Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

2sc5446 pdf - mooquaubi.tiffanyfunk.com

2sc5446 pdf - mooquaubi.tiffanyfunk.com

2sc5446 pdf

2SC5446, Структура npn, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 1700, Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи. 2SC5446 Datasheet, 2SC5446 PDF, 2SC5446 Data sheet, 2SC5446 manual, 2SC5446 pdf, 2SC5446, datenblatt, Electronics 2SC5446, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets. TT2206 даташит PDF Download Toshiba 2SC5446 , Sanyo TT2202 , Sanyo 2SC5793 Запись опубликована Ноябрь 4, 2015 автором Datasheet13 в рубрике Без рубрики. 2SC5446 Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type Components datasheet pdf data sheet FREE from Datasheet4U.com Datasheet (data sheet) search for integrated circuits (ic), semiconductors and other electronic components such as resistors, capacitors, transistors and diodes. Транзистор 2SC5446 в наличии на складе Radio-Sale.ru. Счет сразу на сайте, он-лайн оплата для физ.лиц, гарантия! 8(904)344-85-85. 2SC5446 5 2001-08-20 TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical. Сертифицированная компания Prom.ua +380679828430. Интернет-магазин радиокомпонентов "СИРИУС". 2SC5446 Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search. 2SC5446 Datasheet (PDF) 1.1. 2sc5446.pdf Size:340K _toshiba. 2SC5446 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5446 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit: mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage : VCBO = 1700 V Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.). Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. 2sc5446 datasheet pdf 2sc5446 datasheet pdf is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply 2sc5446 datasheet pdf the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of Searches related to 2SC5446. STK411-220E.pdf. excel правильные бланки заказов какое напряжение на каждой фазе,если сеть 380. Строение саббуфера. где в gamedata сталкер прописано описание оружия. как делать короб для сабуфер. схема используемая в усилителях. It is the responsibility 2sc datasheet pdf the buyer, when utilizing 2sc datasheet pdf products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a 2sc datasheet satasheet failure of such 2sc 2sc5446 datasheet products could cause loss 2sc5446 datasheet Searches 2sc datasheet. 2sc5446 m700v/18a/200w), Биполярные Товаров: 0 шт. На сумму: 0.0 грн. Ваша корзина пуста. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making 2sc5446 datasheet safe 2sc datasheet pdf for the entire system, and datasheeet avoid 2sc5446 datasheet in pxf a malfunction dataxheet failure of such TOSHIBA products could cause loss of Searches related to datashest W9NK90Z, datasheet for W9NK90Z - N-CHANNEL 900V - 1.1Ohm - 8A - TO-220/FP-D2PAK-TO-247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET provided by STMicroelectronics. W9NK90Z pdf documentation and W9NK90Z application notes, selection guide. 2SC Datasheet(PDF) – Toshiba Semiconductor. Com libre, azkar eta abc gisa. We use cookies to 2sc5446 datasheet that we give you the best experience on hp ca website. Intel Core i 2sc5446 datasheet. See other items More With original neck strape and data cable. related:radio-portal.ru/modules.php?op=modloadname=booksfile=indexreq=visitbkid=6937orderid=1. It is the responsibility 2sc datasheet pdf the buyer, when dtasheet 2sc datasheet pdf products, to comply with dxtasheet standards of safety in making a safe design for the entire 2sc5446 datasheet, and to avoid situations in which a malfunction or failure of 2sc datasheet TOSHIBA products could cause xatasheet of 2sc datasheet related to 2SC 2sc5446 datasheet It is the responsibility Фотография дает общее представление о товаре и не гарантирует технические характеристики. Транзистор биполярный 2sc5446. 2SC5446 6 2006-11-22 • The information contained herein is subject to change without notice. • The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may result

Links to Important Stuff

Links

© Untitled. All rights reserved.

Страница 2 : Документация, описание, цены : allcomponents.ru

НаименованиеОписание Все производителиAATAB SemiconABBAbraconAccutekActelAdaptecA-DataAdvanced Micro SystemsAdvanced PhotonixAeroflexAgereAgilentAHAAICAimtecAKMALDALiAllegroAllianceAlphaAlpha Micro.Alpha&OmegaAlteraAMCCAMDAMEAmerican Bright LEDAMIAMICCAmplifonixAMSAMSCOAnachipAnadigicsAnadigmAnalog DevicesAnalogicAnalogicTechAnarenAndigilogAnpecApexAPI DelevanAplusA-PowerAPTArizona MicrotekARMArtesynASIAsiliantASIXAstecATMELAudioCodesAUKAurisAustinAuthentecAvalon PhotonicsAverLogicAVGAvicTekAVXAZ DisplaysB&B ElectronicsBarker MicrofaradsBCDBEL FuseBI Tech.BicronBitPartsBivarBocaBookhamBournsBroadcomBSIBurr-BrownBytesC&DCalCrystalCalexCalMicroCalogicCapellaCarlo GavazziCatalystCDI DiodesCDILCELCentilliumCentralCenturyCeramateCermetekCETCherryChinfaChingisChipconChrontelCirrusCITClairexClareC-MediaCMLCML MicroCologneComchipComposite ModulesConexantConnor-WinfieldCOSELCOSMOCreeCrydomCSRCTSCyntecCypressCystechDaesanDaewooDAICODallasData DelayDatelDB LectroDCCOMDeltaDensei-LambdaDialightDigital Voice SysDiodesDionicsDiotecDPACDynexEICEichhoffE-LabElantecElectronic DevicesEliteMTELMElmosElpidaEM MicroelectronicEMCEnpirionE-OECEon SiliconEPCOSEPSONEricssonESS Tech.E-TechEtronEudynaEupecEverlightExarExcelicsExcelSemiFagorFairchildFCIFiltranFiltronicFitpowerFormosaFox ElectronicsFreescaleFrequency DevicesFrequency ManagementFTDI ChipFujiFujitsuGalaxyGammaGECGeneral SemiconductorGenesis MicrochipGenesys LogicGennumGHzTechGilwayG-LinkGMTGolledgeGOOD-ARKGrayhillGreen PowerGSIHamamatsuHanamicronHanbitHarrisHBHexaWaveHifnHigh Tech ChipsHiroseHi-SincerityHitachiHitachi MetalsHittiteHN ElectronicHoltekHoltICHoneywellHumirelHV ComponentHynixHytekHyundaiIBMIC HausICCI-ChipsICOMICSIICSTIDTIK Semi.IMPImpalaInfineonInitioInnovASICInt Power SourcesINTELInterFETInterpionInterpointIntersilIntronicsIOtechIRFIsahayaISDIsocomISSIITEItranITTIXYSJessJGDJiangsuKawasakiKECKemetKentronKing BillionKingbrightKnoxKOAKodakKodenshiKyocera KinsekiLambdaLatticeLedtechLEDtronicsLegerityLEMLeshan RadioLevel OneLGLinearLinear Dimensions DesignsLinear ISLite-OnLittelfuseLogic DevicesLSILSI LogicLumexM.S. KennedyM/A-COMMacroblockMacronixMagnaChipMarktechMartek PowerMarvellMAS OyMAXIMMaxwellMAZeTMCCMCE KDIMDTICMelexisMemphisMemsicMicrelMicro ElectronicsMicro LinearMicrochipMicroMetricsMicronMicronasMicronetics WirelessMicropacMicrosemiMimixMindspeedMini-CircuitsMinilogicMinmaxMIPSMitelMitsubishiMitsumiMOSAMoselMospecMoSysMotorolaM-pulseMtronPTIMurataMusicMysonNaisNanoAmpNanyaNational InstrumentsNational SemiconductorNECNELNetLogicNeuriCamNHINichiconNIECNJRCNoise/ComNordic VLSINovalogNovatekNPCNTENTTNVENVIDIAO2MicroOctasicOEIOKIOmniVisionOmronON SemiconductorOPTEKOpto DiodeOptolabOptrexOSRAMOTAXOxford MDiPacific MonoPan JitPanasonicPara LightPatriot ScientificPCAPEAKPeregrinePerformance Tech.PericomPerkinElmerPhaseLinkPhilipsPickerPiximPLXPMC-SierraPMD MotionPolyfetPower InnovationsPower IntegrationsPower SemiconductorsPowerchipPowerexPower-OnePowertipPrecid-DipPromax-JohntonPronicsProtekPTCPulsePyramidQLogicQTQualcommQuantumQuickLogicR&ERaltronRamtronRaytheonRD AlfaRDCRealtekRecomRectronRenesasRF MonolithicsRFERFMDRhopointRichTekRICOHRohmRubyconSaifunSAMESSamHopSamsungSanDiskSankenSanRexSanyoSCBTSeikoSemeLABSemicoaSemikronSemiWellSemtechSensitronSensoryShanghai LunsureShanghai LunsureSHARPShindengenSiemensSiGeSigmaTelSigneticsSilanSilicon ImageSilicon Lab.Silicon PowerSiliconiansSilonexSimtekSipexSirenzaSiRFSitronixSkyworksSLSSmartecSMSCSolid StateSolitronSolomon SystechSONiXSONYSpansionSSDISSESSTStanfordStanleyStansonStatekSTATSSTMicroelectronicsSumidaSummitSunLEDSupertexSurgeSussexSwindonSymmetricomSynergySynsemiSyntecSystem GeneralSystron DonnerTachyonicsTaiyo YudenTalemaTAOSincTDKTeccorTekmosTelComTeledyneTemexTEMICThalerTHATThermtrolTHineTITLSITMTTOKOTontekToproTorexToshibaTotal PowerTracoTransmetaTransys TrinamicTripathTriQuintTriscendTSCTurbo ICUbicomUMCUMSUnisemUnitraUOTUs DigitalUSHAUTCUtronVaishaliValpey-FisherVaritronixVectronVIAVicorVISVishayVitesseVoltage MultipliersWaitronyWDCWEDCWeidaWeitronWeltrendWestcodeWinbondWing ShingWinsonWinstarWisdomWJWolfgang KnapWolfsonWTEXecomXicorXilinxYAMAHAYellow StoneYEONHOZarlinkZ-CommunicationsZenicZetexZettlerZilogZMDZoranZowieАлександер ЭлектрикАнгстремАООТ ВЗППБМГ ПЛЮСВестаВНИИРДилазЗавод Точных ПриборовИнтегралИркутский Релейный заводИскраКвазар-ИСКерметКонтактКремний МаркетингКриптонКулонЛИТ-ФононМастер КитМетеорМикронМонолитМорионМэриНЗППсОКБНИИ ГирикондНИИЭТНТЦ СИТОксидОптронОПЭКПланетаПоликондПротонПульсарПьезоПьезотронРазрядРезистор-ННРекондРеле и АвтоматикаРЗМКПСИНТЭКСКЗСмоленский завод радиодеталейСтартФТИ-ОптроникЭлеконЭлекондЭлектроприборЭлкодЭльтавЭПЛЭСТБ ЭлПА  Найти

irfz44n транзистор характеристики, аналоги, DataSheet на русском

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D

2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

Основные характеристики

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

  • Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
  • Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
  • Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
  • Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт

В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят  номинальные электрические характеристики. У  IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с  HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

Аналоги

Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).

С

хема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO2. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее VGS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток ID.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений VGS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Варианты

 применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя.  Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

W9NK90Z ST Транзисторы | Весвин Электроникс Лимитед

W9NK90Z от производителя ST представляет собой полевые транзисторы - одинарные с N-КАНАЛОМ 900 В - 1,1 Ом - 8 А - TO-220 / FP-D2PAK-TO-247 MOSFET SuperMESH с защитой от стабилитрона. Более подробную информацию о W9NK90Z можно увидеть ниже.

Категории
Транзисторы
Производитель
STMicroelectronics
Номер детали Veswin
V1070-W9NK90Z
Статус бессвинцовой / RoHS
Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS
Состояние
Новое и оригинальное - Заводская упаковка
Состояние на складе
Наличие на складе
Минимальный заказ
1
Расчетное время доставки
14 марта - 19 марта (выберите ускоренную доставку)
Модели EDA / CAD
W9NK90Z от SnapEDA
Условия хранения
Шкаф для сухого хранения и пакет защиты от влажности

Ищете W9NK90Z? Добро пожаловать в Весвин.com, наши специалисты по продажам всегда готовы помочь вам. Вы можете получить доступность компонентов и цены для W9NK90Z, просмотреть подробную информацию, включая производителя W9NK90Z и спецификации. Вы можете купить или узнать о W9NK90Z прямо здесь, прямо сейчас. Veswin - дистрибьютор электронных компонентов для бытовых, обычных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Veswin поставляет промышленные, Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, клиентов CEM и ремонтных центров по всему миру.У нас есть большой запас электронных компонентов, который может включать W9NK90Z, готовый отправить в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором W9NK90Z с полным спектром услуг для W9NK90Z. У нас есть возможность закупить и поставить W9NK90Z по всему миру, чтобы помочь вам с цепочкой поставок электронных компонентов. сейчас же!

  • Q: Как заказать W9NK90Z?
  • A: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
  • Q: Как платить за W9NK90Z?
  • A: Мы принимаем T / T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
  • Вопрос: Как долго я могу получить W9NK90Z?
  • A: Мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
    Мы также можем отправить заказной авиапочтой, обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
    Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем веб-сайте.
  • Q: W9NK90Z Гарантия?
  • A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
  • Q: Техническая поддержка W9NK90Z?
  • A: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке W9NK90Z, примечаниями по применению, заменой, таблица данных в pdf, руководство, схема, эквивалент, перекрестная ссылка.

ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА VESWIN ELECTRONICS Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001.Наши системы и соответствие стандартам были и продолжают регулярно проверяться и тестироваться для поддержания постоянного соответствия.
СЕРТИФИКАЦИЯ ISO
Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics точны, всеобъемлющи и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования обеспечивают долгосрочную приверженность компании Veswin Electronics постоянному совершенствованию.
Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте появлялись правильные данные о товарах.Перед заказом обратитесь к техническому описанию продукта / каталогу для получения подтвержденных технических характеристик от производителя. Если вы заметили ошибку, сообщите нам об этом.

Время обработки : Стоимость доставки зависит от зоны и страны.
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты.Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа - вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.

ПРИМЕЧАНИЕ. Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal. (AMEX принимается через Paypal).
Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или артикулом продукта.Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal.

  • Мы гарантируем 90 дней;
  • Предотгрузочная инспекция (PSI) будет применяться;
  • Если некоторые из полученных вами товаров не идеального качества, мы ответственно организуем вам возврат или замену.Но предметы должны оставаться в исходном состоянии;
  • Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
  • Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: А: вернуть его и получить полный возврат средств, или Б: получить частичный возврат и оставить товар себе.
  • Налоги и НДС не будут включены;
  • Для получения более подробной информации просмотрите нашу страницу часто задаваемых вопросов.
  • Доставка 56 дней, из них в россию 36, наша почта пипец. Качественные доски, продавец + 5.

    Опубликовано: 14 марта, 2020

Комментарий

STW9NK90Z Таблицы данных | Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы

На главную Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные листы данных STW9NK90Z | Транзисторы - Полевые транзисторы, МОП-транзисторы - Single MOSFET N-CH 900V 8A TO-247

STW7N95K3 Таблицы данных | Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одиночные полевые МОП-транзисторы N-CH 950V 7.2А К-247

STWA88N65M5 Листы данных | Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночный полевой МОП-транзистор N-CH 650V 84A TO-247

  • Автор: & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspSTW9NK90Z, STW9NK90Z Datasheet, STW9NK90Z PDF, STMicroelectronics

Обзор продукта
Изображение:
Номер по каталогу производителя: STW9NK90Z
Категория продукта: Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные
Наличие: Есть
Производитель: STMicroelectronics
Описание: МОП-транзистор N-CH 900V 8A TO-247
Лист данных: STx9NK90Z
Упаковка: К-247-3
Минимум: 1
Время выполнения: 12 недель
Количество: 407 шт.
Отправить запрос предложений: Запрос

Базовая цена
1: 3.37000 3,37000
10: 3,02600 30,26000
25: 2,86120 71,53000
100: 2,28890 228,89000
500: 2,03456 1017.28000
1000: 1.74209 1742.09000
2500: 1,71666 4291.65000
5000: 1,56407 7820,35000
9000: 1,52592 13733.28000

STW9NK90Z Изображения только для справки.

CAD-модели

Атрибуты продукта
Производитель: STMicroelectronics
серия: SuperMESH ™
Упаковка: Трубка
Состояние детали: Активный
FET Тип: N-канал
Технологии: MOSFET (оксид металла)
Напряжение сток-источник (Vdss): 900 В
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения): 10 В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 1.3Ом при 3.6A 10В
Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5В при 100 мкА
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 72 нКл при 10 В
Vgs (макс.): ± 30В
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 2115 пФ при 25 В
FET Характеристика:
Рассеиваемая мощность (макс.): 160 Вт (TC)
Рабочая температура: -55 ° C ~ 150 ° C (ТДж)
Тип установки: Сквозное отверстие
Пакет устройств поставщика: К-247-3
Упаковка / коробка: К-247-3
Базовый номер детали: STW9N

Описания

Для этой части пока нет релевантной информации.

ХАРАКТЕРИСТИКИ

STB9NK90Z, STF9NK90Z, STP9NK90Z, STW9NK90Z Лист данных

W9NK90Z Лист данных : Поиск -----> STW9NK90Z

Благодаря оптимизации серии STW9NK90Z

SuperMESH ™ получена серия SuperMESH ™. макет. Помимо значительного снижения сопротивления при включении, он также обеспечивает очень хорошие характеристики dv / dt для самых требовательных приложений. Эта серия дополняет полный спектр высоковольтных полевых МОП-транзисторов ST.

ECCN / UNSPSC
USHTS: 85412
CNHTS: 8541210000
MXHTS: 85412101
ТАРИК: 8541210000
ECCN: EAR99

Экологическая и экспортная классификации
Статус RoHS: Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL): 1 (без ограничений)

Производитель продукта STMicroelectronics - глобальная независимая полупроводниковая компания, которая является лидером в разработке и поставке полупроводниковых решений для всего спектра приложений микроэлектроники.Непревзойденное сочетание опыта в области микросхем и систем, производственной мощи, портфеля интеллектуальной собственности (IP) и стратегических партнеров ставит компанию на передовые позиции в области технологии System-on-Chip (SoC), а ее продукты играют ключевую роль в обеспечении современных тенденций конвергенции.

Дистрибьюторы
STW9NK90Z STMicroelectronics МОП-транзистор N-CH 900V 8A TO-247 407

1: 3 доллара.37000

10: 3,02600 долл. США

25: 2,86120 долл. США

100: 2,28890 долл. США

500: 2,03456 долл. США

1000: 1,74209 долл. США

2,500: 1,71666 долл. США

5000 долл. США: 1,56407

52

STW9NK90Z STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900 Volt 8 Amp Zener SuperMESH Под заказ

1: 3 доллара.36

10: 2,86 доллара США

100: 2,28 доллара США

250: 2,16 доллара США

500: 2,03 доллара США

1000: 1,74 доллара США

2,500: 1,68 доллара США

5000: 1,56 доллара США

STW9NK90Z STMicroelectronics НЕТ Под заказ

1: 1,741 долл. США

STW9NK90Z STMicroelectronics N-КАНАЛ 900В - 1.СУПЕРМЕСТИЧНЫЙ МОП-транзистор с защитой стабилитроном от 8А до 247, 1 Ом, Под заказ

1,6100 долл. США / 4,1000 долл. США

Популярность по регионам
  • 1. Сингапур

    100

  • 1. Сингапур

    100

  • 2.Германия

    99

  • 2. Германия

    99

  • 3. Австралия

    91

  • 3. Австралия

    91

  • 4.Швейцария

    80

  • 4. Швейцария

    80

  • 5. Чили

    79

  • 5. Чили

    79

  • 6.США

    77

  • 6. США

    77

  • 7. Израиль

    76

  • 7. Израиль

    76

  • 8.Китай

    76

  • 8. Китай

    76

  • 9. Венгрия

    75

  • 10. Доминиканская Республика

    75

  • 11.Индия

    72

  • 12. Украина

    71

  • 13. Индонезия

    71

  • 14. Замбия

    71

  • 15.Нигерия

    70

  • 16. Танзания

    70

  • 17. Объединенные Арабские Эмираты

    70

  • 18. Россия

    69

  • 19.Беларусь

    69

  • 20. Турция

    69

  • 21. Ангола

    69

  • 22. Алжир

    69

  • 23.Мьянма

    69

  • 24. Камерун

    69

  • 25. Италия

    68

  • 26. Япония

    68

  • 27.Таиланд

    68

  • 28. Словакия

    68

  • 29. Румыния

    68

  • 30. Бразилия

    68

  • 31.Филиппины

    68

  • 32. Армения

    68

  • 33. Малайзия

    67

  • 34. Канада

    67

  • 35.Испания

    67

  • 36. Пакистан

    66

  • 37. Польша

    66

  • 38. ЮАР

    66

  • 39.Вьетнам

    66

  • 40. Нидерланды

    66

  • 41. Аргентина

    66

  • 42. Чешская Республика

    65

  • 43.Молдова

    65

  • 44. Южная Корея

    65

  • 45. Палестинская территория

    65

  • 46. Гондурас

    65

  • 47.Франция

    65

  • 48. Гонконг

    65

  • 49. Соединенное Королевство

    64

  • 50. Казахстан

    64

  • 51.Мексика

    64

  • 52. Тайвань

    64

  • 52. Тайвань

    64

  • 53. Грузия

    63

  • 53.Грузия

    63

  • 54. Греция

    63

  • 54. Греция

    63

  • 55. Новая Зеландия

    63

  • 55.Новая Зеландия

    63

  • 56. Боливия

    63

  • 56. Боливия

    63

  • 57. Сенегал

    62

  • 57.Сенегал

    62

  • 58. Венесуэла

    62

  • 58. Венесуэла

    62

  • 59. Португалия

    62

  • 59.Португалия

    62

  • 60. Латвия

    62

  • 60. Латвия

    62

  • 61. Эстония

    61

  • 61.Эстония

    61

  • 62. Хорватия

    60

  • 62. Хорватия

    60

  • 63. Швеция

    60

  • 64.Марокко

    59

  • 65. Перу

    57

  • 66. Словения

    57

  • 67. Болгария

    54

  • 68.Джибути

    49

  • 69. Колумбия

    46

  • STW9NK90Z Популярность по регионам

    Вас также может заинтересовать

    Связанный параметр
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 60V 350MA TO92-3
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 1000V 21A SOT-227
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные, полевые МОП-транзисторы P-CH 60V 110A D2PAK
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 1000V 21A TO-264
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные,
    • Транзисторы - полевые, полевые МОП-транзисторы - одиночные, полевые МОП-транзисторы P-CH 60V 5.4A TO220FL

    МОП-транзистор N-CH 900V 8A TO-247

    • Атрибуты продукта
    • Описания
    • Характеристики
    • CAD Модели
    Производитель: STMicroelectronics
    серия: SuperMESH ™
    Упаковка: Трубка
    Состояние детали: Активный
    FET Тип: N-канал
    Технологии: MOSFET (оксид металла)
    Напряжение сток-источник (Vdss): 900 В
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 8A (Tc)
    Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения): 10 В
    Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs: 1.3Ом при 3.6A 10В
    Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5В при 100 мкА
    Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs: 72 нКл при 10 В
    Vgs (макс.): ± 30В
    Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: 2115 пФ при 25 В
    FET Характеристика:
    Рассеиваемая мощность (макс.): 160 Вт (TC)
    Рабочая температура: -55 ° C ~ 150 ° C (ТДж)
    Тип установки: Сквозное отверстие
    Пакет устройств поставщика: К-247-3
    Упаковка / коробка: К-247-3
    Базовый номер детали: STW9N

    По этой части пока нет релевантной информации.

    ХАРАКТЕРИСТИКИ

    STB9NK90Z, STF9NK90Z, STP9NK90Z, STW9NK90Z Лист данных

    W9NK90Z Лист данных : Поиск -----> STW9NK90Z

    Благодаря оптимизации серии STW9NK90Z

    SuperMESH ™ получена серия SuperMESH ™. макет. Помимо значительного снижения сопротивления при включении, он также обеспечивает очень хорошие характеристики dv / dt для самых требовательных приложений. Эта серия дополняет полный спектр высоковольтных полевых МОП-транзисторов ST.

    По этой части пока нет релевантной информации.

Простой импульсный источник питания.

› Регулируемый БП на UC3843 от ATX

Всем привет!
Хочу рассказать о своем опыте переделки компьютерного БП ATX в лабораторный БП с регулировкой напряжения и тока.

Таких переделок в сети много, но обычно все переделывают схемы на базе ШИМ TL494 и его клонов (KA7500, AZ7500BP и др.), Но я хочу рассказать о переделке блока ШИМ GM3843 (UC3843) .
В первую очередь хочу сказать спасибо Андрею 2350 за прекрасную переделку блока. Я попробовал сделать такую ​​же блокировку на TL494, но полностью победить азарт в некоторых экстремальных режимах не удалось. В какой-то момент я просто устал и решил пойти своим путем.
Некоторое время назад сделал себе зарядное устройство для гаража из блока на GM3843, но на самом блоке есть минимальные переделки по увеличению выходного напряжения до 14,4В, и линейный стабилизатор тока на ОУ и мощный мосфет. Конструкция блока мне очень понравилась, схема уверенно запитала мощный компрессор от блокировки дифференциала током 25А при напряжении 14,4В (это если то 360Вт) при номинальной мощности блока 350Вт, а должно быть учтите, что пусковой ток компрессора даже больше! Все остальные агрегаты, в том числе 600Вт, стабильно уходили в защиту.
В принципе, таким образом можно переделать практически любой БП, где оптопара находится в обратной связи блока питания.
Под переделкой мне досталась плата от блока POWERMAN мощностью 250Вт, от 350Вт она отличается только размерами трансформатора, демпфирующей конструкцией, емкостью входного электролита и максимальным током МОП-транзистора. Блок мощностью 250 Вт стоит W9NK90Z (8 А), а 350 Вт стоит W12NK90Z (11 А).
Вот исправленная схема такого БП:

Схема имеет прямую топологию.Избавляемся от 5-вольтовой цепи, снимаем супервизор W7510, отключаем цепь питания вентилятора, меняем выходную емкость на более высокое напряжение, и в обратной связи PC2 собираем следующую схему:

После включения питания только дежурная должна работать. Проверяем на нем 5 В, затем замыкаем вывод 2 PC1 на массу, должна запуститься силовая часть. Сейчас тестируем блок на его возможности. Моя выдавала на холостой максимум 40В, не забываем про конденсаторы на выходе, их максимальное напряжение должно быть с запасом.
В качестве нагрузки я использовал резистор на 1 Ом мощностью 50 Вт на радиаторе, но на 400 Вт он почему-то взорвался :), поэтому пришлось использовать лампочки автомобильных фар.
После испытаний приступаем к переделке дежурной части.
Вот пример схемы того, что должно остаться:

Те элементы, значения которых необходимо изменить, отмечены красным, или добавить такой элемент, если его нет.
Схема управления вполне может работать от 5 В, но для вентилятора этого мало, поэтому пришлось переделывать дежурную 12 В.К сожалению, переделать обвязку U5 (TL431) мне просто не удалось, так как в этом случае повышалось напряжение на обмотке питания U4 и U1. Сначала я увеличил сопротивление резистора R43 до 46 Ом, но блок питания отказался запускаться одновременно с дежурным, видимо GM3843 довольно прожорлив и потребляет мощность, не позволяя дежурному запускаться должным образом. Если сначала запустить дежурную, а потом и силовой агрегат, закоротив на землю 2 ножки ПК1, то все нормально работает.Я решил не вносить никаких изменений в работу этой схемы и пошел по нелегкому пути, просто перемотал транзистор Т2, его выходная обмотка содержала 9 витков, а теперь содержит 22 витка. Здесь сложность заключалась в том, что транс периодически наматывался слоями, а желаемый вторичный слой находился в глубине. После перемотки транса схема все равно отказывалась запускаться, пришлось сделать отдельный переключатель для запуска блока питания.
Схема управления состоит всего из двух компараторов, собранных на одной плате с переменными резисторами.В качестве датчика тока я использовал шунт на 50 А с сопротивлением 0,0015 Ом. Минус всей платы управления взят прямо с шунта, чтобы исключить влияние проводов. Схема довольно примитивна и не должна вызывать затруднений в понимании. Отдельно хочу сказать о своем больном месте - корректирующих цепочках. По напряжению все ровно, снятые с фонарика R5 и C1 пошли отлично, но с током пришлось повозиться и даже сжечь один комплект блока питания (обычно горят Q2, U1, R17 и предохранитель).Результат - C5 и R11. Можно обойтись без R11, увеличив емкость C5 до 1 мкФ.


Цепь управления

Теперь о деталях. Операционные усилители в цепи управления LM358, у меня в качестве выходного диода параллельно стоят 2 сборки MBR20100CT (на плате нашлось место под вторую сборку) вроде нормально работает, но лучше поставить на 150 В или даже 200 В, например VS-60CTQ150, поскольку обратные выбросы достигают 150 В. Электролитические конденсаторы лучше с низким эквивалентным сопротивлением, так называемым низким ESR.К сожалению, их выбор на 35 В не велик, можно параллельно поставить несколько EEUFR1V182L (1800 мкФ, 35 В). Катушка индуктивности намотана на групповом фильтрующем кольце от какого-нибудь мощного БП ATX, она содержит 30 витков 1,5мм провода ПЭТВ-2, сложенного пополам. Переменные резисторы СП5-35А имеют очень хитрую конструкцию, благодаря им нет необходимости ставить дополнительный резистор для точной настройки тока и напряжения. На выходе блока параллельно клеммам стоит керамический конденсатор 50 мкФ; он состоит из 5 конденсаторов SMD по 10 мкФ каждый, запаянных параллельно на небольшой платке непосредственно под гайками клемм.
Индикация сделана на сдвоенном модуле, заказанном на aliexpress. Поскольку модуль был рассчитан максимум на 10 А, пришлось добавить делитель и замазать точку. Не знаю, как перенести точку на соседний индикатор, там есть динамическая индикация и нужно менять прошивку. При указанных номиналах резисторов R4, R3, R6, R7 максимальное напряжение составляет 30 В, а ток - 30 А. Предел мощности блока можно установить с помощью резистора R2. При настройке рекомендую поставить 0.2 - там 0,3 Ом.
Собственно все. На данный момент блок в штатном режиме потребляет до 300 Вт, переход от стабилизации напряжения к стабилизации тока происходит без прерывания генерации, никаких возбуждений нет ни в каких режимах, а главное, в режиме KZ царит полная тишина и осциллограф имеет красивая картинка, просто мяч! На TL494 мне этого добиться не удалось.
На холостом ходу нагрузкой для агрегата является линейный стабилизатор LM317, включенный в цепь источника тока.От резистора пришлось отказаться, потому что при большом выходном напряжении он будет нагреваться как паровоз, и я поставил LM317 на радиатор вместо одного из выпаянных из схемы диодов Шоттки. При высоком напряжении LM начал возбуждаться, поэтому я зашунтировал его керамикой.

