Преимущества транзисторов в корпусах DirectFET
23 июля 2010
В настоящее время MOSFET-транзисторы являются одними из самых широко применяемых силовых приборов. Они используются в системах электропитания серверов, рабочих станций и универсальных ЭВМ (в качестве силовых коммутирующих элементов синхронных понижающих преобразователей), блоках питания ноутбуков, в шинных преобразователях телекоммуникационного оборудования и систем передачи данных, в электроприводах различного назначения, в аудиотехнике (силовые каскады усилителей класса D).
Условия жесткой конкурентной борьбы требуют от конструкторов, с одной стороны, обеспечить высокую эффективность разрабатываемых изделий, с другой — минимально возможные энергопотребление и габариты, и при этом — максимально снизить себестоимость конечных изделий. Силовые ключи, основная ниша использования MOSFET-транзисторов, безусловно — весьма чувствительная к названным факторам часть изделия.
- Минимизировать значение сопротивления открытого канала транзистора RDS(ON), поскольку этот параметр непосредственно влияет на количество энергии, уходящей в рассеиваемое прибором тепло;
- Минимизировать значение заряда затвора QG, поскольку этот фактор определяет максимальную частоту коммутации ключа (и, как следствие, его эффективность).
Эти усилия привели к ощутимым положительным результатам. Однако в какой-то момент стал очевиден следующий факт — вклад конструкции корпуса (сопротивление выводов, адгезивных материалов, используемых для присоединения кристалла к основанию корпуса, золотых проволочных соединений) в сопротивление RDS(ON) оказывается сопоставимым с вкладом кремния. Кроме того, выводы и герметики стандартных корпусов, таких как TSSOP и SOIC, приводят к увеличению площади, объема и массы транзистора.
Высокая эффективность корпуса обеспечивается рядом параметров: малым активным сопротивлением выводов, малым температурным сопротивлением, низким уровнем паразитных факторов. Сюда надо добавить следующие факторы: максимальную площадь теплового и электрического контакта с печатной платой, удобную топологию выводов (для параллельного соединения транзисторов) и, конечно, минимальные габариты корпуса.
До определенного времени работы по повышению эффективности корпусов мощных MOSFET-транзисторов шли в двух направлениях:
- Разработка различных вариантов корпусов на базе корпуса SO-8;
- Разработка вариантов приборов с многорядным расположением шариковых контактов в корпусах типа BGA или бескорпусных FlipChip.
Однако к кардинальным изменениям в повышении эффективности корпусов эти направления не привели.
И только предложенная компанией International Rectifier технология DirectFET обеспечила прорыв на пути достижения рекордно высоких показателей эффективности корпуса. На рисунке 1 представлена структура MOSFET-транзистора в корпусе DirectFET.
Рис. 1. Структура транзистора в корпусе DirectFET
На рисунке 2 приведен внешний вид и модификации корпусов DirectFET. В этой технологии используется специфический кристалл транзистора с двусторонним расположением выводов: площадка затвора и, как правило, несколько площадок истока с одной стороны и сток — с другой. Соединение стока с печатной платой обеспечивается с помощью медной крышки-зажима, на которой и размещен кристалл транзистора. В зависимости от размеров крышки существуют три группы корпусов: small (малые), medium (средние) и large (большие). В каждой из групп существуют различные модификации в зависимости от размера кристалла, позиционирования на крышке и числа контактных площадок.
Рис. 2. Внешний вид и модификации корпусов DirectFET
В корпусах DirectFET отсутствует разварка кристалла (соединение проводниками площадок транзистора с внешними выводами). Основными преимуществами DirectFET являются:
- Оптимальные размеры корпуса;
- Ультранизкое электрическое сопротивление выводов;
- Низкое температурное сопротивление, высокая рассеивающая способность корпуса;
- Низкая паразитная индуктивность корпуса.
Оптимальные размеры корпуса. Начнем с «малой группы». По площади корпус DirectFET «S» сравним с TSSOP-8, но за счет низкого профиля объем меньше на 44%. По сравнению с SO-8 площадь меньше на 40%. «Средняя» группа по площади сравнима с SO-8, но объем меньше на 60%. По сравнению с D-Pak площадь меньше на 54%. «Большая» группа: по площади выигрыш у D-Pak — 10%, у D2Pak — 63%.
Для всех групп минимальная высота равна 0,7 мм.
Электрическое сопротивление выводов. В транзисторах DirectFET электрический ток протекает по кратчайшему расстоянию — через кристалл и крышку корпуса, что иллюстрируется рисунком 3. У транзисторов в корпусах SO-8, D-Pak и их разновидностях ток, кроме того, протекает через проводники разварки кристалла и выводы корпуса.
Рис. 3. Сравнение электрического сопротивления выводов для различных корпусов транзисторов
Электрическое сопротивление корпуса DirectFET менее 0,1 мОм, что более чем в 14 раз ниже, чем у классического корпуса SO-8. По сравнению с другими корпусами — выигрыш в 3,5…12 раз. Отметим, что у DirectFET сопротивление выводов гораздо ниже электрического сопротивления открытого канала RDS(ON).
Низкое температурное сопротивление. У транзисторов в пластмассовых корпусах отвод тепла от кристалла осуществляется только через выводы корпуса.
Так, для корпусов SO-8 температурное сопротивление между кристаллом и печатной платой составляет 20°С/Вт. Для корпусов DirectFET аналогичный параметр составляет 1°С/Вт, поскольку площадь отвода тепла существенно выше. Аналогично, температурное сопротивление между кристаллом и верхней поверхностью корпуса для SO-8 составляет 55°С/Вт, а для DirectFET 3°С/Вт. Уже только из этих соображений температура корпуса DirectFET работающего транзистора может быть ниже (вплоть до разницы в 50°С), чем у корпуса SO-8. Рисунок 4 иллюстрирует возможности отвода тепла с корпусов DirectFET: обдувом, радиатором и теплопроводящей пленкой.
Рис. 4. Способы отвода тепла с корпусов DirectFET
Низкая паразитная индуктивность корпуса. Из-за отсутствия проводников разварки кристалла корпуса DirectFET имеют самую низкую среди корпусов паразитную индуктивность. Она не превышает 5 нГн на частотах до 5 МГц, что втрое ниже, чем у корпуса SO-8, в пять раз ниже, чем у корпуса D-Pak и в 10 раз ниже, чем у D2Pak.
Низкая паразитная индуктивность обеспечивает высокое качество переходных процессов в режимах переключения транзистора и возможность работы на высоких частотах ШИМ. На рисунке 5 представлены осциллограммы, иллюстрирующие влияние паразитной индуктивности на качество переходных процессов для корпусов DirectFET и SO-8.
Рис. 5. Влияние паразитной индуктивности на качество переходных процессов
Ультранизкое сопротивление открытого канала и низкий заряд затвора обеспечивают достижение КПД преобразования выше 90% в одно- и многофазных DC/DC-конверторах, применяемых в компьютерной технике.
Удобство монтажа на печатную плату. Монтаж корпусов DirectFET на печатную плату иллюстрируется рисунком 6. В отличие от разработанных ранее типов корпусов для поверхностного монтажа взаимное расположение выводов DirectFET позволяет выполнить конструкцию проводников на печатной плате в виде трех параллельных шин, на которые удобно монтируются корпуса при параллельном соединении.
Рис. 6. Монтаж корпусов DirectFET на печатную плату
Достаточные (для всех модификаций) размеры контактных площадок истока, стока и затвора, расстояния между ними и допуска на посадку дают возможность использовать все материалы и технологии производства и монтажа печатных плат. За счет большой площади контакта и взаимного расположения контактных площадок достигается высокая механическая прочность соединения корпуса с платой, улучшенная электрическая и тепловая проводимость с корпуса на плату.
Номенклатура изделий. Номенклатура транзисторов в корпусах DirectFET перекрывает диапазон напряжений 20…200 В. Это позволяет применять их в преобразовательных устройствах со всеми номиналами напряжения батарейного питания и напряжений телекоммуникационных шин. Параметры транзисторов DirectFET представлены в таблице 1.
Таблица 1. MOSFET-транзисторы в корпусах DirectFET
| Модель | Корпус | VDS, В | Vgs max, В | RDS(on) max 10 В, mOhms | ID @ TA=25°C, A | Qg Typ, nC | Qgd Typ, nC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF6714M | DirectFET MX | 25 | 20 | 2,1 | 29,0 | 29,0 | 8,3 |
| DirectFET MX | 25 | 20 | 1,6 | 39,0 | 39,0 | 12,0 | |
| IRF6711S | DirectFET SQ | 25 | 20 | 3,8 | 19,0 | 13,0 | 4,4 |
| IRF6674 | DirectFET MZ | 60 | 20 | 11,0 | 13,4 | 24,0 | 8,3 |
| IRF7779L2 | DirectFET L8 | 150 | 20 | 11,0 | 11,0 | 97,0 | 33,0 |
| IRF7759L2 | DirectFET L8 | 75 | 20 | 2,3 | 26,0 | 200,0 | 62,0 |
| IRF7749L2 | DirectFET L8 | 60 | 20 | 1,5 | 33,0 | 200,0 | 71,0 |
| IRF6775M | DirectFET MZ | 150 | 20 | 56,0 | 4,9 | 25,0 | 6,6 |
| IRF6795M | DirectFET MX | 25 | 20 | 1,8 | 32,0 | 35,0 | 10,0 |
| IRF6645 | DirectFET SJ | 100 | 20 | 35,0 | 5,7 | 14,0 | 4,8 |
| IRF6785 | DirectFET MZ | 200 | 20 | 100,0 | 3,4 | 26,0 | 6,9 |
| IRF6712S | DirectFET SQ | 25 | 20 | 4,9 | 17,0 | 13,0 | 4,4 |
| IRF7665S2 | DirectFET SB | 100 | 20 | 62,0 | 4,1 | 8,3 | 3,2 |
| IRF6722S | DirectFET ST | 30 | 20 | 7,7 | 13,0 | 11,0 | 4,1 |
| IRF7769L2 | DirectFET L8 | 100 | 20 | 3,5 | 20,0 | 200,0 | 110,0 |
| IRF6722M | DirectFET MP | 30 | 20 | 7,7 | 13,0 | 11,0 | 4,3 |
| IRF6643 | DirectFET MZ | 150 | 20 | 34,5 | 6,2 | 39,0 | 11,0 |
| IRF6721S | DirectFET SQ | 30 | 20 | 7,3 | 14,0 | 11,0 | 3,7 |
| IRF6718L2 | DirectFET L2 | 25 | 20 | 0,70 | 61,0 | 64,0 | |
| IRF6646 | DirectFET MN | 80 | 20 | 9,5 | 12,0 | 36,0 | 12,0 < /font> |
| IRF6616 | DirectFET MX | 40 | 20 | 5,0 | 19,0 | 29,0 | 9,4 |
| IRF6613 | DirectFET MT | 40 | 20 | 3,4 | 23,0 | 42,0 | 12,7 |
| IRF6691 | DirectFET MT | 20 | 12 | 1,8 | 32,0 | 47,0 | 15,0 |
| IRF6668 | DirectFET MZ | 80 | 20 | 15,0 | 22,0 | 7,8 | |
| IRF6797M | DirectFET MX | 25 | 20 | 1,4 | 36,0 | 45,0 | 13,0 |
| IRF6725M | DirectFET MX | 30 | 20 | 2,2 | 28,0 | 36,0 | 11,0 |
| IRF6648 | DirectFET MN | 60 | 20 | 7,0 | 36,0 | 14,0 | |
| IRF6715M | DirectFET MX | 25 | 20 | 1,6 | 34,0 | 40,0 | 12,0 |
| IRF6726M | DirectFET MT | 30 | 20 | 1,7 | 32,0 | 51,0 | 16,0 |
| IRF6710S2 | DirectFET S1 | 25 | 20 | 5,9 | 12,0 | 8,8 | 3,0 |
| IRF6709S2 | DirectFET S1 | 25 | 20 | 7,8 | 12,0 | 8,1 | 2,8 |
| IRF6798M | DirectFET MX | 25 | 20 | 1,3 | 37,0 | 50,0 | 16,0 |
| IRF6662 | DirectFET MZ | 100 | 20 | 22,0 | 8,3 | 22,0 | 6,8 |
| IRF6717M | DirectFET MX | 25 | 20 | 1,25 | 38,0 | 46,0 | 14,0 |
| IRF7799L2 | DirectFET L8 | 250 | 30 | 6,6 | 110,0 | 39,0 | |
| IRF6729M | DirectFET MX | 30 | 20 | 1,8 | 31,0 | 42,0 | 14,0 |
| IRF7739 | DirectFET L8 | 40 | 20 | 1,0 | 46,0 | 220,0 | 81,0 |
| IRF6665 | DirectFET SH | 100 | 20 | 62,0 | 4,2 | 8,7 | 2,8 |
| IRF6727M | DirectFET MX | 30 | 20 | 1,7 | 32,0 | 49,0 | 16,0 |
| IRF6720S2 | DirectFET S1 | 30 | 20 | 8,0 | 11,0 | 7,9 | 2,8 |
| IRF6614 | DirectFET ST | 40 | 20 | 8,3 | 12,7 | 19,0 | 6,0 |
| IRF6644 | DirectFET MN | 100 nt> | 20 | 13,0 | 10,3 | 35,0 | 11,5 |
| IRF6655 | DirectFET SH | 100 | 20 | 62,0 | 4,2 | 8,7 | 2,8 |
| IRF6724M | DirectFET MX | 30 | 20 | 2,5 | 27,0 | 33,0 | 10,0 |
| IRF6641 | DirectFET MZ | 200 | 20 | 59,9 | 4,6 | 34,0 | 9,5 |
| IRF6794M | DirectFET MX | 25 | 20 | 3,0 | 32,0 | 31,0 | 11,0 |
| IRF6713S | DirectFET SQ | 25 | 20 | 3,0 | 22,0 | 21,0 | 6,3 |
Объединив преимущества технологии корпусирования DirectFET и технологии TrenchFET Gen10.
59, компания IR приступила к началу производства нового поколения МОП-транзисторов DirectFET-2. Обновление номенклатуры коснулось диапазона напряжений «сток-исток» 25…30 В. Транзисторы нового поколения производятся в тех же корпусах, что позволяет произвести модернизацию и поднять КПД преобразования без изменения печатной платы.
Заключение
Многофазные DC/DC-конверторы, применяемые в вычислительной технике, телекоммуникации, управлении приводами стали в последние годы тем объектом, где выясняется подлинная эффективность современных мощных MOSFET-транзисторов. Для их создания привлекаются все новейшие достижения как в технологиях производства кристаллов и корпусирования, так и в схемотехнике. Стремительное приближение потребления (современными устройствами новейших поколений) тока к отметке 100 А непрерывно повышает сложность решаемых задач при проектировании конверторов.
Подведем итоги:
- Транзисторы DirectFET совместимы с требованиями RoHs: корпуса не содержат свинца или бромидов;
- Низкое температурное сопротивление «кристалл-корпус» позволяет обеспечить эффективный теплоотвод с верхней поверхности корпуса;
- Низкое температурное сопротивление «кристалл-печатная плата» позволяет обеспечить теплоотвод с площади на печатной плате не менее чем у корпусов SO-8;
- Конструктивное исполнение транзисторов позволяет снизить сопротивление контактов на 90% по сравнению с корпусами SO-8;
- Низкий профиль по высоте (0,7мм) обеспечивает минимальный объем корпуса;
- Транзисторы обладают низкой индуктивностью корпуса на высоких частотах;
- Транзисторы совместимы с традиционным технологическим оборудованием и производственными процессами монтажа печатной платы.
Именно эти достоинства технологии корпусирования DirectFET, разработанной и запатентованной компанией International Rectifier, позволяют создавать изделия, в полной мере соответствующие требованиям настоящего времени.
Литература
1. DirectFET® Technology Board Mounting Application Note// документ an-1035.pdf компании International Rectifier.
Получение технической информации, заказ образцов, поставка — e-mail: [email protected]
•••
10 заметных различий между BJT и MOSFET: текущие школьные новости
Поданный в Уход Новости by TMLT Редакции мая 20, 2021
Разница между BJT и MOSFET: BJT и MOSFET оба транзистора применяются в переключатели и усилители. Они производят большие колебания электрических сигналов из-за изменений подаваемых входных сигналов.
Хотя у них есть общие черты, они все же имеют существенно разные характеристики.
BJT и MOSFET
представляет собой полупроводниковое устройство, пришедшее на смену электронным лампам прежних времен. Это хитроумное устройство – это устройство, управляемое током, в котором выход коллектора или эмиттера зависит от тока в базе.
В основном, режим работы BJT-транзистора определяется током на базе. Три вывода BJT-транзистора называются эмиттером, коллектором и базой A. BJT на самом деле представляет собой кусок кремния с тремя областями.
В них есть два перекрестка, где каждая область названа по-разному: P и N. Есть два типа BJT: , и транзистор PNP. Типы различаются своими носителями заряда, при этом у NPN в качестве основного носителя есть дырки, а у PNP есть электроны.
Принципы работы двух транзисторов BJT, PNP и NPN, практически идентичны; Единственная разница заключается в смещении и полярности источника питания для каждого типа. Многие предпочитают BJT для слаботочных приложений, например, для коммутации, просто потому, что они дешевле.
Полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника, или просто , а иногда и МОП-транзистор, представляет собой устройство, управляемое напряжением. В отличие от BJT, здесь нет базового тока. Однако есть поле, создаваемое напряжением на затворе. Это позволяет протекать току между истоком и стоком. Этот ток может быть прерван или открыт под действием напряжения на затворе.
В этом транзисторе напряжение на электроде затвора с оксидной изоляцией может генерировать канал для проводимости между другими контактами «исток и сток». Что хорошего в МОП-транзисторах, так это в том, что они справляются с питанием более эффективно.
В настоящее время полевые МОП-транзисторы являются наиболее распространенным транзистором, используемым в цифровых и аналоговых схемах, заменив тогдашние очень популярные BJT.
Читайте также:
- Разница между Java и J2EE
- Различия между Powerbeats 2 и Powerbeats 3
- Разница между WPA и WPA2
- Разница между ирландским виски и шотландским виски
- Разные между Toefl и Ielts
Заметное различие между BJT и MOSFET
1.
BJT – это биполярный переходный транзистор, а MOSFET – полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника.
2. У BJT есть излучатель, коллектор и база, а у MOSFET есть ворота, исток и сток.
3. BJT предпочтительны для слаботочных приложений, а MOSFET для функций высокой мощности.
4. В цифровых и аналоговых цепях МОП-транзисторы считаются более широко используемыми, чем BJT в наши дни.
5. Работа MOSFET зависит от напряжения на электроде затвора с оксидной изоляцией, в то время как работа BJT зависит от тока на базе.
Если вам понравилась эта статья, подпишитесь на вашу электронную почту для связанных материалов. Благодарю.
CSN Team.
MOSFET – одиночный, N-канальный, SOT-23 30 В, 2,1 А
%PDF-1.4
%
1 0 объект
>
эндообъект
5 0 объект
/ModDate (D:20201019113332+08’00’)
/Производитель (Acrobat Distiller 19.
0 \(Windows\))
/Заголовок
>>
эндообъект
2 0 объект
>
эндообъект
3 0 объект
>
ручей
2019-05-10T10:08:58+08:00BroadVision, Inc.2020-10-19T11:33:32+08:002020-10-19T11:33:32+08:00Acrobat Distiller 19.0 (Windows)Эти миниатюрные устройства для поверхностного монтажа МОП-транзисторы с низким RDS(on) гарантируют
минимальные потери мощности и экономия энергии, что делает эти устройства идеальными
для использования в чувствительных к пространству схемах управления питанием. Типичный
приложениями являются преобразователи постоянного тока и управление питанием в портативных
и продукты с батарейным питанием, такие как компьютеры, принтеры, устройства PCMCIA
карты, сотовые и беспроводные телефоны.application/pdf
Типичный
K1’DqR=&vb$0o&kO b20ØRqLl{Gulњxzr5b:XR.ʘxi#”ŧsy|kN
NHf2j;gsmd%20transistor%20ne%20c2 техническое описание и примечания по применению
Лучшие результаты (6)
org/Product”>smd%20transistor%20ne%20c2 Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
СМД 43 Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd | Оригинал | SDC2D18LD 2Д18ЛД СМД 43 Индукторы Силовые индукторы smd-диод j 100Н 1FW+43+СМД | |
SDC3D11 Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd | Оригинал | SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд | |
СМД 356 В Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор smd 24 дроссель smd 470 Led smd smd диод j smd транзистор 560 SDC3D16 SMD INDUCTOR 47 | Оригинал | SDC3D16LD 3Д16ЛД СМД 356 АТ индуктор смд мы 470 356 В СМД транзистор СМД 24 индуктор смд 470 светодиод смд smd-диод j смд транзистор 560 SDC3D16 СМД ИНДУКТОР 47 | |
СМД d105 Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439 | Оригинал | SDS3012E 3012Е СМД д105 СМД а34 Б34 СМД СМД 028 Ф катушки индуктивности 25 34 СМД Силовые индукторы к439 | |
к439 Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301 | Оригинал | SDS3015ELD 3015ELD к439 Б34 СМД СМД а34 SDS301 | |
СДК2Д14 Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Дроссель bo smd транзистор SMD 24 “Силовые индукторы” СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ smd led smd сопротивление smd p 112 | Оригинал | SDC2D14 СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ Индуктор бо smd транзистор СМД 24 «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ смд светодиод смд сопротивление смд р 112 | |
SDS2D10-4R7N-LF Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd | Оригинал | SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд | |
2012 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC3D28 | |
СДК2Д11-100Н-ЛФ Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led “Силовые катушки индуктивности” smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47 | Оригинал | SDC2D11 СДК2Д11-100Н-ЛФ Индукторы Силовые индукторы смд светодиод «Силовые индукторы» смд 123 smd-диод j 4263Б СМД ИНДУКТОР 47 | |
СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B | Оригинал | SDC2D11HP 2Д11ХП SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы смд светодиод smd-диод j 4263Б | |
2012 – SDC2D14-1R5N-LF Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC2D14 СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ | |
А44 СМД Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF | Оригинал | SDS4212E 4212Е A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF | |
индуктор Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS | Оригинал | СДК2Д14ХП 2Д14ЛС индуктор смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБ Бо 100Н SDC2D14HPS | |
2012 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SDC2D18HP 2Д18ХП | |
катушки индуктивности Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP “Силовые индукторы” | Оригинал | SDC2D18HP 2Д18ХП катушки индуктивности СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод смд 86 smd-диод j 100Н «Силовые индукторы» | |
СМД .А40 Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12 | Оригинал | SDS4010E 4010Е СМД .А40 а40 смд смд д10 Индукторы Силовые индукторы СМД А40 смд г12 | |
Силовые индукторы Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности | Оригинал | SDC3D18 Силовые индукторы smd-диод j 100Н Индукторы | |
2Д18 Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18 | Оригинал | SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j | |
СМД 43 Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j “Power Inductors” 3D14 | Оригинал | SDC3D14 СМД 43 катушки индуктивности Силовые индукторы 3Д-14 smd-диод j «Силовые индукторы» 3D14 | |
смд 3250 Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j | Оригинал | SDC2D09 смд 3250 Койлмастер Электроника smd-диод j | |
пмб 4220 Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T 82526-N smd 2035 DSP/pmb 4220 PMB27201 SICOFI PEF 2465 | OCR-сканирование | 2025-Н 2025-П 2026Т-П 2026Т-С 20320-Н 2035-Н 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н 4220 пмб Сименс пмб 4220 ПМБ 27251 ИС 4310 для поверхностного монтажа 2197-Т 82526-Н СМД 2035 DSP/пмб 4220 PMB27201 СИКОФИ ПЭФ 2465 | |
Катушки индуктивности Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF | Оригинал | SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 смд 0621 смд СМД а34 Д160 SDS3015EHP-100M-LF | |
СМД 43 Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd smd диод j 2D12 3r smd 340 smd “Дроссели силовые” | Оригинал | SDS2D12 СМД 43 Индукторы транзистор SMD мы СДС2Д12-100М-ЛФ h22 смд smd-диод j 2D12 3р смд 340 смд «Силовые индукторы» | |
2004 – стабилитрон SMD маркировка код 27 4F Реферат: smd диод шоттки код маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL уровень smd стабилитрон код a2 SMD ZENER DIODE a2 smd стабилитрон 27 2f SMD стабилитрон код 102 A2 SMD стабилитрон SMD MARK A1 | Оригинал | 2002/95/ЕС) стабилитрон SMD маркировка код 27 4F SMD-диод с кодом Шоттки, маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень Panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ЗЕНЕР ДИОД a2 смд стабилитрон 27 2ф Маркировка стабилитрона SMD код 102 A2 для поверхностного монтажа стабилитрон SMD MARK A1 | |
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
org/Product”>
