MDS1653 MAGNACHIP Транзисторы – JOTRIN ELECTRONICS
MDS1653 – Single N-channel Trench MOSFET 30V MDS1653 Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 12A, 12mΩ General Description The MDS1653 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on-state resistance, high switching performance and excellent reliability. MDS1653 is suitable device for DC-DC Converters and general purpose applications. Features à VDS = 30V à ID = 12A @VGS = 10V à RDS(ON) < 12.0mΩ @VGS = 10V < 17.5mΩ @VGS = 4.5V Applications à DC-DC Converters 6(D) 5(D) 7(D) 8(D) D 4(G) 2(S)3(S) 1(S) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25oC) Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Characteristics Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Power Dissipation (1) Single Pulse Avalanche Energy (2) Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Characteristics Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (1) Thermal Resistance, Junction-to-Case G Ta=25oC Ta=100oC Ta=25oC Ta=100oC Feb. 2011. Version 1.
1 1 S Symbol VDSS VGSS ID IDM PD EAS TJ, Tstg Rating 30 ±20 12 8.6 50 2.5 1.25 50 -55~150 Unit V V A A A W mJ oC Symbol RθJA RθJC Rating 50 25 Unit oC/W MagnaChip Semiconductor Ltd. MDS1653 – Single N-channel Trench MOSFET 30V Ordering Information Part Number MDS1653URH Temp. Range -55~150oC Package SOIC-8 Packing Tape & Reel ROHS Status Halogen Free Electrical Characteristics (Ta =25oC) Characteristics Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage Gate Threshold Voltage Drain Cut-Off Current Gate Leakage Current Drain-Source ON Resistance Forward Transconductance Dynamic Characteristics Total Gate Charge Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge Input Capacitance Reverse Transfer Capacitance Output Capacitance Turn-On Delay Time Rise Time Turn-Off Delay Time Fall Time Drain-Source Body Diode Characteristics Source-Drain Diode Forward Voltage Body Diode Reverse Recovery Time Body Diode Reverse Recovery Charge Symbol BVDSS VGS(th) IDSS IGSS RDS(ON) gfs Qg(10V) Qg(4.
5V) Qgs Qgd Ciss Crss Coss td(on) tr td(off) tf VSD trr Qrr Note : 1. Surface mounted FR-4 board with 2oz. Copper. 2. Starting TJ = 25°C, L = 1mH, IAS = 10A, VDD = 15V, VGS = 10V. Test Condition ID = 250μA, VGS = 0V VDS = VGS, ID = 250μA VDS = 30V, VGS = 0V VGS = ±20V, VDS = 0V VGS = 10V, ID = 12A VGS = 4.5V, ID = 10A VDS = 5V, ID = 12A VDS = 15V, ID = 12A, VGS = 10V VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1.0MHz VGS = 10V, VDS = 15V, RL = 3Ω, RG = 3Ω IS = 1A, VGS = 0V IF = 12A, dl/dt = 100A/μs Min Typ Max Unit 30 – – V 1.0 1.9 3.0 –1 μA – – ±0.1 – 8.5 12.0 mΩ – 12.0 17.5 – 19 – S 17.5 – 9.0 – 3.0 nC – – 3.5 – – 956 – 108 pF – 190 – 7.2 – – 23.6 ns – 25.2 – – 10.6 – – 0.72 1.0 V – 19 21 ns – 9 12 nC Feb. 2011. Version 1.1 2 MagnaChip Semiconductor Ltd. ID, Drain Current[A] MDS1653 – Single N-channel Trench MOSFET 30V 100 10V 6.0V 80 5.0V 4.5V 60 4.0V 40 3.5V 20 3.0V 0 01234 VDS, Drain-Source Voltage [V] Fig.1 On-Region Characteristics 5 1.6 ※ Notes : 1. VGS =
MDS1653 – Single N-channel Trench MOSFET 30V MDS1653 Single N-Channel Trench MOSFET 30V, 12A, 12mΩ General Description The MDS1653 uses advanced MagnaChip’s MOSFET Technology, which provides low on-state resistance, high switching performance and excellent reliability.
MDS1653 is suitable device for DC-DC Converters and general purpose applications. Features à VDS = 30V à ID = 12A @VGS = 10V à RDS(ON) < 12.0mΩ @VGS = 10V < 17.5mΩ @VGS = 4.5V Applications à DC-DC Converters 6(D) 5(D) 7(D) 8(D) D 4(G) 2(S)3(S) 1(S) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25oC) Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Characteristics Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Power Dissipation (1) Single Pulse Avalanche Energy (2) Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Characteristics Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (1) Thermal Resistance, Junction-to-Case G Ta=25oC Ta=100oC Ta=25oC Ta=100oC Feb. 2011. Version 1.1 1 S Symbol VDSS VGSS ID IDM PD EAS TJ, Tstg Rating 30 ±20 12 8.6 50 2.5 1.25 50 -55~150 Unit V V A A A W mJ oC Symbol RθJA RθJC Rating 50 25 Unit oC/W MagnaChip Semiconductor Ltd. MDS1653 – Single N-channel Trench MOSFET 30V Ordering Information Part Number MDS1653URH Temp. Range -55~150oC Package SOIC-8 Packing Tape & Reel ROHS Status Halogen Free Electrical Characteristics (Ta =25oC) Characteristics Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage Gate Threshold Voltage Drain Cut-Off Current Gate Leakage Current Drain-Source ON Resistance Forward Transconductance Dynamic Characteristics Total Gate Charge Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain Charge Input Capacitance Reverse Transfer Capacitance Output Capacitance Turn-On Delay Time Rise Time Turn-Off Delay Time Fall Time Drain-Source Body Diode Characteristics Source-Drain Diode Forward Voltage Body Diode Reverse Recovery Time Body Diode Reverse Recovery Charge Symbol BVDSS VGS(th) IDSS IGSS RDS(ON) gfs Qg(10V) Qg(4.
5V) Qgs Qgd Ciss Crss Coss td(on) tr td(off) tf VSD trr Qrr Note : 1. Surface mounted FR-4 board with 2oz. Copper. 2. Starting TJ = 25°C, L = 1mH, IAS = 10A, VDD = 15V, VGS = 10V. Test Condition ID = 250μA, VGS = 0V VDS = VGS, ID = 250μA VDS = 30V, VGS = 0V VGS = ±20V, VDS = 0V VGS = 10V, ID = 12A VGS = 4.5V, ID = 10A VDS = 5V, ID = 12A VDS = 15V, ID = 12A, VGS = 10V VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1.0MHz VGS = 10V, VDS = 15V, RL = 3Ω, RG = 3Ω IS = 1A, VGS = 0V IF = 12A, dl/dt = 100A/μs Min Typ Max Unit 30 – – V 1.0 1.9 3.0 –1 μA – – ±0.1 – 8.5 12.0 mΩ – 12.0 17.5 – 19 – S 17.5 – 9.0 – 3.0 nC – – 3.5 – – 956 – 108 pF – 190 – 7.2 – – 23.6 ns – 25.2 – – 10.6 – – 0.72 1.0 V – 19 21 ns – 9 12 nC Feb. 2011. Version 1.1 2 MagnaChip Semiconductor Ltd. ID, Drain Current[A] MDS1653 – Single N-channel Trench MOSFET 30V 100 10V 6.0V 80 5.0V 4.5V 60 4.0V 40 3.5V 20 3.0V 0 01234 VDS, Drain-Source Voltage [V] Fig.1 On-Region Characteristics 5 1.6 ※ Notes : 1. VGS =
SAMSUNG LE26C450E1WXRU. Ремонт, схема, сервис
Техническое описание и состав телевизора SAMSUNG LE26C450E1WXRU, тип панели и применяемые модули.
Состав модулей.
Общие рекомендации по ремонту TV LCD LCD
Любой ремонт и диагностику телевизора SAMSUNG LE26C450E1W X(RU) целесообразно начинать с внимательного внешнего осмотра внутренних и внешних элементов, включая корпусные детали, дисплей, кнопки и шлейфы. Иногда по некоторым видимым изменениям можно определить дальнейшее направление поиска дефекта и локализации неисправности до начала снятия осциллограмм и проведения необходимых измерений в контрольных точках. Кольцевые трещины в пайках выводов элементов, деформированные электролитические конденсаторы, обуглившиеся резисторы – всё это для ремонтника может быть подсказкой в предположениях о причинах и следствиях неисправности.
Неисправности модуля питания BN44-00338B могут выражаться по разному, например, SAMSUNG LE26C450E1W не включается совсем и контрольные лампочки на его передней панели не загораются и не моргают, отсутствуют все признаки работоспособности. Диагностику и ремонт общего блока питания в таком случае всегда следует начинать с проверки сетевого предохранителя.
При его обрыве целесообразно проверить на пробой, в первую очередь, все силовые полупроводниковые элементы преобразователя и диодный мост выпрямителя сети, а так же большой электролитический конденсатор фильтра сетевого выпрямителя и ключевой транзистор .
Как правило, ключи обратноходовых преобразователей, в качестве которых используется полевой транзистор N-Fet на отдельном радиаторе, либо интегрированный с ШИМ-контроллером ICE3BR1765J , FAN7530 , FSFR1700US в единую микросхем, достаточно надёжны и редко выходят из строя без причин. Причины пробоя ключа следует искать, проверяя другие компоненты схемы – электролитические конденсаторы, резисторы и полупроводниковые элементы первичной цепи. Микросхема ШИМ проверяется заменой её на заведомо исправную.
Схемотехника блока питания BN44-00338B предусматривает использование схемы активной Коррекции Коэффициента Мощности (ККМ), другая аббревиатура PFC (Power Factor Correction). Поиск неисправностей в таких случаях несколько усложняется и требует определённых знаний и навыков.
Подробности и рекомендации по ремонту подобных модулей будут рассмотрены отдельно.
Если при включении телевизора изображение появляется и сразу пропадает, либо отсутствует изначально при включении, но звук есть и другие функции работают, есть большая вероятность неисправности инвертора (преобразователя питания ламп подсветки). В таких случаях проверке подлежат лампы, инвертор и общий модуль питания, в котором следует проверить электролитические конденсаторы фильтра выпрямителя, питающего инвертор.
Работа силовых цепей инвертора и ламп подсветки в штатном режиме контролируются специальной защитой, которая организована в целях пожарной безопасности, например, для отключения при замыканиях или обрывах в высоковольтных соединениях или при разгерметизации ламп. Данная защита существенно затрудняет диагностику и ремонт инвертора.
Отключая защиту в целях диагностики, необходимо помнить, что в данном случае есть риск выхода из строя силовых элементов инвертора. По завершению диагностики все штатные цепи защиты следует обязательно восстановить.
На материнской плате BN41-01331B или BN41-01479A, в случае неисправности, следует в первую очередь проверить работоспособность всех стабилизаторов питания микросхем и, при необходимости, обновить ПО (программное обеспечение). Часто плата MB (SSB) подлежит замене в случае возникновения в ней сложных неисправностей, которые тяжело обнаружить. При попытках ремонта следует проверить её элементы – WT61P802, SETD-70, K4T1G164QE-HCF8, KFG1G16U20K, NTP-7300S, Tuner: DTOS40CVL081A (BN40-00173A), и вышедшие из строя чипы заменить на новые или заведомо исправные.
Владельцам и пользователям телевизора SAMSUNG LE26C450 необходимо помнить, что самостоятельный ремонт без специальных знаний,навыков и квалификации, может быть чреват негативными последствиями, которые могут привести к полной неремонтопригодности устройства!
Скачать: Сервис мануал и схема Samsung Chassis N82A LE26C450E1W. Схема BN44-00338B. |
Дополнительно по ремонту MainBoard
Внешний вид MainBoard BN41-01331B показан на рисунке ниже:
BN41-01331B может применяться в телевизорах:
SAMSUNG LA32C450 (Panel LFT320AP08), SAMSUNG LA32C450E1D (Panel LTF320AP08 A10), SAMSUNG LE26C450E1WXRU (Panel LTF260AP04), SAMSUNG LE32C530F1 LE32C530F1W (Panel LTF320HM01), SAMSUNG LE40C530F1W (Panel LTF400HM01), SAMSUNG LE40C550J1W LE40C550J1 (Panel LTF400HM01).
Дополнительно по PSU
В телевизоре LE26C450E1WXRU установлен модуль питания BN44-00338B с применением схемы PFC (Power Factor Correction) выполняющего функцию активного фильтра для устранения высших гармонических составляющих потребляемого тока. Повышающий преобразователь на основе ШИМ-регулятора FAN7530 не допускает подключение электролитического конденсатора фильтра входного выпрямителя к сети непосредственно через открытые диоды, когда величину тока заряда определяет его реактивное сопротивление (порядка 15-30 ом на частоте 50 гц.
). В результате преобразования, зарядный ток конденсатора будет определяться таким образом, что огибающая высокочастотных импульсов входного тока повторит фазу и форму синусоиды входного напряжения. Проверка исправности узла PFC осуществляется замером постоянного напряжения на конденсаторе выпрямителя сети. В рабочем режиме должно быть около 380V, в дежурном примерно 300V.
Внешний вид блока питания
Основные особенности устройства SAMSUNG LE26C450E1WXRU:
Установлена матрица (LCD-панель) LTF260AP04.
В управлении матрицей используется Тайминг-Контроллер (T-CON) 26AP04S4LV0.3.
Для питания ламп подсветки применяется инвертор SS1260_4UC01, управляется ШИМ-контроллером SSI1091ASN. В преобразователе инвертора установлен трансформатор LT-U2632. В качестве силовых элементов инвертора применяются ключи типа AOD4186.
Формирование необходимых питающих напряжений для всех узлов телевизора SAMSUNG LE26C450E1WXRU осуществляет модуль питания BN44-00338B, либо его аналоги c использованием микросхем ICE3BR1765J (Standby), FAN7530 (PFC), FSFR1700US и силовых ключей типа 13N60N, MDS1653.
MainBoard – основная плата (материнская плата) представляет собой модуль BN41-01331B, с применением микросхем WT61P802 , SETD-70 , K4T1G164QE-HCF8 , KFG1G16U20K , NTP-7300S и других.
SAMSUNG LE26C450E1WXRU Chassis N65C |
Внимание мастерам!
Информация на этом сайте накапливается из записей ремонтников и участников форумов.
Будьте внимательны! Возможны опечатки или ошибки!
Пожалуйста, сообщайте нам о любых ляпах или несоответствиях в записях по почте info@tel-spb.
ru, присылайте прошивки и наработки из своего опыта, опубликуем в помощь коллегам.
Ближайшие в таблице модели:
SAMSUNG LE26C454 LE26C454E3W
Chassis(Version) N82A
Panel: LTF260AP04
T-CON: 26AP04S4LV0.3
Inverter (backlight): SSI260_4UC01
Power Supply (PSU): BN44-00338B P2632HD_ADY
PWM Power: ICE3BR1765J (Stb), FAN7530 (PFC), FSFR1700US
MOSFET Power: 13N60N, MDS1653
MainBoard: BN41-01536A
Тuner: BN40-00173A
IC Main: WT61P802, SEMS18 1027B-LF, 24C256, NTP-7300S
SAMSUNG LE26C350D1W
Chassis(Version) LE26C350D1WXRU
Panel: T260HA01-DB (DD01)
T-CON: V260B3-XC06
Inverter (backlight): B26HD_AHS REV0.2 BN59-01059B
PWM Inverter: LX6523
MOSFET Inverter: 5N50
Power Supply (PSU): BN44-00368B I26HD_AHS
PWM Power: FAN7530 (PFC), ICE3BR0665J
MOSFET Power: STF13NM60N (PFC)
MainBoard: BN41-01349A SX1 DVB_BL EU BN94-02670A
Тuner: DTOS40CVL081A BN40-00173A
IC Main: Spi Flash: MX25L4005, Eeprom: 24C256
DataSheet PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Преимущества использования сайта
| Вы можете скачать все спецификации бесплатно на Datasheet39.com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость. |
Новые листы технических данных
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 1SMB5926 | Кремниевый стабилитрон для поверхностного монтажа 3,0 Вт | ЛГЭ | |
| 1SMB5927 | Кремниевый стабилитрон для поверхностного монтажа 3,0 Вт | ЛГЭ | |
| 1SMB5928 | Кремниевый стабилитрон для поверхностного монтажа 3,0 Вт | ЛГЭ | |
| 1SMB5929 | Кремниевый стабилитрон для поверхностного монтажа 3,0 Вт | ЛГЭ | |
| 1SMB5930 | Кремниевый стабилитрон для поверхностного монтажа 3,0 Вт | ЛГЭ | |
| 1SMB5931 | Кремниевый стабилитрон для поверхностного монтажа 3,0 Вт | ЛГЭ | |
| 1SMB5932 | Кремниевый стабилитрон для поверхностного монтажа 3,0 Вт | ЛГЭ | |
| 1SMB5933 | Кремниевый стабилитрон для поверхностного монтажа 3,0 Вт | ЛГЭ | |
| 1SMB5934 | Кремниевый стабилитрон для поверхностного монтажа 3,0 Вт | ЛГЭ | |
| 1SMB5935 | Кремниевый стабилитрон для поверхностного монтажа 3,0 Вт | ЛГЭ |
Файлы Sitemap
| Номер пьезы | Описание | Фабрикантес | ПДФ |
| 2N5306 | NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР ДАРЛИНГТОНА | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N5308 | NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР ДАРЛИНГТОНА | Центральный полупроводник | ПДФ |
| ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ | |
| 2N6041 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N6042 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N6043 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N6044 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N6045 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N6282 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N6283 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N6284 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N6285 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N6286 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
| 2N6287 | ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ DARLINGTON POWER | Центральный полупроводник | ПДФ |
Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema. |
