Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней IR2110 — объяснение и примеры схем

Быть может, после прочтения этой статьи вам не придётся ставить такие же по размерам радиаторы на транзисторы.
Перевод этой статьи.

Небольшое обращение от переводчика:

Во-первых, в данном переводе могут быть серьёзные проблемы с переводом терминов, я не занимался электротехникой и схемотехникой достаточно, но всё же что-то знаю; также я пытался перевести всё максимально понятно, поэтому не использовал такие понятия, как бутсрепный, МОП-транзистор и т.п. Во-вторых, если орфографически сейчас уже сложно сделать ошибку (хвала текстовым процессорам с указанием ошибок), то ошибку в пунктуации сделать довольно-таки просто.

И вот по этим двум пунктам прошу пинать меня в комментариях как можно сильнее.

Теперь поговорим уже больше о теме статьи — при всём многообразии статей о построении различных транспортных средств наземного вида (машинок) на МК, на Arduino, на <вставить название>, само проектирование схемы, а тем более схемы подключения двигателя не описывается достаточно подробно.

Обычно это выглядит так:
— берём двигатель
— берём компоненты
— подсоединяем компоненты и двигатель
— …
— PROFIT!1!

Но для построения более сложных схем, чем для простого кручения моторчика с ШИМ в одну сторону через L239x, обычно требуется знание о полных мостах (или H-мостах), о полевых транзисторах (или MOSFET), ну и о драйверах для них. Если ничто не ограничивает, то можно использовать для полного моста p-канальные и n-канальные транзисторы, но если двигатель достаточно мощный, то p-канальные транзисторы придётся сначала обвешивать большим количеством радиаторов, потом добавлять кулеры, ну а если совсем их жалко выкидывать, то можно попробовать и другие виды охлаждения, либо просто использовать в схеме лишь n-канальные транзисторы. Но с n-канальными транзисторами есть небольшая проблема — открыть их «по-хорошему» подчас бывает довольно сложно.

Поэтому я искал что-нибудь, что мне поможет с составлением правильной схемы, и я нашёл статью в блоге одного молодого человека, которого зовут Syed Tahmid Mahbub. Этой статьёй я и решил поделится.

Во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи верхнего уровня. Также во многих ситуациях мы должны использовать полевые транзисторы как ключи как и верхнего, так и нижнего уровней. Например, в мостовых схемах. В неполных мостовых схемах у нас есть 1 MOSFET верхнего уровня и 1 MOSFET нижнего уровня. В полных мостовых схемах мы имеем 2 MOSFETа верхнего уровня и 2 MOSFETа нижнего уровня. В таких ситуациях нам понадобится использовать драйвера как высокого, так и низкого уровней вместе. Наиболее распространённым способом управления полевыми транзисторами в таких случаях является использование драйвера ключей нижнего и верхнего уровней для MOSFET. Несомненно, самым популярным микросхемой-драйвером является IR2110. И в этой статье/учебнике я буду говорить о именно о нём.

Вы можете загрузить документацию для IR2110 с сайта IR. Вот ссылка для загрузки: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110.pdf

Давайте для начала взглянем на блок-схему, а также описание и расположение контактов:


Рисунок 1 — Функциональная блок-схема IR2110


Рисунок 2 — Распиновка IR2110


Рисунок 3 — Описание пинов IR2110

Также стоит упомянуть, что IR2110 выпускается в двух корпусах — в виде 14-контактного PDIP для выводного монтажа и 16-контактного SOIC для поверхностного монтажа.

Теперь поговорим о различных контактах.

VCC — это питание нижнего уровня, должно быть между 10В и 20В. VDD — это логическое питание для IR2110, оно должно быть между +3В и +20В (по отношению к VSS). Фактическое напряжение, которое вы выберете для использования, зависит от уровня напряжения входных сигналов. Вот график:


Рисунок 4 — Зависимость логической 1 от питания

Обычно используется VDD равное +5В. При VDD = +5В, входной порог логической 1 немного выше, чем 3В. Таким образом, когда напряжение VDD = +5В, IR2110 может быть использован для управления нагрузкой, когда вход «1» выше, чем 3 (сколько-то) вольт. Это означает, что IR2110 может быть использован почти для всех схем, так как большинство схем, как правило, имеют питание примерно 5В. Когда вы используете микроконтроллеры, выходное напряжение будет выше, чем 4В (ведь микроконтроллер довольно часто имеет VDD = +5В). Когда используется SG3525 или TL494 или другой ШИМ-контроллер, то, вероятно, придётся их запитывать напряжением большим, чем 10В, значит на выходах будет больше, чем 8В, при логической единице.

Таким образом, IR2110 может быть использован практически везде.

Вы также можете снизить VDD примерно до +4В, если используете микроконтроллер или любой чип, который даёт на выходе 3.3В (например, dsPIC33). При проектировании схем с IR2110, я заметил, что иногда схема не работает должным образом, когда VDD у IR2110 был выбран менее + 4В. Поэтому я не рекомендую использовать VDD ниже +4В. В большинстве моих схем уровни сигнала не имеют напряжение меньше, чем 4В как «1», и поэтому я использую VDD = +5V.

Если по каким-либо причинам в схеме уровень сигнала логической «1» имеет напряжение меньшее, чем 3В, то вам нужно использовать преобразователь уровней/транслятор уровней, он будет поднимать напряжение до приемлемых пределов. В таких ситуациях я рекомендую повышение до 4В или 5В и использование у IR2110 VDD = +5В.

Теперь давайте поговорим о VSS и COM. VSS это земля для логики. COM это «возврат низкого уровня» — в основном, заземление низкого уровня драйвера. Это может выглядеть так, что они являются независимыми, и можно подумать что, пожалуй, было бы возможно изолировать выходы драйвера и сигнальную логику драйвера.

Тем не менее, это было бы неправильно. Несмотря на то что внутренне они не связаны, IR2110 является неизолированным драйвером, и это означает, что VSS и COM должны быть оба подключены к земле.

HIN и LIN это логические входы. Высокий сигнал на HIN означает, что мы хотим управлять верхним ключом, то есть на HO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал на HIN означает, что мы хотим отключить MOSFET верхнего уровня, то есть на HO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в HO, высокий или низкий, считается не по отношению к земле, а по отношению к VS. Мы скоро увидим, как усилительные схемы (диод + конденсатор), используя VCC, VB и VS, обеспечивают плавающее питания для управления MOSFETом. VS это плавающий возврат питания. При высоком уровне, уровень на HO равен уровню на VB, по отношению к VS. При низком уровне, уровень на HO равнен VS, по отношению к VS, фактически нулю.

Высокий сигнал LIN означает, что мы хотим управлять нижним ключом, то есть на LO осуществляется вывод высокого уровня. Низкий сигнал LIN означает, что мы хотим отключить MOSFET нижнего уровня, то есть на LO осуществляется вывод низкого уровня. Выход в LO считается относительно земли. Когда сигнал высокий, уровень в LO такой же как и в VCC, относительно VSS, фактически земля. Когда сигнал низкий, уровень в LO такой же как и в VSS, относительно VSS, фактически нуль.

SD используется в качестве контроля останова. Когда уровень низкий, IR2110 включен — функция останова отключена. Когда этот вывод является высоким, выходы выключены, отключая управление IR2110.
Теперь давайте взглянем на частые конфигурации с IR2110 для управления MOSFETами как верхних и нижних ключей — на полумостовые схемы.


Рисунок 5 — Базовая схема на IR2110 для управления полумостом

D1, C1 и C2 совместно с IR2110 формируют усилительную цепь. Когда LIN = 1 и Q2 включен, то C1 и С2 заряжаются до уровня VB, так как один диод расположен ниже +VCC. Когда LIN = 0 и HIN = 1, заряд на C1 и С2 используется для добавления дополнительного напряжения, VB в данном случае, выше уровня источника Q1 для управления Q1 в конфигурации верхнего ключа. Достаточно большая ёмкость должна быть выбрана у C1 для того чтобы её хватило для обеспечения необходимого заряда для Q1, чтобы Q1 был включён всё это время. C1 также не должен иметь слишком большую ёмкость, так как процесс заряда будет проходить долго и уровень напряжения не будет увеличиваться в достаточной степени чтобы сохранить MOSFET включённым. Чем большее время требуется во включённом состоянии, тем большая требуется ёмкость. Таким образом меньшая частота требует большую ёмкость C1. Больший коэффициент заполнения требует большую ёмкость C1. Конечно есть формулы для расчёта ёмкости, но для этого нужно знать множество параметров, а некоторые из них мы может не знать, например ток утечки конденсатора. Поэтому я просто оценил примерную ёмкость. Для низких частот, таких как 50Гц, я использую ёмкость от 47мкФ до 68мкФ. Для высоких частот, таких как 30-50кГц, я использую ёмкость от 4.7мкФ до 22мкФ. Так как мы используем электролитический конденсатор, то керамический конденсатор должен быть использован параллельно с этим конденсатором.

Керамический конденсатор не обязателен, если усилительный конденсатор — танталовый.

D2 и D3 разряжают затвор MOSFETов быстро, минуя затворные резисторы и уменьшая время отключения. R1 и R2 это токоограничивающие затворные резисторы.

+MOSV может быть максимум 500В.

+VCC должен идти с источника без помех. Вы должны установить фильтрующие и развязочные конденсаторы от +VCC к земле для фильтрации.

Давайте теперь рассмотрим несколько примеров схем с IR2110.


Рисунок 6 — Схема с IR2110 для высоковольтного полумоста


Рисунок 7 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с независимым управлением ключами (кликабельно)

На рисунке 7 мы видим IR2110, использованный для управления полным мостом. В ней нет ничего сложного и, я думаю, уже сейчас вы это понимаете. Также тут можно применить достаточно популярное упрощение: HIN1 мы соединяем с LIN2, а HIN2 мы соединяем с LIN1, тем самым мы получаем управление всеми 4 ключами используя всего 2 входных сигнала, вместо 4, это показано на рисунке 8.


Рисунок 8 — Схема с IR2110 для высоковольтного полного моста с управлением ключами двумя входами (кликабельно)


Рисунок 9 — Схема с IR2110 как высоковольтного драйвера верхнего уровня

На рисунке 9 мы видим IR2110 использованный как драйвер верхнего уровня. Схема достаточно проста и имеет такую же функциональность как было описано выше. Есть вещь которую нужно учесть — так как мы больше не имеем ключа нижнего уровня, то должна быть нагрузка подключённая с OUT на землю. Иначе усилительный конденсатор не сможет зарядится.


Рисунок 10 — Схема с IR2110 как драйвера нижнего уровня


Рисунок 11 — Схема с IR2110 как двойного драйвера нижнего уровня


Если у вас проблемы с IR2110 и всё постоянно выходит из строя, горит или взрывается, то я уверен, что это из-за того, что вы не используете резисторы на затвор-исток, при условии, конечно, что вы всё спроектировали тщательно. НИКОГДА НЕ ЗАБЫВАЙТЕ О РЕЗИСТОРАХ НА ЗАТВОР-ИСТОК. Если вам интересно, вы можете прочитать о моем опыте с ними здесь (я также объясняю причину, по которой резисторы предотвращают повреждения): http://tahmidmc.blogspot.com/2012/10/magic-of-knowledge.html

Для дальнейшего чтения я рекомендую это: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf

Я видел как на многих форумах, люди бьются с проектированием схем на IR2110. У меня тоже было много трудностей прежде чем я cмог уверенно и последовательно строить успешные схемы драйвера на IR2110. Я попытался объяснить применение и использование IR2110 довольно тщательно, попутно всё объясняя и используя большое количество примеров, и я надеюсь, что это поможет вам в ваших начинаниях с IR2110.

IR2101 рабочая схема включения драйвера MOSFET ключей – Avislab


19.02.2013

Драйвер MOSFET ключей IR2101 имеет свойство иногда выходить со строя, по попросту говоря, гореть. Типовая схема включения, предложенная в документации IR2101, не обеспечила надежной работы этой микросхемы. По крайней мере в моем случае.

Типовая схема включения IR2101

Эмпирическим путем, уничтожив несколько микросхем, схема была доведена до рабочего состояния.

Рабочая схема включения IR2101

Пояснения по схеме D2, R3 – после добавления этих двух элементов микросхемы IR2101 перестали выходить со строя.

C1, C2 – обычно использую два конденсатора один электролитический, другой керамический. Рекомендуют применять конденсаторы с рабочим напряжением не меньше 25В.

R4, R5 – резисторы “привязывают” к земле входа микросхемы на случай “отвала” управляющего сигнала.

D3 – последняя микросхема была сожжена банальной “переполюсовкой”, поэтому диод по питанию добавлен не случайно. Увы, но IR2101 так же сгорает при не правильной полярности питания.

C3, C4 – фильтры по питанию. Значение С3 зависит от нагрузки. Рекомендуется парралельно С3 добавить еще и керамический конденсатор 0.1uF.

Вот так выглядит сгоревшая IR2101. Обратите внимание на характерную пробоину в корпусе микросхемы.

Надеюсь, кому то поможет мой опыт. Корисно знати Схеми і прошивки Коментарі:

николай говорить:

13.04.2020 03:38

Сообщи номиналы – на схеме очень мелко, не видно

andre говорить:

13.04.2020 14:07

Просто кликни на картинку! Если вдруг если почему-то не получается – вот прямая ссылка на картинку: https://blog.avislab.com/uploads/2013/02/IR2101.png

Дмитрий Валерьевич Кузнецов говорить:

04.07.2021 16:14

по вашей схеме, добавление резистора R3 эквивалентно увеличению R1 на номинал R3. это надо учитывать или уменьшением R1 или увеличением R2. R3 спасает от защелкивания драйвера, это происходит когда Vs становится ниже COM, такое происходит при неправильном подключении Vs и COM к транзисторам – большая длина проводников по которым течет ток транзистора и драйвера, или, что хуже, подключение питания ближе подключения драйвера.

Додати коментар

Три фазы — из одной

Этот преобразователь разработан автором для питания маломощного трёхфазного электродвигателя в приводе диска рекордера механической звукозаписи. Он обеспечивает три фиксированные частоты вращения диска – 33 1/3, 45 и 78 об/мин. С небольшими переделками преобразователь можно использовать для питания трёхфазных и двухфазных асинхронных электродвигателей мощностью до 1000 Вт как с постоянной, так и с регулируемой частотой вращения.

Регулирование частоты вращения асинхронных электродвигателей возможно только изменением частоты питающего напряжения. Но при снижении частоты необходимо пропорционально уменьшать питающее напряжение во избежание перегрева обмоток и, наоборот, с ростом частоты повышать напряжение для поддержания мощности на валу.

В устройстве [1] применён регулируемый автотрансформатор (ЛАТР), с его помощью изменяется напряжение, от которого зависит амплитуда прямоугольных импульсов заданной частоты, подаваемых на обмотки двигателя. В устройстве [2] амплитуда этих импульсов остаётся постоянной, но изменяется их скважность, что тоже приводит к нужному результату. Недостаток первого устройства – громоздкий автотрансформатор, а второго – слишком сложная схема.

В предлагаемом вниманию читателей преобразователе однофазного сетевого напряжения в трёхфазное, подаваемое на двигатель, указанные недостатки устранены. Он содержит регулируемый симистором выпрямитель и простую цифровую часть, вырабатывающую три последовательности симметричных прямоугольных импульсов, взаимно сдвинутых по фазе на 120о. Схема устройства изображена на рис. 1.

Рис. 1. Схема устройства

 

Регулируемый выпрямитель представляет собой, по существу, обычный симисторный регулятор, работающий на диодный выпрямительный мост со сглаживающим выпрямленное напряжение конденсатором. Он состоит из силового симистора VS2, симметричного динистора VS1 с пороговым напряжением 32 В, конденсаторов C2, C4, C6, C8. Переключателем SA1.2 выбирают один из трёх резисторов R7-R9, образующих с конденсатором C2 фазосдвигающую цепь, задерживающую момент открывания симистора относительно начала каждого полупериода. Точный расчёт сопротивления этих резисторов затруднён, поэтому они подобраны экспериментально в процессе налаживания преобразователя. От задержки открывания симистора зависит напряжение, до которого заряжаются конденсаторы C4 и C6. Этим напряжением питают мощные ключи на полевых транзисторах VT1-VT6, формирующие выходное трёхфазное напряжение.

Демпфирующая цепь C8R11 снижает коммутационные помехи. А для того чтобы помехи не проникали в питающую сеть, преобразователь подключён к ней через фильтр Z1 DL-6DX1. Он состоит из двухобмоточного дросселя, нескольких конденсаторов и резистора, через который конденсаторы разряжаются после отключения устройства от сети. Для правильной работы фильтра его корпус должен быть заземлён – соединён с третьим контактом сетевой розетки.

Резистор R6 предотвращает повреждение элементов выпрямителя в момент его включения в сеть. Дело в том, что в этот момент конденсаторы C4 и C6 ещё не заряжены. Импульс их зарядного тока, если его амплитуду ничем не ограничить, может вывести из строя либо диоды выпрямительного моста VD1, либо симистор VS2. Резистор R6 ограничивает амплитуду этого импульса приблизительно до 40 А, допустимых для диодного моста и симистора.

Конечно, для ограничения тока можно было применить терморезистор с большим отрицательным ТКС, но подходящих терморезисторов в продаже не нашлось, хотя в каталогах производителей они имеются. Поэтому в качестве R6 применён проволочный резистор С5-35В-7,5 Вт (ПЭВ-7,5). Не стоит заменять его импортным проволочным резистором. Например, резистор фирмы Uni-Ohm сопротивлением 5 Ом и мощностью 5 Вт при включении устройства в сеть мгновенно сгорает.

Разборка этого резистора показала, что в нём на керамический каркас размером с резистор МЛТ-0,5 намотан короткий отрезок чрезвычайно тонкого высокоомного провода, выдерживающего ток не более 2. ..3 А. Рассеивание постоянной мощности, равной номинальной, обеспечено хорошим отводом выделяемого проводом тепла через внешнюю керамическую оболочку резистора и её заполнитель. Но кратковременную перегрузку во много раз такой резистор выдержать не может.

Резистор R2 нужен для правильной работы симистора VS2. Как известно, чтобы симистор закрылся, разность потенциалов между его электродами 1 и 2 должна стать нулевой. Однако этого не происходит при работе симистора на выпрямительный мост со сглаживающим конденсатором большой ёмкости. Этот эффект и устраняет резистор R2. Его сопротивление может находиться в широких пределах, но при слишком большом его значении симистор перестаёт закрываться в конце каждого полупериода.

Цифровая часть устройства состоит из задающего генератора на микросхеме DA1, распределителя импульсов на счётчике Джонсона DD1, формирователя трёхфазной импульсной последовательности на элементах 3ИЛИ микросхемы DD2, трёх драйверов полумоста DA3-DA5 и шести ключей на полевых транзисторах VT1-VT6, образующих трёхфазный мост.

Частота генерируемых микросхемой XR2206CP (DA1) импульсов определяется простой зависимостью

F = 1/(R·C1) ,

где R – сумма сопротивления постоянного резистора (одного из R3-R5, выбранного переключателем SA1.1, спаренным с SA1.2) и введённого сопротивления переменного резистора R1. Следует иметь в виду, что эта частота должна в шесть раз превышать частоту выходного трёхфазного напряжения.

В рекордере для механической звукозаписи диск должен иметь три фиксированные скорости вращения – 78, 45 и 33 1/3 об/мин, а для этого с учётом передаточного числа механизма его двигатель нужно питать трёхфазным напряжением частотой соответственно 18,52, 10,68 и 7,917 Гц. Частота задающего генератора преобразователя должна быть в шесть раз выше этих значений – 111,2, 64,1 и 47,5 Гц. Именно для этих частот на схеме указаны номиналы резисторов R3-R5 (из стандартного ряда E96). При этом учтено, что последовательно с ними включается переменный резистор R1, сопротивление которого в среднем положении – 3,4 кОм. С его помощью точно устанавливают частоту вращения диска по стробоскопическим меткам на ободе.

Диоды VD3-VD5 совместно с конденсаторами C10-C12 образуют бутстрепные цепи для питания драйверов “верхних” ключевых полевых транзисторов трёхфазного моста, а резисторы R12-R17 ограничивают импульсный ток затворов транзисторов VT1-VT6. Дело в том, что мощные полевые транзисторы имеют входную ёмкость, исчисляемую тысячами пикофарад. Для предотвращения очень большого тока перезарядки этой ёмкости и служат упомянутые резисторы. Для эффективного ограничения тока сопротивление этих резисторов должно быть как можно больше, но чрезмерное увеличение затягивает процессы переключения транзисторов, что приводит к бесполезному расходу мощности на их нагрев.

Мощность, которую преобразователь может отдать в нагрузку, определяется мощностью выпрямителя и качеством отвода тепла от транзисторов VT1-VT6. В описываемой конструкции был применён теплоотвод от процессора “Пентиум”, способный рассеять при обдуве мощность около 30 Вт. Это значит, что в нагрузку может быть передана мощность до 1000 Вт.

Подбирая номиналы элементов, от которых зависит частота задающего генератора, частоту генерируемого напряжения можно изменять в широких пределах, ограниченных только возможностями питаемого двигателя. Кроме того, для каждого значения частоты необходимо установить оптимальное напряжение питания двигателя, подбирая резистор фазосдвигающей цепи симисторного регулятора такого сопротивления, при котором двигатель работает не перегреваясь.

Внешний вид собранного преобразователя показан на рис. 2. Так как элементы преобразователя гальванически связаны с сетью 230 В, при работе с ним следует соблюдать меры электробезопасности, прочитать о которых можно в [3].

Рис. 2. Внешний вид собранного преобразователя

 

При отсутствии микросхемы функционального генератора XR2206CP задающий генератор можно построить по типовой схеме на интегральном таймере NE555 или его отечественном аналоге КР1006ВИ1. Вместо микросхемы CD4075BE можно установить К561ЛЕ10 (три элемента 3ИЛИ-НЕ). К сожалению, отечественного аналога драйвера IR2111 не существует.

По описанному принципу несложно построить не только трёхфазный, но и двухфазный преобразователь. Достаточно изменить схему формирователя импульсных последовательностей согласно рис. 3. Элемент микросхемы DD2.3, микросхема DA5, транзисторы VT5 и VT6 и связанные с ними компоненты в этом случае не используются.

Рис. 3. Изменённая схема формирователя импульсных последовательностей

 

Примечание. Подборку резисторов R7-R9 в симисторном регуляторе удобно производить, включив амперметр постоянного тока в цепь нагрузки регулируемого выпрямителя. Ток, потребляемый от выпрямителя, при любой частоте вращения вала двигателя не должен отличаться более чем на 10 % от его значения при номинальном по частоте и напряжению режиме работы двигателя.

Литература

1. Мурадханян Э. Управляемый инвертор для питания трёхфазного двигателя. – Радио, 2004, № 12, с. 37, 38.

2. Калашник В., Черемисинова Н. Преобразователь однофазного напряжения в трёхфазное. – Радио, 2009, № 3, с. 31-34.

3. Осторожно! Электрический ток! – Радио, 2015, № 5, с. 54.

Автор: В. Хиценко, г. Санкт-Петербург

IR2111PBF мікросхема (02111-DIP-08 IR2111PBF IR)

  1. Продукция
  2. Мікросхеми
  3. IR…

Производитель: IR

Код товара: Т0000011979

Маркировка: IR2111

Количество приборов:

Параметры
Наименование Значение Единица измерения Режим изменения
Функциональное назначение HALF-BRIDGE DRIVER
> Voffset = 600V max.
> Iout +/- = 200mA/420mA
> Vout = 10…20V
> ton/off (typ.) =750ns / 150ns
> Deadtime (typ.) = 650ns
Температура рабочая -55…+150 *C

Качество цепей драйвера mosfet для электронных проектов Free Sample Now

О продукте и поставщиках:
Alibaba. com предлагает большой выбор. цепей драйвера mosfet на выбор в соответствии с вашими потребностями. цепей драйвера mosfet являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. цепей драйвера mosfet, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

цепей драйвера mosfet состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. цепей драйвера mosfet охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. цепей драйвера mosfet скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. цепей драйвера mosfet для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. цепей драйвера mosfet на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. цепей драйвера mosfet для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. цепей драйвера mosfet на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

IRF IR2111

DtSheet
    Загрузить

IRF IR2111

Открыть как PDF
Похожие страницы
IRF IR2110E6
IRF IR2110L6
IRF IR2181
IRF IR21091PBF
IRF IR2118PBF
IRF IRS2117SPBF
IRF IR2122S
IRF IR2127
IRF IR2117
IRF IR2151
WTE S2A
IRF IR2131
IRF IR2125
ПАНДЖИТ 1SMA5947
IRF IR2121
IR2110E6
SECOS SMA5921
IRF IR2111S
CTS MP150
IRF IRS2111STRPBF
PACELEADER SMA5924B
КОНЕКСАНТ CX23888

dtsheet © 2021 г.

О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь Распиновка драйвера Mosfet

IR2110, примеры, приложения и способы использования

IR2110 – это микросхема драйвера полевого МОП-транзистора высокого напряжения.Он может управлять переключателями как со стороны низкого, так и высокого уровня в полумостовых и мостовых схемах низкого уровня. Как использовать драйвер MOSFET ? Схемы драйвера MOSFET используются для управления MOSFET со стороны высокого или низкого уровня. Зачем нам нужен драйвер MOSFET? Поскольку полевые МОП-транзисторы являются устройствами управления напряжением и используются для управления полевыми МОП-транзисторами, емкость затвора должна быть заряжена до рабочего напряжения, которое обычно составляет 9-10 вольт. Это можно сделать очень легко, но есть одна проблема. Высокое напряжение на стоке полевого МОП-транзистора вызывает проблемы из-за взаимодействия с емкостью затвор-сток. Эта проблема известна как эффект Миллера. Чтобы избежать этих проблем, используются драйверы MOSFET.

На рынке доступно много типов драйверов MOSFET. Но почти все драйверы MOSFET использовали выход на тотемный полюс. Потому что у него низкий входной импеданс и высокий ток возбуждения.

Чтобы узнать о выходе тотемного столба и его использовании в драйвере Mosfet, прочтите следующую статью:

ПРИМЕЧАНИЕ: ток, необходимый для управления затвором полевого МОП-транзистора, очень низкий, но пиковый ток несколько превышает средний ток.Если пиковый ток, требуемый для вашего приложения, слишком велик для обработки для ИС драйвера полевого МОП-транзистора, вы можете использовать внешний выход на тотемном полюсе или дополнительные схемы полевого МОП-транзистора.

Введение в драйвер полевого МОП-транзистора IR2110

Во многих приложениях для управления полевым МОП-транзистором верхнего плеча требуется плавающая схема. В H-мосте, используемом в конструкции синусоидального инвертора, 2 полевых МОП-транзистора используются как полевые МОП-транзисторы высокого напряжения, а 2 полевых МОП-транзистора используются как полевые МОП-транзисторы нижнего уровня. Международные выпрямители IR2110 MOSFET driver можно использовать в качестве драйвера MOSFET верхней и нижней стороны.Он имеет плавающую схему для обработки для начальной загрузки. IR2210 может выдерживать напряжение до 500 В (напряжение смещения). Его выходные контакты могут обеспечивать пиковый ток до 2 ампер. Его также можно использовать в качестве драйвера IGBT. Плавающая схема IR2110 может управлять полевым МОП-транзистором верхнего плеча напряжением до 500 В.

IR2110 Распиновка и схема

На этом рисунке представлена ​​-контактная схема ИС драйвера полевого МОП-транзистора IR2210.

Выходной сигнал 9010 8 SD
Номер контакта Имя контакта Описание
1 LO Выходной штифт для привода затвора нижней стороны
2 COM обратный путь для конфигурации с низкой стороной
3 VCC штырь питания для нижней стороны
5 VS обратный путь с плавающей запятой для привода высокой стороны
6 VB Источник питания для привода верхней стороны
7 HO для полевой схемы высокого давления
9 VDD Источник питания + 5В
10 Входной сигнал HIN сторона
11 штифт выключения для автоматического выключения системы
12 LIN Вход сигнала ШИМ для нижней стороны
13 VSS Заземление источника питания

Для электрических функций скачать IR2110 DataSheet :

IR2110 Лист данных

Как работает IR2110?

Конфигурация выводов и функциональные возможности каждого вывода приведены ниже:

Конфигурация контактов ir2110
  • Контакт 1 – это выход привода MOSFET нижнего плеча.
  • Контакт 2 – обратный путь для нижнего плеча.Он находится под тем же потенциалом, что и заземляющий вывод VSS 13. Поскольку, когда на входе со стороны низкого уровня на выводе 12 Lin высокий уровень, выход LO будет равен значению напряжения Vcc на выводе 3 по отношению к выводу Vss и COM. Когда входной сигнал низкого уровня на выводе 12 Lin имеет низкий уровень, выход LO будет равен значению VSS, что означает ноль.
  • Вывод 9 VDD является логическим выводом питания. Его значение должно быть в пределах 5 вольт. Но если вы использовали напряжение менее 4 вольт, это может не дать желаемого результата.
  • Контакт 10 HIN является входным сигналом для выхода драйвера полевого МОП-транзистора верхнего плеча.Это может быть микроконтроллер или любое другое устройство. Но логический уровень входного сигнала должен быть в пределах 4-5 вольт.
  • Контакт 12 LIN является входным сигналом для выхода драйвера Mosfet низкого уровня. Это может быть микроконтроллер или любое другое устройство. Но логический уровень входного сигнала также должен быть в пределах 4-5 вольт.
  • Вывод 11 SD используется как вывод выключения. вы можете использовать его для схемы защиты. Например, в схеме защиты от перенапряжения или перегрузки по току, если какое-либо из этих значений становится больше указанного, вы можете подать 5-вольтовый сигнал на отключение драйвера IR2210, чтобы остановить управление полевыми МОП-транзисторами.Взамен ваша схема перестанет работать.
  • Вывод 6 VB используется в качестве источника плавающего напряжения на верхней стороне плавающей цепи для подачи плавающего напряжения на полевой МОП-транзистор высокого уровня.
  • Конденсатор начальной загрузки, используемый между VB и VS для полной работы полевого МОП-транзистора верхнего плеча. Это очень важное правило в H-мосте синусоидального инвертора. Вы должны использовать конденсатор начальной загрузки емкостью 22 мкФ-40 мкФ. Я успешно спроектировал мост H после внесения множества изменений в мост H с емкостью конденсатора начальной загрузки 33 мкФ / 50 В.
  • Для получения более подробной информации я рекомендую вам ознакомиться с таблицей данных IR2210 и одним советом для читателей из Пакистана. Не покупайте IR2110 в Пакистане. Потому что в Пакистане доступны низкокачественные микросхемы IR2110, которые снова и снова горят и лишают вас надежды. Я уже сталкивался с этой ситуацией, когда работал над моим проектом последнего года «Гибридный синусоидальный инвертор». Затем я использовал IR2112, и он отлично работает. Потому что IR2212 и I2110 почти одинаковы и их распиновка одинакова.Я рекомендую вам использовать IR2112 и в вашем проекте.

Электрические характеристики

  • Обеспечивает напряжение затвора от 10 до 20 вольт.
  • Для верхней стороны схемы Н-моста рабочий диапазон бутстрапа составляет + 500 В или + 600 В.
  • Совместимость с логикой CMOS и TTL
  • Защита от пониженного напряжения для контактов / каналов LO и HO
  • Автоматическое отключение с помощью цепи обратной связи
  • Синхронизированный задержка распространения
  • Выходное напряжение: 10-20 В
  • Выход Сила тока: 2A
  • Время переключения: время включения = 120 нс и время выключения = 94 нс

IR2110 в качестве ДРАЙВЕРА МОП-транзистора со стороны низкого или высокого уровня

Драйвер MOSFET на верхней и нижней сторонах в полумосте

IR2110 в качестве драйвера МОП-транзистора с высокой и низкой стороны в полумосте

IR2110 в качестве драйвера полевого МОП-транзистора верхнего плеча

IR2110 в качестве драйвера МОП-транзистора с высокой стороны

IR2110 в качестве драйвера полевого МОП-транзистора нижнего уровня

IR2110 только как драйвер полевого МОП-транзистора нижнего уровня

IR2110 Пример полумостового инвертора

В этом примере схема полумостового инвертора разработана с использованием драйвера Мосфера и МОП-транзисторов IRF530. Одиночная ИС управляет МОП-транзисторами как с высокой, так и с низкой стороны. МОП-транзисторы используются в режиме конфигурации полумоста. Сигнал PWM 50 Гц обеспечивает ввод на контакты HIN и LIN. Not Gate подает инвертированный сигнал на контакт 12, который является входным сигналом для Mosfet низкого уровня.

2D Габаритная диаграмма

При проектировании печатной платы всегда требуются точные физические размеры. На этом рисунке изображена двухмерная размерная диаграмма ИС.

Приложения

  • Драйвер двигателя постоянного тока
  • Регулировка скорости двигателя переменного тока
  • Половинный, полный и трехфазный мост
  • Чистый синусоидальный инвертор
  • Устройство плавного пуска для трехфазного асинхронного двигателя

Простейшая схема полномостового инвертора

Среди различных Существующая топология инвертора, полный мост или топология инвертора H-мост считается наиболее эффективной и действенной. Настройка полной мостовой топологии может повлечь за собой слишком большую критичность, однако с появлением интегральных схем с полным мостом они стали одними из самых простых инверторов, которые можно построить.

