TIP147 to-247 | Биполярные транзисторы
Код товара : | M-120-6385 |
---|---|
Обновление: | 2019-06-15 |
Тип корпуса : | TO-247 |
Дополнительная информация:
Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить TIP147 to-247, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.
Что еще купить вместе с TIP147 to-247 ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.
Код | Наименование | Краткое описание | Розн. цена |
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара | |||
6385 | TIP147 to-247 | Транзистор TIP147 – Power NPN Darlington Transistor, 100V, 10A, TO-247 | 64 pyб. |
4944 | TIP41C to-220 | Транзистор TIP41C – NPN Epitaxial Silicon Transistor, 100V, 6A, TO-220 | 11 pyб. |
624 | 2N5551 to-92 | Транзистор 2N5551 – NPN Transistor 180V, 0. 3A, TO-92 | 1.2 pyб. |
8767 | 2SC4793 | Транзистор 2SC4793 (маркировка C4793) – NPN Power Transistors, 230V, 1A, TO-220FP | 20 pyб. |
9167 | TIP147T to-220 | Транзистор TIP147T – PNP Darlington, 100V, 10A, TO-220 | 20 pyб. |
3316 | FQPF12N60C | Транзистор FQPF12N60 (FQPF12N60C) – Power MOSFET N-Channel, 12A, 600V, TO-220FP | 32 pyб. |
6375 | NTC-47D15 (47D-15) | NTC термистор NTC47D-15 (маркировка 47D-15) для ограничения пускового тока в блоках питания различной аппаратуры | 7.5 pyб. |
612 | MJE13003 to-126 | Транзисторы MJE13003 (MJE13003F, MJE13003C) – NPN Bipolar Power Transistor 600V, 3A, TO-126 | 5 pyб. |
2384 | TIP42C | Транзисторы TIP42C – PNP Epitaxial Silicon Transistor (DARLINGTON), 100V, 6A, TO-220 | 11 pyб. |
3830 | NE5532 sop-8 | Микросхема NE5532 (маркировка N5532) – DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS, SOP-8 | 5 pyб. |
Tip142f – параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора
TIP117 Datasheet (PDF)
1.1. tip117 3ca117.pdf Size:274K _update
TIP117(3CA117) 硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于中功率线性开关放大。
Purpose: Medium power linear switching applications.
特点:与 TIP112(3DA112)互补。
Features: Complement to TIP112(3DA112).
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V -100 V
CBO
V -100 V
CEO
V -5.0 V
EBO
1.2. tip115 tip116 tip117 to-220.pdf Size:373K _mcc
MCC
TIP115
Micro Commercial Components
TM
20736 Marilla Street Chatsworth
Micro Commercial Components
TIP116
CA 91311
Phone: (818) 701-4933
TIP117
Fax: (818) 701-4939
Features
High DC Current Gain : hFE=1000 @ VCE=4.0V, IC=1.0A(Min.)
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
PNP Epitaxial
Complementary to TIP110/111/112
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix d
1. 3. tip117f.pdf Size:445K _kec
SEMICONDUCTOR TIP117F
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN
BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.
A
C
DIM MILLIMETERS
S
_
FEATURES A 10.0 + 0.3
_
+
B 15.0 0.3
E
High DC Current Gain. C _
2.70 0.3
+
D 0.76+0.09/-0.05
: hFE=1000(Min.), VCE=-4V, IC=-1A.
_
E Φ3.2 0.2
+
_
F 3.0 0.3
+
Low Collector-Emitter Saturation Vol
1.4. tip117.pdf Size:75K _kec
SEMICONDUCTOR TIP117
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN
A
BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.
R
S
FEATURES
P
D
High DC Current Gain.
DIM MILLIMETERS
: hFE=1000(Min.), VCE=-4V, IC=-1A.
A 10.30 MAX
B 15.30 MAX
Low Collector-Emitter Saturation Voltage.
C 0.80
_
+
Complementary to TIP112. D Φ3.60 0.20
T
E 3.00
1.5. tip117.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP117
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = -1A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = -100V(Min)
CEO(SUS)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = -2.5V(Max)@ I = -2A
CE(sat) C
·Complement to Type TIP112
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICA
1.6. htip117.pdf Size:43K _hsmc
Spec. No. : HE200204
HI-SINCERITY
Issued Date : 2000.08.01
Revised Date : 2004.11.19
MICROELECTRONICS CORP.
Page No. : 1/4
HTIP117
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
TO-220
The HTIP117 is designed for use in general purpose amplifier and low-speed
switching applications.
Darlington Schematic
C
Absolute Maximum Ratings (TA=25°C)
B
• Maximum Temperatures
Storage Tempera
Datasheets
DS0857: Complementary power Darlington transistors
PDF, 139 Кб, Версия: 8. 1
Выписка из документа
TIP142, TIP147Complementary power Darlington transistorsDatasheet — production data Featuresв– Monolithic Darlington configuration в– Integrated antiparallel collector-emitter diode Applications2 в– Linear and switching industrial equipmentTO-247 DescriptionThe devices are manufactured in planartechnology with “base island” layout andmonolithic Darlington configuration. The resultingtransistors show exceptional high gainperformance coupled with very low saturationvoltage. Table 1. 3 1 Figure 1. Internal schematic diagrams R1 typ. = 5 kО R1 typ. = 8 kО R2 typ. = 60 О R2 typ. = 100 О Device summary Part number Marking Polarity TIP142 TIP142 NPN TIP147 TIP147 PNP April 2012This is information on a product in full production. Doc ID 4132 Rev 8 Package Packaging TO-247 Tube 1/10www.st.com 10 Absolute maximum ratings 1 Absolute maximum ratingsTable 2. Absolute maximum ratings Symbol Value Unit Collector-base voltage (IE = 0) 100 V VCEO Collector-emitter voltage (IB = 0) 100 V VEBO Emitter-base voltage (IC = 0) 5 V Collector current 10 A Collector peak current 20 A Base current 0. 5 A PTOT Total dissipation at Tcase = 25 В°C 125 W TSTG Storage temperature -65 to 150 В°C 150 В°C ICMIB TJ Max. operating junction temperature For PNP type voltage and current are negative.Table 3.SymbolRthJC 2/10 Parameter VCBO IC Note: TIP142, TIP147 Thermal dataParameterThermal resistance junction-case Doc ID 4132 Rev 8 __max Value Unit 1 В°C/W TIP142, TIP147 2 Electrical characteristics Electrical characteristicsTcase = 25 В°C; unless otherwise specified.Table 4. …
TIP142T Datasheet (PDF)
1.1. tip142t 3da142t.pdf Size:518K _update
TIP142T(3DA142T) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于工业仪器的线性开关转换。
Purpose: Linear and switching industrial equipment.
特点: 基极-发射极设有独立的电阻、直流增益高、与 TIP147T(3CA147T)配对。
Features: Monolithic construction with built in base-emitter shunt resistors、High DC current gain
complement to TIP147T(
1.2. tip142t.pdf Size:52K _fairchild_semi
TIP140T/141T/142T
Monolithic Construction With Built In Base-
Emitter Shunt Resistors
High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min. )
Industrial Use
Complement to TIP145T/146T/147T
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Equivalent Circuit
Symbol Parameter Value Units C
1.3. tip142t 47t.pdf Size:410K _cdil
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP142T NPN
TIP147T PNP
TO-220
Plastic Package
For use in Power Linear and Switching Applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Collector Base Voltage VCBO 100 V
Collector Emitter Voltage VCEO 100 V
Emitter Base Voltage VEBO
1.4. tip142t.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142T
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = 5A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 100V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type TIP147T
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low speed
switching applicatio
TIP147 Datasheet (PDF)
1. 1. tip147f.pdf Size:62K _fairchild_semi
TIP145F/146F/147F
Monolithic Construction With Built In Base-
Emitter Shunt Resistors
High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = -4V, IC = -5A (Min.)
Industrial Use
Complement to TIP140F/141F/142F
TO-3PF
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
PNP Epitaxial Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Equivalent Circuit
C
Symbol Parameter Value Units
VC
1.2. tip140-tip147.pdf Size:321K _cdil
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTORS TIP140, 141, 142 NPN
TIP145, 146, 147 PNP
TO- 3PN Non Isolated
Plastic Package
Designed for General Purpose Amplifier and Low Frequency Switching Applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION SYMBOL TIP140 TIP141 TIP142 UNIT
TIP145 TIP146 TIP147
Coll
1.
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP147
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = -5A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = -100V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type TIP142
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low
frequency switching applic
Аналоги
Транзистор TIP127 имеет много зарубежных аналогов. Приведем устройства, которые имеют такой же корпус, расположение выводов, электрические и функциональные характеристики: 2N6035, 2N6040, 2N6041, 2N6042, 2SB673, 2SB791, ECG26, TIP125, TIP126. На данные приборы можно менять без внесения изменений в электрическую схему.
Существуют похожие транзисторы, которыми можно заменить рассматриваемый, но некоторые электрические параметры могут отличаться: 2SB1024, 2SB676, BD332, BD334, BDT60B, BDW24C, BDW64C, KSB601, KTB1423, NSP702, TIP627.
Имеется также отечественный аналог TIP127 — КТ8115А.
Рекомендуемая комплементарная пара – TIP122.
BD142 Datasheet (PDF)
1.1. bd142.pdf Size:75K _comset
BD142
NPN SILICON TRANSISTOR
POWER LINERAR AND SWITCHING
APPLICATIONS
LF Large Signal Power Amplification
Low Saturation Voltage
High Dissipation Rating
Intended for a wide variety of intermediate-power applications.
It is especially suited for use in audio and inverter circuits at 12 volts.
Symbol Ratings Value Unit
VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
1.2. bd142.pdf Size:204K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor BD142
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
·High Power Dissipation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·LF large signal power amplification.
·Intended for a wide variety of intermediate power applications.
·Suited for use in audio and inverter circuits at 12V.
ABSOLUTE MAXIMUM
TIP137 Datasheet (PDF)
1.1. tip137.pdf Size:212K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP137
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = -4A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = -100V(Min)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = -2.0V(Max)@ I = -4A
CE(sat) C
·Complement to Type TIP132
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICA
5.1. tip130-32 tip135-37.pdf Size:150K _mospec
A
A
A
5.2. tip130-137.pdf Size:327K _cdil
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
PLASTIC POWER TRANSISTORS TIP130 TIP135
TIP131 TIP136
TIP132 TIP137
NPN PNP
TO-220
Plastic Package
Intended for use in Linear and Switching Applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC)
DESCRIPTION SYMBOL TIP130/135 TIP131/136 TIP132/137 UNIT
VCEO
Collector Emitter Voltage 60 80 100 V
Col
5. 3. tip130.pdf Size:212K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP130
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = 4A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 60V(Min)
CEO(SUS)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 2.0V(Max)@ I = 4A
CE(sat) C
·Complement to Type TIP135
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
5.4. tip132.pdf Size:133K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP132
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: hFE = 1000(Min)@ IC= 4A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 100V(Min)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat) = 2.0V(Max)@ IC= 4A
·Complement to Type TIP137
APPLICATIONS
·Designed for general-purpose amp
5.
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP135
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = -4A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = -60V(Min)
CEO(SUS)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = -2.0V(Max)@ I = -4A
CE(sat) C
·Complement to Type TIP130
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICAT
5.6. tip136.pdf Size:212K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP136
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = -4A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = -80V(Min)
CEO(SUS)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = -2.0V(Max)@ I = -4A
·Complement to Type TIP131
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICAT
5. 7. tip131.pdf Size:212K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP131
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = 4A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 80V(Min)
CEO(SUS)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-
: V = 2.0V(Max)@ I = 4A
CE(sat) C
·Complement to Type TIP136
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
TIP145 Datasheet (PDF)
1.1. tip145f.pdf Size:59K _samsung
PNP EPITAXIAL
TIP145F/146F/147F DARLINGTON TRANSISTOR
HIGH DC CURRENT GAIN
TO-3PF
MIN h = 1000 @ V = -4V, IC = -5A
FE CE
MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT
IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS
INDUSTRIAL USE
Complement to TIP140F/141F/142F
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Emitter Voltage VCBO
V
: TIP145F
— 60
V
: TIP146F
— 80
V
: TIP147F
— 10
1. 2. tip145t.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP145T
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = -5A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = -60V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type TIP140T
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low
frequency switching appli
1.3. tip145 146 147.pdf Size:155K _inchange_semiconductor
Inchange Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Darlington Power Transistors
DESCRIPTION Ў¤ With TO-3PN package Ў¤ DARLINGTON Ў¤ High DC current gain Ў¤ Complement to type TIP140/141/142 APPLICATIONS Ў¤ Designed for generalpurpose amplifier and low frequency switching applications.
PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitter DESCRIPTION
TIP14
1.4. tip145. pdf Size:222K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor TIP145
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = -5A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = -60V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type TIP140
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low
frequency switching applica
2SK147 Datasheet (PDF)
1.1. 2sk1470.pdf Size:97K _sanyo
Ordering number:EN3771A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1470
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2062A
Low-voltage drive.
4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Gate
0.75
2 : Drain
3 : Source
SANYO : PCP
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25?C
Parameter Symb
1. 2. 2sk1471.pdf Size:92K _sanyo
Ordering number:EN3772A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1471
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2083B
Low-voltage drive.
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
1 : Gate
1 2 3
2 : Drain
3 : Source
2.3 2.3
SANYO : TP
unit:mm
2092B
6.5 2.3
5.0 0.5
4
0.5
0.85
1.3. 2sk1472.pdf Size:119K _sanyo
Ordering number:EN3773A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1472
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2083B
Low-voltage drive.
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
1 : Gate
1 2 3
2 : Drain
3 : Source
2.3 2.3
SANYO : TP
unit:mm
2092B
6. 5 2.3
5.0 0.5
4
0.5
0.85
1.4. 2sk1474.pdf Size:120K _sanyo
Ordering number:EN3775A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1474
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2083B
Low-voltage drive.
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
1 : Gate
1 2 3
2 : Drain
3 : Source
2.3 2.3
SANYO : TP
unit:mm
2092B
6.5 2.3
5.0 0.5
4
0.5
0.85
1.5. 2sk1475.pdf Size:120K _sanyo
Ordering number:EN3776A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1475
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2083B
Low-voltage drive.
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
1 : Gate
1 2 3
2 : Drain
3 : Source
2. 3 2.3
SANYO : TP
unit:mm
2092B
6.5 2.3
5.0 0.5
4
0.5
0.85
1.6. 2sk147.pdf Size:86K _sanyo
1.7. 2sk1473.pdf Size:123K _sanyo
Ordering number:EN3774
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1473
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2062A
Low-voltage drive.
4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Gate
0.75
2 : Drain
3 : Source
SANYO : PCP
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25?C
Parameter Symbo
1.8. 2sk1478.pdf Size:33K _panasonic
Power F-MOS FETs 2SK1478
2SK1478
Silicon N-Channel Power F-MOS
Unit : mm
Features
10.0 0.2 4.2 0.2
Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on)= 0.4?(typ)
5.5 0.2 2.7 0.2
High-speed switching : tf = 44ns(typ)
No secondary breakdown
o3.1 0.1
High breakdown voltage, large allowable power dissipation
Applications
1. 3 0.2
Non-contact relay
1.4 0.1
Solenoid drive
+0.2
0.5 -0.1
0.8
1.9. 2sk1476.pdf Size:202K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1476
DESCRIPTION
·Drain Current –I =12A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V =450 (Min)
DSS
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed especially for high voltage,high speed applications,
such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC
motor controls,relay and solen
1.10. 2sk1478.pdf Size:192K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1478
DESCRIPTION
·Drain Current –I =8A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V =250V(Min)
DSS
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·High speed power switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Voltage (V =0) 250 V
DSS GS
V Gate-Source
1. 11. 2sk1477.pdf Size:202K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1477
DESCRIPTION
·Drain Current –I =12A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V =500 (Min)
DSS
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed especially for high voltage,high speed applications,
such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC
motor controls,relay and solen
TIP141 Datasheet (PDF)
1.1. tip141.pdf Size:223K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP141
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = 5A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 80V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type TIP146
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low
frequency switching applicati
1. 2. tip141f.pdf Size:223K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP141F
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = 5A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 80V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type TIP146F
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low
frequency switching applica
1.3. tip141t.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP141T
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = 5A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 80V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type TIP146T
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low speed
switching application
2SK147 MOSFET — описание производителя.
Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. СправочникНаименование прибора: 2SK147
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.6
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.03
A
Максимальная температура канала (Tj): 125
°C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 25
Ohm
Тип корпуса: TO92MOD
2SK147
Datasheet (PDF)
1.1. 2sk1470.pdf Size:97K _sanyo
Ordering number:EN3771A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1470
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2062A
Low-voltage drive.
4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Gate
0.75
2 : Drain
3 : Source
SANYO : PCP
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25?C
Parameter Symb
1. 2. 2sk1471.pdf Size:92K _sanyo
Ordering number:EN3772A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1471
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2083B
Low-voltage drive.
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
1 : Gate
1 2 3
2 : Drain
3 : Source
2.3 2.3
SANYO : TP
unit:mm
2092B
6.5 2.3
5.0 0.5
4
0.5
0.85
1.3. 2sk1472.pdf Size:119K _sanyo
Ordering number:EN3773A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1472
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2083B
Low-voltage drive.
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
1 : Gate
1 2 3
2 : Drain
3 : Source
2.3 2.3
SANYO : TP
unit:mm
2092B
6. 5 2.3
5.0 0.5
4
0.5
0.85
1.4. 2sk1474.pdf Size:120K _sanyo
Ordering number:EN3775A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1474
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2083B
Low-voltage drive.
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
1 : Gate
1 2 3
2 : Drain
3 : Source
2.3 2.3
SANYO : TP
unit:mm
2092B
6.5 2.3
5.0 0.5
4
0.5
0.85
1.5. 2sk1475.pdf Size:120K _sanyo
Ordering number:EN3776A
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1475
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2083B
Low-voltage drive.
6.5
2.3
5.0
0.5
4
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
1 : Gate
1 2 3
2 : Drain
3 : Source
2. 3 2.3
SANYO : TP
unit:mm
2092B
6.5 2.3
5.0 0.5
4
0.5
0.85
1.6. 2sk147.pdf Size:86K _sanyo
1.7. 2sk1473.pdf Size:123K _sanyo
Ordering number:EN3774
N-Channel Silicon MOSFET
2SK1473
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features Package Dimensions
Low ON resistance.
unit:mm
Ultrahigh-speed switching.
2062A
Low-voltage drive.
4.5
1.5
1.6
0.4 0.5
3 2 1
0.4
1.5
3.0
1 : Gate
0.75
2 : Drain
3 : Source
SANYO : PCP
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25?C
Parameter Symbo
1.8. 2sk1478.pdf Size:33K _panasonic
Power F-MOS FETs 2SK1478
2SK1478
Silicon N-Channel Power F-MOS
Unit : mm
Features
10.0 0.2 4.2 0.2
Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on)= 0.4?(typ)
5.5 0.2 2.7 0.2
High-speed switching : tf = 44ns(typ)
No secondary breakdown
o3.1 0.1
High breakdown voltage, large allowable power dissipation
Applications
1. 3 0.2
Non-contact relay
1.4 0.1
Solenoid drive
+0.2
0.5 -0.1
0.8
1.9. 2sk1476.pdf Size:202K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1476
DESCRIPTION
·Drain Current –I =12A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V =450 (Min)
DSS
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed especially for high voltage,high speed applications,
such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC
motor controls,relay and solen
1.10. 2sk1478.pdf Size:192K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1478
DESCRIPTION
·Drain Current –I =8A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V =250V(Min)
DSS
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·High speed power switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Voltage (V =0) 250 V
DSS GS
V Gate-Source
1. 11. 2sk1477.pdf Size:202K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1477
DESCRIPTION
·Drain Current –I =12A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V =500 (Min)
DSS
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed especially for high voltage,high speed applications,
such as off-line switching power supplies , UPS,AC and DC
motor controls,relay and solen
Другие MOSFET… IRLB4132PBF
, 2SK240
, 2SJ75
, 2SK146
, 2SJ73
, 2SK266
, 2SK455
, 2SK456
, IRFZ44N
, IFN146
, 2SK2564
, 2SK1537
, 2SK2879-01
, 2SK2367
, 2SK2368
, LND150K1
, LND150N3
.
TIP142 Datasheet (PDF)
1.1. tip142t 3da142t.pdf Size:518K _update
TIP142T(3DA142T) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于工业仪器的线性开关转换。
Purpose: Linear and switching industrial equipment.
特点: 基极-发射极设有独立的电阻、直流增益高、与 TIP147T(3CA147T)配对。
complement to TIP147T(
1. 2. tip142t.pdf Size:52K _fairchild_semi
TIP140T/141T/142T
Monolithic Construction With Built In Base-
Emitter Shunt Resistors
High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min.)
Industrial Use
Complement to TIP145T/146T/147T
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Equivalent Circuit
Symbol Parameter Value Units C
1.3. tip142f.pdf Size:62K _fairchild_semi
TIP140F/141F/142F
Monolithic Construction With Built In Base-
Emitter Shunt Resistors
Complement to TIP145F/146F/147F
High DC Current Gain : hFE = 1000 @ VCE = 4V, IC = 5A (Min.)
Industrial Use
TO-3PF
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Epitaxial Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Equivalent Circuit
C
Symbol Parameter Value Units
VCBO
1. 4. tip142t 47t.pdf Size:410K _cdil
Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
SILICON PLANAR POWER DARLINGTON TRANSISTORS TIP142T NPN
TIP147T PNP
TO-220
Plastic Package
For use in Power Linear and Switching Applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Collector Base Voltage VCBO 100 V
Collector Emitter Voltage VCEO 100 V
Emitter Base Voltage VEBO 5.0
1.5. tip142t.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142T
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = 5A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 100V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type TIP147T
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low speed
switching applicatio
1. 6. tip142f.pdf Size:223K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142F
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ I = 5A
FE C
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 100V(Min)
CEO(SUS)
·Complement to Type TIP147F
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low
frequency switching applic
1.7. tip142.pdf Size:164K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor TIP142
DESCRIPTION
·High DC Current Gain-
: hFE = 1000(Min)@ IC= 5A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 100V(Min)
·Complement to Type TIP147
APPLICATIONS
·Designed for general purpose amplifier and low
frequency switching applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta
АВТОМОБИЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ на TIP142 TIP147 200W и преобразователь DC DC на TL494
Усилитель развивает мощность 2х100Вт в стерео включении или 200Вт моно (в мостовом включении).Усилитель построен по схеме Дарлингтона.
Реклама2 шт. термосиликоновая смазка, клейкая Отзывы: ***Отличный клей-термопаста! НО, если распаковали, постарайтесь быстрее использовать! -Быстро высыхает***
Реклама10 шт. тумблер, 2 положения,
Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах.
Для справки: два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона – по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.
Достоинства транзистора Дарлингтона
– Высокий коэффициент усиления по току.
– Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
Недостатки составного транзистора
– Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
– Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В.
– Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.
Входной каскад – усилитель на TL072P
TIP147 и TIP142 darlington-транзисторы используются на выходе усилителя мощности, и вместо них можно использовать BDW83C, BDW84C.
Схема двухполярного БП +35v -35v на TL494, необходимого для нормальной работы УНЧ. Подача перекрестного контура регулируется транзисторами TIP41C TIP42C
Сердцем блока питания является трансформатор EI33 от AT или ATX БП. Об использовании этого трансформатора очень много статей. МОП-транзисторы IRF1010N, управляемые выходом с TL494, могут быть заменены на IRF3205, IRFZ44, 50N06.
РекламаМеталлическая 1200TVL камера с мини-зумом 2,8 мм-12 мм HD, зум – ручная фокусировка
Реклама1 шт. макетка, 2,54 мм Шаг толщина 1,6 мм Отзывы: ***качество хорошее, по размерам подходит идеально, ***
Небольшое видео автора о настройке, порядке построения и работе данного усилителя:
youtube.com/embed/w0edYHMzh5M” frameborder=”0″ allow=”accelerometer; autoplay; encrypted-media; gyroscope; picture-in-picture” allowfullscreen=””/>
И конечно печатная плата.
Транзистор КТ825: характеристики, параметры, аналоги, цоколевка
Транзистор КТ825 – кремниевый составной (схема Дарлингтона), большой мощности, низкочастотный p-n-p транзистор. Используется в ключевых и линейных схемах. Выпускается в металлостеклянном корпусе (КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В) и пластмассовом (2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2).
Цоколевка транзистора КТ825
Характеристики транзистора КТ825
Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), А | Pкmax, Вт | h31э | fгр., МГц |
КТ825Г | 70 | 20 (30) | 125 | 750 | 4 | |
КТ825Д | 45 | 20 (30) | 125 | 750 | 4 | |
КТ825Е | 25 | 20 (30) | 125 | 750 | 4 | |
2Т825А | 80 | 20 (40) | 160 | 500-18000 | 4 | |
2Т825Б | 60 | 20 (40) | 160 | 750-18000 | 4 | |
2Т825В | 45 | 20 (40) | 160 | 750-18000 | 4 | |
2Т825А2 | 100 | 80 | 15 (40) | 30 | 500-18000 | 4 |
2Т825Б2 | 80 | 60 | 15 (40) | 30 | 750-18000 | 4 |
2Т825В2 | 60 | 45 | 15 (40) | 30 | 750-18000 | 4 |
Uкбо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) – Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) – Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) – Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h31э – Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр – граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Вместо КТ825 можно использовать схему составного транзистора (схема Дарлингтона)
Аналоги транзистора КТ825
КТ825Г – 2N6051, 2N6052, 2N6286, 2N6287
КТ825Д – 2N6050, 2N6285
КТ825Е – BDX64
2Т825В – 2N6285
2Т825Б – 2N6286
2Т825А – TIP147, TIP142
Транзисторы КТ818 и КТ825 – Основные параметры, маркировка и цоколевка.
Транзисторы КТ825
Транзисторы КТ825 – кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные
низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.
КТ825 – можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока –
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е – 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 – от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 – от 750 , до 18000 .
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 – 45 в.
У транзисторов КТ825Е – 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 – 60 в.
У транзисторов КТ825Г – 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 – 45 в.
Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В – 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 – 15 А.
Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е – 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В – 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 – 30 Вт.
Без радиатора – 3 Вт.
Напряжение насыщения база – эмиттер при токе коллектора
10 А и базовом токе 40 мА
– 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА – 4в
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц – не более 600пФ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА
– не более 2в.
Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В – +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е – +150 Цельсия.
Граничная частота передачи тока – 4 МГц.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ825
КТ825Г – 2N6051.
КТ825Д – 2N6050.
КТ825Е – BDX64.
КТ825ГM – 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б – 2N6286.
2Т825А – TIP147, TIP142
Транзисторы – купить… или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо
купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -“Гулливер”.
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться выпаять необходимые
транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей “Амфитон”, “Вега”, “Эстония”, “Ода”.
На главную страницу
tip142 – ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ
Технический форум – Показать сообщение отдельно – Транзисторный усилитель с выходниками Tip142 и Tip147. Elektronske komponente. Tranzistori velike snage. Tranzistor TIP142. Усилители TIP142 TIP147 185W. TIP142. Транзисторы. 190W RMS Darlington Car Amplifier TIP142 TIP147 SG3525 Converter transistor amplifier sg3525 circuit dc dc converter… TIP142-TIP147 Power Darlington Transistor. TIP142. Darlington tranzistor NPN – Ic = 10 A, Pd = 125 W, package TO218 Parametry… Как отличить подделку TIP142. TIP142 pinout,TIP142 pin diagram. Транзистор биполярный TIP142T (Darlington) (пара TIP147T). Транзисторы биполярные. Схемы усилителей на tip142 tip147. В первом топике как раз описывается сабовый усилитель. . Я хочу заменить выхлоп на TIP142/147 будет работать… TIP142 TO-247Технические параметры Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и ра. TIP142 К – 220 хороших качеств аудиона транзистора триода и ROHS. Amplificador mono com o TIP142 de 180 a 270w rms. Çıkış katında kullanılan güç transistörleri 4 adet TIP142 ve TIP147 Tüm parçaları piyasada bulunabilir 8Ω 145w 4Ω… TIP142FTU. производители электронных компонентов. Транзистор биполярный TIP147T (Darlington) (пара TIP142T). Транзисторы биполярные. 85*70 мм Что скажут специалисты? . И можно ли будет использовать TIP142/147 в этой схеме? TIP142. The final stage is composed by the cheaper solution 2 pair of darlington. There is a common single… TIP142 даташит в формате pdf. Audio circuit using TIP142 and 147. Wzmacniacz 100W TIP142/147 -kompletny projekt. Внешний вид – 5pairs TIP142T TIP147T Darlington NEW TO220,10PCS. Нажмите на эту ссылку, чтобы перейти к 5Pairs tip142t tip147t Darlington новый TO220 10 шт. Транзистор биполярный TIP147 (Darlington) (пара TIP142). Транзисторы биполярные. TIP142 datasheet – Complementary power Darlington transistors. 2.jpg. 30 PCS TIP142T TO-220 TIP142 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ СИЛЫ КРЕМНИЯ Транзисторы Дарлингтона. tip142 – Рабочие схемы для Вас. Na schemacie podałem przez pomyłkę TIP142 zamiast 147). Faktycznie, dzieki Quarz. . Nawet jeśliby spadek napięcia… Дорогие Фрумчани помогите с разводкой печатной платы для усилителя на транзисторах TIP142/TIP147 вот по этой схеме… Here you find a datasheet. VCEO. TIP142 TI.pdf. TIP142TTU. производители электронных компонентов. Транзисторы TIP142 и TIP147 можно заменить на советские пары KT818-KT819 / KT825-KT827, при использовании последних… Для увеличения тока стабилизации на радиаторе устанавливается составной транзистор TIP142. . Диоды VD1,2 установлены… Помните, что TIP142 и TIP147 – транзисторы Дарлингтона, состоящие из двух транзисторов, двух резисторов и диода. . Source: lea.hamradio.si / s55wt/Napajalnik S53MV.html alternatif link: 13-6v-22-ampere-tip142. .. Monolithic Darlington configuration. Linear and switching industrial equipment. The TIP142 is an… Diode. скачать прайс-лист по радиодеталям в формате EXEL. TIP142 TO218транзистор. TIP142 datasheet – DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS. Esquema do amplificador de áudio com transistores Darlington Tip142 e Tip 147. Tip142 tip142t to-220 transistöric ve ücretsiz kargo. транзисторы биполярные импортные TIP142 TO3PN Inchange Semic. . 120w_tip142_147.jpg. download Amplificador de 100w com tip142 e 147.jpg. Посмотреть больше товаров, которые покупают вместе с TIP142 TO218. TIP 142 npn Darlington tranzystor SOT93. Наверх. Решил повторить схему уселителя на TIP 147 TIP142.Хотелось бы услышать мнения по поводу этой схемы… Cena netto:2,440 zł Cena brutto: 3,00 zł Jednostka miary – szt. Tr TIP142 st tranzystor dar. . TIP142 TIP147 NPN PNP Power Darlington Transistor IC. Blue Services Ltd. TIP122 TIP127 TIP142 T. Five Candlestick , Candle Holder, Metal Candle Holder. Wzmacniacz na TIP142-147. Sharp XL-MP10H czyta CD ale dźwięk jest za wolny (mały bps). zatkany katalizator stilo… 10pcs x TIP142 TRANSISTOR NPN DARLINGTON 100V 10A. Усилитель собранный по простой схеме, с использованием на выходе двух пар дарлингтовых транзисторов TIP142 TIP147… Transistors de sortie T3/T4 TIP122/TIP127 jusqu’à 50WRMS/4Ohms… TIP142 STM.pdf. Superheterodyna tranzystorowa AM. Alan 18 wymiana tranzystorów/diud. Pytania o zasilacz na LM723 + TIP142. I’m not going to use this circuit exactly, but the main part I do. In this design they used TIP142 transistors.Смотрите также:
Лабораторный источник питания. Нуждаюсь в помощи
Рассматриваю варианты схем для построения своего собственного лабораторного блока питания.Наиболее привлекательным считаю вариант «Блок питания / зарядное устройство» по схеме cxem.net/pitanie/5-176.php. Плюсы: часть устройства, отвечающая за регулировку выходных напряжения и тока, выполнена в виде отдельного модуля, управляемого микроконтроллером с двумя каналами АЦП и одним ШИМ, что позволяет использовать модуль совместно с любым имеющимся нерегулируемым источником питания с максимальными входными параметрами 100В/10A. Т.е. можно исполнить регулятор в виде отдельного устройства и регулировать ток/напряжение от любого имеющегося сетевого трансформатора или блока питания.
Важное требование — пропускать 35В/11А в номинальном режиме, т.е. регулятор должен выдерживать 35В/12А.
Однажды в сети видел схему немецкого электронщика. Ссылка утрачена. Его схема была также оформлена в виде модуля для использования совместно с МК. Схемка красиво нарисована, разноцветная, структурно разделена на блок регулировки напряжения и блок ограничения тока. Схема эта была также на базе транзистора TIP142(или TIP147), только там их 5 штук паралельно, и в оригинальном конечном устройстве регулятор управлялся 16-битнымыми R2R ЦАП-ами.
Прошу вашей помощи в поиске схемы блока регулятора/ограничителя от немецкого разработчика.
PS
Также хочу иметь встроенный в корпус преобразователь постоянного напряжения в переменное.
Вариант по схеме из источника www.qrz.ru/schemes/contribute/power/12-220.shtml довольно прост в понимании, но требует двухполярного питания, а у меня только однополярное.
Первые мысли: поставить мощный трансформатор с соотношением 1:1, на вход поочередно комутировать постоянку +Vdd/GND и GND/+Vdd с частотой 50Гц (или любой другой, заданной управляющим МК). Надеюсь на то, что кто-то подскажет где почитать о возможных граблях или о готовых решениях.
1971 – TIP147 Аннотация: транзистор TIP146, 1971 г., TIP145, транзистор, tip142, TIP142, TIP141, транзистор, tip147, TIP140, наконечник141, эквивалент | Оригинал | TIP145, TIP146, TIP147 TIP140, TIP141 TIP142 ОТ-93 TIP145 TIP146 TIP147 транзистор 1971 TIP146 TIP145 наконечник транзистора142 TIP142 tip147 транзистор TIP140 tip141 эквивалент | |
1971 – tip146 Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | TIP145, TIP146, TIP147 TIP140, TIP141 TIP142 global / pdfs / TSP1203 ОТ-93 TIP145 TIP146 | |
1971 – эквивалент tip146 Аннотация: транзистор tip147 TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 | Оригинал | TIP145, TIP146, TIP147 TIP140, TIP141 TIP142 ОТ-93 TIP145 TIP146 tip146 эквивалент tip147 транзистор TIP140 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 | |
наконечник147 Резюме: TIP146 TIP145 tip147 транзистор tip142 tip147 TIP140 TIP141 TIP142 | Оригинал | TIP145, TIP146, TIP147 TIP140, TIP141, TIP142.TIP145 TIP146 tip147 TIP146 TIP145 tip147 транзистор tip142 tip147 TIP140 TIP141 TIP142 | |
2002 – TIP140 Аннотация: tip142 TIP141 транзистор tip142 MPS-U52 pnp резистор Дарлингтон TIP142 усилитель мощности tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ | Оригинал | TIP140 TIP141 * TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 TIP141 TIP142 наконечник транзистора142 MPS-U52 резистор pnp усилитель мощности darlington TIP142 tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ | |
2012 г. – 4132 Резюме: tip142 TIP147 morocco tip147 TIP142 TIP147 NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS высоковольтные высоковольтные ICM TO-247 rev8 TIP142 morocco | Оригинал | TIP142, TIP147 О-247 TIP142 TIP147 О-247 4132 TIP147 Марокко TIP142 TIP147 NPN POWER DARLINGTON ТРАНЗИСТОРЫ высокого напряжения ICM TO-247 rev8 TIP142 Марокко | |
1971 – tip147 Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | TIP145, TIP146, TIP147 TIP140, TIP141 TIP142 ОТ-93 TIP145 TIP146 | |
2007 – TIP147 Резюме: транзистор tip147, эквивалентный TIP146, наконечник146, эквивалентный наконечник145, эквивалентный наконечник147, эквивалентный транзистор tip147 fairchild, Tip142, 1970 год, ASME-14 | Оригинал | TIP145 / TIP146 / TIP147 TIP140 / 141/142 TIP145 TIP146 TIP147 TIP145 / TIP146 / TIP147 TIP147 tip147 транзистор TIP146 tip146 эквивалент tip145 эквивалент tip147 эквивалент tip147 Fairchild tip142 эквивалент эквивалентный транзистор 1970 ASME-14 | |
2012 – Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | TIP142, TIP147 О-247 TIP142 TIP142ny | |
наконечник146 Резюме: tip 146 TIP145 tip147 147 B транзистор | OCR сканирование | TIP145 / 146/147 TIP140 / 141/142 TIP145 TIP146 TIP147 TIPI45 / 146/147 tip146 совет 146 TIP145 tip147 147 В транзистор | |
т1п147 Резюме: тип 147 ТРАНЗИСТОР TIP146 TIP147 TIP14S TJP146 | OCR сканирование | THP145, TJP146, TIP147 TIP140, TIP141 ОТ-93 TIP145 T1P147 TIP146, наконечник 147 ТРАНЗИСТОР TIP146 TIP14S TJP146 | |
2008 – усилитель мощности darlington TIP142 Аннотация: TIP142 TIP147 tip147 TIP140 tip142 транзистор tip147 силовой транзистор Дарлингтона 10a npn Дарлингтон 10A ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Дарлингтона tip146 | Оригинал | TIP140 TIP145 TIP141 TIP146 TIP142 TIP147 TIP140, TIP145 О-218 усилитель мощности darlington TIP142 TIP142 TIP147 tip147 наконечник транзистора147 транзистор дарлингтона 10а npn ДАРЛИНГТОН 10A ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Дарлингтона tip146 | |
2002 – Рекомендации по применению TIP142 Аннотация: TIP147 Указание по применению Схема усилителя на 300 Вт tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP142 TIP145 Darlington TIP142 усилитель мощности TIP141 1N5825 TIP140 | Оригинал | TIP140 TIP141 * TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 TIP140, TIP141, Примечание по применению TIP142 Примечание по применению TIP147 Схема усилителя мощностью 300 Вт tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP142 TIP145 усилитель мощности darlington TIP142 TIP141 1N5825 TIP140 | |
2005 – Рекомендации по применению TIP142 Резюме: tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP141G TIP140 TIP142G TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142, TIP145, TIP146, TIP147, TIP147 Примечание по применению TIP142 tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP141G TIP140 TIP142G TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 | |
2007 – TIP147 марокко Резюме: TIP142 TIP147 tip142 tip147 TIP142 MOROCCO tip142 / TIP142 JESD97 TIP147 to247 транзистор TIP142 to-247 | Оригинал | TIP142 TIP147 TIP142 О-247 TIP147.О-247 TIP147 Марокко TIP147 tip142 tip147 TIP142 МАРОККО tip142 / TIP142 JESD97 TIP147 – 247 транзистор ТИП142 к-247 | |
TIP14 Аннотация: TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 | OCR сканирование | TIP147 TIP140, TIP141 TIP142 ОТ-93 TIP145 TIP146 TIP147 TIP14 TIP140 TIP142 | |
Филипс TIP147 Резюме: TLP147 TIP146 усилитель мощности Darlington TIP142 TIP147 TIP145 TIP142 TIP141 TIP140 111SL | OCR сканирование | TIP145 TIP147 Т-33-3Ã ОТ-93 TIP140, TIP141 TIP142.TIP146 Филипс TIP147 TLP147 усилитель мощности darlington TIP142 TIP147 TIP142 TIP140 111SL | |
2004 – Цепь усилителя tip142 / TIP147 Аннотация: TIP142 TIP140 TIP147 tip142 tip147 Darlington TIP142 усилитель мощности tip147 транзистор tip142, схемы усилителя tip147 TIP145 транзистор tip142 | Оригинал | TIP140 TIP142 TIP145 TIP147 TIP140, TIP145 TIP141, TIP146 TIP142, tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP142 TIP147 tip142 tip147 усилитель мощности darlington TIP142 tip147 транзистор tip142, tip147 схемы усилителя наконечник транзистора142 | |
2001-ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ tip142 / TIP147 Резюме: MPS-U52 TIP142 Примечание по применению TIP140 / D tip142 / 147 TIP142 TIP141 tip142 / GX55220A MSD6100 1N5825 | Оригинал | TIP140 TIP141 * TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 TIP140, TIP141, tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ MPS-U52 Примечание по применению TIP142 TIP140 / D tip142 / 147 TIP142 TIP141 tip142 / GX55220A MSD6100 1N5825 | |
2012 – Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142, TIP145, TIP146, TIP147, TIP145 TIP146 | |
2009 – TIP147 Резюме: поддельный tip146 эквивалент tip147 технический паспорт tip147 fairchild TIP145 TIP146 эквивалент tip147 | Оригинал | TIP145 TIP146 TIP147 TIP140 / 141/142 TIP145 TIP146 TIP147 подделка tip146 эквивалент tip147 лист данных tip147 Fairchild tip147 эквивалент | |
TIP147 Резюме: TIP142 TIP142 TIP147 TIP147 to247 tip147 транзистор транзистор TIP142 to-247 транзистор tip142 JESD97 | Оригинал | TIP142 TIP147 TIP142 О-247 TIP147.О-247 TIP147 TIP142 TIP147 TIP147 – 247 tip147 транзистор транзистор ТИП142 к-247 наконечник транзистора142 JESD97 | |
наконечник146 Резюме: philips TIP147 tip147 | OCR сканирование | TIP145 TIP146 TIP147 D043St ОТ-93 TIP140, TIP141 TIP142. ОТ-93. Филипс TIP147 tip147 | |
TIP142 TIP147 Резюме: SOT93 TIP147 TIP145 TIP142G TIP142 TIP141G TIP141 TIP140G TIP140 | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142, TIP145, TIP146, TIP147, TIP147 TIP142 TIP147 SOT93 TIP145 TIP142G TIP142 TIP141G TIP141 TIP140G TIP140 | |
2012 – TIP14x Резюме: TIP147G 80K-40 TIP140-D tip142g TIP141G | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142, TIP145, TIP146, TIP147, TIP145 TIP146 TIP14x TIP147G 80K-40 TIP140-D наконечник142г TIP141G |
1971 – TIP1421 Резюме: TIP142 TIP141 TIP140 TIP1402 tip142 / GX55220A TIP145 TIP146 TIP147 | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142 TIP145, TIP146 TIP147 ОТ-93 TIP140 TIP141 TIP1421 TIP142 TIP141 TIP140 TIP1402 tip142 / GX55220A TIP145 TIP147 | |
2002 – TIP140 Аннотация: tip142 TIP141 транзистор tip142 MPS-U52 pnp резистор Дарлингтон TIP142 усилитель мощности tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ | Оригинал | TIP140 TIP141 * TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 TIP141 TIP142 наконечник транзистора142 MPS-U52 резистор pnp усилитель мощности darlington TIP142 tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ | |
TIP142 Резюме: TIP141 TIP142 TIP147 TIP140 tip141 эквивалент TIP-142 TIP146 TIP145 tip142 / GX55220A SOT93 | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142 TIP145, TIP146, TIP147.TIP140 TIP141 TIP142 TIP141 TIP142 TIP147 TIP140 tip141 эквивалент TIP-142 TIP146 TIP145 tip142 / GX55220A SOT93 | |
2012 г. – 4132 Резюме: tip142 TIP147 morocco tip147 TIP142 TIP147 NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS высоковольтные высоковольтные ICM TO-247 rev8 TIP142 morocco | Оригинал | TIP142, TIP147 О-247 TIP142 TIP147 О-247 4132 TIP147 Марокко TIP142 TIP147 NPN POWER DARLINGTON ТРАНЗИСТОРЫ высокого напряжения ICM TO-247 rev8 TIP142 Марокко | |
2007 – TIP142 Аннотация: эквивалентный транзистор 1970 tip142 эквивалент tip141 эквивалент TIP141 транзистор tip142 TIP141 транзистор TIP-142 TIP140 эквивалент tip140 | Оригинал | TIP140 / TIP141 / TIP142 TIP145 / 146/147 TIP140 TIP141 TIP142 TIP140 / TIP141 / TIP142 TIP142 эквивалентный транзистор 1970 tip142 эквивалент tip141 эквивалент TIP141 наконечник транзистора142 ТИП141 ТРАНЗИСТОР TIP-142 TIP140 tip140 эквивалент | |
2005 – Рекомендации по применению TIP142 Резюме: tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP141G TIP140 TIP142G TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142, TIP145, TIP146, TIP147, TIP147 Примечание по применению TIP142 tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP141G TIP140 TIP142G TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 | |
2008 – усилитель мощности darlington TIP142 Аннотация: TIP142 TIP147 tip147 TIP140 tip142 транзистор tip147 силовой транзистор Дарлингтона 10a npn Дарлингтон 10A ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Дарлингтона tip146 | Оригинал | TIP140 TIP145 TIP141 TIP146 TIP142 TIP147 TIP140, TIP145 О-218 усилитель мощности darlington TIP142 TIP142 TIP147 tip147 наконечник транзистора147 транзистор дарлингтона 10а npn ДАРЛИНГТОН 10A ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ МОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Дарлингтона tip146 | |
2000 – TIP142 Резюме: TIP147 tip141 morocco tip142 / 147 TIP147 morocco TIP141 TIP142 morocco TIP145 TIP147V tip142 darlington | Оригинал | TIP140 / 141/142 TIP145 / 146/147 TIP141, TIP142, TIP145 TIP147 О-218 TIP140, TIP141 TIP142 tip141 марокко tip142 / 147 TIP147 Марокко TIP142 Марокко TIP147V tip142 Дарлингтон | |
2007 – TIP147 марокко Резюме: TIP142 TIP147 tip142 tip147 TIP142 MOROCCO tip142 / TIP142 JESD97 TIP147 to247 транзистор TIP142 to-247 | Оригинал | TIP142 TIP147 TIP142 О-247 TIP147.О-247 TIP147 Марокко TIP147 tip142 tip147 TIP142 МАРОККО tip142 / TIP142 JESD97 TIP147 – 247 транзистор ТИП142 к-247 | |
1971 – ТИП141 ТРАНЗИСТОР Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142 TIP145, TIP146 TIP147 ОТ-93 TIP140 TIP141 ТИП141 ТРАНЗИСТОР | |
1971 – TIP141 Аннотация: Транзистор TIP147 1971 TIP142 TIP142 TIP147 TIP140 TIP145 TIP146 TIP141 ТРАНЗИСТОР | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142 TIP145, TIP146 TIP147 ОТ-93 TIP140 TIP141 TIP141 TIP147 транзистор 1971 TIP142 TIP142 TIP147 TIP140 TIP145 ТИП141 ТРАНЗИСТОР | |
2012 – Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | TIP142, TIP147 О-247 TIP142 TIP142ny | |
1971 – TIP141 Резюме: TIP1421 TIP142 TIP147 TIP141 ТРАНЗИСТОР Тип транзистора142 TIP145 TIP147 TIP142 TIP140 TIP146 | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142 TIP145, TIP146 TIP147 ОТ-93 TIP140 TIP141 TIP141 TIP1421 TIP142 TIP147 ТИП141 ТРАНЗИСТОР наконечник транзистора142 TIP145 TIP147 TIP142 TIP140 | |
1996-ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP142 / TIP147 Аннотация: TIP141 эквивалентный транзистор Дарлингтона TIP142 TIP147 со встроенной температурой c DIODE 638 Транзистор MOTOROLA tip142 npn транзистор Дарлингтона 150 Вт 1N5825 MSD6100 TIP140 | Оригинал | TIP140 / D TIP140 TIP141 * TIP142 * TIP145 TIP146 * TIP147 * TIP140, TIP141, tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ tip141 эквивалент TIP142 TIP147 транзистор Дарлингтона со встроенной температурой c ДИОД 638 МОТОРОЛА наконечник транзистора142 npn транзистор дарлингтона 150 ватт 1N5825 MSD6100 TIP140 | |
транзистор c 1971 г. Аннотация: Текст аннотации недоступен | OCR сканирование | TIP142 TIP145, TIP146 TIP147 ОТ-93 TIP140 TIP141 транзистор c 1971 г. | |
2012 – TIP14x Резюме: TIP147G 80K-40 TIP140-D tip142g TIP141G | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142, TIP145, TIP146, TIP147, TIP145 TIP146 TIP14x TIP147G 80K-40 TIP140-D наконечник142г TIP141G | |
2012 – Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен | Оригинал | TIP140, TIP141, TIP142, TIP145, TIP146, TIP147, TIP145 TIP146 | |
2001-ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ tip142 / TIP147 Резюме: MPS-U52 TIP142 Примечание по применению TIP140 / D tip142 / 147 TIP142 TIP141 tip142 / GX55220A MSD6100 1N5825 | Оригинал | TIP140 TIP141 * TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 TIP140, TIP141, tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ MPS-U52 Примечание по применению TIP142 TIP140 / D tip142 / 147 TIP142 TIP141 tip142 / GX55220A MSD6100 1N5825 | |
1997 – TIP142 Резюме: TIP141 TIP147 TIP140 TIP147 марокко SGS-Thomson tip142 / 147 TIP146 TIP145 tip147 sgs-thomson | Оригинал | TIP140 / 141/142 TIP145 / 146/147 TIP141, TIP142, TIP145 TIP147 О-218 TIP140, TIP141 TIP142 TIP140 TIP147 Марокко SGS-Thomson tip142 / 147 TIP146 tip147 sgs-thomson | |
2002 – Рекомендации по применению TIP142 Аннотация: TIP147 Указание по применению Схема усилителя на 300 Вт tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP142 TIP145 Darlington TIP142 усилитель мощности TIP141 1N5825 TIP140 | Оригинал | TIP140 TIP141 * TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 TIP140, TIP141, Примечание по применению TIP142 Примечание по применению TIP147 Схема усилителя мощностью 300 Вт tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP142 TIP145 усилитель мощности darlington TIP142 TIP141 1N5825 TIP140 | |
2000 – TIP142 Резюме: TIP142 Марокко TIP147 Марокко TIP140 TIP141 TIP147 TIP147 TO-218 TIP145 TIP146 | Оригинал | TIP140 / 141/142 TIP145 / 146/147 TIP141, TIP142, TIP145 TIP147 О-218 TIP140, TIP141 TIP142 TIP142 Марокко TIP147 Марокко TIP140 TIP147 TO-218 TIP146 | |
1995-ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ TIP142 / TIP147 Аннотация: Силовые транзисторы Дарлингтона NPN, 100 А, Рекомендации по применению TIP142 TIP142 Транзисторы Дарлингтона NPN, 200 Вт, tip142, tip147, схемы усилителя, tip146, Рекомендации по применению TIP140-D 1N5825 MSD6100 | Оригинал | TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 TIP140 / D * TIP140 / D tip142 / TIP147 ЦЕПЬ УСИЛИТЕЛЯ Силовые транзисторы Дарлингтона npn, 100 ампер Примечание по применению TIP142 TIP142 npn транзистор дарлингтона 200 ватт tip142, tip147 схемы усилителя tip146 примечание по применению TIP140-D 1N5825 MSD6100 | |
Филипс TIP142 Аннотация: tip142 усилитель мощности philips darlington TIP142 TIP147 TIP146 TIP145 TIP142 TIP141 TIP140 philips TIP147 | OCR сканирование | TIP140 TIP141 TIP142 7110fl 004350b ОТ-93 TIP145, TIP146 TIP147.Филипс TIP142 tip142 philips усилитель мощности darlington TIP142 TIP147 TIP145 TIP142 TIP141 Филипс TIP147 | |
Филипс TIP142 Аннотация: усилитель мощности Darlington TIP142, Philips TIP147 | OCR сканирование | TIP140 TIP141 TIP142 711GflSb GD435flb Т-33-З ОТ-93 TIP145, TIP146 TIP147. Филипс TIP142 усилитель мощности darlington TIP142 Филипс TIP147 | |
1995 – тип141.142 Резюме: TIP142 TIP147 morocco tip142 / 147 IP147 tip142 tip147 TIP146 IP142 TIP141 TIP147 | Оригинал | TIP141 / 142 TIP146 / 147 TIP141и TIP142 О-218 TIP146 TIP147 О-218 IP141 IP142 tip141.142 TIP147 Марокко tip142 / 147 IP147 tip142 tip147 IP142 TIP141 |
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147 Лист данных
/ var / www / html / datasheet / sites / default / files / pdfhtml_images / 4132-html.html TIP140 / 141/142
TIP145 / 146/147
ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ СИЛА КРЕМНИЯ
ТРАНЗИСТОРЫ ДАРЛИНГТОНА
■
TIP141, TIP142, TIP145 И TIP147 ЯВЛЯЮТСЯ
ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫМИ ТИПАМИ ПРОДАЖИ SGS-THOMSON
■
ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА PNP – NPN
■
МОНОЛИТНАЯ КОНФИГУРАЦИЯ DARLINGTON
■
ВСТРОЕННЫЙ АНТИПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ
КОЛЛЕКТОР-ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЙ ДИОД
ПРИМЕНЕНИЕ
■
ЛИНЕЙНОЕ И КОММУТАЦИОННОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
ОБОРУДОВАНИЕ
ОПИСАНИЕ
TIP140, TIP141 и TIP142 представляют собой кремниевые силовые NPN-транзисторы с эпитаксиальной базой
в монолитной конфигурации Дарлингтона
и смонтированы в пластиковом корпусе TO-218.Они
предназначены для использования в линейных и коммутационных приложениях
.
Дополнительные типы PNP – это TIP145,
TIP146 и TIP147 соответственно.
ВНУТРЕННЯЯ СХЕМА
июнь 1997
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ
Символ
Параметр
Значение
Блок
НПН
TIP140
TIP141
TIP142
PNP
TIP145
TIP146
TIP147
В
CBO
Напряжение коллектор-база (I
E
= 0)
60
80
100
В
В
Генеральный директор
Напряжение коллектор-эмиттер (I
В
= 0)
60
80
100
В
В
EBO
Напряжение эмиттер-база (I
С
= 0)
5
В
I
С
Ток коллектора
10
А
I
СМ
Пиковый ток коллектора
20
А
Я
В
Базовый ток
0.5
А
-П
общ
Полное рассеивание при T
футляр
≤
25
или
С
125
Вт
т
stg
Температура хранения
-65 до 150
или
С
т
j
Макс. Рабочая температура перехода
150
или
С
Для типов PNP значения напряжения и тока отрицательны.
R
1
Тип. = 5 К
Ом
R
2
Тип. = 150
Ом
1
2
3
К-218
1/4
/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/4132-html.htmlТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
R
thj-кейс
Термическое сопротивление, корпус, макс.
1
или
с / ш
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (T
футляр
= 25
или
C, если не указано иное)
Символ
Параметр
Условия испытаний
Мин.
Тип.
Макс.
Блок
Я
CBO
Отключение коллектора
Ток (I
E
= 0)
для TIP140 / 145 В
CB
= 60 В
для TIP141 / 146 V
CB
= 80 В
для TIP142 / 147 V
CB
= 100 В
1
1
1
мА
мА
мА
Я
Генеральный директор
Отключение коллектора
Ток (I
В
= 0)
для TIP140 / 145 В
CE
= 30 В
для TIP141 / 146 V
CE
= 40 В
для TIP142 / 147 V
CE
= 50 В
2
2
2
мА
мА
мА
Я
EBO
Ток отключения эмиттера
(I
С
= 0)
В
EBO
= 5 В
2
мА
В
Генеральный директор (с.с.)
* Коллектор-эмиттер
Поддерживающее напряжение
(I
В
= 0)
Я
С
= 30 мА
для TIP140 / 145
для TIP141 / 146
для TIP142 / 147
60
80
100
В
В
В
В
CE (сб)
*
Коллектор-эмиттер
Напряжение насыщения
Я
С
= 5 А I
В
= 10 мА
Я
С
= 10 А I
В
= 40 мА
2
3
В
В
В
BE (на)
*
Напряжение база-эмиттер
Я
С
= 10 А
CE
= 4 В
3
В
ч
FE
*
Коэффициент усиления постоянного тока
Я
С
= 5 А В
CE
= 4 В
Я
С
= 10 А В
CE
= 4 В
1000
500
т
по
Время включения
Я
С
= 10 А I
B1
= 40 мА
Я
B2
= -40 мА R
л
= 3
Ом
0.9
µ
с
т
от
Время выключения
4
µ
с
Для типов PNP значения напряжения и тока отрицательны.
TIP140 / TIP141 / TIP142 / TIP145 / TIP146 / TIP147
2/4
/var/www/html/datasheet/sites/default/files/pdfhtml_images/4132-html.htmlРАЗМ.
мм
дюймов
МИН.
ТИП.
МАКС.
МИН.
ТИП.
МАКС.
А
4,7
4,9
0,185
0,193
С
1,17
1,37
0,046
0,054
D
2,5
0,098
E
0,5
0,78
0,019
0.030
Ф
1,1
1,3
0,043
0,051
G
10,8
11,1
0,425
0,437
H
14,7
15,2
0,578
0,598
L2
–
16,2–
0,637
L3
18
0,708
L5
3,95
4,15
0,155
0.163
L6
31
1,220
R
–
12,2
–
0,480
Ø 4
4,1
0,157
0,161
R
А
С
D
E
H
Ф
G
L6
¯
L3
L2
L5
1 2 3
ТО-218 (СОТ-93) МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
P025A
TIP140 / TIP141 / TIP142 / TIP145 / TIP146 / TIP147
3/4
/ var / www / html / datasheet / sites / default / files / pdfhtml_images / 4132-html.html Предоставленная информация считается точной и надежной. Однако SGS-THOMSON Microelectronics не несет ответственности за
последствий использования такой информации, а также за любое нарушение патентов или других прав третьих лиц, которое может возникнуть в результате ее использования. Лицензия
не предоставляется косвенно или иным образом на основании каких-либо патентов или патентных прав SGS-THOMSON Microelectronics. Технические характеристики, упомянутые в данной публикации
, могут быть изменены без предварительного уведомления.Эта публикация заменяет всю ранее предоставленную информацию.
Продукты SGS-THOMSON Microelectronics не разрешены к использованию в качестве критических компонентов в устройствах или системах жизнеобеспечения без явного письменного разрешения
SGS-THOMSON Microelectonics.
© 1997 SGS-THOMSON Microelectronics – Напечатано в Италии – Все права защищены
ГРУППА КОМПАНИЙ SGS-THOMSON Microelectronics
Австралия – Бразилия – Канада – Китай – Франция – Германия – Гонконг – Италия – Япония – Корея – Малайзия – Мальта – Марокко – Нидерланды –
Сингапур – Испания – Швеция – Швейцария – Тайвань – Таиланд – Великобритания – U.S.A
. . .
TIP140 / TIP141 / TIP142 / TIP145 / TIP146 / TIP147
4/4
Цепь усилителя мощностью 150 Вт
Схема недорогого усилителя мощностью 150 Вт
В этом проекте мы создаем простую схему усилителя мощностью 150 Вт.
ОписаниеНа мой взгляд, это самая дешевая схема усилителя на 150 Вт, которую вы можете сделать. Основанная на двух силовых транзисторах Дарлингтона TIP 142 и TIP 147, эта схема может обеспечить выдачу 150 Вт Rms на динамик с сопротивлением 4 Ом.Достаточно, чтобы тебя раскачивали?; Тогда попробуйте это.
TIP 147 и 142 – это дополнительные транзисторы пары Дарлингтона, которые могут выдерживать ток 5 А и 100 В, известные своей прочностью. Здесь два транзистора BC 558 Q5 и Q4 подключены как предварительный усилитель, а TIP 142, TIP 147 вместе с TIP41 (Q1, Q2, Q3) используются для управления динамиком. Эта схема спроектирована настолько прочно, что ее можно собрать даже на Перфорированная плата или даже пайка контактов. Схема может питаться от двойного источника питания +/- 45 В, 5 А.Вы должны попробовать эту схему, она отлично работает!
Блок предусилителя этой схемы основан на Q4 и Q5, которые образуют дифференциальный усилитель. Использование дифференциального усилителя на входном каскаде снижает шум, а также обеспечивает возможность применения отрицательной обратной связи. Таким образом улучшаются общие характеристики усилителя. Входной сигнал подается на базу Q5 через разделительный конденсатор постоянного тока C2. Напряжение обратной связи подается на базу Q4 от перехода резисторов 0,33 Ом через резистор 22K.Комплементарный двухтактный каскад класса AB построен на транзисторах Q1 и Q2 для управления громкоговорителем. Диоды D1 и D2 смещают дополнительную пару и обеспечивают работу класса AB. Транзистор Q3 управляет двухтактной парой, а его база напрямую соединена с коллектором Q5.
Принципиальная электрическая схема и список деталей. Принципиальная схема усилителя мощностью 150 Вт Печатные платыдля этого проекта можно заказать через PCBWay . В ближайшее время мы загрузим образец файла печатной платы (для загрузки).
Примечания.- Помните, что TIP 142 и 147 – это пары Дарлингтона. Они для простоты показаны на рисунке как обычные транзисторы. Так что не запутайтесь. Даже если внутри каждого из них 2 транзистора, 2 резистора и 1 диод, только три контакта, база эмиттер и коллектор выходят наружу. Остальные соединены внутри, так что для простоты вполне нормально принять каждый из них как транзистор.
- Используйте хорошо регулируемый и фильтруемый источник питания.
- Подключите 10K POT последовательно ко входу в качестве регулятора громкости, если вам нужно.На принципиальной схеме не показано.
- Все электролитические конденсаторы должны быть рассчитаны на напряжение не менее 50 вольт.
Источник питания для этой цепи.
A + 40 / -40 нерегулируемый двойной источник питания для этого проекта усилителя показан ниже. Этого блока питания хватает только для питания одного канала, а для стереосистем удваивают номинальные токи трансформатора, диодов и предохранителей.
Блок питания для этого проекта TIP 142 & 147 Внутренняя схема и распиновка. СОВЕТ 142-СОВЕТ 147 Схема выводов со схемамиПримечание: – Мы объяснили, как создать схему этой схемы и ее печатной платы с помощью онлайн-инструмента EDA – EasyEDA . Вы можете прочитать статью, чтобы понять, как нарисовать и разработать печатную плату этой схемы.
У нас есть дополнительный список схем усилителей, которые вы можете посетить;
1. Схема стереоусилителя 2 х 60 Вт – спроектирована с использованием LM4780, ИС аудиоусилителя, которая может выдавать выходную мощность 60 Вт RMS на канал на 8-омные динамики.Преимущества использования этой ИС – низкий уровень гармонических искажений по сравнению с другими усилителями ИС аналогичной категории и степень отклонения источника питания 85 дБ. Кроме того, для этого требуется минимум компонентов и встроенная функция отключения звука.
2. Схема усилителя наушников – Это простая схема, в которой используются только 3 транзистора, которые можно использовать для управления наушниками. Он может быть легко собран любым и может питаться от батареи на 3 вольта.
3. Схема усилителя на МОП-транзисторе – В этой схеме используются два МОП-транзистора и один транзистор; что позволяет легко построить схему.Он может обеспечивать выходную мощность 18 Вт на динамик 8 Ом или 30 Вт на динамик 4 Ом; Вы можете делать это так, как вам нравится. Еще одно преимущество этой схемы – минимальное использование компонентов.
4. Усилитель мощностью 40 Вт с использованием TDA1514 – TDA1514 – это высококачественный Hi-Fi усилитель от Philips. Требуется двойное питание + 25 / -25 В. Преимуществами использования TDA1514 являются низкий коэффициент нелинейных искажений, функция отключения звука в режиме ожидания, тепловая защита и другие функции. Он может обеспечить выходную мощность 40 Вт на динамик с сопротивлением 8 Ом.Для желаемой надежности этой схемы вам понадобится подходящий радиатор.
5. Схема стереоусилителя 2 х 32 Вт – Эта схема построена с использованием TDA2050, который представляет собой микросхему аудиоусилителя класса AB мощностью 32 Вт (монолитную). Эта ИС имеет множество функций, таких как тепловое отключение, низкий коэффициент нелинейных искажений, защита от короткого замыкания и т. Д. В этой схеме используются два таких ИС TDA205o; по одному на каждый канал. Для питания этой схемы требуется двойной источник питания на 18 вольт.
BJTs TIP147 – поисковый робот для онлайн-дистрибьютора.com цена, отзывы, фотографии, характеристики, расписание
TIP147 Таблица спецификаций
Для многих продуктов BJT мы также показываем лабораторные данные измерений. TIP147 можно сравнить с техническими данными, а также показать отклонения в данных рабочих точках.
Лист данных производителя | Условия измерения | Измеренное значение | Условия измерения | Отклонение в% | ||
Напряжение коллектора-эмиттера Vceo Max | 100 В | – | – | – | – | |
Полярность | PNP | – | – | – | – | |
Номинальная мощность | 125 Вт | – | – | – | Коллектор – | 9004|
10 A | – | – | – | – | ||
Коэффициент усиления постоянного тока (hfe) (мин) при Ic, Vce Gain | 1000 дБ | – | – | – | – | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hfe) (мин) @ Ic, Vce Ic | 5 A | – | – | – 9001 0 | – | |
Коэффициент усиления постоянного тока (hfe) (мин) @ Ic, Vce Vce | 4 В | – | – | – | – | |
Комплект устройств поставщика | TO-218 | – | – | – | – | |
Тип клеммы | Сквозное отверстие | – | – | – | – | |
Мин. Рабочая температура | -65 degC | – – | – | – | ||
Макс.рабочая температура | 150 ° C | – | – | – | – |
Диаграммы TIP147
Следующие графики TIP147 относятся к сегменту продуктов по лабораторным измерениям.Они показывают рабочие точки – это различные параметры / условия.
Цены на TIP147, образцы и запасы дистрибьютора
Листы данных TIP147
Производитель | Описание | Лист данных |
Ниже перечислены цены дистрибьюторов # TIP147, образцы и имеющиеся запасы. Кнопка «Купить сейчас» переводит вас прямо на правую целевую страницу TIP147 у дистрибьютора, что упрощает покупку образцов.
Pobierz plik TIP147.pdf z tematu Sprawdzenie tranzystorw Tip 147/142
Sprawdzenie tranzystorw Наконечник 147/142
Совет 147/142 pdf.
TIP141 / 142
TIP146 / 147
ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ СИЛИКОНОВАЯ СИЛА
ТРАНЗИСТОРЫ ДАРЛИНГТОНА
n
ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫЕ ТИПЫ ПРОДАЖИ SGS-THOMSON
ОПИСАНИЕ
TIP141 и транзисторы Daritling
на базе транзистора
и транзисторы Daritling 9000 в конфигурации с монтировкой на основе кремния NPT и Daritling
монтируются -218 пластиковая упаковка
. Они предназначены для использования в линейных и коммутационных устройствах Power
.
Дополнительные типы PNP – это TIP146 и
TIP147 соответственно.
3
2
1
TO-218
ВНУТРЕННЯЯ СХЕМАТИЧЕСКАЯ СХЕМА
R1 Тип. = 5 кОм
R2 Тип. = 150 Ом
АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ
Символ
Параметр
Значение
Устройство
NPN
T IP141
T IP142
PNP
Коллектор47 9000 IP146 9000 T IP149 9000 T IP149 9000 -Base Voltage (IE = 0)
80
100
V
V CEO
Напряжение коллектор-эмиттер (IB = 0)
80
100
V
V EBO
Emitter-Base Напряжение (IC = 0)
5
В
Ток коллектора
10
A
Пиковый ток коллектора
20
A
Базовый ток
0.5
A
IC
I CM
IB
o
P tot
Общее рассеяние при Tc ase <= 2 5 C
T s tg
Температура хранения
Tj
Макс. Рабочая температура перехода
125
Вт
от -65 до 150
o
C
150
o
C
* Для типов PNP значения напряжения и тока отрицательны.
октябрь 1995
1/4
TIP141 / TIP142 / TIP146 / TIP147
ТЕПЛОВЫЕ ДАННЫЕ
R thj -ca se
Корпус терморезистивного соединения
Макс. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Tcase = 25 oC, если не указано иное)
Символ
Параметр
Условия проверки
Мин.
Т ип.
Макс.
Агрегат
I CBO
Отключение коллектора
Ток (IE = 0)
для T IP141 / 146
для TIP142 / 147
В CB = 80 В
В CB = 100 В
1
1
мА
мА
I CEO
Отсечка коллектора
Ток (IB = 0)
для T IP141 / 146
для T IP142 / 147
В CE = 40 В
В CE = 50 В
2
2
мА
мА
I EBO
Ток отключения эмиттера
(IC = 0)
В EBO = 5 В
2
мА
В CEO (sus) * Коллектор-эмиттер
Поддерживаемое напряжение
(IB = 0)
IC = 30 мА
для T IP141 / 146
для TIP142 / 147
80
100
В
В
В CE (насыщ.) *
Коллектор-эмиттер
Насыщение Напряжение
IC = 5 A
IC = 10 A
IB = 10 мА
IB = 40 мА
2
3
В
В
Напряжение база-эмиттер
IC = 10 A
В CE = 4 В
3
В
Коэффициент усиления постоянного тока
IC = 5 A
IC = 10 A
V CE = 4 V
V CE = 4 V
t on
Время включения
t off
Время выключения
IC = 10 A
I B2 = -40 мА
I B1 = 40 мА
RL = 3 Ом
h FE *
* Для типов PNP значения напряжения и тока отрицательны.
2/4
1000
500
0,9
us
4
us
TIP141 / TIP142 / TIP146 / TIP147
TO-218 (SOT-93) МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
мм
мм
МИН.
дюймов
ТИП.
МАКС.
МИН.
ТИП.
МАКС.
A
4,7
4,9
0,185
0,193
C
1,17
1,37
0,046
0.054
D
2,5
0,098
E
0,5
0,78
0,019
0,030
F
1,1
1,3
0,043
9000 9000 9000 90000,425
0,437
H
14,7
15,2
0,578
0,598
L2
–
16,2
–
0,637
000 9000
0,637
000
7083,95
4,15
L6
0,155
0,163
31
1,220
–
12,2
–
0,480
?
4
4,1
0,157
0,161
D
C
A
E
R
L6
L5
H
L9
L2
G
L2
R
1
2
3
P025A
3/4
TIP141 / TIP142 / TIP146 / TIP147
Представленная информация является точной и надежной.Тем не менее, SGS-THOMSON Microelectronics не несет ответственности за последствия использования такой информации
, а также за любые нарушения патентов или других прав третьих лиц, которые могут возникнуть в результате ее использования. Лицензия
s
не предоставляется косвенно или иным образом на основании каких-либо патентов или патентных прав SGS-THOMSON Microelectronics. Технические характеристики, упомянутые в данной публикации
, могут быть изменены без предварительного уведомления. Эта публикация заменяет всю ранее предоставленную информацию.
s
Продукты SGS-THOMSON Microelectronics не разрешены для использования в качестве критически важных компонентов в устройствах или системах жизнеобеспечения без явного письменного разрешения
SGS-THOMSON Microelectonics.
(C) 1995 SGS-THOMSON Microelectronics – Все права защищены
ГРУППА КОМПАНИЙ SGS-THOMSON Microelectronics
Австралия – Бразилия – Франция – Германия – Гонконг – Италия – Япония – Корея – Малайзия – Мальта – Марокко – Нидерланды Сингапур – Испания – Швеция – Швейцария – Тайвань – Таиланд – Великобритания – U.S.A
.
4/4
Pobierz plik – ссылка на сообщение
TIP142 TIP147 – Tayda Electronics
TIP142 TIP147 Дополнительные силовые транзисторы Дарлингтона Функции . ■ Монолитная конфигурация Дарлингтона ■ Встроенный встречно-параллельный диод коллектор-эмиттер Приложения ■ Линейное и коммутационное промышленное оборудование 3 2 Описание 1 TIP142 - это мощность NPN на эпитаксиальной основе. транзистор в монолитной конфигурации Дарлингтона, в пластиковом корпусе ТО-247. Это предназначено для использования в линейных и коммутационных приложениях.Дополнительный тип PNP - TIP147. К-247 Рисунок 1. Внутренние принципиальные схемы R1 тип. = 5 кВт Таблица 1. R2 тип. = 150 Вт Сводка по устройству Номер части Маркировка TIP142 TIP142 TIP147 TIP147 Октябрь 2007 г. Ред. 6 Упаковка Упаковка К-247 Трубка 1/8 www.st.com 8 Абсолютные максимальные значения 1 TIP142 TIP147 Абсолютные максимальные значения Таблица 2. Абсолютные максимальные значения Символ Параметр Ценить NPN TIP142 PNP TIP147 Единица измерения VCBO Напряжение коллектор-база (IE = 0) 100 V VCEO Напряжение коллектор-эмиттер (IB = 0) 100 V ВЭБО Напряжение эмиттер-база (IC = 0) 5 V Коллекторный ток 10 А Пиковый ток коллектора 20 А Базовый ток 0.5 А PTOT Полное рассеивание при Tcase = 25 ° C 125 W Tstg Температура хранения От -65 до 150 ° C 150 ° C IC ICM IB TJ Максимум. рабочая температура перехода Для типа PNP напряжение и ток отрицательны. Таблица 3. Символ Rthj-случай 2/8 Тепловые данные Параметр Термостойкий переходник-корпус __Максимум Ценить Единица измерения 1 ° C / Вт TIP142 TIP147 2 Электрические характеристики Электрические характеристики (Tcase = 25 ° C; если не указано иное) Таблица 4. Электрические характеристики Символ ICBO ICEO IEBO Параметр Ток отключения коллектора (IE = 0) Ток отключения коллектора (IB = 0) Ток отключения эмиттера (IC = 0) Коллектор-эмиттер VCEO (sus) (1) поддерживающее напряжение (IB = 0) Условия испытаний Максимум.Единица измерения VCB = 100 В 1 мА VCE = 50 В 2 мА VEB = 5 В 2 мА IC = 30 мА Мин. Тип. 100 V VCE (сб) (1) Коллектор-эмиттер напряжение насыщения IC = 5 А IB = 10 мА IC = 10 А IB = 40 мА 2 3 V V VBE (на) (1) База-эмиттер по напряжению IC = 10 А V CE = 4 В 3 V IC = 5 А VCE = 4 В IC = 10 А V CE = 4 В IC = 10 А RL = 3 Ом hFE (1) тонна toff Коэффициент усиления постоянного тока Резистивная нагрузка Время включения Время выключения IB1 = -IB2 = 40 мА 1000 500 0,9 мкс 4 мкс 1. Длительность импульса = 300 мкс, рабочий цикл ≤ 1,5%. Для типа PNP напряжение и ток отрицательны.3/8 Электрические характеристики 2.1 Тестовые схемы Фигура 2. Схема проверки резистивной нагрузки (тип NPN) 1) Быстрый электронный переключатель 2) Безиндуктивный резистор Рисунок 3. Испытательная схема переключения резистивной нагрузки (тип PNP) 1) Быстрый электронный переключатель 2) Безиндуктивный резистор 4/8 TIP142 TIP147 TIP142 TIP147 3 Механические данные пакета Механические данные пакета Чтобы соответствовать экологическим требованиям, ST предлагает эти устройства в Пакеты ECOPACK®. Эти пакеты имеют бессвинцовый второй уровень соединить.Категория межсоединения второго уровня указана на на упаковке и на этикетке внутренней коробки в соответствии со стандартом JEDEC JESD97. Максимальные характеристики, относящиеся к условиям пайки, также указаны на внутренней стороне этикетка коробки. ECOPACK - торговая марка ST. Доступны спецификации ECOPACK на: www.st.com 5/8 Механические данные пакета TIP142 TIP147 ТО-247 Механические характеристики мм. Дим. А Мин. 4,85 A1 2,20 2,60 б 1.0 1,40 b1 2.0 2,40 Би 2 3.0 3,40 c 0,40 0,80 D 19,85 20.15 E 15.45 15,75 е Максимум. 5,15 5,45 L 14.20 14,80 L1 3,70 4,30 L2 18,50 øP 3,55 или же 4,50 S 6/8 Тип 3,65 5,50 5,50 TIP142 TIP147 Лист регистраций изменений 4 Лист регистраций изменений Таблица 5. История изменений документа Дата Редакция 04 марта 2000 г. 5 15 октября 2007 г. 6 Изменения Смена пакета с СОТ-93 на ТО-247. 7/8 TIP142 TIP147 Пожалуйста, прочтите внимательно: Информация в этом документе предоставлена исключительно в связи с продуктами ST. STMicroelectronics NV и ее дочерние компании («СТ») оставляют за собой право право вносить изменения, исправления, модификации или улучшения в этот документ, а также в описанные здесь продукты и услуги в любой время, без предварительного уведомления.Вся продукция ST продается в соответствии с условиями продажи ST. Покупатели несут исключительную ответственность за выбор, выбор и использование продуктов и услуг ST, описанных в данном документе, и ST не принимает ответственность за любой выбор, выбор или использование описанных здесь продуктов и услуг ST. В соответствии с этим документом не предоставляется никаких лицензий, явных или подразумеваемых, путем эстоппеля или иным образом, на какие-либо права интеллектуальной собственности. Если какая-либо часть этого документ относится к любым сторонним продуктам или услугам, он не должен считаться лицензией, предоставленной ST для использования таких сторонних продуктов. или услуги, или любая интеллектуальная собственность, содержащаяся в них или рассматриваемая как гарантия, охватывающая использование любым способом из таких продукты или услуги третьих лиц или любая интеллектуальная собственность, содержащаяся в них.ЕСЛИ ИНОЕ НЕ УКАЗАНО В УСЛОВИЯХ ПРОДАЖИ, ST ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ЛЮБЫХ ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ ГАРАНТИЯ В ОТНОШЕНИИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ И / ИЛИ ПРОДАЖИ ПРОДУКТОВ СТ, ВКЛЮЧАЯ БЕЗ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ ОГРАНИЧЕНИЙ ГАРАНТИИ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ, ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ (И ИХ ЭКВИВАЛЕНТЫ В СООТВЕТСТВИИ С ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВОМ ЛЮБОЙ ЮРИСДИКЦИИ) ИЛИ НАРУШЕНИЕ ЛЮБОГО ПАТЕНТА, АВТОРСКОГО ПРАВА ИЛИ ДРУГОГО ПРАВА НА ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНУЮ СОБСТВЕННОСТЬ. ПРОДУКТЫ ST НЕ ЯВЛЯЮТСЯ БЕЗ РАЗРЕШЕНИЯ НА ПИСЬМО УПОЛНОМОЧЕННЫМ ПРЕДСТАВИТЕЛЕМ ST. РЕКОМЕНДУЕТСЯ, РАЗРЕШЕНО ИЛИ ГАРАНТИРУЕТСЯ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ВОЕННЫХ, ВОЗДУШНЫХ СУДНАХ, КОСМИЧЕСКИХ, СПАСАТЕЛЬНЫХ ИЛИ ЖИЗНИ ПРИЛОЖЕНИЯ, НИ В ПРОДУКТАХ ИЛИ СИСТЕМАХ, ОТКАЗ ИЛИ НЕИСПРАВНОСТЬ МОГУТ ПРИВЕСТИ К ТРАВМАМ, СМЕРТЬ, ИЛИ СЕРЬЕЗНОЕ ИМУЩЕСТВО ИЛИ УЩЕРБ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЕ.ПРОДУКТЫ ST, КОТОРЫЕ НЕ УКАЗАНЫ КАК "АВТОМОБИЛЬНЫЕ" СОРТА "МОЖЕТ ИСПОЛЬЗОВАТЬСЯ ТОЛЬКО В АВТОМОБИЛЬНЫХ ПРИЛОЖЕНИЯХ НА СОБСТВЕННЫЙ РИСК ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ. Перепродажа продуктов ST с условиями, отличными от заявлений и / или технических характеристик, изложенных в этом документе, немедленно аннулируется. любая гарантия, предоставленная ST на продукт или услугу ST, описанные в настоящем документе, и не должна создавать или расширять каким-либо образом какие-либо ответственность СТ. ST и логотип ST являются товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками ST в разных странах.Информация в этом документе заменяет всю ранее предоставленную информацию. Логотип ST является зарегистрированным товарным знаком STMicroelectronics. Все остальные имена являются собственностью соответствующих владельцев. © 2007 STMicroelectronics - Все права защищены Группа компаний STMicroelectronics Австралия - Бельгия - Бразилия - Канада - Китай - Чехия - Финляндия - Франция - Германия - Гонконг - Индия - Израиль - Италия - Япония Малайзия - Мальта - Марокко - Сингапур - Испания - Швеция - Швейцария - Великобритания - Соединенные Штаты Америки www.st.com 8/8.