Кс113А параметры: КС113А металл, Стабилитрон низковольтный малой мощности, 1.3В, Россия

Содержание

Стабисторы типа: 2С113А, КС113А, 2С119А, КС119А

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Стабисторы кремниевые диффузионно-сплавные: 2С113А, КС113А, 2С119А, КС119А. Предназначены для работы в стабилизаторах напряжения и в качестве термокомпенсирующих элементов. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса стабистора не более 1 грамма.

Чертёж стабистора 2С113А, КС113А, 2С119А, КС119А

Электрические параметры стабистора 2С113А, КС113А, 2С119А, КС119А.

Напряжение стабилизации номинальное при 24,85°С, I_ст=10 мА
2С113А, КС113А	1,3 В
2С119А, КС119А	1,9 В
Разброс напряжения стабилизации при I_ст=10 мА
при 24,85°С	±10%
при -60,15°С
2С113А	От 1,17 до 1,8 В
2С119А	От 1,71 до 2,6 В
при 124,85°С
2С113А	От 0,72 до 1,43 В
2С119А	От 1,16 до 2,09 В
Средний температурный коэффициент напряжения стабилизации при температуре
от -60,15 до 124,85°С
2С113А, 2С119А	От -0,42 до -0,2%/К
КС113А, не хуже	-0,3%/К
КС119А, не хуже	-0,4%/К
от 49,85 до 124,85°С
2С113А	От -0,42 до -0,31%/К
2С119А	От -0,42 до 0,3%/К
Временна́я нестабильность напряжения стабилизации для 2С113А, 2С119А	±3,5%
Постоянный обратный ток при 24,85°С, U_обр=1 В для 2С113А, 2С119А, не более	0,1 мкА
Дифференциальное сопротивление, не более
при 24,85°С, I_ст=1 мА
2С113А	80 Ом
2С119А	130 Ом
при 24,85°С, I_ст=10 мА
2С113А, КС113А	12 Ом
2С119А, КС119А	15 Ом
при -60,15°С, I_ст=10 мА
2С113А	12 Ом
2С119А	15 Ом
при 124,85°С, I_ст=10 мА
2С113А	18 Ом
2С119А	25 Ом

Предельные эксплуатационные данные 2С113А, КС113А, 2С119А, КС119А.

Минимальный ток стабилизации	1 мА
Максимальный постоянный ток стабилизации	100 мА
Импульсный прямой ток при I_пр,ср≤50 мА, τ_и≤100мкс, для 2С113А, 2С119А, КС119А	200 мА
Постоянное обратное напряжение при переходных процессах для 2С113А, 2С119А	1 В
Рассеиваемая мощность
2С113А	180 мВт
2С119А	260 мВт
Температура окружающей среды	От -60,15 до 124,85°С
Температура перехода 2С113А, 2С119А	124,85°С

Зависимость дифференциального сопротивления от тока

Зависимость дифференциального сопротивления от тока.

Зависимость среднего температурного коэффициента напряжения стабилизации от тока и зависимость напряжения стабилизации от температуры

Зависимость среднего температурного коэффициента напряжения стабилизации от тока и зависимость напряжения стабилизации от температуры.

Параметры, цоколевка и аналоги стабилитрона КС113А

Описание стабилитрона КС113А

Стабилитрон КС113А кремниевый, диффузионно-сплавный, малой мощности.
Предназначен для применения в стабилизаторах напряжения и в качестве термокомпенсирующих элементов.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип стабилитрона приводится на корпусе.
Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит отрицательным электродом (катодом).
Масса стабилитрона не более 1 г.

Размеры стабилитрона КС113А

Характеристики стабилитрона КС113А

Номинальное напряжение стабилизации стабилитрона	1,3 В
Номинальный ток стабилизации стабилитрона	10,0 мА
Максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне	200 мВт
Минимальное напряжение стабилизации стабилитрона	1,17 В
Максимальное напряжение стабилизации стабилитрона	1,43 В
Дифференциальное сопротивление стабилитрона	12 Ом
Температурный коэффициент стабилизации стабилитрона	-42 10-2 %/°С
Минимальный ток стабилизации стабилитрона	1,0 мА
Максимальный ток стабилизации стабилитрона	100 мА
Максимально-допустимая температура корпуса стабилитрона	125 °С

Стабилитрон КС113А

Количество драгоценных металлов в стабилитроне КС113А согласно документации производителя.

Справочник массы и наименований ценных металлов в советских стабилитронах КС113А.

Стабилитрон КС113А количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0,00064 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: Из справочника Связь-Инвест.

Справочник содержания ценных металлов из другого источника:

Стабилитроны КС113А теория

Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов.

Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.

Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.

Стабилитроны КС113А Принцип действия

Советские и импортные стабилитроны

Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.

Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете. Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:

Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см. Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его. С ростом температуры перехода ширина запрещённой зоны, а вместе с ней и напряжение пробоя, уменьшается: низковольтные стабилитроны с преобладанием туннельного пробоя имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения (ТКН).

В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.

Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём. Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. М. Зи указывает «от 4 EG до 6 EG» (4,5…6,7 В), авторы словаря «Электроника» — «от 5 до 7 В»8, Линден Харрисон — «от 3 до 8 В»26, Ирвинг Готтлиб проводит верхнюю границу по уровню 10 В9. Низковольтные лавинные диоды (LVA) на напряжения от 4 до 10 В — исключение из правила: в них действует только лавинный механизм.

Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.

Область применения стабилитрона КС113А

Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.

Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.

Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.

Маркировка стабилитронов КС113А

Маркировка стабилитронов

Есть информация о стабилитроне КС113А – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.

Фото Стабилитрон КС113А:

Предназначение Стабилитрон КС113А.

Характеристики Стабилитрон КС113А:

Купить или продать а также цены на Стабилитрон КС113А (стоимость, купить, продать):

Отзыв о стабилитроне КС113А вы можете в комментариях ниже:

КС113А Стабилитрон 1,3V (1,17… 1,43 V) корпус КД8, цена 4.03 грн.

КС113А
Стабисторы КС113А кремниевые, диффузионно-сплавные, малой мощности.
Предназначены для применения в стабилизаторах напряжения и в качестве термокомпенсирующих элементов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип стабистора приводится на корпусе.
Корпус стабистора в рабочем режиме служит отрицательным электродом (катодом).
Масса стабистора не более 1 г.
Технические условия: аА0.336.108 ТУ.

Основные технические параметры стабистора КС113А:
• Номинальное напряжение стабилизации: 1,3 В при Iст 10 мА;
• Разброс напряжения стабилизации: 1,17… 1,43 В;
• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,42 %/°С;
• Временная нестабильность напряжения стабилизации: ±3,5 %;
• Дифференциальное сопротивление: 15 Ом при Iст 7,5 мА;
• Максимально допустимый ток стабилизации: 100 мА;
• Максимально-допустимая рассеиваемая мощность: 0,18 Вт;
• Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60. .. +125 °С

Технические характеристики стабисторов 2С113А, КС113А:

Тип стабистора	Uст.				αUст.	rст.	Iст.		Рmax	Тк.max (Тп.)	Т окр.
	мин	ном	макс	Iст.ном.	αUст.	rст.	мин	макс	Рmax	Тк.max (Тп.)	Т окр.
	В	В	В	мА	%/С	Ом	мА	мА	Вт	°С	°С
2С113А	1,17	1,3	1,43	10	-0,42…-0,2	12	1	100	0,16	125	-60… +125
КС113А	1,17	1,3	1,43	10	-0,42	12	1	100	0,18	125	-60… +125

Условные обозначения электрических параметров стабисторов:

• Uст. – напряжение стабилизации стабистора;
• αUст. – температурный коэффициент напряжения стабилизации стабистора;
• rст. – дифференциальное сопротивление стабистора;
• Iст. – ток стабилизации стабистора;
• Рmax – рассеиваемая мощность стабистора;
• Тк. мах – максимально-допустимая температура корпуса стабистора;
• Тп. мах – максимально-допустимая температура перехода стабистора;
• Т окр. – температура окружающей среды.

Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы

Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность – наше главное кредо.

Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы. У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону. Наш клиент всегда доволен!

Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.

Приобретаем:

платы от приборов, компьютеров
платы от телевизионной и бытовой техники
микросхемы любые
транзисторы
конденсаторы
разъёмы
реле
переключатели
катализаторы автомобильные и промышленные
приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др. )

Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.

Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!

Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам: 8-900-491-6775. Почта [email protected]

С уважением, директор Александр Михайлов.

Стабилитроны – Радиодетали

Стабилитрон это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. В отличии от обычных диодов, стабилитрон имеет достаточно низкое напряжение пробоя (при обратном включении) и что самое главное — может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Благодаря этому эффекту стабилитроны широко применяются в источниках питания.

Наименование	U стаб.	Uстаб. I стаб.	Корпус
Д 808	8 В	6-9,5В 33мА	металл
Д 809	9 В	8-10,5В 29мА	металл
Д 810	10 В	9-11,2В 28мА	металл
Д 811	11 В	9-13,5В 23мА	(стекло )
Д 813	13 В	10-15,5В 20мА	металл
Д 814 А		7-9,5В 40мА	металл
Д 814 А2 стекло		7-9,5В 20мА	(стекло )
Д 814 Б		8-10,5В 40мА	металл
Д 814 В		9-11,5В 30мА	металл
Д 814 Г		10-13,5В 30мА	металл
Д 814 Д		11-14,5В 24мА	металл
Д 815 А		5-6,2В 1,4 А	металл
Д 815 Б		6,1-7,5В 1,15А	металл
Д 815 В		7,4-9,1В 0,9А	металл
Д 815 Г		9,1-11В 0,9А	металл
Д 815 Д		10,8-13,3В 0,65А	металл
Д 815 Е		13,3-16,4В 0,55А	металл
Д 815 Ж		16,2-19,8В 0,45А	металл
Д 816 А		19,6-22,4В 0,23А	металл
Д 816 Б		24,2-29,5В 0,18А	металл
Д 816 В		29,5-36B 0,15A	металл
Д 816 Г		35-43B 0,13A	металл
Д 816 Д		42,5-51,5В 0,11А	металл
Д 817 А		50,5-61,5В 90мА	металл
Д 817Б		61 -75 В. ,75 мА	металл
Д 817В		74 — 90 В., 60 мА	металл
Д 817Г		90 — 110В ., 50мА	металл
Д 818 А (стекло)	9 B	8,82-10,58B 17mA	(стекло )
Д 818 А (металл)	9 B	8,82-10,58B 33mA	металл
Д 818 Б (стекло)	9 B	7,48-9,16B 17mA	(стекло )
Д 818 Б (металл)	9 B	7,48-9,16B 33mA	металл
Д 818 В (металл)	9 B	8,01-10,01B 33mA	металл
Д 818 В (стекло)	9 B	8,01-10,01B 33mA	(стекло )
Д 818 Г	9 B	8,5-9,5B 33mA	металл
Д 818 Д мет	9 B	8,53-9,47B 33mA	металл
Д 818 Д стекло	9 B	8,53-9,47B 17mA	(стекло )
Д 818 Е (металл)	9 B	8,54-9,46B 33mA	металл
Д 818 Е1 (неметалл)	9 B	8,54-9,46B 17mA
КС 106 А	0,6 В		dip8
КС 107 А (СТАБИСТОР )	0,7 В	0,63-0,77B 100mA	металл
КС 113 А (СТАБИСТОР )	1,3 В	1,17-1,43B 100mA	металл
КС 119 А (СТАБИСТОР )	1,9 В	1,71-2,09B 100mA	неметалл
КС 119 А (СТАБИСТОР )	1,9 В	1,71-2,09B 100mA	металл
КС 133 А (металл)	3,3 В	2,97-3,63В 81mA	металл
КС 133 А (стекло)	3,3 В	2,97-3,63В 37,5mA	(стекло )
КС 133 Б	3,3 В	2,96-3,64В 37,5mA
КС 133 В	3,3 В	2,95-3,65В 37,5mA
КС 139 А (металл)	3,9 В	3,51-4,29B 70 mA	металл
КС 139 А (стекло)	3,9 В	3,51-4,29B 70 mA	(стекло )
КС 147 А	4,7 В	4,23-5,17B 26,5 mA	(стекло )
КС 147 А (мет)	4,7 В	4,23-5,17B 58 mA	металл
КС 147 В	4,7 В	4,23-5,17B 26,5 mA
КС 156 А	5,6 В	5,0-6,2B 22,4 mA	(стекло )
КС 156 А (металл)	5,6 В	5,04-6,16B 55 mA	металл
КС 156 Г	5,6 В	5,0-6,2B 22,4 mA	(стекло )
КС 162 А	6,2 В	5,8-6,6B 22mA
КС 168 А	6,8 В	6,12-7,48B 18 mA	(стекло )
КС 168 А (металл)	6,8 В	6,12-7,48B 45 mA	металл
КС 168 В	6,8 В	6,12-7,48B 16 mA
КС 170 А	7,0 В	6,43-7,59B 20mA
КС 170 Ж	7 В		(стекло )
КС 175 А	7,5 В	7,0-8,0B 18mA
КС 175 Ж	7,5 В	7,1-7,9B 17mA	(стекло )
КС 182 А	8,2 В	7,6-8,8B 17mA
КС 182 Е	8,2 В	7,4-9,0B 15mA
КС 182 Ж	8,2 В	7,4-9,0B 15mA	(стекло )
КС 190 В	9 В
КС 191 А	9,1 В
КС 191 Ж	9,1 В	8,6-9,6B 14mA	(стекло )
КС 191 С	9,1 В		металл
КС 191 Т	9,1 В		металл
КС 191 Ф	9,1 В		металл
КС 210 А	10 В
КС 210 Б	10 В	9,3-10,7B 14mA
КС 210 В	10 В
КС 210 Ц	10 В	9-11B 13mA
КС 211 Б	12 В	11-13,2В 33mA
КС 211 В	11 В	9,3-11 В 33mA
КС 211 Г	11 В	9,9-12,65 В 33mA
КС 211 Ж	11 В	9,9-12,65 В 12mA
КС 212 А	12 В
КС 212 Ж	12 В	10,8-13,2B 11mA	(стекло )
КС 213 Б	13 В	12,1-13,9B 10mA
КС 213 Б2 (неметал)	13 В
КС 215 Ж	15 В	13,5-16,5B 8,3mA	(стекло )
КС 216 Ж	16 В	15,2-16,8B 7,3mA	(стекло )
КС 218 Ж	18 В	16,2-19,8B 6,9mA	(стекло )
КС 222 А	22 B		(стекло )
КС 222 Ж	22 B	19,8-24,2B 10mA	(стекло )
КС 224 Ж	24 B		(стекло )
КС 292 Ж	92 B		(стекло )
КС 407 В стекло	4,7 B	4,4-5,0B 20 mA	(стекло )
КС 411 А	11 B
КС 411 Б	11 B
КС 411 В	11 B
КС 433 А	3,3 B	2,97-3,63В 191mA	металл
КС 439 А	3,9 B	3,51-4,29B 176 mA	металл
КС 447 А	4,7 B	4,23-5,17B 159 mA	металл
КС 456 А	5,6 B	5,04-6,16B 139 mA	металл
КС 468 А	6,8 B	6,12-7,48B 119 mA	металл
КС 482 А	8,2 B	7,4-9,0B 96 mA	металл
КС 482 А (стекло)	8,2 B	7,4-9,0B 96 mA	(стекло )
КС 508 А мет	8 В		металл
КС 510 А мет	10 B	9-11 B 79 mA	металл
КС 510 А немет	10 B	9-11 B 35 mA
КС 512 А	12 B
КС 513 А	13 B
КС 514А	14 B
КС 515 А мет	15 B	13,5-16,5В 53mA	металл
2С 515 А мет	15 B	13,5-16,5В 53mA	металл
КС 515 А немет	15 B		(стекло )
КС 515 Г1 немет.	15 B	12В 53мА
КС 516 А	16 B
КС 516 В	16 B
КС 518 А	18 B	18В 45мА
КС 520 В	20 B	20В 37мА
КС 522 А	22 B	22В 37мА
КС 524 А	24 B	24В 33мА
КС 524 Г	24 B
КС 527 А	27 B	27В 30мА
КС 530 А	30 B	30В 35мА
КС 531 А	31 B	31В 15мА
КС 531 В	31 B	29,45-32,55B 15mA
КС 533 А	33 B	29,7-36,3 B 17mA
КС 536 А	36 B	36В 45мА
КС 539 Г	39 B	37-41B 17mA
КС 547 В	47 B	47В 15мА
КС 568 А	68 B	68В 10мА
КС 568 В	68 B	68В 10мА
КС 582 Г	82 В	77,9-86,1B 8mA
КС 591 А	91 B	86-96B 8,8mA
КС 596 В	96 B	91,2-100,8B 7mA
КС 600 А	100 В	100В 8,1мА	металл
КС 603 Б	103 B		металл
КС 620 А	120 B	108-132В 42мА	металл
КС 630 А	130 B	117-143В 38мА	металл
КС 630 А1	130 B		металл
КС 650 А	150 B	135-165В 33мА	металл
КС 680 А	180 B	162-198В 28мА	металл
КС 930 А	130 B		металл
КС 950 А	150 B	150В 50мА	металл
КС 980А	180 B		металл

Справочник по стабилитронам.

Параметры отечественных стабилитронов

**0,7В… 7,5В…** **8,0В… 12,0В…** **13,0В… 180,0В**
Тип прибора	U_{ст ном,} B при (I_{ст ном,} мА)	Р_max, мВт	Значения параметров при Т=25^°С, I_{пр ном}					Предельные значения параметров при Т=25^°С		Т_{к max,} ^°С	Кор- пус
Тип прибора	U_{ст ном,} B при (I_{ст ном,} мА)	Р_max, мВт	U_{ст min,} B	U_{ст max,} B	r_ст, Ом	r_ст, Ом при I_{ст min}	a_ст, 10^-2 %/^°С	I_{ст min,} мА	I_{ст max,} мА	Т_{к max,} ^°С	Кор- пус
2С107А	0,7 (10)	125	0,63	0,77	7	50	-34	1	100	125	75
КС107А	0,7 (10)	125	0,63	0,77	7		-34	1	100	125	75
2С113А	1,3 (10)	125	1,17	1,43	12	80	-42	1	100	125	75
КС113А	1,3 (10)	125	1,17	1,43	12		-42	1	100	125	75
2С119А	1,9 (10)	200	1,72	2,1	15	130	-42	1	100	125	75
2С119А	1,9 (10)	200	1,72	2,1	15		-42	1	100	125	75
КС106А	3,2 (0,25)	2	2,9	3,5	500		-13	0,01	0,5	70	86
2С133А	3,3 (10)	300	2,97	3,63	65	180	-11	3	81	125	1
КС133А	3,3 (10)	300	2,97	3,63	65	180	-11	3	81	125	1
2С133Б	3,3 (10)	100	3,0	3,7	65	180	-10	3	30	125	1
2С133В	3,3 (5)	125	3,1	3,5	150	680	-10	1	37,5	125	1
2С133Г	3,3 (5)	125	3,0	3,6	150	680	-10	1	37,5	125	1
КС133Г	3,3 (5)	125	3,0	3,6	150		-10	1	37,5	125	1
КС407А	3,3 (10)	500	3,1	3,5	28		-8	1	100	85	77
2С433А	3,3 (60)	1000	2,97	3,63	14	180	-10	3	229	125	75
КС433А	3,3 (60)	1000	2,97	3,63	25	180	-10	3	229	125	75
2С139А	3,9 (10)	300	3,51	4,29	60	180	-10	3	70	125	1
КС139А	3,9 (10)	300	3,51	4,29	60	180	-10	3	70	125	1
2С139Б	3,9 (10)	100	3,5	4,3	60	180	-10	3	26	125	1
КС139Г	3,9 (5)	125	3,5	4,3	150		-10	3	32	125	1
КС407Б	3,9 (20)	500	3,7	4,1	23		-7	1	83	85	77
2С439А	3,9 (51)	1000	3,51	4,29	12	180	-10	3	212	125	75
КС439А	3,9 (51)	1000	3,51	4,29	25	180	-10	3	212	125	75
2С147А	4,7 (10)	300	4,23	5,17	56	160	-9. ..+1	3	58	125	1
КС147А	4,7 (10)	300	4,23	5,17	56	160	-9…+1	3	58	125	1
2С147Б	4,7 (10)	100	4,1	5,2	56	180	-8…+2	3	21	125	1
2С147В	4,7 (5)	125	4,5	4,9	150	680	-7	1	26,5	125	1
2С147Г	4,7 (5)	125	4,2	5,2	150	680	-7	1	26,5	125	1
КС147Г	4,7 (5)	125	4,2	5,2	150		-7	1	26,5	125	1
КС407В	4,7 (20)	500	4,4	5,0	19		-3	1	68	85	77
2С447А	4,7 (43)	1000	4,23	5,17	10	180	-8. ..+3	3	190	125	75
КС447А	4,7 (43)	1000	4,23	5,17	18	180	-8…+3	3	190	125	75
Д815И	4,7 (1000)	8000	4,2	5,2	0,82	39	14	50	1400	125	85
2С102А	5,1 (20)	300	4,84	5,36	17	160	-1…+1	3	58	125	1
КС407Г	5,1 (20)	500	4,8	5,4	17		-2. ..+2	1	59	85	77
2С156А	5,6 (10)	300	5,04	6,16	46	160	-5…+5	3	55	125	1
КС156А	5,6 (10)	300	5,04	6,16	46	160	-5…+5	3	55	125	1
2С156Б	5,6 (10)	100	5,0	6,4	45	160	-4…+7	3	18	125	1
2С156В	5,6 (5)	125	5,3	5,9	100	470	5	1	22,4	125	1
2С156Г	5,6 (5)	125	5,0	6,2	100	470	7	1	22,4	125	1
КС156Г	5,6 (5)	125	5,0	6,2	100		7	1	22,4	125	1
2С156Ф	5,6 (5)	125	5,3	5,9	30	340	4	1	20	125	1
КС409А	5,6 (5)	400	5,3	5,9	20	50	2. ..4	1	48	85	77
2С456А	5,6 (36)	1000	5,04	6,16	7	145	5	3	167	125	75
КС456А	5,6 (36)	1000	5,04	6,16	7	145	5	3	167	125	75
Д815А	5,6 (1000)	8000	5,0	6,2	0,6	20	4,5	50	1400	130	85
2С111А	6,2 (10)	150	5,66	6,76	35	160	-6	3	22	125
2С162А	6,2 (10)	150	5,66	6,76	35	160	-6	3	22	125	76
КС162А	6,2 (10)	150	5,8	6,6	35		-6	3	22	125	76
КС412А	6,2 (5)	400	5,8	6,6	10	50	-1. ..+6	1	55	125	77
2С168А	6,8 (10)	300	6,12	7,48	28	120	-6…+6	3	45	125	1; 75
КС168А	6,8 (10)	300	6,12	7,48	7	180	-6…+6	3	45	125	1; 75
2С168Б	6,8 (10)	100	6,0	7,5	15	40	7	3	15	125
2С168В	6,8 (10)	150	6,24	7,38	28	120	-5. ..+5	3	20	125	76
КС168В	6,8 (10)	150	6,3	7,3	28		-5…+5	3	20	100	76
КС168Х	6,8 (0,5)	20	6,5	7,1	200	200	5	0,5	3	125
2С111Б	6,8 (10)	150	6,24	7,38	28	120	-5…+5	3	20	125	87
КС407Д	6,8 (18,5)	500	6,4	7,2	4,5		5	1	42	85	77
2С468А	6,8 (29)	1000	6,12	7,48	5	70	6,5	3	142	125	75
КС468А	6,8 (30)	1000	6,12	7,48	5	70	6,5	3	119	125	75
Д815А	6,8 (1000)	8000	6,1	7,5	0,8	15	5	50	1150	130	85
2С170А	7,0 (10)	150	6,43	7,59	18	100	-1. ..+1	3	20	125	76
КС170А	7,0 (10)	150	6,43	7,59	20		-1…+1	3	20	100	76
2С111В	7,0 (10)	150	6,43	7,59	18	100	-1…+1	3	20	125	87
2С175А	7,5 (5)	150	6,82	8,21	16	70	-4…+4	3	18	125	76
КС175А	7,5 (5)	150	6,82	8,21	16		-4. ..+4	3	18	100	76
2С175Ж	7,5 (4)	150	7,1	7,9	40	200	7	0,5	20	125	77
КС175Ж	7,5 (4)	125	7,1	7,9	40		7	0,5	17	125	77
2С175Х	7,5 (0,5)	20	7,1	7,9	200	200	6,5	0,5	2,65	125
2С175Ц	7,5 (0,5)	125	7,1	7,9	200	820	6,5	0,1	17	125	77
КС175Ц	7,5 (0,5)	125	7,1	7,9	200	820	6,5	0,1	17	125	77
2С112А	7,5 (5)	150	6,82	8,21	16	70	-4. ..+4	3	18	125	76

U_ст	–	напряжение стабилизации стабилитрона
U_{ст ном}	–	номинальное напряжение стабилизации стабилитрона
I_ст	–	ток стабилизации стабилитрона
I_{ст ном}	–	номинальный ток стабилизации стабилитрона
Р_max	–	максимально-допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне
r_ст	–	дифференциальное сопротивление стабилитрона
a_ст	–	температурный коэффициент стабилизации стабилитрона
Т_{к max}	–	максимально-допустимая температура корпуса стабилитрона

Список уникальных вариантов De novo a, определенных NGS

Context 1

… полученный пул был использован для emPCR и подготовки шариков с помощью системы EZbead (Life Technologies) и для последующего секвенирования с помощью системы SOLiD 4 ( Технологии жизни). Отображение и вызов вариантов были выполнены, как описано ранее (Таблица S3). 13 Как для целевого, так и для экзомного секвенирования варианты и индели были выбраны с использованием строгих настроек контроля качества, включая наличие не менее четырех (уникальных) вариантов чтения и не менее 15% вариантов чтения….

Контекст 2

… эти шесть мутаций, ни одна из них не наблюдалась в нашей внутренней базе данных по секвенированию экзома (450 человек). Один, идентифицированный в POF1B на X-хромосоме, был однажды обнаружен среди 8760 аллелей, указанных в базе данных Национального института сердца, легких и крови (NHLBI) (веб-ресурсы), которая содержит данные из более чем 5300 экзомов (> 10600 аллелей). , оставляя пять уникальных изменений de novo, выявленных в этом исследовании (Таблица 3). Секвенирование KS113 KS47 KS35 KS94 KS129 Trio KS78 Trio KS220 Trio KS53 Trio KS49 Вариант с высокой степенью достоверности называет 2,495 2,452 2,403 2,530 2,488 24,604 19,610 20, Используется следующая аббревиатура: NGS, секвенирование следующего поколения….

Контекст 3

… NGS индивидуального KS113 выявил бессмысленную мутацию (c.4441 C> T [p. Arg1481 *]) в гене миелоидного / лимфоидного или смешанного лейкоза 3 MLL3 ( NM_170606.2) (Рисунок 1A, Таблица 3 и Рисунок S1A). Отец индивидуума KS113 умер, но мы смогли подтвердить отсутствие этой мутации у матери и двух здоровых сестер, каждая из которых несла тот же отцовский гаплотип в локусе MLL3, что и KS113 (рис. S2). …

Контекст 4

… одиночная миссенс-мутация SMARCB1 (c.110G> A [p.Arg37His]; NM_003073.3), предположительно вредная, была обнаружена целевым NGS у индивидуума KS47 и отсутствовала у обоих родителей (рисунок 1B, таблица 3 и Рисунок S1B). Интересно, что мутации в этом гене, а также в нескольких других генах, которые кодируют белки комплекса SWI / SNF, как недавно сообщалось, вызывают синдром Коффина Сириса (CSS [MIM 135900]). …

Контекст 5

… NM_018328.4), который приводит к преждевременному стоп-кодону (рисунок 1C, таблица 3 и рисунок S1C).Делеции, охватывающие MBD5, а также внутригенные делеции MBD5 ранее были идентифицированы в случаях с фенотипом, напоминающим синдром Смита-Магениса, который характеризуется ID, лицевым дисморфизмом, эпилепсией и поведенческими проблемами. …

Контекст 6

… Анализ отдельных KS220 (рис. 1D) выявил три мутации de novo (таблица S5), гетерозиготные носители не имеют явного фенотипа. 29 Это оставляет два уникальных de novo варианта, один в MTMR9 и один в NR1I3 (Таблица 3).Изменение аминокислоты p.Ser104Ala, вызванное мутацией MTMR9, считается доброкачественным для PolyPhen-2 и переносимым SIFT. …

Контекст 7

… нокдаун snr1 / SMARCB1 в крыле вызывает чрезвычайно тяжелый фенотип сам по себе, что не позволяет делать выводы о потенциальных генетических взаимодействиях с EHMT. Наконец, мы исследовали генетические взаимодействия с EcR / NR1l3 и CG5026 / MTMR9, которые оба содержат миссенс-мутации de novo в индивидуальном KS220 (Таблица 3).Количественная оценка формирования эктопической крыловой жилки (рис. 2G) не выявила влияния нокдауна CG5026 / MTMR9 на фенотип сверхэкспрессии EHMT (рис. 2H), что согласуется с мнением о том, что мутация MTMR9 не вызывает KSS. …

(PDF) Обращение микросейсмического тензора момента и анализ чувствительности в вертикально-поперечных изотропных средах

Кубо, А., Э. Фукуяма, Х. Кавай и К. Нономура, 2002, NIED seismic

Каталог тензоров момента для региональных землетрясений вокруг Японии: Качество

испытание и применение: Тектонофизика, 356,23–48, DOI: 10.1016 / S0040-

1951 (02) 00375-X.

Лей, X., Д. Хуанг, Дж. Су, Г. Цзян, X. Ван, Х. Ван, X. Го, и Х. Фу,

2017, Реактивация разлома и землетрясения с магнитудой до Mw4 .7

, вызванное гидроразрывом сланцевого газа в бассейне Сычуань, Китай: Sci-

entific Reports, 7, 7971, DOI: 10.1038 / s41598-017-08557-y.

Lei, X., K. Kusunose, MVMS Rao, O. Nishizawa, and T. Satoh, 2000,

Квазистатический рост разломов и растрескивание в однородных хрупких породах при трехосном сжатии

с использованием акустико-эмиссионного мониторинга: Journal of Geo-

физические исследования, Твердая Земля, 105, 6127–6139, DOI: 10.1029/

1999JB

Lei, X., Z. Wang, and J. Su, 2019, ML 5.7 декабря 2018 г. и

января

2019 ML 5.3 в Южно-Сычуаньском бассейне, вызванные сланцевым газом

гидроразрыв пласта: Письма о сейсмологических исследованиях, 90, 1099–1110, DOI:

10.1785 / 02201

Левандер А. Р., 1988, Конечно-разностные сейсмограммы P-SV четвертого порядка:

Geophysics, 53, 1425–1436, DOI: 10.1190 / 1.1442422.

Ли, Х., Х. Чанг, З.Яо и Ю. Ван, 2018a, Общая модель дислокации

на основе инверсии микросейсмического механизма фокуса в частотной области: 80-я ежегодная международная конференция и выставка

, EAGE, Extended Ab-

stracts, DOI: 10.3997 / 2214-4609.201801093.

Ли, Х., Х. Лю, Х. Чанг, Р. Ву и Дж. Лю, 2019, Влияние анизотропии сланцев

на сейсмическое волновое поле: Энергии, 12, 4412, DOI: 10.3390 / en12234412.

Ли, Х., и З. Яо, 2018, Инверсия микросейсмического механизма фокуса в области частот

на основе общей модели точек дислокации: Китайский журнал

геофизики, 61, 905–916, DOI: 10.6038 / cjg2018L0237.

Li, J., Y. Zheng, L. Thomsen, TJ Lapen, and X. Fang, 2018b, Глубокие землетрясения –

землетрясений в субдукционных плитах, расположенных в сильно анизотропной горной ткани:

Nature Geoscience, 11, 696– 700, DOI: 10.1038 / s41561-018-0188-3.

Лю, X., Z. Guo, C. Liu, и Y. Liu, 2017, Физическая модель анизотропии горных пород для резервуара сланцевого газа Longmaxi

, бассейн Сычуань, Китай: Applied Geo-

Physics, 14,21 –30, DOI: 10.1007 / s11770-017-0609-x.

Лю Ю. и М.К. Сен, 2009 г., Метод конечных разностей неявной шахматной сетки

для сейсмического моделирования: Geophysical Journal International, 179,

459–474, DOI: 10.1111 / j.1365-246X. 2009.04305.x.

Максвелл, С.К., Д. Чорни и С.Д. Гудфеллоу, 2015, Microseismic geo-

Механика сетей гидроразрыва: понимание механизмов mi-

кроссейсмических источников: The Leading Edge, 34, 904–910, DOI : 10.1190 /

tle34080904.1.

Мишель, О. Дж., И И. Цванкин, 2014, Расчет градиента для формы волны в версии микросейсмических данных в версии

в среде VTI: журнал сейсмических исследований

tion, 23, 201–217.

Миллер, А. Д., Г. Р. Фоулджер и Б. Р. Джулиан, 1998, Недвойные пары землетрясений

—2: Наблюдения: Обзоры геофизики, 36, 551–568,

doi: 10.1029 / 98RG00717.

Minson, SE, DS Dreger, R. Bürgmann, H. Kanamori, and KM Larson,

2007, Сейсмически и геодезически определенный недвойственный источник Геофизические исследования, Твердая Земля, 112,1–20, DOI: 10.1029/

2006JB004847.

Пешичек, Дж. Д., Д. Чайлд, Б. Артман и К. Цеслик, 2014 г., Выборка и накопление

в современной локации микроземлетрясения: Сравнение результатов

с массива пассивного сейсмического мониторинга на поверхности в Оклахоме: Geophys-

икс, 79, вып. 6, KS61 – KS68, DOI: 10.1190 / geo2013-0404.1.

Пешичек, Ю. Д., К. Цеслик, М.-А. Lambert, P. Carrillo, and B. Birkelo, 2016,

Данные плотной поверхностной сейсморазведки подтверждают механизм недвухопарного источника, вызванный гидроразрывом пласта: Геофизика, 81, вып.6, KS207–

KS217, DOI: 10.1190 / geo2016-0192.1.

Pesicek, JD, J. Sileny, SG Prejean, and CH Thurber, 2012, Determi-

нация и неопределенность тензоров момента для микроземлетрясений в Окмоке

Вулкан

, Аляска: Geophysical Journal International, 190, 1689–1709,

DOI: 10.1111 / j.1365-246X.2012.05574.x.

Росс, З.Э., Й. Бен-Цион и Л. Чжу, 2015, Термины изотропного источника землетрясений в зоне разлома Сан-

Хасинто, основанные на инверсии формы волны с помощью обобщенного метода CAP-

: Geophysical Journal International, 200, 1269–

1280, DOI: 10.1093 / gji / ggu460.

Ратледж, Дж. Т. и У. С. Филлипс, 2003, Гидравлическое воздействие на естественные трещины

, обнаруженные в результате индуцированных микроземлетрясений, газовое месторождение Карфаген-Коттон-Вэлли

, восточный Техас: Geophysics, 68,441–452, DOI: 10,1190 / 1,1567214.

Шанг, X., и Х. Ткалчич, 2020, Инверсия точечных источников малых и умеренных землетрясений

на основе полярностей P-волн и соотношений амплитуд P / S в пределах

иерархическая байесовская структура: последствия для гейзеров earth-

землетрясений: Журнал геофизических исследований, Твердая Земля, 125,1–26, DOI:

10.1029 / 2019JB018492.

Шилены, Дж., И Дж. Хоралек, 2016, Трещина при сдвиге-растяжении как инструмент для надежных

оценок механизма недвух-пар: Западная Богемия-Фогтланд

Землетрясение 1997 рой: Физика и химия Земля, 95, 113–

124, DOI: 10.1016 / j.pce.2016.06.007.

Сонг, Ф., и М. Н. Токсез, 2011, Полный момент на основе полной формы волны

Инверсия тензора

и оценка параметров источника на основе сейсмических данных скважинного микро-

для мониторинга гидроразрыва: Геофизика, 76, вып.6,

WC103 – WC116, DOI: 10.1190 / geo2011-0027.1.

Сонг, Ф., Н. Р. Варпински и М. Н. Токсез, 2014, Исследования механизма микросейсмического источника

на основе полной формы волны в сланце Барнетт: связь кроссейсмичности mi-

с геомеханикой коллектора: Geophysics, 79, no. 2, KS13–

KS30, DOI: 10.1190 / geo2013-0094.1.

Станек, Ф., Л. Эйснер и Т. Ян Мозер, 2014, Стабильность механизма источника

, инвертированных на основе данных микросейсмического мониторинга амплитуды P-волны ac-

, запрошенных на поверхности: Геофизическая разведка, 62, 475–490, DOI: 10

.1111 / 1365-2478.12107.

Станек, Ф., З. Ехумталова, и Л. Эйснер, 2015, Напряжение коллектора от механизмов микросейсмических источников mi-

: The Leading Edge, 34, 890–895, doi: 10

. 1190 / tle34080890.1 .

Taisne, B., F. Brenguier, NM Shapiro, and V. Ferrazzini, 2011, Отображение динамики распространения магмы

с использованием излучаемой сейсмической интенсивности: Geo-

Physical Research Letters, 38, L04304, doi: 10.1029 / 2010GL046068.

Лента, W., and C.Лента, 2012, Угол между тройками главных осей: Geo-

Physical Journal International, 191, 813–831, DOI: 10.1111 / j.1365-

246X.2012.05658.x.

Tape, W., and C. Tape, 2015, Единая параметризация тензоров момента:

Geophysical Journal International, 202, 2074–2081, DOI: 10.1093 / gji /

ggv262.

Теракава, Т., С.А. Миллер и Н. Дайхманн, 2012, Высокое давление флюида и землетрясения, вызванные

, в усиленной геотермальной системе в Базеле, Швейцария –

zerland: Journal of Geophysical Research, Solid Earth, 117,1 –15, DOI: 10

.1029/2011JB008980.

Томсен Л., 1986, Слабая упругая анизотропия: Геофизика, 51, 1954–1966,

doi: 10.1190 / 1.1442051.

Трифу, К.-И., Д. Ангус и В. Шумила, 2000, Быстрая оценка тензора сейсмического момента

для индуцированной сейсмичности: Бюллетень сейсмологического сообщества Америки

, 90, 1521 –1527, DOI: 10.1785 / 0120000034.

Цванкин, И., Дж. Гайзер, В. Гречка, М. ван дер Баан, и Л. Томсен, 2010,

Сейсмическая анизотропия при разведке и изучении коллекторов: более

вид: Geophysics, 75, no. .5, 75A15–75A29, DOI: 10.1190 / 1.3481775.

Вавричук В., 2001, Инверсия параметров землетрясений при растяжении: Журнал

геофизических исследований, Твердая Земля, 106, 16339–16355, DOI: 10.1029 /

2001JB000372.

Вавричук В., 2002, Недвойные парные землетрясения 1997 г., январь

Западная Богемия, Чешская Республика: свидетельства разломов при растяжении: Geophysi-

cal Journal International, 149, 364–373, DOI: 10.1046 / j.1365-246X.2002

.01654.x.

Вавричук В., 2005, Механизмы очага в анизотропных средах: Geophysical

Journal International, 161, 334–346, DOI: 10.1111 / j.1365-246X.2005

.02585.x.

Вавричук В., 2011, Землетрясения при растяжении: теория, моделирование и инверсия:

Журнал геофизических исследований, Твердая Земля, 116, B12320, DOI: 10

.1029 / 2011JB008770.

Vavryčuk, V., M. Bohnhoff, Z. Jechumtálová, P. Kolář, and J. Šílený, 2008,

Недвойные механизмы микроземлетрясений, индуцированных во время эксперимента по закачке

2000 на площадке KTB, Германия : Результат растяжения

разломов или анизотропии горной породы? Тектонофизика, 456,74–93, DOI: 10

.1016 / j.tecto.2007.08.019.

Virieux, J., 1984, Распространение SH-волн в гетерогенных средах: Velocity-

Метод конечных разностей напряжений: Геофизика, 49, 1933–1942, DOI: 10

.1190 / 1.1441605.

Virieux, J., 1986, Распространение P-SV волн в гетерогенных средах: Velocity-

метод конечных разностей напряжений: Геофизика, 51, 889–901, DOI: 10.1190 / 1

.1442147.

Waldhauser, F., and WL Ellsworth, 2000, Землетрясение с двойной разницей

Алгоритм определения местоположения

: Метод и применение к Северному разлому Hayward

, Калифорния: Бюллетень Сейсмологического общества Америки,

90, 1353– 1368, DOI: 10.1785/0120000006.

Варпински, Н. Р., К. К. Уолтман, Дж. Ду и К. Ма, 2009, Эффекты анизотропии ef-

в микросейсмическом мониторинге: Представлено на Ежегодной технической конференции и выставке SPE

, расширенные тезисы.

Willacy, C., E. Van Dedem, S. Minisini, J. Li, JW Blokland, I. Das, and A.

Droujinine, 2019, Местоположение события полной формы волны и тензор момента в версии

для наведенная сейсмичность: Геофизика, 84, вып. 2, KS39 – KS57,

doi: 10.1190 / geo2018-02 12.1.

Чжао, Л.-С., и Д. В. Хелмбергер, 1994, Оценка источников по широкополосным

региональным сейсмограммам: Бюллетень Сейсмологического общества Америки,

84,91–104.

Чжу, Л., и Д. В. Хелмбергер, 1996, Прогресс в оценке источников

методов с использованием широкополосных региональных сейсмограмм: Бюллетень Сейсмологического общества Америки

, 86, 1634–1641.

Zhu, L., and X. Zhou, 2016, Инверсия тензора сейсмического момента с использованием трехмерной скоростной модели

и ее применение к серии землетрясений в Лушане 2013 года –

quence: Physics and Chemistry of the Earth, 95,10–18 , DOI: 10.1016 / j

.pce.2016.01.002.

Биографии и фотографии авторов отсутствуют.

KS36 Li et al.

Загружено 02.09.21 на номер 114.247.184.149. Распространение подлежит лицензии или авторскому праву SEG; см. Условия использования на странице https://library.seg.org/page/policies/terms

DOI: 10.1190 / geo2020-0098.1

Мониторинг морфологии трещин и технология ГРП коротких и широких пластов на месторождениях нефти со сверхнизкой проницаемостью

[1]	Абольфазл А., Марджи Ф. М., Бафги А. Ю., и др. .2015. Моделирование распространения трещин гидроразрыва из круглого ствола скважины с использованием метода разрыва смещения [J]. Международный журнал механики горных пород и горных наук, 80: 281-291, DOI: 10.1016 / j.ijrmms.2015.10.004.
[2]	Fan T G, Zhang G Q. 2014. Лабораторные исследования сети трещин гидроразрыва в пластах с непрерывными ортогональными трещинами [J].Энергия, 74: 164-173, DOI: 10.1016 / j.energy.2014.05.037.
[3]	Гао П. Ф., Сюй Л. 2016. Обсуждение технологии гидроразрыва для увеличения добычи в коллекторе с низкой проницаемостью [J]. Технология нефтехимической промышленности (на китайском языке), 23 (6): 286.
[4]	Гоу Х Б, Лю З. С., Бао З. Л.2011. Технология позитивного несшитого гидроразрыва пласта Chang 6 нефтяного месторождения Чуанкоу [J]. Petroleum Instruments (на китайском языке), 25 (3): 64-66.
[5]	Хуанг Дж., Сафари Р., Мутлу У., и др. . 2015. Взаимодействие природных и гидравлических трещин: микросейсмические наблюдения и геомеханические прогнозы [J]. Толкование, 3 (3): SU17-SU31, DOI: 10.1190 / INT-2014-0233.1.
[6]	Хуанг X М., Ван Дж. И, Чен С. Г., и др. . 2016. Простая модель расширения-повторного уплотнения для гидроразрыва пласта [J]. Журнал нетрадиционных ресурсов нефти и газа, 16: 62-75, DOI: 10.1016 / j.juogr.2016.09.006.
[7]	Ли Дж. Л., Ли К., Мортон С. А., и др. .2014. Микросейсмическое расположение стыка и анизотропная инверсия скорости для гидроразрыва пласта в плотном резервуаре Баккен [J]. Геофизика, 79 (5): C111-C122, DOI: 10.1190 / geo2013-0345.1.
[8]	Li M, Xia Y J, Fu H F, и др. . 2016. Трехмерное численное моделирование процесса гидроразрыва пласта в управляющем напряжении [J].China Sciencepaper (на китайском языке), 11 (3): 286-291.
[9]	Лю З. С., Хуанг Б., Ма Х З. 2016. Применение технологии оборотного гидроразрыва пласта на месторождении Чуанкоу, бассейн Ордос [J]. Нетрадиционные нефть и газ (на китайском языке), 3 (1): 66-70.
[10]	Мышакин Э., Сиривардейн Х., Халчер С., и др. .2015. Численное моделирование вертикального роста трещин гидроразрыва и миграции рассола в геологических формациях над сланцами Marcellus [J]. Журнал науки и техники в области природного газа, 27: 531-544, DOI: 10.1016 / j.jngse.2015.08.030.
[11]	Пэн Т. С, Лю Ц., Хе Х, и др. . 2011. Применение технологии испытаний стереоскопического гидроразрыва пласта в реальном времени для гидроразрыва пласта [J].Журнал нефтехимических университетов (на китайском языке), 24 (3): 47-51.
[12]	Rodríguez-Pradilla G. 2015. Микросейсмический мониторинг операции гидроразрыва пласта в резервуаре CBM: пример из формации Cerrejón, бассейн Cesar-Ranchería, Колумбия [J]. Передний край, 34 (8): 896-902, DOI: 10.1190 / tle34080896.1.
[13]	Собханиараг Б., Мансур В. Дж., Петерс Ф. С. 2016. Трехмерное исследование многостадийного гидроразрыва пласта в нетрадиционных коллекторах [J]. Журнал нефтегазовой науки и техники, 146: 1063-1078, DOI: 10.1016 / j.petrol.2016.07.019.
[14]	Тан Х. И., Винтерфельд П. Х., Ву И С., и др. .2016. Комплексное моделирование многостадийного гидроразрыва пласта в нетрадиционных коллекторах [J]. Журнал науки и техники в области природного газа, 36: 875-892, DOI: 10.1016 / j.jngse.2016.11.018.
[15]	Уолдрон А. Р., Камак Б. А. 2016. Микросейсмический мониторинг программ гидроразрыва пласта в бассейне Купер, Австралия [J].Передний край, 35 (1): 72-76, DOI: 10.1190 / tle35010072.1.
[16]	Ван С. Дж., Лю Дж В., Гао Х Х, и др. . 2011. Применение метода внутрискважинного микросейсмического мониторинга трещин в вулканическом резервуаре [J]. Tuha Oil & Gas (на китайском языке), 16 (1): 24-26, 36.
[17]	Ван Х З, Ли Дж, Чжан Л.2011. Исследование морфологических характеристик и основных контролирующих факторов искусственных трещин на месторождении Чуанкоу [J]. Журнал Университета Яньань (издание по естествознанию) (на китайском языке), 30 (1): 69-73.
[18]	Ван З. З., Дэн Дж. Г., Чжао З. Ф., и др. . 2006. Дизайн скважинного микросейсмического мониторинга трещин и анализ результатов гидроразрыва [J].Нефтяная геология и разработка месторождений в Дацине (на китайском языке), 25 (6): 76-78.
[19]	Wei H C, Li L G, Wu X M, и др. . 2011. Анализ и теоретические исследования фактора множественных трещин при ГРП скважин МУП [J]. Процедуры, наука о Земле и планетах, 3: 231-237, DOI: 10.1016 / j.proeps.2011.09.088.
[20]	Wu Y J, Guo H, Wang J N, и др. . 2014. Исследование микроскопической структуры пор на пласте Chang 6 на нефтяном месторождении Yaodian, бассейн Ordos [J]. Нефтехимическая промышленность Внутренней Монголии (на китайском языке), (2): 129-132.
[21]	Ян Й., Чжан Л., Чжао Ю., и др., .2000. Характеристики и влияние трещин на заводнение в нефтяном пласте Чанг №6 нефтяного месторождения Чуанькоу [J]. Северо-западная геология (на китайском языке), 33 (2): 22-26.
[22]	Зечевич М., Даниэль Г., Юрик Д. 2016. О природе длительных длительных сейсмических событий, обнаруженных во время гидроразрыва пласта [J].Геофизика, 81 (3): КС113-КС121, DOI: 10.1190 / geo2015-0524.1.
[23]	Zeeb C, Konietzky H. 2015. Моделирование гидравлического воздействия на множественные трещины в поле анизотропных напряжений с использованием метода дискретных элементов [J]. Энергетические процедуры, 76: 264-272, DOI: 10.1016 / j.egypro.2015.07.859.
[24]	Zhang K, Guo Y X, Zhang B, и др. .2013. Анализ сейсмической азимутальной анизотропии после гидроразрыва пласта [J]. Интерпретация, 1 (2): SB27-SB36, doi: 10.1190 / INT-2013-0013.1.
[25]	Zhang L, Yang Y J, Zhang Y L, и др. . 2002. Характеристики трещин низкопроницаемого коллектора Чанг-6 на нефтяном месторождении Чуанькоу, бассейн Шан-Гань-Нин [J].Северо-западная геология (на китайском языке), 35 (2): 41-45.
[26]	Чжэн А.П., Лю Цюй, Тянь И.П., и др. . 2012. Оценка гидравлического разрыва пласта с помощью техники микросейсмического мониторинга для неглубоких угленосных коллекторов вулканических пород [J]. Специальные нефтегазовые резервуары (на китайском языке), 19 (1): 120-123.
[27]	附中文参考文献
[28]	高鹏飞, 许亮.2016. 低渗透油层增效压裂技术探讨 [J].石化技术, 23 (6): 286.
[29]	李明, 夏英杰, 付海峰, 等. 2016. 转向条件下水力压裂的三维数值模拟分析 [J].中国科技论文, 11 (3): 286-291.
[30]	刘政帅, 黄博, 马洪志.2016. 压裂技术在鄂尔多斯盆地川口油田的应用 [J].非常规油气, 3 (1): 66-70.
[31]	彭通曙, 刘强, 何欣, 等. 2011. 体裂缝实时监测技术在油藏水力压裂中的应用 [J].石油化工高等学校学报, 24 (3): 47-51.
[32]	王树军, 刘建伟,.高浩宏, 等. 2011. 微地震裂缝监测技术在火山岩压裂中的应用 [J].吐哈油气, 16 (1): 24-26, 36.
[33]	王旭庄, 李江, 张蔺. 2011. 油田人工裂缝形态特征及其主控因素研究 [J].大学学报 (自然科学大), 30 (1): 69-73.
[34]	中, 邓金根, 赵振峰, 等.2006. 微地震裂缝监测设计及压裂效果评价 [J].大庆石油地质与开发, 25 (6): 76-78.
[35]	吴彦君, 郭华, 王建宁, 等. 2014. 盆地姚店 6 微观孔隙结构研究 [J].内蒙古石油化工, (2): 129-132.
[36]	杨亚娟, 张莉, 赵阳, 等.2000. 油田长 ₆ 油层裂缝特征及对注水开发的影响 [J].西北地质, 33 (2): 22-26.
[37]	张莉, 杨亚娟, 张玉玲, 等. 2002. 盆地川口油田低渗透油藏长 6 油层裂缝特征 [J].西北地质, 35 (2): 41-45.
[38]	郑爱萍, 刘强, 田永鹏, 等.2012. 微地震水力压裂监测技术在浅层石炭系火山岩油藏中的应用 [J].特种油气藏, 19 (1): 120-123.
[39]	缑海兵, 刘政帅, 鲍志琳. 2011. 油田长 6 油层非交联正电胶水力压裂 [J].石油仪器, 25 (3): 64-66.

% PDF-1.6 % 1 0 объект > / Метаданные 3 0 R / Контуры 4 0 R / Страницы 5 0 R / StructTreeRoot 6 0 R / Тип / Каталог >> эндобдж 7 0 объект > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > транслировать 2021-01-19T13: 01: 10 + 01: 002021-01-19T13: 01: 10 + 01: 002021-01-19T13: 01: 10 + 01: 00Adobe Acrobat Pro DC 20.13.20074application / pdf

Kate McCallum

uuid: 97fb17f6-e8a1-4106-bcdf-9d5841ea2da7uuid: ded125b7-d661-4c48-8dbb-0da180f34f46 Adobe Acrobat Pro DC 20.13.20074 конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 8 0 объект > / Повернуть 0 / Тип / Страница >> эндобдж 9 0 объект > / Повернуть 0 / Тип / Страница >> эндобдж 10 0 obj > / Повернуть 0 / Тип / Страница >> эндобдж 11 0 объект > / Повернуть 0 / Тип / Страница >> эндобдж 12 0 объект > / Повернуть 0 / Тип / Страница >> эндобдж 13 0 объект > / Повернуть 0 / Тип / Страница >> эндобдж 14 0 объект > / Повернуть 0 / Тип / Страница >> эндобдж 15 0 объект > / Повернуть 0 / Тип / Страница >> эндобдж 16 0 объект > / Повернуть 0 / Тип / Страница >> эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > эндобдж 24 0 объект > / Граница [0 0 1] / Rect [196.478 639,41 262,949 651,51] / Подтип / Ссылка / Тип / Аннотация >> эндобдж 25 0 объект > / Граница [0 0 1] / Rect [282,949 639,41 384,543 651,51] / Подтип / Ссылка / Тип / Аннотация >> эндобдж 26 0 объект > транслировать xUYsF ~ ׯ

y + l \ yb% 䧦 G (a @ wgu`êT (| ߕ Maq! * 9b> + ?: # ̄0Sx / w = dU / X RQAjL: | Q

%? XJ -. $ KxXFUˡn 4̦; xXx # .`> D-? N | widY (M = ~ {A / u ڜ} Qup8> w {G4m [ELs._`aMNoI ٮ ZoʮW ((Բ kC .7u ޕ2 beɼP $ b_2Fbp | Lſ6 = CңzoAěi; vj.}) {Z $ Mj = DmB b & iTPbj4`8ԡkO; q ᬘ j, 0,5 ᘠ} ːyTtE ݲ% 8} | 5 | (jUɥYd

BanksiaGUI – Leela Chess Zero

Чтобы установить Lc0 в BanksiaGUI, используйте один из двух способов:

1.Самый простой

Просто перетащите исполняемый файл (в Windows это lc0.exe) в любое место в BanksiaGUI. Он будет автоматически обнаружен и установлен.

2. Руководство

Выполните следующие шаги:

а. Откройте диалоговое окно настроек (Windows, Linux: меню → Файл → Настройки; macOS: меню → BanksiaGUI → Настройки), выберите вкладку «Двигатели», а затем нажмите кнопку «➕» (в правом верхнем углу), чтобы открыть «Добавить механизм». диалог:

г. В диалоговом окне «Добавить двигатель»:

Нажмите «Обзор…» в конце поля «Файл ядра», чтобы выбрать исполняемый файл Lc0.Альтернативный способ: перетащите этот файл в это поле.

Все остальные поля можно оставить пустыми, BanksiaGUI заполнит их автоматически. Предложение: установите «Поле имени» на короткое имя, такое как «lc0», чтобы избежать автоматического определения длинного имени (например, «Lc0 v0.25.1 + git.69105b4»).

г. Нажмите «ОК», чтобы завершить установку движка Lc0.

После описанного выше метода Lc0 готов к использованию. Однако Lc0 может отображать некоторую конкретную статистику, которую поддерживает BanksiaGUI, поэтому их следует разрешить для просмотра.

Чтобы включить статистику Lc0:

а. Откройте диалоговое окно настроек (Windows, Linux: меню → Файл → Настройки, macOS: меню → BanksiaGUI → Настройки), выберите вкладку «Двигатели», затем выберите движок Lc0 из верхней таблицы:

г. В таблице ниже («Параметры движка») отметьте два поля «LogLiveStats» и «VerboseMoveStats». Эти статистические данные могут быть показаны позже в виде таблиц и пузырей. Lc0 также поддерживает новую статистику WDL (Win-Draw-Loss), отметьте поле «UCI_ShowWDL», чтобы включить ее.Статистика WDL может быть показана позже в виде диаграммы.

г. Настройка для графика WDL и пузырьков

В диалоговом окне «Настройки» выберите первую вкладку («Общие»), внизу есть несколько элементов для настройки размеров, цветов, типа для отображения статистики Lc0 в виде пузырьков и диаграммы WDL.

г. Показать таблицу статистики

При вычислении Lc0 может показывать конкретную статистику. Маленькая кнопка (в правом верхнем углу) на панели «Информация о двигателе» отобразится автоматически. Просто нажмите, чтобы показать / скрыть таблицу статистики.В этой таблице можно сортировать: щелкните заголовок любого столбца, чтобы отсортировать по этому параметру, щелкните еще раз, чтобы переключиться между порядком возрастания и убывания.

На приведенном ниже рисунке статистика Lc0 показана в нескольких формах / местах (отмечены зелеными стрелками): диаграмма WDL (на панели «График оценок»), пузыри (на основной доске), простая строка для WDL, статистика. таблицы, дополнительные строки для PV (в панели «Engine info»).

Europe PMC

Tjitske Kleefstra

¹ Кафедра генетики человека, Медицинский центр Университета Радбауд в Неймегене, П.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

² Институт генетических и метаболических заболеваний, Медицинский центр Неймегена Университета Радбауд, P.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

³ Центр молекулярных наук о жизни в Неймегене, Медицинский центр Неймегена при университете Радбауд, P.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

Джейми М. Крамер

¹ Кафедра генетики человека, Медицинский центр Неймегенского университета Радбауд, П.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

⁴ Институт мозга, познания и поведения Дондерса, Медицинский центр Неймегена Университета Радбауд, P.O. Box 9104, 6500 HE, Неймеген, Нидерланды

Корнелия Невелинг

¹ Кафедра генетики человека, Медицинский центр Неймегена Университета Радбауд, П.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

Марджолейн Х. Виллемсен

³ Центр молекулярных наук о жизни в Неймегене, Медицинский центр Неймегена при университете Радбауд, P.O. Box 9101, 6500 HB Nijmegen, Нидерланды

Tom S. Koemans

¹ Кафедра генетики человека, Медицинский центр Неймегена Университета Радбауд, P.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

⁴ Институт мозга, познания и поведения Дондерса, Медицинский центр Неймегена Университета Радбауд, P.O. Box 9104, 6500 HE Неймеген, Нидерланды

Lisenka E.L.M. Vissers

Виллемейн Виссинк-Линдхаут

Михаэла Фенцкова

Виллем М.Р. ван ден Аккер

Наэль Надиф Касри

³ Центр молекулярных наук о жизни в Неймегене, Медицинский центр Неймегена Университета Радбауд, P.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

⁵ Кафедра когнитивной неврологии, Медицинский центр Неймегенского университета Радбауд, П.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

Willy M. Nillesen

Trine Prescott

⁶ Отделение медицинской генетики, Университетская больница Осло, P.O. Box 4950, Nydalen, Oslo N-0424, Норвегия

Робин Д. Кларк

⁷ Отделение медицинской генетики, Департамент педиатрии, Медицинская школа Университета Лома Линда, Лома Линда, Калифорния 92354, США

Коэнрад Девриендт

⁸ Центр генетики человека, Левенский университет, П.O. Box 602, 3000 Leuven, Belgium

Jeroen van Reeuwijk

¹ Кафедра генетики человека, Медицинский центр Неймегенского университета Радбауд, P.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

Arjan P.M. де Брауэр

Кристиан Гилиссен

Huiqing Zhou

¹ Департамент генетики человека, Медицинский центр Неймегена Университета Радбауд, П.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

⁹ Кафедра молекулярной биологии развития, факультет естественных наук, Университет Радбауд, Неймеген

Хан Г. Бруннер

² Институт генетических и метаболических заболеваний, Медицинский центр Неймегенского университета Радбауд, P.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

Йорис А. Велтман

Annette Schenck

¹ Департамент генетики человека, Медицинский центр Неймегенского университета Радбауд, P.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

³ Центр молекулярных наук о жизни в Неймегене, Медицинский центр Неймегенского университета Радбауд, P.O. Box 9101, 6500 HB Неймеген, Нидерланды

⁴ Институт мозга, познания и поведения Дондерса, Медицинский центр Неймегена Университета Радбауд, P.O. Box 9104, 6500 HE Nijmegen, Нидерланды

Hans van Bokhoven

Шаблон презентации Mobymax | Prezi

MobyMax

Стенограмма: Словарь Кэтрин Курильяно Доказательная дифференцированная программа может использоваться для всех учащихся адаптивная учебная программа создает уникальный индивидуальный план обучения. учащиеся думают и открывают, а не просто им говорят. Манипуляторы прямого обучения дополняют адаптивное прямое обучение. Сочетание прямого обучения и обучения открытию является основой двукратного обучения. Доказано, что по математике и языку учащиеся увеличили в среднем на 1 балл.Словарь для пяти классов – это самая инновационная и эффективная система, доступная для изучения новых слов. Непрерывный мониторинг успеваемости позволяет учителю отслеживать успеваемость учащихся в режиме реального времени, анализировать данные по всем стандартам в общем ядре по учащимся, классам, школам и округам. Создано полное интегрированное общее ядро. с нуля на Общих основных стандартах Ссылки по разбивке по языку MobyMax – это полностью интегрированная учебная программа и система обучения K-8. Просматривая веб-сайт и читая исследования и доказательства, использованные для создания этой системы, в тандеме с тем, что ей примерно 2 года, я считаю, что MobyMax находится на втором уровне исследований Эллиса.Из-за отсутствия эмпирической критики очевидно, что 500 школ, которые в настоящее время используют MobyMax, являются частью определения эффективности программы. Он также относится к исследованиям уровня II, потому что в настоящее время он используется в школах, и мальчики не пытаются дальше развивать теорию, лежащую в основе MobyMax, а скорее внедряют его учебные и учебные приложения. Забегая вперед, я не предвижу, что у программы возникнут проблемы с переходом от уровня II к уровню III. Как только будут собраны новые данные из школ по всей стране, критика обязательно появится.Я лично считаю, что MobyMax – отличная программа. Я выбрал его, потому что он фокусируется не только на чтении, письме, языке, словарном запасе и навыках ELA, но также на математике и подготовке к экзаменам. Его также освещает в классе их учитель. Нет никаких дополнительных отделений, программа и учитель контролируют и адаптируют прогресс и деятельность каждого ученика, чтобы отразить общие основные стандарты и уровень их способностей. Принципы научного исследования учащихся MobyMax, которые проводят 40 часов с MobyMax в среднем на 1 полный класс повышения как по математике, так и по языковой педагогике, а система учебных программ включает наиболее эффективные методы повышения успеваемости учащихся, как это определено в исчерпывающем исследовании профессора Джона Хэтти, охватывающем более 800 метаданных. -анализирует 60-летнюю историю 2-кратного обучения 1954 г. Б.Ф. Скиннер: «Машинное обучение и программированное обучение» 1984 Бенджамин Блум: «Проблемы 2 сигм: поиск методов, столь же эффективных, как индивидуальное обучение» 2014 Моби Макс: Процесс формирующего оценивания «2-кратное обучение» настолько эффективен, что учителя могут использовать его по-разному и по-прежнему добиваться отличных результатов со своими учениками MobyMax постоянно отслеживает прогресс ученика с того момента, как ученик начинает диагностический тест на размещение в предметной ускоренной учебной программе, дифференцируя обучение для каждого ученика, заполняя любые пробелы в обучении ученика в первую очередь и затем позволяя ученику продвигаться по учебной программе в индивидуальном темпе, когда ученик не усваивает материал, он получает корректирующие инструкции и, наоборот, когда ученик способен продемонстрировать быстрое усвоение, он может продвигаться вперед более быстро Резюме и ссылки Простой когнитивный Навыки Учебная программа MobyMax разбивает сложные навыки на небольшие достижимые поднавыки, накапливая знания на всех этапах обучения. Сын для достижения в конечном итоге овладения сложными навыками «Беглость фактов» Национальная группа по математике «Основы успеха: итоговый отчет» (2008) рекомендовала учащимся развивать автоматическое запоминание математических фактов, чтобы быть адекватно подготовленными к более высокоуровневым математическим фактам. в свою учебную программу, а также создал автономный основной модуль фактов, который обеспечивает учащимся практические навыки, необходимые для достижения автоматического вспоминания всех математических фактов. Student Data Wayman (2005), Wayman, Cho and Johnston (2007), Wohlstetter, Datnow, and Park ( 2008), используя данные для информирования об учебных решениях, приводит к улучшению результатов учащихся MobyMax позволяет всем сторонам, участвующим в образовании учащегося, включая учащегося, легко получать доступ к данным достижений учащихся, а также непрерывно отслеживает прогресс учащихся в отношении усвоения стандартов и индикаторов CCSS. данные в нескольких удобных для интерпретации форматах.