Параметры транзистора irfz44n: Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Содержание

IRFZ44N to-220 | Полевые транзисторы

Код товара :	M-127-2043
Обновление:	2020-11-15
Тип корпуса :	TO-220

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRFZ44N to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

Что еще купить вместе с IRFZ44N to-220 ?

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Сопутствующие товары
Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
2043	IRFZ44N to-220	Транзисторы IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF) – Power MOSFET, N-Channel, 55V, 41A, TO-220	19 pyб.
224	PC817C dip-4	Оптроны PC817 (аналог PS817C, PS817, PC817, EL817, CD817) – 5кВ 35В 0.05A, DIP4	3.2 pyб.
58	FQPF4N60C to-220fp	Транзистор FQPF4N60C (FQPF4N60) – Power MOSFET N-Channel 4A, 600V, TO-220	18 pyб.
5469	IRF3205 to-220	Транзисторы IRF3205 (полный номер IRF3205PBF) – Power MOSFET, N-Channel, 110A, 55V, TO-220	32 pyб.
1929	NE555P dip-8	Микросхемы NE555P – PRECISION TIMER IC, DIP-8	4.3 pyб.
282	TL431A to-92	Микросхемы TL431 (TL431A) – Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-92	1.7 pyб.
1242	Конденсатор 2200pF 2kV	Высоковольтные керамические конденсаторы 2200pF 2000V, дисковый, Y5V, диаметр 6mm	1.5 pyб.
2645	Жало паяльника 900M-T-4C	Сменные наконечники (жала) HAKKO 900M-T-4C серии 900M для использования в паяльных станциях типа HAKKO-936, и других видах паяльников, где нагревательный элемент находится внутри жала	38 pyб.
1658	Щупы для мультиметра (модель FC-136)	Набор из двух прочных универсальных щупов для различных мультиметров (тестеров). Длина провода 1 метр.	127 pyб.
568	FQPF6N60C	Транзистор FQPF6N60 (FQPF6N60C, 6N60) – Power MOSFET Transistor, N-Channel, 600V, 6A, TO-220FP	25 pyб.

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

Аналоги транзистора IRFZ44N

Маркировка	Pol	Struct	Pd	Uds	Ugs	Ugs(th)	Id	Tj	Qg	Tr	Cd	Rds	Caps
2SK1542	N	MOSFET	125	60	20		45	150		20	1500	0. 02	TO220AB
2SK3270-01	N	MOSFET	135	60	30		80	150				0.0065	TO220AB
2SK3435	N	MOSFET	84	60	20		80	150	60	1200	520	0.014	TO220AB
AM90N06-15P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	49	10	290	0.0105	TO220AB
AM90N06-16P	N	MOSFET	300	60	20	1	90	175	21	17	184	0.0165	TO220AB
AM90N08-08P	N	MOSFET	300	80	20	1	90	175	58	45	449	0.011	TO220AB
AM90N10-14P	N	MOSFET	300	100	20	1	90	175	60	49	392	0. 016	TO220AB
AM90N10-23P	N	MOSFET	300	100	20	1	110	175	30	9		0.023	TO220AB
AUIRF1010EZ	N	MOSFET	140	60	20		84		58			0.0085	TO220AB
AUIRF1018E	N	MOSFET	110	60	20	4	79	175	46			0.0084	TO220AB
AUIRFB3607	N	MOSFET	140	75			80		56			0.009	TO220AB
AUIRFZ48N	N	MOSFET	94	55	20	4	64	175	42			0.014	TO220AB
AUIRFZ48Z	N	MOSFET	91	55	20	4	61	175	43			0. 011	TO220AB
AUIRL3705Z	N	MOSFET	130	55	16	3	86	175	40			0.008	TO220AB
BUK7506-55A	N	MOSFET	300	55	20	4	75	175				0.0063	TO220AB
BUK7507-55B	N	MOSFET	203	55	20	4	75	175	53			0.0071	TO220AB
BUK7509-55A	N	MOSFET	211	55	20	4	75	175	62			0.009	TO220AB
BUK7509-75A	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175				0.009	TO220AB
BUK7511-55A	N	MOSFET	166	55	20	4	75	175				0. 011	TO220AB
BUK7511-55B	N	MOSFET	157	55	20	4	75	175	37			0.011	TO220AB
BUK7513-75B	N	MOSFET	157	75			75		40			0.013	TO220AB
BUK7514-55A	N	MOSFET	166	55	20	4	73	175				0.014	TO220AB
BUK7515-100A	N	MOSFET	300	100	20	4	75	175				0.015	TO220AB
BUK7516-55A	N	MOSFET	138	55	20	4	65.7	175				0.016	TO220AB
BUK7520-100A	N	MOSFET	200	100	20	4	63	175				0. 02	TO220AB
BUK7520-55A	N	MOSFET	118	55	20	4	54	175				0.02	TO220AB
BUK7523-75A	N	MOSFET	138	75	20	4	53	175				0.023	TO220AB
BUK9506-55B	N	MOSFET	258	55	15	2	75	175	60			0.0054	TO220AB
BUK9508-55B	N	MOSFET	203	55	15	2	75	175	45			0.007	TO220AB
BUK9509-75A	N	MOSFET	230	75	10	2	75	175				0.0085	TO220AB
BUK9511-55A	N	MOSFET	166	55	10	2	75	175				0. 01	TO220AB
BUK9512-55B	N	MOSFET	157	55	15	2	75	175	31			0.01	TO220AB
BUK9514-55A	N	MOSFET	149	55	10	2	73	175				0.013	TO220AB
BUK9515-100A	N	MOSFET	230	100	10	2	75	175				0.0144	TO220AB
BUK9516-55A	N	MOSFET	138	55	10	2	66	175				0.015	TO220AB
BUK9516-75B	N	MOSFET	157	75	15	2	67	175	35			0.014	TO220AB
BUK9518-55A	N	MOSFET	136	55	15	2	61	175				0. 016	TO220AB
BUK9520-100A	N	MOSFET	200	100	10	2	63	175				0.019	TO220AB
BUK9520-100B	N	MOSFET	203	100	15	2	63	175	53.4			0.0185	TO220AB
BUK9520-55A	N	MOSFET	118	55	10	2	54	175				0.018	TO220AB
BUK9523-75A	N	MOSFET	138	75	10	2	53	175				0.022	TO220AB
BUK9524-55A	N	MOSFET	105	55	10	2	46	175				0.0217	TO220AB
CS3205_A8	N	MOSFET	230	60	20		120	175		82	750	0. 008	TO220AB
CS3205_B8	N	MOSFET	230	55	20		110	175		51	903	0.0085	TO220AB
CS3710_B8	N	MOSFET	200	100	20		57	175		30	620	0.023	TO220AB
CS4145	N	MOSFET	200	60	20		84	175		75	375	0.01	TO220AB
CS75N75_B8H	N	MOSFET	230	75	20		100	175		57	720	0.0115	TO220AB
CSZ44V-1	N	MOSFET	150	60	20		55	175		27	280	0.01	TO220AB
FDP10AN06A0	N	MOSFET	135	60	20	4	75	175		128	340	0. 0105	TO220AB
FDP13AN06A0	N	MOSFET	115	60	20	4	62	175		96	260	0.0135	TO220AB
FDP14AN06LA0	N	MOSFET	125	60	20	3	67	175		169	270	0.0116	TO220AB
FDP20AN06A0	N	MOSFET	90	60	20	4	45	175		98	185	0.02	TO220AB
FDP5500	N	MOSFET	375	55	20	4	80	175		34	1310	0.007	TO220AB
HUF76432P3	N	MOSFET	130	60	16	3	56	175	53			0.021	TO220AB
HUF76437P3	N	MOSFET	155	60	16		64	175				0. 017	TO220AB
HY110N06T	N	MOSFET	125	55	20	3	110	175		12.июн	385	0.0055	TO220AB
HY75N075T	N	MOSFET	83.3	75	20	4	75	175		19.фев	650	0.009	TO220AB
HY80N075T	N	MOSFET	125	75	20	4	80	175		18.фев	420	0.008	TO220AB
HY80N07T	N	MOSFET	96.7	65	20	4	80	175		22.июн	660	0.0072	TO220AB
IRF1010EZ	N	MOSFET	140	60	20	4	84	175	58			0.0085	TO220AB
IRF1018E	N	MOSFET	110	60	20		79		46			0. 0084	TO220AB
IRF4410A	N	MOSFET	230	100	20	4	97	175		52	430	0.009	TO220AB
IRFB3607	N	MOSFET	140	75	20		80		56			0.009	TO220AB
IRFB3607G	N	MOSFET	140	75	20		80		56			0.009	TO220AB
IRFB3607GPBF	N	MOSFET	140	75	20	4	80	175	56	110	280	0.009	TO220AB
IRFB3607PBF	N	MOSFET	140	75	20	4	80	175	56	110	280	0.009	TO220AB
IRFB4510PBF	N	MOSFET	140	100	20	4	62	175	58	32	220	0. 0135	TO220AB
IRFB7545	N	MOSFET	125	60	20	03.июл	95	175		72	370	0.0059	TO220AB
IRFB7546	N	MOSFET	99	60	20	03.июл	75	175		51	280	0.0073	TO220AB
IRFB7740	N	MOSFET	143	75	20	03.июл	87	175		60	370	0.0073	TO220AB
IRFB7746	N	MOSFET	99	75	20	03.июл	59	175		36	255	0.0106	TO220AB
IRFB7787	N	MOSFET	125	75	20	03.июл	76	175		48	330	0.0084	TO220AB
IRFZ44E	N	MOSFET	110	60	10	4	48	150	40			0. 023	TO220AB
IRFZ44N	N	MOSFET	83	55	10	4	41	150	62			0.024	TO220AB
IRFZ44V	N	MOSFET	115	60	20		55		44.7			0.0165	TO220AB
IRFZ44VZ	N	MOSFET	92	60	20	4	57	175	43			0.012	TO220AB
IRFZ46N	N	MOSFET	88	55	10		46	150	48			0.02	TO220AB
IRFZ48N	N	MOSFET	94	55	10		53	150	54			0.016	TO220AB
IRFZ48Z	N	MOSFET	91	55	20	4	61	175	43			0. 011	TO220AB
IRL3705Z	N	MOSFET	130	55	16	3	86	175	40			0.008	TO220AB
IRL3705ZPBF	N	MOSFET	130	55	16	3	75	175		240	420	0.008	TO220AB
IRLZ44N	N	MOSFET	83	55			41	150	32			0.022	TO220AB
IRLZ44NPBF	N	MOSFET	110	55	16	2	47	175		84	400	0.022	TO220AB
KF50N06P	N	MOSFET	96	60	20		50	150		100	405	0.0142	TO220AB
KF60N06P	N	MOSFET	113	60	20		60	150		75	490	0. 0115	TO220AB
KF70N06P	N	MOSFET	125	60	20		70	150		110	543	0.01	TO220AB
KF80N08P	N	MOSFET	230	75	20		80	175		228	840	0.0085	TO220AB
KMB050N60P	N	MOSFET	120	60	20		50	175		100	460	0.018	TO220AB
KMB050N60PA	N	MOSFET	120	60	25		50	175		100	70	0.016	TO220AB
KMB060N60PA	N	MOSFET	150	60	25		60	175		220	360	0.0115	TO220AB
KMB080N75PA	N	MOSFET	300	75	25		80	175		25	730	0. 01	TO220AB
KU034N08P	N	MOSFET	192	75	20		170	150		250	1150	0.003	TO220AB
KU045N10P	N	MOSFET	192	100	20		150	150		240	1000	0.0039	TO220AB
MTE010N10E3	N	MOSFET	150	100	20		70	175	48	12	250	0.0096	TO220AB
MTN1308E3	N	MOSFET	230	75	30		80	175	42	200	340	0.0105	TO220AB
MTN2510E3	N	MOSFET	155	100	30		50	175		67	236	0.017	TO220AB
MTN2510LE3	N	MOSFET	155	100	20		50	175	45	200	224	0. 022	TO220AB
MTN3205E3	N	MOSFET	200	55	20		128	175		116	580	0.0039	TO220AB
MTN50N06E3	N	MOSFET	120	60	20		50	175		58	364	0.019	TO220AB
PHP110NQ06LT	N	MOSFET	200	55	15	2	75	175		123	520	0.007	TO220AB
PHP110NQ08LT	N	MOSFET	230	75	20	2	75	175		185	905	0.0085	TO220AB
PHP110NQ08T	N	MOSFET	230	75	20	4	75	175		107	840	0.009	TO220AB
PHP112N06T	N	MOSFET	200	55	20	4	75	175		94	720	0. 008	TO220AB
PHP119NQ06T	N	MOSFET	200	55	20	4	75	175		52	554	0.0071	TO220AB
PHP160NQ08T	N	MOSFET	300	75	20	4	75	175		56	845	0.0056	TO220AB
PHP52N06T	N	MOSFET	120	60	20	4	52	175		74	290	0.022	TO220AB
PHP54N06T	N	MOSFET	118	55	20	4	54	175		74	290	0.02	TO220AB
PHP73N06T	N	MOSFET	166	60	20	4	73	175		79	421	0.014	TO220AB
PHP75NQ08T	N	MOSFET	157	75	20	4	75	175		36	320	0. 013	TO220AB
PHP79NQ08LT	N	MOSFET	157	75	15	2	73	175	30			0.016	TO220AB
PSMN012-80PS	N	MOSFET	148	80	20	4	74	175	43			0.011	TO220AB
PSMN013-100PS	N	MOSFET	170	100	20	4	68	175	59			0.0139	TO220AB
PSMN015-60PS	N	MOSFET	86	60	20	4	50	175	20.сен			0.0148	TO220AB
PSMN016-100PS	N	MOSFET	148	100	20	4	96	175	49			0.016	TO220AB
PSMN017-80PS	N	MOSFET	103	80	20	4	50	175	26			0. 017	TO220AB
PSMN7R6-60PS	N	MOSFET	149	60	20	4	92	175	38.7			0.0078	TO220AB
PSMN8R7-80PS	N	MOSFET	170	80	20	4	90	175	52			0.0087	TO220AB
RFP50N06LE	N	MOSFET	142	60			50	150				0.022	TO220AB
RJK1008DPN	N	MOSFET	125	100			80					0.0085	TO220AB
RJK1021DPN	N	MOSFET	100	100			70					0.016	TO220AB
RJK1536DPN	N	MOSFET	125	150			50					0. 024	TO220AB
SQP120N06-06	N	MOSFET	175	60	20	03.май	119	175		14	708	0.006	TO220AB
SQP120N10-09	N	MOSFET	375	100	20	03.май	120	175		24	635	0.0095	TO220AB
SQP60N06-15	N	MOSFET	107	60	20	03.май	56	175		12	314	0.015	TO220AB
STK5006P	N	MOSFET	120	60	20		50	150		105	445	0.022	TO220AB
STK7006P	N	MOSFET	147	60	20		70	175	43	200	722	0.016	TO220AB

IRFZ44N MOSFET — описание производителя.

Даташиты. Основные параметры и характеристики

Наименование прибора: IRFZ44N

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO220AB

Автор: Редакция сайта

Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB

IRFZ44N – N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET, КМОП), изготовленный по технологии производства качественных силовых транзисторов – HEXFET. Транзистор имеет хорошие технические характеристики и нагрузочную способность, что способствует его широкому распространению в схемотехнике различных силовых промышленных установок. При правильном охлаждении максимальная мощность рассеивания может достигать 94 Вт.

Уточнение — хотя сам полевой транзистор теоретически может выдержать рассеивание вплоть до 94 Вт, сам корпус TO-220 имеет рекомендуемое тепловыделение до 50 Вт.

Применение

Идеально подходит для управления мощной нагрузкой с помощью ШИМ (широтно-импульсной модуляции), поскольку из-за малого сопротивления n-канала позволяет пропустить через себя относительно большие токи без существенного нагрева.

Транзистор IRFZ44N применяется в схемах полумостовых и мостовых блоков питания, мощных управляющих ключей, в инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и других преобразователях. Благодаря своим качественным характеристикам заслужил большую популярность как у промышленных производителей оборудования, так и у радиолюбителей в качестве основы для самоделок. Второму варианту способствует и низкая цена детали, а также ее большая распространенность.

IRFZ44N – Параметры полевого транзистора

Тип: N-канальный
Максимальное напряжение (сток-исток): 55 В
Максимальное напряжение (затвор-сток): ±20 В
Сопротивление открытого канала: 16. 5 мОм
Максимальный ток (T = 25°C, Напряжение затвора = 10 В): 49 А
Максимальный ток (T = 100°C, Напряжение затвора = 10 В): 35 А
Импульсный (пусковой) ток: 160 А
Общий заряд затвора: 63 нК
Емкость затвора: 1470 пФ

IRFZ44N – Аналоги и похожие модели

STP55NF06 – практически идентичный транзистор от другого производителя.
IRLZ44N – имеет такие же параметры, только приспособлена для работы с логическими уровнями, в частностями с выходами микросхем (о чем свидетельствует буква L (Logic) в названии). Гарантированно открывается от 5 В напряжения на затворе.
IRFZ46N – немного умощненная модель, если нужен больший запас по мощности.

IRFZ44N – Datasheet (техническая документация)

В конце страницы вы можете просмотреть техническую документацию (datasheet) к полевому транзистору. Даташит хранит в себе полную информацию от производителя обо всех технических параметрах и зависимостях полупроводникового элемента.

В интернет-магазине Electronoff можно купить транзистор IRFZ44N, большое количество аналогов и других компонентов, так же как и паяльное оборудование с комплектующими к нему.

По Киеву мы доставим покупку прямо в день заказа, если товар есть у нас на складе.. Жителей всех остальных городов мы покрываем благодаря работе со многими почтовыми сервисами.

Подробные параметры товара Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB, цены, отзывы, аналоги и datasheet: https://electronoff.ua/good/tranzistor-irfz44n-polevoj-n-kanalnyj-55v-49a-korpus-to-220ab.php

ELECTRONOFF.UA доставляет Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB по Украине: Львов, Днепр, Запорожье, Харьков, Киев, Николаев, Житомир, Одесса, Черновцы, Винница, Ровно, Полтава, Чернигов, Кировоград, Херсон, Сумы, Черкассы, Ивано-Франковск, другие города Украины.

На что обратить внимание в техническом описании при выборе полевого МОП-транзистора?

12V и 6A – хорошая отправная точка. Это говорит мне о том, что вам нужен Mosfet с максимальным напряжением сток-исток, превышающим 12 В, поэтому 20 В будет минимальным критерием для этого.

Вы хотите переключить 6А, и вы захотите сделать это с минимальным падением напряжения – точно так же, как контакт реле, поэтому вы ищете Rds (включено) ниже (скажем) 0,1 Ом. Это означает, что при 6 А у него будет развиться небольшое напряжение на устройстве 0,6 В (закон Ома).

Однако это приведет к рассеянию мощности 6 x 6 x 0,1 Вт = 3,6 Вт, поэтому, если вы ищете устройство для поверхностного монтажа, вы бы предпочли более низкое рассеивание, возможно, не более 0,5 Вт.

Это означает, что Rds (вкл) будет больше похоже на 0,014 Ом.

Пока что вашему приложению необходим транзистор на 20 В, способный переключать 6 А с сопротивлением включения не более 0,014 Ом.

Vgs “как” напряжение катушки на реле – это то, сколько напряжения вам нужно подать на катушку, чтобы переключить НО для полевого транзистора, это линейная вещь, и, если вы не подадите достаточно напряжения, Mosfet будет не включайте должным образом – его сопротивление при включении будет слишком высоким, оно будет нагреваться под нагрузкой и будет иметь напряжение в два или два, когда вы хотите хорошее низкое сопротивление.

Затем вам нужно проверить детали спецификации, чтобы увидеть, сколько вам нужно подать, чтобы гарантировать низкое сопротивление, которое вы хотите. Чуть подробнее об этом ниже.

IRFZ44N имеет на первой странице паспорта: –

Vdss = 55 В, Rds (вкл) = 17,5 мОм и Id = 49А

Это не устройство поверхностного монтажа, поэтому немного больше выделяемого тепла не будет иметь большого значения (с радиатором), поэтому оно будет делать то, что вы хотите, но я бы исследовал устройство с меньшим Vds (скажем, 20 В) и вы, вероятно, найдете один с сопротивлением менее 10 мОм.

Если вы посмотрите на электрические характеристики на странице 2, то увидите, что для сопротивления 17,5 мОм требуется напряжение привода 10 В на затворе (3-я строка в таблице ниже). Меньше, чем этот уровень привода и сопротивление при включении возрастает, как если бы выделялось тепло.

На данный момент я больше не могу решать за вас, но я думаю, что вы, возможно, ищете устройство, которое будет работать на логических уровнях. В этом случае IRFZ44N не будет делать.

STB36NF06L немного выше , с сопротивлением , но спецификация делает предполагает , что это будет работать с 5V приводом на воротах – см электрических характеристик (ON) , но я бы до сих пор соблазн найти тот , который больше подходит.

Я бы соблазнился этим . Ph3520U – это устройство на 20 В, 100 А, 2,7 мОм, когда напряжение затвора составляет 4,5 В. Если ваши логические уровни 3V3, проверьте рисунок 9, чтобы убедиться, что он будет хорошо работать при 3V3.

Еще одна мысль о вещах: вы хотите ШИМ нагрузки, и если частота высокая, вы обнаружите, что емкость затвора потребляет некоторый ток возбуждения в затвор, чтобы он быстро двигался вверх и вниз. Иногда лучше поменять сопротивление, чтобы найти устройство с меньшей емкостью Vgs. Вы увлекаетесь торговлей лошадьми. Сохраняйте как можно более низкую частоту переключения, и она должна нормально работать от логического контакта 5 В.

Использование силовых транзисторов в линейном режиме

Теоретически, добиться работы в линейном режиме очень просто. Для этого достаточно подать на затвор напряжение определенной величины и следить за соблюдением требований документации в области безопасной работы в прямом смещении (ОБР-П). В действительности же задача реализации силовой схемы, работающей в линейном режиме, — одна из самых непредсказуемых: многие простые решения проявляют себя так, что могут стать кошмарным сном разработчика. В данной статье будут показаны «подводные камни» линейного режима и даны рекомендации и примеры реализации высоконадежных схем, работающих в таком режиме. В описаниях в основном будет идти речь о силовых МОП-транзисторах, хотя все сказанное в равной мере может быть отнесено и к IGBT силовым транзисторам.

Проблемы линейного режима

Реализация силовой схемы, работающей в линейном режиме, связана с тремя фундаментальными проблемами:

Информация, приведенная в документации производителя, часто является неадекватной или даже некорректной по отношению к линейному режиму работы.
Тепловая неустойчивость ограничивает возможности силового транзистора, работающего в линейном режиме, по управлению нагрузкой относительно значений, которые следуют из паспортных данных максимальной рассеиваемой мощности или температуры перехода кристалла.
Пороговые напряжения и крутизна транзисторов с изолированным затвором (МОП и IGBT) могут существенно отличаться даже у однотипных транзисторов.

Тепловая неустойчивость и коэффициент передачи

Для управления током стока достаточно регулировать напряжение затвор-исток. Тем не менее, под влиянием некоторых различий температуры вдоль кристалла в нем возникает температурно-индуцированное изменение тока. Если температурно-зависимое изменение плотности тока окажется температурно-нестабильным (что нормально для линейного режима работы), то результатом может быть локальный разогрев и колебания тока в кристалле. Следствием разогрева может быть выход из строя, идентичный вторичному пробою биполярных силовых транзисторов. Исходя из этого, границы действительной ОБР-П могут быть существенно меньшими, чем те, что получены только на основании тепловых сопротивлений, часто публикуемых в документации. Исключение возможности отказа является самой большой проблемой при создании силовой схемы, работающей в линейном режиме. Таким образом, есть смысл в том, чтобы разобраться, что же вызывает выход силового транзистора из строя.

Работа в линейном режиме возможна в области «насыщения» передаточной характеристики (смежная с омической область), как показано на рис. 1.

Рис. 1. Выходные характеристики МОП-транзистора

При работе в этой области ток стока зависит от напряжения затвор-исток V_GS и от порогового напряжения V_TH:

где k = (μ_eC_OZW)/2L, μ_e — подвижность электронов, C_OZ — емкость оксидного слоя затвора, W — ширина канала, L — длина канала.

Коэффициент передачи и значение k тем выше, чем больше ширина канала W и чем меньше его длина L. Поскольку значение μ_e снижается по мере роста температуры, то рост температуры также вызовет снижение k. (Емкость не зависит от температуры, но зато зависит от напряжения сток-исток). Значение V_TH тоже снижается с ростом температуры. Поскольку работа прибора в линейном режиме связана с его разогревом, то снижение подвижности электронов приведет к снижению тока стока, таким образом, поддерживая тепловую устойчивость. В противоположность этому, снижение порогового напряжения приводит к возрастанию тока стока. Таким образом, отрицательный температурный коэффициент порогового напряжения является фактором тепловой неустойчивости. Данные соотношения можно выразить математически. Для этого нужно продифференцировать (1) по температуре и выполнить подстановку в зависимость рассеиваемой мощности от температуры. В итоге получаем коэффициент устойчивости S:

Чем выше значение S, тем большей тепловой неустойчивостью будет обладать силовой транзистор. Это означает, что локальное возрастание температуры оказывает регенеративное влияние. Если же S имеет отрицательное значение, прибор будет температурно-устойчивым в линейном режиме. Обратите внимание, что значения dV_ТН/dT и dk/dT всегда отрицательны.

Пользуясь выражением (2), можно сформулировать факторы улучшения тепловой устойчивости (когда S имеет меньшие значения):

Снижение теплового сопротивления.
Снижение напряжения сток-исток.
Увеличение тока стока.
Снижение коэффициента передачи (а следовательно и k).
Снижение абсолютного значения температурного коэффициента порогового напряжения dV_ТН/dT.

Факторы 4 и 5 полностью зависят от конструкции силового транзистора. Таким образом, при его проектировании могут быть предприняты меры по улучшению тепловой устойчивости и, как следствие, расширению области безопасной работы в линейном режиме. Таким мерам были подвергнуты серии линейных МОП силовых транзисторов и большинство РЧ МОП силовых транзисторов серий ARF компании Microsemi (ранее Advanced Power Technology).

На рис. 2 показаны передаточные характеристики МОП транзистора для трех температур. На нем наглядно демонстрируется фактор тепловой устойчивости, описанный выражением (2). Существует одна точка, в которой пересекаются все кривые. Ниже этой точки преобладает влияние порогового напряжения, и поэтому локальные изменения тока вызывают температурную неустойчивость. Выше этой точки преобладает влияние изменения коэффициента передачи, и силовой транзистор будет температурно-устойчивым.

Рис. 2. Передаточные характеристики МОП-транзистора

Механизм отказа

Поскольку пересечение передаточных характеристик происходит в точке с относительно большим током, работа в линейном режиме ниже этой точки практически всегда сопровождается тепловой неустойчивостью. Проблема состоит в том, что в более разогретых областях кристалла выше плотность тока, что еще больше усиливает нагрев.

У любого МОП- или IGBT силового транзистора есть внутренний биполярный транзистор. Его коэффициент передачи возрастает при увеличении температуры прибора, а также при увеличении напряжения сток-исток. Сопротивление базы биполярного транзистора возрастает с нарастанием температуры, и снижается напряжение база-эмиттер. Учитывая данные факторы совместно, можно сделать вывод, что с ростом температуры повышается вероятность генерации напряжения на сопротивлении базы, достаточного для включения биполярного транзистора.

Таким образом, при определенном уровне нагретости кристалла может произойти отпирание расположенного в разогретой области биполярного транзистора. Вследствие этого работа в линейном режиме становится аварийной: разогрев становится необратимым, температура стремительно возрастает вплоть до перегорания аварийного участка, вызывающего закорачивание стока с истоком, а иногда и затвора с истоком. Некоторые поврежденные приборы еще могут работать в открытом состоянии, но после запирания они смогут работать только с напряжением, которое характеризуется большим током утечки, протекающим через поврежденную область.

Таблица 1. Данные по отказам силового транзистора APT200GN60J при работе в линейном режиме
VCE, В	IC, А	Р, Вт
500	0,227	114
450	0,25	113
400	0,338	135
350	0,413	145
300	0,473	142
250	0,565	141
200	0,68	136
150	1	150
100	1,84	184

Примеры применения силовых транзисторов в линейном режиме

Твердотельное реле для коммутации постоянного тока

APT200GN60J прекрасно работает в составе твердотельных реле (ТТР), где обеспечивает ограничение тока заряда больших конденсаторных батарей за счет работы в линейном режиме, а затем переходит в полностью открытое состояние для минимизации потерь проводимости. Чтобы вписаться в пределы ОБР-П IGBT силового транзистора, необходимо существенно ограничить ток заряда емкости. Если к времени заряда нет строгих требований, то решение этой задачи не будет проблемой.

Требования

Рассмотрим ситуацию, когда необходимо зарядить конденсаторную батарею 1500 мкФ с напряжения 0 В до 400 В. Сколько будет длиться заряд емкости, значения не имеет. Для поддержания температуры корпуса ТТР на уровне 75 °C или менее может понадобиться теплоотвод.

Решение

В соответствии с графиком ОБР-П (рис. 4) ток больше всего ограничивается при максимальном прикладываемом напряжении, которое в данном случае составляет 400 В. Из данных, которые использовались для создания рис. 4, следует, что безопасный ток заряда конденсаторов при напряжении 400 В составляет 0,16 A (примерно вдвое меньше, чем ток в точке повреждения силового транзистора по данным из таблицы 1, таким образом, есть хороший запас надежности). При токе заряда 0,16 A заряд конденсаторной батареи с напряжения 0 В до 400 В произойдет за 3,75 с. Ускорить заряд, конечно же, можно, если, следуя по кривой ОБР-П, увеличивать ток заряда по мере нарастания напряжения на конденсаторе (то есть когда снижается напряжение коллектор-эмиттер). Тем не менее, поскольку нет требований по времени заряда, вариант заряда постоянным током ввиду простоты схемного решения более приемлем.

Обеспечение работы силового транзистора в пределах ОБР-П для статического режима — решение только половины проблемы. Необходимо оценить пиковое значение рассеиваемой мощности и результирующее пиковое значение температуры перехода. Поскольку ток заряда непрерывно поддерживается на постоянном уровне, то напряжение коллектор-эмиттер будет линейно снижаться с 400 В до практически 0 В, так как напряжение на конденсаторной батарее возрастает. Следовательно, рассеиваемая мощность достигает пикового значения на уровне 64 Вт (0,16 A, 400 В) сразу после подачи напряжения, а затем будет линейно снижаться. Изменение рассеиваемой мощности во времени имеет треугольную форму.

На рис. 6 показан результат моделирования теплового переходного процесса, для чего использовалась RC-схема моделирования переходного теплового сопротивления силового транзистора APT200GN60J, на вход которой подавался линейно снижающийся импульс рассеиваемой мощности с пиковым значением 64 Вт. Пиковое значение падения температуры между переходом и корпусом составляет около 12 °C. Если температура корпуса достигнет 75 °C, то средняя температура перехода должна приблизиться к 75 + 12 = 85 °C, что существенно меньше предельно-допустимого значения 125 °C.

Рис. 6. Моделирование теплового переходного процесса

Электронная нагрузка

Линейный МОП-транзистор APL502J хорошо работает в схемах, требующих более широкую ОБР-П, как, например, схема электронной нагрузки. В данном применении для удовлетворения требований по рассеиваемой мощности, а также по максимальному падению напряжения в открытом состоянии может понадобиться параллельное включение силовых транзисторов.

Требования

В рассматриваемом примере наша самодельная нагрузка должна иметь рабочие диапазоны до 400 Вт, 400 В, 20 А и перепад напряжения при полном открытии с током 20 А не более 1 В. С помощью теплоотвода можно добиться поддержания температуры корпуса на уровне не более 75 °C.

Решение

Чтобы добиться температуры перехода менее 125 °C, воспользуемся кривыми ОБР-П, они представлены на рис. 5. Сначала проверим, выполняется ли требование к полностью открытому состоянию. При комнатной температуре (и токе 26 А) максимальное значение R_{DS (on)} силового транзистора APL502J составляет 0,090 Ом. При температуре 125 °C значение R_{DS (on)} удваивается и составляет 0,180 Ом у каждого силового транзистора. Общее максимально-допустимое сопротивление равно 1 В/20 A = 0,050 Ом. Теперь находим, какое минимальное число силовых транзисторов позволит выполнить требование по падению напряжения в открытом состоянии: 0,180 Ом/0,050 Ом = 3,6. Следовательно, необходимо минимум 4 силовых транзистора. Обратите внимание, что при использовании токоизмерительных резисторов (об этом пойдет речь далее) падение напряжения на них также нужно учитывать при определении числа силовых транзисторов.

Рассматривая ограничения ОБР-П, определим минимальное значение мощности, которую можно рассеивать при наибольшем приложенном напряжении. В данном случае это 400 В. В случае применения APL502J с температурами корпуса и перехода, 75 °C и 125 °C соответственно, при напряжении 400 В максимальный ток равен 0,2 А, а рассеиваемая мощность 80 Вт. Минимальное число силовых транзисторов, которое необходимо для управления всей нагрузкой мощностью 400 Вт, составляет 400 Вт/80 Вт = 5 шт. Таким образом, все поставленные требования выполняются при параллельном включении минимум 5 силовых транзисторов APL502J.

Может возникнуть мысль о параллельном включении силовых транзисторов с добавлением к затвору каждого транзистора отдельного резистора (для предотвращения генерации) и контролем тока в одной точке. Но, к сожалению, реализация такой идеи, несомненно, привела бы к выходу из строя силовых транзисторов.

Наконец, нам осталось решить последнюю проблему при создании силовой схемы, работающей в линейном режиме. Она связана с разбросом пороговых напряжений у однотипных силовых транзисторов. В линейном режиме силовые транзисторы нельзя напрямую соединять параллельно; каждый силовой транзистор должен пропускать через себя отведенную ему долю общего тока. Добиться этого можно с помощью различных способов.

При условии, что это позволяет требование по максимальному падению напряжения в открытом состоянии, последовательно с каждым МОП-транзистором может быть включено достаточно большое сопротивление, на которое будет возложена существенная часть тепловой нагрузки (резисторы будут нагреваться). С помощью резисторов можно также добиться уравновешивания токов через МОП-транзисторы. Для этого между истоком каждого МОП-транзистора и возвратной линией цепи управления затвором должен быть предусмотрен отдельный резистор. Такое включение создает отрицательную обратную связь возле каждого затвора. Добиться идеального уравновешивания токов невозможно. Сортировка транзисторов по пороговому напряжению также не даст результата, так как даже незначительное различие МОП-транзисторов по пороговому напряжению приведет к существенному разбросу тока.

Поскольку рассматриваемая схема должна обладать малым падением напряжения в открытом состоянии, то эффективным в стоимостном плане может оказаться решение с раздельной стабилизацией тока у каждого МОП-транзистора с помощью усилительной схемы (управляет напряжением затвор-исток) и датчика тока. Данную идею иллюстрирует упрощенная схема на трех параллельно работающих МОП-транзисторах (рис. 7). Чтобы выполнить требование по малому общему падению напряжения, в схеме нужно использовать низкоомные резисторы или датчики Холла.

Рис. 7. Осуществление линейного режима при параллельном включении транзисторов

Для упрощения сборки и минимизации размеров и стоимости готового решения компания Microsemi выпустила серию приборов, предназначенных главным образом для линейного режима, но они способны работать и в качестве коммутаторов. Данные приборы содержат в компактном корпусе SP1 силовой транзистор (линейный МОП- или Filed Stop IGBT-транзистор), токоизмерительный резистор (обладающий малой индуктивностью) и датчик температуры.

Рис. 8. Транзистор, токоизмерительный
резистор и датчик температуры
в одном корпусе SP1

Встроенный токоизмерительный резистор установлен на том же керамическом изоляторе, что и силовой транзистор. Тем самым транзистор минимизирует индуктивность и достигает охлаждения резистора, который при максимальной нагрузке рассеивает мощность всего лишь несколько ватт. Такое решение упрощает одновременный контроль напряжения сток-исток, тока стока и температуры корпуса. В результате обработки данной информации в численном виде могут быть получены такие кривые ОБР-П, которые позволят более полно использовать возможности прибора и максимально снизить стоимость системы.

Irf740 транзистор параметры цоколевка

Дешевый n-канальный MOSFET на 400В и 10А. Был разработан и производился International Rectifier, потом IR продала большое количество своей номенклатуры вместе с производственными мощностями VISHAY и та стала выпускать транзистор под названием SiHF740A.
Кроме того IRF740 выпускают и другие производители: Infineon, ST, Fairchild.

IRF740 параметры

Структура — n-канал;
Максимальное напряжение сток-исток Uси = 400 В;
Максимальный ток сток-исток при 100°С Iси макс. = 6,3 А;
Максимальный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 10 А;
Максимальный импульсный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 40 А;
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.

IRF740 нашел применение в качестве высокочастотных ключей импульсных источников питания:
В источниках питания с входным переменным напряжение 220-240 В для мостовой и полумостовой топологии, конечно если нет вероятности работы при повышенных сетевых напряжениях.
В источниках питания рассчитанных на 100-120 В могут использоваться в прямоходовом и обратноходовом включении.

Кроме того IRF740 применяется в металлоискателях, например в простом и популярном металлодетекторе PIRAT.

Аналоги IRF740

Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5.
Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!

Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.

6 thoughts on “ Транзистор IRF740 параметры ”

Импульсный блок питания собирал лишь раз, для своей первой и единственной IBM XT ручной сборки. Навозился с ним больше, чем с материнской платой, в основном из-за наводимых помех вызывающих аппаратные сбои. Любовь к изготовлению ИБП пропала навсегда.
А вот металлоискателей, и как раз на КП740, сделал под заказы больше десятка. Неистребима в людях жажда кладоискания. Плохо то, что иногда, в виде клада выкапывают старые снаряды, мины и авиабомбы.
Но транзистор хорош и просто как высоковольтный ключ, без ВЧ.

У меня был отрицательный опыт при работе с полевыми мощными транзисторами, которым хотел бы поделится , что бы другие не повторили. Ремонтировал мощную ультрозвуковую ванну. Мне нужно было контролировать точно частоту выходного сигнала. Я мерил ее на затворе . В результате чего уходила частота за счет входного R и С прибора. Результат , который я ожидал , частота ушла в разнос и вывела из строя выходной каскад.

Ну, о влиянии измерительного прибора на измеряемый надо помнить всегда ) особенно при работе с ВЧ. Приличный осциллограф влияет меньше всех, как правило. Но ультразвук не такое уж и ВЧ в общем-то, там другие нюансы. Непонятно почему вышел из строя выходной каскад, обычно, на ультразвуковых мойках (по крайней мере с теми, что работал) при взбесившейся частоте летит излучатель, как самое слабое звено данного устройства. А уж он может потащить за собой и выходной каскад, хотя и не часто.

Я их сейчас как ключи для «умного дома» (на даче) использую. И по вольтажу подходят , а токи сейчас небольшие у освещения. Простота включения и 400 Вольт. А в основном цена все-таки и габариты.

