Π£Π½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ внСшний Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ для всСх iOS-устройств, совмСстим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 Π΄ΠΎ 24:00 ΠΏΠ½-ΠΏΡ‚ | c 10:00 Π΄ΠΎ 18:00 сб
0 Comments
S8550 транзистор характСристики ΠΈ Π΅Π³ΠΎ российскиС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ

Биполярный транзистор S8550 ΠΊΠ°ΠΊ говорят Π΅Π³ΠΎ характСристики являСтся p-n-p структуры. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‡Ρ‚ΠΎΒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр останутся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌΠΈ (смСщСнными Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ удСрТиваСтся Π½Π° Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅, ΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ (смСщСнными Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ подаСтся сигнал.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Распиновка

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° S8550 корпуса To-92 выглядит ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

  1. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ β€”Β Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅;
  2. Π‘Π°Π·Π° β€” управляСт смСщСниСм транзистора, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для Π΅Π³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ;
  3. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ β€”Β Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅.

Вранзистор s8550

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики

  • НизкоС напряТСниС, большой Ρ‚ΠΎΠΊ;
  • НСпрСрывный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC) составляСт 500 мА;
  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°-эмиттСра (VCEO) составляСт -25 Π’;
  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (VCB0) составляСт -40Π’;
  • НапряТСниС Π±Π°Π·Ρ‹ эмиттСра (VBE0)Β  -5Π’;
  • Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ усилСниС (hFE) ΠΎΡ‚ 85 Π΄ΠΎ 300
  • ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² качСствС Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… транзисторов класса B;
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ To-92.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠΉ для Π½Π΅Π³ΠΎ являСтся S8050.

ИспользованиС Π² Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ

Как ΡƒΠΆΠ΅ ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Β ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ…, S8550Β ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π²Β Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ конфигурации с усилитСлСм класса B.Β Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ обсудим, ΠΊΠ°ΠΊ это дСлаСтся.

Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ извСстный ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ класса B, являСтся Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ многоступСнчатого усилитСля, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ для усилСния Π·Π²ΡƒΠΊΠ°Β  Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠ°.Β Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ просто ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов. Под Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ подразумСваСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ транзистор NPNΒ ΠΈ Π΅Π³ΠΎ эквивалСнтный PNP.Β ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма усилитСля класса B с использованиСм S8050 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅.

S8550 Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°

2D модСль корпуса

Если Π²Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ с этим ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ,Β Π²Π°ΠΌΒ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅Β , Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ корпуса Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства.

S8550 - Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹

Аналоги

ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ транзистора S8550 Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π½Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ, Π½ΠΎ Ρ‡Π΅ΠΌ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… достаточно ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ:

  • S8050;
  • BC527;
  • KSA708;
  • MPS750;
  • BC557;
  • 2N3906;
  • A1015;
  • 2SA1943;
  • BD140.

DataSheet

ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎ s8550 ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² Π΅Π³ΠΎ DataSheet.

S8550 β€” Биполярный транзистор(P-N-P) β€” DataSheet

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° транзистора s8550Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° транзистора s8550

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ

  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΒ PCM
    :Β 0.625 Π’Ρ‚ ( Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды Tamb=25℃)
  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°Β ICM : 0.5 А
  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°Β V(BR)CBO : 40 Π’

Β 

ЭлСктричСскиС характСристики (Tamb=25℃, Ссли Π½Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ ΠΈΠ½ΠΎΠ΅)
ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅Π£ΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΡ ΠΈΡΠΏΡ‹Ρ‚Π°Π½ΠΈΠΉΠœΠΈΠ½.Π’ΠΈΠΏ.Макс.Π•Π΄. ΠΈΠ·ΠΌ.
Максимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°V(BR)CBOIc= 100 мкА, IE=040Π’
Максимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСрV(BR)CEOIc= 100 мкА,Β IB=025Π’
Максимально допустимоС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π°V(BR)EBOIE= 100 мкА,Β IC
=0
5Π’
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°Β ICBOVCB= 40 Π’ , IE=0Β 0.1 мкА
Β ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ICEOVCE= 20 Π’ , IB=0Β 0.2мкА
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра IEBOVEB= 3 Π’οΌŒ IC=00.1 мкА
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒHFE(1οΌ‰VCE= 1 Π’, IC= 50 мА85Β 300
Β HFE(1οΌ‰Β VCE= 1 Π’, IC= 500 мА 50
НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСрVCE(sat)IC= 500 мА, IB= 50 мА 0.6Π’
НапряТСниС насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСрVBE(sat)IC= 500 мА, IB= 50 мА1.2Π’
НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСрVBEIE= 100 мА1.4Π’
Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСромfTVCE= 6 Π’, IC= 20 мА,Β f = 30 ΠΌΠ“Ρ†Β 150ΠΌΠ“Ρ†

Β 

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΏΠΎΒ HFE(1οΌ‰
КлассBCD
Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½85-160120-200160-300

Β 

Если Π²Ρ‹ нашли ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΊΡƒ, поТалуйста, Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅ Ρ„Ρ€Π°Π³ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ тСкста ΠΈ Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ Ctrl+Enter.

Π₯арактСристики транзистора SS8550, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ, DataSheet

Π₯арактСристики ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ биполярного транзистора SS8550 ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Π΅Π³ΠΎΒ DataSheet говорят ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ являСтся p-n-p структуры ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² систСмах ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ усилСния. ВыпускаСтся Π² пластиковом TO-92 корпусС. ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ являСтся использованиС высокого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

НиТС прСдставлСны ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимыС значСния элСктричСских Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² эксплуатации:

  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° β€”Β UΠΊΠ± max Β«-40 Π’Β»;
  • НапpяТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎp-эмиттСp β€”Β Uкэ max Β«-25 Π’Β»;
  • НапряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° β€”Β Uэб maxΒ Β«-6 Π’Β»;
  • ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° β€”Β IΠΊ maxΒ Β«-1.5 AΒ»;
  • РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° β€”Β PΠΊ maxΒ Β«1Β»;
  • Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° β€”Β Π’jΒ Β«150 ˚CΒ»;
  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ β€”Β TambΒ Β«-65 Π΄o 150 ˚CΒ»;
  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ хранСния β€”Β TstgΒ Β«-65 Π΄o 150 ˚CΒ».

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ рассмотрим эл. характСристики ΠΏΡ€ΠΈ Π’ΠΎΠΊΡ€. срСды = 25 ˚C:

Π₯арактСристики транзистора ss8550

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°

Распиновка ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌ выглядит ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

  1. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€;
  2. Π‘Π°Π·Π°;
  3. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€.

Распиновка ss8550

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅ ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π°ΠΉΡ‚Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΡƒ бСзопасности, Π½Π΅ паяйтС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Π²ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΊ корпусу транзистора.

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΏΠΎ hFE

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ стоит ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзисторы Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ сСрии ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° 3 Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ ΠΏΠΎ коэффициСнту усилСния:

  • SS8550DΒ β€” Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ усилСния ΠΎΡ‚Β 160Β Π΄ΠΎΒ 300;
  • SS8550BΒ β€” ΠΎΡ‚ 85 Π΄ΠΎ 160;
  • SS8550CΒ  β€” 120 β€” 200.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠΉ для Π½Π΅Π³ΠΎ являСтся SS8050 cΒ Β n-p-n ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.

Аналоги и DataSheet

SS8550 Π½Π΅ ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ своим характСристикам ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свои Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ:

  • MPS8550;
  • MPS750;
  • MPS751;
  • MPS751G.

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΡΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎΒ DataDheet.

C8550 транзистор (8550 PNP 000A80 0035V TO-92 KTC8550 KEC)

  1. ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ
  2. Вранзисторы
  3. 2SC… KSC…

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ: KEC

Код Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Π°: Π’0000009981

ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°: C8550

ΠšΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ²:

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹
НаимСнованиСЗначСниСЕдиница измСрСния
РСТим измСнСния
ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒPNP
Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ²1=E 2=B 3=Π‘
НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр-30Vdc@25*C@Ic=100mA@Ib=0
НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° -35Vdc@25*C
НапряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π°-5Vdc@25*C
Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° max-800mA@25*C(peak)
ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°-50nA@Vcb=-15V@Ie=0
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„. усилСния ΠΏΡ€ΠΈ схСмС Π²ΠΊΠ» с ΠžΠ•100…300@Iс=-50mA@Vce=-1V
Граничная частота120MHz@Ic=20mA@Vce=6V
ΠœΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСивания625mW@25*C
Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° рабочая-55…+150*C
Распиновка транзистора
S8550, ВСхничСский паспорт, Π₯арактСристики ΠΈ ΠžΠ±Ρ€Π°Π·Π΅Ρ† Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹

S8550 ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ распиновки

ПИН-код

ПИН-код

ОписаниС

1

Π˜Π·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ

Π’ΠΎΠΊ БливаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСр, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅

2

Π‘Π°Π·Π°

УправляСт смСщСниСм транзистора, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора

3

ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€

Π’ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ

  • ΠΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ транзистор PNP высокого Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • НСпрСрывный Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (IC) составляСт 500 мА
  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°-эмиттСра (VCEO) составляСт -25 Π’
  • Π‘Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (VCB0) -40 Π’
  • Π‘Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС излучатСля (VBE0) составляСт -5 Π’
  • Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ усилСниС (hFE), ΠΎΡ‚ 85 Π΄ΠΎ 300
  • ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² качСствС Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… транзисторов класса B
  • Доступный Π² ΠŸΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π΅ To-92

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅. ΠŸΠΎΠ»Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС подробности ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² тСхничСском описании S8550 для транзисторов , ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ.

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Вранзистор NPN для S8550

S8050

S8550 Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ транзистор

BC527, KSA708, MPS750

ΠΠ»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ PNP Вранзисторы

BC557, 2N3906, A1015, 2SA1943, BD140

ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ΅ описаниС транзистора S8550

S8550 – это PNP-транзистор , ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр останутся ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌΠΈ (с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ удСрТиваСтся Π½Π° Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅, ΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ (прямоС смСщСниС), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ подаСтся сигнал.МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилСния составляСт 300; это Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ опрСдСляСт ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния транзистора ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ S8550. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокий, Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ для усилСния.

Когда этот транзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ смСщСн, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ пропусканиС Π΄ΠΎ 700 мА Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр. Π­Ρ‚Π° стадия называСтся ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ насыщСния, ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, допустимоС для ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°-эмиттСра (VCE) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°-Π±Π°Π·Ρ‹ (VCB), ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ 20 Π’ ΠΈ 30 Π’ соотвСтствСнно. Когда Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, транзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, эта ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ называСтся ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ отсСчки.

S8550 Π² Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ

Как ΡƒΠΆΠ΅ ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π² , транзистор S8550 ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с усилитСлСм класса B. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ обсудим, ΠΊΠ°ΠΊ это дСлаСтся.

Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ извСстный ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ класса B, являСтся Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ многоступСнчатого усилитСля, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ для усилСния Π·Π²ΡƒΠΊΠ° Π² Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠ°Ρ…. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ просто ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов.Под Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ подразумСваСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ транзистор NPN ΠΈ Π΅Π³ΠΎ эквивалСнтный транзистор PNP. Как ΠΈ здСсь, NPN-транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ S8050, Π° Π΅Π³ΠΎ эквивалСнтный PNP-транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ S8550. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма усилитСля класса B с использованиСм S8050 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½ΠΈΠΆΠ΅.

S8550 Transistor Sample Circuit Diagram

ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ

  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ усилСния Π·Π²ΡƒΠΊΠ°
  • УсилитСли класса B
  • Π”Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Вранзисторы
  • Π¦Π΅ΠΏΠΈ, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся высокий коэффициСнт усилСния
  • ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ сигнала

2D модСль ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°

Если Π²Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΎΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ с этим ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎ Π²Π°ΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ S8550 , Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ.

,
S8550 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° располоТСния транзисторов, эквивалСнт, использованиС, характСристики ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ описываСтся схСма Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзисторов S8550, ΠΈΡ… эквивалСнты, использованиС, Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, прилоТСния ΠΈ подробности ΠΎΠ± использовании Π΅Π³ΠΎ Π² элСктронной схСмС ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π΅.

S8550 Transistor Pinout, Equivalent, Uses, Features & Applications

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ / ВСхничСскиС характСристики:
  • Π’ΠΈΠΏ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ: TO-92
  • Π’ΠΈΠΏ Вранзистора: PNP
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°
  • (I C ): -0.7А ΠΈΠ»ΠΈ -700мА
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр
  • (Π’ CE ): -20 Π’
  • МаксимальноС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°
  • (Π’ CB ): -30 Π’
  • Макс. НапряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ излучатСля (VBE): -5 Π’
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°
  • (ΡˆΡ‚.): 1 Π’Ρ‚
  • Максимальная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°
  • (Π€Π’): 100 ΠœΠ“Ρ†
  • МинимальноС ΠΈ максимальноС усилСниС постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Ρ‡. FE ): ΠΎΡ‚ 40 Π΄ΠΎ 400
  • Макс. Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния ΠΈ эксплуатации Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ: ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150 ΠΏΠΎ ЦСльсию

PNP Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ:

NPN Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ S8550 являСтся S8050

Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΈ эквивалСнт:

ΠΠ»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ транзисторы для S8550 – это BC528, 2N2906, BC527 ΠΈ S8050, это всСго лишь нСсколько эквивалСнтов, Ссли Π²Ρ‹ ΠΈΡ… Π½Π΅ исправитС, Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Ρ‹ S8550.

S8550 Вранзистор объяснил / ОписаниС:

Как ΠΈ S8050, Π΅Π³ΠΎ PNP-Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π° S8550 Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ транзистором, это Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π½Π΅Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠΉ транзистор с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌΠΈ тСхничСскими характСристиками. Он ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для усилСния Π·Π²ΡƒΠΊΠ° ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ Π² элСктронных схСмах, Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠΈΠΌΠΎ этого ΠΎΠ½ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² коммСрчСских ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ…. S8550 ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌΠΈ характСристиками Π² своСм нСбольшом корпусС TO-92, поэтому Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… прилоТСниях для элСктроники, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ составляСт 1 Π’Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ для усилСния аудиосигнала ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π΄ΠΎ 1 Π’Ρ‚, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… этапах усилСния Π·Π²ΡƒΠΊΠ°.ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт -700 мА, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΎΠ½ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² элСктронных цСпях. МаксимальноС усилСниС транзистора составляСт 400, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся плюсом этого транзистора.

Π“Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ это ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ:

S8550 – это транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, поэтому Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ аудиоусилитСля для усилСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ аудиосигнала Π΄ΠΎ 1 Π’Ρ‚, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² элСктронных цСпях Π΄Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠ°, усилитСлях mp3-Π·Π²ΡƒΠΊΠ° ΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π·ΡƒΠΌΠΌΠ΅Ρ€Π°. ΠΈ Ρ‚.ΠΏ.Если Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ большими Ρ€Π΅Π»Π΅, мноТСством ΠΌΠ°Π»Π΅Π½ΡŒΠΊΠΈΡ… свСтодиодов ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ двумя ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌΠΈ свСтодиодами ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ 10 Π΄ΠΎ 20 Π’Ρ‚, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² элСктронном ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π΅ / схСмС ΠΈ Ρ‚. Π”. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΠ½ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован Π² качСствС Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ эквивалСнта для ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… транзисторов ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, ΠΈ ΠΎΠ½ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ транзистором для использования Π² Π²Π°ΡˆΠΈΡ… Ρ…ΠΎΠ±Π±ΠΈ элСктронных ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ…, поэтому ΠΎΠ½ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ транзистор Π² вашСй Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ элСктроники.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡ:

УсилитСли класса B

Π’ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π΄ΠΎ -700 мА

Как ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Π² элСктронных цСпях

УсилСниС сигналов с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ усилСниСм Π΄ΠΎ высокого усилСния

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ каскад Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΈ схСм

Как бСзопасно Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ:
ΠšΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ элСктроники

ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, Ссли всС ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ бСзопасности приняты Π²ΠΎ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎ врСмя проСктирования ΠΈ изготовлСния Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ этот транзистор Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» Π² вашСм элСктронном ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ, рСкомСндуСтся Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 20 Π’ ΠΈ Π½Π΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ с -700 мА, всСгда ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ рСзистор для ограничСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ транзистора, ΠΈ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 150 градусов ЦСльсия ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ -65 градусов ЦСльсия.

,
S8550D Вранзистор pnp, Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ npn, Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π°, схСма Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ², конфигурация ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ², Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π°, эквивалСнт, Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…

Π₯арактСристики биполярного транзистора S8550D

  • Π’ΠΈΠΏ – PNP
  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр НапряТСниС: -25 Π’
  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°-Π±Π°Π·Π°: -40 Π’
  • Π­ΠΌΠΈΡ‚Π΅Π½Ρ‚
  • : эмиттСр 5 Π’
  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°: -0.5 A
  • РассСяниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° – 0,625 Π’Ρ‚
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (Ρ‡ fe ) – 160 300
  • Частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° – 150 ΠœΠ“Ρ†
  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… ΠΈ складских Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ – ΠžΡ‚ 65 Π΄ΠΎ +150 Β° C
  • Π£ΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° – TO-92

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² (распиновка) S8550D

S8550D ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ Π² пластиковом корпусС TO-92. ΠŸΡ€ΠΈ взглядС Π½Π° ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΡƒΡŽ сторону с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Π½ΠΈΠ·, Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, выходящиС ΠΈΠ· транзистора, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ слСва Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ эмиттСра, Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.
Π’ΠΎΡ‚ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ схСму ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² этого транзистора.

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ h FE

Вранзистор S8550D ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 160 Π΄ΠΎ 300 . УсилСниС S8550 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 85 Π΄ΠΎ 300 , S8550B Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 85 Π΄ΠΎ 160 , S8550C Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 120 Π΄ΠΎ 200 .

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ транзистор NPN

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ транзистором NPN ΠΊ S8550D являСтся S8050D.

Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΈ эквивалСнтный транзистор для S8550D

Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ S8550D с 2N4403, 2SB564A, BCX79, KN2907, KSB564A, KTC8550, KTC8550D, KTN2907, M8550, M8550-D, MPS2907, MPS2907G, MPS3702, MPS6535, MPS6651, MPS6651G, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS8550, MPS8550D, MPSW51, MPSW51A, MPSW51AG, MPSW51G, PN200, PN2905, PN2907, S9012, SS8550, SS8550D, ZTX549, ZTX549, ZTX549, ZTX549, ZTX549, ZTX549, ZTX549, ZTX549, ZTX549, ZTX549 ,
KTC8550 Вранзистор pnp, Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ npn, Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π°, распиновка, конфигурация ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ², Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π°, эквивалСнтный smd, Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…

Π₯арактСристики биполярного транзистора KTC8550

  • Π’ΠΈΠΏ – PNP
  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°-эмиттСра НапряТСниС: -30 Π’
  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°-Π±Π°Π·Ρ‹: -35 Π’
  • Π­ΠΌΠΈΡ‚Π΅Π½Ρ‚
  • : эмиттСр 5 Π’
  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°: -0.8 A
  • РассСяниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° – 0,625 Π’Ρ‚
  • УсилСниС постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Ρ‡ fe ) – 100 Π΄ΠΎ 300
  • Частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° – 120 ΠœΠ“Ρ†
  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… ΠΈ Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ – ΠžΡ‚ 55 Π΄ΠΎ +150 Β° C
  • Π£ΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° – TO-92

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² (распиновка) KTC8550

KTC8550 ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ Π² пластиковом корпусС TO-92. ΠŸΡ€ΠΈ взглядС Π½Π° ΠΏΠ»ΠΎΡΠΊΡƒΡŽ сторону с Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Π½ΠΈΠ·, Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, выходящиС ΠΈΠ· транзистора, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ слСва Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ эмиттСра, Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.
Π’ΠΎΡ‚ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ схСму ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² этого транзистора.

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ h FE

Вранзистор KTC8550 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 100 Π΄ΠΎ 300 . УсилСниС KTC8550C Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 100 Π΄ΠΎ 200 , KTC8550D Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 150 Π΄ΠΎ 300 .

Π­ΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚

SMD

ВСрсии KTC8550 для SMD доступны Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ 2SA1036 (SOT-23), 2SA1204 (SOT-89), 2SA1588 (SOT-323), 2SA1621 (SOT-23), KTA1298 (SOT-23) , KTA1505 (SOT-23), KTA1505S (SOT-23), KTA1664 (SOT-89) ΠΈ KTC8550S (SOT-23).

Запасной ΠΈ эквивалСнтный транзистор для KTC8550

Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ KTC8550 Π½Π° BC527, MPS4354, MPS4355, MPS6652, MPS6652G, MPS750, MPS750G, MPS751, MPS751G, MPSW51, MPSW51A, PNS, MPSW51A, MPSW51A, PNS, MPSW51A, PNS, MPSW51A, PNS, MPSW51A, PNS, MPSW51A, PNS, MPSW51A, PNS, MPSW51A, PNS, MPSW51A, PNS, MPSW51A, PNS, MPSW51A, PNR50005. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ

. ZTX550, ZTX949 ΠΈΠ»ΠΈ ZTX951 ,

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *