Подбор полевого транзистора по параметрам онлайн: Подбор полевого транзистора по параметрам онлайн

Содержание

Подбор полевого транзистора по параметрам онлайн

Kак проверить мосфет? Как выпаять мосфет? Как подобрать аналог а что там подбирать то? Rds on чем меньше тем лучше, но если будет чуть больше чем у оигинала, не страшно правда греться будет сильнее. Мосфеты в линейных стабилизаторах: Схемотехника довольно популярна и проста. Сгорел мосфет в линейном стабилизаторе, как подобрать аналог?

Поиск данных по Вашему запросу:

Подбор полевого транзистора по параметрам онлайн

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

Поиск полевого транзистора по характеристикам. Интернет-справочник транзисторов

Поиск полевого транзистора по характеристикам. Интернет-справочник транзисторов

Как подобрать аналог сгоревшего транзистора?

SMD транзисторы (подбор по параметрам)

Это интересно!

Проверка и подбор полевых транзисторов

Зарубежные и отечественные транзисторы

Зарубежные и отечественные транзисторы

Как подобрать аналог полевого транзистора?

Primary Menu

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Драйверы для полевых транзисторов, самые простые и распространённые

Поиск полевого транзистора по характеристикам.

Интернет-справочник транзисторов

Транзистор — популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:. Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств — российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов. Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их – напишите об этом в комментариях внизу страницы! Обратная связь Получить информацию о наличии товара вы можете у наших менеджеров, позвонив по телефону Электронные компоненты Статьи по радиоэлектронике Зарубежные и отечественные транзисторы. Обновлена: 05 Июля 0.

Поделиться с друзьями. Была ли статья полезна? Оцените статью. Как определить выводы транзистора. Биполярные транзисторы: принцип работы, характеристики и параметры. Как работает транзистор: принцип и устройство. Анатолий Мельник. Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.

Комментарии Нет комментариев Добавить комментарий. Содержание Краткое описание транзисторов Таблицы аналогов биполярных транзисторов: до 40 В до 60 В до 70 В до 80 В до В до В до В до В до В до В до В до В до В до В до В до В свыше В Таблица аналогов однопереходных транзисторов Таблица аналогов мощных полевых транзисторов Таблица аналогов слабых полевых транзисторов Транзистор — популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов.

Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом; Биполярные — имеют два p-n перехода; Полевые — специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Это можно сделать несколькими способами: Найти data sheets — техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства.

И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь. Использовать таблицу, представленную на нашем сайте.

Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их – напишите об этом в комментариях внизу страницы! Таблица аналогов биполярных транзисторов Зарубежные. ТО Биполярные транзисторы до 80 В Зарубежные.

Поиск полевого транзистора по характеристикам. Интернет-справочник транзисторов

При постройке усилителей без петель отрицательной обратной связи желательно иметь компоненты со строго заданными, или хотя бы по возможности близкими, параметрами. Впрочем, даже в обычном дифференциальном каскаде для уменьшения искажений желательно применять транзисторы или лампы – близнецы, ещё их называют ” согласованные пары “. Да и просто проверить полевой транзистор перед тем, как запаять его в схему – будет совсем нелишне. Вобщем я поймал себя на том, что собираю на макетке простенькую схемку для проверки полевиков уже наверное с десятый раз по жизни. Вот как это выглядело в последний раз:. И всё бы ничего, но промерив уже с пару дюжин относительно сильноточных полевичков стал я замечать, что слишком уж разброс велик. Перемеряю – ничего не сходится.

[СКАЧАТЬ] P75nf75 транзистор полевой показать схему и параметры PDF бесплатно или читать онлайн на Как проверить irfz44n – как проверить полевой транзистор irfz44n переходом — Студопедия. Мосфеты – проверка, подбор аналогов Ремонт внимательно ознакомьтесь с фото, и параметрами.

Как подобрать аналог сгоревшего транзистора?

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов. Справочник транзисторов мощных биполярных. Справочник транзисторов полевых отечественных. Маломощные транзисторы. Высокочастотные транзисторы средней мощности. Отечественные smd транзисторы. Справочник по полевым транзисторам. Главная страница Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены аналога транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока.

SMD транзисторы (подбор по параметрам)

Здесь можно скачать документацию в pdf на отечественные и импортные компоненты.

Это интересно!

Новости: 9. Высказывания: Непредусмотрительность – вот точная наука. Правило прошлого прогноза Фагина. Пустые поля игнорируются при поиске. Выводить найденных транзисторов. Добавить описание полевого транзистора.

Проверка и подбор полевых транзисторов

Кроме транзисторов и сборок Дарлингтона есть еще один хороший способ рулить мощной постоянной нагрузкой — полевые МОП транзисторы. Полевой транзистор работает подобно обычному транзистору — слабым сигналом на затворе управляем мощным потоком через канал. Но, в отличии от биполярных транзисторов, тут управление идет не током, а напряжением. Если на пальцах, то в нем есть полупроводниковый канал который служит как бы одной обкладкой конденсатора и вторая обкладка — металлический электрод, расположенный через тонкий слой оксида кремния, который является диэлектриком. Когда на затвор подают напряжение, то этот конденсатор заряжается, а электрическое поле затвора подтягивает к каналу заряды, в результате чего в канале возникают подвижные заряды, способные образовать электрический ток и сопротивление сток — исток резко падает.

и подбираем мосфет по параметрам Проверка битых полевых транзисторов,нашёл видео-all-audio.pro?v.

Зарубежные и отечественные транзисторы

Подбор полевого транзистора по параметрам онлайн

Прибор для проверки основных параметров маломощных полевых транзисторов выполнен на основе недорогих цифровых мультиметров, возможно, даже с неисправными переключателями пределов измерения. Это минимизировало затраты труда по монтажу и изготовлению конструкции. Цифровые показания несколько облегчают сравнение транзисторов и подбор пар для дифференциальных каскадов. Крутизну транзисторов определяют простейшим расчетом.

Зарубежные и отечественные транзисторы

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Проверка параметров полевого транзистора 1

Дневники Файлы Справка Социальные группы Все разделы прочитаны. Подбор транзистора. Нужно найти тр-р, который есть в продаже, обязательно чтобы у него был отдельный вывод на подложку, с параметрами: Pt полная рессеиваемая мощность Вт, Id ток стока 0. По характеристикам почти подходят КП , КП -есть ли у них вывод на подложку, и есть ли они в продаже еще? Rg сопротивление в цепи затвора желательно около Ом, желательно по первым параметрам как можно больше вариантов.

Чем смогу помогу.

Как подобрать аналог полевого транзистора?

Человечество оказалось для Земли страшнее астероида, убившего динозавров. В статье дается выборочный обзор некоторых новых импульсных преобразователей и контроллеров; представлена уникальная в своем роде программа ADISimPower, обеспечивающая быстрый подбор компонентов и проектирование схемы питания, а также подробно рассматривается новый аналогово-цифровой контроллер для блоков питания ADP Прогресс в области технологии силовых приборов на базе структуры GaN-на-кремнии позволяет существенно улучшить такие параметры полевых транзисторов как сопротивление канала в открытом состоянии и произведение сопротивления канала на емкость затвора. В статье обсуждаются новые возможности и перспективы построения высокоэффективных преобразователей напряжения на базе GaN-полевых транзисторов. Статья представляет собой сокращенный перевод [1].

Primary Menu

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, которые предназначены для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Это главный компонент в любой электрической схеме. Транзисторы бывают полевые и биполярные. Отличие их в том, что в биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют электроны носители отрицательных зарядов и дырки носители положительных зарядов , а в полевом — один из носителей зарядов электроны или дырки.

Полевой транзистор – расчёт усилительных каскадов

Как просто рассчитать режимы работы и номиналы элементов схем на полевых транзисторах в различных схемах включения: c общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС, он же истоковый повторитель) и общим затвором (ОЗ).