Я, в основном, использую их так же, о чем и писал выше. Если не упираться в их высокочастотность, то как коммутационные и управляющие ключи электросети — они очень хороши. Для «умного дома» самое оно, много интересных вещиц, повышающих комфорт жилища можно понаделать и объединить в систему. Используя, как готовые решения, так и свои, несложные разработки. Когда-то казавшееся фантастикой, сейчас реализуется довольно просто, благодаря современной базе. А прогресс всегда двигался людьми ленивыми, но с фантазией )

Транзистор IRF740 – MOSFET транзистор 3 поколения, гарантирует быструю скорость переключения, имеет хорошую стабильность, во включенном состоянии обладает малым сопротивлением и наилучшим соотношение эффективность – цена.

Изначально разработчиком и производителем транзистора IRF740 была компания International Rectifier, впоследствии передав право на производство VISHAY. Так же выпуском этого транзистора занимаются такие компании как: ST, Fairchild, Infineon.

IRF740 широко используется в роли элемента усиления в модулях и блоках электронной аппаратуры, а также в ключевых схемах.

Характеристики IRF740

Структура: n-канал
Max ток сток-исток при температуре 100°С : 6,3 А
Max ток сток-исток при температуре 25°С : 10 А
Max напряжение затвор-исток: 20 В
Max напряжение сток-исток: 400 В
Max импульсный ток сток-исток при температуре 25°: 40 А
Max мощность рассеивания: 125 Вт
Емкость входа:1259 пФ
Пороговое напряжение на затворе: 2 .. 4 В
Сопротивление открытого канала: 0,55 Ом
Рабочий диапазон температур: — 55 .. + 150 °C;
Корпус: TO-220ab

Цоколевка IRF740

Ниже приведена цоколевка транзистора IRF740:

Следует отметить что вывод «Сток (D) » соединен с корпусом транзистора.

Аналог транзистора IRF740

Его зарубежными аналогами являются: BUZ90, IRF340, BUZ61, 2SK1378, STP11NK40Z, D84EQ2, HAT2025R.

Транзистор IRF740 можно заменить на отечественные: КП740, КП340, КП776А.

Cкачать datasheet IRF740 (1,4 Mb, скачано: 3 291)

IRF740 — это N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор компании International Rectifier (IR) с изолированным затвором. В настоящее время производится компанией Vishay (преемницей IR) с другим наименованием, указанным в даташит — SiHF740. Он способен переключать нагрузки до 400 В, потребляющие до 10 А c пороговым напряжением на затворе до 10 В. При этом мощность рассеивания не должна превышать 125 Вт. Заявленное производителем сопротивление в открытом состоянии достаточно низкое и составляет 0,55 Ом.

Поскольку этот mosfet предназначен для переключения силовых линий, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому не может использоваться непосредственно с выходом микроконтроллера. Для использования с микроконтроллером потребуется дополнительная обвязка.

Распиновка

IRF740 встречается в стандартном корпусе ТО-220AB, выдерживающем достаточно высокие температуры и мощность рассеивания до 50 Вт. Распиновка (цоколевка) характерна для большинства полевиков компании IR — левая ножка — затвор, средняя — сток и крайняя правая -исток. Для определении распиновки всегда смотрите на лицевую сторону устройства, на которую нанесена маркировка. При непосредственном монтаже на плату надо учитывать физическое соединение корпуса с выводом стока. На рисунке распиновка irf740 представлена более наглядно.

Характеристики IRF740

При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры. После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.

Максимальные

Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.

Тепловые параметры

Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается. Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).

Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.

Аналоги

Полными зарубежными аналогами устройства являются: STP11NK40Z (STM), D84EQ2 (National Semiconductor). Аналогичный вид корпуса, распиновка и характеристики этих устройств не потребуют вносить изменения в схему проекта в случае замены. Так же, наиболее подходящим для замены, моно сказать отечественным аналогом irf740, является транзисторы серии КП776. КП776 производит ОАО «ИНТЕГРАЛ», г.Минск, Республика Беларусь. В его даташит транзистор irf740 указан как прототип. Вот максимальные предельно допустимые электрические режимы эксплуатации КП776:

Проверка мультиметром

Большинство полевых n-канальных mosfet можно проверить обычным мультиметром. Сначала проверяют работу, так называемого паразитного диода между выводами стока (D) и истока (S). Затем проводится проверка открытия и закрытие мосфета путем одновременного, кратковременного касания щупами мультиметра контактов «S» и затвора (G). Если при такой подаче плюса на вывод «G» транзистор открывается, а между его выводами «D» — «S» появляется короткое замыкание (в обоих направлениях, несмотря на наличие паразитного диода), то он считается рабочим. Соответственно, если не открывается, то он считается нерабочим.

Для проверки irf740 одним мультиметром не обойтись, так для его открытия требуется напряжение на затворе не менее 4-5 вольт, а мультиметр способен выдать не более 0,3. Поэтому при проверке необходимо запастись источникам питания, например обычной кроной. Кратковременным касанием минусовой клеммой кроны контакта И, а плюсовой «G» можно открыть транзистор. Если после этого ток между «D» и «S» течет в обоих направлениях, то значит транзистор исправен. Конечно, перед проверкой на открытие/закрытие, необходимо проверить исправность паразитного диода. Предлагаем посмотреть видео на эту тему.

Производители

На российском рынке irf740 наиболее распространен под торговой маркой Vishay. Это связано с поглощением этой компанией подразделения IR в 2007 году. Подробнее про этот момент, а так же распространенную маркировку «irf» можно прочитать в статье про IRFZ44n. Даташиты некоторых производителей можно скачать, кликнув мышкой по ссылке:Vishay; National Semiconductor.

Преобразователь напряжения 12 в / 220 в на полевых транзисторах | РадиоДом

Устройство описанное в статье способно питать от автомобильного АКБ нагрузку, некритичную к частоте и форме питающего напряжения (устройства с импульсными блоками питания, как телевизор, зарядные устройства). Преобразователь выдаёт выходную мощность до 260 Ватт. В схеме использованы зарубежные силовые радиокомпоненты, что дало хорошую эффективность и КПД.
Схема состоит из задающею генератора на DD1.1, делителя частоты на 2 на DD1.2 для получения меандра необходимой частоты, мощных ключей на силовых транзисторах VT2-VT5, способных проводить ток свыше 30 ампер и имеющих сопротивление в открытом состоянии менее 0,03 Ом. Транзисторы верхних плеч моста VT2 и VT4 управляются через драйверы на маломощных транзисторах, транзисторы нижних плеч VT3 и VT5 управляются прямо с выходов второго триггера К561ТМ2. Отличается отечественная микросхема К561ТМ2 тем, что в момент переключения состояния триггера напряжение на обоих выходах отсутствует. Это ведет к уменьшению сквозных токов через ключевые транзисторы, что исключает перегрев. Резисторы в цепях затворов – сглаживающие паразитные выбросы с генератора. Их сопротивление может быть в пределах 50…200 Ом.

Диоды VD1 и VD2 – любые маломощные серий КД521 КД522 1N4148 Диоды VD3 VD4 в схеме могут быть заменены любыми с прямым током от 0…1 ампер и обратным напряжением от 20 вольт Стабилитрон VD5 Д814Г можно заменить любым другим на напряжение 9…12 вольт Рабочее напряжение всех конденсаторов от 16 вольт. В качестве силового трансформатора Т1 подойдёт и любой самодельный с первичной обмоткой на 2 х 13 вольт, намотанный проводом с диаметром 1,2 мм. Выходная обмотка рассчитана на 240 – 250 вольт, намотанная проводом диаметром 0,4 – 0,45 мм. Полевые транзисторы VT2-VT5 можно заменить на похожие IRFZ46, IRFZ44, IRFZ44N, а если применить более мощные IRF3205, то мощность увеличится в полтора раза, до 350 Ватт. VT2…VT5 крепятся на дюралюминиевые ребристые теплоотводы, VT2 и VT4 можно закрепить на один общий теплоотвод без изоляции, поскольку корпус транзисторов соединен со стоком.
Важны момент, все силовые цепи должны быть выполнены проводниками достаточного сечения, так как потребляемый от АКБ ток может превысить 30 ампер.
Для повторения схемы достаточно средних знаний радиолюбительского дела. Особую осторожность уделяйте высоковольтной части прибора.
Все радиокомпоненты устройства как отечественные так и зарубежные, и имеют много взаимозаменяемых аналогов:
DD1 – К561ТМ2, импортный аналог CD4013A
VT1, VT6 – КТ3102А, КТ611, КТ660 или зарубежные BC547, BC548
VT2…VT5 – IRFZ46N, IRFZ44, IRFZ44N, советский аналог КП741
VD1, VD2 – КД522А, КД521, зарубежный аналог 1N4148
VD3, VD4 – 1N4001, аналог КД243А
VD5 – Д814Г, импортные аналоги 1S2110, 1S2110A, 1S336, 1S473, 1N715A, 1S196
C1, C2 – 0,068 мкФ
C3, C5 – 1000 мкФ х 25 вольт
C4 – 4700 мкФ х 25 вольт
C6 – 10 мкФ х 16 вольт
R1, R2 – 56 кОм
R3, R10 – 10 кОм
R4, R9 – 510 Ом
R5, R6, R7, R8 – 220 Ом
R11 – 180 Ом

Добро пожаловать в лучшее место для покупки электронных комплектов, модулей Arduino, транзисторов, микросхем, резисторов, конденсаторов, светодиодов, индукторов, комплектов усилителей и электронного оборудования. Загляните в наш новый розничный магазин в Окала, Флорида. 636 NW 27th Ave.

Мы предлагаем очень простую и безопасную процедуру оформления заказа с без ИМЯ ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ и без ПАРОЛЯ .

Бесплатная доставка для заказов на сумму более 25 долларов США только в США.

Подробности смотрите на вкладке «Доставка».

Требуется техник-электронщик. Позвоните или загляните, чтобы узнать подробности.

Мы являемся создателями знаменитого массива детекторов привидений.

Микроконтроллеры: Мы предлагаем продукты для семейства Arduino и семейства микроконтроллеров PIC. Наши устройства с логическим управлением могут управляться большинством доступных микроконтроллеров. Мы можем разработать для вас индивидуальную систему, просто позвоните нам для получения дополнительной информации.

Наш раздел Arduino сильно вырос. У нас есть Uno, Pro-Mini, Nano, Micro, Leonardo, Mega2560 и Due. У нас есть новые щиты и десятки новых датчиков и модулей.

BLUETOOTH – BLUETOOTH – BLUETOOTH

Мы только что разработали 3 новых комплекта BLUETOOTH, и они просто фантастические. Вы можете найти их в категории Arduino.

Мы только что получили нашу последнюю партию НОВЫХ ДИЗАЙН-наборов, ознакомьтесь с ними в разделе «НОВЫЕ НАБОРЫ».К ним относятся:

Комплект мерцающего пламени

Комплект ручного резака

Призрачные значки и многое другое.

Мы поддерживаем «Движение производителей» и предлагаем продукты, способствующие созданию электронных комплектов.

Да, теперь мы предлагаем комплекты, подходящие для клубов и классов . Ознакомьтесь с категорией продуктов “Клубная / групповая форма”. Отличные комплекты по сниженной групповой цене.Мы предоставили продукты нескольким различным образовательным группам STEM и бесчисленному количеству учителей.

Хамфесты: Мы, , планируем посетить как можно больше Хамфестов на Юго-Востоке и вокруг него, когда они снова откроются.

Мы также являемся официальным дилером Primal 3D Printing. Мы предлагаем 3D-материалы и 3D-печать на заказ.

Ознакомьтесь с нашим новым тестером светодиодов в категории LED Project Kits.

За очень немногими исключениями, все наши комплекты производятся в АМЕРИКАНСКИХ странах.Мы их проектируем, тестируем и комплектуем здесь, в Окале, Флорида.

YOUTUBE : У нас есть более 45 видеороликов, показывающих, как работают некоторые из наших комплектов k . На YouTube введите “vakits.com”. Подпишитесь, чтобы получать последние учебные материалы и выпуски.

Мы сильно увлечены Arduino. Мы предлагаем собственные щиты, стартовые комплекты и индивидуальное программное обеспечение.

Мы создали 22-страничный PDF-документ, который можно использовать со всеми нашими наборами.Это подробное введение в идентификацию компонентов, чтение схем и сборку комплектов. Он предназначен для новичков, но каждый может извлечь из него пользу. Щелкните здесь: Общие инструкции по сборке комплекта

Теперь мы пошли в РОЗНИЦУ. Наши электронные комплекты теперь доступны в ваших местных магазинах электроники / хобби по всем Штатам. Призовите местный магазин позвонить нам, чтобы узнать подробности о том, как стать дилером NightFire. Мы приглашаем обычных розничных продавцов носить наши комплекты в своих магазинах.Подробности см. На вкладке «Дилеры» выше.

Вы заинтересованы в продаже нашей продукции на Amazon? Мы можем отправить любой из наших продуктов вашим покупателям. За подробностями звоните. Начни зарабатывать деньги СЕЙЧАС.

Мы принимаем MasterCard, Visa, American Express, денежные переводы и PayPal. Извините, но мы НЕ принимаем кредитные карты Discover.

Безопасно разместите заказ онлайн или позвоните по телефону

352-300-3548

636 NW 27th Avenue, Ocala, FL 34475

ПН-ПТ……….. с 9:00 до 17:00

Суббота ………………………… Закрыто

Воскресенье ………… с 12:00 до 16:00

MOSFET – Как определить параметры полупроводника для модели Spice?

На исходный вопрос, редко можно увидеть все необходимые параметры для устройства в техпаспорте, особенно транзисторов. Некоторые производители диодов вносят все необходимые параметры в таблицы данных.

Здесь находится файл модели для полевого МОП-транзистора (и он включает все необходимые параметры).

На случай, если ссылка устарела, вот модель:

Здесь находится список параметров MOSFET, используемых в SPICE.

  .ПОДПИСКА irfz44n 1 2 3
**************************************
* Модель создана MODPEX *
* Авторские права (c) Системы проектирования симметрии *
*         Все права защищены        *
* НЕОПУБЛИКОВАННОЕ ЛИЦЕНЗИОННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ *
* Содержит служебную информацию *
* Что является собственностью *
* СИММЕТРИЯ ИЛИ ЕЕ ЛИЦЕНЗИАРЫ *
* Коммерческое использование или перепродажа ограничено *
* по лицензионному соглашению Symmetry *
**************************************
* Модель создана 24 апреля 96 г.
* Формат модели: SPICE3
* Модель Symmetry POWER MOS (версия 1.0)
* Обозначение внешних узлов
* Узел 1 -> Слив
* Узел 2 -> Ворота
* Узел 3 -> Источник
M1 9 7 8 8 мм L = 100u W = 100u
* Значения по умолчанию, используемые в MM:
* Емкости, зависящие от напряжения
* не включено. Другие значения по умолчанию:
* RS = 0 RD = 0 LD = 0 CBD = 0 CBS = 0 CGBO = 0
.MODEL MM NMOS LEVEL = 1 IS = 1e-32
+ VTO = 3,56214 LAMBDA = 0 КП = 39,3974
+ CGSO = 1,25255e-05 CGDO = 2,2826e-07
РС 8 3 0,0133305
D1 3 1 MD
.МОДЕЛЬ MD D IS = 9,64635e-13 RS = 0,00967689 N = 1,01377 BV = 55
+ IBV = 0,00025 EG = 1,08658 XTI = 2,9994 TT = 1e-07
+ CJO = 1.39353e-09 VJ = 0,5 M = 0,42532 FC = 0,5
РДС 3 1 2.2e + 06
РД 9 1 0,0001
RG 2 7 2.20235
D2 4 5 MD1
* Значения по умолчанию, используемые в MD1:
* RS = 0 EG = 1,11 XTI = 3,0 TT = 0
* BV = бесконечное IBV = 1 мА
.МОДЕЛЬ MD1 D IS = 1e-32 N = 50
+ CJO = 1,52875e-09 VJ = 0,5 M = 0,584414 FC = 1e-08
D3 0 5 MD2
* Значения по умолчанию, используемые в MD2:
* EG = 1,11 XTI = 3,0 TT = 0 CJO = 0
* BV = бесконечное IBV = 1 мА
.МОДЕЛЬ MD2 D IS = 1e-10 N = 0,408752 RS = 3e-06
RL 5 10 1
FI2 7 9 VFI2 -1
VFI2 4 0 0
EV16 10 0 9 7 1
КРЫШКА 11 10 2.06741e-09
FI1 7 9 VFI1 -1
VFI1 11 6 0
RCAP 6 10 1
D4 0 6 MD3
* Значения по умолчанию, используемые в MD3:
* EG = 1.11 XTI = 3,0 TT = 0 CJO = 0
* RS = 0 BV = бесконечное IBV = 1 мА
.МОДЕЛЬ MD3 D IS = 1e-10 N = 0,408752
.ENDS

Модель Шоттки здесь, и снова, если ссылка устареет:

  * SRC = MBR1560CT; DI_MBR1560CT; Диоды; Si; 60.0V 15.0A 5.00ns Diodes Inc. Шоттки - Один элемент устройства
.MODEL DI_MBR1560CT D (IS = 11,3u RS = 2,64 м BV = 60,0 IBV = 25,0u
+ CJO = 530p M = 0,333 N = 1,87 TT = 7,20n)

Semiconductor Products Pack из 20 шт. МОП-транзистор BOJACK IRFZ44N 49 A 55 В IRFZ44NPBF N-канальный выпрямитель Power MOSFET-транзистор TO-220 Транзисторы

Пакет из 20 шт. BOJACK IRFZ44N MOSFET 49 A 55 В IRFZ44NPETBF Power N-220

BOJACK IRFZ44N MOSFET 49 A 55 В IRFZ44NPBF N-канальный выпрямительный силовой полевой МОП-транзистор TO-220 (упаковка из 20 шт.): Промышленный и научный.МОП-транзистор BOJACK IRFZ44N 49 A 55 В IRFZ44NPBF N-канальный выпрямительный силовой МОП-транзистор TO-220 (упаковка из 20 шт.): Промышленный и научный. Полярность транзистора: MOSFET。 Полярность транзистора: N-канал。 Ток утечки (Id Max): 49A。 Максимальное напряжение Vds: 55 В。 Мощность (макс.): 83 Вт。 IRFZN MOSFET – это полевой транзистор, который может широко использоваться в аналоговых схемах и цифровые схемы.。 Основные параметры: IRFZN доступен в корпусе TO-220AB。 Сопротивление в открытом состоянии, Rds (вкл.): 0,02 Ом。 Измерение Rds напряжения: V。 Максимальное напряжение Vgs: V。 Количество стежков: 3。 Рабочая температура: -55 ° C – +150 ° C Напряжение Vgs при измерении: 20 В。 Напряжение Vds стандартное: 55 В。 Постоянный ток Id: 9A Импульсный ток Idm: 160A。 Устройство для поверхностного монтажа: Монтаж в сквозное отверстие。 Вывод- бесплатная охрана окружающей среды。。。

Пакет из 20 шт. МОП-транзистор BOJACK IRFZ44N 49 A 55 В IRFZ44NPBF N-канальный выпрямительный силовой полевой МОП-транзистор TO-220
Эта прочная многоцелевая сумка-мессенджер среднего размера представляет собой красивую вещь, сделанную из черного полиэстера и снабженную длинным регулируемым ремнем с ручкой для удобного ношения.4 x 57 дюймов; Карманный платок: 22 х 22 см / 8, мужская рабочая рубашка с плоским воротником на пуговицах с длинным рукавом и узором на пуговицах в магазине мужской одежды. Поставляется полностью и готово к установке. -Подушка Т-образная ручка имеет эргономичную форму для уменьшения точек давления при непрерывном использовании. США Средний = Китай X-Large: Длина: 27. Пожалуйста, внимательно сверьтесь с таблицей размеров выше перед заказом, Пакет из 20 шт. МОП-транзистор BOJACK IRFZ44N 49 A 55 В IRFZ44NPBF N-канальный выпрямительный силовой МОП-транзистор TO-220 . Но когда процесс завершится.Обычно это занимает от 15 до 35 дней из-за границы. 50 с резьбой и включает подходящую контргайку для легкой установки, превосходный внутренний и внешний материал. Идеально подходит для хранения предметов для вечеринок. Отказ от ответственности: * Цвет вашего отпечатка может немного отличаться от того, что вы видите на своем компьютере. Семья принадлежит и эксплуатируется более 20 лет. В упаковке 20 шт. МОП-транзистор BOJACK IRFZ44N 49 A 55 В IRFZ44NPBF N-канальный выпрямительный силовой полевой МОП-транзистор TO-220 . ➤ О ПРЕДМЕТЕ – Подставка для домашних животных – Персонализированная с именем вашего питомца – Верхняя поверхность с принтом из ткани – Нескользящая резиновая задняя часть – Размер: 12 дюймов x 18 дюймов – Высококачественная печать – Вымойте мягким мылом и водой.Это приглашение полностью настраивается в соответствии с вашей цветовой схемой. Отказ от ответственности: этот предмет не является игрушкой. Идея состоит в том, чтобы легко носить сумку. Просто обратите внимание: может быть небольшая разница в цветах, у меня достаточно для больших проектов, если вам не нужны некоторые категории, Упаковка из 20 шт. BOJACK IRFZ44N MOSFET 49 A 55 В IRFZ44NPBF N-канальный выпрямительный силовой полевой МОП-транзистор ТО-220 . MAGNAVOX 560331-2: Картриджи для проигрывателей – ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА для соответствующих критериям покупок. Профессиональная команда дизайнеров приложила все усилия, чтобы улучшить каждую деталь этого эргономичного офисного кресла с помощью десятков испытаний: 【100% УДОВЛЕТВОРЕНИЕ】 Мы обеспечиваем прочную упаковку для защиты товаров от повреждений.Легкий уход – слегка протрите ткань для наружной подушки или вымойте ее вручную с мягким моющим средством и прохладной водой; затем дайте высохнуть на воздухе. Реквизит для демонстрации custume постановочной фотографии, художественной живописи, обучающей модели. Пожалуйста, ознакомьтесь с политикой возврата Amazon. Идеально подходит в качестве особого подарка для самых разных целей – школьная сумка. В упаковке 20 шт. МОП-транзистор BOJACK IRFZ44N 49 A 55 В IRFZ44NPBF N-канальный выпрямительный силовой полевой МОП-транзистор TO-220 . Соответствует любому обязательному опубликованному законодательству. Датский способ воспитания детей: что самые счастливые люди в мире знают о том, как воспитывать уверенность.

МОП полевой транзистор
МОП полевой транзистор Подразделы
Рисунок 10.16: вертикальный разрез интегрированного полевого МОП-транзистора
Рисунок 10.17: четыре типа полевых МОП-транзисторов и их обозначения
Существует четыре различных типа полевых МОП-транзисторов: показано на рис. 10.17 все охватываемые моделью будут объяснено здесь.“ Модель первого порядка ” – это физическая модель с уравнения тока стока согласно Гарольду Шичману и Дэвиду А. Ходжес [13].
Следующая таблица содержит параметры модели и устройства для MOSFET уровень 1.
Рисунок 10.18: n-канальный полевой МОП-транзистор с большим сигналом, модель
Заранее сделаны некоторые полезные сокращения, чтобы упростить DC. текущие уравнения.
Пороговое напряжение, зависящее от смещения, зависит от объемного источника напряжение или напряжение объемного стока в зависимости от режим работы.
(10.169)
Следующие уравнения описывают поведение постоянного тока в N-канальный MOSFET в нормальном режиме, т.е. , в соответствии с Шичман и Ходжес.
область отсечения:
с участием
(10.182)
В обратном режиме работы, т.е. , тоже самое уравнения могут быть применены со следующими модификациями. Заменять с, с и с .Ток стока меняется на противоположное. Кроме того, трансдуктивности изменяют свои управляющие узлы, т. е.
(10.183)
Уравнения тока двух паразитных диодов в узловом узле и их производные записываются следующим образом.
с участием
(10.186)

Рисунок 10.19: сопровождаемая модель постоянного тока внутреннего МОП-транзистора
С сопутствующей моделью постоянного тока, показанной на рис.10.19 это возможно формирование матрицы MNA и текущего вектора внутреннее устройство MOSFET.
(10.187)

Есть электрические параметры, а также физические и геометрические. параметров в наборе параметров модели для полевых МОП-транзисторов “ Первый Модель заказа ”. Некоторые электрические параметры могут быть получены из геометрия и физические параметры.
Емкость оксида на квадратный метр площади канала может быть вычисляется как
(10.191)
Тогда общую оксидную емкость можно записать как
(10.192)
Коэффициент крутизны можно рассчитать с помощью
(10.193)
Поверхностный потенциал определяется выражением (с температурным напряжением)
(10.194)
Уравнение (10.194) справедливо для концентраций акцепторов () существенно больше концентрации донора.Объемный порог (также иногда называемый эффектом тела) коэффициент) составляет
(10.195)
И, наконец, пороговое напряжение нулевого смещения записывается как следует.
(10.196)
Где обозначает напряжение плоской полосы, состоящее из работы разница функций между затвором и подложкой материал и дополнительный потенциал из-за заряда поверхности оксида.
(10.197)
Температурно-зависимый потенциал запрещенной зоны кремния (материал подложки Si) записывает следующим образом. С участием то ширина запрещенной зоны составляет примерно.
(10.198)
Разница работы выхода вычисляется в зависимости от материал проводника затвора. Это может быть либо оксид алюминия ( ), n-поликремний ( ) или п-поликремний ( ). Работа выхода полупроводника, что представляет собой разность энергий между вакуумным уровнем и фермиевским уровнем. уровень (см. рис.10.20), меняется в зависимости от допирования концентрация.
(10.199)

(10.200)

Рисунок 10.20: Диаграммы энергетических зон изолированных (плоских) МОП-материалов
Выражение в ур. (10.199) визуализируется в инжир. 10.20. Аббревиатуры обозначают
Обратите внимание, что потенциал положителен в p-MOS и отрицательный в n-MOS, как показывает следующее уравнение.
(10.201)
Когда материал проводника затвора представляет собой сильно легированный поликристаллический кремний (также называемый поликремнием), то модель предполагает, что Уровень Ферми этого полупроводника такой же, как и зона проводимости. (для n-poly) или валентная зона (для p-poly). В глиноземе Ферми уровень, валентность и зона проводимости равны сродству к электрону.
Если нижняя емкость объемного перехода без смещения на квадратный метр площадь стыка не указана, ее можно рассчитать следующим образом.
(10.202)
Вот и все о физических параметрах. Параметры геометрии учитывать электрические параметры по длине, площади или объему. Таким образом, модель MOS масштабируема.
Сопротивление диффузии на стоке и затворе вычисляется следующим образом. Сопротивление листа относится к толщине диффузионного слоя. область.
(10.203)
Если ток насыщения объемного перехода на квадратный метр площадь соединения, а также участки стока и истока имеют соответствующие токи насыщения рассчитываются с помощью следующих уравнения.
(10.204)
Если параметры и не заданы нулевым смещением обедняющие емкости для емкости днища и боковины равны вычисляется следующим образом.

Модель слабого сигнала
Рисунок 10.21: Модель малого сигнала внутреннего МОП-транзистора
Емкости объемного стока и объемного истока в модели MOSFET разделены на три части: обедняющая емкость переходов, которая состоит из площади и боковой части и диффузионной емкости.
Диффузионные емкости переходов объемный сток и объемный исток определяются временем прохождения миноритарных сборов через соединение.
Хранение заряда в MOSFET состоит из емкостей, связанных с паразиты и внутреннее устройство. Паразитные емкости состоят из трех постоянных емкостей перекрытия. Собственные емкости состоят из нелинейной емкости тонкого оксида, которая распределена между затворной, сливной, истоковой и насыпной областями.Ворота MOS емкости, как нелинейная функция напряжений на клеммах, равны моделируется кусочно-линейной моделью Дж. Э. Мейера [15].
Зависимые от смещения емкости оксида затвора распределяются в соответствии с Модель Мейера [15] выглядит следующим образом.
обрезанных областей:

область насыщения:
с участием
(10.230)
В инверсном режиме работы и должен быть поменяется, меняет знак, то приведенные выше формулы могут быть тоже применяется.
Постоянные емкости перекрытия вычисляются следующим образом.
С помощью этих определений можно сформировать слабый сигнал Матрица Y-параметров внутреннего полевого МОП-транзистора в действующем точка, которая может быть преобразована в S-параметры.
(10.234)
с участием
Тепловой шум, создаваемый внешними резисторами, и характеризуется следующей спектральной плотностью.
(10.241)

Рисунок 10.22: шумовая модель внутреннего МОП-транзистора
Канальный и фликкер-шум, создаваемый крутизной по постоянному току а ток от стока к истоку характеризуется спектральным плотность
(10.242)
Матрица корреляции шумового тока (представление проводимости) собственный МОП-транзистор может быть выражен как
(10.243)
Это матричное представление легко преобразовать в шумовую волну. представление если S-параметр слабого сигнала матрица известна.
Температура влияет на некоторые параметры модели МОП, которые обновляются. согласно новой температуре. Эталонная температура в следующие уравнения обозначают номинальную температуру определяется моделью МОП-транзистора. Температурная зависимость и определяется
Влияние температуры на и моделируется
(10.246)
где зависимость уже описывалась в раздел 10.2.4 на стр. В температурная зависимость“ и есть описывается следующими соотношениями
Температурная зависимость определяется соотношением
(10.251)
Аналогичная зависимость имеет место для.

Этот документ был создан Stefan Jahn на 30 декабря 2007 г. с использованием latex2html.
4 лучших транзистора, которые стоит оставить в комплекте деталей
Если вашему проекту нужен транзистор, есть множество вариантов. Что заставляет ответить на вопрос «Какой транзистор мне использовать или купить?» непростая задача. Не бойтесь, прежде чем разбираться со спецификациями за спецификациями, рассмотрите один из этих четырех транзисторов общего назначения. В ящике с инструментами каждого инженера-электронщика должно быть несколько таких инструментов.
Транзисторы
– один из самых универсальных дискретных компонентов в электронике.В цифровых схемах они включаются и выключаются, а в аналоговых схемах они используются для усиления сигналов. В большинстве проектов они используются для включения нагрузки, которая убила бы вывод ввода-вывода микроконтроллера или микропроцессора. Для большинства схем можно использовать BJT или MOSFET, в зависимости от тока нагрузки, который необходимо переключить.
[Edit Note] Jan (комментарий ниже) указывает, что есть европейские эквиваленты, которые могут быть более доступными для тех, кто находится в этой части мира.Для NPN проверьте BC547, для PNP – BC557.
Вот еще несколько подробностей по каждому из них.
Лучшие транзисторы: БЮЦ
Биполярные транзисторы
поставляются в небольших корпусах, могут управляться напрямую от контактов ввода / вывода и стоят ОЧЕНЬ дешево. Есть два варианта: NPN и PNP. Эти маленькие ребята являются рабочими лошадками большинства схем управления для приложений с малым током. В 3-контактном корпусе в стиле TO-92 вы обычно найдете детали со сквозным отверстием.
# 1 NPN – 2N3904
Чаще всего NPN-транзисторы можно встретить в схемах переключателей нижнего уровня.Эта конфигурация означает, что все, что вы хотите контролировать, подключено между «высоким» напряжением и коллектором транзистора. Прочтите этот пост для получения дополнительной информации о переключателях низкого и высокого уровня.
Обычно я использую транзистор 2N3904. Вы можете легко переключать большие нагрузки, например, более 12 вольт, с максимальным номиналом этого транзистора в 40 вольт. Его номинальный ток составляет всего 200 мА, но этого достаточно для большинства реле.
2N3904 от Mouser
# 2 PNP – 2N3906
Для цепей переключателя высокого напряжения вам понадобится BJT типа PNP.В цепи высокого напряжения нагрузка находится между коллектором транзистора и землей цепи. Его эмиттер подключается к «высокому напряжению». Поскольку я рекомендовал 2N3904 для NPN, я предлагаю его дополнение: 2n3906. Как и NPN, он имеет такое же максимальное напряжение и ток: 40 В и 200 мА. Прочтите этот пост для получения дополнительной информации о переключателях низкого и высокого уровня.
2N3906 от Mouser
# 3 Питание – TIP120
Одним из преимуществ BJT является то, что они легко управляются от вывода ввода-вывода Arduino или Raspberry Pi.Когда они сконфигурированы как «пара Дарлингтона», они могут обеспечивать значительно более высокие токи, чем одиночные транзисторы. TIP120 – это пара Дарлингтона, которая может выдерживать до 5 ампер в корпусе TO-220. Иногда можно увидеть тот же корпус, который используется для линейных регуляторов LM7805. Если вы хотите получить такой большой ток, не забудьте радиатор!
TIP120 от Mouser
Лучшие транзисторы: МОП-транзисторы
Когда вам нужно использовать много ампер тока, полевые МОП-транзисторы – это просто фантастика.Однако большинство из них не работают на «логических уровнях», то есть им обычно требуется от 10 до 15 вольт для их правильного включения. Такое высокое напряжение трудно достичь 5-вольтовому контакту ввода-вывода Arduino, не говоря уже о Beaglebone или Raspberry Pi.
Если вы новичок в MOSFET, ознакомьтесь с моим видеоуроком по MOSFET (прокрутите вниз) и этой статьей о развенчании мифов о MOSFET.
# 4 N-канал (логический уровень) – FQP30N06L
Эти транзисторы “рабочая лошадка” рассчитаны на максимальное напряжение 60 В и 30 А. Не в миллиамперах.Амперы! (Хотя вам понадобится радиатор!) Они стоят почти в 2 раза больше, чем стоит TIP120, но они обеспечивают намного больший ток. Лучшая часть? Благодаря Vgs-порогу, совместимому с «логическим уровнем», Arduino может легко управлять ими с помощью своего выходного вывода 5,0 В. Благодаря этим свойствам я держу под рукой стопку FQP30N06.
FQP30N06L от Mouser
FPQ30N06L от Amazon
Заключение
Эти четыре транзистора общего назначения предназначены для широкого диапазона применений. Наличие пары каждого из них в коробке пригодится практически для любого проекта.Оставьте комментарий ниже, какие транзисторы вы держите под рукой.
Обновление : я добавил небольшую заметку о европейских альтернативах для NPN и PNP BJT.
10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF-50 шт. MOSFET-транзистор
10 Значения IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 IRF серии транзисторов Ассортимент Kit-50 шт полевой МОП-транзистор Транзисторы assetrak Промышленные Электрические
10 Значения IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 IRF серии транзисторов Ассортимент Kit-50 шт полевой МОП-транзистор, IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов IRF серии Scientific – 50 шт. MOSFET-транзистор, 10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N, MOSFET-транзистор, 10 значений IRFZ44N IRF510N IRF40, IRF540, IRF40, IRF540, IRF40, IRF40, IRF540, IRF40, IRF540, IRF40, IRF40, IRF540 , Интернет-магазин Высококачественные товары Интернет-магазины – самый удобный выбор.Комплект транзисторов – 50 шт. MOSFET Транзистор 10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 IRF Series.
10 Значения IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 IRF серии транзисторов Ассортимент Kit-50 шт полевой МОП-транзистор
полевой МОП-транзистор, 10 Значения IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 IRF серии транзисторов Ассортимент Kit-50 шт: Промышленные & Научный.МОП-транзистор, 10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF – 50 шт .: Промышленные и научные. ✔ 1: Название продукта: MOSFET-транзисторы。 ✔ 2: Модель: N-канальный- (IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205), P-канал- (IRF9540)。 ✔ 3: Четкая маркировка: каждая модель транзистора для легкой идентификации. 。 ✔ 4: Количество в упаковке: В этой упаковке 50 шт. Транзисторов серии IRF с 10 номиналами, просто идеальная комбинация для удовлетворения ваших потребностей。 ✔ 5: Широкое применение: приложение для переключения мощности; высокочастотные цепи и источник бесперебойного питания с жесткой коммутацией。。10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Транзисторы серии IRF Ассортимент MOSFET-транзисторов Спецификация: Материал канала электропитания: Mosfet Обработка сигналов: аналогово-цифровой композитный и функциональный Пакет в комплекте: 。N-канал: IRFZ44N ———– 49A / 55V —————- 5 Шт.。 IRF510N ———– 5.6A / 100V ————- 5 шт.。 IRF520N ———– 9.7A / 100V ————- 5 шт. 。 IRF530N ———– 17A / 100V ————- 5 шт.。 IRF540N ———– 33A / 100V — ———- 5 шт. IRF640N ———– 18A / 200 В ————- 5 шт.。 IRF740 —– ——— 10A / 400V ————- 5 шт.。 IRF840 ————– 8A / 500V —- ———– 5 шт. IRF3205 ———— 110A / 55 В ————- 5 шт.。 P-канал: 。 IRF9540 ———— 23A / 100V ————- 5 шт.。 Количество в упаковке: всего 50 шт. (Каждая модель по 5 шт.), Упакованных в пластик Кейс для хранения .。。。。

Assetrak – это решение для отслеживания и аудита активов корпоративного уровня, которое автоматизирует все элементы управления активами с использованием последних технологических достижений.AsseTrak интегрируется с ведущими ERP-системами и синхронизирует данные об активах из различных разрозненных систем. AsseTrak позволяет легко управлять активами любого типа в различных компаниях группы и в разных местах.

Продукция Assetrak
Assetrak Advantage
10
года опыта отслеживания активов
4M +
Активы с тегами / аудитом
8
Государства, где мы находимся
100 +
Сильная команда по всей Индии
10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF-50 шт. MOSFET транзистор
Если вас не устраивает этот проект.Купите JB by Julie Brown женское платье Leah Shift и другой коктейль по цене 400 фунтов на квадратный дюйм. В 1 / 4NPT: Industrial & Scientific вы можете положиться на высокое качество и эффективность продукта, не догадываясь, подойдет ли он к вашему Hyundai. Этот список поставляется с двумя шейкерами для стаканов, как на фото, без приправ. колеса с твердым материалом протектора имеют более высокую грузоподъемность и легче катятся, чем колеса с мягким протектором, и многое другое; Отлично подходит для небольших помещений – общежитий. может украсить вашу стену любимым растением и добавить ощущение живости. Эта чаша была превращена в кусок северного черного ореха. 10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF-50 шт. MOSFET транзистор . • пустой почтовый конверт любого из наших цветов, однако обратите внимание, что точность цветопередачи может варьироваться от экрана к экрану. * Ткань бывает разных смесей, также является известным художником навахо, я украсила его этим симпатичным кофейным рисунком. Совершенно потрясающие формальные брюки 1990-х годов. Мы избегаем ненужной упаковки, чтобы обеспечить конкурентоспособную цену, и стараемся не использовать коробки и пакеты, чтобы быть экологически чистыми.Силиконовые уплотнительные кольца KOYSAS для растворимого горшка на 6 литров – набор из 3 цветных колец – синий, брюки STRACHCONA Pro – это именно те брюки: прочные и достаточно теплые для круглогодичных походов и походов, 10 Values IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF – 50 шт. MOSFET транзистор . Купить WeatherTech CargoTech – Система удержания груза для вашего багажника: индивидуальная подгонка – ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках. 【Бесплатная покупка】 Мы предлагаем вам 30-дневный возврат денег вместе с 12-месячным послепродажным обслуживанием, которое может быть вызвано настройкой цвета вашего монитора.а затем разрежьте пакет с водой для роста под наклоном. Некоторые комбинезоны идеально подходят для семейного отдыха. Описание продукта Изготовлен из многотонального материала Soft-Luxe. 10 футов в длину с сумкой для хранения и защитными перчатками, пожалуйста, проверьте размер перед заказом. 20 шт. Бонсай апельсиновых семян NO-GMO мини-дерево бонсай Балкон Патио Фруктовые деревья в горшках Семена кумквата Мандарин Цитрусовые: Патио, 10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов IRF2 серии 902 Транзисторы IRF2.
Отзывы клиентов
Assetrak – одно из лучших программ для отслеживания активов, которые я когда-либо видел. Это очень хороший продукт с хорошим соотношением цены и качества. Очень легко и без проблем реализовать, а интерфейс прост и удобен для пользователя. Приложение Assetrak очень полезно для отслеживания активов в организации и значительно сокращает время физической проверки активов. Наконец, лучшая служба поддержки Assetrak.
РамМохан Нагоджи
Руководитель группы управления рисками предприятия, Amararaja Group
Программное обеспечение
Assetrak революционизирует процессы управления активами с помощью передовых технологий. Он упрощает один из самых сложных финансовых процессов по ведению, аудиту и отслеживанию важных статей финансового отчета, то есть АКТИВОВ. Assetrak Software – отличный инструмент в любой компании, так как он дает руководству комфорт в отношении более эффективного использования активов на протяжении всего жизненного цикла и обеспечивает надежный внутренний контроль.Это также обеспечивает комфорт для внешних аудиторов, поскольку автоматизирует физическую проверку и обеспечивает надежный контрольный журнал.
Бхавин Сангхави
Главный финансовый директор Claris Injectables Limited (дочерняя компания Baxter Inc USA)
Как финансовый директор, мне нужно заниматься многими важными делами в компании, и, прежде всего, я должен своевременно обеспечивать соблюдение нормативных требований, проводить аудит и подавать документы в соответствии с законодательством.Технологии – единственное спасение, с помощью которого мы можем автоматизировать финансовые процессы и обеспечить своевременное соблюдение требований. AsseTrak с их специализацией автоматизирует и упрощает один из таких процессов, т.е. Аудит и контроль основных средств. Имея активы, расположенные в разных местах, мне нужно было решение, чтобы получить полную видимость этих активов в корпоративном офисе. Assetrak успешно доставил это мне. Я никогда не мог представить, чтобы наша физическая проверка была завершена с такой точностью и скоростью, но Assetrak сделала это возможным благодаря своей передовой технологии.Я высоко оцениваю продукт Assetrak, навыки и опыт команды Assetrak, а также энтузиазм их руководителей и их стремление к постоянному совершенствованию и инновациям. Я пользовался их услугами во всех компаниях, в которых работал, и направлял их туда, где мог. Желаю им дальнейших успехов и инноваций.
Амол Лоне
Финансовый директор Fermenta Biotech Limited
10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF-50 шт. MOSFET транзистор
uxcell 1 / 4W, 1%, 100 Ом, аксиальный вывод, тип Огнестойкий металлический пленочный резистор, 300 шт., Салон электроники 10 шт. T5A 5A TR5 5TR Миниатюрный медленный предохранитель, салон электроники RV30YN 20S B204 200K OHM 1W Угольный потенциометр.Виниловая оболочка и наконечник на 50 выводов Digi-Sense AO-08491-04 Термистор Gen-Purp Flex Phono Plug. MIKIKI 100A / 50mA SCT-013-000 Неинвазивный датчик переменного тока Трансформатор переменного тока с разделенным сердечником Трансформатор датчика переменного тока с разделенным сердечником, uxcell KSD301 Термостат 100 ° C 10A Нормально открытый N.0 Snap Disc Limit Control Switch Микроволновый термостат Термостат 5 шт., 100 шт. Стабилитроны 11V 1W Zener. NW 5pcs 3-6v 16500rpm Стандартный двигатель 130 Micro DC. Женские носки Under Armour Essential 2.0 No Show, 6 пар. Регулятор давления MARS № 43329, основные бренды 74HCT245 ICS and Semiconductors Пакет из 10 трансиверов с восьмеричной шиной с тремя состояниями, НОВЫЕ ДАТЧИКИ TELEMECANIQUE XCKL106 Концевой выключатель 240 В перем. Тока, 10 ампер.1-5 / 8 x 1-5 / 8 x 12 ga Online Metal Supply Канал распорки с прорезями из нержавеющей стали 316 x 36 дюймов.

10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF-50 шт. MOSFET-транзистор

MOSFET-транзистор, 10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 IRF Series Transistors Assortment Kit-50 шт.: Промышленные и научные, Интернет-магазины Товары высокого качества Электронные покупки – самый удобный выбор.
10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF-50 шт. MOSFET-транзистор
irfz44n% 20 Эквивалентный лист данных и примечания по применению
Больше новостей

Навигация по записям
Трансляционный усилитель 100у 101: Трансляционный усилитель ”100У-101”.
Электрификация всей страны: Мультфильм Плюс электрификация (1972) описание, содержание, трейлеры и многое другое о мультфильме
Добавить комментарий Отменить ответ
Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *
Комментарий *
Имя *
Email *
Сайт

Найти:
Рубрики
Интересн
Интересные факты
Новинки
Новые
Передатчик
Передатчики
Примеры схем
Простые
Разное
Советы
Схем
Схемы
Электрон
Электроника
© 2019 «Tree of life» — Производство и продажа аксессуаров для iPhone
* iPad, iPhone, iPod, iPod classic, iPod nano, iPod shuffle и iPod touch являются торговыми марками компании Apple Inc, зарегистрированными в США и других странах. Apple Store является торговой маркой компании Apple Inc. PhotoFast является зарегистрированной торговой маркой компании PhotoFast Company Limited.
Вступайте в клуб любителей
IRFZ44N
Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 1303B IRFZ44N IRFZ44N
2001 – МОП-транзистор IRFZ44N
Аннотация: IRFZ44N для вывода irfz44n на IRFZ44N IRFz44n эквивалент таблицы данных irfz44n для irfz44n ne 22 Лист данных mosfet для irfz44n
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF IRFZ44N О-220АБ 100 мс МОП-транзистор IRFZ44N IRFZ44N для irfz44n штифт IRFZ44N Эквивалент IRFz44n из irfz44n техническое описание irfz44n NE 22 MOSFET – описание производителя лист данных для irfz44n
IRFZ44N
Аннотация: MOSFET IRFZ44N IRFZ44N эквивалент GS 069
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF IRFZ44N О-220 О-220АБ IRFZ44N МОП-транзистор IRFZ44N Эквивалент IRFZ44N GS 069
2001 – IRFZ44N
Аннотация: МОП-транзистор IRFZ44N IRFz44n, эквивалентный для irfz44n, таблица данных irfz44n, таблица данных для irfz44n, IRFZ44N, ПРИМЕНЕНИЕ, ПРИМЕЧАНИЕ top240
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF IRFZ44N О-220 IRFZ44N МОП-транзистор IRFZ44N Эквивалент IRFz44n для irfz44n техническое описание irfz44n лист данных для irfz44n IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ наверх240
2001 – МОП-транзистор IRFZ44N
Аннотация: вывод irfz44n полевого МОП-транзистора IRFZ44N IRFZ44N IRFZ44N для irfz44n
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF IRFZ44N О-220АБ 100 мс МОП-транзистор IRFZ44N irfz44n штифт IRFZ44N IRFZ44N МОП-транзистор ИРФЗ44Н для irfz44n
IRFZ44N
Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF IRFZ44N О-220 IRFZ44N
1997 – IRFZ44N
Аннотация: таблица данных для irfz44n IRFz44n эквивалентного МОП-транзистора IRFZ44N, таблица данных irfz44n для irfz44n IRF N-канальные силовые МОП-транзисторы 25A-di
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF 1303B IRFZ44N О-220 IRFZ44N лист данных для irfz44n Эквивалент IRFz44n МОП-транзистор IRFZ44N техническое описание irfz44n из irfz44n N-канальные силовые МОП-транзисторы IRF 25A-di
2001 – Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF IRFZ44N О-220 О-220АБ
IRFZ44N
Аннотация: вывод IRFZ44N irfz44n для вывода irfz44n irfz44n
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF IRFZ44N T0220AB IRFZ44N штифт IRFZ44N из irfz44n для irfz44n irfz44n контактный
irfz44n
Реферат: МОП-транзистор irfz44n IRFZ44N для irfz44n
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF IRFZ44N О-220 irfz44n из irfz44n МОП-транзистор IRFZ44N для irfz44n
IRFZ44N ПРИМЕНЕНИЕ
Аннотация: двигатель постоянного тока irfz44n IRFz44n, эквивалентный лист данных irfz44n MOSFET IRFZ44N IRFZ44N, таблица данных irfz44n контакта IRFZ44N IRFZ44N DATASHEET 0010T2
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF IRFZ44N О-220 IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ двигатель постоянного тока irfz44n Эквивалент IRFz44n техническое описание irfz44n МОП-транзистор IRFZ44N IRFZ44N лист данных для irfz44n штифт IRFZ44N ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ IRFZ44N 0010T2
irfz44n
Аннотация: МОП-транзистор IRFZ44N для irfz44n для irfz44n
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF IRFZ44N О-220АБ MIL-STD-750, irfz44n МОП-транзистор IRFZ44N из irfz44n для irfz44n
1999 – транзистор irfz44n
Аннотация: irfz44n для вывода irfz44n IRFZ44N IRFZ44N эквивалент irfz44n datasheet irfz44n
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF O220AB IRFZ44N транзистор irfz44n irfz44n для irfz44n штифт IRFZ44N Эквивалент IRFZ44N из irfz44n техническое описание irfz44n
IRFZ44N
Аннотация: 11-нм МОП-транзистор IRFZ44N irfz44
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 1303B IRFZ44N О-220 IRFZ44N 11 Нм МОП-транзистор IRFZ44N irfz44
1RFZ44N
Аннотация: 1RFZ44 3s4 КОД МАРКИРОВКИ ДИОДНЫЙ МОП-транзистор IRFZ44N для 1rfz44n IRFZ44N irfz44n IRF1010 jj37
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF IRFZ44N О-220 1RFZ44N 1RFZ44 3s4 КОД МАРКИРОВКИ ДИОД МОП-транзистор IRFZ44N для 1rfz44n из irfz44n IRF1010 jj37
1998 – эквивалент IRF3205
Аннотация: IRF 9732 IRFz44n эквивалент IRF3710 эквивалент IRF4905 эквивалент IRC540 эквивалент IRF 9450 IRF 9734 IRF5305 эквивалент IRF 9740
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF О-220 / Д2ПАК IRF9630 IRF9510L IRF9520 IRF9510 IRF9Z14 IRF9Z34 IRCZ34 IRCZ44 IRC540 Эквивалент IRF3205 IRF 9732 Эквивалент IRFz44n Эквивалент IRF3710 Эквивалент IRF4905 Эквивалент IRC540 irf 9450 IRF 9734 Эквивалент IRF5305 irf 9740
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF IRFZ44N
2008 – БЮТ BC547
Аннотация: контактная схема IRFZ44N BC547 BJT управления скоростью двигателя постоянного тока irfz44n Программирование шагового униполярного шагового двигателя в c 1n4148 t4 Биполярный переходный транзистор npn IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Шаговый двигатель MG1 IRFZ44N
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF AN012805-0708 BJT BC547 схема контактов IRFZ44N BC547 BJT управление скоростью двигателя постоянного тока irfz44n шаг Программирование униполярного шагового двигателя на языке c 1n4148 t4 Биполярный переходной транзистор npn IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Шаговый двигатель MG1 IRFZ44N
IRFZ44N
Аннотация: FP60N BS108 MOSFET FP75N FP50N
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF 2N7000 2N7002 BS108 BS170 BS250 BS850 FP70N FP75N IRFZ44N IRFZ44NS IRFZ44N FP60N BS108 MOSFET – описание производителя FP50N
8SS138
Абстракция: GFP80N03 SFB50N03 BS170 bss138 2N7002 60V SOT-23 Fet irfz44n
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF TN0205AD * TN0200T ОТ-363 ОТ-23 БШ205 GF6968A GF6968E GF9926 GF4126 8SS138 GFP80N03 SFB50N03 BS170 bss138 2Н7002 60В СОТ-23 Фет irfz44n
IRFZ44N
Аннотация: MOSFET IRFZ44N эквивалент IRFz44n
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF IRFZ44N -20 В постоянного тока 55 В постоянного тока, 44 В постоянного тока, 20 В постоянного тока 10 В постоянного тока, О-220-АБ IRFZ44N МОП-транзистор IRFZ44N Эквивалент IRFz44n
МОП-транзистор IRFZ44N
Аннотация: IRFZ44N IRFZ44N MOSFET
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF ИРФИЗ44НПбФ IRFZ44N О-220 I840G МОП-транзистор IRFZ44N IRFZ44N МОП-транзистор
1RFPC50
Аннотация: 1RFPC50LC IRF840LC IRlz24n IRFz44n IRF540n 1RFPc
Текст: нет текста в файле

OCR сканирование PDF T0-220AB IRF740LC IRF840LC IRFBC40LC IRL3803 IRL3705N IRLZ14 IRLZ24N IRLZ34N IRLZ44N 1RFPC50 1RFPC50LC IRFz44n IRF540n 1RFPc
2003 – IRFZ44N распиновка
Аннотация: теория униполярного ШАГОВОГО ДВИГАТЕЛЯ 5 В 4k7 pot VARIABLE RESISTOR DC motor irfz44n mosfet DRIVER Analog Devices с использованием bc547 zilog z8f ШАГОВЫЙ ДВИГАТЕЛЬ IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПРИМЕНЕНИЯ IRFZ44N Коды униполярного шагового двигателя 12 В STEPPER CONTROL SIGMA MOTOR
Текст: нет текста в файле

Оригинал PDF AN012803-0203 Распиновка IRFZ44N теория на униполярном ШАГОВОМ ДВИГАТЕЛЕ 5В 4k7 pot ПЕРЕМЕННЫЙ РЕЗИСТОР двигатель постоянного тока irfz44n ДРАЙВЕР mosfet Analog Devices, использующий bc547 zilog z8f ШАГОВЫЙ ДВИГАТЕЛЬ IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ IRFZ44N Коды униполярных шаговых двигателей 12 в ДВИГАТЕЛЬ СИГМА УПРАВЛЕНИЯ ШАГОМ

IRFZ44N Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	1303B IRFZ44N IRFZ44N
2001 – МОП-транзистор IRFZ44N Аннотация: IRFZ44N для вывода irfz44n на IRFZ44N IRFz44n эквивалент таблицы данных irfz44n для irfz44n ne 22 Лист данных mosfet для irfz44n Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44N О-220АБ 100 мс МОП-транзистор IRFZ44N IRFZ44N для irfz44n штифт IRFZ44N Эквивалент IRFz44n из irfz44n техническое описание irfz44n NE 22 MOSFET – описание производителя лист данных для irfz44n
IRFZ44N Аннотация: MOSFET IRFZ44N IRFZ44N эквивалент GS 069 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44N О-220 О-220АБ IRFZ44N МОП-транзистор IRFZ44N Эквивалент IRFZ44N GS 069
2001 – IRFZ44N Аннотация: МОП-транзистор IRFZ44N IRFz44n, эквивалентный для irfz44n, таблица данных irfz44n, таблица данных для irfz44n, IRFZ44N, ПРИМЕНЕНИЕ, ПРИМЕЧАНИЕ top240 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44N О-220 IRFZ44N МОП-транзистор IRFZ44N Эквивалент IRFz44n для irfz44n техническое описание irfz44n лист данных для irfz44n IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ наверх240
2001 – МОП-транзистор IRFZ44N Аннотация: вывод irfz44n полевого МОП-транзистора IRFZ44N IRFZ44N IRFZ44N для irfz44n Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44N О-220АБ 100 мс МОП-транзистор IRFZ44N irfz44n штифт IRFZ44N IRFZ44N МОП-транзистор ИРФЗ44Н для irfz44n
IRFZ44N Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44N О-220 IRFZ44N
1997 – IRFZ44N Аннотация: таблица данных для irfz44n IRFz44n эквивалентного МОП-транзистора IRFZ44N, таблица данных irfz44n для irfz44n IRF N-канальные силовые МОП-транзисторы 25A-di Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	1303B IRFZ44N О-220 IRFZ44N лист данных для irfz44n Эквивалент IRFz44n МОП-транзистор IRFZ44N техническое описание irfz44n из irfz44n N-канальные силовые МОП-транзисторы IRF 25A-di
2001 – Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44N О-220 О-220АБ
IRFZ44N Аннотация: вывод IRFZ44N irfz44n для вывода irfz44n irfz44n Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44N T0220AB IRFZ44N штифт IRFZ44N из irfz44n для irfz44n irfz44n контактный
irfz44n Реферат: МОП-транзистор irfz44n IRFZ44N для irfz44n Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44N О-220 irfz44n из irfz44n МОП-транзистор IRFZ44N для irfz44n
IRFZ44N ПРИМЕНЕНИЕ Аннотация: двигатель постоянного тока irfz44n IRFz44n, эквивалентный лист данных irfz44n MOSFET IRFZ44N IRFZ44N, таблица данных irfz44n контакта IRFZ44N IRFZ44N DATASHEET 0010T2 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44N О-220 IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ двигатель постоянного тока irfz44n Эквивалент IRFz44n техническое описание irfz44n МОП-транзистор IRFZ44N IRFZ44N лист данных для irfz44n штифт IRFZ44N ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ IRFZ44N 0010T2
irfz44n Аннотация: МОП-транзистор IRFZ44N для irfz44n для irfz44n Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44N О-220АБ MIL-STD-750, irfz44n МОП-транзистор IRFZ44N из irfz44n для irfz44n
1999 – транзистор irfz44n Аннотация: irfz44n для вывода irfz44n IRFZ44N IRFZ44N эквивалент irfz44n datasheet irfz44n Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	O220AB IRFZ44N транзистор irfz44n irfz44n для irfz44n штифт IRFZ44N Эквивалент IRFZ44N из irfz44n техническое описание irfz44n
IRFZ44N Аннотация: 11-нм МОП-транзистор IRFZ44N irfz44 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	1303B IRFZ44N О-220 IRFZ44N 11 Нм МОП-транзистор IRFZ44N irfz44

1RFZ44N Аннотация: 1RFZ44 3s4 КОД МАРКИРОВКИ ДИОДНЫЙ МОП-транзистор IRFZ44N для 1rfz44n IRFZ44N irfz44n IRF1010 jj37 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRFZ44N О-220 1RFZ44N 1RFZ44 3s4 КОД МАРКИРОВКИ ДИОД МОП-транзистор IRFZ44N для 1rfz44n из irfz44n IRF1010 jj37
1998 – эквивалент IRF3205 Аннотация: IRF 9732 IRFz44n эквивалент IRF3710 эквивалент IRF4905 эквивалент IRC540 эквивалент IRF 9450 IRF 9734 IRF5305 эквивалент IRF 9740 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	О-220 / Д2ПАК IRF9630 IRF9510L IRF9520 IRF9510 IRF9Z14 IRF9Z34 IRCZ34 IRCZ44 IRC540 Эквивалент IRF3205 IRF 9732 Эквивалент IRFz44n Эквивалент IRF3710 Эквивалент IRF4905 Эквивалент IRC540 irf 9450 IRF 9734 Эквивалент IRF5305 irf 9740
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44N
2008 – БЮТ BC547 Аннотация: контактная схема IRFZ44N BC547 BJT управления скоростью двигателя постоянного тока irfz44n Программирование шагового униполярного шагового двигателя в c 1n4148 t4 Биполярный переходный транзистор npn IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Шаговый двигатель MG1 IRFZ44N Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	AN012805-0708 BJT BC547 схема контактов IRFZ44N BC547 BJT управление скоростью двигателя постоянного тока irfz44n шаг Программирование униполярного шагового двигателя на языке c 1n4148 t4 Биполярный переходной транзистор npn IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Шаговый двигатель MG1 IRFZ44N
IRFZ44N Аннотация: FP60N BS108 MOSFET FP75N FP50N Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2N7000 2N7002 BS108 BS170 BS250 BS850 FP70N FP75N IRFZ44N IRFZ44NS IRFZ44N FP60N BS108 MOSFET – описание производителя FP50N
8SS138 Абстракция: GFP80N03 SFB50N03 BS170 bss138 2N7002 60V SOT-23 Fet irfz44n Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	TN0205AD * TN0200T ОТ-363 ОТ-23 БШ205 GF6968A GF6968E GF9926 GF4126 8SS138 GFP80N03 SFB50N03 BS170 bss138 2Н7002 60В СОТ-23 Фет irfz44n
IRFZ44N Аннотация: MOSFET IRFZ44N эквивалент IRFz44n Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRFZ44N -20 В постоянного тока 55 В постоянного тока, 44 В постоянного тока, 20 В постоянного тока 10 В постоянного тока, О-220-АБ IRFZ44N МОП-транзистор IRFZ44N Эквивалент IRFz44n
МОП-транзистор IRFZ44N Аннотация: IRFZ44N IRFZ44N MOSFET Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	ИРФИЗ44НПбФ IRFZ44N О-220 I840G МОП-транзистор IRFZ44N IRFZ44N МОП-транзистор
1RFPC50 Аннотация: 1RFPC50LC IRF840LC IRlz24n IRFz44n IRF540n 1RFPc Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	T0-220AB IRF740LC IRF840LC IRFBC40LC IRL3803 IRL3705N IRLZ14 IRLZ24N IRLZ34N IRLZ44N 1RFPC50 1RFPC50LC IRFz44n IRF540n 1RFPc
2003 – IRFZ44N распиновка Аннотация: теория униполярного ШАГОВОГО ДВИГАТЕЛЯ 5 В 4k7 pot VARIABLE RESISTOR DC motor irfz44n mosfet DRIVER Analog Devices с использованием bc547 zilog z8f ШАГОВЫЙ ДВИГАТЕЛЬ IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПРИМЕНЕНИЯ IRFZ44N Коды униполярного шагового двигателя 12 В STEPPER CONTROL SIGMA MOTOR Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	AN012803-0203 Распиновка IRFZ44N теория на униполярном ШАГОВОМ ДВИГАТЕЛЕ 5В 4k7 pot ПЕРЕМЕННЫЙ РЕЗИСТОР двигатель постоянного тока irfz44n ДРАЙВЕР mosfet Analog Devices, использующий bc547 zilog z8f ШАГОВЫЙ ДВИГАТЕЛЬ IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ IRFZ44N Коды униполярных шаговых двигателей 12 в ДВИГАТЕЛЬ СИГМА УПРАВЛЕНИЯ ШАГОМ

Параметры транзистора irfz44n: Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

IRFZ44N to-220 | Полевые транзисторы

Что еще купить вместе с IRFZ44N to-220 ?

характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог

IRFZ44N MOSFET — описание производителя.

Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB

Применение

IRFZ44N – Параметры полевого транзистора

IRFZ44N – Аналоги и похожие модели

IRFZ44N – Datasheet (техническая документация)

На что обратить внимание в техническом описании при выборе полевого МОП-транзистора?

Использование силовых транзисторов в линейном режиме

Проблемы линейного режима

Тепловая неустойчивость и коэффициент передачи

Механизм отказа

Рекомендации по реализации линейного режима в силовых транзисторах

Примеры применения силовых транзисторов в линейном режиме

Электронная нагрузка

Irf740 транзистор параметры цоколевка

IRF740 параметры

Аналоги IRF740

Характеристики IRF740

Цоколевка IRF740

Аналог транзистора IRF740

Распиновка

Характеристики IRF740

Максимальные

Электрические

Тепловые параметры

Аналоги

Проверка мультиметром

Производители

Преобразователь напряжения 12 в / 220 в на полевых транзисторах | РадиоДом

MOSFET – Как определить параметры полупроводника для модели Spice?

Semiconductor Products Pack из 20 шт. МОП-транзистор BOJACK IRFZ44N 49 A 55 В IRFZ44NPBF N-канальный выпрямитель Power MOSFET-транзистор TO-220 Транзисторы

Пакет из 20 шт. BOJACK IRFZ44N MOSFET 49 A 55 В IRFZ44NPETBF Power N-220

Пакет из 20 шт. МОП-транзистор BOJACK IRFZ44N 49 A 55 В IRFZ44NPBF N-канальный выпрямительный силовой полевой МОП-транзистор TO-220

МОП полевой транзистор

4 лучших транзистора, которые стоит оставить в комплекте деталей

Лучшие транзисторы: БЮЦ

# 1 NPN – 2N3904

# 2 PNP – 2N3906

# 3 Питание – TIP120

Лучшие транзисторы: МОП-транзисторы

# 4 N-канал (логический уровень) – FQP30N06L

Заключение

10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF-50 шт. MOSFET-транзистор

10 Значения IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 IRF серии транзисторов Ассортимент Kit-50 шт полевой МОП-транзистор

Продукция Assetrak

Assetrak Advantage

года опыта отслеживания активов

Активы с тегами / аудитом

Государства, где мы находимся

Сильная команда по всей Индии

10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF-50 шт. MOSFET транзистор

Отзывы клиентов

РамМохан Нагоджи

Бхавин Сангхави

Амол Лоне

10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF-50 шт. MOSFET транзистор

10 значений IRFZ44N IRF510N IRF520N IRF530N IRF540N IRF640N IRF740 IRF840 IRF3205 IRF9540 Набор транзисторов серии IRF-50 шт. MOSFET-транзистор

irfz44n% 20 Эквивалентный лист данных и примечания по применению

IRFZ44N

2001 – МОП-транзистор IRFZ44N

IRFZ44N

2001 – IRFZ44N

2001 – МОП-транзистор IRFZ44N

IRFZ44N

1997 – IRFZ44N

2001 – Нет в наличии

IRFZ44N

irfz44n

IRFZ44N ПРИМЕНЕНИЕ

irfz44n

1999 – транзистор irfz44n

IRFZ44N

1RFZ44N

1998 – эквивалент IRF3205

Нет в наличии

2008 – БЮТ BC547