Полевые транзисторы справочник: Справочник полевые транзисторы

Содержание

Справочник полевые транзисторы

Справочник

Пары и сборки полевых транзисторов

2П101 — КПС203

КП301 — КП312

КП313 — 3П330

3П331 — КП350

3П351 — КП364

КП501 — КП698

КП150 — КП640 (транзисторы мощные)

КП701 — КП730

КП731 — КП771

КП801 — КП840

КП901 — 3П930

КП931 — КП948

КП951 — КП973

Цветовая маркировка полевых транзисторов

Цоколевка полевых транзисторов 1-12

КП101, КП314, КП333, КП102, КП103, КП308-9, КПС104, КП201,КПС202, КПС203, КП301, КП302, КП601, КП914, КП303, КП307, КП310, КП337, КП304

Цоколевка полевых транзисторов 13−24

КП305, КП306, КП350, КП312, КП341, КП313, КПС315, КП322, КП323-2, 2П335-2 , 3П324-2, 3П325-2, 3П343-2, 3П344-2, 3П320-2, 3П321-2, 3П326-2, 3П330-2, 3П331-2, 3П339-2, 3П605-2, 3П328-2…

Цоколевка полевых транзисторов 25−36

2П338-1, 3П345-2, 3П602-2, 3П910-2, 3П603-2, 3П604-2, 3П606-2, 3П608-2, 3П927-2, 2П103-9, КП346-9, 2П347-2, 2П601-9, 2П607-2, КП327, КП103-1

Цоколевка полевых транзисторов 37−48

КПС316, КП901, КП902, КП903, КП904, KP905, KP907, KP908, 2П909, 2П911, 2П913, КП705, КП801, КП802, КП912, КП921, КП926, КП934, КП937, 2П918, 2П923, 2П941, 3П915-2, 3П925-2, 2П920, 2П928, 3П930-2

Цоколевка полевых транзисторов 49−60

2П933, 2П701, 2П702, 2П703, 2П803, КП921, КП931, КП704, КП707-1, КП922-1, КП946, КП948, КП932, КП707, 504НТ1 — 504НТ4, КР504НТ1 — КР504НТ4, 2П706, КП150…

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности.

В таблице указаны только основные параметры – предельное напряжение стока, ток, рассеиваемая мощность и сопротивление открытого перехода сток-исток. Для более подробной информации, скопируйте название транзистора в поле ДАТАШИТ – справа сверху страницы и скачайте PDF файл с описанием. Полевые транзисторы мощные часто применяются в стабилизаторах напряжения и тока, выходных каскадах усилителей мощности, ключах зарядных устройств и преобразователей.

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Марка	Напряжение, B	Сопротивление перехода, Ом	Ток стока, A	Мощность, Вт	Корпус
1	2	3	4	5	6
STH60N0SFI	50	0,023	40,0	65	ISOWATT218
STVHD90FI	50	0,023	30,0	40	ISOWATT220
STVHD90	50	0,023	52,0	125	ТО-220
STH60N05	50	0,023	60,0	150	ТО-218
IRFZ40	50	0,028	35. 0	125	ТО-220
BUZ15	50	0.03	45,0	125	ТО-3
SGSP592	50	0,033	40,0	150	ТО-3
SGSP492	50	0.033	40,0	150	ТО-218
IRFZ42FI	50	0,035	24,0	40	ISOWATT220
IRFZ42	50	0,035	35,0	125	ТО-220
BUZ11FI	50	0,04	20,0	35	ISOWATT220
BUZ11	50	0,04	30,0	75	ТО-220
BUZ14	50	0,04	39,0	125	ТО-3
BUZ11A	50	0,06	25,0	75	ТО-220
SGSP382	50	0. 06	28,0	100	ТО-220
SGSР482	50	0.06	30.0	125	ТО-218
BUZ10	50	0.08	20.0	70	ТО-220
BUZ71FI	50	0,10	12,0	30	ISOWATT220
IRF20FI	50	0,10	12,5	30	ISOWATT220
BUZ71	50	6,10	14,0	40	ТО-220
IRFZ20	50	0,10	15.0	40	ТО-220
BUZ71AFI	50	0,12	11,0	30	ISOWATT220
IRFZ22FI	50	0,12	12,0	30	ISOWATT220
BUZ71A	50	0,12	13,0	40	ТО-220
IRFZ22	50	0,12	14,0	40	ТО-220
BUZ10A	50	0,12	17,0	75	ТО-220
SGSP322	50	0,13	16,0	75	ТО-220
SGSP358	50	0. 30	7,0	50	ТО-220
MTh50N06FI	60	0,028	26,0	65	ISOWATT218
MTh50N06	60	0,028	40,0	150	ТО-218
SGSP591	60	0,033	40,0	150	ТО-3
SGSP491	60	0,033	40,0	150	ТО-218
BUZ11S2FI	60	0,04	20,0	35	ISOWATT220
BUZ11S2	60	0,04	30,0	75	ТО-220
IRFP151FI	60	0,055	26,0	65	ISOWATT218
IRF151	60	0. 055	40,0	150	ТО-3
IRFP151	60	0.055	40,0	150	ТО-218
SGSP381	60	0,06	28,0	100	ТО-220
SGSP481	60	0.06	30.0	125	ТО-218
IRFP153FI	60	0,08	21,0	65	ISOWATT218
IRF153	60	0,08	33,0	150	ТО-3
IRFP153	60	0,08	34.0	150	ТО-218
SGSP321	60	0,13	16,0	75	ТО-220
MTP3055EFI	60	0,15	10,0	30	ISOWATT220
МТР3055Е	60	0,15	12. 0	40	ТО-220
IRF521FI	80	0,27	7,0	30	ISOWATT220
IRF521	80	0.27	9,2	60	ТО-220
IRF523FI	80	036	6,0	30	ISOWATT220
IRF523	80	0.36	8,0	60	ТО-220
SGSP472	80	0,05	35.0	150	ТО-218
IRF541	80	0,077	15,0	40	ISOWATT220
IRF141	80	0. 077	28,0	125	ТО-3
IRF541	80	0.077	28,0	125	ТО-220
IRF543F1	80	0,10	14,0	40	SOWATT220
SGSP362	80	0,10	22.0	100	ТО-220
IRF143	80	0,10	25,0	125	ТО-3
SGSР462	80	0.10	25,0	125	ТО-218
IRF543	80	0,10	25.0	125	О-220
IRF531FI	80	0. 16	9,0	35	SOWATT220
IRF531	80	0.16	14,0	79	О-220
IRF533FI	80	0,23	8,0	35	ISOWATT220
IRF533	80	0,23	12.0	79	ТО-220
IRF511	80	0,54	5.6	43	ТО-220
IRF513	80	0,74	4,9	43	ТО-220
IRFP150FI	100	0,055	26,0	65	ISOWATT218
IRF150	100	0,055	40,0	150	ТО-3
IRFP150	100	0,055	40,0	150	ТО-218
BUZ24	100	0,6	32,0	125	ТО-3
IRF540FI	100	0,077	15,0	40	ISOWATT220
IRF140	100	0,077	28,0	125	ТО-3
IRF540	100	0,077	28,0	125	ТО-220
SGSP471	100	0,075	30,0	150	ТО-218
IRFP152FI	100	0,08	21,0	65	ISOWATT218
IRF152	100	0,08	33,0	150	ТО-3
IRFP152	100	0,08	34. 0	150	ТО-218
IRF542FI	100	0,10	14,0	40	ISOWATT220
BUZ21	100	0,10	19.0	75	ТО-220
BUZ25	100	0,10	19.0	78	ТО-3
IRF142	100	0,10	25,0	125	ТО-3
IRF542	100′	0,10	25,0	125	ТО-220
SGSP361	100	0,15	18,0	100	ТО-220
SGSP461	100	0,15	20. 0	125	ТО-218
IRF530FI	100	0,16	9,0	35	ISOWATT220
IRF530	100	0,16	14.0	79	ТО-220
BUZ20	100	0,20	12.0	75	ТО-220
IRF532FI	100	0.23	8.0	35	ISOWATT220
IRF532	100	0,23	12,0	79	ТО-220
BUZ72A	100	0,25	9,0	40	ТО-220
IRF520FI	100	0. 27	7,0	30	ISOWATT220
IRF520	100	0,27	9,2	60	ТО-220
SGSP311	100	0,30	11.0	75	ТО-220
IRF522FI	100	0,36	6.0	30	ISOWATT220
IRF522	100	0,36	8,0	60	ТО-220
IRF510	100	0,54	5,6	43	ТО-220
SGSP351	100	0,60	6,0	50	ТО-220
IRF512	100	0,74	4,9	43	ТО-220
SGSP301	100	1,40	2,5	18	ТО-220
IRF621FI	160	0,80	4. 0	30	ISOWATT220
IRF621	150	0,80	5,0	40	ТО-220
IRF623FI	150	1,20	3,5	30	ISOWATT220
IRF623	150	1.20	4.0	40	ТО-220
STh43N20FI	200	0.085	20.0	70	ISOWATT220
SGSP577	200	0,17	20,0	150	ТО-3
SGSP477	200	0,17	20,0	150	ТО-218
8UZ34	200	0,20	19,0	150	ТО-3
SGSP367	200	0,33	12,0	100	ТО-220
BUZ32	200	0,40	9,5	75	ТО-220
SGSP317	200	0,75	6,0	75	ТО-220
IRF620FI	200	0,80	4,0	30	ISOWATT220
IRF620	200	0,80	5,0	40	ТО220
IRF622FI	200	1. 20	3,5	30	ISOWATT220
IRF622	200	1.20	4,0	40	ТО-220
IRF741FI	350	0.55	5,5	40	ISOWATT220
IRF741	350	0,55	10,0	125	ТО-220
IRF743	350	0.80	8,3	125	ТО-220
IRF731FI	350	1,00	3,5	35	ISOWATT220
IRF731	350	1,00	5,5	75	ТО-220
IRF733FI	350	1,50	3,0	35	ISOWATT220
IRF733	350	1,50	4. 5	75	ТО-220
IRF721FI	350	1,80	2.5	30	ISOWATT220
IRF721	350	1,80	3.3	50	ТО-220

IRF723FI	350	2,50	2,0	30	ISOWATT220
IRF723	350	2,50	2,8	50	ТО-220
IRFP350FI	400	0,30	10,0	70	ISOWATT218
IRF350	400	0,30	15,0	150	ТО-3
IRFP350	400	0,30	16,0	180	ТО-218
IRF740FI	400	0,55	5,5	40	ISOWATT220
IRF740	400	0,55	10,0	125	ТО-220
SGSP475	400	0,55	10,0	150	ТО-218
IRF742FI	400	0,80	4,5	40	ISOWATT220
IRF742	400	0,80	8,3	125	ТО-220
IRF730FI	400	1,00	3,5	35	ISOWATT220
BUZ60	400	1,00	5,5	75	ТО-220
IRF730	400	1,00	5,5	75	ТО-220
IRF732FI	400	1,50	3,0	35	ISOWATT220
BUZ60B	400	1,50	4,5	75	ТО-220
IRF732	400	1,50	4,5	75	ТО-220
IRF720FI	400	1,80	2,5	30	ISOWATT220
BUZ76	400	1,80	3,0	40	ТО-220
IRF720	400	1,80	3,3	50	ТО-220
IRF722FI	400	2,50	2,0	30	ISOWATT220
BUZ76A	400	2,50	2,6	40	ТО-220
IRF722	400	2,50	2,8	50	ТО-220
SGSP341	400	20,0	0,6	18	ТО-220
IRFP451FI	450	0,40	9,0	70	ISOWATT218
IRF451	450	0,40	13,0	150	ТО-3
IRFP451	450	0,40	14,0	180	ТО-218
IRFP453FI	450	0,50	8,0	70	ISOWATT218
IRF453	450	0,50	11,0	150	ТО-3
IRFP453	450	0,50	12,0	180	ТО-218
SGSP474	450	0,70	9,0	150	ТО-218
IRF841FI	450	0,85	4,5	40	ISOWATT220
IF841	450	0. 85	8,0	125	ТО-220
IRFP441FI	450	0,85	5,5	60	ISOWATT218
IRF843FI	450	1,10	4,0	40	ISOWATT220
IRF843	450	1,10	7,0	125	ТО-220
IRF831FI	450	1,50	3,0	35	ISOWATT220
IRF831	450	1,50	4,5	75	ТО-220
SGSP364	450	1,50	5,0	100	ТО-220
IRF833FI	450	2,00	2,5	35	ISOWATT220
IRF833	450	2,00	4,0	75	Т0220
IRF821FI	450	3,00	2,0	30	ISOWATT220
IRF821	450	3,00	2,5	50	ТО-220
SGSP330	450	3,00	3,0	75	ТО-220
IRF823FI	450	4,00	1. 5	30	ISOWATT220
IRF823	450	4,00	2,2	50	ТО-220
IRFP450FI	500	0,40	9,0	70	ISOWATT218
IRF450	500	0,40	13,0	150	ТО-3
IRFP450	500	0,40	14,0	180	ТО-218
IRFP452FI	500	0,50	8,0	70	ISOWATT218
IRF452	500	0,50	11,0	150	ТО-3
IRFP4S2	500	0,50	12,0	180	ТО-218
BUZ353	500	0,60	9,5	125	ТО-218
BUZ45	500	0,60	9,6	125	ТО-3
SGSP579	500	0,70	9,0	150	ТО-3
SGSP479	500	0,70	9. 0	150	TO-218
BU2354	500	0,80	8,0	125	TO-218
BUZ45A	500	0,80	8,3	125	TO-3
IRF840FI	500	0,85	4,5	40	ISOWATT220
IRF840	500	0,85	8,0	125	TO-220
IRFP440FI	500	0,85	5,5	60	ISOWATT218
IRF842FI	500	1,10	4,0	40	ISOWATT220
IRF842	500	1. 10	7,0	125	TO-220
IRF830FI	500	1,50	3,0	35	ISOWATT220
BUZ41A	500	1,50	4,5	75	TO-220
IRF830	500	1,50	4,5	75	TO-220
SGSP369	500	1,50	5,0	100	TO-220
IRF832FI	500	2,00	2,5	35	ISOWATT220
BUZ42	500	2,00	4,0	75	TO-220
IRF832	500	2,00	4,0	75	TO-220
IRF820FI	500	3,00	2,0	30	ISOWATT220
BUZ74	500	3,00	2,4	40	TO-220
IRF820	500	3,00	2,5	50	TO-220
SGSP319	500	3,80	2,8	75	TO-220
IRF322FI	500	4,00	1,5	30	ISOWATT220
BUZ74A	500	4,00	2,0	40	TO-220
IRF822	500	4,00	2,2	50	TO-220
SGSP368	550	2,50	5,0	100	TO-220
MTH6N60FI	600	1,20	3. 5	40	ISOWATT218
MTP6N60FI	600	1,20	6,0	125	ISOWATT220
MTP3N60FI	600	.2,50	2,5	35	I30WATT220
MTP3N60	600	2,50	3,0	75	TO-220
STH9N80FI	800	1,00 .	5,6	70	ISOWATT218
STH9N80	800	1,00	9,0	180	TO-218
STH8N80FI	800	1,20	5,0	70	ISOWATT218
STH8N80	800	1,20	8. 0	180	TO-218
STHV82FI	800	2,00	3,5	65	ISOWATT218
STHV82	800	2,00	5,5	125	TO-218
BUZ80AFI	800	3,00	2,4	40	ISOWATT220
BUZ80A	800	3,00	3,8	100	TO-220
BUZ80FI	800	4,00	2,0	35	ISOWATT220
BUZ80	800	4,00	2,6	75	TO-220
STH6N100FI	1000	2,00	3,7	70	ISOWATT218
STH6N100	1000	2,00	6,0	180	TO-218
STHV102FI	1000	3,50	3,0	65	ISOWATT218
STHV102	1000	3,50	4,2	125	TO-218
SGS100MA010D1	100	0,014	50	120	TO-240
SGS150MA010D1	100	0,009	75	150	TO-240
SGS30MA050D1	500	0,20	15	30	TO-240
SGS35MA050D1	500	0,16	17,5	35	TO-240
TSD200N05V	50	0,006	200	600	Isotop
TSD4M150V	100	0,014	70	135	Isotop
TSD4M251V	150	0,021	70	110	Isotop
TSD4M250V	200	0,021	60	110	Isotop
TSD4M351V	350	0,075	30	50	Isotop
TSD4M350V	400	0,075	30	50	Isotop
TSD4M451V	450	0,1	28	45	Isotop
TSD2M450V	500	0,2	26	100	Isotop
TSD4M450V	500	0,1	28	45	Isotop
TSD22N80V	800	0,4	22	77	Isotop
TSD5MG40V	1000	0,7	9	17	Isotop

