Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ внСшний Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ для всСх iOS-устройств, совмСстим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 Π΄ΠΎ 24:00 ΠΏΠ½-ΠΏΡ‚ | c 10:00 Π΄ΠΎ 18:00 сб
0 Comments

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π’ΠΎΠΊ для Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ: высокоуровнСвый ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ V/I

28 июня 2019

тСлСкоммуникациисистСмы бСзопасностиавтоматизацияотвСтствСнныС примСнСнияTexas InstrumentsΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ микросхСмысрСдства Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹

Коллин ВСллс, Дэвид Π§Π°Π½ (Texas Instruments)

Π”Π²Π° ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСля, Π΄Π²Π° транзистора MOSFET – n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈ p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ рСзистора – ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ схСмы высокоуровнСвого прСобразоватСля напряТСния Π² Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Texas Instruments ΠΈ слуТащСго источником Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π’ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΉ расчСт ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ особСнности схСмы.

ВысокоуровнСвый ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния Π² Ρ‚ΠΎΠΊ (рисунок 1) β€” это источник ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Основой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° являСтся двухступСнчатая каскадная конструкция, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала напряТСниС Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника.

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈ n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ MOSFET-транзистор для прСобразования Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΎΡ‚ постороннСго источника Π² сигнал, связанный с источником ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ сигнал управляСт ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ усилитСлСм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, воздСйствуСт Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ p-канального MOSFET-транзистора, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Рис. 1. Виповая Π±Π»ΠΎΠΊ-схСма (Π°) ΠΈ внСшний Π²ΠΈΠ΄ (Π±) высокоуровнСвого прСобразоватСля напряТСния Π² Ρ‚ΠΎΠΊ

ВСхничСскиС характСристики:

  • напряТСниС питания: 5 Π’ DC;
  • Π²Ρ…ΠΎΠ΄: 0… 2 Π’ DC;
  • Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄: 0…100 мА.

ДопустимыС, рассчитанныС ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ значСния ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, ΠšΠŸΠ” ΠΈ максимального Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния прСобразоватСля ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 1. Рисунок 2 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ прСобразоватСля, Π³Π΄Π΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π» 1 – это напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ VIN, Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π» 4 – Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ IOUT.

Рис. 2. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Π°Ρ пСрСдаточная функция

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 1. Π₯арактСристики прСобразоватСля

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π”ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΠ΅ значСниСРассчитанноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
ΠŸΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ смСщСния, %≀ 0,0250,00000130,0001
ΠŸΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния, %≀ 0,10,1020,0165
ΠšΠŸΠ”, %β‰₯ 98,598,97498,96
МаксимальноС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π’β‰₯ 4,54,54,508

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия

Β 

ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π°Ρ схСма прСобразоватСля ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° рисункС 3. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм VIN ΠΈ трСмя ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ рСзисторами: RS1, RS2 ΠΈ RS3. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния VIN ΠΈ сопротивлСния рСзистора RS1 Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ступСни ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ступСнями прСобразоватСля зависит ΠΎΡ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ сопротивлСний рСзисторов R

S2 ΠΈ RS3.

Рис. 3. ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π°Ρ схСма прСобразоватСля

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ 1:

$$I_{Load}=\frac{V_{In}\times R_{S2}}{R_{S1}\times R_{S3}}\qquad{\mathrm{(}}{1}{\mathrm{)}}$$

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ: схСма Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΉΠ΅Ρ€Π°

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада создаСт Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСниС Π½Π° рСзисторС RS2, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ для запуска Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ступСни каскада.

Π’ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ рСзистора RS1, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ MOSFET-транзистором.

ПадСниС напряТСния Π½Π° рСзисторС VRS1 создаСт ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля. Π—Π° счСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ²ΡˆΠ΅ΠΉΡΡ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° рСзисторС RS1 VRS1 Π±Ρ‹Π»ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ напряТСниС Π½Π° Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ VIN этого ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля (Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° 2):

$$V_{In}=V_{RS1}\qquad{\mathrm{(}}{2}{\mathrm{)}}$$

Для наибольшСго Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡΡ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ 3:

$$V_{In}=V_{RS1}=2\:Π’\qquad{\mathrm{(}}{3}{\mathrm{)}}$$

Π’ΠΎΠΊ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ступСни прСобразоватСля Ρ†ΠΈΡ€ΠΊΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ схСмы ΠΈ Π½Π΅ пСрСдаСтся Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅. Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ этот Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ прямому сниТСнию ΠšΠŸΠ” всСй схСмы. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠšΠŸΠ” Π½Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 98,5%, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ мощности Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ступСни каскада Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π»ΠΈ 1%. Π•Ρ‰Π΅ 0,5% энСргии рассСиваСтся Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ покоя ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй.

Π’ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ступСни IRS1 Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 1 мА ΠΏΡ€ΠΈ наибольшСм Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ 100 мА. ΠŸΡ€ΠΈ этом сопротивлСниС рСзистора RS1, согласно Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ 4, составит:

$$R_{RS1}=\frac{V_{In}}{I_{RS1}}=\frac{2\:Π’}{1\:мА}=2\:кОм\qquad{\mathrm{(}}{4}{\mathrm{)}}$$

Π§Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор RS2 ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ IRS2, практичСски Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ IRS1 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор RS1 (Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° 5):

$$I_{RS2}\cong I_{RS1}=1\:мА\qquad{\mathrm{(}}{5}{\mathrm{)}}$$

Вторая ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ: схСма источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Вторая ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ прСобразоватСля создаСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅. ПадСниС напряТСния VRS2 Π½Π° рСзисторС RS2 создаСт ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π½Π° Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ самым устанавливаСт Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. РСзистор RS3 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ p-канального MOSFET-транзистора для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π½Π΅ΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния VRS3, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ прСобразоватСля. НапряТСниС VRS3 ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ступСни. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ²ΡˆΠ°ΡΡΡ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ обратная связь способствуСт Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ напряТСниС VRS3 Ρ€Π°Π²Π½ΡΠ»ΠΎΡΡŒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ VRS2 (Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° 6):

$$V_{RS3}\cong V_{RS2}\qquad{\mathrm{(}}{6}{\mathrm{)}}$$

ПадСниС напряТСния Π½Π° рСзисторС RS3 сниТаСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС прСобразоватСля, поэтому VRS3 Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ мСньшСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. РСзистор RS2 ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π½Π΅ΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния VRS2, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ – ΠΈ VRS3, Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 500 ΠΌΠ’ Π½Π° всСм Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ рСгулирования. ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ рСзистора RS2 позволяСт ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π½Π΅ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 4,5 Π’ (Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° 7):

$$R_{RS2}=\frac{V_{RS3}}{I_{RS2}}=\frac{470\:ΠΌΠ’}{1\:мА}=470\:Ом\qquad{\mathrm{(}}{7}{\mathrm{)}}$$

Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор RS3, IRS3 ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ILOAD, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈ Π½Π΅ вносит ΡΠ΅Ρ€ΡŒΠ΅Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ схСмы (Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° 8):

$$I_{Load}\cong I_{RS3}\qquad{\mathrm{(}}{8}{\mathrm{)}}$$

Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° 100 мА, ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ рСзистор RS3, согласно Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ 9:

$$R_{RS3}=\frac{V_{RS3}}{I_{Load}}=\frac{470\:ΠΌΠ’}{100\:мА}=4. 70\:Ом\qquad{\mathrm{(}}{9}{\mathrm{)}}$$

РавновСсиС схСмы

Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ устройство Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»ΠΎ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎ, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ ступСни ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Π² состоянии устойчивого равновСсия. Для обСспСчСния Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² схСмС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ компСнсации. ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ вопросы устойчивости ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй рассмотрСны Π² [1]. Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ступСни обСспСчиваСтся рСзисторами R2, R3 ΠΈ кондСнсатором Π‘6. Π£ΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ступСни ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ рСзисторы R4, R5 ΠΈ кондСнсатор Π‘7.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с использованиСм этих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π²Π° Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… прСимущСства. Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, рСзистор, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΈ MOSFET-транзистором, позволяСт ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΎΡ‚ Смкостной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° транзистора. Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, высокочастотныС Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, Π½Π΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ транзистором. Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля с Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кондСнсатор ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи.

Вакая высокочастотная обратная связь вытСсняСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь Π½Π° постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΎΡ‚ истока MOSFET-транзистора Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи. Частота, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ осущСствляСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи Π½Π° постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊ высокочастотной ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, зависит ΠΎΡ‚ постоянной Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ затухания RC-Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° этой постоянной зависит ΠΎΡ‚ Смкости кондСнсатора ΠΈ сопротивлСния рСзистора ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи.

