Транзистор s9014 цоколевка: S9014 , , datasheet, , ,

Содержание

обзор параметров и опыт применения российскими радиотехниками

Если вы начали заниматься любительской радиотехникой, вам понадобятся ходовые транзисторы, которые имею широкое применение в радиотехнике и сравнительно низкую цену. В данном обзоре я расскажу вам про комплементарную пару транзисторов BC547 и BC557. Данные транзисторы были куплены в 2013 году и на их основе уже собранно множество электронных схем. Одной из них, я вас познакомлю в данном обзоре. Мы все, часто покупаем Li-Ion аккумуляторы в Китае. Многие из них не имеют защиты, но даже имеющие защиту отключают питание в аварийных ситуациях, когда напряжение на АКБ уменьшится на 2.4-2.6В. В тоже время производители рекомендуют ставить аккумуляторы на зарядку при достижении напряжения 3В. Как быть, если это самодельный фонарь и т.п., как сберечь не дешевые Li-Ion аккумуляторы? Вы сталкивались с такими проблемами? Тогда вам под Кат…

Для начала сообщу, что, как и в остальных обзорах, магазин, в котором я купил данные радиокомпоненты уже не продает данный лот, потому я нашел подобный у другого продавца. Что бы не было сомнения, что я купил данные транзисторы на Али, можно увидеть под спойлером подтверждение покупки:

Ранее эти транзисторы стоили дороже

Я постараюсь вкратце рассказать об этих транзисторах, насколько это возможно на не специализированном сайте по радиотехнике, что бы достопочтенная публика, зашедшая в мой обзор из-за любопытства, не стала зевать и скучать. Всем же «технарям» будет достаточно поглядеть на Даташит этих транзисторов, что бы отпали все вопросы: BC547 и BC557
Данные транзисторы комплементарно парные, т.е NPN и PNP транзисторы с близкими по величине коэффициентами передачи тока β.
Краткие характеристики и цоколевка транзистора ниже на схеме:

Я протестировал эти китайские транзисторы, они держат напряжение 30В (коллектор-эмиттер) имеют коэффициент усиления Hfe: 140-160. Я использовал их при максимальном токе коллектора 100мА — выше не рисковал. В общем, заключение по транзисторам — вполне годные высокочастотные транзисторы имеющие высокий коэффициент усиления. Вполне приемлемые характеристики.

На этом бы можно было обзор и закончить…))) Но это не наш метод ©.
Потому мы изготовим очень востребованное устройство, использующее PNP транзистор, регулируемый стабилитрон TL431 и N канальный полевой транзистор (выпаян из старой материнской платы).
При изготовлении самоделок, часто требуется ограничить разряд Li-Ion аккумуляторов, до рекомендуемого производителем минимума в 3В. Чаще всего мы покупаем аккумуляторы без защиты. Но даже если аккумулятор имеет защитную плату, то все равно она скорее пригодна только для аварийного отключения аккумулятора, что бы предотвратить его возгорание или приведение в полную негодность. Схему типовой платы защиты привожу ниже:

Эта схема взята из Даташита микросхемы-контролера DW01, которая имеет очень много китайских аналогов. Данная схема уже приводилась в обзоре на Муське Однако, как я уже отметил, данная схема пригодна только для аварийного отключения аккумулятора и малопригодна для повседневного использования, т.к отключает АКБ при напряжении 2.4-2.6В. Поискав в Интернета, ничего не нашел простого и пригодного для отключения литиевого аккумулятора, потому попросил своего друга по форуму «Паяльник» Владимира 65, смоделировать мне схему под мои нужды. Так и появилась на свет эта схема защиты от переразряда. Привожу её ниже:

Транзистор VT1 — Logic Level P75N02LD (можно любой другой Logic Level)
Транзистор VT2 — BC557
VD1 — TL431

Кнопка S1 (без фиксации) нужна для запуска схемы, после срабатывания защиты, или для принудительного использования заряда батареи, при уровне заряда ниже порогового значения.
На скору руку была изготовлена печатная плата (каюсь, опять из гетинакса), впаяны детали. Полевой транзистор можно использовать со старых материнских плат, обычно там несколько штук N канальных Logic Level транзисторов. Транзистор распаян со стороны печатных дорожек.

ссылка на схему в формате lay
Тестирование проводилось при помощи Лабораторного блока питания и лампочки в качестве нагрузки. Результат тестирования Вы можете увидеть ниже на фото:

Напряжение отсечки выставлено на 3В, на фото видно, что еще при 3.1В лампочка горит, а при 3В полевой транзистор закрывается и лампочка обесточивается. Сама схема выполнена таким образом, что после достижения на аккумуляторе порогового напряжения, схема защиты тоже отключается от аккумулятора. Потому пришлось ввести в схему кнопку без фиксации, нажатие на которую открывает транзистор. Так же эту кнопку можно использовать для принудительного использования энергии аккумулятора, даже если напряжение на нем ниже порогового уровня… Эта функция бывает востребована, что бы не в полной в темноте искать зарядное устройство))) В заключение покажу кемпинговый фонарь, куда я встроил эту схему защиты от разряда…

На этом фото (ниже) видно комбинированную схему, зарядного устройства совмещенной с схемой защитного устройства на smd элементах

Вот такой коротенький обзор сегодня… Вопросы скидывайте в комментариях, постараюсь ответить всем.

UPD: Поскольку много вопросов в комментариях, расскажу как работает схема ограничения.
Полевой транзистор можно представить электронным выключателем (по сути он это и есть), при появлении напряжения на его затворе, он открывается и будет открытым, пока напряжение на затворе не исчезнет. В момент кратковременного замыкания кнопки, питание появляется на TL431, и если напряжение выше выставленного порога, то TL открывается и открывает полевой транзистор. В таком положении, все будет находиться, до тех пор пока напряжение упадет ниже порога. Порог выставляется подстроечным резистором. Таким образом обобщим:
1. Если к схеме присоединить литиевый аккумулятор, то ничего не произойдет, не смотря на уровень зарядки аккумулятора.

2. Если нажать кратковременно кнопку, то если напряжение на аккумуляторе выше 3В, то схема сработает, если ниже 3В, то ничего не произойдет.
3. Если поставить на зарядку аккумулятор, не отключая плату защиты, то тоже ничего не произойдет, даже если акб полностью зарядится, пока вы не нажмете кнопку, а дальше 2 варианта рассмотренных в п.2.
4. Варианта отключить схему защиты нет, после открытия полевого транзистора, схема остается во «включенном» состоянии и кушает, пусть небольшой ток, но все же кушает. Помогает только «передергивание» аккумулятора. Ток потребляемый платой защиты можно снизить увеличив номинал резисторов делителя R5-R6.

Теперь почему я собрал эту схему и получил справедливую критику от нашего профессора kirich: в 2013 году не было зарядных устройств с защитой АКБ от глубокого разряда, потому я даже купил у китайцев набор и 10 микросхем DW01 и двойных полевиков (8 ножковая микросхема) стоимостью 6.8 баксов. Подтверждение покупки под спойлером

Покупка

Если бы это было доступно как сейчас, то я бы не маялся «дурью»…

Некоторые плюсы моей схемы:
1. Её можно очень легко перестроить под другое напряжение, отличное от напряжения литиевого аккумулятора
2. Можно всячески менять схему, например вынести TL431 и 2 резистора делителя, перед полевиком, тогда схема начнет работать по другому, автоматически отключатся при пороговом напряжении, и автоматически включатся если напряжение подымется выше порога (при зарядке, к примеру), но при напряжении около порога будет небольшая светомузыка, т.к нет гистерезиса))) Ну может кому то это надо…

UPD2: Вот еще схема, правда тестировалась только в мультисиме, в железе не собиралась.

Добавил в схему защиты выключатель нагрузки. Нефиксируемая кнопка на замыкание последовательно включает и выключает нагрузку. Функция защиты от разряда сохранилась. Схема только в мультисиме, в железе не проверялась.

UPD3: ~~Ну раз пошла такая пьянка, режь последний огурец~~… Еще схемы… Правда от цен на супервизоры просто охреневаю…

S9080 транзистор характеристики – Telegraph

S9080 транзистор характеристики

====================================

>> Перейти к скачиванию

====================================

Проверено, вирусов нет!

====================================

Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы. на сайте . Схожие по характеристикам.

Характеристики товара. Тип упаковки: Для наружного монтажа. Индивидуальное изготовление: Да. Тип: Полевой транзистор. Бренд: Hyncdz. Состояние: Новое. Партномер: MRF9080S.

РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала HV5 900MHZ 80W. Цена элементаТехнические характеристики / даташит для MRF5S9080NR1.

MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4 MRF5S9080NR1 Дискретные полупроводниковые элементы Каталог РЧ полевые транзисторы.

Цена: Запрос. Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала HV5 900MHZ 80W.Технические характеристики MRF5S9080NR1.

MRF5S9080NR1 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET). Блок-схема. Группа компонентов.

MRF5S9080NR1 Datasheet. MRF5S9080NR1 – RF Power Field Effect Transistors by FREESCALE. Название/Part No

Транзисторы » Транзисторы NXP / Freescale » MRF5S9080NBR1 РЧ МОП- транзисторы HV5 900MHZ 80W.Характеристики. Максимальная рабочая температура. + 150 C.

MRF5S9080NR1 Даташит datasheet. Технические описания и даташиты микросхем, реле, диодов, генераторов, транзисторов, конденсаторовХарактеристики MRF5S9080NR1. Серия.

модель Изготовитель. MRF5S9080NR1. Описание.РЧ МОП-транзисторы. Техническая спецификация. MRF5S9080NR1.

Вы можете купить MRF5S9080NR1 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней.Характеристики

Главная » Транзисторы » Другие зарубежные производители » MOSFET транзисторы » MRF5S9080NBR1.Характеристики товара: MRF5S9080NBR1.

Параметры и характеристики транзистора S9014, его цоколевка (распиновка), маркировка, отечественные и импортные аналоги, его обозначение на схеме.

Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник.Тип транзистора: MOSFET. Полярность: N. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W.

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.Вт. 35. Крутизна характеристики, S. 2.Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров Типы корпусов отечественных транзисторов.

Транзисторы биполярные импортные. Наименование. 2N1112 2N1212 2N1217 2N1711 2N2219A 2N2222.

Новая утечка технических характеристик OnePlus 5. Обзор модема Huawei E8372 с 4g, LTE, WiFi.Опубликовал: Alex в Транзисторы 2013-05-08 0 4,106 Просмотров. Want create site?

Параметры транзистора 2SD880-Y биполярного низкочастотного npn, его основные характеристики и схемы.

MJE13002(13002) при необходимости, можно заменить на любой из транзисторов, превосходящий его по характеристикам.

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок с сортировкойSupIRBuck™ POL регуляторы напряжения. Общие характеристики. Наим-е. Размер корпуса.

Транзистор s8050 параметры цоколевка

Биполярный кремниевый N-P-N транзистор SS8050 по своим характеристикам и параметрам, предназначен для общего назначения коммутации и усиления. Особенностью его является то, что он выдерживает высокий ток и использует только низкое напряжение. Приведем его основные физические данные:

Корпус — ТО-92;
Материал изготовления-пластик;
Выводы — пайка в MIL-STD-202;
Методика 208;
Комплиментарная пара — SS8550.

Ниже в таблице приведем предельно допустимые электрические режимы эксплуатации при Токр. среды = 25 ˚C:

Обозначение	Параметр	Значение	Единицы измерения
Uкб max	Напряжение коллектор-база	40	В
Uкэ max	Напряжение коллектоp-эмиттер	25	В
Uэб max	Напряжение эмиттер-база	6	В
Iк max	Постоянный ток коллектора	1.5	А
Pк max	Рассеиваемая мощность коллектора	1	Вт
Тj	Температура перехода	150	˚C
Tamb	Диапазон рабочих температур	-65 до 150	˚C
Tstg	Диапазон температур хранения	-65 до 150	˚C

Теперь рассмотрим электрические характеристики транзистора SS8050:

Обозначение	Параметр	Условия испытания	Mин.	Тип	Maкс.	Единицы измерения
Uкб проб.	Коллектор-база напряжение пробоя	IК=100 мкA, IЭ=0	40	–	–	В
Uкэ проб.	Коллектор-эмиттер напряжение пробоя	IК=2 мA, IБ=0	25	–	–	В
Uэб проб.	Эмиттер-база напряжение пробоя	IЭ=100 мкA, IК=0	6	–	–	В
Iкбо	Коллектор-база ток отсечки	Uкб=35В, IЭ=0	–	–	100	нА
Iэбо	Эмиттер-база ток отсечки	Uэб=6В, IК=0	–	–	100	нА
h31Э	Статический коэффициент передачи тока	IК=5 мA, Uкэ=1.0В SS8050А SS8050B SS8050C SS8050D IК=100 мA, Uкэ=1.0В IК=800 мA, Uкэ=1.0В	– 45 85 120 160 85 40	– 135 – – – 160 110	– – 160 200 300 300 –	– – – – – – –
Uкэ(нас)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IК=800 мA, IБ=80 мA	–	0.28	В
Uбэ(нас)	Напряжение насыщения база-эмиттер	IК=800 мA, IБ=80мA	–	0.98	В
Uбэ(вкл.)	Напряжение включения база-эмиттер	lр IК=1 0 мA, Uкэ=1B	–	0.66	В
Ск	Емкость коллекторного перехода	Uкб=10 В, IЭ=0, f=1мГц	–	9	пФ
fгр.	Граничная частота коэф. передачи тока	Uкэ=10 B, IК=50мA, f=100 МГц	100	190	МГц

Но также транзисторы серии SS8050 разделяются на группы по коэффициенту усиления (по току, напряжению или мощности) на следующие виды:

SS8050B транзистор обладает коэффициентом усиления в диапазоне от 85 до 160;
SS8050C — в диапазоне от 120 до 200;
SS8050D — имеет коэффициент в диапазоне от 160 до 300.

Цоколевка транзистора SS8050

Цоколевка данного транзистора ничем не отличается от его сверстников, он имеет 3 жестких контакта (ножки):

Внимание! Будьте осторожны при пайке, делайте это не ближе 5мм от основания.

Аналоги

Если вдруг под рукой нет SS8050, то его можно заменить на аналоги со схожими характеристиками:

Представленные выше транзисторы лучше российских аналогов и найти их можно в любой радиолавки или в интернете. А также более подробную информация можно найти в DataSheet устройства SS8050, там вы увидите графики тестирования и много другой углубленной информации.

Главная

О сайте

Теория

Практика

Контакты

Высказывания:
Любая программа стремится занять всю доступную память.
Выводы программиста

Основные параметры транзистора 8050 биполярного высокочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 8050 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
1W	40V	25V	6V	1.5A	150°C	100MHz	9	85MIN

Производитель: STE
Сфера применения: Low Power, General Purpose
Популярность: 54399
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 8050

Общий вид транзистора 8050.	Цоколевка транзистора 8050.

Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 8050.

Дополнение: 8050 в варианте эмитор колектор база.
Дата добавления: 2016-06-27 10:46:40; Пользователь: путин иван дмитриевич.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

[Click the image to enlarge it]

S8050 Pin Description

Pin Number

Pin Name

Description

Current Drains out through emitter

Controls the biasing of transistor

Current flows in through collector

Features

Low Voltage, High Current NPN Transistor
Small Signal Transistor
Maximum Power: 2 Watts
Maximum DC Current Gain (hFE) is 400
Continuous Collector current (IC) is 700mA
Base- Emitter Voltage (VBE) is 5V
Collector-Emitter Voltage (VCE) is 20V
Collector-Base Voltage (VCB) is 30V
High Used in push-pull configuration doe Class B amplifiers
Available in To-92 Package

Note: Complete Technical Details can be found at the S8050 datasheet given at the end of this page.

Complementary PNP Transistors

Alternative NPN Transistors

S9014, MPSA42, SS8050, BC547, 2N3904, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906

S8050 Equivalent Transistors

Brief Description on S8050

S8050 is a NPN transistor hence the collector and emitter will be left open (Reverse biased) when the base pin is held at ground and will be closed (Forward biased) when a signal is provided to base pin. It has a maximum gain value of 400; this value determines the amplification capacity of the transistor normally S8050. Since it is very high it is normally used for amplification purposes. However at a normal operating collector current the typical value of gain will be 110. The maximum amount of current that could flow through the Collector pin is 700mA, hence we cannot drive loads that consume more than 700mA using this transistor. To bias a transistor we have to supply current to base pin, this current (IB) should be limited to 5mA.

When this transistor is fully biased then it can allow a maximum of 700mA to flow across the collector and emitter. This stage is called Saturation Region and the typical voltage allowed across the Collector-Emitter (VCE) or Collector-Base (VCB) could be 20V and 30V respectively. When base current is removed the transistor becomes fully off, this stage is called as the Cut-off Region.

S8050 in Push-Pull Configuration

As mentioned in the features the S8050 transistor is commonly used in push pull configuration with Class B amplifier. So let us discuss how that is done.

A push pull amplifier, commonly known as Class B amplifier is type of multistage amplifier commonly used for audio amplification of loudspeakers. It is very simple to construct and requires two identical complimentary transistors operate. By complimentary it means that we need a NPN transistor and its equivalent PNP transistor. Like here the NPN transistor will be S8050 and its equivalent PNP transistor will be S8550. A simple circuit diagram of the Class B amplifier with the using the S8050 is shown below.

Applications

Audio Amplification Circuits
Class B Amplifiers
Push pull Transistors
Circuits where high gain is required
Low signal applications

2D model of the component

If you are designing a PCB or Perf board with this component then the following picture from the S8050 transistor Datasheet will be useful to know its package type and dimensions.

S9014 Транзистор

Расширенный поиск

Название:

Артикул:

Текст:

Выберите категорию:

Все Гальваника, химическая металлизация в домашних условиях » Блескообразующие добавки » Реактивы для гальваники и металлизации » Материалы для изготовления электродов (анодов) » Наборы реактивов для самостоятельного приготовления электролитов меднения, никелирования, цинкования » Наборы реактивов для химической металлизации металлов и пластмасс » Источники питания для экспериментов по гальванике Радиодетали (поштучно) » Транзисторы »» Полевые »» IGBT »» Биполярные » Резисторы выводные » Диоды » Микросхемы »» Драйверы »» Стандартная логика »» Операционные усилители »» Усилители мощности »» Генераторы и ШИМ-контроллеры »» Интегральные стабилизаторы напряжения »» Прочие микросхемы »» Оптроны »» Панельки для микросхем »» Приемо-передатчики »» Светодиодные драйверы »» Микроконтроллеры »» Компараторы » Конденсаторы »» Электролитические конденсаторы »» Конденсаторы керамические »» Конденсаторы многослойные керамические »» Высоковольтные и прочие конденсаторы » Стабилитроны » Тиристоры, симисторы » Светодиоды » Клеммники, клеммы, гнезда на плату » Ферритовые изделия » Термовыключатели » Выключатели, переключатели, кнопки » Динамические головки » Резисторы NTC » мосты диодные » Солнечные элементы » Кварцевые резонаторы и фильтры » Дисплеи и индикаторы » Элементы защиты (предохранители, варисторы и др.) » Индуктивности Наборы деталей » Наборы резисторов выводных » Наборы конденсаторов выводных » Наборы диодов, стабилитронов » Наборы светодиодов » Наборы транзисторов » Набор резисторов подстроечных » Наборы индуктивностей Модули встраиваемые » Вольтметры » Ампервольтметры » Термометры » Термостаты » Регулируемые стабилизаторы напряжения » Блоки питания » Частотомеры » Часы цифровые » Регуляторы мощности » Усилители мощности » Зарядные устройства » Многофункциональные тестеры радиодеталей » МР3 плееры Электронные конструкторы » Лампы энергосберегающие многосветодиодные » Усилители мощности и мультимедия » Часы электронные » Переговорные устройства » Частотомеры » Генераторы частоты » Радиопроемники и радиомикрофоны » Преобразователи DC-DC и блоки питания » Конструкторы приборов и тестеров » Стробоскопы Провод, кабель » Держатель для кабеля самоклеящийся » Кабель акустический » Кабель соединительный » Сетевые фильтры » Шнуры сетевые с вилкой Инструмент » Измерительные приборы » Сверла, цанги » Паяльники Расходные материалы » Припой и флюсы » Теплоизоляторы » Средства для изготовления печатных плат » Держатели кабельные самоклеящиеся, кабельные стяжки » Эпоксидный клей » Термоусадка, изолента » Батарейки, аккумуляторы » Термоусадочная трубка »» Смазки » Пасты ГОИ Фонари, аккумуляторы, зарядные устройства » Фонари мощные » Аккумуляторы »» тип 18650 »» тип АА »» тип ААА »» Держатели для аккумулятора и батарей » Зарядные устройства » Адаптеры питания Магниты » Ферритовые » Неодимовые

Производитель:

Все”СЭМ.М”AcmeAdidasAdvance TecnologyAgent ProvocateurAll ELECTRONICS MALLAMDANTAAntonio BanderasAppleArmand BasiBoyangBTCBurberryChangchinaContinentalCrocsCrosbyDC ShoesDefenderDellDiotec SemiconductorDisneyELDOERELECAEpcosEpistarEstonеFairchildFairchild SemiconductorHitachiHPHTCINCITYInfineon TechnologiesINTELInternational RectifierIRJiangsu ChangjiangK&KKangaROOSKE LI Trade ElectronicKE LI Trade Electronic CoKeLI ElectronicsKFZLenovoLGLINEARLogitechMaximMerrellMezaguzMichelinMicrochipMONDIGOMonster HighMulticompMy Little PonyNECNeohitNikeno trademarkNokiaNOVANXPNXP SemiconductorON SemicondactorsON SemiconductorPantechParityPower CubePremierQIMAIRenaissanceRichterRubber DuckRugearSamsungSEMICONDUCTORSemtechSharpSiemensSTST MicroelectronicsSTEFANO FERRISvenTaiwan SemiconductorTargusTexas InstrumentsTexetTHOMAS MUNZTop SecretToshibaUnisonic TechnologiesVENTVictory electronicVictory electronicsVishayVitacciДонецкЗебракитайКНРЛеонет маркинет торглвой маркинет торговой маркинет трговой маркиНПП СЭМ.МОбувь для всех ЛТДОбувьТрейдОдежда для всех ЛТДОдеждаТрейдПлескаваПроизводитель №1Производитель №2Производитель №3РоссияС хранения, но не б/уСаранский Завод Точных ПриборовсингапурТайваньТарисТВОЕТК Универсум

Новинка:

Вседанет

Спецпредложение:

Вседанет

Результатов на странице:

5203550658095

Закрыть

Найти

Артикул: S9014NPN

S9014 Транзистор биполярный, NPN

Даташит можно скачать здесь.

Макс. напряж. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи эмиттера,В 50

Макс. напряж. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи базы, В 45

Максимально допустимый ток коллектора, А 0,1

Статический коэффициент передачи тока h31э мин 200

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 270

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0,45

Цоколевка и маркировка радиоэлементов

Сергей Боровиков

Цветовая маркировка резисторов и конденсаторов

Международная маркировка цветом резисторов и конденсаторов
Цвет кольца (точки)	Цифра 1 и 2	Множитель	Допуск, %	Ном. напр. конденсаторов, В	Пояснения
Черный	0	1			Красная полоска соответствует цифре 2; черная – 0; желтая означает, что число, полученное из цифр 1 и 2 нужно умножить на на соответствующий этому цвету множитель – 10⁴, то есть на 10000; и, наконец, серебристый цвет указывает, что отклонение в сопротивлении данного резистора может быть в пределе ±10%. Таким образом: 12*10⁴=200000 Ом или 200 кОм. Первая полоска наносится у самого вывода резистора, поэтому считать следует именно оттуда. Иногда четвертая полоска не наносится, этому соответствует строка последняястрока в таблице.
Коричневый	1	10	±1	100
Красный	2	10²	±2	200
Оранжевый	3	10³		300
Желтый	4	10⁴		400
Зеленый	5	10⁵		500
Синий	6	10⁶		600
Фиолетовый	7	10⁷		700
Серый	8	10⁸		800
Белый	9	10⁹		900
Золотой		10^-1	±5	1000
Серебряный		10^-2	±10	2000
Нет символа			±20	500

Цоколевка транзисторов

	КТ201, КТ502, КТ3102, КТ3107
	2N5551, S9014

Цоколевка других радиоэлементов

Автор

Главная страница

Как правильно прозвонить транзистор – flagman-ug.ru

Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
Л – лампочка.
R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

Как проверить транзистор?

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс ( + ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп ( красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный ( + ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Как проверить биполярный транзистор

NPN и PNP транзисторы

Биполярный транзистор состоит из двух PN-переходов. Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.

На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:

где Э – это эмиттер, Б – база, К – коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать в этой статье.

Проверяем исправный транзистор

Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется “datasheet”. Прямо так и забиваем в поисковике “C4106 datasheet”. Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует распиновка выводов транзистора, а также его вид: NPN или PNP. То есть нам надо узнать, какой вывод что из себя представляет. Для данного транзистора нам надо узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот и схемка распиновки из даташита:

Теперь нам понятно, что первый вывод – это база, второй вывод – это коллектор, ну а третий – эмиттер

Возвращаемся к нашему рисунку

Мы узнали из даташита, что наш транзистор NPN проводимости.

Ставим мультиметр на прозвонку и начинаем проверять “диоды” транзистора. Для начала ставим “плюс” к базе, а “минус” к коллектору

Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения. Для кремниевых транзисторов это значение 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу “плюс” , а на эмиттер – “минус”.

Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.

Меняем щупы местами. Ставим “минус” на базу, а “плюс” на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.

Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору – здоров.

Проверяем неисправный транзистор

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы с вами рассмотрели выше. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.

Проверка транзистора с помощью транзисторметра

Очень удобно проверять транзисторы, имея прибор RLC-транзисторметр

Заключение

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два и более транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь иностранная микросхема.

Проверка исправности биполярного транзистора мультиметром

Ни одна современная схема не обходится без полупроводниковых приборов. Самый распространённый из них — транзистор и именно он часто выходит из строя. Тому причиной — перепады напряжения, которые есть в наших сетях, нагрузки и т. д. Рассмотрим два способа позволяющие проверить исправность транзистора при помощи мультиметра.

Необходимый минимум сведений

Чтобы понять исправен биполярный транзистор или нет, нам необходимо знать хотя бы в самых общих чертах, как он устроен и работает. Это активный электронный компонент, который является полупроводниковым прибором. Есть два основных вида — NPN и PNP. Каждый из них имеет три электрода: база, эмиттер и коллектор.

Виды транзисторов и принцип работы

Коротко сформулировать принцип работы транзисторов можно таким образом, это управляемый электронный ключ. Он пропускает ток по направлению от коллектора к эмиттеру в случае NPN типа и от эмиттера к коллектору у PNP, при наличии напряжения на базе. Причём изменяя потенциал на базе, меняем степень «открытости» перехода, регулируя величину пропускаемого тока. То есть, если на базу подавать больший ток, имеем больший ток коллектор-эмиттер, уменьшим потенциал на базе, снизим ток, протекающий через транзистор.

Ещё важно знать, это то, что в обратном направлении ток течь не может. И неважно, есть потенциал на базе или нет. Он всегда течёт в направлении, на схеме указанном стрелкой. Собственно, это вся информация, которая нам нужна, чтобы знать как работает транзистор.

У биполярных транзисторов средней и большой мощности цоколевка одинаковая в основном, слева направо — эмиттер, коллектор, база. У транзисторов малой мощности лучше проверять. Это важно, так как при определении работоспособности, эта информация нам понадобится.

Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка

То есть, если вам необходимо определить рабочий или нет биполярный транзистор, нужно искать его цоколевку. Хотите убедиться или не знаете, где «лицо», то ищите информацию в справочнике или наберите на компьютере «имя» вашего полупроводникового прибора и добавьте слово «даташит». Это транслитерация с английского Datasheet, что переводится как «технические данные». По этому запросу вам в выдаче будет перечень характеристик прибора и его цоколёвка.

Как проверить транзистор мультиметром со встроенной функцией

Начнём с того, что есть мультиметры с функцией проверки работоспособности транзистора и определения коэффициента усиления. Их можно опознать по наличию характерного блока на лицевой панели. В ней есть гнездо под установку транзистора, круглая цветная пластиковая вставка с отверстиями под ножки полупроводникового прибора. Цвет вставки может быть любым, но обычно, он выделяется.

Первым делом переводим переключатель диапазонов (большую ручку) в соответствующее положение. Опознать режим можно по надписи — hFE. Перед тем как проверить транзистор мультиметром, определяемся с типом NPN или PNP.

Мультиметр с функцией проверки транзисторов

Далее рассматриваем разъёмы, в которые надо вставлять электроды. Они подписаны латинскими буквами: E — эмиттер, B — база, C — коллектор. В соответствии с надписями, ставим выводы полупроводникового элемента в гнёзда. Через несколько мгновений на экране высвечивается результат измерений, это коэффициент усиления транзистора. Если прибор неисправен, показаний не будет, транзистор неисправен.

Как видите, проверить рабочий транзистор или нет мультиметром со встроенной функцией проверки просто. Вот только в гнёзда нормально вставляются далеко не все электроды. Удобно устанавливать транзисторы с тонкими выводами S9014, S8550, КТ3107, КТ3102. У больших, надо пинцетом или плоскогубцами менять форму выводов, ну а транзистор на плате так не проверишь. В некоторых случаях проще проверить переходы транзистора в режиме прозвонки и определить его исправность.

Проверка на плате

Чтобы проверить транзистор мультиметром не выпаивая или нужен мультиметр с функцией прозвонки диодов. Переключатель переводим в это положение, подключение щупов стандартное: чёрный в общее звено (COM или со значком земли), красный — в среднее (гнездо для измерения сопротивления, тока, напряжения).

Как проверить транзистор мультиметром не выпаивая

Чтобы понять принцип проверки, надо вспомнить структуру биполярных транзисторов. Как уже говорили, они бывают двух типов: PNP и NPN. То есть это три последовательные области с двумя переходами, объединёнными общей областью — базой.

Строение биполярного транзистора и как его можно представить, чтобы понять как его будем проверять

Условно, мы можем представить этот прибор как два диода. В случае с PNP типом они включены навстречу друг другу, у NPN — в зеркальном отражении. Это представление на картинке в правом столбике и ни в коем случае не отображает устройство этого полупроводникового прибора, но поясняет, что мы должны увидеть при прозвонке.

Проверка биполярного транзистора PNP типа

Итак, начнём с проверки биполярника PNP типа. Вот что у нас должно получиться:

Если подать на базу плюс (красный щуп), на эмиттер или коллектор — минус (чёрный щуп), должно быть бесконечно большое сопротивление. В этом случае диоды закрыты (смотрим на эквивалентной схеме).
Если подаём на базу минус (чёрный щуп), а на эмиттер или коллектор плюс (красный щуп), видим ток от 600 до 800 мВ. В этом случае получается, что переход открыт.

Проверка биполярного PNP транзистора мультиметром

Итак, PNP транзистор будет открыт только тогда, когда плюс подаётся на эмиттер или коллектор. Если во время испытаний есть хоть какие-то отклонения, элемент неработоспособен.

Тестируем исправность NPN транзистор

Как видим, в NPN приборе ситуация будет другой. Практически она диаметрально противоположна:

Если подать на базу плюс (красный щуп), а на эмиттер или коллектор минус, переход будет открыт, на экране высветятся показания — от 600 до 800 мВ.
Если поменять местами щупы: плюс на коллектор или эмиттер, минус на базу — переходы заперты, тока нет.
При прикосновении щупами к эмиттеру и коллектору тока по-прежнему быть не должно.

Проверка работоспособности биполярного NPN транзистора мультиметром

Как видим, этот прибор работает в противоположном направлении. Для того чтобы понять, рабочий транзистор или нет, необходимо знать его тип. Только так можем проверить транзистор мультиметром не выпаивая его с платы.

И ещё раз обращаем ваше внимание, картинки с диодами никак не отображают устройство этого полупроводникового прибора. Они нужны только для понимания того, что мы должны увидеть при проверке переходов. Так проще запомнить, и понимать показания на экране мультиметра.

Как определить базу, коллектор и эмиттер

Иногда бывают ситуации, когда нет под рукой справочника и возможности найти цоколёвку в интернете, а надпись на корпусе транзистора стала нечитаемой. Тогда, пользуясь схемами с диодами, можно опытным путём найти базу и определить тип прибора.

Строение биполярного транзистора и как его можно представить чтобы понять как его будем проверять

Путём перебора ищем положение щупов, при котором «звонятся» все три электрода. Тот вывод, относительно которого появляются показания на двух других и будет базой. Потому, плюс или минус подан на базу определяем тип, PNP или NPN. Если на базу подаём плюс — это NPN тип, если минус — это PNP.