Но есть и минусы. Топология схемы такова, что при закрытии силового транзистора возникает обратный выброс. Этот штифт гасит демпфер, но не полностью. На выходе он присутствует заметно, судя по осциллографу, его амплитуда примерно равна 0.08 В, а при нагрузке 15 А амплитуда пика возрастает до 0,2 В, что вообще бесполезно. На досуге изучу теорию импульсного БП и подумаю, как с этим бороться.

Печатка платы регулирования в спринте yadi.sk/d/oJpMs8An3HLZas
Схема в 7-м сплане yadi.sk/d/DAM5Z3Gu3HLZdU

8 месяцев

UC3842 описание, принцип действия, схема подключения
UC3842 - схема ШИМ-контроллера с обратной связью по току и напряжению для управления ключевым каскадом на n-канальном МОП-транзисторе, обеспечивающим разряд его входной емкости принудительным током до 0.7А. Микросхема контроллера SMPS состоит из серии микросхем UC384X (UC3843, UC3844, UC3845) контроллеров PWM. Ядро UC3842 специально разработано для долгосрочной работы с минимальным количеством внешних дискретных компонентов. ШИМ-контроллер UC3842 отличается точным контролем рабочего цикла, температурной компенсацией и невысокой стоимостью. Особенностью UC3842 является его способность работать в пределах 100% рабочего цикла (например, UC3844 работает с рабочим циклом до 50%.). Отечественный аналог UC3842 - 1114ЕУ7. Блоки питания, выполненные на микросхеме UC3842, отличаются повышенной надежностью и простотой исполнения.
общее описание
Для желающих более глубоко ознакомиться с ШИМ-контроллерами серии UC384X рекомендуется следующий материал:

Разница микрочипы UC3842 A и UC3842 B , A потребляет меньше тока до запуска .

UC3842 имеет два варианта корпуса 8pin и 14pin , расположение выводов этих исполнений существенно различается.Далее будет рассмотрен только вариант корпуса 8pin.

Упрощенная блок-схема необходима для понимания принципа работы контроллера ШИМ.

Структурная схема в более детальном варианте необходима для диагностики и проверки работоспособности микросхемы. Поскольку мы рассматриваем 8-контактный дизайн, Vc - 7-контактный, PGND - 5-контактный.

Должен быть материал о назначении выводов, но гораздо удобнее читать и смотреть практическую схему включения ШИМ-контроллера UC3842.Схема прорисована настолько хорошо, что значительно упрощает понимание назначения выводов микросхемы.

Схема подключения UC3842 на примере блока питания для ТВ

1. Комп: (рус. Исправление) выход ошибки усилителя. Для нормальной работы ШИМ-регулятора необходимо скомпенсировать АЧХ усилителя ошибки, для этого к указанному выходу обычно подключается конденсатор емкостью около 100 пФ, второй выход которого подключается к клемме 2 ИК.Если напряжение на этом выводе занижено ниже 1 вольт, то выход микросхемы 6 уменьшит длительность импульса, тем самым уменьшив мощность этого ШИМ-контроллера.
2. Vfb: (рус. Напряжение обратной связи) вход обратной связи. Напряжение на этом выводе сравнивается с модельным напряжением, генерируемым внутри ШИМ-контроллера UC3842. Результат сравнения модулирует скважность выходных импульсов, в результате выходное напряжение источника питания стабилизируется. Формально второй выход служит для уменьшения длительности импульсов на выходе, если он подается выше +2.5 вольт, то импульсы уменьшатся и микросхема снизит выходную мощность.
3. C / S: (второе обозначение I sense) (рус. Токовая обратная связь) сигнал ограничения тока. Этот вывод должен быть подключен к резистору в цепи истока ключевого транзистора. Во время перегрузки МОП-транзистора напряжение на сопротивлении увеличивается, и при достижении определенного порога UC3842A прекращает свою работу, закрывая выходной транзистор. Проще говоря, выход служит для отключения импульса на выходе при подаче на него напряжения выше 1 вольт.
4. Rt / Ct: (рус. Частотное задание) подключение изменяющейся во времени RC-цепи, необходимой для установки частоты внутреннего генератора. R подключен к Vref - опорное напряжение, В и С с общим проводом (обычно выбираются несколько десятков нФ). Эта частота может изменяться в довольно широком диапазоне, сверху она ограничивается скоростью ключевого транзистора, а снизу - мощностью импульсного трансформатора, которая уменьшается с уменьшением частоты. На практике частота выбирается в диапазоне 35... 85 кГц, но иногда источник питания работает вполне нормально даже на гораздо более высокой или гораздо более низкой частоте.
Для синхронизирующей RC-цепи лучше отказаться от керамических конденсаторов.
5. Gnd: Общий вывод. Общий вывод не следует подключать к корпусу схемы. Это горячее заземление подключается к устройству через пару конденсаторов.
6. Out: (Русский выход) Выход ШИМ-контроллера подключен к затвору ключевым транзистором через резистор или параллельно подключенным резистор и диод (анод к затвору).
7. Vcc: (Russian Power) Вход питания ШИМ-контроллера, на этот вывод микросхемы подается напряжение в диапазоне от 16 вольт до 34, обратите внимание, что эта микросхема имеет встроенный триггер Шмидта (УВЛО), который включает на микросхеме, если напряжение блока питания превышает 16 вольт, если по какой-то причине напряжение падает ниже 10 вольт (для других микросхем серии UC384X значения ON / OFF могут отличаться, см. Таблицу типовых значений), это отключится от напряжения питания.На микросхеме также есть защита от перенапряжения: если напряжение питания на ней превысит 34 вольта, микросхема отключится.
8. Vref: выход внутреннего источника опорного напряжения, его выходной ток до 50 мА, напряжение 5 В. При подключении к одному из плеч делителя служит для оперативной регулировки выходного сигнала U всей источник питания.

Немного теории
Схема отключения при понижении входного напряжения

Схема отключения при пониженном напряжении или UVLO (отключение при пониженном напряжении на английском языке) гарантирует, что напряжение Vcc равно напряжению, которое делает UC384x полностью функциональным для включения на выходном каскаде.На рис. Показано, что схема УВЛО имеет пороговые напряжения включения и выключения, значения которых равны 16 и 10 соответственно. Гистерезис 6 В предотвращает неравномерное включение и выключение напряжения во время включения.
Генератор UC384X

Конденсатор переменной частоты Ct заряжается от Vref (5 В) через частотно-управляемый резистор Rt и разряжается внутренним источником тока.

Микросхемы UC3844 и UC3845 имеют встроенный счетный триггер, который позволяет получить максимальный рабочий цикл генератора 50%.Поэтому генераторы этих микросхем необходимо устанавливать на частоту коммутации вдвое выше желаемой. Чип-генераторы UC3842 и UC3843 настроены на желаемую частоту переключения. Максимальная рабочая частота генераторов семейства UC3842 / 3/4/5 может достигать 500 кГц.

Чтение и ограничение тока


Организация обратной связи по току
Преобразование ток-напряжение выполняется на внешнем резисторе Rs, подключенном к земле. RC-фильтр для подавления всплесков выходного ключа.Инвертирующий вход чувствительного к току компаратора UC3842 внутренне смещен на 1 вольт. Ограничение тока происходит, если напряжение на выводе 3 достигает этого порога.

Усилитель ошибки


Вход неинвертирующего сигнала ошибки не имеет отдельного выхода и внутренне смещен на 2,5 вольта. Выход усилителя сигнала ошибки подключен к клемме 1 для подключения внешней схемы компенсации, что позволяет пользователю управлять частотной характеристикой замкнутого контура обратной связи преобразователя.

Схема цепи компенсации


Схема цепи компенсации, подходящая для стабилизации любой цепи преобразователя с дополнительной обратной связью по току, за исключением преобразователей обратного хода и повышающих преобразователей, работающих с током катушки индуктивности.

Способы блокировки
Есть два способа заблокировать микросхему UC3842:
повышение напряжения на выводе 3 выше уровня 1 вольт,
или повышение напряжения на выводе 1 до уровня, не превышающего падение напряжения на двух диодах, относительно потенциала земли.
Каждый из этих методов приводит к установке ВЫСОКОГО логического уровня напряжения на выходе копаратора ШИМ (блок-схема). Поскольку основным (по умолчанию) состоянием защелки PWM является состояние сброса, логический уровень LOW будет удерживаться на выходе компаратора PWM до тех пор, пока состояние на контактах 1 и / или 3 не изменится в следующем периоде тактовой частоты (период, который следует за тактовым периодом, когда возникла ситуация, требующая блокировки микросхемы).
Схема подключения
Простейшая схема подключения ШИМ-контроллера UC3842 носит чисто академический характер.Схема простейшего генератора. Несмотря на простоту, эта схема работает.

Как видно из схемы, для работы ШИМ-контроллера UC3842 требуется только RC-цепь и питание.

Схема подключения ШИМ-контроллера для ШИМ-контроллера UC3842A на примере блока питания телевизора.

Схема дает наглядное и простое представление об использовании UC3842A в простом блоке питания. Схема для упрощения чтения, немного изменена.Полную версию схемы можно найти в PDF-документе «Блоки питания 106 контуров» Н. Товарницкий

Схема подключения ШИМ-контроллера ШИМ-контроллера UC3843 на примере блока питания для роутера D-Link, JTA0302E-E.

Хотя схема сделана в соответствии со стандартным включением для UC384X, тем не менее, R4 (300k) и R5 (150) исключены из стандартов. Однако удачно, а главное логически размещенные схемы помогают понять принцип работы блока питания.

Блок питания на ШИМ-контроллер UC3842. Схема не предназначена для повторения, а предназначена только для образовательных целей.

Стандартная схема включения из datasheet-a (схема была немного изменена для облегчения понимания):

Ремонт блока питания на основе ШИМ UC384X
Тестирование с внешним блоком питания:

Проверка работоспособности проводится без пайки микросхемы от блока питания. Перед проведением диагностики блок питания необходимо отключить от сети 220В!

От внешнего стабилизированного источника питания подать напряжение на вывод 7 (Vcc) микросхемы, напряжение больше напряжения включения УВЛО, в целом более 17В.При этом ШИМ-контроллер UC384X должен работать. Если напряжение питания меньше коммутируемого напряжения УВЛО (16В / 8,4В), то микросхема не запустится. Подробнее про УВЛО здесь.

Проверка внутреннего источника опорного напряжения.

Рабочий ШИМ-контроллер UC384X, напряжение на выводе 8 (Vref) должно быть + 5В.

UVLO Check

Если внешний источник питания позволяет регулировать напряжение, то желательно проверить работу UVLO. Путем изменения напряжения на выводе 7 (Vcc) контакта в диапазоне напряжений UVLO, опорное напряжение на выводе 8 (Vref) \ u003d + 5В не должно изменяться.

UC3842 и UC3844 напряжение переключения 16 В, напряжение переключения 10 В

UC3843 и UC3845 напряжение переключения 8,4 В, напряжение переключения 7,6 В

Не рекомендуется подавать напряжение 34 В или выше на контакт 7 (Vcc). Возможно, что в цепи питания ШИМ-контроллера UC384X есть защитный стабилитрон, тогда не рекомендуется питать этот стабилитрон выше рабочего напряжения.

Проверка работы генератора и внешних цепей генератора.

Для проверки требуется осциллограф. Контакт 4 (Rt / Ct) должен иметь устойчивую «пилу».

Проверка выходного управляющего сигнала.


Для проверки требуется осциллограф. В идеале, вывод 6 (Out) должен иметь прямоугольные импульсы. Однако исследуемая схема может отличаться от приведенной выше, и тогда потребуется отключить цепи внешней обратной связи. Общий принцип показан на рис. - при таком включении ШИМ-контроллер UC384X гарантированно запустится.

Если БП с управляющим ШИМ-контроллером типа UC384x не включается или включается с большой задержкой, то проверьте заменой электролитического конденсатора, фильтрующего питание (7 пин) этого м / с. Также необходимо проверить элементы схемы первоначального пуска (обычно два последовательно включенных резистора 33-100кОм).

При замене силового (полевого) транзистора в блоке питания на управляющий м / с 384х обязательно проверить резистор, выполняющий функцию датчика тока (он стоит у источника поля).Заменить его сопротивление при номинальном значении доли Ом обычным тестером очень сложно! Увеличение сопротивления этого резистора приводит к ложному срабатыванию токовой защиты блока питания. При этом можно очень долго искать причины перегрузки БП во вторичных цепях, хотя их там совсем нет.

Схемы и печатные платы блоков питания на микросхемах UC3842 и UC3843

Микросхемы для построения импульсных блоков питания серии UC384x сравнимы по популярности со знаменитым TL494.Они выпускаются в восьмивыводных корпусах, а печатные платы таких БП очень компактны и односторонние. Схемотехника для них давно отлажена, все особенности известны. Поэтому данные микросхемы вместе с TOPSwitch можно рекомендовать к использованию.

Итак, первая схема - это БП мощностью 80Вт. Источник:

Собственно, схема практически из даташита.


нажмите для увеличения
Печатная плата довольно компактна.



PCB Файл: uc3842_pcb.lay6

В этой схеме автор решил не использовать вход усилителя ошибки из-за его большого входного сопротивления, чтобы избежать помех. Вместо этого сигнал обратной связи подключается к компаратору. Диод Шоттки на 6-м выходе микросхемы предотвращает скачки потенциала отрицательной полярности, что может быть связано с характеристиками самой микросхемы. Для уменьшения индуктивных выбросов в трансформаторе его первичная обмотка сделана секционированной и состоит из двух половин, разделенных вторичной.Особое внимание следует уделять межобмоточной изоляции. При использовании сердечника с зазором в центральном сердечнике следует минимизировать внешние помехи. Токовый шунт сопротивлением 0,5 Ом с указанным на схеме транзистором 4N60 ограничивает мощность в районе 75Вт. В демпфере используются резисторы SMD, которые включены параллельно-последовательно, потому что на них выделяется ощутимая мощность в виде тепла. Этот демпфер можно заменить диодом на 200 вольт и стабилитроном (подавителем), но говорят, что это увеличит количество импульсных помех от блока питания.На печатной плате добавлено место для светодиода, что на схеме не отражено. Вы также должны добавить нагрузочный резистор параллельно выходу, так как в режиме ожидания блок питания может вести себя непредсказуемо. Большинство выводных элементов на плате установлены вертикально. На обратном ходу питание микросхемы снимается, поэтому при переоборудовании блока в регулируемый следует изменить фазировку питающей обмотки микросхемы и пересчитать количество ее витков, как для прямоточный.

Следующая схема и плата взяты из этого источника:

Размеры платы немного больше, но здесь есть место для немного большего сетевого электролита.



Схема практически аналогична предыдущей:



нажмите для увеличения
На плате установлен подстроечный резистор для регулировки выходного напряжения. Точно так же микросхема питается от силовой обмотки реверсом, что может привести к проблемам с широким диапазоном регулировок выходного напряжения блока питания.Чтобы этого избежать, вам также следует изменить фазировку этой обмотки и подавать стружку прямым движением.



PCB файл: uc3843_pcb.dip

Чипы серии UC384x взаимозаменяемы, но перед заменой нужно проверить, как рассчитывается частота для конкретного чипа (формулы различаются) и каков максимальный рабочий цикл - они отличаются наполовину.

Для расчета обмоток трансформатора можно использовать программу Flyback 8.1. Количество витков силовой обмотки микросхемы в прямом движении можно определить по отношению витков к вольтам.

Статья посвящена устройству, ремонту и доработке блоков питания для широкого спектра оборудования, выполненного на базе микросхемы UC3842. Часть информации, приведенной автором в результате личного опыта, поможет не только избежать ошибок и сэкономить время при ремонте, но и повысит надежность источника питания. Со второй половины 90-х годов выпущено огромное количество телевизоров, видеомониторов, факсов и других устройств, в которых источники питания (IP) используются на интегральной схеме UC3842 (далее - IP).Видимо, это объясняется ее невысокой стоимостью, небольшим количеством дискретных элементов, необходимых для его «обвеса», и, наконец, достаточно стабильными характеристиками ИС, что тоже немаловажно. Варианты этого IP, выпускаемые разными производителями, могут отличаться префиксами, но должны содержать ядро ​​3842.

Как видно из принципиальной схемы, ИП рассчитан на сетевое напряжение 115 В. Несомненным преимуществом этого типа ИП является то, что его можно использовать с минимумом доработок в сети с напряжением 220 В. , вам нужно всего:

  • заменить диодный мост, подключенный на входе ИП, на аналогичный, но с обратным напряжением 400 В;
  • заменить электролитический конденсатор силового фильтра, включенный после диодного моста, на равную емкость, но с рабочим напряжением 400 В;
  • увеличьте номинал резистора R2 до 75... 80 кОм;
  • проверить ТТ на приемлемое напряжение сток-исток, которое должно быть не менее 600 В. Как правило, даже в распределительных устройствах, рассчитанных на работу от сети 115 В, используются трансформаторы тока, способные работать от сети 220 В, но, конечно, , возможны исключения. Если ТТ необходимо заменить, автор рекомендует BUZ90.

Как упоминалось ранее, IP имеет некоторые особенности, связанные с его питанием. Рассмотрим их подробнее. В первый момент после подключения ИП к сети внутренний генератор ИС еще не работает, и в этом режиме потребляет очень небольшой ток от силовых цепей.Для питания ИМС в этом режиме достаточно напряжения, полученного с резистора R2 и накопленного на конденсаторе С2. Когда напряжение на этих конденсаторах достигает значения 16 ... 18 В, запускается ИС-генератор, который начинает формировать на выходе управляющие импульсы ТТ. На вторичных обмотках трансформатора Т1, в том числе обмотки 3-4, появляется напряжение. Это напряжение выпрямляется импульсным диодом D3, фильтруется конденсатором C3 и подается через диод D2 в цепь питания ИС.Как правило, в цепь питания включается стабилитрон D1, ограничивающий напряжение на уровне 18 ... 22 В. После выхода ИМС в рабочий режим она начинает отслеживать изменения своего напряжения питания, которое составляет поступает через делитель R3, R4 на вход обратной связи Vfb. Стабилизируя собственное напряжение питания, ИС фактически стабилизирует все другие напряжения, снимаемые с вторичных обмоток импульсного трансформатора.

При коротких замыканиях во вторичных обмотках, например, в результате пробоя электролитических конденсаторов или диодов, потери энергии в импульсном трансформаторе резко возрастают.В результате напряжения, поступающего с обмотки 3-4, недостаточно для поддержания нормальной работы ИМС. Выключается внутренний генератор, на выходе ИМС появляется напряжение низкого уровня, переводящее ТТ в замкнутое состояние, и микросхема снова находится в режиме пониженного энергопотребления. Через некоторое время его питающее напряжение повышается до уровня, достаточного для запуска внутреннего генератора, и процесс повторяется. При этом из трансформатора слышны характерные щелчки (щелчки), период следования которых определяется номиналами конденсатора С2 и резистора R2.

При ремонте ИП иногда возникают ситуации, когда из трансформатора слышен характерный дребезг, но внимательная проверка вторичных цепей показывает, что короткого замыкания в них нет. В этом случае необходимо проверить цепи питания самой ИМС. Например, в авторской практике были случаи, когда конденсатор С3 выходил из строя. Распространенной причиной такого поведения ИП является обрыв выпрямительного диода D3 или развязывающего диода D2.

При выходе из строя мощного ТТ его, как правило, приходится менять вместе с IP.Дело в том, что затвор ТТ подключен к выходу ИС через резистор очень маленького номинала, и при пробое ТТ высокое напряжение с первичной обмотки трансформатора попадает на выход ИС. Автор категорически рекомендует при выходе из строя ТТ менять его вместе с ИП, к счастью, стоимость его невысока. В противном случае существует риск «убить» новый трансформатор тока, потому что, если на его заслонке в течение длительного времени присутствует высокий уровень напряжения от неработающего выхода ИС, он выйдет из строя из-за перегрева.

Были отмечены еще некоторые особенности этого IP. В частности, при пробое ТТ в цепи истока очень часто перегорает резистор R10. При замене этого резистора следует придерживаться номинала 0,33 ... 0,5 Ом. Особенно опасно завышение номинала резистора. В этом случае, как показала практика, при первом включении ИП выходят из строя и микросхема, и транзистор.

В некоторых случаях выход из строя ИП происходит из-за пробоя стабилитрона D1 в цепи питания ИМС.При этом ИС и ТТ, как правило, остаются в рабочем состоянии, необходимо только заменить стабилитрон. В случае пробоя стабилитрона часто выходят из строя и сам ИП, и ТТ. Для замены автор рекомендует использовать отечественные стабилитроны КС522 в металлическом корпусе. Покусав или выпив неисправный стандартный стабилитрон, можно припаять КС522 анодом к выводу 5 ИС, а катодом к выводу 7 ИС. Как правило, после такой замены подобные неисправности уже не возникают.

Следует обратить внимание на исправность потенциометра, используемого для регулировки выходного напряжения ИП, если таковой имеется, в цепи. На приведенной выше схеме это не так, но ввести его несложно, включив в зазор резисторы R3 и R4. Контакт 2 микросхемы должен быть подключен к двигателю этого потенциометра. Отмечу, что в некоторых случаях такая доработка просто необходима. Иногда после замены микросхемы выходное напряжение ИП оказывается слишком высоким или слишком низким, и регулировка отсутствует.В этом случае вы можете либо включить потенциометр, как указано выше, либо выбрать номинал резистора R3.

По мнению автора, если в ИС используются качественные комплектующие, и она не эксплуатируется в экстремальных условиях, ее надежность достаточно высока. В некоторых случаях надежность ИП можно повысить, применив резистор R1 немного большего номинала, например 10 ... 15 Ом. В этом случае переходные процессы при включении питания намного более расслаблены. В видеомониторах и телевизорах это должно быть сделано без воздействия на схему размагничивания кинескопа, т.е.е., резистор ни в коем случае нельзя включать в разрыв общей цепи питания, а только в цепь подключения собственно ИП.

Ниже приведены ссылки на различные аналоговые микросхемы UC3842, которые можно купить в Dalincom UC3842AN dip-8, KA3842A dip-8, KA3842 sop-8, UC3842 sop-8, TL3842P и другие в разделе микросхем питания.

Калинин Алексей
«Ремонт электронной техники»

UC3845
ПРИНЦИП РАБОТЫ

Честно говоря, победить UC3845 с первого раза не удалось - самоуверенность сыграла злую шутку.Однако, мудрый опытом, решил разобраться окончательно - микросхема не такая уж и большая - всего 8 ножек. Особую благодарность хочу выразить своим подписчикам, которые не остались в стороне и дали некоторые пояснения, даже кусок модели в Microcap был отправлен на почту довольно подробной статьей. ОГРОМНОЕ СПАСИБО .
Пользуясь ссылками, присланными в материалах, посидел вечером-два и в общем все пазлы сошлись, правда некоторые ячейки оказались пустыми. Но обо всем по порядку...
Собрать аналог UC3845 на логических элементах в Microcaps 8 и 9 не удалось - логические элементы жестко привязаны к пятивольтовому питанию, и в этих симуляторах есть хронические трудности с автоколебаниями. Microcap 11 показал такие же результаты:

Остался только один вариант - Multisim. Версия 12 нашлась даже с русификатором. Я ОЧЕНЬ долго не пользовался Multisim, так что пришлось повозиться. Первое, что нас порадовало, это то, что в Multisim есть отдельная библиотека для пятивольтовой логики и отдельная библиотека для пятнадцатавольтовой логики.В общем, горе пополам оказалось более-менее работоспособным вариантом, подававшим признаки жизни, но так же, как и сама настоящая микросхема, работать он не хотел, как я его ни уговаривал. Во-первых, модели не измеряют уровень реального нуля, поэтому придется ввести дополнительный источник отрицательного напряжения смещения. Но в этом случае мне пришлось бы довольно подробно объяснить, что это такое и почему, но я хотел максимально приблизиться к реальной микросхеме.

Покопавшись в интернете, нашел готовую схему, но для Multisim 13.Скачал 14 версию, вскрыл модель и даже заработало, но радость была недолгой. Несмотря на наличие в самих библиотеках двенадцатого и четырнадцатого Multisim самого чипа UC3845 и его аналогов, быстро выяснилось, что модель чипа не позволяет проработать ВСЕ варианты включения этого чипа. В частности, ограничение тока и регулировка выходного напряжения работают достаточно уверенно (правда, часто выпадает из моделирования), но использование питания усилителя с ошибкой заземления микросхему не устроило.

В целом телега хоть и двинулась, но далеко не проехала. Остался только один вариант - распечатка даташита на UC3845 и плата с жгутом. Чтобы не увязнуть в моделируемой нагрузке и моделированном ограничении тока, я решил построить микробастер и проверить на нем, что на самом деле происходит с микросхемой при том или ином варианте включения и использования.
Сначала небольшое пояснение:
Микросхема UC3845 действительно заслуживает внимания разработчиков блоков питания различной мощности и назначения, имеет ряд практически аналогов.Практически потому, что при замене микросхемы в плате ничего больше менять не нужно, а вот изменение температуры окружающей среды может вызвать проблемы. А некоторые подварианты вообще нельзя использовать для прямой замены.

НАПРЯЖЕНИЕ
ВКЛЮЧЕНИЯ - 16 В,
ВЫКЛ - 10 В
НАПРЯЖЕНИЕ
ВЫКЛЮЧАЕТСЯ - 8,4 В,
ВЫКЛЮЧАЕТ - 7,6 В
РАБОЧАЯ ТЕМПЕРАТУРА НАПОЛНИТЬ КОФЕ
UC1842 UC1843 -55 ° С... + 125 ° С до 100%
UC2842 UC2843 -40 ° С ... + 85 ° С
UC3842 UC3843 0 ° С ... + 70 ° С
UC1844 UC1845 -55 ° С ... + 125 ° С до 50%
UC2844 UC2845 -40 ° С ... + 85 ° С
UC3844 UC3845 0 ° С... + 70 ° С

Исходя из вышеприведенной таблицы видно, что UC3845 - далеко не лучший вариант данной микросхемы, так как ее нижний температурный предел ограничен нулями градусов. Причина довольно проста - не все хранят сварочный аппарат в отапливаемом помещении и может возникнуть ситуация, когда нужно что-то сварить в межсезонье, а сварщик либо не включается, либо взрывается. нет, не в клочья, даже кусочки силовых транзисторов вряд ли вылетят, но не будет ни в одной сварке, да и то сварщику нужен ремонт.Пропустив Али, пришел к выводу, что проблема полностью решаема. Конечно, UC3845 более популярен и в продаже их больше, но есть и UC2845:

UC2845 конечно немного дороже, но в любом случае дешевле ОДНОГО силового транзистора, поэтому я лично заказал дюжина UC2845 при том, что UC3845 еще штук 8. Ну, как вы хотите.
Теперь можно поговорить о самой микросхеме, точнее о принципе ее работы.На рисунке ниже представлена ​​структурная схема UC3845, т.е. с триггером внутри, который не позволяет длительности управляющего импульса быть более 50% от периода:

Кстати, если вы нажмете на картинку, она открыть в новой вкладке. Переходить между вкладками не очень удобно, но в любом случае удобнее, чем крутить здесь колесико мыши, возвращаясь к картинке, которая вышла наверх.
Микросхема имеет двойную регулировку напряжения. COMP1 контролирует напряжение питания как таковое и, если оно меньше установленного значения, выдает команду, которая выключает внутренний пятивольтовый стабилизатор.Если напряжение питания превышает порог переключения, внутренний стабилизатор разблокируется и микросхема запускается. Второй элемент, который контролирует источник питанием является элемент DD1, который в случае разницы в опорном напряжении от нормы дает логический нуль на своем выходе. Этот ноль попадает на инвертор DD3, а преобразование в логическую единицу падает на логическое ИЛИ DD4. Практически во всех блочных схемах эта просто имеет инверсный вход, но я вынес инвертор за границы этого логического элемента - так проще понять принцип работы.
Логический элемент ИЛИ работает по принципу определения наличия логической единицы на любом из своих входов. Поэтому он называется ИЛИ - если на входе 1 ИЛИ на входе 2, ИЛИ на входе 3, ИЛИ на входе 4 является логической единицей, то на выходе элемента будет логическая единица.
Когда на первом входе этого сумматора всех управляющих сигналов появится логическая единица, на его прямом выходе появится логическая единица, а на инверсном - логический ноль. Соответственно, верхний тангенциальный резистор драйвера будет замкнут, а нижний откроется, тем самым закрыв силовой транзистор.
В этом состоянии микросхема будет находиться до тех пор, пока эталонный анализатор мощности не даст разрешение на работу и на его выходе не появится логическая единица, которая после инвертора DD3 не разблокирует выходной элемент DD4.
Допустим, питание в норме и микросхема заработала. Задающий генератор начинает генерировать управляющие импульсы. Частота этих импульсов зависит от номиналов резистора для задания частоты и конденсатора. Здесь есть небольшое разногласие. Разница вроде бы небольшая, но тем не менее она есть и есть шанс получить не совсем то, что я хотел, а именно очень горячий аппарат, кодга с более «быстрым» чипом от одного производителя будет заменен на более медленный .Самая красивая картинка зависимости частоты от сопротивления резистора и емкости Texas Instruments:

У других производителей дела обстоят немного иначе:



Частота и рейтинг RC на чипах Fairchild


Частота в зависимости от номиналов RC микросхемы от STMicroelectronics



Частота в зависимости от рейтинга RC микросхемы от UNISONIC TECHNOLOGIES CO

Довольно короткие импульсы в виде логической единицы получаются от тактового генератора.Эти импульсы разбиты на три блока:
1. Все тот же конечный сумматор DD4
2. D-триггер DD2
3. RS-триггер на DD5
Триггер DD2 имеется только в микросхемах подсерии 44 и 45. Именно он не позволяет длительности управляющего импульса становиться больше, чем 50% периода, так как он меняет свое состояние на противоположное с каждым входящим фронтом логической единицы от тактового генератора. Тем самым он делит частоту на две, образуя нули и единицы равной продолжительности.
Происходит это довольно примитивно - с каждым входящим фронтом на тактовый вход C триггер записывает информацию, находящуюся на информационном входе D, а вход D подключается к инверсному выходу микросхемы. Из-за внутренней задержки записывается инвертированная информация. Например, инвертирующий выход содержит уровень логического нуля. С приходом фронта импульса на вход C триггеру удается записать этот ноль до того, как ноль появится на его прямом выходе.Что ж, если у нас будет нулевой прямой выход, то обратное будет логической единицей. С приходом следующего фронта тактового импульса триггер уже записывает в себя логическую единицу, которая появится на выходе через несколько наносекунд. Запись логической единицы приводит к появлению логического нуля на инверсном выходе триггера и процесс начинает повторяться со следующего фронта тактового импульса.


По этой причине выходная частота микросхем UC3844 и UC3845 в 2 раза меньше, чем у UC3842 и UC3843 - она ​​разделяется триггером.
Попадая на вход установки блока RS триггера DD5, первый импульс переводит триггер в состояние, когда на его прямом выходе стоит логическая единица, а на инверсном выходе - ноль. И до тех пор, пока на входе R в этом состоянии не появится единичный триггер DD5.
Предположим, что мы не имеем никаких управляющих сигналов извне, то напряжение близко к появляется опорного напряжения на выходе усилителя ошибки ОР1 - нет обратной связи, инвертирующий вход находится в воздухе, и напряжение 2 .На инвертирующий вход подается 5 вольт.
Тут сразу оговорюсь - лично меня несколько смутил этот усилитель ошибки, но после более внимательного изучения даташита и благодаря тыканью абонентов выяснилось, что выход этого усилителя не совсем традиционный. В выходном каскаде OP1 есть только один транзистор, соединяющий выход с общим проводом. Положительное напряжение генерируется генератором тока, когда этот транзистор приоткрыт или полностью закрыт.
С выхода OP1 напряжение проходит через своеобразный ограничитель и делитель напряжения 2R-R. Кроме того, эта же шина имеет ограничение по напряжению в 1 вольт, так что ни при каких условиях инвертирующий вход OP2 не получает больше одного вольт ни при каких условиях.
OP2 - это, по сути, компаратор, который сравнивает напряжения на своих входах, но компаратор также сложен - обычный операционный усилитель не может сравнивать так много. низкое напряжение - от фактического нуля до одного вольт. Обычному операционному усилителю требуется либо более высокое входное напряжение, либо плечо источника отрицательного напряжения, т.е.е. биполярное напряжение. Тот же компаратор довольно легко справляется с анализом этих напряжений, возможно, что внутри есть какие-то смещающие элементы, но принципиальная схема нас, похоже, не особо заботится.
В общем, OP2 сравнивает напряжение на выходе усилителя с ошибками, а точнее те остатки напряжения, которые получаются после прохождения через делитель, с напряжением на третьем выходе микросхемы (имеется в виду корпус DIP-8).
Но в данный момент на третьем выходе у нас вообще ничего нет, и на инвертирующий вход подается положительное напряжение.Естественно, компаратор инвертирует его и на своем выходе формирует четкий логический ноль, что никак не повлияет на состояние RS-триггера DD5.
По результатам происходящего имеем вход логического нуля DD4 на первом сверху, так как у нас нормальное питание, на втором входе короткие импульсы от часов, на третьем входе импульсы от триггер DD D2, которые имеют одинаковую длительность - ноль и единицу. На четвертом входе и на четвертом входе логический ноль от RS-триггера DD5.В результате импульсы, генерируемые D-триггером DD2, будут полностью повторяться на выходе логического элемента. Следовательно, как только на прямом выходе DD4 появится логическая единица, транзистор VT2 открывается. На инверсном выходе при этом будет логический ноль и транзистор VT1 будет закрыт. Как только на выходе DD4 появляется логический ноль VT2, VT2 замыкается, а инверсный выход DD4 открывает VT1, что и послужит причиной открытия силового транзистора.
Ток, который выдерживают VT1 и VT2, равен одному амперу, поэтому эта микросхема может успешно управлять относительно мощными MOSFET-транзисторами без дополнительных драйверов.
Чтобы понять, как именно происходит наладка процессов, происходящих в блоке питания, был собран простейший усилитель, так как требует наименьшего количества деталей обмотки. Было взято первое попавшееся ЗЕЛЕНОЕ кольцо и на него намотано 30 витков. Количество вообще не рассчитывалось, был намотан всего один слой обмотки и не более того. Насчет потребления не стал переживать - микросхема работает в широком диапазоне частот и если начать с частот ниже 100 кГц, то этого уже будет вполне достаточно, чтобы ядро ​​не входило в насыщение.

В результате получается следующий контур повышения давления:

Все внешние элементы имеют нижний индекс, означающий, что это ВНЕШНИЙ элемент микросхемы.
Сразу подпишу, что на этой схеме и почему.
VT1 - база практически находится в воздухе; на плате припаиваются палочки для одевания перемычек, т.е. основание подключается либо к земле, либо к пиле, вырабатываемой самой микросхемой.На плате нет резистора Rout 9 - я даже пропустил его необходимость.
Оптопара Uout 1 использует усилитель ошибки OP1 для регулировки выходного напряжения, степень влияния регулируется резистором Rout 2. Оптопара Uout 2 регулирует выходное напряжение в обход усилителя ошибки, степень влияния регулируется резистором Rout 4. Маршрут 14 - резистор для измерения тока, специально взятый на 2 Ом, чтобы не пройти через силовой транзистор. Маршрут 13 - регулировка порога ограничения тока.Ну а Rout 8 - регулировка тактовой частоты самого контроллера.

Силовой транзистор - это то, что было припаяно из отремонтированного когда-то автомобильного преобразователя - промелькнуло одно плечо, поменяли все транзисторы (почему ВСЕ ответ ЗДЕСЬ), и это изменение, так сказать. Так что не знаю, что это - надпись сильно потёрта, в общем что-то вроде ампер на 40-50.
Нагрузка типа Rout 15 - 2 Вт на 150 Ом, но 2 Вт было мало. Нужно либо сопротивление увеличить, либо мощность резистора - начинает вонять, если проработает 5-10 минут.
VDout 1 - для исключения влияния основного питания на работу контроллера (HER104 вроде зацепляется руками), VDout 2 - HER308, ну и не сразу бросается, если что-то пойдет не так.
Понял необходимость резистора R9, когда плата уже была запломбирована. В принципе этот резистор еще нужно будет подбирать, но это чисто по желанию, кому ОЧЕНЬ хочется избавиться от релейного метода стабилизации на холостом ходу. Об этом чуть позже, а пока влепил этот резистор сбоку от дорожек:


Первое включение - двигатели ВСЕ подлинейно связанные должны быть с массой, т.е.е. не влияют на схему. Движок Rout 8 установлен так, чтобы сопротивление этого резистора было 2-3 кОм, так как конденсатор 2,2 нФ, то частота должна быть около 300 с хвостом кГц, следовательно, на выходе UC3845 получаем где-то около 150 кГц.

Проверяем частоту на выходе самой микросхемы - точнее, так как сигнал загроможден ударными процессами от индуктора. Чтобы подтвердить разницу между частотой генерации и частотой преобразования, желтеем вывод 4 и видим, что частота в 2 раза выше.Сама рабочая частота оказалась равной 146 кГц:

Теперь увеличиваем напряжение на светодиоде оптопары Uout 1, чтобы следить за сменой режимов стабилизации. Напомним, что ползунок резистора Rout 13 находится в крайнем нижнем положении согласно схеме. На базу VT1 также подается общий провод, т.е. на выводе 3 абсолютно ничего не происходит и компаратор OP2 не реагирует на неинвертирующий вход.
Постепенно увеличивая напряжение на светодиодах оптопары, становится очевидно, что управляющие импульсы просто начинают пропадать.При изменении развертки это становится наиболее очевидным. Это происходит потому, что OP2 контролирует только то, что происходит на его инвертирующем входе, и как только выходное напряжение OP1 падает ниже порогового значения OP2 на его выходе, формируется логическая единица, переводящая триггер DD5 в ноль. Естественно, на инвертированном выходе триггера появляется логическая единица, которая блокирует конечный сумматор DD4. Таким образом, микросхема полностью останавливается.

Но усилитель загружен, поэтому выходное напряжение начинает уменьшаться, светодиод Uout 1 начинает уменьшать яркость, транзистор Uout 1 закрывается, и OP1 начинает увеличивать свое выходное напряжение, и как только он преодолевает порог OP2, чип снова запускается.
Таким образом, выходное напряжение стабилизируется в релейном режиме, т.е. микросхема генерирует управляющие импульсы пачками.
При подаче напряжения на светодиод оптопары Uout 2 транзистор этой оптопары открывается, что влечет за собой уменьшение напряжения, подаваемого на компаратор OP2, т.е. процессы настройки повторяются, но OP1 больше в них не участвует, т.е. Схема имеет меньшую чувствительность к изменению выходного напряжения. Благодаря этому пакеты управляющих импульсов имеют более стабильную длительность и картинка кажется более приятной (даже осциллограф синхронизировался):

Снимаем напряжение со светодиода Uout 2 и на всякий случай проверяем наличие пилы на верхнем выводе R15 (желтый луч):


Амплитуда чуть больше вольта и этой амплитуды может быть недостаточно, потому что в цепи есть делители напряжения.На всякий случай выкручиваем движком подстроечного резистора R13 в верхнем положении и контролируем, что происходит на третьем выходе микросхемы. В принципе надежды полностью оправдались - амплитуды не хватает для запуска ограничения тока (желтый луч):

Ну а если через катушку индуктивности не хватает тока, значит либо много витков, либо высокая частота. Перематывать лень, потому что на плате предусмотрен подстроечный резистор Rout8 для регулировки частоты.Поворачиваем его регулятор, чтобы получить необходимую амплитуду напряжения на выводе 3 контроллера.
Теоретически, как только будет достигнут порог, то есть как только амплитуда напряжения на выводе 3 станет не намного больше одного вольта, управляющий импульс будет ограничен по длительности, поскольку контроллер уже начинает думать, что ток слишком велик, и он закроет силовой транзистор.
На самом деле это начинает происходить на частоте около 47 кГц, и дальнейшее снижение частоты практически не повлияло на длительность управляющего импульса.

Отличительной особенностью UC3845 является то, что он контролирует поток через силовой транзистор почти в каждом тактовом цикле, а не среднее значение, как, например, TL494, и если источник питания спроектирован правильно, то силовой транзистор будет вылезать не получается ...
Теперь поднимаем частоту до тех пор, пока ограничение по току не перестанет влиять, однако делаем запас - ставим ровно 100 кГц. Синим лучом мы по-прежнему показываем управляющие импульсы, но ставим желтый на светодиод оптопары Uout 1 и начинаем крутить подстроечный резистор.Некоторое время осциллограмма выглядит так же, как в первом эксперименте, однако также появляется разница: после прохождения контрольного порога длительность импульса начинает уменьшаться, т.е. настоящая настройка происходит за счет широтно-импульсной модуляции. И это лишь одна из финтов этой микросхемы - в качестве эталонной пилы для сравнения используется пила, которая сформирована на токоограничивающем резисторе R14 и таким образом создает стабилизированное выходное напряжение:

То же самое происходит с повышением напряжения на патроне Uout 2, правда, в моей версии не было возможности получить такие же короткие импульсы, как в первый раз - яркости светодиода оптопары не хватало, и мне было лень уменьшать резистор Rout 3.
В любом случае стабилизация ШИМ происходит и достаточно стабильна, но только при наличии нагрузки, т.е. появления пилы, даже не имеющей большого значения, на выводе 3 контроллера. Без этого стабилизация пилы будет осуществляться в релейном режиме.
Теперь переключаем базу транзистора на вывод 4, тем самым заставляя пилу перейти на вывод 3. Особого спотыкания нет - для этого финта придется выбрать резистор Rout 9, так как амплитуда пыли и уровень постоянная составляющая оказалась завышенной.


Однако теперь принцип работы более интересный, поэтому проверяем его, опуская двигатель триммера Rout 13 на землю, начинаем вращать Rout 1.
Есть изменения длительности управляющего импульса, но они не так значительны, как хотелось бы - сильно сказывается большая постоянная составляющая. Если вы хотите использовать этот вариант, вам нужно более тщательно продумать, как его более правильно организовать. Что ж, картинка на осциллографе была такая:

При дальнейшем повышении напряжения на светодиодах оптопары происходит сбой в режиме работы реле.
Теперь вы можете проверить грузоподъемность бустера. Для этого вводим ограничение на выходное напряжение, т.е. на светодиод Uout 1 подаем небольшое напряжение и уменьшаем рабочую частоту. Социограмма четко показывает, что желтый луч не достигает уровня в один вольт, т.е. нет ограничения по току. Ограничение дается только регулировкой выходного напряжения.
Параллельно нагрузочному резистору Rour 15 устанавливаем еще один резистор на 100 Ом и на осциллограмме хорошо видно увеличение длительности управляющего импульса, что приводит к увеличению времени накопления энергии в катушке индуктивности и ее последующая передача в нагрузку:

Также нетрудно заметить, что увеличение нагрузки увеличивает амплитуду напряжения на выводе 3, так как ток, протекающий через силовой транзистор, увеличивается.
Осталось посмотреть, что происходит на стоке в режиме стабилизации и при полном его отсутствии. Становимся синим лучом на стоке транзистора и снимаем напряжение обратной связи со светодиода. Осциллограмма очень нестабильна, потому что осциллограф не может определить, с каким фронтом он должен синхронизироваться - после импульса это довольно приличный «индуктор» самоиндукции. В результате получилась следующая картина.

Напряжение на нагрузочном резисторе тоже меняется, но гифку делать не буду - страница оказалась довольно «загруженной», поэтому со всей ответственностью заявляю, что напряжение на нагрузке равно напряжению максимальное значение на картинке выше минус 0.5 вольт.

ИТОГИ

UC3845 - универсальный самореагирующий драйвер для одноцикловых преобразователей напряжения, может работать как в обратноходовых, так и в линейных преобразователях.
Может работать в релейном режиме, может работать в режиме полноценного ШИМ-стабилизатора напряжения с ограничением тока. Это ограничение, так как при перегрузке микросхема переходит в режим стабилизации тока, величина которого определяется разработчиком схемы. На всякий случай небольшая табличка зависимости максимального тока от номинала токоограничивающего резистора:

I, A 1 1,2 1,3 1,6 1,9 3 4,5 6 10 20 30 40 50
R Ом 1 0,82 0,75 0,62 0,51 0,33 0,22 0,16 0,1 0,05 0,033 0,025 0,02
2 х 0.33 2 х 0,1 3 х 0,1 4 х 0,1 5 х 0,1
P, w 0,5 1 1 1 1 2 2 5 5 10 15 20 25

Для полной стабилизации напряжения ШИМ микросхеме нужна нагрузка, потому что она использует пилообразное напряжение для сравнения с управляемым напряжением.
Стабилизация напряжения может быть организована тремя способами, но для одного из них требуется дополнительный транзистор и несколько резисторов, а это противоречит формуле МЕНЬШЕ ДЕТАЛЕЙ - БОЛЬШЕ НАДЕЖНОСТИ , поэтому два метода можно считать основными:
Использование встроенного усилителя ошибки В этом случае транзистор оптопары обратной связи соединен коллектором с опорным напряжением 5 вольт (вывод 8), а эмиттер подает напряжение на инвертирующий вход этого усилителя через резистор OS.Этот метод рекомендуется более опытными разработчиками, так как при большом коэффициенте усиления усилителя он может быть возбужден.
Без использования встроенного усилителя ошибки. В этом случае коллектор регулирующей оптопары подключается непосредственно к выходу усилителя ошибки (вывод 1), а эмиттер подключается к общему проводу. Вход усилителя ошибки также подключается к общему проводу.
Принцип работы ШИМ основан на контроле среднего значения выходного напряжения и максимального значения тока.Другими словами, если нагрузка уменьшается, выходное напряжение увеличивается, а амплитуда пилы на токоизмерительном резисторе уменьшается, а длительность импульса уменьшается до тех пор, пока не будет восстановлен потерянный баланс между напряжением и током. При увеличении нагрузки регулируемое напряжение уменьшается, а ток увеличивается, что приводит к увеличению длительности управляющих импульсов.