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для компСнсации выполняСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π°. Для Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор 10 Ом, рСзистор ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи 10 кОм ΠΈ кондСнсатор 100 ΠΏΠ€. Для устойчивой Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ всСх Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… элСмСнтов. На Π²Ρ…ΠΎΠ΄ систСмы скачком ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ нСбольшой сигнал ΠΈ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°ΡŽΡ‚ Π·Π° сигналом Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΈ Π·Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. УвСличивая сопротивлСния рСзистора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ MOSFET-транзистора, Π΄ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ схСмы ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ° с нСбольшой ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. Π”Π°Π»Π΅Π΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ кондСнсатора ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ сигнал Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

Если ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊ становится слишком сглаТСнным, Π΄ΠΎ исчСзновСния ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΈ пСрСрСгулирования сигнала Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ рСзистора ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° Смкости кондСнсатора. ΠŸΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² компСнсации ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ симулятора элСктронных схСм, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ SPICE-ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй ΠΈ MOSFET-транзисторов.

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²

Β 

УсилитСли

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ схСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй. Для достиТСния ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… эксплуатационных характСристик рСкомСндуСтся ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ напряТСниСм смСщСния, нСбольшими значСниями Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° rail-to-rail.

OPA2333, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ КМОП-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, прСдставляСт собой ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ источником сигнала. НапряТСниС смСшСния – 5 ΠΌΠΊΠ’, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС нуля – 0,05 ΠΌΠΊΠ’/Β°Π‘, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала – 50 ΠΌΠ’.

Π’ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлях сСмСйства OPA2333 стабилизация ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ примСняСтся для обСспСчСния ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ значСния напряТСния смСщСния ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„Π°, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, Π½Π° всСм срокС эксплуатации. ИспользованиС Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… усилитСлСй ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ смСщСния систСмы Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ ΠΈ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ для высокоточного контроля постоянного напряТСния. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° rail-to-rail OPA2333 позволяСт Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ MOSFET-транзистором, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΊ разнополярным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ усилитСля.

MOSFET-транзисторы

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ транзисторов Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² процСссС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Ρ‹ ΠΈΡ… ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ допустимыС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС насыщСния Β«Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток» VGS, максимальноС допустимоС напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком VDS, Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ стока ID. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ способСн Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ транзистором. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚Π΄Π°ΡŽΡ‚ транзисторам с нСбольшим ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ напряТСниСм срабатывания VGS(th). Π’ соотвСтствии с ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, для схСмы нашСго ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Ρ‹ n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ MOSFET-транзистор SI2304DS ΠΈ p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ MOSFET-транзистор NTF2955.

ΠŸΠ°ΡΡΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹

НаиболСС Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ пассивными ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ Π² схСмС прСобразоватСля ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ рСзисторы RS1, RS2 ΠΈ RS3. Π˜Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, Π° допустимоС ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΡ… сопротивлСния опрСдСляСт ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ всСй схСмы. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,1% ΠΎΡ‚ всСго Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ, Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Ρ‹ рСзисторы, ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΡ‚ номинального значСния Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 0,1%.

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ прСобразоватСля усиливаСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ с коэффициСнтом усилСния, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ сопротивлСний рСзисторов RS2 ΠΈ RS3. ΠŸΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ступСни пСрСносится ΠΈ Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ. Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях для увСличСния точности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля потрСбуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ рСзистор RS1 с мСньшим допуском ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΡŽ сопротивлСния ΠΎΡ‚ номинального.

ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ пассивныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ прямого влияния Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ прСобразоватСля. Для Π½ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Ρ‹ рСзисторы ΠΈ кондСнсаторы с допуском Π΄ΠΎ 1%.Β 

ΠœΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅

Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ SPICE-симулятора TINA-TIβ„’ Π±Ρ‹Π»Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° схСма ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°, прСдставлСнная Π½Π° рисункС 4.

Рис. 4. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° прСобразоватСля Π² TINA-TI

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π°Ρ функция ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ схСмы, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рисункС 4, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ симулятора, ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 2 ΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС 5. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ напряТСний Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΡƒΠ·Π»Π°Ρ… схСмы ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.