Полевой (униполярный) транзистор – это полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении сопротивлением токопроводящего канала (сток–исток) посредством электрического поля, создаваемого приложенным к управляющему электроду (затвору) напряжением.

Исток (source) – это электрод, из которого в канал входят (истекают) носители заряда, т. е. источник носителей тока;
Сток (drain) – это электрод, через который из канала выходят (стекают) носители заряда;
Затвор (gate) – это управляющий электрод, который регулирует поперечное сечения канала и, соответственно, ток, протекающий через канал. Управление происходит посредством изменения напряжения между затвором и истоком (Uзи, Vgs).

Несмотря на крайне богатую терминологию различных типов полевых транзисторов, в большинстве практически встречающихся случаев мы имеем дело: либо с полевыми транзисторами со встроенным p-n переходом обеднённого типа (JFET-транзисторы), либо с

полевыми МОП-транзисторами с изолированным затвором (они же MOSFET-ы в основном обогащённого типа), полное название которых звучит, как Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors.

И тот и другой типы полевиков могут быть любого знака полярности, т. е. как n-канальными, так и р-канальными.

Независимо от типов полевых транзисторов, они имеют схожие графики зависимости выходного тока от напряжения затвор‑исток, измеряемые при фиксированном значении напряжения стока.
Пример подобных вольт-амперных характеристик приведён на рисунке ниже.

Рис.1 ВАХ обеднённых JFET (1) и обогащённых MOSFET (2) полевых транзисторов n-типа.
Для p-канальных транзисторов – полярности напряжений смещения, подаваемых на электроды, а также направление тока стока противоположны.

Как можно увидеть, вольт-амперные характеристики обеднённых (1) и обогащённых (2) и полевых транзисторов отличаются только сдвигом напряжения отсечки затвор-исток. При этом n – канальный МОП‑транзистор обогащённого типа не проводит ток до тех пор, пока напряжение Uзи не достигнет некоторого положительного уровня Uотс, в то время как ток стока транзистора обеднённого типа при напряжении Uзи = 0 будет близок к максимальному.

Полевые транзисторы с р‑n ‑переходом – это всегда приборы обеднённого типа и смещение затвора относительно истока должно находиться в отрицательной области (для n – канального ПТ), а если и заходить в положительную, то не более чем на +0,5В во избежание открывания диодного перехода затвор‑канал.

Давайте рассмотрим, как можно рассчитать режимы работы полевика по постоянному току. Для примера возьмём распространённый транзистор 2SK117, широко используемый в каскадах усиления звукового диапазона частот. Приведём две его статических характеристики из datasheet-а и до кучи схему усилительного каскада с общим истоком.

Рис.2 Статическая характеристика транзистора 2SK117 и схема каскада с общим истоком

Что нам советуют делать при расчёте усилительных каскадов на ПТ практически все умные книжки?
Построить на семействе выходных вольт-амперных характеристик транзистора динамическую линию, также называемую нагрузочной прямой. Далее по пересечению этой нагрузочной линии с одним и графиков семейства выходных характеристик найти исходную рабочую точку, которая определяет ток стока и напряжение Uси в режиме покоя. И только после этого переходить к стоково-затворной характеристике ПТ, чтобы определить необходимую величину Uзи.

Конечно, ни один опытный схемотехник этого делать не будет! А делать он будет следующее:

1. Для начала надо определиться с током покоя транзистора Ic. Критериев выбора величины этого тока может быть множество, как с точки зрения достижений необходимой нагрузочной способности, так и других факторов, таких как: быстродействие, шумовые характеристики, энергопотребление, стабильность параметров и т. д. и т. п.
Поскольку 2SK117 является малошумящим полупроводником, а параметр шумовых характеристик в datasheet-е нормируется при токе стока Id=0.5 mA, то и мы для расчёта выберем этот ток равным I_с = 0,5мА .

2. Мысленно проводим на графике зависимости тока стока от напряжения затвор-исток красную линию (Рис.2 слева), пересекающую Id = 0.5 mA. Величина напряжения затвор-исток, исходя из графика, получается

U_зи ≈ -0,23В .

3. Поскольку крутизна передаточной характеристики полевого транзистора S = ΔI_c/ΔU_зи является величиной непостоянной, и существенно зависящей от тока покоя стока, то в datasheet-ах на современные транзисторы она либо отсутствует, либо не имеет большого практического смысла.
Давайте оценим её значение по всё тому же графику. Изменение напряжения Uзи в интервале – (0,3 …0,1) В приводит к росту стока 0,25…1,3 мА, что даёт нам ориентировочное значение параметра крутизны при заданном токе S ≈ (1,3-0,25)/(0,3-0,1) = 5,25 мА/В.

4. Всё. Теперь можно вспомнить закон Ома и переходить к расчётам.
R_и = U_зи/I_c = 0,23/0,5 = 0,46 кОм.

Падение напряжения на резисторе Rc имеет смысл выбрать таким, чтобы напряжение стока в режиме покоя находилось в центре линейной области выходной характеристики транзистора. Это требование выполняется при условии U_c = (E_п + U_и)/2.
Если, для примера, напряжение питания выбрать равным 12В, то U_c = (12 + 0,23)/2 = 6,1 В, а
R_c = (E_п – U_с)/I_с = (12 – 6,1)/0,5 ≈ 12 кОм .

Расчёт по постоянному току окончен. Для того, чтобы рассчитать коэффициент передачи каскада ОИ с резистором в истоке (при отсутствии шунтирующего конденсатора), необходимо воспользоваться следующей редкой формулой:
К_u = R_c*S/(1 +R_и*S) .
Подставив все цифры, получим значение К_u = 18,2 .

А теперь давайте проверим полученные расчёты в симуляторе.

Глядя на показания измерительных приборов, убеждаемся, что Uc (5,45В) и Ic (0,545мА) находятся в приемлемом диапазоне по отношению к расчётным значениям.

На диаграммах осциллографа синим цветом указана входная осциллограмма сигнала, имеющего амплитуду 100 мВ, а красным – выходного с амплитудой около 1,8 В, что выдаёт нам в сухом остатке Кu = 18, что так же полностью совпадает с расчётной величиной.

Рис.3

Для увеличения усиления каскада с общим истоком (Рис.2 справа) резистор Rи можно зашунтировать конденсатором Си и резистором Rи1. Тогда в формулу для расчёта Ku вместо значения Rи следует подставлять величину, равную Rи ll Rи1.
Если резистор Rи1 имеет нулевое значение, то формула для расчёта коэффициента усиления каскада приобретает совсем простой вид: К_u = R_c*S .
А ёмкость шунтирующего конденсатора Си (исходя из минимальной (нижней) усиливаемой частоты) можно рассчитать по формуле:
С_и(МкФ) > 1600/[F_мин(Гц)*R_и(кОм)] .

Точно таким же образом рассчитываются режимы по постоянному току и номиналы резисторов для схем с общим затвором (Рис.4б) и с общим стоком, в миру – истоковым повторителем (Рис.4в).

Рис.4 Схемы каскадов на полевых транзисторах ОИ, ОЗ, ОС и ОС со смещением

В случае использования ПТ с низким значением модуля Uотс – напряжение на истоке транзистора в каскаде с ОС (истоковый повторитель) может оказаться слишком мало для достижения необходимых динамических характеристик. В таком случае на затвор транзистора подают напряжение смещения Eсм, а номинал резистора Rи рассчитывают по формуле R_и = (Е_см – U_зи)/I_c .

Все расчёты, проведённые выше, были проделаны для наиболее распространённых в маломощных аналоговых цепях полевых транзисторов со встроенным p-n переходом обеднённого типа (JFET-транзисторы).
На самом же деле, все приведённые формулы и принципы расчёта справедливы и по отношению к МОП-транзисторам с изолированным затвором обогащённого типа (MOSFET-ы). Однако если всё ещё остались какие-либо вопросы, то на следующей странице проведём подобные манипуляции и для них.

