Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Прибор для проверки полевых транзисторов

Самодельные приборы

материалы в категории

О том как проверить полевой транзистор мультиметром уже было рассказано в отдельной статье здесь, но можно так-же изготовить и простенький прибор для проверки полевых транзисторов.

Прибор позволяет проверять работоспособность полевых транзисторов с p-n переходом, с изолированным затвором и встроенным каналом (обедненный тип), а также одно- и двухзатворных транзисторов с изолированными затворами и индуцированным каналом (обогащенный тип).

Схема прибора для проверки полевых транзисторов


Переключателем S3 устанавливают, в зависимости от типа испытуемого транзистора, необходимую полярность напряжения на стоке. Для проверки транзисторов с затвором в виде p-n перехода и транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом переключатель S1 устанавливают в положение “обеднение”, a S2 – в положение “подложка”. 

Для проверки транзисторов с изолированными затворами и индуцированным каналом переключатель S1 переводят в положение “обогащение”, a S2 – в положение “подложка” для однозатворных и “затвор 2” для двухзатворных транзисторов. 

После установки переключателей в нужные положения к гнездам разъема X1 подключают проверяемый транзистор, включают питание и, регулируя переменными резисторами R1 и R2 напряжения на затворах, наблюдают за изменением тока стока. 

Резисторы R3 и R4 ограничивают ток затвора в случае его пробоя или при ошибочной полярности напряжения на затворе (для транзисторов с затвором в виде p-n перехода). Резисторы R5 и R6 исключают возможность накопления статических зарядов на гнездах разъема X1 для подключения затворов. Резистор R8 ограничивает ток, протекающий через миллиамперметр P1. Мост (диоды VI-V4) обеспечивает требуемую полярность тока через измерительный прибор при любой полярности питающего напряжения.

 

Налаживание прибора сводится к подбору резистора R8*, обеспечивающего отклонение стрелки миллиамперметра на последнюю отметку шкалы при замкнутых гнездах “сток” и “исток”. 

В приборе может быть использован миллиамперметр с током полного отклонения 10 мА или микроамперметр с соответствующим сопротивлением шунтирующего резистора R7*. Диоды V1-V4 – любые, маломощные, германиевые. Номинальное сопротивление резисторов R1 и R2 – в пределах 5,1…47 кОм. 

Прибор питается от двух батарей “Крона” или от двух аккумуляторов 7Д-0,1. 

Данным прибором можно измерять и напряжение отсечки (прибор Р1 должен быть на ток 100 мкА). Для этого параллельно гнездам “затвор 1” и “исток” устанавливают дополнительные гнезда, к которым подключают вольтметр. 

Последовательно с резистором R7* включают кнопку, при нажатии на которую шунтирующий резистор отключается. При нажатой кнопке устанавливают ток стока 10 мкА и по внешнему вольтметру определяют напряжение отсечки. 

Прибор для проверки любых транзисторов. Прибор для проверки мощных IGBT и MOSFET транзисторов (n-канал)

При сборке или ремонте усилителей звука довольно часто требуется подобрать идентичные по параметрам пары

биполярных транзисторов . Китайские цифровые тестеры могут измерить коэффициент передачи тока базы (в народе — коэффициент усиления) биполярного транзистора, но маломощного. Для входных дифференциальных или двухтактных каскадов подойдёт. А как быть с мощными выходными?

Для этих целей в измерительной лаборатории радиолюбителя, занимающегося конструированием или ремонтом усилителей, должен быть . Он должен измерять коэффициент усиления на больших токах, близких к рабочим.

Для справки: коэффициент усиления транзистора «по научному» называется коэффициентом передачи тока базы в цепь эмиттера, обозначается h31э . Раньше назывался «бэта» и обозначался как β, поэтому иногда радиолюбители старой школы прибор для проверки транзисторов называют «бетник».

В Интернете и радиолюбительской литературе можно найти огромное количество вариантов схем прибора для проверки транзисторов . Как довольно простых, так и сложных, рассчитанных на разные режимы или автоматизацию процесса измерений.

Для самостоятельной сборки решено было выбрать схему попроще, чтобы наши читатели без труда могли сделать прибор для проверки транзисторов своими руками . Заметим сразу, что нам как-то чаще приходится иметь дело с усилителями на биполярных транзисторах , поэтому и получившийся в конце концов прибор предназначен для измерения параметров только биполярных транзисторов .

Для справки: раньше главный редактор РадиоГазеты измерения проводил старым дедовским способом: два мультиметра (в цепь базы и цепь эмиттера) и «многооборотник» для задания тока. Долго, но информативно – можно не просто подобрать транзисторы, но и снять зависимость h31э от тока коллектора. Довольно быстро пришло осознание бесполезности данного занятия: для наших транзисторов снимать такую зависимость – одно расстройство (настолько они кривые), для импортных – пустая трата времени (все графики есть в даташитах).

Включив паяльник, главный редактор принялся собирать прибор для проверки транзисторов своими руками.

Если ноги плохо пахнут, вспомните, откуда они растут.

Немного погуглив, я нашёл схему прибора для проверки транзисторов , которая растиражирована на довольно приличном количестве сайтов. Простая, портативная… но кроме самого автора её никто не хвалит. Это должно было смутить сразу, но увы.

Итак, исходная схема (с немного упрощенной индикацией и коммутацией):

Увеличение по клику

По замыслу автора здесь операционный усилитель совместно с испытуемым транзистором образуют источник стабильного тока. Ток эмиттера в этой схеме постоянный и определяется величиной эмиттерного резистора. Зная этот ток, нам остаётся только измерить ток базы, а затем путём деления одного на другое получить значение h31э. (в авторском варианте шкала измерительной головки сразу градуировалась в значениях h31э).

Два биполярных транзистора на выходе ОУ служат для увеличения нагрузочной способности микросхемы при измерении на больших токах. Диодный мост включён для того, чтобы исключить необходимость перекоммутации амперметра при переключении с «p-n-p» на «n-p-n» транзисторы. Для повышения точности подбора комплементарных пар биполярных транзисторов требуется отобрать стабилитроны (задающие опорное напряжение) с максимально близкими напряжениями стабилизации.

Меня как-то сразу смутило «не совсем корректное» включение операционного усилителя при однополярном питании. Но макетная плата всё стерпит, поэтому схема была собрана и опробована.

Сразу выявились недостатки. Ток через транзистор сильно зависел от напряжения питания, что ни разу не напоминает генератор стабильного тока . Что там умудрился подбирать автор схемы, питая при этом прибор от аккумулятора, остаётся большой загадкой. По мере разряда аккумулятора «образцовый» ток будет уплывать и довольно заметно. Потом пришлось повозиться в «умощнителем» на выходе ОУ иначе схема неустойчиво работала при измерении транзисторов разной мощности. Потребовалось подобрать значение резистора, а потом я перешёл на более «классический» вариант умощнителя. А двухполярное (правильное) питание ОУ решило проблему с плавающим током.

В итоге схема приобрела вид:

Увеличение по клику

Но тут выявился ещё один недостаток – если вы перепутаете проводимость биполярного транзистора (включите на приборе «p-n-p», а подключите транзистор «n-p-n»), а при подборе из большого количества транзисторов вы точно рано или поздно забудете переключить прибор, то выходит из строя один из транзисторов «умощнителя» и придётся заниматься ремонтом прибора. Да и к чему нам сложности с двухполярным питанием, операционник, умощнитель и прочее?

Всё гениальное просто!

Я задался целью сделать что-то попроще и понадёжнее. Идея с источником тока мне понравилась, проводя измерения на фиксированном (заранее известном) токе эмиттера, мы можем сократить необходимое количество измерительных приборов (амперметров).

Тут я вспомнил про свою любимую микросхему TL431 . Генератор тока на ней строится всего из 4-х деталей: Учитывая не очень большую нагрузочную способность этой микросхемы (а на радиатор её крепить крайне неудобно), для испытания мощных транзисторов при больших токах воспользуемся идеей господина Дарлингтона :

Теперь загвоздка – ни в одном справочнике нет схемы источника тока на TL431 и транзисторе «p-n-p» структуры. Решить эту проблему помогла идея не менее уважаемого мною господина Шиклаи :

Да, пытливый глаз заметит, что через токозадающий резистор здесь протекают токи обоих транзисторов, что вносит некоторую погрешность в измерения. Но, во-первых, при значениях коэффициента передачи тока базы транзистора Т2 выше 20, погрешность составит менее 5% , что для радиолюбительских целей вполне допустимо (мы не Шаттл к Венере запускаем).

Во-вторых, если мы всё же запускаем Шаттл, и нам требуется высокая точность, эту погрешность легко учесть в расчётах. Ток эмиттера транзистора Т1 практически равен току базы транзистора Т2, а его-то мы и будем измерять. В результате, при расчёте h31э (а это очень удобно выполнять в программе Excel) вместо формулы: h31э=Iэ/Iб нужно использовать формулу: h31э=Iэ/Iб-1

Для минимизации данной погрешности, а так же для обеспечения нормальной работы микросхемы TL431 в широком диапазоне токов в качестве транзистора Т1 следует отобрать транзистор с максимальным h31э. Так как это маломощный биполярный транзистор, пока не готов наш прибор, можно воспользоваться китайским мультиметром. Мне удалось всего из 5 штук транзисторов КТ3102 найти экземпляр со значением 250.

Так как сегодня в хозяйстве любого радиолюбителя найдётся китайский мультиметр (а то и не один), его-то мы и будем использовать в качестве измерителя базового тока, что позволит нам не городить коммутацию для разных диапазонов базовых токов (у меня мультиметр с автоматическим выбором предела измерений), а заодно исключить из схемы выпрямительный мост – цифровому мультиметру без разницы направление протекающего тока.

Схема имени меня, Шиклаи и Дарлингтона.

Для объединения вышеприведённых схем в одну добавим немного коммутирующих элементов, источник питания и для большей универсальности расширим диапазон эмиттерных токов. В результате получилась вот такая :

Увеличение по клику

При указанных на схеме номиналах расчетный ток эмиттера обеспечивается уже при +4В питающего напряжения, так что это действительно генератор стабильного тока . Ради эксперимента я пару раз подключал транзисторы не той структуры. Ничего не сгорело! Хотя может быть стоило ток побольше задать? Скажу честно, испытаний на выносливость этого прибора проведено мало, время покажет, но начало мне нравится.

В принципе, питать прибор можно даже от нестабилизированного источника, так как стабилизация тока в схеме осуществляется в очень широком диапазоне питающих напряжений. Но! Бывают транзисторы (особенно отечественные), у которых коэффициент передачи тока базы сильно зависит от

напряжения коллектор-эмиттер . Чтобы устранить погрешности измерений из-за нестабильной сети, в схеме предусмотрен стабилизированный источник питания. Кстати, именно из-за таких «кривых» транзисторов следует проводить измерения минимум при трёх разных значения тока.

Итак, схема прибора для проверки транзисторов получилась очень простой, что позволяет без проблем собрать этот прибор самостоятельно, своими руками. Прибор позволяет измерять коэффициент передачи тока базы маломощных и мощных биполярных транзисторов «p-n-p» и «n-p-n» структуры путём измерения тока базы при фиксированном токе эмиттера.

Для маломощных биполярных транзисторов выбраны значения тока эмиттера: 2мА, 5мА, 10мА.
Для мощных биполярных транзисторов измерения проводятся при токах эмиттера: 50мА, 100мА, 500мА.
Ни кто не запрещает проверять транзисторы средней мощности при токах 10мА, 50мА, 100мА. В общем, вариантов масса.
Значения эмиттерных токов можно изменить на своё усмотрение путём пересчёта соответствующего токозадающего резистора по формуле:

R= Uо/Iэ ,

где Uо — опорное напряжение TL431 (2,5В), Iэ — требуемый ток эмиттера испытуемого транзистора.

ВНИМАНИЕ: В природе встречаются микросхемы TL431 с опорным напряжением 1,2В (не помню как отличается маркировка). В этом случае значения всех токозадающих резисторов, указанных на схеме, необходимо пересчитать!

Конструкция и детали.

Из-за простоты устройства печатная плата не разрабатывалась, все элементы распаиваются на выводах переключателей и разъёмов. Всю конструкцию можно собрать в корпусе небольшого размера, всё будет зависеть от габаритов применённого трансформатора и переключателей.

При испытании мощных биполярных транзисторов на больших токах (100мА и 500мА) их необходимо закрепить на радиаторе ! Если пластинчатый радиатор смонтировать на одной из стенок прибора или сам радиатор использовать в качестве стенки прибора, то это сделает пользование устройством более удобным. Радиатор, который всегда с собой! Это существенно ускорит процесс испытания мощных транзисторов в корпусах ТО220, ТО126, ТОР3, ТО247 и аналогичных.

Микросхему стабилизатора блока питания также необходимо установить на небольшой радиатор. Диодный мост подойдёт любой на ток 1А и выше. В качестве трансформатора можно использовать подходящий малогабаритный, мощностью от 10Вт с напряжением вторичной обмотки 10-14В.

Опционально: в приборе для проверки транзисторов предусмотрены гнёзда для подключения второго мультиметра (включенного в режим измерения постоянного напряжения на предел 2-3В). Подсмотрел эту идею на одном из форумов. Это позволяет измерить Uбэ транзистора (при необходимости вычислить крутизну). Данная функция очень удобна при подборе биполярных транзисторов одной структуры для ПАРАЛЛЕЛЬНОГО включения в одном плече выходного каскада усилителя. Если при одном и том же токе напряжения Uэб отличаются не более чем на 60мВ, то такие транзисторы можно включать параллельно БЕЗ эмиттерных токовыравнивающих резисторов. Теперь вы понимаете, почему усилители фирмы Accuphase, где в выходном каскаде в каждом плече включено параллельно до 16 транзисторов, стоят таких денег?

Перечень используемых элементов:

Резисторы:
R3 — 820 Ом, 0,25Вт,
R4 — 1к2, 0,25Вт,
R5 — 510 Ом, 0,25 Вт,
R6 — 260 Ом, 0,25Вт
R7 — 5,1 Ом, 5Вт (лучше больше),
R8 — 26 Ом, 1 Вт,
R9 — 51 Ом, 0,5Вт,
R10 — 1к8, 0,25 Вт.

Конденсаторы:

С1 — 100nF, 63V,
C2 — 1000uF, 35V,
C3 — 470uF, 25V

Коммутация:

S1 — переключатель типа П2К или галетный на три положения с двумя группами контактов на замыкание,
S2 — переключатель типа П2К, тумблер или галетный с одной группой контактов на переключение,
S3 – переключатель типа П2К или галетный на два положения с четырьмя группами контактов на переключение,
S4 — кнопка без фиксации,
S5 — сетевой выключатель

Активные элементы:

T3 — транзистор типа КТ3102 или любой маломощный n-p-n типа с высоким коэффициентом усиления,
D3 — TL431,
VR1 — интегральный стабилизатор 7812 (КР142ЕН8Б),
LED1 — светодиод зелёного цвета,
BR1 — диодный мост на ток 1А.

Tr1 — трансформатор мощностью от 10Вт, с напряжением вторичной обмотки 10-14В,
F1 — предохранитель на 100mA…250mA,
клеммы (подходящие доступные) для подключения измерительных приборов и испытуемого транзистора.

Работа с прибором для проверки транзисторов.

1. Подключаем к прибору мультиметр, включенный в режим измерения тока. Если нет режима «авто», то выбираем предел в соответствии с типом проверяемых транзисторов. Для маломощных – микроамперы, для мощных биполярных транзисторов — миллиамперы. Если вы не уверены в выборе режима, поставьте сначала миллиамперы, если показания будут низкие, переключите прибор на меньший предел.

2. Если есть необходимость подобрать транзисторы с одинаковым Uбэ, подключаем к соответствующим гнёздам прибора второй мультиметр в режиме измерения напряжения на предел 2-3В.

3. Подключаем прибор к сети и нажимаем кнопку «Вкл» (S5).

4. Переключателем S3 выбираем структуру испытуемого транзистора «p-n-p» или «n-p-n», а переключателем S2 его тип — маломощный или мощный. Переключателем S1 устанавливаем минимальное значение эмиттерного тока.

5. Подключаем к соответствующим гнездам выводы испытуемого транзистора. При этом, если транзистор мощный, его следует закрепить на радиаторе.

6. Нажимаем на 2-3 секунды кнопку S4 «Измерение». Считываем показания мультиметра, заносим их в таблицу.

7. Переключателем S1 устанавливаем следующее значение эмиттерного тока и повторяем пункт 6.

8. По окончании измерений отключаем транзистор от прибора, прибор — от сети. В принципе, парные транзисторы можно отобрать по близким значениям измеренного базового тока. Если требуется рассчитать коэффициент h31э или построить графики, то следует перенести данные в электронную таблицу Excel или аналогичную.

9. Сравниваем полученные данные в таблице и отбираем транзисторы с близкими значениями.

Вместо эпилога.

Немного замечаний по маломощным биполярным транзисторам (не зря же я для них режимы предусмотрел?).
Почему-то радиолюбители наибольшее внимание при построении усилителей на транзисторах уделяют (и то в лучшем случае) подбору идентичных экземпляров для оконечного каскада.

Между тем, на входе усилителя чаще всего используют дифференциальные каскады или реже двухтактные . При этом напрочь забывается, что для получения от диф. каскада как и от двухтактного по максимуму всех его замечательных свойств транзисторы в таком каскаде также должны быть подобраны !

Более того, для обеспечения максимально близкого температурного режима корпуса транзисторов дифкаскада лучше склеить между собой (или прижать друг к другу хомутиком), а не разносить по разным сторонам платы. Применение во входном каскаде интегральных транзисторных сборок устраняет эти проблемы, но такие сборки порой стоят дорого или просто не доступны радиолюбителям.

Поэтому подбор маломощных транзисторов входного каскада остаётся актуальной задачей, и предлагаемый прибор для проверки транзисторов может существенно облегчить этот процесс. Тем более, что один из выбранных для измерения режимов – ток 5мА, чаще всего и является током покоя первого каскада. А на каком токе проводит измерения китайский мультиметр???

Удачного творчества!

Главный редактор «РадиоГазеты».

Этот несложный прибор, принципиальную схему которого вы видите на рисунке, предназначен для выявления скрытых дефектов и контроля обратного неуправляемого тока у биполярных и БСИТ транзисторов любой структуры, при рабочем напряжении 30…600 В. Им так же можно проверить обратный ток тринисторов, симисторов, диодов и определить рабочее напряжение газоразрядных ламп, варисторов, стабилитронов.

Известно, что проверка обычным мультиметром полупроводниковых приборов с максимальным рабочим напряжением более 50 В не дает полного представления о исправности детали, поскольку проверка происходит на слишком низком напряжении, что не позволяет однозначно судить о том, как эта деталь поведет себя при работе на номинальном для нее, значительно более высоком, напряжении.

Те, кому когда-нибудь приходилось ремонтировать телевизоры или мониторы, наверняка могут вспомнить случаи, когда совершенно новый мощный высоковольтный транзистор, установленный в модуль строчной развертки или импульсный источник питания, выходил из строя в первые же секунды работы.

Не редкость и “странное” поведение симисторов и тринисторов в фазовых регуляторах мощности, проявляющееся как мерцание подключенных в качестве нагрузки ламп накаливания. При этом, тиристор обычно начинает заметно греться даже при работе с нагрузкой мощностью 40 Вт.

Многочисленные пробники для проверки “низковольтных” биполярных транзисторов мало подходят для тестирования мощных высоковольтных транзисторов. Например, КТ840А, по справочнику, имеет максимальное напряжение 400 В, при сопротивлении резистора 100 Ом, включенного между его выводами базы и эмиттера, обратный ток коллектора при температуре 25°С не должен превышать 0,1.,3mA.

Понятно, что 3 mА, худшее значение, при котором транзистор может считаться условно исправным. Несколько из проверенных транзисторов этого типа вели себя “прилично” только до напряжения Э-К = 200…250 В. При дальнейшем повышении напряжения обратный ток резко увеличивался, превышая допустимый по справочным данным. При попытке установки в импульсный блок питания МП3-3, два таких транзистора вышли из строя в первые секунды работы, унося с собой “в могилу” по тринистору КУ112А.

Немало дефектных деталей встречается и среди диодов, которые тоже хорошо прозваниваются мультиметром, но на деле могут работать только при низком напряжении.

Следует учитывать, что если у проверяемого транзистора начальный неуправляемый ток хуже чем данный в справочнике, или заведомо хуже чем у других транзисторов этого же типа, то перед вами может быть не просто слегка некачественный экземпляр, а так называемый “перетёр” – когда под видом одного транзистора, вы приобретаете в таком же корпусе другой, но “непопулярный”, с которого смыли старую маркировку и нанесли новую.

Данное устройство, схему которого легко собрать позволит проверить транзисторы любой проводимости, не выпаивая иx из схемы. Схема прибора, собрана на основе мультивибратора. Как видно из схемы, вместо нагрузочных резисторов в коллекторы транзисторов мультивибратора включены транзисторы противоположной основным транзисторам проводимостью. Таким образом, схема генератора представляет комбинацию мультивибратора и триггера.


Схема простого транзисторного тестора

Как видите схема транзисторного тестора проще некуда. Практически любой биполярный транзистор имеет три вывода, эмиттер-база-коллектор. Для того что бы он заработал, на базу необходимы подать небольшой ток, после этого полупроводник открывается и может пропускать через себя значительно больший ток через эмиттерный и коллекторный переходы.

На транзисторах T1 и T3 собран триггер, кроме того они являются активной нагрузкой транзисторов мультивибратора. Остальная часть схемы это цепи смещения и индикации испытуемого транзистора. Данная схема работает в диапазоне питающих напряжений от 2 до 5 В, а ее ток потребления изменяется от 10 до 50 мА.

Если использовать блок питания на 5 В, то для снижения тока потребления резистора R5 лучше увеличить до 300 Ом. Частота мультивибратора в этой схеме около 1,9 кГц. При этой частоте свечение светодиода выглядит как непрерывное.

Данное устройство для проверки транзисторов просто незаменимо для сервисных инженеров, так как позволяет существенно сократить время поиска неисправности. Если проверяемый биполярный транзистор исправен, то горит один светодиод, в зависимости от его проводимости. Если горят оба светодиода, то это происходит только из-за внутреннего обрыва. Если не горит ни один из них, то значит имеется замыкания внутри транзистора.

Приведенный рисунок печатной платы имеет размерами 60 на 30 мм.

Вместо заложенных в схему транзисторов можно использовать транзисторы КТ315Б, КТ361Б с коэффициентом усиления выше 100. . Диоды абсолютно любые, но кремниевые типа КД102, КД103, КД521. Светодиоды тоже любые.

Внешний вид собранного транзисторного пробника на макетной плате. Его можно разместить в корпусе от сгоревшего китайского тестера, надеюсь, эта конструкция понравится вам своим удобством и функциональностью.

Схема данного пробника достаточно проста для повторения, но будет достаточно полезна при отбраковки биполярных транзисторов.

На элементах ИЛИ-НЕ Д1.1 и Д1.2 выполнен генератор, который управляет работой транзисторного коммутатора. Последний предназначен для изменения полярности питающего напряжения на тестируемом транзисторе. С помощью увеличения сопротивления переменного резистора, добиваются свечения одного из светодиодов.

По цвету светодиода определяют структуру проводимости транзистора. Калибровку шкалы переменного резистора осуществляют с помощью заранее подобранных транзисторов.

Прибор для проверки любых транзисторов

Это очередная статья, посвященная начинающему радиолюбителю. Проверка работоспособности транзисторов пожалуй самое важно дело, поскольку именно нерабочий транзистор является причиной отказа работы всей схемы. Чаще всего у начинающих любителей электроники возникают проблемы с проверкой полевых транзисторов, а если под рукой нет даже мультиметра, то проверить транзистор на работоспособность очень трудно. Предложенное устройство позволяет за несколько секунд проверить любой транзистор, независимо от типа и проводимости.

Устройство очень простое и состоит из трех компонентов. Основная часть – трансформатор. За основу можно взять любой малогабаритный трансформатор от импульсных блоков питания. Трансформатор состоит из двух обмоток. Первичная обмотка состоит из 24 витков с отводом от середины, провод от 0,2 до 0,8 мм.

Вторичная обмотка состоит из 15 витков провода того же диаметра, что и первичка. Обе обмотки мотаются в одинаковом направлении.

Светодиод подключен к вторичной обмотке через ограничительный резистор 100 ом, мощность резистора не важна, полярность светодиода тоже, поскольку на выходе трансформатора образуется переменное напряжение. Присутствует также специальная насадка, в которую вставляется транзистор с соблюдением цоколевки. Для биполярных транзисторов прямой проводимости (типа КТ 818, КТ 814, КТ 816 , КТ 3107 и т. п.) база через базовый резистор 100 ом идет на одну из выводов (левый или правый вывод) трансформатора, средняя точка трансформатора (отвод) подключен к плюсу питания, эмиттер транзистора подключается к минусу питания, а коллектор к свободному выводу первичной обмотки трансформатора.

Для биполярных транзисторов обратной проводимости, нужно всего лишь поменять полярность питания. То же самое и с полевыми транзисторами, важно только не перепутать цоколевку транзистора. Если после подачи питание светодиод начинает светится, значит транзистор рабочий, если же нет, значит бросайте в мусор, поскольку прибор обеспечивает 100% точность проверки транзистора. Эти подключения нужно делать всего один раз, во время сборки прибора, насадка позволяет значительным образом сократить время проверки транзистора, нужно всего лишь вставлять транзистор в нее и подать питание. Устройство по идее является простейшим блокинг – генератором. Питание 3,7 – 6 вольт, отлично подойдет всего один литий – ионный аккумулятор от мобильного телефона, но с аккумулятора заранее нужно выпаять плату, поскольку эта плата отключает питание потребление тока превышает 800 мА, а наша схема может в пиках потреблять такой ток. Готовое устройство получается достаточно компактным, можно поместить в компактный пластмассовый корпус, например от конфет типа тик- так и у вас будет карманный прибор для проверки транзисторов на все случаи жизни.

sdelaysam-svoimirukami.ru

ДИАГНОСТИКА И РЕМОНТ ЭЛЕКТРОНИКИ БЕЗ СХЕМ

В жизни каждого домашнего мастера, умеющего держать в руках паяльник и пользоваться мультиметром, наступает момент, когда поломалась какая-то сложная электронная техника и он стоит перед выбором: сдать на ремонт в сервис или попытаться отремонтировать самостоятельно. В этой статье мы разберем приемы, которые могут помочь ему в этом.

Итак, у вас сломалась какая-либо техника, например ЖК телевизор, с чего нужно начать ремонт? Все мастера знают, что начинать ремонт надо не с измерений, или даже сходу перепаивать ту деталь, которая вызвала подозрение в чем-либо, а с внешнего осмотра. В это входит не только осмотр внешнего вида плат телевизора, сняв его крышку, на предмет подгоревших радиодеталей, вслушивание с целью услышать высокочастотный писк либо щелканье.

Включаем в сеть прибор

Для начала нужно просто включить телевизор в сеть и посмотреть: как он себя ведет после включения, реагирует ли на кнопку включения, либо моргает светодиод индикации дежурного режима, или изображение появляется на несколько секунд и пропадает, либо изображение есть, а звук отсутствует, или же наоборот. По всем этим признакам, можно получить информацию, от которой можно будет оттолкнуться при дальнейшем ремонте. Например в мигании светодиода, с определённой периодичностью, можно установить код поломки, самотестирования телевизора.

Коды ошибок ТВ по миганию LED

После того, как признаки установлены, следует поискать принципиальную схему устройства, а лучше если выпущен Service manual на устройство, документацию со схемой и перечнем деталей, на специальных сайтах посвященных ремонту электроники. Также не лишним, будет в дальнейшем, вбить в поисковик полное название модели, с кратким описанием поломки, передающим в нескольких словах, ее смысл.

Сервис мануал

Правда иногда лучше искать схему по шасси устройства, либо названию платы, например блока питания ТВ. Но как же быть, если схему все же найти не удалось, а вы не знакомы со схемотехникой данного устройства?

Блок схема ЖК ТВ

В таком случае, можно попробовать попросить помощи на специализированных форумах по ремонту техники, после проведения предварительной диагностики самостоятельно, с целью собрать информацию, от которой мастера, помогающие вам смогут оттолкнуться. Какие этапы включает в себя, эта предварительная диагностика? Для начала, вы должны убедиться в том, что питание поступает на плату, если устройство вообще не подает никаких признаков жизни. Может быть это покажется банальным, но не лишним будет прозвонить шнур питания на целостность, в режиме звуковой прозвонки. Читайте тут как пользоваться обычным мультиметром.

Тестер в режиме звуковой прозвонки

Затем в ход идет прозвонка предохранителя, в этом же режиме мультиметра. Если у нас здесь все нормально, следует померять напряжения на разъемах питания, идущих на плату управления ТВ. Обычно напряжения питания, присутствующие на контактах разъема, бывают подписаны рядом с разъемом на плате.

Разъем питания платы управления ТВ

Итак, мы замеряли и напряжение какое-либо у нас отсутствует на разъеме – это говорит о том, что схема функционирует не правильно, и нужно искать причину этого. Наиболее частой причиной поломок встречающейся в ЖК ТВ, являются банальные электролитические конденсаторы, с завышенным ESR, эквивалентным последовательным сопротивлением. Про ESR подробнее здесь.

Таблица ESR конденсаторов

В начале статьи я писал про писк, который вы возможно услышите, так вот, его проявление, в частности и есть следствие завышенного ESR конденсаторов небольшого номинала, стоящих в цепях дежурного напряжения. Чтобы выявить такие конденсаторы требуется специальный прибор, ESR (ЭПС) метр, либо транзистор тестер, правда в последнем случае, конденсаторы придется выпаивать для измерения. Фото своего ESR метра позволяющего измерять данный параметр без выпаивания выложил ниже.

Мой прибор ESR метр

Как быть если таких приборов нет в наличии, а подозрение пало на эти конденсаторы? Тогда нужно будет проконсультироваться на форумах по ремонту, и уточнить, в каком узле, какой части платы, следует заменить конденсаторы, на заведомо рабочие, а таковыми могут считаться только новые (!) конденсаторы из радиомагазина, потому что у бывших в употреблении этот параметр, ESR, может также зашкаливать или уже быть на грани.

Фото – вздувшийся конденсатор

То что вы могли выпаять их из устройства, которое ранее работало, в данном случае значения не имеет, так как этот параметр важен только для работы в высокочастотных цепях, соответственно ранее, в низкочастотных цепях, в другом устройстве, этот конденсатор мог прекрасно функционировать, но иметь параметр ESR сильно зашкаливающий. Сильно облегчает работу то, что конденсаторы большого номинала имеют в своей верхней части насечку, по которой в случае прихода в негодность просто вскрываются, либо образовывается припухлость, характерный признак их непригодности для любого, даже начинающего мастера.

Мультиметр в режиме Омметра

Если вы видите почерневшие резисторы, их нужно будет прозвонить мультиметром в режиме омметра. Сначала следует выбрать режим 2 МОм, если на экране будут значения отличающиеся от единицы, или превышения предела измерения, нам следует соответственно уменьшить предел измерения на мультиметре, для установления его более точного значения. Если же на экране единица, то скорее всего такой резистор находится в обрыве, и его следует заменить.

Цветовая маркировка резисторов

Если есть возможность прочитать его номинал, по маркировке цветными кольцами, нанесенными на его корпус, хорошо, в противном случае без схемы, не обойтись. Если схема есть в наличии, то нужно посмотреть его обозначение, и установить его номинал и мощность. Если резистор прецизионный, (точный) его номинал можно набрать, путем включения двух обычных резисторов последовательно, большего и меньшего номиналов, первым мы задаем номинал грубо, последним мы подгоняем точность, при этом их общее сопротивление сложится.

Транзисторы разные на фото

Транзисторы, диоды и микросхемы: у них не всегда можно определить неисправность по внешнему виду. Потребуется измерение мультиметром в режиме звуковой прозвонки. Если сопротивление какой либо из ножек, относительно какой то другой ножки, одного прибора, равно нулю, или близко к к этому, в диапазоне от нуля до 20-30 Ом, скорее всего, такая деталь подлежит замене. Если это биполярный транзистор, нужно вызвонить в соответствии с распиновкой, его p-n переходы.

Чаще всего такой проверки бывает достаточно, чтобы считать транзистор рабочим. Более качественный метод описан тут. У диодов мы также вызваниваем p-n переход, в прямом направлении, должны быть цифры порядка 500-700 при измерении, в обратном направлении единица. Исключение составляют диоды Шоттки, у них меньшее падение напряжения, и при прозвонке в прямом направлении на экране будут цифры в диапазоне 150-200, в обратном также единица. Мосфеты, полевые транзисторы, обычным мультиметром без выпаивания так не проверить, приходится часто считать их условно рабочими, если их выводы не звонятся между собой накоротко, или в низком сопротивлении.


Мосфет в SMD и обычном корпусе

При этом следует учитывать, что у мосфетов между Стоком и Истоком стоит встроенный диод, и при прозвонке будут показания 600-1600. Но здесь есть один нюанс: в случае, если например вы прозваниваете мосфеты на материнской плате и при первом прикосновении слышите звуковой сигнал, не спешите записывать мосфет в пробитый. В его цепях стоят электролитические конденсаторы фильтра, которые в момент начала заряда, как известно, на какое-то время ведут себя, как будто цепь замкнута накоротко.

Мосфеты на материнской плате ПК

Что и показывает наш мультиметр, в режиме звуковой прозвонки, писком, первые 2-3 секунды, а затем на экране побегут увеличивающиеся цифры, и установится единица, по мере заряда конденсаторов. Кстати по этой же причине, с целью сберечь диоды диодного мостика, в импульсных блоках питания ставят термистор, ограничивающий токи заряда электролитических конденсаторов, в момент включения, через диодный мост.

Диодные сборки на схеме

Многих знакомых начинающих ремонтников, обращающихся за удаленной консультацией в Вконтакте, шокирует – им говоришь прозвони диод, они прозваниют и сразу-же говорят: он пробитый. Тут стандартно всегда начинается объяснение, что нужно либо приподнять, выпаять одну ножку диода, и повторить измерение, либо проанализировать схему и плату, на наличие параллельно подключенных деталей, в низком сопротивлении. Таковыми часто бывают вторичные обмотки импульсного трансформатора, которые как раз и подключаются параллельно выводам диодной сборки, или иначе говоря сдвоенного диода.

Параллельное и последовательное соединение резисторов

Здесь лучше всего один раз запомнить, правило подобных соединений:

  1. При последовательном соединении двух и более деталей, их общее сопротивление будет больше большего каждой, по отдельности.
  2. А при параллельном соединении, сопротивление будет меньше меньшего каждой детали. Соответственно наша обмотка трансформатора, имеющая сопротивление в лучшем случае 20-30 Ом, шунтируя, имитирует для нас “пробитую” диодную сборку.

Конечно все нюансы ремонтов, к сожалению, в одной статье раскрыть не реально. Для предварительной диагностики большинства поломок, как выяснилось, бывает достаточно обычного мультиметра, применяемого в режимах вольтметра, омметра, и звуковой прозвонки. Часто при наличии опыта, в случае простой поломки, и последующей замены деталей, на этом ремонт бывает закончен, даже без наличия схемы, проведенный так зазываемым “методом научного тыка”. Что конечно не совсем правильно, но как показывает практика, работает, и, к счастью, совсем не так как изображено на картинке выше). Всем удачных ремонтов, специально для сайта Радиосхемы – AKV.

Форум по ремонту

Обсудить статью ДИАГНОСТИКА И РЕМОНТ ЭЛЕКТРОНИКИ БЕЗ СХЕМ

radioskot.ru

как проверить транзистор при помощи мультиметра

В этой статье, мы расскажем вам, как проверить транзистор мультиметром. Наверняка многим из вас хорошо известно, что большинство мультиметров имеют в своём арсенале, специальное гнездо, но не в любой ситуации использование гнезда удобно и оптимально. Так для того, чтобы подобрать несколько элементов, имеющим одинаковый коэффициент усиления, использование гнезда вполне оправданно, а для выявления работоспособности транзистора, вполне достаточно воспользоваться тестером.

о транзисторе

Давайте вспомним о том, что вне зависимости от того, проверяем мы транзистор с прямой или обратной проводимостью, они имеют два p-n перехода. Любой из этих переходов можно сопоставить с диодом. Исходя из этого, можно с уверенностью заявить, что транзистор представляют собой пару диодов, соединённых параллельно, а место их соединения, является базой.

Таким образом получается, что у одного из диодов выводы будут представлять собой базу и коллектор, а у второго диода выводы будут представлять базу и эмиттер, или наоборот. Исходя из выше написанного, наша задача сводится к проверке напряжения падения на полупроводниковом приборе, или проверки его сопротивления. Если диоды работоспособны, значит и проверяемый элемент рабочий.Для начала рассмотрим транзистор с обратной проводимостью, то есть имеющим структуру проводимости N-P-N. На электрических схемах, разных устройств, структуру транзистора определяют с помощью стрелки, которая указывает эмиттерный переход. Так если стрелка указывает на базу, значит, мы имеем дело c с транзистором прямой проводимости, имеющим структуру p-n-p, а если наоборот, значит это транзистор с обратной проводимостью, имеющий структуру n-p-n.

Для открытия транзистора с прямой проводимостью, нужно дать отрицательное напряжение на базу. Для этого берём мультиметр, включаем его, и после этого выбираем режим измерения прозвонки, обычно он обозначается символическим изображением диода.

В этом режиме прибор показывает падение напряжения в мВ. Благодаря этому мы можем определить кремниевый или германиевый диод или транзистор. Если падение напряжения лежит в пределах 200-400 мВ, то перед нами германиевый полупроводник, а если 500-700 кремниевый.

Проверка работоспособности транзистора

Подключаем на базу транзистора, плюсовой щуп (красный цвет), другим щупом (черный- минус) подключаем к выводу коллектора и делаем измерение

Затем минусовым щупом подключаем к выводу эмиттера и измеряем.

Если переходы транзистора не пробиты, то падение напряжения на коллекторном и эмиттерном переходе должно быть на границе от 200 до 700 мВ.

Теперь произведём обратное измерение коллекторного и эмиттерного перехода. Для этого берем, подключаем черный щуп к базе, а красный по очереди подключаем к эмиттеру и коллектору, производя измерения.

Во время измерения, на экране прибора высветится цифра «1», что в свою очередь означает, что при выбранном нами режиме измерения, падение напряжения отсутствует. Точно также, можно проверить элемент, который находиться на электронной плате, от какого-либо устройства, при этом во многих случаях можно обойтись и без выпаивания его из платы. Бывают случаи, когда на впаянные элементы в схеме, оказывают большое влияние резисторы с малым сопротивлением. Но такие схематические решения, встречаются очень редко. В таких случаях при измерении обратного коллекторного и эмиттерного перехода, значения на приборе будут низкие, и тогда нужно выпаивать элемент из печатной платы. Способ проверки работоспособности элемента с обратной проводимостью (P-N-P переход), точно такой же, только на базу элемента подключается минусовой щуп измерительного прибора.

Признаки неисправного транзистора

Теперь мы знаем, как определить рабочий транзистор, а как проверить транзистор мультиметром и узнать, что он не рабочий? Тут тоже всё достаточно легко и просто. Первая неисправность элемента, выражается в отсутствии падения напряжения или в бесконечном большом сопротивлении, прямого и обратного p-n перехода. То есть, при прозвонке прибор показывает «1». Это обозначает, что измеряемый переход в обрыве и элемент не рабочий. Другая неисправность элемента, выражается в наличии большого падения наряжения на полупроводнике (прибор при этом как правило пищит), или около нулевом значении сопротивления прямого и обратного p-n перехода. В таком случае пробита внутренняя структура элемента (короткозамкнута), и он не рабочий.

Определение цоколевки у транзистора

Теперь давайте научимся определять, где у транзистора находится база, эмиттер и коллектор. В первую очередь начинают искать базу элемента. Для этого включаем мультиметр в режим прозвонки. Положительный щуп закрепляем на левую ножку, а минусовым последовательно производим измерение на средней и правой ножке.

Мультиметр нам показал «1» между левой и средней ножкой, а между левой и правой ножкой показания составили 555 мВ.

Пока эти измерения не дают нам возможности, сделать какие-либо выводы. Двигаемся вперёд. Закрепляемся плюсовым щупом на средней ножке, а минусовым последовательно производим измерение на левой и правой ноге.

Тостер показал значение равное «1» между левой и средней ногой, и 551 мВ, между средней и правой ногой.

Эти измерения, тоже не дают возможности сделать вывод и определить базу. Двигаемся дальше. Закрепляем плюсовой щуп на правой ноге, а минусовым щупом по очереди закрепляем среднюю и левую ногу, при этом производим измерения.

В ходе измерения мы видим, что величина падения напряжения между правой и средней ножкой равна единице, и между правой и левой ножкой тоже равно единице (бесконечность). Таким образом, мы нашли базу транзистора, и она находиться на правой ноге.

Теперь нам осталось определить, на какой ноге коллектор, а на какой эмиттер. Для этого прибор следует переключить в измерение сопротивления 200 кОм. Измеряем на средней и левой ноге, для чего закрепим щуп с минусом на правой ноге(база), а плюсовой по очереди будем закреплять на средней ноге и левой, при этом проводя измерения сопротивления.

Получив измерения мы видим, что на левой ноге R=121,0 кOм, а на средней ноге R=116.4 кOм. Следует запомнить раз и навсегда, если вы будете в дальнейшем проверять и находить эмиттер и коллектор, что сопротивление коллекторного перехода в любых случаях меньше, чем сопротивление эмиттера.

Подведём итоги наших измерений:

  1. Измеряемый нами элемент имеет p-n-p структуру.
  2. Нога базы, расположена справа.
  3. Нога коллектора, расположена в середине.
  4. Нога эмиттера находится слева.

Пробуйте и определяйте работоспособность полупроводниковых элементов, это ведь очень легко!

На этом все. Если у Вас есть замечания или предложения по данной статье, прошу написать администратору сайта.

Вконтакте

Одноклассники

Читайте также:

electrongrad.ru

Проверка биполярного транзистора – Основы электроники

Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра.

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов. Так же транзистор может работать в ключевом режиме.

Транзистор состоит из двух p-n переходов, причем одна из областей проводимости является общей. Средняя общая область проводимости называется базой, крайние эмиттером и коллектором. Вследствие этого разделяют n-p-n и p-n-p транзисторы.

Итак, схематически биполярный транзистор можно представить следующим образом.

Рисунок 1. Схематическое представление транзистора а) n-p-n структуры; б) p-n-p структуры.

Для упрощения понимания вопроса p-n переходы можно представить в виде двух диодов, подключенных друг к другу одноименными электродами (в зависимости от типа транзистора).

Рисунок 2. Представление транзистора n-p-n структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных анодами друг к другу.

Рисунок 3. Представление транзистора p-n-p структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных катодами друг к другу.

Конечно же для лучшего понимания желательно изучить как работает p-n переход, а лучше как работает транзистор в целом. Здесь лишь скажу, что чтобы через p-n переход тек ток его необходимо включить в прямом направлении, то есть на n – область (для диода это катод) подать минус, а на p-область (анод).

Это я вам показывал в видео для статьи «Как пользоваться мультиметром» при проверке полупроводникового диода.

Так как мы представили транзистор в виде двух диодов, то, следовательно, для его проверки необходимо просто проверить исправность этих самых «виртуальных» диодов.

