Модель измерения заряда переключения МОП-транзистора
Автор: Калинушкин Дмитрий Олегович
Рубрика: Технические науки
Опубликовано в Молодой учёный №20 (258) май 2019 г.
Дата публикации: 16.05.2019 2019-05-16
Статья просмотрена: 334 раза
Скачать электронную версию
Скачать Часть 2 (pdf)
Библиографическое описание: Калинушкин, Д.
О. Модель измерения заряда переключения МОП-транзистора / Д. О. Калинушкин. — Текст : непосредственный // Молодой ученый. — 2019. — № 20 (258). — С. 104-107. — URL: https://moluch.ru/archive/258/59081/ (дата обращения: 03.04.2023).
Статья посвящена разработке модели измерения заряда переключения МОП-транзисторов, с дальнейшим использованием при создании стенда измерения параметров полевых транзисторов.
Ключевые слова: МОП-транзистор, заряд затвор — исток, заряд затвор — сток, ток стока, временные интервалы.
Современный рынок электроники — это сложнейшая система взаимоотношений производителей и потребителей, продавцов и покупателей. Одной из больших проблем является появление на нем подделок МДП-транзисторов. Поэтому актуальной задачей является входной контроль основных параметров этих полупроводниковых приборов. Таким параметром является заряд переключения.
Полный заряд затвора имеет две составляющих: заряд затвор — исток и заряд затвор — сток (часто называемый зарядом Миллера). Ток стока может быть получен от источника напряжения величиной 0,8хVds с последовательным резистором соответствующей величины. Импульс, подаваемый на затвор, должен быть достаточной длительности, чтобы гарантировать полное включение полевого транзистора. Он может быть получен от генератора, работающего при малом коэффициенте заполнения [2]. На рис. 1 показана схема измерения заряда переключения и форма сигнала при проведении анализа.
Рис. 1. Схема измерения заряда переключения ПТ
Из соотношения Θ = i, были получены следующие формулы для расчета заряда (1):
, , , (1)
где Qg— полный заряд затвора,Qgs— заряд затвор-исток, Q
Значение Qgопределяется по уровню напряжения равному 10В, а значение Qgdвычисляется как разница между временными интервалами, так называемой “полки”.
Заряд затвор-исток (Qgs) равен разнице между значением QgиQgd [1].
Для проверки работоспособности построенной модели была выбрана программа Proteus 7.10. В качестве исследуемой модели транзистора был выбран IRF630, характеристики которого представлены в табл. 1.
Таблица 1
Параметры транзистора IRF630
Параметр | Рекомендованное значение, nC |
Qg | До 37 |
Q gs | 7,2 |
Qgd | 11 |
На рис. 2 представлена модель измерения заряда переключения МДП-транзистора. Моделируется работа АЦП на микросхеме AD7322, которая пересылает данные по SPI шине. На затвор подается постоянный ток 1,5 mA, а на сток напряжение равное 100 В.
В качестве исследуемого транзистора был выбран IRF630
Рис. 2. Схема измерения заряда переключения полевого транзистора
На рис. 3 представлена временная диаграмма заряда переключения транзистора IRF630.
Рис. 3. График заряда переключения IR630
По построенному графику определяются доверительные временные интервалы, после чего измеренные значения подставляются в формулы и вычисляются заряда затвор-исток, заряд затвор-сток и полный заряд затвора. Полученные результаты представлены в табл.2 и входят в доверительные интервалы, соответствующие значениям из рабочей документации (в таблице указаны максимальные значения).
Таблица 2
Экспериментальные идокументационные параметры IRF530
Параметр | Рекомендованное значение, nC | Измеренное значение, nC |
Qg | До 37 | 9 |
Qgs | 7,2 | 7,2 |
Qgd | 11 | 1,8 |
Вывод
Исследование показало, что с помощью модели можно измерять заряд переключения полевого транзистора.
Литература:
- А. И. Колпаков В лабиринте силовой электроники (Сборник статей) — СПб: «Издательство Буковского», 2000. — 96 с.: ил.
- Измерение характеристик МОП-транзистора. International Rectifier. AN-975B.
Основные термины (генерируются автоматически): заряд, полевой транзистор, полный заряд затвора, схема измерения заряда переключения, SPI, SPICE, заряд переключения, затвор, параметр, рекомендованное значение, ток стока.
Ключевые слова
временные интервалы, МОП-транзистор, заряд затвор-исток, заряд затвор-сток, ток стокаМОП-транзистор, заряд затвор-исток, заряд затвор-сток, ток стока, временные интервалы
Похожие статьи
Расчет порогового напряжения МДП-структуры с учетом.
..Точный расчет этого параметра затруднен в связи с неопределенностью значений встроенного заряда в
Снижение подвижности в МДП-транзисторе
уменьшает крутизну передаточнойСнижение дозы ионной имплантации возможно за счет уточненного расчета значения…
Анализ особенностей типовых конструкций
полевых…Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор
Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика
Прошло немало времени, прежде чем параметры полевого транзистора позволили использовать его в высоконагруженных цепях.
Негативное влияние эффектов «горячих» носителей в
полевых…Во время работы полевого транзистора, если напряжение на затворе сопоставимо или ниже, чем напряжение на стоке VDS, инверсный слой гораздо сильнее со стороны истока, чем со стороны 
..
Системы оперативного постоянного
тока для ПС 110 — 220 кВ‒ пульсации тока в режиме поддерживающего заряда.
‒ на начальной стадии заряда разряженной аккумуляторной батареи необходимо обеспечить ограничение зарядного тока на уровне (0
‒ измерение аналоговыми или цифровыми приборами основных параметров АБ
Моделирование Si MOSFET с n-индуцированным каналом
MOSFET) — разновидность полевого транзистора с изолированным затвором, где затвор отделён от активного слоя слоем диэлектрика (обычно диоксид кремния). Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей…
Выбор емкости конденсатора звена постоянного
тока двухзвенного.
..Угол заряда конденсатора l2 определится как решение уравнения.
Приближенное решение данного уравнения определяет значение угла.
Качество напряжения звена постоянного тока отражается на качестве формируемого выходного напряжения и как следствие тока нагрузки.
Объемные FinFET-
транзисторы: конструирование на 14 нм узле…Длина затвора транзистора
Легирующая концентрация примеси в теле — “плавник” является ключевым параметром, влияющим на
Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор, работа которого основана на…
Полимерные
транзисторы | Статья в сборнике международной…Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика, получил.
Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей заряда на границе активного слоя.
Особенности работы с приемопередатчиком NRF24L01+
Максимальный ток потребления в режиме передачи 11.3 мА, в режиме приема — 12.3 мА. Стоит отметить, что у микросхемы приемопередатчика входы интерфейса SPI толерантны к напряжению 5 В. Это является неоспоримым преимуществом при использовании отладочных…
Похожие статьи
Расчет порогового напряжения МДП-структуры с учетом…
Точный расчет этого параметра затруднен в связи с неопределенностью значений встроенного заряда в
Снижение подвижности в МДП-транзисторе уменьшает крутизну передаточной
Снижение дозы ионной имплантации возможно за счет уточненного расчета значения.
..
Анализ особенностей типовых конструкций
полевых…Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор
Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика
Прошло немало времени, прежде чем параметры полевого транзистора позволили использовать его в высоконагруженных цепях.
Негативное влияние эффектов «горячих» носителей в
полевых…Во время работы полевого транзистора, если напряжение на затворе сопоставимо или ниже, чем напряжение на стоке VDS, инверсный слой гораздо сильнее со стороны истока, чем со стороны стока и падение напряжения в токовом канале сосредоточено в области стока (если.
..
Системы оперативного постоянного
тока для ПС 110 — 220 кВ‒ пульсации тока в режиме поддерживающего заряда.
‒ на начальной стадии заряда разряженной аккумуляторной батареи необходимо обеспечить ограничение зарядного тока на уровне (0
‒ измерение аналоговыми или цифровыми приборами основных параметров АБ
Моделирование Si MOSFET с n-индуцированным каналом
MOSFET) — разновидность полевого транзистора с изолированным затвором, где затвор отделён от активного слоя слоем диэлектрика (обычно диоксид кремния). Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей…
Выбор емкости конденсатора звена постоянного
тока двухзвенного.
..Угол заряда конденсатора l2 определится как решение уравнения.
Приближенное решение данного уравнения определяет значение угла.
Качество напряжения звена постоянного тока отражается на качестве формируемого выходного напряжения и как следствие тока нагрузки.
Объемные FinFET-
транзисторы: конструирование на 14 нм узле…Длина затвора транзистора уменьшилась с мкм до нескольких десятков нм.
Легирующая концентрация примеси в теле — “плавник” является ключевым параметром, влияющим на
Полевые транзисторы — это полупроводниковыйприбор, работа которого основана на…
Полимерные
транзисторы | Статья в сборнике международной…Полевой транзистор, у которого затвор отделен от канала тонким слоем диэлектрика, получил.
Это позволяет избавиться от таких недостатков полевых транзисторов, как захват и рассеивание носителей заряда на границе активного слоя.
Особенности работы с приемопередатчиком NRF24L01+
Максимальный ток потребления в режиме передачи 11.3 мА, в режиме приема — 12.3 мА. Стоит отметить, что у микросхемы приемопередатчика входы интерфейса SPI толерантны к напряжению 5 В. Это является неоспоримым преимуществом при использовании отладочных…
Транзистор полевой КП630 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзисторов КП610, КП620, КП630, КП640, КП704
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КП630А | IRF630 | |||
| Структура | — | nМОП | |||
| Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП630А | — | 74* | мВт, (Вт*) |
| Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП630А | — | 2…4* | В |
| Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП630А | — | 200 | В |
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП630А | — | ±20 | В |
| Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП630А | — | 9(36*) | А |
| Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП630А | 200 В | ≤25* | мкА |
| Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП630А | 50 В; 3.4 А | ≥3800 | мА/В |
| Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП630А | — | 950; 76* | пФ |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у. P, P**вых, ΔUЗИ | КП630А | — | ≤0.4 | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
| Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП630А | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
| Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП630А | — | tсп=25 | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
irf630%20дополнительный лист данных и указания по применению
| Каталог данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
1996 – IRF630 Реферат: IRF630 ЦЕПЬ УПРАВЛЕНИЯ ДВИГАТЕЛЕМ IRF630FI IRF630 p для IRF630 | Оригинал | IRF630 IRF630FI 100°С О-220 ISOWATT220 IRF630 ЦЕПЬ УПРАВЛЕНИЯ ДВИГАТЕЛЕМ IRF630 IRF630FI ИРФ630 р для IRF630 | |
ирф630 Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | ИРФ630/631 IRF630 IRF631 irf630 | |
IRF630 Резюме: IRFP230 для IRF630 F632 IRFP231 IRF630 mosfet IRF633 ade 633 IRF632 IRFP233 | OCR-сканирование | ИРФ630/631Z632/633 ФП230/231/232/233 О-220 ИРФ630/ИРФП230 IRF631 /IRFP231 ИРФ632/ИРФП232 ИРФ633/ИРФП233 ИРФ630/631/632/633 ИРФП230/231/232/233 IRF630 IRFP230 для IRF630 F632 IRFP231 МОП-транзистор IRF630 IRF633 аде 633 IRF632 IRFP233 | |
1999 – ТА17412 Реферат: irf630 эквивалент irf630 IRF632 RF1S630SM RF1S630SM9A TB334 IRF630 p IRF630 INTERSIL | Оригинал | ИРФ630,
РФ1С630СМ
ТА17412. 1578f
ТА17412
irf630
эквивалент irf630
IRF632
РФ1С630СМ
РФ1С630СМ9А
ТБ334
ИРФ630 р
IRF630 ИНТЕРСИЛ | |
2001 – irf630 Реферат: эквивалентная принципиальная схема irf630 UPS 600 Power free IRF630FP MOSFET IRF630 | Оригинал | IRF630 IRF630FP О-220/ТО-220ФП О-220 О-220ФП irf630 эквивалент irf630 принципиальная схема ИБП 600 Power free IRF630FP МОП-транзистор IRF630 | |
IRF632 Аннотация: irf631 irf630 | OCR-сканирование | IRF630 IRF631 IRF632 ИРФ630. IRF632 | |
ирф630 Резюме: IRF230 12N20 f630 IRF630-633 IRF231 IRF631 IRF632 IRF633 MTP12N18 | OCR-сканирование | ИРФ230-233/ИРФ630-633 МТП12Н18/12Н20 ТК-204АА О-220АБ IRF630 IRF631 IRF632 IRF633 МТР12Н18 МТР12Н20 irf630 IRF230 12Н20 ф630 ИРФ630-633 IRF231 IRF631 IRF632 IRF633 МТР12Н18 | |
ирф630 Реферат: IPF630 IRF632 1RF631 IRF631 IRF633 MOSFET 20V 100A IFIF631 IFIF633 кривая характеристик двигателя | OCR-сканирование | ИРФ630, ИРФ631, ИРФ632, IRF633 50В-200В IRF632 IRF633 irf630 ИПФ630 1RF631 IRF631 МОП-транзистор 20В 100А IFIF631 IFIF633 кривая характеристик двигателя | |
2006 – irf630 Реферат: 200V AUTOMOTIVE MOSFET irf630 техническое описание эквивалент irf630 IRF630FP JESD97 irf630 к-220 | Оригинал | IRF630 IRF630FP О-220/ТО-220ФП О-220 О-220ФП irf630 АВТОМОБИЛЬНЫЙ МОП-транзистор 200 В irf630 даташит эквивалент irf630 IRF630FP JESD97 irf630 к-220 | |
