S8050 транзистор: S8050 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры, цоколевка, маркировка

характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

Главная » Транзистор

S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).

Содержание

1. Корпус и цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Предельные эксплуатационные характеристики
5. Электрические параметры (при Ta = 25°C)
6. Модификации и маркировка транзистора S8050
7. Аналоги
8. Производство российское и белорусское
9. Зарубежное производство
10. Графические иллюстрации характеристик

Корпус и цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.

Характерные особенности

• Высокий коллекторный ток: I_C до 1,5 А.
• Высокая рассеиваемая мощность: P_C до 2 Вт при T_C = 25°C.
• Комплементарная пара: транзистор S8550.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды T_a=25°C

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	VCBO	40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	VCEO	25
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	VEBO	6
Ток коллектора, А	IC	1,5
Рассеиваемая мощность, Вт	PC	1
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-65…+150

Электрические параметры (при T

_a = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 35 В В, IE = 0	≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 6 В, IC = 0	≤ 0,1
Напряжение пробоя коллектор-база, В	UCBO	IC = 100 мкА, IE = 0	≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	UCEO	IC = 2 мА, IB = 0	≥ 25
Напряжение пробоя база-эмиттер, В	UEBO	IE = 100 мкА, IC = 0	≥ 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 0,8 А, IB = 0,08 А	≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 0,8 А, IB = 0,08 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1)	UCE = 1 В, IC = 0,005 мА	135
	hFE (2)	UCE = 1 В, IC = 0,1 мА	160
	hFE (3)	UCE = 1 В, IC = 0,8 мА	110
Частота среза, МГц	fT	UCE = 10 В, IC = 0,05 мА	190
Выходная емкость, pF	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	9

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.

Классификация	B	C	D
hFE (2)	85…160	120…200	160…300

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус	Маркировка
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92	–
GS8050T	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	45	TO-92	–
GSTSS8050	1	40	25	5	1,5	150	100	–	85	TO-92	–
MPS8050	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92	–
S8050A/B/C/D/G	0,625	40	25	6	0,8/0,5	150	100/150	9	85…300	TO-92	–
S8050T	0,625	40	25	6	0,5	150	150	–	85	TO-92	–
SPS8050	0,625	15	12	6,5	1,5	150	260	5	200	TO-92	–
SS8050/C/D/G	1	40	25	5	1,5	150	100	–	85…400	TO-92	–
SS8050T	1	40	25	5	1,5	150	100	–	85	TO-92	–
STS8050	0,625	30	25	6	0,8	150	120	19	85	TO-92	–
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L	0,2	40	25	5	1,5	150	100	15	120…400	SOT-323	Y1
S8050W	0,25	40	25	6	0,8	150	100	9	85	SOT-323	Y1
SS8050W	0,2	40	25	5	1,5	150	100	–	120	SOT-323	Y1
GSTSS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	100	–	100	SOT-23	1HA
MMSS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	120…350	SOT-23	Y1
MPS8050S	0,35	40	25	6	1,5	150	190	–	85	SOT-23	–
MPS8050SC	0,35	40	25	5	1,2	150	150	–	85…300	SOT-23	–
MS8050-H/L	0,2	40	25	6	0,8	150	150	–	80…300	SOT-23	Y11
S8050	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	120	SOT-23	–
S8050M-/B/C/D	0,45	40	25	6	0,8	150	100	9	85…300	SOT-23	HY3B/C/D
SS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	150	–	120	SOT-23	KEY
KST8050D	0,25	50	50	6	1,2	150	100	–	100…320	SOT-23	Y1C, Y1D
KST8050M	0,3	40	25	6	0,8	150	150	–	40…400	SOT-23	Y11
KST8050X	0,3	40	20	5	1,5	150	100	20	40…350	SOT-23	Y1+
KST9013	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	200…400	SOT-23	J3
KST9013C	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	40…200	SOT-23	J3Y
S8050LT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	120	SOT-23	J3Y
MMS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	50…350	SOT-23	J3Y
DMBT8050	0,3	40	25	5	0,8	150	100	–	120	SOT-23	J3Y
KST8050S	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	50…400	SOT-23	J3Y
KTD1304S	0,2	25	20	12	0,3	150	50	10	20…800	SOT-23	J3Y
KTD1304	0,2	25	20	12	0,3	150	60	–	20…1000	SOT-23	J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра h_FE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель	PC Ta = 25°C	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г	1	40	25	6	0,1	150	100	1,7	45…630	TO-92
КТ6114 А/Б/В	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ968 В	4	300	200	5	0,1	150	90	2,8	35…220	TO-39

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	Cob	hFE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
3DG8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
BC517S	0,625	40	30	10	1	150	200	–	33000	TO-92
BTN8050A3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	6	160	TO-92
BTN8050BA3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	–	160	TO-92
CX908B/C/D	0,625	40	25	6	1	150	100	–	120…260	TO-92
KTC3203	0,625	–	30	–	0,8	150	190	–	100	TO-92
KTC3211	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92
KTS8050	0,625	–	25	–	0,8	175	–	–	100	TO-92
M8050-C/D	0,625	40	25	6	–	150	150	–	120…160	TO-92
S8050	0,3	409	25	5	0,5	150	150	–	120	SOT-23
8050HQLT1	0,3	40	25	5	1,5	150	–	–	150	SOT-23
8050QLT1	0,3	40	25	5	0,8	150	–	–	150	SOT-23
8050SLT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	120	SOT-23
CHT9013GP	0,3	45	25	5	0,5	150	150	–	120	SOT-23
F8050HPLG	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	120	SOT-23
KTC9013SC	0,35	40	30	5	0,5	150	150	–	200	SOT-23
MMBT8050D	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	200	SOT-23
MMS9013-H/L	0,3	40	25	5	0,5	150	150	–	200	SOT-23
NSS40201L	0,54	40	25	–	4	150	150	–	120	SOT-23
NSS40201LT1G	0,54	40	40	6	2	–	150	–	200	SOT-23
NSV40201LT1G	0,54	40	40	6	2	150	150	–	200	SOT-23
PBSS4140T	0,3	40	40	5	1	150	150	–	300	SOT-23
S9013	0,3	40	25	5	0,8	150	150	–	120	SOT-23
ZXTN2040F	0,35	–	40	–	1	–	150	–	300	SOT-23
ZXTN25040DFL	0,35	–	40	–	1,5	–	190	–	300	SOT-23
ZXTN649F	0,5	–	25	–	3	–	–	–	200	SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора I_C) от входного напряжения (управления) база-эмиттер U_BE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер U_CE = 1 В.

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C/I_B = 10.

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора f_T при возрастании коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В.

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) C_ob от приложенного напряжения коллектор-база U_CB при непроводящей коллекторной цепи I_E = 0.

Частота процесса измерения составляет 1 МГц.

Транзисторы S8050 и MJE13002(13002)- маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы S8050, SS8050 Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные усилительные. Производитель – Китай. Выпускаются в пластмассовом корпусе TO-92, с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. На рисунке ниже – цоколевка S8050. Наиболее важные параметры. Коэффициент передачи тока: У транзисторов класса B – от 85 до 160, класса С – от 120до 200, класса D – от 160 до 300. Граничная частота передачи тока: У транзистора S8050 – 150 МГц. У транзистора SS8050 – 190 МГц. Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 25 в. Максимальный ток коллектора(постоянный) – У транзистора S8050 – 0,5 А, у SS8050 – 1,5 A. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА – 0,6в. Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 500мА, базы 50мА – – не выше 1,2в. Рассеиваемая мощность коллектора– У транзистора S8050 – 0.3 Вт., у SS8050 – 1Вт. Отечественый аналог SS8050 – КТ6114Б, при использовании в УЗЧ и УПТ можно менять на КТ815Г, КТ817Г. Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 40 в – не более 0,1 мА. Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в – не более 0,1 мА. Транзисторы MJE13002(13002) Транзисторы MJE13002(13002) кремниевые мощные низкочастотные,структуры n-p-n, предназначены для работы в преобразователях напряжения. Корпус пластиковый TO-126. Маркировка буквенно – цифровая, на корпусе. На рисунке ниже – цоколевка MJE13002(13002). Наиболее важные параметры. Коэффициент передачи тока – от 8. Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 300 В. Максимальный ток коллектора – 1,5 А. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А – 1в. Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А – – не выше 1,2в. Рассеиваемая мощность коллектора – около 40 Вт(на радиаторе). Граничная частота передачи тока – 4 МГц. Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 15 в – не более 1 мА. Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 9 в – не более 1 мА. MJE13002(13002) при необходимости, можно заменить на любой из транзисторов, превосходящий его по характеристикам. Например – КТ872. На главную страницу Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

Применение транзистора S8050, спецификация, эквивалент, схема расположения выводов и техническое описание

Коэффициент усиления постоянного тока от 40 до 400 ч _FE

Ток коллектора (I _C ) 700 мА

Напряжение между коллектором и базой ( В _CB ) составляет 30 В

Напряжение между коллектором и эмиттером ( В _CE ) 20 В

Напряжение между эмиттером и базой ( В _EB ) составляет 5 В

Температура перехода ( T _J ) составляет 150°C

Рассеиваемая мощность на транзисторе 1 Вт

Частота перехода ( F _T ) составляет 100 МГц

  Схема контактов транзистора S8050 Схема контактов транзистора S8050

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Ток протекает через эмиттер
2	База	Базовый вывод запускает транзистор
3	Коллектор	Ток протекает через коллектор

 

Корпус TO-92

Транзистор S8050 имел корпус транзистора TO-92, это очень распространенный корпус, используемый по многим причинам.

Корпус ТО-92 изготовлен из эпоксидной смолы и пластика, компактность и дешевизна – одно из преимуществ этого пакета.

Основным недостатком этого транзистора в корпусе ТО-92 является то, что он не выдерживал большего значения мощности, поэтому при замене нужно проверять все параметры.

S8050 Описание

Транзистор S8050 работает как низковольтное сильноточное транзисторное устройство в приложениях, поэтому по этой причине транзисторы S8050 имеют более общие схемы применения.

Значение усиления по току транзистора S8050 будет начинаться от 40 до 400hFE, схемы усилителя и регулятора напряжения в основном учитывают значение усиления по току.

Транзистор S8050 имел максимальное значение тока коллектора 700 мА, максимальное значение тока определяет пиковую нагрузку, допустимую для транзистора S8050.

Транзистор S8050 имел максимальную мощность рассеяния 1 Вт, мощность рассеяния на транзисторном устройстве определяет максимально допустимую мощность рассеяния устройства без каких-либо повреждений.

Частота перехода на этом транзисторе S8050 составляет 100 МГц, что является важным фактором при переключении приложений.

Температура перехода транзистора S8050 составляет 150°C.

S8050 Transistor Datahate Datahate S805. , mpsw01ag.

Каждый транзистор в этом списке является транзистором NPN, в процессе замены нам необходимо свериться с электрическими характеристиками, поскольку некоторые из транзисторов в списке имеют более высокие значения напряжения и тока.

  S8050, BC547, S8550, 2n2222

Таблица ниже используется для сравнения каждого из транзисторов: S8050, BC547 и S8550, 2n2222.

Сравнение транзисторов основано на электрических характеристиках, это поможет тем, кому нужны сменные транзисторы для S8050.

Характеристики	S8050	S8550 (ПНП) ​​	BC547	2N2222
Напряжение между коллектором и базой (VCB)	30 В	-30 В	60 В	30 В
Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE)	20 В	-20 В	30 В	60 В
Напряжение между эмиттером и базой (VEB)	5 В	-5 В	5В	5В
Ток коллектора (IC)	700 мА	-700 мА	800 мА	800 мА
Рассеиваемая мощность	1 Вт	1 Вт	500 мВт	500 мВт
Температура перехода (TJ)	150°C	150°C	150°C	200°C
Частота перехода (FT)	100 МГц	100 МГц	300 МГц	250 МГц
Шум (Н)	–	–	10 дБ	–
Коэффициент усиления (hFE)	от 40 до 400hFE	от 40 до 400hFE	от 110 до 800hFE	от 30 до 300hFE
Пакет	ТО-92	ТО-92	ТО-92	ТО-18

Транзистор S8050 использует

• Схемы усилителя класса B
• Схемы двухтактного усилителя
• Коммутационные цепи
• Применение в цепях низкого напряжения
• Сильноточные цепи
• Приложения для малых сигналов

Схема транзисторного усилителя S8050 Схема транзисторного усилителя S8050

На рисунке показана схема усилителя класса B с использованием S8050 и его комплементарного транзистора.

Это модельная схема усилителя, схема состоит из двух транзисторов S8050 NPN транзистора и его двухтактной пары S8550 PNP транзистора.

Звуковой сигнал поступает на транзисторы раздельно, оба они в равной степени участвуют в процессе усиления.

И на выходе оба транзисторных выхода объединяются и достигают нагрузки динамика.

Транзисторный переключатель S8050 Транзисторный переключатель S8050

На рисунке показана модель транзисторного переключателя S8050, операция переключения транзистора является распространенным применением.

Но транзистор S8050 может работать со средним током, поэтому в этом примере мы переключаем двигатель.

Когда цепь замыкается, транзистор срабатывает и пропускает ток к двигателю только при условии, что управляющий сигнал достигает его.

А также мы можем контролировать время выключения транзистора и управлять двигателем.

Цена транзистора Tip31

S8050 представляет собой низковольтное и сильноточное транзисторное устройство, большинство применений транзистора S8050 имеют общее назначение.

Цена транзистора S8050 составляет 15 рупий за 5 штук или 0,20 долларов США.

S8050 Техническое описание: NPN-транзистор для приложений со слабым сигналом

S8050 — это низковольтный сильноточный NPN-транзистор, который можно использовать в качестве двухтактных усилителей класса B. S8050 — это транзистор с биполярным переходом, в котором электроны являются основными носителями, а дырки — второстепенными носителями. Благодаря высокому коэффициенту усиления по постоянному току, равному 300, S8050 находит свое основное применение в качестве усилителя для усиления слабых сигналов, таких как аудиоусилители. Прежде чем мы проанализируем техническое описание S8050, давайте обсудим некоторые основные принципы его использования.

Использование транзистора NPN в качестве двухтактного усилителя класса B

Усилители используются для преобразования сигнала малой мощности в сигнал высокой мощности. Одним из распространенных применений являются аудиоусилители, такие как громкоговорители и наушники.

Существует четыре различных категории усилителей:

1. Усилитель класса А
2. Усилитель класса B
3. Усилитель класса AB
4. Усилитель класса D

Существуют различные способы проектирования усилителей. Использование транзисторов, таких как S8050, является наиболее популярным. S8050 в основном используется в качестве двухтактных усилителей класса B.

В двухтактных усилителях класса B используются два комплементарных транзистора (один NPN + один PNP), соединенных с источником напряжения и нагрузкой, как показано ниже.

Оба получают один и тот же сигнал мощности, но с противоположными фазами друг друга. NPN-транзистор смещается вперед во время положительного полупериода сигнала, а PNP-транзистор работает во время отрицательного полупериода. Когда один пропускает ток через нагрузку, а другой наоборот, он называется двухтактным усилителем.

Здесь мы можем использовать NPN-транзистор S8050 вместе с комплементарным PNP-транзистором с такими же рабочими характеристиками для разработки двухтактного усилителя класса B.

При выборе транзистора для усиления необходимо учитывать некоторые ключевые моменты:

• Максимальная непрерывная выходная мощность: определяет, насколько громким может быть усилитель, часто указывается для различных импедансов нагрузки, уровней искажений и конфигураций напряжения питания.
• Усиление/эффективность: отношение мощности, преобразованной в звук, к общей мощности, потребляемой усилителем. Низкий КПД указывает на потерю мощности в пересчете на тепло. Для этого может потребоваться большой радиатор, о котором часто не может быть и речи для устройств усиления звука. Максимальный КПД усилителя класса B составляет 78,5%.
• Total Harmonic Distortion + Noise (THD+N): отношение сигнал-шум и искажения на выходе усилителя

Имея в виду эти дополнения к базовым знаниям, давайте рассмотрим основные элементы технического описания S8050.

Техническое описание и технические характеристики S8050

Вот некоторые важные сведения из технического описания S8050.

• Максимальное усиление постоянного тока: 300
• Рассеиваемая мощность: 1 Вт
• Напряжение насыщения база-эмиттер В _BE (сб): 1,2 в
• Ток коллектора: 1,5 А
• Максимальная мощность: 2 Вт
• Напряжение база-эмиттер (V _BE ): 6 В
• Напряжение коллектор-эмиттер (V _CE ): 25 В
• Напряжение коллектор-база (V _CB ): 40

Поскольку постоянный электрический ток коллектора (I _C ) составляет 1,5 В, мы не можем управлять нагрузками, требующими более 1,5 В, с помощью этого NPN-транзистора. Транзистор может быть смещен путем подачи тока на базу, но в пределах его максимального предела. Когда напряжение на переходе база-эмиттер превышает В _BE (мин.) 0,7 В, транзистор работает в зоне прямого смещения (транзистор включается). Транзистор находится в активной области, и мы можем использовать его для усиления. Мы можем сместить выходной ток, изменив входное напряжение питания. Уровень усиления зависит от коэффициента усиления транзистора.

Максимальное значение усиления по постоянному току равно 300. В условиях прямого смещения выходной ток может усиливаться до 300 раз по сравнению с входным током, пока транзистор не перейдет в состояние прямого смещения.

После полного смещения транзистор входит в область насыщения. Там он может управлять нагрузкой до 1,5 А при максимальном напряжении коллектор-эмиттер V _CE (макс.) 25 В и максимальном напряжении базы коллектора V _CBO (макс.) 40 В. При отсутствии тока базы транзистор входит в область отсечки и остается выключенным.

Альтернативы S8050

Несколько NPN-транзисторов имеют функции, эквивалентные транзистору S8050:

1. 2N7051
2. 2SC3726
3. 2SC4145
4. 2SD1146
5. БТН8050А3

Указанные выше модели были выбраны с учетом следующих факторов.

• Тип транзистора: NPN
• Тип упаковки: ТО-92
• Низкое энергопотребление
• В _CB > 40 В
• В _CE > 25 В
• В _EB > 6 В
• I _C > 1,5 А
• H _FE > 85
• Tj > 150°С

Однако, прежде чем выбрать любой из этих транзисторов, необходимо проверить отдельные параметры из соответствующих спецификаций, чтобы обеспечить безопасность конструкции.

Упаковка

S8050 поставляется в стандартной упаковке TO-92. Компактная упаковка из эпоксидной смолы отличается компактностью. Высота штифтов около 15 мм. Нумерация выводов слева направо, плоская поверхность штифта обращена к вам. Расположение контактов следующее:

Номер контакта	Соединения
1	Излучатель
2	База
3	Коллектор

Техническое описание S8050 содержит все, что вам нужно знать о размерах корпуса для целей проектирования.