Итак, приступим к проверке транзистора структуры n-p-n. Таким образом, база транзистора соответствует p- области, коллектор и эмиттер – n-областям. Для начала переведем мультиметр в режим проверки диодов.

В этом режиме мультиметр будет показывать падение напряжения на p-n переходе в милливольтах. Падение напряжения на p-n переходе для кремниевых элементов должно быть 0,6 вольта, а для германиевых – 0,2-0,3 вольта.

Сначала включим p-n переходы транзистора в прямом направлении, для этого на базу транзистора подключим красный (плюс) щуп мультиметра, а на эмиттер черный (минус) щуп мультиметра. При этом на индикаторе должно высветиться значение падения напряжения на переходе база-эмиттер.

Здесь необходимо отметить, что падение напряжения на переходе Б-К всегда будет меньше падения напряжения на переходе Б-Э. Это можно объяснить меньшим сопротивлением перехода Б-К по сравнению с переходом Б-Э, что является следствием того, что область проводимости коллектора имеет большую площадь по сравнению с эмиттером.

По этому признаку можно самостоятельно определить цоколевку транзистора, при отсутствии справочника.

Так, половина дела сделана, если переходы исправны, то вы увидите значения падения напряжения на них.

Теперь необходимо включить p-n переходы в обратном направлении, при этом мультиметр должен показать «1», что соответствует бесконечности.

Подключаем черный щуп на базу транзистора, красный на эмиттер, при этом мультиметр должен показать «1».

Теперь включаем в обратном направлении переход Б-К, результат должен быть аналогичным.

Осталось последняя проверка – переход эмиттер-коллектор. Подключаем красный щуп мультиметра к эмиттеру, черный к коллектору, если переходы не пробитые, то тестер должен показать «1».

Меняем полярность (красный-коллектор, черный- эмиттер) результат – «1».

Если в результате проверки вы обнаружите не соответствие данной методике, то это значит, что транзистор неисправен.

Эта методика подходит для проверки только биполярных транзисторов. Перед проверкой убедитесь, что транзистор не является полевым или составным. Многие изложенным выше способом пытаются проверить именно составные транзисторы, путая их с биполярными (ведь по маркировки можно не правильно идентифицировать тип транзистора), что не является правильным решением. Правильно узнать тип транзистора можно только по справочнику.

При отсутствии режима проверки диодов в вашем мультиметра, осуществить проверку транзистора можно переключив мультиметр в режим измерения сопротивления на диапазон «2000». При этом методика проверки остается неизменной, за исключением того, что мультиметр будет показывать сопротивление p-n переходов.

А теперь по традиции поясняющий и дополняющий видеоролик по проверке транзистора:

www.sxemotehnika.ru

Как проверить транзистор,диод,конденсатор,резистор и др

Как проверить работоспособность радиодеталей

Сбои в работе многих схем иногда случаются не только из-за ошибок в самой схеме,но так же в том что где-то сгоревшая или просто бракованная радиодеталь.

На вопрос как проверить работоспособность радиодетали, во многом нам поможет прибор который есть наверно у каждого радиолюбителя- мультиметр.

Мультиметр позволяет определять напряжение, силу тока, емкость, сопротивление,и многое другое.

Как проверить резистор

Постоянный резистор проверяется мультиметром, включенным в режим омметра. Полученный результат надо сравнить с номинальным значением сопротивления, указанным на корпусе резистора и на принципиальной схеме.

При проверке подстроечных и переменных резисторов сначала надо проверить величину сопротивления, замерив его между крайними (по схеме) выводами, а затем убедиться в надежности контакта между токопроводящим слоем и ползунком. Для этого надо подключить омметр к среднему выводу и поочередно к каждому из крайних выводов. При вращении оси резистора в крайние положения, изменение сопротивления переменного резистора группы «А» (линейная зависимость от угла поворота оси или положения движка) будет плавным, а резистора группы «Б» или «В» (логарифмическая зависимость) имеет нелинейный характер. Для переменных (подстроечных) резисторов характерны три неисправности: нарушения контакта движка с проводящим слоем; механический износ проводящего слоя с частичным нарушением контакта и изменением величины сопротивления резистора в большую сторону; выгорание проводящего слоя, как правило, у одного из крайних выводов. Некоторые переменные резисторы имеют сдвоенную конструкцию. В этом случае каждый резистор проверяется отдельно. Переменные резисторы, применяемые в регуляторах громкости, иногда имеют отводы от проводящего слоя, предназначенные для подключения цепей тонконпенсации. Для проверки наличия контакта отвода с проводящим слоем омметр подключают к отводу и любому из крайних выводов. Если прибор покажет какую-то часть от общего сопротивления, значит имеется контакт отвода с проводящим слоем. Фоторезисторы проверяются аналогично обычным резисторам, но для них будет два значения сопротивления. Одно до засветки – темновое сопротивление (указывается в справочниках), второе – при засветке любой лампой (оно будет в 10… 150 раз меньше темнового сопротивления).

Как проверить конденсаторы

Простейший способ проверки исправности конденсатора – внешний осмотр, при котором обнаруживаются механические повреждения, например деформация корпуса при перегреве вызванного большим током утечки. Если при внешнем осмотре дефекты не замечены, проводят электрическую проверку.Омметром легко определить один вид неисправности – внутреннее короткое замыкание (пробой). Сложнее дело обстоит с другими видами неисправности конденсаторов: внутренним обрывом, большим током утечки и частичной потерей емкости. Причиной последнего вида неисправности у электролитических конденсаторов бывает высыхание электролита. Многие цифровые тестеры обеспечивают возможность измерения емкости конденсаторов в диапазоне от 2000 пФ до 2000 мкФ. В большинстве случаев этого достаточно. Надо отметить, что электролитические конденсаторы имеют довольно большой разброс допустимого отклонения от номинальной величины емкости. У конденсаторов некоторых типов он достигает- 20%,+80%, то есть, если номинал конденсатора 10мкФ, то фактическая величина его емкости может быть от 8 до 18мкФ.

При отсутствии измерителя емкости конденсатор можно проверить другими способами.Конденсаторы большой емкости (1 мкФ и выше) проверяют омметром. При этом от конденсатора отпаивают детали, если он в схеме и разряжают его. Прибор устанавливают для измерения больших сопротивлений. Электролитические конденсаторы подключают к щупам с соблюдением полярности.Если емкость конденсатора больше 1 мкФ и он исправен, то после присоединения омметра конденсатор заряжается, и стрелка прибора быстро отклоняется в сторону нуля (причем отклонение зависит от емкости конденсатора, типа прибора и напряжения источника питания), потом стрелка медленно возвращается в положение «бесконечность».

При наличии утечки омметр показывает малое сопротивление – сотни и тысячи ом, – величина которого зависит от емкости и типа конденсатора. При пробое конденсатора его сопротивление будет около нуля. При проверке исправных конденсаторов емкостью меньше 1 мкФ стрелка прибора не отклоняется, потому что ток и время заряда конденсатора незначительны.При проверке омметром нельзя установить пробой конденсатора, если он происходит при рабочем напряжении. В таком случае можно проверить конденсатор мегаомметром при напряжении прибора, не превышающем рабочее напряжение конденсатора.Конденсаторы средней емкости (от 500 пФ до 1 мкФ) можно проверить с помощью последовательно подключенных к выводам конденсатора наушников и источника тока. Если конденсатор исправен, в момент замыкания цепи в головных телефонах слышен щелчок.Конденсаторы малой емкости (до 500 пФ) проверяют в цепи тока высокой частоты. Конденсатор включают между антенной и приемником. Если громкость не уменьшится, значит, обрывов выводов нет.

Как проверить трансформатор, дроссель, катушку индуктивности

Проверка начинается с внешнего осмотра, в ходе которого необходимо убедиться в исправности каркаса, экрана, выводов; в правильности и надежности соединений всех деталей катушки; в отсутствии видимых обрывов проводов, замыканий, повреждения изоляции и покрытий. Особое внимание следует обращать на места обугливания изоляции, каркаса, почернение или оплавление заливки. Наиболее частая причина выхода из строя трансформаторов (и дросселей) – их пробой или короткое замыкание витков в обмотке или обрыв выводов. Обрыв цепи катушки или наличие замыканий между изолированными по схеме обмотками можно обнаружить при помощи любого тестера. Но если катушка имеет большую индуктивность (т. е. состоит из большого числа витков), то цифровой мультиметр в режиме омметра вас может обмануть (показать бесконечно большое сопротивление, когда цепь все же есть) – для таких измерений «цифровик» не предназначен. В этом случае надежнее аналоговый стрелочный омметр. Если проверяемая цепь есть, это еще не значит, что все в норме. Убедиться в том, что внутри обмотки нет коротких замыканий между слоями, приводящих к перегреву трансформатора, можно по значению индуктивности, сравнив ее с аналогичным изделием. Когда такой возможности нет, можно воспользоваться другим методом, основанном на резонансных свойствах цепи. От перестраиваемого генератора подаем синусоидальный сигнал поочередно на обмотки через разделительный конденсатор и контролируем форму сигнала во вторичной обмотке.

Если внутри нет межвитковых замыканий, то форма сигнала не должна отличаться от синусоидальной во всем диапазоне частот. Находим резонансную частоту по максимуму напряжения во вторичной цепи. Короткозамкнутые витки в катушке приводят к срыву колебаний в LC-контуре на резонансной частоте. У трансформаторов разного назначения рабочий частотный диапазон отличается – это надо учитывать при проверке:- сетевые питающие 40…60 Гц;- звуковые разделительные 10…20000Гц;- для импульсного блока питания и разделительные.. 13… 100 кГц. Импульсные трансформаторы обычно содержат малое число витков. При самостоятельном изготовлении убедиться в их работоспособности можно путем контроля коэффициента трансформации обмоток. Для этого подключаем обмотку трансформатора с наибольшим числом витков к генератору синусоидального сигнала на частоте 1 кГц. Эта частота не очень высокая и на ней работают все измерительные вольтметры (цифровые и аналоговые), в то же время она позволяет с достаточной точностью определить коэффициент трансформации (такими же они будут и на более высоких рабочих частотах). Измерив напряжение на входе и выходе всех других обмоток трансформатора, легко посчитать соответствующие коэффициенты трансформации.

Как проверить диод,фотодиод

Любой стрелочный (аналоговый) омметр позволяет проверить прохождение тока через диод (или фотодиод) в прямом направлении – когда «+» тестера приложен к аноду диода. Обратное включение исправного диода эквивалентно разрыву цепи. Цифровым прибором в режиме омметра проверить переход не удастся. Поэтому у большинства современных цифровых мультиметров есть специальный режим проверки p-n-переходов (на переключателе режимов он отмечен знаком диода). Такие переходы есть не только у диодов, но и фотодиодов, светодиодов, а также транзисторов. В этом режиме «цифровик» работает как источник стабильного тока величиной 1 мА (такой ток проходит через контролируемую цепь) — что совершенно безопасно. При подключенном контролируемом элементе прибор показывает напряжение на открытом p-n-переходе в милливольтах: для германиевых 200…300 мВ, а для кремниевых 550…700 мВ. Измеренное значение может быть не более 2000 мВ.Однако, если напряжение на щупах мультиметра ниже отпирания диода, диодного или селенового столба, то прямое сопротивление измерить невозможно.

Проверка биполярного транзистора

Некоторые тестеры имеют встроенные измерители коэффициента усиления маломощных транзисторов. Если у вас такого прибора нет, то при помощи обычного тестера в режиме омметра или же цифровым, в режиме проверки диодов, можно проверить исправность транзисторов. Проверка биполярных транзисторов основана на том, что они имеют два n-p перехода, поэтому транзистор можно представить как два диода, общий вывод которых – база. Для n-p-n транзистора эти два эквивалентных диода соединены с базой анодами, а для транзистора p-n-p катодами. Транзистор исправен, если исправны оба перехода.

Для проверки один щуп мультиметра присоединяют к базе транзистора, а вторым щупом поочередно прикасаются к эмиттеру и коллектору. Затем меняют щупы местами и повторяют измерение.

При прозвонке электродов некоторых цифровых или мощных транзисторов следует учитывать, что у них могут внутри быть установлены защитные диоды между эмиттером и коллектором, а также встроенные резисторы в цепи базы или между базой и эмиттером. Не зная этого, элемент по ошибке можно принять за неисправный.

radiostroi.ru

Как проверить транзистор мультиметром в режиме омметра и измерения hFE

Транзистор – полупроводниковый прибор, основное назначение которого – использование в схемах для усиления или генерирования сигналов, а также для электронных ключей.

В отличие от диода, транзистор имеет два p-n-перехода, соединенных последовательно. Между переходами располагаются зоны, имеющие разную проводимость (типа «n» или типа «р»), к которым подключаются выводы для подключения. Вывод от средней зоны называется «базой», а от крайних – «коллектор» и «эмиттер».

Разница между зонами «n» и «p» состоит в том, что у первой есть свободные электроны, а у второй – так называемые «дырки». Физически «дырка» означает нехватку электрона в кристалле. Электроны под действием поля, создаваемого источником напряжения, двигаются от минуса к плюсу, а «дырки» – наоборот. При соединении между собой областей с разной проводимостью электроны и «дырки» диффузируют и на границе соединения образуется область, называемая p-n-переходом. За счет диффузии область «n» оказывается заряженной положительно, а «р» – отрицательно, а между областями с различной проводимостью возникает собственное электрическое поле, сосредоточенное в области p-n-перехода.

При подключении плюсового вывода источника к области «р», а минуса – к «n» его электрическое поле компенсирует собственное поле p-n-перехода, и через него проходит электрический ток. При обратном подключении поле от источника питания складывается с собственным, увеличивая его. Переход запирается, и ток через него не проходит.

В составе транзистора есть два перехода: коллекторный и эмиттерный. Если подключить источник питания только между коллектором и эмиттером, то ток через него не пойдет. Один из переходов оказывается запертым. Чтобы его открыть, на базу подается потенциал. В результате на участке коллектор-эмиттер возникает ток, который в сотни раз больше тока базы. Если при этом ток базы изменяется во времени, то ток эмиттера в точности повторяет его, но с большей амплитудой. Этим и обусловлены усилительные свойства.

В зависимости от комбинации чередования зон проводимости различают транзисторы p-n-p или n-p-n. Транзисторы p-n-p открываются при положительном потенциале на базе, а n-p-n – при отрицательном.

Рассмотрим несколько способов, как проверить транзистор мультиметром.

Проверка транзистора омметром

Поскольку в составе транзистора имеется два p-n-перехода, то их исправность можно проверить по методике, используемой для тестирования полупроводниковых диодов. Для этого его можно представить эквивалентом встречного соединения двух полупроводниковых диодов.

Критериями исправности для них является:

  • Низкое (сотни Ом) сопротивление при подключении источника постоянного тока в прямом направлении;
  • Бесконечно большое сопротивление при подключении источника постоянного тока в обратном направлении.

Мультиметр или тестер измеряют сопротивление, используя собственный вспомогательный источник питания – батарейку. Напряжение ее невелико, но его достаточно, чтобы открыть p-n-переход. Меняя полярность подключения щупов от мультиметра к исправному полупроводниковому диоду, в одном положении мы получаем сопротивление в сотню Ом, а в другом – бесконечно большое.

Полупроводниковый диод бракуется, если

  • в обоих направлениях прибор покажет обрыв или ноль;
  • в обратном направлении прибор покажет любую значащую величину сопротивления, но не бесконечность;
  • показания прибора будут нестабильными.

При проверке транзистора потребуется шесть измерений сопротивлений мультиметром:

  • база-эмиттер прямое;
  • база-коллектор прямое;
  • база-эмиттер обратное;
  • база-коллектор обратное;
  • эмиттер-коллектор прямое;
  • эмиттер-коллектор обратное.

Критерием исправности при измерении сопротивления участка коллектор-эмиттер является обрыв (бесконечность) в обоих направлениях.

Коэффициент усиления транзистора

Различают три схемы подключения транзистора в усилительные каскады:

  • с общим эмиттером;
  • с общим коллектором;
  • с общей базой.

Все они имеют свои характеристики, а наиболее распространена схема с общим эмиттером. Любой транзистор характеризуется параметром, определяющим его усилительные свойства – коэффициент усиления. Он показывает, во сколько раз ток на выходе схемы будет больше, чем на входе. Для каждой из схем включения имеется свой коэффициент, разный для одного и того же элемента.

В справочниках приводится коэффициент h41э – коэффициент усиления для схемы с общим эмиттером.

Как проверить транзистор, измеряя коэффициент усиления

Одним из методов проверки исправности транзистора является измерение его коэффициента усиления h41э и сравнение его с паспортными данными. В справочниках дается диапазон, в котором может находиться измеренное значение для данного типа полупроводникового прибора. Если измеренное значение укладывается в диапазон, то он исправен.

Измерение коэффициента усиления производится еще и для подбора компонентов с одинаковыми параметрами. Это необходимо для построения некоторых схем усилителей и генераторов.

Для измерения коэффициента h41э мультиметр имеет специальный предел измерения, обозначенный hFE. Буква F обозначает «forward» (прямая полярность), а «Е» – схему с общим эмиттером.

Для подключения транзистора к мультиметру на его передней панели установлен универсальный разъем, контакты которого обозначены буквами «ЕВСЕ». Согласно этой маркировке подключаются выводы транзистора «эмиттер-база-коллектор» или «база-коллектор-эмиттер», в зависимости от их расположения у конкретной детали. Для определения правильного расположения выводов придется воспользоваться справочником, там же заодно можно узнать и коэффициент усиления.

Затем подключаем транзистор к разъему, выбрав предел измерения мультиметра hFE. Если его показания соответствуют справочным – проверяемый электронный компонент исправен. Если нет, или прибор показывает что-то невразумительное – транзистор вышел из строя.

Полевой транзистор

Полевой транзистор отличается от биполярного по принципу действия. Внутрь пластины кристалла одной проводимости («р» или «n») посередине внедряется участок с другой проводимостью, называемый затвором. По краям кристалла подключаются выводы, называемые истоком и стоком. При изменении потенциала на затворе изменяется величина токопроводящего канала между стоком и истоком и ток через него.

Входное сопротивление полевого транзистора очень большое, а вследствие этого он имеет большой коэффициент усиления по напряжению.

Как проверить полевой транзистор

Рассмотрим проверку на примере полевого транзистора с n-каналом. Порядок действий будет таким:

  1. Переводим мультиметр на режим прозвонки диодов.
  2. Плюсовой вывод от мультиметра подключаем к истоку, минусовой – к стоку. Прибор покажет 0,5-0,7 В.
  3. Меняем полярность подключения на противоположную. Прибор покажет обрыв.
  4. Открываем транзистор, подключив минусовой провод к истоку, а плюсовым коснувшись затвора. За счет существования входной емкости элемент остается открытым некоторое время, это свойство и используется для проверки.
  5. Плюсовой провод перемещаем на сток. Мультиметр покажет 0-800 мВ.
  6. Меняем полярность подключения. Показания прибора не должны измениться.
  7. Закрываем полевой транзистор: плюсовой провод к истоку, минусовой – к затвору.
  8. Повторяем пункты 2 и 3, ничего не должно измениться.

voltland.ru

Можно ли проверять полевой транзистор мультиметром?

Это сравнительно новый тип транзисторов, управление которых осуществляется не электрическим током, как в биполярных транзисторах, а электрическим напряжением (полем), о чём и говорит английская аббревиатура MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor или в переводе металл-окисел-полупроводник полевой транзистор), в русской транскрипции этот тип обозначается как МОП (металл-окисел-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник).

Отличительной конструктивной особенностью полевых транзисторов является изолированный затвор (вывод, аналогичный базе у биполярных транзисторов), также у MOSFET имеются выводы сток и исток, аналоги коллектора и эмиттера у биполярных.

Существует и ещё более современный тип IGBT, в русской транскрипции БТИЗ (биполярный транзистор с изолированным затвором), гибридный тип, где МОП (МДП) транзистор с переходом n-типа управляет базой биполярного, и это позволяет использовать преимущества обоих типов: быстродействие, почти как у полевых, и большой электрический ток через биполярный при очень малом падении напряжения на нём при открытом затворе, при очень большом напряжении пробоя и большом входном сопротивлении.

Полевики находят широкое применение в современной жизни, а если говорить о чисто бытовом уровне, то это всевозможные блоки питания и регуляторы напряжения от компьютерного железа и всевозможных электронных гаджетов до других, более простых, бытовых приборов – стиральных, посудомоечных машин, миксеров, кофемолок, пылесосов, различных осветителей и другого вспомогательного оборудования. Само собой, что-то из всего этого разнообразия иногда выходит из строя и появляется необходимость выявления конкретной неисправности. Сама распространённость этого вида деталей ставит вопрос:

Как проверить полевой транзистор мультиметром?

Перед любой проверкой полевого транзистора нужно разобраться с назначением и маркировкой его выводов:

  • G (gate) – затвор, D (drain) – сток, S (source) – исток

Если маркировки нет или она не читается, придётся найти паспорт (даташип) изделия с указанием назначения каждого вывода, причём выводов может быть не три, а больше, это значит, что выводы объединены между собой внутри.

И также нужно подготовить мультиметр: подключить красный щуп к плюсовому разъёму, соответственно, чёрный к минусу, переключить прибор в режим проверки диодов и коснуться щупами друг друга, мультиметр покажет «0» или «короткое замыкание», разведите щупы, мультиметр покажет «1» или «бесконечное сопротивление цепи» – прибор рабочий. Про исправную батарейку в мультиметре говорить излишне.

Подключение щупов мультиметра указано для проверки n-канального полевого транзистора, описание всех проверок тоже для n-канального типа, но если вдруг попадётся более редкий p-канальный полевик, щупы надо поменять местами. Понятно, что в первую очередь ставится задача оптимизации процесса проверки, чтобы пришлось как можно меньше выпаивать и паять деталей, поэтому посмотреть, как проверить транзистор, не выпаивая, можно на этом видео:

Проверка полевика, не выпаивая

Является предварительной, она может помочь определить, какую деталь нужно проверить точнее и, может быть, заменить.

При прозвонке полевого транзистора, не выпаивая, обязательно отключаем проверяемый прибор от сети и/или блока питания, вынимаем аккумуляторы или батарейки (если они есть) и приступаем к проверке.

  1. Чёрный щуп на D, красный на S, показание мультиметра примерно 500 мВ (милливольт) или больше – скорее исправен, показание 50 мВ вызывает подозрение, когда показание меньше 5 мВ – скорее неисправен.
  2. Чёрный на D, а красный на G: большая разность потенциалов (до1000 мВ и даже выше) – скорее исправен, если мультиметр показывает близко к пункту 1, то это подозрительно, маленькие цифры (50 мВ и меньше), и близко к первому пункту – скорее неисправен.
  3. Чёрный на S, красный на G: около 1000 мВ и выше – скорее исправен, близко к первому пункту – подозрительно, меньше 50 мВ и совпадает с предыдущими показаниями – видимо, полевой транзистор неисправен.

Проверка показала предварительно по всем трём пунктам неисправность? Нужно выпаивать деталь и приступать к следующему действию:

Проверка полевого транзистора мультиметром

Включает в себя подготовку мультиметра (смотри выше). Обязательно снятие статического напряжения с себя и накопленного заряда с полевика, иначе можно просто «убить» вполне себе исправную деталь. Статическое напряжение с себя можно снять, используя антистатический манжет, накопленный заряд снимается закорачиванием всех выводов транзистора.

Прежде всего нужно учитывать, что практически все полевые транзисторы имеют предохранительный диод между истоком и стоком, поэтому проверять начинаем именно с этих выводов.

  1. Красный щуп на S (исток), чёрный на D (сток): показания мультиметра в районе 500 мВ или чуть выше – исправен, чёрный щуп на S, красный на D, показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление» – шунтирующий диод исправен.
  2. Чёрный на S, красный на G: показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление», норма, заодно зарядили затвор положительным зарядом, открыли транзистор.
  3. Не убирая чёрного щупа, переносим красный на D, по открытому каналу течёт ток, мультиметр что-то показывает (не «0» и не «1»), меняем щупы местами: показания примерно такие же – норма.
  4. Красный щуп на D, чёрный на G: показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление» – норма, заодно разрядили затвор, закрыли транзистор.
  5. Красный остаётся на D, чёрный щуп на S, показания мультиметра «1» или «бесконечное сопротивление» – исправен. Меняем щупы местами, показания мультиметра в районе 500 мВ или выше – норма.

Вывод по итогам проверки: пробоев между электродами (выводами) нет, затвор срабатывает от небольшого (меньше 5В) напряжения на щупах мультиметра, транзистор исправен.

Как проверить транзистор не выпаивая из схемы

Электрика в доме своими руками схемы

  • Схемы заземления для частного дома

  • Обозначение на электрической схеме

  • Обозначение на схеме электрической

  • Схемы стабилизаторы тока

  • Всем доброго времени суток, хочу представить вот такой пробник для транзисторов, который точно покажет рабочий он или нет, ведь это надёжнее, чем просто прозванивать его выводы омметром как диоды. Сама схема показана дальше.

    Схема пробника

    Как мы видим, эта обыкновенный блокинг-генератор. Запускается он легко – деталей очень мало и перепутать что-либо при сборке сложно. Что нам нужно для сборки схемы:

    1. Макетная плата
    2. Светодиод любого цвета
    3. Кнопка без фиксации
    4. Резистор номиналом в 1К
    5. Ферритовое кольцо
    6. Проволока лакированная
    7. Панелька для микросхем

    Детали для сборки

    Давайте подумаем, что откуда можно наковырять. Такую макетную плату можно сделать самому или купить, самый простой способ собрать навесом или на картонке. Светодиод можно выковырять из зажигалки или из китайской игрушки. Кнопку без фиксации можно ковырнуть с той-же китайской игрушки, либо от любого сгоревшего бытового устройства с подобным управлением.

    Резистор не обязательно номиналом 1К – он может отклоняться от заданного номинала в пределах 100R до 10К. Ферритовое кольцо можно достать из энергосберегающей лампы, и не обязательно кольцо – можно использовать также Ш ферритовые трансформаторы и ферритовые стержни, количество витков от 10 до 50 витков.

    Проволока лакированная, диаметр допустимо брать практически любой от 0.5 до 0.9 мм, количество витков одинаковое. Способ соединения обмоток для правильной роботы узнаете в процессе испытаний – если не заработает, то просто поменяете местами концы выводов. Вот и все, а теперь небольшое видео работы.

    Видео работы испытателя

    Читайте также…

    Проверка полевых транзисторов без выпаивания

    В радиоэлектронике и электротехнике транзисторы относятся к одним из основных элементов, без которых не будет работать ни одна схема. Среди них, наиболее широкое распространение получили полевые транзисторы, управляемые электрическим полем. Само электрическое поле возникает под действием напряжения, следовательно, каждый полевой транзистор является полупроводниковым прибором, управляемым напряжением. Наиболее часто применяются элементы с изолированным затвором. В процессе эксплуатации радиоэлектронных устройств и оборудования довольно часто возникает необходимость проверить полевой транзистор мультиметром, не нарушая общей схемы и не выпаивая его. Кроме того, на результаты проверки оказывает влияние модификация этих устройств, которые технологически разделяются на п- или р-канальные.

    Устройство и принцип действия полевых транзисторов

    Полевые транзисторы относятся к категории полупроводниковых приборов. Их усиливающие свойства создаются потоком основных носителей, который протекает через проводящий канал и управляется электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют основные носители заряда, расположенные в полупроводнике. По своим конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы разделяются на две группы: элементы с управляющим р-п-переходом и устройства с изолированным затвором.

    К первому варианту относятся элементы, затвор которых отделяется от канала р-п-переходом, смещенным в обратном направлении. Носители заряда входят в канал через электрод, называемый истоком. Выходной электрод, через который носители заряда уходят, называется стоком. Третий электрод – затвор выполняет функцию регулировки поперечного сечения канала.

    Когда к истоку подключается отрицательное, а к стоку положительное напряжение, в самом канале появляется электрический ток. Он создается за счет движения от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов. Еще одной характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов вдоль всего электронно-дырочного перехода.

    Между затвором и каналом создается электрическое поле, способствующее изменению плотности носителей заряда в канале. То есть, изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит с помощью обратно смещенного р-п-перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет велико, а мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, очень мала. За счет этого обеспечивается усиление электромагнитных колебаний не только по току и напряжению, но и по мощности.

    Существуют полевые транзисторы, у которых затвор отделяется от канала слоем диэлектрика. В состав элемента с изолированным затвором входит подложка – полупроводниковая пластина, имеющая относительно высокое удельное сопротивление. В свою очередь, она состоит из двух областей с противоположными типами электропроводности. На каждую из них нанесен металлический электрод – исток и сток. Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика. Таким образом, в полученную структуру входят металл, диэлектрик и полупроводник. Данное свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая. Поэтому данный вид транзисторов сокращенно называют МДП. Они различаются наличием индуцированных или встроенных каналов.

    Проверка мультиметром

    Перед началом проверки на исправность полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности, с целью предотвращения выхода транзистора из строя. Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед их проверкой необходимо организовать заземление. Для снятия с себя накопленных статических зарядов, следует воспользоваться антистатическим заземляющим браслетом, надеваемым на руку. В случае отсутствия такого браслета можно просто коснуться рукой батареи отопления или других заземленных предметов.

    Хранение полевых транзисторов, особенно с малой мощностью, должно осуществляться с соблюдением определенных правил. Одно из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период, находятся в замкнутом состоянии между собой. Конфигурация цоколей, то есть расположение выводов в различных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор по-английски означает Gate, сток – Drain, исток – Source, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. Если маркировка отсутствует необходимо воспользоваться специальным справочником или официальным документом от производителя электронных компонентов.

    Проверку можно выполнить с помощью стрелочного омметра, но более удобной и эффективной будет прозвонка цифровым мультиметром, настроенным на тестирование p-n-переходов. Полученное значение сопротивления, отображаемое на дисплее, на пределе х100 численно будет соответствовать напряжению на р-п-переходе в милливольтах. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. Прежде всего нужно знать, что исправный транзистор обладает бесконечным сопротивлением между всеми его выводами. Прибор должен показывать такое сопротивление независимо от полярности щупов, то есть прикладываемого напряжения.

    Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком. В результате, при решении задачи, как прозвонить полевой транзистор мультиметром, канал сток-исток, ведет себя аналогично обычному диоду. Отрицательным щупом черного цвета необходимо коснуться подложки – стоку D, а положительным красным щупом – вывода истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милливольт. В обратном смещении, когда транзистор закрыт, прибор будет показывать бесконечно высокое сопротивление.

    Далее, черный щуп остается на месте, а красный щуп касается вывода затвора G и вновь возвращается к выводу истока S. В этом случае мультиметр покажет значение, близкое к нулю, независимо от полярности приложенного напряжения. Транзистор откроется в результате прикосновения. Некоторые цифровые устройства могут показывать не нулевое значение, а 150-170 милливольт.

    Если после этого, не отпуская красного щупа, коснуться черным щупом вывода затвора G, а затем возвратить его к выводу подложки стока D, то в этом случае произойдет закрытие транзистора, и мультиметр вновь отобразит падение напряжения на диоде. Такие показания характерны для большинства п-канальных устройств, используемых в видеокартах и материнских платах. Проверка р-канальных транзисторов осуществляется таким же образом, только со сменой полярности щупов мультиметра.

    Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

    С чего начать?

    Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

    Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

    Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

    Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

    Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

    Проверка биполярного транзистора мультиметром

    Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

    С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

    Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

    Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

    1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
    2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

    Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

    1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

    Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

    1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
    2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

    Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

    Проверка работоспособности полевого транзистора

    Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

    Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

    Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

    1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
    2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
    3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
    4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
    5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

    Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

    Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

    Рис 5. IGBT транзистор SC12850

    Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

    В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

    Проверка составного транзистора

    Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

    Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

    Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

    Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

    Обозначение:

    • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
    • Л – лампочка.
    • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A – 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

    Тестирование производится следующим образом:

    1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
    2. Подаем минус – лампочка гаснет.

    Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

    Как проверить однопереходной транзистор

    В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

    Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

    Проверка элемента осуществляется следующим образом:

    Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

    Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

    Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

    При проведении ремонтных работ электронной техники, возникает вопрос проверки функционального состояния тех или иных полупроводниковых элементов. Решение этой проблемы сильно облегчает наличие специализированных приборов, однако, во многих случаях вполне можно обойтись и без них.

    Есть ряд способов, как проверить транзистор мультиметром без использования сложных приборов и каких-либо дополнительных электрических схем. Рассматриваются алгоритмы проверки различных типов транзисторов.

    Проверка trz (транзистора), равно как и любого другого элемента схемы, начинается с определения его типа. Эту информацию несложно найти в интернете. У опытного мастера всегда есть под рукой ссылки на проверенные ресурсы. Если таковых нет, то, обычно достаточно вбить маркировку компонента в поисковой системе и нужная информация найдется уже на первой странице поисковой выдачи. Наиболее распространенные типы транзисторов: биполярные, полевые, составные, однопереходные. Определив тип элемента, можно начинать его функциональную проверку.

    Биполярный транзистор

    Наиболее распространенные транзисторы. Используются в основном в схемах усиления или генерации сигнала: в усилителях, генераторах, модуляторах, инверторах и т. д. Бывают двух типов: p-n-p и n-p-n. Не углубляясь в структуру полупроводникового прибора, достаточно будет сказать, что каждый p-n переход представляет собой диод. Строго говоря, это не совсем так, но для проверки работоспособности такое представление вполне допустимо. Таким образом, последовательность p-n-p представима в виде двух диодов, соединенных катодами, а n-p-n – двух диодов, соединенных анодами. Чтобы проверить, работоспособность такого элемента, нужно мультиметром замерить сопротивление переходов.

    Определение работоспособности p-n-p полупроводника:

    • Берется мультиметр. Черный провод (обозначим его как Ч) помещается в гнездо COM (минус).
    • Красный (К) – в гнездо VΩmA (плюс).
    • Тестер выставляется на замер электрического сопротивления. Предельное значение выбирается 2 кОм. Это означает, что мультиметр может корректно измерять сопротивление от 0 до 2000 Ом. При превышении данного порога, на экране прибора загорится «1».
    • Для замера прямых сопротивлений Ч закрепляется на базе элемента.
    • Чтобы замерить величину сопротивления эмиттерного перехода, К помещается на эмиттер.
    • Измеренное значение должно быть от 500 до 1200 Ом. Аналогично и для коллектора.
    • Для измерения обратных сопротивлений на базе элемента закрепляется К. Ч поочередно помещается на коллектор и эмиттер. Полученные значения должны превышать установленный порог в 2кОм. Об этом, в обоих случаях, будет свидетельствовать цифра «1» на экране тестера.
    • Для n-p-n полупроводника применяется та же самая методика. За исключение того, что в п.1 Ч и К помещаются в противоположные гнезда. Тем самым меняется полярность щупов тестера.

    Если изначально нет информации относительно расположения базы, коллектора, эмиттера, это нетрудно определить. Измерительный прибор устанавливается в состояние п. 1 и п. 2 вышеприведенной схемы. К (плюс) помещается на правый вывод полупроводника. Ч (минус) поочередно замыкается на средний и левый выводы. Если в обоих случаях тестер покажет «1», то данный контакт и есть база. В противном случае аналогичным образом тестируем оставшиеся контакты.

    Остается найти эмиттер и коллектор. Для этого необходимо просто замерить сопротивление коллекторных и эмиттерных переходов. Ч помещается на базу. К поочередно замыкается на оставшиеся выводы. Полученные значения должны лежать в диапазоне от 500–1200 Ом. При этом большее значение будет относиться к коллекторному переходу, а меньшее, соответственно к эмиттерному.

    Полевой транзистор

    Обладает значительно меньшим энергопотреблением по сравнению с биполярным. Основная область применения – это приборы, работающие в ждущем или следящем режимах. Импортные элементы обычно имеют маркировку, упрощающую идентификацию выводов: G-затвор, S-исток, D-сток. Полевой транзистор или, как его еще называют, мосфет, бывает n-канальный и p-канальный. Алгоритмы проверки работоспособности полупроводников обоих типов похожи.

    Определение функциональности n-канального полупроводника.

    Поскольку у таких компонентов между стоком и истоком часто встраивается диод, то, для проверки функциональности, на измерительном устройстве устанавливается в режим проверки диодов. Ч идет на минус тестера, а К – на плюс.

    • К помещается на исток элемента, а Ч – на сток. Напряжение должно быть от 500 до 700 мВ.
    • К – на сток, а Ч – на исток. Значение в этом случае должны выходить за пределы измерений мультиметра. Об этом свидетельствует цифра «1» на экране прибора.
    • Ч – на истоке. Касание К затвора открывает транзистор. Ч остается на истоке, а К соединяется со стоком. Замеренное напряжение должно лежать в диапазоне от 0 до 800 мВ и не зависеть от смены полярности проводов тестера.
    • Замыкание К на исток, а Ч – на затвор проводит к закрытию прибора и переводу его в изначальное состояние.

    Для определение работоспособности p-канального полупроводника Ч подключается к плюсу мультиметра, а К – к минусу. Дальнейшая последовательность действий аналогична методике проверки элемента n-канального типа.

    Составной транзистор

    Также известен как пара Дарлингтона. Является каскадом из двух и более биполярных транзисторов. Тестирование таких элементов одним лишь мультиметром, без сборки дополнительных схем, не представляется возможным. Вопрос монтажа подобных вспомогательных схем выходит за рамки данной статьи.

    Однопереходный транзистор

    В основном используются во всевозможных реле и пороговых устройствах. У элементов данного типа присутствует только один p-n переход. Для проверки его работоспособности мультиметром замеряется сопротивление между ножками «Б1» и «Б2». Если полученная величина незначительна, то компонент неисправен.

    Проверка элемента без выпаивания его из схемы

    Часто возникает вопрос, как проверить smd транзистор мультиметром. SMD – это аббревиатура от английского Surface Mounted Device (устройство, монтируемое на поверхность). Такие полупроводники не вставляются в отверстия плат. Их просто напаивают сверху на контактные дорожки. В современных платах плотность таких дорожек невероятно велика. Более того, часто они располагаются в несколько слоев. Поэтому если какая-то из дорожек располагается в середине такого «пирога», то ее может быть просто не видно.

    Становится понятно, что поскольку демонтаж и обратный монтаж smd компонентов на контактные дорожки печатных плат зачастую сопряжен со значительными сложностями, то лучше всего было бы осуществить проверку функциональности элемента, не выпаивая его. К сожалению, такое подход возможен только для биполярных транзисторов. Однако даже при положительных итогах проверки нельзя быть полностью уверенным в результате. В большинстве же случаев только лишь демонтаж элемента с печатной планы позволяет гарантированно проверить его работоспособность.

    Простые схемы для проверки транзисторов. Универсальный прибор для проверки радиоэлементов из стрелочного тестера. Быстрая точная проверка транзистора

    Транзисторов и электролитических конденсаторов.

    Пробник для проверки транзисторов, диодов — первый вариант

    Данная схема построена на базе симметричного мультивибратора, но отрицательные связи сквозь конденсаторы С1 и С2 снимаются с эмиттеров транзисторов VT1 и VT4. В тот момент, когда VT2 заперт, положительный потенциал через открытый VT1 создает слабое сопротивление на входе и, таким образом, увеличивается нагрузочное качество пробника .

    С эмиттера VT1 положительный сигнал поступает через С1 на выход . Через открытый транзистор VT2 и диод VD1, конденсатор С1 разряжается, в связи с чем данная цепь обладает небольшим сопротивлением.

    Полярность выходного сигнала с выходов мультивибратора изменяется с частотой примерно 1кГц и амплитуда его составляет около 4 вольт.

    Импульсы с одного выхода мультивибратора идут на разъем X3 пробника (эмиттер проверяемого транзистора), с другого выхода на разъем X2 пробника (база) через сопротивление R5, а также и на разъем X1 пробника (коллектор) через сопротивление R6, светодиоды HL1, HL2 и динамик. В случае исправности проверяемого транзистора загорится один из светодиодов (при n-p-n – HL1, при p-n-p – HL2)

    Если же при проверки горят оба светодиода – транзистор пробит, если не горит ни один из них то, скорее всего, у проверяемого транзистора внутренний обрыв. При проверке диодов на исправность, его подсоединяют к разъемам X1 и X3. При исправном диоде будет гореть один из светодиодов, в зависимости от полярности подключения диода.

    Так же пробник обладает звуковой индикацией, что очень удобно при прозвонке монтажных цепей ремонтируемого устройства.

    Второй вариант пробника для проверки транзисторов

    Данная схема по функционалу схожа с предыдущей, но генератор построен не на транзисторах, а на 3-х элементах И-НЕ микросхемы К555ЛА3.
    Элемент DD1.4 применяется в роли выходного каскада — инвертор. От сопротивления R1 и емкости C1 зависит частота выходных импульсов. Пробник, возможно, применить и для . Его контакты подключают к разъемам Х1 и Х3. Поочередное мигание светодиодов свидетельствует об исправном электролитическом конденсаторе. Время завершения горения светодиодов связано с величиной емкости конденсатора.

    Вероятно нет такого радиолюбителя который бы не исповедовал культ радиотехнического лабораторного оборудования. В первую очередь это , приставки к ним и пробники, которые в большинстве являются изготовленными самостоятельно. А так как измерительных приборов много не бывает и это аксиома, как-то собрал небольшой по размерам и с весьма несложной схемой испытатель транзисторов и диодов. Давно уже есть не плохой мультиметр, а самодельным тестером, во многих случаях, продолжаю пользоваться по прежнему.

    Схема прибора

    Конструктор пробника состоит всего из 7 электронных компонентов + печатная плата. Собирается быстро и работать начинает абсолютно без всякой настройки.

    Схема собрана на микросхеме К155ЛН1 содержащей шесть инверторов.При правильном подключении к ней выводов исправного транзистора зажигается один из светодиодов (HL1 при структуре N-P-N и HL2 при P-N-P). Если неисправен:

    1. пробит, вспыхивают оба светодиода
    2. имеет внутренний обрыв, оба не зажигаются

    Проверяемые диоды подключаются к выводам «К» и «Э». В зависимости от полярности подключения загораться будут HL1 или HL2.

    Компонентов схемы совсем не много но лучше изготовить печатную плату, хлопотно паять провода к ножкам микросхемы напрямую.

    И постарайтесь не забыть поставить под микросхему панельку.

    Пользоваться пробником можно и без установки его в корпус, но если затратить ещё немного время на его изготовление, то будете иметь полноценный, мобильный пробник, который уже можно взять с собой (например на радиорынок). Корпус на фото изготовлен из пластмассового корпуса квадратной батарейки, которая уже своё отработала. Всего-то делов было удалить прежнее содержимое и отпилить излишки, просверлить отверстия под светодиоды и приклеить планку с разъёмами для подключения проверяемых транзисторов. На разъёмы не лишним будет «одеть» цвета опознавания. Кнопка включения обязательна. Блок питания это привёрнутый несколькими винтами к корпусу батарейный отсек формата ААА.

    Крепёжные винты, небольшого размера, удобно пропустить через плюсовые контакты и привернуть с обязательным использованием гаек.

    Испытатель в полной готовности. Оптимальным будет использование аккумуляторов ААА, четыре штуки по 1,2 вольта дадут лучший вариант питаемого напряжения в 4,8 вольта.

    Данное устройство, схему которого легко собрать позволит проверить транзисторы любой проводимости, не выпаивая иx из схемы. Схема прибора, собрана на основе мультивибратора. Как видно из схемы, вместо нагрузочных резисторов в коллекторы транзисторов мультивибратора включены транзисторы противоположной основным транзисторам проводимостью. Таким образом, схема генератора представляет комбинацию мультивибратора и триггера.


    Схема простого транзисторного тестора

    Как видите схема транзисторного тестора проще некуда. Практически любой биполярный транзистор имеет три вывода, эмиттер-база-коллектор. Для того что бы он заработал, на базу необходимы подать небольшой ток, после этого полупроводник открывается и может пропускать через себя значительно больший ток через эмиттерный и коллекторный переходы.

    На транзисторах T1 и T3 собран триггер, кроме того они являются активной нагрузкой транзисторов мультивибратора. Остальная часть схемы это цепи смещения и индикации испытуемого транзистора. Данная схема работает в диапазоне питающих напряжений от 2 до 5 В, а ее ток потребления изменяется от 10 до 50 мА.

    Если использовать блок питания на 5 В, то для снижения тока потребления резистора R5 лучше увеличить до 300 Ом. Частота мультивибратора в этой схеме около 1,9 кГц. При этой частоте свечение светодиода выглядит как непрерывное.

    Данное устройство для проверки транзисторов просто незаменимо для сервисных инженеров, так как позволяет существенно сократить время поиска неисправности. Если проверяемый биполярный транзистор исправен, то горит один светодиод, в зависимости от его проводимости. Если горят оба светодиода, то это происходит только из-за внутреннего обрыва. Если не горит ни один из них, то значит имеется замыкания внутри транзистора.

    Приведенный рисунок печатной платы имеет размерами 60 на 30 мм.

    Вместо заложенных в схему транзисторов можно использовать транзисторы КТ315Б, КТ361Б с коэффициентом усиления выше 100. . Диоды абсолютно любые, но кремниевые типа КД102, КД103, КД521. Светодиоды тоже любые.

    Внешний вид собранного транзисторного пробника на макетной плате. Его можно разместить в корпусе от сгоревшего китайского тестера, надеюсь, эта конструкция понравится вам своим удобством и функциональностью.

    Схема данного пробника достаточно проста для повторения, но будет достаточно полезна при отбраковки биполярных транзисторов.

    На элементах ИЛИ-НЕ Д1.1 и Д1.2 выполнен генератор, который управляет работой транзисторного коммутатора. Последний предназначен для изменения полярности питающего напряжения на тестируемом транзисторе. С помощью увеличения сопротивления переменного резистора, добиваются свечения одного из светодиодов.

    По цвету светодиода определяют структуру проводимости транзистора. Калибровку шкалы переменного резистора осуществляют с помощью заранее подобранных транзисторов.

    Всем доброго времени суток, хочу представить вот такой пробник для транзисторов, который точно покажет рабочий он или нет, ведь это надёжнее, чем просто прозванивать его выводы омметром как диоды. Сама схема показана дальше.

    Схема пробника

    Как мы видим, эта обыкновенный блокинг-генератор. Запускается он легко – деталей очень мало и перепутать что-либо при сборке сложно. Что нам нужно для сборки схемы:

    1. Макетная плата
    2. Светодиод любого цвета
    3. Кнопка без фиксации
    4. Резистор номиналом в 1К
    5. Ферритовое кольцо
    6. Проволока лакированная
    7. Панелька для микросхем

    Детали для сборки

    Давайте подумаем, что откуда можно наковырять. Такую макетную плату можно сделать самому или купить, самый простой способ собрать навесом или на картонке. Светодиод можно выковырять из зажигалки или из китайской игрушки. Кнопку без фиксации можно ковырнуть с той-же китайской игрушки, либо от любого сгоревшего бытового устройства с подобным управлением.

    Резистор не обязательно номиналом 1К – он может отклоняться от заданного номинала в пределах 100R до 10К. Ферритовое кольцо можно достать из энергосберегающей лампы, и не обязательно кольцо – можно использовать также Ш ферритовые трансформаторы и ферритовые стержни, количество витков от 10 до 50 витков.

    Проволока лакированная, диаметр допустимо брать практически любой от 0.5 до 0.9 мм, количество витков одинаковое. Способ соединения обмоток для правильной роботы узнаете в процессе испытаний – если не заработает, то просто поменяете местами концы выводов. Вот и все, а теперь небольшое видео работы.

    Видео работы испытателя

    13-07-2016

    Андрей Барышев, г. Выборг

    Стрелочные тестеры типа 4353, 43101 и другие в свое время были широко распространены. Приборы имели встроенную защиту и позволяли производить измерения различных электрических параметров, однако отличались громоздкостью, а при измерении емкости конденсаторов были привязаны к сетевому напряжению. При этом тестеры имели неплохие стрелочные измерительные головки, которые можно использовать в конструкции с гораздо меньшими габаритами и бóльшими возможностями. Так, с использованием этой головки был сделан небольшой настольный аналоговый измерительный прибор с минимальным количеством элементов управления. Он позволяет с достаточной для радиолюбителя точностью измерять емкость неполярных конденсаторов (5 пФ – 10 мкФ), индуктивность катушек (от единиц мкГн до 1 Гн), емкость электролитических конденсаторов (1 мкФ – 10 000 мкФ) и их ESR, иметь «под рукой» фиксированные образцовые частоты (10, 100. 1000 Гц, 10, 100, 1000 кГц) и, кроме того, в него может быть добавлен встроенный модуль для оперативной проверки работоспособности различных транзисторов малой и большой мощности и определения цоколевки неизвестных транзисторов. Причем проверить параметры большинства элементов можно, не выпаивая их из схемы.

    Модульная конструкция прибора позволяет использовать только необходимые функциональные узлы. Ненужные модули можно легко исключить, а нужные так же легко добавить при желании. Возможность сохранения «родных» функций прибора – измерения напряжений и токов – также имеется. Ну и, конечно, стрелочная измерительная головка может быть любой другой (с током полного отклонения 50 … 200 мкА), это не принципиально. Далее будут даны схемы и описания отдельных функциональных «модулей» прибора, а затем – структурная схема всего прибора полностью и схема коммутации отдельных его узлов. Все схемы были не раз проверены на практике и показали стабильную и надежную работу, без сложных настроек и использования каких-либо специфических деталей. При необходимости сделать компактный прибор для проверки конкретных компонентов и их параметров каждую такую схему-модуль можно использовать отдельно.

    Генератор образцовых частот

    Использована широко распространенная схема генератора на цифровых элементах, которая при всей своей простоте обеспечивает набор необходимых рабочих частот с хорошей точностью и стабильностью, не требуя при этом никаких настроек.

    Генератор на микросхеме К561ЛА7 (или ЛЕ5) синхронизирован кварцевым резонатором в цепи обратной связи, определяющим частоту сигнала на его выходе (выводы 10, 11), равную в данном случае 1 МГц (Рисунок 1). Сигнал генератора последовательно проходит через несколько каскадов делителей частоты на 10, собранных на микросхемах К176ИЕ4, СD4026 или любых других. С выхода каждого каскада снимается сигнал с частотой в десять раз меньшей входной частоты. C помощью любого переключателя на шесть положений сигнал с генератора или с любого делителя можно вывести на выход. Правильно собранная из исправных деталей схема работает сразу и не нуждается в настройке.. Конденсатором С1 при желании можно в небольших пределах подстраивать частоту. Схема питается напряжением 9 В.

    Модуль измерения L, C

    Схема каскада для измерения емкости неполярных конденсаторов и индуктивностей показана на Рисунке 2. Входной сигнал подается непосредственно с выхода переключателя диапазонов измерений (SA1 на Рисунке 1). Сформированный прямоугольный импульсный сигнал, поступающий на выход «F» через ключевой транзистор VT1, можно использовать для проверки или настройки других устройств. Уровень выходного сигнала можно регулировать резистором R4. Этот сигнал подается также на измеряемый элемент – конденсатор или индуктивность, подключенные, соответственно, к клеммам «C» или «L», при этом переключатель SA2 устанавливается в соответствующее положение. К выходу «Uизм.» подключается непосредственно измерительная головка (возможно, через добавочное сопротивление; см. ниже «Модуль индикации»). Резистор R5 служит для установки пределов измерений индуктивностей, а R6 – емкостей. Для калибровки каскада к клеммам «Сх» и «Общий» на диапазоне 1 кГц подключаем образцовый конденсатор 0.1 мкФ (см. схему на Рисунке 1) и подстроечным резистором R6 устанавливаем стрелку прибора на конечное деление шкалы.

    Затем подключаем конденсаторы, например, емкостью 0.01, 0.022, 0.033, 0.047, 0.056, 0.068 мкФ и делаем соответствующие метки на шкале. После чего таким же образом калибруем шкалу индуктивностей, для чего на этом же диапазоне 1 кГц подключаем к клеммам «Lx» и «Общий» образцовую катушку индуктивностью 10 мГн и подстроечным резистором R5 устанавливаем стрелку на конечное деление шкалы. Впрочем, калибровать прибор можно и на любом другом диапазоне (например, при частоте 100 кГц или 100 Гц), подключая в качестве образцовых соответствующие емкости и индуктивности, согласно выбранному диапазону.

    Напряжение питания каскада (Uпит) – 9 В.

    Модуль измерения электролитических конденсаторов (+C и ESR)

    Модуль представляет собой микрофарадометр, в котором определение емкости производится косвенным образом путем измерения величины напряжения пульсаций на резисторе R3, которое будет меняться обратно пропорционально емкости периодически перезаряжаемого конденсатора. Можно измерять емкости оксидных (электролитических) конденсаторов в диапазонах 10-100, 100-1000 и 1000-10000 мкФ.

    Измерительный узел для электролитических конденсаторов собран на транзисторе Т1 (Рисунок 3). На вход (R1) подается сигнал непосредственно с выхода генератора-делителя (схема на Рисунке 1), включать который можно параллельно предыдущему модулю. Резистор R1 подбираем в зависимости от типа использованного транзистора Т1 и чувствительности используемой измерительной головки. Резистор R2 ограничивает ток коллектора транзистора в случае короткого замыкания в проверяемом конденсаторе. В отличие от других модулей, здесь требуется пониженное стабильное питание 1.2 – 1.8 В; схема стабилизатора на такое напряжение будет приведена ниже на Рисунке 6. Следует отметить, что при измерениях полярность подключения конденсатора к клеммам «+Сх» и «Общий» не имеет значения, а измерения можно выполнять, не выпаивая конденсаторы из схемы. Перед началом измерений резистором R4 стрелка устанавливается на нулевую отметку (конец шкалы).

    Перед началом измерений (при отсутствии измеряемого конденсатора «+Сх») резистором R4 стрелка устанавливается на нулевую отметку (конечное деление шкалы). Калибровка шкалы «+Сх» может производиться на любом диапазоне. Например, переводим переключатель SA1 в положение, соответствующее частоте 1 кГц. С помощью R4 устанавливаем стрелку прибора на «0» (конец шкалы) и, подключая к клеммам «+Сх» и «Общий» образцовые конденсаторы емкостью 10, 22, 33, 47, 68 и 100 мкФ, делаем соответствующие отметки на шкале. После этого на других диапазонах (10 Гц и 100 Гц) эти же отметки будут соответствовать емкостям с номиналами в 10 и 100 раз бóльшими, то есть, от 100 до 1000 мкФ (100, 220, 330, 470, 680 мкФ) и от 1000 до 10000 мкФ, соответственно. В качестве образцовых здесь можно использовать танталовые оксидно-полупроводниковые конденсаторы, имеющие наиболее стабильные во времени параметры, например, типов К53-1 или К53-6А.

    Узел измерения ESR содержит отдельный генератор 100 кГц, собранный на микросхеме 561ЛА7 (ЛЕ5) по такой же схеме, как и основной генератор на Рисунке 1. Здесь особой стабильности не требуется, и частота может быть любой от 80 до 120 кГц. От величины последовательного эквивалентного сопротивления подключенного к клеммам конденсатора зависит ток, протекающий через обмотку I трансформатора (намотан на ферритовом кольце диаметром 15 – 20 мм). Марка феррита роли не играет, но, возможно, число витков первичной обмотки нужно будет подкорректировать. Поэтому лучше сначала намотать обмотку II, а первичную – поверх нее. Выпрямленное постоянное напряжение после диода VD5 подается на измерительную головку (модуль индикации на Рисунке 4). Диоды VD3, VD4 ограничивают возможные броски напряжений для защиты стрелочной головки от перегрузки. Здесь полярность подключения конденсатора также не важна, и измерения можно проводить непосредственно в схеме.

    Пределы измерения можно менять в широких пределах подстроечным резистором R5 – от десятых долей Ома до нескольких Ом. Но при этом следует учитывать влияние сопротивления проводов от клемм «ESR» и «Общий». Они должны быть как можно короче и большого сечения. Если этот модуль будет расположен вблизи с другим источником импульсных сигналов (например, рядом с генератором Рисунок 1), возможен срыв генерации узла на микросхеме. Поэтому узел измерения «ESR» лучше собрать на отдельной небольшой плате и поместить в экран (например, из жести), соединенный с общим проводом.

    Для калибровки шкалы «ESR» подключаем к клеммам «ESR» и «Общий» резисторы сопротивлением 0.1, 0.2, 0.5, 1, 2. 3 Ом и делаем соответствующие отметки на шкале. Чувствительность прибора можно регулировать изменением сопротивления подстроечного резистора R5.

    Питание измеритель ESR, так же, как и остальные схемы модуля, напряжением 9 В.

    Схема соединений модулей прибора

    Как видно из Рисунка 4, соединение всех «модулей» не представляет сложности. Модуль индикации включает в себя измерительную головку, зашунтированную конденсатором (100 … 470 мкФ) для устранения «дрожания» стрелки при измерениях в диапазонах с низкой частотой задающего генератора. В зависимости от чувствительности измерительной головки может понадобиться добавочное сопротивление.

    Следует иметь в виду, что клемма «Общий» на Рисунке 2 (модуль измерения «C» и «L») не является общим проводом схемы (!) и требует отдельного гнезда.

    Дополнения

    Составной транзистор Т1 (схема Рисунке 3) при необходимости можно заменить узлом из двух транзисторов меньшей мощности, а в источнике питания 1.4 В можно использовать простой стабилизатор на одном транзисторе. Как это сделать, показано на Рисунках 5 и 6. Функцию стабилитрона здесь выполняют кремниевые диоды VD1-VD3 с суммарным прямым падением напряжения порядка 1.5 В. Включать диоды, в отличие от стабилитрона, нужно в прямом направлении.

    При желании можно дополнить прибор модулем для быстрой проверки транзисторов. С его помощью можно проверять любые биполярные транзисторы, а также полевые транзисторы малой и средней мощности. Причем биполярные транзисторы и, в ряде случаев, полевые, можно проверять без выпаивания их из схемы. Представленная на Рисунке 7 схема представляет собой комбинацию мультивибратора и триггера, где вместо резисторов нагрузки в коллекторные цепи транзисторов мультивибратора включены транзисторы с идентичными параметрами, но противоположной структуры (VT2, VT3). Резисторы R6, R7 задают необходимое напряжение смещения рабочей точки проверяемого транзистора, а R5 ограничивает ток через светодиоды и определяет яркость их свечения.

    В зависимости от типа используемых светодиодов, возможно, придется подобрать сопротивление R5, ориентируясь на оптимальную яркость их свечения, или же поставить дополнительный гасящий резистор в цепь питания 9 В. Следует заметить, что эта схема работает с питающим напряжением, начиная от 2 В. Когда к клеммам «Э», «Б», «К» ничего не подключено, оба светодиода мигают. Частоту мигания можно подстраивать, меняя емкости конденсаторов С1 и С2. При подключении к клеммам исправного транзистора один из светодиодов погаснет, в зависимости от типа его проводимости – p-n-p или n-p-n. Если транзистор неисправен, оба светодиода будут мигать (внутренний обрыв) или оба погаснут (замыкание). Помимо клемм «Э», «Б», «К» на самом приборе (клеммная колодка, «фрагмент» панельки под микросхемы и прочее), можно параллельно им вывести из корпуса на проводах соответствующие щупы для проверки транзисторов на платах. При испытаниях полевых транзисторов клеммы «Э», «Б», «К» соответствуют выводам «И», «З», «С».

    Следует учесть, что полевые транзисторы или очень мощные биполярные все-таки лучше проверять, выпаяв из платы.

    При измерениях номиналов любых элементов непосредственно на плате следует обязательно отключить питание схемы, в которой производятся измерения!

    Прибор занимает мало места, умещаясь в корпусе 140×110×40 мм (см. фото справа в начале статьи) и позволяет с достаточной для радиолюбителей точностью проверять практически все основные типы радиокомпонентов, чаще всего используемых на практике. Прибор без нареканий эксплуатируется в течение нескольких лет.

    Для комментирования материалов с сайта и получения полного доступа к нашему форуму Вам необходимо зарегистрироваться .

    Прибор для измерения параметров полевых транзисторов – Измерения – Другое – Каталог статей и схем

    В прошлом году на CQHAM.ru автором была опубликована статья «Полевые транзисторы в практике начинающих радиолюбителей» [1]. Она также находится в архиве на СМР.

     Схема прибора, описанного в статье, позволяет при произвольно установленном стабильном напряжении сток-исток полевого транзистора  (Ucи) измерять его ток стока (Ic) при разных (тоже регулируемых) величинах напряжения смещения Uзи (Uотс.). Меняя Iс в пределах нескольких мА можно рассчитать крутизну характеристики (S) полевого транзистора (ПТ). Согласно описания в [1] для расчета обычно берут разницу в несколько мА на квадратичном участке ВАХ, не доводя Ic до требуемых 10 мкА (как в справочниках, где указывается Uотс. при 10 мкА). С такими величинами проще рассчитывать S.

     

    Если требуется подобрать несколько ПТ по Uотс. приходится устанавливать Ic=10 мкА, чтобы сравнить  измеренные величины со справочными данными. При этом приходится переустанавливать на отдельно присоединяемом мультиметре другие пределы измерений, что не совсем удобно.

     

    С учетом вышеизложенного, а также на основе статьи [2],  разработан еще один комбинированный прибор для измерения параметров ПТ (ПИППТ). В нем S измеряется при устанавливаемом требуемом Uси от регулируемого стабилизированного ИП и двух напряжений Uотс. (Uзи). Получаемые данные в разнице измеряемых Ic в пределах нескольких мА удобно применять для расчета крутизны S. Второй режим измерения («Uотс.») введен дополнительно, при котором Iс=10 мкА устанавливается отдельным регулятором.

     

    Рассмотрим эквивалентные схемы (рис.1 – 3).

    Для вычисления S (рис.1) необходимо установить стабильное напряжение Uси (обычно в справочниках для маломощных ПТ  Uси=10 В). Напряжение Uзи определяется делителем и устанавливается подбором R3. Оно должно быть равно  величине напряжения смещения на истоке (Uи), которое определяется цепочкой из сопротивлений R4 и  n-p переходов диодов. Условно-приблизительно можно считать что Ur3=Uзи=Uотс=Ud. Получаем ток Iс. При замыкании R3 (затвор на массу), когда Ur3=0, получаем Iс1.

     По формуле S=Ic – Ic1/ Ur3 определяем крутизну характеристики ПТ.

     

    В следующем режиме измеряем Uотс. (рис.2). В положении, когда  затвор замыкается на массу, можно подобрать Iс=10 мкА, заменив переход диода переменным сопротивлением в несколько сот кОм. При этом падение напряжение на нем будет равным Uотс., сравниваемое и согласованное с данными в справочнике.

     

    Эквивалентная схема прибора, объединяющая изложенные положения приведена ниже (рис.3). Обозначения элементов сохранены согласно полной принципиальной электрической схеме прибора.

     

     Для определения крутизны по второму затвору, собственно Iс – Iс2, применяется делитель R5,R7-R6. Уменьшение напряжения по цепи второго затвора (для определения Ic2) проводится замыканием на массу R5. Расчет S проводится по той же формуле, но в знаменателе должно быть Ur5.

     

    В отличие от предыдущей разработки [1] вместо отдельного подключаемого мультиметра измерительный прибор  (мА -V)  введен в состав самого ПИППТ.  С его помощью устанавливают и контролируют Ucи и Ic при различных режимах (положения SA2) проводимых измерений.

     

    Несколько слов о конструкции прибора. Выбор и замена применяемых  элементов даже начинающим радиолюбителям не составит сложности – эти радиодетали не дефицитны. В качестве ИП применена головка с током рамки 100 мкА и готовой шкалой от АВО-63. Используемый с ней универсальный шунт рассчитан по общепринятой методике и имеет Rобщ=1500 Ом, сопротивление рамки около 750 Ом. Естественно, что можно применить и другую головку, имеющуюся в распоряжении радиолюбителя, рассчитав  диапазоны измерений и сопротивления универсального шунта.

     Диодные мосты VDS1 и VDS2 заменимы на КЦ402, КЦ405, или собраны из диодов типа КД102, КД105. Кнопки SB1- SB3 типа П2К, кнопка SB4 и переключатели  SA1, SA3 – типа МТ, переключатель SA2 – типа ПМ (или все элементы любые малогабаритные импортные).  Сопротивления R8 – R10 – проволочные, с возможностью подгонки сопротивления (отмотки витков).

    Для полной функциональности прибора на боковой его стенке расположен трехконтактный разъем САР 3-Р, на клеммах которого можно измерить Ur3 и Ur5.

     

    Расположение органов управления ПИППТ схематично показаны на рис.5

     

    При работе с прибором в качестве добавочного вольтметра применяется дешевый цифровой мультиметр М-830В.

     

    Как показывает практика, для радиолюбителя важны следующие положения:

    1. Проверить исправность ПТ. Для этого обычно достаточно убедиться, что параметры его стабильны, не «плывут» и находятся в пределах справочных данных.

    2. Выбрать по определенным характеристикам из имеющихся у радиолюбителя всего нескольких экземпляров ПТ те, что больше подходят для применения в собираемой схеме. Обычно здесь работает качественный принцип «больше-меньше». Например,  нужен ПТ с большей S или меньшим напряжением отсечки. И из нескольких экземпляров выбирают тот, у которого лучше (больше или меньше) выбранный показатель…

    Таким образом, высокая точность измеряемых параметров на практике часто не столь важна, как можно было бы думать.

    Тем не менее, предлагаемый прибор позволяет с достаточно высокой точностью проверить работоспособность и важнейшие характеристики ПТ.

     

    Для упрощения работы с ПИППТ приводим «Инструкцию по применению ПИППТ при измерении характеристик ПТ».

     

    I. Подготовка прибора к работе.

    1. Включить прибор (вилку) в сеть, на лицевой панели загорится светодиод НL-1, индицируя включение прибора.

    2. Переключателем SА-1 «Выбор канала» установить тип канала проверяемого транзистора – n- или р-канал. Переключателем SA-3 выбрать «Режим измерений» – «S».

    3. Перевести переключатель SА-2 «Измерения» в первое положение -«Уст.U си», нажать кнопку SВ-4 «Уст.U си» и по стрелочному прибору ИП произвести контроль работы источника питания прибора – напряжение по шкале ИП х20 в норме можно изменять регулятором R15 «Уст. U си» от 8 до 19 вольт.

    4. Регулятором R15 «Уст. U си» при нажатой кнопке SВ-4 установить по шкале  ИП х20 требуемое для проведения измерений напряжение питания (обычно 10 вольт).

    5. Подключить к разъемам «Доп. V» добавочный вольтметр на пределе х2 (х20): «-» к «з1», «+» к «и».

    6. Перевести переключатель SА-2 «Измерения» в крайнее правое положение «Контроль». Добавочный вольтметр покажет падение напряжения на VD1-VD=0,52… В.

     

    II. Измерения параметров транзисторов.

     

    Определение крутизны характеристики ПТ.

    1. Провести подготовку прибора к работе (см. выше). Обратить внимание на установку типа канала проверяемого транзистора и режима измерений (S или Uотс.).

    2. Подключить транзистор к клеммам «с – з2 – з1 – и» в соответствии с цоколевкой и обозначением транзистора. При этом в однозатворных транзисторах массу подключить к клемме «и».

    3. Перевести переключатель SА-2 «Измерения» в положение на требуемый диапазон измерения Iс (любой, но обычно 50 или 5 мА).

    4. Измерить падение напряжения на R3 (Ur3 для дальнейших расчетов), для чего добавочный вольтметр на пределе х2 подключить к контактам: «-» к «массе», «+» к «R3» (к указанной точке на схеме Ur3).

    Т.к. при наладке прибора падение напряжения на R3(Ur3) подобрано так, что д.б. равно или чуть меньше падения напряжения на VD1,VD2 (Ud=0,52… В), настоящий пункт можно не выполнять.

    5. Нажать кнопку SВ-1 «Iс» и считать показания (в мА) по выбранной  шкале ИП, установив переключатель SА-2 «Измерения» в нужное положение.

    Снятые показания должны соответствовать справочным данным.

    6. Нажать кнопку SВ-2 «Iс1», повторно измерить ток стока и рассчитать крутизну характеристики ПТ:

    S=Iс – Iс1/ Uг3,

     где Uг3 – падение напряжения на R3 (см. п. 1.4)

     

    Определения напряжения отсечки ПТ.

    1. Перевести переключатель «Режим измерений» SA3 в положение «Uотс.».

    2. При нажатой кнопе SВ-2 «Iс1» (затвор будет подсоединен к «массе») в положении SA2 «Измерения» 0,2 мА регулятором R1 «Уст.Ic10мкА»   по шкале ИП х0,2 установить минимальный Ic=10 мкА.

    3. По добавочному вольтметру измерить напряжение отсечки Uотс. при данном токе стока. Сравнить измеренное напряжение со справочными данными.

     

    III. Другие указания.

     

    1. Крутизну характеристики 2-х затворных транзисторов по второму затвору измерять и рассчитывать также, нажав сначала SВ-1 «Iс», а потом SВ-3 «Iс2». При этом в формулу расчета S по второму затвору брать показания падения напряжения на R5 (Ur5).

    Настоящий пункт можно не выполнять (см. п. 1.4), если напряжение на R5 при наладке прибора подобрано до величины падения напряжения на диодах VD1,VD2 (Ur5=Ud= Ur3).

    2. При проверке транзисторов с индуцированным каналом (КП 301, КП 304) вывод затвора следует соединить с клеммой «з2».Токи стока измерять: Ic – нажав на кнопку SВ-1, а затем Iс1- нажав на кнопку SВ-2. При этом Uзи при определении Iс должно быть равно 0,5Ucи.

    3. Для расчета крутизны характеристики транзисторов с индуцированным каналом в формулу брать падение напряжения на резисторе R5.

     

    Литература.

     

    1. В.Кононенко. ПТ в практике начинающих радиолюбителей. На сайте CQHAM.ru;  на сайте СМР.    

    2. В. Календо. Приставка для проверки транзисторов. Радио № 1 – 2004, с. 58-59.

    В.Кононенко, RA0CCN.

     

     

    Прибор для проверки высоковольтных транзисторов

       При изготовлении импульсных сетевых источников питания широко применяют высоковольтные переключательные биполярные и полевые транзисторы. От их надежности в значительной мере зависит бесперебойная работа всего изделия. Поэтому перед монтажом их желательно проверить на наличие повышенного значения обратного тока коллектора для биполярного транзистора или остаточного тока стока полевого и определить, выдерживают ли они требуемое рабочее напряжение. Сделать это можно с помощью предлагаемого авторами прибора. По результатам испытания отбирают экземпляры с наилучшими параметрами.

    Рис. 1

       Схема устройства показана на рис. 1. На диодах VD1—VD4 и конденсаторах С1—СЗ собран выпрямитель с утроением напряжения. Резистор R1 ограничивает зарядный ток конденсаторов при включении устройства, а резисторы R2—R5 обеспечивают быструю их разрядку при выключении. К гнезду XS1 подключают цифровой мультиметр DT830 или аналогичный с входным сопротивлением 1 МОм, установленный на предел измерения постоянного напряжения 1000 В. Проверяемый биполярный или полевой транзистор, с учетом его структуры, подключают к гнезду XS2 или XS3, после чего вход устройства присоединяют к ЛАТРу и плавно повышают его выходное напряжение.

       Выпрямленное напряжение поступает на последовательно соединенные мультиметр и транзистор. При входном сопротивлении мультиметра 1 МОм в режиме измерения напряжения на пределе 1000 В каждому вольту соответствует ток 1 мкА. Если обратный ток коллектора и остаточный ток стока малы (не превышают нескольких микроампер), показания вольтметра также не превысят нескольких вольт. При наступлении электрического пробоя или увеличения обратного тока коллектора (остаточного тока стока) показания вольтметра существенно возрастают. По опыту автора критические показания составляют 10…20 В, при этом напряжение, приложенное к испытываемому транзистору, можно определить, нажав на кнопку SB1. В этом случае все выходное напряжение выпрямителя поступит на мультиметр. Поскольку ток через испытываемый транзистор не превышает 1 мА, при наступлении электрического пробоя он не повреждается.

       В устройстве применены резисторы МЛТ, конденсаторы К75-12, К75-24; кнопка SB1 должна выдерживать напряжение 1000 В между выводами и между выводами и корпусом, подойдут КП-1, КП-2, КП-3. Гнезда XS2, XS3 для подключения транзисторов изготовлены из панели для установки микросхем.

    Рис. 2

       Все детали размещают в корпусе из изоляционного материала толщиной несколько миллиметров методом навесного монтажа. Внешний вид устройства показан на рис. 2, на верхней панели крепят кнопку SB1 и гнезда XS1— XS3, для подключения к ЛАТРу выведен провод с сетевой вилкой.

       Устройство также позволяет определить напряжение стабилизации высоковольтных стабилитронов, напряжение пробоя выпрямительных или защитных диодов, газоразрядных приборов, например, неоновых ламп и других приборов.

       При эксплуатации устройства следует помнить о правилах техники безопасности и не прикасаться к испытываемым элементам во время их проверки.

       Автор: Ю. ГУМЕРОВ, А. ЗУЕВ, г. Ульяновск

    Измерения параметров транзисторов

    ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ

    А. СОБОЛЕВСКИЙ

    Журнал Радио 12 номер 1971 год.

    http://chipinfo.ru/literature/radio/197112/p43-45.html
    Как оценить качество транзистора? Какие параметры транзистора надо знать, чтобы предугадать его работу в приемнике, усилителе? Как измерить эти параметры?

    Транзистор является трехэлектродным полупроводниковым прибором. В нем два р-n перехода: эмиттерный — между эмиттером и базой, и коллекторный — между коллектором и базой. Упрощенная схема транзистора, структуры р-n-р изображена на рис. 1. Эмиттерный переход включен в прямом направлении — к эмиттеру подключен положительный, а к базе отрицательный полюса батареи Б1. Ток эмиттера Iэ, текущий через этот р-n переход, быстро растет с увеличением напряжения Uэб. Напряжение Uэб для маломощного транзистора не должно превышать нескольких долей вольта, иначе эмиттерный переход, будет разрушен.

    Коллекторный р-n переход включают, наоборот, в обратном направлении — к коллектору подключают минус, а к базе — плюс питающей батареи. Через переход идет небольшой обратный ток коллектора Iк0. У исправных маломощных транзисторов Iк0 не превышает нескольких микроампер, а у мощных транзисторов — сотен микроампер. Обратный ток коллектора практически не зависит от величины напряжения Uкб.

    При одновременном включении обоих р-n переходов транзистора, как это показано на рис. 1, ток цепи коллектора Iк значительно возрастет и будет слагаться из двух его составляющих: обратного тока коллектора Iк0 и части тока эмиттера, проходящей через эмиттерный и коллекторный переходы. Из рис. 1 видно, что не весь ток эмиттера Iэ превращается в ток коллектора, а часть его ответвляется в базу. Таким образом ток базы Iб=Iэ- Iк.

    Отношение величины тока коллектора к току эмиттера принято обозначать буквой α («альфа») и называть коэффициентом передачи тока:

    Так как ток коллектора Iк меньше тока эмиттера Iэ, то коэффициент α всегда меньше единицы. У хороших транзисторов коэффициент α весьма близок к единице (0,95—0,99).

    Вторая составляющая коллекторного тока равна αIэ, то есть ток коллектора Iк=αIэ+Iко.

    Ток эмиттера Iэ можно легко менять в больших пределах, изменяя напряжение Uэб. При этом будет изменяться и ток коллектора, так как его составляющая αIэ зависит от тока эмиттера. Но изменение тока коллектора происходит в цепи с большим, чем в цепи эмиттер-база, напряжением, и если сопротивление его нагрузочного резистора Rн достаточно большое (килоомы и более), на нем возникает значительное по величине падение напряжения. Следовательно, если амплитуда изменения напряжения в цепи эмиттерного перехода измеряется сотыми долями вольта, то в цепи коллекторного перехода она будет измеряться уже десятыми долями вольта, то есть произойдет усиление сигнала по напряжению и мощности.

    Поскольку коэффициент α всегда меньше единицы, поэтому транзистор, казалось бы, не дает усиления по току. Но это только в том случае, если общим электродом входной и выходной цепей транзистора является база, то есть транзистор включен по схеме с общей базой (см. рис. 1). Но транзистор можно включить по схеме с общим эмиттером (рис. 2), когда общим электродом входной и выходной цепей служит эмиттер. В этом случае входным током является ток базы Iб, и коэффициентом усиления транзистора, обозначаемым буквой β («бета»), будет отношением выходного тока коллектора Iк к току базы то есть

    Если в эту формулу подставить выражения для Iк и Iб, уже приведенные здесь, и пренебречь током Iк0, поскольку он очень мал по сравнению с составляющей коллекторного тока αIэ, коэффициент β можно подсчитать по формуле:

    Подставьте в эту формулу любое значение α, и вы убедитесь, что коэффициент β всегда больше единицы. Например, при α=0,9 коэффициент β=9. Таким образом, если при включении транзистора по схеме с общей базой происходит усиление по напряжению, то при включении его по схеме с общим эмиттером происходит усиление и по току, то есть входной ток базы Iб всегда меньше выходного тока коллектора Iк. Чем больше коэффициент β, тем, естественно, больше усиление входного сигнала.

    Итак, ток цепи коллектора слагается из составляющей αIэ, управляемой током базы Iб, и неуправляемой составляющей Iк0. Обратный ток коллектора Iк0 так мал, что говорить о том, что он снижает максимальную мощность транзистора и понапрасну растрачивает энергию, питания, можно лишь теоретически. Но беда в том, что ток Iк0 сильно зависит от температуры — такова его физическая природа. Этим он и наносит транзисторной аппаратуре большой вред.

    Если базу транзистора соединить с эмиттером через резистор небольшого сопротивления (500—1000 ом для маломощных транзисторов), то в коллекторной цепи установится начальный ток коллектора Iкн=Iк0x(β + 1). Это неуправляемая составляющая коллекторного тока транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Ток Iкн, как видите, зависит от тока Iк0 германиевых транзисторов. Ток Iк0 примерно удваивается на каждые 10°С повышения температуры. И хотя сам ток Iк0 невелик, но при его изменении увеличивается начальный ток коллектора Iкн, который больше его в β + 1 раз. Например, если ток Iк0 при температуре 20 °С составлял 5 мка, то при увеличении температуры транзистора до 40 °С ток Iк0 возрастет до 20 мка. Возрастание тока Iк0 на 15 мка — это еще не так много. Но если транзистор имеет коэффициент усиления β =25, то начальный ток коллектора изменится с Iкн1=5 (25+l) = 130 мка до Iкн2= 20 (25+1)=520 мка, то есть на 390 мка!

    При нормальной работе транзистора к неуправляемой составляющей тока коллектора добавляется управляемая составляющая Iб•β, в связи с чем общая формула коллекторного тока принимает такой вид: IК=IКН+ Iб•β. Таким образом изменение тока Iкн почти на 0,4 ма при увеличении температуры на 20 °С вызовет такое же изменение тока коллектора, а значит и изменение режима работы транзистора и всех параметров транзисторного каскада.

    Для борьбы с этим неприятным явлением в транзисторные каскады вводят специальные цепи, компенсирующие изменения токов, вызываемые колебаниями температуры окружающей среды и самого транзистора. Тем не менее транзистор стараются подобрать с возможно малым обратным током коллектора Iко, чтобы возможно меньшими были температурные изменения коллекторного тока. Что же касается начального тока коллектора Iкн, то он зависит как от величины обратного тока Iк0, так и от коэффициента β. Чем больше Iк0 и β , тем больше ток Iкн.

    Выбирая транзистор, надо особое внимание обратить на устойчивость токов Iк0 и IКн – они не должны изменяться самопроизвольно. Транзистор с нестабильными токами Iк0 и Iкн работает неустойчиво.


    Как же измерить токи Iк0 и Iкн?

    Схема для измерения тока Iк0 показана на рис. 3. На коллектор подается обратное напряжение UK= 2÷5 в. Резистор R0, ограничивающий ток, служит защитой измерительных приборов на случай, если транзистор окажется с пробитым коллекторным переходом. Сопротивление R0 выбирают из условия R0=0,1 Uкб/Iк0. Прибор mА должен показывать единицы микроампер.

    Измеренный ток Iк0 позволяет оценить качество только коллекторного перехода транзистора. А вот по начальному току коллектора Iкн, измеренному по схеме на рис. 4, можно судить о работоспособности уже всего транзистора, так как в этом случае включены оба его р-n перехода. Резистор Rб (для маломощных транзисторов — 500 — 1000 ом, для мощных — 1 — 2 ома) обязательно должен быть включен между базой и эмиттером, иначе результаты измерений будут искажены.

    Такие измерения можно производить вольтметром с очень высоким входным сопротивлением.


    Надо сказать, что в последнее время ведется работа по унификации обозначения параметров транзисторов. Ток Iк0 все чаще обозначают Iкбо к называют начальным током коллекторного перехода, а ток Iкн обозначают Iкзк и называют начальным током короткого замыкания.

    С измерением коэффициента усиления транзистора дело обстоит сложнее. Объясняется это тем, что для более точного определения коэффициентов α и β надо измерять не постоянные токи, как говорилось ранее, Iб, Iэ и Iк, а очень малые приращения этих токов, то есть производить измерения на переменном токе и при малом сигнале:

    при неизменном напряжении Uкб

    неизменном напряжении U кэ

    Эти коэффициенты зависят, кроме того, от тока эмиттера, поэтому для каждого типа транзистора рекомендуют определенный ток эмиттера, при котором значение коэффициента усиления близко к максимальному. Правда, коэффициенты усиления зависят и от напряжения на коллекторе, но слабо. Эта зависимость сказывается только при очень малых коллекторных напряжениях, при которых транзистор обычно не эксплуатируют, либо при очень больших напряжениях, близких к максимально допустимым. И хотя при повышенных напряжениях коэффициенты усиления резко увеличиваются, такой режим работы транзистора практически не используется, так как очень возрастает опасность пробоя коллекторного перехода.

    Итак, чтобы измерить коэффициент усиления транзистора, надо, во-первых, поставить транзистор в определенный режим работы по постоянному току, то есть установить необходимые UK3 и Iэ, а, во-вторых, вести измерение на переменном токе, измеряя малые приращения токов его электродов. Все это усложняет измерения и требует чувствительных и точных приборов, ибо измерять малые приращения токов не так-то просто.

    Радиолюбители обычно пользуются более простыми методами измерения коэффициента усиления транзистора. Чаще всего этот параметр измеряют на постоянном токе, то есть измеряют не α или β , а статический коэффициент усиления ВСТ, представляющий собой отношение ВСТ = IК/Iб но при условии, что ток коллектора и ток базы много больше тока Iко.

    Коэффициент Вст обычно не равен коэффициенту β при малых токах коллектора он меньше β при больших — больше. Ошибка не столь велика (не более 30—40%) и в любительской практике ею можно пренебречь.

    Радиолюбители часто коэффициент Вст измеряют при фиксированном токе базы Iб (рис. 5). В этом случае электроизмерительный прибор, включенный в коллекторную цепь транзистора, показывает ток коллектора Iк, который в Вст раз больше тока Iб. Шкалу прибора можно проградуировать непосредственно в значениях Вст. Казалось бы, просто, но за эту простоту приходится расплачиваться погрешностями измерения.

    Дело в том, что при таких измерениях не учитывается влияние начального тока коллектора Iкн=Iко (β+1), а ведь IH=IKH+Iбβ. Ток Iкн зависит от тока Iк0 и коэффициента β, следовательно, у разных транзисторов он будет неодинаков и внесет различную погрешность в измерения. Далее: предполагается, что ток базы всегда один и тот же, поскольку сопротивление Rб велико (ток базы определяют по формуле Iб= Uб/Rб и для маломощных транзисторов устанавливают равным 50—100 мка). Фактически же ток базы определяетЧтобы уменьшить искажения, надо измерять и ток базы, для чего прибор придется несколько усложнить (рис. 6). Пользуясь таким прибором, можно, во-первых, устанавливать два значения тока базы, например, 50 и 100 мка, а во-вторых, производить измерения таким образом, что будет уменьшена погрешность, связанная с влиянием тока Iко. Для этого сначала измеряют ток коллектора Iк1 при положении переключателя В на контакте -1 (ток базы Iб1), затем переключатель переводят в положение 2 и измеряют новые значения токов Iк2 и Iб2. Коэффициент Вст вычисляют по формуле:

    Кстати, коэффициент Вст можно измерять при фиксированном токе коллектора, как это показано на рис. 7. Переменным резистором R1 устанавливают ток Iк, равным, например, 1 ма, а шкалу этого резистора градуируют непосредственно в значениях Вст (исходя из предположения, что Вст=Iк/Iб). Резистор R2 ограничивает ток базы.

    Подобными простыми приборами вполне можно пользоваться, так как в подавляющем большинстве случаев радиолюбителя транзистор интересует прежде всего с точки зрения его работоспособности. Конечно, при их помощи нельзя определить, что транзистор, например, имеет коэффициент β именно 30, а не 25 и не 35. Но ведь такой точности радиолюбителю и не нужно, она необходима только для инженерных расчетов, когда сначала за письменным столом или на макете определяются допустимые отклонения коэффициентов усиления транзисторов для конкретного устройства, а затем в цехе проводится соответствующий подбор транзисторов. Радиолюбитель же обычно подбирает другие детали устройства под имеющиеся транзисторы, а не наоборот, как это бывает в промышленности.

    В заключение скажем, что по новой терминологии коэффициент α, измеренный на переменном токе в схеме с общей базой, обозначают h31б и называют коэффициентом передачи тока; коэффициент β, измеренный на переменном токе в схеме с общим эмиттером, обозначают h31э и называют коэффициентом передачи тока на малом сигнале, а коэффициент Вст обозначают h31э — то же, что h31э, но на большом сигнале.

    ЛИТЕРАТУРА


    1. В. П. Морозов. Радиолюбительские приборы дня проверки транзисторов. Изд-во ДОСААФ, 1965.

    2. В. А. Васильев. Радиолюбителю о транзисторах. Изд-во ДОСААФ, 1967.

    3. И. П. Жеребцов. Основы электроники. «Энергия», 1967.

    4. Транзисторы (справочник) под ред. И. Ф. Николаевского. «Связь», 1969.

    5. Справочник по полупроводниковым диодам и транзисторам под ред. Н. Н. Горюнова. «Энергия», 1968

    Испытатель Транзисторов

    http://kazus.ru/shemes/showpage/0/92/1.html


    В испытателе всего два переключателя, которыми выключают питание и переключают его полярность в зависимости от структуры проверяемого транзистора. Кроме того, помимо определения статического коэффициента передачи h31э, обратного тока коллектора Iкбо, обратного тока эмиттера Iэбо транзистора, прибором можно проверять диоды и оксидные конденсаторы. При этом по стрелочному индикатору испытателя нетрудно определить обратный ток диода или ток утечки конденсатора.
       Для проверки транзистора его выводы вставляют в гнезда XS1-XS3 и нажимают кнопку SB1 или SB2 в зависимости от структуры транзистора. Батарея GB1 подключается к деталям испытателя в той или иной полярности. Вступает в действие стабилизатор напряжения, составленный из стабилитрона VD1 и одного из балластных резисторов – R1 или R2. На базе соответствующего транзистора относительно подвижного контакта переключателя SB2.1 появляется стабилизированное напряжение. Оно необходимо для получения стабильного тока эмиттера испытываемого транзистора, при котором измеряется коэффициент передачи. В данном приборе этот ток выбран равным 3 мА (он зависит от сопротивления резистора R3).
       В зависимости от коэффициента передачи тока испытываемого транзистора, в его базовой цепи, в значит, и через стрелочный индикатор РА1, будет протекать соответствующий ток. По отклонению стрелки индикатора и определяют коэффициент передачи.

     

    Рис.1 Принципиальная схема

        Кроме указанных на схеме, в приборе можно использовать другие кремниевые транзисторы соответствующей структуры и со статическим коэффициентом передачи тока не менее 30, а также другие кремниевые диоды (например, Д104А серий Д223, Д220) с прямым напряжением около 1 В. Постоянные резисторы – МЛТ-0,125, подстроенный – любой конструкции. Источник питания – батарея “Крона”, переключатели – П2К с самовозвратом. Стрелочный индикатор – типа М906 с током отклонения стрелки на конечное деление шкалы 100 мкА и сопротивлением рамки 850 Ом. Подойдет и другой микроамперметр с аналогичными или близкими (по сопротивлению) параметрами.


       Чтобы не заниматься градуировкой шкалы стрелочного индикатора (она сравнительно трудоемка), можно перенести на нее показания, приведенные на рис.2, либо составить градуировочную таблицу, в которой каждому значению тока индикатора будет указано соответствующее значение коэффициента передачи. Если шкала используемого микроамперметра других размеров, можно перенести на нее приведенные на рисунке значения известными способами (например, с помощью транспортира). Градуировку шкалы лучше всего проверить, подключая к гнездам прибора транзисторы с известным коэффициентом передачи.
       После изготовления прибора соединяют проволочной перемычкой гнезда XS1 и XS2, а затем нажимают кнопку одного из переключателей. Подстроечным резистором R5 устанавливают стрелку индикатора на конечное деление шкалы – условный нуль отсчета коэффициента передачи. Если подстроечным резистором этого добиться не удается, подбирают резистор R4.
       Чтобы измерить обратный ток коллектора транзистора структуры p-n-p, к прибору подключают только выводы базы и коллектора: первый – и гнезду XS2, второй – к гнезду XS1. Нажимают кнопку переключателя SB1. Для определения же обратного тока эмиттера вывод базы оставляют подключенным к гнезду XS2, а к гнезду XS1 вместо вывода коллектора подключают вывод эмиттера. При этой проверке нажимают кнопку переключателя SB2. Если же будет нажата кнопка переключателя SB1, стрелка индикатора отклонится до конечного деления шкалы.
       Аналогично измеряют эти параметры у транзисторов структуры n-p-n, но нажимают в первом случае кнопку переключателя SB2, а во втором – SB1.
       Проверяя диоды, подключают их выводы к гнездам XS1 и XS2. Тогда при нажатии одной кнопки стрелка индикатора отклонится до конечной отметки шкалы, а другой кнопки – на какой-то угол, соответствующий обратному току диода.
       При проверке конденсаторов их выводы подключают к гнездам XS1 и XS2. Если плюсовой вывод конденсатора подключен к гнезду XS1, нажимают кнопку переключателя SB1. Ток утечки измеряют при установившемся положении стрелки индикатора.

     

    Рис.2

    Источник: Радио №5, 1987 г., стр.34


    Автор: Н. Киверин, г. Яранск, Кировской обл.

    Достарыңызбен бөлісу:

    Тестер

    JFET – PDFCOFFEE.COM

    Тестер JFET Согласование и тестирование полевых транзисторов стало проще Многие разработчики уклоняются от использования транзисторов JFET, хотя их много c

    Просмотры 78 Загрузок 5 Размер файла 359KB

    Отчет DMCA / Copyright

    СКАЧАТЬ ФАЙЛ

    Рекомендовать истории
    Предварительный просмотр цитирования

    Тестер JFET Согласование и тестирование полевых транзисторов стало проще. Многие разработчики уклоняются от использования транзисторов JFET, хотя многие схемы выиграют от использования этих устройств.Когда очень высокий входной импеданс, высокая рабочая частота и относительно низкий уровень шума являются первостепенными требованиями к конструкции, JFET может быть хорошим выбором. Эта статья направлена ​​на устранение некоторых общих сомнений по поводу использования JFET-транзисторов путем описания простого тестера, который позволяет вам измерять два важных электрических параметра этих устройств.

    Хотя ошеломляющий объем данных, который вы можете получить из таблицы данных полевого транзистора, может вызвать у некоторых из вас странный апоплексический припадок, можно утверждать, что существуют два абсолютно важных критерия выбора (или “ электрические параметры ”), которые помогают идентифицировать неизвестный JFET, или найти так называемые согласованные устройства из партии JFET (подробнее об этом далее).Данный тестер подходит только для n-канальных малосигнальных полевых транзисторов (полевых транзисторов). Однако это не умаляет его полезности, потому что шансы, что вы когда-либо встретите p-канальный JFET в своей жизни, очень малы!

    ВСТРЕЧА

    Дизайн М. Франковски

    12

    JFET Хотя большая часть теоретических основ, относящихся к JFET, может быть найдена в любом разумном учебнике по электронике, все же может быть полезно представить краткое резюме в этой статье.Условное обозначение n-канального JFET показано на базовой схеме соединений на рисунке 1. Стрелка на входе у G (затвор) обозначает версию с каналом n-

    . Хотя символ JFET отличается от символа биполярного транзистора, он может помочь вам представить электрод D (сток) как коллектор, электрод S (исток) как эмиттер и электрод G (затвор) как основание. Однако, в отличие от транзисторов n-p-n, рабочий диапазон параметра, называемого «напряжение затвор-исток» (VGS), отрицательный.Другими словами, затвор сделан отрицательным по отношению к источнику. Теперь давайте сначала объясним обозначения различных символов параметров, которые вы найдете в таблицах данных и в этой статье. Приведенный выше пример, VGS, следует читать следующим образом: Напряжение (В) между затвором и источником (GS). Обратите внимание, что индекс ‘GS’ печатается меньше и ниже заглавной буквы V. Точно так же идентификатор символа означает ‘ток (I) в канале стока (D)’, а VDS означает ‘напряжение (В) между стоком (D). и источник (S) ‘.Когда вы освоите основы этой системы обозначений, вам не составит труда разгадать значение различных используемых символов Elektor Electronics

    2/98

    Посетите наш веб-сайт по адресу http://ourworld.compuserve.com/ homepages / elektor_uk

    DRAIN

    ID

    1 DG

    VGS

    S

    VDS

    970075-11

    Рисунок 1. Базовая схема подключения JFET.

    ТОК НАСЫЩЕНИЯ Второй важный параметр JFET – это значение тока через канал сток-исток, когда – VGS – 0 В, а VDS – 15 В (обычно!).Когда эти два условия выполнены, ток стока останется практически постоянным на определенном максимальном значении. Другими словами, канал сток-исток насыщен; он не пройдет более тока. Символ, используемый для тока насыщения стока, – ID (ss). Как и ID, ID (ss) ухудшается (ухудшается) с повышением температуры, как показано на рисунке 3.

    2

    ПРАКТИЧНЫЙ для описания электрических параметров полевых транзисторов (и других транзисторов).

    P I N C H – O F F V O LTA G E Первый важный параметр JFET называется напряжением отсечки, символ – VGS (p) или просто V (p).К сожалению, из-за технологии изготовления этот параметр имеет относительно большие допуски. Другими словами, фактическая спецификация VGS (p) JFET, которая у вас есть, может значительно отличаться от значения, указанного в таблицах данных. Напряжение отсечки – это напряжение затвор-исток, при котором протекает незначительный ток стока. Отсюда и название: это напряжение практически сводит к нулю ток, протекающий в канале сток-исток. Остающийся ток связан с утечкой и обычно определяется производителем как 1 нА, 10 нА или даже 10 мкА.Напряжение отсечки указывается при условии, что VDS поддерживается постоянным. Здесь тоже мнения расходятся: одни производители заявляют – VGS (p) при VDS = 10 В, другие – при VDS = 15 В. Однако это не имеет большого значения, если вы знаете, что VDS – это постоянное значение или почти что около того. . Описанный здесь тестер JFET измеряет – VGS при IDS = 10 нА и не использует постоянное напряжение для VDS. Да, это может быть сделано! Вернувшись к графику на рисунке 2, вы можете увидеть, что кривая ID для значений – VGS, приближающихся к значению – VGS (p) (например, – VGS = 4 В), проходит практически прямо от VDS = 2 В и далее.Другими словами, ID остается практически постоянным, пока VDS находится в диапазоне, скажем, от 3 В до 15 В. Таким образом, ошибкой, вызванной непостоянным значением VDS в тестовой цепи, можно пренебречь, потому что VDS всегда находится в диапазоне где ID практически постоянен. Вот почему полевые транзисторы JFET являются отличными источниками постоянного тока!

    Elektor Electronics

    2/98

    ЦЕПЬ По общему признанию, это было довольно много теории, которую нужно было преодолеть. Самое время обсудить, как два упомянутых выше измерения выполняются на практике.Давайте посмотрим на принципиальную схему на рисунке 4.

    Измерение напряжения отсечки (S1 не нажат) Это измерение выполняется, когда S1 не задействован. Напряжение отсечки отображается на цифровом вольтметре (DVM), подключенном к выходу тестера. Представьте, что JFET вставлен в D.U.T. (тестируемое устройство) розетки. Опорное напряжение 100 мВ создается с помощью R1-D2-P1-R2 и подключается к неинвертирующему входу операционного усилителя IC2. Инвертирующий вход подключен к положительной шине питания через резистор 10 МОм (R3), а также к тестируемому полевому транзистору, который включен в цепь обратной связи к выходу операционного усилителя.Поскольку затвор JFET имеет потенциал земли, напряжение на источнике регулируется, чтобы сделать затвор более отрицательным, чем исток (-VGS). Поскольку операционный усилитель пытается уравнять напряжения на своих входах, он обеспечивает усиление, при котором напряжение на R3 будет равно 100 мВ. Резистор R5 тогда падает 10 нА × 100 кОм = 1 мВ. Таким образом, – VDS JFET контролируется до тех пор, пока IDS не станет равным 100 мВ / 10 МОм = 10 нА. В результате на DVM появляется – VGS (p). Источниками ошибок в этом измерении являются ID3 (10 пА), входной ток смещения операционного усилителя TL071 (

    Многофункциональный ЖК-дисплей Тестер цифровых транзисторов для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы Jarchii Тестер транзисторов Электрические испытания Тестирование, измерение и проверка heroventas.com

    Тестер транзисторов Jarchii, многофункциональный ЖК-дисплей Тестер цифровых транзисторов для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы: Товары для дома. Купить Тестер транзисторов Jarchii, многофункциональный тестер цифровых транзисторов с ЖК-дисплеем для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы: Мульти тестеры – ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при соответствующих критериях покупки. Функция автоматического выключения тестера транзисторов: имеет функцию автоматического выключения.Обратный отсчет выключения отображается на дисплее, и обратный отсчет выключения может быть увеличен до 40 секунд. 。 Многофункциональный тестер транзисторов Большой и четкий цифровой ЖК-дисплей: в этом удивительном детекторе используется цветной ЖК-экран 1,8 дюйма с высоким разрешением. Различные параметры отображают разные цвета, удобно и просто.。 Тестер транзисторов с ЖК-дисплеем, работающий от батареи.。 Цифровой транзистор. Тестер Автоматическая идентификация: Интеллектуальный детектор транзисторов DROK автоматически обнаруживает транзисторы NPN и PNP, N-канальные и P-канальные MOSFET, диоды, тиристоры, резисторы, конденсаторы и другие устройства.。 Тестер транзисторов M328 Широкое применение: этот многофункциональный измеритель емкости может использоваться для тестирования триодов, полевых транзисторов (FET), диодов, резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, MOS, SCR и может использоваться для различных испытаний электронных транзисторов. 。 Спецификация: Состояние: 100% новый。 Модель: / M328。 Питание: батарея 6F22 постоянного тока 9 В (не входит в комплект)。 Диапазон транзисторов: 2 или менее (включая 2) PN-переходных транзистора。 Диапазон сопротивления: 0,5 Ом – 50 МОм。 Конденсатор Диапазон: 25 пФ-100000 мкФ。 Диапазон индуктивности: 0.01mH – 20H。 Диапазон транзисторов: менее 2 (включая 2) транзисторов, состоящих из структур PN. Внутри нет других компонентов сопротивления。 Диапазон измерения сопротивления: 0,5–50 МОм。 Диапазон измерения индуктивности: 0,01–20 ч。 Диапазон измерения емкости: 25 пФ – 100000 мкФ。 Вес: прибл. 154 г / 5,4 унции。 Размер: прибл. 70 * 135 * 24 мм / 2,8 * 5,3 * 0,9 дюйма。 Список пакетов: 1 * Тестер транзисторов。。。。。





    Многофункциональный ЖК-дисплей Цифровой тестер транзисторов для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы Тестер транзисторов Jarchii

    Пакет из 10 Emerson Process Management Regulator Technologies Inc.1/2 x 1/2 NPT, упаковка из 10 шт. Пружина 9,5–13 водяного столба Оборудование Emerson-Fisher для сжиженного газа R222-BAFXA Компактный регулятор 2-й ступени 9,5–13 водяного столба Пружина 1/2 x 1/2 NPT с вентиляционным отверстием на выходе. SM206 Цифровой измеритель солнечной энергии Измеритель солнечного света для измерения радиации Испытательный прибор Измеритель радиации солнечной энергии Измеритель солнечной энергии УФ-метр. NA Наружная резьба для мебельной ножки для выравнивания уровня 6 мм x 23 мм 12 шт. 2- 36 Длина 2-13 / 32 Ширина 7/32 Толщина Пакет Starrett 385-36 Стальная прямая кромка со скосом. Dunacifa Женские повседневные летние рубашки Большие объемные мешковатые свободные блузки «Крыло летучей мыши». Футболка с короткими рукавами и принтом с блестками.Металлический датчик давления масла с двойной шкалой 0-20бар Манометр 0-300psi 1/8 BSPT Резьба для воздушного топлива, женский хлопок Базовая мягкая футболка с длинным рукавом с круглым вырезом, блузка, нижняя рубашка. MOZATE Цифровой инфракрасный лобный термометр THERM0METER Без батареи Бесконтактный для взрослых и детей , Светодиодный дисплей ℃ / Точность ± 0,2 ℃ A, 128 × 64 2,7-дюймовый матричный OLED-дисплей Высокая скорость и низкое энергопотребление высокая точность Портативный GAO-SRT-113 Тестер шероховатости поверхностей представляет собой небольшой портативный прибор с четырьмя методами фильтрации, амперметр со светодиодной панелью с цифровым дисплеем, Амперметр / амперметр со светодиодной панелью с цифровым дисплеем KKmoon LCD DC 100A и 100A / 75mV, шунтирующий резистор, КАЛИБРАТОР УРОВНЯ ЗВУКА EXTECH NIST.Распродажа женских шорт для бега ♦ NDGDA Женские короткие штаны с дельфинами для йоги, спорта и фитнеса. Чувствительное измерение емкости и индуктивности импеданса для многофункционального измерителя индуктивности 20–1 МГц Нормы США Цифровой настольный измеритель LCR.


    Многофункциональный цифровой тестер транзисторов с ЖК-дисплеем для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы JF-XUAN Resistance Tester Тестер транзисторов Электрические испытания Тестирование, измерение и проверка heroventas.com

    JF-XUAN Resistance Tester Тестер транзисторов, многофункциональный ЖК-дисплей Тестер цифровых транзисторов для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы: промышленные и научные. Купить JF-XUAN Resistance Tester Тестер транзисторов, многофункциональный цифровой тестер транзисторов с ЖК-дисплеем для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы: Омметры – ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках. Функция автоматического выключения тестера транзисторов: имеет функцию автоматического выключения.Обратный отсчет выключения отображается на дисплее, и обратный отсчет выключения может быть увеличен до 40 секунд. 。 Многофункциональный тестер транзисторов Большой и четкий цифровой ЖК-дисплей: в этом удивительном детекторе используется цветной ЖК-экран 1,8 дюйма с высоким разрешением. Различные параметры отображают разные цвета, удобно и просто.。 Тестер транзисторов с ЖК-дисплеем, работающий от батареи.。 Цифровой транзистор. Тестер Автоматическая идентификация: Интеллектуальный детектор транзисторов DROK автоматически обнаруживает транзисторы NPN и PNP, N-канальные и P-канальные MOSFET, диоды, тиристоры, резисторы, конденсаторы и другие устройства.。 Уважаемые покупатели, в этом магазине так много товаров, что вы можете выбрать понравившиеся товары. Мы предоставим вам качественные товары и услуги. Если у вас есть вопросы по товару, пожалуйста, свяжитесь с нами вовремя. 。 Спецификация: 。Состояние: 100% 。Модель: M328。Питание: батарея 6F22 постоянного тока 9В (не входит в комплект) 。Диапазон транзисторов: 2 или менее (включая 2) PN-транзисторов Диапазон сопротивления: 0,5 Ом – 50 МОм Диапазон конденсатора: 25 пФ -100000 мкФ。 Диапазон индуктивности: 0,01 мГн – 20 Гц。 Диапазон транзисторов: менее 2 (включая 2) транзисторов, состоящих из структур PN.Внутри нет других компонентов сопротивления Диапазон измерения сопротивления: 0,5–50 МОм Диапазон тестирования индуктивности: 0,01–20 ч Диапазон измерения емкости: 25 пФ – 100000 мкФ Вес: прибл. 154 г / 5,4 унции。Размер: прибл. 70 * 135 * 24 мм / 2,8 * 5,3 * 0,9 дюйма Список пакетов: 1 * Тестер транзисторов Уважаемые покупатели, в этом магазине так много товаров, что вы можете выбрать здесь свои любимые. Мы предоставим вам качественные товары и услуги. Если у вас есть вопросы по товару, пожалуйста, свяжитесь с нами вовремя.。




    Многофункциональный ЖК-дисплей Цифровой тестер транзисторов для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы JF-XUAN Resistance Tester Тестер транзисторов

    Нержавеющая сталь NSF Taylor Precision TE30WD 30-фунтовые весы для контроля порций с беспроводным цифровым дисплеем.Настенная распределительная коробка Sara-u 8686 мм для корпуса термостата с регулятором температуры, Mitutoyo 177-529 Керамическое установочное кольцо 0,8 Размер +/- 0,00006 Точность. и температура DC 0-10V DC 0-10V Канальный датчик Siemens QFM3160 для влажности Диапазон температур: от -31 ° F до 95 ° F, Meba 24 600 мм магнитно-цифровое считывающее УЦИ Удаленное считывание УЦИ для фрезерного / токарного станка 24 дюйма. Передатчик Dwyer 629C-09-CH-P2-E1-S1-AT 629C. Topgard 4pt.1-Touch Hard Hat Suspension, Socobeta Portable External S-Meter для FT-857 / FT-897, Электронный измерительный инструмент 6 дюймов / 150 мм с большим ЖК-штангенциркулем Штангенциркуль Дюйм / Метрическое преобразование 2PCS Измерительный инструмент для домашнего использования в лаборатории DS-Wang Штангенциркуль Легко читаемый цифровой штангенциркуль, запасные гидравлические шкалы для измерения веса на языке Sherline, комбинированные, 2 манометра, установленные на 1000 фунтов, 0–2000 фунтов.Анализатор антенн электрика из алюминиевого сплава для связи Векторный сетевой антенный анализатор 0,5ppm Интерфейс TCXO MicroUSB Векторный анализатор цепей 3G, инструмент для измерения зазоров с двойной маркировкой в ​​метрических и британских единицах Обучающий щуп AETXJS FASTROHY 32 Blades Steel Feeler Gauge. 1200 г x 0,01 г Sartorius Corporation MSA1202S-100-D0 Cubis Balance Auto Level Цветной сенсорный экран высокого разрешения с верхней загрузкой, 4-20 мА Dwyer 668B Датчик перепада давления 0- ± 0,1 водяного столба 668B-12-1 Переднее соединение.


    XUXUWA Resistance Tester Многофункциональный жидкокристаллический дисплей Цифровой тестер транзисторов для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы Тестер транзисторов Тестирование, измерение и проверка емкости и сопротивления Precimed-prima.org

    Тестер сопротивления XUXUWA, тестер транзисторов, многофункциональный ЖК-дисплей Тестер цифровых транзисторов для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы: Промышленные и научные. Купить Тестер сопротивления XUXUWA, Тестер транзисторов, Многофункциональный ЖК-дисплей Тестер цифровых транзисторов для тестовых триодов Полевые транзисторы Диоды Резисторы Конденсаторы Индукторы: Измерители емкости – ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА возможна при определенных покупках. Функция автоматического выключения тестера транзисторов: имеет функцию автоматического выключения.Обратный отсчет выключения отображается на дисплее, и обратный отсчет выключения может быть увеличен до 40 секунд. 。 Многофункциональный тестер транзисторов Большой и четкий цифровой ЖК-дисплей: в этом удивительном детекторе используется цветной ЖК-экран 1,8 дюйма с высоким разрешением. Различные параметры отображают разные цвета, удобно и просто.。 Тестер транзисторов с ЖК-дисплеем, работающий от батареи.。 Цифровой транзистор. Тестер Автоматическая идентификация: Интеллектуальный детектор транзисторов DROK автоматически обнаруживает транзисторы NPN и PNP, N-канальные и P-канальные MOSFET, диоды, тиристоры, резисторы, конденсаторы и другие устройства.。 Добро пожаловать в завсегдатаи, будьте уверены в выборе товаров. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, свяжитесь с нами вовремя по электронной почте, мы ответим вам в течение 24 часов. 。 Добро пожаловать в завсегдатаи, будьте уверены в выборе товаров. Если у вас есть какие-либо вопросы, пожалуйста, свяжитесь с нами вовремя по электронной почте, мы ответим вам в течение 24 часов. Технические характеристики:。 Состояние: 100%。 Модель: M328 Питание: батарея постоянного тока 9 В 6F22 (не входит в комплект)。 Диапазон транзисторов: 2 или менее (включая 2) PN-переходные транзисторы Диапазон сопротивления: 0,5 Ом – 50 МОм Диапазон конденсатора: 25 пФ-100000 мкФ Диапазон индуктивности: 0.01mH – 20H。 Диапазон транзисторов: менее 2 (включая 2) транзисторов, состоящих из структур PN. Внутри нет других компонентов сопротивления Диапазон измерения сопротивления: 0,5–50 МОм Диапазон тестирования индуктивности: 0,01–20 ч Диапазон измерения емкости: 25 пФ – 100000 мкФ Вес: прибл. 154 г / 5,4 унции。Размер: прибл. 70 * 135 * 24 мм / 2,8 * 5,3 * 0,9 дюйма Список пакетов: 。1 * Тестер транзисторов。。。





    Обзор набора тестеров транзисторов DIY

    – Hiland M12864

    В этом посте мы собираемся собрать и протестировать комплект тестеров транзисторов (компонентов) своими руками.Этот конкретный комплект представляет собой оригинальный комплект тестера транзисторов Hiland DIY M12864.

    Тестер компонентов – это устройство, которое определяет различные электронные компоненты, а также их характеристики. Он идентифицирует биполярный транзистор PNP и NPN, полевые транзисторы с N, P-каналом, полевые транзисторы JFET, диоды, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности.

    Где купить?

    Этот продукт был отправлен на рассмотрение на Banggood, и вы можете нажать на карточку продукта ниже, чтобы перейти на страницу продукта.

    оригинальный Hiland DIY M12864 графическая версия LCR ESR PWM набор тестеров транзисторов

    ★★★★★

    13,99 $

    по состоянию на 14 июня 2021 г. 17:19

    Посмотреть видеообзор

    Вы можете посмотреть видеообзор набора тестеров транзисторов своими руками ниже или прокрутить вниз и продолжить чтение.

    Распаковка комплекта тестера компонентов

    Внутри пакета находятся все компоненты, необходимые для создания тестера компонентов. Все это компоненты со сквозными отверстиями, поэтому их довольно легко паять, даже если у вас нет большого опыта.

    Кроме того, плата хорошо промаркирована. Таким образом, вы точно знаете, где припаять каждый компонент. Место для пайки каждого резистора также четко обозначено на печатной плате.

    Если вы не хотите паять, есть также версия этого набора, которая поставляется в предварительно собранном виде.Вы можете проверить эту версию ниже.

    Сборка комплекта тестера компонентов

    Я начал с того, что идентифицировал каждый резистор с помощью мультиметра и пометил его. Резисторы с одинаковым номиналом сгруппированы вместе. Затем вставьте все резисторы в соответствующие места и приступайте к пайке.

    После пайки всех резисторов отрежьте их выводы сзади.

    Затем вы можете добавить другие более мелкие компоненты: например, конденсаторы, кристалл, транзисторы и светодиод.В конце оставьте более высокие компоненты припаять.

    После того, как все спаяли, вставьте микроконтроллер и ЖК-дисплей в контакты разъема.

    Калибровка тестера компонентов

    Подайте питание на тестер компонентов, используя батарею 9 В. При первом использовании вам необходимо выполнить процедуру калибровки.

    Для запуска режима калибровки вам понадобятся короткие контакты 1, 2 и 3 с двумя проводами. Вы можете сделать это, как показано на следующем рисунке.Затем нажмите кнопку и дайте включиться в режим самотестирования.

    Через несколько секунд вы увидите это сообщение на экране, предлагающее изолировать зонды. На этом этапе вы должны удалить провода.

    Наконец, когда появляется это сообщение, вам нужно вставить дополнительный конденсатор, который входит в комплект, в контакты 1 и 3. Дайте ему поработать еще несколько секунд, пока не будет завершена калибровка.

    Идентификация компонентов с помощью тестера компонентов

    Теперь мы можем приступить к тестированию компонентов.Тестер компонентов может идентифицировать и измерять различные компоненты, такие как резисторы, транзисторы, полевые МОП-транзисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды.

    Розетка имеет 3 разных контакта. Первые три столбца предназначены для контакта 1, четвертый столбец – для контакта 2, а последние три столбца – для контакта 3. Чтобы проверить ваши компоненты, убедитесь, что каждый вывод подключен к другому контакту.

    Например, если вы проверяете резистор, вы можете подключить один вывод к контакту 1, а другой – к контакту 2, или вместо этого вы можете использовать контакты 1 и 3 или контакты 2 и 3.Но два вывода не могут быть подключены к одному и тому же выводу.

    Мы тестировали разные резисторы, и он неплохо работает. Он даже определяет резистор 10 МОм.

    При тестировании диодов и светодиодов он показывает положительный и отрицательный провод, а также прямое напряжение.

    Транзисторы определить не удалось.

    Он также определяет полевые МОП-транзисторы.

    Наконец, вы можете тестировать как керамические, так и электролитические конденсаторы.Но убедитесь, что они разряжены, иначе вы можете повредить тестер компонентов.

    Имейте в виду, что если вы попробуете стабилизатор напряжения, он не сработает. И некоторые транзисторы также могут быть неправильно идентифицированы.

    Этот комплект имеет еще несколько функций, которые вы можете использовать. Если вы войдете в меню, вы можете изменить контраст, генерировать прямоугольные волны, генерировать импульсы ШИМ с помощью генератора сигналов. И он также имеет функцию частотомера (чтобы воспользоваться этой функцией, вам нужно использовать два контакта в правом верхнем углу, помеченные GND и F-in).


    Вам также может понравиться:

    Завершение

    После тестирования этого набора я думаю, что он очень хорошо идентифицирует каждый компонент и дает очень приблизительное значение их основной спецификации. Вспомогательные значения, такие как Vloss, ESR, иногда верны, а иногда – нет.

    Тем не менее, я думаю, что этот тестер компонентов работает достаточно хорошо и по такой цене является хорошим дополнением к вашей лаборатории. Вот ссылки, если вы хотите получить тестер компонентов.

    Ищете более выгодные предложения на электронику и инструменты? Не забудьте подписаться здесь, чтобы узнавать о предстоящих сделках и дополнительно сэкономить на своем любимом снаряжении!


    [Рекомендуемый курс] Изучите ESP32 с Arduino IDE

    Зарегистрируйтесь в нашем новом курсе ESP32 с Arduino IDE. Это наше полное руководство по программированию ESP32 с Arduino IDE, включая проекты, советы и хитрости! Регистрация открыта, поэтому зарегистрируйтесь сейчас .


    Другие курсы RNT

    Связанные

    Снижение затрат на переключение в автоматизированной испытательной системе с полевыми транзисторами и твердотельными реле

    Устройства

    FET и SSR помогают снизить затраты на автоматизированные испытательные системы за счет снижения первоначальных затрат, увеличения срока службы системы коммутации и минимизации времени тестирования.

    Компактный размер полевых транзисторов и твердотельных реле помогает снизить первоначальные затраты на системы коммутации PXI. Стоимость модуля переключателя PXI основана на стоимости компонентов реле, внутренних схем и материалов, таких как печатная плата (PCB), которые используются для сборки модуля. Малый форм-фактор полевых транзисторов и твердотельных реле упрощает создание однослотовых коммутационных модулей PXI с очень высокой плотностью размещения. Это помогает уменьшить количество модулей PXI и, следовательно, слотов PXI, используемых в шасси, при построении систем коммутации высокой плотности, таких как те, которые используются в проверочных тестерах полупроводников.Используя меньше модулей, вы меньше расходуете сырье и внутреннюю архитектуру. Матрица 544 точек коммутации PXI-2535 является примером модуля коммутации PXI с очень высокой плотностью размещения, построенного с использованием технологии полевых транзисторов.

    Неограниченный механический срок службы и более высокие скорости переключения переключателей на полевых транзисторах также помогают минимизировать затраты на испытательные системы. Рассмотрим пример системы, которая используется для проведения 10 тестов на микросхеме с 500 точками ввода-вывода. Чип используется во многих устройствах, а его совокупные продажи оцениваются в 1 миллион в месяц.Требуется, чтобы тестовая система, построенная с использованием одного источника измерения источника (SMU) NI PXI-4130 и коммутирующего интерфейса, который используется для маршрутизации всех 500 точек к SMU, работала непрерывно. Ниже приводится сравнение затрат на использование коммутатора на основе полевых транзисторов и устройства на основе электромеханического реле.

    Используя скорость сканирования 50 000 каналов в секунду переключателя на полевых транзисторах PXI-2535 с 544 точками пересечения, вы можете протестировать все 1 миллион микросхем менее чем за 12 дней. Поскольку полевые транзисторы имеют неограниченный механический срок службы, вы не несете никаких затрат на замену модуля переключения во время процесса.

    Рис. 4. Тестирование микросхемы с SMU и переключателем на полевых транзисторах 544

    Если бы вы использовали электромеханический релейный коммутационный модуль той же плотности, затраты были бы намного выше. Электромеханические реле имеют типичный срок службы 1 миллион замыканий и скорость 250 каналов в секунду. Поскольку каждое реле замыкается 10 миллионов раз в процессе тестирования всех 1 миллиона микросхем, модуль реле необходимо заменять 10 раз.Это увеличит общие расходы на обслуживание системы. Более низкая скорость электромеханических реле также увеличивает затраты по сравнению с решением на основе полевых транзисторов. Время, затраченное на тестирование 1 миллиона микросхем с использованием электромеханических реле, составляет 231 день. Таким образом, использование электромеханических реле увеличило бы стоимость обслуживания и эксплуатации производственного цеха на 219 дополнительных дней по сравнению с модулем на основе полевых транзисторов. Более продолжительное время тестирования также создает проблемы при управлении запасами и доставке продуктов клиентам.

    Хотя этот пример является гипотетическим, он показывает реальную экономию затрат, которую вы можете достичь благодаря преимуществам технологий FET и SSR.

    Купить Metravi TT 01 – Тестер транзисторов онлайн по лучшим ценам в Индии

    Предпочтительный партнер Индии по закупкам промышленных товаров и Поставки ТОиР.

    Shakedeal – надежный партнер по закупкам для многих организации в сфере банковского дела, финансов, информационных технологий, производства и консалтинга. В онлайн-торговая площадка предлагает широкий выбор подлинных и высококачественных промышленные и ТОиР поставки.Выбирайте из обширной коллекции электроинструментов, оборудование для обеспечения безопасности, предметы первой необходимости для офиса и упаковочные материалы по доступной цене. цены онлайн.

    Выберите из обширного ассортимента электроинструментов в Интернете.

    Мы предлагаем электроинструменты всех ведущих производителей (Aegon, Bosch, Black & Decker, Makita, Dewalt, Foster и т. Д.) На свою платформу. Вы можете выбирать из обширная коллекция электроинструментов, как аккумуляторных, так и проводных. От дрели, шлифовальные машины, пилы и шлифовальные машины к резчикам по мрамору, в интернет-магазине есть все инструменты, необходимые для ваших проектов.Приобретите угловые шлифовальные машины Bosch, перфораторы, Колочные пилы и фрезы для мрамора Aegon по бесконкурентным ценам.

    Популярные электроинструменты, такие как мойки высокого давления, фрезерные станки, рубанки, плитки резаки и отвертки были лидерами продаж на онлайн-рынках. Популярный электроинструменты, такие как мойки высокого давления, фрезерные станки, строгальные станки, плиткорезы и отвертки были лидерами продаж. Эйгон, Эндико, Йош, Тапария, Юрий и Ruhi занимает центральное место в области электроинструментов.

    Высококачественная промышленная защитная обувь по привлекательным ценам.

    Магазин промышленной защитной обуви по выгодным ценам в Интернете. На своей платформе онлайн-магазины продают все виды защитной обуви. Ты можешь получить обувь из ПВХ, защитную обувь со стальным носком, резиновые сапоги, обувь на подошве из полиуретана, плюсневую кость обувь, нескользящая и электрическая защитная обувь по бесконкурентным ценам в Интернете. Получать Allen Cooper, защитная обувь со стальным носком Tiger Lorex, JCB, Bata, Karam, Stanley, Acme Шторм и защитная обувь Hillson по конкурентоспособным ценам при покупке в Интернете.Выбирать из обширного ассортимента защитной обуви для ваших сотрудников в Интернете.

    Делайте покупки в Интернете для самых разных Контрольно-измерительное оборудование.

    Наша торговая площадка предлагает высококачественный воздух – приборы для измерения качества скорости, автомобильные испытания, испытания материалов, электронные и стендовые испытания, испытания электроэнергии, давление-вакуум измерительные приборы, приборы для измерения температуры-влажности и компоновка измерительные инструменты на своей торговой онлайн-платформе по доступным ценам.Купить Мультиметры Fluke, инфракрасные термометры, светодиодные светомеры Fluke, Mitutoyo штангенциркуль с нониусом, цифровые штангенциркули Mitutoyo, тестеры изоляции Waco, Waco цифровые токоизмерительные клещи и цифровые термометры Mextech по лучшим ценам в Интернете.

    Купить сельское хозяйство, сад и Инструменты для ландшафтного дизайна онлайн по лучшим ценам.

    С широким ассортиментом воздуходувок, щеток и соломы резаки, газонокосилки и т. д. и другое оборудование, мы предлагаем все подлинное качество Сельскохозяйственный, садовый и ландшафтный инвентарь вам по лучшим ценам.онлайн платформы предлагают все ведущие бренды, такие как Makita, Bosch, Dongcheng, Ferm, Lu Shyong, Josch, Kisankraft, Keyul и т. Д., Чтобы помочь вам выбрать лучшие инструменты для твои нужды. Приобретите ручные лопаты, кусторезы, опрыскиватели и множество щеток. аксессуары для резаков по конкурентоспособным ценам в Интернете.

    Предлагает широкий спектр индивидуальных решений для корпоративных подарков онлайн.

    Мы делаем корпоративные подарки легкими для вас. Получить эстетично разработанные и индивидуальные решения для подарков в Интернете.Делайте покупки в Интернете для персонализированных корпоративные подарки, подарки премиум-класса и рекламные товары. Предлагаем привлекательные скидки на оптовые заказы и годовые контракты. Воспользуйтесь потрясающими скидками на дарить решения покупками в Интернете.

    Приобретайте светодиодные фонари и лампы по привлекательным ценам в Интернете.

    Выберите из широкого спектра вариантов светодиодного освещения от такие бренды, как Bajaj, Wipro, Syska, Havells и многие другие на нашем сайте рынок. Сэкономьте на счетах за электроэнергию, переключившись на светодиодное освещение.Получать лучшее освещение для ваших домов, офисов и рабочих зон, сделав выбор в пользу качества Светодиодные фонари и лампы. Приобретайте светодиодные лампы по самым выгодным ценам в Интернете.

    Покупайте самые качественные офисные принадлежности в Интернете.

    Предлагаем качественные канцелярские товары по оптовым ценам. Добраться до выберите из широкого ассортимента канцелярских товаров от Linc, Canon, Pearl, Casio, HP, Reynolds Epson, Kores, JK, Natraj, Luxor по привлекательным ценам только на Шакедил. Файлы, папки, держатели документов, блокноты, ручки и множество других предметы первой необходимости доступны по бесконкурентным ценам.Выберите предпочтительный для Индии Партнер по закупкам для ваших нужд канцелярских товаров.

    Купите в Интернете оригинальные подшипники по экономичным ценам

    Предлагаем вам широкий ассортимент подшипников по оптимальным ценам. Выбирайте из превосходного ассортимента радиально-упорных подшипников, шариковых подшипников, игольчатые роликоподшипники, сферические роликоподшипники, упорные роликовые подшипники, конические роликоподшипники и роликоподшипники drac онлайн. Получите интересные предложения на подшипники таких марок, как NBC, SKF и FAG.Самыми продаваемыми подшипниками являются шарики NBC. подшипник 6203zzm, FAG 509043 и SKF 30205 J2 / Q.

    Выбирайте из обширной коллекции недорогих клеи, герметики и ленты онлайн.

    Наша онлайн-торговая площадка предлагает клеи, герметики и ленты по экономичным ценам. Вы можете выбрать из огромной коллекции февикола, аралдита. и клеи Camlin по доступным ценам на нашей торговой площадке. Покупка клея, связующие вещества, стандартные эпоксидные клеи, клеи на основе синтетических смол, стены штукатурки и шпатлевки по выгодным ценам.Некоторые самые продаваемые клеи: Camlin -150 мл Kokuyo, Pidilite -0,5 г Fevikwik Instant Adhesive, Pidilite – 100 г февикола, пидилита -22 г Fevi Bond, Camlin -25 г клея Krafty с Трубка аппликатора, Kores-Glue Stick, Faber Castell – 15 грамм Коробка по 20 штук Клей-карандаш.

    Эксклюзивная коллекция уборочного инвентаря, доступная онлайн.

    Лучшая коллекция промышленного клинингового оборудования на захватывающей цены на нашей платформе растут. На онлайн-платформах размещены все ведущие такие бренды уборочного оборудования, как 3M, Karcher, Bosch и Hitachi на своем Платформа.Выбирайте из ассортимента аппаратов для мытья под давлением, швабр, пылесосов и промышленный скруббер. Некоторые из самых продаваемых чистящих средств: Cumi CCW 90 – 90. Барная машина для мойки автомобилей, Karcher WD 1 – Пылесос для влажной и сухой уборки 15 л, Schevaran – 5 Дезинфицирующее средство для мытья полов без зародышей, Fem – Ручная стирка 5 литров, Venus Безопасность – Универсальная Vsorb Pad серого цвета и т. Д.

    Делайте покупки в Интернете для всех ваших погрузочно-разгрузочных работ и упаковки потребности.

    Положите все свои заботы о транспортировке материалов и упаковке.Купить качественные упаковочные материалы по сниженным ценам на нашей платформе. Выберите из широкий ассортимент подъемников, тележек, тележек, штабелеукладчиков, стеллажей, ящиков, лестницы, гофрированная бумага, стрейч-пленка, стропы, храповые ремни, термокольца, пузырчатая пленка и гофроящики по экономичным ценам. Некоторые популярные модели ящиков: Aristoplast 5436295 CL – 48 литров General Crate и Supreme. SCL 302010 – Полностью закрытый ящик объемом 4 литра 300×200.

    Купите в Интернете оригинальные ручные инструменты

    Заходите на нашу онлайн-торговую площадку для покупки качественных ручных инструментов. и аксессуары по привлекательным ценам.Гаечные ключи, гаечные ключи, отвертки и молотки доступны в Интернете. Выберите в Интернете свои любимые бренды ручного инструмента. Некоторые популярными моделями ручных инструментов являются Taparia toolbox ptb 16, Taparia 1005 universal. набор инструментов, набор инструментов Taparia 1021-home, Kisankraft kk atp 9210 – 2,4 метра телескопический секатор для деревьев, Taparia t-8 – отвертка torx 75 мм, Stanley 70-964e – Набор комбинированных ключей на 12 шт. И насос для консистентной смазки ведра Venus.

    Магазин всех видов сварочного инструмента по доступным ценам. онлайн.

    Выберите из широкого ассортимента сварочных аппаратов, сварочной проволоки, сварочные электроды, флюсы, паяльные инструменты, сварочные завесы, экраны, газовые аксессуары для резки и сварки на нашей платформе. Купить качественную дуговую сварку аппараты, аппараты для сварки MIG, аппараты для точечной сварки и аппараты для сварки TIG по сниженным ценам онлайн. Интернет-магазины содержат все виды углеродистой стали. электроды, чугунные электроды, режущие электроды из легированных сплавов, низколегированные электроды, электроды из низкоуглеродистой стали и электроды из нержавеющей стали по оптовым ценам.Приобретайте сварочные электроды ведущих производителей, таких как Sun weld, Superon и Адор.

    Купите двигатель и силовое оборудование в лучшем случае онлайн Цены

    Вы можете выбирать из широкого диапазона двигателей и мощности варианты трансмиссии по разумным ценам на нашем онлайн-рынке. Существование Ведущий онлайн-рынок Индии B2B, на котором можно найти все типы ремней, звездочек, цепи и моторы по сниженным ценам. Однофазные и трехфазные двигатели от Sona доступны по оптовым ценам.Приобретите стандартные роликовые цепи от Renold по адресу лучшие цены. Renold DR 1278 – 12,70×7,85 мм, дуплексная цепь длиной 1 метр и

    Renold TR 1911 – 19,05×11,70 мм, триплексная цепь длиной 1 метр популярные модели роликовых цепей. Купить целый ассортимент классических ремней, ремней FHP, Ремни с кромкой, шестиугольные ремни, узкие ремни и ремни для ткацких станков по лучшим ценам на интернет-площадках.

    Получите отличные предложения по оптовым покупкам и контрактам с годовой процентной ставкой (ARC)

    Получите гарантированные поставки промышленных товаров и товаров ТОиР по конкурентоспособным ценам. цены, выбирая наши предложения оптовых закупок и годовых контрактов.Положить ваши Управление запасами заботится о том, чтобы успокоиться и довериться ведущей B2B-площадке Индии для предоставление вам материалов самого высокого качества по доступным ценам.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.