Mosfet p channel с логическим управлением: полевые транзисторы с логическим управлением

Применение новой серии P-канальных MOSFET транзисторов

Введение

Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сопоставимых n-канальных MOSFET, такими как очень быстрое переключение, управление с помощью уровня напряжения затвора, простота параллельного соединения и высокая температурная стабильность. Оптимизация паразитного p-n-p-транзистора позволила получить приборы с отличной стабильностью к лавинному пробою [1]. По сравнению с n-канальными силовыми MOSFET со схожей топологией, p-канальные транзисторы имеют лучшую FB-SOA (область безопасной работы при прямом токе) и практически имеют иммунитет к феномену одиночного эффекта выгорания (Single Event Burnout — открытие паразитного биполярного транзистора под воздействием космического излучения: приводит к разрушению прибора) [2]. Но главным преимуществом p-канальных силовых MOSFET является простота управления в схемах верхнего ключа [3].

Источник питания для управления p-канальным транзистором в схеме верхнего ключа может быть однополярным, в то время как управление n-канальным MOSFET в схеме верхнего ключа требует наличия либо изолированного драйвера, либо импульсного трансформатора, который во многих случаях может работать некорректно. Более того, во многих случаях драйвер нижнего ключа может успешно управлять p-канальным MOSFET в верхнем включении. Такое решение часто позволяет упростить драйвер и снизить общую итоговую стоимость изделия. Главный же недостаток p-канальных MOSFET — более высокое сопротивление в открытом состоянии (R_ds(on)) по сравнению с n-канальными транзисторами. Это означает, что стоимостная эффективность решения на p-канальных MOSFET напрямую связана с оптимизацией по параметру R_ds(on) [4].

Рис. 1. MOSFET

а) p-канальный;

б) n-канальный

Компания IXYS разработала два семейства p-канальных MOSFET, перекрывающих диапазон напряжений от –50 до –600 В и диапазон токов I_D25 от –10 до –170 А. Таблица для выбора находится на сайте www.ixyspower.com. p-канальные Trench MOSFET в диапазоне от –50 до –150 В предлагают очень низкое сопротивление канала в открытом состоянии, низкий заряд затвора, быстрое переключение и быстрый встроенный диод. Планарные p-канальные MOSFET семейства Polar имеют превосходные динамические и статические характеристики в области напряжений от –100 до –600 В. Оба семейства доступны в лучших в отрасли изолированных корпусах семейства ISOPLUS.

Схемотехника драйверов управления в схеме верхнего ключа

В этом разделе рассмотрены различные техники управления полумостовыми схемами. Управление p-канальным MOSFET — более простое и менее затратное, если сравнивать его с n-канальным MOS-FET в схеме верхнего ключа [5].

Рис. 2. p-канальный драйвер в схеме PWM

На рис. 2 приведен пример схемы с p-канальным MOSFET в верхнем ключе. Эта схема управления более проста и экономически более эффективна, если сравнивать ее со схемами на рис. 5 и 7 для n-канальных MOSFET. В этой схеме Dz, Rz и Ch добавлены к стандартной схеме на n-канальном MOSFET-тран-зисторе. Конденсатор Ch, который «удерживает» постоянное напряжение между верхней и нижней схемами управления, должен быть существенно больше, чем входная емкость p-канального MOSFET. Dz удерживает напряжение между затвором и истоком в диапазоне от минуса напряжения на диоде Зенне слишком мала, ток в цепи будет слишком высок, и он сможет повредить схему драйвера управления или Dz. Если емкость Ch будет слишком велика, p-канальный MOSFET будет включаться слишком медленно. Это будет происходить из-за медленного нарастания фронта на затворе транзистора и может привести к его повреждению. Rh3 и R12 регулируют скорость закрывания MOSFET. (Rh2+Rh3) и (R11+R12) определяют скорость включения транзистора. В большинстве применений требуется более низкая скорость открытия и более высокая скорость закрытия транзистора [4].

Рис. 3. Управление p-канальным и n-канальным MOSFET с помощью одного драйвера

Во многих случаях p-канальный и n-канальный MOSFET могут управляться одной микросхемой драйвера, как показано на рис. 3. Это наиболее экономичное решение и самый простой способ управления полумостовой схемой. Для исключения сквозных токов введена задержка dead time между включениями транзисторов, определяемая различием в скорости включения и выключения. Если эта задержка слишком мала, есть шанс высокого выделения тепла и повреждения транзисторов. Если задержка слишком велика, выходное напряжение мостовой схемы может упасть ниже допустимого уровня. В данной схеме в начале включения каждого из транзисторов напряжение на затворе недостаточно для полного включения MOSFET, и это приводит к дополнительным потерям мощности. Таким образом, данная схема не приспособлена для работы в режиме жестких переключений. Но для некоторых приложений с переключением на нулевом уровне напряжения (Zero Voltage Switching), когда MOSFET-транзистор включается в тот момент, когда другой MOS-FET работает в режиме диода, данная схема может быть экономически эффективна [4].

Рис. 4. Задержка dead time в схеме с одним драйвером

На рис. 5 показан пример управления n-канальным MOSFET с помощью импульсного трансформатора. Амплитуда управляющего импульса в этой схеме не чувствительна к изменению скважности импульсов, в отличие типовой схемы с импульсным трансформатором. Теоретически, скважность может быть любой. Но в реальной продукции наличие паразитных связей вносит ограничения на величину скважности. В момент подачи запирающего фронта импульса на затвор транзистор Qh разряжает емкость затвора. Rb является базовым сопротивлением для Qh. Малая емкость Cb используется для ускорения переключения Qh. (Rh2+Rh3) есть сопротивление затвора при включении, а Rh3 является сопротивлением затвора при выключении. Dz поддерживает напряжение между затвором и истоком в диапазоне от 0 до номинального напряжения диода Зенера.

Рис. 5. n-канальный MOSFET, управляемый через импульсный трансформатор

На рис. 6 представлен изолированный драйвер управления, который управляет и n-канальным, и p-канальным транзисторами при наличии одного импульсного трансформатора. n-канальный MOSFET использован в качестве верхнего ключа, в то время как p-канальный транзистор — нижнего ключа. Транзисторы применяются в схеме с общим истоком. Эта схема обеспечивает постоянное время задержки dead time, определяемое разницей времени между зарядом и разрядом входной емкости.

Рис. 6. Управление n-канальным и p-канальным MOSFET с помощью одного импульсного трансформатора

Поскольку импульсный трансформатор объемный и не обладает высокой надежностью, во многих схемах используются дорогостоящие изолированные драйверы с оптоизо-ляцией или с развязкой по току. Простейший метод обеспечения питания такой схемы — применение техники bootstrap, показанной на рис. 7. Пока транзистор M1 находится во включенном состоянии и напряжение на истоке M2 близко к 0, конденсатор Cb заряжается через диод Db и резистор Rb. В случае если напряжение «земли» верхнего драйвера опустится ниже референсного значения, схема драйвера может стать причиной отказа. Чтобы уменьшить такую возможность, добавляют резистор в цепь стока транзистора Mh.

Рис. 7. Управление схемой с n-канальными MOSFET с помощью специализированного драйвера

Данный метод используется преимущественно в автомобильных применениях, где вся нагрузка обычно подключается между ключом и общей «землей» на корпусе. Все ключи в автомобильных применениях располагаются в области положительного потенциала схемы. Для управления n-канальным MOSFET на очень низкой частоте импульсные трансформаторы или технику bootstrap применять невозможно. На рис. 8 показана схема, генерирующая напряжение на затворе выше входного напряжения цепи постоянного тока. Когда генератор прямоугольных импульсов устанавливает на выходе нулевое значение напряжения, диод Dc заряжает емкость накачки Cp. Когда выход генератора прямоугольных импульсов устанавливает положительное напряжение на уровне напряжения питания, диод Dd разряжает емкость Cp. Заряд передается на емкость Cd, которая является источником питания для схемы драйвера верхнего ключа.

Рис. 8. Низкочастотное управление n-канальным MOSFET с помощью «накачки» емкости

Как видно на рис. 9, p-канальные MOSFET требуют гораздо более простой схемы управления, нежели схема на рис. 8. В общем случае более простая схема является более надежной. Хотя p-канальные MOSFET имеют более высокое сопротивление канала в открытом состоянии и, как следствие, более высокую удельную стоимость, эта схема управления во многих случаях делает применение p-канальных MOSFET более экономически выгодным [4].

Рис. 9. Низкочастотное управление p-канальным MOSFET-транзистором

Выбор p-канальных и n-канальных MOSFET

Невозможно создать p-канальный силовой MOSFET, который имел бы такие же электрические характеристики, как и n-канальный MOS-FET. Поскольку подвижность носителей заряда в n-канальном силовом MOSFET в 2,5–3 раза выше, то для обеспечения одного и того же сопротивления в открытом состоянии R_ds(on), размер кристалла p-канального MOSFET должен быть в 2,5–3 раза больше, по сравнению с n-канальным транзистором. Вследствие большей площади кристалла p-канальные MOSFET-транзисторы имеют меньшее тепловое сопротивление и более высокие значения допустимого тока. Но их динамические характеристики (емкость, заряд затвора и др.) зависят от размера кристалла.

На низких частотах переключений, при которых доминируют потери проводимости, p-канальный MOSFET должен иметь тот же уровень номинального тока I_D25, что и n-канальный транзистор. Если два транзистора имеют одинаковый номинальный ток I_D25, нагрев их кристаллов будет практически одинаков при одинаковой температуре корпуса и одинаковом токе. В этом случае оптимальный размер кристалла p-канального MOSFET составит уже 1,5–1,8 от размера кристалла n-канального транзистора.

На высоких частотах переключения, где доминируют динамические потери, p-канальный MOSFET должен иметь ту же величину заряда затвора, что и n-канальный транзистор. Если два транзистора имеют одинаковый заряд затвора и управляются одинаково, их динамические потери близки. В этом случае p-канальный MOSFET имеет тот же размер кристалла, что и n-канальный, но его номинальный ток I_D25 может быть меньше, чем у n-канального.

Для работы в линейном режиме необходимо соответствие p-канального и n-канального транзистора по FBSOA (области безопасной работы) в реальном режиме. Это часто означает соответствие по номинальной рассеиваемой мощности I_D25, но, кроме того, нужно обращать внимание на физическую способность транзистора работать в линейном режиме.

В реальных приложениях необходимо тщательно выбирать p-канальный MOSFET-тран-зистор по номинальному току I_D25 или заряду затвора Qg. Приложений, в которых требуется одинаковое сопротивление в открытом состоянии R_ds(on), не так много.

Примеры применения

Может быть, аудиоусилители являются наиболее популярной областью применения p-канальных MOSFET-транзисторов. На рис. 10а n-канальный MOSFET применен в качестве верхнего ключа (HS), а p-канальный — в качестве нижнего (LS). Выход аудиоусилителя как бы является в данном случае схемой истокового повторителя. Если коэффициент усиления по напряжению данной схемы равен 1, схема устойчива. На рис. 10б использован транзистор Дарлингтона в комбинации p-n-p- и n-канального транзисторов, вместо p-канального MOSFET. MOSFET включен по схеме с общим истоком, которая имеет большой коэффициент усиления по напряжению и обратную связь, контролируемую p-n-p-транзистором. То есть эта схема может быть неустойчива. После компенсации частотный диапазон этой схемы не может быть достаточен для передачи аудиосигнала высокого качества.

Рис. 10. Выходной каскад на MOSFET для аудиоусилителя:

а) n-канальный и p-канальный;

б) оба n-канальные

Аудиоусилитель класса AB

На рис. 11 показана схема аудиоусилителя класса AB, который имеет комплементарный выход на MOSFET-транзисторах, дифференциальный вход и схему смещения выходного каскада. Данная схема предлагает улучшенные характеристики по сравнению с эквивалентной схемой на биполярных транзисторах, а также позволяет существенно упростить схему управления.

Рис. 11. Схема аудиоусилителя класса AB [6]

Входная цепь имеет дифференциальный компаратор на p-n-p-транзисторах, который получает сигнал через цепочку R1C1 и негативную обратную связь от выходного каскада на базу транзистора Q2 через резистор R6. Компаратор управляет транзистором Q4, который, в свою очередь, управляет выходным каскадом. Компоненты R6 и R5 определяют усиление в цепи обратной связи как β = R5/(R5+R6). R2 определяет ток смещения во входном каскаде, обычно порядка 2 мА. Элементы R4 и C3 создают фильтр, который обеспечивает дополнительное подавление выбросов в цепи питания.

Источник постоянного напряжения, выполненный на R7, R8, R9 и Q3, обеспечивает напряжение смещения V_b между затворами транзисторов Q5 и Q6. Конденсатор C5 удерживает заданную величину напряжения. Если напряжение база-эмиттер V_be на транзисторе Q3 составляет порядка 0,6 В, R9 ≈ 10 KОм, R7 ≈ 100 KОм, напряжение смещения V_b будет V_b≈10 × V_be≈6 В. Назначение этого напряжения — сместить напряжение на затворах Q5 и Q6, чтобы слегка приоткрыть их и обеспечить протекание тока покоя в выходном каскаде. Ток покоя снижает задержку при переходе напряжения в выходном каскаде через 0. Конденсаторы небольшой емкости C2 и C4 обеспечивают стабильность всей схемы.

Выходной каскад объединяет n— и p-канальные силовые MOSFET (Q5 и Q6), соединенные последовательно между терминалами положительного (+V_dd) и отрицательного напряжения (–V_dd). Стоки Q5 и Q6 соединены с выходными клеммами, к которым подключается нагрузка (громкоговоритель). Выходной каскад является, по сути, стоковым повторителем с коэффициентом усиления, очень близким к 1 (но чуть меньше 1), и выполняет функцию идеального источника напряжения. Его выходное напряжение практически нечувствительно к выходному току [6].

Оба транзистора MOSFET в схеме класса AB требуют наличия области безопасной работы FBSOA, поскольку работают в линейном режиме. Рассеиваемая мощность будет высока по той же причине.

Линейные регуляторы напряжения широко используются для обеспечения питания электронных устройств. Они имеют множество модификаций для различных приложений. Один из примеров применения показан на рис. 12. Резистивный делитель на R3 и R4 отслеживает изменение выходного напряжения и создает обратную связь по напряжению на положительный вход операционного усилителя U1. Инверсный вход операционного усилителя получает величину опорного напряжения с диода Зенера ZD1. Операционный усилитель обеспечивает напряжение управления на затворе p-канального MOSFET-транзистора Q1. Поскольку падение напряжения на MOSFET близко к 0, эта схема имеет широкий диапазон выходных напряжений.

Рис. 12. Линейный регулятор напряжения

Рассеиваемая мощность на транзисторе Q1 высока, поскольку она является функцией от разницы между входным и выходным напряжением и выходного тока. p-канальный MOS-FET-транзистор работает в линейном режиме и требует расширенной области безопасной работы FBSOA, которая присутствует в обоих семействах p-канальных MOSFET компании IXYS.

На рис. 13 показана схема зарядки и разрядки ячейки на литий-ионных (Li+) аккумуляторах. Один MOSFET используется для зарядки аккумуляторной батареи, а другой — для ее разрядки. Когда оба транзистора выключены, ячейка изолирована от окружающей среды и батарея защищена. В начале цикла зарядки может протекать постоянный ток, и MOS-FET будет работать в линейном режиме. Когда батарея достигнет определенного уровня напряжения, ток заряда должен быть снижен для достижения заданного уровня напряжения, и схема заряда должна начать работать при постоянном напряжении [7].

Рис. 13. Схема зарядки и защиты аккумуляторной батареи на p-канальном MOSFET [7]

На рис. 14 представлена типовая мостовая схема преобразователя с применением p-канальных MOSFET в верхнем ключе. Каждая фаза содержит один p

-канальный и один n-канальный MOSFET. В режиме верхнего ключа p-канальный MOSFET может быть включен напряжением меньшего уровня, чем напряжение питающей шины верхнего ключа, поскольку он требует отрицательного напряжения затвор/исток V_gs. Важно, чтобы амплитуда этого напряжения была больше напряжения открытия транзистора V_{gs (th)}. Это исключает необходимость внешних цепей bootstrap или накачки емкости, что упрощает требования к DC/DC-конвертору [5].

Рис. 14. Мостовой преобразователь с P-канальными MOSFET в верхнем ключе [3]

Обе схемы зарядки аккумуляторной батареи и мостового преобразователя на рис. 13 и 14 являются примерами приложений, требующих низкого R_{ds (on)} и хороших переключательных характеристик, таких как низкий заряд затвора и низкая входная и выходная емкости.

Литература

1. Erickson R. W., Maksimovic D. Fundamental of Power Electronics. University of Colorado, Boulder, Colorado, Second Edition, 2001.
2. Dodge J. Reduced Circuit Zapping from Cosmic Radiation. Applications Engineering Manager, Power Products Group, Microsemi, September, 2007.
3. How p-Channel MOSFETs Can Simplify Your Circuit. AN-940, International Rectifier.
4. Mohan N., Undeland T. M., Robbins W. P. Power Electronics Converters, John Wiley & Sons, Second Edition.
5. p-Channel MOSFETs, the Best Choice for High-Side Switching. AN804, Vishay Siliconix, March 10, 1997. Linear Power Amplifier using Complementary HEXFETs. AN-948, International Rectifier.
6. A Discrete Approach to Battery Charging for Cellular Phones. AN817, Vishay, January, 2001.
7. Sattar A., Tsukanov V. Linear Power MOSFETs Basics and Applications. IXAN0068. IXYS Corporation.

N-канальные MOSFET с логическим уровнем управления

• Главная /
• Продукция /
• org/ListItem”> Дискретные полупроводниковые компоненты /
• Транзисторы MOSFET /
• N-канальные MOSFET с логическим уровнем управления

TO-220 и TO-247

IRL1104PBF	40V	40V, 104A, 8 мОм, 45.3 нКл Qg, Logic Level, TO-220A
IRL1404ZPBF		40V, 200A, 3.1 мОм, 75 нКл Qg, Logic Level, TO-220A
IRLB3034PBF		40V, 343A, 1.7 мОм, 108 нКл Qg, Logic Level, TO-220
IRLP3034PBF		40V, 327A, 1.7 мОм, 108 нКл Qg, Logic Level, TO-247
IRLZ24NPBF	55V – 60V	55V, 18A, 60 мОм, 10 нКл Qg, Logic Level, TO-220AB
IRLZ44ZPBF		55V, 51A, 13. 5 мОм, 24 нКл Qg, Logic Level, TO-220A
IRL3705ZPBF		55V, 86A, 8 мОм, 40 нКл Qg, Logic Level, TO-220AB
IRLB3036PBF		60V, 370A, 2.4 мОм, 91 нКл Qg, Logic Level, TO220
IRL520NPBF	100V	100V, 10A, 180 мОм, 13.3 нКл Qg, Logic Level, TO-22
IRL530NPBF		100V, 17A, 100 мОм, 22.7 нКл Qg, Logic Level, TO-22
IRL540NPBF		100V, 36A, 44 мОм, 49.3 нКл Qg, Logic Level, TO-220
IRL2910PBF		100V, 48A, 260 мОм, 93.3 нКл Qg, Logic Level, TO-22
IRLB4030PBF		100V, 180A, 4.3 мОм, 87 нКл Qg, Logic Level, TO-220

D2PAK

IRL1104SPBF	40V	40V, 104A, 8 мОм, 45. 3 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak
IRL1404ZSPBF		40V, 200A, 3.1 мОм, 75 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak
IRLS3034PBF		40V, 291A, 1.62 мОм, 130 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak
IRLS3034-7PPBF		40V, 347A, 1.24 мОм, 130 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak 7
IRLZ24NSPBF	55V – 60V	55V, 18A, 60 мОм, 10 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak
IRLZ44ZSPBF		55V, 51A, 13.5 мОм, 24 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak
IRL3705ZSPBF		55V, 86A, 8 мОм, 40 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak
IRLS3036PBF		60V, 270A, 2.4 мОм, 91 нКл Qg, Logic Level, D2-PAK
IRLS3036-7PPBF		60V, 300A, 1.9 мОм, 110 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak-7
IRL520NSPBF	100V	100V, 10A, 180 мОм, 13. 3 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak
IRL530NSPBF		100V, 17A, 100 мОм, 22.7 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak
IRL540NSPBF		100V, 36A, 44 мОм, 49.3 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak
IRL2910SPBF		100V, 55A, 26 мОм, 93.3 нКл Qg, Logic Level, D2-Pak
IRLS4030PBF		100V, 180A, 4.3 мОм, 87 нКл Qg, Logic Level, D2-PAK
IRLS4030-7PPBF		100V, 190A, 3.9 мОм,93 нКл Qg, Logic Level, D2-PAK-7

D-PAK

IRLR3114ZPBF	40V	40V, 130A, 4.9 мОм, 40 нКл Qg, Logic Level, D-Pak
IRLR024ZPBF	55V – 60V	55V, 16A, 58 мОм, 6.6 нКл Qg, Logic Level, D-Pak
IRLR2905ZPBF		55V, 60A, 13. 5 мОм, 23 нКл Qg, Logic Level, D-Pak
IRLR3705ZPBF		55V, 89A, 8 мОм, 44 нКл Qg, Logic Level, D-Pak
IRLR3636PBF		60V, 99A, 6.8 мОм, 33 нКл Qg, Logic Level, D-Pak
IRLR120NPBF	100V	100V, 11A, 185 мОм, 13.3 нКл Qg, Logic Level, D-
IRLR3410PBF		100V, 15A, 105 мОм, 22.7 нКл Qg, Logic Level, D-
IRLR3110ZPBF		100V, 63A, 14 мОм, 34 нКл Qg, Logic Level, D-Pak

MOSFET – мощность, P-канал, логический уровень, DPAK -25 А, -30 В

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /ModDate (D:20201021141332+08’00’) /Производитель (Acrobat Distiller 19.0 \(Windows\)) /Заголовок >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > транслировать Acrobat Distiller 19. 0 (Windows)Разработан для приложений с низким напряжением, высокоскоростным переключением и для выдерживать высокие энергии в лавинном и коммутационном режимах. Время восстановления диода исток-сток сравнимо с дискретным диод с быстрым восстановлением. BroadVision, Inc.2020-10-21T14:13:32+08:002019-05-13T14:38:18+08:002020-10-21T14:13:32+08:00application/pdf

MOSFET – силовой, P-канальный, логический уровень, DPAK -25 A, -30 В

ОН Полупроводник

Предназначен для низкого напряжения

приложений для высокоскоростного переключения и до

выдерживают большую энергию в лавинном и коммутационном режимах.

Время восстановления диода исток-сток сравнимо с дискретным

диод быстрого восстановления.

UUID:8a4ce2f1-4ad3-49cc-b943-7776dd95dd06uuid:b997e062-31f9-4b4a-af46-184444c9a322 конечный поток эндообъект 4 0 объект > эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9lul $[ EG bʲDv|D%” ( Ă=. #İ_)) E($DPDi{ $Vh̃,8>(]HH()LȶA+}~eYƼ”%T uӀ1MͶXTrh*M65m]ϧGb*:H!SKR(ά/4RĬ” TJT4DW{

s!\02f3N4wDg “@ ZC(O)I,h~vv6″o7zdoIK( L%:gFQBUHTS댍8&M`!o \ϳ6@N+Ij L %Ei C9 S$eɁL1Ʋc]is֫.7 X/SN*5ť֩1͐Lcվ6cԑ?r꣤-ED_ TK/dlժX_>t)NXxC;(3l}M/~O 䴵2sٕ=X1#B;Ճ,#, wS]i9uZCsc]r͞ ʧ;fHKvc6_BU”cf!Hd3bJ7Uڵ.~Bja4x*̢&”\0e$aSOd?-xpPHĠROec5`’֋[Ecr@ˢYԦ5msq1,|:Dy2AJM$Br@0:3yM’Qg(deOdb 6>8aV7ד][m

6qaè/Z6ʶ6`{e: [8y>3

P-Channel MOSFET 60V 27A – COM-10349

Этот товар имеет ограничения на доставку, поэтому он может иметь ограниченные варианты доставки или не может быть отправлен в следующие страны:

Нет в наличии COM-10349 RoHS

---

Примечание: В настоящее время у нас нет оценки того, когда этот продукт снова появится на складе. Уведомить меня
Примечание: Если этот товар доступен для заказа, его цена может быть изменена в любое время; Кроме того, мы не можем гарантировать сроки доставки или наличия.

Избранное Любимый 20

Список желаний

Нет в наличии COM-10349 РоХС

$ 1,25

Цена оптовой продажи

Примечание. В настоящее время у нас нет оценки того, когда этот продукт снова появится на складе. Уведомить меня
Примечание: Если этот товар доступен для заказа, его цена может быть изменена в любое время; Кроме того, мы не можем гарантировать сроки доставки или наличия.

Возможны скидки за количество

Добавлено в ваш корзина

Нет в наличии Нет в наличии.

1,25 1,19 1,13

1+ шт. 25+ шт. 100+ шт.

• Описание
• Документы

Если вы когда-нибудь задумывались, как управлять фарами автомобиля с помощью микроконтроллера, MOSFET — это то, что вам нужно. FQP27P06 — очень распространенный полевой МОП-транзистор с очень низким сопротивлением во включенном состоянии и управляющим напряжением (также известным как напряжение затвора), которое совместимо с большинством микроконтроллеров или механических переключателей на 5 В. Это позволяет управлять мощными устройствами с очень маломощными механизмами управления.

P-Channel MOSFET 60V 27A Справка и ресурсы по продукту

• Необходимые навыки

Основной навык:

Пайка

Этот навык определяет сложность пайки конкретного изделия. Это может быть пара простых паяных соединений или потребуются специальные инструменты для оплавления.

1 Пайка

Уровень мастерства: Нуб – Требуется некоторая базовая пайка, но она ограничена всего несколькими контактами, базовой пайкой через отверстие и парой (если есть) поляризованных компонентов. Обычный паяльник — это все, что вам нужно.
Просмотреть все уровни навыков

---

Основной навык:

Электрические прототипы

Если требуется питание, вам нужно знать, сколько, что делают все контакты и как их подключить.