Осциллограф С1-94
Справочник количества содержания ценных металлов в Осциллограф С1-94 согласно паспортов формуляров и сборной информационной литературы. Указано точное значение драгоценных металлов в граммах (Золото, серебро, платина, палладий и другие) на единицу изделия.
Содержание драгоценных металлов в Осциллограф С1-94
Золото: 0,052 грамм.
Серебро: 3 грамм.
Платина: 0,148 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Источник информации: Из перечней ЗАО НСТ кол-во деталей: 1+8+1 возврат: 0,032 2,612 0,101 0.
Фото С1-94:
Осциллограф характеристики и назначение
Осцилло́граф (лат. oscillo — качаюсь + греч. γραφω — пишу) — прибор, предназначенный для исследования (наблюдения, записи; измерения) амплитудных и временны́х параметров электрического сигнала, подаваемого на его вход, либо непосредственно на экране, либо записываемого на фотоленте.
Один из важнейших приборов в радиоэлектронике. Используются в прикладных, лабораторных и научно-исследовательских целях, для контроля/изучения электрических сигналов — как непосредственно, так и получаемых при воздействии различных устройств/сред на датчики, преобразующие эти воздействия в электрический сигнал или радиоволны.
о назначению и способу вывода измерительной информации:
Осциллографы с периодической развёрткой для непосредственного наблюдения формы сигнала на экране (электронно-лучевом, жидкокристаллическом и т. д.) — в зап.-европ. языках oscilloscop(e)
Осциллографы с непрерывной развёрткой для регистрации кривой на фотоленте (шлейфовый осциллограф) — в зап.-европ. языках oscillograph
По способу обработки входного сигнала
Аналоговый
Цифровой
По количеству лучей: однолучевые, двулучевые и т. д. Количество лучей может достигать 16-ти и более (n-лучевой осциллограф имеет nное количество сигнальных входов и может одновременно отображать на экране n графиков входных сигналов).
Осциллографы с периодической развёрткой делятся на: универсальные (обычные), скоростные, стробоскопические, запоминающие и специальные; цифровые осциллографы могут сочетать возможность использования разных функций.
Также существуют осциллографы, совмещенные с другими измерительными приборами (напр. мультиметром). Такие приборы называются скопометрами.
Осциллограф также может существовать не только в качестве автономного прибора, но и в виде приставки к компьютеру (подключаемой через какой-либо порт: LPT, COM, USB, вход звуковой карты).
Осциллограф – видео.
Характеристики С1-94:
Купить или продать а также цены на Осциллограф С1-94:
Оставьте отзыв о С1-94:
Осциллограф С1-94: Схемотехника и ремонт
Принципиальную схему осциллографа C1-94 можно скачать здесь.
Многим специалистам, а особенно радиолюбителям, хорошо известен осциллограф С1-94 (рис. 1). Осциллограф, при своих достаточно неплохих технических характеристиках, имеет весьма небольшие габариты и вес, а также относительно невысокую стоимость. Благодаря этому модель сразу завоевала популярность среди специалистов, занимающихся мобильным ремонтом различной электронной техники, не требующим очень широкой полосы частот входных сигналов и наличия двух каналов для одновременных измерений. В настоящее время в эксплуатации находится достаточно большое количество таких осциллографов.
В связи с этим данная статья предназначена для специалистов, у которых возникла необходимость ремонта и настройки осциллографа С1-94. Осциллограф имеет обычную для приборов подобного класса структурную схему (рис. 2). Она содержит канал вертикального отклонения (КВО), канал горизонтального отклонения (КТО), калибратор, электронно-лучевой индикатор с высоковольтным источником питания и низковольтный источник питания.
КВО состоит из переключаемого входного делителя, предварительного усилителя, линии задержки и оконечного усилителя. Он предназначен для усиления сигнала в частотном диапазоне 0…10 МГц до уровня, необходимого для получения заданного коэффициента отклонения по вертикали (10 мВ/дел … 5 В/дел с шагом 1-2-5), с минимальными амплитудно-частотными и фазо-частот-ными искажениями.
КГО включает в себя усилитель синхронизации, триггер синхронизации, схему запуска, генератор развертки, схему блокировки и усилитель развертки. Он предназначен для обеспечения линейного отклонения луча с заданным коэффициентом развертки от 0,1 мкс/дел до 50 мс/дел с шагом 1-2-5.
Калибратор вырабатывает сигнал для калибровки прибора по амплитуде и времени.
Узел электронно-лучевого индикатора состоит из электронно-лучевой трубки (ЭЛТ), схемы питания ЭЛТ и схемы подсвета.
Низковольтный источник предназначен для питания всех функциональных устройств напряжениями +24 В и ±12 В.
Рассмотрим работу осциллографа на уровне принципиальной схемы.
Исследуемый сигнал через входной разъем Ш1 и кнопочный переключатель В1-1 («Открытый/Закрытый вход») поступает на входной переключаемый делитель на элементах R3…R6, R11, С2, С4… С8. Схема входного делителя обеспечивает постоянство входного сопротивления независимо от положения переключателя чувствительности по вертикали В1 («V/ДЕЛ.»). Конденсаторы делителя обеспечивают частотную компенсацию делителя во всей полосе частот.
С выхода делителя исследуемый сигнал поступает на вход предварительного усилителя КВО (блок У1). На полевом транзисторе Т1-У1 собран истоковый повторитель для переменного входного сигнала. По постоянному току этот каскад обеспечивает симметрию рабочего режима для последующих каскадов усилителя. Делитель на резисторах R1-Y1, Я5-У1 обеспечивает входное сопротивление усилителя равное 1МОм. Диод Д1-У1 и стабилитрон Д2-У1 обеспечивают защиту входа от перегрузок.
Рис. 1. Осциллограф С1-94 (а – вид спереди, б – вид сзади)
Двухкаскадный предварительный усилитель выполнен на транзисторах Т2-У1…Т5-У1 с общей отрицательной обратной связью (ООС) через R19-Y1, R20-Y1, R2-Y1, R3-Y1, С2-У1, Rl, C1, которая позволяет получить усилитель с необходимой полосой пропускания, которая практически не изменяется при ступенчатом изменении коэффициента усиления каскада в два и пять раз. Изменение коэффициента усиления осуществляется изменением сопротивления между эмиттерами транзисторов УТ2-У1, VT3-У1 путем коммутации резисторов R3-y 1, R16-yi и Rl параллельно резистору R16-yi. Балансировка усилителя осуществляется изменением потенциала базы транзистора ТЗ-У1 резистором R9-yi, который выведен под шлиц. Смещение луча по вертикали производится резистором R2 путем изменения базовых потенциалов транзисторов Т4-У1, Т5-У1 в противофазе. Корректирующая цепочка R2-yi, С2-У1, С1 осуществляет частотную коррекцию коэффициента усиления в зависимости от положения переключателя В1.1.
Для исключения паразитных связей по цепям питания предварительный усилитель запитывается через фильтр R42-У1, С10-У1, R25-yi, СЗ-У1 от источника -12 В и через фильтр R30-yi, С7-У1, R27-yi, С4-У1 от источника +12 В.
Для задержки сигнала относительно начала развертки введена линия задержки Л31, являющаяся нагрузкой усилительного каскада на транзисторах Т7-У1, Т8-У1. Выход линии задержки включен в базовые цепи транзисторов оконечного каскада, собранного на транзисторах Т9-У1, Т10-У1, Т1-У2, Т2-У2. Такое включение линии задержки обеспечивает согласование ее с каскадами предварительного и оконечного усилителей. Частотная коррекция коэффициента усиления выполняется цепочкой R35-yi, С9-У1, а в каскаде оконечного усилителя — цепочкой С11-У1, R46-yi, С12-У1. Коррекция калиброванных значений коэффициента отклонения при эксплуатации и смене ЭЛТ осуществляется резистором R39-yi, выведенным под шлиц. Оконечный усилитель собран на транзисторах Т1-У2, Т2-У2 по схеме с общей базой с резистивной нагрузкой R11-Y2… R14-Y2, что позволяет достичь необходимой полосы пропускания всего канала вертикального отклонения. С коллекторных нагрузок сигнал поступает на вертикальные отклоняющие пластины ЭЛТ.
Рис. 2. Структурная схема осциллографа С1-94
Исследуемый сигнал со схемы предварительного усилителя КВО через каскад эмиттерного повторителя на транзисторе Т6-У1 и переключатель В1.2 поступает также на вход усилителя синхронизации КГО для синхронного запуска схемы развертки.
Канал синхронизации (блок УЗ) предназначен для запуска генератора развертки синхронно со входным сигналом для получения неподвижного изображения на экране ЭЛТ. Канал состоит из входного эмиттерного повторителя на транзисторе Т8-УЗ, дифференциального каскада усиления на транзисторах Т9-УЗ, Т12-УЗ и триггера синхронизации на транзисторах Т15-УЗ, Т18-УЗ, представляющего собой несимметричный триггер с эмиттер-ной связью с эмиттерным повторителем на входе на транзисторе Т13-У2.
В базовую цепь транзистора Т8-УЗ включен диод Д6-УЗ, предохраняющий схему синхронизации от перегрузок. С эмиттерного повторителя синхронизирующий сигнал поступает на дифференциальный каскад усиления. В дифференциальном каскаде осуществляется переключение (В1-3) полярности синхронизирующего сигнала и усиление его до величины, достаточной для срабатывания триггера синхронизации. С выхода дифференциального усилителя синхросигнал через эмиттерный повторитель поступает на вход триггера синхронизации. С коллектора транзистора Т18-УЗ снимается сигнал, нормированный по амплитуде и форме, который через развязывающий эмиттерный повторитель на транзисторе Т20-УЗ и дифференцирующую цепочку С28-УЗ, Я56-У3 управляет работой схемы запуска.
Для повышения устойчивости синхронизации усилитель синхронизации совместно с триггером синхронизации питается от отдельного стабилизатора напряжения 5 В на транзисторе Т19-УЗ.
Продифференцированный сигнал поступает на схему запуска, которая совместно с генератором развертки и схемой блокировки обеспечивает формирование линейно изменяющегося пилообразного напряжения в ждущем и автоколебательном режимах.
Схема запуска представляет собой несимметричный триггер с эмиттерной связью на транзисторах Т22-УЗ, Т23-УЗ, Т25-УЗ с эмиттерным повторителем на входе на транзисторе Т23-УЗ. Начальное состояние схемы запуска: транзистор Т22-УЗ открыт, транзистор Т25-УЗ открыт. Потенциал, до которого заряжен конденсатор С32-УЗ, определяется потенциалом коллектора транзистора Т25-УЗ и равен примерно 8 В. Диод Д12-УЗ открыт. С приходом отрицательного импульса на базу Т22-УЗ схема запуска инвертируется, и отрицательный перепад на коллекторе Т25-УЗ запирает диод Д12-УЗ. Схема запуска отключается от генератора развертки. Начинается формирование прямого хода развертки. Генератор развертки находится в ждущем режиме (переключатель В1-4 в положении «ЖДУЩ»). При достижении амплитуды пилообразного напряжения порядка 7 В схема запуска через схему блокировки, транзисторы Т26-УЗ, Т27-УЗ возвращается в исходное состояние. Начинается процесс восстановления, в течение которого времязадающий конденсатор С32-УЗ заряжается до исходного потенциала. Во время восстановления схема блокировки поддерживает схему запуска в исходном состоянии, не позволяя импульсам синхронизации перевести ее в другое состояние, то есть обеспечивает задержку запуска развертки на время, необходимое для восстановления генератора развертки в ждущем режиме и автоматический запуск развертки в автоколебательном режиме. В автоколебательном режиме работа генератора развертки происходит в положении «АВТ» переключателя В1-4, а запуск и срыв работы схемы запуска — от схемы блокировки изменением ее режима.
В качестве генератора развертки выбрана схема разряда времязадающего конденсатора через стабилизатор тока. Амплитуда линейно изменяющегося пилообразного напряжения, формируемого генератором развертки, равна примерно 7 В. Времязадающий конденсатор С32-УЗ во время восстановления быстро заряжается через транзистор Т28-УЗ и диод Д12-УЗ. Во время рабочего хода диод Д12-УЗ запирается управляющим напряжением схемы запуска, отключая цепь времязадающего конденсатора от схемы запуска. Разряд конденсатора происходит через транзистор Т29-УЗ, включенный по схеме стабилизатора тока. Скорость разряда времязадающего конденсатора (а, следовательно, и значение коэффициента развертки) определяется величиной тока транзистора Т29-УЗ и изменяется при переключении времязадающих сопротивлений R12…R19, R22…R24 в цепи эмиттера с помощью переключателей В2-1 и В2-2 («ВРЕМЯ/ДЕЛ.»). Диапазон скоростей развертки имеет 18 фиксированных значений. Изменение коэффициента развертки в 1000 раз обеспечивается переключением времязадающих конденсаторов С32-УЗ, С35-УЗ переключателем Bl-5 («mS/mS»).
Настройка коэффициентов развертки с заданной точностью производится конденсатором СЗЗ-УЗ в диапазоне «mS», а в диапазоне «mS» — подстроеч-ным резистором R58-y3, путем изменения режима эмиттерного повторителя (транзистор Т24-УЗ), питающего вре-мязадающие резисторы. Схема блокировки представляет собой эмиттерный детектор на транзисторе Т27-УЗ, включенном по схеме с общим эмиттером, и на элементах R68-y3, С34-УЗ. На вход схемы блокировки поступает пилообразное напряжение с делителя R71-y3, R72-y3 в истоке транзистора ТЗО-УЗ. Во время рабочего хода развертки емкость детектора С34-УЗ заряжается синхронно с напряжением развертки. Во время восстановления генератора развертки транзистор Т27-УЗ запирается, а постоянная времени эмиттерной цепи детектора R68-y3, С34-УЗ поддерживает схему управления в исходном состоянии. Ждущий режим развертки обеспечивается запиранием эмиттерного повторителя на Т26-УЗ переключателем В1-4 («ЖДУЩ./АВТ.»). В автоколебательном режиме эмиттерный повторитель находится в линейном режиме работы. Постоянная времени схемы блокировки изменяется ступенчато переключателем В2-1 и грубо В1-5. С генератора развертки пилообразное напряжение через истоковый повторитель на транзисторе ТЗО-УЗ поступает на усилитель развертки. В повторителе применен полевой транзистор для повышения линейности пилообразного напряжения и исключения влияния входного тока усилителя развертки. Усилитель развертки усиливает пилообразное напряжение до величины, обеспечивающей заданный коэффициент развертки. Усилитель выполнен двухкаскадным, дифференциальным, по каскодной схеме на транзисторах ТЗЗ-УЗ, Т34-УЗ, ТЗ-У2, Т4-У2 с генератором тока на транзисторе Т35-УЗ в эмиттерной цепи. Частотная коррекция коэффициента усиления осуществляется конденсатором С36-УЗ. Для повышения точности временных измерений в КВО прибора предусмотрена растяжка развертки, которая обеспечивается изменением коэффициента усиления усилителя развертки путем параллельного соединения резисторов Я75-У3, R80-УЗ при замыкании контактов 1 и 2 («Растяжка») разъема ШЗ.
Таблица 1. РЕЖИМЫ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ
Обозначение | Напряжение, В | ||
Коллектор, сток | Эмиттер, исток | База, затвор | |
Усилитель У1 | |||
Т1 | 8,0-8,3 | 0,6-1 | 0 |
Т2 | -(3,8-5,0) | 1,3-1,8 | 0,6-1,2 |
ТЗ | -(3,8-5,0) | 1,3-1,8 | 0,6-1,2 |
Т4 | -(1,8-2,5) | -(4,5-5,5) | -(3,8-5,0) |
Т5 | -(1,8-2,5) | -(4,5-5,5) | -(3,8-5,0) |
Т6 | -(11,3-11,5) | -(1,3-1,9) | -(1,8-2,5) |
Т7 | 0,2-1,2 | -(2,6-3,4) | -(1,8-2,5) |
Т8 | 0,2-1,2 | -(2,6-3,4) | -(1,8-2,5) |
Т9 | 6,5-7,8 | 0-0,7 | 0,2-1,2 |
Т1О | 6,5-7,8 | 0-0,7 | 0,2-1,2 |
Усилитель У2 | |||
Т1 | 60-80 | 8,3-9,0 | 8,8-9,5 |
Т2 | 60-80 | 8,3-9,0 | 8,8-9,5 |
ТЗ | 100-180 | 11,0-11,8 | 11,8-12,3 |
Т4 | 100-180 | 11,0-11,8 | 11,8-12,3 |
Развертка УЗ | |||
Т1 | -(11-9) | 12 | 13,5-14,5 |
Т2 | -(11-9) | 12 | 13,5-14,5 |
ТЗ | -(10,5-11,5) | -(10,1-11,1) | -(11,0-10,4) |
Т4 | -(18-23) | -(8,2-10,2) | -(8,5-10,5) |
Т6 | -(14,5-17) | -(8-10,2) | -(8-10,5) |
Т7 | 6-6,5 | 0 | 0-0,2 |
Т8 | 4,5-5,5 | -(0,5-0,8) | 0 |
Т9 | 4,5-5,5 | -(0,7-0,9) | -(0,6-0,8) |
Т1О | -(11,4-11,8) | 0 | -(0,6-0,8) |
Т12 | 0,5-1,5 | -(0,6-0,8) | 0 |
Т13 | 4,5-5,5 | 3,7-4,8 | 4,5-5,6 |
Т14 | -(12,7-13) | от -0,3 до 2,0 | от -1 до 1,5 |
Т15 | 3,0-4,2 | 3,0-4,2 | 3,6-4,8 |
Т16 | -(25-15,0) | -12 | -(12,0-12,3) |
Т17 | -(25-15) | -(12,0-12,3) | -(12,6-13) |
Т18 | 4,5-5,5 | 3,0-4,1 | 2,0-2,6 |
Т19 | 7,5-8,5 | 4,5-5,5 | 5,2-6,1 |
Т2О | -12 | 5,1-6,1 | 4,5-5,5 |
Т22 | 0,4-1 | от-0,2 до 0,2 | 0,5-0,8 |
Т23 | 12 | от -0,3 до 0,3 | 0,4-1 |
Т24 | -12 | -(9,6-11,3) | -(10,5-11,9) |
Т25 | 8,0-8,5 | от-0,2 до 0,2 | от-0,2 до 0,2 |
Т26 | -12 | от-0,2 до 0,2 | 0,3-1,1 |
Т27 | -12 | 0,3-1,1 | от -0,2 до 0,4 |
Т28 | 11,8-12 | 7,5-7,8 | 8,0-8,5 |
Т29 | 6,8-7,3 | -(0,5-0,8) | 0 |
ТЗО | 12 | 7,3-8,3 | 6,8-7,3 |
Т32 | 12 | 6,9-8,1 | 7,5-8,8 |
ТЗЗ | 10,6-11,5 | 6,1-7,6 | 6,8-8,3 |
Т34 | 10,6-11,5 | 6,1-7,4 | 6,8-8,1 |
Т35 | -(4,8-7) | -(8,5-8,9) | -(8,0-8,2) |
Усиленное напряжение развертки снимается с коллекторов транзисторов ТЗ-У2, Т4-У2 и подается на горизонтально отклоняющие пластины ЭЛТ.
Изменение уровня синхронизации производится изменением потенциала базы транзистора Т8-УЗ резистором R8 («УРОВЕНЬ»), выведенным на переднюю панель прибора.
Смещение луча по горизонтали осуществляется изменением напряжения базы транзистора Т32-УЗ резистором R20, выведенным также на переднюю панель прибора.
В осциллографе имеется возможность подачи внешнего сигнала синхронизации через гнездо 3 («Выход X») разъема ШЗ на эмиттерный повторитель Т32-УЗ. Кроме того, предусмотрен выход пилообразного напряжения порядка 4 В с эмиттера транзистора ТЗЗ-УЗ на гнездо 1 («Выход N») разъема ШЗ.
Высоковольтный преобразователь (блок У31) предназначен для питания ЭЛТ всеми необходимыми напряжениями. Он собран на транзисторах Т1-У31, Т2-У31, трансформаторе Tpl и питается от стабилизированных источников +12В и -12В, что позволяет иметь стабильные напряжения питания ЭЛТ при изменении напряжения питающей сети. Напряжение питания катода ЭЛТ -2000 В снимается со вторичной обмотки трансформатора через схему удвоения Д1-У31, Д5-У31, С7-У31, С8-У31. Напряжение питания модулятора ЭЛТ снимается с другой вторичной обмотки трансформатора также через схему умножения Д2-У31, ДЗ-У31, Д4-У31, СЗ-У31, С4-У31, С5-У31. Для уменьшения влияния преобразователя на источники питания применен эмиттерный повторитель ТЗ-У31.
Питание накала ЭЛТ производится от отдельной обмотки трансформатора Tpl. Напряжение питания первого анода ЭЛТ снимается с резистора Я10-У31 («ФОКУСИРОВКА»). Регулирование яркости луча ЭЛТ производится резистором R18-Y31 («ЯРКОСТЬ»). Оба резистора выведены на переднюю панель осциллографа. Напряжение питания второго анода ЭЛТ снимается с резистора Я19-У2 (выведен под шлиц).
Схема подсвета в осциллографе представляет собой симметричный триггер, питаемый от отдельного источника 30 В относительно источника питания катода -2000 В, и выполнена на транзисторах Т4-У31, Т6-У31. Запуск триггера осуществляется положительным импульсом, снимаемым с эмиттера транзистора Т23-УЗ схемы запуска. Исходное состояние триггера подсвета Т4-У31 открыт, Т6-У31 закрыт. Положительный перепад импульса со схемы запуска переводит триггер подсвета в другое состояние, отрицательный — возвращает в исходное состояние. В результате на коллекторе Т6-У31 формируется положительный импульс с амплитудой 17 В, по длительности равный длительности прямого хода развертки. Этот положительный импульс подается на модулятор ЭЛТ для подсвета прямого хода развертки.
Осциллограф имеет простейший калибратор амплитуды и времени, который выполнен на транзисторе Т7-УЗ и представляет собой схему усилителя в режиме ограничения. На вход схемы поступает синусоидальный сигнал с частотой питающей сети. С коллектора транзистора Т7-УЗ снимаются прямоугольные импульсы с такой же частотой и амплитудой 11,4…11,8 В, которые подаются на входной делитель КВО в положении 3 переключателя В1. При этом чувствительность осциллографа устанавливается 2 В/дел, а калибровочные импульсы должны занимать пять делений вертикальной шкалы осциллографа. Калибровка коэффициента развертки производится в положении 2 переключателя В2 и положении «mS» переключателя В1-5.
Напряжения источников 100 В и 200 В не стабилизированы и снимаются со вторичной обмотки силового трансформатора Tpl через схему удвоения ДС2-УЗ, С26-УЗ, С27-УЗ. Напряжения источников +12 В и -12 В стабилизированы и получаются из стабилизированного источника 24 В. Стабилизатор на 24 В выполнен на транзисторах Т14-УЗ, Т16-УЗ, Т17-УЗ. Напряжение на вход стабилизатора снимается со вторичной обмотки трансформатора Tpl через диодный мост ДС1-УЗ. Подстройка стабилизованного напряжения 24 В производится резистором Я37-У3, выведенным под шлиц. Для получения источников +12 В и -12 В в схему включен эмиттерный повторитель Т10-УЗ, база которого питается от резистора R24-y3, которым осуществляется подстройка источника +12 В.
При проведении ремонта и последующей настройке осциллографа прежде всего необходимо проверить режимы активных элементов по постоянному току на соответствие их значениям, приведенным в табл. 1. В случае, если проверяемый параметр не укладывается в допустимые границы, нужно проверить исправность соответствующего активного элемента, а при его исправности — и элементы «обвязки» в данном каскаде. При замене активного элемента на аналогичный может потребоваться подстройка режима работы каскада (при наличии соответствующего подстроечного элемента), но в большинстве случаев этого делать не приходиться, т.к. каскады охвачены отрицательной обратной связью, и поэтому разброс параметров активных элементов не сказывается на нормальной работе прибора.
В случае появления неисправностей, связанных с работой электронно-лучевой трубки (плохая фокусировка, недостаточная яркость луча и т.п.), необходимо проверить соответствие напряжений на выводах ЭЛТ значениям, приведенным в табл. 2. Если измеренные величины не соответствуют табличным, нужно проверить исправность узлов, ответственных за выработку этих напряжений (источник высокого напряжения, выходные каналы КВО и КТО и т.д.). Если же подводимые к ЭЛТ напряжения укладываются в пределы допустимого, значит проблема в самой трубке, и ее нужно заменить.
Таблица 2. РЕЖИМЫ ЭЛТ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ
Номер вывода | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 |
Величина напряжения, В | 5,7-6,9 | -(1900-2100) | -(1940-2140) | — | -(1550-1950) | — | 80-60 | 80-60 | 0-10 | 100-180 | 100-180 | 0-10 | 0-100 | 5,7-6,9 |
Примечания:
1. Проверка режимов, приведенных в табл. 2 (кроме контактов 1 и 14), производится относительно корпуса прибора.
2. Проверка режимов на контактах 1 и 14 ЭЛТ производится относительно потенциала катода (-2000 В).
3. Режимы работы могут отличаться от указанных в табл. 1 и 2 на ±20%.
Автор: Захарычев Е.В.,
инженер-конструктор
Осциллографы
Осциллограф Купим, Покупаем осциллографы новые и неликвиды. В любых количествах всех наименований.Осциллографы
С1-55, С1-65, С1-65А, С1-81, С1-82, C1-83, С1-85, С1-91, С1-91/1, С1-91/2, С1-91/3, С1-91/4, С1-91/5, С1-91/6, С1-91/7, С1-92, С1-93, C1-94, С1-96, С1-97, С1-97А, С1-98, С1-99, C1-101, С1-102, С1-103, С1-104, C1-107, С1-108, С1-112, C1-112А, С1-114, C1-114/1, С1-115, С1-116, С1-117, С1-118, C1-118А, С1-120, C1-121, С1-122, C1-122/1, C1-122/2, C1-122/3, C1-122/4, C1-122/5, C1-122/6, C1-122/7, C1-122/8, C1-122/9, C1-122/10, C1-122/11, C1-122/12, C1-122/13, C1-123, C1-124, С1-125, С1-126, С1-127, C1-127/1, С1-128, С1-129, С1-130, С1-131, C1-134, С1-137, C1-137/1, C1-137/2, C1-147, C1-149, C1-150, C1-151, С1-152, C1-154, C1-155, C1-156, C1-157, C1-157/1, C1-157/2, C1-159, C1-162, C1-164, C1-166, C1-166/1,
С8-18, C8-19, С8-21,
С9-7, С9-9, С9-14, С9-16, С9-17, С9-18, С9-19, С9-27, С9-28, С9-29, С9-52
TEKTRONIX TDS-5104
Осциллограф купить
(лат. oscillo — качаюсь + греч γραφω — пишу) — прибор, предназначенный для исследования (наблюдение, запись ; также измерения) параметров электрического сигнала , подаваемого на его вход, либо непосредственно на экране либо записываемого на фото ленте
Современные осциллографы позволяют разворачивать сигнал гигагерцев частот. Для разворачивания более высокочастотных сигналов можно использовать электронно
Для работы с осциллографом предварительно необходимо произвести калибровку его канала (каналов). Калибровка производится после прогрева прибора (примерно минут 5). Калибратор встроен в большинство осциллографов. Для калибровки высокочастотных моделей желательно иметь шнур с двумя разъемами (на выход калибратора и на вход осциллографа) иначе возможны искажения сигнала. Для низкочастотных моделей возможно просто коснуться щупом выхода калибратора. Далее ручку вольт/дел. ставится так, чтобы сигнал калибратора занимал 2—4 деления на экране (то есть, если калибратор 1 вольт,- то на 250 милливольт). После этого канал включается на переменное напряжение и на экране появится сигнал. Далее, в зависимости от частоты калибратора, ручка развертки ставится в положение при котором видно не менее 5—7 периодов сигнала. Для частоты 1 килогерц частота развертки при которой каждый период занимает одно деление экрана равен 1 мс (одна миллисекунда). Далее необходимо убедиться, чтобы сигнал на протяжении этих 5-7 периодов попадал точно по делениям экрана. Для аналоговых
Допустим, имеется устройство на выходе которого заведомо известный по напряжению сигнал. Чувствительность вертикального отклонения (Вольт/дел) устанавливается так, чтобы отображаемый на экране сигнал не выходил за рамки экрана, щуп устанавливается в нужное место на плате, после чего на экране появится исследуемый сигнал. При необходимости развертка переключается в позицию удобную для наблюдения. Если сигнал превышает допустимую документацией осциллографа, то необходимо воспользоваться делителем с коэффициентом деления 1/10 или 1/100 и соблюдать правила электробезопасности. Можно измерять амплитуду и частоту сигнала подсчитывая деления по вертикали и горизонтали. Некоторые модели осциллографов оснащены системой которая подсвечивает часть луча и измеряет время этого подсвеченного участка, это удобно при измерении частоты или периода — вручную выставляется длина подсвеченного участка, например, на начало и конец одного или нескольких периодов сигнала и на цифровом табло считывается значение в миллисекундах или иной временной единице. Амплитуда сигнала измеряется аналогично.
Б/у. Радиолюбительский инструмент на интернет-аукционе Au.ru
Осциллограф С1-107 1984 год старый советский в рабочем состоянии со встроенным мультиметром .Паспорта нет и не будет только осциллограф.
Осциллограф-мультиметр С1-107 предназначен для:
исследования формы электрических сигналов в диапазоне частот от 0 до 5 МГц путем визуального наблюдения и измерения их амплитуд в диапазоне от 0,02 до 120 В ( с выносным делителем 1:10 до 350) и временных интервалов от 0,4*10-6 до 1,0 с в режиме осциллографа;
измерения напряжений постоянного тока от 1*10-3 до 1000 В, переменного тока от 1*10-3 до 300 В, силы постоянного тока от 1*10-6 до 1,999 А, активного сопротивления от 1*10-3 до 1999 кОм в режиме мультиметра.
Основные данные С1-107
Вертикальное отклонение
Полоса пропускания 0 – 5 МГц
Время нарастания ПХ не более 70 нс
Коэффициент отклонения 0,01 – 20 В/дел
Погрешность ±(4 – 8)%
Входное сопротивление и емкость:
(1±0,02) МОм, (35±5) пФ — прямой вход
(1±0,02) МОм, 12 пФ — с делителем 1:10
Горизонтальное отклонение
Коэффициент развертки 0,1 – 1*105 мкс/дел
Погрешность ±(5 – 8)%
Режимы запуска развертки: автоколебательный, ждущий
Мультиметр
Напряжение постоянного тока 1*10-3 – 1000 В
Напряжение переменного тока 1*10-3 – 300 В
Сила постоянного тока 1*10-3 – 1999 мА
Активное сопротивление 1*10-3 – 1999 кОм
Поддиапазоны во всех режимах измерения: 0,2; 2; 20; 200; 2000
Параметры входа в режиме измерения постоянного и переменного напряжения:
активное сопротивление — не менее 10 мОм
емкость — не более 100 пФ
Осциллограф С1-107
назад
Справочная информация по перечню и количеству содержания драгоценных металлов в изделии: Осциллограф С1-107.
Данные взяты из открытых источников: документации к изделию, формуляров, технической литературы, нормативной документации.
Приводится точная масса содержания драгметаллов: золота, серебра, платины и металлов платиновой группы (МПГ) на единицу изделия в граммах.
Золото : 4,074
Серебро : 10,819
Платина : 0,755
МПГ : 0
Примечание : Из перечней ЗАО НСТ кобольт 0,121 кол-во деталей: 3+5+1+1 возврат: 3,111 7,612 0,411 0
% PDF-1.3 % 1167 0 объект > эндобдж xref 1167 492 0000000016 00000 н. 0000010196 00000 п. 0000010522 00000 п. 0000014615 00000 п. 0000014861 00000 п. 0000014948 00000 п. 0000015105 00000 п. 0000015204 00000 п. 0000015264 00000 п. 0000015381 00000 п. 0000015441 00000 п. 0000015561 00000 п. 0000015622 00000 п. 0000015745 00000 п. 0000015807 00000 п. 0000015918 00000 п. 0000015980 00000 п. 0000016158 00000 п. 0000016220 00000 п. 0000016432 00000 п. 0000016525 00000 п. 0000016646 00000 п. 0000016708 00000 п. 0000016879 00000 п. 0000016941 00000 п. 0000017131 00000 п. 0000017239 00000 п. 0000017347 00000 п. 0000017409 00000 п. 0000017471 00000 п. 0000017533 00000 п. 0000017659 00000 п. 0000017752 00000 п. 0000017849 00000 п. 0000017911 00000 п. 0000018019 00000 п. 0000018081 00000 п. 0000018143 00000 п. 0000018205 00000 п. 0000018333 00000 п. 0000018395 00000 п. 0000018557 00000 п. 0000018619 00000 п. 0000018731 00000 п. 0000018828 00000 п. 0000018890 00000 н. 0000018994 00000 п. 0000019056 00000 п. 0000019118 00000 п. 0000019180 00000 п. 0000019242 00000 п. 0000019416 00000 п. 0000019530 00000 п. 0000019634 00000 п. 0000019696 00000 п. 0000019831 00000 п. 0000019893 00000 п. 0000020017 00000 п. 0000020079 00000 п. 0000020192 00000 п. 0000020254 00000 п. 0000020370 00000 п. 0000020432 00000 п. 0000020545 00000 п. 0000020607 00000 п. 0000020717 00000 п. 0000020779 00000 п. 0000020901 00000 п. 0000020963 00000 п. 0000021100 00000 п. 0000021162 00000 п. 0000021224 00000 п. 0000021286 00000 п. 0000021457 00000 п. 0000021568 00000 п. 0000021686 00000 п. 0000021748 00000 н. 0000021883 00000 п. 0000021945 00000 п. 0000022007 00000 п. 0000022069 00000 п. 0000022245 00000 п. 0000022343 00000 п. 0000022446 00000 п. 0000022508 00000 п. 0000022632 00000 п. 0000022694 00000 п. 0000022818 00000 п. 0000022880 00000 п. 0000022996 00000 п. 0000023058 00000 п. 0000023171 00000 п. 0000023233 00000 п. 0000023344 00000 п. 0000023406 00000 п. 0000023514 00000 п. 0000023576 00000 п. 0000023638 00000 п. 0000023700 00000 п. 0000023882 00000 п. 0000024021 00000 п. 0000024123 00000 п. 0000024185 00000 п. 0000024247 00000 п. 0000024383 00000 п. 0000024519 00000 п. 0000024581 00000 п. 0000024734 00000 п. 0000024882 00000 п. 0000024976 00000 п. 0000025038 00000 п. 0000025190 00000 п. 0000025252 00000 п. 0000025314 00000 п. 0000025376 00000 п. 0000025529 00000 п. 0000025644 00000 п. 0000025735 00000 п. 0000025797 00000 п. 0000025908 00000 н. 0000025970 00000 п. 0000026080 00000 п. 0000026142 00000 п. 0000026281 00000 п. 0000026343 00000 п. 0000026466 00000 н. 0000026528 00000 п. 0000026654 00000 п. 0000026716 00000 п. 0000026778 00000 п. 0000026840 00000 п. 0000026993 00000 п. 0000027122 00000 п. 0000027216 00000 п. 0000027278 00000 н. 0000027409 00000 п. 0000027471 00000 п. 0000027533 00000 п. 0000027595 00000 п. 0000027748 00000 н. 0000027872 00000 н. 0000027966 00000 н. 0000028028 00000 п. 0000028139 00000 п. 0000028201 00000 п. 0000028339 00000 п. 0000028401 00000 п. 0000028512 00000 п. 0000028574 00000 п. 0000028636 00000 п. 0000028698 00000 п. 0000028851 00000 п. 0000028966 00000 п. 0000029060 00000 н. 0000029122 00000 п. 0000029245 00000 п. 0000029307 00000 п. 0000029452 00000 п. 0000029514 00000 п. 0000029706 00000 п. 0000029768 00000 п. 0000029830 00000 н. 0000029892 00000 п. 0000030046 00000 п. 0000030124 00000 п. 0000030186 00000 п. 0000030248 00000 п. 0000030401 00000 п. 0000030479 00000 п. 0000030541 00000 п. 0000030603 00000 п. 0000030757 00000 п. 0000030872 00000 п. 0000030966 00000 п. 0000031028 00000 п. 0000031151 00000 п. 0000031213 00000 п. 0000031358 00000 п. 0000031420 00000 п. 0000031627 00000 н. 0000031689 00000 п. 0000031751 00000 п. 0000031813 00000 п. 0000031968 00000 п. 0000032144 00000 п. 0000032238 00000 п. 0000032300 00000 п. 0000032417 00000 п. 0000032479 00000 п. 0000032624 00000 п. 0000032686 00000 п. 0000032748 00000 н. 0000032810 00000 п. 0000032963 00000 п. 0000033070 00000 п. 0000033164 00000 п. 0000033226 00000 п. 0000033288 00000 п. 0000033350 00000 п. 0000033503 00000 п. 0000033610 00000 п. 0000033704 00000 п. 0000033766 00000 п. 0000033828 00000 п. 0000033890 00000 н. 0000034043 00000 п. 0000034150 00000 п. 0000034244 00000 п. 0000034306 00000 п. 0000034368 00000 п. 0000034430 00000 п. 0000034584 00000 п. 0000034701 00000 п. 0000034795 00000 п. 0000034857 00000 п. 0000034919 00000 п. 0000034981 00000 п. 0000035135 00000 п. 0000035250 00000 п. 0000035341 00000 п. 0000035403 00000 п. 0000035514 00000 п. 0000035576 00000 п. 0000035686 00000 п. 0000035748 00000 п. 0000035877 00000 п. 0000035939 00000 п. 0000036058 00000 п. 0000036120 00000 н. 0000036243 00000 п. 0000036305 00000 п. 0000036367 00000 п. 0000036429 00000 п. 0000036583 00000 п. 0000036712 00000 п. 0000036806 00000 п. 0000036868 00000 н. 0000036999 00000 н. 0000037061 00000 п. 0000037123 00000 п. 0000037185 00000 п. 0000037339 00000 п. 0000037454 00000 п. 0000037548 00000 н. 0000037610 00000 п. 0000037741 00000 п. 0000037803 00000 п. 0000037865 00000 п. 0000037927 00000 н. 0000038081 00000 п. 0000038159 00000 п. 0000038221 00000 п. 0000038283 00000 п. 0000038437 00000 п. 0000038562 00000 п. 0000038656 00000 п. 0000038718 00000 п. 0000038780 00000 п. 0000038842 00000 п. 0000038996 00000 н. 0000039106 00000 п. 0000039197 00000 п. 0000039259 00000 п. 0000039370 00000 п. 0000039432 00000 н. 0000039542 00000 п. 0000039604 00000 п. 0000039745 00000 п. 0000039807 00000 п. 0000039930 00000 н. 0000039992 00000 н. 0000040111 00000 п. 0000040173 00000 п. 0000040296 00000 п. 0000040358 00000 п. 0000040489 00000 н. 0000040551 00000 п. 0000040613 00000 п. 0000040675 00000 п. 0000040829 00000 п. 0000040925 00000 п. 0000041019 00000 п. 0000041081 00000 п. 0000041143 00000 п. 0000041205 00000 п. 0000041359 00000 п. 0000041437 00000 п. 0000041499 00000 н. 0000041561 00000 п. 0000041715 00000 п. 0000041830 00000 п. 0000041924 00000 п. 0000041986 00000 п. 0000042048 00000 н. 0000042110 00000 п. 0000042264 00000 н. 0000042379 00000 п. 0000042473 00000 п. 0000042535 00000 п. 0000042597 00000 п. 0000042659 00000 п. 0000042813 00000 п. 0000042901 00000 п. 0000042963 00000 п. 0000043025 00000 п. 0000043179 00000 п. 0000043273 00000 п. 0000043364 00000 н. 0000043426 00000 п. 0000043537 00000 п. 0000043599 00000 п. 0000043721 00000 п. 0000043783 00000 п. 0000043845 00000 п. 0000043907 00000 п. 0000044070 00000 п. 0000044164 00000 п. 0000044256 00000 п. 0000044318 00000 п. 0000044429 00000 п. 0000044491 00000 п. 0000044553 00000 п. 0000044615 00000 п. 0000044769 00000 п. 0000044847 00000 п. 0000044909 00000 н. 0000044971 00000 п. 0000045125 00000 п. 0000045240 00000 п. 0000045334 00000 п. 0000045396 00000 п. 0000045458 00000 п. 0000045520 00000 п. 0000045673 00000 п. 0000045751 00000 п. 0000045813 00000 п. 0000045875 00000 п. 0000046028 00000 п. 0000046125 00000 п. 0000046219 00000 п. 0000046281 00000 п. 0000046343 00000 п. 0000046405 00000 п. 0000046560 00000 п. 0000046657 00000 п. 0000046751 00000 п. 0000046813 00000 п. 0000046875 00000 п. 0000046937 00000 п. 0000047092 00000 п. 0000047221 00000 п. 0000047315 00000 п. 0000047377 00000 п. 0000047439 00000 п. 0000047501 00000 п. 0000047655 00000 п. 0000047733 00000 п. 0000047795 00000 п. 0000047857 00000 п. 0000048010 00000 п. 0000048088 00000 п. 0000048150 00000 п. 0000048212 00000 н. 0000048336 00000 п. 0000048430 00000 н. 0000048492 00000 п. 0000048603 00000 п. 0000048665 00000 п. 0000048803 00000 п. 0000048865 00000 п. 0000048976 00000 п. 0000049038 00000 п. 0000049100 00000 п. 0000049162 00000 п. 0000049258 00000 п. 0000049352 00000 п. 0000049414 00000 п. 0000049476 00000 п. 0000049538 00000 п. 0000049631 00000 п. 0000049773 00000 п. 0000049835 00000 п. 0000050010 00000 п. 0000050110 00000 п. 0000050229 00000 п. 0000050291 00000 п. 0000050399 00000 п. 0000050461 00000 п. 0000050573 00000 п. 0000050635 00000 п. 0000050697 00000 п. 0000050759 00000 п. 0000050879 00000 п. 0000050986 00000 п. 0000051103 00000 п. 0000051165 00000 п. 0000051302 00000 п. 0000051364 00000 п. 0000051487 00000 п. 0000051549 00000 п. 0000051673 00000 п. 0000051735 00000 п. 0000051874 00000 п. 0000051936 00000 п. 0000051998 00000 п. 0000052060 00000 п. 0000052225 00000 п. 0000052287 00000 п. 0000052397 00000 п. 0000052529 00000 п. 0000052626 00000 п. 0000052688 00000 п. 0000052803 00000 п. 0000052865 00000 п. 0000052986 00000 п. 0000053048 00000 п. 0000053207 00000 п. 0000053269 00000 п. 0000053331 00000 п. 0000053393 00000 п. 0000053513 00000 п. 0000053575 00000 п. 0000053730 00000 п. 0000053792 00000 п. 0000053908 00000 п. 0000053995 00000 п. 0000054097 00000 п. 0000054159 00000 п. 0000054221 00000 п. 0000054283 00000 п. 0000054392 00000 п. 0000054454 00000 п. 0000054516 00000 п. 0000054578 00000 п. 0000054669 00000 п. 0000054764 00000 п. 0000054826 00000 п. 0000054946 00000 п. 0000055008 00000 п. 0000055126 00000 п. 0000055188 00000 п. 0000055295 00000 п. 0000055357 00000 п. 0000055484 00000 п. 0000055546 00000 п. 0000055682 00000 п. 0000055744 00000 п. 0000055858 00000 п. 0000055920 00000 п. 0000056039 00000 п. 0000056101 00000 п. 0000056216 00000 п. 0000056278 00000 п. 0000056390 00000 п. 0000056452 00000 п. 0000056571 00000 п. 0000056633 00000 п. 0000056765 00000 п. 0000056827 00000 н. 0000056936 00000 п. 0000056998 00000 н. 0000057107 00000 п. 0000057169 00000 п. 0000057231 00000 п. 0000057460 00000 п. 0000058154 00000 п. 0000058197 00000 п. 0000058417 00000 п. 0000058440 00000 п. 0000059486 00000 п. 0000059509 00000 п. 0000060368 00000 п. 0000060391 00000 п. 0000061164 00000 п. 0000061187 00000 п. 0000062053 00000 п. 0000062076 00000 п. 0000062855 00000 п. 0000062878 00000 п. 0000063719 00000 п. 0000064808 00000 п. 0000065009 00000 п. 0000065068 00000 п. 0000065091 00000 п. 0000065929 00000 п. 0000065953 00000 п. 0000067117 00000 п. 0000388461 00000 п. 0000388605 00000 н. 0000388760 00000 н. 0000010585 00000 п. 0000014591 00000 п. трейлер ] >
~ HK_ꗸs} {v ު vnp} Aq յ *] {_ / G {wW = ɟ, ޏ Ol #: _ r5. ֏ y {_ | b 9Ed!