Что такое полномостовая топология?

Полномостовой инвертор, также называемый H-мостовым инвертором, является наиболее эффективной топологией инвертора, в которой используются двухпроводные трансформаторы для подачи необходимого двухтактного колебательного тока в первичную обмотку. Это позволяет избежать использования 3-проводного трансформатора с центральным ответвлением, который не очень эффективен из-за того, что у них вдвое больше первичной обмотки, чем у 2-проводного трансформатора.

Эта функция позволяет использовать трансформаторы меньшего размера и получать большую выходную мощность при том же время.Сегодня из-за легкой доступности микросхем мостовых драйверов все стало предельно просто, и создание схемы полного мостового инвертора в домашних условиях стало детской забавой.

Здесь мы обсуждаем схему полного мостового инвертора с использованием микросхемы полного моста IRS2453 (1) D от International Rectifiers.

Упомянутая микросхема представляет собой выдающуюся интегральную схему драйвера полного моста, поскольку она в одиночку берет на себя все основные критические проблемы, связанные с топологиями H-мостов, благодаря своей усовершенствованной встроенной схеме.

Сборщику просто нужно подключить несколько компонентов извне, чтобы получить полноценный рабочий инвертор с H-мостом.

Простота конструкции очевидна из приведенной ниже схемы:

Работа схемы

Выводы 14 и 10 – это выводы плавающего напряжения питания высокой стороны ИС. Конденсаторы емкостью 1 мкФ эффективно удерживают эти важные выводы в тени выше, чем напряжение стока соответствующих МОП-транзисторов, гарантируя, что потенциал истока МОП-транзистора остается ниже, чем потенциал затвора для требуемой проводимости МОП-транзисторов.

Резисторы затвора подавляют возможность перенапряжения стока / истока, предотвращая внезапное замыкание МОП-транзисторов.

Диоды на резисторах затвора используются для быстрой разрядки внутренних конденсаторов затвора / стока в периоды отсутствия проводимости для обеспечения оптимального отклика устройств.

Микросхема IRS2453 (1) D также оснащена встроенным генератором, что означает, что для этой микросхемы не потребуется каскад внешнего генератора.

Всего пара внешних пассивных компонентов заботится о частоте для управления инвертором.

Rt и Ct могут быть рассчитаны для получения ожидаемых частотных выходов 50 Гц или 60 Гц через МОП-транзисторы.

Расчет компонентов, определяющих частоту

Для расчета значений Rt / Ct можно использовать следующую формулу:

f = 1 / 1,453 x Rt x Ct

, где Rt выражается в Омах, а Ct – в Фарадах.

Функция высокого напряжения

Еще одной интересной особенностью этой ИС является ее способность работать с очень высокими напряжениями до 600 В, что делает ее идеальной для применения в бестрансформаторных инверторах или в схемах компактных ферритовых инверторов.

Как видно на данной диаграмме, если доступное извне напряжение 330 В постоянного тока подается через «выпрямленные линии +/- переменного тока», конфигурация мгновенно превращается в бестрансформаторный инвертор, в котором любая предполагаемая нагрузка может быть подключена непосредственно через точки, отмеченные как “нагрузка”.

В качестве альтернативы, если используется обычный понижающий трансформатор, первичная обмотка может быть подключена через точки, отмеченные как «нагрузка». В этом случае «выпрямленная линия + AC» может быть соединена с контактом №1 ИС и подключена к аккумулятору (+) инвертора.

Если используется батарея с напряжением более 15 В, «выпрямленная линия + переменного тока» должна быть подключена непосредственно к плюсу батареи, в то время как контакт № 1 должен быть подключен к пониженному регулируемому напряжению 12 В от источника батареи с использованием IC 7812.

Хотя Показанная ниже конструкция выглядит слишком простой в изготовлении, компоновка требует соблюдения некоторых строгих правил, вы можете обратиться к посту для обеспечения правильных мер защиты для предлагаемой простой схемы полного мостового инвертора.

ПРИМЕЧАНИЕ. Соедините вывод SD IC с линией заземления, если она не используется для операции выключения.

Принципиальная схема

Простой H-мостовой или полный мостовой инвертор с использованием двух полумостовых ИС IR2110

На приведенной выше диаграмме показано, как реализовать эффективную конструкцию полномостового инвертора прямоугольной формы с использованием пары полумостовых ИС IR2110.

ИС представляют собой полноценные полумостовые драйверы, оснащенные необходимой сетью загрузочных конденсаторов для управления МОП-транзисторами высокого напряжения и функцией мертвого времени для обеспечения 100% безопасности проводимости МОП-транзисторов.

Микросхемы работают путем попеременного переключения MOSFET-транзисторов Q1 / Q2 и Q3 / Q4 в тандеме, так что в любом случае, когда Q1 включен, Q2 и Q3 полностью переключаются как OF, и наоборот.

Микросхема способна производить вышеуказанное точное переключение в ответ на синхронизированные сигналы на их входах HIN и LIN.

Эти четыре входа должны быть активированы, чтобы гарантировать, что в любой момент HIN1 и LIN2 включаются одновременно, а HIN2 и LIN1 выключены, и наоборот. Это делается с удвоенной скоростью на выходе инвертора.Это означает, что если требуется, чтобы выход инвертора был 50 Гц, входы HIN / LIN должны генерировать колебания с частотой 100 Гц и так далее.

Схема генератора

Это схема генератора, оптимизированная для запуска входов HIN / LIN описанной выше схемы полномостового инвертора.

Одна ИС 4049 используется для генерации необходимой частоты, а также для изоляции переменных входных каналов для ИС инвертора.

C1 и R1 определяют частоту, необходимую для генерации колебаний полумостовых устройств, и ее можно рассчитать по следующей формуле:

f = 1/1.2RC

В качестве альтернативы значения могут быть получены методом проб и ошибок.

Дискретный полномостовой инвертор с использованием транзистора

До сих пор мы изучали топологии полномостового инвертора с использованием специализированных ИС, однако то же самое можно было бы построить с использованием дискретных частей, таких как транзисторы и конденсаторы, и независимо от ИС.

Простую схему можно увидеть ниже:

Тестирование ИС драйвера затвора IR2110 (Часть 14/17)

В предыдущем учебном пособии обсуждалось, что для управления полевым МОП-транзистором в качестве переключателя высокого уровня необходимо наличие схемы драйвера затвора. использовал.ИС IR2110 – одна из высокоскоростных ИС драйвера затвора высокого напряжения для IGBT и силовых полевых МОП-транзисторов. Микросхема имеет независимый выходной канал низкого и высокого уровня.

Используя одну ИС, можно использовать полумостовую схему, в которой один полевой МОП-транзистор находится в конфигурации с высокой стороной, а другой – с конфигурацией со стороны низкого напряжения. Для управления полевым МОП-транзистором верхнего плеча эта ИС использует схему начальной загрузки, которую в противном случае пришлось бы проектировать внешне. Перед использованием этой ИС для управления полумостовой или полной мостовой схемой необходимо проверить исправность ИС.Неисправная ИС может давать нестабильный выходной сигнал и может взорвать полевой МОП-транзистор или другие компоненты в цепи. В этом руководстве обсуждается метод тестирования микросхемы IR2110.

Необходимые компоненты –

1. Источник питания постоянного тока 5В и 12В.

2. IR2110 IC

3. Микроконтроллер atmega328

4. Некоторые перемычки

Подключение цепей –

Микросхема IR2110 поставляется в 14-выводном DIP корпусе. Имеет следующую конфигурацию выводов –

Фиг.1: Список компонентов, необходимых для тестера микросхемы драйвера затвора IR2110

IR-2110 имеет следующую схему контактов –

Рис.2: Схема выводов микросхемы IR2110

IR2110 имеет следующую внутреннюю схему –

Рис.3: Внутренняя блок-схема IR2110 IC

На внутренней схеме IR2110 блоки со стороны низкого и высокого уровня разделены пунктирной линией для простоты. Верхняя половина схемы работает для управления полевым МОП-транзистором высокого напряжения, а нижняя половина предназначена для управления полевым МОП-транзистором нижней стороны.

В соответствии с конфигурацией выводов IR2110, вывод SD (выключение) используется для выключения ИС. Этот вывод имеет высокий активный уровень, поэтому для обеспечения работы ИС этот вывод подключен к земле. VDD – это напряжение питания для управления внутренней схемой ИС, и оно должно находиться в диапазоне от 3 до 20 В (относительно Vss) в соответствии с таблицей данных. VCC напрямую подключен к стоку внутреннего МОП-транзистора драйвера нижнего уровня (как показано на внутренней схеме IR2110), и он может находиться в диапазоне от 10 до 20 В.Для тестирования микросхемы IR 2110 за VDD принимается 5 В, а за VCC – 12 В. Когда на входе Lin или Hin высокий уровень, тогда IC выдает высокий уровень на выходе LO или HO, соответствующий входному источнику питания. Когда логический вход на Lin и Hin низкий, тогда низкий уровень получается на выводах LO и HO.

На выводы Lin и Hin подается прямоугольная волна с нулевой разностью фаз между ними, и волна генерируется с помощью микроконтроллера. Для хорошей ИС, когда на выводе Hin высокий уровень, он должен давать высокий уровень на выходе, в противном случае – низкий, то же самое для Lin и LO.

Для тестирования ИС 5 В принимается за VDD, а 12 В – за VCC. Напряжение питания для VDD и VCC может быть получено от батареи, а затем регулироваться до уровня 5 В и 12 В с помощью микросхем стабилизаторов напряжения 7805 и 7812. Для регулирования напряжения анод батареи должен быть подключен к выводу 1 микросхемы регулятора напряжения, а вывод 2 должен быть заземлен. Соответствующие выходы напряжения затем могут быть получены от контакта 3 микросхемы стабилизатора.

Прямоугольная волна, которая должна подаваться на вход выводов Lin и Hin, генерируется микроконтроллером.Контроллер работает по TTL (транзисторно-транзисторная логика). Таким образом, чтобы избежать ошибок синхронизации между VDD и входным источником Hin / Lin, за VDD принимается 5 В. Итак, вывод VDD подключен к 5 В, а выводы VCC и Vb подключены к источнику питания 12 В. Контакты SD, Vss, COM и Vs подключены к земле.

Прямоугольную волну можно сгенерировать с помощью любой платы микроконтроллера. При тестировании этой ИС прямоугольная волна была сгенерирована с помощью платы Arduino. Arduino – самая популярная макетная плата, которую можно легко запрограммировать на генерацию идеальной прямоугольной волны.Поскольку прямоугольная волна должна подаваться на два контакта IR2110, Arduino запрограммирован на вывод прямоугольной волны с двух своих контактов.

При сборке схемы для тестирования микросхемы IR2110 необходимо соблюдать следующие меры предосторожности –

1. Никогда не превышайте входное напряжение VDD и VCC выше их диапазона, так как это может повредить ИС. Проверьте пределы входного напряжения из таблицы IR2110.

2. Всегда соединяйте заземление источников питания 12В и 5В.

3. Если для выводов Lin и Hin используется источник питания TTL, то VDD следует принимать равным 5V. Это нужно делать, чтобы избежать любого подрыва состояния на выходе.

4. Подайте чистый постоянный ток на ИС, чтобы избежать скачков напряжения. Для этого можно использовать электролитический конденсатор, подключенный параллельно керамическому конденсатору для фильтрации входного источника питания.

5. Выполните правильные соединения, так как неплотные соединения могут привести к резкой волнообразной передаче на выходе.

Рис.4: Прототип схемы для тестирования микросхемы драйвера затвора полевого МОП-транзистора IR2110

Как работает схема –

Из внутренней схемы видно, что на стороне высокого и низкого уровня есть два полевых МОП-транзистора на конце, за которыми следуют защелка (на высокой стороне) и логический элемент И (на нижней стороне).

Рис. 5: Внутренняя схема микросхемы драйвера затвора IR2110

Когда на выходе из защелки SR (на высокой стороне) низкий, то пузырь на выходе преобразует его в высокий, и это делает полевой МОП-транзистор Q1 включенным, а полевой МОП-транзистор Q2 выключенным. Это дает высокий выход на выводе HO. Всякий раз, когда защелка SR дает низкий уровень, он включает полевой МОП-транзистор Q2 и выключает полевой МОП-транзистор Q1, и на выводе LO получается низкий уровень.

Аналогично, на стороне низкого уровня, когда на выходе логического элемента И высокий уровень, тогда полевой МОП-транзистор Q3 включен, а полевой МОП-транзистор Q4 – ВЫКЛЮЧЕН.Таким образом, на выводе LO достигается высокий выход. В случае низкого выходного сигнала логического элемента И, вывод LO дает низкий выходной сигнал.

Сгенерированная прямоугольная волна от контроллера должна подаваться на контакты Hin и Lin, а на выходных контактах (LO и HO соответственно) должна быть получена прямоугольная волна той же амплитуды и частоты. Если на выводах LO и HO не получается точная прямоугольная волна или на любом из выводов не выводится прямоугольная волна, то IR2110 в случае неисправности. Если ИС нагревается слишком быстро, несмотря на то, что входные напряжения питания не превышают предельные значения, то также можно предположить, что ИС неисправна.

Тестирование микросхемы IR2110 –

После применения прямоугольных сигналов на выводах Lin и Hin на электронно-лучевом осциллографе наблюдались следующие формы напряжения на выводах Lo и Ho.

Рис. 6: График, показывающий форму выходного сигнала на выводе Ho

Рис.7: График, показывающий форму выходного сигнала на выводе Lo

Из осциллограмм напряжения, наблюдаемых на CRO, видно, что он имеет ту же амплитуду и частоту, что и входной прямоугольный сигнал.Итак, тестируемая микросхема IR2110 работает исправно. Теперь его можно без сомнения использовать в качестве схемы драйвера затвора для полумостовой или полной H-мостовой схемы.

В следующем туториале вы узнаете об улучшении времени переключения реле.

Видео проекта


В рубрике: Electronic Projects


Блог Тахмида: Использование драйвера высокой-низкой стороны IR2110

Во многих ситуациях нам необходимо использовать полевые МОП-транзисторы, настроенные как переключатели верхнего плеча. Часто нам нужно использовать полевые МОП-транзисторы, настроенные как высокочастотные и переключатели нижней стороны. Например, в мостовых схемах. В полумостовых схемах имеем 1 полевой МОП-транзистор верхнего плеча и 1 полевой МОП-транзистор нижнего уровня. В полномостовых схемах мы имеем 2 полевые МОП-транзисторы верхнего плеча и 2 полевых МОП-транзистора нижнего плеча. В таких ситуациях возникает необходимость для использования схемы возбуждения высокой стороны вместе со схемой возбуждения низкой стороны. Большинство распространенным способом управления полевыми МОП-транзисторами в таких случаях является использование драйверов полевых МОП-транзисторов со стороны высокого и низкого уровня. Несомненно, Самая популярная из таких микросхем драйвера – IR2110.И в этой статье / учебнике Я расскажу о IR2110.

Вы можете скачать техническое описание IR2110 с веб-сайта IR. Вот ссылка для скачивания:

Сначала давайте взглянем на блок-схему и контакт назначения и определения контактов (также называемые назначениями отведений и определений):


Рис. 1 – Блок-схема IR2110 (щелкните изображение, чтобы увеличить)

Рис.2 – Назначение выводов / выводов IR2110 (щелкните изображение, чтобы увеличить)

Рис.3 – Определения выводов / выводов IR2110 (щелкните изображение, чтобы увеличить)

Обратите внимание, что IR2110 поставляется в двух корпусах – 14-контактный. корпус PDIP со сквозным отверстием и корпус SOIC с 16 выводами для поверхностного монтажа.

Теперь поговорим о различных выводах.

VCC – это источник низкого напряжения и должен находиться в диапазоне от 10 В до 20В. VDD – это питание логики IR2110. Это может быть от + 3В до +20В (с ссылка на VSS). Фактическое напряжение, которое вы выбираете, зависит от напряжения. уровень ваших входных сигналов. Вот диаграмма:

Рис. 4 – Входной порог логики “1” IR2110 в сравнении с VDD (щелкните изображение, чтобы увеличить)

Обычно используется VDD = + 5В. Когда VDD = + 5V, Входной порог логической 1 немного выше 3 В.Таким образом, когда VDD = + 5V, IR2110 может использоваться для управления нагрузками, когда вход «1» превышает 3 точки. что-то вольт. Это означает, что его можно использовать практически для всех схем, так как большинство схем имеют выходное напряжение около 5 В. Когда вы используете микроконтроллеры выходное напряжение будет выше 4 В (когда микроконтроллер имеет VDD = + 5V, что довольно часто). Когда вы используете SG3525 или TL494 или другой контроллер PWM, вы, вероятно, собираетесь включить их off больше 10 В, то есть выходы будут выше 8 В при высоком уровне.Так, IR2110 легко использовать.

Вы можете снизить напряжение VDD примерно до 4 В, если используете микроконтроллер или любой чип, который дает выход 3,3 В (например, dsPIC33). В то время как разрабатывая схемы с IR2110, я заметил, что иногда схема не работал должным образом, когда IR2110 VDD был выбран менее +4 В. Итак, я делаю не рекомендую использовать VDD менее +4 В.

В большинстве моих схем у меня нет уровней сигнала, которые имеют напряжение менее 4 В, поэтому я использую VDD = + 5 В.

Если по какой-то причине у вас есть уровни сигналов с логической «1» при напряжении ниже 3 В вам понадобится преобразователь / переводчик уровня, который будет повысить напряжение до допустимых пределов. В таких ситуациях рекомендую повышение до 4 В или 5 В и использование IR2110 VDD = + 5 В.

Теперь поговорим о VSS и COM. VSS – это питание логики земля. COM – это «возврат со стороны низкого давления» – в основном, заземление привода со стороны низкого уровня. Кажется, что они независимы, и вы можете подумать, что, возможно, изолировать выходы привода и сигналы привода.Однако вы ошибаетесь. В то время как они не имеют внутреннего соединения, IR2110 – неизолированный драйвер, а это означает, что Оба VSS и COM должны быть заземлены.

HIN и LIN – это логические входы. Высокий сигнал для HIN означает что вы хотите управлять полевым МОП-транзистором верхнего плеча, что означает, что обеспечивается высокий выход на HO. Низкий сигнал на HIN означает, что вы хотите выключить высокий уровень. MOSFET, что означает низкий выходной сигнал на HO. Выход на HO – высокий или низкий – не по отношению к земле, а по отношению к VS.Скоро мы увидим, как Схема начальной загрузки (диод + конденсатор) – с использованием VCC, VB и VS – используется для обеспечить плавающее питание для управления полевым МОП-транзистором. VS – плавающий верхний борт возврат поставки. Когда высокий, уровень на HO равен уровню на VB, с уважение к VS. Когда низкий, уровень на HO равен VS по отношению к VS, фактически ноль.

Высокий сигнал на LIN означает, что вы хотите управлять низкой стороной MOSFET, что означает, что на гетеродине обеспечивается высокий выходной сигнал. Низкий уровень сигнала LIN означает, что вы хотите отключить полевой МОП-транзистор нижнего уровня, что означает, что на гетеродине будет низкий выходной сигнал.Выход на LO находится относительно земли. Когда высокий, уровень на LO равен до уровня VCC, по отношению к VSS, эффективно заземляется. При низком уровне уровень на LO равен уровню на VSS, по отношению к VSS, эффективно нуль.

SD используется для управления выключением. Когда этот вывод низкий, IR2110 включен – функция выключения отключена. Когда этот вывод высокий, выходы выключены, отключив привод IR2110.

Теперь давайте посмотрим на общую конфигурацию IR2110 для управляющие полевые МОП-транзисторы как в конфигурации с высокой, так и с низкой стороны – полумостовая ступень.


Рис.5 – Базовая схема управления полумостом IR2110 (кликните по изображению, чтобы увеличить)

D1, C1 и C2 вместе с IR2110 образуют бутстрап схема. Когда LIN = 1 и Q2 включен, C1 и C2 заряжаются до уровня VB, что на один диод ниже + VCC. Когда LIN = 0 и HIN = 1, этот заряд на C1 и C2 используются для добавления дополнительного напряжения – в данном случае VB – над уровень источника Q1 для управления Q1 в конфигурации высокого уровня. Достаточно большой емкость должна быть выбрана для C1 так, чтобы он мог обеспечить заряд, необходимый для держите Q1 включенным все время.C1 тоже не должен быть слишком большим, чтобы зарядка тоже медленно, и уровень напряжения не поднимается достаточно, чтобы держать MOSFET включенным. Чем выше время включения, тем выше требуемая емкость. Таким образом, нижний частота, тем выше требуемая емкость для C1. Чем выше долг цикла, тем выше требуемая емкость для C1. Да, есть формулы доступен для расчета емкости. Однако есть много параметров вовлечены, некоторые из которых мы можем не знать – например, утечка конденсатора Текущий.Итак, я просто прикинул требуемую емкость. Для низких частот, таких в качестве 50 Гц я использую емкость от 47 мкФ до 68 мкФ. Для высоких частот например от 30 кГц до 50 кГц, я использую от 4,7 мкФ до 22 мкФ. Поскольку мы используем электролитический конденсатор, керамический конденсатор следует использовать параллельно с этот конденсатор. Керамический конденсатор не требуется, если бутстрап конденсатор танталовый.

D2 и D3 разряжают емкости затвора полевого МОП-транзистора. быстро, минуя резисторы затвора, сокращая время выключения.R1 и R2 – резисторы, ограничивающие ток затвора.

+ MOSV может быть максимум до 500 В.

+ VCC должен быть из чистого источника. Вы должны использовать фильтр конденсаторы и развязывающие конденсаторы от + VCC к земле для фильтрации.

Теперь давайте рассмотрим несколько примеров схем приложения IR2110.

Рис.6 – Схема IR2110 для высоковольтного полумостового привода (щелкните изображение, чтобы увеличить)

Рис.7 – Схема IR2110 для высоковольтного полномостового привода с независимым переключателем управления (щелкните изображение, чтобы увеличить) На рис.7 мы видим, что IR2110 используется для управления полным мостом. Функциональность проста, и вы уже должны это понять. Обычное дело что часто делается, так это то, что HIN1 связан / закорочен с LIN2, а HIN2 – связаны / закорочены с LIN1, что позволяет управлять всеми 4 полевыми МОП-транзисторами от 2 сигналов входов, вместо 4, как показано ниже на рис.8.