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Проверку полевого транзистора на исправность можно проводить мультиметром в режиме тестирования P-N переходов диодов. Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах. У исправного транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Но в некоторых современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому бывает, что канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к стоку (D), красным (положительным) – к истоку (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 – 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом затвора (G) и опять возвращаем его на исток (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения – полевой транзистор открылся прикосновением. Если теперь черным щупом коснуться затвора (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на сток (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов.

Справочники радиодеталей

Порядок вывода комментариев: По умолчаниюСначала новыеСначала старые

Т.н. “ПЕРЕХОД” для полевых транзисторов принято называть “КАНАЛОМ”. Но табличка красивая. Другие справочники вот так же бы….

Лабораторный БП 0-30 вольт

Драгметаллы в микросхемах

Металлоискатель с дискримом

Ремонт фонарика с АКБ

Восстановление БП ПК ATX

Кодировка SMD деталей

Справочник по диодам

Аналоги стабилитронов

Справочник по полевым транзисторам

Транзистор	Назначение
2П101	для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КП102	для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2П103 2П103-9	для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2ПС104	для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2П201	для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2ПС202	для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КПС203	для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КП301	для применения во входных каскадах малошумящих усилителей и нелинейных малосигнальных схемах с высоким входным сопротивлением
КП302	для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах
КП303	предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой (Д, Е, И) и низкой (А, Б, В, Ж) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г предназначены для применения в зарядочувствительных усилител ях и других схемах ядерной спектрометрии
КП304	предназначены для применения в переключающих и усилительных схемах с высоким входным сопротивлением
2П305	предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП306	предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП307	предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП307Ж предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других схемах ядерной спектрометрии
2П308-9	предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока (А, Б, В), в переключающих схемах и схемах коммутаторов (Г, Д) с высоким входным сопротивлением.
КП310	для применения в приемно-передающих устройствах сверхвысокочастотного диапазона
КП312	предназначены для применения во входных каскадах усилителей и преобразователей сверхвысокочастотного диапазона
КП313	предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП314	для применения в охлаждаемых каскадах предусилителей устройств ядерной спектрометрии
КПС315	для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КПС316	для работы во входных каскадах дифференциальных усилителей, балансных схем различного назначения с высоким входным сопротивлением
3П320-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц
3П321-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц
КП322	тетрод на основе p-n перехода для усилительных и смесительных каскадов на частотах до 400 МГц
КП323-2	транзистор с p-n переходом для входных каскадов предварительных малошумящих предварительных усилителей низкой и высокой частот (до 400 МГц)
3П324-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц
3П325-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для СВЧ устройств с малым уровнем шума, а также для фотоприемных устройств с малым уровнем собственных шумов
3П326-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 17. 4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
КП327	МОП тетрод с n-каналом и затворами, защищенными диодами, для селекторов телевизионных каналов метровых и дециметровых волн
3П328-2	арсенидогаллиевые полевые двухзатворные транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
КП329	для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением
3П330-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 25 ГГц (3П330А-2, 3П330Б-2) и 17. 4 ГГц (3П330В-2) для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П331-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 10 ГГц для применения в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном
2П332	полевой p-канальный транзистор для переключающих и усилительных устройств
2П333	полевой n-канальный транзистор для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением
2П335-2	для усилительных устройств
2П336-1	для переключающих и усилительных устройств
2П337-Р	транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением на частотах до 400 МГц
2П338-Р1	транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением
3П339-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частотах 8 и 17. 4 ГГц для применения в малошумящих усилителях, в усилителях с расширенным динамическим диапазоном и в широкополосных усилителях
2П341	транзистор с p-n переходом для входных каскадов малошумящих усилителей в диапазоне частот 20 Гц – 500 МГц
КП342	для переключающих устройств
3П343-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П344-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П345-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для применения в фотоприемных устройствах с малым уровнем собственных шумов
КП346-9	МОП n-канальный двухзатворный транзистор с затворами, защищенными диодами, для селекторов каналов ТВ приемником (А,Б- для дециметровых волн, В- для метровых волн)
2П347-2	n-канальный двухзатворный транзистор для входных каскадов радиоприемных устройств
КП350	предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобразовательных каскадах сверхвысокой частоты (до 700 МГц)
КП351	транзисторы с барьером Шоттки с двумя затворами (3П351А-2) и с одним затвором (3П351А1-2), предназначены для применения в малошумящих усилителях, смесителях и других устройствах в сантиметровом диапазоне
КП365А	BF410C n-канальный транзистор
КП382А	BF960 двухзатворный полевой транзистор селекторов каналов ЦТ
КП501А	ZVN2120 высоковольтный полевой МОП-транзистор, используемый в качестве ключа для аналоговых средств связи
КП601 2П601-9	полевые транзисторы с диффузионным затвором и n-каналом, работа во входных и выходных каскадах усилителей и преобразователей частоты
АП602-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-12 ГГц
3П603-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц
3П604-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-18 ГГц
3П605-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном
3П606-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц
3П607-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 10 ГГц
3П608-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в выходных каскадах усилителей и генераторов
КП701	полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств с частотой переключения до 1 МГц
КП702	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов
КП703	полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов
КП704	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в выходных каскадах оконечных видеоусилителей многоцветных графических дисплеев, во вторичных источниках энергопитания, в устройствах коммутации электрических цепей
КП705	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах
КП706	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах
КП709	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках электропитания ТВ приемников четвертого и пятого поколений, переключающих и импульсных устройствах радиоэлектронной аппар атуры, устройствах электропривода. Аналог BUZ90, BUZ90A Siemens.
КП712	полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для работы в импульсных устройствах
КП717Б	IRF350 МОП-транзистор с 400 В, 0.3 Ом
КП718А	BUZ45 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом
КП718Е1	IRF453 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом
КП722А	BUZ36 МОП-транзистор с 200 В, 0.12 Ом
КП723А	IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП723Б	IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП723В	IRF45 МОП-транзистор с 60 В, 0. 028 Ом
КП724Г	IRF42 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП724А	MTP6N60 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП724Б	IRF842 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП725А	TPF450 МОП-транзистор с 500 В, 0.4 Ом
КП726А	BUZ90 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП728А	МОП-транзистор с 800 В, 3.0 Ом
КП801	полевые транзисторы p-n переходом для применения в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры
КП802	полевые транзисторы p-n переходом работа в ключевых схемах преобразователей постоянного напряжения в качестве быстродействующего коммутатора
КП803	полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей и генераторов
КП804	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для быстродействующих импульсных схем
КП805	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для построения источников вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, работающих от промышленной сети переменного тока с частотой 50 Гц и напряжением 220 В и для других устройств преобразования электрической энергии
КП809	МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП810	прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП812	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания, регуляторов, усилителей звуковой частоты
КП813	МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП814	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания
КП901	полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн (до 100 МГц)
КП902	полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в приемно-передающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц
КП903	полевые транзисторы p-n переходом для применения в приемно-передающих и переключающих устройствах в диапазоне частот до 30 МГц
КП904	полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных, преобразовательных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн
КП905	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц
КП907	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона
КП908	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 2. 25 ГГц
КП909	полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах в непрерывном и импульсном режимах на частотах до 400 МГц
АП910-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц
КП911	полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах
КП912	полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных устройствах, усилителях и генераторах
КП913	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц при напряжении питания до 45 В
2П914	полевой транзистор с p-n переходом д для применения в усилителях, преобразователях и генераторах высокой частоты, а также в переключающих устройствах
3П915-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц
КП918	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1 ГГц, а также для быстродействующих переключающих устройств
КП920	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц, а также для быстродействующих переключающих устройств
КП921	полевые транзисторы с изолированным затвором, предназначен для применения в быстродействующих переключающих устройствах
2П922 2П922-1	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом, предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, быстродействующ их переключающих и импульсных устройствах, а также в стабилизаторах и преобразователях напряжения
КП923	полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах, в линейных усилительных устройствах на частоты до 1 ГГц
3П925-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 3. 7-4.2 ГГц (3П925А) и 4.3-4.8 ГГц (3П925Б) в тракте с волновым сопротивлением 50 Ом и содержит внутренние соглассующие цепи
2П926	полевые транзисторы для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых и линейных устройств
3П927	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с n-каналом для работы в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частот ы в диапазоне частот 1-18 ГГц
2П928	два МОП транзистора с n-каналом и общим истоком, генераторные, предназначены для применения в усилителях мощности и генераторах
3П930	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в диапазоне частот 5. 7-6.3 ГГц
КП932	высоковольтный транзистор для работы в каскадах видеоусилителей цветных дисплеев
КП933	два МДП транзистора с n-каналом и общим истоком для работы в линейных и широкополосных усилительных устройствах и автогенераторах с высокой стабильностью частоты (для усиления и генерирования сигналов с частотой до 1 ГГц )
КП934	транзисторы со статической индукцией и n-каналом предназначенные для применения в источниках вторичного электропитания и в высоковольтных ключевых устройствах
КП937	переключательные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях напряжения, системах электропривода, импульсных генераторах электроискровых обрабат ывающих комплексов
КП938	переключательные высоковольтные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, для питания двигателей постоянного и переменного тока, в мощных коммутаторах, усилителях низкой частоты
2П941	для генерирования сигналов и усиления мощности в радиоэлектронных схемах с рабочей частотой до 400-600 МГц при напряжении питания 12 В
КП944	МДП транзистор с p-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках
КП945	МДП транзистор с n-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках
КП946	прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП948	прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП953	прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП955	прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности

Полевые транзисторы IRF.

.. » Паятель.Ру

IRF230
IRF231
IRF232
IRF233
IRF234
IRF235
IRF236
IRF237
IRF240
IRF241
IRF242
IRF243
IRF244
IRF245
IRF246
IRF247
IRF250
IRF251
IRF252
IRF253
IRF254
IRF255
IRF256
IRF257
IRF300
IRF301
IRF305
IRF320
IRF321
IRF322
IRF323
IRF330
IRF331
IRF333
IRF340
IRF341
IRF342
IRF343
IRF350
IRF351
IRF352
IRF353
IRF360
IRF362
IRF420
IRF421
IRF422
IRF423
IRF430
IRF431
IRF432
IRF433
IRF440
IRF441
IRF442
IRF443
IRF448
IRF449
IRF450
IRF451
IRF452
IRF453
IRF510
IRF511
IRF512
IRF513
IRF520
IRF521
IRF522
IRF523
IRF530
IRF531
IRF532
IRF533
IRF540
IRF541
IRF542
IRF543

А
А
А
А
А
А
А
А
С
С
C
C
А
А
А
А
С
С
С
С
С
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
С
С
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
А
В
В
В
В
В
В
В
В
В
В
B
B
B
B
B
B

200
150
200
150
250
250
275
275
200
150
200
150
250
250
275
275
200
150
200
150
250
250
275
275
400
350
400
400
350
400
350
400
350
350
400
350
400
350
400
350
400
350
400
400
500
450
500
450
500
450
500
450
500
450
500
450
500
500
500
450
500
450
100
80
100
80
100
80
100
80
100
80
100
80
100
80
100
80

9
9
8
8
8
6,5
8
6,5
18
18
16
16
14
13
14
13
30
30
25
25
22
20
22
20
4
4
5
3,3
3,3
2,8
2,8
5,5
5,5
4,5
10
10
8,3
8,3
15
15
13
13
25
22
2,5
2,5
2,2
2,2
4,5
4,5
4
4
8
8
7
7
9.

6
8.5
13
13
11
11
5.6
5,6
4,9
4,9
9,2
9,2
8
8
14
14
12
12
28
28
25
25

75
75
75
75
75
75
75
75
125
125
125
125
125
125
125
125
150
150
150
150
150
150
150
150
125
125
125
50
50
50
50
75
75
75
125
125
125
125
150
150
150
150
300
300
50
50
50
50
75
75
75
75
125
125
125
125
130
130
125
125
125
125
43
43
43
43
60
60
60
60
80
80
80
80
150
150
150
150

0,4
0,4
0,6
0,6
0,45
0,7
0,45
0,7
0,18
0,18
0,22
0,22
0,28
0,34
0,28
0,34
0,085
0,085
0,12
0,12
0,14
0,17
0,14
0,17
1,3
1,3
0,008
1,8
1,8
2,5
2,5
1
1
1,5
0,55
0,55
0,8
0,8
0,3
0,3
0,4
0,3
0,2
0,25
3
3
4
4
1,5
1,5
2
2
0,85
0,85
1,1
1,1
0,6
0,75
0,4
0,4
0,5
0,5
0,54
0,54
0,74
0,74
0,27
0,27
0,36
0,36
0,18
0,18
0,25
0,25
0,077
0,077
0,1
0,1

0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
0,6
1,3
1,3
1,3
1,3
1,3
1,3
1,3
1,3
2
2
2
2
2,7
2,7
2,7
2,7
1
1
1
0,45
0,45
0,45
0,45
0,7
0,7
0,7
1,3
1,3
1,3
1,3
2
2
2
2
4
4
0,3
0,3
0,3
0,3
0,6
0,6
0,6
0,6
1,2
1,2
1,2
1,2
1,8
1,8
1,8
1,8
1,8
1,8
0,135
0,15
0,135
0,135
0,35
0,35
0,35
0,35
0,6
0,6
0,6
0,6
1,45
1,45
1,45
1,45

4
3,5
3,5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3
3
3
3,5
3,5
3,5
3,5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
3,5
4
4
4
4
4
4
3,5
3,5
3,5
3,5
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4

20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20

3-4,8
3-4,8
3-4,8
3-4,8
3-5
3-5
3-4,3
3-4,3
6-10
6-10
6-10
6-10
7-10
7-10
7-10
7-10
8-12
8-12
8-12
8-12
11-17
11-17
11-17
11-17
1-2,5
1-2,5
1-2,5
1,8-2,7
1,8-2,7
1,8-2,7
1.

8-2,7
2.9-4
2,9-4
2,9-4
6-8
6-8
6-8
6-8
8-10
8-10
8-10
8-10
14-21
14-21
1,5-2,3
1,5-2,3
1,5-2,3
1,5-2,3
2,7-3,2
2,7-3,2
2,7-3,2
2,7-3,2
5-7,5
5-7,5
5-7,5
5-7,5
6,3-9,4
6,3-9,4
6-11
6-11
6-11
6-11
1,3-2
1,3-2
1,3-2
1,3-2
2,7-4,1
2,7-4,1
2,7-4,1
2,7-4,1
5,1-7,6
5,1-7,6
5,1-7,6
5,1-7,6
8,7-13
8,7-13
8,7-13
8,7-13

5
5
5
5
6
6
4
4
10
10
10
10
8
8
8
8
16
16
16
16
12
12
12
12
2
2
2
1,8
1,8
1,8
1,8
3
3
5,2
5,2
5,2
5,2
8
8
8
8
14
14
1,4
1,4
1,4
1.4
2,5

2,5
2,5
2,5
4,5
4,5
4,5
4,5
5,5
5,5
7,2
7,2
7,2
7,2
3,4
3,4
3,4
3,4
5,6
5,6
5,6
5,6
8,3
8,3
8,3
8,3
17
17
17
17

Типовые области применения полевых транзисторов | ElWiki

Приведенные выше данные составил Козак Виктор Романович

Транзистор	Назначение
2П101	для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КП102	для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2П103 2П103-9	для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2ПС104	для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2П201	для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
2ПС202	для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КПС203	для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КП301	для применения во входных каскадах малошумящих усилителей и нелинейных малосигнальных схемах с высоким входным сопротивлением
КП302	для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах
КП303	предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой (Д, Е, И) и низкой (А, Б, В, Ж) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г предназначены для применения в зарядочувствительных усилител ях и других схемах ядерной спектрометрии
КП304	предназначены для применения в переключающих и усилительных схемах с высоким входным сопротивлением
2П305	предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП306	предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП307	предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП307Ж предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других схемах ядерной спектрометрии
2П308-9	предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока (А, Б, В), в переключающих схемах и схемах коммутаторов (Г, Д) с высоким входным сопротивлением.
КП310	для применения в приемно-передающих устройствах сверхвысокочастотного диапазона
КП312	предназначены для применения во входных каскадах усилителей и преобразователей сверхвысокочастотного диапазона
КП313	предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением
КП314	для применения в охлаждаемых каскадах предусилителей устройств ядерной спектрометрии
КПС315	для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением
КПС316	для работы во входных каскадах дифференциальных усилителей, балансных схем различного назначения с высоким входным сопротивлением
3П320-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц
3П321-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц
КП322	тетрод на основе p-n перехода для усилительных и смесительных каскадов на частотах до 400 МГц
КП323-2	транзистор с p-n переходом для входных каскадов предварительных малошумящих предварительных усилителей низкой и высокой частот (до 400 МГц)
3П324-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц
3П325-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для СВЧ устройств с малым уровнем шума, а также для фотоприемных устройств с малым уровнем собственных шумов
3П326-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 17.4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
КП327	МОП тетрод с n-каналом и затворами, защищенными диодами, для селекторов телевизионных каналов метровых и дециметровых волн
3П328-2	арсенидогаллиевые полевые двухзатворные транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
КП329	для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением
3П330-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 25 ГГц (3П330А-2, 3П330Б-2) и 17.4 ГГц (3П330В-2) для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П331-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 10 ГГц для применения в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном
2П332	полевой p-канальный транзистор для переключающих и усилительных устройств
2П333	полевой n-канальный транзистор для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением
2П335-2	для усилительных устройств
2П336-1	для переключающих и усилительных устройств
2П337-Р	транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением на частотах до 400 МГц
2П338-Р1	транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением
3П339-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частотах 8 и 17.4 ГГц для применения в малошумящих усилителях, в усилителях с расширенным динамическим диапазоном и в широкополосных усилителях
2П341	транзистор с p-n переходом для входных каскадов малошумящих усилителей в диапазоне частот 20 Гц – 500 МГц
КП342	для переключающих устройств
3П343-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П344-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей
3П345-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для применения в фотоприемных устройствах с малым уровнем собственных шумов
КП346-9	МОП n-канальный двухзатворный транзистор с затворами, защищенными диодами, для селекторов каналов ТВ приемником (А,Б- для дециметровых волн, В- для метровых волн)
2П347-2	n-канальный двухзатворный транзистор для входных каскадов радиоприемных устройств
КП350	предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобразовательных каскадах сверхвысокой частоты (до 700 МГц)
КП351	транзисторы с барьером Шоттки с двумя затворами (3П351А-2) и с одним затвором (3П351А1-2), предназначены для применения в малошумящих усилителях, смесителях и других устройствах в сантиметровом диапазоне
КП365А	BF410C n-канальный транзистор
КП382А	BF960 двухзатворный полевой транзистор селекторов каналов ЦТ
КП501А	ZVN2120 высоковольтный полевой МОП-транзистор, используемый в качестве ключа для аналоговых средств связи
КП601 2П601-9	полевые транзисторы с диффузионным затвором и n-каналом, работа во входных и выходных каскадах усилителей и преобразователей частоты
АП602-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-12 ГГц
3П603-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц
3П604-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-18 ГГц
3П605-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном
3П606-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц
3П607-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 10 ГГц
3П608-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в выходных каскадах усилителей и генераторов
КП701	полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств с частотой переключения до 1 МГц
КП702	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов
КП703	полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов
КП704	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в выходных каскадах оконечных видеоусилителей многоцветных графических дисплеев, во вторичных источниках энергопитания, в устройствах коммутации электрических цепей
КП705	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах
КП706	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах
КП709	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках электропитания ТВ приемников четвертого и пятого поколений, переключающих и импульсных устройствах радиоэлектронной аппар атуры, устройствах электропривода. Аналог BUZ90, BUZ90A Siemens.
КП712	полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для работы в импульсных устройствах
КП717Б	IRF350 МОП-транзистор с 400 В, 0.3 Ом
КП718А	BUZ45 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом
КП718Е1	IRF453 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом
КП722А	BUZ36 МОП-транзистор с 200 В, 0.12 Ом
КП723А	IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП723Б	IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП723В	IRF45 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП724Г	IRF42 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом
КП724А	MTP6N60 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП724Б	IRF842 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП725А	TPF450 МОП-транзистор с 500 В, 0.4 Ом
КП726А	BUZ90 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом
КП728А	МОП-транзистор с 800 В, 3.0 Ом
КП801	полевые транзисторы p-n переходом для применения в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры
КП802	полевые транзисторы p-n переходом работа в ключевых схемах преобразователей постоянного напряжения в качестве быстродействующего коммутатора
КП803	полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей и генераторов
КП804	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для быстродействующих импульсных схем
КП805	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для построения источников вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, работающих от промышленной сети переменного тока с частотой 50 Гц и напряжением 220 В и для других устройств преобразования электрической энергии
КП809	МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП810	прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП812	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания, регуляторов, усилителей звуковой частоты
КП813	МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП814	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания
КП901	полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн (до 100 МГц)
КП902	полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в приемно-передающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц
КП903	полевые транзисторы p-n переходом для применения в приемно-передающих и переключающих устройствах в диапазоне частот до 30 МГц
КП904	полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных, преобразовательных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн
КП905	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц
КП907	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона
КП908	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 2.25 ГГц
КП909	полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах в непрерывном и импульсном режимах на частотах до 400 МГц
АП910-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц
КП911	полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах
КП912	полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных устройствах, усилителях и генераторах
КП913	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц при напряжении питания до 45 В
2П914	полевой транзистор с p-n переходом д для применения в усилителях, преобразователях и генераторах высокой частоты, а также в переключающих устройствах
3П915-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц
КП918	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1 ГГц, а также для быстродействующих переключающих устройств
КП920	полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц, а также для быстродействующих переключающих устройств
КП921	полевые транзисторы с изолированным затвором, предназначен для применения в быстродействующих переключающих устройствах
2П922 2П922-1	полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом, предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, быстродействующ их переключающих и импульсных устройствах, а также в стабилизаторах и преобразователях напряжения
КП923	полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах, в линейных усилительных устройствах на частоты до 1 ГГц
3П925-2	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 3.7-4.2 ГГц (3П925А) и 4.3-4.8 ГГц (3П925Б) в тракте с волновым сопротивлением 50 Ом и содержит внутренние соглассующие цепи
2П926	полевые транзисторы для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых и линейных устройств
3П927	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с n-каналом для работы в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частот ы в диапазоне частот 1-18 ГГц
2П928	два МОП транзистора с n-каналом и общим истоком, генераторные, предназначены для применения в усилителях мощности и генераторах
3П930	арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в диапазоне частот 5.7-6.3 ГГц
КП932	высоковольтный транзистор для работы в каскадах видеоусилителей цветных дисплеев
КП933	два МДП транзистора с n-каналом и общим истоком для работы в линейных и широкополосных усилительных устройствах и автогенераторах с высокой стабильностью частоты (для усиления и генерирования сигналов с частотой до 1 ГГц )
КП934	транзисторы со статической индукцией и n-каналом предназначенные для применения в источниках вторичного электропитания и в высоковольтных ключевых устройствах
КП937	переключательные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях напряжения, системах электропривода, импульсных генераторах электроискровых обрабат ывающих комплексов
КП938	переключательные высоковольтные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, для питания двигателей постоянного и переменного тока, в мощных коммутаторах, усилителях низкой частоты
2П941	для генерирования сигналов и усиления мощности в радиоэлектронных схемах с рабочей частотой до 400-600 МГц при напряжении питания 12 В
КП944	МДП транзистор с p-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках
КП945	МДП транзистор с n-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках
КП946	прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП948	прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП953	прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП955	прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности

транзисторы китайские

радиоприемник на транзисторах

Транзистор (от

полевые транзисторы импортные справочник

англ.

мдп транзистор

transfer —

генератор на полевом транзисторе

переносить

транзистор цена

даташит транзисторы

resistance

подбор транзистора

—

изготовление транзисторов

сопротивление

диоды транзисторы

или

полевых транзисторов

transconductance

применение полевых транзисторов

—

включение полевых транзисторов

активная

транзисторы китайские

межэлектродная проводимость

простые схемы на транзисторах

типы транзисторов

varistor

радио транзистор

—

как прозванивать транзисторы

переменное

транзисторы микросхемы

сопротивление)

параметры транзисторов

— электронный

как проверить транзистор мультиметром

прибор

полевые транзисторы

из

транзистор 2т

полупроводникового материала,

применение полевого транзистора

обычно с

изготовление транзисторов

тремя

транзисторы справочник

выводами,

стабилизатор напряжения на транзисторе

позволяющий входным

усилитель на транзисторах

сигналам

полевые транзисторы справочник

управлять

расчет радиатора для транзистора

током

схема полевого транзистора

как сделать транзистор

электрической

3205 транзистор

цепи.