2001 – IRF630 Аннотация: IRF630FP | Оригинал | IRF630 IRF630FP О-220/ТО-220ФП О-220 О-220ФП IRF630 IRF630FP | |
2006 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | IRF630 IRF630FP О-220/ТО-220ФП О-220 О-220ФП | |
рф630 Аннотация: реле IRF630 IRF632 OT391 IRF631 IRF633 j01 | OCR-сканирование | 3fl75Dfll ИРФ630, ИРФ631, ИРФ632, IRF633 50В-200В IRF632 IRF633 рф630 IRF630 ОТ391 IRF631 реле j01 | |
IRFB30 Реферат: IRF632 17нФ IRF 120A | OCR-сканирование | IRF630 IRF631 IRF632 IRF633 ИРФБ30 MF631 IRF432 17 нФ ИРФ 120А | |
IRF630 Реферат: IRF630 СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ДВИГАТЕЛЕМ irf630 n-канальный транзистор IRF630 | OCR-сканирование | IRF630 IRF630FI IRF630/FI ISOWATT22Q ЦЕПЬ УПРАВЛЕНИЯ ДВИГАТЕЛЕМ IRF630 irf630 n канал транзистор IRF630 | |
СЕК irf630 Резюме: IRF630 irf631 IRF630 SEC irf632 IRF633 для IRF630 | OCR-сканирование | ТТ70С7У IRF630 IRF631 IRF632 IRF633 IRF633 О-220 СПК irf630 IRF630 СЕК для IRF630 | |
1998 – IRF630 Резюме: МОП-транзистор марокко IRF630FP IRF630 p | Оригинал | IRF630 IRF630FP О-220/ФП IRF630F О-220 О-220ФП IRF630 мосфет марокко IRF630FP ИРФ630 р | |
МОП-транзистор IRF 630 Резюме: IRF630 f630 IRF630R 633R | OCR-сканирование | ИРФ630Р/631Р/632Р/633Р ИРФ630, ИРФ631, ИРФ632, IRF633 ИРФ630Р, ИРФ631Р, IRF632R IRF633R МОП-транзистор IRF 630 IRF630 ф630 IRF630R 633р | |
2000 – IRF630 Аннотация: МОП-транзистор irf630 | Оригинал | IRF630 IRF630FP О-220/ТО-220ФП О-220 О-220ФП IRF630 МОП-транзистор irf630 | |
1996 – ЦЕПЬ УПРАВЛЕНИЯ ДВИГАТЕЛЕМ IRF630 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | IRF630 IRF630FI 100°С О-220 ISOWATT220 ЦЕПЬ УПРАВЛЕНИЯ ДВИГАТЕЛЕМ IRF630 | |
IRF630 Аннотация: МОП-транзистор irf630fp IRF630FP JESD97 | Оригинал | IRF630 IRF630FP О-220/ТО-220ФП О-220 О-220ФП О-220 IRF630 МОП-транзистор irf630fp IRF630FP JESD97 | |
ирф630 Резюме: описание выводов irf630 irf630 для транзистора IRF630 IRF630 | Оригинал | IRF630 О-220 С-120 IRF630 060105D контактная деталь irf630 irf630 даташит для IRF630 IRF630 Транзистор | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | ИРФ630, РФ1С630СМ 400i2 | |
ирф 4110 Аннотация: для IRF630 1RF631 IRF6322 MOTOROLA IRF630 MTM8N20 IRF630 IRF631 irf 1962 SS-AT9 | OCR-сканирование | IRF630 IRF631 IRF632 ИРФ630, IRF632 ирф 4110 для IRF630 1RF631 IRF6322 МОТОРОЛА IRF630 МТМ8Н20 ирф 1962 СС-АТ9 | |
2008 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ИРФ630,
SiHF630
О-220
О-220
12 марта 2007 г. | |
2001 – irf630 Реферат: RF1s630sm9a IRF630 Fairchild | Оригинал | ИРФ630, РФ1С630СМ IRF63 O220AB O263AB РФ1С630СМ irf630 рф1с630см9а IRF630 Фэирчайлд | |
Предыдущий 1 2 3 … 13 14 15 Далее
транзистор%20irf630 техническое описание и примечания по применению
транзистор%20irf630 Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор | Оригинал | 2N2904E
до н. э.859
КДС135С
2N2906E
до н.э.860
KAC3301QN
КДС160
2Н3904
BCV71
KDB2151E
хб*9Д5Н20П
хб9д0н90н
6В стабилитрон
хб*2Д0Н60П
транзистор
КХБ7Д0Н65Ф
Транзистор BC557
киа*278R33PI
Схема КХБ9Д0Н90Н
транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | OCR-сканирование | 2Н3904
2Н3906
2Н4124
2Н4126
2N7000
2Н7002
до н. э.327
до н.э.328
до н.э.337
до н.э.338
транзистор
транзистор ИТТ
BC548 п-н-п транзистор
транзистор п-н-п
BC337 п-н-п транзистор
pnp bc547 транзистор
BC327 NPN-транзистор
MPSA92 168
транзистор 206
2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
МОП-транзистор FTR 03-E Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 – Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 – транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. Больше новостей | |