Отечественные транзисторы справочник: Страница не найдена

Содержание

Справочник

Каталог товаров

New Новинки
Хит Хиты продаж
% Скидки

ВА57Ф35 200 А выключатель автоматический
Не указана цена
Контактор ПМЛ-4160ДМ-80А-220АС-УХЛ4-Б
Не указана цена
ТВУ-12В тональное вызывное устройство
Не указана цена

Производители

CAMELION

ANDELI

CASIL

MAXELL

ROBITON

RUICHI

S-LINE

TIDAR

АМСИ

ЗАВОД ПРИПОЕВ

Все производители

Новости

Все новости

Радиотовары и их аналоги

Все новости

Обзоры и советы

Все обзоры и советы

Виды батареек и их применение Применение тиристорных модулей

Все обзоры и советы

Главная

Справочник

При разработке, изготовлении и эксплуатации полупроводниковых приборов
следует принимать во внимание их специфические особенности.

Высокая надёжность
радиоэлектронной аппаратуры может обеспечена только при учёте таких факторов,
как разброс параметров транзисторов, температурная нестабильность и зависимость
их параметров от режима работы, а также изменение параметров транзисторов в
процессе эксплуатации. Данные транзисторы сохраняют свои параметры в установленных
пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для различных видов
и классов аппаратуры. Условия эксплуатации аппаратуры могут изменяться в широких пределах и температурных, и атмосферных, и вибрационных, и ударных, и скачков

в питании, и различных излучений. Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу
радиоэлектронной аппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные
особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить условия
её эксплуатации и хранения.
Технические характеристики импортных биполярных транзисторов

Тип	структура	Uкэ В	Iк А	Uкб В	Uбэ В	Pвт	h31э	fмгц	корпус
2DA1213	pnp	50	2	50	6	1	70-240	160	SOT-89
2N1131	pnp	50	0. 6	35	5	0.6	20-45	50	TO-39
2N1479	npn	40	1.5	60	6	5	20-60	2	TO-39
2N1480	npn	55	1.5	100	6	5	35-100	2	TO-39
2N1481	npn	40	1.5	60	6	5	20-60	2	TO-39
2N1482	npn	55	1.5	100	6	5	35-100	2	TO-39
2N1549	pnp	40	15	60	20	106	10-30	0. 1	TO-3
2N1550	pnp	40	15	60	30	106	10-30	0.1	TO-3
2N1551	pnp	40	15	80	40	106	10-30	0.1	TO-3

2N1552	pnp	100	15	100	50	106	10-30	0.1	TO-3
2N1553	pnp	40	15	40	20	106	30-60	0. 1	TO-3
2N1554	pnp	60	15	60	30	106	30-60	0.1	TO-3
2N1555	pnp	80	15	80	40	106	30-60	0.1	TO-3
2N1556	pnp	100	15	100	50	106	30-60	0.1	TO-3
2N1557	pnp	40	15	40	20	106	50-100	0.1	TO-3
2N1558	pnp	60	15	60	30	106	50-100	0. 1	TO-3
2N1559	pnp	80	15	80	40	106	50-100	0.1	TO-3
2N1560	pnp	100	15	100	50	106	50-100	0.1	TO-3
2N1613	npn	75	0.5	75	7	0.8	40-120	60	TO-39

2N1711	npn	75	0.5	75	7	0.8	100-300	100	TO-39
2N1893	npn	120	0. 5	120	7	0.8	40-120	70	TO-39
2N2102	pnp	120	1	120	7	1	35-150	65	TO-39
2N2218	npn	60	0.8	60	5	0.8	40-120	250	TO-39
2N2219	npn	60	0.8	60	5	0.8	100-300	250	TO-39
2N2220	npn	60	0.8	60	5	0.5	20-60	250	TO-18
2N2221	npn	60	0. 8	60	5	0.5	40-120	250	TO-18
2N2222	npn	60	0.8	60	5	0.5	100-300	250	TO-18
2N2270	npn	60	1	60	7	1	50-200	100	TO-39
2N2297	npn	80	0.15	80	7	5	40-120	60	TO-39

2N2369A	npn	40	0. 2	40	5	0.36	40-120	500	ТО-18
2N2405	npn	120	1	120	7	1	60-200	120	TO-39
2N2484	npn	60	0.05	60	6	0.36	100-500	15	TO-18
2N2904	pnp	60	0.6	60	5	0.8	40-120	200	TO-39
2N2905	pnp	60	0.6	60	5	0. 8	100-300	200	TO-39
2N2906	pnp	60	0.6	60	5	0.4	40-120	200	TO-18
2N2907	pnp	60	0.6	60	5	0.4	100-300	200	TO-18
2N2923	npn	25	0.1	25	5	0.625	90-180	0.1	TO-92

2N2924	npn	25	0. 1	25	5	0.625	150-300	0.1	TO-92
2N2925	npn	25	0.1	25	5	0.625	235-470	0.1	TO-92
2N3019	npn	140	1	140	7	0.8	100-300	100	TO-92
2N3020	npn	80	1	140	7	0.8	40-120	100	TO-39
2N3021	pnp	30	3	30	4	25	20-60	0.1	TO-3
2N3022	pnp	45	3	45	4	25	20-60	0. 1	TO-3
2N3023	pnp	60	3	60	4	25	20-60	0.1	TO-3
2N3024	pnp	30	3	30	4	25	50-180	0.1	TO-3
2N3025	pnp	45	3	45	4	25	50-180	0.1	TO-3
2N3026	pnp	60	3	60	4	25	50-180	0.1	TO-3

Биполярные отечественные транзисторы – Транзисторы – Справочник Радиокомпонентов – РадиоДом

КТ835 – биполярный кремниевый PNP транзистор – схема включения, описание, параметры, характеристика, использование, цоколёвка, datasheet.

КТ834 – биполярный кремниевый NPN транзистор – схема включения, описание, параметры, характеристика, использование, цоколёвка, datasheet.

КТ829 – биполярный кремниевый NPN транзистор – схема включения, описание, параметры, характеристика, использование, цоколёвка, datasheet.

КТ828, 2Т828 – биполярный кремниевый NPN транзистор – схема включения, описание, параметры, характеристика, использование, цоколёвка, datasheet.

КТ836 – биполярный кремниевый PNP транзистор – параметры, использование, цоколёвка, datasheet.

КТ315 – биполярный кремниевый NPN транзистор – параметры, использование, цоколёвка, datasheet.

КТ838 – биполярный кремниевый NPN транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В, КТ827А, КТ827Б, КТ827В технические характеристики

КТ837, 2Т837 – биполярный кремниевый PNP транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ3107 – биполярный кремниевый PNP транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ819, 2Т819 – биполярный кремниевый NPN транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ818, 2Т818 – биполярный кремниевый PNP транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ817 – биполярный кремниевый NPN транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ816 – биполярный кремниевый PNP транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ815 – биполярный кремниевый NPN транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ814 – биполярный кремниевый PNP транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ940 – биполярный кремниевый NPN транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ972 – биполярный кремниевый NPN транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ973 – биполярный кремниевый PNP транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ825, 2Т825 – биполярный кремниевый PNP транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

КТ827, 2Т827 – биполярный кремниевый NPN транзистор – параметры, использование, цоколёвка.

Транзисторы с согласованной парой

Дистрибьютор электронных транзисторов, включая микросхемы, двойные транзисторы и транзисторы с согласованной парой. Доступны в различных материалах и спецификациях. Возможности включают управление запасами, управление цепочками поставок, складирование на заводе, автоматическое пополнение запасов, штриховое кодирование и маркировку. Электронные транзисторы используются в оборонной, аэрокосмической, промышленной, коммерческой, здравоохранительной, медицинской, компьютерной и испытательной промышленности. Услуги включают проектирование, быстрое прототипирование, контрактное и индивидуальное производство, сборку коробок, внутрисхемное и функциональное тестирование и услуги по сборке. Доступны службы доставки CANBAN и JIT.

americandistr.com/

Avago, Bourns, Central, Hitachi, International Rectifier, Mospec, ON, ST Microelectronics, Semelab, Semicoa, SoliComp, Vishay

Дистрибьютор транзисторов с согласованной парой. Типы включают транзисторы Дарлингтона, германиевые, высоковольтные, силовые, кремниевые, радиочастотные и транзисторы общего назначения. В наличии товары на складе. отгрузка 24 часа. Доставка JIT.

Calogic, International Rectifier, Micro Commercial Components, Mospec, NEC, NTE, Rohm, Semelab, Sensitron, Solid State, Vishay, Zettler

Дистрибьютор транзисторов, включая спаренные транзисторы. Также доступны транзисторы общего назначения, микросхемы, Дарлингтона, полевые, двойные, германиевые, сильноточные, высокочастотные, высоковольтные, с изолированным затвором, биполярные, микроволновые, радиочастотные, кремниевые, силовые, слабосигнальные и переключающие транзисторы. Обслуживаемые рынки включают корпорации, образовательные учреждения, OEM-производителей и любителей.

FS-Curtis, MOT, NSC, NTE. разъемы, диоды, резисторы, выпрямители и модули. Дискретные полупроводники для военных, аэрокосмических и телекоммуникационных систем. Техническая поддержка проектов, приложений и поиска. Электронные компоненты доступны для OEM-производителей, микропроцессоров, приложений для преобразования данных, межсоединений и управления питанием.

Analog Devices, Burr-Brown, Lattice, Linear Technology, Micron Technologies, Molex, Motorola, Murata, NEC, QLogic, Renesas, Rohm, ST Microelectronics, Sanken, Tyco/AMP

Широкий набор диодов: типы 1N, мост , Регулирование тока, Выпрямитель, Шоттки, Переключение, Темп. Comp, Transorb, Zener, Current Limiting, High Voltage, Hot Carrier, Silicone, Step Recovery. Транзисторы: Дарлингтона, сдвоенные, с полевым эффектом, германиевые, высокочастотные, высоковольтные, согласованная пара, кремниевые, малые, сигнальные, переключающие однопереходные, МОП-транзисторы, симисторы, типы 2N, сдвоенные, тринисторы, стабилизаторы напряжения. Выпрямители, Полупроводники

Поставщик и дистрибьютор электронных компонентов для международного и внутреннего рынка; стандартные коммерческие (COTS) и военные спецификации (mil spec), интегральные схемы, полупроводники, источники питания, ЖК-дисплеи, светодиоды, транзисторы, резисторы, крепежные детали, разъемы, микросхемы, конденсаторы, труднодоступные и устаревшие компоненты.

MRF/SRF/M Series – Транзисторы – RF, Mosfets, Misc.

Вероятно, в вашем браузере отключен JavaScript.
Для использования функций этого веб-сайта в вашем браузере должен быть включен JavaScript.

1-800-RFPARTS (1-800-737-2787) 1-760-744-0700 (США) ЗАКАЗЫ: [email protected] 435 S PACIFIC ST SAN MARCOS, CA 92078

Пожалуйста, выберите один из следующих вариантов подкатегории MRF:

Посмотреть, как: Список Сетка

Показать 5 10 15 20 25 Всего на странице

Сортировать по Позиция Имя Цена

40,00 $
Предназначен для усилителей больших сигналов УВЧ на 12,5 В в промышленном и коммерческом FM-оборудовании, работающем на частоте 520 МГц.
Гарантированные характеристики 440, 470, 512 МГц, 12,5 В
- Выходная мощность = 50 Вт
- Минимальное усиление = 5,2 дБ при 440, 470 МГц
- Эффективность = 55% при 440, 470 МГц
- ирл = 10 дБ
Производитель: Motorola
Артикул: M25C30
Новый Старый склад, больше не доступен для экспорта
$89,91 Как низко, как: $85,41
Предназначен для широкополосного коммерческого и военного применения в диапазоне частот до 400 МГц. В основном используется в качестве драйвера или выходного усилителя в двухтактных конфигурациях. Может использоваться в схемах ручной регулировки усиления, ALC и модуляции. N-канальный режим улучшения MOSFET.
- Типовые характеристики при 400 МГц, 28 В: Выходная мощность — 100 Вт, усиление — 12 дБ, КПД — 60%
- Низкое тепловое сопротивление
- Low Crss — 10 пФ тип. при VDS = 28 В
- Прочность проверена при номинальной выходной мощности
- Матрица с нитридным пассивированием для повышения надежности
- Превосходная термическая стабильность; подходит для эксплуатации класса А
MRF: M/A-COM
Артикул: MRF177-MA
118,91 $
Предназначен для широкополосного коммерческого и военного применения на частотах до 175 МГц. Высокая мощность, высокий коэффициент усиления и широкополосная производительность этого устройства позволяют использовать твердотельные передатчики для частотных диапазонов FM-вещания или телевизионных каналов.
• Улучшенные тепловые характеристики
• Повышенное рассеивание мощности Гарантированная производительность при 30 МГц, 50 В:
• Выходная мощность — 150 Вт
• Усиление — 18 дБ (типовое значение 22 дБ)
• КПД — 40 % Типичная производительность при 175 МГц, 50 В:
• Выходная мощность — 150 Вт
• Коэффициент усиления — 13 дБ
• Низкое тепловое сопротивление
• Прочность протестирована при номинальной выходной мощности
• Нитридно-пассивированный кристалл для повышения надежности
Производитель: M/A-COM
Артикул: MRF151A-MA
307,91 $
TMOS Разработан в первую очередь для линейных выходных каскадов с большим сигналом до 150 МГц.
• Превосходный IMD высокого порядка IMD(d3) (150 Вт PEP): –32 дБ (тип.) IMD(d11) (150 Вт PEP): –60 дБ (тип.)
• Указанные характеристики 50 В, 30 МГц. Выходная мощность = 150 Вт. усиление = 17 дБ (тип.) КПД = 45 % (тип.)
• 100 % протестировано на рассогласование нагрузки при всех фазовых углах
Применение
- Аэрокосмическая промышленность и оборона
- ИСМ
Производитель: M/A-COM
153,91 $
TMOS Разработан в первую очередь для линейных выходных каскадов с большим сигналом до 150 МГц.
• Превосходный IMD высокого порядка IMD(d3) (150 Вт PEP): –32 дБ (тип.) IMD(d11) (150 Вт PEP): –60 дБ (тип.)
• Указанные характеристики 50 В, 30 МГц Выходная мощность = 150 Вт Мощность усиление = 17 дБ (тип.) КПД = 45 % (тип.)
• 100 % протестировано на рассогласование нагрузки при всех фазовых углах
Применение
- Аэрокосмическая промышленность и оборона
- ИСМ
Производитель: M/A-COM
76,91 $
MRF150 RF Power FET Transistor от 150 Вт до 150 МГц 50 В M/A-COM
TMOS Предназначен в первую очередь для линейных выходных каскадов с большим сигналом до 150 МГц.
• Превосходный IMD высокого порядка IMD(d3) (150 Вт PEP): –32 дБ (тип.) IMD(d11) (150 Вт PEP): –60 дБ (тип.)
• Указанные характеристики 50 В, 30 МГц Выходная мощность = 150 Вт Мощность усиление = 17 дБ (тип.) КПД = 45% (тип.)
• 100 % тестирование на рассогласование нагрузки при всех фазовых углах
Применение
- Аэрокосмическая промышленность и оборона
- ИСМ
Артикул: MRF150-MA
$63,91 Как низко, как: $60,71
Предназначен для усилителей мощности в промышленном, коммерческом и любительском радиооборудовании до 175 МГц.
Новый Старый склад * Больше не доступен для экспорта
Производитель: M/A-COM
Артикул: MRF148A-MA
$69,91 Как низко, как: $64,95
Предназначен для широкополосного коммерческого и военного применения на частотах до 175 МГц. Высокая мощность, высокий коэффициент усиления и широкополосная производительность этого устройства особенно полезны для FM-вещания или телевизионных частотных диапазонов твердотельных передатчиков и усилителей.
- Гарантированная производительность при 30 МГц, 28 В: Выходная мощность: 150 Вт Усиление: 8 дБ (тип. 22 дБ) Эффективность: 40%
- Типичная производительность при 175 МГц, 50 В: Выходная мощность: 150 Вт Усиление: 13 дБ
- Низкое тепловое сопротивление
- Прочность проверена при номинальной выходной мощности
- Матрица с нитридным пассивированием для повышения надежности
Новый Старый склад * Больше не доступен для экспорта
Производитель: M/A-COM
Артикул: MRF141-MA
265,91 $
MRF141G Транзистор, RF Power FET, 300 Вт, 175 МГц, 28 В, MFR: M/A-COM Больше не доступен для экспорта, (NOS)
249,91 $
Сделано с оригинальным Motorola Die
Разработан в первую очередь для линейных сильносигнальных выходных каскадов в диапазоне частот до 150 МГц.