характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка
Главная » Транзистор
S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).
Содержание
- Корпус и цоколевка
- Предназначение
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические параметры (при Ta = 25°C)
- Модификации и маркировка транзистора S8050
- Аналоги
- Производство российское и белорусское
- Зарубежное производство
- Графические иллюстрации характеристик
Корпус и цоколевка
Предназначение
Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.
Характерные особенности- Высокий коллекторный ток: IC до 1,5 А.
- Высокая рассеиваемая мощность: PC до 2 Вт при TC = 25°C.
- Комплементарная пара: транзистор S8550.
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 40 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 25 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 6 |
| Ток коллектора, А | IC | 1,5 |
| Рассеиваемая мощность, Вт | PC | 1 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -65…+150 |
Электрические параметры (при T
a = 25°C)| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 35 В В, IE = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 6 В, IC = 0 | ≤ 0,1 |
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | UCBO | IC = 100 мкА, IE = 0 | ≥ 40 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | UCEO | IC = 2 мА, IB = 0 | ≥ 25 |
| Напряжение пробоя база-эмиттер, В | UEBO | IE = 100 мкА, IC = 0 | ≥ 6 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 0,8 А, IB = 0,08 А | ≤ 0,5 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 0,8 А, IB = 0,08 А | ≤ 1,2 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 1 В, IC = 0,005 мА | 135 |
| hFE (2) | UCE = 1 В, IC = 0,1 мА | 160 | |
| hFE (3) | UCE = 1 В, IC = 0,8 мА | 110 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,05 мА | 190 |
| Выходная емкость, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 9 |
٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона.
См. таблицу.
| Классификация | B | C | D |
|---|---|---|---|
| hFE (2) | 85…160 | 120…200 | 160…300 |
Модификации и маркировка транзистора S8050
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 | – |
| GS8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 45 | TO-92 | – |
| GSTSS8050 | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | – | 85 | TO-92 | – |
| MPS8050 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 | – |
| S8050A/B/C/D/G | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8/0,5 | 150 | 100/150 | 9 | 85…300 | TO-92 | – |
| S8050T | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | – | 85 | TO-92 | – |
| SPS8050 | 0,625 | 15 | 12 | 6,5 | 1,5 | 150 | 260 | 5 | 200 | TO-92 | – |
| SS8050/C/D/G | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | – | 85…400 | TO-92 | – |
| SS8050T | 1 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | – | 85 | TO-92 | – |
| STS8050 | 0,625 | 30 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 120 | 19 | 85 | TO-92 | – |
| Транзисторы исполнения SMD и их маркировка | |||||||||||
| MMSS8050W-H/J/L | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 15 | 120…400 | SOT-323 | Y1 |
| S8050W | 0,25 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | SOT-323 | Y1 |
| SS8050W | 0,2 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | – | 120 | SOT-323 | Y1 |
| GSTSS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | – | 100 | SOT-23 | 1HA |
| MMSS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120…350 | SOT-23 | Y1 |
| MPS8050S | 0,35 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | – | 85 | SOT-23 | – |
| MPS8050SC | 0,35 | 40 | 25 | 5 | 1,2 | 150 | 150 | – | 85…300 | SOT-23 | – |
| MS8050-H/L | 0,2 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | – | 80…300 | SOT-23 | Y11 |
| S8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 | – |
| S8050M-/B/C/D | 0,45 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85…300 | SOT-23 | HY3B/C/D |
| SS8050LT1 | 0,225 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 | KEY |
| KST8050D | 0,25 | 50 | 50 | 6 | 1,2 | 150 | 100 | – | 100…320 | SOT-23 | Y1C, Y1D |
| KST8050M | 0,3 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 150 | – | 40…400 | SOT-23 | Y11 |
| KST8050X | 0,3 | 40 | 20 | 5 | 1,5 | 150 | 100 | 20 | 40…350 | SOT-23 | Y1+ |
| KST9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 200…400 | SOT-23 | J3 |
| KST9013C | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 40…200 | SOT-23 | J3Y |
| S8050LT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 | J3Y |
| MMS8050-L/H | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 50…350 | SOT-23 | J3Y |
| DMBT8050 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 100 | – | 120 | SOT-23 | J3Y |
| KST8050S | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 50…400 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304S | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 50 | 10 | 20…800 | SOT-23 | J3Y |
| KTD1304 | 0,2 | 25 | 20 | 12 | 0,3 | 150 | 60 | – | 20…1000 | SOT-23 | J3Y или MAX |
Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции.
Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.
Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.
Производство российское и белорусское
| Модель | PC Ta = 25°C | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| КТ6111 А/Б/В/Г | 1 | 40 | 25 | 6 | 0,1 | 150 | 100 | 1,7 | 45…630 | TO-92 |
| КТ6114 А/Б/В | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | 60…1000 | TO-92 |
| КТ968 В | 4 | 300 | 200 | 5 | 0,1 | 150 | 90 | 2,8 | 35…220 | TO-39 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| 3DG8050A | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 0,8 | 150 | 100 | 9 | 85 | TO-92 |
| BC517S | 0,625 | 40 | 30 | 10 | 1 | 150 | 200 | – | 33000 | TO-92 |
| BTN8050A3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | 6 | 160 | TO-92 |
| BTN8050BA3 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 100 | – | 160 | TO-92 |
| CX908B/C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1 | 150 | 100 | – | 120…260 | TO-92 |
| KTC3203 | 0,625 | – | 30 | – | 0,8 | 150 | 190 | – | 100 | TO-92 |
| KTC3211 | 0,625 | 40 | 25 | 6 | 1,5 | 150 | 190 | 9 | 85 | TO-92 |
| KTS8050 | 0,625 | – | 25 | – | 0,8 | 175 | – | – | 100 | TO-92 |
| M8050-C/D | 0,625 | 40 | 25 | 6 | – | 150 | 150 | – | 120…160 | TO-92 |
| S8050 | 0,3 | 409 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| 8050HQLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 1,5 | 150 | – | – | 150 | SOT-23 |
| 8050QLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | – | – | 150 | SOT-23 |
| 8050SLT1 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| CHT9013GP | 0,3 | 45 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| F8050HPLG | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| KTC9013SC | 0,35 | 40 | 30 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 200 | SOT-23 |
| MMBT8050D | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 200 | SOT-23 |
| MMS9013-H/L | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,5 | 150 | 150 | – | 200 | SOT-23 |
| NSS40201L | 0,54 | 40 | 25 | – | 4 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| NSS40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | – | 150 | – | 200 | SOT-23 |
| NSV40201LT1G | 0,54 | 40 | 40 | 6 | 2 | 150 | 150 | – | 200 | SOT-23 |
| PBSS4140T | 0,3 | 40 | 40 | 5 | 1 | 150 | 150 | – | 300 | SOT-23 |
| S9013 | 0,3 | 40 | 25 | 5 | 0,8 | 150 | 150 | – | 120 | SOT-23 |
| ZXTN2040F | 0,35 | – | 40 | – | 1 | – | 150 | – | 300 | SOT-23 |
| ZXTN25040DFL | 0,35 | – | 40 | – | 1,5 | – | 190 | – | 300 | SOT-23 |
| ZXTN649F | 0,5 | – | 25 | – | 3 | – | – | – | 200 | SOT-23 |
Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 1 В.
Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора IC) от входного напряжения (управления) база-эмиттер UBE.
Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер UCE = 1 В.
Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 10.
Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора fT при возрастании коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В.
Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) Cob от приложенного напряжения коллектор-база UCB при непроводящей коллекторной цепи IE = 0.
Частота процесса измерения составляет 1 МГц.
Транзисторы S8050, SS8050 Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные усилительные.
Производитель – Китай.
Выпускаются в пластмассовом корпусе TO-92, с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе. Коэффициент передачи тока: Граничная частота передачи тока: Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 25 в. Максимальный ток коллектора(постоянный) –
У транзистора S8050 – 0,5 А, у SS8050 – 1,5 A. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500мА, базы 50мА
– 0,6в. Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 500мА, базы 50мА –
– не выше 1,2в. Рассеиваемая мощность коллектора–
У транзистора S8050 – 0.3 Вт., у SS8050 – 1Вт. Отечественый аналог SS8050 – КТ6114Б, при использовании в УЗЧ и УПТ можно менять на КТ815Г, КТ817Г. Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 40 в – не более 0,1 мА. Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в – не более 0,1 мА. Транзисторы MJE13002(13002)Транзисторы MJE13002(13002) кремниевые мощные низкочастотные,структуры n-p-n, предназначены для работы в преобразователях напряжения. Корпус пластиковый TO-126. Маркировка буквенно – цифровая, на корпусе. На рисунке ниже – цоколевка MJE13002(13002). Коэффициент передачи тока –
от 8.  Максимальный ток коллектора – 1,5 А. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 1 А, базы 0,25 А
– 1в. Напряжение насыщения база-эмиттерпри токе коллектора 1 А, базы 0,25 А –
– не выше 1,2в. Рассеиваемая мощность коллектора – около 40 Вт(на радиаторе). Граничная частота передачи тока – 4 МГц. Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 15 в – не более 1 мА. Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 9 в – не более 1 мА. MJE13002(13002) при необходимости, можно заменить на любой из транзисторов, превосходящий
его по характеристикам. На главную страницу Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”. |
Например – КТ872.Применение транзистора S8050, спецификация, эквивалент, схема расположения выводов и техническое описание
| Номер контакта | Имя контакта | Описание |
| 1 | Излучатель | Ток протекает через эмиттер |
| 2 | База | Базовый вывод запускает транзистор |
| 3 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
Корпус TO-92
Транзистор S8050 имел корпус транзистора TO-92, это очень распространенный корпус, используемый по многим причинам.
Корпус ТО-92 изготовлен из эпоксидной смолы и пластика, компактность и дешевизна – одно из преимуществ этого пакета.
Основным недостатком этого транзистора в корпусе ТО-92 является то, что он не выдерживал большего значения мощности, поэтому при замене нужно проверять все параметры.
S8050 ОписаниеТранзистор S8050 работает как низковольтное сильноточное транзисторное устройство в приложениях, поэтому по этой причине транзисторы S8050 имеют более общие схемы применения.
Значение усиления по току транзистора S8050 будет начинаться от 40 до 400hFE, схемы усилителя и регулятора напряжения в основном учитывают значение усиления по току.
Транзистор S8050 имел максимальное значение тока коллектора 700 мА, максимальное значение тока определяет пиковую нагрузку, допустимую для транзистора S8050.
Транзистор S8050 имел максимальную мощность рассеяния 1 Вт, мощность рассеяния на транзисторном устройстве определяет максимально допустимую мощность рассеяния устройства без каких-либо повреждений.
Частота перехода на этом транзисторе S8050 составляет 100 МГц, что является важным фактором при переключении приложений.
Температура перехода транзистора S8050 составляет 150°C.
S8050 Transistor Datahate Datahate S805. , mpsw01ag.Каждый транзистор в этом списке является транзистором NPN, в процессе замены нам необходимо свериться с электрическими характеристиками, поскольку некоторые из транзисторов в списке имеют более высокие значения напряжения и тока.
S8050, BC547, S8550, 2n2222Таблица ниже используется для сравнения каждого из транзисторов: S8050, BC547 и S8550, 2n2222.
Сравнение транзисторов основано на электрических характеристиках, это поможет тем, кому нужны сменные транзисторы для S8050.
| Характеристики | S8050 | S8550 (ПНП) | BC547 | 2N2222 |
|---|---|---|---|---|
| Напряжение между коллектором и базой (VCB) | 30 В | -30 В | 60 В | 30 В |
| Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) | 20 В | -20 В | 30 В | 60 В |
| Напряжение между эмиттером и базой (VEB) | 5 В | -5 В | 5В | 5В |
| Ток коллектора (IC) | 700 мА | -700 мА | 800 мА | 800 мА |
| Рассеиваемая мощность | 1 Вт | 1 Вт | 500 мВт | 500 мВт |
| 150°C | 150°C | 150°C | 200°C | |
| Частота перехода (FT) | 100 МГц | 100 МГц | 300 МГц | 250 МГц |
| Шум (Н) | – | – | 10 дБ | – |
| Коэффициент усиления (hFE) | от 40 до 400hFE | от 40 до 400hFE | от 110 до 800hFE | от 30 до 300hFE |
| Пакет | ТО-92 | ТО-92 | ТО-92 | ТО-18 |
- Схемы усилителя класса B
- Схемы двухтактного усилителя
- Коммутационные цепи
- Применение в цепях низкого напряжения
- Сильноточные цепи
- Приложения для малых сигналов
На рисунке показана схема усилителя класса B с использованием S8050 и его комплементарного транзистора.
Это модельная схема усилителя, схема состоит из двух транзисторов S8050 NPN транзистора и его двухтактной пары S8550 PNP транзистора.
Звуковой сигнал поступает на транзисторы раздельно, оба они в равной степени участвуют в процессе усиления.
И на выходе оба транзисторных выхода объединяются и достигают нагрузки динамика.
Транзисторный переключатель S8050 Транзисторный переключатель S8050На рисунке показана модель транзисторного переключателя S8050, операция переключения транзистора является распространенным применением.
Но транзистор S8050 может работать со средним током, поэтому в этом примере мы переключаем двигатель.
Когда цепь замыкается, транзистор срабатывает и пропускает ток к двигателю только при условии, что управляющий сигнал достигает его.
А также мы можем контролировать время выключения транзистора и управлять двигателем.
Цена транзистора Tip31 S8050 представляет собой низковольтное и сильноточное транзисторное устройство, большинство применений транзистора S8050 имеют общее назначение.
Цена транзистора S8050 составляет 15 рупий за 5 штук или 0,20 долларов США.
S8050 Техническое описание: NPN-транзистор для приложений со слабым сигналом
S8050 — это низковольтный сильноточный NPN-транзистор, который можно использовать в качестве двухтактных усилителей класса B. S8050 — это транзистор с биполярным переходом, в котором электроны являются основными носителями, а дырки — второстепенными носителями. Благодаря высокому коэффициенту усиления по постоянному току, равному 300, S8050 находит свое основное применение в качестве усилителя для усиления слабых сигналов, таких как аудиоусилители. Прежде чем мы проанализируем техническое описание S8050, давайте обсудим некоторые основные принципы его использования.
Использование транзистора NPN в качестве двухтактного усилителя класса B
Усилители используются для преобразования сигнала малой мощности в сигнал высокой мощности. Одним из распространенных применений являются аудиоусилители, такие как громкоговорители и наушники.
- Усилитель класса А
- Усилитель класса B
- Усилитель класса AB
- Усилитель класса D
Существуют различные способы проектирования усилителей. Использование транзисторов, таких как S8050, является наиболее популярным. S8050 в основном используется в качестве двухтактных усилителей класса B.
В двухтактных усилителях класса B используются два комплементарных транзистора (один NPN + один PNP), соединенных с источником напряжения и нагрузкой, как показано ниже.
Оба получают один и тот же сигнал мощности, но с противоположными фазами друг друга. NPN-транзистор смещается вперед во время положительного полупериода сигнала, а PNP-транзистор работает во время отрицательного полупериода. Когда один пропускает ток через нагрузку, а другой наоборот, он называется двухтактным усилителем.
Здесь мы можем использовать NPN-транзистор S8050 вместе с комплементарным PNP-транзистором с такими же рабочими характеристиками для разработки двухтактного усилителя класса B.
При выборе транзистора для усиления необходимо учитывать некоторые ключевые моменты:
- Максимальная непрерывная выходная мощность: определяет, насколько громким может быть усилитель, часто указывается для различных импедансов нагрузки, уровней искажений и конфигураций напряжения питания.
- Усиление/эффективность: отношение мощности, преобразованной в звук, к общей мощности, потребляемой усилителем. Низкий КПД указывает на потерю мощности в пересчете на тепло. Для этого может потребоваться большой радиатор, о котором часто не может быть и речи для устройств усиления звука. Максимальный КПД усилителя класса B составляет 78,5%.
- Total Harmonic Distortion + Noise (THD+N): отношение сигнал-шум и искажения на выходе усилителя
Имея в виду эти дополнения к базовым знаниям, давайте рассмотрим основные элементы технического описания S8050.
Техническое описание и технические характеристики S8050
Вот некоторые важные сведения из технического описания S8050.
- Максимальное усиление постоянного тока: 300
- Рассеиваемая мощность: 1 Вт
- Напряжение насыщения база-эмиттер В BE (сб): 1,2 в
- Ток коллектора: 1,5 А
- Максимальная мощность: 2 Вт
- Напряжение база-эмиттер (V BE ): 6 В
- Напряжение коллектор-эмиттер (V
- Напряжение коллектор-база (V CB ): 40
Поскольку постоянный электрический ток коллектора (I C ) составляет 1,5 В, мы не можем управлять нагрузками, требующими более 1,5 В, с помощью этого NPN-транзистора. Транзистор может быть смещен путем подачи тока на базу, но в пределах его максимального предела. Когда напряжение на переходе база-эмиттер превышает В BE (мин.) 0,7 В, транзистор работает в зоне прямого смещения (транзистор включается).
Транзистор находится в активной области, и мы можем использовать его для усиления. Мы можем сместить выходной ток, изменив входное напряжение питания. Уровень усиления зависит от коэффициента усиления транзистора.
Максимальное значение усиления по постоянному току равно 300. В условиях прямого смещения выходной ток может усиливаться до 300 раз по сравнению с входным током, пока транзистор не перейдет в состояние прямого смещения.
После полного смещения транзистор входит в область насыщения. Там он может управлять нагрузкой до 1,5 А при максимальном напряжении коллектор-эмиттер V CE (макс.) 25 В и максимальном напряжении базы коллектора V CBO (макс.) 40 В. При отсутствии тока базы транзистор входит в область отсечки и остается выключенным.
Альтернативы S8050
Несколько NPN-транзисторов имеют функции, эквивалентные транзистору S8050:
- 2N7051
- 2SC3726
- 2SC4145
- 2SD1146
- БТН8050А3
Указанные выше модели были выбраны с учетом следующих факторов.
- Тип транзистора: NPN
- Тип упаковки: ТО-92
- Низкое энергопотребление
- В CB > 40 В
- В CE > 25 В
- В EB > 6 В
- I C > 1,5 А
- H FE > 85
- Tj > 150°С
Однако, прежде чем выбрать любой из этих транзисторов, необходимо проверить отдельные параметры из соответствующих спецификаций, чтобы обеспечить безопасность конструкции.
Упаковка
S8050 поставляется в стандартной упаковке TO-92. Компактная упаковка из эпоксидной смолы отличается компактностью. Высота штифтов около 15 мм. Нумерация выводов слева направо, плоская поверхность штифта обращена к вам. Расположение контактов следующее:
| Номер контакта | Соединения |
| 1 | Излучатель |
| 2 | База |
| 3 | Коллектор |
Техническое описание S8050 содержит все, что вам нужно знать о размерах корпуса для целей проектирования.
