Интегральные микросхемы National Semiconductor для аудиотехники Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»
Интегральные микросхемы National Semiconductor
для аудиотехники
Геннадий ШТРАПЕНИН, к. ф.-м. н.
Современная аудиотехника включает большой набор электронных компонентов — это усилители мощности звуковой частоты, устройства предварительного усиления, управления параметрами и индикации режимов работы звуковых систем и другие. С момента своего основания компания National Semiconductor занимала передовые позиции в разработке и производстве интегральных микросхем (ИМС) для аудиотехники, номенклатура которых в настоящее время насчитывает более ста наименований, позволяя разработчикам успешно решать многочисленные задачи по созданию различной электронной аппаратуры с звуковым трактом [1].
Начнем обзор с усилителей мощности (УМ). National Semiconductor предлагает два базовых семейства интегральных УМ — большой мощности (более 20 Вт) Overture, предназначенных для построения высококачественных звуковых трактов стационарной аппаратуры, и малой мощности Boomer, ориентированных, главным образом, для применения в портативной аппаратуре с автономным питанием. Основными параметрами усилителей мощности являются среднеквадратическая выходная мощность Ро при некотором сопротивлении нагрузки Rн и коэффициент нелинейных искажений КНИ — THD (Total Harmonic Distortion), определяемый как отношение среднеквадратического значения суммы высших гармоник к среднеквадратическому значению основной гармоники, выраженное в процентах. КНИ существенно зависит от напряжения питания усилителя Еп, выходной мощности и сопротивления нагрузки, в связи с чем в технической документации обычно приводятся значения выходной мощности для КНИ < 1%, соответствующему общеприня-
тому понятию относительно хорошего качества звучания, и для КНИ < 10%, определяющему по существу максимальную мощность при еще допустимом качестве.
Отметим, что понятие «качество звучания» для усилителя звуковой частоты определяется не только величиной КНИ, но и многими другими факторами и в значительной степени субъективно. Для высококачественных (Hi-Fi) УМ величина КНИ может составлять сотые доли процента и менее.
Основные параметры интегральных УМ семейства Overture приведены в таблице 1. Для ИМС LM4780 указаны два значения выходной мощности, соответственно для одного канала и мостового включения двух каналов. В последнем случае оба канала усилителя используются для усиления одного сигнала, причем один из них включается в неинвертирующей, а другой — в инвертирующей схеме, в то время как сопротивление нагрузки подключается между выходами усилителей. В результате максимальная амплитуда выходного напряжения увеличивается по сравнению с обычной схемой в два раза, а выходная
мощность соответственно — в четыре. Еще одно достоинство мостовых усилителей, особенно важное при однополярном питании, — отсутствие постоянного напряжения на выходе, что позволяет подключать громкоговорители непосредственно к выходу усилителя без разделительных конденсаторов большой емкости.
По схемотехнике усилители Overture представляют собой мощные операционные усилители (ОУ) с весьма высокими нормируемыми параметрами по напряжению смещения, частоте единичного усиления, скорости нарастания выходного напряжения и коэффициентам подавления синфазного сигнала и влияния напряжения питания [2]. Для повышения надежности работы УМ Overture содержат уникальную патентованную схему защиты от температурных бросков, вызванных внутренним разогревом, — Self-Peak Instantaneous Temperature (°Ke) (SPiKe), которая автоматически обеспечивает оптимальную область безопасной работы IxU, предотвращая выход ИМС из строя из-за температурного дрейфа и при перегрузках и коротких
Таблица 1. Основные параметры интегральных усилителей мощности звуковой частоты семейства Overture
Количество каналов Напряжение питания Еп Выходная мощность Р0 при КНИ < 1% (Еп, В) Выходная мощность при КНИ < 10% (Еп, В) КНИ (Ро, Вт/Еп, В)
Тип Корпус В Вт Вт % Примечание
мин макс R = 4 Ом ^ = 8 Ом R = 4 Ом ^ = 8 Ом тип
LM1876 TO220-15 (TA)/(TF) 2 ±10 ±32 23 (±22) 20 (±22) 29 (±22) 26 (±22) 0,08 (15/±22) Отключение звука.
Дежурный режим
LM3886 TO220-11 (TA)/(TF) 1 ±10 ±42 68 (±28) 63 (±35) 87 (±28) 78(±35) 0,03 (60/±28) Отключение звука
LM4700 TO220-11 (TA)/(TF) 1 ±10 ±32 23 (±20) 34 (±28) 29 (±20) 42 (±28) 0,08 (30/±28) Отключение звука. Дежурный режим
LM4765 TO220-15 (TA) 2 ±10 ±32 22 (±20) 30 (±28) 30 (±20) 40 (±28) 0,08 (30/±28) Отключение звука. Дежурный режим
LM4766 TO220-15 (TA) 2 ±10 ±37 30 (±22) 40 (±30) 40 (±22) 50 (±30) 0,06 (30/±30) Отключение звука
LM4780 TO220-27 (TA)/(TF) 2 ±10 ±42 53/122(±25) 62/105 (±25) 65/152(±25) 75/145 (±25) 0,03 (60/±35) Отключение звука
LM4781 TO220-27 (TA) 3 ±10 ±35 24 (±20) 35 (±28) 35 (±20) 41 (±28) 0,02 (20/±28) Отключение звука
LM4782 TO220-27 (TA) 3 ±10 ±32 20 (±19) 26 (±25) 30 (±19) 35 (±25) 0,02 (20/±25) Отключение звука.
Дежурный режим
LM4651/2 DIP-28/TO220-15 1 ±11 ±22 135 (±20) 80 (±20) 170 (±20) 115(±20) 0,3 (10/±20) Усилитель класса D. Дежурный режим
Рис. 1. Практические схемы включения ИМС LM4780: а) стереофонический усилитель, б) мостовой усилитель
замыканиях выхода усилителя на «землю» или шины питания.
Все усилители семейства имеют режим отключения (приглушения) звука Mute отдельно для каждого канала с «мягким» спадом/нарастанием громкости, а некоторые — дежурный режим Standby, в котором токо-потребление не превышает одной десятой тока покоя. Следует отметить, что по большинству параметров интегральные УМ Overture соответствуют типовому классу HiFi, о чем свидетельствуют многочисленные публикации об использовании данных ИМС в различной высококачественной профессиональной и любительской звуковой аппаратуре.
На рис. 1а и б приведены практические схемы включения ИМС LM4780 в двухканальном стереофоническом и мостовом усилителях, а на рис. 2а и б соответственно — зависимости КНИ этих усилителей от выходной мощности при Ин = 8 Ом. Переключатель SW1 служит для отключения звука (режим Mute). ИМС допускает также параллельное включение по входу и выходу двух и более усилителей, что позволяет получить результирующую выходную мощность в несколько сотен ватт.
Трехканальные усилители семейства LM4781 и LM4782 прекрасно подходят для применения в домашних кинотеатрах, компонентных акустических системах с частотным разделением (BiAmp), в которых в низкочастотном канале используется мостовой или параллельный усилитель на двух УМ ИМС LM4781/2, и другой высококачественной звуковой аппаратуре.
Весьма важным для надежной работы мощных усилителей, выходные каскады которых работают в режиме АВ (а это все приведенные в таблице усилители Overture, кроме LM4651/2), является эффективный теплоотвод, чему способствует конструкция корпуса микросхем TO220 с низким тепловым сопротивлением, позволяющая сравнительно легко монтировать ИМС на радиатор.
Наряду с обычным неизолированным корпусом TO220(TA), у которого теплоотводящая пластина соединена с выводом для подключения отрицательного полюса источника питания V-, ряд микросхем семейства выпускается в изолированных корпусах TO220(TF), что разрешает монтировать несколько ИМС на одном радиаторе без изолирующих прокладок в любых случаях.
Для работы в звуковых трактах портативной аппаратуры с автономным питанием требуются усилители мощности звуковой частоты с низким напряжением питания, высоким КПД и минимальным числом внешних элементов. Следует отметить также, что наряду с электродинамическим громкоговорителями в последнее время в аппаратуре стали широко применяться пьезоэлектрические и керамические звукоизлучатели, обладающие малыми размерами и высоким КПД по звуковому давлению, для работы которых необходимо сравнительно высокое напряжение до 30 В. И наконец, глобальное проникновение мобильной телефонии во все сферы жизни, в частности использование сотовых телефонов как своеобразных портативных мультимедиацентров, требует от производителей
Рис.
2. Зависимость коэффициента нелинейных искажений от выходной мощности и частоты для усилителей: а) стереофонического усилителя, б) мостового усилителя
ИМС создания специализированных аудиоустройств, совмещающих многоканальные усилители для головных телефонов и громкоговорителей различных типов со схемами управления параметрами звуковых трактов, в том числе и по цифровой шине.
В ассортименте продукции компании National Semiconductor имеется большое число таких устройств, основу которых составляют УМ семейства Boomer [3]. Стремление уменьшить количество внешних элементов и, как следствие, габариты и массу конечных изделий привело инженеров фирмы к созданию ИМС для построения безконденсатор-ных (по терминологии фирмы) усилителей звуковой частоты с дифференциальным входом и мостовым выходом, в результате, как уже было отмечено, удается обойтись без разделительных электролитических конденсаторов большой емкости при однополярном питании.
Как видно из рисунка, для работы усилителя необходимо лишь два внешних элемента — малогабаритных электролитических конденсатора небольшой емкости в цепях питания и смещения. Усилитель работоспособен в диапазоне напряжений питания 2,2-5,5 В и развивает выходную мощность до 1,4 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом. В дежурном режиме Shutdown токопотреб-ление составляет менее 0,1 мкА. Отметим, что управление дежурным режимом усилителя осуществляется логическими уровнями на двух специальных выводах ИМС SD Mode и SD Select: при одинаковых состояниях выводов усилитель находится в дежурном режиме, а при разных — в рабочем.
LM4784/5 выпускаются в корпусах MSOP, LLP и microSMD.
Заслуживает внимания двухканальный мостовой усилитель с дифференциальными входами LM4884, предназначенный в основном для портативных мультимедиаустройств. Особенностью LM4884 является встроенная схема фильтрации радиочастотных помех, что может быть очень эффективно, когда звуковое устройство функционирует вблизи работающих мобильных телефонов или компьютеров с беспроводной связью. Усилитель имеет регулируемый (4 уровня) коэффициент усиления и дежурный режим с токопо-треблением 0,1 мкА. Выходная мощность при напряжении питания 5 В составляет 2 Вт на сопротивлении нагрузки 4 Ом. Выпускается в 20-выводном корпусе TSSOP.
Для работы с пьезоэлектрическими и керамическими звукоизлучателями National Semiconductor выпускает специальные усилители (драйверы) LM4960 и LM4961 с встроенным повышающим преобразователем напряжения (требуется внешняя индуктивность «10 мкГ) [4], что позволяет использовать эти усилители в устройствах с напряжением питания от 3,2 до 5,5 В.
Амплитуда выходного напряжения достигает 27 В на нагрузке сопротивлением 20 Ом емкостью 800 нФ для LM4960 и 17 В на нагрузке сопротивлением 30 Ом емкостью 2 мкФ для LM4961. Микросхемы LM4960/1 выпускаются в 28-выводных корпусах LLP.
По аналогичной схеме выполнен и усилитель LM4804, развивающий на нагрузке сопротивлением 8 Ом выходную мощность 1,5 Вт при напряжении питания всего 3 В. Минимальное напряжение питания, необходимое для запуска преобразователя составляет 1,1 В, а его работоспособность сохраняется при падении напряжения до 0,8 В. LM4804 выпускается в 28-выводном корпусе LLP.
Теперь перейдем к обзору ИМС, позиционируемых компанией для построения звуковых трактов мобильных телефонов, карман-
ных ПК, игровых приставок и других портативных устройств. Наряду с многоканальными усилителями мощности эти микросхемы содержат также аналоговую или цифровую схему управления параметрами аудиотракта и формирования различных звуковых эффектов.
Структурная схема ИМС LM4884, приведенная на рис. 4, включает один монофонический вход телефонного сигнала и стереофонические входы правого и левого канала для сигнала от встроенного ЧМ-радиоприем-ника и МРЗ-плеера. Встроенная функция расширения стереобазы National 3D Enhancement существенно улучшает звуковой стереоэффект при близком размещении громкоговорителей правого и левого каналов. Управление работой устройства (регулирование громкости, микширования, управление питанием и режимом 3D) осуществляется через 12С-совмес-тимый последовательный интерфейс.
Усилительная подсистема последнего поколения LM4934 в добавление к аналоговому имеет также цифровой звуковой тракт с входом I2S и встроенным 18-разрядным стерео ЦАП с синхронизацией системой ФАПЧ, что позволяет прямо подключать к подсистеме цифровой выход МР3-декодера без использования дополнительных элементов. Кроме стереофонических усилителей громкоговорителей и наушников LM4934 содержит монофонический усилитель мощностью 25 мВт для выносного наушника Hands Free и линейный выход для подключения внешних аудиоустройств. Выпускается в 42-вы-водном корпусе microSMD.
