Подбор полевого транзистора по параметрам онлайн: Как подобрать транзистор для замены?

Подбор полевого транзистора по параметрам онлайн

Kак проверить мосфет? Как выпаять мосфет? Как подобрать аналог а что там подбирать то? Rds on чем меньше тем лучше, но если будет чуть больше чем у оигинала, не страшно правда греться будет сильнее. Мосфеты в линейных стабилизаторах: Схемотехника довольно популярна и проста. Сгорел мосфет в линейном стабилизаторе, как подобрать аналог?

Поиск данных по Вашему запросу:

Подбор полевого транзистора по параметрам онлайн

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Поиск полевого транзистора по характеристикам. Интернет-справочник транзисторов
• Поиск полевого транзистора по характеристикам. Интернет-справочник транзисторов
• Как подобрать аналог сгоревшего транзистора?
• SMD транзисторы (подбор по параметрам)
• Это интересно!
• Проверка и подбор полевых транзисторов
• Зарубежные и отечественные транзисторы
• Зарубежные и отечественные транзисторы
• Как подобрать аналог полевого транзистора?
• Primary Menu

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Драйверы для полевых транзисторов, самые простые и распространённые

Поиск полевого транзистора по характеристикам. Интернет-справочник транзисторов

Транзистор — популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:. Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств — российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов. Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их – напишите об этом в комментариях внизу страницы! Обратная связь Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону Электронные компоненты Статьи по радиоэлектронике Зарубежные и отечественные транзисторы.

Обновлена: 05 Июля 0.

Поделиться с друзьями. Была ли статья полезна? Оцените статью. Как определить выводы транзистора. Биполярные транзисторы: принцип работы, характеристики и параметры. Как работает транзистор: принцип и устройство. Анатолий Мельник. Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.

Комментарии Нет комментариев Добавить комментарий. Содержание Краткое описание транзисторов Таблицы аналогов биполярных транзисторов: до 40 В до 60 В до 70 В до 80 В до В до В до В до В до В до В до В до В до В до В до В до В свыше В Таблица аналогов однопереходных транзисторов Таблица аналогов мощных полевых транзисторов Таблица аналогов слабых полевых транзисторов Транзистор — популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов.

Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом; Биполярные — имеют два p-n перехода; Полевые — специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока. Это можно сделать несколькими способами: Найти data sheets — техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства.

И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь. Использовать таблицу, представленную на нашем сайте.

Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их – напишите об этом в комментариях внизу страницы! Таблица аналогов биполярных транзисторов Зарубежные. ТО Биполярные транзисторы до 80 В Зарубежные.

Поиск полевого транзистора по характеристикам. Интернет-справочник транзисторов

При постройке усилителей без петель отрицательной обратной связи желательно иметь компоненты со строго заданными, или хотя бы по возможности близкими, параметрами. Впрочем, даже в обычном дифференциальном каскаде для уменьшения искажений желательно применять транзисторы или лампы – близнецы, ещё их называют ” согласованные пары “. Да и просто проверить полевой транзистор перед тем, как запаять его в схему – будет совсем нелишне. Вобщем я поймал себя на том, что собираю на макетке простенькую схемку для проверки полевиков уже наверное с десятый раз по жизни. Вот как это выглядело в последний раз:. И всё бы ничего, но промерив уже с пару дюжин относительно сильноточных полевичков стал я замечать, что слишком уж разброс велик. Перемеряю – ничего не сходится.

[СКАЧАТЬ] P75nf75 транзистор полевой показать схему и параметры PDF бесплатно или читать онлайн на Как проверить irfz44n – как проверить полевой транзистор irfz44n переходом — Студопедия. Мосфеты – проверка, подбор аналогов Ремонт внимательно ознакомьтесь с фото, и параметрами.

Как подобрать аналог сгоревшего транзистора?

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов. Справочник транзисторов мощных биполярных. Справочник транзисторов полевых отечественных. Маломощные транзисторы. Высокочастотные транзисторы средней мощности. Отечественные smd транзисторы. Справочник по полевым транзисторам. Главная страница Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены аналога транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока.

SMD транзисторы (подбор по параметрам)

Транзистор — популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:. Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств — российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:.

Здесь можно скачать документацию в pdf на отечественные и импортные компоненты.

Это интересно!

Новости: 9. Высказывания: Непредусмотрительность – вот точная наука. Правило прошлого прогноза Фагина. Пустые поля игнорируются при поиске. Выводить найденных транзисторов. Добавить описание полевого транзистора.

Проверка и подбор полевых транзисторов

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы. Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением. Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает.

и подбираем мосфет по параметрам Проверка битых полевых транзисторов,нашёл видео-all-audio.pro?v.

Зарубежные и отечественные транзисторы

Подбор полевого транзистора по параметрам онлайн

Прибор для проверки основных параметров маломощных полевых транзисторов выполнен на основе недорогих цифровых мультиметров, возможно, даже с неисправными переключателями пределов измерения. Это минимизировало затраты труда по монтажу и изготовлению конструкции. Цифровые показания несколько облегчают сравнение транзисторов и подбор пар для дифференциальных каскадов. Крутизну транзисторов определяют простейшим расчетом.

Зарубежные и отечественные транзисторы

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Проверка параметров полевого транзистора 1

Дневники Файлы Справка Социальные группы Все разделы прочитаны. Подбор транзистора. Нужно найти тр-р, который есть в продаже, обязательно чтобы у него был отдельный вывод на подложку, с параметрами: Pt полная рессеиваемая мощность Вт, Id ток стока 0.

По характеристикам почти подходят КП , КП -есть ли у них вывод на подложку, и есть ли они в продаже еще? Rg сопротивление в цепи затвора желательно около Ом, желательно по первым параметрам как можно больше вариантов.

Чем смогу помогу.

Как подобрать аналог полевого транзистора?

Человечество оказалось для Земли страшнее астероида, убившего динозавров. В статье дается выборочный обзор некоторых новых импульсных преобразователей и контроллеров; представлена уникальная в своем роде программа ADISimPower, обеспечивающая быстрый подбор компонентов и проектирование схемы питания, а также подробно рассматривается новый аналогово-цифровой контроллер для блоков питания ADP Прогресс в области технологии силовых приборов на базе структуры GaN-на-кремнии позволяет существенно улучшить такие параметры полевых транзисторов как сопротивление канала в открытом состоянии и произведение сопротивления канала на емкость затвора. В статье обсуждаются новые возможности и перспективы построения высокоэффективных преобразователей напряжения на базе GaN-полевых транзисторов.

Статья представляет собой сокращенный перевод [1].

Primary Menu

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые предназначены для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Это главный компонент в любой электрической схеме. Транзисторы бывают полевые и биполярные. Отличие их в том, что в биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют электроны носители отрицательных зарядов и дырки носители положительных зарядов , а в полевом — один из носителей зарядов электроны или дырки.

Расчёт усилительных каскадов на полевых MOSFET транзисторах

Как просто рассчитать режимы работы и номиналы элементов схем на полевых
MOSFET транзисторах обогащённого типа. Онлайн калькулятор.

На предыдущей странице мы с вами рассмотрели методику по расчёту режимов работы и номиналов элементов схем каскадов на полевых транзисторах. Процедура расчёта достаточно проста и не подразумевает необходимости построения нагрузочных линий, как это рекомендуется при процессе проектирования усилительных каскадов в любой радиотехнической литературе.

В качестве примера был выбран распространённый JFET-транзистор 2SK117 со встроенным p-n переходом обеднённого типа.
По большому счёту, расчёт каскадов, выполненных на MOSFET транзисторах обогащённого типа, ничем не отличается от процедуры расчёта для JFET-транзисторов, однако, учитывая то, что стоково-затворная ВАХ JFET-ов находится в отрицательной области напряжений Uзи, а MOSFET-ов смещена в положительную – могут возникнуть определённые вопросы.

В качестве пациента для расчётов выберем N-Channel MOSFET 2N7002, который, строго говоря, был спроектирован для работы в ключевых устройствах, однако, наряду с 2N7000, довольно часто применяется радиолюбителями в усилительных каскадах радиочастотного диапазона.
Итак, определимся с вводными:
напряжение питания Е_п = 12В, ток покоя стока транзистора I_с = 10мА, коэффициент усиления по напряжению К_u = 10.

Далее всё по накатанной: вольт-амперная характеристика 2N7002 из Datasheet-а и схема каскада с общим истоком.

Рис.1 Стоково-затворная ВАХ транзистора 2N7002 и схема каскада с общим истоком

Поскольку ключевые транзисторы даже малой мощности могут работать при значительных величинах импульсных токов, их вольт-амперные характеристики для наших аналоговых целей имеют явно избыточный размах. Однако приблизительно оценить интересующие нас значения мы всё ж таки сумеем.

1. Линия, пересекающая на ВАХ точку, равную току истока Iс = 10 mA, приблизительно соответсвует напряжению U_зи ≈ 2,6В.

2. Опять же, очень приблизительно давайте оценим параметр крутизны передаточной характеристики транзистора вблизи интересующего нас тока стока:
S = ΔI_c/ΔU_зи = (75-10)мА / (3-2,6)В = 162 мА/В.
Поскольку при расчёте (в связи с мелкостью масштаба в районе Iс = 10 mA) нам пришлось залезть в область значительно более высоких токов, то реальный показатель крутизны окажется раза в 1,5 ниже расчётного значения. Лучше бы эту поправку учесть – но мы не будем, для того, чтобы наглядно продемонстрировать, что даже такие существенные расхождения не сильно повлияют на работоспособность рассчитанной схемы.

3. Перенесём сюда формулы с предыдущей страницы и добавим пару новых:

К_u = R_c*S/(1 +R_и*S) ;
U_c = (E_п + U_и)/2 ;
R_c = (E_п – U_с)/I_с ;
U_и = Е_см – U_зи ;
R_и = U_и/I_c .

Объединив данные формулы, можно рассчитать номиналы всех элементов, ну а поскольку итоговые выражения получаются довольно громоздкими, то, я думаю, мало кто обидится, если я сразу приведу онлайн калькулятор.

КАЛЬКУЛЯТОР РАСЧЁТА ЭЛЕМЕТОВ КАСКАДОВ ОИ НА ПОЛЕВЫХ MOSFET ТРАНЗИСТОРАХ.

Напряжение питания Еп (В)
Ток покоя транзистора Iс (мА)
Крутизна транзистора S (мА/В)
Напряжение затвор-исток для заданного Ic Uзи (В)
Необходимый Ku каскада
Номинал резистора Rc (Ом)
Номинал резистора Rи (Ом)
Напряжение смещения на затворе Есм (В)
Напряжение на стоке (В)
Напряжение на истоке (В)

А теперь так же, как на предыдущей странице давайте проверим полученные расчёты в симуляторе.

Некоторая разница между показаниями вольтметров симулятора и значениями результатов расчёта на калькуляторе объясняется просто, и на это мы заранее обратили внимание при расчёте (по стоково-затворной ВАХ) крутизны передаточной характеристики транзистора.

Несмотря на это, схема с указанными номиналами элементов вполне себе работоспособна и обладает усилением, близким к заданному, что наглядно подтверждается эпюрами входных и выходных напряжений сигналов на осциллографе.

Рис.2 Результаты моделирования каскада с общим истоком на симуляторе

На самом деле, в связи с достаточно большим разбросом параметров любых полевых транзисторов, произвести точный теоретический расчёт режимов полупроводника не представляется возможным. Поэтому на практике, как правило, предусматривается возможность точной подстройки режимов транзистора. К примеру, снижение на симуляторе напряжения смещения затвора транзистора с 3,11 В до 2,95 В приводит к практически полному приближению режимов полевика к расчётным значениям.

Однако, если заранее измерить основные характеристики ПТ, то можно обойтись и без указанных мероприятий, связанных с подбором элементов, задающих режим транзистора по постоянному току.
Как это сделать – рассмотрим на следующей странице.

 

Влияние параметров процесса на полевой транзистор из углеродных нанотрубок с использованием методологии поверхности отклика

На этой странице . Недавние исследования показывают, что тепловые и электрические свойства CN-FET изменяются в зависимости от длины, диаметра и параметров затвора. Оптимизация параметров конструкции CNTFET помогает контролировать некоторые факторы. Для преодоления этих фактов введены схемы двойных ворот и цилиндрических ворот. Углеродные нанотрубки имеют взаимную емкость между ними, которая увеличивается с увеличением их диаметра. Общая емкость и индуктивность CNTFET увеличиваются с увеличением количества нанотрубок. Чтобы уменьшить падение напряжения между полупроводниковыми и металлическими выводами, диаметр и шаг должны быть увеличены. В этом исследовании используется методология поверхности отклика и метод ANOVA, которые использовались для оптимизации параметров процесса CNTFET. Учитывались толщина, напряжение, задержка и мощность. Исследуется наиболее влияющий параметр.

1. Введение

CNTFET были предложены в качестве замены устройства CMOS. Чтобы получить другие характеристики устройства, его нужно всего лишь объединить с технологией КМОП с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости. CNTFET представляет собой трехконтактное устройство, состоящее из полупроводниковых нанотрубок, которые соединяют исток и сток и действуют как несущий канал. Он может быть подключен электростатически через третий контакт (затвор). Дин и др. исследовал FDSOI nMOSFET, изготовленный с использованием аналогичной технологии в той же среде облучения и смещении во время сравнения облучения. Они также объяснили, как сравнивать экспериментальные и смоделированные кривые для свежего TFET с смоделированной кривой для облученного TFET [1]. Санчес Эскеда и др. продемонстрировали развитие радиационно-индуцированного оксидного захваченного заряда и создание интерфейсных ловушек в объемных полевых МОП-транзисторах, КНИ-МОП-транзисторах и КНИ-МОП-транзисторах. Они также блестяще объяснили, что минимальное напряжение удерживания данных (DRV) как функция создания ловушек, вызванных стрессом PMOS, получено в результате моделирования до и после включения эффектов общей ионизирующей дозы (TID) в виде краевой утечки в устройствах NMOS [2]. Нин и Чжан сравнили ток утечки в выключенном состоянии для устройств ввода-вывода FB и TB при настройках смещения ON и OFF. Они также рассмотрели сдвиг порогового напряжения обратного затвора для основных устройств FB и TB, когда смещение было отключено. Для основных устройств FB и TB они специально указали смоделированный потенциал тела с длиной канала (горизонтальное направление) на средней глубине области тела и смоделированной напряженностью электрического поля (EY) вместе с глубиной (вертикальное направление) на средней глубине. BOX при выключенном смещении [3].

Кресс и др. описал транзисторы УНТ с ионизирующей дозированной закалкой и диэлектриками затвора из оксинитрида кремния. Воздействие облучения вызывает значительные ошибки в работе интегральной схемы CNTFET. Сдвиг порогового напряжения также подтверждает работоспособность устройства в радиационной среде [4]. Сеть УНТ между электродами истока и стока облучалась гамма-лучами. Они продемонстрировали ВАХ прибора до и после облучения 50 кГр, с VGS в диапазоне от -20 до +20  В при и усредненной зависимостью от дозы Vth. Усредненная (разница между до и через 10 ч после облучения) дозозависимость колеблется от 5 до 50 кГр [5]. Об этом ясно заявил Avouris et al. Углеродная электроника была определена как многообещающий кандидат для следующего поколения электроники и наноустройств [6]. Танг и др. продемонстрировали, что дозиметры на основе нанотрубок могут обнаруживать ионизирующее излучение, такое как терапевтическое рентгеновское излучение мощностью 6 МВ, с большей чувствительностью, чем устройства на полевых МОП-транзисторах. Они пришли к выводу, что гаджет сохранил свою форму и функциональность после облучения, а нанотрубки не были повреждены [7].

Шримпф и др. убедительно продемонстрировали графики зависимости напряжения затвора от тока стока для различных соотношений и пришли к выводу, что эффекты общей ионизирующей дозы были в среднем менее серьезными для значительно масштабируемых технологий, в отличие от предыдущих методов [8]. Кресс и др. различали передаточные свойства графенового полевого транзистора с обратным затвором с добавочным полным ионизирующим излучением, того же устройства после 15 минут воздействия воздуха и того же устройства с дополнительной общей ионизирующей дозой (TID). Они также подчеркнули подвижность полевого эффекта в зависимости от TID для графенового полевого транзистора, облученного в вакууме и на воздухе, и наименьшую проводимость для характеристик переноса, оцененных в вакууме. График зависимости тока стока от напряжения на затворе также ясно продемонстрировал графеновые транзисторы, подвергшиеся воздействию различных суммарных ионизирующих доз [9]. ]. Чжан и др. точно описал, как устройства CNTFET реагируют на электрическое напряжение и цикличность. Они также продемонстрировали ID стока тока в зависимости от напряжения затвора VG для различных суммарных доз при смещении затвора облучения +10 В, а также время пострадиационного отжига после облучения до полной дозы 1 Мрад (SiO2). аналогично с функциональным смещением затвора +10 В [10].

Балигидада и др. несомненно, исследовали влияние ограничений, таких как толщина слоя, мощность, получаемая от нагревателя, и скорость подачи нагревателя на такие свойства, как модуль накопления и модуль потерь нескольких испытуемых образцов. Они также рекомендовали использовать CCD-RSM для оптимизации параметров процесса для улучшения механических свойств деталей из полиамида [11]. Ян и Тарнг использовали ортогональную матрицу, соотношение сигнал-шум и дисперсионный анализ для оптимизации параметров резания при токарной обработке и пришли к выводу, что вращение увеличивает срок службы инструмента и шероховатость поверхности. Стойкость инструмента и шероховатость поверхности составляли около 225% идеальных параметров резания [12]. Липин и Говиндан кратко описали методы Тагучи для планирования экспериментов и исследования записей для оптимизации условий обработки с использованием ортогональных массивов. Они показали влияние факторов на MRR и шероховатость поверхности. Они пришли к выводу, что подход Тагучи может улучшить стойкость инструмента, шероховатость поверхности, силу резания и общую производительность [13].

душ Сантуш и др. продемонстрировали, что незакодированные и закодированные уровни независимых переменных были связаны с синтезом. Независимые переменные и экспериментальные значения переменных отклика для центрального композита также продемонстрировали, что дизайн связан с синтезом. Они заявили, что они выполнили ANOVA для степени переменного отклика кватернизации, характеристической вязкости и выхода реакции, коррелированного с синтезом N-(2-гидрокси)-пропил-3-триметиламмонийхитозанхлорида, а также для температур и соответствующие потери массы, связанные, в том числе, с термической деструкцией хитозана и образцов [14]. Цао и его коллеги описали основные элементы, экспериментально влияющие на качество отверстия при сверлении, такие как скорость резания, температура, скорость подачи и геометрические параметры, а также влияние манипуляций с режимами резания и температуры на срок службы инструмента [15].

2. Методы и методология

Методология поверхности отклика (RSM) представляет собой набор математических и арифметических инструментов для построения экспериментальных представлений. Цель подозрительного предложения экспериментов состоит в том, чтобы максимизировать отклик, такой как субъективная выходная переменная, за счет многочисленных саморегулирующихся переменных, таких как входные переменные. Проводится серия тестов, в которых входные переменные изменяются, чтобы определить мотивацию изменений выходной реакции. В этой конфигурации входными параметрами были толщина и напряжение, тогда как желаемыми выходными параметрами были задержка и мощность. В таблице 1 представлены различные диапазоны входных параметров толщины и напряжения. Соответствующие значения задержки и мощности, толщины и напряжения для CNTFET показаны в таблице 2.

3. Результат и обсуждение

Результаты эксперимента были проанализированы для CNTFET на основе плана эксперимента. На рисунке 1 показан график основного эффекта для средних значений, на котором подчеркивается взаимосвязь между средним значением среднего значения и толщиной CNTFET, а также связь между средним значением среднего значения и напряжением, используемым для него. Среднее значение было прямо пропорционально напряжению и обратно пропорционально толщине, исходя из этого показания [16]. Предпочтительная толщина и напряжение для среднего значения составляют 22 нм и 0,4 В соответственно для среднего значения. На рис. 2 показан график основных эффектов отношения SN относительно толщины и напряжения для отношения SN. Согласно этому графическому представлению, среднее значение отношения SN падало в ответ на увеличение напряжения. С другой стороны, значения отношения SN растут по мере увеличения толщины CNTFET. В результате почти оптимальные толщина и напряжение составили 20 нм и 0,6 В соответственно при измерении в отношении SN.

На рис. 3 показаны отклики отношения SN и остаточных значений. Остаточные значения постепенно увеличиваются от отрицательных до положительных. Судя по графику, отклик для этой конфигурации был близок к коэффициенту SN в процентном отношении. Сплошная цветная линия отображала среднее значение.

Графическое представление остатков и подгонок для отношений SN показано на рисунке 4. Подобранные значения были перечислены горизонтально, тогда как остаточные значения были перечислены вертикально. В ответ на отношения SN остаточные значения располагаются между -0,3 и 0,2, а подобранные значения находятся в отрицательном диапазоне.

На рис. 5 показан различный порядок наблюдения остаточных значений. Менее 50 % значений в этом графическом представлении были отрицательными показателями, а более 50 % значений в этом графическом представлении были положительными показателями. Были доступны варианты подъема и падения; однако остатки были почти идентичными в промежуточном наблюдении.

График нормальной вероятности остатков показан на рисунке 6. Блок-линия представляет среднее значение, а значения остатков примерно равны средним значениям, изображенным на изображении.

Остаточные значения подобранных значений с соответствующими средними значениями показаны на рисунке 7. Остаточные значения находились в диапазоне от -0,10 до 0,15. Большинство подобранных значений были отрицательными, составляя почти 65% от общего числа, с остальными положительными ответами.

Иллюстрация остатка по заказу на средства изображена на рисунке 8 в графическом виде. Были остаточные значения, которые были преимущественно отрицательными, составляя примерно шестьдесят пять процентов от общего числа. Однако остальные тридцать пять процентов респондентов дали положительную реакцию.

На рисунке 9 показано соотношение между остатками для стандартных отклонений и вероятностью. Этот подход дал такие результаты, как все значения, близкие к среднему. На рис. 10 также показаны отклики стандартных отклонений относительно остатков в диапазоне от -0,25 до 0,21.

Аналогичным образом, на рисунке 10 показаны остатки в сравнении с аппроксимацией стандартных отклонений. 65% респондентов дали положительный ответ, а остальные 35% дали отрицательный ответ. Стандартные отклонения относительно остатков находились в диапазоне от -0,25 до 0,2.

На рисунке 11 показаны остаточные значения для подобранных значений, связанных со стандартными отклонениями. Согласно этому графическому представлению остаточные значения находились в диапазоне от -0,25 до 0,2, а подобранные значения находились в диапазоне от 1,85 до 2,6. На рис. 12 показан контур зависимости мощности от толщины и напряжения со значительными изменениями цвета. Когда толщина превышает 30 нм, напряжение превышает 0,3 В, и мощность увеличивается.

На рис. 13 показан контур зависимости задержки от толщины и напряжения с использованием различных цветовых различий. При увеличении значения толщины (более 17 нм) и минимальном напряжении, близком к 0,2–0,3, задержка уменьшается. На рис. 14 показан трехмерный график зависимости мощности от толщины и напряжения. Толщина была указана по -оси, мощность по -оси и напряжение по -оси. Мощность увеличивается в ответ на уменьшение толщины, а также увеличение напряжения. На рис. 15 представлен поверхностный график зависимости задержки от толщины и напряжения. Толщина была указана по -оси, задержка по -оси и напряжение по -оси. С увеличением толщины и уменьшением напряжения задержка уменьшалась.

4. Заключение

Было проведено исследование всех параметров, используемых при оптимизации CNTFET. Среднее значение отношения SN упало в ответ на увеличение напряжения. Оптимальная толщина и напряжение были измерены как 20 нм и 0,6 В. Стандартные отклонения наблюдались в диапазоне от -0,25 до 0,21. Толщина CNTFET является наиболее важным параметром для улучшения результатов. Идеальная толщина и напряжение составляют 22 нм и 0,4 В, что обеспечивает максимальную мощность и минимальную задержку.

Доступность данных

Данные, использованные для поддержки результатов этого исследования, включены в статью. Если потребуются дополнительные данные или информация, их можно получить у соответствующего автора по запросу.

Раскрытие информации

Работа выполнена в рамках трудоустройства Университета Метту, Эфиопия.

Конфликт интересов

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов в связи с публикацией данной статьи.

Благодарности

Авторы благодарят KPR Institute of Engineering and Technology и Vellore Institute of Technology, Chennai, за техническую помощь. Авторы признательны за поддержку Университета Метту, Эфиопия.

Ссылки

1. L. Ding, E. Gnani, S. Gerardin et al., «Общие дозовые эффекты ионизации в туннельных полевых транзисторах на основе кремния», IEEE Transactions on Nuclear Science , vol. 61, нет. 2014. Т. 6. С. 2874–2880.

   Просмотр:

   Сайт издателя | Google Scholar

2. И. Санчес Эскеда, Х. Дж. Барнаби и М. П. Кинг, «Компактное моделирование полной ионизирующей дозы и эффектов старения в технологиях МОП», IEEE Transactions On Nuclear Science , vol. 62, нет. 4, стр. 1501–1515, 2015.

   Посмотреть по адресу:

   Сайт издателя | Google Scholar

3. Б. Нин и З. Чжан, «Сравнение эффектов полной ионизирующей дозы для КНИ nMOSFET с плавающим и привязанным корпусом», Международный журнал электроники и электротехники , том. 1, нет. 1, стр. 31–33, 2013 г.

   Посмотреть по адресу:

   Сайт издателя | Google Scholar

4. Кресс Д., МакМорроу Дж., Робинсон Дж. Т. и др., «Тонкопленочные транзисторы из углеродных нанотрубок с полной ионизирующей дозированной закалкой и диэлектриками затвора из оксинитрида кремния», Mrs Communications , vol. 1, нет. 1, стр. 27–31, 2011 г.

   Посмотреть по адресу:

   Сайт издателя | Google Scholar

5. С. Исии, Д. Ябэ, С. Эномото, С. Кошио, Т. Хирао и Т. Х. Кониши, «Общие эффекты ионизирующей дозы в транзисторах из углеродных нанотрубок», в 2015 15-я Европейская конференция по радиации и ее воздействию на компоненты и системы (RADECS) , Москва, Россия, 2015.

   Посмотреть по адресу:

   Сайт издателя | Google Scholar

6. П. Авурис, З. Чен и В. Перебейнос, «Электроника на основе углерода», Nature Nanotechnology , vol. 2, нет. 10, стр. 605–615, 2007.

   Посмотреть по адресу:

   Сайт издателя | Google Scholar

7. X.-W. Тан, Ю. Ян, В. Ким и др., «Измерение ионизирующего излучения с использованием полевого транзистора с углеродными нанотрубками», Физика в медицине и биологии , вып. 50, нет. 3, стр. N23–N31, 2005.

   Посмотреть по адресу:

   Сайт издателя | Google Scholar

8. Р. Д. Шримпф, Д. М. Флитвуд, М. Л. Аллес, Р. А. Рид, Г. Луковский и С. Т. Пантелидес, «Радиационные эффекты в новых материалах для наноустройств», Microelectronic Engineering , vol. 88, нет. 7, стр. 1259–1264, 2011.

   Посмотреть по адресу:

   Сайт издателя | Google Scholar

9. Кресс Д., МакМорроу Дж., Робинсон Дж. Т., Ланди Б. Дж., Хаббард С. М. и Мессенджер С. Р. Эффекты излучения в углеродной наноэлектронике, стр. 9.0073 Электроника , том. 1, нет. 1, стр. 23–31, 2012 г.

   Посмотреть по адресу:

   Сайт издателя | Google Scholar

10. C. X. Zhang, E. X. Zhang, DM Fleetwood et al., «Эффекты полной ионизирующей дозы и надежность устройств на полевых транзисторах с углеродными нанотрубками», Microelectronics Reliability , vol. 54, нет. 11, стр. 2355–2359, 2014.

    Посмотреть по адресу:

    Сайт издателя | Google Scholar

11. С. М. Балигидада, У. Чандрасекхарб, К. Элангованк и С. Шанкар, «Оптимизация RSM параметров, влияющих на механические свойства при спекании с селективным торможением», Материалы сегодня: Труды , том. 5, pp. 4903–4910, 2018.

    Посмотреть по адресу:

    Google Scholar

12. Ян Х. и Тарнг Ю. С. Оптимизация параметров резания для токарных операций на основе метода Тагучи, Journal of Materials Processing Технология , вып. 84, нет. 1–3, стр. 122–129, 1998.

    Посмотреть по адресу:

    Сайт издателя | Google Scholar

13. К. Липин и П. Говиндан, «Обзор многоцелевой оптимизации параметров бурения с использованием методов Тагучи», Международный технологический журнал AKGEC , том. 4, нет. 1, стр. 11–21, 2013 г.

    Посмотреть по адресу:

    Google Scholar

14. Д. М. душ Сантос, А. д. L. Bukzem и S.P. Campana-Filho, «Методология поверхности отклика, примененная к изучению синтеза кватернизированного хитозана с помощью микроволнового излучения», Carbohydrate Polymers , vol. 138, стр. 317–326, 2016.

    Посмотреть по адресу:

    Сайт издателя | Google Scholar

15. C. C. Tsao and H. Hocheng, «Оценка осевого усилия и шероховатости поверхности при сверлении композитного материала с использованием анализа Тагучи и нейронной сети», Журнал технологии обработки материалов , том. 203, нет. 1–3, стр. 342–348, 2008 г.

    Посмотреть по адресу:

    Сайт издателя | Google Scholar

16. С. Йогешваран, Л. Натраян, С. Раджараман, С. Партасарати и С. Нестро, «Экспериментальное исследование механических свойств гибридного биокомпозита на основе эпоксидной смолы/графена/рыбьей чешуи и ферментированного шпината методом ручной укладки техники», Materials Today: Proceedings , vol. 37, нет. 2021. Т. 2. С. 1578–1583.

    Посмотреть по адресу:

    Google Scholar

Copyright

Copyright © 2021 Mohana SundaramK et al. Это статья с открытым доступом, распространяемая в соответствии с лицензией Creative Commons Attribution License, которая разрешает неограниченное использование, распространение и воспроизведение на любом носителе при условии надлежащего цитирования оригинальной работы.

Способы измерения pH – HORIBA

Методы измерения pH можно условно разделить на следующие четыре категории:

• Indicator methods
• Metal-electrode methods (including the hydrogen-electrode method, quinhydron-electrode method and antimony-electrode method)
• Glass-electrode methods
• Semiconductor sensor methods

Затем кратко объясняется каждый метод измерения.

---

(1) Измерение pH с помощью индикатора

Эта категория в основном включает два метода: Первый включает сравнение стандартного цвета, соответствующего известному pH, с цветом индикатора, погруженного в тестовую жидкость с использованием буферного раствора. Другой метод включает приготовление бумаги для измерения pH, пропитанной индикатором, затем погружение бумаги в тестовую жидкость и сравнение ее цвета со стандартным цветом. Этот метод прост, но подвержен ошибкам. Нельзя ожидать высокой степени точности.

* Различные ошибки включают в себя;
– Ошибка из-за высокой концентрации солей в контрольной жидкости
– Ошибка из-за температуры контрольной жидкости
– Ошибка из-за органических веществ в контрольной жидкости

Индикаторный метод не может измерять рН высокочистой воды, т.к. влияние самого индикатора слишком велико.

(2) Метод водородного электрода

Водородный электрод изготавливается путем добавления платиновой черни к платиновой проволоке или платиновой пластине. Он погружается в тестовый раствор, к раствору прикладывается электрический заряд, и раствор насыщается газообразным водородом. Потенциал электрода измеряется между платиновым черным электродом и электродом из хлорида серебра. Этот потенциал обратно пропорционален рН раствора.

Метод водородного электрода является стандартным среди различных методов измерения pH. Значения, полученные другими методами, становятся достоверными только в том случае, если они совпадают с измеренными методом водородного электрода.

Однако этот метод не подходит для повседневного использования из-за связанных с ним усилий и затрат, неудобств при работе с газообразным водородом и большого влияния сильно окисляющих или восстановительных веществ в испытуемом растворе.

(3) Метод хингидронового электрода

При добавлении хингидрона к раствору он разделяется на гидрохинон и хинон.
Поскольку растворимость хинона варьируется в зависимости от значения рН раствора, рН можно определить по напряжению между платиновым электродом и электродом сравнения.
Несмотря на то, что этот метод прост, в настоящее время он используется редко, поскольку он не работает, когда участвуют окисляющие или восстанавливающие вещества, или когда испытуемый раствор имеет рН выше 8 или 9.

иногда используется, чтобы проверить, нормально ли работает измеритель ОВП. В этом случае применяется принцип хингидронного электрода.

(4) Метод с сурьмяным электродом

Этот метод включает погружение конца полированного сурьмяного стержня в тестовый раствор, погружение электрода сравнения и измерение pH по разности потенциалов между ними. Этот метод когда-то широко использовался, потому что устройство прочное и удобное в обращении. Однако его применение в настоящее время довольно ограничено, поскольку результаты варьируются в зависимости от степени полировки электрода, а воспроизводимость низкая.

Примечание: Этот метод сейчас используется только в тех случаях, когда не требуется высокая степень точности (только для промышленного применения) и испытуемый раствор содержит F-.

(5) Метод стеклянных электродов

В методе стеклянных электродов используются два электрода, стеклянный электрод и электрод сравнения, для определения pH раствора путем измерения напряжения (потенциала) между ними.
Этот метод чаще всего используется для измерения pH, поскольку потенциал быстро достигает равновесия и демонстрирует хорошую воспроизводимость, а также потому, что этот метод можно использовать для различных типов растворов, при этом окисляющие или восстанавливающие вещества очень мало влияют на результат.
Метод стеклянных электродов широко применяется не только в промышленности, но и во многих других областях.
В разделе «Методы измерения pH» JIS заявляет: «Поскольку измерение с использованием водородного электрода, как описано в разделе определений, не обязательно подходит, измерение с использованием стеклянного электрода рекомендуется для промышленного измерения pH».

(6) Методы полупроводниковых датчиков

Полупроводниковый датчик pH, разработка которого началась примерно в 1970 году, заменяет стеклянный электрод полупроводниковым чипом. Этот датчик, известный как ионно-чувствительный полевой транзистор (ISFET), не только устойчив к повреждениям, но и легко миниатюризируется. Миниатюризация позволяет использовать меньшие количества образцов для измерения и дает возможность выполнять измерения в очень малых пространствах и на твердотельных поверхностях. Этот датчик обещает полезные приложения для измерений в области биологии и медицины.

Визуализация pH

Это метод измерения, при котором pH определяется в нескольких точках, а результаты отображаются в виде изображения. Она привлекает внимание как технология визуализации распределения pH.
Исторически метод, упомянутый в разделе (1), который сочетает в себе индикаторы pH и микроскопы, использовался для измерения pH внутри клеток. Однако изобретение рН-чувствительных красителей и белков в качестве замены рН-индикаторов помогло исследовать распределение рН в клетках. В последние годы были примеры отчетов, в которых несколько массивов полупроводниковых датчиков pH, описанных в разделе (6), использовались для визуализации pH.