатной температуре. Nat. Commun. 2, 553 (10.1038 / ncomms1564) [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 12.Лю М. и др. 2009 г. Гигантская настройка магнитных свойств электрическим полем в мультиферроиках феррит / сегнетоэлектрические гетероструктуры. Adv. Функц. Матер. 19, 1826–1831. (10.1002 / adfm.200801907) [CrossRef] [Google Scholar] 13. Лу Дж., Рид Д., Лю М., Петтифорд С., Сан NX. 2009 г. Новые электростатически настраиваемые мультиферроидные гетероструктуры FeGaB / (Si) / PMN-PT для микроволнового применения. В IEEE MTTS Int. Микроволновая печь. Дайджест 2009, стр. 33–36. Нью-Йорк, Нью-Йорк: IEEE; (10.1109 / MWSYM.2009.5165625) [CrossRef] [Google Scholar] 14.Ма Дж., Ху Дж. М., Ли З., Нан CW. 2011 г. Последние достижения в мультиферроидных магнитоэлектрических композитах: от объемных до тонких пленок. Adv. Матер. 23, 1062–1087. (10.1002 / adma.201003636) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 15. Нан CW, Бичурин М.И., Донг С.Х., Фихланд Д., Сринивасан Г. 2008 г. Мультиферроидные магнитоэлектрические композиты: историческая перспектива, состояние и направления на будущее. J. Appl. Phys. 103, 031101 (10.1063 / 1.2836410) [CrossRef] [Google Scholar] 17. Сринивасан Г, Фетисов Ю.К. 2006 г. Слоистые феррит-пьезоэлектрические структуры: микроволновые магнитоэлектрические эффекты и устройства перестройки электрического поля.Сегнетоэлектрики 342, 65–71. (10.1080 / 001501946195) [CrossRef] [Google Scholar] 18. Das J, Song YY, Mo N, Krivosik P, Patton CE. 2009 г. Регулируемые электрическим полем мультиферроидные гетероструктуры ферримагнетик – сегнетоэлектрик с низкими потерями. Adv. Матер. 21, 2045–2049. (10.1002 / adma.200803376) [CrossRef] [Google Scholar] 19. Чу YH и др. 2008 г. Управление локальным ферромагнетизмом электрическим полем с помощью магнитоэлектрического мультиферроика. Nat. Матер. 7, 478–482. (10.1038 / nmat2184) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 20.Чжао П., Чжао З.Л., Хантер Д., Сухоски Р., Гао С., Мэтьюз С., Вуттиг М., Такеучи И. 2009 г. Изготовление и определение характеристик полностью тонкопленочных магнитоэлектрических датчиков. Прил. Phys. Lett. 94, 243507 (10.1063 / 1.3157281) [CrossRef] [Google Scholar] 21. Dong SX, Zhai JY, Li JF, Viehland D. 2006 г. Малый отклик магнитного поля постоянного тока магнитоэлектрических слоистых композитов. Прил. Phys. Lett. 88, 082907 (10.1063 / 1.2178582) [CrossRef] [Google Scholar] 22. Ху Дж-М, Нан CW. 2009 г. Индуцированная электрическим полем магнитная переориентация легкой оси в слоистых ферромагнитных / сегнетоэлектрических гетероструктурах.Phys. Ред. B 80, 224416 (10.1103 / PhysRevB.80.224416) [CrossRef] [Google Scholar] 23. Ли Н, Лю М., Чжоу З., Сан NX, Мурти DVB, Сринивасан Дж., Кляйн Т.М., Петров В.М., Гупта А. 2011 г. Электростатическая настройка ферромагнитного резонанса и магнитоэлектрических взаимодействий в феррит-пьезоэлектрических гетероструктурах, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы. Прил. Phys. Lett. 99, 192502 (10.1063 / 1.3658900) [CrossRef] [Google Scholar] 24. Ли З, Ван Дж, Линь Ю., Нан CW. 2010 г. Магнитоэлектрическая ячейка памяти с коэрцитивным состоянием в качестве записывающего бита данных.Прил. Phys. Lett. 96, 162505 (10.1063 / 1.3405722) [CrossRef] [Google Scholar] 25. Лю М., Лу Дж., Ли С.Д., Сан NX. 2011 г. Электронное поле управления обменным смещением и детерминированное переключение намагниченности в мультиферроидных гетероструктурах AFM / FM / FE. Adv. Функц. Матер. 21, 2593–2598. (10.1002 / adfm.201002485) [CrossRef] [Google Scholar] 26. Чжэн Р.К., Ван И, Чан ВАО, Чой К.Л., Ло Х.С. 2008 г. Эффект деформации подложки в La 0,875 Ba 0,125 MnO 3 тонких пленок, выращенных на сегнетоэлектрических монокристаллических подложках.Прил. Phys. Lett. 92, 082908 (10.1063 / 1.2870100) [CrossRef] [Google Scholar] 27. Лю М., Оби О, Цай Чж, Лу Дж., Ян Г.М., Цимер К.С., Сан NX. 2010 г. Электрическая настройка магнетизма в Fe 3 O 4 / PZN-PT Мультиферроидные гетероструктуры, полученные методом реактивного магнетронного распыления. J. Appl. Phys. 107, 073916 (10.1063 / 1.3354104) [CrossRef] [Google Scholar] 28. Чжэн Р.К., Цзян Ю., Ван И, Чан ВЛВ, Чой К.Л., Ло Х.С. 2008 г. Исследование субстрат-индуцированных деформационных эффектов в La 0,7 Ca 0.15 Sr 0,15 MnO 3 тонких пленок, использующих сегнетоэлектрическую поляризацию и обратный пьезоэлектрический эффект. Прил. Phys. Lett. 93, 102904 (10.1063 / 1.2979688) [CrossRef] [Google Scholar] 29. Драббл-младший, Уайт Т.Д., Хупер Р.М. 1971 г. Электропроводность магнетита при низких температурах. Твердотельная Комм. 9, 275–278. (10.1016 / 0038-1098 (71) -1) [CrossRef] [Google Scholar] 30. Лю Дж-М, Нань Ч. 2012 г. Сегнетоэлектричество и мультиферроичность: более широкий выход. Фронт. Phys.7, 373–374. (10.1007 / s11467-012-0257-9) [CrossRef] [Google Scholar] 31. Ху Дж-М, Ли З, Чен Л-К, Нань Ч. 2012 г. Разработка управляемой напряжением магнитной оперативной памяти на основе анизотропного магнитосопротивления в одиночном магнитном слое. Adv. Матер. 24, 2869–2873. (10.1002 / adma.201201004) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 32. Лю М., Оби О, Лу Дж., Ли СД, Син X, Ян GM, Sun NX. 2011 г. Устройства перестраиваемого магнитосопротивления на основе мультиферроидных гетероструктур. J. Appl. Phys. 109, 07D913 (10.1063 / 1.3561771) [CrossRef] [Google Scholar] 33. Лу Дж., Лю М., Рид Д., Рен Й.Х., Сан NX. 2009 г. Гигантская перестройка магнетизма электрическим полем в новых мультиферроидных гетероструктурах FeGaB / ниобат цинка-свинец – титанат свинца (PZN-PT). Adv. Матер. 21, 4711–4715. (10.1002 / adma.2001) [CrossRef] [Google Scholar] 34. Лю М., Ли С.Д., Оби О, Лу Дж., Рэнд С., Сан NX. 2011 г. Модуляция магнитосопротивления электрическим полем в мультиферроидных гетероструктурах для сверхмалой силовой электроники. Прил. Phys. Lett. 98, 222509 (10,1063 / 1,3597796) [CrossRef] [Google Scholar] 35.Шастрый С., Сринивасан Г., Бичурин М., Петров В., Татаренко А. 2004 г. Микроволновые магнитоэлектрические эффекты в монокристаллических бислоях железо-иттриевого граната и ниобата свинца-магния-титаната свинца. Phys. Ред. B 70, 064416 (10.1103 / PhysRevB.70.064416) [CrossRef] [Google Scholar] 36. Аливов Ю., Моркок Х. 2009 г. Микроволновые ферриты, часть 1: основные свойства. J. Mater. Sci. 20, 789–834. (10.1007 / s10854-009-9923-2) [CrossRef] [Google Scholar] 37. Лю М., Оби О, Лу Дж., Стаут С., Хуанг Дж.Й., Цай Ч., Цимер К.С., Сан NX.2008 г. Мультиферроидный композит, осажденный методом центрифугирования, Ni 0,23 Fe 2,77 O 4 / Pb (Zr, Ti) O 3 с сильной межфазной адгезией. Прил. Phys. Lett. 92, 152504 (10.1063 / 1.2911743) [CrossRef] [Google Scholar] 38. Лу Дж., Insignares RE, Цай Зи, Зиемер К.С., Лю М., Сан NX. 2007 г. Мягкий магнетизм, магнитострикция и микроволновые свойства тонких пленок FeGaB. Прил. Phys. Lett. 91, 182504 (10.1063 / 1.2804123) [CrossRef] [Google Scholar] 39. Борисов П., Хохстрат А., Чен Х, Климанн В., Бинек К.2005 г. Магнитоэлектрическое переключение обменного смещения. Phys. Rev. Lett. 94, 117203 (10.1103 / PhysRevLett.94.117203) [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 40.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *