Напряжение отсечки полевого транзистора: Простой тестер полевых транзисторов –приставка к мультиметру

Исследование полевого транзистора | Лаборатория Электронных Средств Обучения (ЛЭСО) СибГУТИ

Лабораторная работа выполняется с помощью учебного лабораторного стенда LESO3.

• Исследование передаточной характеристики полевого транзистора.
• Исследование выходных характеристик ПТ.
• Исследование усилителя на полевом транзисторе в схеме с общим истоком.

1 Цель работы

С помощью учебного лабораторного стенда LESO3 ознакомиться с принципом действия полевого транзистора (ПТ). Изучить его характеристики. Изучить простейший усилитель на ПТ

2. Задание к работе

2.1 Исследовать передаточную характеристику полевого транзистора

Для исследования следует выбирать транзистор с начальным током стока I_c0 не более 10 мА, напряжение отсечки не должно превышать 10 В.

2.1.1 Собрать схему исследования выходных характеристик ПТ. На рисунке 1 приведена схема исследования. В дальнейшей работе предполагается, что исследуется полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. При исследовании транзистора с каналом p типа следует изменить полярности источников напряжения и знак предела шкалы графопостроителя.

Рисунок 1 – Схема исследования передаточной характеристик ПТ Рисунок 2 – Вид собранной на стенде схемы

2.1.2 Экспериментальным путем определить напряжение отсечки U_з0 и начальный ток стока I_c0. Для этого следует установить с помощью источника E1 напряжение на затворе 0 В и напряжение на стоке 10 В. Напряжение на стоке устанавливается регулятором E2. Напряжение на затворе контролируется вольтметром V1, напряжение на стоке вольтметром V2. По миллиамперметру mA1 определить начальный ток стока I_c0.

Плавно увеличивая отрицательное напряжение на затворе с помощью регулятора E1 добиться падения тока стока (контролируется по mA1) до ~10 мкА. При необходимости можно переключить шунт амперметра для измерения микротоков, для этого следует нажать кнопку .

Показание вольтметра V1, при котором ток стока уменьшится до ~10 мкА, будет соответствовать напряжению отсечки.

2.1.3 Построение передаточной характеристики I_c = f(U_зи). Установить по вертикальной оси графопостроителя mA1, по горизонтальной V1. По вертикальной оси установить диапазон: нижняя граница 0, верхняя +10мА; по горизонтальной оси левый предел следует выбрать исходя из напряжение отсечки, рекомендуется округлить U_з0 в большую сторону; правый предел 1В. Изменяя напряжение на затворе с помощью регулятора E1 в диапазоне от U_з0 до 0,5 В получить график передаточной характеристики полевого транзистора.

2.1.4 Сохранить результат.
Образец характеристики показан на рисунке ниже:

Рисунок 3 – Передаточная характеристика ПТ. Образец.

2.2 Исследовать выходные характеристики ПТ

2.2.1 Собрать схему исследования выходных характеристик аналогичную предыдущей схеме (см. рисунок 1).

2.2.2 Установить диапазон регулирования источника E1 U_з0..+1 В, источника E2 0..+10 В. По вертикальной оси графопостроителя выбрать миллиамперметр mA1, диапазон: нижняя граница 0, верхняя +10 мА, по горизонтальной оси графопостроителя выбрать V2, диапазон: левая граница 0, правая граница +10 В. Пределы вертикальной шкалы можно скорректировать после измерения характеристик.

2.2.3 Снять семейство выходных характеристик полевого транзистора I_с = f(U_СИ) в пологой области для различных фиксированных напряжений затвора U_зи. Рекомендуется выбрать: U_зи1 = 0, U_зи2 =  0,2•U_з0 и U_з3 = 0,4•U_з0, U_зи4 = 0,6•U_зи, U_зи5 =  0,8•U_зи, U_зи6 = U_зи, U_зи7 = -0,2•U_зи и U_зи8 = -0,4•U_зи. Последние две характеристики допустимо снимать, только если U_зи< 0,5 В. Выходная характеристика получается путем регулирования E2 от 0 до 10 В.

2.2.4 Сохранить результат. Пример выходных характеристик полевого транзистора показан на рисунке ниже:

Рисунок 4 – Выходные характеристики ПТ. Образец

2.2.5 Исследовать выходные характеристики полевого транзистора в крутой области. Здесь транзистор ведет себя как сопротивление, управляемое напряжением U_зи.

Не очищая результат предыдущего исследования изменить масштаб графика таким образом, что бы выходные характеристики были представлены в крутой области. При необходимости повторить измерение для тех же значений Uзи, что и в предыдущем пункте, но более точно выставить диапазон регулирования E2, например, от 0 В до 1 В.

2.2.6 Сохранить результат исследования. Пример выходных характеристик в крутой области показан на рисунке ниже:

Рисунок 5 – Семейство выходных характеристик ПТ в крутой области. Образец

2.2.5 Для каждой характеристики определить сопротивление канала.

2.3 Исследовать усилитель на полевом транзисторе в схеме с общим истоком

2.3.1 Собрать схему, показанную на рисунке 6. В этой схеме генератор E2 задает напряжение питание, переменная компонента его должна быть уменьшена до нуля. Генератор E1 задает входной сигнал и постоянное напряжение для формирования рабочей точки схемы.

Рисунок 6 – Схема исследования усилителя на полевом транзисторе Рисунок 7 – Вид собранной на стенде схемы

2.3.2 Перевести графопостроитель в режим временных характеристик.

2.3.3 Установить диапазон регулирования E2 от U_з0 до 1 В. Выбрать по вертикальной оси верхнего экрана графопостроителя V1, здесь будет отображаться входной сигнал. Выбрать по вертикальной оси нижнего экрана графопостроителя V2, здесь будет отображаться выходной сигнал, диапазон следует установить 0. .+10 В.

2.3.4 Задать рабочий режим. Для этого установить напряжение источника питания усилителя E2 = 10 В. Переменную компоненту генератора E1 установить в ноль. Вращая ручку регулятора постоянной компоненты источника E1 установить напряжение на стоке транзистора равным половине напряжения питания, напряжение контролируется по вольтметру V2.

2.3.5 Регулируя амплитуду источник E1 подобрать такие параметры синусоидального входного сигнала, что бы на выходе был неискаженный синусоидальный сигнал с максимально возможной амплитудой. При этом следует следить, чтобы входной сигнал не превышал напряжение 0,5 В. Скорректировать масштаб верхнего графика. Затем можно сохранить полученные графики.

Рисунок 8 – Осциллограмма входного и выходного сигнала усилителя на ПТ. Образец

2.3.6 Изменяя постоянную составляющую входного сигнала, анализируя искажения синусоиды по осциллограмме выходного сигнала установить режим работы транзистора вблизи отсечки и вблизи насыщения. Установить рабочую точку транзистора посередине рабочего участка подать на вход усилителя такой сигнал, что бы были видны ограничения сигнала на выходе снизу и сверху. Для каждого случая сохранить полученные графики.

Рисунок 9 – Осциллограмма входного и выходного сигнала при искажениях “сверху”. Образец Рисунок 10 – Осциллограмма входного и выходного сигнала при искажениях “снизу”. Образец Рисунок 10 – Осциллограмма входного и выходного сигнала при искажениях. Образец

3 Содержание отчета

1. Схемы исследования.
2. Передаточная характеристика полевого транзистора.
3. По передаточной характеристике определить крутизну S для различных напряжений U_зи.
4. Семейство выходных характеристик. Каждая характеристика должна быть подписана.
5. На выходных характеристиках выделить крутую и пологую области.
6. Семейство выходных характеристик ПТ в крутой области. Для каждой характеристики определить сопротивление канала.
7. Построить график зависимости сопротивления канала в пологой области от напряжения на затворе Uзи.
8. Результаты исследования усилителя.
9. По осциллограммам усилителя определить коэффициент усиления усилителя по напряжению.

Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов — DataSheet

Перейти к содержимому

Буквенное обозначение		Параметр
Отечественное	Международное
IЗ	IG	Ток затвора (постоянный).
Iз отс	IGSX	Ток отсечки затвора.
IЗ пр	IGF	Прямой ток затвора.
IЗ ут	IGSS	Ток утечки затвора.
IЗИО	IGSO	Обратный ток перехода затвор-исток.
IЗСО	IGDO	Обратный ток перехода затвор-сток.
IИ	IS	Ток истока (постоянный).
IИ нач	ISDS	Начальный ток истока.
IИ ост	ISDX	Остаточный ток истока.
IС	ID	Ток стока (постоянный).
IС нагр	IDSR	Ток стока при нагруженном затворе.
IС нач	IDSS	Начальный ток стока.
IС ост	IDSX	Остаточный ток стока.
IП	IB, IU	Ток подложки.
UЗИ	UGS	Напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗИ обр	UGSR	Обратное напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗИ отс	UGS(OFF),  UGS(off)	Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).
UЗИ пор	UGST, UGS(th), UGS(TO)	Пороговое напряжение транзистора — напряжение между затвором и истоком (у полевого транзистора с изолированным затвором).
UЗИ пр	UGSF	Прямое напряжение затвор-исток (постоянное).
UЗ проб	U(BR) GSS	Пробивное напряжение затвора — напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке.
UЗП	UGB, UGU	Напряжение затвор-подложка (постоянное).
UЗС	UGD	Напряжение затвор-сток (постоянное).
UИП	USB, USU	Напряжение исток-подложка (постоянное).
UСИ	UDS	Напряжение сток-исток (постоянное).
UСП	UDB, UDU	Напряжение сток-подложка (постоянное).
U31— U32	UG1— UG2	Напряжение затвор-затвор (для приборов с двумя затворами).
PСИ	PDS	Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).
PСИ, т max	—	Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом (постоянная).
S	gms	Крутизна характеристики.
RЗИ	rGS, rgs	Сопротивление затвор-исток.
RЗС	rGD, rgd	Сопротивление затвор-сток.
RЗСО	rGSS, rgss	Сопротивление затвора (при UDS = 0 или Uds = 0).
RСИ отк	rDS(ON), rds(on), rDS on	Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток.
RСИ закр	rDS(OFF), rds(off), rDS off	Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток.
Сзио	Cgso	Емкость затвор-исток — емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Сзсо	Cgdo	Емкость затвор-сток — емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
Ссио	Cdso	Емкость сток-исток — емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.
C11и, Свх, и	Ciss, C11ss	Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком.
С12и	Crss, C12ss	Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току.
С22и	Coss, C22ss	Выходная емкость транзистора — емкость между стоком и истоком.
С22с	Cods, C22ds	Выходная емкость в схеме с общим стоком при коротком замыкании на входе (при коротком замыкании цепи затвор-сток по переменному току).
g11и	giss, g11s	Активная составляющая входной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
g22и	goss, g22s	Активная составляющая выходной проводимости транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y11и	Yis, Y11s	Полная входная проводимость транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе).
Y12и	Yrs, Y12s	Полная проводимость обратной передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе).
Y21и	Yfs, Y21s	Полная проводимость прямой передачи транзистора (в схеме с общим истоком при коротком замыкании на выходе; Yfs = gfs + gbfs = Id / Ugs ; на низких частотах |Yfs| = gfs).
Y22и	Yos, Y22s	Полная выходная проводимость транзистора (при коротком замыкании на входе).
Kу. P	GP	Коэффициент усиления по мощности.
fY21и	fYfs	Частота отсечки в схеме с общим истоком.
Uш	Un	Шумовое напряжение транзистора.
Eш	en	Электродвижущая сила шума
Kш	F	Коэффициент шума транзистора.
—	αID	Температурный коэффициент тока стока.
—	αrds	Температурный коэффициент сопротивления сток-исток.
tвкл	ton	Время включения транзистора.
tвыкл	toff	Время выключения транзистора.
tзд, вкл	td(on)	Время задержки включения.
tзд, выкл	td(off)	Время задержки выключения.
tнр	tr	Время нарастания.
tсп	tf	Время спада.
Для сдвоенных полевых транзисторов:
IЗ(ут)1-IЗ(ут)2	IGSS1-IGSS2	Разность токов утечки затвора (для полевых транзисторов с изолированным затвором) и разность токов отсечки затвора (для полевых транзисторов с р-n-переходом).
IC нач1/IC нач1	IDSS1/IDSS2	Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор-исток.
UЗИ1-UЗИ2	UGS1-UGS2	Разность напряжений затвор-исток.
|Δ(UЗИ1-UЗИ2 )|/ΔT	|Δ(UGS1-UGS2 )|/ΔT	Изменение разности напряжений затвор-исток между двумя значениями температуры.
g22и1-g22и2	gos1-gos2	Разность выходных проводимостей в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.
g21и1/g21и2	gos1/gos2	Отношение полных проводимостей прямой передачи в режиме малого сигнала в схеме с общим истоком.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

MMBFU310LT1 – N-канальный транзистор JFET

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Title (MMBFU310LT1 – Транзистор JFET N-канальный) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > транслировать приложение/pdf

ON Semiconductor

MMBFU310LT1 – Транзистор JFET N-канальный

Особенности • Эти устройства не содержат свинца, галогенов и бромированных огнестойких добавок и соответствуют требованиям директивы RoHS

. 2016-11-01T08:47:37+01:00BroadVision, Inc.2020-09-21T08:23+02:002020-09-21T08:23+02:00Acrobat Distiller 10.0.0 (Windows)uuid:11a5c839-878e-4938-a99d-38410a64be85uuid:b05458e7-c63b-4f19-922c-f96b2fb7052c конечный поток эндообъект 4 0 объект > эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9t?jhoe0O/ꢬz!

Страница не найдена | Институт науки и технологий Сатьябама (считается университетом)

Наш веб-сайт был обновлен, а пункты меню изменены. Пожалуйста, посетите нашу ДОМАШНЮЮ СТРАНИЦУ [www.sathyabama.ac.in]

К сожалению, страница, которую вы ищете, не найдена

Перейти на домашнюю страницу

Имя

Адрес электронной почты

Мобильный номер

Город

Курсы

– Выберите – Курсы бакалавриата (UG)Инженерные курсы (B.E. / B.Tech / B.Arch / B.Des)BE – Информатика и инженерияB.E – Информатика и инженерия со специализацией в области искусственного интеллектаB.E – Информатика и инженерия со специализацией в Интернете вещейB.E – Информатика и инженерия со специализацией в области науки о данныхB.E – Информатика и инженерия со специализацией в области искусственного интеллекта и робототехникиB.E – Информатика и инженерия со специализацией в области искусственного интеллекта и машин ОбучениеB.E – Информатика и инженерия со специализацией в технологии блокчейнB. E – Информатика и инженерия со специализацией в области кибербезопасностиB.E – Электротехника и электроникаB.E – Электроника и инженерия связиB.E – МашиностроениеB.E – Автомобильная инженерияB .E – МехатроникаB.E – Авиационная техникаB.E – Гражданское строительствоB.Tech – Информационные технологии nologyB.Tech – химическая инженерияB.Tech – биотехнологияB.Tech – биомедицинская инженерияB.Arch – бакалавр архитектурыB.Des. – Курсы бакалавра дизайна и инженерии (BE / B.Tech) – Неполный рабочий деньB.E – Информатика и инженерияB.E – Электротехника и электроникаB.E – Электроника и инженерия связиB.E – МашиностроениеB.E – Гражданское строительствоB.Tech – Химическая промышленность Курсы инженерного искусства и наукиB.B.A. – Бакалавр делового администрирования B.Com. – Бакалавр коммерцииB.Com. – Финансовый учетB.Sc. – Визуальная коммуникацияB.Sc – Медицинская лаборатория технологийB.Sc – Клиника и питание и диетологияB.Sc. – ФизикаB.Sc. – ХимияB.Sc. – ИнформатикаB.Sc. – МатематикаB.Sc. – БиохимияB. Sc. – Дизайн одеждыB.Sc. – Бакалавр биотехнологий. – Бакалавр микробиологии. – ПсихологияБ.А. – АнглийскийB.Sc. – Биоинформатика и наука о данных, бакалавр наук – Информатика, специализация в области искусственного интеллекта, бакалавр наук. – Бакалавр наук в области сестринского дела B.Sc. – Курсы авиационного праваB.A. бакалавр права (с отличием) BBA бакалавр права (с отличием) B.Com.LL.B. (с отличием) LL.B.Курсы фармацевтикиB.Pharm., Бакалавр фармацииD.Pharm., Диплом фармацевтаПоследипломное образование(PG)Инженерные курсыM.E. Информатика и инженерияМ.Е. Прикладная электроникаМ.Е. Компьютерное проектированиеМ.Е. Строительная инженерияМ.Е. Силовая электроника и промышленные приводыM.Tech. БиотехнологияM.Tech. Медицинское оборудованиеM.Tech. Встроенные системы и IoTM.Arch. Устойчивая архитектураM.Arch. Управление зданиемПрограмма управленияMBA – Магистр делового администрированияНеполный рабочий день последипломного образованияM.E. Информатика и инженерияМ.Е. Прикладная электроникаМ.Е.