Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Транзистор КТ809 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ809Цоколевка транзистора КТ809

 

Параметры транзистора КТ809
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ809А 2SC2501 *3, STS409 *1, SDT403 *1, DTS409 *1, BUL44 *3, 2SC4937 *3, 2SC4937A *3, BUL44F *3, 2SC4354A *3, 2SC3969 *3, 2SC3968 *3, 2SC5161A *3, 2SC5161 *3, 2SC4354 *3, 2N5840 *1, BUX67C *3, BDY93 *1
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P
*
K, τ max,P**K, и max
КТ809А 50 °C 40* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ809А ≥5.1 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ809А 0.01к 400* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ809А 4 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ809А 3; 5* А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ809А 400 В ≤3* мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ809А 5 В; 2 А 15…100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ809А 20 В ≤150 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ809А ≤0.75 Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ809А Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ809А ≤4000* пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Транзисторы КТ809, 2Т809А - параметры, маркировка, расположение выводов(цоколевка).

Транзисторы КТ809А, 2Т809А.

Транзисторы КТ809А, 2Т808А - кремниевые, мощные, низкочастотные,переключательные, структуры - n-p-n.
Корпус металлостеклянный с жесткими выводами. Предназначались для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.

Маркировка буквенно - цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ):
- 40 Вт с радиатором и 5 Вт - без.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер: - 400 в.

Максимальное напряжение эмиттер - база - 4 в.

Максимальный ток коллектора - постоянный 3А, импульсный - 5А.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ808А, 2Т808 - от 15 до 100.

Обратный ток коллектора при максимальном напряжении эмиттер-коллектор - не более

3 мА(при температуре 25 градусов по Цельсию).

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более - 50 мА.

Напряжение насыщeния база - эмиттер при токе коллектора 2 А. и токе базы 0,4 А - не более - 2,3 В.

Граничная частота передачи тока
- 8МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ809.

КТ809А - 2SC825, 2N8534, 2N3738.

На главную страницу

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор типа: КТ809А, 2Т809А

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные низкочастотные мощные:

КТ809А, 2Т809А. Предназначены для работы в ключевых и импульсных схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора 2Т809 и КТ809 не более 22 гр., с накидным фланцем не более 12 гр.

Чертёж транзистора КТ809А, 2Т809А

Электрические параметры.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,4 А 0,22-0,6-1,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=2 А, IБ=0,4 А 1,03-1,32,3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IК=2 А
при Т=24,85°С 15-100
при Т=124,85°С 15-130
при Т=-60,15°С 10-100
Время включения при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс 0,2-0,3 мкс
типовое значение 0,25 мкс
Время спада при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс 0,2-0,3 мкс
типовое значение для КТ809А, 2Т809А 0,25 мкс
Время рассасывания при IК=2 А, IБ=0,5 А, τи=10 мкс 0,5-3 мкс
типовое значение 2 мкс
Модуль коэффициента передачи тока при ƒ=3,0 МГц, UКЭ=5 В, IК=0,5 А, не менее 1,7
Обратный ток коллектор-эмиттер при UКЭ=400 В, RБЭ=10 Ом, не более
при Т=24,85°С и Т=-60,15°С 3 мА
при Т=124,85°С, UКЭ=300 В 10 мА
Обратный ток эмиттера при UБЭ=4 В, не более 50 мА
Ёмкость коллекторного перехода транзистора 2Т809А, КТ809А при UКЭ=5 В 190-220-270 пФ

Предельные эксплуатационные данные КТ809А, 2Т809А.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Тп≤99,85°С, RБЭ=10 Ом 400 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213÷398 К 4 В
Постоянный ток коллектора при Тк=213÷398 К 3 А
Импульсный ток коллектора при τи≤400 мкс, Q≥10, Тк=213÷398 К 5 А
Ток базы транзистора КТ809А, 2Т809А при Тк=213÷398 К 1,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=213÷398 К 40 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус 2,5 К/Вт
Температура перехода 149,85°С
Температура окружающей среды От -60,15°С до Тк=124,85°С

Примечания. 1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Тп=373÷423 К снижается линейно на 10% через каждые 10 К.

2. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>49,85°С снижается в соответствии с формулой:

РК макс=(Тп=-Тк)/Rт п-к,

где Rт п-к - тепловое сопротивление переход-корпус, определяемое из области максимальных режимов.

В импульсных схемах для КТ809А, 2Т809А допускаются перегрузки по мощности рассеивания до 300 Вт в момент переключения, при этом длительность перегрузки должна быть не более 0,5 мкс, частота перегрузки не более 5 кГц, температура корпуса не более 89,85°С.

В импульсных схемах допускается UБЭ≤8 В, при этом должно быть: IБ≤1 А, Q≥2, ƒ≥30 кГц.

Допускается использование транзистора при IК и≤7 А, Q≤2. Мгновенная мощность при переключении не должна превышать 100 Вт в течение не более 5 мкс и Q≥10.

Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемым и обратными токами во всем диапазоне температур окружающей среды.

3. Механические усилия на выводы транзисторов КТ809А, 2Т809А не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к оси вывода. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мм от корпуса транзистора.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

1. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость обратного тока коллеткор-эмиттер от температуры корпуса. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.

1. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость обратного тока коллеткор-эмиттер от температуры корпуса. 4. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от тока коллектора. 5. Зависимость обратного тока коллектор-эмиттер от температуры корпуса. 6. Зависимость времени рассасывания от тока коллектора.

Область максимальных режимов.

Область максимальных режимов.


elektrouzel.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о