Рис. 5. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π°Ρ функция прСобразоватСля Π² TINA-TI

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 2. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ расчСта ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
Π‘ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅, нА1,267
ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½, мА99,9999
Полная Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, мА0,001

ΠŸΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния систСмы опрСдСляСтся ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌ 10 ΠΈ 11:

$$Gain\:Error=\frac{\left|(I_{Load\_Ideal}(max)-I_{Load\_Ideal}(min))-(I_{Load}(max)-I_{Load}(min)) \right|}{(I_{Load\_Ideal}(max)-I_{Load\_Ideal}(min))}\times 100\%\qquad{\mathrm{(}}{10}{\mathrm{)}}$$

$$Gain\:Error=\frac{\left|100\:мА-99. 99902\:мА \right|}{100\:мА}\times 100\%=0.001\%\qquad{\mathrm{(}}{11}{\mathrm{)}}$$

Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ модСлирования, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π° рисункС 5, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² схСмС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ пассивныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, Π° ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ систСмы опрСдСляСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ характСристиками ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй, транзисторов ΠΈ источников питания. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ рСалистичныС Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π΅-ΠšΠ°Ρ€Π»ΠΎ для ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ отклонСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² пассивных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΎΡ‚ номинального значСния. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ Π΄Π²Π°Π΄Ρ†Π°Ρ‚ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… расчСтов ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС 6. БтатистичСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ отклонСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² пассивных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π΅-ΠšΠ°Ρ€Π»ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 3.

Рис. 6. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ расчСта ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρƒ ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π΅-ΠšΠ°Ρ€Π»ΠΎ

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 3. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ расчСтС ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρƒ ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π΅-ΠšΠ°Ρ€Π»ΠΎ

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΠ°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΠ°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅Π‘Ρ‚Π°Π½Π΄Π°Ρ€Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅, Οƒ
Π‘ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅, нА1,2671,2671,2670,000
ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½, мА99,9301100,053599,99390,0342
Полная Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, мА0,00040,06990,0251Π½/Π΄

Π£Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ усилСния прСобразоватСля составит 0,102%, Π² соотвСтствии с Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ 12. ΠŸΡ€ΠΈ расчСтС использовалось ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ Β«Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… сигм» (3Οƒ), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния находятся Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… рассчитанной ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ с Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 99,7%.

$$Gain\:Error=\frac{3\times \sigma}{(I_{Load\_Ideal}(max)-I_{Load\_Ideal}(min))}\times 100\%=0.102\%\qquad{\mathrm{(}}{12}{\mathrm{)}}$$

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ процСссы

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ процСссы Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ… схСмы ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС 7, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сигнал Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… ступСнСй быстро ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠ΅Π΅ΡΡ состояниС с нСбольшими ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΡΠΌΠΈ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. БистСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ устойчиво.

Рис. 7. ΠœΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… процСссов Π² TINA-TI

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС

Для опрСдСлСния максимального Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ допустимого сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΈ смодСлированы ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹. Π’ симуляторС Π·Π°Π΄Π°Π»ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ прСобразоватСля 100 мА. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ с 0 Π΄ΠΎ 60 Ом. Π‘Ρ‹Π»ΠΎ установлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ сопротивлСнии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 45 Ом ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ 100 мА. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС устройства ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ 45 Ом составило 4,5 Π’. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС 8.

Рис. 8. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΈ допустимоС сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² TINA-TI

Π˜Ρ‚ΠΎΠ³ΠΈ модСлирования

ВСхничСскиС характСристики прСобразоватСля, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌ модСлирования Π² срСдС TINA-TIβ„’, собраны Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 4.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 4. ΠžΠ±ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ модСлирования

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π”ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΠ΅ значСниСРассчитанноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅
Π˜Π΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ пассивныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠœΠΎΠ½Ρ‚Π΅-ΠšΠ°Ρ€Π»ΠΎ
ΠŸΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ смСщСния, %≀ 0,0250,00000130,0000013
ΠŸΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния, %≀ 0,10,0010,102
ΠšΠŸΠ”, %β‰₯ 98,598,97498,974
МаксимальноС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π’β‰₯ 4,54,54,5

ΠŸΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Π°Ρ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°

Основной ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π°Ρ‚ для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ описанной схСмы стало сопротивлСниС токопроводящих Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ. Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡΡΡŒ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с рСзисторами RS1, RS2 ΠΈ RS3, Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠΊΠΈ становятся ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ усилСния. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° с большим Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ использовании рСзисторов с мСньшими Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ сопротивлСниями влияниС ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… сопротивлСний проводящих Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ систСмы становится Π΅Ρ‰Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½Π΅Π΅.

Π’ схСмС ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рисункС 9, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Π·ΠΎΠ½Π΄Ρ‹ КСльвина для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ рСзисторов ΠΊΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй. Π—ΠΎΠ½Π΄ КСльвина, ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ измСрСния, позволяСт ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ для контроля Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ рСзисторС ΠΈ Π½Π΅ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° проводящих Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠΊΠ°Ρ….

Рис. 9. ΠŸΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Π°Ρ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°

Для ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ступСни ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π° рСзисторы RS2 ΠΈ RS3 подавалось ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС. По возмоТности, ΠΈΡ… Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ.

Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²

Β 

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π°Ρ функция

НапряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° измСнялось ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ 2 Π’. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Π°Ρ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ILOAD ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния VIN ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС 10.

Рис. 10. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ILOAD ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния VIN

Для ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ прСобразоватСля Π½Π° всСм Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ Π±Ρ‹Π»ΠΈ рассчитаны отклонСния Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ступСни ΠΎΡ‚ эталонных Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ. Π’ качСствС эталонных приняты Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌ расчСтов. РасчСт ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ осущСствлялся ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ 10.

Зависимости ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ступСни ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ рисунках 11 ΠΈ 12. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ расчСта ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 5.

Рис. 11. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала

Рис. 12. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ступСни ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 5. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ расчСта ΠΏΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒΠ’Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ
Π‘ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅, нА24112
ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½, мА0,9998100,0165
ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ смСщСния, мкА0,216,5
ΠŸΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ смСщСния, %0,020,0165

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ процСссы

На рисункС 13 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° рСакция схСмы Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Ρƒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ прСобразоватСля Π½Π°Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния. Подавались Ρ‚Ρ€Π΅ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ напряТСния Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ 2 Π’ ΠΈ частотой 50 Π“Ρ†. На рисункС Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π»Π΅Π½ снимок с экрана осциллографа. Канал 1 ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΊΠ°Π½Π°Π» 4 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор.

Рис. 13. ΠžΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊ Π½Π° Π½Π°Ρ€Π°ΡΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал

Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ врСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π² ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠΈΠΉΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΈ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ измСнСния напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, Π½Π° ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ подавались ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ 2 Π’ ΠΈ частотой 1 ΠΊΠ“Ρ†. На рисункС 14 Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π»Π΅Π½ снимок с экрана осциллографа. Канал 1 ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΊΠ°Π½Π°Π» 2 фиксируСт Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор.

Рис. 14. ΠžΡ‚ΠΊΠ»ΠΈΠΊ Π½Π° ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° устойчивости схСмы ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Подавались ΠΏΡ€ΡΠΌΠΎΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ напряТСния Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ 500 ΠΌΠ’, частотой 1 ΠΊΠ“Ρ†. На рисункС 15 прСдставлСны Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ осциллографирования:

Рис. 15. РСакция схСмы Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ сигнала

  • ΠΊΠ°Π½Π°Π» 1 – Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС;
  • ΠΊΠ°Π½Π°Π» 2 – напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ступСни;
  • ΠΊΠ°Π½Π°Π» 3 – напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ступСни;
  • ΠΊΠ°Π½Π°Π» 4 – Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ прСобразоватСля.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° быстро ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ²ΡˆΠΈΠΉΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π±Π΅Π· ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΈ пСрСрСгулирования с допустимым ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ дСмпфирования.Β 

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° зависит ΠΎΡ‚ напряТСния источника питания VCC, падСния напряТСния Π½Π° рСзисторС RS3VRS3 ΠΈ напряТСния насыщСния p-канального MOSFET-транзистора.

Для фиксирования максимального Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π±Ρ‹Π» ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ экспСримСнт. На Π²Ρ…ΠΎΠ΄ прСобразоватСля ΠΏΠΎΠ΄Π°Π»ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ напряТСниС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ составил Ρ€ΠΎΠ²Π½ΠΎ 100 мА. Π’ качСствС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ использовали ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½ высокоточных рСзисторов. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Π½Π°Ρ‡Π°Π» ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΌΡ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠ»ΠΈ максимальноС допустимоС сопротивлСниС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ 45,08 Ом. МаксимальноС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ Ома (Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° 13):

$$V_{COMP}=I_{Load}\times R_{Load}=100\:мА\times 45.08\:Ом=4.508\:Π’\qquad{\mathrm{(}}{13}{\mathrm{)}}$$

Π˜Ρ‚ΠΎΠ³ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ

Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ собраны Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 6.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 6. ΠžΠ±ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π”ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ значСния
ΠŸΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ смСщСния, %≀ 0,0250,001
ΠŸΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния, %≀ 0,10,0165
ΠšΠŸΠ”, %β‰₯ 98,598,96
МаксимальноС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π’β‰₯ 4,54,508

Аналоги ΠΈ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для схСмы, описанной Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅, основан Π½Π° нСобходимости Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‡ΡŒ ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… тСхничСских характСристик, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ стабилизированного прСрываниями усилитСля OPA2333 устраняСт Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ, свойствСнных ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ усилитСлям. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, Π΅Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достигнута Π·Π° счСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов RS1, RS2 ΠΈ RS3. Помимо этого, хотя OPA2333 ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ практичСски Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ показатСлями Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„Π°, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° схСмы Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°ΠΌΠΈ допустимого Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ -40…125Β°Π‘ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ измСнСнию сопротивлСний ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… рСзисторов. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ссли планируСтся использованиС прСобразоватСля Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€, рСкомСндуСтся ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ всС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ коэффициСнтами.

Для обСспСчСния Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокого Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ β€” ΠΈ большСго допустимого сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС источника питания. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ максимальноС напряТСниС питания OPA2333 составляСт 5,5 Π’, Ρ‚ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокиС значСния напряТСния ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ OPA2333 ΠΈΠ· списка подходящих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². ВрСбуСтся ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм питания. Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ усилитСли, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ полосу пропускания ΠΈΠ»ΠΈ мСньшиС значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя Ρ‡Π΅ΠΌ OPA2333. Π’ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 7 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ список ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ для использования Π² описанной схСмС.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 7. Π’Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй

НаимСнованиСНаибольшСС напряТСниС питания, Π’ΠΠ°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅Π΅ напряТСниС смСщСния, ΠΌΠΊΠ’Π”Ρ€Π΅ΠΉΡ„ напряТСния смСщСния, ΠΌΠΊΠ’/°БПолоса пропускания, ΠœΠ“Ρ†Π’ΠΎΠΊ покоя, мкА
OPA23335,5100,050,3534
OPA23355,550,052700
OPA23205,51505201600
OPA27351250,051,51500
OPA218836250,0851950

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ устройств с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким напряТСниСм питания ΠΈΠ»ΠΈ большим Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзисторы ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ пСрСнапряТСниям.

Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ издСлия ΠΊΠ°ΠΊ XTR110 ΠΈ XTR111 совмСстно с описанным ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ напряТСния Π² Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»ΠΈ 4…20 мА ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠ². Π­Ρ‚ΠΈ издСлия оснащСны рСгуляторами напряТСния, Ρ„Π»Π°Π³Π°ΠΌΠΈ ошибок ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ функциями, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°ΡŽΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ сигнала Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»ΠΈ.

Π›ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°

  1. Tim Green. β€œOperational Amplifier Stability”, Parts 1-11, November 2008.
  2. R. Mark Stitt, β€œImplementation and Applications of Current Sources and Current Receivers” SBOA046, March 1990.

β€’β€’β€’

ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС Π½Π° ОУ

Π’ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ часто Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² прСобразоватСлях. МногиС источники сигнала ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄. К Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ источникам ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡΡ‚ΡΡΒ Π¦ΠΠŸΡ‹, фоторСзисторы, фототранзисторы ΠΈ др… Для ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… манипуляций с сигналом Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² напряТСниС. Рассмотрим ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π΅ΠΌ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС Π½Π° ОУ с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ источниками сигнала. Β 

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ

  1. ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС
  2. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° прСобразоватСля Ρ‚ΠΎΠΊ-напряТСниС Π½Π° ОУ
  3. ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ для Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника
  4. ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС для Π½Π΅Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника
  5. Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС

ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС (ΠΈΠ»ΠΈ сокращСнно I-U ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ) β€” это схСмноС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΒ Β Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ сигнал источника Π² напряТСниС.Β 

Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ β€” ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ сопротивлСния. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² тСхничСской Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π΄Π°Π½ΠΎ Π·Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС β€” это рСзистор.Β 

Вся магия прСобразования происходит ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ Π΄Π΅Π΄ΡƒΡˆΠΊΠΈ Ома. Π’ΠΎΠΊΒ iвх протСкая Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор RΒ  Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Π½Π΅ΠΌ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСниС UΠ²Ρ‹Ρ…. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° этого напряТСния  прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΡŽ сопротивлСния рСзистора ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠŸΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ всС Π·Π²ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅:

UΠ²Ρ‹Ρ… = R Γ— iΠ²Ρ…

Основной нСдостаток использования ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора состоит Π² Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ сопротивлСнии. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ становится ΡΠ΅Ρ€ΡŒΠ΅Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠΎΠΉ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° источник Π½Π΅ Π² состоянии ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния Π½Π° рСзисторС. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠΌ Π±ΡƒΠ΄Ρƒ просадки напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

Π•Ρ‰Π΅ большС сопротивлСниС сказываСтся Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ прСобразоватСля, Ссли Ρƒ источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½. К Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ источникам относится, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄. Π•Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ составляСт Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ мкА.

Π’ случаС ΠΆΠ΅ ЦАПа, особСнно высококачСствСнного, использованиС рСзистора для прСобразования ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π΅Π΅. ΠŸΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΈ Π·Π°Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ‡ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅Β Π Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€ для ЦАП с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ обусловлСно Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°ΠΌΠΈ схСм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ рассмотрСны. К ΡΡ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ для нас, источникам Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ искаТСния Π±Π΅Π·Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹.Β 

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° прСобразоватСля Ρ‚ΠΎΠΊ-напряТСниС Π½Π° ОУ

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° прСобразоватСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС, совсСм Π½Π΅ Π½ΠΎΠ²Π°, Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Π° ΠΈ Π±Π΅Π·ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π·Π½Π°. Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΎΠ½Π° выглядит ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

Π’ΠΎΠΊ сигнала iΠ²Ρ… Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π² ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ идСального ОУ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, Ρ‚ΠΎ вСсь входящий Ρ‚ΠΎΠΊ поступаСт Π½Π° рСзистор R Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ создаСт Π½Π° рСзисторС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ всС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ Ома.

Как Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ ОУ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Ρ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° сопротивлСнии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈΒ RН напряТСниС, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.Β ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния схСмы Π², Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ случаС, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ сопротивлСния. Π§Ρ‚ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅ Ρ€Π°Π· ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ совСтскоС Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ-ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ сопротивлСния:

K = UΠ²Ρ‹Ρ…Β Γ· iΠ²Ρ… = R

ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ для Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника

Рассмотрим нСсколько схСм прСобразоватСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС Π½Π° ОУ, подходящиС для любого случая. НачнСм со схСмы прСобразоватСля для Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

НаправлСниС протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ стрСлкой, ΠΈ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ случая Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния составит:

UΠ²Ρ‹Ρ… = βˆ’ iΠ²Ρ… Γ— R

Π—Π½Π°ΠΊ минус появляСтся ΠΈΠ·-Π·Π° Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ направлСния протСкания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. (Π£ΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ стрСлкой Π½Π° схСмС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅)

На этой схСмС Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор Π² 1 МОм, с Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ(+) Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ОУ Π½Π° зСмлю. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° останСтся работоспособной ΠΈ Π±Π΅Π· этого рСзистора, Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ случаС зазСмляСтся Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ.

Однако имСя рСзистор Π² 1 МОм Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ 1 мкА Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ создан 1 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ напряТСния. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ коэффициСнтС усилСния (ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ Ρ€Π°Π·) рСзистор ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅Π½ ΠΈΠ·-Π·Π° Π½Π΅ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй.

ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈ с источниками сигнала, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊ шинС питания. Вакая схСма часто примСняСтся с элСмСнтами Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ фототранзисторов. Ѐототранзистор потрСбляСт (пропускаСт) Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм внСшнСго источника свСта, ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΠ½Ρ‹ питания.

ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС для Π½Π΅Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника

Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ отличаСтся Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ прохоТдСния сигнального Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° симмСтричного прСобразоватСля Ρ‚ΠΎΠΊ-напряТСниС это ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля.

Π’ слСдствии падСния напряТСния Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΈ Π½Π° зазСмлСнном рСзисторС, ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ОУ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ, Π° Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ устанавливаСтся напряТСниС:

UΠ²Ρ‹Ρ… = βˆ’2 Γ— iΠ²Ρ…Β Γ—Β R

Π‘ΠΈΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС β€” ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ схСмы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Π½Π΅Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ (ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ) источник сигнала. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ источником ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ всС Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄. ΠŸΡ€ΠΈ этом Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ вынСсСн Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹. Для Π΅Ρ‰Π΅ большСй ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ…, ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ экранированный кабСль, экран ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ соСдинСн с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

РассмотрСнныС схСмы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ повсСмСстно. Они прСкрасно подходят для Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… источников с ΠΏΠ»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ сигнала. Для ЦАПов ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π΅Π΅ использованиС рСзистора. О Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Π΅ΠΌ это Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅, ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ рСзистор со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ каскадом Ρ‡ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅Β Π Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€ для ЦАП с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.

ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ для сайта AudioGeek.ru

Follow @AudioGeek_ru

AM462 – ΠŸΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния Π² Ρ‚ΠΎΠΊ IC

  • БпСцификация

ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€

Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Π°Π΄Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ

Π”ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹

Запрос Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС 6-4AM7

7

ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ИБ. Он ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ нСсиммСтричноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π² Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал с Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ смСщСниСм ΠΈ коэффициСнтом усилСния. Обладая функциями Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΈ встроСнным источником напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈ прСобразования сигналов Π² Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡ

  • Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ сигнала Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°
  • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»Π΅ΠΉ
  • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΡΡ ΠΈ задняя ИБ для ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ²
  • Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад
    • Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ 0004
    • Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ производствСнными процСссами
    • Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ сигнала Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°
    • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»Π΅ΠΉ
    • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΡΡ ΠΈ задняя микросхСмы для ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ΠΎΠ²
    • Π—Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад
    • Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ сСти
    • Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ производствСнными процСссами

    ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΈΠ΅ тСхничСскиС характСристики

    24. ..35 6 Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания 9, полярныС, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅6 ity, пСрСнапряТСниС
    НапряТСниС питания (Π’ CC )
    )
    Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния 0Β …Β 5Β Π’ (нСсиммСтричный)
    Π’ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π°ΠΏΡ€. 0…20 мА (Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ) ΠΈΠ»ΠΈ 4…20 мА (Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ), Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ
    Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния 5Β /Β 10 Π’ (макс. 10 мА)
    Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 0Β …Β 10 мА, Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ
    Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ -40Β Β°CΒ …Β 85Β Β°C
    Π£ΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ°/Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ поставки SO16(n), SSOP16, QFN28, Π½Π° DIL16-Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚Π΅Ρ€Π΅, выпилСнная 6β€³ пластина Π½Π° синСй Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³Π΅
    Бтатус RoHS соотвСтствуСт (сСртификат RoHS

    2 2

    ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹

    ВСхничСский паспорт AM462
    • ВСхничСский паспорт
    Π Π΅ΠΊΠ»Π°ΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ проспСкт

    9

    3 Π€Π»Π°Π΅Ρ€
    ΠšΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΎΠ³ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΎΠ² ИБ
    • ΠšΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΎΠ³ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΎΠ²

    Для получСния ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ кристалла ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΏΠΎ адрСсу sales@analogmicro. de.



    Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Π½Ρ‹Π΅ схСмы с Π±Π»ΠΎΠΊ-схСмой

    мкКл Π·Π°Π΄Π½Π΅ΠΉ части ΠΈ микросхСмой Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, 0Β ..Β 20 мА):
    Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ сигналов Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° с Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ‚Π»ΠΈ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, 4Β ..Β 20 мА):

    ΠšΠΎΠ΄Ρ‹ Π·Π°ΠΊΠ°Π·Π° ΠΈ запрос ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°/ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Ρ‹

    Для запроса ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π° Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈ Π²Ρ‹Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ Β«ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅Β». ПослС этого Π²Ρ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ запроса. НомСр Π·Π°ΠΊΠ°Π·Π°

    Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ° доставки ΠŸΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ SO16(n)
    AM462-0-SSOP16 ΠŸΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ SSOP16
    ΠŸΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚ AM462-0-QFN29 98
    AM462-WAF распилСнная пластина Π½Π° 6β€³ синий Ѐольга
    AM462-ADAPT AM462 припаянный ΠΊ Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚Π΅Ρ€Ρƒ SO16-DIL16



    Accessyasy

    9

    NO ACSASOY. NO ACSASOY.

    ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ



    ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ² | Π¨Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ€ Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊ

    • se.com/ww/en/work/products/residential-and-small-business/”>

      Π–ΠΈΠ»ΠΎΠΉ сСктор ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ бизнСс

    • Автоматизация ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ

    • ΠΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹Π΅ издСлия ΠΈ систСмы

    • Аккумулятор солнСчной энСргии ΠΈ энСргии

    • se.com/ww/en/work/products/access-to-energy/”>

      Доступ ΠΊ энСргии

    • РаспрСдСлСниС срСднСго напряТСния ΠΈ автоматизация сСти

    • ΠšΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ стойки

    • ΠŸΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Π°Ρ автоматизация ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅

    Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹

    Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹

    Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹

    Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹

    Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹

    Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹

    Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹

    Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹

    • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹:Β 77

    • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹:Β 58

    • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹:Β 32

    • АссортимСнт:Β 24

      ΠžΡ‚ΠΊΡ€ΠΎΠΉΡ‚Π΅ для сСбя ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΎΠΊ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π»Π°ΠΌΠΏ для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *