Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

КТ818, 2Т818 - биполярный кремниевый PNP транзистор - параметры, использование, цоколёвка. - Биполярные отечественные транзисторы - Транзисторы - Справочник Радиокомпонентов - РадиоДом


Основные технические параметры транзистора КТ818, 2Т818

Модель Максимальные параметры Параметры при температуре = 25°C RТ п-к, °C/ватт
    при температуре =25°C                        
IК, макс, ампер IК и, макс, ампер UКЭ0 гран, вольт UКБ0 макс, вольт UЭБ0 макс, вольт PК макс, ватт TК, °C Tп макс, °C TК макс
, °C
h21Э UКЭ
(UКБ),
вольт
IК(IЭ), ампер UКЭ насыщ, вольт IКБ0, мАмпер fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ818А 10 15 25   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818Б 10 15 40   5 60 25 125 100 20 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818В 10 15 60   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1
3
  1000     2,5 1,67
КТ818Г 10 15 80   5 60 25 125 100 12 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818АМ 15 20 25   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818БМ 15 20 40   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ВМ 15 20 60   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ГМ 15 20 80   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
2Т818А 15 20 80 100 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818Б 15 20 60 80 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818В 15 20 40 60 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818А2 15 20 80 100 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818Б2 15 20 60 80 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818В2 15 20 40 60 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13

Обозначение на схеме КТ818, 2Т818

 

Цоколёвка транзистора КТ818, 2Т818

Цоколёвка транзистора КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ

Внешний вид транзистора на примере КТ818А

 

Внешний вид транзистора на примере  КТ818ГМ

radiohome.ru

Транзисторы КТ818 и КТ825 - Основные параметры, маркировка и цоколевка.


Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 - кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 - можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока - У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 - от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 - от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 - 45 в.
У транзисторов КТ825Е - 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 - 60 в.
У транзисторов КТ825Г - 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 - 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В - 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 - 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)

У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В - 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 - 30 Вт.
Без радиатора - 3 Вт.

Напряжение насыщения база - эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
- 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА - 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц - не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА - не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В - +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е - +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока - 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г - 2N6051.
КТ825Д - 2N6050.
КТ825Е - BDX64.
КТ825ГM - 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б - 2N6286.
2Т825А - TIP147, TIP142

Транзисторы - купить... или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта - либо купить, либо - получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки - можно купить. Если же нет - всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -"Гулливер".

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника - можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.

Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей "Амфитон", "Вега", "Эстония", "Ода".

На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

September 10, 2012 by admin Комментировать »

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распостранению в странах СНГ.

В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металическом корпусе.

  КТ819 , 2Т819 (кремниевый транзистор, n-p-n)

   

КТ819 (А…Г), 2Т819 (А2…В2)                                            КТ819 (АМ…ГМ), 2Т819 (А…В)

Основные технические характеристики транзисторов КТ819:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
    при T = 25°C                        
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКЭ
(UКБ
),
В
IК (IЭ), А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ819А 10 15 25   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819Б 10 15 40   5 60 25 125 100 20 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819В 10 15 60   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819Г 10 15 80   5 60 25 125 100 12 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819АМ 15 20 25   5 100 25 125 100 15 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819БМ 15 20 40   5 100 25 125 100 20 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819ВМ 15 20 60   5 100 25 125 100 15 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819ГМ 15 20 80   5 100 25 125 100 12 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
2Т819А 15 20 80 100 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819Б 15 20 60 80 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819В 15 20 40 60 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819А2 15 20 80 100 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   700 2000   1,2 3,13
2Т819Б2 15 20 60 80 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   700 2000   1,2 3,13
2Т819В2 15 20 40 60 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   700 2000   1,2 3,13

   КТ818 , 2Т818 (кремниевый транзистор, p-n-p)

      

КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2)                                   КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В)

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
    при T = 25°C                        
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКЭ
(UКБ),
В
IК (IЭ), А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ818А 10 15 25   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818Б 10 15 40   5 60 25 125 100 20 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818В 10 15 60   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818Г 10 15 80   5 60 25 125 100 12 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818АМ 15 20 25   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818БМ 15 20 40   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ВМ 15 20 60   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ГМ 15 20 80   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
2Т818А 15 20 80 100 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818Б 15 20 60 80 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818В 15 20 40 60 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818А2 15 20 80 100 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818Б2 15 20 60 80 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818В2 15 20 40 60 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13

nauchebe.net

Транзистор КТ818 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ818А BD292, BD202, 2N6132 *2, TIP42 *2
КТ818Б BD202, BDT92, 40876, BD664, 

BD244 *2, BD246 *2

КТ818В BD204, BDT94, RCA1C08, 

BD500A,  BD244A *2

КТ818Г BD538, BDT96, BD500B *2, NTE197 *2, ECG197 *2, BDW22B *3, BD710, BD244B *2
КТ818АМ 2N6469, BDW52, MJ2901
КТ818БМ BDW22, BDX92, 2N6469, BDW52
КТ818ВМ BDW52A, 2N5867, 2N6246 *2, BDX18N, 2N5879, BDW52A, 

MJ2940 *2, 2N5875 *2, 2N4908 *2, BDX92 *2

КТ818ГМ BDW22C, BDX18, SM2183 *1, АР1119, BD910 *1, BD710 *3, BDW22B *2
КТ818А-1 BD546C, MJE1290 *1, TIP34F *3
КТ818Б-1 BD546B, BD906 *3, BDW52 *1, BD706 *1, BD664 *3, TIP74 *3
КТ818В-1 BD546A, BD908, BD500A, 

BD708 *2, BD244A *2

КТ818Г-1 BD546, АР1119 *1, BD910, BD710 *2, SM2183
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ818А 60* Вт
КТ818Б 60*
КТ818В 60*
КТ818Г 60*
КТ818АМ 100*
КТ818БМ 100*
КТ818ВМ 100*
КТ818ГМ 100*
КТ818А-1 100*
КТ818Б-1 100*
КТ818В-1 100*
КТ818Г-1 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ818А(М,-1) ≥3 МГц
КТ818Б(М,-1) ≥3
КТ818В(М,-1) ≥3
КТ818Г(М,-1) ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ818А(М,-1) 0.1к 40* В
КТ818Б(М,-1) 0.1к 50*
КТ818В(М,-1) 0.1к 70*
КТ818Г(М,-1) 0.1к 90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ818А(М,-1) 5 В
КТ818Б(М,-1) 5
КТ818В(М,-1) 5
КТ818Г(М,-1) 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ818А 10(15*) А
КТ818Б 10(15*)
КТ818В 10(15*)
КТ818Г 10(15*)
КТ818АМ(-1) 15(20*)
КТ818БМ(-1) 15(20*)
КТ818ВМ(-1) 15(20*)
КТ818ГМ(-1) 15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ818А(М,-1) 40 В ≤1 мА
КТ818Б(М,-1) 40 В ≤1
КТ818В(М,-1) 40 В ≤1
КТ818Г(М,-1) 40 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ818А(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ818Б(М,-1) 5 В; 5 А ≥20*
КТ818В(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ818Г(М,-1) 5 В; 5 А ≥12*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ818А(М,-1) 5 В ≤1000 пФ
КТ818Б(М,-1) 5 В ≤1000
КТ818В(М,-1) 5 В ≤1000
КТ818Г(М,-1) 5 В ≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ818А(М) ≤0.27 Ом, дБ
КТ818Б(М) ≤0.27
КТ818В(М) ≤0.27
КТ818Г(М) ≤0.27
КТ818А-1 ≤0.4
КТ818Б-1 ≤0.4
КТ818В-1 ≤0.4
КТ818Г-1 ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ818А(М,-1) Дб, Ом, Вт
КТ818Б(М,-1)
КТ818В(М,-1)
КТ818Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ818А(М,-1) ≤2500** пс
КТ818Б(М,-1) ≤2500**
КТ818В(М,-1) ≤2500**
КТ818Г(М,-1) ≤2500**

rudatasheet.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о