Чтобы определить, где эмиттер,а где коллектор, надо сравнить показания мультиметра при измерении. На эмиттере ток всегда больше. Так и найдём опытным путём базу, эмиттер и коллектор.

Как проверить транзистор мультиметром без выпайки

Любая электронная схема состоит из полупроводниковых элементов. Наиболее распространённые из них транзисторы. Хотя в последнее время выпускаемые элементы отличаются надёжностью, но всё же нарушения в работе электронных устройств могут привести к повреждению полупроводника.

Перед тем как проверить транзистор мультиметром, необязательно выпаивать его из схемы, но для получения точных результатов лучше это сделать.

Принцип работы и виды транзисторов

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, служащий для преобразования электрических величин. Основное их применение заключается в усилении сигнала и способность работать в режиме ключа. Они выпускаются с тремя и более выводами. Существует три вида приборов:

биполярные;
полевые;
биполярные транзисторы с изолированным затвором.

Бывает ещё составной транзистор. Он подразумевает электрическое объединение в одном корпусе нескольких приборов одного типа. Такие сборки называются парой Дарлингтона и Шиклаи, также имеют три вывода.

Биполярное устройство

Разделяются по своему типу. Выпускаются как электронного, так и дырочного типа проводимости. В своей конструкции используют n-p или p-n переход. Дырочного типа транзисторы состоят из двух крайних областей p проводимости, и средней n проводимости. Электронного типа наоборот. Средняя зона называется базой, а примыкающие к ней области коллектором и эмиттером. Каждая зона имеет свой вывод.

Промежуток между граничащими переходами очень мал, не превышает микрометры. При этом содержание примесей в базе меньше, чем их количество в других зонах прибора. Графически биполярный прибор обозначается для PNP стрелкой внутрь, а NPN стрелкой наружу, что показывает направление тока.

Перед тем как проверить биполярный транзистор мультиметром, нужно понимать, какие физические процессы происходят в приборе. Основа работы устройства лежит в способности p-n перехода пропускать ток в одном направлении. При подаче питания на одном переходе возникает прямое напряжение, а на другом обратное. Область перехода с прямым напряжением имеет малое сопротивление, а с обратным — большое.

Принцип работы заключается в том, что прямой сигнал влияет на токи эмиттера и коллектора. При увеличении величины прямого сигнала возрастает ток в области прямого подключения. Носители заряда перемещаются в зону базы, что приводит к увеличению тока и в обратной области подключения. Возникает объёмный заряд и электрическое поле, способствующее втягиванию в зону обратного подключения заряда другого знака. В базе происходит частичное уничтожение зарядов противоположного знака, процесс рекомбинации. Благодаря чему и возникает ток базы.

Эмиттером называется область прибора, служащая для передачи носителей заряда в базу. Коллектором называют зону, предназначенную для извлечения носителей заряда из базы. А база — это область для передачи эмиттером противоположной величины заряда. Основной характеристикой прибора является вольт-амперная характеристика. На схеме элемент обозначается латинскими буквами VT или Q.

Полевой прибор

Полевые транзисторы были изобретены в 1952 году. Основное их достоинство в высоком входном сопротивлении по сравнению с биполярными приборами. Такие элементы часто называются униполярными или мосфетами. Разделяют их по способу управления, на транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.

Полевой транзистор выпускается с тремя выводами, один из них управляющий, называемый затвор. Другой исток, соответствующий эмиттерному выводу в биполярном приборе, и третий сток, вывод с которого снимается сигнал. В каждом типе устройства есть транзисторы с n-каналом и p-каналом.

Работа прибора с управляющим каналом, например, n-типа, основана на следующем принципе. Источник питания, подключённый к прибору, создаёт на его переходе обратное напряжение. Если уровень входного сигнала изменяется, то изменяется и обратное напряжение. Это приводит к тому, что меняется площадь, через которую протекают основные носители заряда. Такая площадь называется каналом. Полевые транзисторы изготавливаются методом сплавления или диффузией.

Мосфет с изолированным затвором представляет собой металлический канал, отделённый от полупроводникового слоя диэлектриком. Общепринятое название прибора — MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor).

Основанием элемента служит пластинка из кремния с дырочной электропроводностью. В ней создаются области с электронной проводимостью, соответственно образующие исток и сток. Такой мосфет работает в режиме обеднения или обогащения. В первом случае на затвор подаётся напряжение относительно истока отрицательного значения, из канала выдавливаются электроны, и ток истока уменьшается. Во втором режиме, наоборот, ток увеличивается из-за втягивания новых носителей заряда.

Транзистор с индуцированным каналом, открывается при возникновении разности потенциалов между затвором и истоком. Для полевика с p-каналом к затвору прикладывается отрицательное напряжение, а с n-каналом положительное. Особенность мощных транзисторов состоит в том, что вывод истока соединяется с корпусом прибора. При этом соединяется база с эмиттером. Такое соединение образует диод, который в закрытом состоянии не влияет на работу прибора.

Биполярный тип с изолированным затвором

Устройства такого типа называются IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Это сложный прибор, в котором, например, полевой n-канальный транзистор управляется биполярным устройством типа PNP.

К эмиттеру биполярного транзистора подключается коллектор мосфета. Если на затвор подаётся напряжение положительной величины, то между эмиттером и базой транзистора возникает проводящий канал. В результате транзистор IGBT отпирается, падение напряжения на PN переходе уменьшается. Когда значение напряжения увеличивается, то пропорционально увеличивается и ток канала в базе биполярного прибора, а падение напряжения на IGBT транзисторе уменьшается. Если полевой транзистор заперт, то и ток биполярного прибора будет почти нулевым.

Как пользоваться цифровым мультиметром

Для того чтобы провести измерения, тестер подключается набором проводов к измеряемому элементу. На одном конце каждого из проводов находится штекер, предназначенный для установки в гнездо измерителя, а на другом — контактный щуп. Порядок измерения электронным мультиметром в общем виде можно представить в виде следующих действий:

Включить устройство, нажав на кнопку ON/OFF.
Вставить штекера проводов в соответствующие гнёзда на панели. COM — общее гнездо для подключения щупа. V/Ω — положительное гнездо для подключения щупа.
Поворотный выключатель установить в положение диодной прозвонки «o)))».
Прижать измерительные щупы к выводам прибора.
Снять показания с экрана.

Кроме метода прозвонки, если позволяет тестер, можно провести измерения полупроводникового элемента установив переключатель в положение hFE. В таком случае провода и щупы не понадобятся. Но этот метод подходит только для биполярных приборов.

Проверка биполярного прибора тестером

Проверку прибора можно осуществить двумя способами. Для этого в тестере используется режим прозвонки или специально предназначенный режим проверки биполярных транзисторов.

На начальном этапе выясняется тип проводимости элемента. Для этого можно воспользоваться справочником или вычислить путём прозвонки. База вычисляется методом перебора. Щуп с общего вывода тестера подключается к одному из выводов транзистора, а щуп со второго вывода по очереди прикасается к двум оставшимся ножкам радиоэлемента. При этом смотрится какую величину сопротивления показывает тестер.

Необходимо найти такое положение, чтоб величина значения сопротивления между выводами составляла бесконечность. На цифровом тестере в режиме прозвонки будет гореть единица. Если такое положение не найдено, следует зафиксировать щуп второго вывода, а щупом с общего выхода осуществлять перебор.

Когда требуемая комбинация будет достигнута, то вывод, по отношению которого измеряется сопротивление, будет базой. Для вычисления выводов коллектора и эмиттера понадобится: в случае pnp транзистора на вывод базы — подать отрицательное напряжение, а для npn — положительное. Сопротивление перехода эмиттер — база будет немного больше, чем база-коллектор.

Например, исследуя биполярный низкочастотный транзистор NPN типа MJE13003, который имеет последовательность выводов база, коллектор, эмиттер, понадобится:

Переключить мультиметр в режим прозвонки.
Стать положительным щупом на базу прибора.
Вторым концом прикоснуться к коллектору прибора, сопротивление должно быть около 800 Ом.
Второй конец переставить на эмиттер прибора, сопротивление должно составить 820 Ом.
Поменять полярность. На базу стать отрицательным щупом, а к коллектору и эмиттеру прикоснуться поочерёдно вторым концом. Сопротивление должно быть бесконечным.

Если во время проверки все пункты выполняются верно, то транзистор исправен. В ином случае, при возникновении короткого замыкания между любыми переходами, или обрыва в обратном включении, делается вывод о неисправности транзистора. Проверка прибора обратной проводимости проводится аналогичным образом, лишь меняется полярность приложенных щупов. Таким способом можно проверить транзистор мультиметром, не выпаивая его, так и сняв с платы.

Второй способ измерения при использовании современного мультиметра, позволит не только проверить исправность полупроводникового прибора, но и определить коэффициент усиления h31. В зависимости от типа и вида, ножки транзистора совмещаются с соответствующими надписями на гнезде, обозначенном также hFE. При включении прибора на экране появится цифра, обозначающая коэффициент усиления транзистора. Если цифра определяется равной нулю, то такой транзистор работать не будет, или же неправильно определена его проводимость.

Определение целостности полевого радиоэлемента

Такой тип электронного прибора не получится проверить без выпайки из схемы. Способ проверки как для n-канального, так и для p-канального, а также IGBT вида, одинакова. Разница лишь в полярности, прикладываемой к выводам. Например, исправность F3NK80Z n-канального прибора выясняется по следующему алгоритму:

Мультиметр переключается в режим прозвонки.
Щуп общего провода прикасается к стоку прибора, а положительный — к истоку.
Щуп переставляется с истока на затвор. Переход в транзисторе откроется.
Возвращаем щуп на исток. Значение сопротивления должно быть маленьким, прибор, если у него есть звуковая прозвонка, запищит.
Для закрытия прибора щуп общего провода соединяется с затвором, при этом положительный щуп с истока не снимается.
Устанавливается положения щупов согласно первому пункту.

Для проверки p-типа проводимости последовательность операций остаётся такой же, за исключением полярности щупов, которая меняется на обратную.

Для мощных полевых приборов может случиться так, что напряжения тестера не хватит для его открытия. Так как прозвонить такой полевой транзистор мультиметром не удастся, понадобиться применить дополнительное питание. В таком случае в разрыв через сопротивление 1–2 кОм подаётся постоянное напряжение равное 12 вольт.

Существуют такие радиоэлементы, например, КТ117а, имеющие две базы. Их относят к однопереходным приборам. В современных устройствах они не получил широкого применения, но порой встречаются. У них нет коллектора.

Такие транзисторы тестером проверяются только на отсутствие короткого замыкания между выводами. Убедиться в его работе можно воспользовавшись схемой генератора.

Тестирование составного полупроводника

Такой элемент по своей конструкции напоминает микросхему. Так как проверить микросхему на работоспособность мультиметром практически невозможно, так нельзя и проверить составной прибор, используя только тестер. Для тестирования понадобится собрать несложную схему.

В ней применяется источник постоянного напряжения 10−14 вольт. Нагрузкой цепи служит лампочка. В качестве резистора используется элемент мощностью 0,25 Вт. Его сопротивление рассчитывается по формуле h31*U/I, где:

h31— коэффициент усиления;
U — напряжение источника питания;
I — ток нагрузки.

Для проверки на базу подаётся положительный сигнал от источника питания. Лампочка светится. При смене полярности лампочка гаснет. Такое поведение говорит о работоспособности прибора.

Таким образом, узнав, как прозвонить транзистор мультиметром, можно легко вычислить неисправный элемент в схеме, даже его не выпаивая.

Как прозвонить npn транзистор мультиметром

В качестве примера будут проверяться биполярные транзисторы BC547 и BC557. Перед проверкой необходимо выяснить структуру транзистора и расположение его выводов. Эту информацию можно найти в документации на транзистор (Datasheet).

Для проверки транзисторов черный щуп подключается к гнезду “COM” мультиметра, красный – к гнезду “V/Ω”. Мультиметр включается в режим “прозвонка”.

Проверка транзистора BC547 мультиметром

Красный щуп подсоединяется к базе транзистора, черный – к коллектору. Так как BC547 имеет структуру n-p-n, то при исправном транзисторе, мультиметр покажет падение напряжения примерно 700мВ (милливольт).

Отображение на дисплее мультиметра нулей и звуковой сигнал указывают на неисправность транзистора. В этом случае присутствует замыкание между базой и коллектором.

Отсутствие показаний мультиметра означает обрыв перехода “база – коллектор”.

Если коллекторный переход в норме, следующим этапом будет проверка эмиттерного перехода. Для этого черный щуп подключается к эмиттеру, красный остается на базе. Мультиметр должен показать падение напряжения, замыкания и обрыва быть не должно.

Далее переходы транзистора проверяются с другой полярностью. Черный щуп соединяется с базой, красный подключается сначала к коллектору, затем к эмиттеру. В обоих случаях мультиметр не должен показывать утечку или замыкание.

Осталось проверить отсутствие замыкания или утечки между коллектором и эмиттером при любой полярности подключения щупов.

Проверка транзистора BC557 мультиметром

Для проверки BC557 (структура p-n-p) черный щуп подсоединяется к базе, красный – к коллектору. При исправном транзисторе мультиметр покажет падение напряжения.

Теперь красный щуп подсоединяется к эмиттеру, черный – остается на базе. Если транзистор исправный, мультиметр покажет падение напряжения.

Далее транзистор проверяется с другой полярностью. Красный щуп соединяется с базой, черный – с коллектором. Результат с исправным транзистором – отсутствие замыкания и утечки.

Для проверки эмиттерного перехода черный щуп соединяется с эмиттером, красный щуп остается на базе. Утечки и замыкания должны отсутствовать.

Затем проверяется отсутствие замыкания и утечки между коллектором и эмиттером при любой полярности подключения щупов.

В этом видео показано как проверить биполярные транзисторы мультиметром:

Необходимый минимум сведений

Виды транзисторов и принцип работы

Цоколевка

Внешний вид биполярного транзистора средней мощности и его цоколевка

Как проверить транзистор мультиметром со встроенной функцией

Мультиметр с функцией проверки транзисторов

Проверка на плате

Как проверить транзистор мультиметром не выпаивая

Строение биполярного транзистора и как его можно представить, чтобы понять как его будем проверять

Проверка биполярного транзистора PNP типа

Итак, начнём с проверки биполярника PNP типа. Вот что у нас должно получиться:

Если подать на базу плюс (красный щуп), на эмиттер или коллектор — минус (чёрный щуп), должно быть бесконечно большое сопротивление. В этом случае диоды закрыты (смотрим на эквивалентной схеме).
Если подаём на базу минус (чёрный щуп), а на эмиттер или коллектор плюс (красный щуп), видим ток от 600 до 800 мВ. В этом случае получается, что переход открыт.

Проверка биполярного PNP транзистора мультиметром

Тестируем исправность NPN транзистор

Как видим, в NPN приборе ситуация будет другой. Практически она диаметрально противоположна:

Если подать на базу плюс (красный щуп), а на эмиттер или коллектор минус, переход будет открыт, на экране высветятся показания — от 600 до 800 мВ.
Если поменять местами щупы: плюс на коллектор или эмиттер, минус на базу — переходы заперты, тока нет.
При прикосновении щупами к эмиттеру и коллектору тока по-прежнему быть не должно.

Проверка работоспособности биполярного NPN транзистора мультиметром

Как определить базу, коллектор и эмиттер

Строение биполярного транзистора и как его можно представить чтобы понять как его будем проверять

В мире электроники существует большое количество разных приспособлений и деталей. Их счёт идёт на миллионы и постоянно возрастает с изобретением всё новых приборов.

Несмотря на большое количество элементов электроники, каждый специалист данного направления знает о транзисторах. Это радиоэлектронный прибор, работающий на особых частотах, который имеет 3 вывода. Его работа заключается в уменьшении сопротивления силы тока.

Как уже можно было догадаться сегодня речь пойдёт о том, как проверить транзистор мультиметром.

Краткое содержимое статьи:

С чего нужно начать?

Прежде чем начать работу с мультиметром, нужно уметь им пользоваться, знать какую модель вы применяете, а также уметь подсоединять его к сети.

Узнать, что за модель вы используете, можно посмотрев на его маркировку.

Обычно маркировка находится на коробке от прибора и там имеется полная информация о нём, а именно:

Модель транзистора.
Страна производитель.
Выпускающая фирма.
Гарантия на товар.

Если же по каким-то причинам у вас нет коробки от транзистора, исправить это можно путём поиска похожей фотографии в интернете, где и будет подробное описание прибора.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Далее мы поговорим об инструкции, как проверить транзистор:

Присоединить большой красный щуп (СЕМ) – это будет считаться минусом, а чёрный присоединить к (МА) – это плюс.
Далее необходимо включить устройство и перенаправить его в режим прозвонки или можно перевести в режим сопротивления на ваше усмотрение.
После чего на экране вы увидите величину сопротивления энергии. В норме она колеблется от 0,3 до 0,7 Ом.
Чтобы отобразить минимальное сопротивление необходимо обозначить мощность вашего перехода, и после всего проделанного ваш прибор полностью настроен и готов к его активному и длительному использованию.

Как проверить транзистор не выпаивая его?

Выпаивание любой детали из электроприбора очень ответственно дело, при котором допущение малейшей ошибки может полностью вывести из строя любой электроприбор.

Так как проверить транзистор не выпаивая его из схемы?

Сначала нужно убедиться в его целостности.
Затем проверить его генерацию.
Далее вам следует обратить внимание на Л2, которое находится близ размыкания красных щупов.
Свечение лампы Л2 свидетельствует о его работоспособности.

Если лампа Л2 не будет гореть, то это является верным признаком того, что прибор сломан. В таком случае не рекомендуется чинить его самостоятельно, так как велика вероятность того, что во время ремонта вы повредить остальные детали.

Советуем вам обратиться с такой проблемой к грамотному специалисту, который сможет починить транзистор.

Проверяем транзистор на плате

Теперь мы переходим к тому, как проверить транзистор на плате? Следует отметить, что это один из самых популярных вопросов по данной тематике.

На просторах интернета существует множество ответов на этот вопрос, но не все являются правильными с точки зрения физики и инженерии. Тестирование транзистора на плате происходит следующим образом:

Его сначала нужно подключить к плюсовой базе с помощью мощного источника. Если сделать всё правильно, то у вас должна загореться лампочка.

SS9014 Распиновка транзистора, эквивалент, применение, характеристики, техническое описание

В сообщении описывается распиновка транзистора SS9014, эквивалент, использование, функции, техническое описание и другие подробности о том, как и где использовать этот транзистор в ваших схемах.

Характеристики / Технические характеристики:

Тип упаковки: TO-92
Тип транзистора: NPN
Максимальный ток коллектора (I _C): 100 мА
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В _CE): 45 В
Максимальное напряжение коллектор-база (В _CB): 50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 В
Макс.рассеиваемая мощность коллектора (шт.): 400 милВт
Максимальная частота перехода (fT): 150 МГц
Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h _FE): 60-1000
Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

PNP Дополнительным к SS9014 является SS9015

Аналог:

BC547C, NTE2672, BC337-40, BC635, MPSA18, 2N5962, MPS6571, 2N2222, S8050, 2N4401, BC537, SS9013, (это ближайший возможный эквивалент или замена транзисторов для SS9014.Конфигурация выводов этих транзисторов может отличаться от SS9014, поэтому рекомендуется проверить конфигурацию выводов транзистора, который вы используете в своей схеме.)

SS9014 Транзистор объяснено / Описание:

SS9014 – широко используемый NPN-кремниевый BJT-транзистор. Это малошумящий транзистор с высоким коэффициентом усиления, максимальное усиление по постоянному току транзистора составляет 1000. Высокое усиление и низкий уровень шума делают этот транзистор идеальным для использования в предварительном усилении звука или для усиления очень низкого уровня звука до высокого уровня с помощью фильтрация шума.Его также можно использовать для усиления любого типа сигнала малого или низкого уровня до высокого уровня. Кроме того, он также может хорошо работать в радиочастотных цепях ниже 150 МГц. Максимальное рассеивание коллектора в 400 мВт также позволяет ему управлять небольшим динамиком от 2 до 3 дюймов с сопротивлением 4 или 8 Ом.

С другой стороны, максимальный ток коллектора транзистора составляет 100 мА, поэтому его можно использовать для управления нагрузками до 100 мА. Например, светодиоды, реле, мощные транзисторы, ИС и т. Д.

Где и как использовать:

SS9014 разработан для использования в схемах предусилителя звука с низким уровнем шума и с высоким коэффициентом усиления, но его также можно использовать для усиления любого типа сигналов с низким коэффициентом усиления.Кроме того, его также можно использовать в качестве аудиоусилителя или в каскадах аудиоусилителя. Но он также может использоваться в качестве переключателя для управления нагрузкой 45 В и 100 мА. Транзистор можно использовать или подключить как обычный биполярный транзистор.

Заявки:

Предусилители звука

Каскады усилителя звука

Усиление сигнала

Цепи датчика

Коммутационная нагрузка до 100 мА

Дарлингтонские пары

Как безопасно работать в цепи:

Для обеспечения долговременной производительности с этим SS9014 рекомендуется не управлять нагрузкой более 100 мА и 45 В через этот транзистор, для лучшей производительности всегда оставайтесь на 20% ниже максимальных значений.Всегда используйте подходящий базовый резистор и не работайте и не храните при температуре ниже -55 по Цельсию и выше +150 по Цельсию.

Лист данных:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://www.mouser.com/datasheet/2/149/SS9014-8

.pdf

SS9014 Распиновка биполярного NPN-транзистора, аналог, характеристики и техническое описание

SS9014 Конфигурация выводов транзистора

Контактный №	Имя контакта	Описание
1	Излучатель	Ток утекает через эмиттер, обычно соединенный с землей
2	База	Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора
3	Коллектор	Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

Характеристики

Предусилитель, низкоуровневый, малошумящий NPN-транзистор
Коэффициент усиления по току (hFE), от 60 до 1000 (хорошая линейность)
Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 100 мА
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) 45 В
Напряжение коллектор-база (VCB0) составляет 50 В
(VBE0) составляет 5 В
Частота перехода 150 МГц
Доступен в упаковке To-92

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы.

Дополнительный PNP для SS9014

SS9015

SS9014 Эквивалентные транзисторы

КСП06, КСП42, MPSA42, MPSW06

Альтернативные транзисторы NPN

BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200,2N551

Где использовать транзисторы SS9014?

SS9014 – низкосигнальный и малошумящий NPN-транзистор с хорошим значением hfe до 1000 и высокой линейностью, что делает этот транзистор идеальным выбором для разработки усилителей звуковой частоты (AF) или предварительных усилителей.Этот NPN-транзистор также имеет встречный PNP-транзистор ( SS9015 ), который можно использовать для разработки усилителя класса B в двухтактной конфигурации. Он также имеет хорошее рассеивание коллектора (рассеиваемую мощность) 0,4 Вт для динамиков с приличными характеристиками.

Транзистор имеет очень низкий ток коллектора, равный 100 мА, поэтому его не рекомендуется использовать в схемах переключения или управления. Я лично обнаружил, что эти транзисторы используются в беспроводных камерах видеонаблюдения и небольших игровых консолях, где требуется предварительное усиление звука.

Как использовать транзисторы SS9014?

SS9014 обычно используется для создания предварительного усилителя, но вы можете спроектировать свою схему в соответствии с вашими требованиями. Чтобы создать предварительный усилитель с использованием транзистора, нам необходимо выбрать транзистор с низким уровнем сигнала и шума, с хорошим значением hfe и рассеянием коллектора. SS9014, кажется, удовлетворяет всем этим параметрам. Типичная схема предварительного усилителя, использующая SS9014, показана ниже.

Значения резисторов R1, R2, R3 и R4 можно рассчитать, используя значения Vcc, Hfe и Ic.Некоторые полезные формулы для расчета приведены ниже –

Ib = Ic / hfe R1 = 1 / 2Vcc / 0,005 R2 = 1 / (Ic + Ib)

Приложения

Предусилители AF
Используется как усилители класса B
Сценическое звуковое оборудование с низким уровнем шума
Двухтактные схемы

2D Модель SS9014

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Конфигурация контактов

, схема, работа и приложения

Эпитаксиальный Si-транзистор типа S8050 типа NPN используется в основном для коммутации и усиления. Таким образом, это один из наиболее часто используемых транзисторов в различных схемах. Этот транзистор имеет выдающуюся максимальную емкость усиления, такую как 400, однако нормальное усиление составляет примерно 110, так что его можно применять в усилителях.

Как следует из названия, этот транзистор включает три слоя, в которых слой с примесью фосфора заключен между двумя слоями с примесью азота.Здесь базовый вывод представляет собой слой с примесью фосфора, тогда как два других вывода, такие как эмиттер и коллектор, являются слоями с примесью азота, соответственно. В этой статье обсуждается обзор транзистора S8050 .

Что такое транзистор S8050?

S8050 – это сильноточный и низковольтный транзистор, у которого ток коллектора составляет 700 мА, а напряжение коллектор-эмиттер, такое как VCE, составляет 25 В. Чтобы этот транзистор работал очень безопасно, базовый ток этого транзистора должен быть ограничен до 5 мА.

S8050 – это NPN-транзистор с высоким током и низким напряжением. Этот транзистор представляет собой трехконтактный компонент, такой как эмиттер, база и коллектор, которые используются для внешнего подключения через различные схемы. Эти три вывода транзистора различаются по концентрации легирования, если эмиттер сильно легирован, по сравнению с обоими выводами, такими как коллектор и база.

S8050 Транзистор

Базовый вывод транзистора может быть слегка легирован, а вывод коллектора – умеренно легированным.В транзисторе небольшой ток на одном выводе в основном используется для управления большим током на остальных выводах.

Как правило, доступны транзисторы двух типов, например, UJT и BJT, где транзистор S8050 относится к категории BJT (биполярный переходный транзистор). Таким образом, эти транзисторы доступны с двумя носителями заряда, такими как дырки и электроны, где большинство носителей заряда – электроны.

Этот транзистор включает в себя два PN перехода, такие как EB и CB.Здесь EB-переход смещен в прямом направлении, а CB-переход – в обратном. Для лучшей производительности транзистора S8050 он должен работать в режиме прямого смещения, иначе

Конфигурация контактов

Конфигурация выводов транзистора S8050 и его символ показаны ниже. Этот транзистор включает три контакта, каждый из которых и его функции описаны ниже.

Конфигурация выводов транзистора S8050

Вывод 1 (эмиттер): через этот вывод

протекает ток.

Вывод 2 (база): смещение транзистора можно контролировать через этот вывод

Вывод 3 (коллектор): через этот вывод подается ток

Характеристики и характеристики

Характеристики и характеристики транзистора S8050 включают следующее.

Вид упаковки ТО-92
Тип транзистора – NPN (BJT)
Максимальный ток коллектора (IC) составляет 700 мА / 0,7 А
Напряжение от коллектора к эмиттеру (VCE) не более 20В
Напряжение между коллектором и базой (VCB) не более 30 В
Напряжение между эмиттером и базой (VBE) не более 5В
Максимальное рассеивание коллектора (ПК) составляет 1 Вт
Частота перехода (fT) макс. Составляет 100 МГц
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) мин. 40-400
Диапазон рабочих температур (макс.) От -65 до +150 ° C
Сильноточный и низковольтный транзистор
Транзистор малой мощности
Максимальная мощность 2 Вт
Коэффициент передачи тока пересылки / hFE Значение составляет 120
Обозначение Тип – S8050
Частота перехода 150 МГц
Материал, используемый для транзистора Si

Рабочий

В NPN-транзисторе S8050 оба вывода, такие как эмиттер и коллектор, будут смещены в обратном направлении, когда вывод базы удерживается на земле, и будут закрыты (смещены в прямом направлении), когда на вывод базы будет подан сигнал.Максимальное значение усиления этого транзистора составляет 300, и это значение будет определять мощность усиления. Если усиление высокое, то оно используется для усиления.

Но значение усиления на токе коллектора будет 110, а максимальный ток, подаваемый на клемму коллектора, составляет 700 мА, поэтому мы не можем управлять различными нагрузками, которые работают, потребляя более 700 мА через этот транзистор. Транзистор может быть смещен, если на базовый вывод подается ток, который должен быть ограничен до 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, он позволяет току до 700 мА проходить через выводы эмиттера и коллектора, поэтому эта фаза называется областью насыщения. Типичное напряжение, используемое на VCE или VCB, может составлять 20 В и 30 В. соответственно. Как только источник тока отключен на клемме базы транзистора, он будет отключен, поэтому эта фаза называется областью отсечки.

Альтернативы транзисторам S8050: 2N2369, 2N3904, 2N3055, MPSA42, BC547, S9014, 2N3906, SS8050 и т. Д.Эквивалентными транзисторам S8050 являются S9013 и 2N5830.

Как защитить транзистор S8050?

Этот транзистор должен работать при напряжении ниже 20 В для безопасной работы в схемах электронных проектов.
Точно так же нагрузка в цепи должна работать ниже 0,7 А / 700 мА.
Следует использовать соответствующий базовый резистор, чтобы ограничить ток на клемме базы до необходимого уровня.
Не подвергайте его воздействию тепла выше 150 C и ниже -60 C.

S8050 Схема транзистора

Двухтактная схема с использованием транзистора S8050 показана ниже. В этой схеме транзистор S8050 играет ключевую роль через усилитель класса B. Его работа обсуждается ниже.

Обычно усилитель класса B также называется двухтактным усилителем. Это один из видов многокаскадных усилителей, часто используемых для усиления звука в громкоговорителях. Конструкция этой схемы очень проста, для работы требуются два равных дополнительных транзистора.

Принципиальная схема Push Pull

Здесь комплиментарным является ничто, но если нам нужен транзистор NPN, то его комплементарным является PNP. Точно так же S8050 является транзистором NPN, поэтому его дополнительным транзистором будет транзистор S8550 PNP.

Транзистор S8050 – это обычный NPN-транзистор, который в основном используется в схемах для различных общих целей, таких как электронные схемы на основе переключателей, усиление звука и т. Д.

Где использовать транзистор S8050?

Приложения для S8050 Transisto r включают следующее.

Транзистор общего назначения S8050 – это идеальный транзистор, используемый для решения общих задач в различных электронных схемах. Этот транзистор можно использовать в качестве переключателя в цепях, которые активируют нагрузки ниже 700 мА.
Здесь 700 мА тока достаточно для управления различными видами нагрузок, такими как светодиоды, реле, лампочки и т. Д. Этот транзистор также используется в качестве усилителя в небольших фазах усиления, иначе как отдельный усилитель.
Усилители класса B
Приложения с низким уровнем сигнала
Двухтактные схемы
Выключатель нагрузки в цепи
От низкого усиления к высокому усилению
Схемы усиления звука
Используется в схемах, где необходимо высокое усиление

Таким образом, это все об обзоре таблицы данных транзистора S8050, которая включает в себя схему выводов, работу, спецификации, характеристики, схему с работающими и ее приложениями.Это транзистор общего назначения с малым сигналом, меньшим напряжением и большим током, используемый для выполнения различных задач в электронных схемах. Этот вид транзистора используется в качестве переключателя для управления нагрузкой до 700 мА в различных цепях. Вот вам вопрос, в чем недостатки транзистора S8050?

S8050 NPN-транзистор: применение, характеристика, вывод5А.

S8050 – одна из наиболее часто используемых моделей полупроводниковых транзисторов в схемотехнике.

Имя: S8050
Тип: NPN
Рассеиваемая мощность: 0,625 Вт (SMD: 0,3 Вт)
Ток коллектора: 0,5A
Базовое напряжение: 40 В

Каталог

S8050 Распиновка

Номер контакта	Имя контакта	Символ	Описание
1	Излучатель	E	Ток утечки через эмиттер
2	База	В	Управляет смещением транзистора
3	Коллектор	С	Ток протекает через коллектор

S8050 Приложение

Цепи усиления звука
Усилители класса B
Двухтактные транзисторы
Схемы, где требуется высокий коэффициент усиления
Приложения с низким уровнем сигнала

S8050 Характеристики

Низкое напряжение, сильноточный транзистор NPN
Транзистор малой мощности
Максимальная мощность: 2 Вт
Максимальное усиление постоянного тока (hFE) составляет 400
Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 700 мА
Напряжение базы-эмиттера (VBE) составляет 5 В
Напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 20В
Напряжение коллектор-база (VCB) 30 В
High Используется в двухтактных усилителях класса B
Доступен в упаковке To-92

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных S8050 в конце этой страницы.

S8050 Преимущество

S8050 npn транзистор

S8050 – это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (обратное смещение), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (прямое смещение), когда сигнал подается на базовый вывод. Максимальное значение усиления – 400; это значение определяет усилительную способность транзистора обычно S8050. Поскольку он очень высокий, его обычно используют для усиления.Однако при нормальном рабочем токе коллектора типичное значение усиления будет 110. Максимальное количество тока, которое может протекать через вывод коллектора, составляет 700 мА, поэтому мы не можем управлять нагрузками, потребляющими более 700 мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (IB) должен быть ограничен до 5 мА.

Когда этот транзистор полностью смещен, через коллектор и эмиттер может протекать максимум 700 мА. Этот этап называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (VCE) или коллектор-база (VCB), может составлять 20 В и 30 В соответственно.Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки.

S8050 Альтернативы

2N3904, 2N3906, 2N2369, 2N3055, S9014, MPSA42, SS8050, BC547

S8050 Эквиваленты

2N5830, S9013

S8050 Схема

Это видео, представляющее стереоусилитель на транзисторах S8050 и S8550.

Где и как использовать S8050

Транзистор S8050 – это транзистор общего назначения, это идеальный транзистор для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах.Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных схемах для включения нагрузок до 700 мА. 700 мА достаточно для работы с различными нагрузками, например реле, светодиодами, лампочками и т. Д. Его также можно использовать в качестве усилителя в небольших каскадах усиления или в качестве отдельного усилителя небольшого сигнала.

Как безопасно и долго запускать S8050 в цепи

Чтобы безопасно запустить транзистор S8050 в вашей схеме или электронных проектах, не используйте этот транзистор при напряжении выше 20 В и не используйте нагрузку более 700 мА или 0.7А. Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит базовый ток до требуемого уровня. Не подвергайте его воздействию тепла выше 150 по Цельсию и ниже -60 по Цельсию.

2N2222 Распиновка транзистора, примеры, применение и техническое описание

2N2222 NPN транзистор обычно используется для коммутации и усилителя очень высокой частоты (VHF). Он изготовлен из кремниевого материала и специально разработан для применения в усилителях низкого напряжения, низкого и среднего тока и малой мощности.

2N2222 Введение транзистора NPN

2N2222 обеспечивает постоянный постоянный ток коллектора 800 мА. Это означает, что у него высокий коллектор, поэтому он в основном используется в тех цепях, где требуется низкий или средний ток. Он работает на высокой переходной частоте 250 МГц с временем задержки 10 нс, временем нарастания 25 мс, временем хранения 225 мс и временем спада 60 мс. Он удобен в использовании и легко доступен на онлайн-рынке в упаковке TO-92.

Распиновка 2N2222

Конфигурация выводов

транзистора 2N2222 NPN: Этот транзистор 2N2222 NPN имеет три контакта: эмиттер, базу и коллектор.Эти выводы используются в схеме для включения или выключения транзистора. Схема его конфигурации выводов показана здесь в соответствии с таблицей данных:

Описание конфигурации контактов

Номер контакта	Имя контакта	Функция
1	Эмиттер	Вывод эмиттера используется для отвода всего тока транзистора.
2	База	Базовый вывод – это управляющий вывод, который используется для управления током эмиттера на базе.
3	Коллектор	Коллекторный вывод является выходным выводом и используется для подачи транзисторного тока на выходную нагрузку.

2N2222 Электрические характеристики транзистора NPN

Напряжение между коллектором и эмиттером равно VCEO = 50 В, когда база открыта
Напряжение эмиттера относительно базы составляет VEBO = 6 В, когда коллектор открыт
Напряжение коллектора относительно базы составляет VCBO = 75, когда эмиттер открыт
Постоянный коллектор постоянного тока ток составляет IC = 800 мА
Общая рассеиваемая мощность устройства составляет PT = 1 Вт
Максимальное тепловое сопротивление от перехода к корпусу составляет R0JC = 150C0 / Вт
Максимальное тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде составляет R0JA = 325C0 / Вт
Входная емкость = 25 пФ
Выходная емкость = 8 пФ
Время включения = 25 нс
Время спада = 60 нс

Альтернативные варианты

MPSA42, 2N3906

Аналоги

2N2907 (PNP)
2N3904 (PNP)
2N3906 (PNP)
BC637
S9014
BC148
2N4403
MPS2222
PN2222
KN2222
NPN2222
KN2222
NPN2222 KN2222 NPN
Этот транзистор 2N2222 NPN имеет почти те же технические характеристики, что и транзистор NPN BC547
, но единственная разница между ними – это постоянный ток коллектора и общая рассеиваемая мощность этого транзистора
Следовательно, он может использоваться в таком приложении, например, как переключение. и усилители, в которых использовался транзистор BC547.В коммутационном приложении он работает в двух областях, таких как область насыщения и область отсечки.
В области насыщения полный ток течет от эмиттера к коллектору в диапазоне от 110 до 800 мА, и в этом состоянии он действует как включающий переключатель. Следовательно, пользователь не может подключить нагрузку, ток которой превышает 800 мА.
Точно так же в области отключения ток не течет от эмиттера к коллектору, а затем он действует как выключатель.
В цепи также есть ограничивающий ток резистор. для ограничения тока базы, так как это может привести к повреждению транзистора, если ток источника превышает 5 мА
Режимы конфигурации
Аналогично в приложении усиления, он может быть подключен в трех конфигурациях, таких как общий эмиттер, общий коллектор и общая база.С помощью этих режимов конфигурации можно легко увеличить ток, напряжение и мощность.
2N2222 Примеры схем
В этом разделе мы обсудим некоторые примеры использования этого NPN-транзистора. Сначала мы рассмотрим пример простого примера управления светодиодом с помощью переключателя. После этого мы увидим пример управления двигателем постоянного тока с помощью Arduino Uno.
Пример управления светодиодами
В этой примерной схеме мы присоединяем кнопку к клемме базы.5 вольт с выводом коллектора через резистор 220 Ом.
Соедините светодиод с выводом эмиттера через резистор 220 Ом. По ошибке 10кОм использовался как токоограничивающий резистор со светодиодом.
Если вы используете 10кОм, светодиод не будет светиться при включении переключателя из-за слабого тока, проходящего через светодиод.
Резистор 10 кОм ограничивает ток ниже прямого тока, необходимого для включения светодиода.
Также используйте резистор 220 Ом между переключателем и клеммой базы.
Теперь, если вы примените логику 5 В на входе базы, вы увидите светящийся светодиод. В противном случае он останется выключенным.
Пример подключения двигателя постоянного тока в качестве переключателя с использованием Arduino
В этом примере транзистор 2N2222 NPN используется в режиме конфигурации с общим эмиттером. Эта схема управляет двигателем постоянного тока через транзистор, который используется в качестве переключателя. Мы можем использовать Arduino Uno или любой микроконтроллер для управления этой схемой. Работа этой схемы точно такая же, как вы видели в предыдущем разделе, за исключением того, что используется двигатель постоянного тока.
Вы можете прочитать это руководство для дальнейшего:
Приложения 2N2222 NPN транзистор
Этот транзистор 2N2222 NPN может использоваться в тех нагрузках, где требуется ток более 800 мА.
Цепи привода двигателя, такие как преобразователи частоты (VFD) и т. Д.
Инверторы постоянного тока и схемы выпрямителей.
Пара транзисторов Дарлингтона, в которых более одного транзистора подключены параллельно для получения высокого тока от эмиттера к коллектору.
Его можно использовать как усилитель для усиления тока, напряжения и мощности.
2D Размерная диаграмма
Двухмерная диаграмма помогает при разработке схемы печатной платы и при сборке электронных компонентов. Вы можете загрузить техническое описание , чтобы увидеть размерную диаграмму других пакетов.
Загрузить 2N2222 Лист данных
Br 9014 транзистор pdf
Br 9014 транзистор pdf
Страница 2 из 4 электрические характеристики t ambient25.Условия установки v напряжение пробоя коллектора передатчика brcbo 20 i v c1ma, ib0 v напряжение пробоя базы коллектора brcbo 40 v ic0. A, i e0 50 В напряжение пробоя коллектора передатчика v br ceo ic 0. S9014 datasheet, s9014 pdf, s9014 data sheet, s9014 manual, s9014 pdf, s9014, datenblatt, electronics s9014, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet.
Базовое напряжение 2n5550 2n5551 vcbo 160 180 vdc эмиттер. A, i e0 50 v напряжение пробоя коллектора передатчика v brceo ic 0. C9014 datasheet, 2sc9014 pdf npn 50v транзистор usha, c9014 datasheet, c9014 pdf, c9014 распиновка, данные, схема, ic, руководство, заменитель, эквивалент.A, i c0 5 v ток отсечки коллектора i cbo v cb50 v, i e0 0. Коллектор 1 2 3 электрические характеристики параметр коллектор-база напряжение пробоя коллектор-передатчик. S9014 – это эпитаксиальный кремниевый планарный транзистор npn, предназначенный для использования в схемах выходного аудиосигнала и преобразователя-инвертора. Параметр коллектор-база пробивное напряжение коллектор-эмиттер пробивное напряжение эмиттер-база пробивное напряжение коллектор отсечка. Mcc s9014b микрокоммерческие компоненты tm 20736 marilla street chatsworth s9014c микрокоммерческие компоненты ca 911 phone.Абсолютные максимальные номинальные значения максимальная температура хранения 555. Условия установки v br ceo напряжение пробоя коллектора передатчика 20 i v c1ma, ib0 v br cbo напряжение пробоя коллекторной базы 40 v ic0. Напряжение эмиттера 2n5550 2n5551 vceo 140 160 vdc коллектор. Страница 2 из 4 электрические характеристики t ambient 25. Маркировка радиодеталей, коды smd br, br, br.
Ic перекрестная ссылка перекрестная ссылка ci stk перекрестная ссылка ci tda перекрестная ссылка ci четкая перекрестная ссылка Hitachi аудио перекрестная ссылка и схемы приложения SMD перекрестная ссылка и эквивалент Мы прилагаем все усилия, чтобы обеспечить точность материалов на этом сайте, однако мы делаем не гарантируют и не заявляют, что информация является бесплатной.В качестве дополнительного типа рекомендуется pnp-транзистор ch 9015. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с различной конфигурацией выводов. Абсолютные максимальные рейтинги ta25c, если не указано иное.
У них в наличии несколько разновидностей по гроши каждая. В качестве дополнительного типа рекомендуется использовать pnp-транзистор st 9015. K170 datasheet, k170 pdf, распиновка k170, аналог, замена 2sk170 toshiba, схема, схема, инструкция. Характеристики рассеиваемой мощности pcm w tamb25 ток коллектора a icm.Общие характеристики транзистора pnp кремния это устройства без pbfree максимальные номинальные характеристики номинальный символ значение единица измерения напряжение передатчика vceo60 vdc напряжение базы коллектора vcbo60 vdc напряжение базы эмиттера vebo5. Br 9014 транзистор st 9014 c br 9014 c c транзистор 9014 br 9014 c транзистор v. Температурная пайка выводов, даташит 9014, даташит 9014, 9014 pdf, схема 9014. Br ebo i e100ma, i c0 5 В ток отсечки коллектора i cbo v cb60v, i e0 0. Транзистор подразделяется на четыре группы, a, b, c и d, в соответствии с коэффициентом усиления по постоянному току.Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы. To92 Пластиковые капсулы транзисторов s9014 транзистор npn особенности z 2. S9014 datasheet vcbo50v, npn транзистор Fairchild, s9014 pdf, распиновка s9014, руководство s9014, схема s9014, эквивалент s9014, данные s9014. Коллекторный npn эпитаксиальный кремниевый транзистор абсолютные максимальные номиналы ta25c, если не указано иное, обозначение номинальных значений параметров единиц vcbo collector1.
Коллектор 123 электрические характеристики параметр коллектор-база пробивное напряжение коллектор-эмиттер напряжение пробоя эмиттер-база пробивное напряжение коллектор ток отсечки ток отсечки коллектора ток отсечки эмиттера.Техническое описание S9014, перекрестная ссылка, примечания к схемам и применению в формате. Br 9014 c. Техническое описание транзистора, перекрестная ссылка, примечания к схемам и применению в формате pdf. S представляет собой эпитаксиальный кремниевый планарный транзистор npn, предназначенный для использования в схемах выходного аудиосигнала и преобразователя-инвертора. Это техническое описание содержит технические характеристики для.
Условия установки v br ceo напряжение пробоя коллектора передатчика 25 v ic0. Nte123ap кремниевый транзисторный усилитель звука npn-типа, переключатель соответствует абсолютным максимальным номинальным значениям nte159.C9014, c9014 datasheet, c9014 npn малосигнальный транзистор, купить транзистор c9014. St 9014 npn кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор для коммутации и применения в усилителях низкой частоты. Кремниевый транзистор Wings npn, все данные, технические данные, поисковый сайт электронных компонентов и. Ss9014 npn эпитаксиальный кремниевый транзистор Mouser Electronics. Найдите качественные транзисторные блоки питания s9014, транзисторы. Бесплатные устройства, максимальные рейтинги, рейтинг, символ, единица измерения, коллектор. Транзисторы усилителя bc546b, bc547a, b, c, bc548b, c.C представляет собой малосигнальный npn-транзистор общего назначения, используемый для коммутации. Таблица данных печатается только для справочной информации. Распиновка биполярного npn-транзистора ss9014, аналог, характеристики. Напряжение пробоя эмиттер-база vbrebo5 v ie 50a, i c0.
A3, май 2002 г. ss9014 npn эпитаксиальный кремниевый транзистор абсолютные максимальные значения ta25c, если не указано иное, электрические характеристики ta25c, если иное не указано единиц измерения параметров символа классификации hfe. Sts9014 npn кремниевый транзистор 7 описание универсальное приложение переключения приложений отличается превосходной линейностью hfe.Полупроводниковый транзистор, диод, перекрестная ссылка на микросхему. Коллектор комплементарен с9015 до максимальных рейтингов та25. St 9015 pnp кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор для коммутации и применения в усилителях низкой частоты. Техническое описание транзистора C9014 epub загрузить 17 dec c техническое описание, 2sc pdf npn 50v транзистор usha, техническое описание c, c pdf, распиновка c, данные, схема.
Nte123ap кремниевый транзисторный усилитель звука npn, переключатель. A, февраль 2000 г. ss9015 pnp эпитаксиальный кремниевый транзистор абсолютные максимальные значения ta25c, если не указано иное, электрические характеристики ta25c, если не указано иное, единицы измерения параметров символа классификации hfe.Pdf 25 кГц an946b br 9014 транзистор an946b fd9014 br 9014 c корпус транзистора высокой мощности класса d. S9014 транзистор npnfeatureshigh общая мощность рассеивания. Электрические характеристики tamb25, если не указано иное. Доступны бесплатные пакеты максимальные номинальные значения номинальное значение символ значение единица коллектор-эмиттер напряжение bc546 bc547 bc548 vceo 65 45 30 vdc базовое напряжение коллектора bc546 bc547 bc548 vcbo 80 50 30 vdc базовое напряжение эмиттера vebo 6. Если вы ищете этот транзистор, ознакомьтесь с электроникой mouser по адресу .Bc546b, bc547a, b, c, bc548b, c транзисторы усилителя npn кремниевые особенности pb. В качестве дополнительного типа рекомендуется транзистор npn st 9014. Транзистор C945 npn отличается превосходной линейностью и низким уровнем шума.
S9014 datasheet, s9014 pdf, s9014 datasheet, s9014 manual, s9014 pdf, s9014. Ch 9014 npn кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор для коммутации и применения в усилителях низкой частоты. Транзистор общего назначения pn2907a adafruit Industries. Условия установки vbrceo напряжение пробоя коллектора передатчика 25 В ic0.C, если не указано иное выкл. Характеристики символ описание мин. Классификация рангового диапазона hfe1 120200 200350 300400 электрические характеристики tamb250c, если не указано иное, тип макс 0. Npn-транзистор средней мощности имеет сильноточное низкое напряжение насыщения, дополнение к приложениям 2sb772. изготовлены с использованием планарной технологии, в результате чего получаются прочные высокопроизводительные устройства.
Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, три вывода выходят из транзистора. Техническое описание транзистора C9014 epub загрузить 17 dec c техническое описание, 2sc pdf npn 50v транзистор usha, техническое описание c, c pdf, c распиновка, данные, схема, микросхема, руководство, заменитель. Спецификация продукции bl galaxy электрическая кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор s9014 номер документа. Техническое описание транзистора Br 9014, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. Транзистор S9014 npn имеет знак z, дополняющий маркировку s9015.
502950 497 79 1053 3 1466 1484 349 400 335 335 1493 543 300 1344 340 697 78 1499 1003 1093 415 789 1423 702550 1231 1262 1091 288 1281 1039 751 1064 199 1276 1453 46 782 101210 1178 397794
10 Вт стерео аудио Усилитель на транзисторах · Один транзистор
Это Hi-Fi стереоусилитель мощностью 10 Вт, построенный на транзисторах BD237 / BD238 общего назначения и средней мощности. Предоставляется полная схема, дизайн печатной платы и симуляция LTspice.
Большинство звуковых усилителей в настоящее время построено на специальных интегральных схемах.Эти микросхемы становятся меньше, но мощность и эффективность, которые они обеспечивают, возрастают. Следующий усилитель представляет собой классическую конструкцию с общими частями и некоторыми силовыми транзисторами в выходных каскадах. Он может выдавать максимум 10 Вт на динамики с сопротивлением 4 Ом на каждом канале, когда на него подается размах сигнала 0,5 В. Входное сопротивление превышает 100 кОм. Усилитель должен питаться от стабилизированного источника питания 24 В.
Выходные транзисторы должны выдерживать ток коллектора не менее 2 А и рассеивать не менее 20 Вт.Что-то вроде пар BD237 и BD238 или BD 437 и BD 438 подойдет. Остальные – это транзисторы общего назначения, такие как BC547, BC171, 2N2222, S8050, 2N3904 и их дополнительные BC557, BC177, 2N2907, S8550, 2N3906 (обратите внимание на порядок выводов). Драйверы силовых транзисторов, как и они, должны быть комплементарными и иметь одинаковое усиление по току. Итак, если у вас есть измеритель hFE, рекомендуется проверить транзисторы и сопоставить их на основе hFE. Если вы не можете их измерить, следуйте маркировке hFE.Не совмещайте BC547B с BC557C, потому что они имеют разные коэффициенты усиления.
Встроенный канальный усилитель (без радиатора)
Схема канала ниже. Вам нужно построить два таких, если вы хотите стереоусилитель.
Схема усилителя (показан один канал)
А это схема компонентов на печатной плате. Маркировка шелкографии сделана для транзисторов BC547 / 57/48/58, поэтому, если вы используете другие, обязательно проверьте их распиновку и установите их соответствующим образом.Я использовал в своем прототипе транзисторы S9014 / S9015 (поэтому они повернуты на 180 градусов). Размеры платы на один канал – 65 на 70 миллиметров.
Схема компонентов платы усилителя
Обратите внимание на резистор обратной связи R8 (33 кОм). Его следует измерить и сопоставить с одним из другого канала. Вы можете заменить его резистором 24 кОм, 27 кОм или 30 кОм (используйте то же самое для обоих каналов). Он играет важную роль в изменении выходной мощности. Если используется более низкое сопротивление, выходная мощность немного увеличивается.Все резисторы могут быть даже 0,125 Вт, за исключением эмиттерных резисторов 3 Вт и R10 (680), которые могут составлять 0,25 Вт, хотя я бы рекомендовал 0,5 Вт. При сборке печатной платы требуется несколько дорожек. внимание. Это силовые и сигнальные линии, идущие к силовым транзисторам и от них, которые должны должным образом выдерживать высокие токи. Они имеют ширину 1,2 мм, но если вы каким-либо образом сделаете их тоньше, нанесите на них припой. Они будут выдерживать пиковый ток более 2 А! Также перемычки должны быть выполнены из медного провода 0.7 – диаметр 1 мм. Поверните RV2 на максимум в сторону R11 (вправо), чтобы получить минимальный ток коллектора. На всякий случай перед первым включением схемы установите радиатор!
Вам нужно будет произвести некоторые измерения и настройки. Регулировка RV1 является обязательной, а RV2 – необязательной для нормальной работы усилителя. RV2 необходимо повернуть вправо.
Выполните следующие настройки для каждого канала. Есть два предустановленных резистора, которые управляют напряжением коллектора постоянного тока (RV1) и током покоя коллектора (RV2) силовых транзисторов.Установите перемычку на вход, подключите динамик на 4 Ом и подайте питание на схему. Используя вольтметр, подключенный между коллектором транзистора и землей, настраивайте RV1 (200 … 250 кОм), пока вы не увидите половину напряжения питания на вашем измерителе (то есть 12 В для источника питания 24 В). Теперь измерьте полный ток, потребляемый усилителем (включите его последовательно с амперметром). Настраивайте RV2 (2,2 кОм), пока ваш амперметр не покажет около 15-40 мА. Будьте осторожны, потому что ток быстро меняется между микроамперами и усилителями при повороте пресета (вот почему на этом этапе вам нужен радиатор).Усилитель неплохо работает с минимальным током покоя (работа класса B), так что вы также можете оставить RV2 повернутым вправо. Коллекторный ток достигает нескольких десятков мА, когда курсор RV2 находится близко к середине. Перепроверьте напряжение коллектора и при необходимости отрегулируйте его с помощью RV1 (200 … 250 кОм). Если вы не можете достичь половины напряжения питания, замените R2 резистором 100–220 кОм. Повторите для другого канала. Вот и все.
Радиатор должен иметь площадь не менее 80 кв. См.Транзисторов Q3 (BC547) нет только потому, что не было лучшего места (маленькие транзисторы на краю печатной платы между силовыми). Они должны быть термически связаны с радиатором, чтобы обеспечить надлежащую отрицательную обратную связь при повышении температуры. Радиатор каждого канала должен быть общим для всех трех транзисторов (Q3, Q7, Q8), и нет необходимости изолировать их электрически. Только не размещайте оба канала транзистора на одном радиаторе! Радиатор может нести напряжение коллектора силовых транзисторов.
Моделирование
SPICE доказывает среднюю выходную мощность 10 Вт при входном сигнале 500 мВпик-пик.
Моделирование зависимости выходной мощности усилителя (зеленая кривая) от уровня напряжения входного сигнала (синяя кривая)
Если вы внимательно посмотрите фотографии моей собранной печатной платы, то увидите несколько неправильно установленных транзисторов.