Транзистор irf830: Транзистор IRF830 : параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Транзистор IRF830 TO220

Электронные компоненты

Диоды Динамики Кварцевые резонаторы Датчики Конденсаторы Магниты неодимовые Микросхемы Микрофоны электретные Предохранители, термостаты, варисторы, термисторы Резисторы Светодиоды Тиристоры и симисторы Транзисторы Трансформаторы Ферритовые фильтры ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

В розетку

ПЕРЕХОДНИКИ ДЛЯ РОЗЕТОК ТРАНСФОРМАТОРЫ БЛОКИ ПИТАНИЯ ЛАТРЫ

Кнопки, клавиши, переключатели, тумблеры

Движковые выключатели и переключатели Клавишные выключатели и переключатели Галетные переключатели Кнопки и переключатели Микропереключатели Путевые выключатели Тактовые кнопки Тумблеры

Пригодится

Wi-Fi роутеры, точки доступа Автоаксессуары Кольцевые лампы и зеркала Микрофоны Неоновые светодиодные ленты Триммеры и электробритвы Туристические аксессуары Фонари

Измерительные приборы, мультиметры

Цифровые приборы постоянного тока Цифровые приборы переменного тока Измерительные головки аналоговые мультиметры (тестеры) и пробники

Инструмент

Губцевый инструмент Отвертки Зонды, пинцеты, скальпели Штангенциркули Электроинструмент

Корпусные и установочные изделия

Вентиляторы Ручки для радиоаппаратуры Терморегуляторы Установочные изделия и расходные материалы Щетки для электродвигателей Электродвигатели Энкодеры

Оптоэлектроника

Оптопары

Оборудование для СВЧ

высоковольные СВЧ предохранители слюда Магнетроны Электродвигатели для тарелки Трансформаторы дежурного режима

Паяльное оборудование

Лупы Подставки для паяльника “третья рука” Паяльники Припой Химия

Провода

Шлейфы

Разъемы

Разъёмы питания штырьковые USB разъемы Аудио разъемы Разъёмы силовые на 220 В Разъемы цилиндрические Разъёмы для rc моделей Разъёмы питания низковольтные Авто D-sub

Реле, магнитные пускатели

Реле электромагнитные Реле твердотельные (оптосимисторы) Реле времени Магнитные пускатели (контакторы) колодки для реле (соккеты)

Каталог  /  Электронные компоненты  /  Транзисторы  /  Транзисторы полевые, IGBT

Быстрая
доставка

Доставка оусществляется ТК ПЭК, ТК Деловые Линии, Почта РФ, а также самовывоз.

Все способы
оплаты

Оплата производится либо наличными, либо банковской картой.

Удобные
фильтры

Фильтры под каждую категорию, помогут быстро подобрать радиодеталь.

Большой
ассортимент

В ассортименте все нужно радиолюбителю и профессионалу.

Обратите внимание

Транзистор IRF840S D2PAK

Транзистор BUZ80AF TO220F

Транзистор BUZ80A TO220

Транзистор BUZ73A TO20

Транзистор BUZ90AF TO220F

Транзистор BUZ71A TO220

Транзистор BUZ90 TO220

Транзистор IRF1010E TO20AB

Транзистор 2SK1118 TO220F

Транзистор IRLR2905 DPAK

70₽

товар недоступен

Транзистор IRF7205 SO8

Транзистор IRF640N TO220

Транзистор IRF740 TO220

Транзистор IRF7389 SO8

Транзистор IRFZ48N TO220

Транзистор IRFZ46N TO220

Транзистор IRFZ44N TO220

Транзистор IRFZ34N TO220

Транзистор IRF630 TO220

Транзистор IRF620 TO220

Транзистор IRF540N TO220

Транзистор IRF7319 SO8-150SMD

Транзистор IRF7313 SO8-10SMD

Транзистор IRF7307 SO8-150SMD

Транзистор IRF730 TO220

Транзистор IRL3303 TO220

Транзистор 14NK50ZT4 D2PAK

Транзистор 7N60B TO220F

Транзистор 50N03 TO263

Транзистор 50N06 TO220

Транзистор 50N03 TO251

Транзистор 30PF03L-1 IPAK

Транзистор 30NE06 (30NF06) TO252

Транзистор 60NF03L TO220

Транзистор 60NF06met TO220

Транзистор 60N03 D2PAK

Транзистор 55NF06 TO220

Транзистор BUK555-100 TO220AB

Транзистор APM3095 TO252

Транзистор APM2509 TO252

Транзистор APM4048 (APM4048 DU4) DPAK-5

Транзистор 6NK60Z TO220

Транзистор 6N60F TO220F

Транзистор 15N25 TO220

Транзистор 15P05 TO251

Транзистор 15NK50ZT4 D2PAK

Транзистор 16NF06FP TO220F

Транзистор 4NC60FP TO220F

Транзистор 4NK60ZPFI TO220F

Транзистор 4NK60Z TO220

Транзистор 4NK60FP TO220F

Транзистор 4N60B TO220F

Транзистор 3NC60 TO220

Транзистор 2N60C TO220F

Транзистор 3NB60FP (3NC60FP) TO220F

Транзистор 3N90A TO220

Транзистор 2SK1917 TO220

Транзистор IRF9Z34 TO220

Транзистор IRF530N TO220

Транзистор IRF7413 SO8-150SMD

Транзистор IRF650 TO220

Транзистор 12NF10 TO220

Транзистор IRF7328 SO8-150

Транзистор 2N60 TO220

Транзистор 40N03GP TO220

Транзистор 16NF06 TO220

Транзистор 2SJ307 TO220MOD

MOSFET транзисторы фирмы STMicroelectronics для электронных балластов

Шелохнев Александр

№ 8’2005

Трубчатые люминесцентные лампы нашли массовое применение в промышленных, общественных и коммерческих зданиях (для внутреннего освещения). Благодаря повышенной энергоэффективности и способности создавать рассеянный свет, они идеально подходят для освещения больших открытых помещений. Однако качество освещения и продолжительность срока службы лампы зависят от устройства, обеспечивающего ее зажигание и поддержание рабочего режима. Обыкновенно электропитание люминесцентных ламп производится током сетевой частоты 50 Гц от электромагнитных пускорегулирующих аппаратов (ПРА), в которых высокое напряжение для зажигания получают от реактора после размыкания биметаллического ключа, обеспечивающего протекание через себя тока накала электродов при замкнутом состоянии контактов.

Трубчатые люминесцентные лампы нашли массовое применение в промышленных, общественных и коммерческих зданиях (для внутреннего освещения). Благодаря повышенной энергоэффективности и способности создавать рассеянный свет, они идеально подходят для освещения больших открытых помещений. Однако качество освещения и продолжительность срока службы лампы зависят от устройства, обеспечивающего ее зажигание и поддержание рабочего режима. Обыкновенно электропитание люминесцентных ламп производится током сетевой частоты 50 Гц от электромагнитных пускорегулирующих аппаратов (ПРА), в которых высокое напряжение для зажигания получают от реактора после размыкания биметаллического ключа, обеспечивающего протекание через себя тока накала электродов при замкнутом состоянии контактов.

Традиционная схема подсоединения лампы (дроссель + стартер) неудобна тем, что включение и горение ламп во многом зависят от колебаний напряжения сети и окружающей температуры. По мере старения ламп влияние этих факторов усиливается: лампы перестают включаться или начинают мигать. Хорошо знакомая картина! В результате необходимы дополнительные затраты на обслуживание световых приборов.

Устранить эти недостатки и получить дополнительные возможности энергосбережения позволяют электронные пускорегулирующие аппараты (ЭПРА), второе название которых — электронные балласты.

Электронные балласты имеют некоторые преимущества перед классическими электромагнитными, обеспечивая:

• значительное (в 3–4 раза) уменьшение эксплуатационных расходов;
• высокое качество потребляемой электроэнергии — близкий к единице коэффициент мощности благодаря потреблению синусоидального тока с нулевым фазовым сдвигом;
• подавление радиопомех, возникающих при зажигании и работе лампы, и гарантию электромагнитной совместимости;
• быстрое, без мерцаний ишума, зажигание ламп;
• увеличенный срок службы ламп благодаря щадящему режиму работы и пуска;
• стабильность освещения независимо от колебаний сетевого напряжения;
• стабильный во времени световой поток без стробоскопических эффектов;
• увеличенный максимальный световой поток лампы при сохранении энергопотребления, равного потреблению с электромагнитными балластами.

При разработке электронных балластов перед разработчиками обычно встает проблема выбора недорогих и надежных элементов. В связи с тенденциями миниатюризации электронного оборудования и снижения потребляемой мощности особую актуальность приобретает вопрос повышения КПД устройства.

Следуя запросам ведущих производителей электронного оборудования, STM постоянно расширяет номенклатуру MOSFET-транзисторов, модернизирует технологические процессы производства, тем самым улучшая их параметры. STMicroelectronics предлагает два различных семейства высоковольтных транзисторов серий SuperMESH и MDmesh.

Рис. 1. Сравнение транзисторов STP9NK50Z и IRF840, работающих в каскаде коррекции мощности

а) Процесс выключения транзистора IRF840. Входное напряжение 186 В. Корректор коэффициента мощности

б) Процесс выключения транзистора STP9NK50Z. Входное напряжение 186 В. Корректор коэффициента мощности

Рис. 2. Сравнение транзисторов STP5NK50Z и IRF830, работающих в выходном каскаде

а) Процесс выключения транзистора IRF830. Входное напряжение 220 В. Выходной каскад

б) Процесс выключения транзистора STP5NK50Z. Входное напряжение 220 В. Выходной каскад

Серия SuperMESH

Таблица 1. Транзисторы SuperMESH, рекомендуемые для Lighting-приложений

* — значения гарантируются при 25 °C.

Серия создана для построения недорогих и эффективных преобразователей. В ней для каждого приложения можно подобрать транзистор с оптимальными характеристиками. Это позволит создать недорогой надежный балласт.

Семейство транзисторов обладает следующими отличительными особенностями:

• более низкое, чем в предыдущих поколениях, сопротивление открытого канала (R_СИ.отк), как следствие — низкое тепловыделение, что позволяет экономить площадь радиатора;
• малое пороговое напряжение (U_ЗИ.пор) 1,5–2 В, позволяющее создавать схемы с низким напряжением питания;
• встроенный защитный стабилитрон между затвором и стоком, повышающий устойчивость силового каскада к помехам и перегрузкам;
• превосходная переходная характеристика DV/dt.

Семейство SuperMESH включает в себя три ряда, различающихся максимальным напряжением сток/исток (U_СИ), 450, 550 и 650 В. Замыкает этот ряд комплементарная пара транзисторов STS1DNC45, выпускающаяся в корпусе SO-8, которая создана специально для балластов малой мощности.

Высокие параметры семейства позволяют добиться более качественной работы схемы, чем на элементах фирм-конкурентов.

Серия MDmesh

Таблица 2. Транзисторы MDmesh, рекомендуемые для Lighting-приложений

* — значения гарантируются при +25 °C.

Если вы занимаетесь разработкой малогабаритных высокотехнологичных устройств и конечная цена прибора отходит на второй план, советуем обратить внимание на транзисторы серии MDmesh.

Транзисторы серии MDmesh отличаются от SuperMESH:

• рекордно низким сопротивлением открытого канала (R_СИ.отк) и, как следствие, минимальным тепловыделением;
• в них снижены величина заряда затвора и, соответственно, потери на переключение;
• в них снижено тепловое сопротивление «кристалл-корпус» R_{th j–c};
• улучшена устойчивость к пробоям при большой величине DV/dt.

MDmesh-транзисторы рекомендуется ставить в каскады коррекции мощности, где необходимо получить малые нелинейные искажения. Также эти транзисторы прекрасно работают в мостовых схемах благодаря наличию встроенного быстрого диода.

Схемотехника

И в заключение приведем пример схемы с использованием одного из вышеупомянутых элементов (рис. 3).

Рис. 3. Пример схемного решения электронного балласта

Литература

1. Журнал Express № 69. STM, 2003.
2. http://www.st.com/stonline/prodpres/discrete/powmosft/fredmesh.htm
3. http://www.st.com/stonline/prodpres/discrete/powmosft/smesh.htm
4. http://www.st.com/stonline/prodpres/discrete/powmosft/powmosft.htm
5. http://www.st.com/stonline/products/literature/an/3706.pdf
6. http://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=catProductDetailFrame & productID=IRF730
7. http://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=catProductDetailFrame & productID=IRF830

IRF830 MOSFET Лист данных, вывод, эквивалент и характеристики

15 мая 2019 – 0 комментариев

IRF830 N-канальный силовой МОП-транзистор
Распиновка IRF830

IRF830 представляет собой быстродействующий высоковольтный N-канальный МОП-транзистор с низким сопротивлением в открытом состоянии. Mosfet имеет максимальное напряжение сток-исток 500В. МОП-транзистор будет иметь внутреннее сопротивление сток-исток 1,5 Ом при срабатывании при напряжении затвора 10 В.

 

Конфигурация контактов

Номер контакта	Название контакта	Описание
1	Источник	Ток протекает через источник (максимум 4,5 А)
2	Ворота	Управляет смещением MOSFET (пороговое напряжение 10 В)
3	Слив	Ток поступает через сток

 

Особенности

• N-канальный силовой МОП-транзистор
• Непрерывный ток стока (I _D ): 4,5 А
• Пороговое напряжение затвора (V _GS-th ) равно 10 В (предел = ±20 В)
• Напряжение пробоя сток-исток: 500 В
• Сопротивление истока стока (R _DS ) 1,5 Ом
• Время нарастания и время спада составляет 16 нс и 16 нс
• Доступен в пакете То-220

ПРИМЕЧАНИЕ: Полные технические данные можно найти на IRF830 Datahasthip , связанных с нижней частью страницы

Альтернативы для IRF830

8N50, FTK480, KF12550 3

8N50, FTK480, KF125503 9003

, FTK480, KF125503 90039139 29003

, FTK480, KF1250 3 9000 2

8. MOSFETS 

IRF840 , IRF740 , BSS138,  IRF520 ,  2N7002 , BS170, BSS123, IRF3205, IRF1010E

 

О МОП-транзисторах IRF830

IRF840 — это N-канальный силовой МОП-транзистор , который может переключать нагрузки до 500 В с током стока 4,5 А. Если вам нужен относительно большой ток Mosfet, вы можете проверить IRF840. Оба МОП-транзистора имеют пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source с сопротивлением в открытом состоянии 1,5 Ом. Поскольку MOSFET предназначен для переключения сильноточных высоковольтных нагрузок, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому его нельзя использовать напрямую с выводом ввода-вывода ЦП. Если вы предпочитаете полевой МОП-транзистор с низким напряжением затвора, попробуйте IRF540N или 2N7002 и т. д. 

Одним из существенных недостатков полевого МОП-транзистора IRF830 является его высокое значение сопротивления в открытом состоянии (R _DS ), которое составляет около 1,5 Ом. Следовательно, этот МОП-транзистор нельзя использовать в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Мосфету требуется схема драйвера для подачи 10 В на вывод затвора этого мосфета. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора. Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, полевой МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока.

 

Приложения

• Переключение устройств большой мощности
• Схемы инвертора
• Преобразователи постоянного тока
• Управление скоростью двигателей
• Светодиодные диммеры или мигалки
• Высокоскоростные переключатели

 

2D-модель компонента 

Если вы проектируете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, следующее изображение из таблицы данных IRF830 будет полезно, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Теги

N-канальный MOSFET

Силовая электроника

IRF830 4.5A 500V HEXFET Power MOSFET Transistor International Rectifier

закрыть

Производитель: International Rectifier
Номер детали: IRF830
Ампер: 4,5
Напряжение: 500
Пакет: ТО-220АБ
Монтаж: Сквозное отверстие
Тип провода/терминала: Радиальный
Количество проводов/клемм: 3
Цвет: Черный
Температура: 150
Метод подключения: Пайка


Цена: $1.00

7562 доступны для немедленной доставки

Код: J699APL02

Вес: 0,10 унции ONZ

Оптовые цены Количество Цена за штуку 1-9 1 доллар США 10-99 0,90 $ 100+ 0,80 $

Дополнительная информация

Силовые транзисторы MosFET

Особенности:
– Динамический рейтинг dv/dt
– Повторяющийся рейтинг лавины
– Быстрое переключение
– Простота распараллеливания
– Требования к простому приводу

Электрические характеристики (TJ=25°C, если не указано иное):

Напряжение пробоя сток-исток (VGS = 0 В, ID = -250 мкА): 500 В мин.
Статическое сопротивление сток-исток во включенном состоянии (VGS = -10 В, ID = 2,7 А): макс. 1,5 Ом.
Прямая крутизна (VDS = 50 В, ID = 2,7 А): 2,5 S мин.
Ток утечки сток-исток (VDS = 500 В, VGS = 0 В): макс. 250 мкА.
Общий заряд затвора (ID = 3,1 А, VDS = 400 В, VGS = 10 В): макс. 38 нКл.
Заряд от затвора к истоку (ID = 3,1 А, VDS = 400 В, VGS = 10 В): 5,0 нКл макс.
Заряд от затвора к стоку («Миллер») (ID = 3,1 А, VDS = 400 В, VGS = 10 В): 22 нКл
Время задержки включения (VDD = 250 В, ID = 3,1 A, RG = 12 Ом, RD = 79 Ом): 8,2 нс тип.
Время задержки выключения (VDD = 250 В, ID = 3,1 A, RG = 12 Ом, RD = 79 Ом)): 45 нс тип.
Индуктивность внутреннего стока (между выводом, 6 мм (0,25 дюйма) от корпуса и центром контакта кристалла): 4,5 нГн тип.
Индуктивность внутреннего источника (между выводом на расстоянии 6 мм (0,25 дюйма) от корпуса и центром контакта кристалла): 7,5 нГн тип.

Номинальные значения и характеристики источников и стоков

Непрерывный ток источника (корпусной диод): макс.