Что такое FET: Руководство по FET | FET Electronics Design

Я подробно расскажу вам о FET (полевых транзисторах) и расскажу обо всем, что связано с FET, включая определение FET, символ, работу, характеристики, типы и области применения.

Начнем.

Определение:

Полевой транзистор (FET) представляет собой трехвыводное электронное устройство, используемое для управления потоком тока с помощью напряжения, подаваемого на его вывод затвора. Три клеммы в этом устройстве называются стоком, истоком и затвором.

Источник: Терминал, через который в канал попадают носители заряда.
Слив: Это терминал, через который носители заряда покидают канал.
Gate: Эта клемма управляет проводимостью между клеммами истока и стока.

FET также известны как униполярные транзисторы, в отличие от BJT, которые являются биполярными транзисторами. В полевых транзисторах для процесса проводимости используются либо дырки, либо электроны. Но в процессе проводимости не участвуют оба носителя заряда одновременно. Полевые транзисторы обычно имеют высокий входной импеданс на низких частотах и демонстрируют мгновенную работу, высокую производительность, надежны и дешевы и используются во многих электрических цепях. Низкое энергопотребление и малое рассеивание мощности делают это устройство идеальным для интегральных схем.

Символ:

На следующем рисунке показаны символы MOSFET и JFET транзисторов, которые являются двумя основными типами FET транзисторов.

Рабочий:

Полевой транзистор — это электронное устройство, содержащее носители заряда, электроны или дырки, которые текут от клемм истока к стоку через активный канал. Процесс проводимости управляется подачей входного напряжения на клемму затвора.

Путь тока, который существует между клеммами истока и стока, известен как «канал», который может состоять из полупроводникового материала N-типа или P-типа.

Работа N-Channel JFET может быть описана следующим образом в двух различных случаях:

Случай 1:

В случае 1 напряжение на выводе затвора равно нулю, а напряжение Vds приложено между стоком и терминал источника, как показано на рисунке ниже.

В этом случае два pn-перехода по сторонам стержня образуют обедненную область. В результате электроны перетекают от истока к стоку через канал, расположенный между обедненными слоями. Ширина канала и проводимость тока через стержень определяются размером обедненных слоев.

Случай 2:

Ширина обедненного слоя увеличивается, когда обратное напряжение прикладывается к клеммам затвора и истока Vgs. Это приводит к уменьшению ширины канала проводимости и увеличивает сопротивление стержня n-типа.

Следовательно, ток от клемм истока к стоку уменьшается. Однако, когда напряжение обратного смещения на выводе затвора уменьшается, это также уменьшает ширину обедненного слоя и, как следствие, увеличивает ширину проводящего канала.

Это работа N-Channel JFET, которая работает аналогично P-Channel JFET. Разница только в носителях заряда. В случае N-канального JFET носителями заряда являются электроны, а в случае P-канального JFET – дырки.

Характеристики:

На следующем рисунке показаны кривые характеристики JFETS:

A: ОМИЧЕСКАЯ РЕГИО -управляемый резистор и несет в себе очень малое обеднение слоя канала.
B: Область отсечки:
Область отсечки также называется областью отсечки, где напряжения затвора Vgs достаточно, чтобы JFET вел себя как разомкнутая цепь, поскольку сопротивление канала максимум.
C: Область насыщения:
Область насыщения также называется активной областью, где проводимость устройства очень высока и контролируется приложенным напряжением на клеммах затвора и истока Vgs. В этом случае напряжение сток-исток Vds практически не влияет.
D: Область пробоя:
В этой области напряжение на клеммах истока и стока Vds очень велико, что приводит к пробою резистивного канала JFET и позволяет протекать неконтролируемому максимальному току.
Ток стока Id увеличивается линейно с напряжением на клеммах истока и стока Vds. По мере увеличения Id омическое падение напряжения в области канала и на выводе истока будет смещать переход в обратном направлении, и в результате проводимость канала остается постоянной. Напряжение Vds в этом положении известно как напряжение «отсечки».
Типы:
Транзисторы FET разделены на два основных типа:
1: JFET
2: MOSFET
1: JFET
JFET (Эффект поля контактного поля) является трехмерным электронным электронным. устройство и представляет собой тип полевого транзистора, который в основном используется для разработки усилителей и используется в качестве переключателей с электрическим управлением. JFET — это устройства, управляемые напряжением, поскольку им не требуется ток смещения для запуска работы транзистора.
JFET находится во включенном состоянии, когда между клеммами истока и затвора отсутствует напряжение. Однако, когда напряжение подается на клеммы истока и затвора, это устройство будет оказывать сопротивление потоку тока и пропускает только ограниченный ток между клеммами истока и стока.
JFET делятся на два типа:
N-канальные JFET, в которых проводимость осуществляется движением электронов.
P-Channel JFET, в котором проводимость осуществляется за счет движения отверстий.
N-канальные JEFT предпочтительнее P-канальных JFET во многих электронных приложениях, поскольку подвижность электронов лучше, чем подвижность дырок.
2: МОП-транзистор
МОП-транзистор (полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника) представляет собой полупроводниковое устройство, в основном используемое для усиления и переключения в электронных устройствах.
МОП-транзистор — это устройство, управляемое напряжением, поскольку входное напряжение на клемме затвора определяет проводимость между клеммами истока и стока.
МОП-транзисторы подразделяются на два основных типа:
N-канальные МОП-транзисторы, в которых проводимость осуществляется за счет движения электронов. Этот транзистор обладает высокой эффективностью, имеет низкое сопротивление и занимает меньшую площадь.
P-Channel MOSFET, в котором проводимость осуществляется за счет движения отверстий. Этот транзистор менее эффективен, обладает большим сопротивлением и занимает большую площадь.

Приложения:
Полевые транзисторы используются в следующих приложениях.
Аналоговый переключатель
Ограничитель тока
Каскодный усилитель
Измельчитель
Генераторы фазового сдвига
Мультиплексор
Буферный усилитель
Надеюсь, эта статья оказалась для вас полезной. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете связаться со мной в разделе ниже. Я хотел бы помочь вам как можно лучше. Спасибо за прочтение статьи.
Хотите продолжить чтение статей от DesignSpark?
Станьте участником, чтобы бесплатно получить неограниченный доступ ко всему контенту DesignSpark!
Зарегистрируйтесь, чтобы стать участником
Уже являетесь участником DesignSpark? Логин
Поделиться этой записью
thumb_upМне нравится star_borderПодписаться на статью
Привет, я студент электротехнического факультета. Сейчас работаю в магазине электроники. Я работаю там на электрических компонентах. Там я узнаю много полезных практических концепций. С другой стороны, я даю онлайн-обучение некоторым старшеклассникам. Я люблю электрические и электронные устройства и планирую получить степень магистра в области электроники.
Рекомендуемые статьи
Power MOSFET – Infineon Technologies
Мощные N-канальные и P-канальные полевые МОП-транзисторы Infineon спроектированы уникальным образом, чтобы повысить эффективность, удельную мощность и экономичность.
Подкатегории силовых полевых МОП-транзисторов
Свернуть все подкатегории Развернуть все подкатегории
Мощный МОП-транзистор представляет собой полевой транзистор типа металл-оксид-кремний, предназначенный для работы при низких напряжениях, обеспечивающий высокую скорость переключения и оптимальный КПД. Эта инновационная технология занимает центральное место в широком спектре приложений, включая бытовую электронику, источники питания, преобразователи постоянного тока в постоянный, контроллеры двигателей, радиочастотные (РЧ) приложения, транспортные технологии и автомобильную электронику.
О силовых МОП-транзисторах
Infineon является лидером на рынке эффективных решений для производства электроэнергии, энергоснабжения и энергопотребления, предлагая обширный портфель современных силовых полевых МОП-транзисторов. Мощные полевые МОП-транзисторы последнего поколения были разработаны для обеспечения лучших в своем классе характеристик, повышения эффективности и оптимизации тепловых характеристик и электромагнитных помех. Являясь ведущим мировым производителем и поставщиком полевых МОП-транзисторов, компания Infineon предлагает транзисторы металл-оксид-кремний высочайшего качества, отвечающие самым разнообразным требованиям. В нашем ассортименте продукции вы найдете надежные решения для всех основных задач, с которыми сталкиваются разработчики и производители в самых разных областях применения.
Для приложений AC-DC, требующих возможности блокировки высокого напряжения и быстрого переключения с малыми потерями, революционная технология суперперехода CoolMOS™ обеспечивает более эффективные источники питания. Полевые МОП-транзисторы Infineon с суперпереходом соответствуют как текущим, так и будущим тенденциям в различных топологиях, от простого обратного хода до TCM Totem Pole PFC. Разработчики получают выгоду от работы при высоких температурах, улучшенного форм-фактора и повышенной эффективности.
Применения DC-DC могут характеризоваться потребностью в очень быстром переключении с малыми потерями или в более надежном переключении на умеренных частотах. Уникальная технология Power MOSFET OptiMOS™ от Infineon обеспечивает сверхнизкие потери при переключении в источниках питания с частотой выше 100 кГц, предоставляя разработчикам высокую эффективность и новые возможности в приложениях с жесткой коммутацией. Ассортимент продукции OptiMOS™ включает в себя широкий ассортимент низковольтных полевых МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам систем повышать удельную мощность и снижать затраты при сохранении высочайшего уровня надежности.
В приложениях, требующих высокой защиты от лавин, таких как управление двигателем, разработчики могут воспользоваться высоконадежным силовым МОП-транзистором StrongIRFET™. Эти полевые МОП-транзисторы обеспечивают максимальную эффективность в конечных приложениях, требующих высокого уровня энергоэффективности, но ограниченных по размеру, таких как электрические и садовые инструменты, легкие электромобили, дроны и электровелосипеды. Инновационные МОП-транзисторы Infineon обеспечивают превосходную производительность при снижении затрат, что делает их оптимальным выбором для высокопроизводительных преобразователей постоянного тока.
Для конструкций, требующих высочайшего качества и улучшенных функций защиты, сертифицированные для автомобильной промышленности n-канальные и p-канальные полевые МОП-транзисторы Infineon являются идеальным решением. Эти высокомощные полевые МОП-транзисторы превосходят отраслевые стандарты AEC-Q101, что делает их самыми надежными полевыми МОП-транзисторами, доступными на рынке на сегодняшний день.
Полный ассортимент n-канальных и p-канальных мощных МОП-транзисторов и систем Infineon обеспечивает инновации, производительность и эффективность для желаемого приложения — от импульсных источников питания (SMPS) до вычислений, управления двигателем и приводами, потребительскими, мобильными устройствами, световые решения, автомобилестроение и многое другое.
Чтобы узнать больше о линейке корпусов мощных полевых МОП-транзисторов Infineon, ознакомьтесь с ассортиментом нашей продукции ниже.
Ассортимент продукции Power MOSFET
Infineon — крупнейший в мире производитель силовых полупроводниковых компонентов, предлагающий наиболее полный ассортимент металлооксидно-кремниевых транзисторов. С приобретением International Rectifier (IRF) в 2015 году Infineon продолжила укреплять и расширять этот портфель, включив в него все продукты IRF MOSFET, а также силовые MOSFET, что вывело нас на передовые позиции в отрасли.
Ассортимент продукции Infineon power MOSFET предлагает высокоэффективные решения для выработки электроэнергии, энергоснабжения и энергопотребления для различных приложений, таких как солнечные микроинверторы, серверы и телекоммуникации, а также электромобили.
OptiMOS™, StrongIRFET™, CoolMOS™ и CoolSiC™
Благодаря инновационным силовым полевым МОП-транзисторам низкого и среднего напряжения OptiMOS™ и StrongIRFET™, а также революционным семействам полевых МОП-транзисторов CoolMOS™ с суперпереходом компания Infineon устанавливает новые стандарты в отрасли. В то же время наш ассортимент автомобильных МОП-транзисторов обеспечивает превосходную производительность благодаря ведущей технологии МОП-транзисторов Infineon, превосходному качеству и надежной упаковке. Семейства карбид-кремниевых МОП-транзисторов CoolSiC™ обеспечивают лучшую производительность, надежность и простоту использования для разработчиков систем.
Ассортимент продукции Infineon для мощных МОП-транзисторов обширен и включает широкий выбор мощных МОП-транзисторов и дискретных МОП-транзисторов, включая дискретные 4-выводные МОП-транзисторы (MOSFET 4). Ознакомьтесь с полным списком мощных полевых МОП-транзисторов и полевых МОП-транзисторов IRF здесь:
Автомобильный МОП-транзистор
P-канальный МОП-транзистор
N-канальный МОП-транзистор
N-канальный МОП-транзистор 12–40 В
N-канальный МОП-транзистор 45–80 В
N-канальный МОП-транзистор 85–300 В
500–950 В N-канальный МОП-транзистор
МОП-транзистор малого сигнала/малой мощности
N-канальный полевой МОП-транзистор с режимом истощения
Двойной МОП-транзистор
МОП-транзистор из карбида кремния
Для дизайнеров и разработчиков, желающих приобрести передовые МОП-транзисторы, компания Infineon является ведущим производителем мощных МОП-транзисторов. Изучите наше портфолио, чтобы найти полевые МОП-транзисторы различных размеров и сильноточные полевые МОП-транзисторы, которые удовлетворят любые потребности.
Применение силовых МОП-транзисторов
Независимо от области применения тип используемого мощного полевого МОП-транзистора напрямую влияет на общую производительность, поэтому очень важно выбрать правильную технологию. Благодаря высококачественному дизайну и надежности революционная технология Infineon обеспечивает улучшенные форм-факторы, способствуя снижению общей стоимости системы, что делает ее оптимальным выбором.
Еще одним важным преимуществом MOSFET-транзистора Infineon является значительное общее снижение энергопотребления. Это помогает свести к минимуму выбросы CO ₂ , тем самым снижая затраты и позволяя создавать более экологичные системы и продукты. МОП-транзистор с суперпереходом CoolMOS™ от Infineon предлагает целый ряд вариантов для потребительских, промышленных и автомобильных приложений, таких как освещение, телевидение, аудио, сервер/телекоммуникации, солнечная энергия, зарядка электромобилей, преобразователь постоянного тока в постоянный, бортовые зарядные устройства и многое другое. Вы можете более подробно ознакомиться с приложениями Infineon для мощных полевых МОП-транзисторов в следующих разделах.
МОП-транзисторы для промышленных приложений
Мощные МОП-транзисторы необходимы для ряда промышленных приложений, и Infineon предлагает передовые решения для любых нужд. Инновационные полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™, CoolMOS™ и StrongIRFET™ низкого и среднего напряжения неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевых спецификациях для проектирования энергосистем, таких как сопротивление в открытом состоянии и добротность. Ассортимент мощных полевых МОП-транзисторов OptiMOS™, дополненный StrongIRFET™, создает поистине мощную комбинацию. Воспользуйтесь преимуществами надежности и выдающегося соотношения цены и качества полевых МОП-транзисторов StrongIRFET™ вместе с лучшей в своем классе технологией полевых МОП-транзисторов OptiMOS™. Оба семейства продуктов имеют явные преимущества, позволяя вам:
Снижение общих затрат на систему за счет уменьшения количества фаз в многофазных преобразователях
Снижение потерь мощности и повышение эффективности при любых условиях нагрузки
Экономьте место с помощью самых маленьких пакетов или комплексных решений
Сведение к минимуму электромагнитных помех в системе, что делает внешние демпфирующие сети устаревшими, а продукты — простыми в проектировании — в
В ассортименте Infineon вы найдете множество мощных полевых МОП-транзисторов для промышленных приложений, в том числе P-Channel MOSFET, а также N-Channel MOSFET, включая классы 12–40 В, 45–80 В и 85–300 В.