Рис.8 – Схема IR2110 для высоковольтного полномостового привода с привязанным переключателем Управление – управление с 2 входными сигналами (щелкните изображение, чтобы увеличить)

Рис.9 – Использование IR2110 в качестве одного высоковольтного драйвера высокого напряжения (щелкните изображение, чтобы увеличить)
На рис.9 мы видим, что IR2110 используется как один Водитель. Схема достаточно проста и соответствует описанным выше функциям. выше. Следует помнить, что, поскольку нет переключателя нижнего уровня, нагрузка должна быть подключена от ВЫХОДА к земле. В противном случае загрузочные конденсаторы не могу заряжать.

Рис.10 – Использование IR2110 в качестве одиночного низкочастотного динамика (щелкните изображение, чтобы увеличить)

Рис.11 – Использование IR2110 в качестве двойного низкочастотного динамика (щелкните изображение, чтобы увеличить)

————————————————– ————————————————– ————————————————– ————————————————– ——

Если у вас были сбои с IR2110 и драйвер за драйвером, MOSFET после MOSFET выходили из строя, сгорали и выходили из строя, я почти уверен, что это связано с тем, что вы не использовали резисторы затвор-исток, если, конечно, вы разработали Драйвер IR2110 правильно. НИКОГДА НЕ ПРОПУСТИТЕ РЕЗИСТОРЫ ОТ ВОСТОЧНИКА К ИСТОЧНИКУ. Если вам интересно, вы можете прочитать о моем опыте работы с ними здесь (я также объяснил причину, по которой резисторы предотвращают повреждение):

Для дальнейшего чтения вам следует пройти через это:

Я видел на многих форумах, что люди борются с проектированием схем. с IR2110. У меня тоже было много трудностей, прежде чем я смог уверенно и последовательно создавайте успешные схемы драйверов с IR2110. у меня есть пытался подробно объяснить применение и использование IR2110 через объяснение и множество примеров и надеюсь, что это поможет вам в вашем попытки с IR2110.

Справка Caspoc –

Драйвер ворот

Есть несколько способов смоделировать драйвер ворот в Caspoc. Мы начнем с очень простой модели, чтобы объяснить основы, и перейдем к полной модели драйвера и подробной модели Mosfet.

Базовый драйвер ворот

Чтобы создать простой драйвер затвора, нам необходимо выполнить следующие четыре части, показанные ниже: (1) Построить полумостовой инвертор, используя два идеальных МОП-транзистора из компонентов / схемы / полупроводника / МОП-транзистора .Добавьте обгонные диоды из компонентов / схема / полупроводник / D . Эти МОП-транзисторы имеют входную блок-схему и являются идеальными переключателями. (2) сложите нагрузку RL и источники напряжения. (3) Создайте нулевую ссылку, добавив символ заземления components / library / electric / earth / earth между двумя источниками напряжения. Это создает положительное и отрицательное напряжение промежуточного контура. (4) Добавьте основные блоки блок-схемы ВРЕМЯ и СИГНАЛ из компонентов / блоков / источника для построения прямоугольной волны, которая будет управлять воротами МОП-транзисторов.Используйте блок LIM из компонентов / блоков / нелинейного , чтобы создать высокий и низкий сигнал стробирования.

Нажмите, чтобы закрыть это представление

В приведенном выше моделировании нет времени гашения между МОП-транзисторами. Напряжение в узле sw становится прямоугольной волной с частотой u 20 кГц и скважностью 0,7. Мы использовали один датчик входного напряжения components / library / sensor / Voltage / v , чтобы измерить напряжение на узле sw и отобразить его в осциллографе. Это напряжение измеряется относительно узла заземления.

Добавление времени гашения

Для включения времени гашения использовался генератор ШИМ с двойным выходом, у которого есть некоторое время гашения между сигналами стробирования.

Щелкните, чтобы закрыть это представление

В этом примере мы использовали устаревшие блоки из библиотеки / элемента управления, которые заменены блоками DoubleEnded и BlankingTimeGate из components / library / PowerConverters / SMPS / PWM library

Нажмите, чтобы закрыть это представление

Определение тонны и задержки взлета

Время гашения указывает только задержку между включением и выключением.Однако на самом деле есть две разные задержки включения и выключения. Они моделируются с помощью блока TurnOnTurnOff TonToff. Входной сигнал этого блока представляет собой прямоугольный сигнал, являющийся основным управляющим сигналом для ветви инвертора. Выходы задерживаются Ton и Toff для включения и выключения. Здесь указывается задержка включения 650 нс и задержка выключения 150 нс.

Щелкните, чтобы закрыть это представление

Напряжение в узле sw обычно показывает разницу между падением напряжения на синхронном МОП-транзисторе и на свободном диоде.Во время гашения светящиеся диоды работают.

Добавление модели заряда затвора.

Задержка зарядки затвора зависит от требуемого заряда затвора и сопротивления затвора. Используется модель level0 Mosfet components / library / Semiconductors / Mosfet / nMosfetLevel0 . Затвор этой модели включает в себя емкость затвора C GS и внутреннее сопротивление затвора R G . Также моделируется пороговое напряжение затвора V th . Затвор больше не является узлом блок-схемы, а является узлом схемы, и его необходимо приводить в действие от источника напряжения.Здесь мы используем управляемый источник напряжения B, выбранный из компонентов / схемы / контролируемых источников / B , и используем блок GAIN из компонентов / блоков / математики для умножения стробирующего сигнала из блока TurnOnTurnOff TonToff на 15, чтобы получить реалистичное стробирование. Напряжение.

Щелкните, чтобы закрыть это представление

Теперь добавлена ​​задержка, вызванная зарядкой затвора, и дополнительной задержкой можно управлять, выбрав соответствующее сопротивление затвора. В этом моделировании мы использовали типичное значение 10 Ом.

Драйвер для ворот тотемный столб

Напряжение зарядки затвора не такое идеальное и постоянное, как в нашем предыдущем примере. Это можно смоделировать, добавив схему тотемно-полюсного управления затвором для управления зарядкой и разрядкой емкости затвора. Задержка из блока Turn-On Turn-Off TonToff теперь увеличивается с задержкой, вызванной зарядкой емкости затвора C GS с постоянной времени τ = (R Gate R G Internal ) * C GS

Щелкните, чтобы закрыть это представление

Прицелы scope1 и scope2 показывают напряжение на затворе на нижней стороне и ток зарядки затвора для высокой стороны.Однако мы все еще используем постоянное бесконечное напряжение для управления воротами.

Добавление конденсатора начальной загрузки

Чтобы получить более реалистичное значение напряжения затвора для Mosfet высокого напряжения, добавлена ​​схема Bootstrap. МОП-транзистор низкого напряжения питается напрямую от источника постоянного напряжения 15 вольт. Напряжение на затворе Mosfet высокого уровня создается за счет использования конденсатора начальной загрузки C1. Он заряжается каждый раз, когда Мосфет низкого напряжения проводит. Поэтому важно, чтобы Mosfet низкого напряжения переключался регулярно, в противном случае конденсатор начальной загрузки C1 не будет заряжен.

Щелкните, чтобы закрыть это представление

Драйвер ворот имеет небольшое внутреннее сопротивление, которое не оказывает большого влияния. Более важным является управляющее напряжение для МОП-транзистора высокого напряжения. Конденсатор начальной загрузки C1 колеблется в зависимости от напряжения в узле sw и будет заряжаться только тогда, когда узел sw приближается к отрицательному напряжению промежуточного контура

.

Использование драйвера затвора IC

Драйвер затвора содержит ряд компонентов, и на данном этапе лучше заменить их моделью драйвера затвора. Здесь мы используем модель IR2111, поскольку она позволяет управлять с помощью одного управляющего сигнала и включает управление затвором с высокой стороны и имеет различные внутренние задержки затвора для включения и выключения.Конденсатор начальной загрузки C1 расположен с правой стороны ИС и подключен к выводу VS ИС, который является уровнем напряжения, который изменяется во время переключения. Резистор на 1 Ом; добавлен последовательно с диодом начальной загрузки, который предотвращает сильные всплески тока, когда диод D1 начинает проводить.

Щелкните, чтобы закрыть это представление

Уровни напряжения вентилей Vhigh и Vlow отображаются в первом осциллографе. Вы можете видеть, что они больше не полностью равны, так как напряжение на высокой стороне должно заряжаться конденсатором начальной загрузки.Только после нескольких циклов Vhigh и Vlow становятся равными. Напряжение питания для ИС напрямую подключается к выводу 1, называемому Vcc. Внутри это напряжение используется для тотема низкого уровня. Обе цепи тотемных полюсов работают только в том случае, если их напряжение питания находится на требуемом уровне, на что указывают блоки UVLO (Under Voltage Lock Out). Буфер с высоким входным импедансом и сдвиг уровня напряжения распределяют входящий управляющий сигнал на выводе 2 IN на драйверы затвора.

Драйвер затвора IR2111 в DIP-корпусе

Вместо использования подробного символа для привода ворот, те же функции доступны в модели меньшего размера.Здесь те же компоненты упакованы внутри макета, совместимого с DIP-8.

Щелкните, чтобы закрыть это представление

Функциональность такая же, как и у предыдущей модели. Обратите внимание на схему DIP-пакета для подключения затвора Mosfet к ИС. Возможны короткие провода, а контакты для верхней стороны расположены в правильном порядке на одной стороне ИС. Это позволяет создавать короткие петли на печатной плате, чтобы поддерживать минимальную индуктивность контура. Однако вы можете установить индуктивность контура затвора, добавив небольшие индуктивности, например, от 5 до 100 нГн в контур контура затвора.Эти индуктивности (не реализованные в приведенной выше модели) будут значительно влиять на динамику зарядки затвора.

Более подробная модель Mosfet

ИС драйвера затвора не питается от бесконечного постоянного напряжения, а исходит от небольшого источника питания, который использует конденсаторы для стабилизации уровня напряжения. Необходимо следить за тем, чтобы эти конденсаторы имели внутреннее эквивалентное последовательное сопротивление [ESR], которое влияет на уровень напряжения. Эффект этого четко виден в напряжениях затвора Vhigh.Однако при более внимательном рассмотрении обнаруживается более странное различие между Вай и Влоу. Это связано с сигналом напряжения на узле sw.

Чтобы понять, что происходит в узле sw, нам нужна более подробная модель Mosfet, см. components / library / Semiconductor / Mosfet / TrenchMosfetDiode . Применяемая здесь модель включает в себя обратную связь и выходную емкость Mosfet. Во-вторых, в эту модель включена нелинейная зависимость между V GS , V DS и I DS как функцией температуры.Эта модель используется для детального изучения включения и выключения Mosfet. Включает антипараллельный диод, моделирующий обратное восстановление. Поскольку нелинейная зависимость между V GS , V DS и I DS является функцией температуры, к Mosfet необходимо добавить тепловую модель. Для этого используется тепловая модель корпуса TO220 из библиотеки тепловизоров components / library / therm / case . Температуру корпуса можно контролировать на тепловом узле между Mosfet и тепловым узлом корпуса.Потери проводимости и переключения МОП-транзистора перетекают из МОП-транзистора в тепловую модель корпуса, тем самым нагревая корпус и, в конечном итоге, также и кристалл МОП-транзистора.