усилитель на транзисторах

Обычно

маркировка полевой транзистор

используется

блок питания на полевых транзисторах

для

маркировка smd транзисторов

усиления,

принцип работы полевых транзисторов

генерирования

ключ полевой транзистор

и преобразования

замена транзисторов

электрических

коллектор транзистора

сигналов.

транзисторы китайские

преобразователь напряжения на транзисторах

Управление

транзисторы большой мощности

током

n канальный транзистор

скачать транзисторы

выходной

транзистор pnp

цепи

как проверить транзистор мультиметром

осуществляется

полевой транзистор схема

за

подключение транзистора

счёт

стабилизатор напряжения на транзисторе

изменения

справочник зарубежных транзисторов скачать

входного напряжения

коммутатор транзистор

или тока.

устройства на полевых транзисторах

Небольшое

цветовая маркировка транзисторов

изменение

скачать транзисторы

входных

работа биполярного транзистора

величин

транзистор кт315

может приводить к

зарубежные транзисторы

существенно

вч транзисторы

большему

поиск транзисторов

изменению

стабилизатор тока на полевом транзисторе

выходного

производители транзисторов

напряжения

транзисторы микросхемы

транзисторы высоковольтные

тока. Это

замена транзисторов

усилительное

транзисторы справочник

свойство транзисторов

строчные транзисторы

используется

свч транзисторы

полевой транзистор принцип работы

аналоговой

транзистор москва

технике

315 транзистор

(аналоговые

работа биполярного транзистора

ТВ, радио, связь

полевой транзистор схема

и т.

планарные транзисторы

п.).

транзисторы китайские

купить транзисторы

транзистор 2т

настоящее время

как прозвонить транзистор

в аналоговой технике

транзисторы bu

доминируют

транзистор 2т

биполярные

цоколевка полевых транзисторов

транзисторы

транзистор 2т

(БТ)

усилитель на полевом транзисторе

(международный

режимы работы транзистора

термин

современные транзисторы

—

коллектор транзистора

BJT,

полевые транзисторы импортные справочник

bipolar

технические характеристики транзисторов

junction transistor).

транзистор кт

Другой

коммутатор транзистор

важнейшей

транзисторы справочник

отраслью

где купить транзисторы

электроники

315 транзистор

является

транзистор москва

цифровая

подключение транзистора

техника (логика, память,

малошумящие транзисторы

процессоры,

современные транзисторы

компьютеры,

транзистор 9014

цифровая

транзисторы справочник

связь

усилитель на полевом транзисторе

транзистор 9014

т.

аналоги импортных транзисторов

п.),

защита транзистора

где,

биполярный транзистор принцип работы

напротив, биполярные

p канальный транзистор

транзисторы

транзистор 3102

почти полностью

эмиттер транзистора

вытеснены

полевые транзисторы характеристики

полевыми.

транзисторы китайские

ножки транзистора

Вся

производство транзисторов

современная

маркировка полевой транзистор

цифровая техника построена, в

схема подключения транзистора

основном,

транзисторы большой мощности

на полевых

технические характеристики транзисторов

МОП

цветовая маркировка транзисторов

(металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ),

полевой транзистор управление

как

полевые транзисторы

более экономичных,

работа полевых транзисторов

по

стабилизатор напряжения на транзисторе

сравнению

реле на транзисторе

преобразователь на полевом транзисторе

БТ,

характеристики полевых транзисторов

элементах.

транзисторы китайские

Иногда

справочник аналогов транзисторов

их

bully транзисторы

называют

горит строчный транзистор

МДП

принцип транзистора

(металл-диэлектрик-полупроводник)-

продажа транзисторы

транзисторы.

рабочая точка транзистора

Международный термин

транзисторы philips

—

блок питания на полевом транзисторе

MOSFET

усилитель звука на транзисторах

(metal-oxide-semiconductor

скачать бесплатно справочник по транзисторам

field

маркировка транзисторов

effect

p канальный транзистор

transistor).

схемы генераторов на транзисторах

Транзисторы

маркировка импортных транзисторов

изготавливаются

таблица транзисторов

простой усилитель на транзисторах

рамках

справочник зарубежных транзисторов скачать

интегральной

биполярные транзисторы справочник

технологии

обозначение выводов транзистора

на

13003 транзистор

одном

свч транзисторы

кремниевом кристалле

работа биполярного транзистора

(чипе)

s8050 транзистор

таблица транзисторов

составляют

простой усилитель на транзисторах

элементарный «кирпичик» для

полевые транзисторы параметры

построения

транзисторы pdf

микросхем

транзистор это просто

логики,

генератор на транзисторе

памяти,

расчет радиатора для транзистора

процессора

схема ключа на транзисторе

выводы транзистора

т.

мдп транзистор

п.

реле на транзисторе

Размеры

умзч на транзисторах

современных МОПТ

1 транзистор

составляют

биполярный транзистор принцип работы

от

найти транзистор

работа полевого транзистора

до 32

типы транзисторов

нм[источник

3205 транзистор

не

где купить транзисторы

указан

транзистор это просто

134

применение полевых транзисторов

дня].

корпуса транзисторов

На

стабилизатор тока на полевом транзисторе

одном

транзистор затвор сток исток

современном

однопереходный транзистор

чипе

транзистор затвор сток исток

(обычно

даташит транзисторы

размером

подбор транзисторов по параметрам

1—2 см?)

маркировка полевой транзистор

размещаются

испытатель транзисторов

несколько

стабилизатор тока на полевом транзисторе

(пока

коллектор транзистора

единицы)

цоколевка импортных транзисторов

миллиардов

планарные транзисторы

МОПТ.

однопереходный транзистор

На

полевой транзистор справочник

протяжении

характеристики полевых транзисторов

таблица транзисторов

лет

цветовая маркировка транзисторов

происходит

принцип транзистора

уменьшение

унч на транзисторах

размеров

принцип действия транзистора

(миниатюризация) МОПТ и

как проверить полевые транзисторы

увеличение

изготовление транзисторов

их

полевые транзисторы параметры

количества

транзистор кт3102

на

цветовая маркировка транзисторов

одном

полевые транзисторы

чипе

металлоискатель на транзисторах

(степень

свч транзисторы

интеграции),

устройство транзистора

транзисторы philips

ближайшие

транзисторы резисторы

годы

составной транзистор

ожидается

радио транзистор

дальнейшее

мощные полевые транзисторы

увеличение степени интеграции

биполярные транзисторы справочник

транзисторов

транзисторы китайские

на

транзистор 2т

чипе

преобразователь напряжения на транзисторах

(см. Закон

6822 транзистор

Мура).

маркировка полевых транзисторов

Уменьшение

транзистор процессор

размеров МОПТ приводит

импульсный транзистор

также

полевые транзисторы параметры

транзистор светодиод

повышению быстродействия

транзистор d1555

процессоров.

транзисторы китайские

схема унч на транзисторах

Первые патенты

типы корпусов транзисторов

на

mosfet транзисторы

принцип работы

транзисторы резисторы

полевых транзисторов

составной транзистор

были

выводы транзистора

зарегистрированы

усилитель на полевом транзисторе

в Германии

стабилизатор напряжения на транзисторе

в 1928

диоды транзисторы

году

мосфет транзисторы

(в

параметры биполярных транзисторов

Канаде,

полевой транзистор принцип работы

22 октября

транзистор светодиод

1925

зарубежные транзисторы и их аналоги

года)

транзистор 3102

на

цифровой транзистор

имя

маркировка smd транзисторов

австро-венгерского физика Юлия

работа полевых транзисторов

Эдгара

высокочастотные транзисторы

Лилиенфельда.[источник не

c945 транзистор

указан

проверка транзисторов

107

транзисторы тиристоры

дней] В

цифровой транзистор

1934

технические характеристики транзисторов

году

ключи на полевых транзисторах

немецкий физик

описание транзисторов

Оскар

пробой транзистора

Хейл

справочник зарубежных транзисторов скачать

запатентовал полевой

сгорает строчный транзистор

транзистор.

mosfet транзисторы

Полевые

стабилизатор тока на транзисторе

транзисторы

генераторы на полевых транзисторах

(в частности,

стабилизатор тока на транзисторе

МОП-транзисторы)

транзисторы irf

основаны

транзистор кт3102

на

транзистор полевой схема включения

простом

применение полевого транзистора

электростатическом

транзисторы tip

эффекте

производители транзисторов

поля, по

транзисторы tip

физике

транзистор с общим эмиттером

они

как работает транзистор

существенно

параметры полевых транзисторов

проще биполярных

взаимозаменяемость транзисторов

транзисторов,

как проверить полевой транзистор

регулятор на полевом транзисторе

поэтому

скачать бесплатно справочник по транзисторам

они

транзистор полевой схема включения

придуманы

чип транзисторы

применение полевых транзисторов

запатентованы

d209l транзистор

задолго

схемы включения полевых транзисторов

до

транзистор d2499

биполярных

справочник по зарубежным транзисторам

транзисторов.

включение биполярного транзистора

Тем

триггер на транзисторах

не менее,

усилительный каскад на транзисторе

первый

стабилизатор напряжения на транзисторе

МОП-транзистор,

полевой транзистор

составляющий

таблица транзисторов

основу

биполярный транзистор

современной

умзч на транзисторах

компьютерной

3205 транзистор

индустрии,

обозначение транзисторов

был

биполярный транзистор принцип работы

изготовлен позже биполярного

полевые транзисторы импортные справочник

транзистора,

импульсный транзистор

коды транзисторов

1960

коллектор транзистора

году.

стабилизатор на полевом транзисторе

Только в

тесла на транзисторах

90-х годах XX

транзистор москва

века МОП-технология

цоколевка полевого транзистора

стала доминировать

маркировка импортных транзисторов

над

использование транзисторов

биполярной.

транзисторы китайские

Мощные N-канальные полевые c изолированным затвором транзисторы (MOSFET)

Обозначение	Прототип	Функциональное назначение	Тип корпуса
IFP50N06*	WFP50N06	N – канальный транзистор 60 В; 0,022 Ом – 50 А	TO-220/3
IZ70N06**		N – канальный транзистор 60 В; 0,015 Ом – 70 А	б/к
IZ85N06**		N – канальный транзистор 60 В; 0,012 Ом – 85 А	б/к
IZ75N75**		N – канальный транзистор 75 В; 0,017 Ом – 75 А	б/к
IFP75N08	WFP75N08	N – канальный транзистор 80 В; 0,015 Ом – 75 А	TO-220/3
IZ630**		N – канальный транзистор 200 В; 0,400 Ом – 9 А	б/к
IZ640**		N – канальный транзистор 200 В; 0,180 Ом – 18 А	б/к
IZ634**		N – канальный транзистор 250 В; 0,450 Ом – 8 А	б/к
IFP730	WFP730	N – канальный транзистор 400 В; 0,950 Ом – 6 А	TO-220/3
IFP740	WFP740	N – канальный транзистор 400 В; 0,550 Ом – 10 А	TO-220/3
IFP830	WFP830	N – канальный транзистор 500 В; 1,400 Ом – 5 А	TO-220/3
IFP840	WFP840	N – канальный транзистор 500 В; 0,850 Ом – 8 А	TO-220/3
IZ13N50**		N – канальный транзистор 500 В; 0,490 Ом – 13 А	б/к
IZ20N50**		N – канальный транзистор 500 В; 0,260 Ом – 20 А	б/к
IZ50N50**		N – канальный транзистор 500 В; 0,120 Ом – 50 А	б/к
IFP1N60	WFP1N60	N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А	TO-220/3
IFU1N60	WFU1N60	N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А	I-PAK
IFD1N60	WFD1N60	N – канальный транзистор 600 В; 12,000 Ом – 1 А	D-PAK
IFU2N60	WFU2N60	N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А	I-PAK
IFD2N60	WFD2N60	N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом –2 А	D-PAK
IFP2N60	STP2NC60	N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А	TO-220/3
IFF2N60	WFF2N60	N – канальный транзистор 600 В; 5,0 Ом – 2 А	TO-220FP
IFP4N60	STP4NC60	N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А	TO-220/3
IFF4N60	WFF4N60	N – канальный транзистор 600 В; 2,5 Ом – 4,0 А	TO-220FP
IFP7N60	WFP7N60	N – канальный транзистор 600 В; 1,2 Ом – 7 А	TO-220/3
IZ10N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,8 Ом – 10 А	б/к
IZ12N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,7 Ом – 12 А	б/к
IZ20N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,32 Ом – 20 А	б/к
IZ24N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,26 Ом – 24 А	б/к
IZ28N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,24 Ом – 28 А	б/к
IZ40N60**		N – канальный транзистор 600 В; 0,16 Ом – 40 А	б/к
IZ1N65**		N – канальный транзистор 650 В; 13,0 Ом – 1 А	б/к
IZ2N65**		N – канальный транзистор 650 В; 5,5 Ом – 2 А	б/к
IZ4N65**		N – канальный транзистор 650 В; 2,7 Ом – 4 А	б/к
IZ7N65**		N – канальный транзистор 650 В; 1,3 Ом – 7 А	б/к
IZ10N65**		N – канальный транзистор 650 В; 0,85 Ом – 10 А	б/к
IZ12N65**		N – канальный транзистор 650 В; 0,8 Ом – 12 А	б/к
IFP1N80	WFP1N80	N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А	TO-220/3
IFU1N80	WFU1N80	N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А	I-PAK
IFD1N80	WFD1N80	N – канальный транзистор 800 В; 18,0 Ом – 1 А	D-PAK
IZ3N80**		N – канальный транзистор 800 В; 5,0 Ом – 3 А	б/к
IZ10N80**		N – канальный транзистор 800 В; 1,1 Ом – 10 А	б/к
IZ9N90**		N – канальный транзистор 900 В; 1,4 Ом – 9 А	б/к
IZ11N90**		N – канальный транзистор 900 В; 1,1 Ом – 11 А	б/к
IWP5NK80Z	STP5NK80Z	N – канальный транзистор 800 В; 2,4 Ом – 4,3 А	TO-220/3
IZ024N	IRFU024N	N – канальный транзистор 55 В; 0,075 Ом – 17 А	б/к

Полевые транзисторы

– обзор

9.1.1 Геометрическая масштабируемость

Ширина и длина полевого транзистора (FET) являются ключевыми переменными, доступными разработчикам схем для оптимизации характеристик схемы. Полностью обедненный кремний на изоляторе (FDSOI) – это строгальная технология, поэтому ширину можно плавно изменять, в отличие от FinFET, где ширина задается целыми числами (одно ребро, два ребра и т. Д.). Поскольку технологии FDSOI нацелены на аналоговые и радиочастотные (RF) приложения, литография обычно настраивается для обеспечения непрерывного диапазона длин.Чтобы воспользоваться этой гибкостью конструкции, модель должна точно воспроизводить характеристики устройства для любого сочетания длины и ширины.

BSIM-IMG имеет обширную физику, встроенную в уравнения для эффектов масштабирования длины канала. Для чисто цифровой модели, которая должна быть точной только для вытянутой длины в диапазоне от минимальной до нескольких более длинных точек, плюс технологическая вариация L , этого может оказаться достаточно. Тем не менее, промышленный разработчик моделей, который должен покрывать расстояние от минимума менее 30 нм до максимума более микрона с точностью, требуемой разработчиками аналоговых и радиочастотных устройств, почти всегда обнаружит, что модель не может достаточно точно соответствовать по всей длине.

Компактная модель всегда должна быть компромиссом, включая всю физику и обеспечивающую быстрое моделирование. В конкретной конструкции устройства опущенные или упрощенные физические данные могут быть достаточно важными, чтобы потребовать более обширного рассмотрения. Поскольку BSIM-IMG является стандартной отраслевой моделью, поддерживаемой коалицией компактных моделей Si2 (CMC), существует механизм для предложения, разработки, тестирования и включения изменений модели. По этой причине членами CMC являются большинство литейных производств и поставщиков средств автоматизации проектирования электроники (EDA), а также многие компании без заводов.

Вероятно, наиболее частой причиной несоответствия по длине является печать ворот. Модель регулирует длину, указанную в списке соединений, с дельтой L и даже обеспечивает корректировку с дельтой L для печати на основе геометрии устройства.

Lnew = L + XL

LLLN = Lnew − LLN

LLWN = Lnew − WLN

LWLLN − LWN = LLLN × WLWN

dLIV = LINT + LL × LLLN + LW × WLWN + LWN × WLWN

Leff = Lnew – 2.0 × dLIV

Используя эти параметры модели, можно улучшить соответствие токов и емкости вытянутой длине, особенно для самых коротких длин.

Однако это аналитические функции, которые производят плавное монотонное изменение в L и W . Формирование рисунка с номинальной длиной затвора 28 нм или меньше с использованием литографии с длиной волны 193 нм [1] требует коррекции оптического приближения и использования методов повышения разрешения, таких как вспомогательные функции субразрешения [2]. Это прерывистые процессы, которые вызывают немонотонное и даже прерывистое изменение дельты L в зависимости от нарисованного L , особенно для более длинных устройств, представляющих интерес для разработчиков аналоговых и маломощных радиочастотных схем.

Разработчик моделей также часто сталкивается в процессе с другими геометрическими эффектами, которые вызывают различия в поведении устройства. Часто невозможно определить точный задействованный механизм, и лучшее, что может сделать разработчик модели, – это охарактеризовать изменение как одну из физических характеристик полевого транзистора, например, подвижность или последовательное сопротивление.

Для вариаций печати, которые не могут быть смоделированы, и для других наблюдаемых геометрических эффектов у разработчика моделей есть два варианта.Один из них – использовать параметры разбиения модели либо как полностью разбитую модель, либо как дополнительную глобальную вариацию в уравнениях модели. Другой – встроить в карточку модели уникальные уравнения или даже справочные таблицы, которые корректируют параметры модели с учетом геометрических изменений, которые не моделируются.

Механизм биннинга Модель короткоканального транзистора Беркли с изолированным затвором для независимых многополюсных вентилей (BSIM-IMG) аналогична таковой в других моделях BSIM от Калифорнийского университета в Беркли. Каждый параметр с возможностью бина рассчитывается как константа плюс три геометрических члена.

(9.1) PARAMi = PARAM + LPARAM / Leff + WPARAM / Weff + PPARAM / (Weff × Leff)

На рис. 9.1 показан пример разделения пространства L × W , разделенного на шесть бункеров. В каждом углу бункера есть полевой транзистор, который измеряется и устанавливается без геометрических масштабов. Параметры бин-модели из четырех моделей в четырех углах бина используются для решения уравнения. (9.1) для четырех параметров бина для этого бина. Структура уравнения гарантирует, что параметр бинированной модели будет иметь одинаковое значение в соседних интервалах для точек на границе между интервалами.Например, бункеры 1 и 2 имеют одинаковое значение для каждого параметра бина в L и W полевого транзистора 2, а также полевого транзистора 6 по конструкции. Параметры без объединения имеют одинаковое значение во всех ячейках, поэтому ячейки 1 и 2 дают точно такую же модель в этих точках. Изучая уравнение. (9.1) читатель может видеть, что это будет верно для каждой точки на линии от FET 2 до FET 6.

Рисунок 9.1. Разделение пространства L – W для бункерной модели.

Одно из главных преимуществ бининговых моделей состоит в том, что модели с единственной геометрией для углов бинов могут быть легко подогнаны.Тогда полная биннинговая модель может быть построена с помощью простого алгоритма. Соответствие данным по углам ячеек обычно довольно хорошее. Однако из-за того, что уравнение биннинга не включает в себя физику, транзисторы в точках внутри бинов могут не подходить особенно хорошо. И хотя этот метод обеспечивает непрерывность через границы бункеров, он не гарантирует монотонности или физически разумных кривых по сравнению с L или W . В общем, построение хороших бинированных моделей требует применения дополнительных ограничений на значение бинированных параметров в каждой из подгонок одной геометрии.

Разработчики моделей часто обрабатывают параметры разбиения ( L _PARAM и т. Д.) Как дополнительные параметры глобального масштабирования. Например, если насыщение скорости не может быть адекватно подогнано с использованием масштабирования L , встроенного в модель, параметр LVSAT может использоваться, чтобы дать разработчику модели дополнительную степень свободы в модели. Это особенно полезно для зависимости Вт от SiGe-канального полевого транзистора p-типа (pFET), где ширина активной области может иметь очень сильное влияние посредством модуляции механического напряжения.

В крайнем случае, разработчик моделей может включить расчеты в карточку модели. Это добавляет сложности и создает риск того, что модели могут не работать одинаково в симуляторах от разных поставщиков EDA. Но это дает моделисту практически неограниченную свободу подгонять любое геометрическое поведение устройства. Это часто необходимо для моделирования эффекта локальной компоновки, обсуждаемого далее в этой главе.

Эталонный полевой транзистор на основе химически модифицированных ISFET – Исследовательская информация Университета Твенте

TY – JOUR

T1 – Эталонный полевой транзистор на основе химически модифицированных ISFET

AU – Skowronska-Ptasinska, Maria

AU – van der Уол, Питер Д.

AU – van den Berg, Albert

AU – Bergveld, Piet

AU – Sudholter, Ernst JR

AU – Reinhoudt, David N.

PY – 1990

Y1 – 1990

N2 были использованы для химической модификации ионно-чувствительных полевых транзисторов (ISFET), чтобы подготовить эталонный полевой транзистор (REFET). Химическое присоединение полимера к затвору ISFET приводит к долгому сроку службы устройства. Подробно описаны свойства полиакрилатных (polyACE) REFET.PolyACE-REFET превосходит другие модифицированные полимером REFET, демонстрируя отличную нечувствительность к pH (1 мВ pH − 1), длительный срок службы и электрически идентичное поведение, как у немодифицированного pH ISFET или катион-селективного PVC-MEMFET (мембранный FET). . Катионная проницаемость полимера может быть значительно снижена добавлением неподвижных катионов. Продемонстрирована применимость polyACE-REFET в дифференциальных измерениях с pH ISFET и K + MEMFET.

AB – Различные гидрофобные полимеры были использованы для химической модификации ионно-чувствительных полевых транзисторов (ISFET) с целью изготовления эталонного полевого транзистора (REFET).Химическое присоединение полимера к затвору ISFET приводит к долгому сроку службы устройства. Подробно описаны свойства полиакрилатных (polyACE) REFET. PolyACE-REFET превосходит другие модифицированные полимером REFET, демонстрируя отличную нечувствительность к pH (1 мВ pH − 1), длительный срок службы и электрически идентичное поведение, как у немодифицированного pH ISFET или катион-селективного PVC-MEMFET (мембранный FET). . Катионная проницаемость полимера может быть значительно снижена добавлением неподвижных катионов.Продемонстрирована применимость polyACE-REFET в дифференциальных измерениях с pH ISFET и K + MEMFET.

U2 – 10.1016 / S0003-2670 (00) 82762-2

DO – 10.1016 / S0003-2670 (00) 82762-2

M3 – Артикул

VL – 230

SP – 67

EP – 73

JO – Analytica chimica acta

JF – Analytica chimica acta

SN – 0003-2670

ER –

Разработка биосенсора мочевины на основе ионно-чувствительного полевого транзистора с твердотельными эталонными системами

датчиков (Базель).2010; 10 (6): 6115–6127.

^* Автор, которому следует адресовать корреспонденцию; Электронная почта: [email protected]; Тел .: + 886-35731887; Факс: + 886-35731887.

Поступило 14 апреля 2010 г .; Пересмотрено 25 мая 2010 г .; Принято 1 июня 2010 г.

Abstract

Исследованы уреазные биосенсоры на основе ионно-чувствительных полевых транзисторов (ISFET) с твердотельными системами сравнения для одно- и двухсторонней дифференциальной считывающей электроники.Чувствительные мембраны биосенсоров были изготовлены из уреазы, иммобилизованной в матрице на основе проводящего полимера. Ответы 12,9-198,1 мВ для концентраций мочевины 8-240 мг / дл показывают, что активность фермента существенно не снизилась. Были изготовлены биосенсоры в сочетании с твердотельными эталонными системами, и результаты оценки продемонстрировали возможность миниатюризации. Для дифференциальной системы оптимальное соответствие крутизны для пары биосенсора и эталонных полевых транзисторов (REFET) было определено путем модификации мембран REFET и ферментных полевых транзисторов (EnFET).Результаты показывают, что кривая крутизны REFET на полимерной основе может совпадать с кривой EnFET, регулируя соотношение фоторезист / Nafion ™. Совпадение кривых крутизны для дифференциальных пар обеспечивает широкий динамический рабочий диапазон измерения. Соответственно, комбинация миниатюрного квазиреференсного электрода (QRE) / REFET / EnFET с дифференциальным расположением позволяет получить кривые отклика мочевины, аналогичные кривым, измеренным обычным дискретным датчиком большого размера.

Ключевые слова: ионно-чувствительных полевых транзистора (ISFET), эталонные полевые транзисторы (REFET), дифференциальные измерения, биосенсор, ферментные полевые транзисторы (EnFET), согласование по крутизне

1.Введение

Твердотельные биосенсоры на основе полевых транзисторов (FET) являются многообещающим инструментом в биологических приложениях благодаря зрелости полупроводниковой технологии. В частности, возможность миниатюризации позволяет применять передовые технологии, такие как хирургические операции [1]. Ферментные полевые транзисторы (EnFET) представляют собой миниатюрные биосенсоры, которые представляют собой типичные биосенсоры на основе ионно-чувствительных полевых транзисторов (ISFET) с дополнительным покрытием иммобилизованного ферментного слоя на поверхности диэлектриков затвора полевого транзистора [2–6].Эти дополнительные слои были изготовлены на поддерживающих материалах с энзимными покрытиями. Большинство биологических молекул, таких как ферменты, рецепторы, антитела, клетки и т. Д. , имеют очень короткое время жизни в фазе раствора, и поэтому они должны быть зафиксированы в подходящей матрице. Иммобилизация биологического компонента для защиты его от условий окружающей среды приводит к снижению активности фермента [7]. Активность иммобилизованных молекул зависит от площади поверхности, пористости, гидрофильного характера иммобилизующей матрицы, условий реакции и методологии, выбранной для иммобилизации.В последнее время проводящие полимеры рассматривались как подходящие кандидаты в качестве поддерживающей матрицы для приложений биологической иммобилизации из-за их многочисленных преимуществ [8].

Nafion ™ – один из популярных материалов, выбранных в качестве поддерживающей матрицы для химических или биологических сенсоров [9–11]. Это перфторсульфонированный материал с высокой проводимостью в диапазоне 10 ^-1 ∼10 ^-2 См / см [12], который состоит из трех частей: гидрофобной фторуглеродной основной цепи C – F, межфазной области относительно большой фракционной объем пустот и кластерные области, где существует большинство центров ионного обмена, противоионов и поглощенной воды.Жесткий каркас устойчив к химическому воздействию, что защищает захваченные материалы, такие как полимеры и ферменты, от растворения в электролите. Между тем, большой фракционный объем пустот и проводящие свойства позволяют избежать серьезного снижения активности иммобилизованных молекул.

Согласно датчикам ISFET с одиночной структурой [13] и структурой дифференциальной пары ISFET / REFET [14], они показывают, что схемы считывания и стабильные эталонные системы необходимы для целей миниатюризации.В общем, есть две комбинации для достижения цели: одна – это твердотельный электрод сравнения (SRE) с ISFET (SRE / ISFET), связанный с несимметричной схемой считывания [15,16]; другой – электрод из благородного металла, который называется квазиэлектродом сравнения (QRE), интегрированный с ISFET и REFET (QRE / ISFET / REFET), связанный с двумя концевыми схемами дифференциального считывания [17–19].

Для первой несимметричной комбинации конструкция схем считывания проста, если SRE обеспечивает стабильный потенциал.Были предложены обширные разработки миниатюрных твердотельных электродов сравнения [20–24]. Однако для достижения термодинамически определенной разности потенциалов на границе раздела электрод сравнения / жидкость сложности структур огромны и имеют много недостатков, таких как утечка растворов сравнения, которая ограничивает срок службы устройства и точность измерений [25 , 26].

Для второй двусторонней комбинации электроды сравнения были заменены на QRE.QRE – это благородный металл, который наносится методом распыления или испарения. Таким образом, благодаря простоте процессов изготовления QRE, можно легко получить миниатюрные датчики. Однако конструкции схем дифференциального считывания более сложны из-за проблемы синфазного шума и соответствия устройства ISFET / REFET. Синфазный шум, вызванный поляризованной термодинамически неопределенной границей раздела металл / жидкость, обычно можно устранить с помощью дифференциальных методов.показана принципиальная схема типичной дифференциальной схемы синфазного сигнала. Назначение дифференциального усилителя состоит в том, чтобы воспринимать изменение его дифференциального входа, отклоняя изменения в его синфазном входе. Требуемый выходной сигнал является дифференциальным, и его изменение должно быть пропорционально изменению дифференциального входа. Изменения в синфазном выходе нежелательны. Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR) дифференциальной схемы измеряет тенденцию устройства отклонять общие сигналы для обоих входных проводов и указывает, что величина синфазного сигнала будет отображаться в измерении.CMRR был определен как:

, где A _DM обозначает коэффициент усиления схемы в дифференциальном режиме, а A _CM-DM обозначает преобразование синфазного режима в дифференциальный. Важным параметром устройства в отношении CMRR является крутизна (g _м), которая представляет чувствительность устройства. Для большого g _м небольшое изменение V _GS приводит к большому изменению I _DS при фиксированном V _DS, что обеспечивает более высокую чувствительность измерения.Крутизна определяется как в уравнении (2):

gm = ∂IDS∂VGS | VDS = cons tan t

(2)

Принципиальная схема типичной синфазной дифференциальной цепи.

Предположим, что g _m1 и g _m2 являются крутизной для M1 и M2, соответственно. У нас есть:

ACM − DM = −ΔgmRD (gm1 + gm2) RSS + 1

(3)

где Δ g _м = g _{м 1} – g _м.

Согласно уравнениям (1–3) несоответствие крутизны пары ISFET / REFET значительно ухудшит CMRR, или, другими словами, шум, исходящий от поверхности раздела металл / жидкость электрода сравнения, будет влиять на точность измерения. Альтернативный метод увеличения CMRR заключается в разработке схем с высоким A _DM; однако это требует большого количества дополнительных компонентов и увеличивает сложность схемы. Следовательно, пара ISFET / REFET с согласованной крутизной позволяет избежать затрат, вызванных ухудшением CMRR, и повысить точность измерения.

В этой работе были выполнены три этапа проектирования сенсора: во-первых, изготовление и определение характеристик подошвы SRE, REFET и мочевино-EnFET. Затем модификации крутизны совпадают для устройств, и последним шагом была оценка характеристик датчиков с несимметричными и двусторонними дифференциальными комбинациями на основе как стеклянного электрода сравнения Ag / AgCl (GRE), так и QRE. Nafion ™ использовался в качестве общей поддерживающей матрицы для иммобилизации функциональных материалов – уреазы и фоторезиста – для изготовления EnFET, SRE и REFET.Также были исследованы реакция на мочевину, время отклика, время хранения и электрические свойства датчиков.

2. Экспериментальная часть

2.1. Приготовление реагента

Пять (5) мас.% Растворов Nafion ™ были получены от DuPont, а буферные растворы pH были приобретены у RDH (Франкфурт, Германия). Фоторезист (FH6400) был получен в Центре нанотехнологий Национального университета Цзяо Дун. Уреазу (EC 3.5.1.5, 5 Ед / мг, лиофилизированная) покупали в Merck. Мочевина [CO (NH ₂) ₂, Merck] и все другие реагенты были аналитической чистоты.Раствор фосфатного буфера (PBS) готовили с деионизированной водой. Исследуемые растворы мочевины были приготовлены путем смешивания мочевины с PBS, и их концентрации составляли 1,25, 10, 40, 80, 120 и 240 мг / дл соответственно.

2.2. Изготовление ISFET и подготовка мембраны

ISFET с затвором ZrO ₂ были изготовлены методом MOSFET. Пленка ZrO ₂ толщиной 30 нм была нанесена на полупроводниковый транзистор SiO ₂ с затвором путем распыления на постоянном токе. Общее давление распыления составляло 20 мТорр в газовой смеси Ar и O ₂ в течение 200 минут, в то время как базовое давление составляло 3 × 10 ^– ⁶ Торр, а ВЧ-мощность составляла 200 Вт.Квазиэлектрод сравнения (QRE) был изготовлен методом напыления Ti / Pd с толщиной 150 150/350. Подробные технологические процессы и характеристики чувствительности, линейности и дрейфа ZrO ₂ ISFET были представлены в [27]. ISFET с затвором ZrO ₂ показал высокую чувствительность к pH 57,5 мВ / pH. Мембраны твердотельных электродов сравнения (SRE) и EnFET были изготовлены с фоторезистом и уреазой, заключенными в поддерживающую матрицу Nafion ™. показаны принципиальные схемы ISFET, EnFET и REFET.

Принципиальные схемы (а) ISFET (б) EnFET и REFET.

В случае изготовления SRE фоторезист был смешан с Nafion ™ в соотношении 1: 1, а затем нанесен капля на верх QRE и высушен на воздухе в течение 24 часов. Аналогичный процесс был использован для изготовления REFET путем нанесения смеси на верхнюю часть ISFET; три соотношения фоторезист / Nafion ™ 1: 1, 3: 1 и 5: 1 были приготовлены для теста REFETs. Для EnFET ферментные слои были приготовлены путем смешивания раствора уреазы (10 мг уреазы в 100 мкл 5 мМ PBS) с раствором Nafion ™ (100 мкл Nafion ™ в 100 мкл 5 мМ PBS) в соотношении 1: 1, 5: 1 и 20: 1, затем нанесение их на верхнюю часть области затвора ISFET методом капельного покрытия и сушка на воздухе в течение 24 часов.Чтобы получить постоянную толщину мембраны, тщательно контролировали объем капель.

2.3. Упаковка и размеры

показывает комбинации измерительных систем EnFET. Контейнер, закрывающий область затвора ENFET, скреплен эпоксидной смолой. Анализатор параметров полупроводников HP4156A использовался для исследования и сбора электрических данных. Кривые I _DS -V _GS для EnFET были получены при постоянном напряжении сток-исток V _DS = 2 В, когда устройства были пропитаны 10 мМ буферным раствором PBS с pH = 6.Поскольку продукты гидролиза мочевины могут максимально подщелачиваться до pH 9, установленное начальное значение pH должно охватывать диапазон оптимальной активности уреазы (pH 7,0 ~ 7,5). Между тем, согласно отчету [3], более высокое начальное значение pH буфера приводит к уменьшению амплитуды аналитического сигнала, поэтому, соответственно, начальный pH в этом эксперименте был установлен на pH 6.0. В качестве стандартного электрода сравнения промышленный стеклянный электрод сравнения Ag / AgCl был подключен к источнику напряжения затвора, чтобы обеспечить стабильный потенциал смещения для работы устройства.Во избежание влияния света измерения проводились в темном боксе. Во время измерений устройства хранили в сухом месте при 4 ° C в темноте.

Тестовые структуры: (а) несимметричные (б) двусторонние дифференциальные пары.

3. Результаты и обсуждение

показывает I _DS -V _GS и кривые крутизны ZrO ₂ ISFET с затвором и без покрытия Nafion ™. Результат показывает, что их кривизна идентична, что описывает электрические свойства Nafion ™.Отношения I-V и g _m ISFET, работающих в линейной области, можно описать следующим образом:

IDS = 12Cov μ (WL) [(VGS − Vth) VDS − 12VDS2]

(4)

gm = ∂IDS∂VGS | VDS = cons tan t = 12Cov μ (WL) VDS

(5)

, где C _OV представляет собой общую емкость последующих слоев на чувствительной области, μ представляет подвижность электронов устройства и (W / L) представляет геометрическое отношение затвора. Согласно уравнениям (4) и (5), поскольку устройства были изготовлены с одинаковыми размерами, материалом и техпроцессом, аналогичные изгибы представляют собой тот факт, что дополнительная мембрана Nafion ™ не изменила общую емкость слоев затвора.

I _DS -V _GS и кривые крутизны (gm) ZrO _{2 ISFET затворов} с покрытием Nafion ™ и без него.

Способ визуализации электрических свойств мембраны состоит в использовании простого представления эквивалентной схемы, как показано в [28]. R _CT обозначает резистор переноса заряда, а C _D обозначает двухслойный и мембранный конденсатор. Если резистор очень высокий, конденсатор заряжается до значения разности потенциалов, установленного источником.

Эквивалентная схема (а) идеально поляризуемого интерфейса и (б) идеально неполяризуемого интерфейса.

Это поведение поляризуемого (блокирующего ионы) интерфейса. Поляризовать интерфейс означает изменить разность потенциалов на нем. Напротив, если сопротивление параллельно конденсатору низкое, то любая попытка изменить разность потенциалов на конденсаторе компенсируется утечкой заряда через цепь с низким сопротивлением. Это поведение неполяризуемого (ионного разблокирования) интерфейса.Обладая высокой проводимостью и низким влиянием на общую емкость, мембрана Nafion ™ блокирует ионы и подходит в качестве поддерживающего материала

и демонстрирует характеристики и характеристики изготовленного уреаза-EnFET, измеренные со стандартным Ag / AgCl GRE. Концентрация фосфатного буферного раствора составляла 10 мМ, а исследуемые концентрации мочевины составляли от 1,25 мг / дл до 240 мг / дл. Характеристики отклика зависят не только от количества захваченной уреазы, но и от начального pH, буферной емкости окружающей среды и ионной силы растворов, а также от площади поверхности, пористости и физических характеристик как фермента, так и вспомогательного материала.

Ответы мочевины уреаза-EnFET с различным соотношением захваченных уреазой dL на метке оси.

Таблица 1.

Реакции на мочевину и характеристики биосенсоров с одной уреазой с различным соотношением захваченной уреазы.

Рабочая температура: 25 ° C
Раствор уреазы: раствор нафиона	Предел обнаружения (мг / дл)	Диапазон чувствительности 2 Диапазон измерения 2 Чувствительность (мВ / мг / дл)	Срок службы	Время отклика (сек)

1: 1	Недоступно	Недоступно	Недоступно	Недоступно	Недоступно
5: 1	8	8∼240	0.64	> 7 дней	25∼60
20: 1	1,25	1,25∼240	1,33	<30 мин	Недоступно

Результаты показывают, что чувствительность к мочевине был пропорционален количеству уреазы, захваченной мембраной. Меньшее количество уреазы, захваченной мембраной, ухудшит способность обнаружения мочевины. С другой стороны, хотя чувствительность и пределы обнаружения были увеличены при высокой загрузке фермента, срок службы устройства был ограничен из-за утечки фермента.Процесс захвата или удержание фермента мембраной может быть чисто физическим заключением в клетку или включать ковалентное связывание. Повышение способности к химическому связыванию может увеличить загрузку фермента и достичь более высокой чувствительности. В дополнение к рассмотрению объемной площади поверхности, доступной ферменту, которая определяет максимальную связывающую способность, другое соображение заключалось в том, что природа вспомогательного материала могла иметь значительное влияние на выраженную активность фермента и кажущуюся кинетику.В этом эксперименте датчик с соотношением уреаза / нафион 5: 1 успешно выполнил обнаружение, и ответы по мочевине были от 12,9 мВ до 198,1 мВ для концентраций мочевины от 8 мг / дл до 240 мг / дл. Он продемонстрировал приемлемую способность обнаружения, время отклика и срок службы.

Биосенсор уреазы на основе pH-ISFET обнаруживает изменение pH вокруг поверхности затвора в результате того, что уреаза катализирует гидролиз мочевины в соответствии с реакцией:

(Nh3) 2CO + 3h3O → уреазаHCO3− + 2Nh5 ++ OH−

(6)

Согласно [29], механизмы, участвующие в реакции сенсоров pH на основе ферментов, включают кинетику реакции биологических веществ. процессы распознавания и массовый транспорт.В установившемся состоянии будет достигнут баланс между скоростями массового транспорта мочевины из основного раствора к уреазной мембране, производством или потреблением ионов водорода уреазной мембраной и их транспортировкой, что приведет к стабильному локальному изменению pH в область мембраны. Затем мы можем ожидать изменения поверхностной концентрации H ⁺ как следствие изменения потенциала ISFET, и поэтому концентрация мочевины измеряется косвенно.С другой стороны, на биосенсоры с косвенным измерением также влияют буферная емкость окружающей среды и ионная сила, которые регулируются многими факторами, такими как концентрация, константа диссоциации и ионный заряд электролита. Например, увеличение концентрации фосфатного буферного раствора приведет к снижению чувствительности EnFET и изменению линейной части калибровочной кривой, как описано в [3,30].

показывает, что время отклика всех тестов было в пределах 25 секунд.Время отклика EnFET зависит от диффузии ионов водорода, буферной емкости системы, свойств и толщины мембраны.

(a) Ответ мочевины GRE / EnFET (b) Характеристики хранения и воспроизводимости GRE / EnFET dL на метке оси.

В этом эксперименте мембраны были изготовлены методом нанесения капельного покрытия, а толщина мембран была оценена как 15 мкм, но не стандартизована. Мембраны были толстыми; однако время отклика было коротким для всех тестов, что отражало пористость и свойство разблокировки ионов мембран с Nafion ™ в качестве поддерживающей матрицы.По сравнению с типичным временем отклика 0,5 ~ 3 минуты. [30], этот результат продемонстрировал характеристики быстрого отклика предложенного EnFET. Характеристики хранения и воспроизводимости предложенных EnFET показаны на и.

Таблица 2.

Характеристики хранения и воспроизводимости GRE / EnFET.

Хранится при 4 ° C в темноте
Концентрация мочевины (мг / дл)	Отклик сенсора (мВ)	Отклик сенсора (мВ через 1 неделю)	Стабильность при хранении (% отклика датчика)

1.25	12,9	8,8	68%
10	50,7	23	45%
40	97,1	104,6	92%
92%
118,7	99%
120	141,4	137,6	97%
240	1988,1	183,6	93%

результаты показывают хорошая повторяемость и длительный срок хранения.показывает электрические кривые, измеренные с помощью GRE. Максимальные g _m ISFET и EnFET составляли 38 и 27,9 мА / В соответственно. Для REFET они составляли 27,7, 19,2 и 10,7 мА / В для различных соотношений фоторезист / Nafion ™ 1: 1, 3: 1 и 5: 1. Среди устройств были сопоставлены кривые EnFET и REFET с соотношением фоторезист / Nafion ™ 1: 1. В принципе, крутизна в основном определяется подвижностью электронов, геометрией затвора и эффективной диэлектрической емкостью чувствительного слоя.В этом эксперименте все устройства были построены на идентичных ISFET, поэтому их подвижность электронов и геометрия затвора были идентичны. Соответственно, разные кривые g _m изменились из-за изменения емкости, вызванного дополнительной мембраной. Поскольку оба типа мембран включают аналогичную концепцию комбинирования проводящих и изолированных материалов для достижения неполяризуемых интерфейсов, следовательно, можно изменить общую проводимость и емкость, чтобы обеспечить электрическое соответствие полевых транзисторов, регулируя их состав и толщину, и т. Д.

Кривые g _m ISFET, EnFET и REFET.

Результат особенно важен для биосенсоров с конструкцией дифференциального считывания. Большинство биосенсоров иммобилизуют биоматериалы с помощью химического, физического или смешанного подхода, и сенсорные мембраны, изготовленные любым способом, безусловно, изменяют исходные электрические свойства. Аналогичным образом было изготовление REFET. Несогласованные входные пары крутизны могут вызвать множество проблем, таких как ухудшение CMRR, смещения постоянного тока ограничивают линейные динамические диапазоны, низкое усиление напряжения и нелинейные проблемы, и т. Д. Для решения этих проблем необходимы дополнительные компоненты и сложная конструкция схем и геометрии устройств, что увеличивает сложность считывающей электроники. Тем не менее, не все проблемы, вызванные несоответствием, могут быть преодолены. Во многих предлагаемых новых схемах дифференциального считывания предполагались идентичные электрические свойства пары био-полевые / REFET-транзисторы [18,31]; Другими словами, предыдущие конструкции устройств для электрического согласования могут снизить нагрузку на схемы.Следовательно, необходимо учитывать соответствие g _m конструкции устройств. Кривые на диаграмме показывают результаты разработанных REFET с соотношением фоторезист / Nafion ™ 1: 1, 3: 1 и 5: 1, соответственно. Он показывает, что кривая REFET с соотношением фоторезист / Nafion ™ 1: 1 может соответствовать кривой EnFET в диапазоне V _GS -V _TH = 0 ~ 1,3 В, что обеспечивает широкий диапазон и больше g _m выбор для соображений проектирования схем считывания. Напротив, другие дифференциальные пары EnFET / REFET совпадают только в V _GS -V _TH = 0∼0.2 В, в области так называемой слабой инверсии. В результате чувствительность устройства была относительно низкой, а динамический рабочий диапазон был ограничен.

показывает ответы мочевины комбинаций GRE / EnFET, SRE / EnFET, GRE / EnFET / REFET, QRE / EnFET / REFET и SRE / REFET в этом эксперименте. Нулевой отклик на мочевину SRE / REFET продемонстрировал его способность быть эталонной системой биосенсора. Поскольку REFET, покрытые неполяризованной мембраной, по-прежнему обладают ограниченной чувствительностью к мочевине около 0,01 мВ / мг / дл, GRE / EnFET / REFET и GRE / EnFET имеют схожие характеристики, за исключением того, что чувствительность к мочевине была немного ниже для двухконцевой пары.Тем не менее, он продемонстрировал, что изготовленные REFET пригодны для использования в качестве эталонной системы. С другой стороны, SRE / EnFET имеет простейшую структуру на кристалле с простыми односторонними схемами считывания. В этой работе был предложен альтернативный метод изготовления электродов сравнения путем нанесения ионно-нечувствительных, но не блокирующих ионов слоев поверх контактного металла. Этот метод подавляет разность потенциалов твердое тело / жидкость и обеспечивает относительно стабильный опорный потенциал. Тем не менее, результат обнаруживает один главный недостаток в том, что чувствительность сильно ухудшилась.Сравнивая комбинации, пара на кристалле QRE / EnFET / REFET согласования крутизны с двусторонними схемами дифференциального считывания продемонстрировала сопоставимые характеристики с GRE / EnFET и GRE / EnFET / REFET. Между тем срок их хранения составил более 1 недели. Результаты показывают, что миниатюризация практических биосенсоров на основе ISFET может быть реализована.

Ответ мочевины тестовых структур GRE / EnFET, SRE / EnFET, GRE / EnFET / REFET, QRE / EnFET / REFET и SRE / REFET dL в метке оси.

4.Выводы

Исследованы разработанные биосенсоры согласования по крутизне проводимости с твердотельными системами сравнения для электроники дифференциального считывания. Использование Nafion ™ в качестве поддерживающей матрицы обеспечило преимущество в виде низкого начального сопротивления переносу заряда. Таким образом, улавливание материалов, блокирующих ионы, таких как уреаза и фоторезист, может осуществляться без изменения свойства неполяризуемости сенсорной мембраны для EnFET и REFET. Между тем, путем модификации мембран REFET и EnFET можно определить оптимальное соответствие крутизны для пар биосенсора и REFET.Такие пары могут быть легко интегрированы в кристалл благодаря необходимой простой считывающей электронике и способны получать биологические отклики, сравнимые с таковыми у обычных дискретных датчиков большого размера.

Благодарности

Авторы хотели бы поблагодарить Национальный научный совет Китайской Республики, Тайвань, за финансовую поддержку этого исследования в соответствии с контрактом №. НСК-94-2215-Е-009-012.

Ссылки

1. Ковингтон А.К., Вальдес-Перезгасга Ф., Уикс П.A., Brown A.H. pH ISFET для внутримиокардиального мониторинга pH у человека. Analusis. 1993; 21: 43–46. [Google Scholar] 2. Осака Т., Комаба С., Сеяма М., Танабе К. Высокочувствительный датчик мочевины на основе композитной пленки электроактивного полипиррола с полиионным комплексом. Sens. Actuat. B-Chem. 1996. 35–36: 463–469. [Google Scholar] 3. Пияновска Д.Г., Торбич В. Биосенсор мочевины на основе pH-ISFET. Sens. Actuat. B – Chem. 1997. 44: 370–376. [Google Scholar] 4. Puig-Lleixa C., Jimenez C., Alonso J., Bartroli J. Полиуретан-акрилатная фотоотверждаемая полимерная мембрана для биосенсоров мочевины на основе ионно-чувствительных полевых транзисторов.Анальный. Chimica Acta. 1999; 389: 179–188. [Google Scholar] 5. Солдаткин А.П., Монториол Дж., Сант В., Мартелет К., Яффрезик-Рено Н. Новый чувствительный к мочевине биосенсор с расширенным динамическим диапазоном на основе рекомбинантной уреазы и ISFET. Биосенс. Биоэлектрон. 2003. 19: 131–135. [PubMed] [Google Scholar] 6. Яффрезик-Рено Н., Ван К., Сениллоу А., Човелон Дж. М., Мартелет С. Разработка новых полимерных мембран для ENFET для биомедицинских и экологических приложений. Analusis. 1999; 27: 578–586. [Google Scholar] 7.Евтугын Г.А., Будников Х.С., Никольскава Е.Б. Чувствительность и селективность электрохимических сенсоров ферментов для определения ингибиторов. Таланта. 1998. 46: 465–484. [PubMed] [Google Scholar] 8. Джерард М., Чауби А., Малхотра Б.Д. Применение токопроводящих полимеров в биосенсорах. Биосенс. Биоэлектрон. 2002. 17: 345–359. [PubMed] [Google Scholar] 9. Кинлен П.Дж., Хейдер Дж.Э., Хаббард Д. Твердотельный датчик pH на основе индикаторного электрода из оксида иридия с покрытием из нафиона и электрода сравнения из хлористого серебра на полимерной основе.Sens. Actuat. Б. 1994; 22: 13–25. [Google Scholar] 10. Волотовский В., Нам Ю. Дж., Ким Н. Биосенсор на основе уреазы для определения ионов ртути. Sens. Actuat. Б. 1997. 42: 233–237. [Google Scholar] 11. Чанг К.М., Чанг К.Т., Чао К.Ю., Чен Дж.Л. Разработка электродов сравнения типа полевых транзисторов для pH-ISFET приложений. J. Electrochem. Soc. 2010; 157: J143 – J148. [Google Scholar] 12. Соне Й., Экдунге П., Симонссон Д. Протонная проводимость Нафиона 117, измеренная четырехэлектродным методом импеданса переменного тока. J. Electrochem.Soc. 1996; 143: 1254–1259. [Google Scholar] 13. Бергвельд П. Разработка ионно-чувствительного твердотельного прибора для нейрофизиологических измерений. IEEE Trans. Биомед. BME. 1970; 17: 70–71. [PubMed] [Google Scholar] 14. Janata J., Huber R.J. Ионно-чувствительные полевые транзисторы. Ион-сел. Электрод Ред. 1979; 1: 31–79. [Google Scholar] 15. Равецци Л., Кончи П. Датчик ISFET в сочетании со схемной микросистемой считывания КМОП. Электрон. Lett. 1998; 34: 2234–2235. [Google Scholar] 16. Ханна В.К., Кумар А., Джайн Ю.К., Ахмад С. Разработка и разработка нового биосенсора глюкозы на основе pH-ISFET (ионно-чувствительный полевой транзистор) с высокой крутизной проводимости. Int. J. Electron. 2006; 93: 81–96. [Google Scholar] 17. Роше В., Човелон Дж. М., Яффрезик-Рено Н., Крос Ю., Бирот Д. Оксинитрид ISFET, модифицированный для работы в дифференциальном режиме для определения pH. J. Electrochem. Soc. 1994; 141: 535–539. [Google Scholar] 18. Равецци Л., Стоппа Д., Корра М., Сончини Г., Далла Бетта Ф., Лоренцелли Л. КМОП ASIC для дифференциального считывания датчиков ISFET.Электрон. Схемы. Syst. 2001; 3: 1513–1516. [Google Scholar] 19. Хаммонд П.А., Али Д., Камминг Д.Р.С. Конструкция однокристального датчика pH с использованием обычного процесса КМОП размером 0,6 мкм. IEEE Sens. J. 2004; 4: 706–712. [Google Scholar] 20. Сузуки Х., Хиракава Т., Сасаки С., Карубе И. Микрообработанный электрод сравнения Ag / AgCl с жидкостным переходом. Sens. Actuat. Б. 1998. 46: 146–154. [Google Scholar] 21. Шимада К., Яно М., Шибатани К., Комото Ю., Эсаши М., Мацуо Т. Применение ISFET на кончике катетера для непрерывного измерения in vivo .Med. Биол. Англ. Comput. 1980; 18: 741–745. [PubMed] [Google Scholar] 22. Смит Р.Л., Скотт Д.К. Твердотельный миниатюрный электрод сравнения. Материалы симпозиума IEEE / VSF по биосенсорам; Лос-Анджелес, Калифорния, США. 15-17 сентября 1984 г .; С. 61–62. [Google Scholar] 23. Хуан И.Ю., Хуан Р.С. Изготовление и определение характеристик нового плоского твердотельного электрода сравнения для датчиков ISFET. Тонкие твердые пленки. 2002; 406: 255–261. [Google Scholar] 24. Маминская Р., Дыбко А., Вроблевский В. Полностью твердотельные миниатюрные плоские электроды сравнения на основе ионных жидкостей.Sens. Actuat. Б. 2006. 115: 552–557. [Google Scholar] 25. Сузуки Х., Хирацука А., Сасаки С., Карубе И. Проблемы, связанные с тонкопленочным электродом сравнения Ag / AgCl и новой структурой с улучшенной долговечностью. Sens. Actuat. Б. 1998. 46: 104–113. [Google Scholar] 26. Сузуки Х., Одзава Х., Сасаки С., Карубе И. Новая тонкопленочная анодная структура Ag / AgCl для микроизготовленных кислородных электродов типа Кларка. Sens. Actuat. Б. 1998. 53: 140–146. [Google Scholar] 27. Чанг К.М., Чао К.Ю., Чжоу Т.В., Чанг К.Т. Характеристики затворных ионно-чувствительных полевых транзисторов из оксида циркония. Jpn. J. Appl. Phys. 2007. 46: 4333–4337. [Google Scholar] 28. Граттарола М., Массобрио Г. Справочник по биоэлектронике: полевые МОП-транзисторы, биосенсоры и нейроны. Макгроу-Хилл; Нью-Йорк, Нью-Йорк, США: 1998. [Google Scholar] 29. van der Schoot B.H., Bergveld P. энзимные сенсоры на основе ISFET. Биосенсоры. 1988. 3: 161–186. [PubMed] [Google Scholar] 30. Бубряк О.А., Солдаткин А.П., Стародуб Н.Ф., Сандровский А.К., Эльская А.К. Определение мочевины в сыворотке крови уреазным биосенсором на основе ионно-чувствительного полевого транзистора.Sens. Actuat. Б. 1995. 26: 429–431. [Google Scholar] 31. Моргенштейн А., Судаков-Борейша Л., Диннар Ю., Якосон С. Г., Немировский Ю. Схемы считывания КМОП микросистем ISFET. Sens. Actuat. Б. 2004. 97: 122–131. [Google Scholar]

Проверка принципа работы биосенсора на полевом нано-транзисторе с электродом с расширенным затвором

Шёнинг М.Дж. и Погосян А. Последние достижения в области биологически чувствительных полевых транзисторов (Bio-FETs). Аналитик 127 , 1137–1151 (2002).

Артикул Google Scholar

Стар, А., Гарбриэль, Дж. П., Брэдли, К. и Грюнер, Г. Электронное определение связывания специфических белков с использованием устройств на полевых транзисторах с нанотрубками. Nano Lett. 3 , 459–463 (2003).

CAS Статья Google Scholar

Ли, К.-С., Ким, С.К. И Ким, М. Ионно-чувствительный полевой транзистор для биологического зондирования. Датчики 9 , 7111–7131 (2009).

CAS Статья Google Scholar

Пачаури В. и Ингебрандт С. Биологически чувствительные полевые транзисторы: от ISFET до NanoFET. Очерки Biochem. 60 , 81–90 (2016).

Артикул Google Scholar

Кайсти, М. Принципы обнаружения биологических и химических датчиков на полевых транзисторах. Biosens. Биоэлектрон. 98 , 437–448. (2017).

CAS Статья Google Scholar

Lowe, B.M., Sun, K., Zeimpekis, I., Skylaris, C. & Green, N.G. Датчики полевого эффекта – от измерения pH до биочувствительности: повышение чувствительности с использованием стрептавидин-биотина в качестве модельной системы. Аналитик 142 , 4173–4200 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Vu, C. & Chen, W. Биосенсоры на полевых транзисторах для биомедицинских приложений: последние достижения и перспективы на будущее. Датчики 19 , 4214 (2019).

CAS Статья Google Scholar

Park, S., Kim, M., Kim, D., Kang, S.H., Lee, K.H. & Jeong, Y. Регулирование межфазного заряда слоев, блокирующих белок в транзисторном биосенсоре для прямого измерения в сыворотке. Biosens. Биоэлектрон. 147 , 111737 (2020).

CAS Статья Google Scholar

Batista, P.D. & Mulato, M. Полевой транзистор ZnO с расширенным затвором в качестве датчиков pH. Заявл. Phys. Lett. 87 , 143508 (2005).

Артикул Google Scholar

10.

Года, Т. и Мияхара, Ю. Биосенсирование белков без этикеток и реагентов с использованием модифицированного аптамером полевого транзистора с расширенным затвором. Biosens. Биоэлектрон. 45 , 89–94 (2013).

CAS Статья Google Scholar

11.

Das, A., Ko, DH, Chen, C.-H., Chang, L.-B., Lai, C.-S., Chu, F.-C., Chow, L . & Лин Р.-М. Высокочувствительные полевые транзисторы с удлиненным затвором из тонкопленочного оксида палладия в качестве датчика pH. Sens. Actuators, B. 205 , 199–205 (2014).

CAS Статья Google Scholar

12.

Гуань, В., Дуань, X. и Рид, Р.А. Высокоспецифическое и чувствительное неферментативное определение мочевой кислоты в сыворотке и моче с помощью полевых транзисторных датчиков с расширенным затвором. Biosens. Биоэлектрон. 51 , 225–231 (2014).

CAS Статья Google Scholar

13.

Минамики, Т., Минами, Т., Курита, Р., Нива, О., Вакида, С., Фукуда, К., Кумаки, Д. и Токито, С. Иммуносенсор без маркировки для IgG на основе органического полевого транзистора с расширенным затвором. Материалы 7 , 6843–6852 (2014).

Артикул Google Scholar

14.

Чин, Ю.Л., Чоу, Дж.-К., Сун, Т.-П., Ляо, Х.-К., Чунг, В.-Й. И Сюн, С.-К. Новый датчик pH ISFET с дискретным затвором на основе SnO2 / Al со стандартным процессом CMOS. Sens. Actuators, B. 75 , 36–42 (2001).

CAS Статья Google Scholar

15.

Инь, Л.Т., Чжоу, Дж. К., Чунг, В. Ю., Сунь, Т. П., и Сюн, С. К. Исследование тонкой пленки оксида индия и олова для ISFET с разделительным затвором. Mater. Chem. Phys. 70 , 12–16 (2001).

CAS Статья Google Scholar

16.

Нгуен Т.Н.Т., Сеол Ю.Г., Ли Н.Э. Органический полевой транзистор с расширенной структурой затвора из оксида индия и олова для селективного измерения pH. Org. Электрон. 12 , 1815–1821 (2011).

CAS Статья Google Scholar

17.

Редди, Б., Дорвел, Б.Р., Го, Дж., Наир, П.Р., Элибол, О.Х., Кредо, Г.М. Дэниелс, Дж. С., Чоу, E.K.C., Су, X., Варма, М., Алам, М.А. и Башир, Р. Диэлектрические датчики с полевым эффектом из диэлектрика Al2O3 и нанопластинкой High-k для улучшенного определения pH. Biomed. Микроустройства 13 , 335–344 (2011).

CAS Статья Google Scholar

18.

Sun, K., Zeimpekis, I., Hu, C., Ditshego, NMJ, Thomas, O., Planque, MRR, Chong, HMH, Morgan, H. & Ashburn, P. Влияние подпорогового наклона на чувствительность датчики на основе нанолент. Нанотехнологии 27 , 285501 (2016).

CAS Статья Google Scholar

19.

Minot, E.D., Janssens, A.M. & Хеллер, И. Биосенсоры из углеродных нанотрубок: решающая роль электрода сравнения. Заявл.Phys. Lett. 91 , 093507 (2007).

Артикул Google Scholar

20.

Seo, Y.-T., Lee, K.-N., Jang, K.J., Lee, M.-H., Lee, H.S., Seong, W.K. И Ким, Ю.-К. Детектирование отрицательных ионов в воздухе с помощью полевого нано-транзистора (nanoFET). Micro Nano Sys. Lett. 2 , 7 (2014).

Артикул Google Scholar

21.

Ли К.-N., Seo, Y.-T., Kim, Y.-K., Yoon, S., Lee, M.-H. И Сон, W.K. Обнаружение ионов в воздухе с помощью полевого нанотранзистора (nanoFET). Microelectron. Англ. 158 , 75–79 (2016).

CAS Статья Google Scholar

22.

Ли, К.-Н., Со, Ю.-Т., Юн, С., Ли, М.-Х., Ким, Ю.-К. И Сеонг, W.K. Эксперимент по химическому стробированию датчика с нанополевым транзистором, использующий обнаружение отрицательных ионов в воздухе. Sens. Приводы, B 236 , 654–658 (2016).

CAS Статья Google Scholar

23.

Кан, Х.-Л., Юн, Су., Хонг, Д.-К., Ким, В.-Х., Сон, В.К. И Ли, К.-Н. ВАХ гистерезисных характеристик датчика на полевом нанополевом транзисторе (nanoFET) с плавающим металлическим электродом затвора, Microelectron. Англ. 213 , 35–40. (2019).

CAS Статья Google Scholar

Переходные полевые транзисторы (JFET) Рабочий лист

Пусть сами электроны дадут вам ответы на ваши собственные «практические проблемы»!

Примечания:

По моему опыту, студентам требуется много практики с анализом цепей, чтобы стать профессионалом.С этой целью инструкторы обычно предоставляют своим ученикам множество практических задач, над которыми нужно работать, и дают ученикам ответы, с которыми они могут проверить свою работу. Хотя такой подход позволяет студентам овладеть теорией схем, он не дает им полноценного образования.

Студентам нужна не только математическая практика. Им также нужны настоящие практические схемы построения схем и использование испытательного оборудования. Итак, я предлагаю следующий альтернативный подход: ученики должны построить своих собственных «практических задач» с реальными компонентами и попытаться математически предсказать различные значения напряжения и тока.Таким образом, математическая теория «оживает», и учащиеся получают практические навыки, которых они не приобрели бы, просто решая уравнения.

Еще одна причина для следования этому методу практики – научить студентов научному методу : процессу проверки гипотезы (в данном случае математических предсказаний) путем проведения реального эксперимента. Студенты также разовьют реальные навыки поиска и устранения неисправностей, поскольку они время от времени допускают ошибки при построении схем.

Выделите несколько минут времени со своим классом, чтобы ознакомиться с некоторыми «правилами» построения схем, прежде чем они начнутся.Обсудите эти проблемы со своими учениками в той же сократической манере, в которой вы обычно обсуждаете вопросы рабочего листа, вместо того, чтобы просто говорить им, что они должны и не должны делать. Я никогда не перестаю удивляться тому, насколько плохо студенты понимают инструкции, представленные в типичном формате лекции (монолог инструктора)!

Примечание для тех инструкторов, которые могут жаловаться на «потраченное впустую» время, необходимое ученикам для построения реальных схем вместо того, чтобы просто математически анализировать теоретические схемы:

Какова цель студентов, посещающих ваш курс?

Если ваши ученики будут работать с реальными схемами, им следует по возможности учиться на реальных схемах.Если ваша цель – обучить физиков-теоретиков, то во что бы то ни стало придерживайтесь абстрактного анализа! Но большинство из нас планируют, чтобы наши ученики что-то делали в реальном мире с образованием, которое мы им даем. «Потраченное впустую» время, потраченное на создание реальных схем, принесет огромные дивиденды, когда им придет время применить свои знания для решения практических задач.

Кроме того, если студенты создают свои собственные практические задачи, они учатся выполнять первичных исследования , тем самым давая им возможность продолжить свое образование в области электротехники / электроники в автономном режиме.

В большинстве наук реалистичные эксперименты намного сложнее и дороже, чем электрические схемы. Профессора ядерной физики, биологии, геологии и химии хотели бы, чтобы их ученики применяли высшую математику в реальных экспериментах, не представляющих опасности для безопасности и стоивших меньше, чем учебник. Они не могут, но вы можете. Воспользуйтесь удобством, присущим вашей науке, и заставьте своих учеников практиковать математику на множестве реальных схем!

Схемы и системы для обнаружения ДНК с помощью ионно-чувствительного полевого транзистора

Резюме:

В этой диссертации, после обзора современных технологий секвенирования и генотипирования, основное внимание уделяется полупроводниковым системам с использованием pH. изменение для обнаружения ДНК (дезоксирибонуклеиновой кислоты) ионно-чувствительными транзисторами с эффектом поля (ISFET).Точность и пропускная способность, помимо стоимости, являются ключевыми проблемами в этих системах, которые отражаются на их соотношении сигнал / шум. и возможность обрабатывать огромные данные измерений на низких уровнях для базовых вызовов. Представлены модели поведения сигнала, подтвержденные обзором литературы. ISFET были исследованы на предмет их размера и формы (однопластинчатый против сетки и квадратный против восьмиугольного). Более полная формула и методология проектирования (для подавления изменений процесса и дрейфа сигнала) были предоставлены для работы ISFET, включая эффект связи.Результаты экспериментов на 8 штампах по 15 устройств в каждой показали зависимость паразитной развязки от периметра зоны зондирования. Для улучшения связи ISFET была предложена структура буферного экрана. Кроме того, на основе анализа дрейфа ISFET рекомендуется измерение тока смещающего электрода сравнения для мониторинга / прогнозирования направления дрейфа. Учитывая два основных применения секвенирования и генотипирования, были предложены новые конфигурации считывания для улучшения обработки сигналов на кристалле.Кусочно-линейная аппроксимация (PLA) и нечувствительный к температуре непрерывный ΔpH в цифровой преобразователь (TICTC), бороться с ISFET и температурной зависимостью. TICTC был разработан для разрешения 0,015pH, легко масштабируется и зависит только от относительного соотношения сторон его текущих зеркал. Его динамический диапазон не ограничен, несмотря на работу со слабой инверсией. Для очень крупномасштабных решеток секвенирования было предложено устранение синфазного шума с помощью обратного затвора. Это позволяет на кристалле подавлять фоновый шум в микросхемах секвенирования, снижая нагрузку обработки на низком уровне.Кроме того, было разработано считывание на основе псевдоинвертора, которое может позволить улучшить разрешение преобразования путем сравнения в текущем режиме и косвенной обратной связи с затвором ISFET.

Физика и технология ионно-чувствительного полевого транзистора

Аннотация

Мы разрабатываем новую математическую формулировку для описания физики интерфейса электролит-изолятор (E-I) блокирующего ионно-чувствительного полевого транзистора (ISFET).+) в электролите, и кинетика захвата-захвата описывается уравнениями скорости Шокли-Рида-Холла (SRH). В то время как равновесное, установившееся решение уравнений SRH сводится к обычному результату модели привязки к сайту, неравновесные решения обеспечивают теоретическую основу для дальнейших экспериментов, которые измеряют, например, проводимость ловушки на границе раздела и переходную оптически возбужденную реакцию. Численные расчеты показывают, что эффекты второго порядка (конечная ширина пространственного заряда, адсорбция противоионов, заряд инверсионного слоя) существенно влияют на межфазный потенциал ЭУ в зависимости от характеристик pH поверхностей с низкой плотностью центров и ограничивают преимущество использования поверхности с низкой плотностью центров для эталонного ISFET. .Ионная имплантация используется для экспериментального изменения природы и плотности участков поверхности. Наблюдается изменение pH-чувствительности нитрида кремния за счет имплантатов из бора с большой дозой и низкой энергией. Датчик pH ISFET, интегрированный с операционными усилителями CMOS, спроектирован, изготовлен и испытан. Датчик ISFET сначала согласовывается с MOSFET на дифференциальном входном каскаде КМОП-операционного усилителя (так называемый «ISFET-операционный усилитель»), чтобы нейтрализовать температурную чувствительность.Затем выходной сигнал ISFET-операционного усилителя с затвором Ta_2O _5 / SiO_2 (58-59 мВ / pH) ISFET дифференциально усиливается по сравнению с выходом другого встроенного ISFET-операционного усилителя с SiO_ {rm x } N _ {rm y} / Si _3N_4 / SiO _2 затвор ISFET (18-20 мВ / pH). Противоэлектрод из благородного металла на кристалле служит электрическим контактом для определения электрического потенциала электролита. Внешний электрод сравнения не требуется. CMOS-совместимый процесс ISFET является модификацией стандартного CMOS-процесса с самовыравнивающимся поликремниевым затвором с минимальной переработкой процесса.Стандартная последовательность CMOS остается неизменной, пока не откроются контактные окна.