Простые схемы на КТ315.
- Подробности
- Категория: Разное
Цель этой статьи – отдать дань одному из самых популярных транзисторов 70 – 90 годов – КТ315. Доступность, маленький размер и довольно неплохие параметры позволяли радиолюбителям использовать транзистор КТ315 в различных схемах, от простых до микро ЭВМ. В таблицах ниже указаны основные параметры линейки КТ315.
Предельные параметры транзисторов КТ315 при Т=25°C
| IК, max мА | UКЭR max (UКЭ0 max), В | UЭБ0 max, В | PК max, (Pmax), мВт | T, °C | Tп max, °C | Tmax, °C | |
| КТ315 А | 100 | 6 | 150 | 25 | 120 | 100 | |
| КТ315 Б | 100 | 20 | 6 | 150 | 25 | 120 | 100 |
| КТ315 В | 100 | 40 | 6 | 150 | 25 | 120 | 100 |
| КТ315 Г | 100 | 35 | 6 | 150 | 25 | 120 | 100 |
| КТ315 Д | 100 | 40 | 6 | 150 | 25 | 120 | 100 |
| КТ315 Е | 100 | 35 | 6 | 150 | 25 | 120 | 100 |
| КТ315 Ж | 50 | 15 | 6 | 100 | 25 | 120 | 100 |
| КТ315 И | 50 | 60 | 6 | 100 | 25 | 120 | 100 |
Параметры транзисторов КТ315 при Т=25°C
| h21Э (h21э) | UКБ (UКЭ), В | IЭ (IК), мА | UКЭ нас, В | IКБ0, (IКЭR), мкА | fгр (fh31), МГц | CК, пФ | |
| КТ315 А | 20…90 | (10) | 1 | 0,4 | 1 | 250 | 7 |
| КТ315 Б | 50…350 | (10) | 1 | 1 | 250 | 7 | |
| КТ315 В | 20…90 | (10) | 1 | 0,4 | 1 | 250 | 7 |
| КТ315 Г | 50…350 | (10) | 1 | 0,4 | 1 | 250 | 7 |
| КТ315 Д | 20…90 | (10) | (1) | 1 | 1 | 250 | 7 |
| КТ315 Е | 50…350 | (10) | (1) | 1 | 1 | 250 | 7 |
| КТ315 Ж | 30…250 | (10) | (1) | 0,5 | 1 | 150 | 10 |
| КТ315 И | 30 | (10) | (1) | 1 | 250 | 7 |
Немножко предистории: КТ315 — первый планарно – эпитаксиальной транзистор конца 60-х годов, т.е когда в процессе изготовления эмиттер, коллектор и база изготовляются последовательно на одной пластине кремния. Для этого необходимо пластину кремния, легированную в тип n (колектор), легировать на некоторую глубину в тип p (база), и сверху еще раз легировать на меньшую глубину в тип n (эмиттер). Далее с помощью скрайбера пластину необходимо разрезать на части, и каждую часть упаковать в пластиковый корпус.
Такой процесс изготовления был намного дешевле сплавной технологии, и позволял получать немыслимые ранее параметры транзистора (в частности, рабочую частоту до 300 МГц).
И конечно монтаж кристалла не в металлический корпус, а на металлическую ленту с выводами привело к удешевлению производства — кристалл, на нижней стороне которого коллектор припаивался к центральному выводу, а база и эмиттер — подключались привариваемой проволокой, заливалось пластиком, лишние детали ленты отрезались — и получался КТ315 таким.
Приведем пару примеров схем на транзисторе КТ315.
1. Усилитель для наушников.
2. Охранное устройство.
Пока петля целая, база транзистора соединена с землей и транзистор закрыт. При проникновении на охраняемую территорию, злоумышленник обрывает проволоку, на базу транзистора поступает положительное смещение и транзистор открывается, что приводит в итоге к срабатыванию электромагнитного реле. В цепи контактов реле может быть сирена, радиопередатчик или другое.
3. Индикатор выходной мощности УНЧ.
С1, С2 – 10 мкф х 16B
D11 – КД510А
Rx – 300 Ом – 100 Ком (для каждого каскада необходимо подбирать.)
D1 – D10 – светодиоды разных цветов.
Добавить комментарий
radiofanatic.ru
Усилитель постоянного тока на кт315.
На рисунке 1 представлена схема инвертирующего усилителя постоянного тока, транзистор включен по схеме с общим эмиттером:
Рисунок 1 – Схема усилителя постоянного тока на КТ315Б.
Рассмотрим расчёт элементов схемы. Допустим схема питается от источника с напряжением 5В (это может быть например сетевой адаптер), выберем ток коллектора Iк транзистора VT1 таким чтобы он не превышал предельно допустимого тока для выбранного транзистора (для КТ315Б максимальный ток коллектора Ikmax=100мА). Выберем Iк=5мА. Для расчёта сопротивления резистора Rк поделим напряжение питания Uп на ток коллектора:
Если сопротивление не попадает в стандартный ряд сопротивлений то нужно подобрать ближайшее значение и пересчитать ток коллектора.(Подробнее о выборе Rк)
На семействе выходных вольт амперных характеристик построим нагрузочную прямую по точкам Uп и Iк (показана красным цветом). На нагрузочной прямой выберем рабочую точку (показана синим цветом) по середине.
Рисунок 2 – Выходные ВАХ, нагрузочная прямая и рабочая точка
На рисунке 2 рабочая точка не попадает ни на одну из имеющихся характеристик но находится чуть ниже характеристики для тока базы Iб=0.05мА поэтому ток базы выберем чуть меньше например Iб=0.03мА. По выбранному току базы Iб и входной характеристике для температуры 25Сo и напряжения Uкэ=0 найдём напряжение Uбэ:
Рисунок 3 – Входная характеристика транзистора для выбора напряжения Uбэ
Для тока базы Iб=0.03мА найдем напряжение Uбэ но выберем чуть больше так как Uкэ>0 и характеристика будет располагаться правее, например выберем Uбэ=0.8В. Далее выберем ток резистора Rд1, этот ток должен быть больше тока базы но не настолько большим чтобы в нем терялась большая часть мощности, выберем этот ток в три раза большим чем ток базы:
По первому закону Кирхгофа найдем ток резистора Rд2:
Обозначим на схеме найденные токи и напряжения:
Рисунок 4 – Схема усилителя с найденными токами ветвей и напряжениями узлов
Рассчитаем сопротивление резистора Rд1 и подберем ближайшее его значение из стандартного ряда сопротивлений:Рассчитаем сопротивление резистора Rд2 и подберем ближайшее его значение из стандартного ряда сопротивлений:
Обозначим сопротивления резисторов на схеме:
Рисунок 5 – Усилитель постоянного тока на КТ315Б.
Так как расчёт приближённый может потребоваться подбор элементов после сборки схемы и проверки напряжения на выходе, элементы Rд1 и/или Rд2 в этом случае нужно подобрать так чтобы напряжение на выходе было близко к выбранному напряжению Uбэ.
Для усиления переменного тока на вход и на выход надо поставить конденсаторы для пропускания только переменной составляющей усиливаемого сигнала так как постоянная составляющая изменяет режим работы транзистора. Конденсаторы на входе и выходе не должны создавать большого сопротивления для протекания переменного тока. Для термостабилизации в цепь эмиттера можно поставить резистор с небольшим сопротивлением и параллельно ему конденсатор для ослабления обратной связи по переменному току. Резистор в цепи эмиттера наряду с резисторами делителя будет задавать режим работы транзистора.
