Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Понятие рабочей точки (РТ) – Club155.ru

 

Анализ работы любого усилительного устройства удобно начинать с изучения его вольт-амперных характеристик. Основной характеристикой, используемой при таком анализе, является выходная характеристика, представляющая собой зависимость выходного тока от выходного напряжения:

\({I}_{вых} = {f}{(}{{U}_{вых}}{)}\left|{\atop{{I}_{вх}={const}{, } { U}_{вх}={const}}}\right.\)

 

Рис. 3.1. Семейство выходных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ

 

На рис. 3.1 приведено семейство выходных характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ. В них в качестве выходного тока выступает ток коллектора \(I_К\), а в качестве выходного напряжения — напряжение между коллектором и эмиттером \(U_{КЭ}\). Заметим, что приблизительно так же будут выглядеть и выходные характеристики при включении с ОБ и ОК (рис.

3.12,б), а также выходные характеристики схем с полевыми транзисторами. Разница будет лишь в названиях электродов транзистора, выступающих в качестве выходных.

Очевидно, что при работе усилительного прибора величины входного напряжения и тока не остаются неизменными, а претерпевают некоторые колебания по закону изменения усиливаемого сигнала в определенном, задаваемом внешними цепями, диапазоне значений. При этом в каждый момент времени на семействе выходных характеристик можно указать единственную точку, соответствующую текущему состоянию усилительного прибора.

Если рассмотреть и другие характеристики усилителя (характеристики управления, входные характеристики, характеристики передачи), то окажется, что и на них эта точка всегда однозначно определена, если известны токи и напряжения на входных и выходных электродах.

Точка на плоскости выходных (или других) характеристик усилительного прибора, связывающая текущие значения напряжений и токов в нем, называется

рабочей точкой. Заметим, что даже при отсутствии входного полезного сигнала усилительный каскад продолжает находиться в некотором вполне конкретном состоянии, которому соответствует некоторая вполне конкретная рабочая точка, ее обычно называют исходной рабочей точкой или рабочей точкой по постоянному току, если речь идет о транзисторном усилителе, предназначенном для усиления малых по амплитуде переменных токов и напряжений.

В дальнейшем все постоянные составляющие токов и напряжений на электродах усилительного прибора будем отмечать дополнительным индексом “0”, а их переменные составляющие — дополнительным индексом “~” в соответствии с описанными в разделе 2.3 правилами. Т.е., например, значение коллекторного тока транзистора, соответствующее исходной рабочей точке (рабочей точке по постоянному току), будет обозначаться \(I_{К_0}\), при этом полный ток коллектора в каждый момент времени будет равен \(I_К = I_{К_0} + I_{К_{\sim}}\), где в случае гармонического входного воздействия \(I_{К_{\sim}} = I_{К_m}\sin\left({\omega t + \varphi}\right)\).

Взаимосвязь изменений выходного тока и напряжения и изменений входного сигнала должна быть не только причинно-следственной, но и по возможности линейной. Только при линейной (пропорциональной) функциональной зависимости возможно неискаженное воспроизведение усиливаемого сигнала на выходе каскада при работе на линейную резистивную нагрузку. Косвенным признаком возможности неискажающей работы усилительного прибора является эквидистантность (равномерная плотность) графиков выходных характеристик, представленных на рис. 3.1. Очевидно, что условие эквидистантности выполняется лишь в ограниченной области значений токов и напряжений. Область выходных характеристик усилительного прибора, где указанное условие выполняется с приемлемой для практики точностью, называется

усилительной областью (областью линейного усиления). На выходных характеристиках биполярных транзисторов (рис. 3.1) эта область ограничивается с одной стороны так называемой линией насыщения (переход за эту линию означает переход транзистора в режим насыщения), а с другой — линией отсечки (переход в режим отсечки). При выходе рабочей точки транзистора за указанные пределы не только нарушается пропорциональная зависимость изменений выходного сигнала от изменений входного сигнала, но вообще прекращается управляющее воздействие входного сигнала на выходной ток и напряжение, т.е. транзистор полностью теряет усилительную функцию. Считается, что транзистор работает в усилительном режиме (класс усиления А), если в процессе усиления рабочая точка не соприкасается с линиями насыщения и отсечки.

Напряжения и токи, а также внешние по отношению к усилительному прибору электрические цепи, обеспечивающие заданное положение рабочей точки по постоянному току, называются соответственно напряжениями, токами и цепями смещения. Напряжения и токи смещения также часто называют начальными.

 

 

< Предыдущая   Следующая >

Выбор и расчёт сердечника трансформатора


Площадь сечения сердечника трансформатора -очень важный параметр. На величину магнитного потока, создаваемого в сердечнике трансформатора, кроме числа витков первичной обмотки и величины протекающего в ней тока, оказывает влияние и размер самого сердечника. Если трансформатор имеет сердечник малого размера, то создать в таком сердечнике магнитный поток большой величины нельзя и на выходе такого трансформатора получить большую мощность не удастся. Это объясняется тем, что материал, из которого изготовлен сердечник, имеет способность насыщаться. Явление

насыщения трансформатора состоит в том, что, несмотря на увеличение тока в обмотке, магнитный поток в сердечнике, достигнув некоторой максимальной величины, далее практически не изменяется.

Предположим, что имеется катушка с железным сердечником, по которой протекает постоянный ток. При увеличении тока магнитный поток будет также увеличиваться. При малых величинах тока возрастание потока окажется пропорциональным увеличению тока. Затем поток будет нарастать всё медленнее и наконец при некоторой величине тока перестанет увеличиваться совсем.

Наступит насыщение стали (насыщение сердечника).

В трансформаторе режим насыщения приводит к тому, что передача энергии из первичной обмотки во вторичную частично прекращается. Нормальная работа трансформатора возможна лишь тогда, когда магнитный поток в его сердечнике изменяется пропорционально изменению тока в первичной обмотке. Для выполнения этого условия необходимо, чтобы сердечник не был в состоянии насыщения, а это возможно лишь тогда, когда его объём и сечение не меньше вполне определённой величины. Следовательно, чем больше мощность трансформатора, тем большим должен быть его сердечник.

Расчёт мощности трансформатора. Формула.

На практике часто приходится рассчитывать сечение сердечника по заданной мощности трансформатора:

Sсерд = 1.2√P, см2

Если известно сечение сердечника, то можно ориентировочно рассчитать мощность трансформатора по формуле:

P = S2серд

/ 1. 44, вт.


Кусочная аппроксимация выходной характеристики «внешнего» органического полевого транзистора с учётом ненулевой дифференциальной проводимости в режиме насыщения и эффекта ограничения тока стока из-за истоковой деградации

Физика / Physics

Proceedings of the Southwest State University. Series: Engineering and Technologies. 2019; 9(2): 137-157

применить метод линеаризации и получить линейную аппроксимацию зависимости тока стока от

«внешнего» напряжения сток-исток. Иными словами, мы вычисляем выходное сопротивление «внешнего»

ОПТ, которое отличается от выходного сопротивления «внутреннего» ОПТ из-за, так называемой,

истоковой деградации и последовательно подключенного сопротивления стока. Далее мы анализируем

асимптотическое поведение неявного нелинейного уравнения, описывающего зависимость тока стока

«внешнего» ОПТ в режиме насыщения, при росте «внешнего» напряжения сток-исток при заданном

«внешнем» напряжении затвор-исток. Кроме того, для верификации аналитического метода мы

используем и численный метод для решения рассматриваемого неявного нелинейного уравнения. Для

трансформации от линейной аппроксимации в режиме насыщения в окрестности «точки насыщения» к

предельному значению тока стока при асимптотическом росте «внешнего» напряжения сток-исток мы

предлагаем использовать участок линейной аппроксимации, переходящий в участок нелинейной

аппроксимации, полученный аналитическим приближенным решением неявного нелинейного уравнения.

Результаты. В нашей работе для ОПТ разработана функционально непрерывная «внешняя» модель

выходной характеристики из четырёх участков, каждый из которых описывается кусочно-гладкой

функцией. Линейный режим описывается известной линейной по «внешнему» напряжению сток-исток

аппроксимацией для тока стока. Далее мы вычисляем выходное сопротивление «внешнего» ОПТ, которое

отличается от выходного сопротивления «внутреннего» ОПТ из-за, так называемой, истоковой

деградации и тривиального учёта последовательно подключенного сопротивления стока. Для этого мы

сначала пересчитываем ток насыщения и напряжение насыщения из «внутреннего» случая во «внешний»,

используя ранее предложенное уравнение. Выходное сопротивление «внешнего» ОПТ определяется как

величина, обратная «внешней» дифференциальной проводимости ОПТ, которая, в свою очередь,

определяется пересчётом во «внешний» случай «внутренней» дифференциальной проводимости ОПТ в

«точке насыщения». Соответственно, для режима насыщения в окрестности «точки насыщения»

разработана линейная по «внешнему» напряжению сток-исток аппроксимация для тока стока. Далее

проанализировано асимптотическое поведение неявного нелинейного уравнения для тока стока

«внешнего» ОПТ в режиме насыщения с ростом «внешнего» напряжения сток-исток. Показано, что

«внутреннее» напряжение на затворе стремится к пороговому, а рост тока стока очень медленно

насыщается до предельного уровня, равного отношению «внешнего» напряжения на затворе,

центрированного на пороговое напряжение, к сопротивлению истока. Для трансформации от линейной

аппроксимации в режиме насыщения в окрестности «точки насыщения» к предельному значению тока

стока при асимптотическом росте «внешнего» напряжения сток-исток предлагается использовать

участок линейной аппроксимации, переходящий в участок нелинейной аппроксимации. Последний участок

нелинейной аппроксимации обеспечивает функционально верную асимптотику выхода на предельный ток,

которая получена как приближённое аналитическое решение уравнения, полученного как асимптоти-

ческий предел неявного нелинейного уравнения.

Заключение. Разработана кусочная аппроксимация для зависимости надпорогового тока стока

«внешнего» ОПТ от «внешнего» напряжения сток-исток, представляющая из себя непрерывную функцию

из четырёх участков, каждый из которых описывается кусочно-гладкой функцией. Линейный режим

описывается известной линейной аппроксимацией. Для построения линейной аппроксимации в

окрестности «точки насыщения» рассчитано выходное сопротивление «внешнего» ОПТ с учётом

истоковой деградации. Получена нелинейная функция для асимптотического выхода тока стока на

предельное значение с ростом «внешнего» напряжения сток-исток. Для трансформации линейной

аппроксимации в окрестности «точки насыщения» в нелинейную функцию выхода на предельный ток

разработана дополнительная линейная аппроксимация. В дальнейшем на основе разработанной кусочной

аппроксимации мы планируем с использованием сглаживающей функции получить гладкую аппроксима-

ционную функцию для зависимости надпорогового тока стока «внешнего» ОПТ от «внешнего»

напряжения сток-исток, пригодную для компактного моделирования ОПТ.

Ключевые слова: органический полевой транзистор; «внутренняя» и «внешняя» компактная модель; режим

насыщения; дифференциальная проводимость; сопротивления истока и стока; истоковая деградация.

Конфликт интересов: Авторы декларируют отсутствие явных и потенциальных конфликтов интере-

сов, связанных с публикацией настоящей статьи.

Фитнес-браслет Mi Smart Band 6 | Официальный сайт Xiaomi

Фитнес-браслет Mi Smart Band 6На шаг впередиБренд №1 среди фитнес-браслетов в мире.

Полноэкранный дисплей диагональю 1,56 дюймаВыберите из более чем 60 вариантов фона

Дисплей AMOLED326 ppi, что сопоставимо с экранами смартфонов

30 режимов упражненийАвтоматическое определение шести режимов тренировок

Мониторинг частоты сердечных сокращенийОтслеживание перепадов

Отслеживание уровня кислорода в крови SpO₂

Отслеживание качества дыхания во время сна

Водонепроница-емость на глубине до 50 м*Можно носить в душе или во время плавания

Сверхдли-тельное время работы от аккумулятора в течение 14 днейРежим энергосбережения для увеличения времени работы от аккумулятора

Магнитная зарядка Быстрое и удобное подключение.

Еще больше информации на экранеПолноэкранный AMOLED-дисплей с диагональю 1,56 дюйма был улучшен по всем параметрам*. Быстрый доступ к текстовым сообщениям, вызовам и уведомлениям.

Площадь дисплея увеличилась на 50%Увеличение отображаемой области указано приблизительно

Резкие грани Утонченная классическая формаФитнес-браслет Mi Smart Band 6 обладает классической формой с инновационным большим экраном и закругленными краями, что обеспечивает комфорт в ношении и использовании.

AMOLED-дисплей с плотностью 326 ppi Непревзойденная четкость изображенияВпервые благодаря большому AMOLED дисплею вы можете установить на фон изображение любимого человека, домашнего питомца или любимой картины, чтобы ваш день становился ярче каждый раз, когда вы поднимаете запястье.

Персонализируйте свой браслетПриложение оснащено более чем 60 встроенными фонами, специально разработанными для полноэкранного режима.

Шесть цветов для создания стильного образаЭнергичный желтый, элегантный цвет слоновой кости и другие! Выберите цвет, который подходит лично вам. Антибактериальный черный ремешок с покрытием Ag+ эффективно предотвращает размножение бактерий, предохраняя вас от микробов.

Черный|Синий|Оранжевый|Желтый|Оливковый|Слоновая кость*Фитнес-браслет Mi Smart Band 6 поставляется с черным ремешком, ремешки других цветов приобретаются отдельно. Только черный ремешок является антибактериальным; ремешки, приобретаемые отдельно, не обладают антибактериальными свойствами.

ВАШЕ ТЕЛО БОЛЬШЕ НЕ СЕКРЕТ, БЫТЬ ЗДОРОВЫМ СТАЛО КАК НИКОГДА ПРОСТО

Отслеживание уровня кислорода в крови Круглосуточная защитаСатурация крови кислородом — это важный физиологический параметр дыхательного цикла человеческого тела. Отслеживайте уровень кислорода в крови с помощью фитнес-браслета Mi Smart Band 6. Оставайтесь на связи со своим телом, измеряйте в любое время и в любом месте!

Мониторинг насыщения крови кислородом в ночное время Спите спокойноСледите за качеством сна, контролируя уровень насыщения крови кислородом в ночное время и анализируя свое дыхание.

Мониторинг сна Улучшайте качество своего снаФитнес-браслет точно записывает продолжительность сна, фазы глубокого, легкого и быстрого сна на основании изменений частоты сердечных сокращений и предлагает научные советы, которые помогут вам выработать регулярные привычки сна.

Круглосуточный интеллектуальный мониторинг частоты сердечных сокращений С заботой о вашем здоровьеВстроенный биодатчик ФПГ измеряет частоту сердечных сокращений, позволяя отслеживать перепады во время тренировок и отдыха.

145уд/мин

Во время напряженной тренировки

175уд/мин

Необычно высокая частота сердечных сокращений

79уд/мин

Повседневное состояние

65уд/мин

Во время сна*Изображение приведено только в качестве иллюстрацииБольше функций для здоровья Получите всю информацию о своем физическом состоянии

Персональный индекс активностиПоказатель Personal Activity Intelligence (PAI) рассчитывается на основе пола, возраста, частоты сердечных сокращений и других данных, после чего вам предлагаются действия, которые помогут его улучшить.

Мониторинг стрессаОтслеживает уровень стресса и дает рекомендации по облегчению и восстановлению после стресса.

Дыхательные упражненияДайте вашим телу и разуму передышку благодаря дыхательному упражнению продолжительностью от 1 до 5 минут, следуя схеме вдохов.

Отслеживание состояния женского здоровьяСледите за закономерностями своего цикла, отмечайте периоды месячных и отслеживайте овуляцию. Вы можете больше не беспокоиться по поводу вашего цикла — браслет завибрирует, если что-то будет не так.

СЛЕДИТЕ ЗА СВОЕЙ ФИЗИЧЕСКОЙ ФОРМОЙ, ПУСТЬ УПРАЖНЕНИЯ ПРИНОСЯТ УДОВЛЬСТВИЕ

30 режимов упражнений Ваш личный тренер на запястьеВ фитнес-браслете Mi Smart Band 6 теперь есть 19 новых режимов упражнений, таких как высокоинтенсивные интервальные тренировки (ВИИТ), баскетбол, бокс и зумба. Продолжительность упражнений, сожженные калории и частота сердечных сокращений четко видны на экране, что делает тренировки более эффективными.

ПилатесКатание на конькахБадминтонУличные танцы

Баскетбол Улучшайте вашу реакциюБаскетбол — это хорошие кардионагрузки, которые помогут вам сократить время реакции, снять стресс и улучшить навыки командной работы.

Зумба Получайте удовольствие от танцевПозвольте вашему сердцу следовать ритму танца. Пускайтесь в пляс в такт музыке.

Бокс Улучшайте гибкость вашего телаФитнес-браслет Mi Smart Band 6 округлый и компактный, поэтому его можно легко носить вместе с бинтами для рук и боксерскими перчатками, чтобы записать данные о ваших упражнениях.

Автоматическое распознавание шести режимов упражнений Всегда готов к работеБраслет автоматически распознает 6 режимов: бег на открытом воздухе, беговая дорожка, гребля, эллиптический тренажер, ходьба, велосипед, чтобы вы могли сосредоточиться на упражнениях.

Водостойкость на глубине до 50 м Автоматическое распознавание плавательных движенийРейтинг водонепроницаемости 5 атм* означает, что вы можете не снимать браслет в душе, в бассейне и на пляже. Для более точного отслеживания во время плавания выберите один из пяти стилей.

