Справочник по биполярным транзисторам | ||||||||||||||||
| ||||||||||||||||
| Обозначение | Параметр | |||||||||||||||
| B1-B2/Iк | статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; в справочнике приводятся минимальное (B1) и максимальное (B2) значение и ток (Iк) при котором этот параметр определяется | |||||||||||||||
| Fт | предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | |||||||||||||||
| Cк/Uк | емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется | |||||||||||||||
| Cэ/Uк | емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение на коллекторе (Uэ), при котором она измеряется | |||||||||||||||
| Rб*Cк | постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора | |||||||||||||||
| tр | время рассасывания биполярного транзистора | |||||||||||||||
| Uкэ(Iк/Iб) | напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб) | |||||||||||||||
| Uсм | напряжение смещения нуля при дифференциальном включении транзисторов сборки | |||||||||||||||
| B1/B2 | соотношение статических коэффициентов передачи тока биполярных транзисторов в сборке. Характеризует идентичность транзисторов | |||||||||||||||
| Iко | обратный ток коллектора | |||||||||||||||
| Uкб | максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база | |||||||||||||||
| Uэб | максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база | |||||||||||||||
| Uкэ/R | максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R) | |||||||||||||||
| Iкм/Iкнас | предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкнас) или в импульсе | |||||||||||||||
| Pк | максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе | |||||||||||||||
| Pк | максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода | |||||||||||||||
| Пер | тип перехода транзистора | |||||||||||||||
| Цок | номер рисунка с расположением выводов | |||||||||||||||
| ТИП | B1-B2/Iк /мА | Fт МГц | Cк/Uк пФ/В | Cэ/Uэб пФ/В | Rб*Cк псек | Uкэ/(Iк/Iб) | Uсм мВ | B1/B2 | Iко мкА | Uкб В | Uкэ/R В/КОм | Uэб В | Iкм/Iкн мА/мА | Pк мВт | Пер | При. |
| КТС303А2 | 40-180/1 | 300 | 8/5 | 50000 | 0.9/(10/1) | 30 | 0.7 | 0.5 | 45/10 | 100/500 | 250 | NPN и PNP | ||||
| 2Т381А1 2Т381Б1 2Т381В1 2Т381Г1 2Т381Д1 | 50- /0.01 40- /0.01 30- /0.01 – /0.01 20- /0.01 | 4 4 4 | 0.9 0.9 0.85 | 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 | 25 25 25 25 25 | 15/1 15/1 15/1 25/1 15/1 | 6.5 6.5 6.5 6.5 6.5 | 15 15 15 15 15 | 15 15 15 15 15 | N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N | пара пара пара – пара | |||||
| КТС393А9 КТС393Б9 2ТС393А93 2ТС393Б93 | 40-180/1 30-140/1 40-180/1 30-140/1 | 500 500 500 500 | 2/5 2/5 2/5 2/5 | 2/0 2/0 2/0 2/0 | 80 80 80 80 | 0.6(10/1) 0.6(10/1) | 3 5 3 5 | 0.9 0.8 0.9 0.8 | 0.2 0.2 0.2 0.2 | 10 15 10 15 | 10/5 15/5 10/5 15/5 | 4 4 4 4 | 10/20 10/20 10/20 10/20 | 20 20 20 | P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P | |
| КТС394А КТС394Б | 40-120/1 100-300/1 | 300 300 | 8/10 8/10 | 0.3(10/1) 0.3(10/1) | 10 10 | 0.5 0.5 | 45 45 | 45/10 45/10 | 4 4 | 100/ 100/ | 300 300 | P-N-P P-N-P | ||||
| КТС395А КТС395Б | 40-120/1 100-300/1 | 300 300 | 8/10 8/10 | 0.3(10/1) 0.3(10/1) | 10 10 | 0.5 0.5 | 45 45 | 45/10 45/10 | 4 4 | 100/ 100/ | 300 300 | N-P-N N-P-N | ||||
| КТС398А94 КТС398Б94 | 40-250/1 40-250/1 | 1000 1000 | 1.5/5 1.5/5 | 2/1 2/1 | 50 50 | 1.5 3 | 0.8 0.9 | 0.5 0.5 | 10 10 | 10/10 10/10 | 4 4 | 10/20 10/20 | 30 30 | N-P-N N-P-N | ||
| КТС3103А КТС3103Б КТС3103А1 КТС3103Б1 | 40-200/1 40-200/1 40-200/1 40-200/1 | 600 600 600 600 | 2.5/5 2.5/5 2.5/5 2.5/5 | 2.5/0 2.5/0 2.5/0 2.5/0 | 80 80 80 80 | 0.6/(10/1) 0.6/(10/1) 0.6/(10/1) 0.6/(10/1) | 3 5 3 5 | 0.9 0.8 0.9 0.8 | 0.2 0.2 0.2 0.2 | 15 15 15 15 | 15/15 15/15 15/15 | 5 5 5 5 | 20/50 20/50 20/50 20/50 | 300 300 300 300 | P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P | |
| 2ТС3111А1 2ТС3111Б1 2ТС3111В1 2ТС3111Г1 2ТС3111Д1 | 150-400/0.01 150-400/0.01 150-400/0.01 150-400/0.01 150-400/0.01 | 250 250 250 250 250 | 2.5/1 2.5/1 2.5/1 2.5/1 2.5/1 | 2.5/1 2.5/1 2.5/1 2.5/1 2.5/1 | 2 5 10 3 30 | 0.9 0.9 0.9 – 0.5 | 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 | 30 30 30 30 30 | 15/3 15/3 15/3 15/3 15/3 | 7 7 7 7 7 | 1/ 1/ 1/ 1/ 1/ | 10 10 10 10 10 | Uдр= 5мкВ Uдр=10мкВ Uдр=20мкВ – Uдр=30мкВ | |||
| 2ТС3136А1 2ТС3136Б1 | 70- /5 70- /5 | 500 500 | 2/5 2/5 | 2/0 2/0 | 80 80 | 7 7 | 0.8 0.8 | 0.1 0.1 | 10 10 | 10/5 10/5 | 4 4 | 20/50 20/50 | 20 20 | P-N-P P-N-P | ||
| 2Т3155АС1 2Т3155БС1 | 40-250/1 40-250/1 | 1000 1000 | 1.5/5 1.5/5 | 2/1 2/1 | 50 50 | 1.5 3 | 0.8 0.9 | 0.5 0.5 | 10 10 | 10/10 10/10 | 4 4 | 10/20 10/20 | 30 30 | N-P-N N-P-N | ||
| КТ3174АС2 | 80-270/3 | 0.64т/5 | 0.7т/0 | 10 | 0.8 | 1 | 10 | 1 | 7.5/ | 150 | N-P-N | |||||
| 159НТ1А 159НТ1Б 159НТ1В 159НТ1Г 159НТ1Д 159НТ1Е | 20-80 /3 60-180/3 80- /0.05 20-80 /3 60-180/3 80- /0.05 | 200 200 200 200 200 200 | 4/5 4/5 4/5 4/5 4/5 4/5 | 5/1 5/1 5/1 5/1 5/1 5/1 | 3 3 3 – 15 15 | 0.85 0.85 0.85 0.75 0.75 0.75 | 20 20 20 20 20 20 | 20/ 20/ 20/ 20/ 20/ 20/ | 4 4 4 4 4 4 | 10/40 10/40 10/40 10/40 10/40 10/40 | 50 50 50 50 50 50 | N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N | ||||
| 159НТ101А 159НТ101Б 159НТ101В | 30-90 /1 60-180/1 80- /0.05 | 250 250 250 | 3/ 3/ 3/ | 4/ 4/ 4/ | 3 3 3 | 0.9 0.9 0.92 | 0.01 0.01 0.01 | 20 20 20 | 4 4 4 | 10/40 10/40 10/40 | 75 75 75 | N-P-N N-P-N N-P-N | ||||
| 198НТ1А 198НТ1Б | 20-100/0.5 60-250/0.5 | 150 150 | 0.7(3/0.5) 0.7(3/0.5) | 5 5 | 0.85 | 0.1 0.1 | 15 15 | 15/0.4 15/0.4 | 4 4 | 10/30 10/30 | 80 80 | N-P-N N-P-N | ||||
| 198НТ2А 198НТ2Б | 20-100/0.5 60-250/0.5 | 150 150 | 0.7(3/0.5) 0.7(3/0.5) | 5 5 | 0.85 0.85 | 0.1 0.1 | 15 15 | 15/0.4 15/0.4 | 4 4 | 10/30 10/30 | 80 80 | N-P-N N-P-N | Без T4 Без T4 | |||
| 198НТ3А 198НТ3Б | 20-100/0.5 60-250/0.5 | 150 150 | 0.7(3/0.5) 0.7(3/0.5) | 0.1 0.1 | 15 15 | 15/0.4 15/0.4 | 4 4 | 10/30 10/30 | 80 80 | N-P-N N-P-N | Без T1 Без T1 | |||||
| 198НТ4А 198НТ4Б | 20-100/0.5 60-250/0.5 | 150 150 | 0.7(3/0.5) 0.7(3/0.5) | 0.1 0.1 | 15 15 | 15/0.4 15/0.4 | 4 4 | 10/30 10/30 | 80 80 | N-P-N N-P-N | Без T2, T5 Без T2, T5 | |||||
| 198НТ5А 198НТ5Б | 20-100/0.5 60-300/0.5 | 150 150 | 5/3 5/3 | 5/1 5/1 | 2000 2000 | 1 (3/0.5) 1 (3/0.5) | 10 10 | 0.85 0.85 | 0.5 0.5 | 20 20 | 15/0.4 15/0.4 | 4 4 | 10/30 10/30 | 80 80 | P-N-P P-N-P | |
| 198НТ6А 198НТ6Б | 20-100/0.5 60-300/0.5 | 150 150 | 5/3 5/3 | 5/1 5/1 | 2000 2000 | 1 (3/0.5) 1 (3/0.5) | 4 4 | 0.85 0.85 | 0.5 0.5 | 20 20 | 15/0.4 15/0.4 | 4 4 | 10/30 10/30 | 80 80 | P-N-P P-N-P | Без T4 Без T4 |
| 198НТ7А 198НТ7Б | 20-100/0.5 60-300/0.5 | 150 150 | 5/3 5/3 | 5/1 5/1 | 2000 2000 | 1 (3/0.5) 1 (3/0.5) | 0.5 0.5 | 20 20 | 15/0.4 15/0.4 | 4 4 | 10/30 10/30 | 80 80 | P-N-P P-N-P | Без T1 Без T1 | ||
| 198НТ8А 198НТ8Б | 20-100/0.5 60-300/0.5 | 150 150 | 5/3 5/3 | 5/1 5/1 | 2000 2000 | 1 (3/0.5) 1 (3/0.5) | 0.5 0.5 | 20 20 | 15/0.4 15/0.4 | 4 4 | 10/30 10/30 | 80 80 | P-N-P P-N-P | Без T2, T5 Без T2, T5 | ||
| 1129НТ1В | 80-360/ | 3/ | 0.01 | 15 | 13/ | 4 | 10/40 | 75 | ||||||||
| 1133НТ1А 1133НТ1Б | 100-350/ 100-350/ | 0.2 0.2 | 3 10 | 15 15 | 15/ 15/ | 4 4 | 10/30 10/30 | 100 100 | N-P-N N-P-N | |||||||
| 1133НТ5А 1133НТ5Б | 100-350/ 100-350/ | 0.5 0.5 | 5 5 | 0.07 | 15 30 | 15/ 30/ | 4 4 | 10/30 10/30 | 120 120 | P-N-P P-N-P |
Петухов В. М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные. Том 2
Петухов В. М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Биполярные транзисторы средней и большой мощности низкочастотные. Том 2
Предисловие
В справочнике приводится электрические и эксплуатационные характеристики и параметры биполярных транзисторов средней и большой мощности, используемых в выходных каскадах усилителей мощности, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, генераторах кадровой и строчной разверток, низковольтных и высоковольтных преобразователя и стабилизаторах постоянного напряжения, электронных регуляторах напряжения, переключающих устройствах, устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и др
Настоящий справочник является второй книгой базового издания по транзисторам. В первую книгу включены сведения о транзисторах биполярных и полевых малой мощности, в третью – сведения о полевых и высокочастотных биполярных транзисторах средней и большой мощности, в четвертую – сведения о сверхвысокочастотных биполярных транзисторах средней и большой мощности.
Базовое издание по перечисленным группам приборов отличается от предшествующих справочников расширенной номенклатурой приборов и большей полнотой сведений о параметрах и их зависимостях от режимов применения. В него включены как вновь разработанные приборы, так и находящиеся в составе эксплуатируемых радиоэлектронной аппаратуры, но уже не рекомендованные к применению в новых разработках.
Справочные сведения составлены на основе данных, зафиксированных в государственных стандартах и технических условиях на конкретные типы приборов. Сохранена форма представления данных в виде отдельных справочных листов на каждый тип прибора, а также зарекомендовавшая себя положительно структура представления данных, принятая в более ранних изданиях аналогичных справочников: приведены краткие сведения о технологии, основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, значениях параметров и их зависимостях от условий эксплуатации, режимах измерения, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы приборов. В части «Общие сведения» приводятся классификация приборов и система их условных обозначений. Для полноты сведений о приборах, помещенных в справочнике, дается перечень действующих стандартов. Для некоторых типов транзисторов, сведения о которых публиковались в вышедших ранее справочниках, с целью сокращения объема зависимости параметров от электрических режимов не приводятся.
…
| Параметр | Обозначение | Еди- ница | Тип транзистора | ||||||
| ГТ108А | ГТ108Б | ГТ108В | ГТ108Г | ГТ109А | ГТ109Б | ГТ109В | |||
| Обратный ток коллектора при UКБ, В*1 | IКБО | мкА | 10/5 | 10/5 | 10/5 | 10/5 | 5/5 | 5/5 | 5/5 |
| Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1 | IЭБО | мкА | 15/5 | 15/5 | 15/5 | 15/5 | 5/5 | 5/5 | 5/5 |
| Режим измерения h-параметров | |||||||||
| напряжение коллектора | UК | В | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
| ток коллектора | IК | мА | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| Входное сопротивление | h11б | Ом | 15 | 15 | 15 | 15 | 27 | 27 | 27 |
| Коэффициент передачи тока | h21э | – | 20…50 | 35…80 | 60…130 | 110…250 | 20…50 | 35…80 | 60…130 |
| Коэффициент обратной связи | h12б | – | – | – | – | 0,5·10-3 | 0,5·10-3 | 0,5·10-3 | 0,5·10-3 |
| Выходная полная проводимость | h22б | мкСм | – | – | 3,3 | 3,3 | 3,3 | 3,3 | 3,3 |
| Предельная частота коэффициента передачи | fh21б | МГц | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| Емкость коллекторного перехода | Cк | пФ | 50 | 50 | 50 | 50 | 30 | 30 | 30 |
| Постоянная времени цепи
обратной связи | τк | пс | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 |
| Коэффициент шума | Kш | дБ | – | – | – | – | – | – | – |
| Максимально допустимые параметры | |||||||||
| постоянное напряжение
коллектор-база | UКБ max | В | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
| постоянное напряжение коллектор-эмиттер | IUKЭ max | В | 10 | 10 | 10 | 10 | 6 | 6 | 6 |
| постоянный ток коллектора | IК max | мА | 50 | 50 | 50 | 50 | 20 | 20 | 20 |
| импульсный ток коллектора | IK и max | мА | – | – | – | – | – | – | – |
| рассеиваемая мощность без теплоотвода | Pmax | мВт | 75 | 75 | 75 | 75 | 30 | 30 | 30 |
| Максимальная температура окружающей среды | Tmin | °С | +55 | +55 | +55 | +55 | +55 | +55 | +55 |
| Минимальная температура окружающей среды | Tmin | °С | -40 | -40 | -40 | -40 | -30 | -30 | -30 |
| Общее тепловое сопротивление транзистора | RТп.с | °С/мВт | 0,8 | 0,8 | 0,8 | 0,8 | – | – | – |
| Тип перехода, материал | p-n-p германий | ||||||||
| Конструкция, цоколевка (номер рисунка) | Рис.1 б | Рис.1 в | |||||||
| Основное назначение | Для усилителей и генераторов в малогабаритных радиовещательных приемниках | Для
усилителей радиовещательных приемников; ГТ109Е в медицинской
аппаратуре; ГТ109Ж для часовых механизмов | |||||||
Подборка справочных данных на отечественные биполярные транзисторы малой, средней и большой мощности. В основном производства советского союза Полупроводниковые приборы малой мощности имеют допустимую мощность рассеяния в коллекторном переходе до 0,3 Вт . (Под мощностью в данной классификации подразумевается мощность, выделяемая на коллекторном переходе полупроводника) Отвод тепла от коллекторного перехода к корпусу у них происходит вдоль тонкой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. Рассчитываются для работы без специальных теплоотводящих устройств (радиаторов).Все внешние выводы расположены по диаметру донышка и в обычно средний вывод является базовым, а эмиттерный расположен чкть ближе к базовому, чем коллекторный. К этим полупроводникам относят приборы с рассеиваемой мощностью в интервале от 0,3 до 1,5 Вт Для транзисторов большой мощности рассеиваемая мощность превышает 1,5 Вт. Корпус – это основная и самая габаритная часть конструкции абсолютно любого транзистора, выполняющая защитную функцию от внешних воздействий и используемая также для соединения с внешними схемами с помощью металлических выводов. Типы корпусов зарубежных транзисторов стандартизованы для простоты процесса изготовления и применения изделий в радиолюбительской практике. Число типовых транзисторов в настоящее время исчисляется сотнями. Каждый полупроводниковый прибор, в том числе и транзистор, имеет свое уникальное обозначение, по которой можно его идентифицировать из кучи других радиокомпонентов и деталей. Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является монокристалл полупроводника типа п или р, в котором с помощью примесей созданы три области с электронной и дырочной электропроводимостью, разделенные двумя p-n переходами (смотри рисунок в верхней части страницы). Если средняя область имеет электронную проводимость типа п, а две крайние дырочную типа р, то такой транзистор имеет структуру р-п-р в отличие от транзисторов п-р-п, имеющих среднюю область с дырочной, а крайние области с электронной проводимостями. Средняя область 1 кристалла полупроводника с n-проводимостью называется базой. Одна крайняя область 2 с р-проводимостью, инжектирующая (эмиттирующая) неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, осуществляющая экстракцию (выведение) носителей заряда из базы, – коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным 4 и коллекторным 5 р-п-переходами. От базы 1, эмиттера 2 и коллектора 3 сделаны металлические выводы (Б, Э, К), которые проходят через изоляторы в дне корпуса. Транзисторы изготовляют в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах, а также без корпусов. Бескорпусные транзисторы защищены от влияния внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизируются совместно с устройством, в котором они предварительно монтируются. настоящее время большинство транзисторов, в том числе транзисторы интегральных схем, выполняют на основе кремния с плоскостным типом перехода. Применение точечных переходов из-за нестабильности работы ограничено. Базовая область транзисторов выполняется с очень малой толщиной (от 1 до 25 мкм). Различна степень легирования областей. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора. В рабочем режиме к электродам транзисторов подключают постоянные напряжения внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений, к электродам подводят сигналы, подлежащие преобразованию. В связи с этим различают входную цепь, в которую подводят сигнал, и выходную, в которой с нагрузки снимают сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК. В схеме с ОБ входной цепью является цепь эмиттера, а выходной – цепь коллектора. В схеме с ОЭ входной является цепь базы, а выходной- цепь коллектора. В схеме с ОК входной является цепь базы, а выходной – цепь эмиттера. Физические процессы, протекающие в транзисторах со структурой р-п-р и п-р-п, одинаковы. В транзисторах п-р-п в отличие от транзисторов р-п-р подается напряжение обратной полярности и токи имеют противоположное направление. В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различают активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы включения транзистора. Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается прямое, а на коллекторный- обратное напряжение. В активном режиме эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию (выведение) неосновных носителей из базовой области. В режиме отсечки к обоим переходам подводятся обратные напряжения, при которых ток через транзистор ничтожно мал. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в обоих переходах происходит инжекция носителей; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется током входной цепи; транзистор полностью открыт. В режимах отсечки и насыщения обычно используется транзистор в схемах электронных переключателей. В инверсном режиме меняют функции эмиттера и коллектора, подключив к коллекторному переходу прямое, а к эмиттерному–обратное напряжение. Однако из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в областях коллектора и эмиттера инверсное включение транзистора неравноценно его нормальному включению в активном режиме. |
Силовые транзисторы справочник. Транзисторы отечественные биполярные — справочник. Логические ИС КР1533, КР1554. Справочник
- 20.09.2014
Общие сведения об электропроводках Электропроводкой называется совокупность проводов и кабелей с относящимися к ним креплениями, поддерживающими и защитными конструкциями. Скрытая электропроводка имеет ряд преимуществ перед открытой: она более безопасна и долговечна, защищена от механических повреждений, гигиенична, не загромождает стен и потолков. Но она дороже, и ее труднее заменить при необходимости. …
- 27.09.2014
На основе К174УН7 можно собрать не сложный генератор с 3 под диапазонами: 20…200, 200…2000 и 2000…20000Гц. ПОС определяет частоту генерируемых колебаний, она построена на элементах R1-R4 и С1-С6. Цепь отрицательной ОС уменьшающая нелинейные искажения сигнала и стабилизирующая его амплитуду образована резистором R6 и лампой накаливания Н1. При указных номиналах схемы …
- 23.09.2014
Назначение: на основе предложенной схемы можно собрать уст-во которое будет считать прохожих, включать свет при проходе через дверь, охранную сигнализацию и тому подобное. Излучатель ИК VD4 на АЛ147А (он установлен в пультах ДУ ТВ типа 4-УСЦТ) излучает сигнал промодулированный импульсами 1000Гц. Генератор — источник импульсов выполнен на VT2 VT3. Частота …
- 05.10.2014
Источник вырабатывает двух полярное напряжение от 5 до 17В при токе нагрузке до 20А, при этом уровень пульсации 1 В при 17В установленном напряжении и токе на нагрузке 20А. Напряжение с трансформатора поступает на однополупериодные выпрямители на VD1-VD3 и С1-С3. Параллельное включение 3-х диодов необходимо для уменьшения рассеивающей мощности. Конденсаторы …
- 27.01.2017
KA78RXXC — линейка стабилизаторов с выходными напряжениями 3,3В, 5В, 9В, 12В и 15В и выходным током до 1 А. Стабилизаторы имеют малое падение напряжения 0,5 В и функцию отключения. Технические характеристики: Выходное напряжение (мин. / номин. / макс.): KA78R33C — 3.22 / 3.3 / 3.38 В KA78R05C — 4.88 / …
Справочник содержит Техническую документацию в формате.PDF на более чем 3500 типов микросхем памяти. Вся техническая документация на микросхемы памяти отсортирована по фирмам производителям микросхем памяти. Каждый файл можно скачать отдельно. Скачать файл содержания всех архивов 86 КБ, формат.xls Фирмы производители: ALLIANCE – размер файла 16 МБ. AMD – размер файла 15 МБ. ATMEL – размер файла 30 МБ. CATALYST – размер файла 2, 8 МБ. CROSSLINK – размер файла 5, 3 МБ. CYPRESS – размер файла 44 МБ.
Приведены технические характеристики действующего и нового электрооборудования: трансформаторов, электродвигателей, коммутационных аппаратов, кабельных и воздушных линий и т. д. Даны сведения по электрическим измерениям, электротехническим материалам, режимам нейтрали, нормам качества электроэнергии, осветительным устройствам и т. д. Книга предназначена для инженеров, техников и мастеров, работающих по эксплуатации систем электроснабжения как в промышленности, так и в сельском хозяйстве.
В первом томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых диодов – выпрямительных диодов и столбов, диодных сборок, блоков модулей и матриц. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зарубежные аналоги полупроводниковых диодов, помещенных в справочнике, и названия фирм-изготовителей.
Данная книга посвящена маркировке микросхем, тиристоров, приборов индикации, звуковой сигнализации, коммутации и защиты электрических цепей. Помимо сведений по маркировке приведены типовые схемы включения, установочные размеры, логотипы и буквенные сокращения при маркировке микросхем ведущих зарубежных производителей. Представлена полезная информация, которая в целом поможет определить тип и назначение элемента, подобрать ему замену с учетом площади, определенной ему на плате. Книга предназначена для специалистов по ремонту радиоэлектронной аппаратуры, а также широкого круга радиолюбителей.
При практической работе, связанной в первую очередь с ремонтом электронной техники, возникает задача определить тип электронного компонента, его параметры, расположение выводов, принять решение о прямой замене или использовании аналога. В большинстве существующих справочников приводится информация по отдельным типам радиокомпонентов (транзисторы, диоды и т. д.). Однако ее недостаточно, и необходимым дополнением к таким книгам служит данное справочное пособие. Представляемая читателю книга по маркировке электронных компонентов содержит в отличие от издававшихся ранее подобных изданий, больший объем информации.
В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики зарубежных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные размеры корпусов указаны в российском стандарте, с указанием допусков по данным фирм изготовителей. В справочнике имеются также зарубежные аналоги транзисторов (причем помещены также аналоги приборов снятых с производства) и перечень фирм изготовителей. Для удобства работы со справочником составлен указатель типов приборов, по которому читатель с невероятной легкостью найдет необходимый ему прибор.
Во втором томе справочного издания приводятся данные по элект рическим параметрам габаритным размерам, предельным эксплуата ционным характеристикам сведения по основному функциональному назначению отечественных силовых тиристоров Приводятся динами-ческие импульсные частотные температурные зависимости парамет ров а также описываются особенности применения тиристоров в ра диоэлектронной аппаратуре Для инженерно-технических рабогникои занимающихся разработ кой эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры Год выпуска: 2002
Приведены данные по зарубежным аналогам микросхем со ветского производства применяемым в бытовой радиоаппара туре, включая конструктивное исполнение и функциональное назначение. Содержит информацию по более чем 600 наиме нований микросхем. Для специалистов по ремонту импортной бытовой радиоап паратуры, а также широкого круга радиолюбителей. Год выпуска: 1992 Автор: Пирогов Е.В. Жанр: Справочник Издательство: М.: БИАР Формат: DjVu Размер: 1, 4 МБ Качество: Отсканированные страницы Количество страниц: 48 Скачать книгу >>> Отечественные аналоги зарубежных микросхем для бытовои радиоаппара туры: Справочник Программа для чтения книги: DjVuReader СОДЕРЖАНИЕ Предисловие Фирменные знаки и сокращенные обозначен фирм изготовителей микросхем 1.
В справочнике содержится подробная информация по современным логическим ИС; быстродействующим маломощным ТТЛШ микросхемам серии КР1533 и быстродействующим КМОП микросхемам серии КР1554 Серия КР1533 Маломощные быстродействующие цифровые интегральные микросхемы серии KPJ53S предназначены для орга низации высокоскоростного обмена и обработки цифровой информации, вре менного и электрического согласования сигналов в вычислительных системах. Микросхемы серии КР1533 по сравне нию с известными сериями логических ТТЛ микросхем обладают минималь ным значением произведения быстро действия на рассеиваемую мощность.
Цель издания настоящего справочника из серии “Ин тегральные микросхемы” – предоставить разработчи кам и техническим специалистам наиболее полную ин формацию по всему спектру микросхем АЦП и ЦАП, уст ройств выборки и хранения (УВХ), систем сбора данных, а также преобразователей напряжение – частота (ПНЧ) и частота – напряжение (ПЧН). По сравнению с первым выпуском справочника “Мик росхемы для аналого-цифрового преобразования и средств мультимедиа”, вышедшим в 1996 году, в котором были представлены микросхемы АЦП серий 572 и 1175, а также их аналоги, настоящее издание существенно рас ширено.
Справочные данные биполярных транзисторов
От составителя
Настоящий справочник является попыткой совместить в одном издании полноту охвата приборов, компактность представления информации, а также удобство ее использования.
Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей.
В справочнике представлены основные электрические параметры биполярных транзисторов. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, а также типовая область применения биполярных транзисторов. Описанный подход позволил создать компактный, удобный и недорогой справочник, который принесет практическую пользу его владельцу.
В справочнике собраны параметры биполярных транзисторов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.
Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.
Как появился этот справочник? В середине 70-х годов, составитель справочника столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.
1. Большая избыточность:
А) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;
б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;
в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.
2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.
3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по таким критериям как мощность рассеивания, рабочая частота, тип перехода. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался по аналогичным принципам. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.
4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.
Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.
Справочник составлен в 1993 году, переведен в HTML в 2000 году.
Составитель: Козак Виктор Романович, email: kozak @ inp.nsk.su
Для радиолюбителей, скачать справочник радиодеталей по транзисторам, микросхемам, SMD компонентам отечественного и импортного производства.
Справочник «микросхемы современных телевизоров». В этом справочном пособии собраны данные о наиболее распространенных интегральных микросхемах, которые применяются в современной телевизионной технике. В книге представлена справочная информация о более чем 100 микросхемах таких известных фирм-производителей, как SAMSUNG, SANYO, SONY, SIEMENS, MATSUSHITA, PHILIPS, SGS-THOMSON и других.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,29Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «микросхемы для современных мониторов». Данная книга является справочным пособием по микросхемам для современных LCD и CRT мониторов. В ней приведена исчерпывающая информация о 150 микросхемах ведущих производителей полупроводниковых компонентов для мониторов.
Формат книги DjView. Размер архива – 5,77Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры». В этом справочнике представлена полная информация о номенклатуре, изготовителях, параметрах, корпусах и аналогах 5000 наименований транзисторов!
Формат книги DjView. Размер архива – 16,4Mb СКАЧАТЬ
Сборник их 3х справочников по импортным микросхемам, транзисторам, диодам, тиристорам и SMD компонентам. Книга 1 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от A до R . Приводятся характеристики, цоколевка, аналоги и производители компонентов.
Размер файла – 198Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files
Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 2 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с буквенным индексом от R до Z .
Размер файла – 319Mb. Формат книги DjView. Скачать с Deposit Files
Справочник по импортным микросхемам, тиристорам, диодам, транзисторам и SMD компонентам. Книга 3 из 3х . В этом справочнике представлена информация по радиоэлектронным компонентам зарубежных производителей с цифровым индексом от 0 до 9 .
Размер файла – 180Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ
Справочник по активным SMD компонентам. Приводятся SMD коды для 33 тысяч транзисторов, тиристоров, микросхем и диодов, типовые схемы включения SMD микросхем, маркировка, характеристики, замена.
Размер архива – 16Mb. Формат книги DjView. СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 1. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочнике.
Формат книги DjView. Размер архива – 6,19Mb СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 2. Во втором томе справочника приводится информация по низкочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.
Формат книги DjView. Размер архива – 5,62Mb. СКАЧАТЬ
Справочник «транзисторы и их зарубежные аналоги» том 3. В третьем томе приводится справочная информация по полевым и высокочастотным биполярным транзисторам средней и большой мощности с указанием их зарубежных аналогов.
Формат книги DjView. Размер архива – 6,28Mb . СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей» том 1. В книге приведены данные по буквенной, цветовой и кодовой маркировке компонентов, по кодовой маркировке зарубежных полупроводниковых приборов для поверхностного монтажа (SMD). Приведены рекомендации по использованию и проверке исправности электронных компонентов.
Формат книги DjView. Размер архива – 8Mb СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей» том 2. В этой книге читатель найдет много полезной информации по маркировке микросхем, некоторых типов полупроводниковых приборов, установочных и коммутационных изделий и много другой полезной информации.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,95Mb СКАЧАТЬ
Справочник «маркировка радиодеталей». В книге описана система маркировки отечественных и зарубежных: резисторов, конденсаторов, индуктивностей, кварцевых резонаторов, пьезоэлектрических и ПАВ-фильтров, полупроводниковых приборов, SMD-компонентов, микросхем. Описаны особенности тестирования электронных компонентов.
Формат книги DjView. Размер архива – 3,60Mb СКАЧАТЬ
Справочник по микросхемам для импортных телевизоров. В книге на Русском языке приводятся структурные схемы и назначение выводов более трехсот микросхем, применяемых в европейских и восточно-азиатских цветных телевизорах. Описание каждого прибора сопровождается функциональными диаграммами и характеристиками.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 16Mb СКАЧАТЬ
Справочник по микросхемам для аудио и радиоаппаратуры: генераторы, ключи и переключатели, УНЧ, малошумящие и предварительные усилители, операционные усилители, регуляторы громкости и тембра, схемы управления индикаторами. В книге представлены основные особенности, цоколевки, структурные схемы и типовые схемы применения свыше 300 типов микросхем для аудиотехники.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 10,7Mb СКАЧАТЬ
Справочник по интегральным микросхемам для промышленной электронной аппаратуры. В книге приведены условные обозначения, электрические параметры, структурные схемы, функциональное назначение (цоколевка) и конструкции корпусов широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,68Mb СКАЧАТЬ
Лучший в Европе справочник по УНЧ . В нем обобщены и систематизированы сведения о большинстве ИМС УНЧ в интегральном исполнении, выпускаемых мировыми производителями. Приведены наиболее важные характеристики микросхем, типы корпусов, цоколевка, внешний вид, аналоги, производители, функциональное назначение .
Формат книги DjWiev. Размер архива – 19,9Mb СКАЧАТЬ
Справочник по интегральным микросхемам для телевидения. В книге дан обзор интегральных микросхем, применяемых в современных телевизионных приемниках, видео- и аудиотехнике. Приведены основные параметры и характеристики микросхем, блок-схемы внутренней структуры и типовые схемы их включения.
Формат книги DjWiev. Размер архива – 2,30Mb СКАЧАТЬ
Цоколевки 1 – 15
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах
импульсные высоковольтные транзисторы
составные транзисторы для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты
для работы в схемах преобразователей постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах, ключевых схемах
составные транзисторы для работы в усилителях низкой частоты, импульсных усилителях мощности, стабилизаторах тока и напряжения, повторителях, переключателях, в электронных системах управления, в схемах автоматики и защиты
для работы в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах составные транзисторы для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах
для работы в ключевых и линейных схемах, преобразовательных и других устройствах вторичных источников питания
для работы в ключевых и линейных схемах, преобразовательных и других устройствах вторичных источников питания
работа в схемах регуляторов тока и напряжения в ключевых схемах
работа в ключевых усилителях мощности, вторичных источниках питания, усилителях и преобразователях
для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания
для применения в усилителях и переключающих устройствах для каскадов горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств
работа во вторичных источниках питания и высоковольтных ключевых схемах для телевизоров “Электроника Ц-402” и для ключевых источников питания
работа в ключевых схемах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях линейных стабилизаторов напряжения
работа в схемах мощных преобразователей, линейных стабилизаторов напряжения для применения в источниках вторичного электропитания работа в ключевых и импульсных схемах работа в ключевых и импульсных схемах
для каскадов горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств работа во вторичных источниках питания и переключающих устройствах
Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник » MIRLIB.RU
Название: Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Автор: Авраменко Ю.Ф.
Издательство: Додэка-ХХI
Год: 2006
Страниц: 544
ISBN: 5-94120-126-5
Формат: DjVu
Размер: 87 Мб
Язык: русский
Серия: Элементная база
В справочнике приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео- и аудиотехнике.
В книге представлены изделия следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS, SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. Таблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement Guide.
Справочник рассчитан на специалистов, занимающихся обслуживанием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.
Содержание
Алфавитный список полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства FAIRCHILD
FJA13009; FJAF6806D; FJAF6808D; FJAF6810; FJAF6810D; FJAF6812; FJAF6815; FJAF6820; FJAF6910; FJAF6916; FJAF6920; FJD5304D; FJE3303; FJE5304D; FJL6820; FJL6825; FJL6920; FJN13003; FJP3305; FJP5021; FJP5304D; FJP5321; FJP5355; FJP5554; FJP5555; FJPF13007; FJPF13009; FJPF3305; FJPF5021; FJPF5027; FJPF5321; FJPF5555; FJPF6806D; KSA1156; KSC2233; KSC2333; ICSC2335; KSC2518; KSC2751; KSC2752; KSC3552; KSC5026M; KSC5027; KSC5039F; KSC5042F; KSC5042M; KSC5338D; KSC5338DW; KSC5367F; KSC5386; KSC5504D; KSC5504DT; KSC5801; KSC5802; KSC5803; KSD362; KSD363; KSD5701; KSD5703; KSD5707; KSE5020
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства HITACHI
2SC1942; 2SC2928; 2SC3025; 2SC3026; 2SC3322; 2SC3336; 2SC3365; 2SC3658; 2SC3659; 2SC4589; 2SC4692; 2SC4742; 2SC4743; 2SC4744; 2SC4745; 2SC4746; 2SC4747; 2SC4789; 2SC4796; 2SC4797; 2SC4877; 2SC4878; 2SC4879; 2SC4880; 2SC4897; 2SC4927; 2SC4928; 2SC4962; 2SC5058; 2SC5068A; 2SC5105; 2SC5132A; 2SC5207A; 2SC5219; 2SC5250; 2SC5251; 2SC5252; 2SC5447; 2SC5448; 2SC5470; 2SD2294; 2SD2295; 2SD2296; 2SD2297; 2SD2298; 2SD2299; 2SD2300; 2SD2301; 2SD2311; 2SD2337; 2SD2342; 2SD2381; 2SD2491; 2SD2492
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ON SEMICONDUCTOR (MOTOROLA)
BU406 81; BU407; BUL44; BUL45; BUV21; BUV22; BUV26; BUX85; MJE13003; MJE13005; MJE13007; MJE13009; MJE16002; MJE16004; MJE16106; MJE18002; MJE18004; MJE18206; MJF18002; MJF18004; MJF18206; MJW16212
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PANASONIC
2SC3506; 2SC3507; 2SC3974; 2SC4420; 2SC5243; 2SC5244; 2SC5244A; 2SC5270; 2SC5270A; 2SC5406; 2SC5406A; 2SC5407; 2SC5412; 2SC5423; 2SC5440; 2SC5478; 2SC5513; 2SC5514; 2SC5515; 2SC5516; 2SC5517; 2SC5518; 2SC5519; 2SC5546; 2SC5552; 2SC5553; 2SC5583; 2SC5584; 2SC5591; 2SC5597; 2SC5622; 2SC5686; 2SC5739; 2SC5779; 2SC5788; 2SC5884; 2SC5885; 2SC5902; 2SC5904; 2SC5905; 2SC5909; 2SC5912; 2SC5913; 2SC5914; 2SC5931; 2SC5993; 2SC6012; 2SD1439; 2SD1440; 2SD1441; 2SD1541; 2SD1632; 2SD1729; 2SD1730; 2SD1731; 2SD1732; 2SD1739; 2SD1846; 2SD1849; 2SD1850; 2SD2057
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства PHILIPS
BU505; BU505D; BU505DF; BU505F; BU506; BU506D; BU506DF; BU506F; BU508AF; BU508AW; BU508DF; BU508DW; BU1506DX; BU1507AX; BU1507DX; BU1508AX; BU1508DX; BU2506DF; BU2506DX; BU2507AF; BU2507AX; BU2507DF; BU2507DX; BU2508A; BU2508AF; BU2508AW; BU2508AX; BU2508D; BU2508DF; BU2508DW; BU2508DX; BU2515AF; BU2515AX; BU2515DF; BU2515DX; BU2520A; BU2520AF; BU2520AW; BU2520AX; BU2520D; BU2520DF; BU2520DW; BU2520DX; BU2522A; BU2522AF; BU2522AW 145; BU2522AX; BU2522DF; BU2522DX; BU2523AF; BU2523AX; BU2523DF; BU2523DX; BU2525A; BU2525AF; BU2525AW; BU2525AX; BU2525DF; BU2525DW; BU2525DX; BU2527A; BU2527AF; BU2527AW; BU2527AX; BU2527DF; BU2527DX; BU2530AL; BU2530AW; BU2532AL; BU2532AW; BU2708AF; BU2708AX; BU2708DF; BU2708DX; BU2720AF; BU2720AX; BU2720DF; BU2720DX; BU2722AF; BU2722AX; BU2722DF; BU2722DX; BU2725AF; BU2725AX; BU2725DF; BU2725DX; BU2727A; BU2727AF; BU2727AW; BU2727AX; BU2730AL; BU4506AF; BU4506AX; BU4506AZ; BU4506DF; BU4506DX; BU4506DZ; BU4507AF; BU4507AX; BU4507AZ; BU4507DF; BU4507DX; BU4507DZ; BU4508AF; BU4508AX; BU4508AZ; BU4508DF; BU4508DX; BU4508DZ; BU4515AF; BU4515AX; BU4515DF; BU4515DX; BU4522AF; BU4522AX; BU4522DF; BU4522DX; BU4523AF; BU4523AW; BU4523AX; BU4523DF; BU4523DW; BU4523DX; BU4525AF; BU4525AL; BU4525AW; BU4525AX; BU4525DF; BU4525DL; BU4525DW; BU4525DX; BU4530AL; BU4530AW; BU4530AX; BU4540AL; BU4540AW; BU4550AL; BUJ101A; BUJ101AU; ВUJ101АХ; BUJ103A; BUJ103AU; ВUJ103АХ; BUJ105A; BUJ105AB; BUJ105AX; BUJ106A; BUJ106AX; BUJ202A; BUJ202AX; ВUJ204А; ВUJ204АХ; ВUJ205А; ВUJ205АХ; BUJ301A; ВUJ301АХ; BUJ302A; BUJ302AX; ВUJЗОЗА; ВUJ303АХ; BUJ304A; BUJ304AX; BUJ403A; BUJ403AX; ВUJ403ВХ; BUT11; BUT11A; BUT11AF; BUT11AI; BUT11AX; BUT11APX; BUT11APX-1200; BUT11F; BUT11XI; BUT12; BUT12A; BUT12AF; BUT12AI; BUT12F; BUT12XI; BUT18; BUT18A; BUT18AF; BUT18F; BUW11AF; BUW11F; BUW11AW; BUW11W; BUW13AF; BUW13F; BUW13AW; BUW13W; BUW14; BUX84; BUX84F; BUX84S; BUX85; BUX85F; BUX86P; BUX87P; BUX87-1100
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SAMSUNG
KSD5001; KSD5002; KSD5003; KSD5004; KSD5005; KSD5007; KSD5011; KSD5013; KSD5015; KSD5017
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANKEN
2SC3678; 2SC3679; 2SC3680; 2SC3830; 2SC3831; 2SC3832; 2SC3833; 2SC3890; 2SC3927; 2SC4020; 2SC4130; 2SC4138; 2SC4139; 2SC4140; 2SC4296; 2SC4297; 2SC4298; 2SC4299; 2SC4300; 2SC4304; 2SC4418; 2SC4434; 2SC4445; 2SC4517; 2SC4517A; 2SC4518; 2SC4518A; 2SC4546; 2SC4557; 2SC4662; 2SC4706; 2SC4907; 2SC4908; 2SC5002; 2SC5003; 2SC5071; 2SC5124; 2SC5130; 2SC5239; 2SC5249; 2SC5271; 2SC5287
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SANYO
2SA1402; 2SA1403; 2SA1404; 2SA1405; 2SA1406; 2SA1407; 2SA1474; 2SA1475; 2SA1476; 2SA1536; 2SA1537; 2SA1538; 2SA1539; 2SA1540; 2SA1541; 2SA1967; 2SA1968LS; 2SC3176; 2SC3591; 2SC3595; 2SC3596; 2SC3597; 2АС3598; 2SC3599; 2SC3600; 2SC3601; 2SC3636; 2SC3637; 2SC3638; 2SC3642; 2SC3643; 2SC3675; 2SC3676; 2SC3685; 2SC3686; 2SC3687; 2SC3688; 2SC3780; 2SC3781; 2SC3782; 2SC3894; 2SC3895; 2SC3896; 2SC3897; 2SC3950; 2SC3951; 2SC3952; 2SC3953; 2SC3954; 2SC3955; 2SC3956; 2SC3995; 2SC3996; 2SC3997; 2SC3998; 2SC4030; 2SC4031; 2SC4123; 2SC4124; 2SC4125; 2SC4256; 2SC4257; 2SC4271; 2SC4291; 2SC4293; 2SC4411; 2SC4423; 2SC4425; 2SC4426; 2SC4427; 2SC4428; 2SC4429; 2SC4430; 2SC4435; 2SC4437; 2SC4440; 2SC4441; 2SC4450; 2SC4451; 2SC4475; 2SC4476; 2SC4478; 2SC4493; 2SC4563; 2SC4572; 2SC4578; 2SC4579; 2SC4630; 2SC4631; 2SC4632; 2SC4633; 2SC4634; 2SC4635; 2SC4636; 2SC4637; 2SC4660; 2SC4710; 2SC4710LS; 2SC4769; 2SC4770; 2SC4924; 2SC5041; 2SC5042; 2SC5043; 2SC5044; 2SC5045; 2SC5046; 2SC5047; 2SC5238; 2SC5296; 2SC5297; 2SC5298; 2SC5299; 2SC5300; 2SC5301; 2SC5302; 2SC5303; 2SC5443; 2SC5444; 2SC5450; 2SC5451; 2SC5452; 2SC5453; 2SC5506; 2SC5577; 2SC5578; 2SC5637; 2SC5638; 2SC5639; 2SC5680; 2SC5681; 2SC5682; 2SC5683; 2SC5689; 2SC5690; 2SC5696;2SC5698; 2SC5699; 2SC5722; 2SC5723; 2SC5776; 2SC5777; 2SC5778; 2SC5791; 2SC5792; 2SC5793; 2SC5794; 2SC5811; 2SC5899; 2SC5900; 2SC5932; 2SC5933; 2SC5966; 2SC5967; 2SC5968; 2SD1159; 2SD1876; 2SD1877; 2SD1878; 2SD1879; 2SD1880; 2SD1881; 2SD1882; 2SD1883; 2SD1884; 2SD1885; 2SD1886; 2SD1887; 2SD1908; 2SD1958; 2SD2251; 2SD2252; 2SD2578; 2SD2579; 2SD2580; 2SD2581; 2SD2624; 2SD2627LS; 2SD2629; 2SD2634; 2SD2645; 2SD2646; 2SD2648; 2SD2649; 2SD2650; 2SD2658LS; 2SD2688LS; 2SD2689LS; TS7988; TS7990; TS7992; TS7994; TT2138LS; TT2140LS; ТТ2142; TT2170LS; TT2190LS; ТТ2202
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства SHINDENGEN
2SA1598; 2SA1599; 2SA1600; 2SA1601; 2SA1795; 2SA1796; 2SA1876; 2SA1877; 2SA1878; 2SA1879; 2SB1282; 2SB1283; 2SB1284; 2SB1285; 2SB1448; 2SC4051; 2SC4052; 2SC4053; 2SC4054; 2SC4055; 2SC4056; 2SC4057; 2SC4058; 2SC4059; 2SC4060; 2SC4148; 2SC4149; 2SC4150; 2SC4151; 2SC4230; 2SC4231; 2SC4232; 2SC4233; 2SC4234; 2SC4235; 2SC4236; 2SC4237; 2SC4580; 2SC4582; 2SC4583; 2SC4584; 2SC4585; 2SC4663; 2SC4664; 2SC4668; 2SC4669; 2SC4833; 2SC4834; 2SC4876; 2SC4914; 2SC4940; 2SC4941; 2SC4978; 2SC4979; 2SC4980; 2SC4981; 2SC4982; 2SC5241; 2SD1022; 2SD1023; 2SD1024; 2SD1025; 2SD1026; 2SD1027; 2SD1788; 2SD1789; 2SD1790; 2SD1791; 2SD1792; 2SD1793; 2SD1794; 2SD1795; 2SD2196
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства ST – MICROELECTRONICS
BU208A; BU505; BU508A; BU508AFI; BU508DFI; BU808DFI; BUF405A; BUF405AFP; BUF410; BUF410A; BUF420; BUF420A; BUF420M; BUh2015; BUh2015HI; BUh2215; BUh3M20AP; BUh415; BUh415D; BUh415DFH; BUH515; BUH515D; BUH615D; BUH715; BUL1101E; BUL1102E; BUL118; BUL1203E; BUL1403ED; BUL213; BUL216; BUL310; BUL310FP; BUL312FH; BUL312FP; BUL381; BUL381D; BUL382; BUL382D; BUL38D; BUL39D; BUL416; BUL49D; BUL510; BUL57; BUL57FP; BUL58D; BUL59; BUL654; BUL67; BUL742; BUL810; BUL89; BULB128D-1; BULB39D; BULB49D; BULD118D-1; BULK128D; BULT118; BULT118D; BUV48C; BUV48CFI; BUW1015; BUW1215; BUX48C; HD1520FX; HD1530FX; HD1530JL; HD1750FX; HD1750JL; HD1760JL; MD1803DFX; MD2310FX; MJD47T4; MJD49T4; MJD50T4; S2000AFI; SGSF313; SGSF313PI; SGSF344; SGSF464; SGSFI464; ST13003; ST13005; ST13007; ST13007FP; ST13007N; ST13007NFP; ST1802FH; ST1803DFH; ST1803DHI; ST2001FX; ST2009DXI; ST2310DXI; ST2310FX; ST2317DFX; ST2408h2; ST83003; STB13005-1; STD13003-1; STD13003-T4; STD83003-1; STD83003-T4; STK13003; STX13005; THD200F1; THD215HI; THD218DHI; THD277HI
Мощные транзисторы с высокой скоростью переключения производства TOSHIBA
2SC3307; 2SC3425; 2SC3657; 2SC3715; 2SC3716; 2SC3884A; 2SC3885A; 2SC3886A; 2SC3887; 2SC3887A; 2SC3888; 2SC3888A; 2SC3889; 2SC3889A; 2SC3892; 2SC3892A; 2SC3893; 2SC3893A; 2SC4157; 2SC4288; 2SC4288A; 2SC4289; 2SC4289A; 2SC4290; 2SC4290A; 2SC4531; 2SC4532; 2SC4542; 2SC4560; 2SC4608; 2SC4757; 2SC4758; 2SC4759; 2SC4760; 2SC4761; 2SC4762; 2SC4763; 2SC4764; 2SC4765; 2SC4766; 2SC4806; 2SC4830; 2SC4916; 2SC5048; 2SC5129; 2SC5142; 2SC5143; 2SC5144; 2SC5148; 2SC5149; 2SC5150; 2SC5172; 2SC5266; 2SC5279; 2SC5280; 2SC5331; 2SC5332; 2SC5339; 2SC5353; 2SC5354; 2SC5386; 2SC5387; 2SC5404; 2SC5411; 2SC5421; 2SC5422; 2SC5439; 2SC5445; 2SC5446; 2SC5570; 2SC5587; 2SC5588; 2SC5589; 2SC5590; 2SC5612; 2SC5695; 2SC5716; 2SC5717; 2SC5748; 2SC5855; 2SC5856; 2SC5857; 2SC5858; 2SC5859; 2SD1279; 2SD1425; 2SD1426; 2SD1427; 2SD1428; 2SD1429; 2SD1430; 2SD1431; 2SD1432; 2SD1433; 2SD1543; 2SD1544; 2SD1545; 2SD1546; 2SD1547; 2SD1548; 2SD1553; 2SD1554; 2SD1555; 2SD1556; 2SD2089; 2SD2095; 2SD2125; 2SD2253; 2SD2348; 2SD2349; 2SD2428; 2SD2454; 2SD2498; 2SD2499; 2SD2500; 2SD2539; 2SD2550; 2SD2551; 2SD2553; 2SD2559; 2SD2586; 2SD2599; 2SD2638; 2SD811; 2SD818; 2SD819; 2SD820; 2SD821; 2SD822; 2SD868; 2SD869; 2SD870; 2SD871; S2000; S2000A; S2000AF; S2000F; S2000N; S2055; S2055A; S2055AF; S2055F; S2055N
Транзисторы с высокой скоростью переключения производства ZETEX
BST39; FMMT458; FMMT459; FMMT497; FZT458; FZT658; FZT857; FZTA42
Аналоги полупроводниковых приборов, приведенных в справочнике
Типовое использование транзистора с высокой скоростью переключения в схемах строчной развертки
Скачать Авраменко Ю.Ф. – Мощные биполярные транзисторы для импульсных источников питания, TV-приемников и мониторов. Справочник
Нашел ошибку? Есть жалоба? Жми!
Пожаловаться администрации
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
BJT (биполярный переходной транзистор) | Microsemi
Обзор
Биполярные переходные транзисторы, или BJT, обладают более высокой проводимостью, чем МОП-транзисторы, и не требуют отдельных драйверов затвора. Особая сила заключается в том, что они представляют собой усилители тока, способные создавать очень высокие плотности тока. Они могут использоваться в качестве усилителей, переключателей и генераторов и способны работать на очень высоких частотах. Их также можно использовать в качестве датчиков температуры и логарифмических преобразователей.Microsemi предлагает BJT в дискретной конфигурации NPN или PNP, а также в собранном виде, который можно использовать для приложений интерфейса или преобразования мощности.
Microsemi BJT могут использоваться в приложениях Space , Commercial Aviation , Hi-Reliability , Military и Industrial .
Дискретные решения Microsemi соответствуют требованиям MIL-PRF-19500 , и компания имеет более сертификатов DLA , чем любой другой производитель космического уровня.
Приложения
Рекомендуемые приложения для BJT (биполярного переходного транзистора)
Параметрический поиск
- «Предыдущая
- {{n + 1}}
- Следующий ” Показано 2550100 на страницу
| Детали | Статус детали | упаковка Тип | Перевозчик пакетов | {{attribute.имя | noComma}} ({{attribute.type}}) |
В этой категории нет параметрических данных! попробуйте другие категории
Все транзисторы. Техническая спецификация. Поиск по перекрестным ссылкам. База данных транзисторов.
BJT TOP50: 2N2222 | 2N3055 | BC547 | 2N3904 | 2N2222A | BC107 | C945 | BC548 | BD139 | 8050 | S8050 | BC557 | BC337 | TIP31 | D882 | AC128 | BC108 | S9014 | C1815 | BD140 | 2N3906 | S8550 | 8550 | 2SC945 | 2SC5200 | BC547B | 2N5551 | MJE13003 | 9014 | BC549 | BC148 | TIP122 | 9013 | 2N2907 | BC558 | BC327 | C102 | A733 | 2SC1815 | 2N60C | 2N222 | 2N4401 | BC109 | BD135 | S9013 | BC546 | A1015 | 9012 | 431 | 2N3773
MOSFET TOP30: IRF3205 | IRFZ44N | IRF740 | IRF540 | IRF840 | BS170 | IRFZ44 | IRF640 | IRF540N | 2N7000 | IRF630 | IRFP460 | IRFZ46N | IRF530 | IRF1404 | IRF3710 | IRFZ34N | IRFP250 | BUZ11 | RFP50N06 | IRF520 | IRFP450 | IRFB3306 | IRF510 | IRF830 | 2N5484 | IRF730 | IRF150 | STF5N52U | 2360
IGBT TOP15: IRGP4086 | CT60AM-18F | FGPF4633 | G40N60B3 | IRG7IC28U | G20N60B3D | IXGR40N60C2D1 | G7N60C3D | РДЖП30х2ДПД | ИКВ50Н60х4 | 10Н40Ф1Д | GT60M303 | ФГх50Н60СФД | IRG4BC30W-S | IRG4PC50UD
КУПИТЬ ТРАНЗИСТОРЫ
Выбор замены биполярного транзистора
Материал =
Структура =
Pc> W
Vcb> V
Vce> V
Вэб> В
Ic> А
Tj> C
футов> МГц
куб.см пФ
Hfe>
Caps =
R1 = кОм
R2 = кОм
R1 / R2 =
Пустые или нулевые поля при поиске игнорируются!
Как выбрать замену биполярному транзистору 🔗
ИТОГО: 124806 транзисторов
Обзор биполярных транзисторов
Bipolar T ransistor , полное название bipolar junction transistora> (BJT), представляет собой электронное устройство с тремя выводами, состоящее из трех частей полупроводников с разными уровнями легирования.Поток заряда в транзисторе в основном происходит из-за диффузионного и дрейфового движения носителей в PN-переходе.
Работа этого типа транзистора связана с потоком электронов и дырок, поэтому он является биполярным и называется биполярным транзистором-носителем. Этот режим работы отличается от униполярных транзисторов, таких как полевые транзисторы, которые включают дрейф только одного типа несущей. Граница между двумя различными областями накопления примеси образована PN-переходом.
Биполярные транзисторымогут усиливать сигналы и обладают хорошим регулированием мощности, высокой скоростью работы и долговечностью, поэтому их часто используют для формирования схем усилителя или привода динамиков, двигателей и другого оборудования. Они также широко используются в аэрокосмической технике, медицинском оборудовании и роботах.
Основы биполярных транзисторов
Каталог
I Транзистор биполярный и униполярныйБиполярный транзистор – революционное изобретение в истории электроники.Его изобретатели Уильям Шокли, Джон Бардинг и Уолтер Брэтон были удостоены Нобелевской премии по физике в 1956 году.
Работа этого типа транзистора включает поток как электронных, так и дырочных носителей, поэтому он является биполярным и называется биполярным несущим транзистором. Этот режим работы отличается от униполярных транзисторов, таких как полевые транзисторы, которые включают дрейф только одного типа несущей. Граница между двумя различными областями накопления легирующей примеси образована PN-переходом.
БЮТ | полевой транзистор |
Устройство контроля тока | Устройство, управляемое напряжением |
Имеет низкое входное сопротивление | Имеет очень высокое входное сопротивление |
Биполярное устройство | Устройство униполярное |
Более шумный | Менее шумный |
Менее термостабильный | Более стабильная температура |
Обычно большой размер | Обычно маленькие по размеру |
состоят из трех частей полупроводников с различными уровнями легирования .Поток заряда в транзисторе в основном происходит из-за диффузионного и дрейфового движения носителей в PN-переходе. Если взять в качестве примера NPN-транзистор, согласно конструкции электроны в высоколегированной области эмиттера перемещаются к базе посредством диффузии. В основной области дырки являются основными носителями, а электроны – неосновными носителями. Поскольку площадь основания очень тонкая, эти электроны достигают коллектора посредством дрейфующего движения, тем самым формируя ток коллектора, поэтому биполярные транзисторы классифицируются как устройства с неосновными носителями.
Биполярные транзисторымогут усиливать сигналы и обладают хорошим регулированием мощности, возможностью высокоскоростной работы и долговечностью, поэтому они часто используются для формирования схем усилителя или привода динамиков, двигателей и другого оборудования, а также широко используются в аэрокосмической технике, медицинском оборудовании. и роботы.
II Как работает биполярный транзистор?Здесь мы берем биполярный транзистор NPN в качестве цели для обсуждения принципа работы биполярных транзисторов.
Биполярный транзистор типа NPN можно рассматривать как два диода с общим анодом, соединенных вместе. При нормальной работе биполярного транзистора переход база-эмиттер («коллекторный переход») находится в состоянии прямого смещения, в то время как база-коллектор («коллекторный переход») находится в состоянии обратного смещения.
Рисунок 1. Поперечное сечение биполярного транзистора PNP
Когда нет приложенного напряжения, концентрация электронов в N-области эмиттерного перехода (большинство носителей в этой области) больше, чем концентрация электронов в P-области, и часть электронов будет диффундировать в P-область. .Таким же образом часть отверстий в области P также будет распространяться в область N. Таким образом, на эмиттерном переходе образуется область пространственного заряда (также известная как обедненный слой), генерирующая внутреннее электрическое поле, направление которого – от области N к области P. Это электрическое поле будет препятствовать дальнейшему протеканию вышеупомянутого процесса диффузии и достичь динамического баланса.
В это время, если прямое напряжение приложено к эмиттерному переходу, динамический баланс между вышеупомянутой диффузией носителей и внутренним электрическим полем в обедненном слое будет нарушен, что вызовет инжекцию термически возбужденных электронов в базовый регион.В NPN-транзисторе базовая область легирована P-типом, где дырки являются основной примесью, поэтому электроны в этой области называются «неосновными носителями».
С одной стороны, электроны, инжектированные из эмиттера в базовую область, здесь рекомбинируют с дырками основных носителей заряда, с другой стороны, потому что базовая область слабо легирована с тонким физическим размером, а коллекторный переход находится в обратном смещении. В таком состоянии большая часть электронов достигнет области коллектора за счет дрейфующего движения, образуя ток коллектора.
Чтобы минимизировать рекомбинацию электронов до того, как они достигнут коллекторного перехода, базовая область транзистора должна быть сделана достаточно тонкой, чтобы время, необходимое для диффузии носителей, было меньше, чем время жизни неосновных полупроводниковых носителей.
При этом толщина базы должна быть намного меньше диффузионной длины электронов (см. Закон Фика). В современных биполярных транзисторах толщина базовой области обычно составляет несколько десятых микрон.
Следует отметить, что, хотя коллектор и эмиттер легированы N-типом, степень легирования и физические свойства у них не одинаковы. Следовательно, биполярный транзистор следует отличать от двух диодов, соединенных последовательно в противоположных направлениях.
III Типы биполярных транзисторовБиполярный транзистор состоит из трех различных легированных полупроводниковых областей: эмиттерной области , базовой области и области коллектора .Эти области представляют собой полупроводники N-типа, P-типа и N-типа в транзисторах типа NPN и полупроводники P-типа, N-типа и P-типа в транзисторах типа PNP. У каждой полупроводниковой области есть штыревой конец, обычно с буквами E, B и C, обозначающими эмиттер, базу и коллектор.
База физически расположена между эмиттером и коллектором, и она сделана из легированных материалов с высоким удельным сопротивлением. Коллектор окружает основание. Из-за обратного смещения коллекторного перехода отсюда электронам трудно инжектировать в область базы.Это приводит к тому, что коэффициент усиления по току общей базы становится примерно равным 1, в то время как коэффициент усиления по току общего эмиттера больше. Числовое значение.
В биполярном транзисторе NPN площадь коллекторного перехода больше, чем эмиттерного перехода. Кроме того, эмиттер имеет относительно высокую концентрацию легирования.
В нормальных условиях несколько областей биполярных транзисторов имеют асимметричных по физическим свойствам и геометрическим размерам. Предполагая, что транзистор, включенный в схему, расположен в области прямого усилителя, если в это время поменять местами соединение коллектора и эмиттера транзистора в схеме, транзистор выйдет из области прямого усилителя и войдет в обратную рабочую область.
Внутренняя структура транзистора определяет, что он подходит для работы в области прямого усилителя, поэтому коэффициент усиления по току общей базы и коэффициент усиления по току общего эмиттера в обратной рабочей области намного меньше, чем в области прямого усилителя.
Эта функциональная асимметрия в основном связана с разными уровнями легирования эмиттера и коллектора. Следовательно, в NPN-транзисторе, хотя коллектор и эмиттер оба легированы N-типом, электрические свойства и функции обоих не могут быть взаимозаменяемы вообще.
Эмиттерная область имеет наивысшую степень легирования , коллекторная область является второй, а базовая область имеет самую низкую степень легирования. Кроме того, физические размеры трех регионов также различаются. Базовая область очень тонкая, а площадь коллектора больше, чем площадь эмиттера. Поскольку биполярный транзистор имеет такую структуру материала, он может обеспечивать обратное смещение для коллекторного перехода, но при этом предполагается, что обратное смещение не может быть слишком большим, иначе транзистор будет поврежден.Целью сильного легирования эмиттера является повышение эффективности инжекции электронов из эмиттера в базовую область для достижения максимально возможного усиления по току.
При соединении биполярных транзисторов с общим эмиттером небольшие изменения напряжения, приложенного к базе и эмиттеру, вызовут значительные изменения тока между эмиттером и коллектором. Используя это свойство, вы можете усилить входной ток или напряжение.
Что касается базы биполярного транзистора в качестве входа и коллектора в качестве выхода, двухпортовая сеть может быть проанализирована с помощью теоремы Тевенина.Используя принцип эквивалентности, биполярный транзистор можно рассматривать как источник тока, управляемый напряжением, или источник напряжения, управляемый током.
1.
NPN ТипNPN-транзистор – это один из двух типов биполярных транзисторов. Он состоит из двух слоев легированных областей N-типа и слоя легированного полупроводника P-типа (основы) между ними. Крошечный ток, подаваемый на базу, будет усилен, создавая больший ток коллектор-эмиттер.
Когда базовое напряжение NPN-транзистора выше, чем напряжение эмиттера, а напряжение коллектора выше, чем базовое напряжение, транзистор находится в состоянии прямого усилителя.В этом состоянии между коллектором и эмиттером транзистора есть ток. Усиленный ток является результатом того, что электроны инжектируются эмиттером в базовую область (неосновные носители в базовой области) и перемещаются к коллектору под действием электрического поля. Поскольку подвижность электронов выше подвижности дырок , большинство используемых сегодня биполярных транзисторов относятся к типу NPN.
Электрический символ биполярного транзистора NPN показан справа, а стрелка между базой и эмиттером указывает на эмиттер.
Рис. 2. a) Обозначение биполярного транзистора NPN b) Обозначение биполярного транзистора PNP
2.
PNP ТипДругой тип – биполярный транзистор PNP, который состоит из двух слоев легированных областей P-типа и слоя легированных полупроводников N-типа между ними. Крошечный ток, протекающий через базу, может быть усилен на конце эмиттера. Другими словами, когда базовое напряжение PNP-транзистора ниже, чем у эмиттера, напряжение коллектора ниже, чем базовое напряжение, и транзистор находится в области прямого усилителя.
В символе биполярного транзистора стрелка между базой и эмиттером указывает направление тока. В отличие от типа NPN, стрелка транзистора типа PNP указывает от эмиттера к базе.
3.
ГетеропереходБиполярный транзистор с гетеропереходом – это улучшенный биполярный транзистор, который имеет возможность высокоскоростной работы . Исследования показали, что этот транзистор может обрабатывать сверхвысокочастотные сигналы с частотами до нескольких сотен ГГц, поэтому он подходит для приложений, требующих жестких рабочих скоростей, таких как усилители мощности ВЧ и драйверы лазеров.
Гетеропереход – это тип PN-перехода. Два конца этого перехода изготовлены из различных полупроводниковых материалов . В этом типе биполярного транзистора эмиттерный переход обычно имеет структуру гетероперехода, то есть материал с широкой запрещенной зоной используется в области эмиттера, а материал с узкой запрещенной зоной используется в области базы. Обычный гетеропереход использует GaAs для создания основной области и AlxGa1-xAs для создания области эмиттера. С такой структурой гетероперехода можно повысить эффективность инжекции биполярного транзистора, а также повысить коэффициент усиления по току на несколько порядков.
Концентрация легирования в базовой области биполярного транзистора с гетеропереходом может быть значительно увеличена, так что сопротивление базового электрода и ширина базовой области могут быть уменьшены. В традиционном биполярном транзисторе, то есть транзисторе с гомопереходом, эффективность инжекции носителей из эмиттера в базу в основном определяется соотношением легирования эмиттера и базы. В этом случае, чтобы получить более высокую эффективность инжекции, базовая область должна быть слегка легирована, что неизбежно увеличивает базовое сопротивление.
В базовой области состав полупроводникового материала распределен неравномерно, что приводит к постепенному изменению запрещенной зоны базовой области. Эта медленно изменяющаяся ширина запрещенной полосы может создавать внутреннее электрическое поле для неосновных носителей, ускоряющее их через базовую область. Это дрейфовое движение будет иметь синергетический эффект с диффузионным движением, чтобы уменьшить время прохождения электронов через базовую область, тем самым улучшая высокочастотные характеристики биполярного транзистора.
Параметры | Si Биполярный | SiGe HBT | GaAs полевой транзистор | GaAs HEMT | GaAs HBT |
Прирост | Нормальный | Хорошо | Хорошо | Хорошо | Хорошо |
Плотность мощности | Хорошо | Хорошо | Нормальный | Отлично | Хорошо |
КПД | Нормальный | Хорошо | Отлично | Хорошо | Хорошо |
Знак отличия | Отлично | Хорошо | Отлично | Отлично | Хорошо |
Напряжение пробоя | Отлично | Отлично | Хорошо | Хорошо | Хорошо |
Одиночный источник питания | √ | × | × | √ |
Хотя для создания транзисторов с гетеропереходом можно использовать множество различных полупроводников, чаще используются транзисторы с гетеропереходом кремний-германий и транзисторы с гетеропереходом на основе арсенида алюминия и галлия.Процесс изготовления транзисторов с гетеропереходом представляет собой кристаллическую эпитаксию, такую как эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) и молекулярно-лучевая эпитаксия.
IV Параметры1.
Рассеиваемая мощность коллектораМаксимальная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора – это максимальная мощность, при которой устройство может нормально работать при определенной температуре и условиях рассеивания тепла. В тех же условиях, если фактическая мощность превышает это значение, температура транзистора превысит максимально допустимое значение, что ухудшит производительность устройства и даже приведет к физическому повреждению.
2.
Ток и напряжениеКогда ток коллектора увеличивается до определенного значения, хотя биполярный транзистор не будет поврежден, коэффициент усиления по току будет значительно уменьшен. Чтобы транзистор нормально работал, как задумано, необходимо ограничить значение тока коллектора. Кроме того, поскольку биполярные транзисторы имеют два PN перехода, их обратное напряжение смещения не может быть слишком большим, чтобы предотвратить обратный пробой PN перехода.Эти параметры подробно перечислены в таблице данных биполярного переходного транзистора.
Когда напряжение обратного смещения коллектора силового биполярного транзистора превышает определенное значение, а ток, протекающий через транзистор, превышает определенный допустимый диапазон, в результате чего мощность транзистора превышает критическую мощность вторичного пробоя, возникает своего рода возникнет опасное явление « секундная поломка ». В этом случае ток, выходящий за пределы расчетного диапазона, вызовет локальный температурный дисбаланс в различных областях внутри устройства, и температура в некоторых областях будет выше, чем в других областях.
Поскольку легированный кремний имеет отрицательный температурный коэффициент , его проводимость выше, когда он находится при более высокой температуре. Таким образом, более горячая часть может проводить больше тока, и эта часть тока будет генерировать дополнительное тепло, в результате чего локальная температура превысит нормальное значение, и устройство не сможет нормально работать.
Вторичный пробой – это разновидность теплового разгона. При повышении температуры проводимость будет еще больше увеличиваться, вызывая порочный круг и в конечном итоге серьезно разрушая структуру транзистора.Весь процесс вторичной поломки может быть завершен за миллисекунды или микросекунды.
Если эмиттерный переход биполярного транзистора обеспечивает обратное смещение, которое превышает допустимый диапазон и не ограничивает ток, протекающий через транзистор, в эмиттерном переходе произойдет лавинный пробой, который приведет к повреждению устройства.
3.
Температурный дрейфКак аналоговое устройство, все параметры биполярных транзисторов в той или иной степени зависят от температуры, особенно на коэффициент усиления по току.Согласно исследованиям, каждый раз при повышении температуры на 1 градус Цельсия коэффициент усиления тока увеличивается примерно на 0,5–1%.
4.
Радиационная стойкостьБиполярные транзисторы более чувствительны к ионизирующему излучению . Если транзистор находится в среде ионизирующего излучения, устройство будет повреждено излучением. Повреждение происходит из-за того, что излучение вызывает дефекты в области основания, которые образуют центры рекомбинации в энергетической зоне.Это приведет к более короткому сроку службы неосновных носителей, которые работают в устройстве, что, в свою очередь, постепенно снизит производительность транзистора.
Биполярные транзисторытипа NPN имеют большую эффективную площадь рекомбинации носителей в радиационной среде, и отрицательное влияние более значимо, чем у транзисторов типа PNP. В некоторых специальных приложениях, таких как электронные системы управления в ядерных реакторах или космических кораблях, должны использоваться специальные меры для смягчения негативного воздействия ионизирующего излучения.
В Рабочая областьВ зависимости от состояния смещения трех выводов транзистора можно определить несколько различных рабочих областей биполярного транзистора. В полупроводниках NPN (примечание: профили напряжения PNP-транзисторов и NPN-транзисторов прямо противоположны) по смещению эмиттерного перехода и коллекторного перехода рабочую область можно разделить на:
1.
Область усилителя биполярного транзистора(1) Область прямого усилителя
Когда эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный переход – в обратном, транзистор работает в области усилителя.Целью конструкции большинства биполярных транзисторов является получение максимального коэффициента усиления по току с общим эмиттером бф в области прямого усилителя. Когда транзистор работает в этой области, ток коллектор-эмиттер и ток базы примерно линейны. Из-за усиления по току, когда ток базы немного нарушен, ток коллектор-эмиттер значительно изменится.
(2) Область обратного усилителя
Если вышеупомянутые напряжения смещения эмиттера и коллектора транзистора в области прямого усилителя поменять местами, биполярный транзистор будет работать в области обратного усилителя.В этом режиме работы области эмиттера и коллектора работают прямо противоположно тому, что в области прямого усилителя. Однако, поскольку концентрация легирования коллектора транзистора ниже, чем у эмиттера, эффект, производимый областью обратного усилителя, не такой, как в области прямого усилителя.
Целью конструкции большинства биполярных транзисторов является получение максимального усиления по току прямого усилителя. Следовательно, коэффициент усиления по току в области обратного усилителя будет меньше, чем в области прямого усилителя.Фактически, этот режим работы вряд ли принят, но для предотвращения повреждения устройства или других опасностей, вызванных неправильным подключением, его необходимо учитывать при проектировании. Кроме того, некоторые типы биполярных логических устройств также учитывают область обратного усилителя.
Рис. 3. Отсечка и насыщение в прямом и обратном направлении BJT
2. Область насыщенностиКогда два PN перехода в биполярном транзисторе оба смещены в прямом направлении, транзистор будет в области насыщения.В это время ток от эмиттера до коллектора транзистора достигает максимального значения. Даже если базовый ток увеличится, выходной ток больше не будет увеличиваться. Область насыщения может использоваться для обозначения высокого уровня логических устройств.
3.
Обрезной регионЕсли смещение двух PN переходов биполярного транзистора точно противоположно смещению в области насыщения, то транзистор будет в области отсечки.В этом режиме работы выходной ток очень мал (менее 1 мкА для маломощных кремниевых транзисторов и менее даже мкА для германиевых транзисторов), что может быть использовано для представления низких уровней в цифровой логике.
4.
ЛавинаКогда обратное смещение, приложенное к коллекторному переходу, превышает диапазон, который может выдержать коллекторный переход, PN-переход будет поврежден. Если сила тока достаточно велика, устройство выйдет из строя.
Кроме того, когда мы анализируем и проектируем схемы биполярных транзисторов, следует отметить, что максимальная мощность рассеяния коллектора Pcm биполярного транзистора не может быть превышена. Если рабочая мощность транзистора меньше этого значения, совокупность этих рабочих состояний называется безопасной рабочей зоной. Если рабочая мощность транзистора превышает этот предел, температура устройства выйдет за пределы нормального диапазона, и производительность устройства значительно изменится и даже вызовет повреждение.
Допустимая температура перехода кремниевых транзисторов составляет от 150 до 200 градусов Цельсия. Максимально допустимое рассеивание мощности может быть увеличено за счет уменьшения внутреннего теплового сопротивления, использования радиаторов и таких мер, как воздушное охлаждение, водяное охлаждение и масляное охлаждение.
Фактически, нет абсолютных границ между вышеупомянутыми рабочими регионами. В пределах диапазона небольших изменений напряжения (менее нескольких сотен милливольт) между различными областями может быть определенное перекрытие.
Рекомендуемый артикул:
Введение в TFT-дисплеи
Устройство и принцип работы полевых транзисторов
Какие методы тестирования и типы транзисторов?
Смещение биполярного транзистора – Circuit Cellar
Возвращение к основам никогда не является плохой идеей. Многие инженеры-электронщики свободно владеют сложными системами, такими как микроконтроллеры, встроенные ОС или ПЛИС, но, похоже, испытывают больше трудностей с отдельными транзисторами.Какая жалость! Во многих проектах транзистор может быть более адекватным и экономичным решением, чем ИС. Более того, понимание того, что происходит с простыми деталями, не повредит, а транзисторы даже могут быть интересными! Вот почему в этом месяце я расскажу, как использовать биполярный транзистор (BJT) стоимостью 1 цент для создания усилителя.
НАШ ДРУГ, ТРАНЗИСТОР
BJT – старое изобретение. В 1947 году его обнаружили в Bell Laboratories Уолтер Х. Браттейн и Джон Бардин, входившие в команду Уильяма Шокли.BJT бывает двух видов: NPN и PNP. Для простоты остановлюсь на версии NPN. Однако, если поменять местами шины питания, все будет применимо к его родственнику PNP. Транзисторы BJT имеют три вывода: коллектор (C), эмиттер (E) и база (B). Благодаря внутренней полупроводниковой структуре токи, протекающие через каждый из этих выводов, а также напряжения между ними связаны друг с другом.
Давайте сосредоточимся на базовой схеме с общим эмиттером (см. Рисунок 1).При этой настройке эмиттер заземлен. Есть два основных правила.
Рисунок 1Этот NPN-транзистор с биполярным переходом имеет схему с общим эмиттером, что означает, что его эмиттер заземлен. Его поведение определяется двумя основными уравнениями.
Во-первых, ток, протекающий через коллектор, примерно пропорционален току, приложенному к базе. Их соотношение – это коэффициент усиления транзистора по току, который указывается в техническом описании транзистора и часто обозначается как ßF или HFE:
Во-вторых, напряжение между базой и эмиттером стабильно и близко к 0.6 В для большего количества устройств, как и любой биполярный диод:
Вот как это работает: если напряжение, приложенное между базой и эмиттером, ниже этого порога, то транзистор блокируется и ток через коллектор не циркулирует. Если это напряжение повышается до порогового значения, то транзистор становится активным. Вы не сможете значительно увеличить базовое напряжение выше 0,6 В, и устройство начнет регулироваться по току. В этом режиме через базу будет циркулировать заданный ток.Ток через коллектор всегда будет в разы выше HFE.
Например, если у вас есть транзистор с усилением 100 и вводите 1 мА в базу, то 100 мА будет течь через коллектор. Конечно, это приблизительное объяснение, поскольку физика транзистора немного сложнее, но для моего примера этого достаточно. (Поищите в Интернете «модель Эберс-Молла», если вас интересуют подробности. В Википедии также есть хорошее резюме BJT.)
Примеры в этой статье основаны на старом верном транзисторе Fairchild Semiconductor BC238B, но вы можете использовать любой общий транзистор NPN (например,g., вездесущий 2N2222, 2N3904 или BC847, если вы предпочитаете корпуса для поверхностного монтажа). На рисунке 2 показаны основные характеристики BC238B из его таблицы данных. На рисунке 2a показано соотношение между напряжением между коллектором и эмиттером (VCE) и током через коллектор (IC). Каждая кривая соответствует заданному базовому току (IB). Посмотрите пример на кривой для IB = 200 мкА. Как только напряжение VCE превышает пару вольт, ток, циркулирующий через коллектор, становится почти постоянным, около 50 мА.Это означает, что коэффициент усиления по току этого конкретного транзистора составляет 50 мА, деленные на 200 мкА, что составляет 250. На рисунке 2b показано базовое напряжение VBE. Оно не является строго постоянным, но, как объяснялось, все же близко к 0,6 В.
Рис. 2Ключевые характеристики NPN-транзистора Fairchild Semiconductor BC238B были взяты из их таблицы данных.
Последний, но важный момент о характеристиках BJT: их текущее усиление далеко не точное. Во-первых, существует огромный разброс в коэффициенте усиления по току от транзистора к транзистору даже для одной и той же производственной партии.Во-вторых, это усиление будет меняться в зависимости от условий работы транзистора и, в частности, от температуры перехода. В таблице 1 показано указанное усиление для семейства BC238. Он может варьироваться от 180 до 460 для варианта BC238B! Дизайнер должен учитывать эту трудность.
Таблица 1Fairchild Semiconductor BC238 существует в трех классах усиления, обозначенных суффиксом A, B или C. Даже в одном классе разброс усиления от детали к детали может быть огромным.
BASIC BIASING
Симуляция транзистора проста с использованием симулятора линейной схемы (например,g., SPICE), даже если вы предпочитаете проволоку. В своем примере я использовал Proteus VSM от Labcenter Electronics, но вы можете использовать любой инструмент SPICE (например, бесплатный LTSpice от Linear Technology) или онлайн-версию (например, CircuitLab, PartSim и т. Д.).
На рисунке 3 показана базовая схема, построенная на BC238B. Я подключил коллектор к источнику питания 10 В постоянного тока через резистор 1 кОм и использовал резистор 1 МОм между базой транзистора и источником питания 10 В. Напряжение, приложенное к базе, превышает пороговое значение 0,6 В, поэтому транзистор будет проводить.Как уже говорилось, базовое напряжение будет оставаться близким к пороговому значению 0,6 В (фактически, его смоделированное значение составляет 0,66 В). Тогда ток, протекающий через базу, можно легко вычислить с помощью закона Ома, примененного к резистору базы: I = U / R = (10 – 0,66 В) / 1 МОм = 9,34 мкА. Затем вы можете рассчитать ток, циркулирующий через коллектор, умножив это значение на коэффициент усиления транзистора, или симулятор может рассчитать его за вас.
Рисунок 3В этом моделировании ток, циркулирующий через коллектор, в 310 раз больше, чем ток через базу.Как и ожидалось, базовое напряжение остается близким к 0,6 В.
Еще раз взгляните на рисунок 3. Расчетный ток коллектора составляет 2,9 мА, что в 310 раз выше, чем ток базы. Модель BC238B, используемая моим вариантом SPICE, кажется, имеет усиление 310. Следовательно, падение напряжения на резисторе коллектора составляет U = R × I = 1 кОм × 2,9 мА = 2,9 В. Поскольку напряжение источника питания составляет 10 В, напряжение между коллектором транзистора и землей должно быть 7,1 В (т. Е. 10 – 2,9 В), как моделировалось.
Теперь представьте, что вы хотите использовать этот транзистор BC238B для создания усилителя сигнала переменного тока (например.г., небольшой усилитель звука). Начните со схемы, показанной на рисунке 3, и добавьте входной сигнал переменного тока на базу транзистора. Этот входной сигнал будет периодически увеличивать или уменьшать ток, уже приложенный к базе резистором 1 МОм. Эти колебания будут усилены усилением тока транзистора. Следовательно, напряжение коллектора будет колебаться больше, чем входное, и у вас будет рабочий усилитель.
Как это сделать? Первым шагом является определение так называемой «точки покоя транзистора» (т.е., вы должны сначала определить поведение транзистора без приложенного входного сигнала). Обычно вы начинаете с определения номинала резистора коллектора на основе желаемого выходного сопротивления. Затем вам нужно будет рассчитать резистор между базой и шиной питания, чтобы установить на транзисторном выходе желаемое значение постоянного тока.
Правило простое. Для минимальных искажений и клиппирования необходимо установить выходное напряжение постоянного тока равным половине напряжения питания. На рисунке 3 я использовал базовый резистор 1 МОм и нашел 7.1 В на выходе (предпочтительно 10 В / 2 = 5 В). Уменьшение номинала базового резистора увеличит базовый ток, что затем снизит среднее выходное напряжение (см. Рисунок 4). Это моделирование показывает, что базовый резистор, близкий к 560 кОм, обеспечивает среднее напряжение на выходе 5 В, что мы и искали. Ток в режиме ожидания через коллектор I = U / R = 5 В / 1 кОм = 5 мА.
Рисунок 4Это моделирование показывает напряжение между коллектором и эмиттером (зеленый) и ток базы (красный) при изменении значения резистора базы.Существует промежуточное значение, близкое к 560 кОм, где напряжение коллектор-эмиттер близко к VCC / 2, что составляет 5 В.
Теперь у вас есть правильно смещенный по постоянному току транзистор, и вам просто нужно ввести входной сигнал. на базе через развязывающий конденсатор и извлеките выходной сигнал коллектора через другой развязывающий конденсатор (см. рисунок 5). Значение этих конденсаторов напрямую связано с самой низкой частотой, которую вы хотите усилить. Вы можете либо рассчитать его (помня, что импеданс конденсатора Z = 1 / 2πfC), либо смоделировать его.
Рис. 5Усилитель с фиксированным смещением создается просто путем подачи входного сигнала переменного тока на базу через конденсатор. Моделирование во временной области (вверху справа) показывает, что выходное напряжение близко к ± 1,6 VPP с ± 10 мВ на входе. Полоса пропускания простирается до 100 Гц (внизу слева), в то время как искажения остаются близкими к 1%, а вторая гармоника на 25 дБ ниже, чем сигнал (внизу справа).
Конденсатор емкостью 1 мкФ обеспечивает приемлемую границу низких частот 100 Гц, как показано на моделировании частотной характеристики.Я также выполнил моделирование во временной области с входным сигналом 20 мВПП, 1,2 кГц. Как показано на рисунке 5, результирующее смоделированное выходное напряжение составляет 3,2 ВП, что обеспечивает коэффициент усиления 160. Итак, у вас есть усилитель.
Обратите внимание, что его коэффициент усиления по напряжению не идентичен коэффициенту усиления по току транзистора (помните, мы получили 160 против 300). Это усиление напряжения всегда ниже по сравнению с усилением тока HFE, в основном потому, что вы добавляете напряжение, а не ток на базу. Отношения между ними непростые.Поищите в Интернете «модель гибридного пи», если вам нужно больше объяснений, или просто смоделируйте ее.
СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ СМЕЩЕНИЕ ЭМИТТЕРА
Теперь вы использовали только базовый транзистор, два резистора и два конденсатора, чтобы спроектировать усилитель переменного тока с довольно высоким коэффициентом усиления. Это так называемое решение с фиксированным смещением. Но можете ли вы догадаться, в чем проблема? Помните, что коэффициент усиления транзистора по току никогда не определяется четко, за исключением случаев, когда вы измеряете его самостоятельно для каждого транзистора и заботитесь о рабочем состоянии и температуре транзистора.
Представьте, что вы строите схему и используете транзистор, коэффициент усиления которого вдвое больше, чем у моделируемого. Это довольно обычное дело, зная о широком разбросе их характеристик. Из-за более высокого коэффициента усиления тот же резистор смещения базы обеспечит ток коллектора в два раза больше, чем планировалось. Следовательно, падение напряжения на резисторе коллектора будет вдвое выше, а это означает, что выходное напряжение постоянного тока больше не будет 5 В, а будет близко к 0 В! Усилитель больше не будет работать или будет генерировать очень сильные искажения.
Это объясняет, почему часто требуется немного более сложная схема. Основная идея состоит в том, чтобы стабилизировать коэффициент усиления усилителя, даже если коэффициент усиления транзистора по току не определен четко. Самый распространенный метод называется «смещение, стабилизированное эмиттером».
Как показано на рисунке 6, для этого метода требуются два дополнительных резистора и конденсатор. Во-первых, между эмиттером и землей добавляется резистор с большим конденсатором, включенным параллельно. Цель состоит в том, чтобы переместить уровень эмиттера к виртуальному напряжению земли немного выше, чем в эталонном 0-V.Затем добавляется еще один резистор между базой транзистора и линией 0 В. Его функция – фиксировать постоянное напряжение базы. Вскоре я представлю расчеты, но сначала вопрос: что произойдет, если коэффициент усиления транзистора по току увеличится по какой-либо причине? Ток, циркулирующий через коллектор и эмиттер, будет увеличиваться, и, следовательно, будет увеличиваться падение напряжения на резисторе между эмиттером и землей. Это означает, что напряжение эмиттер-земля увеличится. Но подождите, напряжение базы фиксировано относительно земли и источника питания благодаря двум резисторам.Если напряжение эмиттера увеличивается, то напряжение база-эмиттер будет уменьшаться. Это уменьшит ток, протекающий через базу, что, в свою очередь, уменьшит ток коллектора и компенсирует более высокое усиление транзистора. Тогда у вас есть своего рода автоматическая стабилизация усиления!
Рисунок 6Для смещения, стабилизированного эмиттером, потребовалось еще два резистора и еще один конденсатор. Коэффициент усиления немного ниже, но такая схема намного более стабильна, чем схема с фиксированным смещением.
Расчет такого смещения, стабилизированного эмиттером, немного сложнее, чем подход с фиксированным смещением, поскольку все параметры связаны друг с другом.В качестве отправной точки разумно установить эмиттерный резистор на падение 1 В. Возвращаясь к рисунку 4, у меня был коллекторный резистор 1 кОм (определяемый на основе желаемого выходного импеданса). Этот резистор обеспечивал среднее падение напряжения 5 В. Если мне нужно падение напряжения на 1 В, я должен использовать резистор в пять раз меньше. Я использовал ближайшее стандартизированное значение, которое составляет 210 Ом. Сопротивление коллектора необходимо немного уменьшить, чтобы компенсировать и поддерживать средний ток коллектора 5 мА. Как показано на рисунке 7a, этот резистор теперь должен быть R = U / I = (9 В / 2) / 5 мА = 900 Ом для оптимальных характеристик.Я использовал стандартизированное значение 910 Ом.
Расчет двух резисторов на базе немного сложнее и должен быть выполнен точно. Отправной точкой является предположение, что ток, протекающий через два резистора, который фиксирует базовое напряжение, должен быть примерно в пять раз выше, чем базовый ток транзистора для хороших характеристик.
На рис. 7b показаны детали расчетов, которые являются лишь применением законов Тевенина и Ома. Я нашел 51 и 12 кОм соответственно.
Наконец, конденсатор между эмиттером и землей должен быть «достаточно большим».Вы можете смоделировать это или, в качестве отправной точки, предположить, что его значение должно быть близко к значению базового конденсатора, умноженному на коэффициент усиления по току транзистора.
Как показано на рисунке 7, я использовал конденсатор емкостью 100 мкФ, который, вероятно, немного короче. В результате коэффициент усиления по напряжению, как и ожидалось, составляет около 130, что немного ниже, чем коэффициент усиления для версии с фиксированным смещением (помните, он был 160).
СМЕЩЕНИЕ, СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ КОЛЛЕКТОРОМ
Использование схемы, стабилизированной эмиттером, является наиболее распространенным методом, но можно использовать другой подход, если добавленные два резистора и конденсатор вызывают проблему.Это решение, которое называется «смещением, стабилизированным коллектором», не требует ни одного дополнительного компонента по сравнению с простейшей конфигурацией с фиксированным смещением (см. Рисунок 8).
Рис. 8Схема смещения, стабилизированная коллектором, не сложнее схемы с фиксированным смещением для рисования, но немного сложнее для понимания.
Идея состоит в том, что вместо смещения базы транзистора резистором, подключенным к источнику питания, вы просто подключаете его к коллектору транзистора. Таким образом, если коэффициент усиления транзистора по току увеличивается, то ток коллектора увеличивается, а напряжение между коллектором и эмиттером уменьшается.Поскольку база смещается от напряжения коллектора, ток через базу будет уменьшаться, стабилизируя усилитель. Умно, не правда ли?
На стороне вычислений шаги идентичны конфигурации с фиксированным смещением. Значение базового резистора можно рассчитать как R = U / I, где U = (VCC / 2) / IB. Вот нашел 270 кОм. Но у этого решения есть два недостатка. Во-первых, достижимый прирост напряжения немного ниже, чем в предыдущем решении. Во-вторых, компенсация не так хороша.Тем не менее, он может быть достаточно большим для ваших проектов и ничего не стоит!
Наконец, я сравнил три решения (с фиксированным смещением, со стабилизацией по эмиттеру и со стабилизацией по коллектору) с точки зрения стабильности. Я просто заменил BC238B транзистором 2N2222, который имеет значительно меньшее усиление, и перезапустил симулятор. В простейшей конструкции с фиксированным смещением напряжение постоянного тока коллектора изменилось с 5 до 6,6 В, а коэффициент усиления по напряжению был уменьшен со 156 до 105 В (снижение на 32%). С решением для стабилизации эмиттера уменьшение усиления составило всего 5.7% (т.е. с 139 до 131). Наконец, стабилизация коллектора обеспечила промежуточную производительность от 143 до 121 (15%). Как и ожидалось, самое изощренное решение лучше.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Эта статья могла быть написана 60 лет назад. Здесь нет ничего нового. Однако я убежден, что разработчики часто забывают, что один транзистор иногда может заменить операционный усилитель. А это может снизить стоимость продукта на десятки центов, чем не следует пренебрегать для приложений большого объема.Фактически, одиночный транзистор также может быть хорошим решением для сверхмалопотребляющих конструкций.
Недавно моя компания работала над системой обнаружения сигналов тревоги, в которой сигнал пьезосенсора необходимо усилить перед обнаружением. Это было несложно, за исключением того, что устройству нужно было проработать пару лет от батарейки типа «таблетка», а усилитель должен был оставаться включенным. Как вы понимаете, мы начали с попытки использовать компараторы со сверхмалым энергопотреблением, но единственный транзистор со сверхмалым током смещения оказался выигрышным решением.
Я надеюсь, что эта статья была освежающей, даже если в ней не обсуждалась захватывающая новая технология. Биполярные транзисторы не должны быть вам темной стороной, просто поиграйте с ними!
РЕСУРСОВ
Инженерные классы Bade, «BJT Biasing», 2012.
CircuitLab, Inc., www.circuitlab.com.
М. Х. Миллер, «Смещение BJT», Примечания к вводной электронике, Мичиганский университет в Дирборне, 2000 г.
PartSim, www.partsim.com.
ИСТОЧНИКИ
BC238B BJT-транзистор
Fairchild Semiconductor Corp.| www.fairchildsemi.com
Proteus VSM design suite
Лабораторный центр Электроника | www.labcenter.com
LTSpice SPICE simulator
Linear Technology Corp. | www.linear.com
Роберт Лакост живет во Франции, недалеко от Парижа. Он имеет 24-летний опыт работы во встраиваемых системах, аналоговом дизайне и беспроводной связи. Победитель более чем 15 международных конкурсов дизайна, в 2003 году он основал свою консалтинговую компанию ALCIOM, чтобы разделить свою страсть к инновационным проектам смешанных сигналов.Его книга («Темная сторона Роберта Лакоста») была опубликована издательством Elsevier / Newnes в 2009 году. Вы можете связаться с ним по адресу [электронная почта защищена], если вы не забудете указать «темную сторону» в строке темы, чтобы обойти спам-фильтры.
Эта полная статья опубликована в Circuit Cellar 279 (октябрь 2013 г.).
Спонсируйте эту статьюРедакционная группа Circuit Cellar состоит из профессиональных инженеров, технических редакторов и специалистов по цифровым медиа. Вы можете связаться с редакционным отделом по адресам [email protected], @circuitcellar и facebook.com / circuitcellar
Сборник справочных данных по отечественным биполярным транзисторам малой, средней и большой мощности. В основном произведены в Советском Союзе Полупроводниковые приборы малой мощности имеют приемлемую мощность рассеивания в коллекторном переходе до 0,3 Вт . (Мощность в этой классификации относится к мощности, выделяемой на коллекторном переходе полупроводника). Отвод тепла от коллекторного перехода к телу происходит по тонкой базовой пластине с низкой теплопроводностью.Рассчитан на работу без специальных теплоотводящих устройств (радиаторов). Все внешние выводы расположены по нижнему диаметру и обычно средний вывод является базовым, а эмиттерный ближе к базовому, чем коллекторный. К этим полупроводникам относятся устройства с рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт. Для мощных транзисторов рассеиваемая мощность превышает 1,5 Вт.
Корпус – основная и наиболее габаритная деталь конструкции абсолютно любого транзистора, выполняющая защитную функцию от внешних воздействий, а также используется для подключения к внешним цепям с помощью металлических выводов.Типы корпусов зарубежных транзисторов стандартизированы для удобства изготовления и использования изделий в радиолюбительской сфере. Количество типовых транзисторов в настоящее время исчисляется сотнями. Каждое полупроводниковое устройство, включая транзистор, имеет собственное уникальное обозначение, по которому его можно отличить от множества других радиодеталей и деталей. Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является полупроводниковый монокристалл типа p или p, в котором с помощью примесей созданы три области с электронной и дырочной проводимостью, разделенные двумя p – n-переходами (см. Рисунок в верхней части страницы).Если средняя область имеет электронную проводимость типа p, а две крайние дырки типа p, то такой транзистор имеет рр-структуру, в отличие от pnp-транзисторов, имеющую среднюю область с областью дырок и крайнюю область с электронными проводимости. Средняя область 1 полупроводникового кристалла n-типа называется базой. Одна крайняя область 2 с p-проводимостью, которая вводит (излучает) второстепенные носители заряда, называется эмиттером, а другая 3, которая извлекает (удаляет) носители заряда из базы, называется коллектором.База отделена от эмиттера и коллектора pn-переходами эмиттера 4 и коллектора 5. Из цоколя 1, эмиттера 2 и коллектора 3 выполнены металлические выводы (Б, Е, К), которые проходят через изоляторы в нижней части корпуса. Транзисторывыпускаются в герметичных металлокерамических, металлокерамических или пластмассовых корпусах, а также без корпусов. Транзисторы без упаковки защищены от воздействия внешней среды слоем лака, смолы, легкоплавкого стекла и герметизированы вместе с устройством, в которое они предварительно смонтированы.В настоящее время большинство транзисторов, в том числе транзисторы интегральных схем, выполнены на основе кремния с плоским типом перехода. Использование точечных переходов из-за нестабильности работы ограничено. База транзисторов выполняется очень небольшой толщины (от 1 до 25 мкм). Степень легирования областей разная. Концентрация примесей в эмиттере на несколько порядков выше, чем в базе. Степень легирования базы и коллектора зависит от типа транзистора. В рабочем режиме на электроды транзистора подаются постоянные напряжения. внешние источники энергии. Помимо постоянного напряжения на электроды поступают сигналы, которые необходимо преобразовать. В связи с этим есть входная цепь, в которой сигнал подается, и выходная цепь, в которой сигнал снимается с нагрузки. В зависимости от того, какой из электродов при включенном транзисторе является общим для входных и выходных цепей, различают цепи с общей базой ОФ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК.В схеме с ОУ входная цепь является эмиттерной, а выходная – коллекторной. В схеме с ОЭ входом является базовая цепь, а выходом – коллекторная. В схеме с ОК вход – это базовая цепь, а выход – это эмиттерная цепь. Физические процессы, происходящие в транзисторах со структурой pp и pr-p, одинаковы. В транзисторах pp в отличие от транзисторов pn подается напряжение обратной полярности, а токи имеют противоположное направление. В зависимости от полярности напряжений, подаваемых на эмиттерный и коллекторный переходы, различают активный режим, режим отсечки, насыщения и обратного переключения транзистора. Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается постоянное напряжение, а на коллекторное – обратное. В активном режиме эмиттер вводит в базовую область неосновные носители для него, а коллектор выполняет извлечение (устранение) неосновных носителей из базовой области. В режиме отсечки к обоим переходам прикладываются обратные напряжения, при которых ток через транзистор незначителен. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под постоянным напряжением; инжекция носителей происходит в обоих переходах; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не контролируется током входной цепи; транзистор полностью открыт. В режимах отсечки и насыщения транзистор обычно используется в схемах электронного переключателя.В инверсном режиме функции эмиттера и коллектора изменяются путем подключения постоянного напряжения к коллекторному переходу и обратного напряжения к эмиттерному переходу. Однако из-за асимметрии структуры и различий в концентрации носителей в области коллектора и эмиттера обратное включение транзистора не эквивалентно его нормальному включению в активном режиме. |
| Дата | Имя беса в США | Описание продукта | Поставщики | Страна происхождения | Порт отправления | Порт назначения | Вес | Кол-во | Кол-во |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 29-сен-2019 | ****** | РАЗЪЕМЫ FFC и FPC HSCODE 8536694040 COO JP PART # 046227004100829 БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА 4000 ШТ. | ****** | Гонконг | Гонконг | Нью-Йорк | 270 | 0 | Na |
| 12-сен-2019 | ****** | 1 Х 20-Й КОНТЕЙНЕР: – 96 КАРТОНОВ 855.31 КГС 6,51 куб. | ****** | Малайзия | Порты Малайзии | Нью-Йорк | 5552 | 0 | Na |
| 11-июн-2019 | ****** | 1 Х 40’HC КОНТЕЙНЕР: 264 КОРОБКА 2403.39 КГС 18 КУПИТЕЛЕЙ (14 ДЕРЕВЯННЫХ ПОДДОНОВ) 7, 350 ШТ. МОДУЛЕЙ IGBT (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ) … | ****** | Малайзия | Порты Малайзии | Нью-Йорк | 8287 | 0 | Na |
| 3-июн-2019 | ****** | 1 КОНТЕЙНЕР X 40’HC: – 189 КАРТОНОВ 1854 г.86 кг 13,07 куб.м (10 деревянных поддонов) 4, 747 шт. Модуля IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) | ****** | Малайзия | Порты Малайзии | Нью-Йорк | 8788 | 0 | Na |
| 14-мая-2019 | ****** | 392 КОРОБКИ 3661.01 КГС 26,62 МУП (20 ДЕРЕВЯННЫХ ПОДДОНОВ) 12, 154 ШТ. МОДУЛЯ IGBT (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ) | ****** | Малайзия | Порты Малайзии | Нью-Йорк | 18298 | 0 | Na |
| 7-мая-2019 | ****** | 1 X 20 ‘ST КОНТЕЙНЕР: 133 КОРОБКИ (7 ДЕРЕВЯННЫХ ПОДДОНОВ) 2, 913 ШТ. МОДУЛЯ IGBT (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ) НОМЕР СЧЕТА: 67551U, 67552… | ****** | Малайзия | Порты Малайзии | Нью-Йорк | 5792 | 0 | Na |
| 15-мар-2018 | ****** | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР DE COMPUERTA AISLADA (1 БЛОК НА 1 ПОДДОН) EXPO: BAQ-20171 КОД HS: 9032.90 | ****** | Ю ЮГОСЛАВИЯ | 30104 БАРРАНКИЛЛА | 1001 НЬЮ-ЙОРК, штат Нью-Йорк | 340 | 1 | Нет |
| 8-мар-2018 | ****** | HAL / ST / GETS (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ) HS # 854129 | ****** | JP ЯПОНИЯ | 58878 SIMIZU | 2709 LONG BEACH CA | 2665 | 10 | Коробка |
| 24-апр-2017 | ****** | 182 КОРОБКИ (10 ДЕРЕВЯННЫХ ПОДДОНОВ) 6082 ШТ. МОДУЛЯ IGBT (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ) СЧЕТНЫЙ НОМЕР: 45150U, 45151U, 45159U, 45160U, 4516.. | ****** | SG СИНГАПУР | 55976 СИНГАПУР | 4601 NEW YORKNEWARK AREA NEWARK NJ | 1876 г. | 182 | Ctn |
| 19-апр-2017 | ****** | 339 КАРТОНОВ (17 ДЕРЕВЯННЫХ ПОДДОНОВ) 10 478 ШТ. МОДУЛЯ IGBT (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ) НОМЕР СЧЕТА: 44916U, 44917U, 44918U, 44919U, 4492… | ****** | SG СИНГАПУР | 55976 СИНГАПУР | 4601 NEW YORKNEWARK AREA NEWARK NJ | 3356 | 339 | Ctn |
| 10-апр-2017 | ****** | 220 КОРОБКОВ (11 ДЕРЕВЯННЫХ ПОДДОНОВ) 5 236 ШТ. МОДУЛЕЙ IGBT (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ) НОМЕР СЧЕТА: 44632U, 44633U, 44634U, 44635U, 44636… | ****** | SG СИНГАПУР | 55976 СИНГАПУР | 4601 NEW YORKNEWARK AREA NEWARK NJ | 2112 | 220 | Ctn |
| 5-апр-2017 | ****** | 94 КОРОБКИ (5 ДЕРЕВЯННЫХ ПОДДОНОВ) 1675 ШТ. МОДУЛЯ IGBT (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ) НОМЕР СЧЕТА: 44473U, 44475U, 44495U, 44496U, 44497U, 4… | ****** | SG СИНГАПУР | 55976 СИНГАПУР | 4601 NEW YORKNEWARK AREA NEWARK NJ | 929 | 94 | Ctn |
| 19-мар-2017 | ****** | 105 КОРОБКОВ (6 ДЕРЕВЯННЫХ ПОДДОНОВ) 3750 ШТ. МОДУЛЯ IGBT (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ) НОМЕР СЧЕТА: 43895U, 43897U, 43898U, 43899U, 43901U… | ****** | Сингапур | Сингапур, Сингапур | Нью-Йорк | 921 | 105 | Ctn |
| 6-мар-2017 | ****** | ПЕРЕДНИЙ БАМПЕР ; КОД ТН ВЭД- 8708.10 900; КОМПЬЮТЕРНЫЕ КОМПЛЕКТУЮЩИЕ ; HS.CODE-8473,29 000; ПУСКОВАЯ КРЫШКА ГОЛОВКА ПЛАВАТЕЛЬНЫЙ ОШЕЙНИК ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ПЛАВАНИЯ … | ****** | Сингапур | Сингапур, Сингапур | Нью-Йорк | 15095 | 1605 | Упак. |
| 2-мар-2017 | ****** | ТРАНЗИСТОРЫ, ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ NESOI HAL ST GETS (БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ) HS CODE 85412 HOUSE B L NO.VHFLYOKTN1718259 … | ****** | Япония | Один из нескольких портов в Японии Япония | Длинный пляж | 1064 | 5 | Коробка |
| 22 марта 2015 г. | ВАНТЕК МИРОВОЙ ТРАНСПОРТ USAINC | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ, ДИОД | ВАНТЕК ХТС ФОРВАРДИНГ, ООО | Япония | Иокогама | Лос-Анджелес | 6644 | 48 | Коробка |
| 22 марта 2015 г. | ВАНТЕК МИРОВОЙ ТРАНСПОРТ USAINC | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ, ДИОД | VANTEC HTS FORWARDING LTD | Япония | Иокогама | Лос-Анджелес | 6644 | 48 | Коробка |
| 1 марта 2015 г. | ВАНТЕК МИРОВОЙ ТРАНСПОРТ USAINC | ДРАЙВЕР ВОРОТА, БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР ИЗОЛИРОВАННОГО ЗАДВИЖЕНИЯ | ВАНТЕК ХТС ФОРВАРДИНГ, ООО | Япония | Иокогама | Лос-Анджелес | 2358 | 93 | Коробка |
| 18-янв-2015 | ВАНТЕК МИРОВОЙ ТРАНСПОРТ USAINC | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ | ВАНТЕК ХТС ФОРВАРДИНГ, ООО | Япония | Иокогама | Лос-Анджелес | 1410 | 8 | Коробка |
| 14-янв-2015 | ВАНТЕК МИРОВОЙ ТРАНСПОРТ USAINC | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАДВИЕМ | ВАНТЕК ХТС ФОРВАРДИНГ, ООО | Япония | Иокогама | Лос-Анджелес | 2160 | 8 | Коробка |
| 2N1613 | 0.Биполярный транзистор общего назначения, 5 А, 50 В, NPN (с включением АА) |
| 2N1711 | Биполярные транзисторы низкого среднего напряжения, 1 А, 50 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N1893 | Биполярные транзисторы низкого среднего напряжения, 0,5 А, 80 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N1893 | 0.Биполярные транзисторы средней мощности, 5A, 80V, NPN |
| 2N2060 | Кремниевый биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с функцией AA) |
| 2N2060A | Кремниевый биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с функцией AA) |
| 2N2102 | 1 А, 65 В, NPN биполярный транзистор общего назначения (с включением АА) |
| 2N2218 | 0.Биполярный транзистор общего назначения, 8 А, 30 В, NPN (с включением АА) |
| 2N2219 | Биполярный транзистор общего назначения, 800 мА, 30 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2219A | Биполярные транзисторы низкого среднего напряжения, 800 мА, 30 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2221 | 0.Биполярный транзистор общего назначения, 8 А, 30 В, NPN (с включением АА) |
| 2N2221A | 0,8 А, 40 В, NPN биполярный транзистор общего назначения (с включением АА) |
| 2N2222 | Биполярный транзистор общего назначения, 800 мА, 30 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2222 | Коммутационный транзистор общего назначения, 800 мА, 30 В, NPN |
| 2N2222A | Биполярные транзисторы низкого среднего напряжения, 800 мА, 40 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2222A / ZTX | Биполярный переключающий транзистор, 800 мА, 40 В, NPN |
| 2N2223 | Двойной биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2223 | Двойной биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2223A | Двойной биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2223A | Двойной биполярный транзистор общего назначения, 500 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2368 | Биполярный транзистор малой мощности, 200 мА, 15 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2369 | Биполярный транзистор общего назначения, 200 мА, 15 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2369A | Биполярный транзистор общего назначения, 200 мА, 15 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2405 | 1 А, 90 В, силовой биполярный транзистор NPN |
| 2N2480 | Биполярный транзистор малой мощности, 500 мА, 40 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2480A | Биполярный транзистор малой мощности, 500 мА, 40 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2481 | Биполярный транзистор малой мощности, 200 мА, 15 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2484 | Биполярный транзистор общего назначения, 50 мА, 60 В, NPN (с поддержкой AA) |
| 2N2501 | 0. |