На фотографии ниже собранный по схеме на рисунке 2 усилитель:
На вход усилителя не подано напряжение, вольтметр подключенный к выходу показывает 2.6В что близко к выбранному значению. Если подать на вход напряжение прямой полярности (такой как на рисунке 5) то напряжение на выходе уменьшится (усилитель инвертирует сигнал):
Если подать на вход напряжение обратной полярности то напряжение на выходе увеличится но не больше напряжения питания:
Уменьшение напряжения на входе, при подключении ко входу источника, меньше чем увеличение напряжения на выходе что говорит о том что происходит усиление входного сигнала с инверсией. Схема с общим эмиттером производит большее усиление по мощности чем схемы с общей базой и общим эмиттером но она, в отличии от двух других, производит инверсию сигнала. Если необходимо произвести усиление по мощности постоянного тока без инверсии то каскадно можно соединить две схемы на рисунке 5 но при этом необходимо учесть что первый каскад будет изменять режим работы транзистора второго каскада поэтому сопротивления резисторов во втором каскаде необходимо будет подобрать так чтобы это изменение было как можно меньше. Также при каскадном соединении увеличится коэффициент усиления всего усилителя (он будет равен произведению коэффициента усиления первого каскада на коэффициент усиления второго).КТ315 цоколевка, КТ315 параметры, КТ315 характеристики
Транзистор КТ315 — один из самых массовых отечественных транзисторов, был запущен в производство в 1967 году. Первоначально выпускался в пластиковом корпусе КТ-13.
КТ315 цоколевка
Если расположить КТ315 маркировкой к себе выводами вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный — коллектор, а правый — база.
В последствии КТ315 стал выпускаться и в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную ”1” в обозначении, например КТ315Г1. Цоколевка КТ315 в этом копусе такая же как и в КТ-13.
КТ315 параметры
КТ315 это маломощный кремниевый высокочастотный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Имеет комплементарный аналог КТ361 c p-n-p структурой.
Оба этих транзистора предназначались для работы в схемах усилителей как звуковой так промежуточной и высокой частоты.
Но благодаря тому, что характеристики этого транзистора были прорывными, а стоимость ниже существующих германиевых аналогов КТ315 нашел самое широкое применение в отечественной электронной технике.
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (fгр.) – 250 МГц.
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (Pкmax)
- Для КТ315А, Б, В, Г, Д, Е – 0,15 Вт;
- Для КТ315Ж, И, Н, Р – 0,1 Вт.
Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Iкmax)
- Для КТ315А, Б, В, Г, Д, Е, Н, Р – 100 мА;
- Для КТ315Ж, И – 50 мА.
Постоянное напряжение база-эмиттер — 6 В.
Основные электрические параметры КТ315 которые зависят от буквы приведены в таблице.
- Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база,
- Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер,
- h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером,
- Iкбо — Обратный ток коллектора.
| Наимен. | Uкбо и Uкэо, В | h21э | Iкбо, мкА |
|---|---|---|---|
| КТ315А | 25 | 30-120 | ≤0,5 |
| КТ315Б | 20 | 50-350 | ≤0,5 |
| КТ315В | 40 | 30-120 | ≤0,5 |
| КТ315Г | 35 | 50-350 | ≤0,5 |
| КТ315Г1 | 35 | 100-350 | ≤0,5 |
| КТ315Д | 40 | 20-90 | ≤0,6 |
| КТ315Е | 35 | 50-350 | ≤0,6 |
| КТ315Ж | 20 | 30-250 | ≤0,01 |
| КТ315И | 60 | ≥30 | ≤0,1 |
| КТ315Н | 20 | 50-350 | ≤0,6 |
| КТ315Р | 35 | 150-350 | ≤0,5 |
Маркировка транзисторов КТ315 и КТ361
Именно с КТ315 началось кодированное обозначение отечественных транзисторов. Мне попадались КТ315 с полной маркировкой, но гораздо чаще с единственной буквой из названия смещенной чуть левее от центра, справа от буквы был логотип завода выпустившего транзистор. Транзисторы КТ361 тоже маркировались одной буквой, но буква располагалась по центру и слева и справа от неё были тире.
И конечно у КТ315 есть зарубежные аналоги, например: 2N2476, BSX66, TP3961, 40218.
hardelectronics.ru
Чем является транзистор КТ315? :: SYL.ru
Это настоящая легенда в мире радиоэлектроники! Транзистор КТ315 был разработан в Советском Союзе и десятилетиями удерживал пальму первенства среди подобных технологий. Почему он заслужил такое признание?
Транзистор КТ315
Что можно сказать об этой легенде? КТ315 является кремниевым высокочастотным биполярным транзистором малой мощности. У него n-р-n-проводимость. Изготавливается он в корпусе КТ-13. Благодаря своей универсальности получил широчайшее распространение в радиоэлектронной аппаратуре советского производства. Какой существует аналог транзистора КТ315? Их довольно много: BC847B, BFP722, 2SC634, 2SC641, 2SC380, 2SC388, BC546, КТ3102.Разработка
Впервые идея о создании подобного устройства у советских ученых и инженеров возникла в 1966 году. Поскольку он создавался, чтобы в последующем воплотить его в массовое производство, то разработка и самого транзистора, и оборудования для его изготовления была поручена Научно-исследовательскому институту «Пульсар», Фрязинскому полупроводниковому заводу и ОКБ, размещенному на его территории. 1967 год шла активная подготовка и создание условий. А в 1968 г. выпустили первые электронные устройства, которые сейчас известны как транзистор КТ315. Он стал первым массовым подобным прибором. Маркировка транзисторов КТ315 такая: первоначально в левом верхнем углу плоской стороны ставили букву, что обозначала группу. Порой указывали и дату изготовления. Через несколько лет в этом же корпусе начали выпуск комплементарных транзисторов КТ361 с р-n-р-проводимостью. Для отличия в них посередине верхней части ставили отметку. За разработку транзистора КТ315 в 1973 году была присуждена Государственная премия СССР.Технология
Когда начал выпускаться транзистор КТ315, одновременно была опробована новая технология – планарно-эпитаксиальная. Она подразумевает, что все структуры устройства создаются на одной стороне. Какие же требования имеет транзистор КТ315? Параметры исходного материала должны обладать типом проводимости как у коллектора. А для начала осуществляется формирование базовой области, и только потом – эмиттерной. Данная технология было очень важной вехой развития советской радиоэлектронной промышленности, поскольку позволила приблизиться к изготовлению интегральных микросхем без использования диэлектрической подложки. Пока не появился данный прибор, низкочастотные устройства изготавливались по сплавной методике, а высокочастотные – согласно диффузионной.Можно уверенно сказать, что параметры, которыми обладало завершенное устройство, являлись настоящим прорывом для своего времени. Почему так говорят про транзистор КТ315? Параметры – вот из-за чего про него так говорили! Так, если сравнивать его с современным ему же германиевым высокочастотным транзистором ГТ308, то он превышает его по мощности в 1,5 раза. Граничная частота больше чем в 2 раза, а максимальный ток коллектора вообще в 3. И при этом транзистор КТ315 был значительно дешевле. Он смог заменить собой и низкочастотный МП37, ведь при равной мощности у него был больший коэффициент передачи тока базы. Также лучшие показатели были и в максимальном импульсном токе, и КТ315 имел превосходящую температурную стабильность. Благодаря использованию кремния этот транзистор мог десятки минут функционировать на умеренном токе, даже если вокруг была температура плавления припоя. Правда, работа в таких условиях немного ухудшала характеристики устройства, но оно не выходило необратимо из строя.
Применение и комплементарные технологии
Транзистор КТ315 нашел широкое применение в схемах усилителей звуковой, промежуточной и высокой частот. Важным дополнением стала разработка комплементарных КТ361. В паре они нашли своё применение в бестрансформаторных двухтактных схемах.
Заключение
В своё время данный прибор играл большую роль при построении различных схем. Доходило даже до того, что в магазинах для радиолюбителей времён Советского Союза они продавались не поштучно, а на вес. Это одновременно и являлось показателем популярности, и говорило о производственных мощностях, которые были направлены на то, чтобы создавать такие устройства. К тому же они настолько популярны, что в некоторых схемах радиолюбители до сих пор используют данные транзисторы. Неудивительно, ведь купить их можно и сейчас. Хотя приобретать не всегда обязательно – порой достаточно разобрать технику родом из СССР.www.syl.ru
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ315А | BFP719, 2N2476 *3, 2N5225 *3, 2N3291 *3, 2N3292 *3, 2SC3881S *3, KST1009F1 *3, 40218 *3, 2N3294 *3, KM9011 *3, K917 *3, CD9011 *3, 2N3131 *3 | |||
| КТ315Б | BFP20, 2N2712, ВС170А *3, 2N3293 *3, BSY73 *3, SE1010 *3, 2N5219 *3, BSY95A *1, BSY27 *1, BSY95 *1, 2SC33 *3, BSX66 *3, 2N5223 *1, A5T5223 *3 | ||||
| КТ315В | BFP721, 2N3512 *3, С63 *3, BSX24 *3, 2SC394 *3, PET8005 *1, 2SC460 *3, 2SC460A *3, 2SC461 *3, 2N3854A *3, MPS9624 *3 | ||||
| КТ315Г | BFP722, BSX24 *3, 2SC4128 *1, 2SC4128N *1, 2SC4018K *1, 2SC4018KN *1, KTN5010R *3, KTN5010 *3, KTC941TMR *3, KTC941TM *3, 2SC941 *3, 2SC394 *3, PET8005 *3, 2SC461 *3, 2SC460 *3, 2SC460A *3, CX917 *3 | ||||
| КТ315Д | 2SC641, 2N3512 *3 | ||||
| КТ315Е | 2N3397, BSX24 *3, 2SC4128 *1, 2SC4128N *1, 2SC4018K *1, 2SC4018KN *1, KTN5010R *3, KTN5010 *3, KTC941TMR *3, KTC941TM *3, 2SC941 *3, 2SC394 *3, PET8005 *3, 2SC461 *3, 2SC460 *3, 2SC460A *3, CX917 *3 | ||||
| КТ315Ж | 2N2711, 2N3293 *3, 2N3294 *3, 2SC398 *3, 2SC399 *3, 2N706C *3, 2N3825 *3, 2N706B/46 *3, 2N706J | ||||
| КТ315И | 2SC634, HSE166 *3, SS9011 *3, JE9011D *3, 2SC381 *3 | ||||
| КТ315Н | BFP722 | ||||
| КТ315Р | 2SC633, 2SC380A-О *1, 2SC380A-R *3, 2SC380A *3, 2SC2076 *3, HSE133 *3, BF234 *3, BF235 *3, CX917 *3, KTC9016 *3, 2SC839 *3, 2SC838 *3, BF594 *3 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ315А | — | 150(250*) | мВт |
| КТ315Б | — | 150(250*) | |||
| КТ315В | — | 150(250*) | |||
| КТ315Г | — | 150(250*) | |||
| КТ315Д | — | 150(250*) | |||
| КТ315Е | — | 150(250*) | |||
| КТ315Ж | — | 100 | |||
| КТ315И | — | 100 | |||
| КТ315Н | — | 150 | |||
| КТ315Р | — | 150 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ315А | — | ≥250 | МГц |
| КТ315Б | — | ≥250 | |||
| КТ315В | — | ≥250 | |||
| КТ315Г | — | ≥250 | |||
| КТ315Д | — | ≥250 | |||
| КТ315Е | — | ≥250 | |||
| КТ315Ж | — | ≥250 | |||
| КТ315И | — | ≥250 | |||
| КТ315Н | — | ≥250 | |||
| КТ315Р | — | ≥250 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ315А | — | 25 | В |
| КТ315Б | — | 20 | |||
| КТ315В | — | 40 | |||
| КТ315Г | — | 35 | |||
| КТ315Д | 10к | 40* | |||
| КТ315Е | 10к | 35* | |||
| КТ315Ж | 10к | 20* | |||
| КТ315И | 10к | 60* | |||
| КТ315Н | 10к | 35* | |||
| КТ315Р | 10к | 35* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ315А | — | 6 | В |
| КТ315Б | — | 6 | |||
| КТ315В | — | 6 | |||
| КТ315Г | — | 6 | |||
| КТ315Д | — | 6 | |||
| КТ315Е | — | 6 | |||
| КТ315Ж | — | 6 | |||
| КТ315И | — | 6 | |||
| КТ315Н | — | 6 | |||
| КТ315Р | — | 6 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ315А | — | 100 | мА |
| КТ315Б | — | 100 | |||
| КТ315В | — | 100 | |||
| КТ315Г | — | 100 | |||
| КТ315Д | — | 100 | |||
| КТ315Е | — | 100 | |||
| КТ315Ж | — | 50 | |||
| КТ315И | — | 50 | |||
| КТ315Н | — | 100 | |||
| КТ315Р | — | 100 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ315А | 10 В | ≤0.5 | мкА |
| КТ315Б | 10 В | ≤0.5 | |||
| КТ315В | 10 В | ≤0.5 | |||
| КТ315Г | 10 В | ≤0.5 | |||
| КТ315Д | 10 В | ≤0.6 | |||
| КТ315Е | 10 В | ≤0.6 | |||
| КТ315Ж | 10 В | ≤0.6 | |||
| КТ315И | 10 В | ≤0.6 | |||
| КТ315Н | 10 В | ≤0.6 | |||
| КТ315Р | 10 В | ≤0.5 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ315А | 10 В; 1 мА | 30…120* | |
| КТ315Б | 10 В; 1 мА | 50…350* | |||
| КТ315В | 10 В; 1 мА | 30…120* | |||
| КТ315Г | 10 В; 1 мА | 50…350* | |||
| КТ315Д | 10 В; 1 мА | 20…90* | |||
| КТ315Е | 10 В; 1 мА | 50…350* | |||
| КТ315Ж | 10 В; 1 мА | 30…250* | |||
| КТ315И | 10 В; 1 мА | ≥30* | |||
| КТ315Н | 10 В; 1 мА | 50…350* | |||
| КТ315Р | 10 В; 1 мА | 150…350* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ315А | 10 В | ≤7 | пФ |
| КТ315Б | 10 В | ≤7 | |||
| КТ315В | 10 В | ≤7 | |||
| КТ315Г | 10 В | ≤7 | |||
| КТ315Д | 10 В | ≤7 | |||
| КТ315Е | 10 В | ≤7 | |||
| КТ315Ж | 10 В | ≤10 | |||
| КТ315И | 10 В | ≤10 | |||
| КТ315Н | 10 В | ≤7 | |||
| КТ315Р | 10 В | ≤7 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ315А | — | ≤20 | Ом, дБ |
| КТ315Б | — | ≤20 | |||
| КТ315В | — | ≤20 | |||
| КТ315Г | — | ≤20 | |||
| КТ315Д | — | ≤30 | |||
| КТ315Е | — | ≤30 | |||
| КТ315Ж | — | ≤25 | |||
| КТ315И | — | ≤45 | |||
| КТ315Н | — | ≤5.5 | |||
| КТ315Р | — | ≤20 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ315А | — | ≤40* | Дб, Ом, Вт |
| КТ315Б | — | ≤40* | |||
| КТ315В | — | ≤40* | |||
| КТ315Г | — | ≤40* | |||
| КТ315Д | — | ≤40* | |||
| КТ315Е | — | ≤40* | |||
| КТ315Ж | — | — | |||
| КТ315И | — | — | |||
| КТ315Н | — | — | |||
| КТ315Р | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ315А | — | ≤300 | пс |
| КТ315Б | — | ≤500 | |||
| КТ315В | — | ≤500 | |||
| КТ315Г | — | ≤500 | |||
| КТ315Д | — | ≤1000 | |||
| КТ315Е | — | ≤1000 | |||
| КТ315Ж | — | ≤800 | |||
| КТ315И | — | ≤950 | |||
| КТ315Н | — | ≤1000 | |||
| КТ315Р | — | ≤500 |
rudatasheet.ru
аналоги в мире :: SYL.ru
Один из самых известных транзисторов – КТ315, аналог которого нескоро появился на просторах Советского Союза, и который был первым массовым советским транзистором. Он настолько универсален, что его продолжают использовать до сих пор (хоть и довольно ограниченно и по большей части радиолюбители). Предпосылкой к этому стала их универсальность, длительное время эксплуатации и наличие огромного опыта создания чего-то с их помощью (с которым можно ознакомиться в специальных источниках).
Разработка
Идеей массового выпуска советские инженеры загорелись ещё в 1966 году. Разработан транзистор был в 1967 году Фрязинским полупроводниковым заводом в его исследовательско-конструкторском бюро. А в 1968-м сошли первые единицы.Чем он выделяется среди других транзисторов
В первую очередь обращали внимание на его внешний вид и характеристики. Планка частотности составляла 250 МГц, что по состоянию на 1967 год было очень и очень много. Также легкость производства обусловила выпуск огромного количества транзисторов. Было в нём и кое-что уникальное (на то время) и в вопросах заземления минусового полюса питания.Технология, которая положена в основу транзистора
Для производства применялась планарная технология (было предусмотрено, что все структуры создаются на одном боку, проводимость материала – как в коллекторах, поэтому сначала при использовании формируется базовая область, а потом в ней – эмиттерная). Параметры, которые были получены им, сделали его самым лучшим в мире (на момент создания). Он позволил заменить много других деталей в электронике, при этом был дешевым. Доходило до того, что в Советском Союзе в магазинах для радиолюбителей его продавали на вес.КТ315 – аналоги отечественные и зарубежные
Но так как главной темой статьи является не КТ315 – аналоги для этого транзистора, то следует уже уделить внимание и основной теме. Итак, вот список аналогов:- Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления. Если сравнивать с КТ315, аналог зарубежный довольно дорогой. Но он имеет то преимущество, что при пайке и перепайке не так быстро выходит из строя (что не в последнюю очередь благодаря его увеличенной и укреплённой конструкции). Максимальная рассеиваемая мощность – 0,25. На направление “коллектор-база” может подаваться до 50 Вольт. На коллектор-эмиттер – до 45 Вольт. Максимальное напряжение для направления эмиттер-база составляет 6 Вольт. Коллекторный переход имеет ёмкость 8. Предельная температура перехода составляет 150 градусов. Статистический коэффициент передачи тока – 200.
- Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены. Значение максимальной рассеиваемой мощности составляет 0,18. Максимально допустимое напряжение на коллектор-базу и коллектор-эмиттер – 40 Вольт. Эмиттер-база – всего 6 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 8. Предельная температура перехода – 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока – 90.
- Биполярный транзистор КТ3102. Сказать, что он для КТ315 – аналог отечественный будет неверно, ведь исторически так сложилось, что подобные детали изготавливались одного вида, который соответствует всем необходимым запросам и может выполнить возложенные на него функции. Дело в том, что просто КТ3102 не существует, обязательно вслед идёт ещё одна буква. Во избежание конфликтов значения будут указаны для всей группы. Более детальную информацию вы сможете получить, просматривая каждый транзистор. Отечественная разработка является усовершенствованным КТ315. Аналог в этом случае – слово не совсем уместное, скорее, усовершенствованный механизм. Максимальная рассеиваемая мощность КТ3102 составляет 0,25. На коллектор-базу может подаваться максимальное напряжение в 20-50 Вольт. Максимальное напряжение, которое можно подавать на коллектор-эмиттер, тоже составляет 20-50 Вольт. Максимальное напряжение на эмиттер-базу составляет 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода равняется 6. Предельная температура перехода – 150 градусов. Статический коэффициент передачи тока равняется 100.
- Биполярный транзистор 2SC641. Максимальная рассеиваемая мощность – 0,1. Напряжение на направлении коллектор – база не должно превышать 40 Вольт. Максимальное напряжение на направлении коллектор – эмиттер не должно быть больше 15 Вольт. Для направления эмиттер – база это значение не должно превышать 5 Вольт. Ёмкость коллекторного перехода составляет 6 единиц. Предельная температура перехода – 125 градусов. Статический коэффициент передачи тока равен 35.
Где они применяются
КТ315, аналоги (зарубежные и отечественные) использовались и сейчас используются радиолюбителями при создании усилителей высоких, средних и низких частот. Также они могут быть применены в генераторах, преобразователях сигналов и логических схемах. Если напрячь мозги, можно найти и другое применение, но это основное предназначение для КТ315. Параметры аналог (любой) имеет немного иные. Но главное, что это биполярные транзисторы, и их мощность важна исключительно для мощностей схем, которые будут собраны.
Заключение
В статье был рассмотрен прототип (КТ315) и его аналоги с описанием возможностей их использования. Остаётся надеяться, что предоставленная здесь информация будет вам полезна. Также необходимо напомнить, что транзисторы являются довольно хрупкими элементами, которые к тому же часто перегорают. Поэтому при работе с ними, да и с другими деталями электротехники, соблюдайте технику безопасности.www.syl.ru
Справочные данные транзисторов кт315 и кт361 кт315а, кт315б, кт315в, кт315г, кт315д, кт315е, кт315к, кт315и
Транзисторы кремниевые эпитаксиально – планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0.18 г.
Электрические параметры
Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее:
КТЗ15А, КТ315Б, КТ315Ж 15 В
КТЗ15В, КТ315Д, КТ315И 30 В
КТ315Г, КТ315Е 25 В
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА не более:
КТ315А, КТ315Б, КТЗ 15В, КТ315Г 0,4 В
КТ315Д, КТ315Е 1В
КТ315Ж 0,5 В
Напряжение насыщения база – эмиттер при Iк = 20 мА, IБ – 2 мА не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 1,1 В
КТ315Д, КТ315Е 1,5 В
КТ315Ж 0,9 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА:
КТ315А, КТ315В, КТ315Д 20 – 90
КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е 50 – 350
КТ315Ж 30 – 250
КТ315И не менее 30
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА не более:
КТ315А 300 нс
КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 500 нс
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж 1000 нс
Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ =10 В, Iк = 1 мА, f= 100 МГц не менее:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 2,5
КТ315Ж 1,5
Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f= 10 МГц не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 7 пФ
КТ315Ж 10 пФ
Входное сопротивление при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА, не менее 40 Ом
Выходная проводимость при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА 0,3 мкСм
Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В не более 1 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Uбэ = 10 кОм, Т= 213 … 373 К:
КТ315А 25 В
КТ315Б 20 В
КТ315В, КТ315Д 40 В
КТ315Г, КТ315Е 35 В
КТ315Ж 15 В
КТ315И 60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 213 … 373К 6В
Постоянный ток коллектора при Т =213 … 373 К:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 100 мА
КТ315Ж, КТ315И 50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т =213 … 298 К:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 150 мВт
КТ315Ж, КТ315И 100 мВт
Температура перехода 393 К.
Температура окружающей среды От 213 до 373 К
Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т =298 … 373 К определяется по формуле
РК.макс = (393 – Т)/0,67.
Допускается эксплуатация транзисторов в режиме Рк = 250 мВт при UКБ = 12,5 В, Iк = 20 мА.
2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора.
При включении транзистора в схему, находящуюся под напряжением, базовый вывод должен подсоединяться первым и отсоединяться последним.
Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем интервале температур
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера | Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора |
Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы
studfile.net