Щелкните, чтобы закрыть это представление

Звонок напряжения на узле sw теперь четко виден в scope6. Scope4 показывает напряжение МОП-транзистора нижнего уровня и ток через МОП-транзистор нижнего уровня.

Сигналы переключения

Звонок в узле SW наиболее заметен при включении высокого напряжения Mosfet.Это связано с обратным восстановлением антипараллельного диода с низкой стороны и размером паразитной индуктивности между МОП-транзисторами.

Нажмите, чтобы закрыть это представление

Превышение напряжения Mosfet

Напряжение на стороне низкого напряжения Msofet показано ниже. Здесь видно, что из-за звонка на узле sw, напряжение на Mosfet низкого напряжения достигает около 30 вольт, что на 50% больше, чем напряжение в звене постоянного тока

. Щелкните, чтобы закрыть это представление

На приведенной выше форме волны мы можем видеть звон с частотой, равной 1/50 нс = 20 МГц = 1 / (2 π √ (LC DS )).Это приблизительно связано с выходной емкостью МОП-транзистора нижнего уровня и паразитной индуктивностью.

Напряжение на конденсаторе начальной загрузки почти постоянно, даже во время звонка узла sw.

Щелкните, чтобы закрыть это представление

Конденсатор начальной загрузки должен обеспечивать ток для зарядки затвора. Это хорошо видно на рисунке ниже. Пиковые токи заряда затвора (красные и синие дорожки) превышают 1 ампер. Этот ток обеспечивается конденсатором начальной загрузки.Зарядка конденсатора начальной загрузки происходит, как только МОП-транзистор низкого напряжения проводит ток. В этот момент через последовательный диод начальной загрузки проходит пиковый ток, заряжающий конденсатор начальной загрузки (голубая кривая).

Нажмите, чтобы закрыть это представление

Примеры из этого руководства можно скачать по этой ссылке.

ir2151 техническое описание и примечания к применению

Самоколебательный полумостовой привод

Аннотация: драйвер igbt таймера 555 ir2151 ic Привод затвора таймера 555 приложение mosfet ir2153 IR21531 приложение IR2153 схема схемы IR2153 IC DRIVER IR2151 IR2153 приложение перекрестная проводимость
Текст: Предварительный лист данных №PD60034-J IR2151 ПРИМЕЧАНИЕ. Для новых разработок мы рекомендуем новые продукты IR IR2153 и IR21531 САМОКОБИЛИРУЮЩИЙСЯ ПОЛУМОСТОВЫЙ ДРАЙВЕР Характеристики Краткое описание продукта • Плавающий канал, разработанный для работы в режиме начальной загрузки • • Полностью работоспособен до + 600 В


Оригинал
PDF PD60034-J IR2151 IR2153 IR21531) IR2151 IR2151S Автоколебательный полумостовой драйвер Драйвер IGBT таймера 555 ic 555 таймер затвор привода MOSFET приложение ir2153 Приложение IR21531 ЦЕПНАЯ СХЕМА IR2153 ДРАЙВЕР IC IR2151 IR2153 ПРИМЕНЕНИЕ Поперечная проводимость
Импульсная цепь 150 кГц

Аннотация: ir2151 IR2151S Ablebond 190 MP150 IC DRIVER IR2151
Текст: Указатель предыдущего листа данных Следующий лист данных №PD-6.034G IR2151 ДРАЙВЕР ПОЛУМОСТОВОГО САМОКОБИЛИРУЮЩЕГОСЯ Характеристики Описание продукта n Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки Полностью работоспособен до +600 В Устойчив к отрицательному переходному напряжению dV / dt невосприимчив к


Оригинал
PDF IR2151 IR2151 EME6300 MP150 MP190 В-191 В-192 Импульсная схема 150 кГц IR2151S Ablebond 190 ДРАЙВЕР IC IR2151
IR21531 заявка

Аннотация: ПРИЛОЖЕНИЕ IR2153 Драйвер igbt перекрестной проводимости с таймером 555 IR2153 Драйвер igbt таймера 555 Приложение ir2153 Схема IR2153 ЦЕПЬ Самоколебательный полумостовой драйвер IR21531 IR2151S
Текст: 2002-04-10 ИНФОРМАЦИЯ О ПРОДУКЦИИ Vi reserverar oss mot fel samt förbehåller oss rätten till ändringar utan föregående meddelande ELFA artikelnr 73-438-09 IR2151 GATE DRIVE 8 L DIP Предварительная таблица данных No.PD60034-J IR2151 ПРИМЕЧАНИЕ. Для новых разработок мы рекомендуем новые продукты IR: IR2153 и IR21531.


Оригинал
PDF IR2151 PD60034-J IR2151 IR2153 IR21531) IR2151S Приложение IR21531 IR2153 ПРИМЕНЕНИЕ Поперечная проводимость драйвер igbt с таймером 555 Драйвер IGBT таймера 555 приложение ir2153 ЦЕПНАЯ СХЕМА IR2153 Автоколебательный полумостовой драйвер IR21531 IR2151S
ir2151

Аннотация: драйвер igbt с таймером 555 ic 555 таймер затвора Драйвер IGBT Руководство разработчика 555 igbt driver so8 Wire Bond MP150 IR2151S zener 600v 555 timer igbt driver
Текст: Спецификация No.PD-6.034G IR2151 ДРАЙВЕР ПОЛУМОСТОВОГО САМОСОБИРАЮЩЕГОСЯ Характеристики Описание продукта n Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки Полностью работоспособен до + 600 В Устойчив к отрицательным переходным напряжениям dV / dt, невосприимчив к n Блокировка при пониженном напряжении n Программируемая частота генератора


Оригинал
PDF IR2151 IR2151 EME6300 MP150 MP190 В-191 В-192 драйвер igbt с таймером 555 ic 555 таймер затвор привода Руководство разработчика IGBT 555 igbt драйвер so8 Проволочная связь IR2151S стабилитрон 600в Драйвер IGBT таймера 555
СХЕМА ЭЛЕКТРОННОЙ БАЛЛАСТНОЙ КОМПАКТНОЙ ЛАМПЫ

Аннотация: диоды IN4001 Электронный балласт 100 Вт Схема балласта IN4001 Схема подключения диода IN4001 Лампа 100 Вт Схема инвертора Схема резонансного полумостового балласта ir2151
Текст: СОВЕТ ДИЗАЙНА International Rectifier • 233 Kansas Street El Segundo CA США Сверхкомпактные люминесцентные балласты с использованием гибридного преобразователя IR51h520 Уведомления: HEXFET является товарным знаком международных полевых МОП-транзисторов для выпрямителей Резюме: Рис. флуоресцентные лампы, требующие


Оригинал
PDF ИР51х520 IR2151 IN40tor 001 мкФ 120 В переменного тока ИР51х314 ИР51х324 240 В переменного тока ЭЛЕКТРОННЫЙ БАЛЛАСТ компактная СХЕМА ЛАМПЫ диоды IN4001 Электронный балласт 100Вт IN4001 схема балласта диод IN4001 электрическая схема лампы Принципиальная схема инвертора 100 Вт схема балласта резонансного полумоста
Т106-26

Аннотация: драйвер затвора scr ic 555 привод затвора таймера scr электронный балласт с 555 ic цепь запуска mosfet с использованием 555 PTC TDK включение mosfet с помощью ic 555 RC демпферный дизайн mosfet 555 таймер igbt драйвер ic 555 таймер затвор привода mosfet
Текст: Указатель Советы по проектированию DT 94-9A Повышение защищенности IR2151 и IR2152 от защелки в балластных устройствах Введение IR2151 и IR2152 представляют собой интегральные микросхемы высокого напряжения, разработанные специально для управления балластами электронных ламп.Эти устройства включают в себя внешний генератор, аналогичный популярному


Оригинал
PDF IR2151 IR2152 T106-26 scr драйвер ворот ic ic 555 таймер затвор привода scr электронный балласт с 555 ic Схема запуска MOSFET с использованием 555 PTC TDK Включите MOSFET по ic 555 RC демпферный MOSFET дизайн Драйвер IGBT таймера 555 ic 555 таймер затвор привода MOSFET
Источник питания
с использованием IR2155

Аннотация: советы по проектированию ir2155 Транзистор IR2155 Электронный балласт ir2151 Схема ir2155 электронного балласта с драйвером igbt 555 ic с таймером 555 Драйвер igbt таймера 555 Электронный балласт IR2155
Текст: Указатель Советы по дизайну DT 94-10A Выбор правильного номинала падающего резистора для управляющих микросхем IR2151 / IR2152 / IR2155 ОТ TICK HOUK ВВЕДЕНИЕ IR2155 / 51/52 – это интегральные микросхемы высокого напряжения, разработанные специально для управления балластами электронных ламп.Эти устройства включают


Оригинал
PDF 4-10А IR2151 / IR2152 / IR2155 IR2155 / 51/52 IR2151 840 мА 175 мА 180 мА 500 мА 795 мА. 795 мА источник питания с использованием IR2155 ir2155 советы по дизайну IR2155 транзистор электронный балласт ir2155 схема электронный балласт с 555 ic драйвер igbt с таймером 555 Драйвер IGBT таймера 555 Электронный балласт IR2155
MOSFET

Аннотация: МОП-транзистор cmos 555 IR2151 против МОП-транзистора SCR ic 555 PNPN st mosfet IR2152 SCR PNPN IGBT dv
Текст: СОВЕТЫ ПО ДИЗАЙНУ DT 94-9AJ ПРИМЕНЕНИЕ ENG ・ ・ 233 KANSAS ST.・ EL SEGUNDO, CA. ・ ・ TEL (310)) 322-3331 ・ FAX (310)) 322-3332 INTERNATIONAL RECTIFIER ・ バ ラ ア プ に 2


Оригинал
PDF 94-9AJ IR2151 IR2152 IR2151 1IR2151 mosfet cmos 555 MOSFET против SCR ic 555 ПНПН st mosfet IR2152 SCR PNPN IGBT dv
IR21531 заявка

Аннотация: драйвер igbt с таймером 555 Автоколебательный полумостовой драйвер ir2153 приложение IR2153 CIRCUIT диаграмма ir2151 IR2153 APPLICATION cross-congress IR21531 555-таймер схема 555 таймер igbt драйвер
Текст: Предварительный лист данных №PD60034I IR2151 ПРИМЕЧАНИЕ. Для новых разработок мы рекомендуем новые продукты IR IR2153 и IR21531 САМОКОБИЛИРУЮЩИЙСЯ ПОЛУМОСТОВЫЙ ДРАЙВЕР Характеристики Краткое описание продукта • Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки • • Полностью работоспособен до + 600 В


Оригинал
PDF PD60034I IR2151 IR2153 IR21531) IR2151 Приложение IR21531 драйвер igbt с таймером 555 Автоколебательный полумостовой драйвер приложение ir2153 ЦЕПНАЯ СХЕМА IR2153 IR2153 ПРИМЕНЕНИЕ Поперечная проводимость IR21531 Схема таймера 555 Драйвер IGBT таймера 555
Источник питания
с использованием IR2153

Аннотация: IR2153 ir2153 power supply ir2153 application power supply СХЕМА с использованием IR2153 IR2153D ir2151 IR2155 IR2153S IC DRIVER IR2153
Текст: Предварительный лист данных №PD60062-К IR2153 D (S) автоколебательной полумостовой Функции драйвера • • • • • • • • • • • • • • Сводка продукта Интегрированный 600В полумостовой ворот водитель 15.6V стабилитроны зажим на Vcc значение True MicroPower запуска


Оригинал
PDF PD60062-K IR2153 50 нс IR2153D) источник питания с использованием IR2153 ir2153 источник питания приложение ir2153 СХЕМА ПИТАНИЯ с использованием IR2153 IR2153D ir2151 IR2155 IR2153S ДРАЙВЕР IC IR2153
ir2155 советы по дизайну

Аннотация: IR2155 CMOS555 IR624 IR2151 IRF624 9410AJ 94-10AJ 9410A ICIR2151IR2152
Текст: International Rectifier DESIGN TIPS DT 94-10AJ APPLICATION ENG ・ ・ 233 KANSAS ST.・ ・ EL SEGUNDO, CA. ・ ・ TEL (310)) 322-3331 ・ ・ FAX (310)) 322-3332 INTERNATIONAL RECTIFIER ・ コ ン ト ー ル IR2151 、 IR2152 及 IR2155 の


Оригинал
PDF 94-10AJ ICIR2151IR2152 IR2155 IR2151IR2152 CMOS555 1IR2155 -1000 частей на миллион / ir2155 советы по дизайну IR2155 CMOS555 IR624 IR2151 IRF624 9410AJ 94-10AJ 9410A ICIR2151IR2152
диод 10Кф6

Аннотация: ir2155 40w электронный балласт IR2155 эквивалент T106-26 IR2151 DT 94-3 автоколебательный электронный балласт 40W 10KF6 ir2155 дизайн советы транзистор IRF 630 IR2111 ПРИМЕНЕНИЕ
Текст: Примечания по применению Электронные балласты AN-995A с использованием экономичных драйверов IR215X Введение Электронные балластные цепи недавно претерпели революцию в плане сложности по сравнению с ранними биполярными конструкциями десять лет назад.Это было сделано


Оригинал
PDF Ан-995А IR215X IR2151 IR2111 IRF820 1N4007 10DF6 250 В переменного тока T106-26 EE-30Z Диод 10Кф6 ir2155 40w электронный балласт Эквивалент IR2155 T106-26 IR2151 DT 94-3 автоколебательный Электронный балласт 40 Вт 10КФ6 ir2155 советы по дизайну транзистор IRF 630 IR2111 ПРИМЕНЕНИЕ
IC cd4017 лист данных

Аннотация: ic1 cd4017 IC CD4017 ic1 cd4017 схема контактов SPICE МОДЕЛЬ CD4017 принципиальная схема инвертор постоянного / переменного тока cd4017 примечания по применению инверторы от 12 В до 230 В переменного тока принципиальная схема CD4017 Схемы инверторов от 12 до 230 В
Текст: дизайнерские идеи Под редакцией Билла Трэвиса и Энн Уотсон Сваджер Модель неидеального трансформатора в Spice Vittorio Ricchiuti, Siemens ICN, L’Aquila, Италия Разработчики часто используют трансформаторы в качестве адаптеров напряжения, тока и импеданса.Трансформаторы обычно состоят из двух индуктивно связанных катушек,


Оригинал
PDF 20-СЕКУНДА CD4017 CD4538 CD4072 1N4148. ic cd4017 лист данных ic1 cd4017 Микросхема CD4017 ic1 cd4017 контактная схема SPICE МОДЕЛЬ CD4017 принципиальная схема преобразователя постоянного тока в переменный ток заметки по применению cd4017 Принципиальная схема инверторов от 12 В постоянного тока до 230 В переменного тока Электрические схемы инверторов от 12в до 230в
Источник питания
с использованием IR2153

Аннотация: приложение ir2153 IR2153 ir2153 выключение Приложение IR21531 SCR TL431 Спецификация полумостовой схемы с использованием IR2153 IR2153 ПРИЛОЖЕНИЕ перекрестной проводимости IR2153D принципиальная схема Защита жесткого переключения ir2153
Текст: Назад СОВЕТ ДИЗАЙНА International Rectifier DT 98-4 • 233 Kansas Street El Segundo CA США Технический обзор продуктов IR215x Автор Джон Парри Введение Устройства IR215x широко используются в автономных высокопроизводительных, чувствительных к стоимости областях, таких как электронные балласты,


Оригинал
PDF IR215x IR2155 500 мА.источник питания с использованием IR2153 приложение ir2153 IR2153 ir2153 выключение Приложение IR21531 SCR TL431 Спецификация полумостовая схема с использованием IR2153 IR2153 ПРИМЕНЕНИЕ Поперечная проводимость Принципиальная схема IR2153D ir2153 защита от жесткого переключения
Источник питания
с использованием IR2153

Аннотация: ir2153 12v стабилитрон код IR2153D ir2153s ir2153 приложение IR2155 бесплатно IC 555 IR2153D принципиальная схема ir2153 выключение
Текст: Предварительный лист данных №PD60062-L IR2153D S & (PbF) автоколебательной полумостовой Функции драйвера • • • • • • • • • • • • • • • Сводка продукта Интегрированный 600В полумостовой драйвер затвора 15.6V стабилитроны зажим на старте Vcc истинного микромощного вверх


Оригинал
PDF PD60062-L IR2153D 50 нс IR2153D) IR2153 IR2153 IR2153S IR2153S IR2153D источник питания с использованием IR2153 Код стабилитрона 12 в приложение ir2153 IR2155 бесплатно IC 555 Принципиальная схема IR2153D ir2153 выключение
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: International IQR Rectifier Data Sheet No.PD-6.034G IR2151 ДРАЙВЕР ПОЛУМоста с самовозбуждением Характеристики Краткое описание продукта • Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки Полностью работоспособен до + 600 В Устойчив к отрицательным переходным напряжениям dV / dt Устойчив к ■ Блокировка при пониженном напряжении


OCR сканирование
PDF IR2151 0-20В A / 210 IR2151 EME6300 MP150 MP190 В-191 DD27715
IR2151

Аннотация: ir215
Текст: International les Rectifier Data Sheet No.PD-6.034G IR2151 ДРАЙВЕР ПОЛУМоста с самовозбуждением Характеристики Краткое описание продукта • Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки Полностью работоспособен до + 600 В Устойчив к отрицательным переходным напряжениям dV / dt Устойчив к ■ Блокировка при пониженном напряжении


OCR сканирование
PDF IR2151 IR2151 5М-1982. MS-012AA. ir215
IR2151

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: International S Rectifier Data Sheet No.PD-6.034E IR2151 ДРАЙВЕР ПОЛУМоста с самовозбуждением Краткое описание продукта Характеристики Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки Полностью работоспособен до + 600 В Устойчив к отрицательным переходным напряжениям dV / dt Устойчив к блокировке пониженного напряжения


OCR сканирование
PDF IR2151 —————- 75Q) IR2151 IR2151S
ir2151

Аннотация: драйвер 600v
Текст: Международный паспорт выпрямителя IGR № PD-6.034G IR2151 ДРАЙВЕР ПОЛУМОСТОВОГО САМОКОБИЛИРУЮЩЕГОСЯ Характеристики Описание продукта • Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки Полностью работоспособен до + 600 В Устойчив к отрицательному переходному напряжению dV / dt невосприимчив к


OCR сканирование
PDF IR2151 IR2151 EME6300 MP150 MP190 драйвер 600v
scr драйвер затвора ic

Аннотация: ic 555 таймер затвора привод scr scr драйвер ic для выпрямителя 3 фазы T106-26 IR2151 DT 94-3 ic 555 таймер затвора привод mosfet электронный балласт с 555 ic igbt драйвером с таймером 555 RC демпферный дизайн mosfet ЭЛЕКТРОННЫЙ БАЛЛАСТ СХЕМА 4 ЛАМП npn
Текст: s s D esig n T ips D T 94-9 IX T K K N A T IO N A I.K l.C t J lU .R CORI *. A IT I.1 C A T 1 0N S K \;. 233 К А Н С А С ВИ ‘. I I. S K U N D O. C A 911245 I VI. <310> 322-333l 1 A \ <.U 11 322-3332 МАКСИМАЛЬНОЕ УВЕЛИЧЕНИЕ ИММУНИТЕТА IR2151 И IR2152 ЗАЩЕЛКУ В БАЛЛАСТНЫХ ПРИЛОЖЕНИЯХ


OCR сканирование
PDF UHMJ22-333I JIWJ22-3JJ2 IR2151 IR2152 IR2151 scr драйвер ворот ic ic 555 таймер затвор привода scr микросхема драйвера scr для выпрямителя 3 фазы T106-26 IR2151 DT 94-3 ic 555 таймер затвор привода MOSFET электронный балласт с 555 ic драйвер igbt с таймером 555 RC демпферный MOSFET дизайн ЭЛЕКТРОННЫЙ БАЛЛАСТ 4 ЛАМПЫ СХЕМА npn
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: International IR Rectifier IR2151 Предварительная таблица данных № PD60034I ПРИМЕЧАНИЕ: Для новичков мы рекомендуем новые продукты SB fR 2 1 § 3 и IR 2 1 S 31 САМОКОБИЛИРУЮЩИЙСЯ ПОЛУМОСТ ДРАЙВЕР Характеристики Обзор продукта • Плавающий канал, предназначенный для начальной загрузки операция


OCR сканирование
PDF IR2151 PD60034I
Источник питания
с использованием IR2155

Аннотация: электронный балласт кВт мощность ir2155 ir2155 советы по проектированию IR2155 электронный балласт ir2151 IC 555 в качестве регулятора температуры драйвер igbt таймера 555 драйвер igbt с транзистором таймера 555 Электронный балласт
Текст: International Hü] Советы по обозначению выпрямителя DT 94-1OA МЕЖДУНАРОДНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ • ПРИМЕНЕНИЕ ENG.• 233 KANSAS ST. • ЭЛЬСЕГУНДО, CA. • ТЕЛ 310 322-3331 • ФАКС (310) 322-3332 ВЫБОР ПРАВИЛЬНОГО ЗНАЧЕНИЯ ПАДНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ДЛЯ ИС УПРАВЛЕНИЯ IR2151 / IR2152 / IR2155


OCR сканирование
PDF IR2151 / IR2152 / IR2155 IR2155 / 51 источник питания с использованием IR2155 электронный балласт кВт мощность ir2155 ir2155 советы по дизайну Электронный балласт IR2155 ir2151 IC 555 как регулятор температуры Драйвер IGBT таймера 555 драйвер igbt с таймером 555 транзистор электронный балласт
1R2151

Аннотация: ABLEBONd 84-1 IR2161 IR2151 EZ 711 293 MP150 Самоколебательный полумостовой драйвер aa vb 399
Текст: Международный IQR] Выпрямитель F WRHlMl.W laM n c? i \ / i = D 1m # 1 VI V I n i V Краткое описание продукта • Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки


OCR сканирование
PDF IR2151 1R2151 Ит45М-1С82.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *