Транзистор выводы: Определение цоколевки и типа транзистора

Содержание

Определение цоколевки и типа транзистора

Иногда возникает необходимость определить тип транзистора (p-n-p или n-p-n), выводы эмиттера, коллектора и базы (при стертой маркировке, для импортных транзисторов и т.д). Это можно сделать с помощью омметра.

В качестве испытуемого возмем транзистор КТ 3107 рис. 1.

Рис.1

Сначала определяем вывод базы по прямым и обратным сопротивлениям переходов эмиттера и коллектора. Поскольку вывод базы как правило расположен либо посередине, либо справа, то начнем с этих выводов. Подсоеденим красный и черный щуп таким образом рис. 2.

Рис. 2

Индикатор показывает бесконечно большое сопротивление т.е “1” рис. 3.

Рис. 3

Перепробовав всевозможные комбинации получили что база у нас посередине т.к на индикаторе 725 Ом рис. 4-5.

Рис.

Рис. 5

Поскольку к выводу базы подсоеденен черный щуп, то тип транзистора p-n-p. Теперь подсоеденим щупы вот так: рис. 6.

Рис. 6

Индикатор показывает сопротивление 728 Ом рис. 7.

Рис. 7

Так как у перехода эмиттера прямое сопротивление больше чем у перехода коллектора (728 > 725 в нашем случае) то вывод коллектора слева, а эммитера справа. Для достоверности проверим его на спец. разъеме для определения коэффициента передачи. Индикатор показавает 94 рис. 8 значит выводы мы определили правильно рис. 9.

Рис. 8

Рис. 9

Схематически это можно изобразить вот так: рис. 10 .

Рис. 10

Данная статья является собственностью сайта “Схематехник”. Перепечатка запрещена!

©Савицкий А. 2007 г.

Маркировка (обозначение) выводов для SMD транзисторов

SMD компоненты стали обыденными, привычными и все в таком роде… В общем они уже везде и всюду. При этом даже радиолюбители перешли на подобный формат радиодеталей, которые применяются для реализации электрических схем. А это значит, что неплохо было бы знать, какие у SMD функциональные выводы и за что они отвечают. Речь в этой небольшой статье пойдет о SMD транзисторах биполярных, то есть нас будут интересовать какие ножки у транзисторов являются базой, эмиттером и коллектором.
Информация справочная, для тех, кто забыли или не знал какие же ножки за что отвечают.

Смотрим на рисунок. Из него все понятно.

Маркировка (обозначение) выводов для SMD транзисторов

Заметьте, что в зависимости от структуры, транзисторы имеют разные функциональные выводы. Картинку можно сохранить себе на компьютер и при необходимости распечатать.

Далее картинка не о smd элементах, но мне кажется это весьма полезная информация для сравнения с другими типами корпусов.

Как определить базу коллектор и эммитер у транзистора без схемы подключения.

Не всегда подобные материалы оказываются под рукой. В этом случае приходится вычислять какой вывод есть какой с помощью мультиметра. Ставим прибор на измерение сопротивления и ищем ножку, от которой будет на две другие сопротивление порядка 600-800 Ом. Если плюс стоит на этой ножке и сопротивление появляется на двух других, то это NPN транзистор. Если на ножке стоит минус, то это PNP. Такая ножка будет базой транзистора, а остальные эмиттером и коллектором. Какой из них какой, этого уже не сказать…
Кстати, в некоторых случая если даже перепутать коллектор с эмиттером, то все работает замечательно! Ведь по сути эти две ножки отличаются только технологическим исполнением и возможностью пропускать разные токи. Если токи не большие для транзистора, то все будет работать! Вот такая информация для справки и размышления.

Биполярные транзисторы

3.9. Биполярные транзисторы

1. Общие сведения. Характеристики

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя р-n переходами и тремя выводами, служащий для усиления мощности. В транзисторе имеется три области – эмиттер (э), база (б) и коллектор (к). В зависимости от типа проводимости этих областей различают транзисторы n-p-n и p-n-p типа. Таким образом, в транзисторе имеется два p-n перехода: эмиттер-база (эмиттерный) и коллектор-база (коллекторный). Стрелка на условных обозначениях транзисторов (см. в начале главы) указывает направление от p области к n области. Принцип работы обоих типов транзисторов одинаков.

Толщина базы делается значительно меньше длины свободного пробега неосновных носителей тока, попадающих в нее из эмиттера, а концентрация основных носителей в базе много меньше концентрации основных носителей в эмиттере. В результате в базе сводится до минимума рекомбинация неосновных носителей с основными, пришедшими из эмиттера.

Площадь коллекторного перехода (перехода база-коллектор) значительно больше площади эмиттерного перехода (перехода база-эмиттер). Это делается для того, чтобы перехватить весь поток носителей, идущих от эмиттера, а также потому, что на коллекторном переходе выделяется большая мощность. Концентрация же основных носителей в коллекторе несколько меньше, чем в эмиттере.

В зависимости от того, какое напряжение (прямое или обратное) подано на переходы транзистора, выделяют четыре режима работы транзистора. В активном режиме (он является основным) напряжение на эмиттерном переходе прямое, на коллекторном – обратное. В режиме отсечки (запирания) на оба перехода подается обратное напряжение. В режиме насыщения напряжение на обоих переходах прямое. В инверсном режиме на коллекторном переходе напряжение прямое, а на эмиттерном – обратное.

Рассмотрим работу транзистора n-p-n типа в активном режиме без нагрузки (рис. 3.30). На рисунке темными кружками изображены электроны, светлыми – дырки. Поскольку на переход база-эмиттер подано прямое напряжение, то сопротивление эмиттерного перехода мало и для получения тока на этом переходе достаточно напряжения Е₁ в десятые доли вольта. Сопротивление коллекторного перехода велико (на него подано обратное напряжение) и напряжение Е

2 обычно составляет единицы и десятки вольт.

При увеличении прямого напряжения на эмиттерном переходе электроны из эмиттера переходят в базу. Благодаря малой толщине базы и малой концентрации в ней дырок лишь незначительная часть электронов рекомбинирует с дырками базы, образуя ток базы (его стараются сделать как можно меньше). Основная часть электронов достигает коллекторного перехода и под действием его обратного напряжения втягивается в коллектор (электроны являются неосновными носителями для базы и поле запирающего слоя на переходе коллектор-база является для них ускоряющим). Поэтому ток коллектора лишь немного меньше тока эмиттера: i_э=i_к+i_б.

Когда на эмиттерный переход не подано прямое напряжение, то через коллектроный переход протекает только небольшой обратный ток, созданный неосновными носителями. Таким образом, прямое напряжение эмиттерного перехода существенно влияет на токи эмиттера и коллектора: чем больше это напряжение, тем больше токи эмиттера и коллектора. Такое свойство транзистора позволяет использовать его в качестве электронного ключа, а также для усиления электрического тока.

Для расчета схем с транзисторами необходимо знать их характеристики (зависимости между токами и напряжениями). Для схемы включения транзистора с общим эмиттером (рис. 3.30) входная характеристика представляет собой зависимость силы тока базы от напряжения база-эмиттер при постоянном напряжении коллектр-эмиттер. Она имеет такой же вид, как прямая ветвь ВАХ полупроводникового диода. Выходные характеристики биполярного транзистора при схеме включения с общим эмиттером представляют собой зависимости силы тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при различных постоянных значениях тока базы (рис.

3.31).

Самая нижняя выходная характеристика построена для i_б=0. Она похожа на обратную ветвь вольт-амперной характеристики полупроводникового диода. Чем больше сила тока базы, тем выше расположена выходная характеристика.

Активная область на семействе выходных характеристик транзистора (рис. 3.32) ограничена максимально допустимым током коллектора, максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер, гиперболой максимально допустимой мощности рассеяния и неуправляемым током коллектора (ток коллектора при i_б=0). Для уменьшения нелинейных искажений рабочую область ограничивают также слева (см. штриховую линию на рис. 3.32).

Характеристики транзисторов, как и всех полупроводниковых элементов, очень сильно зависит от температуры.

При увеличении температуры сопротивление полупроводников уменьшается и токи в них увеличиваются. Поэтому семейство выходных характеристик при увеличении температуры смещается вверх (рис. 3.33).

2. Определение структуры и выводов биполярных транзисторов

В последнее время все чаще используют транзисторы, извлеченные из неработающих электронных приборов. В связи с этим возникает проблема определения структуры и выводов транзисторов.

При экспериментальном определении структуры транзистора (р-n-р или n-р-n) его можно рассматривать состоящим из двух диодов, соединенных в зависимости от структуры анодами или катодами (рис. 3.34 а, б), причем точка соединения диодов соответствует выводу базы транзистора. Для определения структуры и вывода базы транзистора воспользуемся омметром с известной полярностью напряжения, подаваемого на гнезда омметра от внутреннего источника питания. Обычно положительный полюс внутреннего источника питания омметра соединен с гнездом “общий”.

Следует отметить, что существуют омметры и с другой полярностью напряжения на гнездах. Так, например, авометр Ц20-05 выпускается в двух модификациях: в одной из них на общее гнездо омметра выведен плюс внутреннего источника питания, а в другой – минус. Поэтому перед экспериментальным определением структуры и вывода базы транзистора следует с помощью диода с маркированной полярностью проверить, какой полюс внутреннего источника питания омметра соединен с общим гнездом.

При одной полярности щупов омметра, подключаемых к переходу транзистора, сопротивление перехода оказывается малым (прямое подключение), а при другой – большим (обратное подключение). Если при малом сопротивлении переходов транзистора плюсовой щуп омметра касался одного и того же вывода, значит это вывод базы и транзистор имеет структуру n-р-n. Если в этой же ситуации минусовой щуп омметра касался одного и того же вывода (базы), то транзистор р-n-р типа.

После того, как определена структура транзистора и найден вывод базы транзистора, приступают к определению выводов эмиттера и коллектора. На рисунках, поясняющих принцип работы биполярного транзистора, области эмиттера и коллектора выглядят симметрично и, казалось бы, что выводы коллектора и эмиттера можно поменять местами. Однако конструктивно эмиттер и коллектор выполняются по-разному (имеют неодинаковую концентрацию носителей заряда и площадь поверхности). Поэтому менять их местами не следует, так как получится существенно меньший коэффициент усиления по току и меньшая мощность рассеяния транзистора. Для некоторых транзисторов в этом случае может возникнуть лавинный пробой перехода база-эмиттер, что нарушит нормальную работу собранного электронного устройства. На рисунке 3.35 приведены две выходные характеристики транзистора КТ315А в схеме включения с общим эмиттером: 1 – для стандартного включения транзистора, 2 – для случая, когда эмиттер и коллектор транзистора поменяли местами (инверсный режим работы).

Существует несколько вариантов экспериментального определения выводов эмиттера и коллектора. Рассмотрим два из них.

Возьмем резистор сопротивлением 10-100 кОм и включим его между выводом базы и предполагаемым выводом коллектора. К выводам эмиттера и коллектора омметр можно подключить так, как показано на рисунках 3.36а и 3.36б для транзистора n-р-n типа, а на рисунках 3.37а и 3.37б – для транзистора р-n-р типа. На всех рисунках предполагаемый вывод коллектора расположен вверху (по рисунку). Правильному выбору выводов коллектора и эмиттера соответствует меньшее сопротивление, фиксируемое омметром, т.е. подключение по схемам рисунков 3.36а, 3.37а.

Рассмотрим второй вариант определения выводов коллектора и эмиттера. В качестве источника питания используют любой источник постоянного напряжения (3-9 В). Миллиамперметр включают между положительным полюсом источника и предполагаемым выводом коллектора для транзисторов n-р-n типа (рис. 3.38а и 3.38б), между отрицательным полюсом источника и предполагаемым выводом коллектора для транзисторов р-n-р типа (рис. 3.39а и 3.39б). Предполагаемый вывод коллектора, как и в предыдущем случае, расположен на рисунке вверху. Правильно выбранному выводу коллектора соответствует больший ток, фиксируемый миллиамперметром.

В этом варианте можно определить не только выводы транзистора, но и приблизительно определить коэффициент усиления транзистора по току: , где I_к – сила тока коллектора, I_б – сила тока базы.

Ток базы можно рассчитать по формуле , где U_п – напряжение источника питания, U_бэ – напряжение между базой и эмиттером транзистора.

Для кремниевых транзисторов напряжение база-эмиттер составляет примерно 0,6 В. Выберем напряжение питания 4,5 В и сопротивление резистора 390 кОм. Тогда I_б= 10^-2мА, и коэффициент усиления определяется из формулы: , где I_к – сила тока коллектора в мА.

Введение в электронику. Транзисторы

Серия статей известного автора множества радиолюбительских публикаций Дригалкина В. В. для начинающих радиолюбителей

Доброго дня уважаемые радиолюбители!
Приветствую вас на сайте “Радиолюбитель“

Транзисторы

Транзистор входит в целую группу деталей, которую называют полупроводниковые приборы. Кроме транзистора, в нее входят диоды, стабилитроны и другие детали. В каждой из них использован полупроводниковый материал (полупроводник). Что это такое? Все существующие вещества можно условно поделить на три большие группы. Одни из них – медь, железо, алюминий и прочие металлы – хорошо проводят электрический ток. Это проводники. Древесина, фарфор, пластмасса совсем не проводят тока. Они – непроводники, изоляторы (диэлектрики).
Полупроводники же занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Такие материалы проводят ток только при определенных условиях.

Из полупроводниковых приборов транзистор чаще всего применяется в радиоэлектронике, особенно биполярный. Первые такие транзисторы были изготовлены на основе германия. В настоящее время их изготавливают в основном из кремния и арсенида галлия. У биполярного транзистора три вывода: база (б), эмитер (е) и коллектор (к). Назначение выводов называют цоколевкой или в народе – расПИНовкой (от английского PIN – вывод). Цоколевку транзисторов можно найти в специальной справочной литературе.

Транзистор – усилительный прибор. Условно его можно сравнить с таким известным Вам устройством, как рупор. Довольно произнести что-нибудь перед узким отверстием рупора, направив широкое отверстие в сторону приятеля, который стоит за несколько десятков метров, и голос, усиленный рупором, будет ему хорошо слышан. Если воспринять узкое отверстие как вход рупора-усилителя, а широкий – как выход, то можно сказать, что исходный сигнал в несколько раз более сильный от входных. Это и есть показатель усилительной способности рупора, его коэффициент усиления. Некоторые разновидности транзисторов и их обозначение на принципиальной схеме представлены на Рис. 1.

Если пропустить через участок база-эмитер слабый ток, он будет усилен транзистором в десятки и даже в сотни раз. Усиленный ток потечет через участок коллектор-эмитер2. В зависимости от наибольшего тока, что можно пропускать через коллектор, транзисторы разделяют на маломощные, средней и большой мощности. Кроме того, эти полупроводниковые приборы могут быть структуры р-п-р или n-p-n (на английском). Так различаются транзисторы с разным расположением пластов полупроводниковых материалов3 (если в диоде два пласта материалов, то здесь их три) . Тем не менее, не думайте, что транзисторы разной структуры имеют и разное усиление. Это совсем не обязательно. Усилительная способность транзистора определяется его так называемым статическим коэффициентом передачи тока. Для некоторых конструкций этот коэффициент важный, и его указывают в описании.
Статический коэффициент передачи тока транзистора указывает во сколько раз больший ток по участку коллектор-эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база-эмиттер. Для некоторых схем этот параметр очень важен. В отечественной схемотехнике он обозначается как h31э, в зарубежной как hFE.
Приведу пример: допустим, hFE = 500, и через переход база-эмиттер проходит ток 0.1mA, тогда транзистор пропустит максимум через себя 50mA. Если в электрической цепи за транзистором стоит деталь, потребляющая 30mA, то у транзистора будет запас, и он передаст именно 30mA, но если стоит деталь, потребляющая больше 50mA (например, 80mA), то ей будет доступно всего 50mA.
В электронных конструкциях может встретится еще одна разновидность транзистора – полевой. У него чаще всего три вывода, но называют их по-другому: затвор (как база), исток (эмитер), сток (коллектор). Некоторые полевые транзисторы в металлическом корпусе имеют четыре вывода – затвор, исток, сток и корпус. Последний вывод, как Вы уже догадались, соединен с корпусом транзистора. Подбирать эти транзисторы по усилительной способности не нужно, а вот проверять исправность особенно не нового транзистора рекомендуется, т.к. “полевики” выходят из строя при самых непредвиденных обстоятельствах. В частности полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для снятие статики достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов. При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой. Полевые транзисторы, благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, находят широкое применение в блоках питания компьютеров, мониторов, телевизоров и другой радиоэлектронной аппаратуры.

Транзисторы бывают и однопереходные. У этой детали две базы и один эмиттер. В отличии от биполярных и полевых транзисторов однопереходные представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда однопереходном транзистор находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.

По диапазону рабочих частот транзисторы делятся на низкочастотные, среднечастотные и высокочастотные.

По мощности различают транзисторы малой, средней и большой мощности. Чем мощнее транзистор – тем больше его внешний вид. Такие транзисторы имеют отверстия для крепления на радиатор – кусочек алюминия, который рассеивает тепло полупроводника, выделяемое во время его работы.

Среди транзисторов присутствуют фотоэлементы. Фототранзистор отличается от классического варианта тем, что область базы доступна для светового облучения, за счёт чего появляется возможность управлять усилением электрического тока с помощью оптического излучения. Применяют два варианта включения фототранзисторов: диодное — с использованием только двух выводов (эмиттера и коллектора) и транзисторное — с использованием трех выводов, когда на вход подают не только световой, но и электрический сигналы.

Перейти к следующей статье: Тиристоры

Всё о полевых транзисторах

Полевой (униполярный) транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Мы уже рассмотрели устройство биполярных транзисторов и их работу, теперь давайте узнаем о том, какие бывают полевые транзисторы. Полевые транзисторы очень распространены как в старой схемотехнике, так и в современной. Сейчас в большей степени используются приборы с изолированным затвором, о типах полевых транзисторов и их особенностях сегодня мы и поговорим. В статье я буду проводить сравнение с биполярными транзисторами, в отдельных местах.

Определение

Полевой транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый ключ, управляемый электрическим полем. Это главное отличие с точки зрения практики от биполярных транзисторов, которые управляются током. Электрическое поле создается напряжением, приложенным к затвору относительно истока. Полярность управляющего напряжения зависит от типа канала транзистора. Здесь прослеживается хорошая аналогия с электронными вакуумными лампами.

Другое название полевых транзисторов – униполярные. «УНО» – значит один. В полевых транзисторах в зависимости от типа канала ток осуществляется только одним типом носителей дырками или электронами. В биполярных транзисторах ток формировался из двух типов носителей зарядов – электронов и дырок, независимо от типа приборов. Полевые транзисторы в общем случае можно разделить на:

транзисторы с управляющим p-n-переходом;
транзисторы с изолированным затвором.

И те и другие могут быть n-канальными и p-канальными, к затвору первых нужно прикладывать положительное управляющее напряжение для открытия ключа, а для вторых – отрицательное относительно истока.

У всех типов полевых транзисторов есть три вывода (иногда 4, но редко, я встречал только на советских и он был соединен с корпусом).

1. Исток (источник носителей заряда, аналог эмиттера на биполярном).

2. Сток (приемник носителей заряда от истока, аналог коллектора биполярного транзистора).

3. Затвор (управляющий электрод, аналог сетки на лампах и базы на биполярных транзисторах).

Транзистор с управляющим pn-переходом

Транзистор состоит из таких областей:

1. Канал;

2. Сток;

3. Исток;

4. Затвор.

На изображении вы видите схематическую структуру такого транзистора, выводы соединены с металлизированными участками затвора, истока и стока. На конкретной схеме (это p-канальный прибор) затвор – это n-слой, имеет меньше удельное сопротивление, чем область канала (p-слой), а область p-n-перехода в большей степени расположена в p-области по этой причине.

Условное графическое обозначение:

а – полевой транзистор n-типа, б – полевой транзистор p-типа

Чтобы легче было запомнить, вспомните обозначение диода, где стрелка указывает от p-области в n-область. Здесь также.

Первое состояние – приложим внешнее напряжение.

Если к такому транзистору приложить напряжение, к стоку плюс, а к истоку минус, через него потечет ток большой величины, он будет ограничен только сопротивлением канала, внешними сопротивлениями и внутренним сопротивлением источника питания. Можно провести аналогию с нормально-замкнутым ключом. Этот ток называется Iснач или начальный ток стока при Uзи=0.

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, без приложенного управляющего напряжения к затвору является максимально открытым.

Напряжение к стоку и истоку прикладывается таким образом:

Через исток вводятся основные носители зарядов!

Это значит, что если транзистор p-канальный, то к истоку подключают положительный вывод источника питания, т.к. основными носителями являются дырки (положительные носители зарядов) – это так называемая дырочная проводимость. Если транзистор n-канальный к истоку подключают отрицательный вывод источника питания, т. к. в нем основными носителями заряда являются электроны (отрицательные носители зарядов).

Исток – источник основных носителей заряда.

Вот результаты моделирования такой ситуации. Слева расположен p-канальный, а справа n-канальный транзистор.

Второе состояние – подаём напряжение на затвор

При подаче положительного напряжения на затвор относительно истока (Uзи) для p-канального и отрицательное для n-канального, он смещается в обратном направлении, область p-n-перехода расширяется в сторону канала. В резльтате чего ширина канала уменьшается, ток снижается. Напряжение затвора, при котором ток через ключ перестает протекать называется, напряжением отсечки.

Ключ начинает закрываться.

Достигнуто напряжение отсечки, и ключ полностью закрыт. На картинке с результатами моделирования отображено такое состояние для p-канального (слева) и n-канального (справа) ключа. Кстати на английском языке такой транзистор называется JFET.

Режимы работы

Рабочий режим транзистора при напряжение Uзи либо нулевое, либо обратное. За счет обратного напряжения можно «прикрывать транзистор», используется в усилителях класса А и прочих схемах где нужно плавное регулирование.

Режим отсечки наступает, когда Uзи=Uотсечки для каждого транзистора оно своё, но в любом случае прикладывается в обратном направлении.

Характеристики, ВАХ

Выходной характеристикой называют график, на котором изображена зависимость тока стока от Uси (приложенного к выводам стока и истока), при различных напряжениях затвора.

Можно разбить на три области. Вначале (в левой части графика) мы видим омическую область – в этом промежутке транзистор ведет себя как резистор, ток возрастает почти линейно, доходя до определенного уровня, переходит в область насыщения (в центре графика).

В правой части график мы видим, что ток опять начинает расти, это область пробоя, здесь транзистор находиться не должен. Самая верхняя ветвь изображенная на рисунке – это ток при нулевом Uзи, мы видим, что ток здесь самый большой.

Чем больше напряжение Uзи, тем меньше ток стока. Каждая из ветвей отличается на 0.5 вольта на затворе. Что мы подтвердили моделированием.

Здесь изображена стоко-затворная характеристика, т.е. зависимость тока стока от напряжения на затворе при одинаковом напряжении стока-исток (в данном примере 10В), здесь шаг сетки также 0.5В, мы опять видим что чем ближе напряжение Uзи к 0, тем больший ток стока.

В биполярных транзисторах был такой параметр как коэффициент передачи тока или коэффициент усиления, он обозначался как B или h31э или Hfe. В полевых же для отображения способности усиливать напряжение используется крутизна обозначается буквой S

S=dIc/dUзи

То есть крутизна показывает, насколько миллиАмпер (или Ампер) растёт ток стока при увеличении напряжения затвор-исток на количество Вольт при неизменяемом напряжении сток-исток. Её можно вычислить исходя из стоко-затворной характеристики, на приведенном выше примере крутизна равняется порядка 8 мА/В.

Схемы включения

Как и у биполярных транзисторов есть три типовых схемы включения:

1. С общим истоком (а). Используется чаще всех, даёт усиление по току и мощности.

2. С общим затвором (б). Редко используется, низкое входное сопротивления, усиления нет.

3. С общим стоком (в). Усиление по напряжению близко к 1, большое входное сопротивление, а выходное низкое. Другое название – истоковый повторитель.

Особенности, преимущества, недостатки

Главное преимущество полевого транзистора высокое входное сопротивление. Входное сопротивление это отношения тока к напряжению затвор-исток. Принцип действия лежит в управлении с помощью электрического поля, а оно образуется при приложении напряжения. То есть полевые транзисторы управляются напряжением.
Полевой транзистор практически не потребляет тока управления, это снижает потери управления, искажения сигнала, перегрузку по току источника сигнала…
В среднем частотные характеристики полевых транзисторов лучше, чем у биполярных, это связано с тем, что нужно меньше времени на «рассасывание» носителей заряда в областях биполярного транзистора. Некоторые современные биполярные транзисторы могут и превосходить полевые, это связано с использованием более совершенных технологий, уменьшения ширины базы и прочего.
Низкий уровень шумов у полевых транзисторов обусловлен отсутствием процесса инжекции зарядов, как у биполярных.
Стабильность при изменении температуры.
Малое потребление мощности в проводящем состоянии – больший КПД ваших устройств.

Простейший пример использования высокого входного сопротивление – это приборы согласователи для подключения электроакустических гитар с пьезозвукоснимателями и электрогитар с электромагнитными звукоснимателями к линейным входам с низким входным сопротивлением.

Низкое входное сопротивление может вызвать просадки входного сигнала, исказив его форму в разной степени в зависимости от частоты сигнала. Это значит что нужно этого избежать, введя каскад с высоким входным сопротивлением. Вот простейшая схема такого устройства. Подойдет для подключения электрогитар в линейный вход аудио-карты компьютера. С ней звук станет ярче, а тембр богаче.

Главным недостатком является то, что такие транзисторы боятся статики. Вы можете взять наэлектризованными руками элемент, и он тут же выйдет из строя, это и есть следствие управления ключом с помощью поля. С ними рекомендуют работать в диэлектрических перчатках, подключенным через специальный браслет к заземлению, низковольтным паяльником с изолированным жалом, а выводы транзистора можно обвязать проволокой, чтобы закоротить их на время монтажа.

Современные приборы практически не боятся этого, поскольку по входу в них могут быть встроены защитные устройства типа стабилитронов, которые срабатывают при превышении напряжения.

Иногда у начинающих радиолюбителей опасения доходят до абсурда, типа надевания на голову шапочек из фольги. Всё описанное выше хоть и является обязательным к исполнению, но не соблюдение каких либо условий не гарантирует выход из строя прибора.

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Этот вид транзисторов активно используется в качестве полупроводниковых управляемых ключей. Причем работают они чаще всего именно в ключевом режиме (два положения «вкл» и «выкл»). У них есть несколько названий:

1. МДП-транзистор (метал-диэлектрик-полупроводник).

2. МОП-транзистор (метал-окисел-полупроводник).

3. MOSFET-транзистор (metal-oxide-semiconductor).

Запомните – это лишь вариации одного названия. Диэлектрик, или как его еще называют окисел, играет роль изолятора для затвора. На схеме ниже изолятор изображен между n-областью около затвора и затвором в виде белой зоны с точками. Он выполнен из диоксида кремния.

Диэлектрик исключает электрический контакт между электродом затвора и подложкой. В отличие от управляющего p-n-перехода он работает не на принципе расширения перехода и перекрытия канала, а на принципе изменения концентрации носителей заряда в полупроводнике под действием внешнего электрического поля. МОП-транзисторы бывают двух типов:

1. Со встроенным каналом.

2. С индуцированным каналом

Транзисторы со встроенным каналом

На схеме вы видите транзистор с встроенным каналом. Из неё уже можно догадаться, что принцип его работы напоминает полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, т.е. когда напряжение затвора равно нулю – ток протекает через ключ.

Около истока и стока созданы две области с повышенным содержанием примесных носителей заряда (n+) с повышенной проводимостью. Подложкой называется основание P-типа (в данном случае).

Обратите внимание, что кристалл (подложка) соединена с истоком, на многих условных графических обозначениях он так и рисуется. При повышении напряжения на затворе в канале возникает поперечное электрическое поле, оно отталкивает носители зарядов (электроны) и канал закрывается при достижении порогового Uзи.

Режимы работы

При подаче отрицательного напряжения затвор-исток ток стока падает, транзистор начинает закрывать – это называется режим обеднения.

При подаче положительного напряжения на затвор-исток происходит обратный процесс – электроны притягиваются, ток возрастает. Это режим обогащения.

Всё вышесказанное справедливо для МОП-транзисторов со встроенным каналом N-типа. Если канал p-типа все слова «электроны» заменяются на «дырки», полярности напряжения изменяются на противоположные.

Моделирование

Транзистор со встроенным каналом n-типа с нулевым напряжением на затворе:

Подадим на затвор -1В. Ток снизился в 20 раз.

Согласно datasheet на этот транзистор пороговое напряжение затвор-исток у нас в районе одного вольта, а типовое его значение – 1.2 В, проверим это.

Ток стал в микроамперах. Если еще немного повысить напряжение, он исчезнет полностью.

Я выбрал транзистор наугад, и мне попался достаточно чувствительный прибор. Попробую изменить полярность напряжения, чтобы на затворе был положительный потенциал, проверим режим обогащения.

При напряжении на затворе 1В ток увеличился в четыре раза, по сравнению с тем, что был при 0В (первая картинка в этом разделе). Отсюда следует, что в отличие от предыдущего типа транзисторов и биполярных транзисторов он без дополнительной обвязки может работать как на повышение тока, так и на понижение. Это заявление весьма грубо, но в первом приближении имеет право на существование.

Характеристики

Здесь всё практически так же как и в транзисторе с управляющим переходом, за исключением наличия режима обогащения в выходной характеристике.

На стоко-затворной характеристике четко видно, что отрицательное напряжение вызывает режим обеднение и закрытие ключа, а положительное напряжение на затворе – обогащение и большее открытие ключа.

Транзисторы с индуцированным каналом

МОП-транзисторы с индуцированным каналом не проводят ток при отсутствии напряжения на затворе, вернее ток есть, но он крайне мал, т.к. это обратный ток между подложкой и высоколегированными участками стока и истока.

Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом аналог нормально-разомкнутого ключа, ток не протекает.

При наличии напряжения затвор-исток, т.к. мы рассматриваем n-тип индуцируемого канала то напряжение положительное, под действием поля притягиваются отрицательные носители зарядов в область затвора.

Так появляется «коридор» для электронов от истока к стоку, таким образом, появляется канал, транзистор открывается, и ток через него начинает протекать. Подложка у нас p-типа, в ней основными являются положительные носители зарядов (дырки), отрицательных носителей крайне мало, но под действием поля они отрываются от своих атомов, и начинается их движение. Отсюда отсутствие проводимости при отсутствии напряжения.

Характеристики

Выходная характеристика в точности повторяет такую же у предыдущих разница заключается лишь в том, что напряжения Uзи становятся положительными.

Стоко-затворная характеристика показывает то же самое, отличия опять-таки в напряжениях на затворе.

При рассмотрении вольтамперных характеристик крайне важно внимательно смотреть на величины, прописанные по осям.

Моделирование

На ключ подали напряжение 12 В, а на затворе у нас 0. Ток через транзистор не протекает.

Добавим 1 вольт на затвор, но ток и не думал протекать…

Добавляя по одному вольту я обнаружил, что ток начинает расти с 4в.

Добавив еще 1 Вольт, ток резко возрос до 1.129 А.

В Datasheet указано пороговое напряжение открытия этого транзистора на участке от 2-х до 4-х вольт, а максимальное на затвор-истор от -20, до +20 В, дальнейшие приращения напряжения не дали результатов и на 20 вольтах (несколько миллиампер я не считаю, в данном случае).

Это значит, что транзистор полностью открыт, если бы его не было, ток в этой цепи составил бы 12/10=1.2 А. В дальнейшем я изучал как работает этот транзистор, и выяснил, что на 4-х вольтах он начинает открываться.

Добавляя по 0.1В, я заметил, что с каждой десятой вольта ток растёт всё больше и больше, и уже к 4.6 Вольта транзистор практически полностью открыт, разница с напряжением на затворе в 20В в токе стока всего лишь 41 мА, при 1. 1 А – это чепуха.

Этот эксперимент отражает то, что транзистор с индуцированным каналом открывается только при достижении порогового напряжения, что позволяет ему отлично работать в качестве ключа в импульсных схемах. Собственно, IRF740 – один из наиболее распространенных в импульсных блоках питания.

Результаты измерений тока затвора показали, что действительно полевые транзисторы почти не потребляют управляющего тока. При напряжении в 4.6 вольта ток был, всего лишь, 888 нА (нано!!!).

При напряжении в 20В он составлял 3.55 мкА (микро). У биполярного транзистора он был бы порядка 10 мА, в зависимости от коэффициента усиления, что в десятки тысяч раз больше чем у полевого.

Не все ключи открываются такими напряжениями, это связано с конструкцией и особенностями схемотехники устройств где они применяются.

Особенности использования ключей с изолированным затвором

Два проводника, а между ними диэлектрик – что это? Это транзистор, собственно затвор имеет паразитную ёмкость, она замедляет процесс переключения транзистора. Это называется плато Миллера, вообще этот вопрос достоин отдельного серьезного материала с точным моделированием, с применением другого софта (не проверял эту особенность в multisim).

Разряженная ёмкость в первый момент времени требует большого зарядного тока, да и редкие управляющие устройства (шим-контроллеры и микроконтроллеры) имеют сильные выходы, поэтому используют драйверы для полевых затворов, как в полевых транзисторах, так и в IGBT(биполярный с изолированным затвором). Это такой усилитель, который преобразует входной сигнал в выходной такой величины и силы тока, достаточный для включения и выключения транзистора. Ток заряда также ограничивается последовательно соединенным с затвором резистором.

При этом некоторые затворы могут управляться и с порта микроконтроллера через резистор (тот же IRF740).

Условные графические изображения

Они напоминают полевые транзисторы с управляющим затвором, но отличаются тем, что на УГО, как и в самом транзисторе, затвор отделен от подложки, а стрелка в центре указывает на тип канала, но направлена от подложки к каналу, если это n-канальный mosfet – в сторону затвора и наоборот.

Для ключей с индуцированным каналом:

Может выглядеть так:

Обратите внимание на англоязычные названия выводов, в datasheet’ах и на схемах часто указываются они.

Для ключей со встроенным каналом:

Ранее ЭлектроВести писали, что транзисторы приближаются к физическому пределу размера, и чтобы дальше наращивать их производительность, индустрия активно ищет альтернативные технологии. Одну из них предлагают американские ученые.

По материалам: electrik.info.

Транзисторы

Транзистором называется преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не менее трех выводов, пригодный для усиления мощности. Наиболее распространенные транзисторы имеют два p-n перехода. В них используются носители заряда обеих полярностей. Такие транзисторы называются биполярными.

Основным элементом транзистора является кристалл германия или кремния, в котором созданы три области различных проводимостей. Две крайние области всегда обладают проводимостью одинакового типа, противоположного проводимости средней области. Если крайние области обладают электронной проводимостью, а средняя соответственно дырочной, то такой транзистор называется транзистором типа n-p-n. Когда проводимости расположены на оборот – p-n-p типа. Физические процессы, протекающие в транзисторах обоих типов, аналогичны. Средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область называется эмиттером, другая – коллектором. К каждой из областей припаяны выводы, при помощи которых прибор включается в схему. В транзисторе имеются два p-n перехода – эмиттерный (между эмиттером и базой) и коллекторный (между базой и коллектором). Расстояние между ними очень мало – порядка нескольких микрометров.

Полевым транзистором называется трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором ток создают основные носители заряда под действием продольного электрического поля, а управление величиной тока осуществляется поперечным электрическим полем, создаваемым напряжением, приложенным к управляющему электроду.

Все полевые транзисторы по своим конструктивным особенностям можно разделить на две группы: полевые транзисторы с p-n переходами (канальные, или униполярные, транзисторы) и полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП или МОП – транзисторы). Тонкий слой полупроводника типа n (или p), ограниченный с двух сторон электронно – дырочными переходами, называется каналом. Включение канала в электрическую цепь обеспечивается с помощью двух электродов, один из которых называется истоком, а второй – стоком. Вывод, подсоединенный к областям p-типа, является управляющим электродом и называется затвором. Выводы исток, сток, затвор соответствуют эмиттеру, коллектору и базе обычного биполярного транзистора.

Как проверить работоспособность разных видов биполярных транзисторов мультиметром? Как проверить биполярный транзистор

Опытные электрики и электронщики знают, что для полной проверки транзисторов существуют специальные пробники.

С помощью них можно не только проверить исправность последнего, но и его коэффициент усиления — h31э .

Необходимость наличия пробника

Пробник действительно нужный прибор, но, если вам необходимо просто проверить транзистор на исправность вполне подойдет и .

Устройство транзистора

Прежде, чем приступить к проверке, необходимо разобраться что из себя представляет транзистор.

Он имеет три вывода, которые формируют между собой диоды (полупроводники).

Каждый вывод имеет свое название: коллектор, эмиттер и база. Первые два вывода p-n переходами соединяются в базе.

Один p-n переход между базой и коллектором образует один диод, второй p-n переход между базой и эмиттером образует второй диод.

Оба диода подсоединены в схему встречно через базу, и вся эта схема представляет собой транзистор.

Ищем базу, эмиттер и коллектор на транзисторе

Как сразу найти коллектор.

Чтобы сразу найти коллектор нужно выяснить, какой мощности перед вами транзистор, а они бывают средней мощности, маломощные и мощные.

Транзисторы средней мощности и мощные сильно греются, поэтому от них нужно отводить тепло.

Делается это с помощью специального радиатора охлаждения, а отвод тепла происходит через вывод коллектора, который в этих типах транзисторов расположен посередине и подсоединен напрямую к корпусу.

Получается такая схема передачи тепла: вывод коллектора – корпус – радиатор охлаждения.

Если коллектор определен, то определить другие выводы уже будет не сложно.

Бывают случаи, которые значительно упрощают поиск, это когда на устройстве уже есть нужные обозначения, как показано ниже.

Производим нужные замеры прямого и обратного сопротивления.

Однако все равно торчащие три ножки в транзисторе могу многих начинающих электронщиков ввести в ступор.

Как же тут найти базу, эмиттер и коллектор?

Без мультиметра или просто омметра тут не обойтись.

Итак, приступаем к поиску. Сначала нам нужно найти базу.

Берем прибор и производим необходимые замеры сопротивления на ножках транзистора.

Берем плюсовой щуп и подсоединяем его к правому выводу. Поочередно минусовой щуп подводим к среднему, а затем к левому выводам.

Между правым и среднем у нас, к примеру, показало 1 (бесконечность), а между правым и левым 816 Ом.

Эти показания пока ничего нам не дают. Делаем замеры дальше.

Теперь сдвигаемся влево, плюсовой щуп подводим к среднему выводу, а минусовым последовательно касаемся к левому и правому выводам.

Опять средний – правый показывает бесконечность (1), а средний левый 807 Ом.

Это тоже нам ничего не говорить. Замеряем дальше.

Теперь сдвигаемся еще левее, плюсовой щуп подводим к крайнему левому выводу, а минусовой последовательно к правому и среднему.

Если в обоих случаях сопротивление будет показывать бесконечность (1), то это значит, что базой является левый вывод.

А вот где эмиттер и коллектор (средний и правый выводы) нужно будет еще найти.

Теперь нужно сделать замер прямого сопротивления. Для этого теперь делаем все наоборот, минусовой щуп к базе (левый вывод), а плюсовой поочередно подсоединяем к правому и среднему выводам.

Запомните один важный момент, сопротивление p-n перехода база – эмиттер всегда больше, чем p-n перехода база – коллектор.

В результате замеров было выяснено, что сопротивление база (левый вывод) – правый вывод равно 816 Ом, а сопротивление база – средний вывод 807 Ом.

Значит правый вывод – это эмиттер, а средний вывод – это коллектор.

Итак, поиск базы, эмиттера и коллектора завершен.

Как проверить транзистор на исправность

Чтобы проверить транзистор мультиметром на исправность достаточным будет измерить обратное и прямое сопротивление двух полупроводников (диодов), чем мы сейчас и займемся.

В транзисторе обычно существуют две структуру перехода p-n-p и n-p-n .

P-n-p – это эмиттерный переход, определить это можно по стрелке, которая указывает на базу.

Стрелка, которая идет от базы указывает на то, что это n-p-n переход.

P-n-p переход можно открыть с помощью минусовое напряжения, которое подается на базу.

Выставляем переключатель режимов работы мультиметра в положение измерение сопротивления на отметку «200 ».

Черный минусовой провод подсоединяем к выводу базы, а красный плюсовой по очереди подсоединяем к выводам эмиттера и коллектора.

Т.е. мы проверяем на работоспособность эмиттерный и коллекторный переходы.

Показатели мультиметра в пределах от 0,5 до 1,2 кОм скажут вам, что диоды целые.

Теперь меняем местами контакты, плюсовой провод подводим к базе, а минусовой поочередно подключаем к выводам эмиттера и коллектора.

Настройки мультиметра менять не нужно.

Последние показания должны быть на много больше, чем предыдущие. Если все нормально, то вы увидите цифру «1» на дисплее прибора.

Это говорит о том, что сопротивление очень большое, прибор не может отобразить данные выше 2000 Ом, а диодные переходы целые.

Преимущество данного способа в том, что транзистор можно проверить прямо на устройстве, не выпаивая его оттуда.

Хотя еще встречаются транзисторы где в p-n переходы впаяны низкоомные резисторы, наличие которых может не позволить правильно провести измерения сопротивления, оно может быть маленьким, как на эмиттерном, так и на коллекторном переходах.

В данном случае выводы нужно будет выпаять и проводить замеры снова.

Признаки неисправности транзистора

Как уже отмечалось выше если замеры прямого сопротивления (черный минус на базе, а плюс поочередно на коллекторе и эмиттере) и обратного (красный плюс на базе, а черный минус поочередно на коллекторе и эмиттере) не соответствуют указанным выше показателям, то транзистор вышел из строя.

Другой признак неисправности, это когда сопротивление p-n переходов хотя бы в одном замере равно или приближено к нулю.

Это указывает на то, что диод пробит, а сам транзистор вышел из строя. Используя данные выше рекомендации, вы легко сможете проверить транзистор мультиметром на исправность.

Радиолюбители знают, что зачастую много времени приходится тратить на поиск неисправностей, возникающих в электронных схемах по различным причинам. Если схема собирается самостоятельно, то заключительным этапом работы будет проверка её работоспособности. А начинать необходимо с подбора заведомо исправных электронных компонентов. В радиолюбительских конструкциях широкое применение находят полупроводниковые приборы. Проверка транзистора, как прозвонить транзистор мультиметром – это немаловажные вопросы.

Типы транзисторов

Разновидностей этого вида полупроводниковых приборов по мере развития электроники появляется всё больше и больше. Появление каждой новой группы обусловлено повышением требований, предъявляемых к работе электронных устройств и к их техническим характеристикам.

Биполярные приборы

Биполярные полупроводниковые транзисторы являются наиболее часто встречающимися элементами электронных схем. Даже если рассмотреть построение различных больших микросхем, можно увидеть огромное количество представителей полупроводников этого вида.

Определение «биполярные» произошло от видов носителей электрического тока, которые в них присутствуют. Этот ток определяется движением отрицательных и положительных зарядов в теле полупроводника.

Каждая область трёхслойной структуры имеет свой металлический вывод, с помощью которого прибор подключается к другим элементам электронной схемы. Эти выводы имеют свои названия: эмиттер, база, коллектор. Эмиттер и коллектор – это внешние области . Внутренняя область – база.

Биполярные транзисторы образуют две группы в зависимости от типа полупроводника. Они обозначаются «p – n – p» и «n – p – n» Области соприкосновения полупроводников различных типов носят название «p – n» переходов.

Область базы является самой тонкой. Её толщина определяет частотные свойства прибора, то есть максимальную частоту радиосигнала, на которой может работать транзистор в качестве усилительного элемента. Область коллектора имеет максимальную площадь, так как при больших токах необходимо отводить избыточную тепловую энергию с помощью внешнего радиатора для исключения перегрева прибора.

На схемах вывод эмиттера обозначается стрелкой , которая определяет направление основного тока через прибор. Основным является ток на участке коллектор – эмиттер (или эмиттер – коллектор, в зависимости от направления стрелки). Но он возникает только в случае протекания управляющего тока в цепи базы. Соотношение этих токов определяет усилительные свойства транзистора. Таким образом, биполярный транзистор – это токовый прибор.

Полевые транзисторы

Транзисторы этого типа существенно отличаются от биполярных приборов. Если последние являются устройствами, управляемыми слабым током базы определённой полярности, то полевым приборам для протекания тока через полупроводник требуется наличие управляющего напряжения (электрического поля).

Электроды имеют названия: затвор, исток, сток. А напряжение, открывающее канал «n» типа или «p» типа, прикладывается к области затвора и определяет интенсивность тока при правильной его полярности. Эти приборы ещё называют униполярными .

Проверка мультиметром

Транзисторы являются активными элементами электронной схемы. Их исправность определяет её правильную работу. Как проверить тестером транзистор – этот вопрос является важным. При знании принципов его работы эта задача не представляет большого труда.

Приборы биполярного типа

Их схему упрощённо можно представить в виде двух полупроводниковых диодов, включённых навстречу друг другу. Для приборов «p – n – p» проводимости соединены будут катоды, а для «n – p – n» структуры общую точку будут иметь аноды диодов. В любом случае точка соединения будет выводом электрода базы, а два других вывода, соответственно, эмиттером и коллектором.

Для структуры «p – n – p» на схеме стрелка эмиттера направлена к выводу базы. Соответственно, для проводимости «n – p – n» стрелка эмиттера изменит своё направление на противоположное. Для определения состояния полупроводникового транзистора большое значение имеет информация о его типе и, соответственно, о маркировке его электродов. Эту информацию можно узнать из многочисленных справочников или из общения на тематических форумах.

Для биполярных приборов «p – n – p» проводимости открытому состоянию будет соответствовать подключение «минусового» (чёрного) щупа тестера к выводу базы. «Положительный» (красный) наконечник поочерёдно подключается к коллектору и эмиттеру. Это будет прямым включением «p – n» переходов.

При этом сопротивление каждого будет находиться в диапазоне (600−1200) Ом. Конкретное значение зависит от производителя электронных компонентов. Сопротивление коллекторного перехода будет иметь величину немного меньшую, чем эмиттерного.

Так как биполярный транзистор представлен в виде встречного включения двух полупроводниковых диодов с односторонней проводимостью, то при смене полярности щупов тестера сопротивления «p – n» переходов у нормально работающих транзисторов будет в идеале стремиться к бесконечности.

Такая же картина должна наблюдаться при измерении сопротивления между выводами эмиттера и коллектора. Причём это большое значение не зависит от смены полярности измерительных щупов. Всё это относится к исправным транзисторам.

Процесс проверки исправности (или неисправности) биполярного полупроводникового элемента с помощью мультиметра сводится к следующему:

определение типа прибора и схемы его выводов;
проверка сопротивлений его «p – n» переходов в прямом направлении;
смена полярности щупов и определение сопротивлений переходов при таком подключении;
проверка сопротивления «коллектор – эмиттер» в обоих направлениях.

Определение исправности приборов «n – p – n» структуры отличается только тем, что для прямого включения переходов к выводу базы необходимо подключить красный «положительный» провод мультиметра, а к выводам эмиттера и коллектора поочерёдно подсоединять чёрный (отрицательный). Картина с величинами сопротивлений для этой проводимости должна повториться.

К признакам неисправности биполярных транзисторов можно отнести следующие:

«прозвонка» «p – n» переходов показывает слишком малые значения сопротивлений;
«p – n» переход не «прозванивается» в обе стороны.

В первом случае можно говорить об электрическом пробое перехода, а то и вовсе о коротком замыкании.

Второй случай показывает внутренний обрыв в структуре прибора.

В обоих случаях данный экземпляр не может быть использован для работы в схеме.

Полевые транзисторы

Для проверки работоспособности этого элемента используем тот же мультиметр, что и для биполярного прибора. Необходимо помнить, что полевики могут быть n-канальными и p-канальными.

Для проверки элемента первого типа необходимо выполнить следующие действия:

Для определения сопротивления закрытого прибора с n-каналом производят касание красным проводом вывода «исток», а чёрным – «сток».

Открытие полевого прибора производится подачей на его «затвор» положительного потенциала (красный провод).

Для проверки открытого состояния транзистора повторно измеряется сопротивление участка «сток – исток» (чёрный провод – сток, красный – исток). Сопротивление приоткрытого n-канала немного уменьшается по сравнению с первым замером.

Закрытие прибора достигается подачей на его «затвор» отрицательного потенциала (чёрный провод мультиметра). После этого сопротивление участка «сток – исток» вернётся к своему первоначальному значению.

При проверке p-канального прибора повторяют все предыдущие действия, переменив полярность измерительных щупов тестера.

Необходимо перед проверками полевых приборов принять меры, защищающие от воздействия статических зарядов, которые могут внести значительные сложности в процесс проверки, а то и вовсе вывести проверяемое изделие из строя. К таким проверенным мерам можно отнести простое касание рукой батареи центрального отопления. Специалисты применяют браслет, обладающий антистатическими свойствами.

При проверках транзисторов большой мощности этого типа часто при полностью запертом полупроводниковом канале можно определить наличие сопротивления. Это означает, что между «истоком» и «стоком» включён защитный диод, встроенный в корпус прибора. Убедиться в этом помогает смена полярности выводов тестера.

Проверка приборов в схеме

Как мультиметром проверить транзистор, не выпаивая, как проверить полевой транзистор – эти вопросы возникают у радиолюбителей довольно часто. Извлечение полупроводникового прибора из схемы требует большой аккуратности и опыта работы. Необходимо иметь в своём арсенале низковольтный паяльник с тонким жалом, браслет, защищающий от статических разрядов. Проводники печатной платы в процессе работы можно перегреть, а то и случайно замкнуть между собой.

Хотя при наличии опыта в такой работе – задача вполне решаемая. Конечно, необходимо уметь читать электрические схемы и представлять работу каждого из её компонентов.

Оценка работоспособности биполярных транзисторов малой и средней мощности мало отличается от проверки этих элементов «на столе», когда все выводы прибора находятся в доступном для проверки положении.

Сложнее проходит проверка непосредственно в схеме приборов большой мощности, применяемых в схемах выходных каскадов усилителей, импульсных блоках питания. В этих схемах присутствуют элементы, защищающие транзисторы от выхода последних на максимально допустимые режимы. При проверке состояний «p – n» переходов в этих случаях можно получить абсолютно не верные результаты. Как выход – выпаивание вывода базы.

Проверка полевых приборов может дать результат, далёкий от реального положения дел. Причина – наличие в схемах большого количества элементов коррекции работы транзисторов, включая катушки индуктивности низкого сопротивления.

Существует ещё большое количество различных типов транзисторов, для оценки состояния которых приходится применять различные специальные пробники. Но это тема для отдельного материала.

Транзистор является наиболее популярным активным компонентом, входящим в состав электрических схем. У любого, кто интересуется электроникой, время от времени возникает необходимость проверить подобный элемент. Особенно часто проверку приходится делать начинающим радиолюбителям, которые в своих схемах используют транзисторы, бывшие в употреблении, например, выпаянные из старых плат. Для «прозвонки» можно использовать специальные приборы-тестеры, позволяющие измерять параметры транзисторов, чтобы потом их можно было сравнить их с указанными в справочнике. Однако для элементов, входящих в любительскую схему достаточно выполнить проверку по правилу: «исправен, неисправен». Эта статья рассказывает, как проверить транзистор мультиметром именно по такому методу тестирования.

Подготовка инструментов

У каждого современного радиолюбителя есть универсальный инструмент под названием цифровой мультиметр. Он позволяет измерять постоянные и переменные токи и напряжение, сопротивление элементов. Он также позволяет проверить работоспособность элементов схемы. Рядом с переключателем в режим «прозвонки», как правило, нарисован диод и динамик (см. фото на рис. 1).

Рисунок 1 – Лицевая панель мультиметра

Перед проверкой элемента необходимо убедиться в работоспособности самого мультиметра:

Батарея должна быть заряжена.
При переключении в режим проверки полупроводников дисплей должен отображать цифру 1.
Щупы должны быть исправны, т. к. большинство приборов – китайские, и разрыв провода в них является очень частым явлением. Проверить их нужно, прислонив кончики щупов друг к другу: в этом случае на дисплее отобразятся нули и раздастся писк – прибор и щупы исправны.
Щупы подключаются согласно цветовой маркировке: красный щуп — в красный разъем, черный – в черный разъем с надписью COM.

Технологии проверки

Биполярный

Структура биполярного транзистора (БТ) включает в себя 2 p-n или 2 n-p перехода. Выводы этих переходов называются эмиттером и коллектором. Вывод срединного слоя называется базой. Упрощенно БТ можно представить как два включенных встречно диода, как изображено на рисунке 2.

Проверить биполярный транзистор мультиметром не сложно, в чем Вы сейчас и убедитесь. Как известно основным свойством p-n перехода является его односторонняя проводимость. При подключении положительного (красный) щупа к аноду, а черного к катоду на дисплее мультиметра будет отображена величина прямого напряжения на переходе в милливольтах. Величина напряжения зависит от типа полупроводника: для германиевых диодов это напряжение будет порядка 200–300 мВ, а для кремниевых от 600 до 800 мВ. В обратном направлении диод ток не пропускает, поэтому если поменять щупы местами, то на дисплее будет отображена 1, свидетельствующая о бесконечно большом сопротивлении.

Если же диод «пробит», то скорей всего раздастся звуковой сигнал, причем в обоих направлениях. В случае если диод «в обрыве», то на индикаторе, так и будет отображаться единица.

Таким образом, суть проверки исправности транзистора заключается в «прозвонке» p-n переходов база-коллектор, база-эмиттер и эмиттер-коллектор в прямом и обратном включении:

База-коллектор: Красный щуп подключается к базе, черный к коллектору. Соединение должно работать как диод и проводить ток только в одном направлении.
База-эмиттер: Красный щуп остается подключенным к базе, черный подключается к эмиттеру. Аналогично предыдущему пункту соединение должно проводить ток только при прямом включении.
Эмиттер-коллектор: У исправного перехода сопротивление данного участка стремится к бесконечности, о чем будет говорить единица на индикаторе.

При проверке работоспособности pnp типа «диодный» аналог будет выглядеть также, но диоды будут подключены наоборот. В этом случае черный щуп подключается к базе. Переход эмиттер-коллектор проверяется аналогично.

На видео ниже наглядно показывается проверка биполярного транзистора мультиметром:

Полевой

Полевые транзисторы (ПТ) или «полевики» используются в блоках питания, мониторах, аудио и видеотехнике. Поэтому с необходимостью проверки более часто сталкиваются мастера по ремонту аппаратуры. Самостоятельно проверить такой элемент в домашних условиях можно также с помощью обычного мультиметра.

На рисунке 3 представлена структурная схема ПТ. Выводы Gate (затвор), Drain (сток), Source (исток) могут располагаться по-разному. Очень часто производители маркируют их буквами. Если маркировка отсутствует, то необходимо свериться со справочными данными, предварительно узнав наименование модели.

Рисунок 3 – Структурная схема ПТ

Стоит иметь в виду, что при ремонте аппаратуры, в которой стоят ПТ, часто возникает задача проверки работоспособности и целостности без выпаивания элемента из платы. Чаще всего выходят из строя мощные полевые транзисторы, устанавливаемые в импульсные блоки питания. Также следует помнить, что «полевики» крайне чувствительны к статическим разрядам. Поэтому перед тем, как проверить полевой транзистор не выпаивая, необходимо надеть антистатический браслет и соблюдать технику безопасности.

Рисунок 4 – Антистатический браслет

Проверить ПТ мультиметром можно по аналогии с прозвонкой переходов биполярного транзистора. У исправного «полевика» между выводами бесконечно большое сопротивление вне зависимости от приложенного тестового напряжения. Однако, имеются некоторые исключения: если приложить положительный щуп тестера к затвору, а отрицательный – к истоку, то зарядится затворная емкость, и переход откроется. При замере сопротивления между стоком и истоком мультиметр может показать некоторое значение сопротивления. Неопытные мастера часто принимают подобное явление как признак неисправности. Однако, это не всегда соответствует реальности. Необходимо перед проверкой канала сток-исток замкнуть накоротко все выводы ПТ, чтобы разрядились емкости переходов. После этого их сопротивления снова станут большими, и можно повторно проверить работает транзистор или нет. Если подобная процедура не помогает, то элемент считается нерабочим.

«Полевики», стоящие в мощных импульсных блоках питания часто имеют внутренний диод на переходе сток-исток. Поэтому этот канал при проверке ведет себя как обычный полупроводниковый диод. Во избежание ложной ошибки необходимо перед тем, как проверить транзистор мультиметром, удостовериться в наличии внутреннего диода. Следует поменять местами щупы тестера. В этом случае на экране должна отобразиться единица, что свидетельствует о бесконечном сопротивлении. Если этого не происходит, то, скорее всего, ПТ «пробит».

Технология проверки полевого транзистора показана на видео:

Составной

Типовой составной транзистор или схема Дарлингтона изображена на рисунке 5. Эти 2 элемента расположены в одном корпусе. Внутри также находится нагрузочный резистор. У такой модели аналогичные выводы, что и у биполярного. Нетрудно догадаться, что проверить составной транзистор мультиметром можно точно также, как и БТ. Следует отметить, что некоторые типы цифровых мультиметров в режиме тестирования имеют на клеммах напряжение меньшее 1,2 В, что недостаточно для открывания р-n перехода, и в этом случае прибор показывает разрыв в цепи.

Перед тем как собрать какую-то схему или начать ремонт электронного устройства необходимо убедиться в исправности элементов, которые будут установлены в схему. Даже если эти элементы новые, необходимо быть уверенным в их работоспособности. Обязательной проверке подлежат и такие распространенные элементы электронных схем как транзисторы.

Для проверки всех параметров транзисторов существуют сложные приборы. Но в некоторых случаях достаточно провести простую проверку и определить годность транзистора. Для такой проверки достаточно иметь мультиметр.

В технике используются различные виды транзисторов – биполярные, полевые, составные, многоэмиттерные, фототранзисторы и тому подобные. В данном случае будут рассматриваться наиболее распространенные и простые — биполярные транзисторы.

Такой транзистор имеет 2 р-n перехода. Его можно представить как пластину с чередующимися слоями с разными типами проводимости. Если в крайних областях полупроводникового прибора преобладает дырочная проводимость (p), а в средней – электронная проводимость (n), то прибор называется транзистор р-n-p. Если наоборот, то прибор называется транзистором типа n-p-n. Для разных видов биполярных транзисторов меняется полярность источников питания, которые подключаются к нему в схемах.

Наличие в транзисторе двух переходов позволяет представить в упрощенном виде его эквивалентную схему как последовательное соединение двух диодов.

При этом для p-n-p прибора в эквивалентной схеме между собой соединены катоды диодов, а для n-p-n прибора – аноды диодов.

В соответствии с этими эквивалентными схемами и производится проверка биполярного транзистора мультиметром на исправность.

Порядок проверки устройства — следуем по инструкции

Процесс измерений состоит из следующих этапов:

проверка работы измерительного прибора;
определение типа транзистора;
измерение прямых сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов;
измерение обратных сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов;
оценка исправности транзистора.

Перед тем, как проверить биполярный транзистор мультиметром, необходимо убедиться в исправности измерительного прибора. Для этого вначале надо проверить индикатор заряда батареи мультиметра и, при необходимости, заменить батарею. При проверке транзисторов важна будет полярность подключения. Надо учитывать, что у мультиметра на выводе «COM» имеется отрицательный полюс, а на выводе «VΩmA» – плюсовой. Для определенности к выводу «COM» желательно подключить щуп черного цвета, а к выводу «VΩmA» -красного.

Чтобы к выводам транзистора подключить щупы мультиметра правильной полярности, необходимо определить тип прибора и маркировку его выводов. С этой целью необходимо обратиться к справочнику или найти описание транзистора в Интернете.

На следующем этапе проверки переключатель операций мультиметра устанавливается в положение измерения сопротивлений. Выбирается предел измерения в «2к».

Перед тем, как проверить pnp транзистор мультиметром, надо минусовой щуп подключить к базе устройства. Это позволит измерить прямые сопротивления переходов радиоэлемента типа p-n-p. Плюсовой щуп подключается по очереди к эмиттеру и коллектору. Если сопротивления переходов равны 500-1200 Ом, то эти переходы исправны.

При проверке обратных сопротивлений переходов к базе транзистора подключается плюсовой щуп, а минусовой по очереди подключается к эмиттеру и коллектору.

Если эти переходы исправны, то в обоих случаях фиксируется большое сопротивление.

Проверка npn транзистора мультиметром происходит по такой же методике, но при этом полярность подключаемых щупов меняется на противоположную. По результатам измерений определяется исправность транзистора:

если измеренные прямое и обратное сопротивления перехода большие, то это значит, что в приборе имеется обрыв;
если измеренные прямое и обратное сопротивления перехода малы, то это означает, что в приборе имеется пробой.

В обоих случаях транзистор является неисправным.

Оценка коэффициента усиления

Характеристики транзисторов обычно имеют большой разброс по величине. Иногда при сборке схемы требуется использовать транзисторы, у которых имеется близкий по величине коэффициент усиления по току. Мультиметр позволяет подобрать такие транзисторы. Для этого в нем имеется режим переключения «hFE» и специальный разъем для подключения выводов транзисторов 2 типов.

Подключив в разъем выводы транзистора соответствующего типа можно увидеть на экране величину параметра h31.

Выводы :

С помощью мультиметра можно определить исправность биполярных транзисторов.
Для проведения правильных измерений прямого и обратного сопротивлений переходов транзистора необходимо знать тип транзистора и маркировку его выводов.
С помощью мультиметра можно подобрать транзисторы с желаемым коэффициентом усиления.

Видео о том, как проверить транзистор мультиметром

Как проверить биполярный транзистор мультиметром?

Биполярный транзистор состоит из двух . Существуют два вида биполярных транзисторов: PNP-транзистор и NPN-транзистор.

На рисунке ниже структурная схема PNP-транзистора:

Схематическое обозначение PNP-транзистора в схеме выглядит так:

где Э — это эмиттер, Б — база, К — коллектор.

Существует также другая разновидность биполярного транзистора: NPN-транзистор. Здесь уже материал P заключен между двумя материалами N.

Вот его схематическое изображение на схемах

Так как диод состоит из одного PN-перехода, а транзистор из двух, то значит можно представить транзистор, как два диода! Эврика!

Теперь же мы с вами можем проверить транзистор, проверяя эти два диода, из которых, грубо говоря, состоит транзистор. Как проверить диод мультиметром, можно прочитать .

Проверяем транзистор с помощью мультиметра

Ну что же, давайте на практике определим работоспособность нашего транзистора. А вот и наш пациент:

Внимательно читаем, что написано на транзисторе: С4106. Теперь открываем поисковик и ищем документ-описание на этот транзистор. По-английски он называется datasheet. Прямо так и вбиваем в поисковике «C4106 datasheet». Имейте ввиду, что импортные транзисторы пишутся английскими буквами.

Нас больше всего интересует распиновка контактов и какого он типа: NPN или PNP. То есть нам нужно узнать, какой вывод что из себя представляет. Для этого транзистора нам нужно узнать, где у него база, где эмиттер, а где коллектор.

А вот и схемка распиновки:

Теперь нам понятно, что первый вывод — это база, второй вывод — это коллектор, ну а третий — эмиттер.

Возвращаемся к нашему рисунку

Наш подопечный — это NPN-транзистор.

Ставим на прозвонку и начинаем проверять «диоды» транзистора. Для начала ставим «плюс» к базе, а «минус» к коллектору

Все ОК, прямой PN-переход должен обладать небольшим падением напряжения для кремниевых транзисторов 0,5-0,7 Вольт, а для германиевых 0,3-0,4 Вольта. На фото 543 милливольта или 0,54 Вольта.

Проверяем переход база-эмиттер, поставив на базу «плюс» , а на эмиттер «минус».

Видим снова падение напряжения прямого PN перехода. Все ОК.

Меняем щупы местами. Ставим «минус» на базу, а «плюс» на коллектор. Сейчас мы замеряем обратное падение напряжения на PN переходе.

Все ОК, так как видим единичку.

Проверяем теперь обратное падение напряжения перехода база-эмиттер.

Здесь у нас мультиметр также показывает единичку. Значит можно дать диагноз транзистору — здоров.

Давайте проверим еще один транзистор. Он подобен транзистору, который мы вами рассмотрели. Его распиновка (то есть положение и значение выводов) такая же, как у нашего первого героя. Также ставим мультиметр на прозвонку и цепляемся к нашему подопечному.

Нолики… Это не есть хорошо. Это говорит о том, что PN-переход пробит. Можно смело выкидывать такой транзистор в мусор.

Очень удобно проверять транзисторы, имея

Заключение

В заключении статьи, хотелось бы добавить, что лучше всегда находить даташит на проверяемый транзистор. Бывают так называемые составные транзисторы. Что это значит? Это значит, что в одном конструктивном корпусе транзистора могут быть вмонтированы два или даже больше транзисторов. Имейте также ввиду, что некоторые радиоэлементы имеют такой же корпус, как и транзисторы. Это могут быть тиристоры, стабилизаторы, преобразователи напряжения или даже какая-нибудь заморская микросхема. Поэтому, не ленитесь пользоваться интернетом.

Основы работы с транзисторами

НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ ДЛЯ УКАЗАТЕЛЬНОЙ СТРАНИЦЫ

ТРАНЗИСТОРЫ

Райан В. 2002 – 09

ФАЙЛ PDF – НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ ДЛЯ ПЕЧАТНОЙ ВЕРСИИ РАБОЧАЯ ТАБЛИЦА НА ОСНОВЕ УПРАЖНЕНИЯ НИЖЕ

Транзисторы можно рассматривать как разновидность переключателя, так как может много электронных компонентов.Они используются в различных схемах и вы обнаружите, что схема, построенная в школе, Технологический отдел не содержит хотя бы одного транзистора. Они есть центральный в электронике и бывает двух основных типов; НПН и ПНП. Самый схемы обычно используют NPN. Существуют сотни работающих транзисторов. при разных напряжениях, но все они попадают в эти две категории.

		ДВА ПРИМЕРА РАЗЛИЧНЫЕ ФОРМЫ ТРАНЗИСТОРА
Транзисторы производятся разной формы, но у них есть три отведения (ножки). BASE – вывод, отвечающий за активацию транзистора. КОЛЛЕКТОР – положительный вывод. EMITTER – отрицательный провод. На схеме ниже показан символ транзистора NPN . Они не всегда располагайте так, как показано на схемах слева и справа, хотя вкладка на типе, показанном слева, обычно находится рядом с эмиттер.
Выводы на транзистор не всегда может быть в таком расположении. При покупке транзистор, в направлениях обычно четко указывается, какой вывод является БАЗА, ЭМИТТЕР или КОЛЛЕКТОР.



ПРОСТОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРА


ДИАГРАММА ‘A’	ДИАГРАММА ‘B’

На схеме A показан NPN-транзистор, который часто используется как переключатель. Небольшой ток или напряжение на база позволяет большему напряжению проходить через два других вывода (с коллектора на эмиттер ). Схема, показанная на диаграмме B , основана на транзисторе NPN. При нажатии переключателя ток проходит через резистор в база транзистора. Затем транзистор пропускает ток. течет с +9 вольт на 0вс, и лампа загорается. Транзистор должен получить напряжение на своей базе и до тех пор, пока это случается лампа не горит. Резистор присутствует для защиты транзистора, так как они могут быть повреждены легко из-за слишком высокого напряжения / тока. Транзисторы необходимы компонент во многих схемах и иногда используется для усиления сигнала.



НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ, ЧТОБЫ УЗНАТЬ БОЛЬШЕ ТРАНЗИСТОРЫ (ПАРЫ ДАРЛИНГТОНА)

НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ ДЛЯ ИНДЕКСА ЭЛЕКТРОНИКИ СТРАНИЦА

транзисторов

На этой странице описаны практические вопросы, такие как меры предосторожности при пайке.

и выявление потенциальных клиентов.Эксплуатация и использование транзисторов регулируется Страница “Транзисторные схемы”.

См. Также: Радиаторы | Транзисторные схемы

Функция

Транзисторы усиливают ток , например их можно использовать для усиления небольшого выхода ток от логической микросхемы, чтобы он мог управлять лампой, реле или другим сильноточным устройством.Во многих схемах используется резистор для преобразования изменяющегося тока в изменяющееся напряжение, поэтому транзистор используется для усиления напряжения .

Транзистор может использоваться как переключатель (либо полностью включен с максимальным током, либо полностью выключен с нет тока) и как усилитель (всегда частично включен).

Величина усиления тока называется коэффициентом усиления по току , символ h _FE.
Для получения дополнительной информации см. Страницу «Транзисторные схемы».

Типы транзисторов


Обозначения схемы транзистора

Есть два типа стандартных транзисторов, NPN и PNP , с разными обозначениями схем. Буквы относятся к слоям полупроводникового материала, из которых изготовлен транзистор. Большинство используемых сегодня транзисторов являются NPN-транзисторами, потому что их проще всего сделать из кремния. Если вы новичок в электронике, лучше всего начать с изучения того, как использовать транзисторы NPN.

Выводы имеют маркировку база (B), коллектор (C) и эмиттер (E).
Эти термины относятся к внутренней работе транзистора, но их не так много. Помогите понять, как используется транзистор, так что относитесь к ним как к ярлыкам!

Пара Дарлингтона – это два транзистора, соединенные вместе. чтобы дать очень высокий коэффициент усиления по току.

Помимо стандартных (биполярных) транзисторов, есть полевых транзисторов , которые обычно обозначаются как FET s.У них разные символы схем и свойства, и они (пока) не рассматриваются на этой странице.

Выводы транзистора для некоторых распространенных стилей корпуса.

Подключение

Транзисторы имеют три вывода, которые должны быть подключены правильно. Пожалуйста, будьте осторожны, потому что неправильно подключенный транзистор может повреждается мгновенно при включении.

Если вам повезет, ориентация транзистора будет ясна по печатной плате или схема макета стрипборда, в противном случае вам нужно будет обратиться к каталогу поставщика для определения потенциальных клиентов.

На рисунках справа показаны отведения для некоторых из наиболее распространенных стилей корпусов.

Обратите внимание, что схемы выводов транзисторов показывают вид с ниже с ведет к вам. Это противоположно схемам выводов микросхем (микросхем), которые показывают вид сверху.

См. Ниже таблицу, в которой показаны стили корпуса некоторые общие транзисторы.

Пайка

Транзисторы могут быть повреждены нагревом при пайке, поэтому, если вы не являетесь экспертом, это Целесообразно использовать радиатор, прикрепленный к проводу между соединением и корпусом транзистора.В качестве радиатора можно использовать стандартный зажим типа «крокодил».

Не путайте этот временный радиатор с постоянным радиатором (описанным ниже) что может потребоваться для силового транзистора, чтобы предотвратить его перегрев во время работы.

Радиаторы

Из-за протекающего через них тока в транзисторах выделяется лишнее тепло. Радиаторы необходимы силовым транзисторам, потому что они пропускают большие токи.

Если вы обнаружите, что транзистор становится слишком горячим, чтобы к нему прикасаться, безусловно, необходимо радиатор! Радиатор помогает рассеивать (отводить) тепло, передавая это в окружающий воздух.

Для получения дополнительной информации см. Страницу «Радиаторы».

Проверка транзистора

Транзисторы могут быть повреждены нагреванием при пайке или неправильным использованием в цепи. Если вы подозреваете, что транзистор может быть поврежден, есть два простых способа его проверить:

Тестирование NPN-транзистора

1. Тестирование мультиметром

Используйте мультиметр или простой тестер (аккумулятор, резистор и светодиод) чтобы проверить каждую пару проводов на проводимость.Установите цифровой мультиметр на проверку диодов и аналоговый мультиметр для диапазона низкого сопротивления.

Проверить каждую пару проводов в обе стороны (всего шесть тестов):

Переход база-эмиттер (BE) должен вести себя как диод и вести только в одну сторону.
Переход база-коллектор (BC) должен вести себя как диод и вести только в одну сторону.
Коллектор-эмиттер (CE) не должен проводить ни в коем случае.

На схеме показано, как ведут себя переходы в NPN-транзисторе. В транзисторе PNP диоды перевернуты, но можно использовать ту же процедуру тестирования.

Простая схема переключения
для проверки транзистора NPN

2. Тестирование в простой схеме переключения

Подключите транзистор к схеме, показанной справа, которая использует транзистор в качестве переключателя. Напряжение питания не критично, подходит от 5 до 12 В.Эту схему можно быстро построить, например, на макетной плате. Позаботьтесь о включении 10k резистор в соединении с базой, иначе вы разрушите транзистор, когда будете его проверять!

Если транзистор в порядке, светодиод должен загореться при нажатии переключателя. и не загорается при отпускании переключателя.

Для проверки транзистора PNP используйте ту же схему, но поменяйте местами светодиод и напряжение питания.

Некоторые мультиметры имеют функцию «проверки транзисторов», которая обеспечивает известный базовый ток и измеряет ток коллектора, чтобы отобразить Коэффициент усиления по постоянному току транзистора h _FE.

Коды транзисторов

В Великобритании используются три основных серии кодов транзисторов:

Коды, начинающиеся с B (или A), например BC108, BC478
Первая буква B для кремния, A для германия (сейчас редко используется). Вторая буква указывает на тип; например, C означает звуковую частоту малой мощности; D означает звуковую частоту высокой мощности; F означает низкую мощность и высокую частоту. Остальная часть кода идентифицирует конкретный транзистор.В системе нумерации нет очевидной логики. Иногда в конце добавляется буква (например, BC108C) для обозначения специальной версии. основного типа, например, с более высоким коэффициентом усиления по току или другим типом корпуса. Если в проекте указана версия с более высоким коэффициентом усиления (BC108C), ее необходимо использовать, но если указан общий код (BC108), подходит любой транзистор с этим кодом.
Коды, начинающиеся с TIP, например TIP31A
TIP относится к производителю: силовой транзистор Texas Instruments.Буква в конце обозначает версии с разным номинальным напряжением.
Коды, начинающиеся с 2N, например 2N3053
Начальное “2N” идентифицирует деталь как транзистор, а остальную часть кода обозначает конкретный транзистор. В системе нумерации нет очевидной логики.

Выбор транзистора

В большинстве проектов указывается конкретный транзистор, но при необходимости обычно можно замените эквивалентный транзистор из широкого ассортимента.Самое важное свойства, которые следует искать, – это максимальный ток коллектора I _C и коэффициент усиления по току h _FE.

Чтобы упростить выбор, большинство поставщиков группируют свои транзисторы в категориях, определяемых их типовым использованием или максимальная мощность рейтинг.

Чтобы сделать окончательный выбор, вам необходимо обратиться к таблицам технических данных, которые обычно представлены в каталогах. Они содержат много полезной информации но их может быть трудно понять, если вы не знакомы с сокращениями использовал.В таблице ниже приведены наиболее важные технические данные некоторых популярных транзисторов. таблицы в каталогах и справочниках обычно содержат дополнительную информацию, но это вряд ли будет полезно, если у вас нет опыта. Количества, указанные в таблице, поясняются ниже.

Транзисторы NPN
Код	Структура	Корпус стиль	I _C макс.	В _CE макс.	ч _FE мин.	P _общ макс.	Категория (типичное использование)	Возможные замены
BC107	НПН	ТО18	100 мА	45 В	110	300 мВт	Аудиосистема с низким энергопотреблением	BC182 BC547
BC108	НПН	ТО18	100 мА	20 В	110	300 мВт	Общего назначения, малой мощности	BC108C BC183 BC548
BC108C	НПН	ТО18	100 мА	20 В	420	600 мВт	Общего назначения, малой мощности
BC109	НПН	ТО18	200 мА	20 В	200	300 мВт	Аудио (низкий уровень шума), малое энергопотребление	BC184 BC549
BC182	НПН	TO92C	100 мА	50 В	100	350 мВт	Общего назначения, малой мощности	BC107 BC182L
BC182L	НПН	ТО92А	100 мА	50 В	100	350 мВт	Общего назначения, малой мощности	BC107 BC182
BC547B	НПН	TO92C	100 мА	45 В	200	500 мВт	Аудиосистема с низким энергопотреблением	BC107B
BC548B	НПН	TO92C	100 мА	30 В	220	500 мВт	Общего назначения, малой мощности	BC108B
BC549B	НПН	TO92C	100 мА	30 В	240	625 мВт	Аудио (низкий уровень шума), малое энергопотребление	BC109
2N3053	НПН	TO39	700 мА	40 В	50	500 мВт	Общего назначения, малой мощности	BFY51
BFY51	НПН	TO39	1A	30 В	40	800 мВт	Общего назначения, средней мощности	BC639
BC639	НПН	ТО92А	1A	80 В	40	800 мВт	Общего назначения, средней мощности	BFY51
TIP29A	НПН	TO220	1A	60 В	40	30 Вт	Общего назначения, большой мощности
TIP31A	НПН	TO220	3A	60 В	10	40 Вт	Общего назначения, большой мощности	TIP31C TIP41A
TIP31C	НПН	TO220	3A	100 В	10	40 Вт	Общего назначения, большой мощности	TIP31A TIP41A
TIP41A	НПН	TO220	6A	60 В	15	65 Вт	Общего назначения, большой мощности
2N3055	НПН	ТО3	15A	60 В	20	117 Вт	Общего назначения, большой мощности
Обратите внимание: данные в этой таблице были составлен из нескольких источников, которые не совсем согласованы! Большинство расхождений незначительны, но, пожалуйста, обратитесь к информации у вашего поставщика, если вам требуются точные данные.
Транзисторы PNP
Код	Структура	Корпус стиль	I _C макс.	В _CE макс.	ч _FE мин.	P _общ макс.	Категория (типичное использование)	Возможные замены
BC177	PNP	ТО18	100 мА	45 В	125	300 мВт	Аудиосистема с низким энергопотреблением	BC477
BC178	PNP	ТО18	200 мА	25 В	120	600 мВт	Общего назначения, малой мощности	BC478
BC179	PNP	ТО18	200 мА	20 В	180	600 мВт	Аудио (низкий уровень шума), малое энергопотребление
BC477	PNP	ТО18	150 мА	80 В	125	360 мВт	Аудиосистема с низким энергопотреблением	BC177
BC478	PNP	ТО18	150 мА	40 В	125	360 мВт	Общего назначения, малой мощности	BC178
TIP32A	PNP	TO220	3A	60 В	25	40 Вт	Общего назначения, большой мощности	TIP32C
TIP32C	PNP	TO220	3A	100 В	10	40 Вт	Общего назначения, большой мощности	TIP32A
Обратите внимание: данные в этой таблице были составлен из нескольких источников, которые не совсем согласованы! Большинство расхождений незначительны, но, пожалуйста, обратитесь к информации у вашего поставщика, если вам требуются точные данные.

Структура	Показывает тип транзистора: NPN или PNP. Полярности двух типов разные, поэтому, если вы ищете замену, она должна быть того же типа.
Тип корпуса	На диаграмме показаны отведения для некоторых из наиболее распространенных стилей корпусов. в разделе “Подключение” выше. Эта информация также имеется в каталогах поставщиков.
I _C макс.	Максимальный ток коллектора.
V _CE макс.	Максимальное напряжение на переходе коллектор-эмиттер. Вы можете игнорировать этот рейтинг в цепях низкого напряжения.
ч _FE	Это усиление по току (строго по постоянному току). Гарантированное минимальное значение дано, потому что фактическое значение варьируется от транзистор на транзистор – даже для однотипных! Обратите внимание, что текущий коэффициент усиления – это просто число, поэтому у него нет единиц измерения. Коэффициент усиления часто указывается при определенном токе коллектора I _C который обычно находится в середине диапазона транзистора, например «100 @ 20 мА». означает, что усиление составляет не менее 100 при 20 мА. Иногда указываются минимальные и максимальные значения. Поскольку коэффициент усиления примерно постоянен для разных токов, но он меняется в зависимости от транзистора. к транзистору эта деталь действительно интересует только специалистов. Почему h _FE? Это один из целого ряда параметров транзисторов, каждый со своим собственным символом.Здесь слишком много объяснений.
P _до макс.	Максимальная общая мощность, которую может развивать транзистор, обратите внимание, что радиатор потребуется для достижения максимального рейтинга. Этот рейтинг важен для транзисторов, работающих как усилители, мощность примерно равна I _C × V _CE. Для транзисторов, работающих как переключатели, максимальное ток коллектора (I _C макс.) важнее.
Категория	Это показывает типичное использование транзистора, это хорошая отправная точка при поиске заменитель. В каталогах могут быть отдельные таблицы для разных категорий.
Возможные заменители	Это транзисторы с аналогичными электрическими свойствами, которые подойдут заменители в большинстве схем. Однако у них может быть другой стиль корпуса. поэтому будьте осторожны при размещении их на печатной плате.

Пара Дарлингтон

Это два транзистора, соединенных между собой так, что усиленный ток с первого усиливается вторым транзистором. Это дает паре Дарлингтонов очень высокий коэффициент усиления по току, например 10000. Пары Дарлингтона продаются в виде полных пакетов, содержащих два транзистора. У них есть три вывода ( B , C и E ) которые эквивалентны выводам стандартного отдельного транзистора.

Вы можете составить свою собственную пару Дарлингтона из двух транзисторов.
Например:

Для TR1 используйте BC548B с h _FE1 = 220.
Для TR2 используйте BC639 с h _FE2 = 40.

Общий коэффициент усиления этой пары составляет h _FE1 × h _FE2 = 220 × 40 = 8800.
Максимальный ток коллектора пары I _C (макс.) Такой же, как у TR2.

© Джон Хьюс 2007, Клуб электроники, www.kpsec.freeuk.com
Этот сайт был взломан с использованием ПРОБНОЙ версии WebWhacker. Это сообщение не появляется на лицензированной копии WebWhacker. Промышленное управление двигателем

: транзистор

ЦЕЛИ

Обсудите различия между транзисторами PNP и NPN.
Проверить транзисторы омметром.
Обозначьте выводы стандартных транзисторов в корпусе.
Обсудите работу транзистора.
Подключить транзистор в цепь.

Транзистор

Транзисторы изготавливаются путем соединения трех частей полупроводникового материала. Существует два основных типа транзисторов: NPN и PNP (рис. 1). Схематические обозначения этих транзисторов показаны на фиг. 2. Эти Транзисторы различаются по способу включения в цепь. Транзистор NPN должен иметь положительное напряжение, подключенное к коллектору. и отрицательное напряжение, подключенное к эмиттеру.

PNP должен иметь положительное напряжение, подключенное к эмиттеру, и отрицательное напряжение, подключенное к коллектору. База должна быть подключена к тому же полярность коллектора для прямого смещения транзистора. Обратите внимание, что стрелки на эмиттерах указывают направление обычного тока.

Омметр можно использовать для проверки транзистора, который появится на омметр состоит из двух соединенных диодов (фиг. 3). (Для объяснения как проверить транзистор, см. Процедуру 2 в Приложении.) Если полярность выхода выводов омметра известно, транзистор можно идентифицировать как NPN или PNP. NPN-транзистор покажется омметру двумя диодами. с подключенными анодами. Если положительный вывод омметра подключен к базе транзистора должен быть виден диодный переход между базовый коллектор и база-эмиттер. Если отрицательный вывод омметра подключен к базе NPN-транзистора, непрерывности быть не должно. между базой-коллектором и переходом база-эмиттер.

Транзистор PNP покажется омметру двумя диодами с их катоды подключены. Если отрицательный вывод омметра подключен к база транзистора, между база-коллектор и база-эмиттер. Если подключен положительный провод омметра к базе, не должно быть непрерывности между базой-коллектором или базовый излучатель.

РИС. 1 Два основных типа транзисторов.

РИС. 2 Условные обозначения транзисторов.

РИС. 3 Омметр для проверки транзисторов.

РИС. 4 Малый базовый ток контролирует большой ток коллектора.

Самый простой способ описать работу транзистора – сказать, что он работает как электрический клапан.

Ток не будет течь через коллектор-эмиттер, пока не потечет ток через базу-эмиттер. Однако величина тока база-эмиттер мала по сравнению с током коллектор-эмиттер (фиг.4).

Например, предположим, что когда ток 1 миллиампер проходит через переход база-эмиттер, ток 100 мА протекает через коллектор-эмиттер соединение.

Если этот транзистор является линейным устройством, увеличение или уменьшение базы ток вызовет аналогичное увеличение или уменьшение тока коллектора. Следовательно, если ток базы увеличится до 2 мА, коллектор ток увеличится до 200 миллиампер. Если базовый ток уменьшен до 0.5 миллиампер ток коллектора снизится до 50 миллиампер. Обратите внимание, что небольшое изменение величины базового тока может вызвать большой изменение величины коллекторного тока. Это позволяет небольшое количество тока сигнала для управления большим устройством, таким как катушка управления реле.

Одно из наиболее распространенных применений транзисторов в промышленности – это переключателя. При таком использовании транзистор работает как цифровой устройство вместо аналогового устройства.Термин цифровой означает устройство, которое имеет только два состояния, например, включено и выключено. Аналоговое устройство можно настроить в разные государства. Пример этого элемента управления можно увидеть на простом переключить соединение. Обычный настенный выключатель – это цифровое устройство. Может быть используется для включения или выключения света. Если заменить простой тумблер с регулятором яркости свет можно включать, выключать или регулировать в любое положение между включенным и выключенным. Диммер – пример аналогового контроль.

Если ток не течет через базу транзистора, транзистор действует как разомкнутый переключатель, и ток не может течь через коллектор-эмиттер соединение. Если к транзистору приложен достаточный базовый ток, чтобы повернуть его полностью включен, он действует как замкнутый переключатель и пропускает ток через переход коллектор-эмиттер.

Это то же действие, которое производит замыкающие контакты реле или стартер двигателя, но, в отличие от транзистора, реле или пускатель двигателя не может включается и выключается несколько тысяч раз в секунду.

Некоторые типы корпусов транзисторов позволяют быстро идентифицировать выводы (Рисунки 5, 6 и 7).

К этой категории относятся дела ТО 5 и ТО 18, а также дела ТО 3. В выводы транзисторов корпуса ТО 5 и ТО 18 можно определить, удерживая корпус транзистора с выводами, обращенными к вам, как показано на фиг. 8А. Металлический язычок на корпусе транзистора ближе всего к эмиттеру привести. Выводы базы и коллектора расположены, как показано.

Выводы транзистора корпуса TO 3 можно идентифицировать, как показано на фиг. 8B. Когда транзистор удерживается выводами, обращенными к вам и вниз, эмиттер – левый вывод, а база – правый вывод. Случай транзистор коллекторный.

РИС. 6 ТО 220 корпусных транзисторов.

РИС. 5 К 18 корпусный транзистор.

РИС. 8 Свинцовая идентификация транзисторов.

РИС. 7 ТО 3 корпуса транзистора.

ВИКТОРИНА

1. Каковы два основных типа транзисторов?

2. Объясните, как проверить NPN-транзистор с помощью омметра.

3. Объясните, как проверить транзистор PNP с помощью омметра.

4. Какая полярность должна быть подключена к коллектору, базе и эмиттеру. NPN, чтобы сделать его смещенным вперед?

5. Какая полярность должна быть подключена к коллектору, базе и эмиттеру транзистора PNP, чтобы сделать его смещенным вперед?

6.Объясните разницу между аналоговым устройством и цифровым устройством.

Найдите клеммы транзистора с помощью мультиметра

Этот пост посвящен транзистору и его тестированию мультиметром.

Транзистор

Транзистор представляет собой комбинацию двух PN-диодов, расположенных вплотную друг к другу, в которой полупроводник P-типа или N-типа находится между другим типом полупроводникового материала. В основном есть два типа транзисторов, NPN и PNP, с разными символами схемы. Буквы транзисторов (PNP и NPN) относятся к слоям полупроводникового материала P-типа или N-типа, используемых для формирования транзистора.

В наши дни в основном используются транзисторы

NPN, потому что их проще всего сделать из полупроводникового материала кремниевого типа. Этот пост в основном связан с идентификацией выводов NPN-транзисторов. Если вы не знаете об этом, то лучше всего сначала научиться их определять. Транзистор NPN имеет три ножки, которые обозначены как эмиттер (E), база (B) и коллектор (C). Транзисторы NPN представляют собой транзисторы с биполярным переходом (BJT). В котором присутствуют два слоя полупроводника N-типа, которые разделены тонким слоем полупроводника P-типа.В этом большинстве транзисторов носителями заряда являются электроны, а неосновными носителями заряда – дырки.

Изображение транзистора

Точно так же транзистор PNP также является BJT. В этом транзисторе полупроводниковый сэндвич N-типа между двумя полупроводниками P-типа. В PNP основными носителями заряда являются дырки, а неосновными носителями заряда – электроны.
Существует очень много методов определения выводов транзисторов, но мы обсуждаем только один метод, который выполняется с помощью мультиметра.

В цифровых мультиметрах (DMM) есть контрольная точка диода или точка целостности цепи.Символ этой точки представляет собой что-то вроде диода (изобразите знак «больше» в виде черного треугольника, указывающего на черную линию и касающегося нее). Во-первых, вы должны знать о хорошем транзисторе, чтобы вы могли определить, есть ли у вас плохой транзистор.

Изображение цифрового мультиметра

Этапы проверки транзистора

Прежде всего, убедитесь, что транзистор, который будет проверять, находится вне цепи.
Теперь вставьте вилку красного провода в гнездо «V» миллиметра, а вилку черного провода – в гнездо «COM».
Установите цифровой мультиметр на контрольную точку диода на целостность цепи.
Теперь подключите положительный или красный и отрицательный или черный щупы к любым двум выводам транзистора, пока мы не получим на экране мультиметра показание, отличное от бесконечности.
Когда мы получим показание, отличное от бесконечности, оставьте один из щупов на одной из ножек транзистора (не имеет значения, какой именно).

Тестирование транзистора

Теперь подключите другой щуп к третьей ножке транзистора.Если следующее показание будет отличным от бесконечности, повторите шаг 4.
Теперь оставьте другой датчик на ножке транзистора, который был подключен ранее, когда мы получили показание, отличное от бесконечности.
После этого возьмите другой датчик и подключите его к третьей ноге, тогда на экране будет отображаться отличное от бесконечности показание.
Та же самая бесконечность отображается на экране, затем повторите 3-6, но начните с 2 разных отведений, пока мы не сможем оставить одну ногу на месте и получить показание, отличное от бесконечности на двух других ногах.
Если мы разместим положительный щуп в центральной ножке транзистора, то это будет NPN-транзистор. Если оставить отрицательный пробник на центральной ножке, то получится PNP-транзистор.

Транзистор с мультиметром

Центральная ножка транзистора называется базой.
Когда мы меняем, тестовые щупы-
Коллектор с более низким показанием сопротивления.

Тип простого транзистора и идентификатор вывода

Биполярный переходной транзистор (BJT) имеет три области, эмиттер и коллектор из которых сделаны из полупроводника одного типа («n» для npn и «p» для pnp), но база имеет противоположный тип. Если мы рассмотрим выводы базы и эмиттера (или выводы базы и коллектора), мы получим диод с p-n переходом. Но если мы возьмем клеммы коллектора и эмиттера, мы обнаружим два диода, соединенных спина к спине.

При прямом смещении p-n перехода (с батареей и токоограничивающим резистором) диод начинает проводить, и падение напряжения на нем очень мало (0.7 вольт для Si). При обратном смещении диод перестает проводить, и падение напряжения на нем очень близко к напряжению питания. Но практически никакой ток не будет течь через выводы коллектора и эмиттера, когда мы сделаем коллектор положительным по отношению к эмиттеру или наоборот.

Это основа первой части нашего эксперимента, который помогает определить тип данного транзистора (будь то npn или pnp), а также его базу. Но таким образом мы не можем отличить коллектор от эмиттера.Для этого мы должны понять еще один основной принцип.

BJT обладают внутренним свойством усиления тока. При работе в активной области небольшой ток, вводимый в базу, может вызвать большой ток, протекающий между коллектором и эмиттером. Отношение тока коллектора к току базы известно как коэффициент усиления прямого тока βF.

Хотя коллектор и эмиттер сделаны из полупроводника одного и того же типа, мы не можем ожидать большого усиления по току, если будем рассматривать коллектор как эмиттер, а эмиттер как коллектор.

Если мы смещаем в прямом направлении переход коллектор-база и обратное смещение перехода база-эмиттер, мы называем это обратным режимом работы. Из-за структурных различий и уровней легирования коэффициент обратного тока βI чрезвычайно мал. Таким образом, в то время как βF может быть порядка сотен, βI составляет всего лишь несколько единиц. Этот принцип будет использован во второй части нашего эксперимента, чтобы различать выводы коллектора и эмиттера.

В основе схемы (показанной на рис.1) представляет собой компаратор на базе операционного усилителя IC 741 (IC1). С помощью цепи делителя, состоящей из R3 и R4 между положительным выводом питания и землей, инвертирующий вывод поддерживается при опорном напряжении Vref = VssR4 / (R3 + R4) или –VssR4 / (R3 + R4) в зависимости от выбора контакт + Vss (обозначенный «npn») или –Vss (обозначенный «npn») переключателем SPDT S1. Напряжение на неинвертирующем выводе снимается с нижнего конца резистора R2 (1 кОм), обозначенного V +.

Если V +> Vref, выход компаратора будет высоким (положительное состояние насыщения ≈ + Vss), и будет гореть красный светодиод.С другой стороны, если V +

Первую часть эксперимента по определению типа транзистора можно провести следующим образом:
1. Обозначьте клеммы тестируемого транзистора (TUT) как 1, 2 и 3 произвольно.
2. Оставляя в стороне гнездо C, используйте в этой части эксперимента только гнезда A и B.
3. Выберите контакт, помеченный «n-p-n». Это сделает напряжение на разъеме A положительным по отношению к разъему B (GND).
4. Возьмите любую пару выводов транзистора и вставьте один вывод в гнездо A, а другой в гнездо B. Посмотрите, какой светодиод горит, а какой остается «выключенным», и запишите его.
5. Затем поменяйте местами клеммы в двух розетках и снова проследите за состоянием светодиодов и запишите его.
6. Повторите шаги 4 и 5 для оставшихся двух пар и запишите все шесть наблюдений в виде таблицы.

Из Таблицы I сначала найдите пару клемм, для которых светится только красный светодиод, даже если клеммы поменяны местами. Это клеммы коллектора и эмиттера. Однако вы не можете определить, какой из них будет коллектором или эмиттером в этой части эксперимента.

После того, как вы разделите выводы коллектора и эмиттера, оставшийся вывод, очевидно, будет базой транзистора.

Вплоть до этого момента мы не знаем, является ли транзистор npn- или pnp-типом, потому что утверждение, сделанное выше, останется в силе для коллектора и эмиттера, которые оба относятся к типу «n» или «p».Единственное, что мы знаем, это то, что основание будет из полупроводника противоположного типа.

Поскольку нам известна полярность «A» (положительная относительно «B»), мы ищем в таблице I, какой светодиод светился, когда основание было вставлено в гнездо A, а любой из двух других выводов – в гнездо B.

Если светился зеленый светодиод, то база p-типа, а транзистор npn-типа, но если светился красный светодиод, база n-типа, а транзистор – pnp-типа.

Транзисторы Электрооборудование и материалы MOTOROLA MRF264 RF транзистор БДУ Позолоченные выводы для бизнеса и промышленности

Транзисторы Электрооборудование и расходные материалы MOTOROLA MRF264 RF-транзистор NOS Позолоченные выводы Business & Industrial

MOTOROLA MRF264 RF-транзистор NOS Позолоченные выводы, подлинные NOS позолоченные выводы MRF264 Позолоченные, покупайте их безопасно, ежедневная низкая цена, удобное обслуживание клиентов в родном городе., MRF264 RF транзистор NOS Позолоченные выводы MOTOROLA, MOTOROLA MRF264 RF транзистор NOS Позолоченные выводы.

, например, коробка без надписи или пластиковый пакет. См. Список продавца для получения полной информации. Просмотреть все определения условий ： Страна / регион производства: ： США ， Бренд: ： Motorola ： MPN: ： MRF264 ，. MOTOROLA MRF264 RF транзистор БЕЗ Позолоченные выводы. Подлинные позолоченные провода NOS MRF264 Позолоченные провода .. Состояние: Новое: Совершенно новое. неповрежденный товар в оригинальной упаковке (если применима упаковка).Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, неиспользованной, если только товар не изготовлен вручную или не был упакован производителем в нерызничную упаковку. неоткрытый.

MOTOROLA MRF264 RF транзистор БДУ Позолоченные выводы

Комплект AMP Superseal, 2 контакта, Steckverbinder, Stecker Elektrik wasserdicht, Mitsubishi FR-E720-030SC-NA, инверторный привод переменного тока. Шины 18X6X12-1 / 8 Сплошная нажимная шина для вилочных погрузчиков Advance 18x6x12.125 smooth 18612, Изготовлено в США. Не входите с символом OSHA WARNING. MOTOROLA MRF264 RF транзистор БДУ Позолоченные выводы . 2019 Лазерный измеритель уровня Горизонтальный вертикальный измерительный прибор-детектор. 6V8626 CAT ELBOW-0-RING ЛИЦЕВОЕ УПЛОТНЕНИЕ ДЛЯ CATERPILLAR !!! БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА !, Подробная информация о HRC45 сверлильный патрон с конической оправкой Morse, токарный станок, фрезерный шлифовальный инструмент MT0-B10, NOS Резисторы из углеродного состава 51K 1 / 2W 5% ten 10, MOTOROLA MRF264 RF транзистор БДУ Позолоченные выводы , CCMT3 10шт ZCC.CT CCMT09T304-HM 2.5 1-HM YBC252 Твердосплавные режущие пластины с ЧПУ. 1шт 3/8 “Bspt Male 1/8 Female Npt Adapter Латунный трубный фитинг Редукционная втулка KG. 99-3904 Замена ремня TORO / WHEEL HORSE. NOS Позолоченные провода . Потолочный динамик VoIP Интерком Benbria BlazePoint IP Talk-Back Speaker PoE.

MOTOROLA MRF264 RF транзистор БДУ Позолоченные выводы

транзистор NOS Позолоченные выводы MOTOROLA MRF264 RF, позолоченные выводы MOTOROLA MRF264 RF транзистор NOS, MOTOROLA MRF264 RF транзистор NOS Позолоченные выводы.

Серия тренингов по электричеству и электронике ВМС (NEETS), модуль 7

Модуль 7 – Введение в твердотельные устройства и источники питания

Страницы i, 1−1, 1-11, 1−21, 1−31, 1−41, 2−1, 2-11, 2−21, 2−31, 2−41, 2−51, 3−1, 3-11, 3−21, 3−31, 3−41, 3−51, С 4-1 по 4-10, 4-11, 4−21, 4−31, 4−41, 4−51, Индекс

……………… 2 ……………… Н ……………… 130 ……………… A

……………… НОМЕР ИДЕНТИФИКАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКА Первый
……………… СОЕДИНЕНИЯ …………………………. ………………….. КОЛИЧЕСТВО МОДИФИКАЦИЯ
……………… (Транзистор)

Вы также можете найти другие маркировки на транзисторах, которые не относятся к системе оценок JAN.Эта маркировка является идентификацией производителя и может не соответствовать стандартизированная система. В случае сомнений всегда заменяйте транзистор на транзистор с идентичной маркировкой. Чтобы гарантировать, что используется идентичная замена или правильный заменитель, обратитесь к руководству по оборудованию или транзистору для технические характеристики транзистора.

ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ транзисторов

Транзисторы очень прочные и, как ожидается, будут относительно безотказными.Инкапсуляция и конформная Применяемые в настоящее время методы нанесения покрытий обещают чрезвычайно долгий срок службы. Теоретически транзистор должен прослужить бесконечно. Однако, если транзисторы подвергаются перегрузкам по току, переходы будут повреждены или даже уничтожен. Кроме того, приложение слишком высоких рабочих напряжений может повредить или разрушить соединения. из-за дугового замыкания или чрезмерных обратных токов. Одна из самых больших опасностей для транзистора – это тепло, которое вызвать чрезмерный ток и, в конечном итоге, разрушение транзистора.

Чтобы определить, является ли транзистор хорошо это или плохо, можно проверить омметром или тестером транзисторов. Во многих случаях вы можете заменить транзистор известен как хороший для сомнительного и, таким образом, определяет состояние подозреваемого транзистор. Этот метод тестирования очень точный и иногда самый быстрый, но его следует использовать только после убедитесь, что нет дефектов цепи, которые могут повредить заменяемый транзистор.Если более одного неисправный транзистор присутствует в оборудовании, в котором была локализована неисправность, этот метод тестирования становится громоздкий, так как может потребоваться замена нескольких транзисторов, прежде чем проблема будет устранена. Чтобы определить, какие каскады вышли из строя и какие транзисторы исправны, все снятые транзисторы необходимо проверить. Этот тест может производиться с помощью стандартного военно-морского омметра, тестера транзисторов или путем наблюдения за работой оборудования. правильно, поскольку каждый из удаленных транзисторов снова вставляется в оборудование.слово предостережения-неизбирательное следует избегать замены транзисторов в критических цепях.

Когда транзисторы впаяны в оборудование, замена невозможна; вообще желательно потестить эти транзисторы в своих схемах.

Q34. Перечислите три элемента информации, обычно включаемых в раздел общего описания в спецификации транзистора.

Q35. Что означает цифра “2” (перед буквой “N”) указать в схеме маркировки JAN?

Q36.В чем наибольшая опасность для транзистор?

Q37. Какой метод проверки транзисторов является громоздким, если неисправно более одного транзистора в цепи?

МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ

Транзисторы, хотя, как правило, более прочны с механической точки зрения, чем электронные лампы, они подвержены повреждениям. электрические перегрузки, жара, влажность и радиация. Повреждения такого характера часто возникают при транзисторном обслуживание путем подачи напряжения неправильной полярности на цепь коллектора или чрезмерного напряжения на входе схема.Известно также, что неосторожная пайка, приводящая к перегреву транзистора, вызывает значительные повреждать. Одной из наиболее частых причин поломки транзистора является электростатический

.

2-31

выделения из тела человека при обращении с устройством. Вы можете избежать таких повреждений перед запуском ремонт, сняв статическое электричество с вашего тела на шасси, содержащее транзистор. Ты можешь сделать это можно сделать простым прикосновением к шасси.Таким образом, электричество будет передаваться от вашего тела к шасси. прежде чем обращаться с транзистором.

Чтобы предотвратить повреждение транзистора и избежать поражения электрическим током, вы должны соблюдайте следующие меры предосторожности при работе с транзисторным оборудованием:

1. Испытательное оборудование и паяльники должны быть проверены, чтобы убедиться в отсутствии тока утечки от источника питания. Если ток утечки следует использовать изолирующие трансформаторы.

2. Всегда подключайте заземление между проверьте оборудование и схему перед попыткой ввода или отслеживания сигнала.

3. Убедитесь, что испытательные напряжения соответствуют не превышать максимально допустимое напряжение для компонентов схемы и транзисторов. Кроме того, никогда не подключайте испытательное оборудование. выходы напрямую в транзисторную схему.

4. Диапазоны омметра, для которых требуется ток более одного миллиампер в тестовой цепи не должен использоваться для тестирования транзисторов.

5. Аккумуляторные батареи не должны использоваться для питания транзисторного оборудования, потому что они плохо регулируют напряжение и, возможно, сильные пульсации напряжения.

6. Тепло, приложенное к транзистору, когда паяные соединения необходимо свести к минимуму, используя маломощный паяльник и тепловые шунты, такие как удлиненный носик. плоскогубцы на выводах транзистора.

7. Когда возникает необходимость в замене транзисторов, никогда не поддавайтесь транзисторы, чтобы отсоединить их от печатных плат.

8. Проверить все схемы на наличие дефектов. перед заменой транзистора.

9. Перед заменой устройства необходимо отключить питание от оборудования. транзистор.

10. Использование обычных измерительных щупов на оборудовании с близко расположенными частями часто вызывает случайное замыкание между соседними клеммами. Эти шорты редко вызывают повреждение электронной лампы, но могут испортить ее. транзистор. Чтобы избежать короткого замыкания, зонды можно покрыть изоляцией, за исключением очень короткого отрезка. советы.

ИДЕНТИФИКАЦИЯ ВЫВОДОВ

Идентификация выводов транзистора играет важную роль участие в обслуживании транзисторов; потому что, прежде чем транзистор можно будет проверить или заменить, его выводы или клеммы должны быть идентифицированы. Поскольку стандартного метода идентификации выводов транзисторов не существует, вполне возможно ошибочно принимать одно следствие за другое. Поэтому при замене транзистора следует обратить пристальное внимание на как установлен транзистор, особенно те транзисторы, которые впаяны, так что вы не делаете ошибка при установке нового транзистора.Когда вы проверяете или заменяете транзистор, если у вас любые сомнения относительно того, какой вывод есть, обратитесь к руководству по оборудованию или руководству по транзистору, которое показывает спецификации для используемого транзистора.

Есть, однако, некоторые типичные идентификационные данные схемы, которые будут очень полезны при поиске и устранении неисправностей транзисторов. Эти схемы показаны на рисунке 2-17. в В случае овального транзистора, показанного на виде A, вывод коллектора идентифицируется большим промежутком между ними. и основной свинец.Самый дальний от коллектора вывод на линии – это вывод эмиттера. Когда выводы равномерно с интервалом и в линию, как показано в

2-32

вид B, цветная точка, обычно красная, указывает на коллектора. Если транзистор круглый, как в представлении C, красная линия указывает на коллектор, а вывод эмиттера – самый короткий вывод. С точки зрения D, отведения находятся в треугольное расположение, смещенное от центра транзистора.Отведение напротив пустого квадранта в эта схема является базовым отведением. Если смотреть снизу, коллектор является первым выводом по часовой стрелке от база. Выводы на виде E расположены так же, как и на виде D, за исключением того, что для идентификации ведет. Если смотреть снизу по часовой стрелке, первый вывод, следующий за выступом, является эмиттером, за ним база и коллектор.

Рисунок 2-17.- Идентификация выводов транзистора.

В обычном силовом транзисторе, как показано на видах F и G, вывод коллектора обычно подключается к монтажная база. Для дальнейшей идентификации основной вывод на виде F закрыт зеленой оплеткой. В то время как выводы в виде G идентифицируются, если смотреть на транзистор снизу по часовой стрелке (с установкой отверстия, занимающие позиции 3 часа и 9 часов), вывод эмиттера будет либо на 5 часах, либо на 11 часах. позиция.Другой вывод – это основной вывод.

ТЕСТИРОВАНИЕ транзисторов

Есть несколько разные способы проверки транзисторов. Их можно проверить, находясь в цепи, методом подстановки. упомянутого, либо с помощью тестера транзисторов или омметра.

2-33

Тестеры транзисторов – не что иное, как твердотельный эквивалент тестеров электронных ламп (хотя они и не действуют по тому же принципу).С помощью большинства тестеров транзисторов можно проверить вход или выход транзистора. схемы.

Для практического поиска и устранения неисправностей транзисторам требуются четыре основных теста: усиление, время утечки, пробоя и переключения. Однако для обслуживания и ремонта необходима проверка двух или трех параметров. обычно достаточно для определения необходимости замены транзистора.

Так как нецелесообразно охватывают все типы тестеров транзисторов, и, поскольку каждый тестер поставляется с собственным руководством оператора, мы Перейдем к тому, что вы будете чаще использовать для проверки транзисторов – омметру.

Тестирование транзисторов с помощью омметра

Два теста, которые можно выполнить с помощью омметра: усиление и сопротивление перехода. Проверка сопротивления перехода транзистора выявит утечку, короткое замыкание и обрыв.

ТЕСТ усиления транзистора . – базовый тест усиления транзистора может быть выполнен с помощью омметра и простая тестовая схема. Схема тестирования может быть сделана всего с парой резисторов и переключателем, как показано на рисунке. 2-18.Принцип испытания заключается в том, что в транзисторе между эмиттер и коллектор до тех пор, пока переход эмиттер-база не будет смещен в прямом направлении. Единственная мера предосторожности, которую вы должны соблюдать: с омметром. В счетчике можно использовать любую внутреннюю батарею при условии, что она не превышает максимально допустимую. напряжение пробоя коллектор-эмиттер.

Рисунок 2-18. – Проверка усиления транзистора омметром.

Когда переключатель на рис. 2-18 находится в разомкнутом положении, как показано, на PNP не подается напряжение. база транзистора и переход эмиттер-база не смещены в прямом направлении. Следовательно, омметр должен показывать высокий сопротивление, указанное на измерителе. Когда переключатель замкнут, цепь эмиттер-база смещена в прямом направлении на напряжение на R1 и R2. В цепи эмиттер-коллектор течет ток, что снижает сопротивление чтение на омметре.соотношение сопротивлений 10: 1 в этом тесте между показаниями счетчика указывает на нормальное усиление. для транзистора звуковой частоты.

Чтобы проверить NPN-транзистор с использованием этой схемы, просто поменяйте местами выводы омметра и выполните процедура, описанная ранее.

2-34

ИСПЫТАНИЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОДА транзистора . – Омметр можно использовать для проверки транзистора на утечка (нежелательное протекание тока) при измерении база-эмиттер, база-коллектор и коллектор-эмиттер прямое и обратное сопротивление.

Для простоты рассмотрите тестируемый транзистор в каждом виде Рисунок 2-19 (вид A, вид B и вид C) в виде двух диодов, соединенных спина к спине. Следовательно, каждый диод будет иметь низкое прямое сопротивление и высокое обратное сопротивление. Измеряя эти сопротивления омметром, как показано на По рисунку вы можете определить, пропускает ли транзистор ток через свои переходы. При создании этих измерения, избегайте использования шкалы R1 на измерителе или измерителе с высоким внутренним напряжением батареи.Либо из эти условия могут повредить маломощный транзистор.

Рисунок 2-19A. – Проверка герметичности транзистора омметром. Коллектор-эмиттер ТЕСТ

Рисунок 2-19B. – Проверка герметичности транзистора омметром. ИСПЫТАНИЕ от базы к коллектору

2-35

Рисунок 2-19C.- Проверка герметичности транзистора омметром. ТЕСТ «база-эмиттер»

Теперь рассмотрим возможные проблемы с транзисторами, которые могут существовать, если показания указаны на рисунке 2-19. не получаются. Список этих проблем представлен в таблице 2-2.

Таблица 2-2. – Возможные проблемы с транзисторами по показаниям омметра

К настоящему времени вы должны понимать, что транзистор, используемый на рисунке 2-19 (вид A, вид B и вид C), является PNP-транзистор.Если вы хотите проверить NPN-транзистор на утечку, процедура идентична той, что использовалась для тестирование PNP, за исключением того, что полученные показания меняются местами.

При тестировании транзисторов (PNP или NPN) вы Следует помнить, что фактические значения сопротивления зависят от шкалы омметра и напряжения аккумулятора. Типичный прямое и обратное сопротивления незначительны. Лучший индикатор, показывающий, исправен ли транзистор или Плохо соотношение прямого и обратного сопротивления.Если транзистор, который вы тестируете, показывает соотношение не менее 30 до 1, наверное, хорошо. Многие транзисторы имеют отношение 100 к 1 или больше.

Q38. Какая безопасность меры предосторожности должны быть приняты перед заменой транзистора?

Q39. Как определяется коллектор на транзистор овальной формы?

Q40. Какие два теста транзистора можно провести с помощью омметра?

В41. Когда вы проверяете усиление аудиочастотного транзистора с помощью омметра, на что указывает Соотношение сопротивлений 10: 1?

2-36

Q42.Когда вы используете омметр для проверки транзистора на утечку, на что указывает низкий, но не закорочено, обратное показание сопротивления?

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

До сих пор в наших обсуждениях использовались различные полупроводники, резисторы, конденсаторы и т. Д. рассматриваются как отдельно упакованные компоненты, называемые DIsCRETE COMPONENTS. В этом разделе мы познакомим вас с некоторыми из более сложных устройств, которые содержат полные схемы, упакованные как один компонент.Эти устройства называемые ИНТЕГРИРОВАННЫМИ схемами и широким термином, используемым для описания использования этих устройств для миниатюризации электронное оборудование называется МИКРОЭЛЕКТРОНИКА.

С появлением транзисторов и спросом со стороны Военные для меньшего оборудования, инженеры-конструкторы решили миниатюризировать электронное оборудование. В начале, их усилия не увенчались успехом, потому что большинство других компонентов в цепи, таких как резисторы, конденсаторы и катушки были больше транзистора.Вскоре эти другие компоненты схемы были миниатюризированы, что подтолкнуло впереди разработка электронного оборудования меньшего размера. Наряду с миниатюрными резисторами, конденсаторами и прочим элементы схемы, производство компонентов, которые на самом деле были меньше, чем пространство, необходимое для стала возможной соединительная проводка и кабели. Следующим шагом в процессе исследования было устранение этих громоздкие компоненты проводки. Это было достигнуто с помощью ПЕЧАТНОЙ ПЛАТЫ (PCB).

А печатная плата Плата представляет собой плоскую изолирующую поверхность, на которой печатная проводка и миниатюрные компоненты соединяются в заданный дизайн и прикреплены к общей базе. На Рис. 2-20 (вид A и вид B) показан типичный напечатанный печатная плата. Обратите внимание, что к плате подключены различные компоненты, а печатная проводка находится на обратной стороне. боковая сторона. При использовании этого метода вся соединительная проводка в элементе оборудования, за исключением проводов наивысшего напряжения и кабеля, сводится к линиям проводящего материала (медь, серебро, золото и т. д.) размещены непосредственно на поверхность изоляционной «монтажной платы». Поскольку печатные платы легко адаптируются как съемные блоки, устранение клеммных колодок, арматуры и точек крепления, не говоря уже о проводах, приводит к значительному сокращению в габаритные размеры электронного оборудования.

2-37

Рисунок 2-20A. – типовая печатная плата (PCB).ПЕРЕДНЯЯ СТОРОНА

Рисунок 2-20B. – типовая печатная плата (PCB). ОБРАТНАЯ СТОРОНА

2-38

После того, как печатные платы были усовершенствованы, были предприняты усилия по миниатюризации электронного оборудования. перешел на сборочные технологии, что привело к МОДУЛЬНОЙ СХЕМЕ. В этой технике печатные платы сложены и соединены вместе, чтобы сформировать модуль.Это увеличивает плотность упаковки компонентов схемы и приводит к значительному уменьшению размеров электронного оборудования. Поскольку модуль может быть разработан для выполняет любую электронную функцию, это также очень универсальный блок.

Однако недостаток такого подхода заключалась в том, что модули требовали значительного количества соединений, которые занимали слишком много места и увеличивали расходы. Кроме того, тесты показали, что на надежность отрицательно повлияло увеличение количества соединения.

Требовалась новая технология для повышения надежности и дальнейшего увеличения плотности упаковки. Решением были ИНТЕГРИРОВАННЫЕ ЦЕПИ.

Интегральная схема – это устройство, которое объединяет (объединяет) оба активных компонента (транзисторы, диоды, и т. д.) и пассивные компоненты (резисторы, конденсаторы и т. д.) полной электронной схемы в одной микросхеме ( крошечный кусочек или пластина полупроводникового кристалла или изолятора).

Интегральные схемы (ИС) имеют почти исключено использование отдельных электронных компонентов (резисторов, конденсаторов, транзисторов и др.)) как здание блоки электронных схем. Вместо этого были разработаны крошечные ЧИПС, функции которых не являются функциями отдельных часть, но из десятков транзисторов, резисторов, конденсаторов и других электронных элементов, все соединенных между собой выполнить задание сложной схемы. Часто они состоят из нескольких полных обычных схемных каскадов, таких как как многокаскадный усилитель (в одном очень маленьком компоненте). Эти микросхемы часто устанавливаются на печатных печатная плата, как показано на рисунке 2-21, которая подключается к электронному блоку.

Рисунок 2-21. – ИС на печатной плате.

Интегральные схемы имеют ряд преимуществ перед обычными проводными схемами из дискретных компонентов. Эти преимущества включают (1) резкое уменьшение размера и веса, (2) значительное повышение надежности, (3) более низкая стоимость и (4) возможное улучшение характеристик схемы. Однако интегральные схемы

2-39

состоит из частей, так тесно связанных друг с другом, что ремонт становится практически невозможным.В В случае неисправности вся схема заменяется как единый компонент.

В основном есть два общих классификации интегральных схем: ГИБРИДНАЯ и МОНОЛИТНАЯ. В монолитной интегральной схеме все элементы (резисторы, транзисторы и т. д.), связанные со схемой, изготавливаются неразрывно внутри сплошной части материал (называемый ПОДСТАВКОЙ), обычно кремний. Монолитная интегральная схема очень похожа на одиночный транзистор.Пока одна часть кристалла легируется, образуя транзистор, другие части кристалла на них воздействуют, чтобы сформировать соответствующие резисторы и конденсаторы. Таким образом, все элементы комплектного цепи создаются в кристалле с помощью тех же процессов и за то же время, необходимое для создания одного транзистор. Это дает значительную экономию затрат по сравнению с той же схемой, сделанной из дискретных компонентов. снижение затрат на сборку.

Гибридные интегральные схемы построены несколько иначе, чем монолитные устройства.ПАССИВНЫЕ компоненты (резисторы, конденсаторы) нанесены на подложку (фундамент). из стекла, керамики или другого изоляционного материала. Тогда АКТИВНЫЕ компоненты (диоды, транзисторы) прикреплен к подложке и подключен к пассивным компонентам схемы на подложке с помощью очень тонкой (0,001 дюйм) проволока. Термин гибрид относится к тому факту, что разные процессы используются для формирования пассивного и активного компоненты устройства.

Гибридные схемы бывают двух основных типов: (1) тонкопленочные и (2) толстопленочные.«Тонкая» и «толстая» пленка относятся к относительной толщине нанесенного материала, используемого для формирования резисторов и другие пассивные компоненты. Толстопленочные устройства способны рассеивать больше энергии, но они несколько более громоздки.

Интегральные схемы используются во все более разнообразных приложениях. Небольшие размеры и вес и высокая надежность делает их идеально подходящими для использования в бортовом оборудовании, ракетных системах, компьютерах, космических кораблях, и переносное оборудование.Их часто легко узнать из-за необычных упаковок, содержащих Интегральная схема. Типичная последовательность упаковки показана на рисунке 2-22. Эти крошечные пакеты защищают и помогают рассеивать тепло, выделяемое в устройстве. Один из этих пакетов может содержать один или несколько этапов, часто с несколько сотен компонентов. Некоторые из наиболее распространенных стилей пакетов показаны на рис. 2-23.

2-40

NEETS Содержание

Введение в материю, энергию и прямое Текущий
Введение в переменный ток и трансформаторы
Введение в защиту цепей, управление, и измерение
Введение в электрические проводники, электромонтаж Методики и схематическое чтение
Введение в генераторы и двигатели
Введение в электронную эмиссию, трубки, и блоки питания
Введение в твердотельные устройства и Блоки питания
Введение в усилители
Введение в генерацию волн и формирование волн Схемы
Введение в распространение и передачу волн Линии и антенны
Принципы СВЧ
Принципы модуляции
Введение в системы счисления и логические схемы
Введение в микроэлектронику
Принципы синхронизаторов, сервоприводов и гироскопов
Введение в испытательное оборудование
Принципы радиочастотной связи
Принципы работы радаров
Справочник техника, Главный глоссарий
Методы и практика испытаний
Введение в цифровые компьютеры
Магнитная запись
Введение в волоконную оптику

Транзистор выводы: Определение цоколевки и типа транзистора

Определение цоколевки и типа транзистора

Маркировка (обозначение) выводов для SMD транзисторов

Маркировка (обозначение) выводов для SMD транзисторов

Как определить базу коллектор и эммитер у транзистора без схемы подключения.

Биполярные транзисторы

Введение в электронику. Транзисторы

Всё о полевых транзисторах

Транзисторы

Как проверить работоспособность разных видов биполярных транзисторов мультиметром? Как проверить биполярный транзистор

Необходимость наличия пробника

Устройство транзистора

Ищем базу, эмиттер и коллектор на транзисторе

Как проверить транзистор на исправность

Признаки неисправности транзистора

Типы транзисторов

Биполярные приборы

Полевые транзисторы

Проверка мультиметром

Приборы биполярного типа

Полевые транзисторы

Проверка приборов в схеме

Подготовка инструментов

Технологии проверки

Биполярный

Полевой

Составной

Порядок проверки устройства — следуем по инструкции

Оценка коэффициента усиления

Видео о том, как проверить транзистор мультиметром

Проверяем транзистор с помощью мультиметра

Заключение

транзисторов

Функция

Типы транзисторов

Подключение

Пайка

Радиаторы

Проверка транзистора

1. Тестирование мультиметром

2. Тестирование в простой схеме переключения

Коды транзисторов

Выбор транзистора

Пара Дарлингтон

: транзистор

Найдите клеммы транзистора с помощью мультиметра

Транзистор

Этапы проверки транзистора

Тип простого транзистора и идентификатор вывода

Транзисторы Электрооборудование и материалы MOTOROLA MRF264 RF транзистор БДУ Позолоченные выводы для бизнеса и промышленности

MOTOROLA MRF264 RF транзистор БДУ Позолоченные выводы

MOTOROLA MRF264 RF транзистор БДУ Позолоченные выводы

MOTOROLA MRF264 RF транзистор БДУ Позолоченные выводы

Серия тренингов по электричеству и электронике ВМС (NEETS), модуль 7

Больше новостей

Добавить комментарий Отменить ответ