Кт818Гм характеристики – 818 – , , , –

Содержание

КТ818, 2Т818 – биполярный кремниевый PNP транзистор – параметры, использование, цоколёвка. – Биполярные отечественные транзисторы – Транзисторы – Справочник Радиокомпонентов – РадиоДом

Основные технические параметры транзистора КТ818, 2Т818

Модель	Максимальные параметры									Параметры при температуре = 25°C											R_{Т п-к}, °C/ватт
			при температуре =25°C
	I_{К, макс}, ампер	I_{К и, макс}, ампер	U_{КЭ0 гран}, вольт	U_{КБ0 макс}, вольт	U_{ЭБ0 макс}, вольт	P_{К макс}, ватт	T_К, °C	T_{п макс}, °C	T_{К макс}, °C	h_21Э	U_КЭ (U_КБ), вольт	I_К(I_Э), ампер	U_{КЭ насыщ}, вольт	I_КБ0, мАмпер	f_гр, МГц	К_ш, дБ	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_вкл, мкс	t_выкл, мкс
КТ818А	10	15	25		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818Б	10	15	40		5	60	25	125	100	20	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818В	10	15	60		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818Г	10	15	80		5	60	25	125	100	12	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818АМ	15	20	25		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
КТ818БМ	15	20	40		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
КТ818ВМ	15	20	60		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
КТ818ГМ	15	20	80		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
2Т818А	15	20	80	100	5	100	25	150	125	20	(5)	(5)	1		3		1000			2,5	1,25
2Т818Б	15	20	60	80	5	100	25	150	125	20	(5)	(5)	1		3		1000			2,5	1,25
2Т818В	15	20	40	60	5	100	25	150	125	20	(5)	(5)	1		3		1000			2,5	1,25
2Т818А2	15	20	80	100	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		1000	2000		1,2	3,13
2Т818Б2	15	20	60	80	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		1000	2000		1,2	3,13
2Т818В2	15	20	40	60	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		1000	2000		1,2	3,13

Обозначение на схеме КТ818, 2Т818

Цоколёвка транзистора КТ818, 2Т818

Цоколёвка транзистора КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ

Внешний вид транзистора на примере КТ818А

Внешний вид транзистора на примере КТ818ГМ

radiohome.ru

Транзисторы КТ818 и КТ825 – Основные параметры, маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 – кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 – можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока – У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е – 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 – от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 – от

750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 – 45 в.
У транзисторов КТ825Е – 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 – 60 в.
У транзисторов КТ825Г – 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 – 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В – 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 – 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е – 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В – 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 – 30 Вт.
Без радиатора –

3 Вт.

Напряжение насыщения база – эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
– 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА – 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц – не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА – не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В – +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е – +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока – 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г – 2N6051.
КТ825Д – 2N6050.
КТ825Е – BDX64.

КТ825ГM – 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б – 2N6286.
2Т825А – TIP147, TIP142

Транзисторы – купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -“Гулливер”.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей “Амфитон”, “Вега”, “Эстония”, “Ода”.

На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

September 10, 2012 by admin Комментировать »

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распостранению в странах СНГ.

В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металическом корпусе.

КТ819 , 2Т819 (кремниевый транзистор, n-p-n)

КТ819 (А…Г), 2Т819 (А2…В2) КТ819 (АМ…ГМ), 2Т819 (А…В)

Основные технические характеристики транзисторов КТ819:

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											R_{Т п-к}, °C/Вт
			при T = 25°C
	I_{К, max}, А	I_{К и, max}, А	U_{КЭ0 гр}, В	U_{КБ0 max}, В	U_{ЭБ0 max}, В	P_{К max}, Вт	T_К, °C	T_{п max}, °C	T_{К max}, °C	h_21Э	U_КЭ (U_КБ), В	I_К (I_Э), А	U_{КЭ нас}, В	I_КБ0, мА	f_гр, МГц	К_ш, дБ	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_вкл, мкс	t_выкл, мкс
КТ819А	10	15	25		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819Б	10	15	40		5	60	25	125	100	20	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819В	10	15	60		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819Г	10	15	80		5	60	25	125	100	12	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819АМ	15	20	25		5	100	25	125	100	15	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
КТ819БМ	15	20	40		5	100	25	125	100	20	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
КТ819ВМ	15	20	60		5	100	25	125	100	15	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
КТ819ГМ	15	20	80		5	100	25	125	100	12	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
2Т819А	15	20	80	100	5	100	25	150	125	20	(5)	5	1		3		1000			2,5	1,25
2Т819Б	15	20	60	80	5	100	25	150	125	20	(5)	5	1		3		1000			2,5	1,25
2Т819В	15	20	40	60	5	100	25	150	125	20	(5)	5	1		3		1000			2,5	1,25
2Т819А2	15	20	80	100	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		700	2000		1,2	3,13
2Т819Б2	15	20	60	80	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		700	2000		1,2	3,13
2Т819В2	15	20	40	60	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		700	2000		1,2	3,13

КТ818 , 2Т818 (кремниевый транзистор, p-n-p)

КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2) КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В)

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											R_{Т п-к}, °C/Вт
			при T = 25°C
	I_{К, max}, А	I_{К и, max}, А	U_{КЭ0 гр}, В	U_{КБ0 max}, В	U_{ЭБ0 max}, В	P_{К max}, Вт	T_К, °C	T_{п max}, °C	T_{К max}, °C	h_21Э	U_КЭ (U_КБ), В	I_К (I_Э), А	U_{КЭ нас}, В	I_КБ0, мА	f_гр, МГц	К_ш, дБ	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_вкл, мкс	t_выкл, мкс
КТ818А	10	15	25		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818Б	10	15	40		5	60	25	125	100	20	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818В	10	15	60		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818Г	10	15	80		5	60	25	125	100	12	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818АМ	15	20	25		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
КТ818БМ	15	20	40		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
КТ818ВМ	15	20	60		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
КТ818ГМ	15	20	80		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
2Т818А	15	20	80	100	5	100	25	150	125	20	(5)	(5)	1		3		1000			2,5	1,25
2Т818Б	15	20	60	80	5	100	25	150	125	20	(5)	(5)	1		3		1000			2,5	1,25
2Т818В	15	20	40	60	5	100	25	150	125	20	(5)	(5)	1		3		1000			2,5	1,25
2Т818А2	15	20	80	100	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		1000	2000		1,2	3,13
2Т818Б2	15	20	60	80	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		1000	2000		1,2	3,13
2Т818В2	15	20	40	60	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		1000	2000		1,2	3,13

nauchebe.net

Транзистор КТ818 — DataSheet

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ818А		*BD292, BD202, 2N6132 ^2, TIP42 ^2*
		КТ818Б		BD202, BDT92, 40876, BD664, *BD244 ^2, BD246 ^2*
		КТ818В		BD204, BDT94, RCA1C08, BD500A, *BD244A ^2**
		КТ818Г		*BD538, BDT96, BD500B ^2, NTE197 ^2, ECG197 ^2, BDW22B ^3, BD710, BD244B ^2**
		КТ818АМ		2N6469, BDW52, MJ2901
		КТ818БМ		BDW22, BDX92, 2N6469, BDW52
		КТ818ВМ		*BDW52A, 2N5867, 2N6246 ^2, BDX18N, 2N5879, BDW52A, MJ2940^2, 2N5875 ^2, 2N4908 ^2, BDX92 ^2**
		КТ818ГМ		*BDW22C, BDX18, SM2183 ^1, АР1119, BD910 ^1, BD710 ^3, BDW22B ^2*
		КТ818А-1		*BD546C, MJE1290 ^1, TIP34F ^3*
		КТ818Б-1		*BD546B, BD906 ^3, BDW52 ^1, BD706 ^1, BD664 ^3, TIP74 ^3**
		КТ818В-1		BD546A, BD908, BD500A, *BD708 ^2, BD244A ^2*
		КТ818Г-1		*BD546, АР1119 ^1, BD910, BD710^2, SM2183*
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ818А	—	60*	Вт
		КТ818Б	—	60*
		КТ818В	—	60*
		КТ818Г	—	60*
		КТ818АМ	—	100*
		КТ818БМ	—	100*
		КТ818ВМ	—	100*
		КТ818ГМ	—	100*
		КТ818А-1	—	100*
		КТ818Б-1	—	100*
		КТ818В-1	—	100*
		КТ818Г-1	—	100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ818А(М,-1)	—	≥3	МГц
		КТ818Б(М,-1)	—	≥3
		КТ818В(М,-1)	—	≥3
		КТ818Г(М,-1)	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ818А(М,-1)	0.1к	40*	В
		КТ818Б(М,-1)	0.1к	50*
		КТ818В(М,-1)	0.1к	70*
		КТ818Г(М,-1)	0.1к	90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ818А(М,-1)	—	5	В
		КТ818Б(М,-1)	—	5
		КТ818В(М,-1)	—	5
		КТ818Г(М,-1)	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ818А	—	*10(15)**	А
		КТ818Б	—	*10(15)**
		КТ818В	—	*10(15)**
		КТ818Г	—	*10(15)**
		КТ818АМ(-1)	—	*15(20)**
		КТ818БМ(-1)	—	*15(20)**
		КТ818ВМ(-1)	—	*15(20)**
		КТ818ГМ(-1)	—	*15(20)**
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ818А(М,-1)	40 В	≤1	мА
		КТ818Б(М,-1)	40 В	≤1
		КТ818В(М,-1)	40 В	≤1
		КТ818Г(М,-1)	40 В	≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ818А(М,-1)	5 В; 5 А	≥15*
		КТ818Б(М,-1)	5 В; 5 А	≥20*
		КТ818В(М,-1)	5 В; 5 А	≥15*
		КТ818Г(М,-1)	5 В; 5 А	≥12*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ818А(М,-1)	5 В	≤1000	пФ
		КТ818Б(М,-1)	5 В	≤1000
		КТ818В(М,-1)	5 В	≤1000
		КТ818Г(М,-1)	5 В	≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ818А(М)	—	≤0.27	Ом, дБ
		КТ818Б(М)	—	≤0.27
		КТ818В(М)	—	≤0.27
		КТ818Г(М)	—	≤0.27
		КТ818А-1	—	≤0.4
		КТ818Б-1	—	≤0.4
		КТ818В-1	—	≤0.4
		КТ818Г-1	—	≤0.4
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ818А(М,-1)	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ818Б(М,-1)	—	—
		КТ818В(М,-1)	—	—
		КТ818Г(М,-1)	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ818А(М,-1)	—	≤2500**	пс
		КТ818Б(М,-1)	—	≤2500**
		КТ818В(М,-1)	—	≤2500**
		КТ818Г(М,-1)	—	≤2500**

rudatasheet.ru