Транзистор tip35c характеристики: TIP35C транзистор характеристики, аналог, datasheet, цоколевка

Транзистор TIP35C: характеристики, аналоги и datasheet

Технические характеристики биполярного транзистора TIP35C позволяют использовать его в усилителях и коммутационных устройствах. Данный полупроводник изготавливают по планарной технологии. Структура компонента n-p-n.

Цоколевка

Очень важной, но в то же время простой информацией, которую необходимо знать о транзисторе TIP35C является распиновка. Когда параметры подобраны и очередь дошла до монтажа, то в первую очередь смотрят на расположение ножек. Если посмотреть на приведённое изображение, то  они обозначены цифрами 1, 2 и 3 и одинаковы для транзисторов двух типов корпусов ТО-218 и ТО-3Р, которые кстати имеют между собой мало различий.

Технические характеристики

В конце статьи будут ссылки на скачивание Datasheet tip35c на от разных производителей, а пока рассмотрим некоторые параметры более подробно. Важными характеристиками транзистора являются максимальные значения, именно их производители приводят в своей документации первыми. При их превышении изделие выйдет из строя. Не допускается также длительная эксплуатация устройства, когда значения рабочих характеристик близки к предельно допустимым. Испытания производят при температуре окружающей среды равной +25^ОС.

• Предельно допустимый кратковременный импульсный ток через коллектор (I_CP) I _CP = 50 А;
• Диапазон температур при которых может храниться изделие Т_STG = -65 … +150 ^оC.
• предельно допустимое напряжение К-Б (при I_E= 0) не должно быть больше V_CBO = 100 В;
• наибольшее возможное напряжение Э-Б (при I_В= 0) V_EBO = 5 В;
• максимально допустимый постоянный ток коллектора не более I_C = 25 А;
• Наибольший возможный ток, протекающий через базу I_B = 5 А;
• максимальное напряжение К-Э (при I_В= 0) должно быть менее V_CEO = -100 В;
• Предельно возможная мощность (при температуре корпуса T_C = 25 ^оC) P_tot = 125 Вт;
• Наибольшая возможная температура перехода T_J = 150 ^оC;

При подборе транзистора кроме максимальных, следует также учитывать и электрические характеристики. Их тестирование происходит также при температуре +25^оC. Немаловажные условия для определения параметров значения указываются в столбце «Режимы измерения».

Параметры	Режимы (условия) измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Поддерживающее напряжение, коллектор-эмиттер, база разомкнута	IC = 30мA, IB = 0	VCEO(sus)	100		В
Обратный ток коллектор-эмиттер, база разомкнута	VCE = 60В, IB = 0	ICEO		1	мА
Обратный ток коллектор-эмиттер	VВE = 0В	ICES		0,7	мА
Обратный ток эмиттера	VEB = 5В, IC = 0	IEBO		1	мА
Статический коэффициент передачи постоянного тока	VCE = 4 В, Ico= 1,5 A VCE = 4 В, Ico = 15 A	hFE hFE2	25 10	50
Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=10В,IC= 1 A	fT	3,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC = 15A, IB = 1,5 A IC = 25A, IB = 5 A	V CE(sat)		1,8 4	В
Напряжение насыщения база-эмиттер	VCE = 4 V, IC = 15 A VCE = 4 V, IC = 25 A	V ВE(sat)		2 4	В
Коэфф-нт передачи тока при небольшом сигнале (статический)	IC=1 A, VCE=10 В, f=1кГц	hfe	25
Граничная частота коэффициента передачи тока	IC=1 A, VCE=10 В, f=1кГц	fт	3		МГц

Аналоги

Полными аналогом TIP35C можно назвать такие транзисторы:

• 2SD1049;
• EP2189;
• BD249;
• BD249C;
• 2SD1046;
• ECG392.

Они идентичны по электрическим параметрам и функционалу. А ещё вы не перепутаете контакты при пайке, потому что распиновка у этих приборов аналогичная. Комплиментарная пара для данного триода — это TIP36C.

Производители

Среди производителей транзистора TIP35C  в основном зарубежные фирмы. Например такие как:

• Unisonic Technologies
• STMicroelectronics
• Power Innovations
• KEC
• ON Semiconductor
• Inchange Semiconductor
• Motorola
• Multicomp PRO

В отечественных магазинах можно его встретить следующих компаниями: ST Microelectronics, Inchange, ON Semiconductor, Multicomp PRO, Unisonic Technologies.

NPN

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора Tip35c:

Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Hfe	Caps
BU323AP	Si	NPN	125,00	350,00	250,00	7,00	40,00	200,00	4,00	1000,00	TOP3
BU999	Si	NPN	100,00	160,00	140,00		25,00	150,00		40,00	TOP3
BUD98	Si	NPN	250,00	850,00	400,00		32,00	150,00		100,00	TOP3
BUD98I	Si	NPN	110,00	850,00	400,00		32,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420	Si	NPN	200,00	850,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420A	Si	NPN	200,00	1000,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420AI	Si	NPN	115,00	1000,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420AM	Si	NPN	115,00	1000,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420I	Si	NPN	115,00	850,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUF420M	Si	NPN	115,00	850,00	450,00		30,00	150,00		100,00	TOP3
BUS24B	Si	NPN	250,00	750,00	400,00		30,00	200,00		25,00	TOP3
BUS24C	Si	NPN	250,00	850,00	450,00		30,00	200,00		25,00	TOP3
TIP35C	Si	NPN	90,00	140,00	100,00	5,00	25,00	150,00	3,00	20,00	TOP3

Биполярный транзистор TIP35C — описание производителя.

Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP35C

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
• Корпус транзистора: TOP3

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: BU323AP

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BU999

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
• Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BUD98

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 32 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
• Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BUD98I

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 32 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
• Корпус транзистора: TOP3

Наименование производителя: BUF420

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
• Корпус транзистора: TOP3

Схема контактов транзистора

TIP35C, эквиваленты, применение, технические характеристики, объяснение и другие подробности В этом посте описывается распиновка транзистора TIP35C, эквиваленты, использование, технические характеристики, объяснение и другая полезная информация об этом устройстве.

Рекламные объявления

Рекламные объявления

 

Характеристики/технические характеристики:

• Тип упаковки: ТО-218 и ТО-247
• Тип транзистора: NPN
• Максимальный ток коллектора (IC): 25A
• Максимальный пиковый ток коллектора (ICM): 40A
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCE): 100 В
• Макс. напряжение коллектор-база (VCB): 100 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VBE): 5 В
• Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 125 Вт
• Максимальная частота перехода (fT): 3 МГц
• Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (hFE): от 25 до 50
• Максимальный диапазон температур хранения, эксплуатации и перехода: от -65 до +150 градусов по Цельсию

 

Дополнительный PNP:

PNP Дополнительный TIP35C — TIP36C.

Замена и эквивалент:

TIP35B, 2SD716, 2SD84, BD249, BD249A, BD249B, BD249C, BD545, BD545A, BD545B, BD545C, BD545, BD545A, BD545B, BD545C.

 

Описание транзистора TIP35C:

Если вы ищете мощный транзистор, который может управлять нагрузкой до 25 А при напряжении 100 В, то TIP35C может быть хорошим выбором. Это NPN-транзистор, доступный в корпусе или корпусе TO-218 и TO-247 и предназначенный для широкого спектра применений общего назначения для коммутации и усиления.

Как упоминалось выше, транзистор способен управлять нагрузкой до 25 А, поэтому при использовании в качестве переключателя он может управлять широким спектром нагрузок, таких как двигатели постоянного тока, реле, лампы и т. д., а напряжение нагрузки может достигать 100 В. Транзистор также можно использовать отдельно или с дополнительным PNP-транзистором TIP36C для создания мощных аудиоусилителей.

При дальнейшем рассмотрении спецификаций максимальный пиковый ток коллектора транзистора составляет 40 А, максимальное напряжение между коллектором и базой также составляет 100 В, максимальная частота перехода составляет 3 МГц, минимальное и максимальное усиление постоянного тока составляет от 25 до 50, а максимальное рассеивание коллектора составляет 125 Вт.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Транзистор фактически предназначен для использования в устройствах переключения и усиления общего назначения, благодаря чему его можно использовать в самых разных приложениях, таких как источники питания, зарядка оборудования, солнечной энергии, автомобилей и т. д. Помимо этого, его также можно использовать для создания мощных аудиоусилителей. Узкий список приложений можно найти ниже.

Применение:

Высокие усилители аудиоэнергии

DC Power Supplies

ДИРЕЙТЕ ДИТА

 

Руководство по безопасной эксплуатации / Абсолютные максимальные номинальные значения:

Прочтите и следуйте этим инструкциям по безопасной эксплуатации для повышения производительности в долгосрочной перспективе.

• Не используйте транзистор с его абсолютными максимальными характеристиками, использование компонента с его абсолютными максимальными характеристиками может создать нагрузку на компонент, что приведет к повреждению компонента, ослаблению его прочности или сокращению срока его службы. Для лучшей и долгосрочной работы компонента используйте его как минимум на 20% ниже его максимальных значений.
• Максимальный ток коллектора составляет 25 А, поэтому не подключайте нагрузку более 20 А.
• Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 100 В, поэтому нагрузка привода ниже 80 В.
• Используйте подходящий радиатор с транзистором.
• И всегда храните и используйте его при температуре выше -65°C и ниже +150°C.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в браузере.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/T/I/P/TIP35C_ONSemiconductor.pdf

STMicroelectronics TIP35C Транзистор NPN, 25 А, 100 В, 3-контактный TO-247

Посмотреть все Биполярные транзисторы

---

396 На складе – БЕСПЛАТНАЯ доставка на следующий рабочий день

37 доступна из Европы для доставки в течение 1 рабочего дня.

Add to Basket

tickAdded

View Basket

Price Each

£2.19

(exc. ​​VAT)

£2.63

(inc. VAT)

Units	Per unit
1–9	2,19 фунта стерлингов
10–99	1,86 фунта стерлингов
100 – 249	£1.45
250 – 499	£1. 41
500 +	£1.23

RS Stock No.:

251-3564

производитель Part No.:

TIP35C

Brand:

STMicroelectronics

Technical Reference

• docPdfDatasheet
• docPdfESD Control Selection Guide V1

• Doczipschematic Symbol & PCB Soolprint

Законодательство и соответствие

---

Подробности продукта

TIP35C/ TIP36C POLEMANTARY Power Transistors
6 960. SELEMERTERMEMEMERTERMIMS SELECTERTERMISTERMISTERTARING SELEMERTERTARY SELEMERTERMIMS SELPERTARY SELEMERTERMISTERTARING SELPERTARY. Этот тип транзистора предназначен для усиления мощности и переключения общего назначения, например, в выходных или драйверных каскадах. Серии TIP35C/TIP36C специально изготовлены по планарной технологии с компоновкой базового острова, в результате чего транзисторы демонстрируют исключительно высокий коэффициент усиления при очень низком напряжении насыщения.

Features and Benefits

• Low collector-emitter saturation voltage


• Complementary NPN – PNP transistors

Applications

• General purpose


• Audio amplifier


• Switching regulators, преобразователи и усилители мощности

Биполярные транзисторы, STMicroelectronics

Широкий ассортимент биполярных транзисторов NPN и PNP от STMicroelectronics, включая транзисторы общего назначения, транзисторы Дарлингтона, силовые и высоковольтные транзисторы в корпусах для поверхностного монтажа и сквозных отверстий.