S9014 цоколевка: s9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Содержание

s9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (H_FE)_.Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F_Ш), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F_Ш определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R_s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H

_FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H_FE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

S9014 транзистор: характеристики, аналоги, параметры, цоколевка

Транзистор s9014 – кремниевый высокочастотный, маломощный биполярный транзистор n-p-n структуры. Применяется в радиоприемниках, передатчиках, различных схемах усиления сигнала благодаря большому коэффициенту передачи тока и низкому уровню шумов. Выпускается в пластмассовом корпусе TO-92 с гибкими выводами (S9014A, S9014B, S9014C, S9014D) и в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа (S9014H, S9014L).

Цоколевка транзистора s9014

Транзистор s9014 в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа (S9014H, S9014L) маркируется кодом «J6».

Характеристики транзистора s9014

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), А	Pкmax(т), Вт	h31э	fгр., МГц
S9014A	50	45	0.1	0.4	60 – 150	150
S9014B	50	45	0.1	0.4	100 – 300	150
S9014C	50	45	0.1	0.4	200 – 600	150
S9014D	50	45	0.1	0.4	400 – 1000	150
S9014H	50	45	0.1	0.4	200 – 450	150
S9014L	50	45	0. 1	0.4	450 – 1000	150

Uкбо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база

Uкэо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) – Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) – Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h_fe – Коэффициент усиления транзистора по току
fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока

Комплементарная пара s9014

Комплементарной парой для s9014 является транзистор s9015 c p-n-p структурой.

Аналоги транзистора s9014

S9014A: КТ3102А, КТ6111А
S9014B: КТ3102Б, КТ6111Б
S9014C: КТ3102В, КТ6111В
S9014D: КТ3102Г, КТ6111Г

S9014 to-92 | Биполярные транзисторы

Код товара :	M-128-7396
Обновление:	2017-06-30
Тип корпуса :	SOT-23

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса.
На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить S9014 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

Что еще купить вместе с S9014 to-92 ?

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Сопутствующие товары
Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
7396	S9014 to-92	Транзистор S9014 – Plastic-Encapsulate Transistors NPN, 25V, 50mA, 0.2W, TO-92	1.4 pyб.
1928	S9012 to-92	Транзистор S9012 – PNP Transistor, 40V, 0.5A, TO-92	1.6 pyб.
7055	2N2222 to-92	Транзистор 2N2222A (2N2222) – NPN Transistor 40V, 800mA, 30 MHz, TO-92	1.6 pyб.
7235	BC327	Транзистор BC327 (BC327B, BC327-25) – PNP Transistor 45V, 800mA, TO-92	1.6 pyб.
1700	2SC1815 to-92	Транзистор 2SC1815 (маркировка C1815) – NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz, TO-92	1.4 pyб.
8648	Предохранитель H520-7А/250В (5х20мм, 7A)	Предохранитель (вставка плавкая стекло) H520-7А/250В (ВПБ6-10). Ток срабатывания 7A. Размер 5×20 мм.	2.4 pyб.
282	TL431A to-92	Микросхемы TL431 (TL431A) – Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-92	1.7 pyб.
2550	Предохранитель H520-1А/250В (5х20мм)	Предохранитель (вставка плавкая стекло) H520-1А/250В (ВПБ6-10). Ток срабатывания 1A. Размер 5×20 мм.	2.4 pyб.
8334	2N2907 to-92	Транзистор 2N2907 – PNP Transistor 0.8A, 60V, TO-92	1.2 pyб.
1927	S8050 to-92	Транзистор SS8050 (маркировка S8050) – NPN Epitaxial Silicon Transistor 40V, 0.5A	5 pyб.

Цоколевка и маркировка радиоэлементов

Сергей Боровиков

Цветовая маркировка резисторов и конденсаторов

Международная маркировка цветом резисторов и конденсаторов
Цвет кольца (точки)	Цифра 1 и 2	Множитель	Допуск, %	Ном. напр. конденсаторов, В	Пояснения
Черный	0	1			Красная полоска соответствует цифре 2; черная – 0; желтая означает, что число, полученное из цифр 1 и 2 нужно умножить на на соответствующий этому цвету множитель – 10⁴, то есть на 10000; и, наконец, серебристый цвет указывает, что отклонение в сопротивлении данного резистора может быть в пределе ±10%. Таким образом: 12*10⁴=200000 Ом или 200 кОм. Первая полоска наносится у самого вывода резистора, поэтому считать следует именно оттуда. Иногда четвертая полоска не наносится, этому соответствует строка последняястрока в таблице.
Коричневый	1	10	±1	100
Красный	2	10²	±2	200
Оранжевый	3	10³		300
Желтый	4	10⁴		400
Зеленый	5	10⁵		500
Синий	6	10⁶		600
Фиолетовый	7	10⁷		700
Серый	8	10⁸		800
Белый	9	10⁹		900
Золотой		10^-1	±5	1000
Серебряный		10^-2	±10	2000
Нет символа			±20	500

Цоколевка транзисторов

	КТ201, КТ502, КТ3102, КТ3107
	2N5551, S9014

Цоколевка других радиоэлементов

Автор

Главная страница

обзор параметров и опыт применения российскими радиотехниками

Если вы начали заниматься любительской радиотехникой, вам понадобятся ходовые транзисторы, которые имею широкое применение в радиотехнике и сравнительно низкую цену.

В данном обзоре я расскажу вам про комплементарную пару транзисторов BC547 и BC557. Данные транзисторы были куплены в 2013 году и на их основе уже собранно множество электронных схем. Одной из них, я вас познакомлю в данном обзоре. Мы все, часто покупаем Li-Ion аккумуляторы в Китае. Многие из них не имеют защиты, но даже имеющие защиту отключают питание в аварийных ситуациях, когда напряжение на АКБ уменьшится на 2.4-2.6В. В тоже время производители рекомендуют ставить аккумуляторы на зарядку при достижении напряжения 3В. Как быть, если это самодельный фонарь и т.п., как сберечь не дешевые Li-Ion аккумуляторы? Вы сталкивались с такими проблемами? Тогда вам под Кат…

Для начала сообщу, что, как и в остальных обзорах, магазин, в котором я купил данные радиокомпоненты уже не продает данный лот, потому я нашел подобный у другого продавца. Что бы не было сомнения, что я купил данные транзисторы на Али, можно увидеть под спойлером подтверждение покупки:

Ранее эти транзисторы стоили дороже

Я постараюсь вкратце рассказать об этих транзисторах, насколько это возможно на не специализированном сайте по радиотехнике, что бы достопочтенная публика, зашедшая в мой обзор из-за любопытства, не стала зевать и скучать.

Всем же «технарям» будет достаточно поглядеть на Даташит этих транзисторов, что бы отпали все вопросы: BC547 и BC557
Данные транзисторы комплементарно парные, т.е NPN и PNP транзисторы с близкими по величине коэффициентами передачи тока β.
Краткие характеристики и цоколевка транзистора ниже на схеме:

Я протестировал эти китайские транзисторы, они держат напряжение 30В (коллектор-эмиттер) имеют коэффициент усиления Hfe: 140-160. Я использовал их при максимальном токе коллектора 100мА — выше не рисковал. В общем, заключение по транзисторам — вполне годные высокочастотные транзисторы имеющие высокий коэффициент усиления. Вполне приемлемые характеристики.
На этом бы можно было обзор и закончить…))) Но это не наш метод ©.
Потому мы изготовим очень востребованное устройство, использующее PNP транзистор, регулируемый стабилитрон TL431 и N канальный полевой транзистор (выпаян из старой материнской платы).
При изготовлении самоделок, часто требуется ограничить разряд Li-Ion аккумуляторов, до рекомендуемого производителем минимума в 3В.

Чаще всего мы покупаем аккумуляторы без защиты. Но даже если аккумулятор имеет защитную плату, то все равно она скорее пригодна только для аварийного отключения аккумулятора, что бы предотвратить его возгорание или приведение в полную негодность. Схему типовой платы защиты привожу ниже:

Эта схема взята из Даташита микросхемы-контролера DW01, которая имеет очень много китайских аналогов. Данная схема уже приводилась в обзоре на Муське Однако, как я уже отметил, данная схема пригодна только для аварийного отключения аккумулятора и малопригодна для повседневного использования, т.к отключает АКБ при напряжении 2.4-2.6В. Поискав в Интернета, ничего не нашел простого и пригодного для отключения литиевого аккумулятора, потому попросил своего друга по форуму «Паяльник» Владимира 65, смоделировать мне схему под мои нужды. Так и появилась на свет эта схема защиты от переразряда. Привожу её ниже:

Транзистор VT1 — Logic Level P75N02LD (можно любой другой Logic Level)
Транзистор VT2 — BC557
VD1 — TL431

Кнопка S1 (без фиксации) нужна для запуска схемы, после срабатывания защиты, или для принудительного использования заряда батареи, при уровне заряда ниже порогового значения.
На скору руку была изготовлена печатная плата (каюсь, опять из гетинакса), впаяны детали. Полевой транзистор можно использовать со старых материнских плат, обычно там несколько штук N канальных Logic Level транзисторов. Транзистор распаян со стороны печатных дорожек.

ссылка на схему в формате lay
Тестирование проводилось при помощи Лабораторного блока питания и лампочки в качестве нагрузки. Результат тестирования Вы можете увидеть ниже на фото:

Напряжение отсечки выставлено на 3В, на фото видно, что еще при 3.1В лампочка горит, а при 3В полевой транзистор закрывается и лампочка обесточивается. Сама схема выполнена таким образом, что после достижения на аккумуляторе порогового напряжения, схема защиты тоже отключается от аккумулятора. Потому пришлось ввести в схему кнопку без фиксации, нажатие на которую открывает транзистор. Так же эту кнопку можно использовать для принудительного использования энергии аккумулятора, даже если напряжение на нем ниже порогового уровня… Эта функция бывает востребована, что бы не в полной в темноте искать зарядное устройство))) В заключение покажу кемпинговый фонарь, куда я встроил эту схему защиты от разряда…

На этом фото (ниже) видно комбинированную схему, зарядного устройства совмещенной с схемой защитного устройства на smd элементах

Вот такой коротенький обзор сегодня… Вопросы скидывайте в комментариях, постараюсь ответить всем.

UPD: Поскольку много вопросов в комментариях, расскажу как работает схема ограничения.
Полевой транзистор можно представить электронным выключателем (по сути он это и есть), при появлении напряжения на его затворе, он открывается и будет открытым, пока напряжение на затворе не исчезнет. В момент кратковременного замыкания кнопки, питание появляется на TL431, и если напряжение выше выставленного порога, то TL открывается и открывает полевой транзистор. В таком положении, все будет находиться, до тех пор пока напряжение упадет ниже порога. Порог выставляется подстроечным резистором. Таким образом обобщим:
1. Если к схеме присоединить литиевый аккумулятор, то ничего не произойдет, не смотря на уровень зарядки аккумулятора.
2. Если нажать кратковременно кнопку, то если напряжение на аккумуляторе выше 3В, то схема сработает, если ниже 3В, то ничего не произойдет.
3. Если поставить на зарядку аккумулятор, не отключая плату защиты, то тоже ничего не произойдет, даже если акб полностью зарядится, пока вы не нажмете кнопку, а дальше 2 варианта рассмотренных в п. 2.
4. Варианта отключить схему защиты нет, после открытия полевого транзистора, схема остается во «включенном» состоянии и кушает, пусть небольшой ток, но все же кушает. Помогает только «передергивание» аккумулятора. Ток потребляемый платой защиты можно снизить увеличив номинал резисторов делителя R5-R6.

Теперь почему я собрал эту схему и получил справедливую критику от нашего профессора kirich: в 2013 году не было зарядных устройств с защитой АКБ от глубокого разряда, потому я даже купил у китайцев набор и 10 микросхем DW01 и двойных полевиков (8 ножковая микросхема) стоимостью 6.8 баксов. Подтверждение покупки под спойлером

Покупка

Если бы это было доступно как сейчас, то я бы не маялся «дурью»…

Некоторые плюсы моей схемы:
1. Её можно очень легко перестроить под другое напряжение, отличное от напряжения литиевого аккумулятора
2. Можно всячески менять схему, например вынести TL431 и 2 резистора делителя, перед полевиком, тогда схема начнет работать по другому, автоматически отключатся при пороговом напряжении, и автоматически включатся если напряжение подымется выше порога (при зарядке, к примеру), но при напряжении около порога будет небольшая светомузыка, т. к нет гистерезиса))) Ну может кому то это надо…

UPD2: Вот еще схема, правда тестировалась только в мультисиме, в железе не собиралась.

Добавил в схему защиты выключатель нагрузки. Нефиксируемая кнопка на замыкание последовательно включает и выключает нагрузку. Функция защиты от разряда сохранилась. Схема только в мультисиме, в железе не проверялась.

UPD3: ~~Ну раз пошла такая пьянка, режь последний огурец~~… Еще схемы… Правда от цен на супервизоры просто охреневаю…

100 шт. SMD транзистор SOT 23 Триод TL431 A1015 C1815 S8050 S8550 S9012 S9013 S9014 S9015 S9018 BA HF J3Y 2TY 2T1 J3 J6 M6 J8|Интегральные схемы|

информация о продукте

Характеристики товара

Название бренда: WEIDILY
Состояние: Новый
Тип: Регулятор напряжения
Номер модели: SOT-23
Применение: TV
Рабочая температура: –
Напряжение электропитания: –
Мощность рассеивания: –
Упаковка: SMD
Индивидуальное изготовление: Да

описание продукта

отзывах покупателей ()

Нет обратной связи

Как проверить транзистор мультиметром | Для дома, для семьи

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. ru. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h31э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.

Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода (полупроводника). Поэтому можно утверждать, что транзистор — это два диода включенных встречно, а точка их соединения будет являться «базой».

Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера. Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен. Все очень просто.

Начнем с транзисторов структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n. Смотрите рисунок выше.

Так вот, чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение (минус). Мультиметр переводим в режим измерения сопротивлений на предел «2000», можно в режиме «прозвонка» — не критично.

Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом.

Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов.
Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах.

В данном случае на индикаторе высветилась «1», означающая, что для предела измерения «2000» величина сопротивления велика, и составляет более 2000 Ом. А это говорит о том, что коллекторный и эмиттерный переходы целы, а значит, наш транзистор исправен.

Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы.

Конечно, встречаются схемы, где p-n переходы транзистора сильно зашунтированы низкоомными резисторами. Но это редкость. Если при измерении будет видно, что прямое и обратное сопротивление коллекторного или эмиттерного переходов слишком мало, тогда придется выпаять вывод базы.

Исправность транзисторов структуры n-p-n проверяется так же, только уже к базе подключается плюсовой щуп мультиметра.

Мы рассмотрели, как проверить исправный транзистор. А как понять, что транзистор неисправный?
Здесь тоже все просто. Если прямое и обратное сопротивление одного из p-n переходов бесконечно велико, т.е. на пределе измерения «2000» и выше мультиметр показывает «1», значит, этот переход находится в обрыве, и транзистор однозначно неисправен.

Вторая распространенная неисправность транзистора – это когда прямое и обратное сопротивления одного из p-n переходов равны нулю или около того. Это говорит о том, что переход пробит, и транзистор не годен.

И тут уважаемый читатель Вы меня спросите: — А где у этого транзистора находится база, коллектор и эмиттер. Я его вообще в первый раз вижу. И будете правы. А ведь действительно, где они? Как их определить? Значит, будем искать.

В первую очередь, нужно определить вывод базы.
Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр.

Между левым и средним выводами величина сопротивления составила «1», а между левым и правым мультиметр показал 816 Ом. На данном этапе это нам ничего не говорит. Идем дальше.
Плюсовым щупом садимся на средний вывод, а минусовым касаемся левого и правого.

Здесь результат измерения получился почти таким же, как и на рисунке выше. Между средним и левым величина сопротивления составила «1», а между средним и правым получилось 807 Ом. Тут опять ничего не ясно, поэтому идем дальше.

Теперь садимся плюсовым щупом на правый вывод, а минусовым касаемся среднего и левого выводов транзистора.

На рисунке видно, что величина сопротивления между правым-средним и правым-левым выводами одинаковая и составила бесконечность. То есть получается, что мы нашли и измерили обратное сопротивление обоих p-n переходов транзистора. В принципе, уже можно смело утверждать, что вывод базы найден. Он оказался правым. Но нам еще надо определить, где у транзистора коллектор и эмиттер. Для этого измеряем прямое сопротивление переходов. Минусовым щупом садимся на вывод базы, а плюсовым касаемся среднего и левого выводов.

Величина сопротивления на левой ножке транзистора составила 816 Ом – это эмиттер, а на средней 807 Ом – это коллектор.

Запомните! Величина сопротивления коллекторного перехода всегда будет меньше по отношению к эмиттерному. Т.е. вывод коллектора будет там, где сопротивление p-n перехода меньше, а эмиттера, где сопротивление p-n перехода больше.

Отсюда делаем вывод:

1. Транзистор структуры p-n-p;
2. Вывод базы находится с правой стороны;
3. Вывод коллектора в середине;
4. Вывод эмиттера – слева.

А если у Вас остались вопросы, то можно дополнительно посмотреть мой видеоролик о проверке обычных транзисторов мультиметром.

Ну и напоследок надо сказать, что транзисторы бывают малой, средней мощности и мощные. Так вот, у транзисторов средней мощности и мощных, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером. Такие транзисторы устанавливаются на специальные радиаторы, предназначенные для отвода тепла от корпуса транзистора.

Зная расположение коллектора, базу и эмиттер определить будет легко.
Удачи!

SS9014 Распиновка транзистора, эквивалент, применение, особенности, техническое описание

В сообщении описывается распиновка транзистора SS9014, эквивалент, использование, функции, техническое описание и другие подробности о том, как и где использовать этот транзистор в ваших схемах.

Характеристики / Технические характеристики:

Тип упаковки: TO-92
Тип транзистора: NPN
Максимальный ток коллектора (I _C): 100 мА
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE): 45 В
Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB): 50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
Макс. рассеиваемая мощность коллектора (шт.): 400 милВт
Максимальная частота перехода (fT): 150 МГц
Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE): 60 – 1000
Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

PNP Дополнительным к SS9014 является SS9015

Аналог:

BC547C, NTE2672, BC337-40, BC635, MPSA18, 2N5962, MPS6571, 2N2222, S8050, 2N4401, BC537, SS9013, (это ближайший возможный эквивалент или замена транзисторов для SS9014.Конфигурация выводов этих транзисторов может отличаться от SS9014, поэтому рекомендуется проверить конфигурацию выводов транзистора, который вы используете в своей схеме.)

SS9014 Транзистор объяснено / Описание:

SS9014 – это широко используемый NPN-кремниевый BJT-транзистор. Это малошумящий транзистор с высоким коэффициентом усиления, максимальное усиление по постоянному току транзистора составляет 1000. Высокое усиление и низкий уровень шума делают этот транзистор идеальным для использования в предварительном усилении звука или для усиления очень низкого уровня звука до высокого уровня с помощью фильтрация шума.Его также можно использовать для усиления любого типа сигнала малого или низкого уровня до высокого уровня. Кроме того, он также может хорошо работать в радиочастотных цепях ниже 150 МГц. Максимальное рассеивание коллектора в 400 мВт также позволяет ему управлять небольшим динамиком от 2 до 3 дюймов с сопротивлением 4 или 8 Ом.

С другой стороны, максимальный ток коллектора транзистора составляет 100 мА, благодаря чему его можно использовать для управления нагрузками ниже 100 мА. Например, светодиоды, реле, мощные транзисторы, ИС и т. Д.

Где и как использовать:

SS9014 разработан для использования в схемах предусилителя звука с низким уровнем шума и с высоким коэффициентом усиления, но его также можно использовать для усиления любого типа сигналов с низким коэффициентом усиления. Кроме того, его также можно использовать в качестве аудиоусилителя или в каскадах аудиоусилителя. Но он также может использоваться в качестве переключателя для управления нагрузкой 45 В и 100 мА. Транзистор можно использовать или подключить как обычный биполярный транзистор.

Заявки:

Предварительные усилители звука

Ступени усилителя звука

Усиление сигнала

Цепи датчика

Коммутационная нагрузка до 100 мА

Дарлингтонские пары

Как безопасно долго работать в цепи:

Для получения долгосрочной производительности с этим SS9014 рекомендуется не управлять нагрузкой более 100 мА и 45 В через этот транзистор, для лучшей производительности всегда оставайтесь на 20% ниже максимальных значений.Всегда используйте подходящий базовый резистор и не работайте и не храните при температуре ниже -55 и выше +150 по Цельсию.

Лист данных:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://www.mouser.com/datasheet/2/149/SS9014-8.pdf

2N2222 Распиновка, примеры, применение и техническое описание транзистора

2N2222 NPN-транзистор обычно используется для коммутации и усилителя очень высокой частоты (VHF).Он изготовлен из кремниевого материала и специально разработан для применения в усилителях низкого напряжения, низкого и среднего тока и малой мощности.

2N2222 NPN транзистор Введение

2N2222 обеспечивает постоянный постоянный ток коллектора 800 мА. Это означает, что у него высокий коллектор, поэтому он в основном используется в тех цепях, где требуется низкий или средний ток. Он работает на высокой переходной частоте 250 МГц с временем задержки 10 нс, временем нарастания 25 мс, временем хранения 225 мс и временем спада 60 мс.Он удобен в использовании и легко доступен на онлайн-рынке в упаковке TO-92.

Схема соединений 2N2222

Конфигурация выводов

транзистора 2N2222 NPN: Этот транзистор 2N2222 NPN имеет три контакта: эмиттер, базу и коллектор. Эти выводы используются в схеме для включения или выключения транзистора. Схема конфигурации контактов показана здесь в соответствии с таблицей данных:

Описание конфигурации контактов

Номер контакта	Имя контакта	Функция
3	Эмиттер	Вывод эмиттера используется для отвода всего тока транзистора.
2	База	Базовый вывод a является управляющим выводом и используется для управления током эмиттера и базы.
1	Коллектор	Коллекторный вывод является выходным выводом и используется для подачи транзисторного тока на выходную нагрузку.

2N2222 Электрические характеристики транзистора NPN

Напряжение коллектора к эмиттеру составляет VCEO = 50 В, когда база открыта
Напряжение эмиттера к базе составляет VEBO = 6 В, когда коллектор открыт
Напряжение коллектора относительно базы составляет VCBO = 75, когда эмиттер открыт
Постоянный коллектор постоянного тока ток составляет IC = 800 мА
Общая рассеиваемая мощность устройства составляет PT = 1 Вт
Максимальное тепловое сопротивление от перехода к корпусу составляет R0JC = 150C0 / Вт
Максимальное тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде составляет R0JA = 325C0 / Вт
Входная емкость = 25 пФ
Выходная емкость = 8 пФ
Время включения = 25 нс
Время спада = 60 нс

Альтернативные варианты

MPSA42, 2N3906

Аналоги

2N2907 (PNP)
2N3904 (PNP)
2N3906 (PNP)
BC637
S9014
BC148
2N4403
MPS2222
PN2222

KN2222 NPN 2N2222 NPN 2N2222 NPN
Этот транзистор 2N2222 NPN имеет почти те же технические характеристики, что и транзистор NPN BC547
, но единственная разница между ними – это непрерывный ток коллектора и общая рассеиваемая мощность этого транзистора
Следовательно, он может использоваться в таком приложении, например, как переключение и усиления, в которых использовался транзистор BC547. В коммутационном приложении он работает в двух областях, таких как область насыщения и область отсечки.
В области насыщения полный ток течет от эмиттера к коллектору в диапазоне от 110 до 800 мА, и в этом состоянии он действует как включающий переключатель. Следовательно, пользователь не может подключить нагрузку, ток которой превышает 800 мА.
Точно так же в области отсечки ток не течет от эмиттера к коллектору, тогда он действует как выключатель.
В цепи также есть ограничивающий ток резистор. для ограничения тока базы, так как это может привести к повреждению транзистора, если ток источника превышает 5 мА
Режимы конфигурации
Аналогично в приложении усиления, он может быть подключен в трех конфигурациях, таких как общий эмиттер, общий коллектор и общая база.С помощью этих режимов конфигурации можно легко увеличить ток, напряжение и мощность.
2N2222 Примеры схем
В этом разделе мы обсудим некоторые примеры использования этого NPN-транзистора. Сначала мы рассмотрим пример простого примера управления светодиодом с помощью переключателя. После этого мы увидим пример управления двигателем постоянного тока с помощью Arduino Uno.
Пример управления светодиодом
В этой примерной схеме мы присоединяем кнопку к клемме базы.5 вольт с выводом коллектора через резистор 220 Ом.
Соедините светодиод с выводом эмиттера через резистор 220 Ом. По ошибке 10кОм использовался как токоограничивающий резистор со светодиодом.
Если вы используете 10кОм, светодиод не будет светиться при включении переключателя из-за низкого тока, проходящего через светодиод.
Резистор 10 кОм ограничивает ток ниже прямого тока, необходимого для включения светодиода.
Также используйте резистор 220 Ом между переключателем и выводом базы.
Теперь, если вы примените логику 5 В на входе базы, вы увидите светящийся светодиод. В противном случае он останется выключенным.
Пример подключения двигателя постоянного тока в качестве переключателя с использованием Arduino
В этом примере транзистор 2N2222 NPN используется в режиме конфигурации с общим эмиттером. Эта схема управляет двигателем постоянного тока через транзистор, который используется в качестве переключателя. Мы можем использовать Arduino Uno или любой микроконтроллер для управления этой схемой. Работа этой схемы в точности такая же, как вы видели в предыдущем разделе, за исключением того, что используется двигатель постоянного тока.
Вы можете прочитать это руководство для дальнейшего:
Приложения 2N2222 NPN транзистор
Этот транзистор 2N2222 NPN может использоваться в нагрузках, где требуется ток более 800 мА.
Цепи привода двигателя, такие как преобразователи частоты (VFD) и т. Д.
Инверторы постоянного тока и схемы выпрямителей.
Пара транзисторов Дарлингтона, в которых более одного транзистора подключены параллельно для получения высокого тока от эмиттера к коллектору.
Его можно использовать как усилитель для усиления тока, напряжения и мощности.
2D Размерная диаграмма
Двухмерная диаграмма помогает при разработке схемы печатной платы и при сборке электронных компонентов. Вы можете загрузить техническое описание , чтобы ознакомиться с диаграммой размеров других пакетов.
Загрузить 2N2222 Лист данных
% PDF-1.4 % 7 0 объект > endobj xref 7 35 0000000016 00000 н. 0000001060 00000 н. 0000001148 00000 н. 0000001298 00000 н. 0000001660 00000 н. 0000002911 00000 н. 0000003118 00000 п. 0000003146 00000 п. 0000004375 00000 н. 0000004403 00000 п. 0000004477 00000 н. 0000004499 00000 н. 0000005718 00000 н. 0000005917 00000 н. 0000015924 00000 п. 0000015946 00000 п. 0000017175 00000 п. 0000017380 00000 п. 0000023738 00000 п. 0000023760 00000 п. 0000026405 00000 п. 0000026427 00000 н. 0000029131 00000 п. 0000029153 00000 п. 0000031879 00000 п. 0000031901 00000 п. 0000034817 00000 п. 0000034839 00000 п. 0000037502 00000 п. 0000037524 00000 п. 0000038705 00000 п. 0000038726 00000 п. 0000045024 00000 п. 0000001442 00000 н. 0000001639 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 8 0 объект > endobj 9 0 объект q & iC1Y / 9) / U (vmit> 6C ֫ 5> f) / P -60 / V 1 / Длина 40 >> endobj 10 0 obj > / Кодировка> >> / DA (6liEmC-tɴ) >> endobj 40 0 obj > транслировать v10w] `6Bc @ 3Zjh% īmew82“SaOS ɜ [M5-Et $ “> / Шрифт> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text] >> / PieceInfo> >> / CropBox [0 0 595.N “$ a2sMA
% PDF-1.4 % 7 0 объект > endobj xref 7 35 0000000016 00000 н. 0000001060 00000 н. 0000001148 00000 н. 0000001298 00000 н. 0000001660 00000 н. 0000002911 00000 н. 0000003118 00000 п. 0000003146 00000 п. 0000004375 00000 н. 0000004403 00000 п. 0000004477 00000 н. 0000004499 00000 н. 0000005718 00000 н. 0000005917 00000 н. 0000015924 00000 п. 0000015946 00000 п. 0000017175 00000 п. 0000017380 00000 п. 0000023738 00000 п. 0000023760 00000 п. 0000026405 00000 п. 0000026427 00000 н. 0000029131 00000 п. 0000029153 00000 п. 0000031879 00000 п. 0000031901 00000 п. 0000034817 00000 п. 0000034839 00000 п. 0000037502 00000 п. 0000037524 00000 п. 0000038705 00000 п. 0000038726 00000 п. 0000045024 00000 п. 0000001442 00000 н. 0000001639 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 8 0 объект > endobj 9 0 объект q & iC1Y / 9) / U (vmit> 6C ֫ 5> f) / P -60 / V 1 / Длина 40 >> endobj 10 0 obj > / Кодировка> >> / DA (6liEmC-tɴ) >> endobj 40 0 obj > транслировать v10w] `6Bc @ 3Zjh% īmew82“SaOS ɜ [M5-Et $ “> / Шрифт> / ExtGState> / ProcSet [/ PDF / Text] >> / PieceInfo> >> / CropBox [0 0 595.N “$ a2sMA
TO92 – TheCoolBritsElectronics
Вот некоторые распространенные транзисторы, которые поставляются в упаковке формата TO92
Пример 2N2222 NPN распиновка
2N2222 NPN Распиновка транзистора
тип усиления h ) 9015 NPT 9015 -300 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 NPN 625 мВт 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 6 9015 5 9015 6 9015 5 9015 9015 9015 9015 9015 E 9015
Tr no fe Vmax Imax (Ic) Power Freq Ft V _EBO pin 1 pin 2 pin 3 Data sht
40 800 мА 500 мВт 300 МГц 6 E B C PDF
2N3904 300 МГц 6 E B C PDF
2N3 906 PNP 100-300 -40 -200mA 300 мВт 250 МГц -5 E B C PDF6 PDFN -400 -150 -600 мА 620 мВт 170 МГц -6 E B C PDF
2N5551 NP6 5015 9015 9015 9015 600 мА 625 мВт 100-400 6 E B C PDF
2SC945 NPN 5 E B C PDF
A1050 PNP 70-400 -50 -150 мА 400 мВт 80 МГц -5 E C B PDF
C1815 NPN6 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 9015 400 мВт 80 МГц 5 E C B PDF
S8550 PNP 120-200 -20 E B C PDF
S8050 NPN 120-200 20 700mA 1W 100155 100155 PDF
S9012 PNP 40-300 -40 -500 мА 625 мВт 150 МГц -5 E B C PDF
S9013 NPN 64-91 40 500 мА B C PDF
S9014 NPN 60-150 50 100mA 450 мВт 270Mhz E
S9015 PNP 60-150 -50 100mA 450 мВт 100-400 -5 E B C PDF 28-45 25 50 мА 400 мВт 800 МГц 4 E B C PDF

Общие маломощные транзисторы и их дополнение
2N2222 (NPN) 2N2907 (PNP)
2N3904 907 (2N3904 907)
2N3904 907 2N5401
2N5551
2SC945
A1050
C1815
S8550 (PNP) S8050 (NPN)
S9012 (PN9013)
S9012 (PN9013) 907 S9015 (PNP)
S9018
Общие полевые МОП-транзисторы TO92
МОП-транзисторы TO92 обычно имеют три контакта: вывод 1 источника (S), вывод 2 затвора (G) и вывод 3 стока (D).
Rds1,2 Ом
Vds 60 В
Vgs = 20 В
Id = 200 мА
Pd = 400 мВт
VN10 N-Channel Enhancement Mode Data Sheet (Обратите внимание также на int TO97)
Rds 5 Ом
Vds 60 V
Vgs = ± 30 V
100 Mhz
Id = 310mA
Pd = 900 мВт при 25C
VN2222 N-Channel Enhancement Mode Sheet Data Sheet PDF (Примечание. доступно int TO97 и 20% более высокая мощность TO237 )
Rds 5-7.5 Ом
Vds 60 В
100 МГц
Id = 270 мА
Pd = 800 мВт при 25C
Таблица эквивалентов транзисторов 9014 – Damba
9014 Datasheet Equivalent Cross Reference Search.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
Ss9014 Распиновка биполярного Npn-транзистора. Эквивалентные характеристики.
S9014 Распиновка комплементарной замены Pnp транзистора Npn.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
Ss9014 Распиновка биполярного Npn-транзистора. Эквивалентные характеристики.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
Ss9014 Распиновка биполярного Npn-транзистора. Эквивалентные характеристики.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
Ss9014 Распиновка биполярного Npn-транзистора. Эквивалентные характеристики.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
Index 638 Принципиальная схема Seekic Com.
9014 Поиск по эквивалентной перекрестной ссылке в даташите.
By Stereo Masters Online S9014 Transistor Datasheet Pdf.
Выбор замены транзистора Примечания по электронике.
68 Методическая схема транзисторов Npn.
Замена транзисторов Все о схемах.
Оптоэлектроника Твердотельные дисплеи с подсветкой Ferret.
Как проверить транзистор с помощью мультиметра Pnp или Npn Mf 63.
Приложение к Приложению IV Efta.
Nsid История американского радио Manualzz Com.
Verex Monitor Ism Технические характеристики Manualzz Com.
Index 638 Принципиальная схема Seekic Com.
Руководство по установке и эксплуатации Optelecom серии 9000.
Tei Evis10 Обслуживание Video Satell1te Developments Бесплатно 32.
Bernards Bp202 Ic эквиваленты и заменители.
Tei Evis10 Обслуживание Video Satell1te Developments Бесплатно 32.
Замена транзисторов Все о схемах.
Pdf Микро спектроскопия комбинационного рассеяния одиночного автономного генератора.
ТОП-10 самых популярных SMD-транзисторов из 23 брендов.
Tei Evis10 Обслуживание Video Satell1te Developments Бесплатно 32.
TM 11 5820 549 Manualzz Com.
Hioki 2016 Общий каталог электрических измерений.
№ док.
Электронные проекты для начинающих 12 шагов с картинками.
Решения по молниезащите для вашего беспроводного оборудования.
Pdf Емкостная дегенерация в генераторе Lc Tank для Dco.
Tei Evis10 Обслуживание Video Satell1te Developments Бесплатно 32. Применение рабочих характеристик схемы транзистора
Npn.
Руководство по обслуживанию Manualzz Com.
Радиосхемы Практические аналоговые полупроводниковые схемы.
ТОП-10 самых популярных SMD-транзисторов из 23 брендов.
C 331 брошюра с описанием транзисторов
Книга pearson hall free algebra online
все названия частей, для которых файл c1815. pdf – это таблица. com предлагает 175 транзисторов a42 b331 продукции. около 29% из них – это интегральные схемы, 14% – транзисторы и 8% – конденсаторы.
Букмекерская контора пивная »
Книга в дизайн-файлах
вам доступен широкий спектр вариантов транзисторов a42 b331, таких как биполярный транзистор, полевой транзистор и триодный транзистор.ремонт китайского блока питания.
Scifest 2015 Победители национальных книг »
Обзорная книга ищет
задать вопрос задан 6 лет, 9 месяцев назад. \ $ \ begingroup \ $ быстрое наблюдение: транзистор был плохой частью? Или же трансформатор выдает скачки напряжения, которые лишь немного выше ожидаемого значения, что привело к перегоранию транзистора?
Священные книги индуизма Калинды »
Это лист данных транзистора.Во-первых, позвольте мне сказать вам, что я плохо разбираюсь в транзисторах в схемах. У меня есть транзистор s8050 d 331, и он подключен к буклету с техническими данными транзистора c 331, как показано на схеме ниже. Проблема, с которой я сталкиваюсь, заключается в том, что я использую входной прямоугольный сигнал выше 300 кГц. Транзистор не так быстро следует буклету с описанием транзистора c 331. S9014 c331 техническое описание pdf s9014 техническое описание, s9014 pdf, s9014 техническое описание, техническое описание, техническое описание, pdf, auk corp, кремниевый транзистор npn.

S9014 техническое описание транзистора, pdf ,. S9014 c 331 техническое описание транзистора oz9925 c 331 техническое описание транзистора буклет pdf c 331 техническое описание транзистора буклет bd3807k pcr606. Транзистор c331 s9014 транзистор tt2222. Абсолютные максимальные характеристики эпитаксиального кремниевого транзистора ksc1815 npn ta = 25 ° c, если не указано иное, электрические характеристики ta = 25 ° c, если не указано иное, символ классификации hfe единицы значения параметра vcbo напряжение коллектор-база 60 v.
Таблица данных печатается только для справки. Техническое описание транзистора D f 331, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf. Архив даташита. Резюме: транзистор d 331 c 331 транзистор транзистор d 331 данные фототранзистора пик 550 нм d 331 эквивалентный фототранзистор 650 нм q62702- p1634 переключение c 331 транзистор техническое описание буклет транзистор 331 транзистор c 331. техническое описание c2785, c2785 pdf, c2785 техническое описание, техническое описание, технический паспорт, pdf. Просмотрите распродажу a42 + b331 + transistor + datasheet, по желаемым характеристикам или по оценкам покупателей.
C2229 datasheet – vceo = 150v, 50ma, npn-транзистор – toshiba, даташит 2sc2229, c2229 pdf, распиновка c2229, руководство c2229, схема c2229, эквивалент c2229. Электрические характеристики (продолжение): (tc = + 25 ° C, если не указано иное) параметр символ условия испытания мин. Тип макс. Ед. Характеристики коэффициент усиления постоянного тока hfe vce c 331 буклет с техническими данными транзистора = 3 В, ic = 2a 750 – 18000 vce = 3v, ic = 4a 100 – – напряжение насыщения коллектор – эмиттер vce (sat) ic = 2a, c 331 буклет с описанием транзистора ib = 8ma – – 2. 0 v c 331 брошюра с описанием транзистора ic = 4a, ib = 40ma – – 3. 0 v база – эмиттер насыщения c 331 брошюра с описанием транзистора напряжение vbe (sat) c 331 с описанием транзистора буклет ic = 4a. Я ищу транзистор с маркировкой s8050 d 331, который представляет собой низковольтный буклет с описанием транзистора c 331, высокопроизводительный малосигнальный npn-транзистор, производимый компанией wing shing electronic co, я думаю, коммерческое название модели – s8050, d стоит c 331 буклет с описанием транзистора для буклета с описанием транзистора c 331, буклета с техническими данными на транзисторы hfe c 331 между 1, но я был.Bc372, bc373 высоковольтные транзисторы Дарлингтона npn кремниевые особенности • доступны пакеты без pb * максимальные номинальные характеристики номинальный символ значение единица коллектор – эмиттер напряжение bc372 bc373 vceo 100 80 vdc коллектор – базовое напряжение bc372 bc373 vces 100 80 vdc эмиттер – базовое напряжение vebo 12 коллектор vdc c 331 техническое описание транзистора буклет ток – непрерывный IC 1. S8050- c 331 транзистор техническое описание буклет d331 техническое описание, s8050- d331 pdf, s8050- d331 техническое описание, s8050- d331 руководство, s8050- d331 pdf, c 331 транзистор техническое описание буклет s8050 – d331, datenblatt, electronics s8050- d331, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet, c 331 datasheet, datasheet, брошюра, таблица данных, таблица данных, free datasheet.Поиск в технических паспортах электронных компонентов.
Низковольтный сильноточный малосигнальный npn-транзистор: s8050-d331. To- 92 транзисторы в пластиковом корпусе Транзистор s9018 (npn) имеет максимальные характеристики продукта (ta = 25 ℃, если не указано иное), электрические характеристики (ta = 25 ℃, если не указано иное) параметр символ условия испытания мин. Тип макс. – напряжение пробоя базы v (br) cbo ic = 100 мкА, т.е. = c 331 буклет с даташитами на транзистор 0 25 v.Абсолютные максимальные номинальные значения (ta = 25 ° c) электрические характеристики параметр символ значение единица измерения напряжение питания vcc 40 v входное напряжение vi – 0. 2 ~ + vcc v диапазон рабочих температур topr 0 ~ + 70 ° c рассеиваемая мощность pd 500 мВт параметр символ условия мин.
Единица измерения vfc Нелинейность vfcnl 4. 5 ≤ vcc ≤ 20v – ± 0,01% полной шкалы. Брошюра о транзисторе nte c 331 с описанием транзистора npn 331. Получите ответы на свои вопросы от других клиентов, которые владеют этим продуктом или имеют опыт работы с ним.
Если ваш вопрос требует дизайна брошюры с описанием транзистора c 331 или информации по поиску и устранению неисправностей, отправьте электронное письмо [электронная почта защищена] c 331 буклет с описанием транзистора для быстрого ответа. Fairchild Semiconductor International rev. A, февраль bu406 / 406h / 408 npn эпитаксиальный кремниевый транзистор абсолютные максимальные значения tc = 25 ° C, если не указано иное, электрические характеристики tc = 25 ° c, если не указано иное, единицы измерения параметра символа. Dtc114em / dtc114ee / dtc114eua транзисторы dtc114eka / dtc114esa rev.B 2/3 z Технические характеристики упаковки z Эквивалентная схема tl emt3 smt3 sptumt3 dtc114ee dtc114em арт.
Dtc114eua 3000 t2l vmt3 8000 tttp 5000. Щелкните здесь, чтобы просмотреть техническое описание nte331. Если эта ссылка на таблицу не работает, таблица все еще может быть доступна на nteinc. Эта деталь эквивалентна замене следующего: C4242 nte эквивалент nte2312 транзистор npn кремний. Заказы на 23 или более отправляются в тот же день или в течение 48 часов. (Прямая поставка с завода) более мелкие заказы отправляются в течение 5 дней. C4242 nte equvilent nte2312 транзистор c 331 брошюра с описанием транзистора npn кремний 700v ic = 8a to-220 case tf = 0.7us высоковольтный высокоскоростной переключатель. Технический паспорт: nte.
Транзистор – это полупроводниковое устройство, используемое для усиления или переключения электронных сигналов и электроэнергии. Он состоит из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами для подключения к внешней цепи. Буклет с описанием транзистора напряжения или тока c 331, приложенный к одной паре выводов транзистора, управляет током через другую пару выводов. Потому что c 331 буклет данных транзистора управляемая (выходная) мощность может быть c 331 буклет с техническими данными транзистора.Название: Общее руководство по электрическим транзисторам: схемы, применения, характеристики; 2-е издание автор: General Electric c 331 брошюра с описанием транзисторов тема: ключевые слова транзисторов. C datasheet c 331 транзистор брошюра – vceo = 150v, npn силовой транзистор c 331 брошюра с даташитом транзистора – mospec, 2sc datasheet, c pdf, c распиновка, c данные, c схема, выход, c схема.
CF- 331 техническое описание, cf- 331 pdf, cf- c 331 брошюра с описанием транзисторов 331 техническое описание, cf- 331 руководство, cf- 331 pdf, cf- 331, datenblatt, electronics cf- 331, alldatasheet, free, datasheet, даташиты, данные.2 itt intermetall вся информация и данные, содержащиеся в этом справочнике c 331, брошюра с описанием транзисторов без каких-либо обязательств, не должны рассматриваться как предложение. Значения транзистора – это максимальное значение, рекомендованное производителем, которое следует указывать вместе с другими характеристиками, действительными для этой коллекции. C2785 nte эквивалент nte2361 c 331 транзистор техническое описание транзистор npn кремний. Заказы на 27 или более кораблей отправляются в тот же день или в течение 48 часов. C2785 nte эквивалентный nte2361 транзистор npn кремний 60в ic = 0.Корпус типа 5a – 92 tf = 70ns высокоскоростной переключатель comp ‘l to nte2362. Описание эпитаксиального планарного транзистора npn hsc1815 разработан для использования в каскаде драйвера усилителя частоты c 331, буклет с описанием транзистора, буклет общего назначения. Абсолютный максимум c 331 номинальные характеристики буклета с описанием транзистора • максимальная температура хранения.
– 55 ~ + 150 ° C. Низкий уровень шума напряжения c 331 буклет с описанием транзисторов nv. Абсолютные максимальные номинальные значения (ta = 25 ° C) маркировка параметра символ номинальные значения единица 1 2 3 напряжение коллектор – база vcbo 60 В коллектор – эмиттер v.Размер pdf: 37 КБ _ panasonic. Транзистор 2sc3313 кремниевый npn-эпитаксиальный строгальный станок для высокочастотного усилителя: 4 мм. Оптимальные характеристики для плотного монтажа. Технические характеристики продукта заменяют данные файла за сентябрь 1994 года в разделе дискретных полупроводников, sc04 19 дискретных полупроводников. Транзистор установлен на печатной плате fr4.
Тепловые характеристики c 331 брошюра с описанием транзисторов, примечание 1. 2pc1815 npn транзисторы общего назначения, полстраницы m3d186.20 2 спецификация продукции Philips Semiconductors Транзистор общего назначения npn 2pc1815 особенности c Брошюра с описанием транзисторов 331 c Брошюра с техническими данными на транзисторы 331 • малоток (макс. 150 мА) c брошюра с описанием транзисторов 331 • низкое напряжение (макс. Применения • коммутация общего назначения и. Bc331 Паспорт транзистора, pdf, эквивалент bc331.
Параметры и характеристики 20 3 nxp semiconductors product data sheet pnp-резистор с транзистором c 331 брошюра с описанием транзисторов; r1 = 4.7 kω, r2 = открытая серия pdta143t, упрощенная схема, обозначение и закрепление буклета с описанием транзистора c 331. Таблица данных серии DTC143T лабораторные абсолютные максимальные характеристики (ta = 25 ° c) параметр символ значения единица напряжение коллектор-база vcbo 50 в напряжение коллектор-эмиттер vceo 50 в эмиттер-база напряжение vebo 5 в ток коллектора ic 100 ма рассеиваемая мощность. Кремниевый транзистор Toshiba npn тройного диффузионного типа (процесс pct) импульсный стабилизатор 2sc5353 и приложения переключения высокого напряжения приложения для высокоскоростного преобразователя постоянного тока • отличное время переключения: tr = 0.7 мкс (макс.), Tf = 0.
5 мкс (макс) • высокое напряжение пробоя коллектора: vceo = 800 c 331 буклет с описанием транзистора v максимальные номинальные значения (tc = 25 ° c). Ta = c 331 буклет с описанием транзистора 100 ° c 25 ° c – 40 ° c vo = 5v 100μ 200μ c 331 буклет с описанием транзистора 500μ 1m 2m 5m 10m 20m 50m 100m 1k выходной ток: io (a) коэффициент усиления постоянного тока: g i рис. 3 Зависимость усиления постоянного тока от выходного тока ta = 100 ° C 25 ° C – 40 ° C 100μ 200μ 500μ 1м 2м 5м 10м 20м 50м 100м 1 500м 200м 100м 50м 20м 10м 5м 2м 1м lo / li = 20c 331 буклет с описанием транзистора выходной ток: c 331 буклет с описанием транзистора io (a) выходное напряжение.