Особого внимания заслуживают выпускаемые National Semiconductor импульсные интегральные усилители звуковой частоты класса D [5], которые в последнее время приобретают большое распространение благодаря высокому КПД, практически не достижимому в обычных линейных усилителях.
По сути дела, усилитель класса D — это управляемый звуковым сигналом понижающий импульсный преобразователь напряжения, состоящий из ШИМ-контроллера, выходного каскада, который может быть однотактным или двухтактным, и выходного фильтра нижних частот. Несколько лет назад National Semiconductor выпустила комплект из двух
ИМС, LM4651 и LM4652, семейства Overture для построения усилителей класса D мощностью до 170 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом и КПД 85% для сабвуферов, первая из которых содержит ШИМ-контроллер, а вторая — четыре МОП-транзистора для полномостового выходного каскада (табл. 1).
Отметим, что в дополнение к стандартным системам защиты от токовых перегрузок и перегрева комплект LM4651/2 содержит схему мягкого отключения при снижении напряжения питания ниже порога ±10,5 В, а также систему защиты от ШИМ-перемодуляции, которая ограничивает минимальную длительность выходных импульсов и тем самым предотвращает «жесткое» ограничение выходного сигнала.
Действие такой защиты близко к аналоговым системам мягкого ограничения soft clipping и благоприятно отражается не только на надежности устройства, но и на качестве звука. Рассеиваемая на обеих микросхемах мощность в самом неблагоприятном
режиме не превышает 22 Вт, что позволяет обойтись небольшим радиатором. Ток покоя усилителя составляет 125 мА, в режиме Standby— 17 мА. ИМС LM4651 и LM4652 выпускаются соответственно в корпусах DIP-28 и Т0220-15.
Последние разработки интегральных усилителей класса D National Semiconductor относятся к семейству Boomer, насчитывающему более десяти моделей таких усилителей мощностью до 10 Вт, усилители класса D также включаются в состав интегрированных аудиоподсистем новейших выпусков. Основные параметры ряда интегральных УМ класса D National Semiconductor семейства Boomer приведены в таблице 2.
В состав ИМС LM4663, предназначенной для применения в ноутбуках и ЖКИ-мони-торах, наряду с двухканальным усилителем класса D включены селектор входных сигналов на два входа, схема подавления щелчков и тресков («Click and pop» suppression circuitry)
и двухканальный усилитель наушников мощностью 80 мВт (32 Ом).
В дежурном режиме токопотребление не превышает 2 мкА. Типовое значение выходной мощности при сопротивлении нагрузки 4 Ом составляет 2 Вт, теплоотвод не требуется.
Монофонические УМ LM4664/5 и стереофонический УМ LM4666 выполнены по полностью дифференциальной схеме, аналогичной линейным усилителям LM4894/5, и благодаря дельта-сигма-модуляции, работают без внешних фильтров. Коэффициент усиления по напряжению Ku = 6 дБ или 12 дБ устанавливается логическим уровнем на специальном выводе ИМС Gain Select. Микросхемы LM4664/5/6 выполнены в миниатюрных корпусах и предназначены для применения в карманных ПК и мобильных телефонах.
Для звуковых каналов ЖКИ-телевизоров и мониторов весьма перспективно использование сравнительно мощного интегрального УМ класса D на ИМС LM4668. Усилитель выполнен по мостовой схеме и развивает на нагрузке сопротивлением 8 Ом выходную мощность до 10 Вт. Микросхема содержит схему подавления щелчков и тресков, устройства защиты от ШИМ-перемодуляции, перегрузок и перегрева, а также схему мягкого отключения при снижении напряжения питания ниже порога 8 В.
Коэффициент усиления — фиксированный 30 дБ. Ток покоя усилителя — 30 мА, в дежурном режиме — 0,15 мА.
Последние разработки National Semiconductor — безфильтровые интегральные УМ класса D серии LM467x, требующие минимального числа внешних элементов и ориентированные для использования в различных портативных устройствах с автономным питанием. Следует отметить, что ИМС LM4673 — это вообще самый маленький в мире усилитель мощности звуковой частоты класса D, он выпускается в корпусе microSMD-9 с размерами 1,4х1,4 мм, развивая при этом выходную мощность 2,15 Вт при напряжении питания 5 В и сопротивлении нагрузки 4 Ом. Стереофонический вариант LM4674 выпускается в корпусе microSMD-16 с размерами 2х2 мм и развивает при тех же условиях выходную мощность 2,5 Вт/канал.
Структурная схема ИМС LM4674 представлена на рис. 5. Входные усилители имеют дифференциальный вход, выходные каскады
Таблица 2.
= 8 Ом тип тип
LM4663 TSSOP-24 2 4,5 5,5 2,1 (5) 1,2 (5) 2,7 (5) 1,5 (5) 0,2 (1/5) 85 (1/5) Дополнительный усилитель наушников
LM4664 microSMD-9 1 2,7 5,5 – 0,42 (3) – 0,55 (3) 0,35 (0,1/3) 82 (0,3/3) Безфильтровой Сигма-Дельта, Ки = 6/12 дБ
LM4665 MSOP-10, microSMD-9 1 2,7 5,5 1 (5) 0,6 (5) 2,4 (5) 1,5 (5) 0,5 (0,1/3) 80 (0,3/3) То же
LM4666 LLP-14 2 2,8 5,5 – 0,45 (3) – 0,55 (3) 0,65 (0,1/3) 85 (0,3/3) То же
LN4668 LLP-14, TSSOP-20 1 9,0 14 – – – 7,5 (12) 0,2 (1/12) 79 (6/12) Ки = 30 дБ
LM4670 LLP-8, microSMD-9 1 2,4 5,5 1,2 (3,6) – 1,5 (3,6) – 0,3 (0,5/3,6) 88 (0,5/3,6) Безфильтровой Сигма-Дельта
LM4671 microSMD-9 1 2,4 5,5 2,2 (5) 1,2 (5) 2,5 (5) 1,7 (5) 0,1 (0,1/5) 86 (1/5) Безфильтровой ШИМ
LM4673 LLP-8, microSMD-9 1 2,4 5,5 2,15 (5) 1,25 (5) 2,65 (5) 1,7 (5) 0,03 (0,1/5) 86 (1/5) То же, Сверхминиатюрный
LM4674 microSMD-16 2 2,4 5,5 1,9 (5) 1,2 (5) 2,5 (5) 1,5 (5) 0,07 (0,5/5) 85 (1/5) То же, Установка Ки = 6/12/18/24 дБ
Таблица 3.
<в о * Напряжение питания Еп Отношение сигнал/шум Переходное затухание КНИ
Тип Корпус Вид регулировки В дБ дБ % Интерфейс Примечание
мин макс тип тип тип
LM1971 DIP-8, SO-8 1 Уровень 4,5 12 115 – 0,001 Послед. треховпр. Отключение звука
LM1972 DIP-20, SO-20 2 Уровень 4,5 12 120 110 0,001 То же То же
LM1973 DIP-20, SO-20 3 Уровень 4,5 12 120 110 0,001 То же То же
LM1036 DIP-20, SO-20 2 Уровень, тембр, баланс 9,0 16 80 75 0,05 Аналоговый
LN4610 DIP-24 2 Уровень, тембр, баланс 9,0 16 80 75 0,05 То же Раширение стеро-базы National 3D
выполнены по мостовой схеме.
Величина коэффициента усиления 6, 12, 18 или 24 дБ устанавливается управляющими напряжениями на выводах GAIN0 и GAIN1. Имеются раздельные входы включения дежурного режима /SDR и /SDL, токопотребление при этом составляет 0,1 мкА/канал.
В ассортименте продукции National Semiconductor имеется несколько ИМС — электронных регуляторов для аудиоустройств. Параметры этих микросхем приведены в таблице 3.
Одно-, двух- и трехканальные прецизионные аттенюаторы с управлением по трехпроводному последовательному интерфейсу LM1971/2/3 позволяют регулировать уровень звукового сигнала в диапазоне 0-76 дБ с шагом 1 дБ при великолепном соотношении сигнал/шум, величине переходного затухания между каналами и ничтожно малых нелинейных искажениях. Область применения данных устройств — различная аппаратура управления звуком, микшерские пульты, электронные музыкальные инструменты, звуковые платы компьютеров и т.
п. Выпускаются в корпусах DIP и SO.
ИМС LM1036 и LM4610 — это интегрированные тонкомпенсированные регуляторы
громкости, стереобаланса и тембра по высоким и низким частотам для двухканальных стереосистем с управлением постоянным напряжением. Отличаются малым числом внешних элементов, в частности, АЧХ регулировки тембра, глубина которой на крайних частотах достигает ±18 дБ, устанавливается для каждого диапазона одним внешним конденсатором. В ИМС LM4610 дополнительно имеется отключаемое устройство расширения стереобазы National 3D.
В заключение рассмотрим оригинальную ИМС LM4970, также относящуюся к семейству Boomer и представляющую собой программируемый индикатор уровня, — трехполосный спектроанализатор звукового сигнала для портативной радиоаппаратуры. Микросхема содержит три независимых аудиовхода (левый канал, правый канал, моно), микшер, полосовые фильтры низких, средних и высоких частот, АЧХ которых определяются емкостью внешнего конденсатора, а также ШИМ-контроллеры тока светодиодов, управляющие яркостью их свечения пропорционально уровню звукового сигнала в соответствующем диапазоне частот.
Параметры работы ИМС (коэффициент усиления, ток светодиодов, частота ШИМ и др.) про-
граммируются по двухпроводной последовательной шине I2C. Максимальный ток светодиодов для каждого из трех частотных каналов при напряжении питания 5 В составляет 42 мА, при этом внешние балластные резисторы не требуются. LM4970 выпускается в 14-выводном корпусе LLP.
Для сокращения затрат времени на выбор и тестирование интегральных усилителей звуковой частоты National Semiconductor создала удобную онлайн-технологию WEBENCH, размещенную на сайте фирмы. Новое интерактивное средство имеет мощную систему поиска, позволяющую быстро и точно находить нужный компонент среди массы других изделий, а также провести электрическое и температурное моделирование работы устройства на виртуальной печатной плате, компоновка и разводка которой тоже выполняется в программной оболочке WEBENCH.
При работе с WEBENCH разработчику электронных устройств больше не нужно производить трудоемкие расчеты схем и дорогостоящее физическое макетирование.
Технология обеспечивает мгновенный доступ к самым последним SPICE-моделям, спецификациям, параметрам, инструкциям по применению и иной информации об изделиях National Semiconductor, а также предоставляет возможность проводить сравнение характеристик нескольких устройств одновременно. WEBENCH интегрирован с системой онлайн-заказов, National Semiconductor гарантирует поставку любых, поддерживаемых средствами WEBENCH продуктов, в пределах 24 часов.
Широкая номенклатура и невысокая стоимость интегральных микросхем National Semiconductor для аудиотехники, возможность онлайнового выбора и тестирования делает их весьма привлекательными для широкого круга разработчиков РЭА. Более подробную техническую информацию можно найти на сайте фирмы ht tp:/ /w ww.national.c om, а также на сайте ЗАО «ПРОМЭЛЕКТРОНИКА», официального дилера National Semiconductor, по электронному адресу: ht tp:/ /w ww.promelec.r u/ lines/nsc.lit ml. ■
Литература
1.
National Analog Products Databook. 2004 Edition.
2. Штрапенин Г. Л. Современные операционные усилители фирмы National Semiconductor // Компоненты и технологии. 2005. № 7.
3. Козенков Д. Усилители мощности семейства Boomer компании National Semiconductor // Электронные компоненты. 2005. № 9.
4. Штрапенин Г. Л. Интегральные импульсные стабилизаторы напряжения фирмы National Semiconductor // Компоненты и технологии. 2005. № 1.
5. Козенков Д. Интегральные усилители класса D // Электронные компоненты. 2005. № 9.
ООО ПромСнабЭлектро сотрудничает с крупнейшими мировыми производителями электронных компонентов:
|
Подобным образом сохранились в номенклатуре и все МОП-транзисторы 5-го поколения и IGBT-транзисторы 4-го поколения, а также твердотельные оптореле.
В наши дни в компании MAXIM действуют 17 бизнес-подразделений, которые выпускают более 5400 наименований ИС в 83 функциональных группах.
Эти линии значительно расширили номенклатуру цифровых микросхем MAXIM и обеспечили компании выход на новые сегменты рынка. Показательно, что брэнд DALLAS сохранялся в названии компании вплоть до 2007 года, а микросхемы DSxxx выпускаются и поныне.
Имея соглашения с 32 дистрибьюторами и поддерживая 22 собственных офиса по всему миру, MAXIM активно продвигает свою продукцию, обеспечивая эффективную поддержку разработчиков.
Официальное объявление о смене названия производится в соответствии с соглашением между компанией Royal Philips и консорциумом Kohlberg Kravis Roberts & Co. (KKR), Bain Capital, Silver Lake Partners, Apax и AlpInvest Partners NV.
Номенклатура изделий фирмы включает более 2000 наименований источников питания AC/DC, конверторов DC/DC и инверторов DC/AC, производимых на заводах в КНР и на Тайване.
, Ltd.
Однако, по мнению автора, построив канал поставки своей продукции в Россию через эксклюзивного дистрибьютора, компания MICROCHIP не в полной мере использовала потенциал российского рынка. Но ситуация начинает меняться.
Уже в 1930 году основным бизнесом компании становится производство автомобильных радиоприемников. Именно тогда появляется бренд “Motorola”, связавший автомобильную тематику (мотор) с суффиксом “ola” (звук), а в 1947 году вся компания получает название MOTOROLA. Еще одним изделием, на многие годы определившим вектор развития компании, стали радиостанции, разработанные по заказу полиции.
С этими компаниями заключены договоры о взаимной технической поддержке клиентов – специалисты Wavecom проводят тестирование уровней сигналов оператора и работы своей продукции в соответствующих зонах покрытия сетей GSM.
24, таймеров приложений, состояния вводов/выводов общего назначения и др.
Но опыт, полученный при разработке и производстве компьютеров, как mainframe, так и PC, был успешно применен компанией во всех своих дальнейших проектах.
Другое дело – датчики: предлагаемая HONEYWELL широчайшая гамма датчиков предназначена для измерения физических, механических и электрических величин. Они позволяют измерять скорость, положение, давление, силу, расход, ток, напряженность магнитного поля, температуру и влажность. Деятельность российских дистрибьюторов – партнеров HONEYWELL по продвижению на рынок этих датчиков: проведение семинаров, публикации в журналах, издание справочников и CD-ROM, сделала их популярными и доступными элементами для применения в самых различных системах. 
| Production of semiconductor devices such as integrated monolithic circuits and diodes. wipo.int |
Продукция для полупроводниковых устройств, таких, как платы для интегральных схем и диоды. wipo.int |
Epiel”, CJSC was founded in 1998 in Zelenograd (Moscow) in […] order to deliver silicon epitaxial structures for high power semiconductor devices and integrated circuits industry in Russia. moscow-export.com |
ЗАО “Эпиэл” было основано в 1998 году в […]Зеленограде (Москва) с целью обеспечения […] поставок кремниевых эпитаксиальных структур для производства мощных полупроводниковых приборов и биполярных интегральных схем […]в России. moscow-export.com |
German Hager Hager 220V 20-400W the stepless dimming governor workmanship first-class […]double-circuit board, […] double-sided SMD components, American national semiconductor integrated circuit, high-power silicon world famous […]factory components, […]awesome workmanship. working range :220-240V AC 50HZ 20-400W leads approx 9CM Size: Total Length 55MM (with shaft), shell length 47MM shell diameter 23.5MM (excluding protruding parts). imendit.com |
Немецкий Hager Hager 220В 20-400Вт бесступенчатой затемнения губернатора мастерство первоклассных […]двойной плате, […] двусторонняя SMD компонентов американской национальной полупроводниковые интегральные схемы, мощных кремниевых […]компонентов всемирно […]известной фабрики, удивительный . изготовления рабочий диапазон :220-240V AC 50HZ 20-400W приводит примерно 9CM Размер: Общая длина 55мм (с валом), длина раковины 47мм диаметр корпуса 23,5 мм (без выступающих частей) Официальный сайт: http://www. ru.imendit.com |
In all countries, capacities and needs have been assessed and national networks involving relevant stakeholders have […]been established to support the […] development of remote sensing for integrated management of ecosystems and water […]resources. unesdoc.unesco.org |
Во всех странах была проведена оценка потенциала и потребностей, и были созданы национальные сети с […]участием соответствующих […] сторон для поддержки развития дистанционного зондирования в целях комплексного […]управления экосистемами […]и водными ресурсами. unesdoc.unesco.org |
UNESCO and the European Space Agency, as […] co-chairs of the Integrated Global Observing […]Strategy (IGOS), highlighted the role […]that Earth observation plays in the planning of sustainable development. unesdoc.unesco.org |
В качестве сопредседателей по Комплексной стратегии […] глобальных наблюдений (ИГОС) ЮНЕСКО и Европейское космическое агентство […]провели работу по разъяснению той важной роли, которую наблюдения за Землей играют в разработке планов устойчивого развития. unesdoc.unesco.org |
There seemed to be a lack of awareness that (a) […]persons with disabilities prior to the […] disaster need to be integrated into the disaster […]preparedness measures in an adequate […]manner correspondent to their needs; (b) a substantial number of persons may acquire disabilities during the disaster, for instance in cases where earthquakes have caused buildings to collapse and many persons lose a limb as a result. daccess-ods.un.org |
Представляется, что не было осведомленности о том, что а) […] инвалиды должны быть включены в комплекс […]мер по готовности к бедствию до его наступления […]таким образом, который соответствовал бы их потребностям; b) значительное число людей могут приобрести инвалидность в ходе стихийного бедствия, например, в случаях, когда в результате землетрясений обрушивались здания, и многие лица вследствие этого получали увечья. daccess-ods.un.org |
The description of production: Development and commercialization of various innovation projects, based on the underlying […]technology of combining molecular sieves and […] nanocomposite semiconductor sensors (CON-SENS), […]and creation on its basis gas-analyzing […]equipment for various purposes, requiring both high selectivity, high sensitivity and low false responses. moscow-export.com |
Описание выпускаемой продукции: Разработка и коммерциализация различных инновационных проектов на […]основе базовой технологии […] комбинирования молекулярных сит и нанокомпозитных полупроводниковых […]сенсоров (CON-SENS) и создания […]на её основе газоаналитического оборудования различного назначения, требующего одновременно высокой селективности, высокой чувствительности и низкого уровня ложных срабатываний moscow-export.com |
If a DC fuse is fitted in series with the armature it must […] be a DC rated semiconductor type with current […]rating 1.2 times the motor full load […]current, DC voltage rating suitable for the maximum armature voltage and with an I2 t rating less than the maximum shown in the table. sprintelectric.ru |
Если предохранитель […]пост. тока включен последовательно с […] якорем, то это должен быть полупроводниковый […]предохранитель пост. тока с номиналом тока […]1.2 от тока полной нагрузки двигателя, номиналом пост. напряжения по макс. напряжению якоря и с номиналом I2t меньше показанного в таблице максимума. sprintelectric.ru |
169 Intellectual property rights include for the purpose of this Declaration in particular copyright and related rights (including computer programmes and data bases), […]trademarks, geographical indications, patents, […] designs, topographies of semiconductor products and undisclosed […]information. arbitrations.ru |
Права интеллектуальной собственности, в частности, включают, для целей настоящей Декларации, авторское право и смежные права (включая компьютерные программы […]и базы данных), товарные знаки, […] географические указания, патенты, топологии, топографии […]полупроводниковых продуктов и закрытую информацию. arbitrations.ru |
At that session, the Commission, on the basis of a proposal of the joint Bureaux of the Committee and the […]Commission, decided to amend the […] Strategic Plan of the Integrated Programme of Work on […]timber and forestry so as to fully […]integrate all the subsidiary bodies of the Commission. daccess-ods.un.org |
На этой сессии Комиссия на основе предложения бюро Комитета и […]Комиссии приняла решение внести […] изменение в Стратегический план осуществления комплексной […]программы работы по лесоматериалам […]и лесному хозяйству с целью обеспечения полного учета в нем деятельности всех вспомогательных органов Комиссии. daccess-ods.un.org |
The lower end of the range applied to relatively simple ERP implementations in environments in which little or no re-engineering of processes was required, the existing processes were […]already running at full efficiency, […] the systems were already integrated, there was little complexity […]in conversion from the old […]to the new system, there was high organizational readiness and a single or small number of geographical areas were to be considered. daccess-ods.un.org |
К нижней части этого диапазона относятся относительно простые виды применения ОПР в условиях, когда требуются незначительные или вообще не требуются […]технические переделки, действующие […] процессы уже используются с максимальной эффективностью, системы […]интегрированы, переход от старой […]к новой системе не представляет значительных трудностей, достигнута высокая организационная готовность и необходимо учесть один или всего лишь несколько географических районов. daccess-ods.un.org |
The delegation observed that the Department of Social Development sought to empower individuals and families and reduce dependency, to safeguard and promote the interests and well-being of children, to […]integrate and protect marginalized and […] vulnerable groups and to adopt an integrated and evidence-based approach to […]development. daccess-ods.un.org |
Делегация отметила, что Департамент социального развития стремится расширить полномочия отдельных лиц и семей и уменьшить зависимость, охранять и поощрять […]интересы и благополучие […] детей, интегрировать и защищать маргинализованные и уязвимые группы населения […]и применять комплексный […]и основанный на фактах подход к развитию. daccess-ods.un.org |
| The Advisory Committee points out that the lack of integrated, coherent information is a major weakness of the current information and communications technology environment, which impedes the Organization’s ability to manage its resources effectively and Member States’ ability to make informed decisions, and which was also a key factor leading to the decision to replace the Integrated Management Information System (IMIS). daccess-ods.un.org |
Комитет отмечает, что отсутствие интегрированной, согласов анной информации является серьезным недостатком нынешней системы информационно-коммуникационной технологии, который ограничивает способность Организации осуществлять эффективное управление своими ресурсами и возможности государств-членов по принятию взвешенных решений и который также является одним из ключевых факторов, лежащих в основе принятия решения о замене Комплексной системы управленческой информации (ИМИС). daccess-ods.un.org |
Microelectronic Solutions segment is engaged in […]the design, manufacture, testing […] and distribution of semiconductor products and components; […]distribution and production […]of chip cards, microchip packaging and related solutions. sitronics.com |
Сегмент «Микроэлектронные решения» […]занимается проектированием, […] производством, тестированием и продажами полупроводниковых продуктов […]и компонентов, производством […]и продажами смарт-карт, микросхем и связанной с ними продукции. sitronics.ru |
As program’s developers consider, the most prospective focus areas for the […]development of regional […] nanotechnologies are nanobiotechnology, semiconductor nano– and optoelectronics, […]construction and composition […]nanomaterials, as well as application of natural nanostructurized materials. ulregion.com |
По мнению разработчиков программы, наиболее перспективными […]направлениями развития […] нанотехнологий в регионе являются нанобиотехнология, полупроводниковая нано- […]и оптоэлектроника, конструкционные […]и композиционные наноматериалы и использование природных наноструктурированных материалов. ulregion.com |
For example, the physical […] theory of semi-conductivity would be excluded, whereas new semiconductor devices and processes for manufacturing would require search […]and preliminary examination. wipo.int |
Например, физическую теорию полупроводников следует исключить, в то время как новые полупроводниковые устройства и способы их изготовления […] потребуют проведения поиска и предварительной экспертизы. wipo.int |
| By using complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology, low power consumption […] could be achieved, making battery-operated systems feasible. oosa.unvienna.org |
Благодаря использованию технологии […] комплементарных металло–оксидных полупроводников (CMOS) можно добиться снижения […]потребляемой мощности, что […]дает возможность разработки систем, работающих на аккумуляторах. oosa.unvienna.org |
These enhancements are rapidly being adopted by […]supporters of the 6Gb/s SAS […] ecosystem — including OEMs, semiconductor suppliers, board suppliers, […]drive manufacturers and RAID […]card manufacturers — and are expected to help the 6Gb/s SAS protocol move beyond blade storage and shareable DAS and into new applications. adaptec.com |
Эти улучшения активно реализуются компаниями, […]поддерживающими экосистему 6 Гб/с, […] включая ОЕМ-поставщиков, поставщиков полупроводниковой продукции, […]производителей накопителей […]и RAID-контроллеров; благодаря поддержке стандарт 6 Гб/с будет использоваться не только в блейд-серверах и системах с прямым подключением (DAS), но и в других приложениях. adaptec.com |
Therefore, the question is no longer whether renewables are an option. Now the question is how to integrate renewable energy into national sustainable development strategies and other comprehensive development plans that help countries to achieve […]their economic, […] environmental and social objectives in an integrated manner in order to make them more […]affordable, especially for developing countries. daccess-ods.un.org |
Таким образом, вопрос заключается уже не в том, заслуживают ли возобновляемые источники энергии внимания, а в том, как интегрировать возобновляемые источники энергии в национальные стратегии устойчивого развития и другие планы по […]развитию, которые страны […] используют для достижения своих экономических, экологических и социальных целей […]в рамках комплексного […]подхода, с тем чтобы сделать их более доступными, особенно для развиваю щихся стран. daccess-ods.un.org |
Compared […] to the other power 230 semiconductor devices, its main advantages […]are high commutation speed and good efficiency at low voltages. sitronics.com |
По сравнению с другими мощными полупроводниковыми устройствами […] основными преимуществами являются высокая скорость передачи […]сигнала и хорошая эффективность при низких напряжениях. sitronics.ru |
The following topics are included: acquaintance with a LabView software most often applied in laboratories to automation of experiment, a photolithography without which the modern manufacturing techniques of low-dimensional structures is impossible, as well as the tasks allowing students to master […]bases of low-temperature experiment, a technique of a high […] pressure, work with low-dimensional semiconductor structures.issp.ac.ru |
Сюда включено ознакомление с пакетом LabView, наиболее часто применяемым в лабораториях для автоматизации эксперимента, задача по фотолитографии, без которой немыслима современная технология изготовления низкоразмерных структур, а также задачи, позволяющие студентам освоить основы […]низкотемпературного эксперимента, […] методики создания высокого давления, работы с низкоразмерными […]полупроводниковыми структурами. issp.ac.ru |
Well-proven by years of use in the field, RGh30F […] UHV is fitted on semiconductor and scientific […]equipment around the world, where high […]performance and reliability simply cannot be compromised. renishaw.com |
Прекрасно зарекомендовавшая себя многолетней […]практикой эксплуатации, головка RGh30F UHV […] используется по всему миру в полупроводниковых устройствах […]и научном оборудовании, где […]требуются исключительная надежность и самые высокие характеристики. renishaw.ru |
Recently, however, with the […] rapid development of the semiconductor industry, helium consumption […]in APR countries has increased […]its share to 15% of the total (and continues to show growth potential). de.ey.com |
Однако […] в последнее время на фоне бурного развития полупроводниковой отрасли […]до 15% от общего объема увеличилось (и продолжает […]демонстрировать тенденцию к дальнейшему росту) потребление гелия в странах АТР. ey.com |
| For the U.S.-Japan Semiconductor Agreement of 1986 that imposed “antidumping” restrictions on imports of semiconductors from Japan slowed the […] shift of Silicon Valley toward software and other […]higher valued added products and services. project-syndicate.org |
Соглашение между США и Японией в1986 году, установившее «антидэмпинговые» ограничения на импорт полупроводников из Японии, затормозило переход […] Силиконовой Долины на програмное обеспечение и другие […]ценные дополнительные продукты и услуги. project-syndicate.org |
Rusichi» have combined all stateof-the-art technologies of the world subway car building — innovative design, comfortable passenger […]saloon, new pulling drive on the […] basis of modern power semiconductor engineering, microprocessor […]control system ensuring safety […]and diagnostic operation of all car equipment with the data display to the driver, safe brake system with a back up as well as automatic system of fire detection and extinction. tmholding.ru |
Русичи» вобрали в себя все передовые технологии мирового метровагоностроения — инновационный дизайн, комфортабельный […]пассажирский салон, новый тяговый […] привод на базе современной силовой полупроводниковой техники, […]микропроцессорную систему управления, […]обеспечивающую безопасность и диагностику всего вагонного оборудования с выводом информации на дисплей машиниста, надежную тормозную систему с резервированием, а также автоматическую систему обнаружения и тушения пожаров. tmholding.ru |
Students and trainees acquire the basics of […]electrical engineering and […] electronics, become familiar with semiconductor components and learn about […]basic and applied electronic […]circuits and basic and applied digital circuits. lucas-nuelle.ae |
Учащиеся получают знания по основам […] автомобильной электротехники и электроники, полупроводниковым элементам, […]основным электронным схемам, […]прикладным электронным схемам, а также основным и прикладным цифровым схемам. lucas-nuelle.ru |
To maintain the proper functioning of the device during its operation it is necessary to pay attention to the fact that the presence of a high concentration of gas or vapour other than those for which the transmitter is set, can create an alarm, even if the […]concentration of monitored gas does not exceed the level set (this is […] particularly applicable to semiconductor transmitters).dega.cz |
Для поддержания нормальной работы устройства при работе необходимо считаться с фактом, что появление высоких концентраций иных газов или паров, чем на которые настроен датчик, может вызвать срабатывание сигнала тревоги, несмотря на то, что […]концентрации обнаруженного газа не превышают установленный уровень […] (действительно, прежде всего, для полупроводниковых датчиков).dega.cz |
The IGE, the agency responsible for commercial protective rights and copyrights, is a center of competence for all […]aspects of patents, trademarks, […] designs, topographies of semiconductor products, copyrights […]and other related protective rights. locationswitzerland.com |
IGE несет ответственность за права промышленной собственности и авторские права. Институт является компетентным […]партнером по любым вопросам, связанными […] с патентами, марками, образцами, топографией полупроводниковых […]изделий, авторскими и родственными правами. locationswitzerland.com |
The MicroTester is well suited for applications commonly […] found in the semiconductor and electronics […]industries, such as die shear and pull […]tests of chips and IC’s, solder ball adhesion, tensile testing of thin composite fibers or fine wires, flex testing of circuit boards and substrates, peel tests of thin films and substrates, and a range of friction tests on small components. instron.us |
Микросистема для испытаний подходит для приложений, […] часто встречающихся в полупроводниковой и […]электронной промышленности, например, испытаний […]на сдвиг матрицы, испытаний на растяжение чипов и ИС, адгезию шарикового вывода, испытаний на растяжение тонких композитных волокон или тонких проволок, испытаний на изгиб схемных плат и субстратов, испытаний на отслаивание тонких пленок и субстратов, а также ряд испытаний на трение мелких компонентов. instron.ru |
official website: http://www . hagergroup.net / consider before you buy.Интегральные радиочастотные синтезаторы частоты с ФАПЧ National Semiconductor – Компоненты и технологии
Фирма National Semiconductor является одним из ведущих производителей интегральных микросхем (ИМС) радиочастотных синтезаторов частоты (РСЧ) на основе системы фазовой автоподстройки частоты — Phase Lock Loop (ФАПЧ — PLL). Последнее семейство синтезаторов серии PLLatinum охватывает частотный диапазон до 5 ГГц и обладает наилучшими в мире характеристиками, аналоги микросхем серии выпускаются и другими фирмами во многих странах. National Semiconductor поставляет свои изделия основным мировым производителям оборудования средств связи, таким как AT&T, Ericsson, Siemens, NEC и Alcatel.
Принцип работы устройств с системой ФАПЧ основан на использовании генератора, управляемого напряжением (ГУН), частота которого подстраивается под частоту входного управляющего сигнала с точностью до некоторого (небольшого) фазового сдвига. Структурная схема простейшей системы ФАПЧ приведена на рис. 1.
Рис. 1. Упрощенная структурная схема устройства фазовой автоподстройки частоты
Для сравнения частоты и фазы ГУН и входного сигнала Uвх используется фазовый детектор ФД, на выходе которого формируется сигнал ошибки Uош, поступающий на фильтр нижних частот ФНЧ. Выходной сигнал последнего Uупр является сигналом управления для автоматической подстройки частоты и фазы ГУН.
Система ФАПЧ может быть не только аналоговой, но и импульсной, цифровой или комбинированной. В импульсной системе ФАПЧ в качестве ФД используется логическая схема на D-триггерах с программируемой задержкой срабатывания и выходным каскадом в виде управляемого генератора тока на комплементарных полевых транзисторах — так называемой схеме подкачки заряда (Charge Pump), длительность выходных импульсов которой пропорциональна разности фаз входных сигналов, а в цифровой ФАПЧ выходным является цифровой сигнал (поток данных), полученный в результате обработки квантованных отсчетов аналогового сигнала.
Типовая структурная схема современного радиочастотного синтезатора частоты с импульсно-фазовой ФАПЧ, приведенная на рис. 2, включает делитель частоты входного (опорного) сигнала кварцевого генератора Fоп с фиксированным целочисленным коэффициентом деления (ДФКД), коэффициент деления которого R может устанавливаться внешним управляющим кодом, и делитель частоты ГУН с переменным коэффициентом деления (ДПКД) N, также устанавливаемым внешним кодом с шагом 1. Значение частоты выходного сигнала синтезатора Fвых рассчитывается по формуле, приведенной на рис. 2.
Рис. 2. Упрощенная структурная схема синтезатора частоты с целочисленным коэффициентом деления
Отметим, что в современных интегральных синтезаторах частоты для повышения диапазона генерируемых частот ДПКД состоит из двухмодульного (с двойным целочисленным коэффициентом деления P/P+1) предварительного высокочастотного делителя частоты — прескалера, выполняемого по технологии БиКМОП, и двух сравнительно низкочастотных поглощающих счетчиковделителей с коэффициентами пересчета A и B, работающих на частотах порядка 300МГц и ниже, которые могут быть реализованы на комплементарных МОП-структурах. При этом результирующий коэффициент деления Nпредставляется в виде N = A(P+1)+BP, и для N≥Nмин = P(P–1) можно получить непрерывную последовательность коэффициентов N вплоть до Nмакс = Aмакс+PBмакс, где величины Aмакс и Bмакс определяются разрядностью счетчиков.
К основным параметрам РСЧ с ФАПЧ относятся диапазон генерируемых частот, шаг и время перестройки, уровень побочных составляющих основного сигнала и фазовый шум, характеризующий девиацию фазы и частоты ГУН. Величина фазового шума характеризует убывание мощности сигнала по частоте и рассчитывается как отношение мощности в полосе частот шириной 1 Гц на частоте, отстоящей от основной несущей частоты на 1 кГц, к мощности сигнала основной несущей в такой же полосе частот. Фазовый шум измеряется в дБс/Гц, где дБс — уровень мощности относительно центральной частоты несущей.
Фазовый шум существенно влияет на параметры приемопередающей аппаратуры с РСЧ. С ростом коэффициента деления N фазовый шум возрастает, поэтому для уменьшения N приходится повышать частоту сигнала на входе ФД, но при целочисленном N эта частота не может быть больше шага перестройки частоты РСЧ, поэтому коэффициент N приходится выбирать довольно большим.
Стремление к уменьшению уровня фазовых шумов привело разработчиков интегральных РСЧ к созданию синтезаторов с дробно-переменным коэффициентом деления, в которых частота выходного сигнала ГУН определяется функцией суммы N+F, где N — целочисленный, а F — дробный компонент коэффициента деления частоты ДПКД. Дробный коэффициент достигается чередованием целочисленных коэффициентов деления N определенным образом, например, для достижения коэффициента деления 100,3 за время десяти выходных импульсов устанавливают три раза N = 101 и семь раз N = 100, для чего в РСЧ вводится специальный программируемый счетчик-аккумулятор, выдающий сигнал переключения для изменения коэффициента деления основного делителя на 1. Поскольку дробные синтезаторы могут работать с меньшими значениями N, чем целочисленные, их фазовые шумы оказываются меньше. Положительным качеством дробных синтезаторов является также низкий уровень спектральных составляющих вблизи основной частоты, что весьма важно для аппаратуры связи. Метод ФАПЧ и принципы построения РСЧ на его основе подробно рассматриваются в серии статей [1].
Перейдем далее к рассмотрению некоторых интегральных микросхем РСЧ National Semiconductor, полная номенклатура которых насчитывает около 50 изделий [2].
Обзор начнем с интегральных микросхем одиночных целочисленных синтезаторов, основные параметры ряда которых представлены в таблице.
Таблица. Основные параметры интегральных РСЧ National Semiconductor
Серия экономичных РСЧ LMX2306/16/26 охватывает диапазон частот до 2,8 ГГц и предназначена для применения в портативной аппаратуре с автономным питанием. Используется совместно с внешними ГУН, опорным генератором и ФНЧ. Функциональная схема ИМС синтезатора представлена на рис. 3.
Рис. 3. Функциональная схема ИСЧ с ФАПЧ серии LMX2306/16/26
Управление синтезатором осуществляется по трехпроводной последовательной шине Microwire сигналами Data, Enable (LE) и Clock. Имеется программируемая установка одного из двух значений выходного тока фазового детектора (Charge Pump Current) 0,25 мА или 1 мА, а также программируемый режим быстрого захвата (Fast Lock), в котором переключение выходного тока фазового детектора происходит в течение определенного числа периодов выходного сигнала. В микросхеме имеется также специальный вывод FL0, используемый для подключения внешнего резистора, изменяющего полосу пропускания ФНЧ, что ускоряет процесс захвата частоты, и многофункциональный выход F0LD, на который можно программно коммутировать различные внутренние сигналы микросхемы. В дежурном режиме (Power down) потребление тока ИМС снижается до 1 мкА.
Серия сверхэкономичных синтезаторов LMX2310U/1U/2U/3U работает в диапазоне частот от 45 МГц до 2,5 ГГц и предназначена для использования в устройствах мобильной связи и приемниках GPS. Отличается переключаемыми коэффициентами деления прескалера (16/17 или 8/9 для LMX2313U и 32/33 или 16/17 для остальных) и низким минимальным уровнем сигналов шины управления 1,72 В. По остальным параметрам эти устройства аналогичны предыдущей серии.
Интегральный РСЧ LMX2324 — вариант простого и дешевого решения для построения различных персональных радиочастотных устройств — мобильных и бесшнуровых телефонов различных стандартов, устройств связи компьютеров и т. п. Работает в широком диапазоне частот и отличается сравнительной простотой схемотехники внешних элементов и программирования по трехпроводной шине Microwire. Выпускается также улучшенный вариант LMX2324 — серия LMX2346/7, отличающаяся низким уровнем фазовых шумов. По расположению выводов микросхемы LMX2346 и LMX2347 совместимы с очень популярными ранее выпускавшимися ИМС LMX2323.
Перейдем далее к рассмотрению двойных интегральных РСЧ, предназначенных для использования совместно с внешними ГУН и ФНЧ в качестве гетеродинов приемных и передающих устройств с двойным преобразованием частоты, при этом из одного опорного сигнала формируются когерентные сигналы двух частот, например, радио (RF) и промежуточной (IF) частоты.
Серия недорогих двойных целочисленных синтезаторов LMX1600/1/2 (в таблице приведены параметры только LMX1600) охватывает диапазон частот до 2 ГГц основного и до 500 кГц второго канала и предназначена для использования в бытовых средствах связи. Отличается сравнительной простотой применения и программирования. Имеется встроенный программируемый цифровой детектор захвата ФАПЧ в обоих каналах и аппаратный и программный режим пониженного энергопотребления Power Down.
Более совершенные двойные интегральные РСЧ серий LMX2330L/31L/32L и их экономичный вариант LMX2330U/31U/32U позволяют получить расширенную сетку частот при низком уровне фазовых шумов, содержат цифровой и аналоговый детектор захвата и обеспечивают весьма высокие параметры выходных сигналов RF и IF. По аналогичным схемам выполнена серия интегральных РСЧ LMX2370/77U, отличающаяся широким диапазоном рабочих частот и низким минимальным уровнем сигналов шины управления Microwire (1,8 В). Основной синтезатор ИМС LM2377U снабжен программируемой системой быстрого захвата частоты Fast Lock.
Последнее достижение National Semiconductor в области создания двойных целочисленных РСЧ — ИМС LMX2430/33/34, предназначенные для синтеза частот в диапазоне до 5 ГГц. Микросхемы отличаются высокой экономичностью при низком напряжении питания 2,5 В и чрезвычайно малым уровнем фазовых шумов, необходимым для высококачественной аппаратуры связи. Функциональная схема интегрального РСЧ серии LMX243x приведена на рис. 4.
Рис. 4. Функциональная схема ИСЧ с ФАПЧ серии LMX2430/33/34
Оба синтезатора микросхемы имеют программируемые системы Fast Lock и цифровой и аналоговый детекторы захвата частоты Lock Detect (выход последнего конфигурируется как двухтактный или с открытым стоком), а также два мультиплексированных выхода внутренних сигналов микросхемы, расширяющих возможности использования РСЧ LMX243x в приемопередающей аппаратуре.
Как уже было отмечено выше, синтезаторы ФАПЧ с дробным коэффициентом деления обладают по сравнению с целочисленными рядом преимуществ, а именно снижением фазового шума вблизи несущей частоты и уменьшением времени перестройки. Компания National Semiconductor выпускает одиночные и двойные интегральные РСЧ с дробным коэффициентом деления (у двойных синтезаторов с дробным коэффициентом реализуется высокочастотная секция RF, а секция промежуточной частоты IF выполняется на базе целочисленного делителя).
Рассмотрение начнем с двойных дробных РСЧ серии LMX2350/2 (выпускается также одиночный РСЧ LMX2353 с параметрами, аналогичными RF-части LMX2350), охватывающих частотный диапазон 0,5–2,5 ГГц и 0,25–1,2 ГГц соответственно. Обе ИМС серии включают схему ФАПЧ промежуточной частоты (IF) с целочисленным коэффициентом деления, работающую в диапазоне от 10 до 550 МГц. Радиочастотные (RF) делители представляют собой схему деления на 15/16 с дробной компенсацией для обеспечения дробно-переменного коэффициента деления.
Выходные токи фазовых детекторов LMX2350/2 могут программно устанавливаться в диапазоне от 0,1 до 1,6 мА сшагом 100 мкА для радиочастотной части и 0,1 или 0,8 мА для части ПЧ. Имеется режим пониженного энергопотребления Power Down (потребляемый ток 5 мкА при напряжении питания 3 В), которым можно управлять с помощью сигналов, подаваемых на разрешающие выводы ИМС RF_EN и IF_EN или с помощью кода по трехпроводной шине управления. Отметим, что в общем случае состояние разрешающих выводов преобладает над кодом шины управления режимом Power Down (за исключением кода управления RF-части схемы ФАПЧ). Активация режима пониженного энергопотребления любой схемы ФАПЧ останавливает соответствующий счетчик N, а также опорный счетчик. Переустановка счетчиков может быть произведена командой переключения режимов. В режиме пониженного энергопотребления шина управления остается активной и позволяет загружать новые данные. ИМС LMX2350 и LMX2352, как и другие интегральные РСЧ с ФАПЧ серии PLLatinum, изготавливаются по запатентованной технологии BiCMOS National Semiconductor.
Дальнейшее развитие дробные РСЧ получили в виде ИМС двойного LMX2354 синтезатора и его усовершенствованного аналога LMX2364, отличающихся расширенным диапазоном коэффициентов деления основного прескалера и меньшим энергопотреблением, а также в серии микросхем LMX2470/1, в которых для снижения фазового шума дробности используется цифровая коррекция с сигма-дельта модулятором [1], действующая как эффективный аналоговый фильтр, при этом шумовой спектр переносится в область более высоких частот за пределы частоты захвата, где шумы хорошо подавляются. Порядок сигма-дельта модулятора от 2 до 4, влияющий на параметры фильтрации, устанавливается программно. Функциональная схема ИМС двойного РСЧ LMX2471 представлена на рис. 5.
Рис. 5. Функциональная схема ИСЧ с ФАПЧ серии LMX2470/71
Радиочастотный тракт серии LMX2470/1 охватывает диапазон частот от 500 МГц до 3,6 ГГц. Микросхема содержит все элементы, необходимые для эффективной работы — систему быстрого захвата частоты Fast Lock в обоих каналах с переключаемым выходным током и детекторы захвата Lock Detect, поддерживает программный и аппаратный режимы Power Down и т. д. Максимальная частота входного опорного сигнала 110 МГц, имеется встроенный удвоитель опорной частоты для RF-канала. Стандартное напряжение питания ИМС LMX2470/1 — 2,5 В. Применяется в различных устройствах соответствующего диапазона — мобильных телефонах и базовых станциях, беспроводных компьютерных сетях, системах кабельного и спутникового телевидения и др.
Кроме управляющих микросхем ФАПЧ синтезаторов частоты в ассортименте продукции National Semiconductor имеются ИМС генераторов, управляемых напряжением — Voltage Controlled Oscillator (ГУН — VCO), и комбинированные микросхемы, сочетающие в одном корпусе схему ФАПЧ и ГУН. В частности, сдвоенный интегральный ГУН LMX2604, выпускаемый в корпусе LLP-20 с размерами 4Q4Q0,75 мм работает в диапазонах частот 880–915 МГц, 1710–1785 МГц и 1850–1910 МГц различных стандартов мобильной телефонии и предназначен для применения в соответствующих устройствах. Одна из последних разработок компании — комбинированная ИМС LMX2531, включающая высококачественный ФАПЧ ИСЧ с дробным коэффициентом деления и сигма-дельта коррекцией, частично интегрированный программируемый ФНЧ и ГУН. Микросхема выпускается в семи модификациях, охватывающих диапазон частот 765–2790 МГц, и предназначена для использования в аппаратуре радиосвязи различных стандартов, передачи данных и др. Функциональная схема ИМС LMX2531 приведена на рис. 6.
Рис. 6. Функциональная схема ИСЧ с ФАПЧ и встроенным ГУН LMX2531
LMX2531 рассчитана на типовое напряжение питания 3 В, ток потребления 37 мА (7 мкА в режиме Power Down). Управление производится по трехпроводной шине Microwire 1,8 В. Выпускается в 36-выводном корпусе LLP. Нормальная работа всех рассмотренных в обзоре микросхем гарантируется в диапазоне температур от –40 до +85 °С.
Для сокращения затрат времени на выбор и тестирование интегральных синтезаторов частоты сФАПЧ компания National Semiconductor создала и разместила на сайте по адресу http://webench.national.com/appinfo/webench/ EasyPLL удобную программную оболочку Easy PLL, являющуюся частью онлайнового программного пакета автоматизированного проектирования электронных устройств WEBENCH и дающую возможность произвести оптимальный выбор подходящих микросхем, а также спроектировать и проанализировать работу радиочастотного синтезатора частоты ФАПЧ с требуемыми параметрами. Используя Easy PLL, разработчик электронных устройств освобождается от необходимости производить трудоемкие расчеты схем и дорогостоящее физическое макетирование. Технология обеспечивает мгновенный доступ к самой свежей информации о компонентах National Semiconductor, а также позволяет пользователю проводить сравнение характеристик нескольких устройств одновременно.
Использование программной оболочки Easy PLL абсолютно бесплатно. Компания National Semiconductor гарантирует поставку любых поддерживаемых средствами WEBENCH продуктов в пределах 24 часов.
Широкая номенклатура, относительно невысокая стоимость и возможность онлайнового выбора интегральных радиочастотных синтезаторов частоты National Semiconductor делает их весьма привлекательными для широкого круга российских разработчиков РЭА.
Более подробную техническую информацию можно найти на сайте ЗАО «ПРОМЭЛЕКТРОНИКА», официального дилера компании National Semiconductor, по электронному адресу: http://www.promelec.ru/lines/nsc.html
Литература
- Стариков О. Метод ФАПЧ и принципы синтезирования высокочастотных сигналов // Chip News. 2001. NN 6–8, 10.
- National Analog Products Databook. 2004 Edition.
| PHLX Semiconductor Sector | |
| Дата начала расчёта | 7 сентября 1994 года |
|---|---|
| Статус | Рассчитывается |
| Биржи | Филадельфийская фондовая биржа |
| Базовое значение | 200, 00 пунктов |
| Базовая дата | 1 декабря 1993 года |
| Компоненты | 19 |
PHLX Semiconductor Sector — американский фондовый индекс, рассчитываемый на Филадельфийской фондовой бирже, включающий в себя акции компаний, занимающихся в основном разработкой и производством полупроводников. Индекс начал рассчитываться 7 сентября 1994 года. За базовое значение принято состояние на 1 декабря 1993 года
.Компоненты индекса
:- Altera
- Applied Materials
- Advanced Micro Devices
- Broadcom
- Freescale Semiconductor
- Infineon Technologies
- Intel
- KLA-Tencor
- Linear Technology
- Marvell Technology Group
- Micron Technology
- Maxim Integrated Products
- National Semiconductor
- Novellus Systems
- STMicroelectronics
- Teradyne
- Taiwan Semiconductor Manufacturing
- Texas Instruments
- Xilinx
- Официальный сайт биржи
База расчёта индекса PHLX Semiconductor Sector Филадельфийской фондовой биржи | ||
|---|---|---|
| ||
О компании
Если вы интересуетесь, где можно на самых выгодных условиях заказать качественные электронные компоненты от лучших зарубежных производителей, обращайтесь на официальный сайт нашей компании. ООО «Коннект Маркет» давно занимается поставками высококлассных комплектующих для электроники. Причем мы охотно сотрудничаем не только с оптовыми покупателями, заказывающими большие партии различных компонентов для изготовления, починки или обслуживания разнообразной электронной техники, но и с частными лицами, приобретающими один-два аксессуара для собственных нужд.
Преимущества ООО «Коннект Маркет»:
- богатейший ассортимент;
- оперативное обслуживание клиентов;
- бесплатные консультации при выборе и покупке;
- индивидуальное отношение к каждому покупателю;
- наиболее приемлемые цены среди всех конкурентов;
- быстрая доставка во все регионы Российской Федерации.
Импортное производство – гарантия высочайшего качества
На нашем специализированном сайте вы найдете все, что необходимо, чтобы собрать, модернизировать, разработать качественную электронную технику или организовать ее первоклассный сервис. Мы поставляем продукцию всех ведущих производителей Европы и мира, чья продукция не требует особого представления, ведь ее отличные технико-эксплуатационные характеристики давно и неоднократно доказаны на практике.
У нас в каталоге электронные компоненты от:
- Amphenol и Xilinx;
- Mini Circuits, Pasternack
- Carlo Gavazzi и Souriau;
- FCI и IXYS;
- Crouzet и MA-Com;
- Finisar и PhoenixContact;
- Bussmann и Semikron;
- Hengstler и Magnecraft;
- Fuji и Infineon;
- HiroseElectronic и Omron.
- Полный список смотрите ниже …
Весь огромнейший спектр аксессуаров для электроники вы можете заказать прямо с нашего склада от одной штуки до больших партий.
В ассортименте нашей компании:
- измерительные приборы;
- всевозможные блоки питания;
- оборудование для пайки;
- разнообразные электронные инструменты;
- техника бытового назначения;
- приборы для измерения температуры различных сред;
- устройства для метеорологических исследований.
У нас вы найдете все – от датчиков и сенсоров до разъемов и переключателей!
Производители поставляемые компанией ООО «Коннект Маркет»:
3M 4D Systems
A
Aavid Thermalloy Alorium Technology APEM
AB Connectors / TT Electronics Alpha (Taiwan) Apex Tool Group
Abracon Alpha Wire API Delevan
ACKme Networks / Zentri ALPS Electric API Technologies
Actel Altech APM HEXSEAL
Active-Semi Altera / Intel Applied Motion
Adafruit American Power Conversion Arbor Technology
Adaptive Interconnect Electronics, Inc. (AIE) American Technical Ceramics (ATC) ARCOL / Ohmite
Adesto Technologies Ametherm Arcotronics / Kemet
ADI (Analog Devices Inc.) AMI Semiconductor / ON Semiconductor Arduino
ADI Engineering AMP Connectors / TE Connectivity Aries Electronics
ADLINK Technology Amphenol Aromat
Advanced Analogic Technologies Amphenol FCI Artesyn Embedded Technologies
Advanced Linear Devices Amphenol Nexus Technologies ASI Semiconductor
Advanced Semiconductor, Inc. ams (Austria Micro Systems) Astec Power
Advanced Sensors / Amphenol AMSECO / Potter ATC (American Technical Ceramics)
Advanced Thermal Solutions Amulet Technologies Atmel / Microchip
Advantech Anachip Augat
AEM Analog Devices Inc. Ault / SL Power
Afero AnalogicTech austriamicrosystems
Agastat / TE Connectivity Anaren Avago Technologies
AIM (American Iron and Metal) Anderson Power Products Avery Dennison
AIM-Cambridge / Cinch Connectivity Solutions Angstrohm / Vishay AVX
AirBorn Antenna Factor Axicom / TE Connectivity
Akustica Antenova Axiomtek
Alcoswitch / TE Connectivity Apacer Technology Inc. Azoteq
All Sensors APC by Schneider Electric Aztronic / Vishay
Alliance Memory
B
B&K Precision Bergquist Company Bourns
B+B SmartWorx Beyschlag / Vishay BPS
BC Components / Vishay BI Technologies / TT Electronics Broadcom
BeagleBoard Bias Power Buchanan / TE Connectivity
BEI Sensors BIVAR Bud Industries
Bel Blackhawk Bulgin
Bel Fuse Bluegiga Technologies Burr-Brown / TI
Bel Power Solutions Bluetechnix BusBoard Prototype Systems
Bel Signal Transformer Bomar Interconnect Bussmann / Eaton
Belden Wire & Cable Bosch Byte Craft
Bellin Dynamic Systems Boundary Devices
C
C&D Technologies / Murata CII / TE Connectivity Continental Industries
C&K Components Cinch / Bel CONXALL
Caddock Cincon Cooper Bussmann / Eaton
Cadeka Microcircuits Cirronet / RFM Cooper Tools
Califia Lighting Cirrus Logic Corcom / TE Connectivity
California Eastern Labs Citec / TE Connectivity Cornell Dubilier (CDE)
California Micro Devices / ON Semi Citizen Cosel
Cambridge Clarostat / Honeywell Coto Technology
Carclo Technical Plastics CMD / ON Semiconductor Cree
Carling Technologies CMOSIS Critical Link
Casco / Amphenol Code Red Technologies Crocus Technology
Catalyst / ON Semiconductor Coilcraft Crouzet
CCS Coiltronics / Eaton Crouzet Solid State Relays / Crydom
CDE COMAX Switches Crydom
CEL Comchip Technology Crystal Semiconductor
Central / Vishay Concept Technologie / Power Integrations Crystek Corporation
Central Semiconductor Concord Semiconductor CSB
Cera-Mite / Vishay Condor / SL Power CTS Electronic Components
Chemtronics CONEC CUI Inc
CHERRY congatec CW Industries
Chicago Miniature Connect One Cymbet
Chipcon Connector City CyOptics
Ciclon Semiconductor Connex / Amphenol Cypress Semiconductor
D
Dale / Vishay Delta Electronics Digilent
Dallas Semiconductor Deltron Digital View
Data Instruments / Honeywell DEM Manufacturing Diode Laser Concepts
DATEL Desco Diodes Incorporated
DAVE Embedded Systems Deutsch Connectors DIOO Microcircuits
Davies Molding Dialight Displaytech Ltd.
DB Unlimited Dialog Semiconductor DLP Design
DBM Optix Dielectric Laboratories / Knowles DMC Tools
Delphi Digi International Draloric / Vishay
E
Eagle-Picher Elmwood / Honeywell Esquilo
EAO Elna ESTA / Vishay
EasySync Elpac / Inventus Power E-Switch
Eaton Elprotronic Inc. E-T-A Circuit Breakers
ebm-papst Embedded Artists ETA-USA
Ecliptek Emerson Connectivity Solutions ETI Systems
ECS Emerson Network Power Eupec / Infineon
EDAC Energy Micro Eurotech
EE Tools Enpirion / Altera Everlight
EF Johnson Enterpoint Everspin Technologies
Elco / AVX EPCOS / TDK Evidence
Electro Corp / Honeywell Epson Evox Rifa / Kemet
Electro-Films (EFI) / Vishay Ericsson Power Modules Exar
ELECTRONIC ASSEMBLY ERNI Connectors Extech
Electroswitch
F
Fairchild Semiconductor FDI (Future Designs, Inc) FlexiPanel
Fair-Rite Fenwal / Honeywell FLIR Systems
Fan-S Division / Qualtek FerriShield / LeaderTech Fox
Fascomp Finisar Corporation Freescale / NXP
Fastron First Sensor FTDI Chip
FCI / Amphenol Flamar Fujitsu
FCI Automotive (Delphi) Flambeau Future Designs, Inc. (FDI)
FCT Electronics
G
GaN Systems Genuino Grayhill
GE Critical Power GHI Electronics Greenlee
GE Energy (Formerly Lineage Power) Glenair Greenliant
GE Measurement & Control Global Specialties GSI Technology
General Semiconductor / Vishay Gore Guerrilla RF
GeneSiC Semiconductor Gravitech GWconnect
H
HALO Electronics Heatron HI-TECH Software
Hamlin / Littelfuse Helicomm Hittite / Analog Devices
Hammond Manufacturing Heraeus Sensor Technology Hobbs / Honeywell
Hantronix Heyco Honeywell
HARTING HiRel Systems / Vishay Huntington / Vishay
Harvatek Technologies / Inolux Hirose Electric Hycal / Honeywell
Harwin
I
IAR Systems Imagination Technologies Intersil Corporation
iBASE Technology Infineon Technologies Inventus Power
ICCNexergy Inolux IPDiA
ICE Components Inspired LED IQD
IDT (Integrated Device Technology) Integrated Device Technology (IDT) IRC / TT Electronics
IEI Technology Intel ISSI
IET Labs InterFET ITW Switches
Illinois Capacitor / CDE International Power IXYS
Illumitex International Rectifier / Infineon
J
JAE Electronics Johanson Technology JRC / NJR (New Japan Radio)
Jewell Modutec Johnson / Cinch Connectivity Solutions JST Automotive Connectors
JKL Components Jonard Industries JW Miller / Bourns
Johanson Dielectrics JRC / NJR (New Japan Radio)
K
Kamaya Kester Kionix / ROHM Semiconductor
Ka-Ro Electronics Keterex Knowles
Kavlico Keystone Electronics KOA Speer
Keil Tools Kilovac / TE Connectivity Kycon
KEMET Electronics Kingbright Kyocera
L
Laird Technologies Ledil Low Power Radio Solutions (LPRS)
Lamb Industries LedLink Optics LPRS (Low Power Radio Solutions)
Lambda Power / TDK LEMO LS Research
Lamina Leopard Imaging LSI Corporation
Lantronix LHV Power Corporation LTW / Amphenol
Lapis Semiconductor / ROHM Semiconductor Lineage Power / GE Critical Power Lumex
Lattice Semiconductor Linx Technologies Lumileds
LeaderTech Lite-On Luminary Micro
Lebow / Honeywell Littelfuse Luminus Devices
LeCroy LMB / Heeger Luxo Corporation
LED Engin Lorlin
M
MACOM MEC Switches Microtips Technology
Macraigor Systems MEDER electronic (Standex) Midcom / Wurth Electronics
Maestro Wireless Solutions Meggitt Electronic Components Mide Technology
Magnecraft Melexis Midwest Microwave / Cinch Connectivity Solutions
Mallory Menda MikroElektronika
Mallory Sonalert Merit Sensor Mill-Max
Marquardt Switches Inc Metcal Mills / Vishay
Matrix Orbital MG Chemicals Milwaukee / Vishay
Maxim Integrated Micrel / Microchip MinnowBoard by CircuitCo
MaxStream Micrium Mitsubishi Electric
Maxwell Technologies Micro Commercial Components (MCC) Molex
MCB Industrie / Vishay MICRO SWITCH / Honeywell Monolithic Power Systems (MPS)
MCC (Micro Commercial Components) Microchip Technology MPS – Monolithic Power Systems
mCube Micronas MSI
Mean Well Micropelt Mueller Electric
Measurement Specialties / TE Connectivity Microsemi Murata
N
National Instruments Neutrik NorComp
National Semiconductor / TI New Age Enclosures Nordic Semiconductor
NEC Relays Newhaven Display Noritake
NEC-TOKIN / KEMET NI NOVACAP / Knowles
NEI / Honeywell Nichicon NovaSensor / GE M&C
NetBurner NJR (New Japan Radio) Nurve Networks
Netduino NKK Switches NXP Semiconductors
NetPower Technologies NMB Technologies
O
OEG / TE Connectivity ON Semiconductor Opulent North America
Ohmite Oplink Orion Fans
OK Industries / Jonard Optek / TT Electronics OSRAM Opto Semiconductors
Olimex Ltd. Optrex / Kyocera OTTO
Omron
P
Packard Electric / Delphi Philips Lumileds Potter / AMSECO
PacTec Philips Semiconductors Power Dynamics
Panasonic Phoenix Contact Power Integrations
Panavise Phycomp / Yageo Powercast
PandaBoard.org Piher Power-One
Panduit Plato Power-Sonic
Parallax Plessey Semiconductors PowerStor / Eaton
Parallax Power Pletronics Inc. Projects Unlimited
Particle PLX Technology / Broadcom Protektive Pak
PCD / Amphenol Polytech / Vishay PUI Audio
Pericom Pomona Electronics Pulse
Phihong Potter & Brumfield / TE Connectivity PulseCore Semiconductor (ON Semiconductor)
Q
Q-Cee’s / TE Connectivity Qspeed Semiconductor Quantum Research Group
Qorvo Qualtek Electronics Quatech / B&B Electronics
R
Rabbit Semiconductor RECOM RFM
Radiall Rectron Ricoh Electronic Devices Company
Radiotronix Red Pitaya Roederstein / Vishay
RAF Electronic Hardware REDEL / LEMO ROHM Semiconductor
Ramtron Redpine Signals Rosenberger
Raychem / TE Connectivity Renata Roving Networks / Microchip
Raychem CP / Littelfuse RF Digital Rowley Associates
REAN Connectors RFaxis / Skyworks Solutions Inc.
S
Sagrad Inc. Shindengen SparkFun
SanDisk Signal Transformer / Bel Spectra Symbol
Sanyo Denki Signum Systems Spectra-Strip / Amphenol
Sanyo Semiconductor / ON Semiconductor Silego Technology Spectrol / Vishay
Sargent Tools Silex Technology Spectrum Control
Schaffner Silicon Labs Sprague / Vishay
SchmartBoard Silicon Microstructures, Inc. (SMI) Sprague Goodman
Schneider Electric Siliconix / Vishay SST
Schurter Silvertronic Staco
SCS Simpson Electric Company Standex
Seeed Studio SINE Systems / Amphenol Startco
SEGGER Microcontroller SiTime STEC
Semelab / TT Electronics SkyeTek Stewart Connector / Bel
Semflex / Cinch Connectivity Solutions Skyworks Solutions Inc. STMicroelectronics
Semitec USA SL Power Storm Interface
Semtech SMART Modular Technologies Stratos / Cinch Connectivity Solutions
Sensata Technologies Smartworx Sumida
Sensirion SMI (Silicon Microstructures Inc.) Sunbank
Sensotec / Honeywell SMSC Sunbrite
Sensym / Honeywell Sola / Hevi-Duty Supertex
Seoul Semiconductor SolderCore Susumu
Serpac SOMNIUM Technologies SV Microwave / Amphenol
Sfernice / Vishay Song Chuan Swissbit
Sharks Cove by CircuitCo Souriau Switchcraft
Sharp Microelectronics Spansion / Cypress Semiconductor Syfer / Knowles
T
Tadiran Batteries Teledyne LeCroy TRACO Power
Taica Teledyne Relays TriAccess Technologies
Taiwan Semiconductor Telemecanique Triad Magnetics
Taiyo Yuden Temp-Flex Cable, Inc. Tripp Lite
Tamura Tempo Semiconductor TriQuint Semiconductor
Taoglas Terasic Technologies Tri-Star Electronics
TAOS / ams Teridian Semiconductor Triune Systems
TCS/Amphenol Texas Instruments Trompeter / Cinch Connectivity Solutions
TDK Corporation THAT Corporation TRP Connector / Bel
TDK-Lambda Thermometrics / GE M&C TT Electronics
TE Connectivity Thin Film / Vishay Tuchel / Amphenol
Teccor / Littelfuse TI Tusonix / CTS
TechNexion TOKO / Murata Twin Industries
Techno / Vishay Torex Semiconductor TXC
Techspray Toshiba Tyco Electronics (TE Connectivity)
U
UDOO United Chemi-Con US Sensor
Ultralife
V
Vacuumschmelze (VAC) VIA Technologies Vitelec / Cinch Connectivity Solutions
Varitronix Vicor Vitramon / Vishay
VCC Vishay Volex
Vector Vishay Precision Group Voltronics / Knowles
Vectron International Visual Communications Company VORAGO Technologies
Versarien Technologies
W
Waber Western Design Center Wiremold
Wahl White Electronic Designs WIZnet
Wakefield-Vette White Rodgers WJ Communications
Walsin Wi2Wi WL Gore
Wandboard Wickmann / Littelfuse Wolfson / Cirrus Logic
Weller Wiha Wolfspeed / Cree
Welwyn / TT Electronics WIMA Wurth Electronics
X
Xeltek xsens / Fairchild
Y
Yageo
Z
Zarlink Semiconductor Zetex / Diodes Inc. ZMDI
Zentri Zilog / IXYS
|
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
National Semiconductor Analog Assembly – Semiconductor Technology
]]>National Semiconductor Corporation отправляет продукцию со своего промышленного парка в Сучжоу клиентам в Китае и за рубежом. Сучжоу – первое производственное предприятие National в Китае. Цех по сборке и испытанию полупроводников состоит из трех зданий общей площадью 51 800 м² и начал работу в 2004 году, в нем работает около 500 сотрудников.
Компания инвестирует около 200 миллионов долларов в строительство, оборудование, помещения и персонал в течение пяти лет.На предприятии есть двухэтажное производственное здание площадью 38 600 м², трехэтажное офисно-административное здание площадью 10 200 м² и хозяйственное здание площадью 3 000 м². Общая площадь земельного участка составляет 146 000 м², что позволяет разместить еще четыре объекта.
Завод в Сучжоу собирает около 200 миллионов цепей в квартал, и ожидается, что их количество вырастет до двух-трех миллиардов в квартал. Завод экспортирует почти все свои ИС, но в течение трех лет 50% или более произведенной продукции должны обслуживать внутренний рынок Китая.National также рассматривает возможность производства пластин в Китае в какой-то момент в будущем, хотя это будет зависеть от мощности ее предприятий в Шотландии, Мэне и Техасе.
КИТАЙСКИЙ ЗАВОД ПО ПРОИЗВОДСТВУ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Индустриальный парк Сучжоу находится в провинции Цзянсу на востоке Китая и является совместным проектом Китая и Сингапура. Он находится примерно в 80 км к западу от Шанхая, и в него вложены большие средства в строительство новых автомагистралей и инфраструктуры связи.
Это предприятие позволяет компании National упаковывать и тестировать ИС ближе к растущей клиентской базе в Китае.Наряду со многими другими крупными производителями полупроводников, National Semiconductor рассматривает Китай как одну из крупнейших возможностей глобального роста.
Азиатско-Тихоокеанский регион, включая Китай, в настоящее время составляет около 45% от общей мировой выручки компании. В настоящее время в National работают около 40 сотрудников в Китае, базирующихся в Пекине, Шанхае, Гуанчжоу и Гонконге. National также тестирует и собирает устройства в Малакке (Малайзия). В июле 2005 года компания объявила о планах закрытия своего сборочного и испытательного завода в Тоа Пайо, Сингапур.
Ориентируясь на продажи, компания также инвестирует в дизайн и партнерские отношения с университетами в Китае. В сентябре 2003 года National представила совместную лабораторию аналоговых и смешанных интегральных схем (ИС) с Чжэцзянским университетом в Ханчжоу, к югу от Шанхая. Лаборатория работает над разработкой аналоговых и смешанных ИС, уделяя особое внимание управлению питанием. ИС управления питанием становятся все более важными компонентами для электронных устройств, таких как сотовые телефоны с камерами, которые требуют чрезвычайно высокой энергоэффективности для обработки множества функций, которые интегрированы в все меньшие и меньшие потребительские корпуса.
УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ
Сборка и тестирование аналоговых и смешанных сигнальных цепей. Собранные там схемы используются в мобильных телефонах, дисплеях, информационных и bluetooth-устройствах.
Цепи управления питаниемNational включают в себя импульсные стабилизаторы семейства LM5000 для систем связи, промышленных и автомобильных источников питания. Схемы включают полностью интегрированные ИС импульсного регулятора, работающие от 10 В до более 100 В.Эти устройства упрощают преобразование энергии с высоковольтной шины в низкое напряжение, необходимое для связи и автомобильного оборудования.
National также производит микросхемы для сотовых и других телефонов и базовых станций. Его семейство дельта-сигма-схем фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ) с дробным коэффициентом деления использует цифровую модуляцию для повышения чувствительности к радиочастотам, в частности, фазового шума, паразитных выбросов и времени синхронизации. PLLatinum ™ имеет очень высокое разрешение по частоте и чрезвычайно низкое энергопотребление. LMX2470 предназначен для 2G, 2.Мобильные телефоны 5G и 3G, базовые станции, WLAN и другие системы беспроводной связи. Он поставляется в ультратонком корпусе со шкалой размером 3,5 x 4,5 x 0,6 мм.
National недавно расширила свой портфель высокоскоростных усилителей LMH двумя аналоговыми коммутаторами 16 x 8 для профессиональных, вещательных и промышленных видеоприложений с высоким разрешением. LMH6582 и LMH6583 – это полностью буферизованные неблокирующие аналоговые коммутационные переключатели, разработанные на основе собственного процесса VIP10 компании National.
ТРУБКИ, ДИСПЛЕИ И ИНФОРМАЦИОННАЯ ТЕХНИКА
National Semiconductor специализируется на аналоговом управлении питанием, смешанных сигналах и беспроводных решениях.Компания специализируется на быстрорастущих рынках беспроводных телефонов, дисплеев, информационной инфраструктуры и информационных устройств. В 2005 финансовом году объем продаж компании National со штаб-квартирой в Санта-Кларе, Калифорния, составил 1,9 миллиарда долларов по всему миру.
ПОДРЯДЧИКИ
Официальным разработчиком парка была Китайско-сингапурская компания Suzhou Industrial Park Development Co. Ltd. (65% принадлежит китайскому консорциуму и 35% – сингапурскому консорциуму). Подрядчиком по проектированию / строительству фабрики выступила компания JTC International Consultants из Сучжоу.
Что случилось с National.com? – Сборка печатных плат, изготовление печатных плат, дизайн печатных плат
National Semiconductor более 50 лет производит широкий спектр полупроводников. Эти полупроводники использовались в различных электронных устройствах, таких как ПК и цифровые камеры. Они также отвечали за внедрение в промышленность стандартизированных компонентов по очень низким ценам. National.com был официальным сайтом компании.
Сегодня любая попытка найти National.com показывает, что веб-сайт больше не в сети. Что могло случиться с веб-сайтом компании, которая когда-то хвасталась наличием в портфеле около 45 000 наименований продуктов, причем некоторые из них были пионерами в своих функциях? Нам потребовалось время, чтобы выяснить это, проследив за историей компании.
История компании National Semiconductor
Венчурная и частная инвестиционная компания Funding Universe следит за историей National Semiconductor на протяжении ее бурных лет. В нем сообщается, что в 1959 году восемь бывших сотрудников Sperry Rand Corporation (американская компания по производству оборудования и электроники) основали National Semiconductor в Данбери, штат Коннектикут.
В 1965 году объем продаж National Semiconductor составил 5,3 миллиона долларов, что сделало ее относительно небольшой компанией в крупном промышленном секторе. Несмотря на свой крошечный размер, он предлагал несколько довольно сложных полупроводников, пока работал с прибылью.
Иск о нарушении патентных прав
Funding Universe сообщает, что Sperry Rand Corporation подала иск о нарушении патентных прав против National Semiconductor в первые годы своего существования. В результате этого судебного процесса цена акций компании упала, когда дело было передано в суд в 1965 году.
Низкая цена акцийNational Semiconductor позволила тогдашнему 27-летнему Питеру Дж. Спрэгу, сыну председателя Sprague Electric Company, вложить значительные средства в National. Позже в 1966 году он стал председателем совета директоров National Semiconductor. Он поставил перед собой цель сделать National Semiconductor ведущим игроком в полупроводниковой промышленности.
В 1967 году Спраг назначил Чарли Спорка генеральным директором компании. Спорк инициировал переезд штаб-квартиры компании из Данбери, штат Коннектикут, в Санта-Клару, штат Калифорния, что сделало его одним из нынешних пионеров Кремниевой долины.
Быстрый и агрессивный рост
Sporck сыграл важную роль в быстром и агрессивном росте компании. К 1970 году объем продаж компании составил 42 миллиона долларов, а в 1976 году – 365 миллионов долларов. Этот необычайный скачок продаж был главным образом результатом политики Sporck, которая строго сдерживала свои накладные расходы, сосредоточившись на получении прибыли.
ПолитикаSporck, похоже, сработала. Например, в 70-е годы компания вышла победителем в ценовой войне из-за наличия в ее распоряжении наличных денег.Конкуренция уменьшилась, поскольку такие гиганты, как General Electric, покинули бизнес полупроводников, когда условия стали слишком сложными для навигации. В то время Sporck цитировался в Business Week: «Мы зарабатываем деньги, потому что должны».
Продукты
National Semiconductor прославилась своими аналоговыми системами, которые используются на нескольких вертикальных рынках. Аналоговые системы используются в системах безопасности, аудиопреобразователях, плоских дисплеях, оборудовании Bluetooth, компонентах ПК, автомобильных подушках безопасности, цифровых камерах, компьютерных клавиатурах и усилителях звука.
National Semiconductor представила широкий ассортимент продукции в различных категориях, таких как усилители, аудио, часы и синхронизация, преобразователи данных, интерфейс и низковольтная дифференциальная сигнализация (LVDS), светодиодное освещение, управление питанием, датчики температуры, решения PowerWise, аналоговый интерфейс датчика (AFE) и продукты для солнечной энергии.
Мы вернулись в архивы, чтобы найти некоторые из выдающихся продуктов компании:
Драйвер белого света
В 2001 году компания выпустила первый в мире драйвер для подсветки светодиодных дисплеев с белым светом.Этот драйвер позволяет потребителям ощутить истинные цвета своего мобильного дисплея. В дальнейшем он стал отраслевым стандартом мобильных продуктов.
Крупным планом – светодиодная подсистема звукас цифровыми и аналоговыми входными трактами
В 2005 году компания представила стереофоническую аудиосистему LM4934 Boomer, которая включала как аналоговые, так и входные тракты для мультимедийных, интеллектуальных телефонов и телефонов с протоколом передачи голоса через Интернет (VoIP). Это также была первая аудиоподсистема в отрасли, которая имела такую возможность.
Семейство PowerWise
С новым акцентом на энергопотребление, в 2007 году компания выпустила серию продуктов и подсистем, названных семейством энергоэффективных продуктов и подсистем PowerWise. Эти продукты и подсистемы помогли инженерам-конструкторам найти оптимальные энергоэффективные решения, так как эти продукты имели превосходное соотношение производительности и мощности.
Технология SolarMagic
Технология SolarMagic была запущена в 2008 году для максимального увеличения производства энергии солнечными панелями.Технология восстановила до 50% энергии, потерянной из-за теней, мусора и других реальных условий.
Вызовы
С годами компания National Semiconductor будет расти в геометрической прогрессии. Например, Funding Universe сообщает, что в 2000 году объем продаж компании составил 2,14 миллиарда долларов, а чистый доход составил около 621 миллиона долларов. Однако в 2001 году ее состояние было не столь велико. Объем продаж компании составил 2,11 миллиарда долларов, а чистая прибыль составила 245,7 миллиона долларов благодаря затратам на приобретение, исследованиям и разработкам, а также слабому рынку микросхем.
Падающие состояния компании не оставили руководителям иного выбора, кроме как внедрить программы сокращения затрат. Эти программы сокращения расходов были призваны сэкономить компании от 70 до 80 миллионов долларов в год. Однако это означало, что 1100 рабочих мест, или 10% его рабочей силы, пострадали от убытков, увольнений и принудительного выхода на пенсию.
Во время рецессии 2009 года компания столкнулась с большим количеством проблем. В статье для Mercury News, принадлежащей MediaNews Group Inc., Стив Джонсон сообщает, что National Semiconductor уволила около четверти своего штата или 1729 сотрудников.
Johnson также сообщает, что National закрыла два своих производственных предприятия – в Сучжоу, Китай, и Арлингтоне, Техас, – из-за того, что продажи и прибыль компании постоянно снижаются. Он цитирует Брайана Халла, председателя и главного исполнительного директора компании, который заявил, что увольнения помогут компании «сохранить конкурентоспособность, а также сосредоточиться на растущих рынках, которые могут извлечь выгоду из наших новых инициатив в области энергоэффективности».
Texas Instruments приобретает National Semiconductor
Рязань, Россия – 25 июля 2018: Домашняя страница веб-сайта TI на дисплее ПК.Url – TI.comВ пресс-релизе, опубликованном 4 апреля 2011 года, другой производитель полупроводников Texas Instruments Incorporated объявил о своем намерении приобрести National Semiconductor за 6,5 млрд долларов наличными. Сделка была завершена 23 сентября 2011 года. По завершении сделки более 5000 сотрудников National были немедленно приняты в штат Texas Instruments.
После приобретения National Semiconductor компания Texas Instruments стала одним из крупнейших в мире производителей компонентов для аналоговой технологии.Приобретение также дало Texas Instruments доступ к портфелю National Semiconductor, насчитывающему почти 45 000 аналоговых продуктов. Компания также задействовала свой отдел продаж, который был в десять раз больше, чем у National Semiconductor, для улучшения продаж этих продуктов.
Что тогда случилось с National.com?
Через некоторое время после того, как Texas Instruments приобрела National Semiconductor, веб-сайт National отключился. В интервью журналу электронной промышленности EETimes в 2012 году Грегг Лоу, старший вице-президент Texas Instruments, сообщил, что National Semiconductor теперь работает под управлением Texas Instruments.Информация о том, что компания сделала с National.com, отсутствует.
Брайан Халла Главный исполнительный директор Брайан Халла | Главный исполнительный директор Главный исполнительный директор | Республиканская партия $ 4800 | ||||
Тодд Дюшен Поверенный Тодд Дюшен | Поверенный Поверенный | Республиканская партия Республиканская партия | Инженер-испытатель Инженер-испытатель | Республиканская партия Республиканская партия | $ 2,050 Республиканская партия | $ 2 050 | Инженер Инженер | Республиканская партия Республиканская партия | $ 1,200 Республиканская партия 9 1,20003 $ 1,200 | Директор по маркетингу Директор по маркетингу | Демократическая партия Демократическая партия | 750 $ Демократическая партия $ 750 |
Phil FreyManager Phil FreyManager Phil FreyManager FreyManager | Демократическая партия Демократическая партия | 512 долларов Демократическая партия 512 долларов | ||||
Мартин Маквей Инженерный менеджер Мартин Маквей | Технический менеджмент r Менеджер по инженерным вопросам | Демократическая партия Демократическая партия | $ 500 Демократическая партия 500 долларов США | |||
Джон Чикконе Инженер-электрик 22 Инженер-электрик2222 Инженер-электрик22 Джон Сикконе | Республиканская партия Республиканская партия | 500 долларов Республиканская партия 500 долларов США | ||||
Филип Гибсон Маркетинг Филип Гибсон | Маркетинговая партия | Маркетинговая партия | 500 $ Демократическая партия 500 $ | |||
Родни Хилл Инженер Родни Хилл | Инженер Инженер | Демократическая партия Демократическая партия Демократическая партия arty | 300 $ Демократическая партия 300 $ |
SEC.gov | Превышен порог скорости запросов
Чтобы обеспечить равный доступ для всех пользователей, SEC оставляет за собой право ограничивать запросы, исходящие от необъявленных автоматизированных инструментов. Ваш запрос был идентифицирован как часть сети автоматизированных инструментов за пределами допустимой политики и будет обрабатываться до тех пор, пока не будут приняты меры по объявлению вашего трафика.
Пожалуйста, объявите свой трафик, обновив свой пользовательский агент, чтобы включить в него информацию о компании.
Для лучших практик по эффективной загрузке информации из SEC.gov, включая последние документы EDGAR, посетите sec.gov/developer. Вы также можете подписаться на рассылку обновлений по электронной почте о программе открытых данных SEC, включая передовые методы, которые делают загрузку данных более эффективной, и улучшения SEC.gov, которые могут повлиять на процессы загрузки по сценарию. Для получения дополнительной информации обращайтесь по адресу [email protected].
Для получения дополнительной информации см. Политику конфиденциальности и безопасности веб-сайта SEC. Благодарим вас за интерес к Комиссии по ценным бумагам и биржам США.
Идентификатор ссылки: 0.5dfd733e.1626974023.182e0922
Дополнительная информация
Политика безопасности в Интернете
Используя этот сайт, вы соглашаетесь на мониторинг и аудит безопасности. В целях безопасности и обеспечения того, чтобы общедоступная услуга оставалась доступной для пользователей, эта правительственная компьютерная система использует программы для мониторинга сетевого трафика для выявления несанкционированных попыток загрузки или изменения информации или иного причинения ущерба, включая попытки отказать пользователям в обслуживании.
Несанкционированные попытки загрузить информацию и / или изменить информацию в любой части этого сайта строго запрещены и подлежат судебному преследованию в соответствии с Законом о компьютерном мошенничестве и злоупотреблениях 1986 года и Законом о защите национальной информационной инфраструктуры 1996 года (см. Раздел 18 U.S.C. §§ 1001 и 1030).
Чтобы обеспечить хорошую работу нашего веб-сайта для всех пользователей, SEC отслеживает частоту запросов на контент SEC.gov, чтобы гарантировать, что автоматический поиск не влияет на возможность доступа других лиц к контенту SEC.gov. Мы оставляем за собой право блокировать IP-адреса, которые отправляют чрезмерные запросы. Текущие правила ограничивают пользователей до 10 запросов в секунду, независимо от количества машин, используемых для отправки запросов.
Если пользователь или приложение отправляет более 10 запросов в секунду, дальнейшие запросы с IP-адреса (-ов) могут быть ограничены на короткий период.Как только количество запросов упадет ниже порогового значения на 10 минут, пользователь может возобновить доступ к контенту на SEC.gov. Эта практика SEC предназначена для ограничения чрезмерного автоматического поиска на SEC.gov и не предназначена и не ожидается, чтобы повлиять на людей, просматривающих веб-сайт SEC.gov.
Обратите внимание, что эта политика может измениться, поскольку SEC управляет SEC.gov, чтобы гарантировать, что веб-сайт работает эффективно и остается доступным для всех пользователей.
Примечание: Мы не предлагаем техническую поддержку для разработки или отладки процессов загрузки по сценарию.
Транзисторы ЛОТ 10 2N2102 NPN National Semiconductor NSC Business & Industrial
Транзисторы ЛОТ 10 2N2102 NPN National Semiconductor NSC Business & Industrial- Дом
- Бизнес и промышленность
- Электрооборудование и принадлежности
- Электронные компоненты и полупроводники
- Полупроводники и активные компоненты
- Транзисторы
- ЛОТ 10 2N2102 NPN National Semiconductor NSC
Semiconductor NSC LOT OF 10 2N2102 NPN National, Какой бы ни была причина, вы не застрянете с предметом, который вы не можете использовать или не хотите, 2N2102 By NATIONAL SEMICONDUCTOR, New and Original National Semiconductor, вы не удовлетворены на 100% с полученным товаром, заказы на сумму более 15 долларов доставляются бесплатно, покупайте самые последние лучшие товары, покупайте официальный сайт онлайн здесь! ЛОТ из 10 2N2102 NPN National Semiconductor NSC, ЛОТ из 10 2N2102 NPN National Semiconductor NSC.
Вы не на 100% удовлетворены полученным товаром. Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, 2N2102 NPN National Semiconductor, 2N2102 By NATIONAL SEMICONDUCTOR, неповрежденный предмет в оригинальной упаковке, вы не застрянете с предметом, который вы не можете использовать или не хотите, например в виде коробки без надписи или полиэтиленового пакета. Какой бы ни была причина, см. Все определения условий: Торговая марка:: NSC. Если товар не изготовлен вручную или не был упакован производителем в нерозничную упаковку, см. подробную информацию в списке продавца.NSC, неоткрытый, Состояние :: Новое: Совершенно новый, MPN:: 2N2102, если применима упаковка, Новое и оригинальное National Semiconductor. неиспользованный, ПАРТИЯ 10.
### FLAGCSS0 ###ЛОТ ИЗ 10 2N2102 NPN National Semiconductor NSC
skazkavostoka.com Какой бы ни была причина, вы не застрянете с предметом, который вы не можете использовать или не хотите, 2N2102 By NATIONAL SEMICONDUCTOR, New and Original National Semiconductor, вы не на 100% удовлетворены полученным предметом, Заказы на сумму более 15 долларов доставляются бесплатно, покупайте новейшие лучшие товары, покупайте официальный сайт онлайн здесь!
National Semiconductor – NSM – Прогноз запасов
Финансы
| Выручка | долл. СШАВаловая прибыль | Операционная прибыль | Операционная маржа | Чистая прибыль | Прибыль на акцию | Дивиденды | Коэф. Выплаты | Акции | Балансовая стоимость на акцию | Операционный денежный поток | Ограничение расходов | Свободный денежный поток |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1520M | 68.30% | 477M | 31,40% | 299M | 1,20 | 0,38 | 31,50% | 248M | 3.36 | 374M | -100M | 274M |
IBM-Intel Expand Олбани, Нью-Йорк, Центр исследований полупроводниковой промышленности
Связанные исследования
IBM и Intel сделают крупные инвестиции в отечественную полупроводниковую промышленность в рамках сотрудничества, которое, как ожидается, приведет к созданию сотен новых рабочих мест в Исследовательском центре IBM в Олбани, штат Нью-Йорк.IBM сообщила, что это сотрудничество Intel с их исследовательским центром в Олбани поддержит рабочие места в IBM, а также в других отраслях и партнерах по исследованиям в столичном регионе. IBM также планирует подать заявку на финансирование программы Национального центра полупроводниковых технологий Министерства торговли США, утвержденной в прошлом году в NDAA.
«Сенатор Шумер был неутомимым сторонником ускорения прогресса Америки в области передовых технологий, и мы благодарны ему за руководство», – сказал Арвинд Кришна, председатель и главный исполнительный директор IBM.«Экосистема полупроводниковых технологий, которую мы собрали в Олбани, имеет уникальные возможности для быстрых новых достижений, которые будут катализировать экономические и социальные преимущества ИИ, квантовых вычислений и других технологий при преобразовании отраслей. Мы с нетерпением ждем участия в торгах на NSTC, которые будут стимулировать инноваций еще более быстрыми темпами и вдвое больше 1000 сотрудников, работающих в сфере инноваций в области полупроводников, в Олбани и его окрестностях ».
NSTC призван стать центром для промышленности, академических кругов и более широкого исследовательского сообщества, а также правительства, чтобы объединиться, чтобы служить центром для проведения передовых исследований в области полупроводников и создания прототипов, которые укрепят отечественную экосистему полупроводников.Новое партнерство с Intel позволяет IBM конкурировать за NSTC.
Согласно заявлению в офисе лидера большинства в Сенате США Чарльза Э. Шумера, по мере расширения производства в стране Intel будет проводить исследования новых полупроводников в передовых полупроводниковых технологиях в сотрудничестве с исследовательским центром IBM Albany Semiconductor Research Facility. Партнерство возникло после того, как Конгресс проголосовал за обеспечение положений Закона о государственной обороне на 2021 финансовый год, поддержанного Шмером, для стимулирования производства полупроводников и НИОКР в США.
Шумер сказал, что он возглавляет сенат по финансированию NSTC и других федеральных стимулов для полупроводников, разрешенных в NDAA, для начала реализации этих программ.