Организовать стабилизатор тока на микросхеме достаточно просто, а контроль протекающего тока контролируется на каждом цикле, что полностью исключает перегрузку силового каскада при правильном выборе силового транзистора и тока- ограничивающий, а точнее измерительный резистор, установленный на истоке полевого транзистора.Именно это сделало UC3845 наиболее популярным в конструкции бытовых сварочных аппаратов. У
UC3845 довольно серьезные «грабли» - производитель не рекомендует использовать микросхему при отрицательных температурах, поэтому при изготовлении сварочных аппаратов логичнее будет использовать UC2845 или UC1845, но последние в некотором дефиците. UC2845 немного дороже UC3845, не так катастрофично, как указывали отечественные продавцы (цены в рублях на 1 марта 2017 г.).


Частота микросхем ХХ44 и ХХ45 в 2 раза меньше тактовой частоты, а наполнение кофе не может превышать 50%, то для преобразователей с трансформатором это наиболее выгодно.Но лучше всего для стабилизаторов ШИМ подходят микросхемы ХХ42 и ХХ43, так как длительность управляющего импульса может достигать 100%.

Теперь, разобравшись с принципом работы этого ШИМ-контроллера, можно вернуться к конструкции сварочного аппарата на его основе ...

в списке 10 лучших w9nk95z и получите бесплатную доставку

W9NK90Z Datasheet (PDF) - STMicroelectronics Электронные компоненты Datasheet Поиск Выбранный язык Английский ▼ Английский Китайский Немецкий Японский Русский Корейский Испанский Французский Итальянский Португальский Польский Название детали Включено начало с описанием W9NK90Z Datasheet (PDF) - STMicroelectronics Нет.W9NK90ZЗагрузить W9NK90Z Щелкните для просмотра Размер файла 577,99 КбайтСтраница 16 Pages Maker Домашняя страница STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] http: //www.st.comLogo Description N-CHANNEL 900V - 1.1Ohm - 8A - TO-220 / FP-D2PAK-TO-247 Zener SuperMESH MOSFET W9NK90Z Datasheet (HTML) - STMicroelectronics Сопутствующая электроника Номер детали Номер детали Описание компонентов HTML View ПроизводительSTW12NK90ZN-CHANNEL 900 В - 0,72 Ом - 11A TO-247 Защищенный стабилитроном SuperMESH Power MOSFET 1 2 3 49021ohm - 26A Max247 MOSFET SuperMESH с защитой от стабилитрона 1 2 3 4 5 MoreSTMicroelectronicsSTB10NK60ZN-канал 600 В - 0,65 Ом - 10 A - I2 / D2PAK - TO-220 / FP - TO-247 Защищенный от стабилитрона SuperMESH TM Power MOSFET 1 2 3lect 4 5NWMicroelectronics -КАНАЛ 500 В - 0,10 Ом - 26 А TO-247 Силовой МОП-транзистор MDmesh TM с защитой от стабилизации 1 2 3 4 5 Подробнее STMicroelectronicsSTB5NK50Z-1N-КАНАЛ 500 В-1.22 Вт-4.4ATO-220 / FP / DPAK / IPAK / I2PAK Защищенный от стабилитрона силовой МОП-транзистор SuperMESH 1 2 3 4 5 MoreSTMicroelectronicsNTD4815NHPower MOSFET 30 В 35 A Одноканальный N-канальный DPAK / IPAK 1 2 3 4 5 MoreON Semiconductor2SK3600-01LN-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 1 2 3 4 Fuji ElectricIXTQ50N20PPolarHT Power MOSFET Mode 1 N-Channel Enhancement 5 N-Channel Power MOSFET Mode 1 N-Channel Power 4 Power MOSFET Mode 1 N-Channel Power 4 Enhancement Mode 5 N- IXYS Corporation 2SK3604-01LN-КРЕМНИЙ МОП-транзистор питания 1 2 3 4 Fuji ElectricSTB11NM60FDN-канал 600 В - 0.40OHM - 11A - TO-220 / TO-220FP / D2PAK / I2PAK FDmesh TM Power MOSFET с быстрым диодом 1 2 3 4 5 MoreSTMicroelectronicsDatasheet Page 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 Ссылка URL Помогает ли ALLDATASHEET ваш бизнес до сих пор? [ПОЖЕРТВОВАТЬ] Об Alldatasheet | Реклама | Загрузить брошюру | Свяжитесь с нами | Политика конфиденциальности | Закладка | Обмен ссылками | Список производителей Все права защищены © Alldatasheet.com 2003-2018 Зеркальные сайты Английский: Alldatasheet.com, Alldatasheet.чистая | Китайский: Alldatasheetcn.com | Немецкий: Alldatasheetde.com | Японский: Alldatasheet.jp | Русский: Alldatasheetru.com Корейский: Alldatasheet.co.kr | Испанский: Alldatasheet.es | Французский: Alldatasheet.fr | Итальянский: Alldatasheetit.com | Португальский: Alldatasheetpt.com | Польский: Alldatasheet.pl Информация о расположении выводов полупроводников W9NK95Z - STW9NK95Z Размещено 10 мая 2017 г. пользователем Распиновка Номер детали: W9NK95Z Функция: STW9NK95Z Производители: STMicroelectronics Изображения: 1 страница 2 страницы Описание: STW9NK95Z 1 канал 950 В -.15 Ом - 7 А - TO-247 Силовой МОП-транзистор SuperMESHTM с защитой от стабилитрона Характеристики Тип STW9NK95Z VDSS RDS (вкл.) Макс. ID 950 В 3 страницы Техническое описание W9NK95Z Эта запись была размещена в Без рубрики. Добавьте в закладки постоянную ссылку.Навигация по записям ← Предыдущее сообщениеСледующее сообщение → Последние сообщения h36M11001BAR Datasheet PDF - 1GB e-NAND Memory CV203 Datasheet PDF - Car Radio Audio Amplifer BP2836 Datasheet - Неизолированный Buck Offline LED Driver 25P40VP Datasheet - 4 Мбит, последовательная флэш-память - ST SSC3S111 Datasheet PDF - PWM Controller, SOP7 SPHE8202TQ Datasheet - DVD Single Chip - Sunplus RTL8111G Datasheet - 10/100 / 1000M Ethernet Controller ArchivesАпрель 2019Март 2019Февраль 2019Январь 2019Декабрь 2018Ноябрь 2018Июнь 201818Июнь 2018Июнь 2018Июнь 2018Июнь 2018comDataSheetsPDF.comНовый список обновленийПоиск блогов Искать: MetaLog inEntries RSSComments RSSWordPress.org @ DataSheetCafe.com | Политика конфиденциальности | Свяжитесь с нами | Карта сайтаОпубликовано 14 октября 2017 г. Diode W9NK95Z Datasheet PDF узнать больше. Номер детали: W9NK95Z Функции: Это разновидность полупроводника. Расположение контактов: Информация о пакете: Производитель: STMicroelectronics Изображение: Текст в файле PDF: STW9NK95Z N-канал 950 В - 1,15 Ом - 7 А - TO-247 Силовой МОП-транзистор SuperMESHTM с защитой стабилитрона Характеристики Тип STW9NK95Z VDSS RDS (on) Макс ID 950 V Описание Серия SuperMESH ™ получена путем предельной оптимизации хорошо зарекомендовавшей себя ленточной компоновки PowerMESH ™ компании ST.В дополнение к значительному снижению сопротивления включения, особое внимание уделяется обеспечению очень хорошей способности dv / dt для самых требовательных приложений. 3 2 1 TO-247 Рисунок 1. Внутренняя принципиальная схема Таблица 1. Краткое описание устройства Код заказа STW9NK95Z Маркировка 9NK95Z Упаковка TO-247 Тубус упаковки Июль 2008 г. Ред. 2 1/12 www.st.com 12 Содержание Содержание STW9NK95Z 1 Электрические характеристики. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 2 Электрические характеристики. .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 2.1 Электрические характеристики (кривые). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 3 Тестовые цепи. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 4 Механические характеристики корпуса. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 5 История изменений. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 2/12 STW9NK95Z 1 Электрические характеристики Таблица 2.Абсолютные максимальные характеристики Символ Параметр VDS VGS ID ID IDM (1) PTOT Напряжение стока-истока (VGS = 0) Напряжение затвор-исток Ток стока (непрерывный) при TC = 25 ° C Ток утечки (непрерывный) при TC = 100 ° C Сток ток (импульсный) Суммарное рассеивание при TC = 25 ° C Коэффициент снижения мощности Vesd (GS) GS ESD (HBM C = 100 пФ, R = 1,5 кОм) dv / dt (2) Наклон напряжения восстановления пикового диода TJ Рабочая температура перехода Tstg Температура хранения 1. Ширина импульса ограничена безопасной рабочей зоной 2. ISD ≤ 7 A, di / dt ≤ 10 […] W9NK95Z PDF-файл Эта запись была размещена в Без рубрики.Добавьте в закладки постоянную ссылку. Навигация по записям ← Предыдущее сообщениеСледующее сообщение → Поиск по блогам Искать: Последние сообщения K13A65U PDF Datasheet - TK13A65U - 650V, TO-220 NAS600 Datasheet - Винт / цилиндрическая головка PIC16F721 - 20-контактный флэш-микроконтроллер S16C45C - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS ILQ3 PDF Datasheet - , Фототранзистор 15F204EA - STC15F204EA FSF05A60 Datasheet - 5A, 600V, Diode PL9823 - Shift Register Programmable RGB LED Lamp Archives April 2019October 2018September 2018August 2018July 2018June 2018May 2018April 2018April 2018March 2018Feb February 2018Jann2015 Datasheet39comDatasheetspdf.com Мета Вход Записи RSS Комментарии RSS WordPress.org @ DatasheetGo.com | Политика конфиденциальности | Свяжитесь с нами | Файлы Sitemap: 1, 7, 15, NewSTW9NK95Z Предварительный просмотр недоступен! STW9NK95ZN-канал 950 В - 1,15 Ом - 7 А - TO-247 Силовой полевой МОП-транзистор SuperMESHTM с защитой от Зенера Характеристики Тип STW9NK95ZVDSSRDS (вкл.) MaxID950 В Ω 7 APw160 Вт Данная серия получена путем экстремальной оптимизации хорошо зарекомендовавшей себя схемы PowerMESH ™ ST на основе полосы.В дополнение к значительному снижению сопротивления при включении, особое внимание уделяется обеспечению очень хорошей совместимости dv / dt для самых требовательных приложений. 321TO-247 Рисунок 1. Внутренняя принципиальная схема Таблица 1. Краткое описание устройства Код заказа STW9NK95ZМаркировка9NK95ZPackageTO-247PackagingTube Июль 2008Rev 21/12 www.stronics.com12 Лист данных электронных компонентов W9NK95Z Лист данныхSTW9NK95Z Предварительный просмотр недоступен! ContentsContentsSTW9NK95Z1 Электрические характеристики. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32 Электрические характеристики. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42.1 Электрические характеристики (кривые). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63 Тестовые схемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84 Механические характеристики упаковки. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 История изменений. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112/12 Номер детали W9NK95Z Описание STW9NK95Z Maker STMicroelectronics Всего страниц в формате PDF Загрузить W9NK95Z Datasheet PDF Посмотреть PDF для мобильного аналогичный Datasheet1W9NK95ZSTW9NK95ZSTMicroelectronics N O P Q R S T U V W X Y ZКарта сайтаWebmaste! нажмите здесьСвяжитесь с намиКупить компонентыПолитика конфиденциальностиЦена: 3 доллара США.53 / партия (4 шт. / Лот, 0,80 долл. США / шт.) Цена со скидкой: 3,18 долл. США / партия -10% Осталось 4 дня Доставка: до расчетного срока доставки: дней Пожалуйста, выберите страну, в которую вы хотите отправить товар. Услуги: Количество: лот () Purchases are limited to Извините, текущий товар распродан. Общая цена: зависит от выбранных вами свойств продукта (приблизительно). Этот продукт не может быть доставлен в выбранный регион. Купить сейчасДобавить в корзину Добавить в список желаний Купон для нового пользователя: Продвижение в магазине: Политика возврата Возврат принимается, если продукт не соответствует описанию, покупатель оплачивает стоимость обратной доставки; или оставьте товар себе и договоритесь о возмещении с продавцом.Просмотреть подробности Гарантии продавца: Своевременная Доставка, дни Полный возврат средств, если продукт не получен в течение дней Оплата: Наведите курсор на, чтобы увеличить Подробнее о продукте Отзывы (0) Доставка и оплата Гарантии продавца Сообщить о товаре Сведения о товаре Фирменное наименование: Si Tai & SH Тип: Логика Состояние ИС: Новое Напряжение питания: В Мощность рассеивания: Вт Номер модели: W9NK95Z 9NK95Z STW9NK95Z MOS Применение: IC Описание продукта Детали упаковки Тип блока: партия (4 шт. / Лот) Вес упаковки: 0,01 кг (0,02 фунта) Размер упаковки: 10 см х 10 см х 10 см (3.94 x 3,94 x 3,94 дюйма) Доставка Рассчитайте стоимость доставки по стране / региону и количеству. Количество: Доставка: Детали упаковки Тип блока: партия (4 шт. / Лот) Вес упаковки: 0,01 кг (0,02 фунта) Размер упаковки: 10 см x 10 см x 10 см (3,94 дюйма x 3,94 дюйма x 3,94 дюйма) Оплата Мы поддерживаем следующее Способы оплаты. Больше продуктов, продаваемых Si Tai & SH Circuit IC Store Китай Подробные рейтинги продавца Работает: 3 года Посетите магазин Следить за Связаться с продавцом Связаться сейчас Помощь Служба поддержки клиентов, споры и сообщения, защита покупателей, сообщение о нарушении прав интеллектуальной собственности Многоязычные сайты AliExpress Русский, Португальский, Испанский, французский, немецкий, итальянский, голландский, турецкий, японский, корейский, тайский, вьетнамский, арабский, иврит, польский Просмотр по категориям Все популярные, продукт, продвижение, низкая цена, отличное качество, обзоры Alibaba Group Веб-сайт Alibaba Group, AliExpress, Alimama, Alipay, Fliggy, Alibaba Cloud, Alibaba International, AliTelecom, DingTalk, Juhuasuan, Taobao Marketplace, Tmall, Xiami, AliOS, 1688 Google PlayApp Store Защита интеллектуальной собственности - Политика конфиденциальности - Карта сайта - Условия использования - Руководство по соблюдению правопорядка © 2010 -2019 AliExpress.com. Все права защищены.

Загрузите ШАБЛОНЫ ПАСПОРТА P4NK80Z на matte.deibel.store

Загрузите ШАБЛОНЫ ПАСПОРТА P4NK80Z на matte.deibel.store

Губчатые резиновые ленты серии P8000. Губчатые резиновые ленты P8000 имеют чувствительный к давлению акриловый клей с одной стороны с разделительной пленкой для легкого нанесения. P8000 представляет собой пенопластовую ленту средней плотности с открытыми порами, которая обеспечивает длительный срок службы в самых разных областях применения, высокую степень сжатия с быстрым восстановлением, а также превосходные термические и противоскользящие свойства.

p4nk80z шаблоны листов данных
Технический паспорт 4N80 (PDF) 1.1.pdf Размер: 1294K _update STD4N80K5, STF4N80K5, STP4N80K5, STU4N80K5 N-канал 800 В, тип 2.1, силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh K5 на 3 A в корпусах DPAK, TO-220FP, TO-220 и IPAK Техническое описание - производственные данные Характеристики ВКЛАДКА Заказать код VDS RDS (on) max P4NK80Z - STP4NK80Z - STMicroelectronics 5 Механические данные упаковки. 6 История изменений. STP4NK80Z - STP4NK80ZFP STD4NK80Z - STD4NK80Z-1. N-канал 800 В - 3 - - TO-220 / TO-220FP / DPAK / IPAK Zener - Защищенный полевой МОП-транзистор SuperMESH. Общие черты. STP4NK80Z STP4NK80ZFP P4nk80z техническое описание, перекрестная ссылка, схемы и примечания по применению в формате pdf. P6NK90Z Datasheet, P6NK90Z PDF, P6NK90Z Data sheet, P6NK90Z manual, P6NK90Z pdf, P6NK90Z, datasheet.80. 40 P4NK80Z. Трубка. STP4NK80ZFP. ТО-220ФП. STD4NK80ZT4. ДПАК. Катушка. СТД4НК80З-1. ИПАК. Трубка

P5NK80ZFP N-канал 800 В - 1,9 - 4,3 A - To-220 / to-220fp Supermesh Power Mosfet с защитой от стабилитрона 100% лавинно протестированный заряд затвора минимизирован. схемы и указания по применению в формате pdf. p4nk80z N-КАНАЛ 800V - 3 - TO-220TO-220FPDPAKIPAK. Информация о перекрестных ссылках Intersils основана на данных oracle pdf ppt, полученных из нескольких отраслевых источников.Защищено стабилитроном. Номер заказа PDF, Mfg, Pack, DC, Descrpion.

Таблица данных P5NK80ZFP, таблицы данных P5NK80ZFP, P5NK80ZFP pdf, схема P5NK80ZFP: STMICROELECTRONICS - N-канал 800 В - 1,9? - 4.3A - TO-220 / TO-220FP SuperMESH с защитой от стабилитрона? Силовой полевой МОП-транзистор, все данные, технические данные, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников 1 Таблица электрических характеристик Абсолютные максимальные номинальные значения Символ Параметр Значение Единица D2PAK, TO-220, TO-247 TO-220FP VDS Напряжение сток-исток 900 В VGS Напряжение затвор-исток V ID Ток стока (непрерывный) при TC = C 5.8 5,8 (1) A ID Ток стока (непрерывный) при TC = 100 C 3,65 3,65 (1) A IDM (2) Ток утечки (импульсный) 23,2 23,2 A PTOT Общее рассеивание при TC = C 140 Вт Крупнейший производитель прототипов печатных плат в Китае , предлагает часы Quick Turn прототип печатной платы и надежное мелкосерийное производство печатных плат En, чтобы обеспечить очень хорошие характеристики dv / dt для. самые требовательные приложения. Такая серия дополняет полный спектр высоковольтных полевых МОП-транзисторов ST в

MMF80R900P Лист данных. n Абсолютный максимальный рейтинг (Tc = 25, если не указано иное).Параметр Напряжение истока стока Напряжение источника затвора
NXP и Garmin объединились, чтобы обеспечить безопасные и удобные мобильные платежи NFC для новых носимых фитнес-устройств НОВОСТИ ПАРТНЕРА NXP «Компания Garmin выбрала встроенный элемент безопасности NXP PN80T и решение NFC.« Сотрудничая с NXP, мы можем лучше обеспечить идеальный образ жизни в дороге нашим клиентам », - сказал Дэн Бартель, вице-президент Garmin по продажам во всем мире. P4NK80ZFP STP4NK80ZFP Техническое описание компонентов pdf техническое описание БЕСПЛАТНО из Datasheet4U.com Техническое описание (техническое описание) поиск интегральных схем (ИС), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы , транзисторы и диоды 1/9 TARGET DATA April 2002 STP4NK60Z - STP4NK60ZFP STD4NK60Z N-CHANNEL 600V - 1.8 - 13A TO-220 / TO-220FP / DPAK Силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона

5PCS STP5NK80ZFP P5NK80Z TO220 STP5NK80Z TO-220 STP5NK80 package N-channel original authentication.7 (3 голоса (ов)) Магазин: shenzhen IC store

P5NK80Z datasheet, P5NK80Z datasheets, P5NK80Z pdf, P5NK80Z схема: STMICROELECTRONICS - N-канал 800V - 1.9? - 4.3A - TO-220 / TO-220FP SuperMESH с защитой от стабилитрона? Силовой полевой МОП-транзистор, все данные, технические данные, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников

P4NK80Z Hoja de datos, P4NK80Z datasheet, STMicroelectronics - STP4NK80Z, Hoja T cnica, P4NK80Z pdf, dataark, wiki, arduino, Regularador, Amplificador, март 2015 г. и произведения искусства.Скачать бесплатные шаблоны технических данных P4NK80Z datasheet STMicroelectronics; Search -> STP4NK80Z Datasheet - производственные данные Рисунок Внутренняя схематическая диаграмма Характеристики 100% лавинные испытания Очень низкая внутренняя емкость Защищенные от Зенера Приложения Переключающие приложения Описание Эти устройства представляют собой N-канальные силовые МОП-транзисторы с защитой Зенера, разработанные с использованием STMicroelectronics 'Технология SuperMESH,

MOSFET STMicroelectronics P4NK80Z доступны в Mouser Electronics. Mouser предлагает инвентарь, цены и спецификации для STMicroelectronics P4NK80Z

P4NK80Z STMicroelectronics datasheet pdf data sheet БЕСПЛАТНО Datasheets (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как
STB10NK60Z, STP10NK60Z, STP10NK60ZFP, STW10NK60Z N-канал 600 В, 0.65 тип., Силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH в корпусах I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Техническое описание - производственные данные Характеристики TAB RDS (on) Тип VDSS ID Pw max TAB 3 3 2 STB10NK60Z-1 600 В 0,75 A 115 Вт 2 1 1 TO-220FP STB10NK60ZT4 600 В 0,75 A 115 Вт I2PAK STP10NK80Z, STP10NK80ZFP, STW10NK80Z. N-канал 800 В, 0,78 9 A Силовые полевые МОП-транзисторы SuperMESH с защитой от стабилитрона в корпусах TO-220, TO-220FP и TO-247. Даташит производственных данных. ВКЛАДКА МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ TO-247 Продажи дистрибьютора: P4NK60ZFP ST, P4NK80Z, P4P1GRR2000
P4NK80Z Лист данных, P4NK80Z PDF.Система поиска электронных компонентов и полупроводников. Технический паспорт P4NK80Z, все данные, бесплатно, каталог данных. P4NK80Z детали
Номер детали: F3NK80Z, STF3NK80Z Загрузите последние версии драйверов, программного обеспечения, микропрограмм и средств диагностики для своих продуктов HP с официального веб-сайта службы поддержки HP. 7 STP10NK80ZFP - STP10NK80Z - STW10NK80Z Электрические характеристики Рисунок Выходные характеристики Рисунок Передаточные характеристики Рисунок Крутизна Рисунок 10. Статический сток-источник по сопротивлению Рисунок 11.Заряд затвора в зависимости от напряжения затвор-исток Рисунок 12 Лист данных C5885 Vcbo = 1500 В, NPN-транзистор Panasonic RJP63F3 Лист данных Nch IGBT, Vces = 630 В Renesas K3667 Лист данных 600 В, N-канальный MOSFET Toshiba
P4NK80Z P4NK80ZFP.d4nk техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению opm71 в формате pdf в формате pdf. P4NK80Z P4NK80ZFP P4NK80ZFP D4NK80Z D4NK80Z ПАКЕТ TO-220 15, d501-l7805 - 5 d652-1253 3
P4N80E MTP4N80E Техническое описание компонентов pdf техническое описание БЕСПЛАТНО из Datasheet4U.com Техническое описание (техническое описание) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды

KSZ8061 Исправления в кремнии и пояснения к данным 274 КБ.Поддерживающее обеспечение. KSZ8061MNG, эталонный дизайн.zip, 411 КБ. KSZ8061MNX, эталонный дизайн.zip, 407 КБ. KSZ8061RNB, эталонный дизайн.zip, 409 КБ. KSZ8061RND, эталонный дизайн.zip Август 2006 г. Rev 41 / 1515STP5NK80ZSTP5NK80ZFPN-канал 800 В - 1,9 - 4,3 A - TO-220 / TO-220FP Силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH с защитой Зенера Общие функции Поиск в технических описаниях, технических описаниях, сайте поиска интегральных схем электронных компонентов, полупроводников и электронных компонентов и другие полупроводники P4NK80Z Datasheet PDF: Описание Серия SuperMESH получена в результате предельной оптимизации хорошо зарекомендовавшей себя ленточной компоновки PowerMESH компании ST.Помимо значительного снижения сопротивления при включении, особое внимание уделяется обеспечению очень хорошей способности dv / dt для большинства

  • MOSFET STMicroelectronics P5NK80Z можно приобрести в Mouser Electronics. Mouser предлагает инвентарь, цены и спецификации для STMicroelectronics P5NK80Z MOSFET
  • Обсуждения; Члены; О; Помощь; Войти; Регистр; Дома; Категории обсуждения; Сохранение Звездных войн; Проект 4K80 Автор Williarob Дата 11 ноября 2018 г. 57 AM Автор
  • STP4NK80Z - STP4NK80ZFP - STD4NK80Z - STD4NK80Z-1.Электрические характеристики (tcase = 25 C, если не указано иное) вкл / выкл
  • ПРИМЕЧАНИЕ. Таблицы данных обновляются по мере необходимости, и поэтому спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления. После распечатки или загрузки таблицы данных больше не контролируются Aimtec; последние технические характеристики продукта см. на сайте www.aimtec.com.
  • Посетите Cricklewood Electronics, чтобы узнать о профессиональных системах видеонаблюдения, обеспечивающих полную безопасность домовладельца. Мы предлагаем высококачественные системы видеонаблюдения для дома
  • .
  • 1 шт. P7NK80ZFP STP7NK80ZFP MOSFET N N-CH 800V 5.2A TO-220FP: МОП-транзисторы: Amazon.com: Industrial & Scientific
  • STMicroelectronics P4NK80Z MOSFET доступны в Mouser Electronics. Mouser предлагает инвентарь, цены и спецификации для STMicroelectronics P4NK80Z MOSFET
IWP5NK80Z. Динамические характеристики. Обозначение Параметр
  • Платформа электронного прототипирования с открытым исходным кодом, позволяющая пользователям создавать интерактивные электронные объекты
  • Производитель электроники, номер детали, техническое описание, описание электроники.STMicroelectronics, STP4NK80Z, N-КАНАЛ 800 В - 3 Ом - 3 А
  • Номер детали: Описание компонентов: Вид в формате HTML: Производитель: STW26NM50: N-CHANNEL 500 В - 0,10 Ом - 26 А TO-247 Силовой МОП-транзистор MDmesh TM с защитой стабилитроном: 1 2 3 4 5 Подробнее
KSZ8061 Исправления в кремнии и пояснение к листам данных 274 КБ. Поддерживающее обеспечение. KSZ8061MNG, эталонный дизайн.zip Техническое описание транзисторов STP5NK80Z, эквивалент STP5NK80Z, спецификации в формате PDF 27 сен 2013 Узнайте, как разделение создания контента и дизайна шаблона позволяет творческим профессионалам сосредоточиться на дизайне без компромиссов, в то время как

Индекс продукции Полевые транзисторы для дискретных полупроводников - одиночный P4NK80Z

  • NXP и Garmin объединились, чтобы обеспечить безопасные и удобные мобильные платежи NFC для новых носимых устройств для фитнеса НОВОСТИ ПАРТНЕРА NXP Компания Garmin выбрала встроенный элемент безопасности PN80T NXP и решение NFC
  • P4NK60ZFP (STP4NK60ZFP), P4NK80Z, P4NK80ZFP Покупатели, лист данных.MFG: SGS Package Cooled: TO-220 D / C: 2006
  • Мгновенно загрузить бесплатный шаблон технического описания продукта, образец и пример в Microsoft Word (DOC), Adobe Photoshop (PSD), Adobe InDesign (INDD и IDML),
Emerson Climate - ZP24K5E-PFV-800 - 24 000 БТЕ, спиральный компрессор, масло POE, 1 фаза, 208/230 Вольт STD4NK80Z-1 D4NK80Z Трубка IPAK www.DataSheet4U.com www.DataSheet4U.com Содержание Предупреждение Во избежание повреждения или поражения электрическим током, использовать в пределах номинальных значений и в сухих (без конденсации) условиях.Во избежание поражения электрическим током пользователь 80K-6 должен иметь максимальное разрешение до 8 мегапикселей. 3840 2160 @ 20 кадров в секунду Фиксированный объектив 2,8 мм H.265, H.265 +, H.264 +, H.264 120 дБ
16 августа 2006 г. 4 Новый шаблон, без изменений содержимого. STP5NK80Z - STP5NK80ZFP 15/15 Внимательно прочтите:
  • Просмотреть таблицы Характеристики: Однокристальный приемопередатчик Ethernet 10Base-T / 100Base-TX, совместимый с IEEE 802.3; поддержка интерфейса MII (KSZ8081MNX) RMII v1.2 поддержка Интерфейс с выходом опорного тактового 50МГц к MAC, и опции для ввода опорного 50МГц часы (KSZ8081RNB) RMII ГОРА Puffin СОВРЕМЕННАЯ КЛАССИКА поддержка режима извед-назад для медного повторителя 100 Мбит
  • Это информация о продукте, который находится в стадии производства.Март 2012 г. Doc ID 8911 Ред. 7 1/17 STP10NK80Z, STP10NK80ZFP, STW10NK80Z N-канал 800 В, 0,78 9 A SuperMESH
  • с защитой от стабилитрона Транзисторы
  • 373 f3nk80z выставлены на продажу поставщиками на Alibaba.com, из которых интегральные схемы составляют 1%. Большой выбор
  • STP4NK80Z производитель: N-канал 800 В - 3 Ом - TO-220 / TO-220FP / dpak / ipak сверхрешеточный силовой полевой МОП-транзистор с защитой от стабилизации напряжения
  • Ваши требуемые страницы не могут быть открыты ударом Причина: Подключите эти страницы через прямую глубокую ссылку.alldatasheet.com - сайт бесплатного поиска по таблицам данных. Вы можете использовать техническое описание всех полупроводников в Alldatasheet, без комиссии и без регистра
  • Готовых бесплатных шаблонов дизайна. Создавайте привлекательные таблицы данных быстро и по доступной цене с помощью этого бесплатного редактируемого макета для Adobe InDesign, Illustrator,
  • .
  • P4nk80z pdf P4nk80z pdf P4nk80z pdf СКАЧАТЬ! ПРЯМОЕ СКАЧИВАНИЕ! P4nk80z pdf Таблица данных Tube.P4NK80Z, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. p4nk80z N-КАНАЛ 800V - 3 - TO-220TO-220FPDPAKIPAK.Информация о перекрестных ссылках Intersils основана на данных oracle pdf ppt, полученных из нескольких отраслевых источников
Производственные данные таблицы Характеристики 28-сен-2005 6 Новый шаблон, содержание не изменено 15-мар-2012 7 Контент переработан для улучшения читаемости. Незначительные изменения текста на титульной странице. Обновленная таблица Обновленный раздел Механические данные пакета. STP10NK80Z, STP10NK80ZFP, STW10NK80Z Техническое описание - производственные данные Рисунок Внутренняя схематическая диаграмма диапазона высоковольтных полевых МОП-транзисторов, включая характеристики Код заказа V DS R DS (вкл.) Макс.ID STD3NK80Z-1 800 В 4,5 2,5 A STD3NK80ZT4 800 В 4,5 2,5 A STF3NK80Z 800 В 4,5 2,5 A STP3NK80Z 800 В 4,5 2,5 A P4NK80Z datasheet, P4NK80Z PDF, STMicroelectronics - STP4NK80Z, pdf, STPKDN80 - Электрические характеристики STP4NK80Z 5/18 2 Электрические характеристики (TCASE = 25 C, если не указано иное) Таблица Состояния включения / выключения Обозначение Параметр Условия тестирования Мин. Блок STMicroelectronics P4NK80Z STP4NK80Z.DataSheet4U.com STP4NK80Z - STP4NK80ZFP STD4NK80Z - STD4NK80Z-1 N-канал 800V - 3 - 3A Номер детали: Описание компонентов: Просмотр HTML: Производитель: STL5NK65Z: N-CHANNEL 650V - 1.Силовой МОП-транзистор SuperMESH, 5 Ом, 4,2 А, PowerFLAT, защищенный стабилитроном: 1 2 3 Резюме: STD4NK80Z-1 STD4NK80Z-1 МАРКИРОВКА P4NK80Z P4NK80ZFP.d4nk80z техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. P4NK80Z P4NK80Z 0091 Практический тест P P4NK80ZFP D4NK80Z D4NK80Z ПАКЕТ TO-220.P4NK80ZFP. 3A800V 5R 25W TO220-3 FP Номер команды: 165943, O, RoHS. Mai multe informa ii: P4NK80ZFP.pdf Транзистор 1 2 3 TO-247 1 2 3 TAB TO-220 1 3 TAB D PAK2 1 2 3 TO-220FP D (2, TAB) G (1) S (3) AM01475V1 Характеристики Коды для заказа VDS R DS (on) макс.ID STB6NK90ZT4 900 V 2 5,8 A STP6NK90Z STP6NK90ZFP STW7NK90Z Используйте бесплатный DeepL Translator, чтобы переводить свои тексты с помощью лучшего доступного машинного перевода, основанного на ведущей в мире технологии нейронных сетей DeepL. В настоящее время поддерживаются следующие языки: английский, немецкий, французский, испанский, португальский, итальянский, голландский, польский, русский, японский и STP5NK80Z Datasheet (PDF) 1.1. stp5nk80zfp.pdf Размер: 347K _upd STP5NK80Z STP5NK80ZFP N-канал 800 В - 1,9 - 4,3 А - TO-220 / TO-220FP Силовой МОП-транзистор SuperMESH с защитой от стабилитрона Общие характеристики Тип VDSS RDS (on) ID (@Tjmax) STP5NK80Z 800 В 2.4 4,3 A STP5NK80ZFP 800 В 2,4 4,3 A 3 2 Лавинные испытания 100% 1 Минимальный заряд затвора TO-220 TO-220FP Очень низкая собственная емкость Очень хорошо

16 августа 2006 г. 4 Новый шаблон, без изменений содержимого. STP5NK80Z - STP5NK80ZFP 15/15 Внимательно прочтите: информация в этом документе предоставляется исключительно в связи с продуктами ST. STMicroelectronics NV и ее дочерние компании («СТ») оставляют за собой право

  • Datasheet - производственные данные. Код заказа STD3NK80Z-1 STD3NK80ZT4 STF3NK80Z STP3NK80Z
  • Технический паспорт - производственные данные Рисунок Внутренняя схематическая диаграмма высоковольтных полевых МОП-транзисторов, включая Характеристики Код заказа V DS R DS (вкл.) Макс.I D STD3NK80Z-1 800 В 4,5 2,5 A STD3NK80ZT4 800 В 4,5 2,5 A STF3NK80Z 800 В 4,5 2,5 A STP3NK80Z 800 В 4,5 2,5 A Чрезвычайно высокая стойкость к dv / dt 100% лавинные испытания
  • P3NK80Z STP3NK80Z Техническое описание компонентов pdf техническое описание БЕСПЛАТНО из Datasheet4U.com Техническое описание (техническое описание) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды
  • Предложение P4NK80Z ST / от Kynix Semiconductor Hong Kong Limited Полевые транзисторы - одиночные
  • P5NK80Z N-канал 800В - 1.9 - 4,3 А - To-220 / to-220fp Мощный МОП-транзистор Supermesh с защитой от стабилитрона 100% испытан на лавину Заряд затвора минимизирован Очень низкая собственная емкость Очень хорошая воспроизводимость при производстве. Описание. Серия SuperMESHTM получена через экстремальный
  • Alldatasheet.com - это сайт бесплатного поиска по таблицам данных. Вы можете использовать техническое описание всех полупроводников в Alldatasheet, без комиссии и без регистрации. Если у вас есть какие-либо вопросы по поводу использования нашего сайта, пожалуйста, свяжитесь с [адрес электронной почты защищен] Мы всегда рады вашему контакту
  • P5NK80Z (), P5NK80Z Лист данных, P5NK80Z P5NK80Z PDF, P5NK80Z P5NK80Z
  • Flightradar24 - это глобальная служба отслеживания полетов, которая в режиме реального времени предоставляет вам информацию о тысячах самолетов по всему миру.Flightradar24 отслеживает 180000+ рейсов от 1200+ авиакомпаний в или из 4000+ аэропортов по всему миру в режиме реального времени
Для текущих устройств может существовать список ошибок, описывающий незначительные эксплуатационные отличия от таблицы данных и рекомендуемые обходные пути. Когда нам станет известно о проблемах с устройством / документацией, мы опубликуем список исправлений. В исправлении будет указана версия микросхемы и версия документа, к которому она применяется Техническое описание P4NK80ZFP, P4NK80ZFP PDF, P4NK80ZFP Распиновка, эквивалент, замена - STP4NK80ZFP - STMicroelectronics, схема, схема, ручной запрос STMicroelectronics STP4NK80Z: MOSFET N-CH 800V TO-220Zs datasheet, STPNK80s спецификации Номера деталей, ранее включенные в техническое описание DocID8882 22 января 2014 г. 2 - Изменено: рисунок на титульной странице - Незначительные изменения текста.STP4NK60Z, STP4NK60ZFP 16/16 DocID025020 Ред. 2 Внимательно прочтите: Информация в этом документе предоставлена ​​исключительно в связи с продуктами ST. STMicroelectronics NV и ее дочерние компании («СТ») оставляют за собой право

10,4 H 0,89.2. 6.80.45 Datasheet W9NK90Z STMicroelectronics Проектор Barco F80-4K9 обеспечивает потрясающие изображения с разрешением UHD с высоким уровнем детализации и очень насыщенными цветами, которые обеспечивают точную цветопередачу в любое время

N-канал 800В - 1,9? - 4.3A - TO-220 / TO-220FP SuperMESH с защитой от стабилитрона? Power MOSFET, P5NK80Z datasheet, P5NK80Z circuit, P5NK80Z Data Sheet: STMICROELECTRONICS, alldatasheet, datasheet, Datasheet, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников TAPEzpzp480 mm stpzpn480 stpzpn480 stpzpn480 pncn80 pnkpzp480 pncn80 pkpzpn80 mECHANIC80 to-220fp трубки std4nk80zt4 d4nk80z dpak tape & reel std4nk80z-1 d4nk80z ipak tube STP3NK80Z - STF3NK80Z STD3NK80Z - STD3NK80Z-1.N-КАНАЛ 800 В - 3,8 - 2,5 А TO-220 / FP / DPAK / IPAK SuperMESH с защитой стабилитроном

  • STB7NK80Z, STB7NK80Z-1, STP7NK80ZFP, STP7NK80Z. Прямая характеристика диода исток-сток
  • P4NK80Z STP4NK80Z datasheet, pdf предоставлен Datasheetspdf.com Datasheet, pdf Искать P4NK80Z
  • STD3NK80Z, STD3NK80Z-1, STF3NK80Z, STP3NK80Z. Таблица Лавинные характеристики. ИЗМЕРЕНИЕ И ОЦЕНКА ЗДОРОВЬЯ ДЛЯ Symbol
STP10NK80ZFP - STP10NK80Z - STW10NK80Z.Электрические характеристики. Рисунок Выходные характеристики PSNK80Z, техническое описание, PSNK80Z pdf, техническое описание PSNK80Z, техническое описание, техническое описание, pdf Технические данные P8NK80, P8NK80, технические данные, технические данные P8NK80, технические данные4U.com Power MOSFET, STP4NK80Z, техническое описание, STPRONK480Z, техническое описание STPRONK480Z, технические данные STP4NK480Z , Сайт поиска по техническим характеристикам электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

STP4NK80ZFP - STD4NK80Z - STD4NK80Z-1 Лавинные характеристики Символ IAR Лавинный ток, повторяющийся или непериодический (длительность импульса ограничена P4NK80Z - Найдите PDF-файл с техническими характеристиками, информацией об изготовителях оборудования и дистрибьюторах

KMZ80 - это программируемый магнитный датчик угла поворота, основанный на технологии AMR, с аналоговым выходом и выходом SENT и соответствующий ISO26262
IEC60947 Лист данных IEC60947) (В) Номинальное напряжение (A) Номинальный ток, август 2006 г. Rev 81/1818 STP4NK80Z - STP4NK80ZFPSTD4NK80Z - STD4NK80Z-1N-канал 800 В - 3 - - TO-220 / TO-220FP / D km070 Cook Chef Major robot da Cucina manu / IPAKZener - Защищенный полевой транзистор SuperMESH MOSFETGeneral имеет функции поиска в таблицах данных, таблицах данных, сайте поиска электронных компонентов и

матовый.deibel.store 136: 137: 138: 139: 140: 142: 143: 144: 145: 146: 141

Fet foto harga terbaik - Penawaran besar untuk fet foto dari penjual fet foto global di AliExpress

Промо-ролики Hot di Fet foto: Penawaran online terbaik dan diskon dengan ulasan pelanggan nyata.

Кабар байк! Anda berada di tempat yang tepat untuk fet foto.Sekarang Anda sudah tahu itu, apa pun yang Anda cari, Anda pasti akan menemukannya di AliExpress. Ками бенар-бенар memiliki ribuan produk hebat di semua kategori produk. Baik Anda mencari label high-end atau pembelian massal ekonomis yang murah, kami menjamin bahwa ini ada di AliExpress. Анда акан менемукан токо ресми унтук нама мерек берсама пенджуал дискон независимый кесил, ян семуанья менаваркан методе пенгириман чепат дан андал, серта ньяман дан аман, метод пембаяран, тидак педули берапа банйилиан янь анда пенджак.

AliExpress тидак акан пернах калах пада пилихан, куалитас дан харга. Setiap hari Anda akan menemukan penawaran baru, penawaran hanya online, diskon toko, dan peluang untuk lebih berhat dengan mengumpulkan kupon. Tetapi Anda mungkin harus bertindak cepat karena bagian atas ini fet foto diatur untuk menjadi salah satu penjual terbaik yang paling dicari dalam waktu singkat.Pikirkan betapa cemburunya teman Anda ketika Anda memberi tahuremeka bahwa Anda mendapatkan fet foto di AliExpress. Dengan harga terendah онлайн, tarif pengiriman murah, dan opsi koleksi lokal, Anda dapat melakukan penghatan yang lebih besar.

Jika Anda Masih Berpikiran dua tentang fet foto dan berpikir tentang memilih produk yang serupa, AliExpress adalah tempat yang tepat Untukmbandingkan harga dan penjual.Ками акан мембанту Анда унтук менгетахуи апаках иту лайак мембайар экстра унтук версии келас атас атау апаках Анда мендапаткан кесепакатан ян сама байкня денган мендапаткан баранг янь лебих мурах. Dan, jika Anda hanya ingin memperlakukan diri sendiri dan memercikkan versi yang paling mahal, AliExpress akan selalu memastikan Anda bisa mendapatkan harga terbaik untuk uang Anda, bahkan memberi memi tahu Anda kapan Anda Akan lebih.

AliExpress dengan bangga memastikan bahwa Anda selalu memiliki pilihan berdasarkan informasi ketika members dari satu dari ratusan toko dan penjual di platform kami. Setiap toko dan penjual dinilai untuk layanan pelanggan, harga dan kualitas oleh pelanggan nyata. Плюс Anda dapat mengetahui toko atau peringkat penjual Individual, sertambandingkan harga, pengiriman dan penawaran diskon pada produk yang sama denganmbaca komentar дан ulasan yang ditinggalkan oleh pengguna.Setiap pembelian diberi peringkat bintang dan sering mendapat komentar yang ditinggalkan oleh pelanggan sebelumnya yang menggambarkan pengalaman transaksimereka sehingga Anda dapatmbeli dengan keyakinan setiap saat. Singkatnya, Anda tidak perlu mengambil kata kami untuk itu - dengarkan saja jutaan pelanggan bahagia ками.

Дан, Джика Анда Бару Менгенал AliExpress, Ками Акан Члены Таху Анда Себуах Рахасия.Tepat sebelum Anda mengeklik ‘beli sekarang’ dalam proses transaksi, luangkan waktu sejenak untuk memeriksa kupon - дан Анда акан менгхат лебих баньяк лаги. Anda dapat menemukan kupon toko, kupon Aliexpress, atau Anda dapat mengumpulkan kupon setiap hari dengan bermain game di aplikasi AliExpress. Дан, Карена Себагиан Бесар Penjual Ками Menawarkan Pengiriman бесплатно - Ками Пикир Анда Акан Сетуджу Бахва Анда Мендапаткан Ини Фет фото ди Салах Сату Харга Тербайк онлайн.

Kami selalu mendapatkan teknologi terbaru, tren terbaru, dan label yang paling banyak dibicarakan.Di AliExpress, kualitas bagus, harga dan layanan datang sebagai standar - setiap saat. Mulai pengalaman belanja terbaik yang pernah Anda miliki, di sini.

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *