Кт808Ам: КТ808АМ, Транзистор NPN мощный, усилительный, Россия

КТ808А характеристики транзистора, применение, аналоги, цоколевка

Если смотреть на технические характеристики транзистора КТ808A, то можно говорить о том, что он является мощным, кремниевым, биполярным, низкочастотным радиокомпонентом. Был выпущен в 70-х годах прошлого века на отечественном ульяновском заводе «Искра». Изготавливался по меза-планарной технологии.

Использовался в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, регуляторах напряжения, импульсных источниках вторичного электропитания. Первые выходные каскады советских Hi-Fi усилителей собирались именно на нём. Его можно встретить в популярной для того времени аудиоаппаратуре: «Радиотехника-020 стерео»; «Бриг-001 стерео», «Барк-001», а также в других моделях.

Содержание

1. Разводка выводов
2. Технические характеристики
3. Максимальные
4. Электрические
5. Аналоги
6. Комплементарная пара
7. Содержание драгметаллов
8. Примеры применения
9. Производители

Разводка выводов

Цоколевка у КТ808А типовая для металлического корпуса КТЮ-3-20 со стеклянными изоляторами и жесткими ножками. Если смотреть на устройство снизу, то коллектор будет визуально отличатся от других контактов. Выводы эмиттера и базы, немного утоплены в основании металлизированной упаковки.

 

В комплекте к транзистору прилагался накидной фланец для крепления. Технические условия изготовления содержатся в документе Ге3.365.020 ТУ.

Технические характеристики

В 70-х годах, с ростом советской промышленности, появляются кремниевые мезапланарные переключательные NPN-транзисторы повышенной мощности. Важной особенностью таких устройств были повышенные характеристики предельно допустимых параметров.

Максимальные

Предельно допустимые эксплуатационные характеристики КТ808 были достаточно высокими для того времени. Эти устройства обладали хорошим статическим коэффициентом усиления по току (h31е) – от 10 до 50. Имели увеличенное быстродействие: время включения-выключения составляло от  0.1 до 0.3 мкс, а рассасывания (Ts) от 0.75 до 3 мкс. Приведем другие основные параметры:

• максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения сопротивление перехода база – эмиттер R_БЭ = 10 Ом, температура кристалла не более 100 ^ОС) – 100…120 В.
• предельное импульсное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения U_бэ = 2 В или R_бэ = 10 Ом, t_u < 500 мкс t_ф > 30 мкс, Q > 7, Т_п < +100 ^ОС) – до 250 В.
• наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой – до 4 В.
• предельно допустимый постоянный ток коллектора – до 10 А.
• наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре корпуса от -60 ^ОС до + 50^ОС) с теплоотводом – 50 Вт, и без него – 5 Вт.
• максимальная температура кристалла до + 150 ^ОС.
• рабочая температура окружающей среды от- 60 до +100 ^ОС.
• вес устройства с фланцем — не более 34 гр.

Электрические

Далее приведем значения электрических значений у КТ808A. Производитель приводит эти данные для температуры окружающей среды не более +25 ^ОС. Условия, при которых проводилась проверка, представлены в дополнительных пояснениях к наименованиям параметров.

Аналоги

У старичка КТ808A есть современный аналог 2T808А. Он представлен во всех спецификациях российского предприятии АО «Научно производственное предприятие «Завод Искра», как усилительный транзистор специального назначения. КТ808АМ, КТ808А3 тоже являются полными аналогами этого отечественного производителя, но имеют другой корпус КТ-9. Других полноценных замен у данного прибора не существует. Встречаются конечно достаточно редкие 2Т808Б и КТ808АТ, но они были выпущены ограниченными партиями и даже сейчас их сложно найти в продаже.

АО «НПП Завод Искра» выпускает также бескорпускную модель рассматриваемого транзистора 2Т808А-2. Она имеет молибденовую подложку с защитным покрытием и гибкие выводы.

Как можно заметить, замену сильно усложняет нестандартный корпус КТЮ-3-20, который никогда не производился за рубежом. Несмотря на это некоторые умельцы находят возможность подмены в ближайших по характеристикам: КТ808БМ, КТ808Б3, 2Т819 (КТ819), 2Т827 (КТ827), 2Т908 (КТ908), 2Т945 (КТ945).

В зависимости от типа схемы можно рассмотреть и зарубежные варианты: BDY47, 2N3055, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2N5427, 2N5429, 2SD201, 2SD202, 2SD203, KU606, 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619, KD602, BUY55, KU606, 2SD867. Все они оснащены другими типами корпусов ТО-3 или ТО-66, поэтому перед заменой необходимо продумывать способ монтажа и охлаждения.

Комплементарная пара

У транзистора КТ808А отсутствует комплементарная пара. У самых первых «Бриг-001» в выходном каскаде усиления, в пару для КТ808АМ подбирали почти идентичный КТ808БМ. Такая конструкция обеспечивала хорошее усиление, но как оказалось имела и свои минусы, влияющие на качество звука. В последующем они были устранены с помощью комплементарных между собой КТ818ГМ и КТ819ГМ, что позволило значительно улучшить звучание указанных Hi-Fi-устройств.

В 1977 году советские усилители «Бриг» успешно импортировались Австралией, Францией, Великобританией.

Содержание драгметаллов

Согласно данным из информационного справочника драгоценных металлов в КТ808А, выпущенного издательством ООО «Связьоценка» в 2003 году, содержится: золота 0. 0257251 гр.; серебра — 0.0804669 гр.; платины – 0 гр.; медь – 17.7 гр.; других металлов платиновой группы – 0 гр. Поэтому он представляет интерес для скупщиков радиолома, занимающимися получением ценных материала из радиодеталей. Как проводится аффинаж драгметаллов можно узнать из представленного видеоролика.

Примеры применения

В сети интернет можно найти схему нестандартного усилителя низкой частоты, собранного из минимального количества деталей с использованием транзистора КТ808А. Эта конструкция отличается простотой и превосходно работает. Она может усиливать даже слабые сигналы, например от детекторного приемника. Пример подобной схемы можно посмотреть в следующем видеоролике.

Производители

Транзистор КТ808А в России выпускают на АО «НПП Завод Искра» г. Ульяновск. Даташит этого устройства можно скачать кликнув по ссылке. А вот каталог этой компании за 2017 г., в котором представлены технические данные на  современные отечественные аналоги. В настоящее время она является частью холдинга «Концерн ВКО Алмаз — Антей».

Транзисторы КТ808, 2Т808А – параметры, маркировка, расположение выводов(цоколевка).

Транзисторы КТ808, 2Т808А – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – n-p-n. Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Предназначались для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Маркировка буквенно – цифровая. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ корпус – T03. Наиболее важные параметры. Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ): У транзисторов КТ808А, 2Т808 – 50 Вт с радиатором и 5 Вт – без. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – 60 Вт с радиатором. Максимальное напряжение коллектор – эмиттер: У транзисторов КТ808А, КТ808АМ, – 120 в, пульсирующее – 250 в. У транзисторов 2Т808А – 200 в, пульсирующее – 300 в. У транзисторов КТ808БМ – 100 в, пульсирующее – 160 в. У транзисторов КТ808ВМ – 80 в, пульсирующее – 135 в. У транзисторов КТ808ГМ – 70 в, пульсирующее – 80 в. Максимальное напряжение эмиттер – база – 4 в. Максимальный ток коллектора – импульсный 10 А. Коэффициент передачи тока: У транзисторов КТ808А, 2Т808 – от 10 до 150, при типовом значении – 15. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – от 20 до 125 Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию – не более 3 мА у транзисторов 2Т808А при напряжении коллектор – эмиттер 200 в и у транзисторов КТ808А при напряжении коллектор – эмиттер 120 в. У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – 2мА. Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более – 50 мА. Напряжение насыщeния база эмиттер при токе коллектора 6 А. и токе базы 0,6 А – не более – 2,5 В. Граничная частота передачи тока: У транзисторов КТ808АМ, КТ808БМ, КТ808ВМ, КТ808ГМ – 8 МГц. У транзисторов КТ808А, 2Т808А – 7,5МГц. Зарубежные аналоги транзисторов КТ808. КТ808А – 2N4913, 2N4914, 2SD201. КТ808АМ – 2SC1619A, 2SD867. КТ808БМ – 2N6374, 2SC1618. КТ808ГМ – 2N6372, 2N6373. На главную страницу Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

KT808AM Leistungstransistor (новый дизайн)

KT808AM Leistungstransistor (новый дизайн)

Der KT808 (КТ808) ist ein Leistungstransistor, der als KT808A (bzw. KT808AT) in einem runden Gehäuse und als KT808AM in einem TO3-Gehäuse vertrieben wurde. Der KT808AM ist Laut Datenblatt etwas leistungsstärker als der КТ808А. Напряжения питания 130 В, мощность 10 А и мощность 60 Вт. Verlustleistung abführen. Die maximal zulässige Kollektor-Basis-Spannung beträgt 250В. Die Grenzfrequenz geben ältere Datenblätter mit 2MHz an. В нойрене Dokumenten werden bis zu 8MHz spezifiziert. Die höhere Grenzfrequenz ergab sich höchstwahrscheinlich mit der Modernisierung der Fertigungsprozesse.

Neben dem KT808AM waren auch schlechtere Sortierungen verfügbar. Дер КТ808БМ (КТ808БМ) максимальное напряжение 100В, для КТ808БМ (КТ808ВМ) максимальное напряжение 80В и для КТ808ГМ (КТ808ГМ) питание максимальное 70В.

Der KT808 wurde von mehreren Herstellern vertrieben, unter anderem von den русская Фирма Искра и Электроприбор. Iskra bietet heute noch die военный вариант 2T808A ан. Das vorliegende Bauteil stammt aus dem Jahr 1986.

Das Gehäuse enthält einen großen Heatspreader, auf dem das Die mit sehr viel Lot лучший ист.

Es handelt sich Hier um die modernere Variante des KT808. Дас ältere Design findet sich zum Beispiel im KT808AM von 1982.

Das Die wird von einem Verguss geschützt. Die Menge der Vergussmasse wurde точно так gewählt, dass sie nur das Die beeckt.

Die durch das Öffnen verursachte Verschmutzung lässt gut erkennen, wie hoch der Verguss aufbaut.

 

Die Kantenlänge des Dies beträgt 4,3 мм. Das Emitter-Bondpad passt sich zwischen den Strukturen der Metalllage ein. Ан den Punkten, wo die höchsten Stromdichten auftreten beetet die Metallisierung Брейтер Веге.

KT808 представляет собой MESA-транзистор. Am Rand des Dies ist der Graben deutlich zu erkennen, der für einen sauberen Abschluss der Basis-Collektor-Sperrschicht сорт.

Die Außenkante des Dies besitzt eine Stufe. Entweder wurde das Die zweistufig geschnitten oder erst geschnitten und dann aus dem Wafer herausgebrochen.

Beim Emitter-Bondpad findet sich ein kleiner Kratzer, der von einem Testkontakt verursacht sein könnte und bis in den aktiven Bereich reicht. Der Kratzer Zeigt deutlich, dass das Die trotz des Vergusses zusätzlich mit einer Schutzschicht überzogen ист. Der optischen Erscheinung nach konnte es sich um Polyimid ручной

Trotz der gelblichen Schutzschicht kann man die Basis-Emitter-Grenzfläche einigermaßen erkennen.

Die Oberfläche des Dies ist nicht besonders sauber. Находка Innerhalb des Vergusses sich auch ein relativ großer Metallpartikel.

Der Durchbruch der Basis-Emitter-Strecke erfolgt bei -6,5V. Бей Эйнем Стром фон 0,1A leuchtet die Grenzfläche noch nicht gleichmäßig auf. Die oberflächlichen Partikel scheinen den Effekt aber nicht zu beeinflussen.

Auch bei einem Strom von 1A leuchtet die Grenzfläche noch nicht ganz gleichmäßig auf.

Dieser KT808AM wurde 1984 gefertigt und ist damit etwas älter als das obige Модель.

Der Heatspreader ist Hier noch glatt ausgeführt. Оне Риллен Канн überflüssiges Lot schlechter abfließen, was zu einer höheren Schichtdicke führen kann, die die Ableitung der Verlustleistung etwas verschlechtert.

Während beim neueren KT808 die Bonddrähte die Anschlusspins von oben kontaktieren, erfolgte hier eine seitliche Anbindung.

Der Aufbau des Transistors ist grundsätzlich nicht anders als beim neueren КТ808АМ. Die gelbliche Schutzschicht чувствовал повышенную чувствительность.

Die Bonddrähte sind sehr stark mit der Metalllage verschweißt.

Auch hier sind der MESA-Graben und die Grenzfläche zwischen Basis und Emitter кишки цу erkennen.

Das Die weist umfangreiche Verschmutzungen auf. Небен оберфлехлихем Шмутц sind auch Unregelmäßigkeiten in der Basis-Emitter-Sperrschicht zu erkennen.

Bei -7V setzt der Lawinendurchbruch der Basis-Emitter-Strecke ein und es zeigt sich das bekannte Leuchten.

Der Durchbruch zeigt sich bei 0,1A noch etwas weniger gleichmäßig als beim oberen КТ808АМ. Das lässt vermuten, dass die Strukturen noch etwas weniger homogen aufgebaut грех.

Im Detail lassen sich die einzelnen Durchbruchbereiche gut erkennen.

Bei einem Strom von 1A erstreckt sich der Leuchteffekt immer noch nicht über die сборник Sperrschicht.

Selbst ein Strom von 2A reicht nicht um die komplette Sperrschicht zum Leuchten анзуреген.

Цурюк

oder unterstützt mich über Patreon

KT808AM Leistungstransistor (измененный дизайн)

KT808AM Leistungstransistor (измененный дизайн)

Der Hier vorliegende KT808AM wurde 1982 производитель.

Wie im KT808AM von 1984 befindet sich im Gehäuse ein Теплораспределитель mit einer glatten Oberfläche. Es ist deutlich erkennbar, dass es sich beim Transistor selbst um ein älteres Design handelt.

Der Transistor entspricht der Abbildung, die sich in älteren Datenblättern найти. Der Heatspreader wurde lediglich an den verfügbaren Platz angepasst.

Die Bonddrähte sind einmal um den jeweiligen Anschlusspin herum gebogen. Hier scheint der Vorgang nicht ganz sauber abgelaufen zu sein. Auf halben Weg zum Die wurde der Bonddraht verbogen, was dazu geführt hat, dass er sich ein Stück Weit vom Die gelöst шляпа.

Im Detail ist gut zu erkennen, dass der Bonddraht anfänglich auf ganzer Länge mit der Metallisierung auf dem Die верлетет война.

Das Die ist mit einer sehr dünnen, durchsichtigen Vergussmasse geschützt.

 

Mit einer Kantenlänge von 5,0mm ist das Die merklich größer als das Die, das sich in der neueren KT808-Generation найти.

An den Rändern des Dies sind dunkelblaue Streifen abgebildet. Sie scheinen lediglich die Schnittbereiche zu markieren, entlang derer die Transistoren aus dem Wafer geschnitten werden. Weiter im Inneren zeichnet sich eine geschwungene Канте аб. Höchstwahrscheinlich wurde im Außenbereich das Material heruntergeätzt, um an der Außenkante der Basis-Collektor-Sperrschicht einen sauberen Abschluss zu erzeugen. Основа и эмиттер werden von ineinandergreifenden Elektroden контактировать. Die Bonddrähte sind über die komplette Breite auf die Metallisierung aufgelötet.

Im Detail betrachtet erweist sich die Oberfläche des Transistors als ziemlich незаубер.

Die unteren Ecken des Dies sind nicht von der Vergussmasse bedect.

Von den gelöteten Bereichen scheint sich eine gewisse Verschmutzung über das Die ausgebritet zu haben.

Der Durchbruch der Basis-Emitter-Strecke erfolgt bei -7,5V.