Газовая печать жидким металлом для крупномасштабных двумерных полупроводников и ультрафиолетовых фотодетекторов
Двухмерные полупроводники на основе жидкого металла печать
Наш процесс печати основан на эффективном переносе и адгезии тонких оксидных слоев на поверхности металла.Как показано на рис. 1, процесс подготовки разделен на два этапа: плавление металла и очистка основного металла от жидкого металла. Оксидная окалина жидких металлов (Ga, In и Sn) имеет атомную толщину и имеет слабую силу связи с основным металлом. Его можно было легко перенести и приклеить к необходимому субстрату за счет силы Ван-дер-Ваальса. Остаточные мелкие металлические капли удаляются механической и химической очисткой с помощью растворителя. Сила Ван-дер-Ваальса обеспечивает прочное прилегание оксидной пленки к поверхности подложки.После завершения всего процесса могут быть получены большие и сплошные двумерные тонкие пленки полупроводника (оксида металла) с поперечным масштабом более нескольких сантиметров (подробности в разделе «Экспериментальная часть»).
Рис. 1: Схема процесса 2D-печати полупроводников.Жидкий металл может образовывать атомарные тонкослойные оксиды металлов в атмосферных условиях. Когда жидкий металл соскребали с поверхности слоя диоксида кремния с помощью «ракеля», жидкий основной металл удаляется, однако слой оксида прилипает к поверхности подложки, образуя крупномасштабный тонкий слой полупроводника. .
Характеристики двумерных полупроводников Ga
2 O 3 / In 2 O 3 / SnOЧтобы выбрать подходящие двумерные полупроводниковые пленки для оптоэлектронных устройств, мы измерили морфологию и структурные характеристики напечатанных двумерных изображений. Ga 2 O 3 , In 2 O 3 и пленки SnO на подложке SiO 2 / Si, как показано на рис. 2. Оптическое изображение полупроводниковых пленок показано слева. часть рис.2, где показаны все пленки с поперечными размерами от нескольких миллиметров до сантиметров. Морфология поверхности и толщина напечатанных пленок исследовались с помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ). Из-за ограниченного размера области сканирования AFM, единственная крошечная часть сверхбольшой полупроводниковой пленки показана в центре рис. 2, что подтверждает успешный перенос и печать полупроводникового слоя. Для пленок 2D Ga 2 O 3 с принтом обычная высота ступеньки между подложкой и пленкой Ga 2 O 3 составляет около 4.1 нм, что немного толще, чем ранее опубликованный лист, разделенный технологией печати жидким металлом. Локальные металлические включения появляются лишь изредка по краю большой пленки. Каждый тип двумерных пленок, полученных этим способом, имеет разную толщину: 4,1 нм для Ga 2 O 3 , 3,2 нм для In 2 O 3 и 4,4 нм для SnO. Экспериментально доказано, что технология печати может воспроизводить формирование однородных полупроводниковых пленок сантиметрового масштаба на различных подложках (дополнительный рис.S1). Условно говоря, качество напечатанной полупроводниковой пленки на поверхности SiO 2 / Si является оптимальным, поэтому последующая характеристика и подготовка устройства основаны на 2D-пленке, напечатанной на поверхности SiO 2 / Si.
Рис. 2: Морфологические и кристаллические характеристики печатных 2D полупроводников.a – c оптические изображения демонстрируют однородные пленки с поперечными размерами, составляющими несколько сантиметров (шкала масштаба 0,5 мм). d – f Иллюстрации AFM с профилем толщины (вставка), указанным на красной линии, как показано на рисунке (шкала, 5 мкм). g – i ПЭМ-характеристика печатных полупроводников, включая изображения ПЭМВР (шкала 0,5 нм) и шаблон SAED соответствующей области (нижняя вставка).
Просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения, известная как (HRTEM), использовалась для освещения кристаллической конфигурации, а также структурных свойств, приписываемых напечатанным пленкам.В правой части рис. 2 показано ПЭМ изображение напечатанного 2D полупроводника, на вставке – картина дифракции электронов в выбранной области (SAED) выбранной исследуемой области. На рис. 2а можно наблюдать, что шаг решетки составляет 0,46 нм, согласно значению d-шага плоскости (201) Ga 2 O 3 . Из изображения HRTEM и шаблона SAED In 2 O 3 на рис. 2b, мы можем видеть, что в пленке существуют два решетчатых d-промежутка. D-интервал 0.25 нм соответствует плоскости (400), в то время как другой d-интервал 0,28 нм приписывается грани (222) In 2 O 3 . Для SnO расстояние d 0,26 нм соответствует плоскости (110) SnO (рис. 2c). Мы также проанализировали рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию (XPS) и дифракцию рентгеновских лучей (XRD) различных оксидных пленок, чтобы проверить чистоту напечатанных полупроводниковых пленок. Результаты РФЭС показывают, что в двумерных оксидных пленках присутствуют только чистый Ga 2 O 3 , In 2 O 3 и SnO, но отсутствуют металлические элементы и / или другие оксиды (см. Дополнительные рис.S2 и S3 для подробного анализа). Результаты XRD показывают, что все двумерные оксидные пленки имеют хорошую структуру решетки, которая хорошо согласуется с положением пика стандартного спектра (подробный анализ см. На дополнительном рисунке S4). Полученные данные XPS и другие методы определения характеристик, упомянутые выше, обеспечивают результат, что все наши напечатанные 2D полупроводниковые материалы имеют хорошую согласованность и могут использоваться для дальнейшей характеристики электрических и фотоэлектрических свойств.
Характеристики электрического и оптического поглощения напечатанного полупроводникового материала 2D
Из-за разницы между пленками 2D, полученными путем печати, и CVD, которые могут иметь некоторое влияние на электронные и оптические характеристики.Во-первых, нам необходимо дополнительно изучить характеристики оптического поглощения трех двумерных оксидных материалов, полученных методом печати. Результаты измерения оптического поглощения пленок Ga 2 O 3 , In 2 O 3 и SnO показаны на рис. 3а. Они обнаружили, что пленка Ga 2 O 3 демонстрирует сильное поглощение в спектральной области менее 250 нм и приблизительно прозрачна в спектральном диапазоне 260-800 нм, что указывает на то, что пленка имеет значительное поглощение в ультрафиолетовом диапазоне. области, особенно в слепых от солнца зонах, это отличный материал для изготовления УФ-детекторов.Тонкая пленка In 2 O 3 обладает сильной способностью поглощать ультрафиолетовый свет менее 400 нм, но также обладает определенной способностью поглощать фиолетовый свет 400–455 нм и синий свет 455–492 нм. Полоса оптического поглощения пленки SnO простирается до области B ультрафиолетового излучения, кроме того, пленка демонстрирует слабое поглощение в слепой области солнечного излучения. Идеальные солнцезащитные УФ-фотодетекторы требуют, чтобы устройства не реагировали на свет с длиной волны выше 280 нм 24 .Следовательно, для создания фотоприемных устройств оптические свойства пленок Ga 2 O 3 значительно лучше, чем у In 2 O 3 и SnO.
Рис. 3: Свойства материала и характеристики электронных полос печатного 2D-полупроводника.a Спектр поглощения, относящийся к напечатанным пленкам Ga 2 O 3 , In 2 O 3 и SnO. График Tauc, используемый для определения электронной запрещенной зоны для b Ga 2 O 3 , c In 2 O 3 и d SnO с уточненным графиком электронной полосы.2 = C \ cdot \ left ({h \ upsilon – E_g} \ right) $$
(1)
В этом уравнении h представляет постоянную Планка, α обозначает линейный коэффициент поглощения, ν обозначает частоту фотонов, а C является константой. Как показано на рисунке 3b, при подборе линейной области между (αhν) 2 и осью энергии фотонов hν ширина запрещенной зоны напечатанного Ga 2 O 3 оценивается примерно ≈ 4 .8 эВ, что хорошо согласуется с непрямым переходом двухслойного Ga 2 O 3 , что дополнительно подтверждает однородность пленки. На рисунке 3c показан график зависимости (αhν) 2 от hν , основанный на спектрах поглощения УФ – видимой области напечатанного 2D In 2 O 3 . Диаграмма Tauc-графиков, полученная с помощью анализа UV-vis, показывает, что ширина запрещенной зоны 2D In 2 O 3 составляет ∼3,1 эВ, что указывает на то, что пленка имеет почти собственное поведение.Аналогичным образом, прямой E g для напечатанной пленки SnO был оценен примерно в ~ 3,7 эВ, что близко к уже достигнутому результату E г для тетрагонального SnO (~ 3,7 эВ) 26 . График (αhν) 1/2 против hν показывает существование непрямой запрещенной зоны ~ 2,2 эВ (рис. S5). Расчет из первых принципов предполагает, что непрямая запрещенная зона примерно на 1,6 эВ меньше, чем прямая запрещенная зона 27 , что приблизительно соответствует нашим текущим экспериментальным значениям.Для такого напечатанного SnO величина непрямой запрещенной зоны немного больше, чем для большинства обычных SnO. Мы предполагаем, что качество пленки (например, размер кристаллитов, количество структурных дефектов, химический состав и т. Д., 28,29 ) оказывает сильное влияние на оптические свойства вблизи края поглощения.
В полупроводниковых электронных устройствах носители вводятся в полупроводник из электрического контакта, и устройства используют точный контроль потока носителей.Теоретически работа выхода представляет собой минимальную энергию, необходимую для выхода электрона из материала в свободное пространство, а сродство к электрону – это энергия, выделяемая при падении электрона из свободного пространства на дно зоны проводимости полупроводника. Эти параметры могут обеспечить важную теоретическую основу для изучения свойств контакта между металлом и 2D-полупроводником, а свойства контакта определяют характеристики устройства. Поэтому дальнейшие исследования внутренних электрических характеристик 2D-полупроводника очень важны для работы 2D-электронных и оптоэлектронных устройств.
Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (UPS) – распространенный метод для характеристики электрических свойств двумерных полупроводниковых пленок, он проводился в системе сверхвысокого вакуума, обеспечиваемой в пределах светового ресурса спецификаций микроволнового ультрафиолета (HeI = 21,2 эВ; УФ; диаметр пятна около 1 мм). Спектр ИБП напечатанного 2D-полупроводника показан на рис. 4, на котором представлены область отсечки и краевая область валентной зоны. По расчетам, соответствующее максимальное значение валентной зоны (VBM) Ga 2 O 3 равно 5.21 эВ, а сродство к электрону напечатанного Ga 2 O 3 составляет 3,5 эВ. Точно так же тонкие пленки In 2 O 3 демонстрируют VBM = 6,03 эВ, а энергия VBM SnO рассчитана равной 5,23 эВ. Сродство к электрону In 2 O 3 и SnO рассчитано как 2,9 и 3,8 эВ соответственно. (См. Вспомогательные материалы для подробного процесса расчета). Эти результаты очень хорошо согласуются с теоретическими, указывая, что напечатанные пленки Ga 2 O 3 , In 2 O 3 и SnO обладают хорошими электрическими свойствами.Учитывая характеристики оптического поглощения, ширину запрещенной зоны, VBM и сродство материала к электрону, напечатанная пленка Ga 2 O 3 очень подходит для изготовления солнцезащитного УФ-фотодетектора. Поэтому мы сконструировали и исследовали фотоэлектрический детектор на основе Ga 2 O 3 .
Рис. 4: Электрические свойства двумерных полупроводниковых пленок.Оцененный спектр ИБП, полученный из распечатанных a 2D-Ga 2 O 3 , b In 2 O 3 и c SnO для определения их значения сродства к электрону.
Полностью напечатанный Ga
2 O 3 / Si-гетеропереход УФ-слепой фотодетекторВ последние десятилетия фотодетекторы, работающие в ультрафиолетовой (УФ) солнечной слепой зоне (220–280 нм), привлекли большое внимание в военная и гражданская области. В настоящем исследовании мы изготовили полностью напечатанный солнцезащитный УФ-фотодетектор с хорошей чувствительностью на основе Ga 2 O 3 / Si p – n гетероперехода путем печати Ga 2 O 3 на p-типе. Si.Электрические и оптические характеристики созданного фотоприемника на p − n-гетеропереходе были систематически исследованы, что свидетельствует о большом потенциале полностью печатных (опто) электронных устройств на основе Ga 2 O 3 .
Процесс изготовления полностью напечатанного УФ солнечного слепого детектора показан на рис. 5a. Очищенную подложку SiO 2 / p ++ Si (300 нм / 500 мкм) относительно покрывали фоторезистом, а затем погружали в оксид буфера травителя (6: 1 разбавленный HF, BOE, j.т. пекарь) на 5 мин. Обработанный SiO 2 был подвергнут влажному травлению, чтобы выявить потенциал p ++ Si, и качество травления было проверено путем измерения сопротивления листа с применением четырех зондов, подключенных к поверхности источника (Keithley 2400). Пленка Ga 2 O 3 была напечатана на узорчатом SiO 2 / p ++ Si. Как показано на рис. 5a, один конец осажденного Ga 2 O 3 создает pn переход с p ++ Si в рамках эффекта Ван-дер-Ваальса, а другой конец полностью изолирован SiO 2 и Si.Наконец, изготовление фотоприемников на гетеропереходе Ga 2 O 3 / Si завершается путем печати серебряных электродов.
Рис. 5: Схематическое изображение и диаграммы энергетических зон полностью напечатанного фотодетектора на гетеропереходе Ga 2 O 3 / Si.a Процесс изготовления фотоприемника. Зонные диаграммы Ga 2 O 3 и p ++ Si гетероструктуры, указывающие на создание предварительного перехода b , создание пост-перехода c и d при освещении 254 нм.
Чтобы достичь глубокого понимания поворотной роли гетероперехода Ga 2 O 3 / Si в улучшении оптоэлектронных характеристик и показать механизм работы исследуемого фотодетектора, диаграммы энергетических зон, относящиеся к Ga 2 O 3 Гетеропереход / Si в темноте и УФ-освещении показаны на рис. 5b – d. Поскольку ширина зазора Ga 2 O 3 составляет 4,8 эВ, концентрация носителей в пленке Ga 2 O 3 значительно меньше, чем у p-Si, создается p − n-переход.Мы использовали модель Андерсона для объяснения зонной диаграммы гетероперехода Ga 2 O 3 / p-Si 30 . Значения смещения зоны проводимости ( ΔE CB ) и смещения валентной зоны ( ΔE VB ) были определены с использованием правила Андерсона (рис. 5b – d). Согласно разнице сродства к электрону между Ga 2 O 3 (3,5 эВ) и Si (4,05 эВ), ΔE CB было оценено как 0,55 эВ. Исходя из ширины запрещенной зоны 4.8 и 1,12 эВ для Ga 2 O 3 и Si, расчетное значение ΔE VB составило 3,68 эВ. С учетом всех значений зонные диаграммы Ga 2 O 3 и Si до и после образования перехода показаны на рис. 5a, b соответственно. Когда на Ga 2 O 3 подается положительное напряжение, слой обеднения, состоящий из слоя Ga 2 O 3 , будет расширяться. Поскольку импеданс Ga 2 O 3 намного больше, чем у Si, почти все напряжения прикладываются к Ga 2 O 3 .Как показано на рис. 5c, когда гетеропереход Ga 2 O 3 / p-Si облучается ультрафиолетовым светом с длиной волны 254 нм, его энергии фотонов достаточно для возбуждения носителя Ga 2 O 3 , носителя генерируемый световым возбуждением, получает высокую энергию при ускорении большого электрического поля в области перехода, а затем сталкивается с другими атомами в области ионизационного перехода, генерируя носители, и получается эффект лавинного умножения. Электроны могут быть легко переведены в p-Si для получения высокого фототока и чувствительности.Следовательно, фототок гетероперехода Ga 2 O 3 / p-Si увеличивается экспоненциально с увеличением приложенного напряжения после облучения УФ-светом с длиной волны 254 нм. Понятно, что прибор имеет только следующую идеальную длину волны отклика 254 нм. Однако ультрафиолетовой энергии на длине волны 365 нм недостаточно для возбуждения электронов в валентной зоне Ga 2 O 3 , и вышеупомянутое явление усиления не произойдет. Таким образом, фотодетекторы на гетеропереходе обладают солнцезащитными характеристиками в ультрафиолетовом диапазоне.Когда к Ga 2 O 3 прикладывается отрицательное напряжение, приближается обедненный слой, поскольку перехваченные барьерные электроны и дырки не могут переноситься в p-Si.
Мы тщательно исследовали электрические и фотоэлектрические характеристики гетероперехода Ga 2 O 3 / Si. На рисунке 6a показаны вольт-амперные характеристики ( I – V ) фотодетекторного прибора при различных обстоятельствах, когда напряжение прикладывается между двумя электродами из серебра.В качестве источника ультрафиолетового света использовали низковольтную лампу с длиной волны 254 нм. Из результатов видно, что плотность обратного тока меньше, чем приложенного прямого, что подтверждает создание препятствий для перехода. (Электрод Ag на Ga 2 O 3 подключен к 0 В, и напряжение, приложенное к электроду Ag на p-Si, выше 0 В, что называется прямым напряжением.) Около смещения 10 В фотодетектор показывает темновой ток всего 9,41 × 10 −3 мкА, в то время как соответствующий фототок составляет около 8.1 мкА, что примерно в 10 3 раз превышает темновой ток. Соотношение тока низкой темноты и высокого отношения I фото / I темно показывает, что детектор имеет заметное соотношение сигнал / шум. Фототок на длине волны 365 нм приблизительно равен темновому току, что указывает на то, что гетеропереход Ga 2 O 3 / Si не реагирует на длину волны 365 нм (УФ-A) (вставка на рис. 6a). Отклик устройства на длину волны 254 нм (УФ-С) показывает, что гетеропереход Ga 2 O 3 / Si является солнечным слепым.В частности, из-за структуры p – n-перехода, используемой в наших оптоэлектронных устройствах, он может одновременно отображать функцию УФ-фотодиода и фотоприемника. Таким образом, он имеет значительные преимущества в сложных фотоэлектрических системах, таких как многофункциональные оптоэлектронные приложения.
Рис. 6: Характеристика полностью напечатанного УФ-фотодетектора, основанного на гетеропереходе Ga 2 O 3 / Si.a ВАХ в линейном масштабе в темноте и при 254 нм и 365 нм ресурсах УФ-света 100 мкВт / см −2 . b Ответственность за УФ-излучение 254 нм и эффективность внешнего кванта при различных напряжениях. c Воспроизводимое включение / выключение фотодетекторной ячейки при свете 254 нм при 10 В. d Оценка фототока с временным разрешением при использовании лазерных источников. Заштрихованные области светятся лазером в течение 20 с. e Временная характеристика фотоприемника Ga 2 O 3 / Si. f Фоточувствительность и фотодетекция как функция большой интенсивности при напряжении 10 В.
Для количественной оценки поведения фотодетекторов на рис. 6b изучается пиковая чувствительность (R) при приложенном напряжении смещения, а интенсивность света составляет 100 мкВт / см −2 . Отзывчивость описывается уравнением. (2):
$$ R = \ frac {{I_ \ lambda – I_d}} {{P_ \ lambda S}} $$
(2)
В вышеупомянутом уравнении I λ определяет фототок, I d представляет темновой ток, P λ определяет интенсивность света, а S – область эффективного освещения (0 .18 мм 2 ). Как показано на рис. 6b, чувствительность пика, относящегося к фотодетекторам, линейно улучшается с увеличением реализованного напряжения смещения. Максимальная чувствительность может достигать 44,6 A Вт −1 при напряжении 10 В и интенсивности света 100 мкВт · см −2 . Результаты показывают, что фотодетектор имеет хороший спектральный отклик на слепой солнечный свет. Внешняя квантовая эффективность (EQE) – еще один важный показатель эффективности фотодетекторов, что можно объяснить формулой.(3) 31 :
$$ EQE (\ eta) = \ frac {{hcR_ \ lambda}} {{q \ lambda}} $$
(3)
, где h представляет постоянную Планка, c – скорость света, q – заряд начального электрона (1,6 × 10 –19 C), λ указывает длину волны падающего ультрафиолетового света. (254 нм), а R λ – это ответ на определенную длину волны ультрафиолета. На рисунке 6b также показано изменение EQE фотодетектора с приложенным напряжением смещения при освещении 254 нм.Для нашего устройства пиковая чувствительность при 254 нм составляет около 44,6 A Вт -1 , а соответствующее значение EQE составляет 2,2 × 10 4 % (при смещении 10 В), что указывает на то, что фотоприемник и ресурсы ультрафиолетового света хорошо связаны и могут использоваться для обнаружения УФ-излучения 32 . Подобно тенденции R , EQE усиливается с увеличением реализованного напряжения при напряжении прямого смещения, что указывает на то, что фотодетектор имеет большое усиление 33 .
При оценке фотодетекторов время отклика является важной базовой характеристикой, особенно в приложениях, требующих быстрого светового отклика. Кривая фототока в зависимости от времени ( I – t ) фотоприемников оценивалась путем периодического включения и выключения выключателя света. Во время измерения мы неоднократно включали и выключали источник УФ-света 254 нм, 100 мкВт / см −2 с интервалом 20 с. На рисунке 6c показана переходная реакция фотоприемника Ga 2 O 3 / Si.Зависящий от времени оптический отклик был получен при напряжении прямого смещения 10 В. Фототоки с временным разрешением ( В, = 0 и 10 В) за 20 с до и после лазерного облучения были также измерены для изучения времени фотораспада ( τ распад ) (рис. 6г). Как показано на рис. 6c и d, ток мгновенно увеличивается с ~ 0,6 нА до ~ 8,1 мкА при освещении и быстро спадает до ~ 0,8 нА при выключении источника света.
Кроме того, при освещении 365 нм мы практически не наблюдаем изменения фототока (дополнительный рис.S6), который превосходит другие зарегистрированные фотодетекторы Ga 2 O 3 с определенным откликом на длину волны 365 нм 34,35,36,37 . Теоретически, когда есть дефекты глубокого уровня, детектор может поглощать длины волн, превышающие энергию запрещенной зоны. Детектор не имеет явного светового отклика на длине волны 365 нм, что свидетельствует о высоком качестве материалов для печати и отличном сочетании Ga 2 O 3 и Si.
Скорость реакции – еще один важный критерий фотодетекторов, который касается эффективного извлечения фотогенерированных носителей.{- т / \ тау} $$
(4)
, где I 0 показывает фототок в стабильном состоянии, A представляет константу, t обозначает время и τ обозначает константу времени релаксации. τ r и τ f представляют фронты увеличения и уменьшения постоянных времени, соответственно. Как показано на рис. 6e, обработка фотоответа может быть хорошо согласована с τ r 0.2 мс и τ f 2 мс. Процедура быстрого затухания может быть приписана переходу от полосы к полосе, тогда как процедура с пониженной скоростью связана с переходом, включенным в ловушки 38 . \ ast = \ frac {{R_ \ lambda}} {{\ sqrt {2qI_d / S}}} $$
(5)
Из-за подавленного темнового тока и улучшенной чувствительности, учитывая, что R 254 = 44.6 A W −1 и I d = 4,6 × 10 −5 мкА, значение D * фотодетектора с гетероструктурой Ga 2 O 3 / Si может быть измерено как 3,45 × 10 13 см Гц 1/2 Вт -1 (Джонс) на длине волны 254 нм, демонстрируя мощную способность фотодетектора определять нормализованное отношение сигнал-шум. Далее мы охарактеризовали чувствительность и обнаружительную способность по разной интенсивности света (рис.6е). Полностью напечатанный фотодетектор Ga 2 O 3 / Si продемонстрировал конкурентоспособные фотореактивность и фотодетекцию.
В таблице 1 представлено сравнение фотоприемника Ga 2 O 3 , изготовленного нашей группой, вместе с другими работами, важные параметры приведены в таблице. Из сравнения можно было заметить, что сконструированный нами детектор Ga 2 O 3 / Si демонстрирует обнадеживающие и превосходные характеристики. Некоторые ключевые параметры лучше, чем инструменты на основе Ga 2 O 3 40,41 , PEDOTs / Ga 2 O 3 42 , графен / β-Ga 2 O 3 43,44 , а также некоторые устройства из AlGaN 45,46 , MgZnO 47,48 и ZnO 49,50 и др.Хотя по сравнению с фотодетекторами с лучшими характеристиками, некоторые параметры все же есть, но в нашей работе используется метод полной печати на жидком металле. По сравнению с другими методами, он имеет большие преимущества в быстром приготовлении полупроводниковых пленок большой площади, что имеет решающее значение для создания крупномасштабных и сложных фотоэлектрических систем. Кроме того, наш процесс не требует высокотемпературного процесса, а это означает, что можно печатать полупроводниковые пленки на гибких полимерных подложках, таких как PI.Жидкий металл и полупроводниковые пленки являются термостойкими, что означает, что этот метод также может использоваться в высокотемпературных производственных процессах, таких как обработка кристаллов. Эта технология может быть расширена до применения гибкой фотоэлектрической системы и высокотемпературного фотоэлектрического обнаружения. Таким образом, частично отличное поведение, наряду с простым, легким в изготовлении и недорогим, представляет собой полностью печатный фотодетектор, обещающий желаемый потенциал для создания гибких высокоскоростных оптоэлектронных систем.Более того, наши устройства могут развиваться дальше в реализации гибридной схемы, основанной на материалах с малыми габаритами, и должны проложить путь для разработки крупномасштабных, недорогих и желательных фотоэлектронных систем для печати в будущем.
Таблица 1 Сравнение наиболее важных критериев фотоприемников, достигнутых в текущих и предыдущих исследованиях.Жидкие металлы обладают различными потенциальными функциональными возможностями. Довольно важное значение этой серии материалов заключается в том, что их можно использовать для печати двумерных полупроводниковых материалов с широким спектром применения.В настоящей работе крупномасштабные высококачественные тонкие двумерные полупроводниковые пленки были продемонстрированы на различных подложках с использованием масштабируемого и простого метода печати путем переноса возникающей оксидной пленки жидкого металла, сформированной при определенных условиях. Кроме того, мы провели тщательную интерпретацию и анализ электрических свойств напечатанных двумерных полупроводниковых пленок, предоставив ключевые рекомендации для дальнейшего развития функциональной электроники с жидкометаллической печатью.
В частности, мы успешно продемонстрировали полностью напечатанный солнцезащитный фотоприемник на основе Ga 2 O 3 / Si p − n-перехода, который демонстрирует довольно высокую чувствительность и сверхдетекционную способность для обнаружения солнечного слепого ультрафиолета.Такой высокоэффективный, простой, крупногабаритный и недорогой производственный процесс предлагает путь с большим коммерческим потенциалом для развития УФ-фотодетекторов с различными техническими характеристиками. Предлагаемые преимущества могут сделать производимый таким образом двумерный полупроводник предпочтительным материалом для печати различных гибких оптоэлектронных устройств, что обеспечивает очень потенциальную парадигму для будущей электроники, датчиков и более функциональных устройств.
% PDF-1.6 % 21178 0 объект > эндобдж xref 21178 274 0000000017 00000 н. 0000006423 00000 н. 0000006659 00000 н. 0000006695 00000 н. 0000006763 00000 н. 0000009028 00000 н. 0000009198 00000 п. 0000009390 00000 н. 0000009436 00000 н. 0000009502 00000 н. 0000010486 00000 п. 0000011043 00000 п. 0000011432 00000 п. 0000011721 00000 п. 0000012021 00000 п. 0000012071 00000 п. 0000012142 00000 п. 0000014851 00000 п. 0000036906 00000 п. 0000049581 00000 п. 0000052742 00000 н. 0000053041 00000 п. 0000053150 00000 п. 0000053333 00000 п. 0000053442 00000 п. 0000053571 00000 п. 0000053729 00000 п. 0000053869 00000 п. 0000054073 00000 п. 0000054199 00000 п. 0000054318 00000 п. 0000054499 00000 п. 0000054604 00000 п. 0000054755 00000 п. 0000054933 00000 п. 0000055084 00000 п. 0000055242 00000 п. 0000055475 00000 п. 0000055635 00000 п. 0000055759 00000 п. 0000055972 00000 п. 0000056135 00000 п. 0000056343 00000 п. 0000056499 00000 н. 0000056706 00000 п. 0000056863 00000 п. 0000057015 00000 п. 0000057239 00000 п. 0000057340 00000 п. 0000057452 00000 п. 0000057652 00000 п. 0000057831 00000 п. 0000057992 00000 п. 0000058187 00000 п. 0000058287 00000 п. 0000058452 00000 п. 0000058657 00000 п. 0000058788 00000 п. 0000058934 00000 п. 0000059060 00000 н. 0000059275 00000 п. 0000059387 00000 п. 0000059529 00000 п. 0000059705 00000 п. 0000059834 00000 п. 0000059968 00000 н. 0000060088 00000 п. 0000060216 00000 п. 0000060348 00000 п. 0000060547 00000 п. 0000060727 00000 п. 0000060932 00000 п. 0000061135 00000 п. 0000061235 00000 п. 0000061358 00000 п. 0000061540 00000 п. 0000061640 00000 п. 0000061764 00000 п. 0000061949 00000 п. 0000062049 00000 п. 0000062176 00000 п. 0000062372 00000 п. 0000062472 00000 п. 0000062596 00000 п. 0000062782 00000 п. 0000062983 00000 п. 0000063083 00000 п. 0000063222 00000 п. 0000063426 00000 п. 0000063526 00000 п. 0000063664 00000 п. 0000063883 00000 п. 0000064018 00000 п. 0000064160 00000 п. 0000064357 00000 п. 0000064457 00000 п. 0000064579 00000 п. 0000064773 00000 п. 0000064873 00000 п. 0000064995 00000 н. 0000065179 00000 п. 0000065290 00000 п. 0000065443 00000 п. 0000065584 00000 п. 0000065709 00000 п. 0000065835 00000 п. 0000065955 00000 п. 0000066074 00000 п. 0000066228 00000 п. 0000066391 00000 п. 0000066552 00000 п. 0000066691 00000 п. 0000066838 00000 п. 0000066992 00000 п. 0000067139 00000 п. 0000067297 00000 п. 0000067447 00000 п. 0000067607 00000 п. 0000067775 00000 п. 0000067902 00000 п. 0000068073 00000 п. 0000068200 00000 н. 0000068368 00000 п. 0000068524 00000 п. 0000068675 00000 п. 0000068800 00000 п. 0000068927 00000 п. 0000069076 00000 п. 0000069271 00000 п. 0000069423 00000 п. 0000069573 00000 п. 0000069750 00000 п. 0000069902 00000 н. 0000070051 00000 п. 0000070197 00000 п. 0000070348 00000 п. 0000070496 00000 п. 0000070630 00000 п. 0000070778 00000 п. 0000070934 00000 п. 0000071056 00000 п. 0000071193 00000 п. 0000071329 00000 п. 0000071467 00000 п. 0000071613 00000 п. 0000071754 00000 п. 0000071915 00000 п. 0000072041 00000 п. 0000072170 00000 п. 0000072301 00000 п. 0000072435 00000 п. 0000072572 00000 п. 0000072694 00000 п. 0000072809 00000 п. 0000072924 00000 п. 0000073036 00000 п. 0000073163 00000 п. 0000073296 00000 п. 0000073407 00000 п. 0000073522 00000 п. 0000073634 00000 п. 0000073757 00000 п. 0000073869 00000 п. 0000074025 00000 п. 0000074151 00000 п. 0000074292 00000 п. 0000074404 00000 п. 0000074534 00000 п. 0000074646 00000 п. 0000074757 00000 п. 0000074883 00000 п. 0000075009 00000 п. 0000075121 00000 п. 0000075240 00000 п. 0000075351 00000 п. 0000075486 00000 п. 0000075614 00000 п. 0000075767 00000 п. 0000075899 00000 п. 0000076045 00000 п. 0000076178 00000 п. 0000076311 00000 п. 0000076437 00000 п. 0000076586 00000 п. 0000076723 00000 п. 0000076873 00000 п. 0000076997 00000 п. 0000077137 00000 п. 0000077263 00000 п. 0000077411 00000 п. 0000077540 00000 п. 0000077689 00000 п. 0000077804 00000 п. 0000077934 00000 п. 0000078057 00000 п. 0000078185 00000 п. 0000078305 00000 п. 0000078434 00000 п. 0000078573 00000 п. 0000078697 00000 п. 0000078864 00000 п. 0000079023 00000 п. 0000079186 00000 п. 0000079356 00000 п. 0000079492 00000 п. 0000079621 00000 п. 0000079775 00000 п. 0000079908 00000 н. 0000080054 00000 п. 0000080187 00000 п. 0000080320 00000 п. 0000080445 00000 п. 0000080570 00000 п. 0000080700 00000 п. 0000080879 00000 п. 0000081028 00000 п. 0000081182 00000 п. 0000081321 00000 п. 0000081467 00000 п. 0000081607 00000 п. 0000081804 00000 п. 0000081911 00000 п. 0000082018 00000 п. 0000082129 00000 п. 0000082268 00000 п. 0000082381 00000 п. 0000082502 00000 п. 0000082627 00000 н. 0000082763 00000 п. 0000082881 00000 п. 0000083034 00000 п. 0000083199 00000 п. 0000083367 00000 п. 0000083487 00000 п. 0000083613 00000 п. 0000083740 00000 п. 0000083916 00000 п. 0000084026 00000 п. 0000084124 00000 п. 0000084297 00000 п. 0000084402 00000 п. 0000084510 00000 п. 0000084676 00000 п. 0000084775 00000 п. 0000084878 00000 п. 0000084992 00000 п. 0000085118 00000 п. 0000085231 00000 п. 0000085346 00000 п. 0000085473 00000 п. 0000085603 00000 п. 0000085738 00000 п. 0000085876 00000 п. 0000086015 00000 п. 0000086148 00000 п. 0000086286 00000 п. 0000086411 00000 п. 0000086547 00000 п. 0000086686 00000 п. 0000086813 00000 п. 0000086928 00000 п. 0000087054 00000 п. 0000087190 00000 п. 0000087360 00000 п. 0000087542 00000 п. 0000087671 00000 п. 0000087794 00000 п. 0000087921 00000 п. 0000088047 00000 п. 0000088164 00000 п. 0000088284 00000 п. 0000088418 00000 п. 0000088537 00000 п. 0000088685 00000 п. трейлер ] / Инфо 21168 0 R / Назад 16213735 / Корень 21179 0 R / Размер 21452 / Источник (WeJXFxNO4fJduyUMetTcP9 + oaONfINN4 + d7w1cvWA2Zs70DDBVrVVPcvGEJ87FZ5B9khgm8VtCFmyd8gIrwOjQRAIjPsWhM4vgMCV \ 8KvVF / K8lfa7NUxf7HHP1CtOGw5baRrEtRkxS83GEg =) >> startxref 0 %% EOF 21179 0 объект > эндобдж 21180 0 объект [21181 0 R] эндобдж 21181 0 объект > >> эндобдж 21182 0 объект > транслировать х {UƟ ~ o.ƼwD | Td “B-ӇH ~ u7b “H # e` (M ٟ {r6” * ۻ tMF: uOC6 & ƿlwDegoqQA! E ݓ K% 3vWmX {t6j / iFf \ bv63m_? dd> zw [; ƧZ Ͳ – & [f6̷̵Vln6 \ d87 ~ r j0o * 9s _ bZ | Q & clnr’O, nn9uL * rrrgM3fY 昽 gαumoaNy? w4b) zV_rgXQ
Произошла ошибка при настройке вашего пользовательского файла cookie
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.
Настройка вашего браузера для приема файлов cookie
Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее частые причины:
- В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
- Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
- Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
- Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
- Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.
Почему этому сайту требуются файлы cookie?
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.
Что сохраняется в файле cookie?
Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.
Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.
Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.
Настройка вашего браузера для приема файлов cookie
Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее частые причины:
- В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
- Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
- Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
- Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
- Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.
Почему этому сайту требуются файлы cookie?
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.
Что сохраняется в файле cookie?
Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.
Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.
% PDF-1.3 % 510 0 объект > эндобдж xref 510 155 0000000016 00000 н. 0000003470 00000 н. 0000003696 00000 н. 0000003839 00000 п. 0000005167 00000 н. 0000005397 00000 н. 0000005480 00000 н. 0000005570 00000 н. 0000005689 00000 н. 0000005847 00000 н. 0000005951 00000 п. 0000006085 00000 н. 0000006141 00000 п. 0000006197 00000 н. 0000006342 00000 п. 0000006433 00000 н. 0000006524 00000 н. 0000006580 00000 н. 0000006636 00000 н. 0000006747 00000 н. 0000006803 00000 п. 0000006918 00000 н. 0000006974 00000 н. 0000007030 00000 н. 0000007085 00000 н. 0000007245 00000 н. 0000007362 00000 н. 0000007492 00000 н. 0000007627 00000 н. 0000007682 00000 н. 0000007806 00000 н. 0000007861 00000 п. 0000007984 00000 п. 0000008039 00000 н. 0000008176 00000 н. 0000008231 00000 п. 0000008355 00000 н. 0000008410 00000 н. 0000008535 00000 н. 0000008590 00000 н. 0000008705 00000 н. 0000008760 00000 п. 0000008904 00000 н. 0000008959 00000 н. 0000009071 00000 н. 0000009126 00000 н. 0000009265 00000 н. 0000009320 00000 н. 0000009431 00000 н. 0000009486 00000 н. 0000009617 00000 н. 0000009672 00000 н. 0000009788 00000 н. 0000009843 00000 н. 0000009952 00000 н. 0000010007 00000 п. 0000010110 00000 п. 0000010165 00000 п. 0000010278 00000 п. 0000010333 00000 п. 0000010450 00000 п. 0000010505 00000 п. 0000010611 00000 п. 0000010666 00000 п. 0000010776 00000 п. 0000010831 00000 п. 0000010940 00000 п. 0000010995 00000 п. 0000011115 00000 п. 0000011170 00000 п. 0000011305 00000 п. 0000011360 00000 п. 0000011487 00000 п. 0000011542 00000 п. 0000011661 00000 п. 0000011716 00000 п. 0000011859 00000 п. 0000011914 00000 п. 0000012051 00000 н. 0000012106 00000 п. 0000012215 00000 п. 0000012270 00000 п. 0000012397 00000 п. 0000012452 00000 п. 0000012580 00000 п. 0000012635 00000 п. 0000012778 00000 п. 0000012833 00000 п. 0000012949 00000 п. 0000013004 00000 п. 0000013143 00000 п. 0000013198 00000 п. 0000013346 00000 п. 0000013401 00000 п. 0000013456 00000 п. 0000013511 00000 п. 0000013618 00000 п. 0000013673 00000 п. 0000013781 00000 п. 0000013917 00000 п. 0000013972 00000 п. 0000014062 00000 п. 0000014147 00000 п. 0000014258 00000 п. 0000014313 00000 п. 0000014432 00000 п. 0000014487 00000 п. 0000014604 00000 п. 0000014659 00000 п. 0000014758 00000 п. 0000014813 00000 п. 0000014923 00000 п. 0000014978 00000 п. 0000015089 00000 п. 0000015144 00000 п. 0000015245 00000 п. 0000015300 00000 п. 0000015431 00000 п. 0000015486 00000 п. 0000015596 00000 п. 0000015651 00000 п. 0000015752 00000 п. 0000015807 00000 п. 0000015932 00000 п. 0000015987 00000 п. 0000016105 00000 п. 0000016160 00000 п. 0000016261 00000 п. 0000016316 00000 п. 0000016419 00000 п. 0000016474 00000 п. 0000016601 00000 п. 0000016656 00000 п. 0000016766 00000 п. 0000016821 00000 п. 0000016876 00000 п. 0000016985 00000 п. 0000017040 00000 п. 0000017171 00000 п. 0000017226 00000 п. 0000017281 00000 п. 0000017336 00000 п. 0000017390 00000 п. 0000017501 00000 п. 0000017555 00000 п. 0000017685 00000 п. 0000017739 00000 п. 0000017795 00000 п. 0000017925 00000 п. 0000017946 00000 п. 0000017968 00000 н. 0000018795 00000 п. 0000018820 00000 п. 0000003895 00000 н. 0000005144 00000 п.