Кт809А – 809 – , , , –

Транзистор КТ809 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ809

 

Параметры транзистора КТ809

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ809А		2SC2501 *3, STS409 *1, SDT403 *1, DTS409 *1, BUL44 *3, 2SC4937 *3, 2SC4937A *3, BUL44F *3, 2SC4354A *3, 2SC3969 *3, 2SC3968 *3, 2SC5161A *3, 2SC5161 *3, 2SC4354 *3, 2N5840 *1, BUX67C *3, BDY93 *1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ809А	50 °C	40*	Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ809А	—	≥5.1	МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ809А	0.01к	400*	В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ809А	—	4	В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ809А	—	3; 5*	А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ809А	400 В	≤3*	мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ809А	5 В; 2 А	15…100*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ809А	20 В	≤150	пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ809А	—	≤0.75	Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ809А	—	—	Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ809А	—	≤4000*	пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Транзисторы КТ809, 2Т809А – параметры, маркировка, расположение выводов(цоколевка).

Транзисторы КТ809А, 2Т809А.

Транзисторы КТ809А, 2Т808А – кремниевые, мощные, низкочастотные,переключательные, структуры – n-p-n.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Предназначались для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.
Маркировка буквенно – цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ):
– 40 Вт с радиатором и 5 Вт – без.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер: – 400 в.

Максимальное напряжение эмиттер – база – 4 в.

Максимальный ток коллектора – постоянный 3А, импульсный – 5А.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ808А, 2Т808 – от 15 до 100.

Обратный ток коллектора при максимальном напряжении эмиттер-коллектор - не более 3 мА(при температуре 25 градусов по Цельсию).

Обратный ток эмиттера

при напряжении эмиттер-база 4в не более – 50 мА.

Напряжение насыщeния база – эмиттер при токе коллектора 2 А. и токе базы 0,4 А – не более – 2,3 В.

Граничная частота передачи тока
– 8МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ809.

КТ809А – 2SC825, 2N8534, 2N3738.

На главную страницу

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор типа: КТ809А, 2Т809А

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные:

КТ809А, 2Т809А. Предназначены для работы в ключевых и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора 2Т809 и КТ809 не более 22 гр., с накидным фланцем не более 12 гр.

Чертёж транзистора КТ809А, 2Т809А

Электрические параметры.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,4 А	0,22-0,6-1,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,4 А	1,03-1,32,3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=2 А
при Т=24,85°С	15-100
при Т=124,85°С	15-130
при Т=-60,15°С	10-100
Время включения при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс	0,2-0,3 мкс
типовое значение	0,25 мкс
Время спада при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс	0,2-0,3 мкс
типовое значение для КТ809А, 2Т809А	0,25 мкс
Время рассасывания при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс	0,5-3 мкс
типовое значение	2 мкс
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=3,0 МГц, UКЭ=5 В, IК=0,5 А, не менее	1,7
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=400 В, RБЭ=10 Ом, не более
при Т=24,85°С и Т=-60,15°С	3 мА
при Т=124,85°С, UКЭ=300 В	10 мА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=4 В, не более	50 мА
Ёмкость коллекторного перехода транзистора 2Т809А, КТ809А при UКЭ=5 В	190-220-270 пФ

Предельные эксплуатационные данные КТ809А, 2Т809А.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Тп≤99,85°С, RБЭ=10 Ом	400 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213÷398 К	4 В
Постоянный ток коллектора при Тк=213÷398 К	3 А
Импульсный ток коллектора при τи≤400 мкс, Q≥10, Тк=213÷398 К	5 А
Ток базы транзистора КТ809А, 2Т809А при Т к=213÷398 К	1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=213÷398 К	40 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус	2,5 К/Вт
Температура перехода	149,85°С
Температура окружающей среды	От -60,15°С до Тк=124,85°С

Примечания. 1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т_п=373÷423 К снижается линейно на 10% через каждые 10 К.

2. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Т_к>49,85°С снижается в соответствии с формулой:

Р_{К макс}=(Т_п=-Т_к)/R_{т п-к},

где R_{т п-к} – тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов.

В импульсных схемах для КТ809А, 2Т809А допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 300 Вт в момент переключения, при этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота перегрузки не более 5 кГц, температура корпуса не более 89,85°С.

В импульсных схемах допускается U_БЭ≤8 В, при этом должно быть: I_Б≤1 А, Q≥2, ƒ≥30 кГц.

Допускается использование транзистора при I_{К и}≤7 А, Q≤2. Мгновенная мощность при переключении не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс и Q≥10.

Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемым и обратными токами во всем диапазоне температур окружающей среды.

3. Механические усилия на выводы транзисторов КТ809А, 2Т809А не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

1. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость обратного тока коллеткор-эмиттер от температуры корпуса. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.

1. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость обратного тока коллеткор-эмиттер от температуры корпуса. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.

Область максимальных режимов.

Область максимальных режимов.

elektrouzel.ru