Магнитная зарядка Аккумулятор, которого хватит надолго

5дней

Время работы от аккумулятора при интенсивном использовании*

14дней

Время работы от аккумулятора в обычном режиме*

19дней

Время работы от аккумулятора в режиме энергосбережения*

Полезные функции, которые придутся вам по душе

Примечания:*Бренд №1 среди фитнес-браслетов в мире. Оценка срока поставок агентством Canalys, категория базового диапазона, 4 квартал 2020 г.*Размер дисплея Mi Smart Band 6 приблизительно на 50% больше по сравнению с Mi Smart Band 5. Данные получены Huami Labs.*Настраиваемый дисплей: Некоторые дисплеи поддерживают пользовательский контент, позволяя отображать на избранные или наиболее часто используемые функции в соответствии с вашими потребностями.*Отслеживание состояния женского здоровья: Не следует использовать эту функцию в каких-либо медицинских целях. Прогнозирование менструальных циклов или сопутствующей информации может быть неточным. Все отслеживаемые данные должны использоваться только в личных целях.*Функция пульсоксиметрии (SpO2) не должна использоваться в медицинских целях. Все отслеживаемые данные должны использоваться только в личных целях. Если вы чувствуете дискомфорт, обратитесь за помощью к врачу. *Водонепроницаемость на глубине до 50 м: Заявление о водонепроницаемости на глубине до 50 м основано на стандарте GB/T 30106-2013, кроме того, она была протестирована центром контроля качества China National Horological Quality Supervision and Testing Center. Номера отчета по проверке водонепроницаемости: Фитнес-браслет Mi Smart Band 6: QT2012060. Фитнес-браслет обладает водонепроницаемостью 5 атм (эквивалентно глубине 50 м), что позволяет носить его в душе и плавать с ним, однако он не предназначен для ношения в сауне или во время дайвинга.*Персональный индекс активности: Это относится к индексу жизненной активности Personal Activity Intelligence (PAI) — новой инновационной системе, которая преобразует данные о пульсе в персонализированный счет, указывающий уровень активности, необходимый для поддержания хорошего здоровья.* Условия тестирования времени работы от аккумулятора фитнес-браслета Mi Smart Band 6 при интенсивном использовании: Полностью заряжен; автоматический мониторинг частоты сердечных сокращений активирован в течение 1 минуты; включен научный мониторинг сна; определение уровня стресса включено; мониторинг качества сна включен; функция пробуждения при подъеме запястья активирована; все остальные настройки установлены на заводские значения по умолчанию; отображение 200 полученных уведомлений в день; 2 срабатывания будильника в день по 5 секунд вибрации каждый; 200 срабатываний функции пробуждения при подъеме запястья; синхронизация данных с приложением один раз в день; измерение уровней кислорода в крови вручную два раза в день; запись данных при физических упражнениях в течение 120 минут в неделю. *Условия тестирования времени работы от аккумулятора Mi Smart Band 6 в стандартном режиме: Полностью заряжен; автоматический мониторинг частоты сердечных сокращений активирован в течение 30 минут; научный мониторинг сна отключен; определение уровня стресса отключено; мониторинг качества сна отключен; функция пробуждения при подъеме запястья активирована; уведомления о сообщениях активированы; все остальные настройки установлены на заводские значения по умолчанию; отображение 100 полученных уведомлений в день; 2 срабатывания будильника в день, по 5 секунд вибрации каждый; 100 срабатываний функции пробуждения при подъеме запястья; синхронизация данных с приложением один раз в день; измерение уровней кислорода в крови вручную два раза в день; запись данных при физических упражнениях в течение 90 минут в неделю.*Условия тестирования времени работы от аккумулятора Mi Smart Band 6 в режиме энергосбережения: Полностью заряжен; автоматический мониторинг частоты сердечных сокращений отключен; научный мониторинг сна отключен; функция пробуждения при подъеме запястья отключена; отображение 50 полученных уведомлений в день; 2 срабатывания будильника в день по 5 секунд вибрации каждый; разблокировка экрана 50 раз в день; синхронизация данных с приложением один раз в день. *Все данные тестирования времени работы от аккумулятора получены Huami Labs. На время работы от аккумулятора могут влиять различные факторы, такие как используемые настройки, способ работы устройства, условия окружающей среды и т. д. Все это может привести к тому, что время работы от аккумулятора в действительности будет отличается от данных, полученных в лабораторных условиях;*Все изображения приведены исключительно для иллюстрации функциональности продукта и не представляют его в полной мере.

Режим насыщения биполярного транзистора | Свежие новости спорта


    Домой→режим насыщения биполярного транзистора

Левандовски – статистика

Внутри одного из соседних зданий сгорел грузовик, еще какое-то количество машин удалось спасти. Чемпионат Азии в Бхубанешваре завершится в воскресенье, 9 июля. В этой связи с целью снижения материнской и младенческой смертности заместитель акима города Е. Казахстанцу 26 лет. “Честно говоря, когда впервые прочитал про Роберта Бауэра, поначалу подумал, что это какая-то шутка, но решил проверить. На территории Аральского района потерпел крушение вертолет МИ-24, департамент жилья алматы принадлежит министерству обороны Казахстана, сообщает “КазТАГ” со ссылкой на министерство по чрезвычайным ситуациям. Мы сами удивлены, так как подобный случай у нас впервые. Польский клуб по боксу Poland Hussars презентовал свою команду на четвертый сезон Всемирной серии бокса, передает корреспондент. Читать далее Проигнорирована Блокировка счета – 77000 RUB X-Bet – 3 Августа 2021 Меня обвинили о совпадении ip с другим аккаунтом, вот ответ на жалобу, поданную месяц назад: “Здравствуйте Марат, Сог. 120 ч. По данным следователей, с 2021 по 2021 годы организованная группа во главе с Бойко поставила контрабандой в Россию четыре моторные яхты, стоимость которых по документам была значительно занижена. 12 августа режим насыщения биполярного транзистора ФИФА и УЕФА постановили, что болельщиков не допустят на выездные сентябрьские матчи сборных в квалификации чемпионата мира-2022, передает со ссылкой на . Итоги” о коррупционных действиях нынешнего мэра и его супруги, главы компании “Интеко” Елены Батуриной. “Конечная цель – использовать тест для регулярных анализов крови во время ежегодных медицинских осмотров”, – сказал автор статьи Кунь Чжан (Kun Zhang), профессор и заведующий кафедрой биоинженерии в Калифорнийском университете в Сан-Диего. Михаил Кравец («Витязь»)19 (22). По ул. Вы по-прежнему тренируетесь с Абелем Санчесом или есть планы сменить тренера?- Пока ничего не изменилось. – На Ваш взгляд, какие сборные будут оспаривать победу в Дубаи в общекомандном зачете. В следующем году данная работа будет продолжена, планируется строительство еще 22 км арыков. Я уверена, что с запуском Samsung Pay c рядом режим насыщения биполярного транзистора банков потребители еще более активно будут платить бесконтактно»,  отметила Алия Чыныбаева, генеральный менеджер Visa в странах Центральной Азии. Казино Риобет мошенники!амое поганое казино. Хейн Куда пропал евроспорт (Нидерланды) 0,02 режим насыщения биполярного транзистора 3. Его поставили на счётчик, мы думаем. Зарина, чем сейчас занимаетесь.

Девушка, подающая надежды иви

Первый день Азиады принес Казахстану четыре медали золото, серебро и две бронзыАСТАНА, 20 авг – Sputnik. В итоге, победителем, благодаря своей находчивости, выходит мужчина, который и забирает лосося. Не все члены исполкома федерации приехали. То есть формально установка шлагбаумов была запрещена. Призовой фонд прошедшего турнира составил 25 000 долларов. Впрочем, записи имеются и в тетради Владимира Охмановича. Роберт Граф, Мейрам Исабеков, телеканал “Алматы”. Скайрим двойной выстрел из лука, Руслан Айткали, который обычно не получает много минут, сегодня проявил себя хорошо. Бұл жекпе-жек 9 маусым Нью-Йорктегі Madison Square Garden аренасында өтті. И питьевой воды там не было. Турнир: Континентальная Хоккейная Лига 202121 Этап турнира: Регулярный чемпионат, мужчины Дата проведения: 3 февраля 2021 Место проведения: Россия, Свердловская обл. Улучшение здоровья народа – одно из приоритетных направлений государственной режим насыщения биполярного транзистора страны. На предпоследнем месте авиабилеты из Шымкента на тайский остров Пхукет за 1,2 миллиона тенге. Мы обратили внимание на то, что в теплые летние дни, вечера, в выходные, в праздничные дни, потоки, которые начали проходить через улицу Панфилова, они, на самом деле, грандиозные, очень большие. На основное время финала коэффициенты следующие: Победа Италии – 3. Это самый дорогой тип, который обеспечивает максимальный комфорт за счет полной подвески. Седьмая зараженная упруга режим насыщения биполярного транзистора госпитализированного пациента 1958 года рождения. 20 января Кинопоказы Киноклуб Олега Борецкого приглашает на показ фильма “Отель «Гранд Будапешт»”. Накал игры не смог сбавить даже дождь, превращавшийся в ливень.

Технический нокаут это

Елизавета 2 состояние здоровья приоритете развития Алматы – прежде всего, социально-значимые проекты. Напомним, что Россия сыграла вничью с Южной Кореей со счетом. Кого хочешь можно подготовить, если дать срок. Вместе мы сделаем наш город лучше!. Об этом его близкие сообщили радиостанции «Эхо Москвы» в гасыщения, 21 декабря, передает. «Продуктовая корзина вся трагзистора не меньше чем на 50. Еще в трех клубах есть по одному футболисту, договоры с которыми транзисоора до следующего года. Об этом сообщили в пятницу представители базирующегося в Далласе (штат Техас) аукционного дома Heritage Auctions, устраивающего торги, передает ТАСС. Такие данные опубликованы на . В прошлом году теннисисты встретились в австрийском Китцбюэле на грунте, где победу одержал немец. Агрегированные обезличенные данные позволяют выявлять места скопления мобильных абонентов и рассчитывать сопутствующие корреляции при интеграции с другими источниками данных. По данным сайта, около 44 жалоб связаны с проблемами при просмотре видео, еще 38 пользователей не могут зайти на сайт, а 17 указывают на невозможность авторизации. Две операции, месяц на больничной койке и снова на службу. Ришар Гаске (Франция) – 3135, 10 (10). название пандуса. Насыщеения время подсказывал игрокам, что и как надо делать. Жаксыбаева М. Потому что все наши победы – это режим насыщения биполярного транзистора нашей страны, ради Казахстана.

Автор публикации: Ибрагимов Жаде
Рейтинг статьи: 7/10

Дата публикации: 07.06.2021 at 09:13

Другие новости:

  • Как Взвесить Монеты
  • Хоккей Германия Казахстан
  • Бизнес Планы Даму
  • Что Такое Крещение Кратко
  • Спортивный Костюм Адидас Женский Красный
  • Андрей Василевский Контракт
  • теория и практика — Сайт инженера Задорожного С.М.

    Интерес к статическим параметрам полевого транзистора с p-n-переходом на затворе, таким как начальный ток стока и напряжение отсечки, проявляется чаще всего инженерами и радиолюбителями либо как к приводимым в справочниках характеристикам для сравнения транзисторов различных типов, либо в связи с подбором близких по параметрам транзисторов для дифференциального каскада. В настоящей статье речь пойдёт об использовании статических параметров при расчёте схем на полевых транзисторах.

    Определения

    На рис.1. приведено условное графическое обозначение полевого транзистора с n-каналом и управляющим p-n-переходом на затворе:

    Рис.1 Условное графическое обозначение полевого с n-каналом и p-n-переходом на затворе.

    Обозначение его выводов соответственно следующее:

    G (Gate) — затвор;
    S (Source) — исток;
    D (Drain) — сток.

    Основными статическими параметрами полевого транзистора с p-n-переходом на затворе являются начальный ток стока и напряжение отсечки. Начальный ток стока полевого транзистора определяется как ток, протекающий через его канал при заданном постоянном напряжении сток-исток и равном нулю напряжении затвор-исток. В англоязычной технической документации этот параметр обозначают как IDSS.

    Напряжение отсечки — это такое пороговое значение напряжения затвор-исток, по достижении которого ток через канал полевого транзистора уже не изменяется и практически равен нулю. Его также измеряют при фиксированном значении напряжения сток-исток и в англоязычной документации обозначают как VGS(off) или реже как Vp.

    В качестве усилительного элемента полевой транзистор работает при достаточно большом напряжении сток-исток VDS — на графике семейства выходных характеристик транзистора это значение напряжения расположено в области насыщения. Это значит, что величина тока через канал полевого транзистора, — ток стока ID, — зависит в основном лишь от величины напряжения затвор-исток VGS. Эту зависимость тока стока полевого транзистора ID от входного напряжения затвор-исток VGS описывает так называемая передаточная характеристика транзистора. Для транзисторов с управляющим p-n-переходом её обычно аппроксимируют следующим выражением:

    (1)

    Таким образом ток стока полевого транзистора с изменением напряжения на его затворе изменяется по квадратичному закону. Графически эту зависимость иллюстрирует приведенная на рис.2 диаграмма:

    Рис.2. Пример аппроксимации зависимости тока стока ID от напряжения затвор-исток VGS квадратичной функцией при начальном токе стока IDSS = 9,5 mA и напряжении отсечки VGS(off) = -2,8 V.

    В таком изменении тока стока ID с изменением напряжения затвор-исток VGS и проявляются усилительные свойства полевого транзистора. Количественно эти свойства характеризует такой его параметр как крутизна, определяемая как:

    (2)

    Понятно, что значение крутизны, выраженное через статические параметры полевого транзистора IDSS и VGS(off), можно получить дифференцируя выражение для передаточной характеристики (1) по dVGS:

    То есть для транзистора с известными значениями начального тока стока IDSS и напряжения отсечки VGS(off) при заданном напряжении затвор-исток VGS крутизну передаточной характеристики можно рассчитать по формуле:

    (3)

    или, учитиывая равенство:

    получаем еще одно выражение для крутизны при заданном токе стока ID:

    (4)

    Установка рабочей точки

    На рис. 3 приведены основные схемы включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом на затворе:

    а) усилительный каскад с общим истоком;
    б) истоковый повторитель;
    в) двухполюсник — стабилизатор тока.

    а)

    б)

    в)

    Рис.3 Основные схемы включения полевого транзистора с управляющим p-n-переходом на затворе.

    Во всех этих схемах для установки требуемого значения тока стока ID служит включенный в цепь истока резистор RS. Потенциал затвора полевого транзистора равен потенциалу нижнего по схеме вывода этого резистора, поэтому ток стока ID, напряжение затвор-исток VGS и сопротивление RS элементарно связаны между собой законом Ома:

    (5)

    Расчет сопротивления RS для установки требуемого тока стока ID для полевого транзистора с известными значеними начального тока стока IDSS и напряжения отсечки VGS(off) также можно произвести на основании выражения для передаточной характеристики (1):

    откуда получаем равенство:

    (6)

    Разделим обе части равенства (6) на RS и, с учётом выражения (5), получим:

    Соответственно выражение для значения сопротивления RS примет следующий вид:

    (7)

    Теория и практика

    Исходя из приведенных математических выкладок логично предположить, что, измерив значения начального тока стока IDSS и напряжения отсечки VGS(off) — основных статических параметров полевого транзистора с управляющим p-n-переходом на затворе, — можно определить крутизну передаточной характеристики транзистора в заданной рабочей точке или установить рабочую точку транзистора так, чтобы получить требуемое значение крутизны, рассчитать параметры других элементов схемы, и пр. Но практические результаты чаще всего оказываются далеки от расчетных.

    Такое несоответствие теории и практики отмечается и в ряде авторитетных публикаций на тему работы полевого транзистора. Так, например, в [1] один и тот же абзац содержит и утверждение о том, что передаточная характеристика полевого транзистора «достаточно точно определяется квадратичной зависимостью» в соответствии с формулой (1), и оговорку, что на практике с помощью прибора зафиксировать величину соответствующего напряжения отсечки VGS(off) очень трудно, и поэтому обычно измеряют напряжение затвор-исток при ID = 0,1·IDSS, а затем, подставив эти значения в формулу (1), вычисляют уже соответствующее ей значение напряжения отсечки по формуле:

    (8)

    В [2] также отмечается, что измеренное значение напряжения отсечки VGS(off), при котором величина тока стока ID становится нулевой или равной нескольким микроамперам, «не всегда будет удовлетворять равенству (1), поэтому удобнее вычислять величину как функцию VGS и экстраполировать полученную прямую линию до значения тока ID=0″.

    Поскольку речь идёт о наиболее точном определении передаточной характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом на затворе, то величина напряжения отсечки VGS(off) конкретного транзистора важна лишь как параметр в выражении (1), при котором это выражение наиболее соответствует реальной передаточной характеристике этого транзистора. То же самое можно сказать и о величине начального тока стока IDSS. Таким образом может оказаться, что прямое измерение статических параметров полевого транзистора особого практического смысла не имеет, поскольку эти параметры не описывают с достаточной точностью передаточную характеристику транзистора.

    На практике при проектировании схем усилительных каскадов на полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом на затворе режим их работы никогда не выбирают таким, чтобы напряжение затвор-исток VGS было близким к напряжению отсечки VGS(off) или к нулю. Следовательно, нет никакой необходимости описывать передаточную характеристику (1) на всём её протяжении от ID=0 до ID=IDSS, достаточно сделать это для некоего рабочего участка от ID1=ID(VGS1) до ID2=ID(VGS2). Для этого решим следующую задачу.

    Пусть путём измерения получены значения тока стока ID1 и ID2 соответственно для двух отстоящих друг от друга значений напряжения затвор-исток VGS1 и VGS2:

    (9)

    Решив систему уравнений (9) относительно значений начального тока стока и напряжения отсечки мы получим более соответствующие реальной передаточной характеристике параметры формулы (1).

    Сначала определим значение . Для этого разделим второе уравнение на первое чтобы сократилось и получилось одно уравнение с одним неизвестным, которое решаем:

    Таким образом искомое значение напряжения отсечки для формулы (1) определяется выражением:

    (10)

    А соответствующее значение начального тока стока вычисляется путём подстановки полученного по формуле (10) значения напряжения отсечки в следующее выражение, полученное из формулы (1):

    (11)

    Экспериментальные данные

    Вычисленные по формулам (10) и (11) значения напряжения отсечки и начального тока стока после подстановки в формулу (1) должны дать более точное соответствие этой формулы передаточной характеристике реального полевого транзистора. Чтобы это проверить были проведены контрольные измерения параметров двенадцати полевых транзисторов четырёх типов — по три транзистора каждого типа.

    Порядок измерений для каждого транзистора был следующим. Сначала измерялись начальный ток стока IDSS и напряжение отсечки VGS(off) полевого транзистора. Затем были измерены значения напряжений затвор-исток VGS1 и VGS2 для двух соответствующих им значений тока стока ID1 и ID2, несколько отстоящих от нулевого значения при VGS=VGS(off) и начального тока стока IDSS. Подстановка VGS1, VGS2, ID1 и ID2 в формулы (10) и (11) давала искомые значения и . Чтобы иметь возможность затем сравнить, какая же пара параметров полевого транзистора, — IDSS и VGS(off) или и , — после подстановки в формулу (1) даёт более точное соответствие этой формулы передаточной характеристике реального полевого транзистора, ток стока полевого транзистора устанавливался примерно равным половине измеренного значения его начального тока стока IDSS, то есть где-то посередине передаточной характеристики транзистора, с последующим измерением соответствующего этому току напряжения затвор-исток. Полученные таким образом значения ID0 и VGS0 — это координаты произвольно выбранной рабочей точки полевого транзистора на его передаточной характеристике. Осталось подставить теперь значение VGS0 в формулу (1) сначала с парой параметров IDSS и VGS(off), а затем с и , и сравнить оба вычисленных значения тока стока с измеренным ID0.

    Результаты измерений параметров двенадцати полевых транзисторов приведены в таблице ниже.

    Транзистор Измеренные значения статических параметров Значения статических параметров по формулам
    (10) и (11)

    VGS0,
    В

    ID0,
    мА
    Значение тока стока ID, вычисленное по формуле (1) с параметрами
    IDSS и VGS(off)
    Значение тока стока I’D, вычисленное по формуле (1) с параметрами
    I’DSS и V’GS(off)

    IDSS,
    мА

    VGS(off),
    В

    I’DSS,
    мА

    V’GS(off),
    В

    ID,
    мА

    Ошибка,
    %

    I’D,
    мА

    Ошибка,
    %
    1 КП303В 2,95 -1,23 2,98 -1,35 -0,40 1,52 1,33 -12,5 1,47 -3,6
    2 КП303В 2,89 -1,20 2,95 -1,32 -0,40 1,48 1,28 -13,1 1,43 -3,2
    3 КП303В 2,66 -1,16 2,70 -1,24 -0,36 1,41 1,26 -10,2 1,35 -3,8
    4 2П303Е 12,06 -4,26 12,73 -4,90 -1,49 6,49 5,09 -21,5 6,16 -5,2
    5 2П303Е 11,24 -3,94 11,69 -4,50 -1,37 6,06 4,79 -20,9 5,67 -6,5
    6 2П303Е 10,92 -3,77 11,26 -4,31 -1,29 5,91 4,73 -20,0 5,53 -6,3
    7 2N3819 10,64 -3,47 10,76 -3,91 -1,08 5,90 5,05 -14,4 5,64 -4,4
    8 2N3819 10,22 -3,51 10,29 -3,90 -1,06 5,73 4,98 -13,1 5,46 -4,8
    9 2N3819 10,30 -3,38 10,46 -3,80 -1,07 5,67 4,81 -15,2 5,40 -4,8
    10 2N4416A 8,79 -2,98 9,05 -3,27 -1,04 4,46 3,71 -16,9 4,20 -5,9
    11 2N4416A 10,10 -3,22 10,31 -3,55 -1,18 4,98 4,04 -19,0 4,58 -8,0
    12 2N4416A 10,92 -3,93 12,66 -4,32 -1,63 5,36 4,09 -23,6 4,92 -8,2

    Выделенные цветом значения погрешностей говорят сами за себя. Если же сравнивать графики передаточной характеристики, подобные приведенному на рис.2, то линия, построенная по значениям (; ), пройдёт гораздо ближе к точке (VGS0; ID0), чем построенная по измеренным значениями напряжения отсечки и начального тока стока (VGS(off); IDSS).

    Результаты будут ещё более точными, если в качестве точек (VGS1; ID1) и (VGS2; ID2) взять границы более узкого отрезка передаточной характеристики полевого транзистора, на котором он будет работать в реальной схеме. Особо следует отметить, что данный метод определения статических параметров полевых транзисторов незаменим для транзисторов с большим начальным током стока, например для таких как J310.

    ©Задорожный Сергей Михайлович, 2012г., г.Киев

    Литература:

    1. Бочаров Л.Н., «Полевые транзисторы»; Москва, издательство «Радио и связь», 1984;
    2. Титце У., Шенк К., «Полупроводниковая схемотехника»; перевод с немецкого; Москва, издательство «Мир», 1982.

    10 фактов о важности сна для здоровья

    • Рейчел Шраэр, Джоуи Дурсо
    • Би-би-си

    Автор фото, Getty Images

    В тех странах, где в это воскресенье часы переводят с летнего времени на зимнее, люди получат дополнительный час сна. Но много ли мы на самом деле знаем о сне и о его влиянии на различные сферы нашей жизни?

    1. Всем известные “восемь часов сна”

    Часто приходится слышать о том, что спать необходимо восемь часов в сутки. Такую рекомендацию дают национальные организации здравоохранения по всему миру, от британской NHS до американского Национального фонда по проблемам сна. Но откуда на самом деле взялся этот совет?

    Исследования, проводимые в разных странах с целью определить, как часто болезни поражают различные группы населения, приходят к одному и тому же выводу: люди, страдающие от недосыпа, как и те, кто спит чересчур много, больше подвержены многочисленным заболеваниям и живут в среднем меньше.

    Однако сложно сказать, являются ли нарушения сна причиной заболеваний, или наоборот – симптомом нездорового образа жизни.

    Под “слишком коротким сном”, как правило, имеется в виду меньше шести часов, “чересчур много спать” – это больше девяти-десяти часов.

    Детям, не достигшим пубертатного возраста, обычно рекомендуют спать по ночам до 11 часов, а младенцам – до 18 часов в сутки. Ночной сон тинейджеров, как считается, должен составлять до 10 часов.

    Шейн О’Мара, профессор отдела экспериментальных исследований мозга в дублинском Тринити-колледже, говорит, что хотя сложно однозначно ответить, является ли недостаток сна причиной или следствием плохого состояния здоровья, два этих явления оказывают взаимное влияние друг на друга.

    Например, люди, не уделяющие достаточного внимания физическим упражнениям, спят хуже, из-за чего у них повышается утомляемость и, как следствие, на занятия спортом не остается сил – и так далее.

    Мы знаем, что ученые снова и снова связывают хроническую депривацию сна – то есть недосып на один или два часа в течение продолжительного периода времени – с плохим состоянием здоровья: чтобы заметить негативное влияние недосыпа, совершенно необязательно не ложиться спать несколько дней подряд.

    2. Что происходит с вашим организмом, когда вы недосыпаете?

    Недостаток сна может привести к ряду заболеваний.

    Результаты 153 исследований с участием более пяти миллионов человек четко указывают на связь недостатка сна с диабетом, высоким давлением, заболеваниями сердечно-сосудистой системы, ишемической болезнью и ожирением.

    Исследования показали, что нехватка сна в течение всего лишь нескольких ночей подряд может довести здорового человека до преддиабетического состояния. Умеренный недосып снижает способность организма контролировать уровень глюкозы в крови.

    При недостаточном сне снижается эффективность вакцин, недосыпание разрушительным образом сказывается на иммунитете, делая нас уязвимыми для инфекций.

    В ходе одного из исследований участники, сон которых составлял менее семи часов, были в три раза более подвержены простудным заболеваниям, чем те, кто спал семь и больше часов.

    Организм людей с недостатком сна производил избыточное количество грелина – гормона, отвечающего за возникновения чувства голода, и недостаточное количество лептина – гормона, вызывающего насыщение, а таким образом повышается риск ожирения.

    Также отмечена связь недосыпа с пониженной мозговой активностью и даже, в отдаленной перспективе, слабоумием.

    Профессор О’Мара поясняет, что токсичные вещества накапливаются в мозге в течение дня и удаляются во время сна. Если вы спите недостаточно долго, ваше состояние “напоминает легкое сотрясение мозга”.

    Влияние слишком продолжительного сна изучено меньше, но известно, что он также связан с рядом расстройств, включая нарушение мозговой деятельности у людей старшего возраста.

    3. Разные типы сна помогают восстановлению организма

    Наш сон состоит из циклов, которые делятся на несколько стадий. Каждый цикл длится от 60 до 100 минут. Каждая стадия играет свою роль в многочисленных процессах, которые продолжаются в нашем теле, пока мы спим.

    Первая стадия в каждом цикле – дремотное, расслабленное состояние между бодрствованием и сном. Дыхание замедляется, мышцы расслабляются, пульс замедляется.

    Вторая – немного более глубокий сон, во время которого вы можете спать, но при этом считать, что бодрствуете.

    Третья стадия – глубокий сон, когда очень сложно проснуться, любая активность в организме в этот момент находится на минимальном уровне.

    Вторая и третья стадия входят в фазу медленного сна, обычно в это время человек не видит снов.

    После глубокого сна мы на несколько минут возвращаемся во вторую стадию, а затем переходим к быстрой фазе сна, которая обычно сопровождается сновидениями.

    Таким образом, во время полного цикла сна человек проходит через все стадии от первой до третьей, затем на короткое время возвращается во вторую стадию, а затем наступает четвертая стадия – фаза быстрого сна.

    В ходе следующих циклов длина быстрой фазы сна увеличивается, поэтому нехватка сна в большей степени влияет именно на нее.

    4. Работающие по сменам люди с нарушениями сна чаще болеют

    Сменная работа может стать причиной большого количества проблем со здоровьем. Исследователи обнаружили, что у тех, кто работает по сменам и слишком мало спит в неправильное время, может увеличиваться риск развития диабета и ожирения.

    Те, кто работают по сменам, значительно чаще оценивают свое здоровье как плохое или удовлетворительное, показало исследование NHS 2013 года.

    Ученые также выяснили, что люди из этой группы гораздо чаще страдают от хронических заболеваний, чем работающие по стандартному графику.

    Те, кто работает по сменам, гораздо чаще пропускают работу из-за болезни, свидетельствуют статистические данные.

    Еще больше этот разрыв между теми, кто занимается физическим и умственным трудом, а кроме того, недостаток сна, по всей видимости, сильнее влияет на тех, кто ведет сидячий образ жизни.

    5. Многие из нас страдают от недосыпа больше, чем когда-либо

    Судя по сообщениям СМИ, можно подумать, что нас охватила эпидемия недосыпания. Но действительно ли уровень нехватки сна вырос?

    Исследование в 15 странах дало очень смешанную картину. В шести странах ученые зафиксировали снижение продолжительности сна, в семи – увеличение, а еще две страны дали противоречивые результаты.

    Есть множество свидетельств того, что за последние несколько поколений продолжительность сна изменилась незначительно. Однако если спросить людей, как они оценивают свой недосып, возникает другая картина.

    Так почему так много людей сообщают об усталости? Это может быть связано с тем, что проблема затрагивает определенные группы, а общую тенденцию сложно выделить.

    Проблемы со сном значительно разнятся в зависимости от возраста и пола, показало исследование, в котором приняли участие 2000 взрослых британцев. В ходе него выяснилось, что женщины практически любого возраста больше страдают от нехватки сна, чем мужчины.

    В подростковом возрасте показатели более-менее совпадают, однако затем женщины начинают значительно сильнее страдать от недосыпа – это может быть связано с появлением детей. Затем разрыв снова сокращается.

    Кофеин и алкоголь влияют на продолжительность и качество сна.

    Регулярный более поздний отход ко сну из-за работы или общения приводит к тому, что люди отдыхают меньше, несмотря на то что спят то же количество часов, объясняет профессор Дерк-Ян Дейк из центра по исследованию сна в Университете Суррея.

    Кроме того, некоторые могут спать слишком мало в течение недели и отсыпаться в выходные, увеличивая среднее количество часов сна. Однако в итоге эти люди все равно страдают от недосыпа.

    Особенно сильно могут страдать от нехватки сна подростки, считает профессор Дейк.

    6. Мы не всегда спали так, как сейчас

    Если не считать необычные случаи (Маргарет Тэтчер, например, могла совершенно выспаться за четыре часа), люди в основном ложатся спать вечером, на семь или восемь часов.

    Но это не всегда считалось нормой, говорит Роджер Экирх, профессор истории в Политехническом университете Виргинии. В 2001 году он опубликовал научную работу по итогам 16 лет исследований.

    В его книге “Когда кончается день” утверждается, что сотни лет назад люди во многих частях света спали в два приема.

    Экирх обнаружил более двух тысяч свидетельств в дневниках, судебных записях и литературе, которые доказывают, что люди ложились спать вскоре после наступления сумерек, потом бодрствовали несколько часов ночью – и ложились спать снова.

    По его мнению, это означает, что у организма есть естественное предпочтение к “сегментированному сну”.

    Не все ученые с ним согласны. Некоторые исследователи обнаружили современные сообщества охотников и собирателей, которые не делят сон на два этапа, хотя у них нет электрического освещения. То есть “сегментированный сон” совершенно не обязательно является природной нормой по умолчанию.

    По мнению Экирха, переход от двухфазного к монофазному сну произошел в XIX веке. Тогда возможность освещения домов привела к тому, что люди стали ложиться позже, просыпаясь при этом в то же время, что и раньше. Улучшения освещения привело к изменению биологических часов, а промышленная революция требовала от людей большей продуктивности.

    7. Телефоны мешают подросткам спать

    Эксперты по вопросам сна считают, что подросткам нужно спать до 10 часов ежедневно, однако почти половина из них спит значительно меньше, свидетельствуют данные британской системы здравоохранения.

    Спальни должны быть местом отдыха, однако в них появляется все больше отвлекающих факторов, таких как ноутбуки, мобильные телефоны. Все это усложняет процесс отхода ко сну.

    У нас есть больше разнообразных развлечений, чем когда-либо, – в итоге появляется соблазн бодрствовать больше.

    Синий свет, излучаемый электронными устройствам, заставляет нас меньше хотеть спать. И сама деятельность – разговоры с друзьями или просмотр телевизора – стимулируют наш мозг, когда он должен расслабляться.

    Специалисты рекомендуют практиковать “цифровой детокс” – отключение электронных устройств за 90 минут до отхода ко сну.

    Статистика свидетельствует, что большая часть молодых людей продолжают проверять телефоны уже после того, как ложатся в кровать.

    8. Исследований расстройств сна все больше

    Все больше людей обращаются к докторам с жалобами на проблемы со сном.

    Анализируя данные британской системы здравоохранения в июне, Би-би-си выяснила, что число исследований расстройств сна в последнее десятилетие росло с каждым годом.

    Есть несколько факторов, однако важнейшим, по-видимому, является ожирение, считает невролог Гай Лешцинер. Самая распространенная жалоба, по его наблюдению, – обструктивное апноэ – нарушение дыхания во сне, которое тесно связано с проблемой лишнего веса.

    СМИ также сыграли роль, поскольку люди с большей вероятностью обращаются к терапевтам, после того как прочитают статью о проблемах со сном или поищут симптомы в интернете, говорит он.

    Рекомендуемое лечение от бессонницы – когнитивная поведенческая терапия, и врачи все больше приходят к мысли, что таблетки в подобных случаях прописывать не следует. Однако многие до сих пор делают это, поскольку далеко не у всех есть возможность проходить лечение без медикаментов, особенно за пределами больших городов.

    9. Есть ли различия в разных странах?

    Предметом одного исследования были связанные со сном привычки людей в 20 промышленно развитых странах. Выяснилось, что время, когда люди отправляются спать и просыпаются, может отличаться до часа в ту или другую сторону, но в целом в разных странах оно было примерно одинаковым.

    Как правило, если в среднем жители страны ложились спать позже, они и просыпались позже, хотя и не во всех случаях.

    Исследователи пришли к выводу, что социальные факторы – рабочее время, расписание занятий в школе, привычки, связанные со свободным временем – играют более значительную роль, чем темное или светлое время суток.

    В Норвегии, где продолжительность темного времени суток может колебаться от нуля до 24 часов, продолжительность сна в течение года изменяется в среднем всего на полчаса.

    И в таких странах, как Британия, где время рассвета и заката сильно зависят от времени года, и в государствах, расположенных ближе к экватору, где эта разница минимальна, продолжительность сна остается постоянной на протяжении всего года.

    А что можно сказать о влиянии искусственного освещения?

    Исследование трех общин, не имеющих доступа к электричеству, в трех странах – Танзании, Намибии и Боливии – показали, что средняя продолжительность сна там составляет около 7,7 часа. То есть столько же, сколько и в промышленно развитых странах.

    Таким образом, продолжительность сна примерно одинакова во всем мире. В этих общинах также ложились спать не как только стемнеет, а засыпали примерно спустя три часа после заката солнца – и просыпались до рассвета.

    Большинство исследований показывают: да, искусственный свет откладывает время сна, но вовсе необязательно сокращает его продолжительность.

    10. “Жаворонки” и “совы”

    Всегда были “утренние” и “вечерние” люди. Мы даже имеем генетические доказательства, подтверждающие это.

    Искусственный свет, похоже, усугубляет этот эффект – особенно для людей, которые предпочитают ложиться спать позже. Если вы и так склонны к тому, чтобы быть “совой”, искусственный свет подтолкнет вас к тому, чтобы ложиться еще позже.

    Примерно 30% из нас склонны быть “жаворонками” и 30% – “совами”, а остальные 40% где-то посередине – хотя немного больше из них предпочитают раньше вставать, чем позднее ложиться.

    При этом мы можем отчасти контролировать наши биологические часы. Те, кто привык вставать и ложиться позже, могут попытаться перестроиться и получать больше дневного света.

    Команда исследователей выбрала группу волонтеров в Колорадо, которых лишили доступа к источникам искусственного света. И всего 48 часов было достаточно, чтобы сдвинуть их биологические часы вперед почти на два часа.

    Уровни мелатонина – гормона, который подсказывает организму, что пора подготовиться ко сну – у добровольцев начал повышаться раньше, и их организм начинал готовиться ко сну ближе к закату.

    транзисторов – learn.sparkfun.com

    Добавлено в избранное Любимый 80

    Режимы работы

    В отличие от резисторов, которые обеспечивают линейную зависимость между напряжением и током, транзисторы являются нелинейными устройствами. У них есть четыре различных режима работы, которые описывают протекающий через них ток. (Когда мы говорим о токе, протекающем через транзистор, мы обычно имеем в виду ток , протекающий от коллектора к эмиттеру NPN .)

    Четыре режима работы транзистора:

    • Насыщение – Транзистор действует как короткое замыкание . Ток свободно течет от коллектора к эмиттеру.
    • Отсечка – Транзистор действует как разомкнутая цепь . Нет тока от коллектора к эмиттеру.
    • Активный – Ток от коллектора к эмиттеру пропорционален току, протекающему в базу.
    • Reverse-Active – Как и в активном режиме, ток пропорционален базовому току, но течет в обратном направлении.Ток течет от эмиттера к коллектору (не совсем то, для чего были предназначены транзисторы).

    Чтобы определить, в каком режиме находится транзистор, нам нужно посмотреть на напряжения на каждом из трех выводов и на то, как они соотносятся друг с другом. Напряжения от базы к эмиттеру (V BE ) и от базы к коллектору (V BC ) задают режим транзистора:

    Упрощенный квадрантный график выше показывает, как положительное и отрицательное напряжение на этих клеммах влияет на режим.На самом деле все немного сложнее.

    Давайте рассмотрим все четыре режима транзистора по отдельности; мы исследуем, как перевести устройство в этот режим и как это влияет на ток.

    Примечание: Большая часть этой страницы посвящена NPN транзисторам . Чтобы понять, как работает транзистор PNP, просто поменяйте полярность или знаки> и <.

    Режим насыщенности

    Насыщенность – это в режиме транзистора.Транзистор в режиме насыщения действует как короткое замыкание между коллектором и эмиттером.

    В режиме насыщения оба «диода» транзистора смещены в прямом направлении. Это означает, что V BE должен быть больше 0, и , поэтому V BC должен быть. Другими словами, V B должен быть выше, чем V E и V C .

    Поскольку переход от базы к эмиттеру выглядит как диод, на самом деле V BE должно быть больше, чем пороговое напряжение , чтобы войти в насыщение.Есть много сокращений для этого падения напряжения – V th , V γ и V d – несколько – и фактическое значение варьируется между транзисторами (и даже в зависимости от температуры). Для многих транзисторов (при комнатной температуре) это падение может составить около 0,6 В.

    Еще один облом реальности: между эмиттером и коллектором не будет идеальной проводимости. Между этими узлами образуется небольшое падение напряжения. В технических характеристиках транзисторов это напряжение определено как CE напряжение насыщения, В CE (насыщение) – напряжение от коллектора к эмиттеру, необходимое для насыщения.Это значение обычно составляет 0,05-0,2 В. Это значение означает, что V C должно быть немного больше, чем V E (но оба все еще меньше, чем V B ), чтобы транзистор перешел в режим насыщения.

    Режим отсечки

    Режим отсечки противоположен насыщению. Транзистор в режиме отсечки выключен – нет тока коллектора и, следовательно, нет тока эмиттера. Это почти похоже на обрыв цепи.

    Чтобы перевести транзистор в режим отсечки, базовое напряжение должно быть меньше, чем напряжение эмиттера и коллектора.Оба V BC и V BE должны быть отрицательными.

    На самом деле, V BE может быть в пределах от 0 до V th (~ 0,6 В) для достижения режима отсечки.

    Активный режим

    Для работы в активном режиме значение V BE транзистора должно быть больше нуля, а значение V BC должно быть отрицательным. Таким образом, базовое напряжение должно быть меньше, чем на коллекторе, но больше, чем на эмиттере. Это также означает, что коллектор должен быть больше эмиттера.

    На самом деле нам нужно ненулевое прямое падение напряжения (сокращенно V th , V γ или V d ) от базы к эмиттеру (V BE ), чтобы «включить» транзистор. Обычно это напряжение обычно составляет около 0,6 В.

    Усиление в активном режиме

    Активный режим – это самый мощный режим транзистора, потому что он превращает устройство в усилитель . Ток, идущий на вывод базы, усиливает ток, идущий в коллектор и выходящий из эмиттера.

    Наше сокращенное обозначение для усиления (коэффициент усиления) транзистора – это β (вы также можете увидеть его как β F или h FE ). β линейно связывает ток коллектора ( I C ) с базовым током ( I B ):

    Фактическое значение β зависит от транзистора. Обычно это около 100 , но может варьироваться от 50 до 200 … даже 2000, в зависимости от того, какой транзистор вы используете и сколько тока проходит через него.Если, например, у вашего транзистора β = 100, это будет означать, что входной ток в 1 мА на базу может производить ток 100 мА через коллектор.

    Модель активного режима. V BE = V th и I C = βI B .

    Что насчет тока эмиттера, I E ? В активном режиме токи коллектора и базы идут на прибора, а выходит I E . Чтобы связать ток эмиттера с током коллектора, у нас есть другое постоянное значение: α .α – коэффициент усиления по току общей базы, он связывает эти токи как таковые:

    α обычно очень близко к 1. Это означает, что I C очень близко, но меньше I E в активном режиме.

    Вы можете использовать β для вычисления α или наоборот:

    Если, например, β равно 100, это означает, что α равно 0,99. Так, если я C , например, 100 мА, то я E составляет 101 мА.

    Реверс Актив

    Так же, как насыщение противоположно отсечке, обратный активный режим противоположен активному режиму.Транзистор в обратном активном режиме проводит, даже усиливает, но ток течет в обратном направлении, от эмиттера к коллектору. Обратной стороной к обратному активному режиму является то, что β (β R в данном случае) на намного меньше на .

    Чтобы перевести транзистор в обратный активный режим, напряжение на эмиттере должно быть больше, чем на базе, которое должно быть больше, чем на коллекторе (V BE <0 и V BC > 0).

    Обратный активный режим обычно не является состоянием, в котором вы хотите управлять транзистором.Приятно знать, что он есть, но он редко превращается в приложение.

    Относительно PNP

    После всего, о чем мы говорили на этой странице, мы все еще покрыли только половину спектра BJT. А как насчет транзисторов PNP? Работа PNP очень похожа на работу NPN – у них те же четыре режима, но все изменилось. Чтобы узнать, в каком режиме находится PNP-транзистор, поменяйте местами все знаки <и>.

    Например, чтобы ввести PNP в насыщение, V C и V E должны быть выше, чем V B .Вы опускаете базу ниже, чтобы включить PNP, и поднимаете ее выше, чем коллектор и эмиттер, чтобы выключить его. И, чтобы перевести PNP в активный режим, напряжение V E должно быть выше, чем напряжение V B , которое должно быть выше, чем V C .

    Итого:

    Соотношение напряжений Режим NPN Режим PNP
    В E B C Активный Обратный
    V E B > V C Насыщенность Отсечка
    V E > V B C Отсечка Насыщенность
    V E > V B > V C Задний ход Активный

    Другой противоположной характеристикой NPN и PNP является направление тока.В активном режиме и режиме насыщения ток в PNP протекает от эмиттера к коллектору . Это означает, что эмиттер обычно должен иметь более высокое напряжение, чем коллектор.


    Если вы перегорели концептуальными вещами, перейдите к следующему разделу. Лучший способ узнать, как работает транзистор, – это изучить его в реальных схемах. Давайте посмотрим на некоторые приложения!



    ← Предыдущая страница
    Продолжение аналогии с водой

    [PDF] BJT в режиме насыщения

    Загрузите BJT в режиме насыщенности…

    BJT в режиме насыщения Раздел 4.5

    Краткое описание • Режимы работы • Обзор BJT в активной области • BJT в режиме насыщения

    Режимы работы BE \ BC

    Прямое смещение

    Обратное смещение

    Прямое смещение

    Насыщенность

    Активный

    Обратный смещенный

    Обратный Активный режим

    Отсечка

    Применения: 1. В цифровых схемах используются режимы насыщения и отсечки. 2. В конструкции усилителя использован активный режим.

    Расширение транзистора PNP

    (транзистор NPN)

    (транзистор PNP) 1. Переход эмиттер-база смещен в прямом направлении. 2. В основание вводятся отверстия. 3. Соединение база-коллектор имеет обратное смещение. 4. Инжектированные отверстия в основании охватываются электрическим полем через переход база-коллектор.

    BJT Current

    Допущение: BEJ: прямое смещение BCJ: обратное смещение

    Модель большого сигнала BJT

    Называется «большой» моделью сигнала, потому что эта модель применима, даже если VBE изменяется с 300 мВ до 800 мВ

    Large -Сигнальная модель транзисторов BJT (NPN)

    C

    E

    (PNP)

    C

    E

    Эксперименты

    Режим насыщения

    BJT в режиме насыщения

    (транзистор A в активном режиме работы ) Ключевое предположение на данный момент: BE = смещение вперед BC = смещение в обратном направлении Что произойдет, если эти предположения не соответствуют действительности?

    Обзор: диод прямого смещения E

    Область истощения сжимается из-за заряда аккумулятора.Электрическое поле слабее. Основной носитель может пересекать переход посредством диффузии; Больший диффузионный ток. Ток течет со стороны P на сторону N

    Ток через дырку в коллектор BCJ с обратным смещением сохраняет дыры в основании. Но когда BCJ становится смещенным вперед, сильное электрическое поле, которое препятствует перемещению дырок в коллектор, ослабевает. Теперь в коллекторе есть дырочный ток.

    Чистый результат: сильное насыщение приводит к резкому увеличению тока базы и быстрому падению β.

    Модель BJT с большим сигналом

    Чистый ток коллектора уменьшается, когда коллектор входит в насыщение

    Общие правила • Как правило, мы допускаем мягкое насыщение с помощью VBC

    Saturation-Region-of-Operation Analog- CMOS-Дизайн || Учебник по электронике


    На главную> Конструкция аналоговых CMOS> Основы MOSFET> Область насыщения

    Область действия насыщения:

    Когда мы увеличиваем напряжение стока до истока, предполагается, что напряжение в канале больше порогового значения на всем протяжении канала не удерживается, и ток стока не следует параболическому поведению для V DS > V GS – V TH как показано на
    Рисунок ниже.Фактически, как показано на рисунке I, DS становится относительно постоянная и прибор работает в области насыщения.

    Чтобы понять явление насыщения, рассмотрим уравнение (8.3.6) снова, которое дается как:

    Q i (x) = – C ox [V GS – V (x) – V TH ]

    т.е. плотность заряда инверсионного слоя пропорциональна (V GS – V (x) – V TH ). Таким образом, если V (x) приближается к V GS – V TH , то Q i (x) падает до нуля.Другими словами, как показано на рисунке ниже, если V DS немного больше, чем V GS – V TH , то инверсионный слой останавливается на x  £ L, и мы говорим, что канал «защемлен».

    Поскольку V DS продолжает увеличивать точку, в которой Q i (x) равняется нулю, постепенно приближается к источнику. Таким образом, в какой-то момент канал локальной разности потенциалов между затвором и оксидом Кремниевого интерфейса недостаточно для поддержки инверсионного слоя.

    Следовательно, для устройства с насыщением интегральные пределы в левой части в
    Уравнение (8.3.13) должно быть взято из x = 0 в x = LÂ ¢, где LÂ ¢ – точка при котором Q i (x) падает до нуля, а справа от V (x) = от 0 до V (x) = V GS – V TH .

    В результате интеграции получаем,

    I DS = m n C ox (V GS – V TH ) 2 â € (8.3,21)

    Вышеприведенное уравнение I DS указывает, что I DS является не зависит от V DS , если LÂ остается близким
    к L.

    [решено] В транзисторе n-p-n, работающем в режиме насыщения, выход

    Пояснение:

    Транзистор NPN

    Схема транзистора со всеми клеммами показана ниже.

    Транзисторы

    могут работать в разных регионах в зависимости от смещения переходов.

    Приложенное напряжение

    Соединение B – E

    BC переход

    Режим

    E

    Нападающий

    Реверс

    Форвард активен

    E C

    Нападающий

    Нападающий

    Насыщенность

    E> B> C

    Реверс

    Реверс

    Отрезка

    E> B> C

    Реверс

    Нападающий

    Реверс активен

    Две важные характеристики:

    • Область n эмиттера сильно легирована , в то время как p-область и n-область коллектора не сильно легированы.
    • Ширина основания небольшая.

    Из таблицы, в режиме насыщения оба перехода смещены вперед. При прямом смещении ширина обедненного слоя уменьшается.

    • В активном режиме, поскольку ширина базы мала, как только электроны входят в базу, они попадают в область обеднения.
    • Когда V ce будет V b > V c , , в обоих случаях коллекторный переход и эмиттерный переход смещены вперед.
    • Электроны из эмиттера все еще движутся к базе, а затем к коллектору.
    • Однако есть ток, протекающий от базы к коллектору (из-за прямого смещения), и этот ток течет в направлении, противоположном току от перехода база-эмиттер, и компенсирует исходный ток.
    • Это причина, по которой ток насыщения на меньше , чем прямой активный ток.

    Заключение:

    Когда ток, протекающий через переход, мал, падение напряжения на нем также невелико.Итак, V ce будет при насыщении .

    Насыщенность (электроника)

    Полностью проводящее состояние полупроводниковых элементов, таких как биполярные транзисторы, называется насыщением (также называемым режимом насыщения ). Прежде чем полупроводник войдет в состояние насыщения, он сначала подвергнется так называемому сжатию . Сжатие означает, что коэффициент усиления усилителя уменьшается с увеличением входной мощности.

    описание

    Увеличение управляющего напряжения или управляющего тока не вызывает значительного изменения выходного сигнала.

    Если транзистор находится в состоянии насыщения, напряжение коллектор-эмиттер ниже, чем его напряжение база-эмиттер UBE {\ displaystyle U_ {BE}}.
    Напряжение насыщения UCEsat {\ displaystyle U_ {CE_ {sat}}} зависит от перегрузки, прямого и обратного усиления BJT и может упасть до нескольких десятков мВ.

    Транзистор сознательно работает в режиме насыщения, когда он используется в качестве переключателя.

    Воздействие на схему

    Статические сигналы

    Статические сигналы – это сигналы с низкой частотой, которые не влияют на схему.

    В измерительной технике важна насыщенность или компрессия усилителя. Если усилитель подвергается компрессии или даже насыщению из-за слишком высокого входного уровня, измеренный входной сигнал слишком мал. Чтобы по-прежнему можно было правильно измерить сигнал, необходимо просто подключить соответствующий большой аттенюатор перед входом усилителя.Тогда правильная входная мощность – это измеренный сигнал плюс затухание входящего аттенюатора. С помощью многих измерительных устройств это демпфирование можно отрегулировать так, чтобы автоматически отображался правильный результат.

    Динамические сигналы

    При передаче сигналов режим насыщения является основным недостатком.

    На высоких частотах, то есть при быстрых процессах переключения, ток коллектора не может следовать достаточно быстро, поскольку сначала необходимо очистить транзистор от переполнения носителями заряда.Этот процесс требует времени, которое искажает выходной сигнал. Если частоты слишком высоки, это может привести к тому, что сигнал вообще не будет передаваться.

    См. Также

    Ссылки

    Расширенное руководство GIMP – 5.6.5 Режимы наложения оттенка, насыщенности, значения и цвета


    5.6.5 Режимы наложения оттенка, насыщенности, значения и цвета

    Режимы наложения «Цветовой тон», «Насыщенность», «Значение» и «Цвет» работают одинаково.Для каждого режима по одному Компонент HSV берется из пикселя переднего плана, а два других компоненты из фонового пикселя. Например, если оттенок выбран режим наложения, результат – оттенок переднего плана пикселей в сочетании с насыщенностью и значением фона пикселей. Тот же процесс используется для режимов наложения «Насыщенность» и «Значение». Однако режим наложения цветов немного отличается. Для этого режима оттенок и насыщенность пиксели переднего плана используются вместе с яркость пикселей фона.Легкость, определено в разделе 5.3, менее яркая, чем ценность, и одновременно более верен человеческому восприятию яркость.

    Таким образом, действие режима наложения Hue можно выразить как

    R = [ h ( F ), s ( B ), v ( B )]


    где h ( F ) означает оттенок переднего плана, s ( B ) представляет насыщенность фона, а v ( B ) – значение фон.Пример применения режима наложения оттенка: показано на рисунке 5.20.
    Рисунок 5.20: Пример режима оттенка

    Изображение цветка с рисунка 5.15 (а) показан на рисунке 5.20 (а). Это изображение передний план в режим оттенка, а фон – синий слой показано на рисунке 5.20 (б). Этот синий слой изменяется по горизонтали по значению и по вертикали по насыщенности. Результат применения режима Hue показано на Фигура 5.20 (в). Здесь хорошо видно что вариации насыщенности и значения синего слоя равны совмещая с оттенком цветочного слоя.

    Как и в случае с оттенком, режим наложения «Насыщенность» дает результирующие пиксели, которые представляют собой комбинацию насыщенности передний план и оттенок и значение фона. Выражение для этого

    R = [ h ( B ), s ( F ), v ( B )]


    где s ( F ) – насыщенность переднего плана, h ( B ) – оттенок фон, а v ( B ) представляет значение фона.An проиллюстрирован пример применения режима наложения «Насыщенность». на рисунке 5.21.
    Рисунок 5.21: Пример режима насыщенности

    Мы снова видим изображение нашего цветка в Фигура 5.21 (а) играя роль слой переднего плана. Однако теперь фоновый слой, показанный на Фигура 5.21 (b), был сконструирован так, чтобы различаются только оттенком и стоимостью. На этом слое оттенок меняется по горизонтальное направление и значение по вертикали.Результат применение режима насыщенности показано на Фигура 5.21 (с).

    В режиме наложения Value результирующие пиксели являются сочетание значения переднего плана и оттенка и насыщенности фона. Выражение для этого:

    R = [ h ( B ), s ( B ), v ( F )]


    Здесь v ( F ) представляет значение переднего плана, h ( B ) – оттенок фона, и с ( B ) – насыщенность фона.Пример такого смешивания режим показан на рисунке 5.22.
    Рисунок 5.22: Пример режима значений

    Фоновый слой, показанный на Фигура 5.22 (б), варьируется по оттенку в горизонтальное направление и насыщенность по вертикали. В результат этого режима показан на Фигура 5.22 (с).

    Последний пример в этом разделе иллюстрирует смешение цветов. режим. Этот режим сочетает в себе оттенок и насыщенность переднего плана с фоновая легкость.Легкость была определена ранее в Раздел 5.3; легкости всегда немного меньше ярче, чем значение. Выражение для этого режима наложения:

    R = [ h ( F ), s ( F ), l ( B )]


    где h ( F ) и s ( F ) – оттенок и насыщенность переднего плана, и l ( B ) – яркость фона. Пример этого режим наложения показан на рисунке. 5.23.
    Рисунок 5.23: Пример цветового режима

    Здесь фон, показанный в Фигура 5.23 (b), варьируется только по стоимости. В результат показан на рисунке 5.23 (с).
    © 2000 Gimp-Savvy.com

    Переходное отключение биполярного транзистора 4H-SiC из режима глубокого насыщения

  • 1.

    A. Agarwal, J. Muth, P. Gradzki, L. Marino, R. Ivester, and N. Justice, Mater. Sci. Форум 858 , 797 (2016).

    Артикул Google ученый

  • 2.

    С. Рю, А. Агарвал, Р. Сингх и Дж. У. Палмор, в материалах Труды 58-й конференции по исследованиям устройств IEEE, Денвер, Колорадо, США, 19–21 июня, , 2000 г., с. 133.

    Google ученый

  • 3.

    С. Рю, А. Агарвал, Р. Сингх и Дж. У. Палмур, IEEE Electron Dev. Lett. 22 , 124 (2001).

    ADS Статья Google ученый

  • 4.

    С. Кришнасвами, А. Агарвал, Рю Сей-Хён, К. Капелл, Дж. Ричмонд, Дж. Палмур, С. Балачандран, Т. П. Чоу, С. Бейн, Б. Гейл, К. Джонс и К. Скоззи, IEEE Electron Dev. Lett. 26, 175 (2005).

    ADS Статья Google ученый

  • 5.

    К. Дж. Чжан, А. Агарвал, Аль Бурк, Б. Гейл, К. Скоззи, Solid State Electron. 52, 1008 (2008).

    ADS Статья Google ученый

  • 6.

    Х. Мияке, Т. Окуда, Х. Нива, Т. Кимото и Дж. Суда, IEEE Electron Dev. Lett. 33 , 1598 (2012).

    ADS Статья Google ученый

  • 7.

    С. Балачандран, Т. П. Чоу, А. Агарвал, К. Скоззи и К. А. Джонс, IEEE Electron Dev. Lett. 26 , 470 (2005).

    ADS Статья Google ученый

  • 8.

    М. Домей, К. Заринг, А.Константинов, М. Наваз, Ж.-О. Сведберг, К. Гумелиус, И. Кери, А. Линдгрен, Б. Хаммарлунд, М. Остлинг и К. Реймарк, Mater. Sci. Форум 645–648 , 1033 (2010).

    Артикул Google ученый

  • 9.

    Р. Ганди, Б. Буоно, М. Домей, К. Цеттерлинг и М. Остлинг, Mater. Sci. Форум 679–680 , 706 (2011).

    Артикул Google ученый

  • 10.

    Я. Гао, https://repository.lib.ncsu.edu/handle/1840.16/4818.

  • 11.

    Б. Бенедетто, Р. Ганди, М. Домей, Б. Г. Мальм, К. М. Зеттерлинг и М. О [умлаут] Стлинг, IEEE Trans. Электрон. Dev. 58 , 2081 (2011).

    ADS Статья Google ученый

  • 12.

    В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, Дж. К. Чжан, Дж. У. Палмур, Solid State Electron. 123 , 130 (2016).

    ADS Статья Google ученый

  • 13.

    П. А. Иванов, В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, Дж. К. Чжан и Дж. У. Палмор, в Труды 11-й Европейской конференции по карбиду кремния и родственным материалам ECSCRM-2016, Халкидики, Греция, 25–29 сентября , 2016, с. 407.

    Google ученый

  • 14.

    Степаненко И.П., Основы теории транзисторов и транзисторных схем, (Госэнергоиздат, М., Ленинград, 1963).

    Google ученый

  • 15.

    М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, А. К. Агарвал, Дж. У. Палмур, Твердотельная электроника. 48, , 491 (2004).

    ADS Статья Google ученый

  • 16.

    П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Дж. У. Палмур, А. К. Агарвал, Дж. Чжан, Semicond. Sci. Technol. 25 , 045030 (2010).

    ADS Статья Google ученый

  • 17.

    S. N.Вайнштейн, В. С. Юферев, Ю. Т. Костамоваара, IEEE Trans. Электрон. Dev. 49 , 142 (2002).

    ADS Статья Google ученый

  • 18.

    С. Н. Вайнштейн, В. С. Юферев, Ю. Т. Костамоваара, Твердотельная электрон. 47 , 1255 (2003).

    ADS Статья Google ученый

  • 19.

    С. Н. Вайнштейн, В. С. Юферев, Ю. Т. Костамоваара, Phys.Rev. Lett. 99 , 176601 (2007).

    ADS Статья Google ученый

  • 20.
  • Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *