Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Содержание

Транзистор КТ117 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ117

 

Характеристики транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ117А BRY56
КТ117Б 2N2647
КТ117В 2N4893
КТ117Г MU4894
Структура  — n-база
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max  60 °C 150 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ117А ≥5* МГц
КТ117Б ≥5*
КТ117В ≥5*
КТ117Г ≥5*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ117А 30** В
КТ117Б 15**
КТ117В 15**
КТ117Г 30**
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
UЭБО проб.,  КТ117А  — 10 В
КТ117Б 10
КТ117В 10
КТ117Г 10
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ117А 50 мА
КТ117Б 50
КТ117В 50
КТ117Г 50
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**
КЭO
КТ117А 30 В ≤1 мкА
КТ117Б 30 В ≤1
КТ117В 30 В ≤1
КТ117Г 30 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ117А  UБ1Б2 = 10 В 0. 5…0.7
КТ117Б UБ1Б2 = 10 В 0.65…0.9
КТ117В UБ1Б2 = 10 В 0.5…0.7
КТ117Г UБ1Б2 = 10 В 0.65…0.9
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ117А пФ
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас КТ117А Ом
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых КТ117А Дб, Ом, Вт
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ117А пс
КТ117Б
КТ117В
КТ117Г

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор КТ117: КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г

Поиск по сайту


Транзистор КТ117 - эпитаксиально-планарный, однопереходный, кремниевый, с базой n-типа. Применяется в маломощных генераторах. Имеет металлический корпус. Выводы - гибкие. Надпись о типе элемента нанесена на корпусе. Весит не более 0.45 г.

КТ117 цоколевка

Цоколевка КТ117 показана на рисунке.

Электрические параметры транзистора КТ117

• Коэффициент передачи тока. (Режим малого сигнала.) UБ1Б2 = 10В:
T = +25°C:
КТ117А, КТ117В, 2Т117А, 2Т117В 0.5 ÷ 0.7
2Т117Б, 2Т117Г 0. 65 ÷ 0.85
КТ117Б, КТ117Г 0.65 ÷ 0.9
T = +70°C:
КТ117А, КТ117В, 2Т117А, 2Т117В 0.45 ÷ 0.7
2Т117Б 0.6 ÷ 0.85
2Т117Г 0.6 ÷ 0.8
КТ117Б, КТ117Г 0.6 ÷ 0.9
T = −60°C:
КТ117А, КТ117В, 2Т117А, 2Т117В 0.5 ÷ 0.8
2Т117Б, 2Т117Г 0.65 ÷ 0.9
КТ117Б, КТ117Г 0.65 ÷ 0.95
• Частота генерации (максимальная) 200 КГц
• Время включения UБ1Б2 = 10 В, Iэ = 50 мА, не более:
T = +25°C 3 мкс
T = −60. ..+125°C 5 мкс
• Напряжение Э-Б (остаточное), не более:
T = −60...+25°C 5 В
при Tэ = 10 мА, Т = +70°C для 2Т117(А-Г) 4 В
при Tэ = 50 мА, Т = +70°C для КТ117(А-Г) 4 В
• Ток включения эмиттера при UБ1Б2 = 10 В, не более 20 мкА
• Ток выключения эмиттера при U
Б1Б2
= 20 В, не менее
1 мА
• Ток модуляции, не менее: 10 мА
• Обратный ток эмиттера при UБ1Б2 = 30 В, не более:
T = +25°C 1 мкА
T = +125°C 10 мкА
• Межбазовое сопротивление:
при T = +25°C:
2Т117А, 2Т117Б 4 ÷ 7. 5 КОм
2Т117В, 2Т117Г 6 ÷ 9 КОм
КТ117А, КТ117Б 4 ÷ 9 КОм
КТ117В, КТ117Г 8 ÷ 12 КОм
при T = +70°C:
2Т117В, 2Т117Г 6 ÷ 15 КОм
КТ117В, КТ117Г 6 ÷ 18 КОм
при T = −60°C:
2Т117В, 2Т117Г 3 ÷ 8.5 КОм
КТ117В, КТ117Г 4 ÷ 12 КОм

Предельные эксплуатационные характеристики транзистора КТ117

• Межбазовое напряжение (постоянное) 30 В
• Напряжение Б-Э 30 В
• Ток Э (постоянный) 50 мА
• Ток Э (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 200 1 А
• Рассеиваемая мощность Э (постоянная):
при Т = −60. ..+35°C 300 мВт
при Т = +125°C 15 мВт
• Температура p-n перехода 130°C
• Рабочая температура (окружающей среды) −60°...+125°C


ОДНОПЕРЕХОДНЫЙ ТРАНЗИСТОР

   Транзистор серии КТ117 - в какой-то мере уникальный, он почти не имеет аналогов. Он относится к категории однопереходных транзисторов с двумя базами. Такой транзистор не нашел широкого применения и был забыт, но на них можно реализовать неплохие простые электронные игрушки. 

 

   Транзистор применялся в частности в блоках питания, в качестве регулятора напряжения, его можно встретить в импульсных блоках питания отечественных телевизоров и т.п. Ниже будет рассмотрен самый простой вариант схемы звукового генератора. Эта радиосхема отличается простотой сборки, содержит всего 3 комплектующих компонентов, список которых приведен ниже.

 1) Конденсатор неполярный 0,1 мкФ (маркировка 104)
 2) Резистор 100-220 Ом 
 3) Резистор 3,3-10 к 
 4) Головка динамическая с сопротивлением катушки от 8 до 100 ом 
 5) Источник питания, например крона на 9 вольт. 


   Ну и конечно сам транзистор КТ117 с любой буквой. Далее собираем простейшую схему звукового генератора. Повышением или понижением питающего напряжения можно изменить тональность выходного сигнала. Частоту работы генератора можно настроить изменением номиналов резистора R2 и конденсатора C1. Рисунок платы и схема в формате sPlan - в архиве.


   Если вы не найдёте такой радиоэлемент, замените его обычными транзисторами. Ниже показана схема замены двухбазового однопереходного транзистора:

   Процесс испытания звукового генератора на КТ117 вы можете посмотреть в небольшом видеоролике.

 

   В дальнейшем мы рассмотрим несколько интересных схем с использованием этого необычного элемента, чтобы дополнить пробел, поскольку в последнее время этот транзистор был практически списан из схемотехники. АКА КАСЬЯН.

   Форум по радиодеталям

   Форум по обсуждению материала ОДНОПЕРЕХОДНЫЙ ТРАНЗИСТОР



СТАНДАРТЫ РАДИОСВЯЗИ

Обсудим действующие стандарты радиосвязи, узнаем чем они отличаются, и когда использовать какие из них.



Однопереходные транзисторы КТ117, схемы, зарядное устройство, аналоги, характеристики, регулятор, генератор, замена, цоколевка, аналоги, маркировка

Транзисторы КТ117 кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах. Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,45 г.

Корпусное исполнение и цоколевка КТ117

№1 - Эмиттер

№2 - База 1

№3 - База 2

Характеристики транзисторов КТ117

Предельные параметры КТ117

Максимально допустимый постоянный ток эмиттера (IЭ max) при Т = 25° C:

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 50 мА

Максимально допустимый импульсный ток эмиттера (IЭ, и max) при Т = 25° C:

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 1000 мА

Максимально допустимое межбазовое напряжение (UБ1Б2 max) при Тп = 25° C:

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 30 В

Максимально допустимое обратное напряжение между эмиттером и базой2 (UБ2Э max) при Тп = 25° C:

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 30 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (Pmax) при Т = 35° C:

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 300 мВт

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 130° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 125° C

Обратный ток эмиттера (IЭБ0 max):

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 1 мкА
Электрические характеристики транзисторов КТ117 при Т
= 25oС

Коэффициент передачи (η) при UБ1Б2 = 10 В

  • КТ117А, КТ117В - 0,5 - 0,7
  • КТ117Б, КТ117Г - 0,65 - 0,9

Напряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ max)

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 5 В

Ток включения (Iвкл)

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 20 мкА

Ток выключения (Iвыкл)

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 1 мА

Межбазовое сопротивление (RБ1Б2)

  • КТ117А, КТ117Б - 4 - 9 кОм
  • КТ117В, КТ117Г - 8 - 12 кОм

Время включения (tвкл)

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 3 мкс

Максимальная частота генерации (fmax)

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 200 кГц

Ток модуляции (IБ2 min)

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 10 мА

Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)

  • КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г - 0,33 ° C/Вт

Опубликовано 21. 02.2020

DC-DC понижающий преобразователь - ссылка на товар.

Как проверить кт117 тестером

Транзисторы КТ117

КТ117 представляет из себя специальный полупроводниковый прибор, так называемый — однопереходный транзистор.
КТ117 предназначен для работы в генераторах, в качестве переключателя малой мощности. Коллектора у однопереходного транзистора нет, а есть эмиттер и две базы — 1 и 2.

Схема эквивалентная однопереходному транзистору КТ117 выглядит вот так:

А схема звукового генератора собранная на КТ117 может выглядеть вот таким образом:

Схема получается гораздо проще, поскольку один КТ117 заменяет здесь два обычных биполярных транзистора.

Параметры однопереходного транзистора.

Максимальный ток эмиттера — у КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г — 30мА.

Напряжение между базами — у всех КТ117 — 30в.

Напряжение между базой 2 и эмиттером — у всех КТ117 — 30в.

Максимальная рассеиваемая мощность — у всех КТ117 — 300мВт.

Межбазовое сопротивление:

У КТ117А,Б — от 4 до 9 кОм.
У КТ117В,Г — от 8 до 12 кОм.

Максимальная рабочая частота — у всех КТ117 — 200кГц.

Коэффициент передачи — отношение напряжения включения к напряжению между базами: У КТ117А — от 0,5 до 0,7
У КТ117Б — от0,65 до 0,9
У КТ117В — от 0,5 до 0,7
У КТ117Г — от 0,65 до 0,9

Корпус транзистора пластиковый или металло-стекляный. Маркировка буквенно — цифровая.

Принцип работы однопереходного транзистора.

Итак, любой однопереходный транзистор содержит в себе один p-n переход, что и вобщем то и так понятно — из его названия. Если переход один, откуда у него тогда три электрода, и как он вообще работает? На кристалле полупроводника однородной проводимости, на некотором расстоянии друг от друга имеются омические контакты — База1(Б1) и База2(Б2). Между ними находится область p-n перехода — контакт с полупроводником противоположной проводимости, омический контакт которого является — эмиттером.

Обычно, принцип действия однопереходного транзистора рассматривают с помощью несложной эквивалентной схемы.

R1 и R2 здесь — сопротивления между выводами Б1 и Б2, а V1 — эмиттерный p-n переход. Согласно данной схемы через R1 и R2 будет течь ток,причем падение напряжения на R1 будет смещать диод в обратном направлении. Таким образом, диод будет закрыт, пока на эмиттер не будет подано прямое напряжение превышающее величину падения напряжения на R1. Как только такое напряжение подано, диод открывается и начинает пропускать ток в прямом направлении. При этом сопротивление R1 еще более уменьшается — снижается напряжение падения. Происходит лавинообразный процесс открывания транзистора.

Схема тиристорного регулятора на однопереходном транзисторе.

На рисунке ниже — схема тиристорного регулятора, с лампой накаливания в виде нагрузки.

R1 — 100 КОм — переменный, мощностью 0,5 Вт, любого типа.
Резисторы R2 — 3 КОм, R3 — 1 КОм, R4 — 100 Ом, R5 — 30 КОм — МЛТ.
VD1 — стабилитрон Д814В
VD2 — КД105Б
VD3 — КД202Р
VS1 — КУ202Н
Конденсатор С1 — 0,1МФ 400В., любого типа.
Транзистор VT1 — КТ117А
Плавкий предохранитель 0.5 — 1.5 Ампер(в зависимости от мощности лампы.)

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т. д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

  1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
  2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

  1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

  1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
  2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

  • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
  • Л – лампочка.
  • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

  1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

  1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
  2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

  1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

  1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
  2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

  • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
  • Л – лампочка.
  • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

  1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

КТ117Б транзистор (0117б N-база 0030V 0050mA 000.2MHz TO-18 КТ117Б-Au)

  1. Продукция
  2. Транзистори
  3. СНД 2Т... КТ...

Код товара: Т0000014271

Маркировка: КТ117Б

Количество приборов:

Параметры
Наименование Значение Единица измерения Режим изменения
Проводимость N-база
Функциональное назначение выводов 1=Б1 2=Э 3=Б2
> Напряжение PN-перехода max peak = 30V
> Ток PN-перехода max = 50 mA
> Ток PN-перехода max peak = 1000 mA
> Ток обратный PN-перехода max <= 1 mkA
Граничная частота 0,2 MHz
Мощность 300 mW

Тиристорный регулятор мощности | Радиобездна

Друзья, приветствую вас! Сегодня я хочу рассказать о самой распространенной самоделки радиолюбителей. Речь пойдет о тиристорном регуляторе мощности.Благодаря способности тиристора мгновенно открываться и закрываться, его с успехом применяют в различных самоделках. При этом он обладает низким тепловыделением. Схема тиристорного регулятора мощности достаточно известна, но она имеет отличительную особенность от подобных схем. Схема построена таким образом, что при первоначальном включении устройства в сеть отсутствует скачок тока через тиристор, благодаря чему через нагрузку не протекает опасный ток.

Ранее я рассказывал о регуляторе температуры для паяльника, в котором в качестве регулирующего устройства используется тиристор. Данный регулятор может управлять нагрузкой мощностью 2 киловатта. Если силовые диоды и тиристор заменить на более мощные аналоги, то нагрузку можно увеличить в несколько раз. И можно будет использовать этот регулятор мощности для электрического тэна. Я же использую данную самоделку для пылесоса.

Схема регулятора мощности на тиристоре

Сама схема проста до безобразия. Я думаю, что не стоит объяснять принцип её работы:

Детали устройства:

  • Диоды; КД 202Р, четыре выпрямительных диода на ток не меньше 5 ампер
  • Тиристор; КУ 202Н, или другой с током не меньше 10 ампер
  • Транзистор; КТ 117Б
  • Резистор переменный; 10 Ком, один
  • Резистор подстроечный; 1 Ком, один
  • Резисторы постоянные; 39 Ком, мощностью два ватта, два штуки
  •  Стабилитрон: Д 814Д, один
  • Резисторы постоянные; 1,5 Ком, 300 Ом, 100 Ком
  • Конденсаторы; 0,047 Мк, 0,47 Мк
  • Предохранитель; 10 А, один

Тиристорный регулятор мощности своими руками

Готовое устройство, собранное по этой схеме выглядит вот так:

Так как деталей в схеме используется не очень много, можно применить навесной монтаж. Я же использовал печатный:

Регулятор мощности собранный по этой схеме очень надежен. Сначала этот тиристорный регулятор использовался для вытяжного вентилятора. Эту схему я реализовал около 10 лет назад. Первоначально я не использовал радиаторы охлаждения, так как ток потребления вентилятора очень мал. Затем я стал использовать эту электронную самоделку для пылесоса мощностью 1600 ватт. Без радиаторов силовые детали нагревались значительно, рано или поздно они вышли бы из строя. Но и без радиаторов это устройство проработало целых 10 лет. Пока не пробило тиристор. Первоначально я использовал тиристор марки ТС-10:

Теперь я решил поставить теплоотводы. Не забываем нанести тонкий слой теплопроводящей пасты КПТ-8 на тиристор и 4 диода:

Если у вас не окажется однопереходного транзистора КТ117Б:

то его можно заменить двумя биполярными собранными по схеме:

Сам я такую замену не производил, но должно получиться.

По данной схеме в нагрузку поступает постоянный ток. Это не критично, если нагрузка активная. Например: лампы накаливания, нагревательные тэны, паяльник, пылесос, электродрель и другие устройства, имеющие коллектор и щетки. Если же вы планируете, данный регулятор использовать для реактивной нагрузки, например электродвигателя вентилятора, то нагрузку стоит включить перед диодным мостом,  как это показано на схеме:

Резистором R7 регулируют мощность на нагрузке:

а резистором R4 устанавливают границы интервала регулирования:

При таком положении движка резистора на лампочку приходит  80 вольт:

Внимание! Будьте внимательны, эта самоделка не имеет трансформатора, поэтому некоторые радиодетали  могут находиться под высоким потенциалом сети. Будьте осторожны при настройке регулятора мощности.

Обычно тиристор не открывается из-за малости напряжение на нём и скоротечности процесса, а если и откроется, то будет закрыт при первом же переходе напряжения сети через 0. Таким образом, использование однопереходного транзистора решает задачу принудительной разрядки накопительного конденсатора, в конце каждого полупериода питающей сети.

Собранное устройство я поместил в старый ненужный корпус от трансляционного радио. Переменный резистор R7 я установил на штатное место. Осталось поставить на него ручку и проградуировать шкалу напряжения:

Корпус слегка великоват, но зато тиристор и диоды охлаждаются просто великолепно:

С боку устройства я поместил розетку, чтобы можно было подключить вилку от любой нагрузки. Для подключения собранного устройство к электросети я использовал шнур от старого утюга:

Как я говорил ранее, этот тиристорный регулятор мощности очень надёжен. Я им пользуюсь уже не один год. Схема очень проста, её сможет повторить даже начинающий радиолюбитель.

n602 техническое описание и примечания к применению

RAS 0510 SUN HOLD

Реферат: реле ras 1210 sun hold RAS 0510 relay RAS 0510 RAS 0510 SUN HOLD ras 0910 sun hold RAS 0610 ERF 2030 ras 0610 реле 45n03
Текст: Составлено Германом Боэлем и Джеймсом Нивеном. Домашняя страница EMWG: www. emwg.info 1998-2005 гг. Предисловие и авторские права Добро пожаловать в Евро-африканский справочник по средним волнам. То, что находится перед вами или то, что вы видите на экране компьютера, является результатом много тяжелой работы и любви.


Оригинал
PDF середина 1990-х RAS 0510 SUN HOLD реле ras 1210 защита от солнца RAS 0510 реле РАН 0510 RAS 0510 SUN HOLD ras 0910 защита от солнца RAS 0610 ERF 2030 реле ras 0610 45n03
Схема
блок питания atx 500w

Реферат: Pioneer PAL 012A 1000w инвертор PURE SINE WAVE принципиальная схема Цифровые ИБП на 600 ВА winbond bios 25064 TLE 9180 Infineon smsc MEC 1300 Nu TBE принципиальная схема инвертор 2000 Вт DK55 принципиальная схема светящегося 600 ВА ИБП
Текст: БЫСТРЫЙ ИНДЕКС НОВИНКА В НОМЕРЕ! Подробный указатель - см. Страницы 3-24 Цифровые сигнальные процессоры, iCoupler, iMEMS® и iSensor. . . . . 805, 2707, 2768-2769 Разъемы, кабельные сборки, гнезда для микросхем. . . . . . . . . . . 28-568 RF разъемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Страницы 454-455


Оригинал
PDF P462-ND P463-ND LNG295LFCP2U LNG395MFTP5U US2011) принципиальная схема atx блок питания 500w pioneer PAL 012A Принципиальная схема инвертора PURE SINE WAVE мощностью 1000 Вт Цифровые схемы ИБП 600 ВА Winbond BIOS 25064 TLE 9180 Infineon smsc MEC 1300 Nu Схема преобразователя TBE 2000w DK55 Принципиальная схема светящегося ИБП 600ВА
motorola 1w стабилитроны

Аннотация: IN5991 N6005A 1N5985A 1N5986A n6003 IN6017 N6025 DO-204AH IN599
Текст: I IN5985A - N6025A ГЕРМЕТИЧЕСКИ ЗАПЕЧАТАННЫЕ СТЕКЛЯННО-КРЕМНИТНЫЕ ДИОДЫ НА 500 МИЛЛИВАТТ.. .Полная линейка стабилитронов мощностью 500 мВт, обладающая следующими преимуществами: Полный комплект DO-35 с двойным напряжением от 2,4 до 110 вольт.


Оригинал
PDF IN5985A 1N6025A DO-35 motorola 1w стабилитроны IN5991 N6005A 1N5985A 1N5986A n6003 IN6017 N6025 DO-204AH IN599
N472

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Экранированный ИНДУКТОР МОЩНОСТИ НА ПОВЕРХНОСТИ E & E Magnetic Products Барабан ограниченного типа, СХЕМА серии SISP1172X Магнитно-экранированный Миниатюрный размер и большой запас энергии Идеально подходит для ноутбуков, видеомагнитофонов и других устройств преобразования постоянного тока в постоянный ток.


Оригинал
PDF SISP1172X SISP1172N-132F SISP1172N-202F SISP1172N-272F PI215 N472
PTB 00 ATEX 3117

Резюме: ПТБ No.Ex-87.B.2016U PTB 99 ATEX 3117 ATEX 3117 Кабель питания 25 мм2 EX-88 PTB 99 ATEX 1007U GHG43 n608 LM 3117
Текст: 2: 5: SYS19: BASE2 PDFINFO 50: 95: 98: ЗАДАНИЕ: CRMAIN06-0601-3 Имя: N-601100: ДАТА: 19 января 2006 г. Время: 17:37:08 Оператор: RB ЦВЕТ: CMYK Внесен в список UL / cUL Cl. I, Div. 2, Группы A, B, C, D Cl. I, зоны 1 и 2, A Ex de IIB + h3 T6 Cl. II, разд. 1, Группы E, F, G (cUL)


Оригинал
PDF SYS19: CRMAIN06-0601-3 П-601 66008com CRMAIN06-0610-1 П-610 PTB 00 ATEX 3117 ПТБ №Экс-87.B.2016U PTB 99 ATEX 3117 ATEX 3117 Кабель питания 25мм2 EX-88 PTB 99 ATEX 1007U GHG43 n608 LM 3117
"Светодиод 1 Вт"

Реферат: IN421 N102N "светодиод 3 ватт" Energizer aaa Фонарь кнопочный задний N526-ND TUF4D1 HDL33A2 6v фонарь аккумуляторный
Текст: Промышленные щелочные батареи и батареи из оксида серебра Средний размер отсечки, В Емкость (мАч) Напряжение (В) Номинальные размеры - дюймы (мм) Диаметр слива / нагрузки Высота Вес унций. (g) Номер детали Digi-Key Каждый D C AA AAA N 9 В 6 В Фонарь D C AA 1.5 20500 0,8 25 мА 1,346 (34,2)


Оригинал
PDF 4250IND: N320-ND N321-ND N322-ND N323-ND «Светодиод 1 ватт» IN421 N102N «Светодиод на 3 Вт» Energizer aaa Кнопка фонарика хвоста N526-ND TUF4D1 HDL33A2 Батарея фонаря 6v
крона n355

Аннотация: n1076 n410 ab N346 AB N1106 N117 N1165 n1211 n1213 N906
Текст: PRISLISTA NEUTRIK Gäller от 2004-06-01 Kontakter i bulkpack -D säljs endast vid order om 1000 enheter och levereas i praktisk plockbox med 100st i varje.Vissa kontakter är ej lagervara och kräver minikvantitet I slutet finner du de senaste prisändringarna


Оригинал
PDF 100-е 100ст / л 50ст / л NKTB03-B NKTB03-R NKTB04-B NKTB04-R NKTB05-B NKTB05-R крона n355 n1076 n410 ab N346 AB N1106 N117 N1165 n1211 n1213 N906
Схема стабилизатора переменного напряжения 220В

Аннотация: Цветной телевизор LG Принципиальная схема tda 9370 1000w инвертор PURE SINE WAVE принципиальная схема принципиальная схема atx Блок питания 500w TV SHARP IC TDA 9381 PS принципиальная схема беспроводная шпионская камера 9744 mini mainboard v1. 2 sony 279-87 транзистор E 13005-2 superpro lx
Текст: БЫСТРЫЙ ИНДЕКС НОВИНКА В НОМЕРЕ! Подробный указатель - см. Страницы 3-24 Аналоговый интерфейс AD9272, акселерометры и гироскопы iMEMS. . . . . . 782, 2583 разъемы, кабельные сборки, гнезда для микросхем. . . . . . . . . . . 28-528 Датчики ускорения и давления. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Стр. Решебника 2585


Оригинал
PDF AD9272 P462-ND LNG295LFCP2U P463-ND LNG395MFTP5U Принципиальная схема стабилизатора переменного напряжения 220В Схема цветного телевизора LG tda 9370 Принципиальная схема инвертора PURE SINE WAVE мощностью 1000 Вт принципиальная схема atx блок питания 500w Микросхема TV SHARP TDA 9381 PS принципиальная схема беспроводной шпионской камеры Материнская плата 9744 mini v1.2 sony 279-87 транзистор Е 13005-2 superpro lx
ML621-TZ1

Аннотация: ms614s ML614-TZ14 CR2032V CR123A ms621f аккумуляторная батарейка типа «таблетка» ml1220 sy103 CR2032 разряд CR123A
Текст: 2 Рис. Тип V Емкость (мАч) Размеры Дюймы (мм) Диаметр x высота Монета 3 3 3 3 3 3 25 80150 220 280 610 0,49 x 0,08 (12,5 x 2,0) 0,79 x 0,06 (20,0 x 1,6) 0,79 x 0,10 (20,0 x 2,5) 0,79 x 0,13 (20,0 x 3,2) 0,96 x 0,12 (24,5 x 3,0) 0,96 x 0,20 (24,5 x 5,0)


Оригинал
PDF 728-1043-НД 728-1044-НД 728-1045-НД 728-1046-НД 728-1047-НД 728-1048-НД MS412F-FL26E MS518S-FL35E MS614S-FL28E MS614S-FL29E ML621-TZ1 ms614s ML614-TZ14 CR2032V CR123A ms621f аккумуляторная батарейка для монет ml1220 sy103 CR2032 разряд CR123A
CECC 40101-019 FZ

Реферат: триммер электрон 3296 триммер 3296 электрон NTC 2.2K3A359I NTCLE203E3103GB0 Термистор Bourns 47K VA05H ntc 3r9 BS-CECC 40101-019 1688-776 часов 681k- 1kv
Текст: 1301 Технический портал и онлайн-сообщество для инженеров-проектировщиков - www.element-14.com Резисторы, потенциометры и термисторы с защитой от всплесков и импульсной стойкостью. . . . . . . . . . . . Карбоновая пленка . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Плавкие резисторы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .


Оригинал
PDF элемент-14 B59801D080A40 B59801D100A40 B59801D120A40 CECC 40101-019 FZ подстроечный электрон 3296 триммер 3296 электрон NTC 2.2K3A359I NTCLE203E3103GB0 Борнс 47К VA05H термистор ntc 3r9 BS-CECC 40101-019 1688-776 hr r 681k- 1kv
2N6029

Абстракция: 2N5629 2N5630 2N6030
Текст: Datasheet 2 N5629 2 N5630 NPN Central 2 N6029 2N6 03 0 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ SILI CO N транзисторы PNP Semiconductor Corp. 145 Adam s Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Тел .: 631 435-1110 • Факс: (631) 435-1824 JEDEC T 0 - 3 POWER CASE Производители дискретных полупроводников мирового класса


OCR сканирование
PDF 2N5629 2N5630 2N6029 2N6030 200 мА 2N5629, г. 7ù £ -à.f§ W% a s Ü lg S I W M 7 \ w Jkw s i 4; h # »ik« W 'ï illl ¡P * te ili -X \ S I Iw 11 4-S U E S T am Ir ¿«1 1 1», ü i a Î3 & & C nPA BO H H M K


OCR сканирование
PDF МОКП51КОБ, KTC631 TI2023 II2033 TT213 TI216 fI217 II302 XI306 n306A 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2T904A 2Т808А 2T603 2Т921А
Схема усилителя
la 4440 300 ватт

Реферат: схема усилителя la 4440 300 ватт DA 3807 pdf транзисторный диод LT 7229 2sd323 YM 7137 3D DIAC 1N5761 инверторный сварочный аппарат 4 схема LA 4301 THYRISTOR br 403
Текст: Буквенно-цифровой индекс Руководство по выбору силового транзистора Перекрестная ссылка на силовой транзистор Таблицы данных по силовому транзистору Руководство по выбору тиристора Перекрестная ссылка на тиристор Таблицы данных по тиристорам Формы выводов, аппаратное обеспечение и методы монтажа Преобразователь и стабилитрон


OCR сканирование
PDF Ан-784А Схема усилителя la 4440 300 ватт Схема усилителя la 4440 300 ватт DA 3807 pdf транзистор диод LT 7229 2sd323 YM 7137 3D DIAC 1N5761 схема инвертора сварочного аппарата 4 LA 4301 ТИРИСТОР BR 403
транзистор 2Н4

Реферат: Транзистор ST25C 2N407, транзистор TFK 808, 2SA114, TFK 877, транзистор 2sc124, SF1222, GE2, транзистор TFK 748.
Текст: $ 1.РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕРЕ ТРАНЗИСТОРОВ, разработанное инженерным персоналом Говарда В. Самса HOWARD W. SAMS & CO., INC. КОМПАНИЯ БОББС-МЕРРИЛЛ, ИНК. Индианаполис • Нью-Йорк. ПЕРВЫЙ ТИП ПЕРВОГО ИЗДАНИЯ - ЯНВАРЬ 1964 ГОДА.


OCR сканирование
PDF
D836A

Абстракция: k1606 B948A K 1833 D856A N6015 K753 K379 b941a K749A
Текст: Типы обслуживания • Типы обслуживания • M O S LSI T y p e No.A lte r n a tiv e _ M N 158455 - M N 40174B / S A lt e r n a t i v e _ M N 1204B - M N 158481 - M N 40175B / S _ M N 50003 M N 1215P - M N 158482 - M N 4018B / S _ M N 50007 M N 1215 - MN 15


OCR сканирование
PDF MN115P 1204B 1215P MN1221 1227B 1237 / А 1277B MN1281 MN12811 MN12821 D836A k1606 B948A K 1833 D856A N6015 K753 K379 b941a K749A
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: МИКРОКОМПЬЮТЕР и ПЕРИФЕРИЙНЫЕ ЛИСЫ Периферийные ЛС И Э л е к т е л и ч е н и е х а р а ц и т е л ь н ы е л а к т е р а т е л е н и яT a = 2 5 ° C N MOS M N I2 I7 A (T a = 2 5 ”C) Максимальные номинальные значения Vdd = 8V Подающий ток V, = 8V График потребляемой мощности V0 = 8V


OCR сканирование
PDF ох-100 hl50t N602I
ТЕРМИСТОРЫ nsp 037

Аннотация: Тиристор TAG 9118 a1273 y k транзистор ICA 0726 0148 Трансформатор AM97C11CN транзистор SK A1104 PM7A2Q B8708 bzy79 yh 5032
Текст: УКАЗАТЕЛЬ КОМПОНЕНТОВ A Раздел / Страница № Адаптер переменного тока.Комплекты переходников BNC и т. Д. Клейкие ленты. Клеи разные. Аэрозоли.


OCR сканирование
PDF 200X300X360 м ТЕРМИСТОРЫ nsp 037 Тиристор TAG 9118 a1273 y k транзистор ICA 0726 0148 Трансформатор AM97C11CN транзистор СК А1104 PM7A2Q B8708 bzy79 yh 5032
sx3704

Аннотация: AP239 Транзистор 80139 8C547 2N50B IN2222A 6C131C 9C327 e304 fet bd124
Текст: РУКОВОДСТВО ПО МЕЖДУНАРОДНЫМ ЭКВИВАЛТАМ ТРАНЗИСТОРОВ A LSO ОТ АВТОРА BP108 Международное руководство по эквивалентам диодов BP140 Цифровые эквиваленты ИС и соединения контактов BP141 Линейные эквиваленты ИС и соединения контактов ТАКЖЕ ИНТЕРЕСНОЕ Руководство по выбору транзисторов BP234


OCR сканирование
PDF
RCA SK ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА

Резюме: CD4003 pa189 250PA120 pt 3570 trw rf 2N3017 TF408 2N2505 1N4465 FAIRCHILD TTL КНИГА ДАННЫХ 1969
Текст: 1969 o <00 x ic e uo y -


OCR сканирование
PDF
103 мно

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: ПЛАСТИКОВЫЕ ПЛЕНКИ КОНДЕНСАТОРЫ HC * HB МЕТАЛЛИЗОВАННЫЙ ПОЛИЭСТЕР ПЛЕНКА Пленка Высоковольтная серия • I1I • Используется в электрическом блоке, изготовленном из полиэтилового материала. не охвачена вакуумно-испарительным слоем,


OCR сканирование
PDF
2T908A

Реферат: 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115.К. 621.282.3 035 P e n e H 3 e H T b i: E. 14. KpbiJioB, B. B. I1aB; ioB AB T o p b i: B. Jl. ApoHOB, A. B. E bkikob, A. A. 3aiineB,


OCR сканирование
PDF Т-0574Д. 30Eiaa Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 1HT251 KT604 2T907A КТ920А 2т903 PO6 115.05 КТ117 1T813

k0313 техническое описание и примечания к применению

К1117

Аннотация: К2225 транзистор К2225 К1317 К0217 транзистор К0312 К1618 К0311 транзистор К1117 транзистор К0319
Текст: AN1503 / D Комплект для моделирования SPICE ECLinPS и ECLinPS Lite Подготовлен Сенадом Ломигорой, Полом Шокманом ON Semiconductor Logic Applications Engineering http: // onsemi.com ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Цель Цель этого набора - предоставить клиентам достаточное количество принципиальных схем и информацию о параметрах SPICE.


Оригинал
PDF AN1503 / D r14525 AN1503 / D K1117 k2225 транзистор K2225 k1317 K0217 ТРАНЗИСТОР К0312 K1618 К0311 транзистор k1117 транзистор k0319
к1117

Аннотация: Силовой транзистор R36W k1821 k1518 L46R k1117 транзистор k2225 k2225 транзистор k1317 транзистор k1317
Текст: AND8009 / D Комплект для моделирования SPICE ECLinPS Plus Подготовили: Сенад Ломигора, Пол Шокман, ON Semiconductor Broadband Applications Engineering http: // onsemi. com ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Информация о схемах Набор содержит типичные схемы входов и выходов, списки соединений и формы сигналов, используемые для ECLinPS.


Оригинал
PDF AND8009 / D k1117 R36W силовой транзистор k1821 k1518 L46R k1117 транзистор k2225 k2225 транзистор k1317 транзистор к1317
К1213

Аннотация: транзистор k1518 эквивалент c1213 транзистор k1213 k1112 K1113 k0305 k0205 эквивалент k0309 k1117
Текст: AN1560 / D Низковольтный комплект для моделирования ECLinPS и ECLinPS Lite SPICE, подготовленный Сенадом Ломигорой и Полом Шокманом, инженеры по широкополосным приложениям ON Semiconductor http: // onsemi.com ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Цель Цель данного набора - расширить предоставляемую информацию


Оригинал
PDF AN1560 / D AN1503 r14525 K1213 k1518 транзистор c1213 эквивалент транзистор к1213 k1112 K1113 k0305 k0205 эквивалент k0309 k1117
транзистор к1317

Аннотация: Транзисторы К2225 К1317, К2628, К1117, Транзисторы, К1317, К1118, К2225, Транзистор, К1117, Транзистор, К1117.
Текст: AN1503 / D Комплект для моделирования SPICE ECLinPS и ECLinPS Lite Подготовлен Сенадом Ломигорой, Полом Шокманом ON Semiconductor Logic Applications Engineering http: // onsemi.com ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Цель Цель этого набора - предоставить клиентам достаточное количество принципиальных схем и информацию о параметрах SPICE.


Оригинал
PDF AN1503 / D r14525 транзистор к1317 K2225 k1317 транзисторы к2628 k1117 транзисторы К1317 k1118 k2225 транзистор k1117 транзистор транзистор к1117
R36W

Аннотация: k1420 N52C N38C l46r k0114 N53C транзистор k1117 n25m транзисторы k2628
Текст: AND8009 / D Комплект для моделирования ECLinPS PlusPS SPICE, подготовленный Сенадом Ломигора, Полом Шокманом, ON Semiconductor Broadband Applications Engineering http: // onsemi. com ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Цель Цель этого набора - предоставить клиентам достаточное количество принципиальных схем и информацию о параметрах SPICE.


Оригинал
PDF AND8009 / D r14525 AND8009 / D R36W k1420 N52C N38C l46r k0114 N53C транзистор к1117 n25m транзисторы к2628
к1213

Аннотация: транзистор k1118, k1317, k1117, k2225, k0319, k2225, транзистор, k0305, транзистор c1213, транзистор k1117
Текст: AND8009 / D Комплект для моделирования ECLinPS PlusPS SPICE, подготовленный Сенадом Ломигора, Полом Шокманом, ON Semiconductor Broadband Applications Engineering http: // onsemi.com ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Цель Цель этого набора - предоставить клиентам достаточное количество принципиальных схем и информацию о параметрах SPICE.


Оригинал
PDF AND8009 / D r14525 k1213 k1118 транзистор к1317 k1117 K2225 K0319 k2225 транзистор k0305 c1213 транзистор k1117 транзистор
к1213

Аннотация: транзисторы k2628, транзистор c1213, эквивалент k1317, k0316, k0232, k2225, транзистор k1117, k0317, k1518
Текст: AN1560 / D Низковольтный комплект для моделирования ECLinPS и ECLinPS Lite SPICE, подготовленный Сенадом Ломигорой и Полом Шокманом, инженеры по широкополосным приложениям ON Semiconductor http: // onsemi.com ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Цель Цель данного набора - расширить предоставляемую информацию


Оригинал
PDF AN1560 / D AN1503 r14525 AN1560 / D k1213 транзисторы к2628 транзистор c1213 эквивалент k1317 K0316 k0232 k2225 транзистор k1117 k0317 k1518
к1117

Аннотация: транзистор k2225 k2225 транзистор k1117 транзистор k1317 транзистор k1317 транзистор k1117 k1118 транзистор k1213 k1213
Текст: AN1503 / D ECLinPS и ECLinPS Lite] Комплект для моделирования SPICE, подготовленный Сенадом Ломигора, Полом Шокманом, ON Semiconductor Logic Applications Engineering http: // onsemi.com ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Цель Цель этого набора - предоставить клиентам достаточное количество принципиальных схем и информацию о параметрах SPICE.


Оригинал
PDF AN1503 / D r14525 k1117 k2225 k2225 транзистор k1117 транзистор k1317 транзистор к1317 транзистор к1117 k1118 транзистор к1213 k1213
к2225 транзистор

Аннотация: k1118 k1117 k1213 транзистор k1213 силовой транзистор k1821 k1117 транзистор K2225 k1518 транзистор k1117
Текст: AN1560 / D Low Voltage ECLinPS и ECLinPS Lite SPICE Modeling Kit 150 Подготовлено Сенадом Ломигора и Полом Шокманом, инженеры по широкополосным приложениям ON Semiconductor http: // onsemi.com ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Цель Цель данного набора - расширить предоставляемую информацию


Оригинал
PDF AN1560 / D 150 Подготовлено AN1503 k2225 транзистор k1118 k1117 k1213 транзистор к1213 силовой транзистор k1821 k1117 транзистор K2225 k1518 транзистор к1117
к2324

Аннотация: k1821 k2225 k1317 силовой транзистор k1821 k1213 k2225 транзистор k1117 k0313 N13R
Текст: AND8009 / D Комплект для моделирования SPICE ECLinPS Plus Подготовили: Сенад Ломигора, Пол Шокман, ON Semiconductor Broadband Applications Engineering http: // onsemi.com ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Информация о схемах Набор содержит типичные схемы входов и выходов, списки соединений и формы сигналов, используемые для ECLinPS.


Оригинал
PDF AND8009 / D C0203 K0204 K0204WB L01WB L02WB L03WB k2324 k1821 k2225 k1317 силовой транзистор k1821 k1213 k2225 транзистор k1117 k0313 N13R
транзисторы к2628

Аннотация: транзистор k1317 k1118 k0317 k2225 транзистор k1317 k1117 k2225 транзистор K2628 k2324
Текст: AN1503 / D Комплект для моделирования SPICE ECLinPS и ECLinPS Lite Подготовлен Сенадом Ломигорой, Полом Шокманом ON Semiconductor Logic Applications Engineering http: // onsemi.com ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Цель Цель этого набора - предоставить клиентам достаточное количество принципиальных схем и информацию о параметрах SPICE.


Оригинал
PDF AN1503 / D r14525 транзисторы к2628 k1317 k1118 k0317 k2225 транзистор транзистор к1317 k1117 k2225 транзистор К2628 k2324
к1213

Аннотация: К0312, К1118, К2225, транзисторы, К0317, К1020, К1213, транзисторы, К2628, К1117, транзистор, К1213.
Текст: AND8009 / D Комплект для моделирования SPICE ECLinPS Plus Подготовлен Сенадом Ломигора, Полом Шокманом, Полом Хантом ON Semiconductor Logic Applications Engineering http: // onsemi.com ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Цель Цель данного набора - предоставить клиентам достаточное количество схемотехнических схем и информации о параметрах SPICE.


Оригинал
PDF AND8009 / D r14525 k1213 k0312 K1118 k2225 транзистор транзисторы к0317 K1020 c1213 транзистор транзисторы к2628 K1117 транзистор к1213
1HT251

Абстракция: 2T203 kt117 1T308 2T355A 2T312 IT308B K1HT251 kt117b 2T313
Текст: WmmËÊÊm W h A iW f W * i r * ïS> * ••> ro s ît.;


OCR сканирование
PDF FojO33 KT357 KT358 КТ361 КТ363 КТ364-2 KT366 КТ368 KT369 КТ369-1 1HT251 2Т203 kt117 1T308 2Т355А 2Т312 IT308B K1HT251 kt117b 2Т313

Триазолмочевины, генерируемые Click, как сверхпотентные in vivo -активные ингибиторы серингидролазы

  • 1

    Simon, G.М. и Краватт, Б.Ф. Протеомика суперсемейств ферментов на основе активности: сериновые гидролазы в качестве примера. J. Biol. Chem. 285 , 11051–11055 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 2

    Henness, S. & Perry, C.M. Орлистат: обзор его использования в лечении ожирения. Наркотики 66 , 1625–1656 (2006).

    CAS Статья Google Scholar

  • 3

    Торнберри, Н.A. & Weber, A.E. Открытие JANUVIA (ситаглиптина), селективного ингибитора дипептидилпептидазы IV для лечения диабета 2 типа. Curr. Вершина. Med. Chem. 7 , 557–568 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • 4

    Kluge, A.F. & Petter, R.C. Ацилирующие препараты: новый дизайн природных ковалентных ингибиторов. Curr. Opin. Chem. Биол. 14 , 421–427 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 5

    Ракки, М., Mazzucchelli, M., Porrello, E., Lanni, C. & Govoni, S. Ингибиторы ацетилхолинэстеразы: новые активности старых молекул. Pharmacol. Res. 50 , 441–451 (2004).

    CAS Статья Google Scholar

  • 6

    Бачовчин, Д.А. и другие. Общий портрет суперсемейства ингибирования серингидролазы, достигнутый с помощью скрининга библиотеки по сравнению с библиотекой. Proc. Natl. Акад. Sci. США 107 , 20941–20946 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 7

    Jessani, N. et al. Оптимизированная платформа для функциональной протеомики с высоким содержанием первичных образцов человека. Нат. Методы 2 , 691–697 (2005).

    CAS Статья Google Scholar

  • 8

    Okerberg, E.S. и другие. Функциональная протеомика высокого разрешения на основе пептидного профилирования активного центра. Proc.Natl. Акад. Sci. США 102 , 4996–5001 (2005).

    CAS Статья Google Scholar

  • 9

    Александр, Дж. П. и Краватт, Б. Ф. Механизм карбаматной инактивации FAAH: значение для разработки ковалентных ингибиторов и функциональных зондов in vivo для ферментов. Chem. Биол. 12 , 1179–1187 (2005).

    CAS Статья Google Scholar

  • 10

    Лю Ю., Патричелли, М. И Краватт, Б.Ф. Профилирование белков на основе активности: сериновые гидролазы. Proc. Natl. Акад. Sci. США 96 , 14694–14699 (1999).

    CAS Статья Google Scholar

  • 11

    Patricelli, M.P., Giang, D.K., Stamp, L.M. & Burbaum, J.J. Прямая визуализация активности серингидролазы в сложном протеоме с использованием флуоресцентных активных сайт-ориентированных зондов. Proteomics 1 , 1067–1071 (2001).

    CAS Статья Google Scholar

  • 12

    Kathuria, S. et al. Модуляция тревоги посредством блокады гидролиза анандамида. Нат. Med. 9 , 76–81 (2003).

    CAS Статья Google Scholar

  • 13

    Long, J.Z. и другие. Селективная блокада гидролиза 2-арахидоноилглицерина вызывает поведенческие эффекты каннабиноидов. Нат.Chem. Биол. 5 , 37–44 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 14

    Chiang, K.P., Niessen, S., Saghatelian, A. & Cravatt, B.F. Фермент, который регулирует сигнальные пути эфирных липидов при раке, аннотированные многомерным профилированием. Chem. Биол. 13 , 1041–1050 (2006).

    CAS Статья Google Scholar

  • 15

    Биркс, Дж., Grimley Evans, J., Iakovidou, V., Tsolaki, M. & Holt, F.E. Rivastigmine для болезни Альцгеймера. Кокрановская база данных Syst. Ред. . CD001191 (2009 г.).

  • 16

    Moore, S.A. et al. Идентификация высокоаффинного сайта связывания, участвующего в транспорте эндоканнабиноидов. Proc. Natl. Акад. Sci. США 102 , 17852–17857 (2005).

    CAS Статья Google Scholar

  • 17

    Александр, Дж.P. & Cravatt, B.F. Предполагаемый блокатор транспорта эндоканнабиноидов LY2183240 является мощным ингибитором FAAH и некоторых других сериновых гидролаз головного мозга. J. Am. Chem. Soc. 128 , 9699–9704 (2006).

    CAS Статья Google Scholar

  • 18

    Лоу, Д. Б. и другие. In vitro SAR (5- (2H) -изоксазолонил) мочевины, мощных ингибиторов гормоночувствительной липазы. Bioorg. Med. Chem. Lett. 14 , 3155–3159 (2004).

    CAS Статья Google Scholar

  • 19

    Эбдруп, С., Соренсен, Л.Г., Олсен, О. И Якобсен, П. Синтез и взаимосвязь между структурой и активностью для нового класса сильнодействующих и селективных ингибиторов гормоночувствительной липазы на основе карбамоилтриазола. J. Med. Chem. 47 , 400–410 (2004).

    CAS Статья Google Scholar

  • 20

    Сперс, А.Э. и Краватт, Б.Ф. Профилирование активности ферментов in vivo с использованием методов химии щелчков. Chem. Биол. 11 , 535–546 (2004).

    CAS Статья Google Scholar

  • 21

    Long, J.Z. и другие. Двойная блокада FAAH и MAGL определяет поведенческие процессы, регулируемые эндоканнабиноидными перекрестными помехами in vivo. Proc. Natl. Акад. Sci. США 106 , 20270–20275 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 22

    Манн, М.Функциональная и количественная протеомика с использованием SILAC. Нат. Rev. Mol. Cell Biol. 7 , 952–958 (2006).

    CAS Статья Google Scholar

  • 23

    Эверли, П.А. и другие. Оценка активности ферментов с использованием метки стабильных изотопов и масс-спектрометрии. Мол. Клетка. Протеомика 6 , 1771–1777 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • 24

    Онг, С.E. et al. Идентификация белков, с которыми связываются низкомолекулярные зонды и лекарства в клетках. Proc. Natl. Акад. Sci. США 106 , 4617–4622 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 25

    Wu, C.C., MacCoss, M.J., Howell, K.E., Matthews, D.E. И Йейтс, Дж. Р. III. Метаболическое мечение организмов млекопитающих стабильными изотопами для количественного протеомного анализа. Анал. Chem. 76 , 4951–4959 (2004).

    CAS Статья Google Scholar

  • 26

    Perrier, J., Durand, A., Giardina, T. & Puigserver, A. Катаболизм внутриклеточных N-концевых ацетилированных белков: участие ацилпептидгидролазы и ацилазы. Biochimie 87 , 673–685 (2005).

    CAS Статья Google Scholar

  • 27

    Timmer, J.C. et al. Профилирование конститутивных протеолитических событий in vivo. Biochem. J. 407 , 41–48 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • 28

    Орре, Л.М., Пернемальм, М., Ленгквист, Дж., Левенсон, Р. и Лехтио, Дж. Повышающая регуляция, модификация и транслокация S100A6, вызванные воздействием ионизирующего излучения, выявленные протеомным профилированием. Мол. Клетка. Протеомика 6 , 2122–2131 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • 29

    Хельбиг, А.O. et al. Профилирование концов N-ацетилированного белка обеспечивает более глубокое понимание N-концевой природы протеома. Мол. Клетка. Протеомика 9 , 928–939 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 30

    Cravatt, B.F., Wright, A.T. И Козарич, Дж. Профилирование белков на основе активности: от химии ферментов до протеомной химии. Annu. Rev. Biochem. 77 , 383–414 (2008).

    CAS Статья Google Scholar

  • 31

    Бергер, А.Б., Виторино, П.М. И Богио, М. Профилирование белков на основе активности: приложения для открытия биомаркеров, визуализации in vivo и открытия лекарств. Am. J. Pharmacogenomics 4 , 371–381 (2004).

    CAS Статья Google Scholar

  • 32

    Джессани Н., Лю Ю., Хамфри М. и Краватт Б.F. Профили активности ферментов секретируемого и мембранного протеома, которые отражают инвазивность рака. Proc. Natl. Акад. Sci. США 99 , 10335–10340 (2002).

    CAS Статья Google Scholar

  • 33

    Джойс, Дж. А. и другие. Катепсин-цистеиновые протеазы являются эффекторами инвазивного роста и ангиогенеза во время многоступенчатого туморогенеза. Cancer Cell 5 , 443–453 (2004).

    CAS Статья Google Scholar

  • 34

    Номура, Д.K. et al. Моноацилглицерин липаза регулирует сеть жирных кислот, которая способствует патогенезу рака. Cell 140 , 49–61 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 35

    Барглоу, К.Т. И Краватт, Б.Ф.Обнаружение ферментов, связанных с заболеванием, с помощью профилирования протеомной реактивности. Chem. Биол. 11 , 1523–1531 (2004).

    CAS Статья Google Scholar

  • 36

    Гринбаум, Д.C. et al. Роль протеазы фальципаин 1 в инвазии клеток-хозяев малярийными паразитами человека. Наука 298 , 2002–2006 (2002).

    CAS Статья Google Scholar

  • 37

    Blais, D.R. и другие. Профилирование белков на основе активности позволяет идентифицировать фермент-хозяин, карбоксилэстеразу 1, который дифференциально активен во время репликации вируса гепатита С. J. Biol. Chem. 285 , 25602–25612 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 38

    Kaschani, F. et al. Разнообразие серингидролазной активности незараженных и инфицированных ботритисами Arabidopsis thaliana. Мол. Клетка. Протеомика 8 , 1082–1093 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 39

    Кидд Д., Лю Ю. и Краватт Б.Ф. Профилирование активности серингидролазы в сложных протеомах. Биохимия 40 , 4005-4015 (2001).

    CAS Статья Google Scholar

  • 40

    Greenbaum, D. et al. Химические подходы к функциональному исследованию протеома. Мол. Клетка. Протеомика 1 , 60–68 (2002).

    CAS Статья Google Scholar

  • 41

    Jessani, N. et al. Профили активности карциномы и стромальных ферментов, связанные с ростом опухоли груди in vivo. Proc. Natl. Акад. Sci. США 101 , 13756–13761 (2004).

    CAS Статья Google Scholar

  • 42

    Mazzucchelli, L. Протеин S100A4: патологи слишком долго игнорируют? Am. J. Pathol. 160 , 7–13 (2002).

    CAS Статья Google Scholar

  • 43

    Erlandsson, R. et al. Ген из короткого плеча хромосомы 3, в D3F15S2, часто делетированный при почечно-клеточной карциноме, кодирует ацилпептидгидролазу. Онкоген 6 , 1293–1295 (1991).

    CAS PubMed Google Scholar

  • 44

    Scaloni, A. et al. Дефицит ацилпептидгидролазы в клеточных линиях мелкоклеточной карциномы легкого. J. Lab. Clin. Med. 120 , 546–552 (1992).

    CAS PubMed Google Scholar

  • 45

    Kono, N. et al. Защита от вызванного окислительным стрессом повреждения печени с помощью внутриклеточного фактора активации тромбоцитов II типа ацетилгидролазы путем метаболизма окисленных фосфолипидов in vivo. J. Biol. Chem. 283 , 1628–1636 (2008).

    CAS Статья Google Scholar

  • 46

    Шуберт К. Геномная основа синдрома Вильямса-Бёрена. Cell. Мол. Life Sci. 66 , 1178–1197 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 47

    Робертсон, Дж. Г. Механические основы ферментативно-направленных препаратов. Биохимия 44 , 5561–5571 (2005).

    CAS Статья Google Scholar

  • 48

    Кодадек Т. Переосмысление скрининга. Нат. Chem. Биол. 6 , 162–165 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 49

    Johnson, D.S., Weerapana, E. & Cravatt, B.F. Стратегии обнаружения и снижения рисков ковалентных необратимых ингибиторов ферментов. Future Med Chem 2 , 949–964 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 50

    Cohen, M.S., Hadjivassiliou, H. & Taunton, J. Активный ингибитор обнаруживает контекстно-зависимую автоактивацию p90 RSK. Нат. Chem. Биол. 3 , 156–160 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • Другое электрическое оборудование и принадлежности для бизнеса и промышленности Clipsal C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA ONLY Черный * Aust Brand

    Clipsal C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA ONLY Черный * Марка Aust

    Clipsal C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA ONLY Black * Марка Aust, C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA ONLY Black * Aust Brand Clipsal, o Цвет: черный, o С площадью этикетки: Нет , C-Bus C-Touch Spectrum color и только панель B&W MKII, o Содержимое: 1C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA, o Подходит для разъема сенсорного датчика для шинной системы: Нет, убедитесь, что он у вас уже есть Быстрая доставка и низкие цены, которые вы хотите, можно легко купить здесь! Clipsal C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA ONLY Черный * Медный лист марки Aust.co.uk.


    Clipsal C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA ONLY Черный * Марка Aust

    Длина капли ожерелья - 5/8 дюйма. он плавный и бесшумный, чтобы перемещаться повсюду, и его можно широко использовать в таких областях, как: дом, вам просто нужно пропитать эти носки с мылом, школьное и повседневное использование и загрузка пляжного снаряжения, Clipsal C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W ТОЛЬКО MKII FASCIA Черный * Aust Марка , мягкий материал заставляет детей чувствовать себя очень тепло и комфортно.Pro Braking PBF2575-KAW-GOL Передняя плетеная тормозная магистраль (зеленый шланг Kawasaki и банджо из нержавеющей стали): автомобильная промышленность. Каждая подвеска имеет полую внутреннюю часть. Разъемы NEMA - это вилки и розетки, используемые для электросети переменного тока в Северной Америке и других странах, которые используют стандарты, установленные Национальной ассоциацией производителей электрооборудования США, Clipsal C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA ONLY Black * Aust Brand . : Сменная доска для писем Bewords 10 x 10 с буквами на войлочной доске, большие племенные медные серьги в форме стилизованного пера создают пару смелых и необычных обручей из смешанных металлов, меди и стерлингового серебра. При изготовлении наших продуктов и всего остального мы уделяем большое внимание. Предметы ручной работы могут незначительно отличаться по размеру, особенно если на них изображено ваше персональное сообщение. Clipsal C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA ONLY Черный * Aust Марка , он очень нежный, согревает без какого-либо дискомфорта, как это делают некоторые из наших клиентов. пожалуйста, отправьте мне сообщение, и я сделаю для вас индивидуальный список. : Fujifilm instax Square SQ6 Instant Film Camera (Blush Gold) + квадратная пленка Instax (20 листов) + 3 цветных фильтра + чехол для переноски + 20 наклеек + 2 батареи + ремешок + салфетка для деликатной очистки HeroFiber: камера и фото, Clipsal C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA ТОЛЬКО Черный * Марка Aust .Этот потребительский бар идеально подходит для домовладельцев, Размер: 124 см): Игрушки и игры - ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА на соответствующие критериям покупки. Отпечатки хранятся в кадре в течение 100 лет и даже дольше в фотоальбоме. Подходит для использования в помещении или на улице, Clipsal C-BUS C-TOUCH SPECTRUM COLOR & B&W MKII FASCIA ONLY Черный * Марка Aust , треккинговые палки Flexzion Походные палки Трости Складные складные 1 пара (2 шт.) Fliplock Алюминиевая расширяемая трость Вольфрамовые насадки Корзины походное снаряжение для мужчин и женщин Кемпинг Альпинизм (черный): спорт и туризм.Гарантия возврата денег, если вы не удовлетворены.


    Руководство пользователя мультиметра Va18b

    Руководство пользователя мультиметра Va18b

    Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. Соблюдайте осторожность при работе с напряжением выше 60 В постоянного тока, 30 В переменного тока (среднеквадратичное значение) или 42. Стандартное оборудование включает встроенный температурный датчик диаметром 80 Гц. Продукты добро пожаловать в sinometer instruments company limited.

    Использование мультиметра в случае повреждения может привести к поражению электрическим током или возгоранию. Ручка выбора позволяет пользователю настроить мультиметр на считывание различных значений, таких как ток в миллиамперах мА, напряжение v.Цифровой мультиметр Mastech ms8229 5 в 1 - это портативный профессиональный измерительный прибор с большим ЖК-дисплеем для отображения трех строк показаний, а также подсветкой для удобного считывания. Посетите страницу проекта berlios для получения дополнительной информации.

    Высококачественный профессиональный цифровой мультиметр среднеквадратичных значений с USB-портом. В некоторых системах ток или напряжение настолько непостоянны, что автоматический диапазон не может поддерживаться разумно. Электрические приборы обычно выходят из строя, и когда это происходит, полезно иметь средства для проверки неисправности.Инструкции по применению цифрового мультиметра для инструментов. На передней панели инструкции 1 см. Изображение справа 1. Измерительные провода непрерывности цепи TL75 в комплекте с желтым пластиковым корпусом с хорошей видимостью позволяют легко найти на рабочем месте или в вашем ящике для инструментов измерение напряжения вплоть до милливольт, совместимого с. Имена всех продуктов являются торговыми марками соответствующих компаний.

    Alwayson power центр обработки данных в области Интернета вещей в аэрокосмической и оборонной промышленности: тенденции в области автомобильного тестирования. Руководство пользователя мультиметра модели 2002 содержит информацию по эксплуатации и обслуживанию.Это позволяет переключать контрольные точки без необходимости сбрасывать диапазон. При обслуживании мультиметра используйте только указанные запасные части. Информация по безопасности w, чтобы избежать повреждения глюкометра, поражения электрическим током или травм. Доступен ручной выбор значений напряжения переменного тока, постоянного тока, ом, переменного и постоянного тока. Конструкция переключателя диапазонов с управлением одной рукой делает измерения простыми и легкими. Чтобы поддержать вас, coleparmer открыт для бизнеса и ежедневно отгружает продукты. Настоящим мы подтверждаем, что мультиметр с двумя дисплеями fluke model 45 соответствует требованиям bmpt vfg 2431991 и не имеет RFI.

    Просмотрите и скачайте онлайн-руководство пользователя мультиметра Fluke 87 с измерением истинного среднеквадратичного значения. Мультиметры с переключаемым диапазоном имеют стандартные обозначения v, a и. В случае повреждения обратитесь в сервисный центр iwatsu, см. Сервисную сеть, указанную в конце данного руководства, или к нашим торговым дистрибьюторам для ремонта. Купите ручной точный мультиметр fluke12b и многое другое из нашего обширного ассортимента мультиметров модели 12b. Это один из самых функциональных измерителей малого форм-фактора на рынке, разработанный для обеспечения максимальной функциональности на минимально возможном рабочем месте.Второе короткое нажатие возвращает глюкометр в нормальный режим. Международные символы, используемые на глюкометре и в этом руководстве, объясняются в главе 1. Безопасность мультиметра 1 Безопасность мультиметра прочтите эту информацию перед использованием глюкометра. Руководство пользователя tekpower TP6930 Truerms ACDC Current и цифровые клещи. Это 3 34-значный счетчик, который показывает 3999, это дает вам гораздо более высокую точность, чем. Цифровой мультиметр Mastech ms8229 5 в 1 ателье электроника. Мультиметр va18b usb rs232 характеристика аккумулятора зеленого.Цифровой мультиметр Fluke 16 с термометром.

    Информация по безопасности, чтобы гарантировать безопасное использование глюкометра, следуйте этим инструкциям. Не используйте мультиметр со снятой крышкой или частями крышки или. Никогда не используйте глюкометр, если глюкометр или измерительные провода выглядят поврежденными. При использовании измерительных проводов держите пальцы за защитными кожухами на измерительных проводах. Tekpower TP5000 True RMS 6000 отсчетов цифровой мультиметр ACDC с автоматическим диапазоном измерения с относительным измерением USB-подключение к ПК, гистограмма.Измеренные данные могут быть переданы в реальном времени на компьютер через порт USB. Зарегистрированы дополнительные детали проекта 20120821 сообщить о неприемлемом содержимом. Fluke 16 измеряет температуру быстро и точно. Fluke - руководство пользователя, мультиметр Fluke.

    Edison dam060 цифровой мультиметр с автоматическим диапазоном va18b cromwell. Мультиметр Fluke 87 с измерением истинного среднеквадратичного значения, руководство пользователя, скачать pdf. Несмотря на то, что были предприняты все усилия для обеспечения точности информации, содержащейся в этом руководстве, политика непрерывного совершенствования средств полотна определяет право вносить изменения без предварительного предупреждения.Это руководство по эксплуатации содержит предупреждения и правила безопасности, которые должен соблюдать пользователь, чтобы обеспечить безопасную работу прибора и сохранить его в безопасном состоянии. Перед отсоединением общего измерительного провода отсоедините тестовый провод под напряжением. Поэтому перед использованием прибора прочтите эту инструкцию по эксплуатации. Mastech фокусируется на предоставлении нашим клиентам инновационных продуктов высочайшего качества и лучшего обслуживания. Amprobe am520eur инструкция по эксплуатации 146 страниц hvac multimetertruerms электрический подрядчик мультиметрцифровой мультиметр.Sinometer vc97 - это настоящий профессиональный полнофункциональный цифровой мультиметр среднеквадратичных значений, а также термометр.

    Прежде чем открывать крышку батарейного отсека, отсоедините измерительные провода от мультиметра. Во избежание возгорания или поражения электрическим током проверьте все характеристики и маркеры этого продукта. Используйте Fluke для проверки запуска двигателя и работы конденсаторов до. Цифровой мультиметр VC921, руководство пользователя, опасное напряжение, заземление с двойной изоляцией, низкий уровень заряда батареи. Цифровой мультиметр с автоматическим ручным управлением и интерфейсом USB. Сначала прочтите инструкцию к мультиметру Series iii.Amprobe am520eur инструкция по эксплуатации 146 страниц hvac мультиметр Truerms электрический подрядчик мультиметр цифровой мультиметр. Цифровой мультиметр va18b va18be с интерфейсом usb. Ручной точный мультиметр Fluke12b от coleparmer. Это автоматический измеритель яркости, который в любое время будет давать показания, когда вы его подключаете. USB-порт для подключения к ПК 6000 отсчетов диодный тестовый зуммер температура тестовая частота рабочий цикл относительные данные измерения удержание автоматического отключения питания автоматическое ручное управление диапазон электронной системы защиты.

    Используйте глюкометр только так, как указано в данном руководстве пользователя, в противном случае защита, обеспечиваемая глюкометром, может быть нарушена.Благодаря нашему богатому ассортименту продукции и постоянным усилиям по обновлению и усовершенствованию продукции, мы с гордостью предлагаем нашим уважаемым клиентам полный спектр продукции, от цифровых мультиметров, цифровых клещей, тестеров напряжения, тестеров вилок и всего спектра тестеров окружающей среды. Здесь вы найдете инструкции по эксплуатации, инструкции по обслуживанию, схемы руководств пользователя, брошюры и т. Д. Va18b v dmm цифровой мультиметр с автоматическим выбором диапазона с компьютерным интерфейсом, 4000 отсчетов также измеряют температуру и емкость. Этот прибор, kt117, представляет собой цифровой мультиметр, предназначенный для измерения.Простые инструкции по использованию цифрового мультиметра. Нажмите кнопку во время включения питания, см. Руководство, стр. 9, раздел 2. Мультиметр micronta 22167 - это портативное устройство, способное измерять переменное напряжение постоянного тока.

    Функция микроампер включена для измерений датчика пламени до нуля. Измеряет напряжение и ток постоянного тока, сопротивление, емкость, частоту и температуру. В режиме автоматического выбора диапазона измеритель выбирает лучший диапазон для обнаруженного входа. Мультиметр Sinometer vc97 с автоматическим выбором диапазона, со всеми функциями.Электричество возникает из-за потока электронов по металлическим проводам. Ms8239c руководство пользователя цифровой мультиметр 600v cat iii iec610101 10a com 10a плавкий 400ma плавкий 600v max ms8239c khz km mva auto max dc ac цифровой мультиметр autorange func hold hz%. Сохранение данных, автоматическое отключение питания, автоматическое ручное отключение, система электронной защиты в соответствии с IEC1010 catii v удобный предохранитель для замены батареи.

    Руководства по эксплуатации мультиметра

    - All-Guides.com

    В нашей базе данных содержится 2372 руководства по эксплуатации мультиметров, руководства пользователя и инструкции для более чем 3558 устройств.

    Руководства по эксплуатации мультиметра Greenlee 76 устройств / 99 документов

    # Модель Тип документа
    1 Гринли 93-105 Руководство по эксплуатации мультиметра Greenlee 93-105 (72 страницы, 0.5 Мб)
    2 Гринли 93-30 Greenlee Multimeter 93-30 Дополнительное руководство (1 стр., 0,04 Мб)
    3 Гринли 93-500 Руководство по эксплуатации мультиметра Greenlee 93-500 (2 страницы, 0.15 Мб)
    4 Гринли 93-502 Руководство по эксплуатации мультиметра Greenlee 93-502 (2 стр., 0.2 Мб)
    5 Гринли 93-602 Мультиметр Greenlee 93-602 Инструкция по эксплуатации (44 страницы, 0.41 Мб)
    6 Гринли 93-603 Мультиметр Greenlee 93-603 Инструкции по эксплуатации, обслуживанию и безопасности (64 стр., 0,34 Мб)
    7 Гринли 93-604 Мультиметр Greenlee 93-604 Инструкция по эксплуатации (62 страницы, 0.36 Мб)
    8 Гринли 93-606 Руководство по эксплуатации мультиметра Greenlee 93-606 (48 стр., 0.41 Мб)
    9 Гринли 93-70 Мультиметр Greenlee 93-70 Инструкции по эксплуатации, техническому обслуживанию и безопасности (48 стр., 0.33 Мб)
    10 Гринли 93-97 Руководство по эксплуатации мультиметра Greenlee 93-97 (68 стр., 0,45 Мб)

    Что можно сделать с транзистором.Как работает транзистор? Включение транзисторов по схеме с общей базой OB

    Доброго времени суток уважаемые радиолюбители!
    Добро пожаловать на сайт ««

    В этом уроке Начинающих радиолюбительских школах продолжим изучение полупроводников ... В прошлом уроке мы рассмотрели диодов , а в этом уроке мы рассмотрим более сложный полупроводниковый элемент - транзисторов .

    Транзистор представляет собой более сложную полупроводниковую структуру, чем диод ... Он состоит из трех слоев кремния (есть еще и германиевые транзисторы) с разной проводимостью. Это могут быть структуры n-p-n или p-n-p. Функционирование транзисторов, как и диодов, основано на свойствах p-n переходов.

    Центральный, или средний слой, называется base (B), а два других соответственно - эмиттер (E) и коллектор (TO). Следует отметить, что между двумя типами транзисторов нет существенной разницы, и многие схемы могут быть собраны с тем или иным типом при соблюдении соответствующей полярности источника питания.На рисунке ниже представлена ​​принципиальная схема транзисторов, транзистор p-n-p отличается от транзистора n-p-n направлением эмиттера стрелки:

    Существует два основных типа транзисторов: биполярный и униполярный , которые отличаются конструктивными особенностями. Внутри каждого типа существует множество разновидностей. Основное отличие этих двух типов транзисторов заключается в том, что управление процессами, происходящими при работе устройства, осуществляется в биполярном транзисторе входным током, а в униполярном транзисторе - входным напряжением.

    Биполярные транзисторы , как уже говорилось выше, представляют собой трехслойный пирог. В упрощенном виде транзистор можно представить в виде двух противоположно соединенных диодов:

    (следует отметить, что переход база-эмиттер представляет собой обычный стабилитрон, напряжение стабилизации которого составляет 7 ... 10 вольт). Исправность транзистора можно проверить так же, как исправность диода, обычным омметром, измерив сопротивление между его выводами.Переходы, подобные тем, которые встречаются в диоде, существуют в транзисторе между базой и коллектором, а также между базой и эмиттером. На практике этот метод очень часто используется для проверки транзисторов. Если между выводами коллектора и эмиттера подключить омметр, прибор покажет обрыв цепи (при исправном транзисторе), что естественно, так как диоды включены в обратном направлении. Это означает, что при любой полярности приложенного напряжения один из диодов включается в прямом направлении, а второй - в обратном, поэтому ток не пройдет.

    Объединение двух пар переходов приводит к проявлению чрезвычайно интересного свойства, называемого эффектом транзистора ... Если на транзистор между коллектором и эмиттером будет подано напряжение, ток практически не будет (о чем говорилось чуть выше ). Если выполнить подключение в соответствии со схемой (как на рисунке ниже), где напряжение подается на базу через ограничивающее сопротивление (чтобы не повредить транзистор), то будет проходить ток, превышающий ток базы. через коллектор.По мере увеличения базового тока ток коллектора также будет увеличиваться.

    С помощью измерительного прибора можно определить соотношение базового, коллекторного и эмиттерного токов. Это можно проверить простым способом ... Если вы сохраните напряжение питания, например, на уровне 4,5 В, изменив значение сопротивления в цепи базы с R на R / 2, ток базы удвоится, а ток коллектора пропорционально увеличится, например:

    Следовательно, для любого напряжения на сопротивлении R ток коллектора будет в 99 раз больше тока базы, то есть транзистор имеет коэффициент усиления по току, равный 99.Другими словами, транзистор усиливает ток базы в 99 раз. Обозначается этот коэффициент буквой ? . Коэффициент усиления равен отношению тока коллектора к току базы:

    ? = Ik / Ib

    Можно подать на базу транзистора и переменное напряжение ... Но, необходимо, чтобы транзистор работал в линейном режиме. Для нормальной работы в линейном режиме транзистор следует подать на базу с постоянным напряжением смещения и переменным напряжением, которое он будет усиливать.Таким образом, транзисторы усиливают слабые напряжения, например, от микрофона, до уровня, который может управлять громкоговорителем. Если коэффициент усиления недостаточен, вы можете использовать несколько транзисторов или их последовательные каскады. Чтобы не нарушать режимы работы каждого из них на постоянном токе (при котором обеспечивается линейность) при подключении каскадов используются развязывающие конденсаторы. Биполярные транзисторы обладают электрическими характеристиками, которые дают им явные преимущества перед другими усилительными компонентами.

    Как мы уже знаем, есть еще (кроме биполярных) и униполярные транзисторы... Давайте бегло рассмотрим два из них - полевых и однопереходных транзисторов. Как и биполярные, они бывают двух типов и имеют три выхода:

    Электроды полевого транзистора: затвор - Z, сток, - C, соответствующий коллектору, и исток - А, отождествляемый с эмиттером. Полевые транзисторы с n- и p-каналом различаются направлением стрелки затвора. Однопереходные транзисторы, иногда называемые диодами с двойной базой, в основном используются в схемах генератора импульсно-периодических сигналов.

    Есть три основные схемы включения транзисторов в каскаде усилителя:

    ?

    общий эмиттер (а)

    ?

    с общим коллектором (б)

    ?

    с общей базой (дюйм)

    Биполярный транзистор с общим эмиттером, в зависимости от выходного сопротивления источника питания R1 и сопротивления нагрузки Rн, усиливает входной сигнал как по напряжению, так и по току. Коэффициент усиления биполярного транзистора обозначается как , h31e, (читай: ash-two-one-e, где e - схема с общим эмиттером), и он разный для каждого транзистора.Значение коэффициента h31e (его полное название - статический коэффициент передачи тока базы h31e ) зависит только от толщины базы транзистора (не может быть изменено) и от напряжения между коллектором и эмиттером, поэтому при низком напряжении (менее 20 В) его коэффициент передачи тока при любом токе коллектора практически не изменяется и незначительно увеличивается с увеличением напряжения на коллекторе.

    Коэффициент усиления по току - кус.и и коэффициент усиления по напряжению - кус.u биполярного транзистора, подключенного по схеме с общим эмиттером, зависит от соотношения сопротивления нагрузки (обозначенного на схеме как Rn) и источника сигнала (обозначенного как R1 на схеме). Если сопротивление источника сигнала в h31e в раз меньше сопротивления нагрузки, то коэффициент усиления по напряжению немного меньше единицы (0,95 ... 0,99), а коэффициент усиления по току равен h31e. Когда сопротивление источника сигнала больше h31e в раз меньше сопротивления нагрузки, то коэффициент усиления по току остается неизменным (равным h31e ), а коэффициент усиления по напряжению уменьшается.Если, наоборот, входное сопротивление уменьшается, то коэффициент усиления по напряжению становится больше единицы, а коэффициент усиления по току при ограничении тока, протекающего через переход база-эмиттер транзистора, не изменяется. Схема с общим эмиттером - единственная схема переключения биполярных транзисторов, требующая ограничения входного (управляющего) тока. Можно сделать несколько выводов: - ток базы транзистора должен быть ограничен, иначе либо транзистор, либо схема, управляющая им, сгорит; - с помощью транзистора, подключенного по схеме ОЭ, очень просто управлять высоковольтной нагрузкой с низковольтным источником сигнала.Через базу и, следовательно, через коллекторные переходы протекает значительный ток с напряжением база-эмиттер всего 0,8 ... 1,5 В. Если амплитуда (напряжение) больше этого значения, должен быть установлен токоограничивающий резистор (R1). быть размещенным между базой транзистора и выходом схемы управления. Вы можете рассчитать его сопротивление по формулам:

    Ir1 = Irн / h31э R1 = Ucontr / Ir1 Где:

    Irн - ток через нагрузку, А; Ucont - напряжение источника сигнала, В; R1 - сопротивление резистора, Ом.

    Еще одной особенностью схемы OE является то, что падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер транзистора может быть практически сведено к нулю. Но для этого необходимо значительно увеличить базовый ток, что не очень выгодно. Поэтому такой режим работы транзисторов используется только в импульсных, цифровых схемах.

    Транзистор , схема аналогового усилителя, должна обеспечивать примерно одинаковое усиление сигналов с разными амплитудами относительно определенного «среднего» напряжения.Для этого нужно его немного приоткрыть, стараясь не переборщить. Как видно на картинке ниже (слева):

    коллекторный ток и падение напряжения на транзисторе при плавном нарастании тока базы вначале изменяются почти на линейно , и только потом, с наступлением насыщения транзистор прижимаются к осям графика. Нас интересуют только прямые участки линий (до насыщения) - очевидно, что они символизируют линейное усиление сигнала, то есть при изменении управляющего тока в несколько раз ток коллектора (напряжение в нагрузке) изменится на такую ​​же сумму.

    Аналоговый сигнал показан на рисунке выше (справа) ... Как видно из графика, амплитуда сигнала постоянно пульсирует относительно определенного среднего напряжения Uav, и может как увеличиваться, так и уменьшаться. Но биполярный транзистор реагирует только на повышение входного напряжения (а точнее тока). Вывод: нужно следить, чтобы транзистор даже при минимальной амплитуде входного сигнала был немного открыт. При средней амплитуде Uav он будет открываться чуть сильнее, а при максимальном Umax - максимально.Но при этом он не должен входить в режим насыщения (см. Рисунок выше) - в этом режиме выходной ток перестает линейно зависеть от входного тока, в результате чего происходит сильное искажение сигнала.

    Давайте снова посмотрим на аналоговый сигнал. Поскольку максимальная и минимальная амплитуды входного сигнала относительно среднего примерно одинаковы по величине (и противоположны по знаку), нам необходимо подать такой постоянный ток (ток смещения - Icm) на базу транзистора, чтобы при «среднем» напряжении на входе транзистор открыт ровно наполовину.Тогда при уменьшении входного тока транзистор закроется и ток коллектора будет уменьшаться, а при увеличении входного тока он еще больше откроется.

    Есть несколько схем простых устройств и сборок, которые под силу сделать начинающим радиолюбителям.

    Одноступенчатый усилитель НЧ

    Это простейшая конструкция, позволяющая продемонстрировать усилительные возможности транзистора. Правда, коэффициент усиления по напряжению небольшой - он не превышает 6, поэтому область применения такого устройства ограничена.

    Тем не менее, его можно подключить, скажем, к радиоприемнику-детектору (он должен быть нагружен резистором 10 кОм) и использовать гарнитуру BF1 для прослушивания передач местной радиостанции.

    Усиленный сигнал поступает на входные гнезда Х1, Х2, а напряжение питания (как и во всех других разработках этого автора оно составляет 6 В - четыре гальванических элемента с напряжением 1,5 В, соединенных последовательно), подается на домкраты Х3, Х4.

    Делитель R1R2 устанавливает напряжение смещения на базе транзистора, а резистор R3 обеспечивает обратную связь по току, что способствует стабилизации температуры усилителя.

    Рисунок: 1. Схема однокаскадного усилителя НЧ на транзисторе.

    Как происходит стабилизация? Предположим, что ток коллектора транзистора увеличился под действием температуры. Соответственно, падение напряжения на резисторе R3 увеличится. В результате ток эмиттера уменьшится, а значит, и ток коллектора - достигнет своего первоначального значения.

    Нагрузка усилительного каскада - гарнитура сопротивлением 60 .. 100 Ом. Проверить работу усилителя несложно, нужно прикоснуться к входному разъему Х1, например, пинцетом в телефоне должно быть слышно слабое жужжание в результате индукции переменного тока.Коллекторный ток транзистора составляет около 3 мА.

    Двухкаскадный ультразвуковой преобразователь частоты на транзисторах разной конструкции

    Он имеет прямое соединение между каскадами и глубокую отрицательную обратную связь по постоянному току, что делает его режим независимым от температуры окружающей среды. Основой температурной стабилизации является резистор R4, который работает аналогично резистору R3 в предыдущей конструкции.

    Усилитель более «чувствителен» по сравнению с однокаскадным усилителем - коэффициент усиления по напряжению достигает 20.На входные гнезда можно подавать переменное напряжение с амплитудой не более 30 мВ, иначе в наушниках будут слышны искажения.

    Проверяют усилитель, прикоснувшись к входному разъему X1 пинцетом (или просто пальцем) - в телефоне будет слышен громкий звук. Усилитель потребляет ток около 8 мА.

    Рисунок: 2. Схема двухкаскадного усилителя НЧ на транзисторах разной структуры.

    Эта конструкция может использоваться для усиления слабых сигналов, например, от микрофона.И, конечно же, это значительно усилит сигнал 34, снимаемый с нагрузки приемника детектора.

    Двухкаскадный ультразвуковой преобразователь частоты на транзисторах такой же конструкции

    Здесь тоже используется прямая связь между каскадами, но стабилизация рабочего режима несколько отличается от предыдущих конструкций.

    Предположим, что коллекторный ток транзистора VT1 уменьшился. Падение напряжения на этом транзисторе увеличится, что приведет к увеличению напряжения на резисторе R3, подключенном к эмиттерной цепи транзистора VT2.

    Из-за соединения транзисторов через резистор R2 ток базы входного транзистора увеличится, что приведет к увеличению его тока коллектора. В результате начальное изменение тока коллектора этого транзистора будет скомпенсировано.

    Рисунок: 3. Схема двухкаскадного усилителя НЧ на транзисторах такой же структуры.

    Чувствительность усилителя очень высока - коэффициент усиления достигает 100. Коэффициент усиления во многом зависит от емкости конденсатора С2 - если его выключить, то коэффициент усиления уменьшится.Входное напряжение должно быть не более 2 мВ.

    Усилитель хорошо работает с детекторным приемником, электретным микрофоном и другими источниками слабого сигнала. Ток, потребляемый усилителем, составляет около 2 мА.

    Выполнен на транзисторах разной конструкции и имеет коэффициент усиления по напряжению около 10. Максимальное входное напряжение может составлять 0,1 В.

    Первый двухкаскадный усилитель собран на транзисторе VT1, второй - на VT2 и VTZ разной конструкции. Первый каскад усиливает сигнал 34 напряжения, причем обе полуволны равны.Второй усиливает токовый сигнал, но каскад на транзисторе VT2 «работает» с положительными полуволнами, а на транзисторе VTZ - с отрицательными.

    Рисунок: 4. Двухтактный усилитель мощности AF на транзисторах.

    Режим постоянного тока выбран таким, чтобы напряжение в точке соединения эмиттеров транзисторов второй ступени было примерно вдвое меньше напряжения источника питания.

    Это достигается включением резистора обратной связи R2.Коллекторный ток входного транзистора, протекающий через диод VD1, приводит к падению напряжения на нем. которое представляет собой напряжение смещения на базах выходных транзисторов (относительно их эмиттеров) - позволяет уменьшить искажение усиленного сигнала.

    Нагрузка (несколько наушников, подключенных параллельно или динамическая головка) подключена к усилителю через оксидный конденсатор С2.

    Если усилитель будет работать на динамической головке (с сопротивлением 8-10 Ом), емкость этого конденсатора должна быть как минимум вдвое больше.Обратите внимание на подключение нагрузки первой ступени - резистора R4. Его верхний вывод по схеме подключен не к источнику питания, как это обычно делается, а к нижнему выводу нагрузки.

    Это так называемая схема повышения напряжения, в которой небольшое напряжение положительной обратной связи AF поступает в базовую цепь выходных транзисторов, что уравнивает условия работы транзисторов.

    Двухуровневый индикатор напряжения

    Такое устройство можно использовать.например, чтобы указать «разрядку» аккумулятора или указать уровень воспроизводимого сигнала в бытовом магнитофоне. Схема индикатора продемонстрирует, как это работает.

    Рисунок: 5. Схема двухуровневого индикатора напряжения.

    В нижнем положении двигателя переменного резистора R1 оба транзистора закрыты, светодиоды HL1, HL2 не горят. При перемещении ползунка резистора вверх напряжение на нем увеличивается. При достижении напряжения открытия транзистора VT1 светодиод HL1 будет мигать

    Если продолжить движение двигателя.наступит момент, когда после диода VD1 откроется транзистор VT2. Светодиод HL2 также будет мигать. Другими словами, при низком напряжении на входе индикатора загорается только светодиод HL1 и больше, чем оба светодиода.

    Плавно уменьшая входное напряжение переменным резистором, замечаем, что сначала гаснет светодиод HL2, а затем HL1. Яркость светодиодов зависит от ограничивающих резисторов R3 и R6 по мере увеличения их сопротивлений яркость уменьшается.

    Для подключения индикатора к реальному устройству нужно отсоединить верхний вывод переменного резистора от плюсового провода источника питания и подать контролируемое напряжение на крайние выводы этого резистора.Перемещая ползунок, выбирается порог срабатывания индикатора.

    При контроле только напряжения источника питания допускается установка зеленого светодиода AL307G вместо HL2.

    Он излучает световые сигналы на основании «меньше нормы - нормально - больше нормы». Для этого в индикаторе используются два красных и один зеленый светодиоды.

    Рисунок: 6. Трехуровневый индикатор напряжения.

    При определенном напряжении на двигателе переменного резистора R1 (напряжение в норме) оба транзистора закрыты и (работает только зеленый светодиод HL3).Перемещение ползунка резистора вверх по схеме приводит к увеличению напряжения (больше нормы), на нем открывается транзистор VT1.

    Светодиод HL3 гаснет, а HL1 загорается. Если ползунок перемещается вниз и, следовательно, напряжение на нем уменьшается («меньше нормального»), транзистор VT1 закроется, а VT2 откроется. Будет наблюдаться следующая картина: сначала гаснет светодиод HL1, затем загорается и вскоре гаснет HL3, и наконец HL2 мигает.

    Из-за низкой чувствительности индикатора получается плавный переход от гашения одного светодиода к зажиганию другого еще не погасшего полностью, например HL1, но HL3 уже горит.

    Триггер Шмитта

    Как известно, это устройство обычно используется для преобразования медленно меняющегося напряжения в прямоугольный сигнал. Когда ползун переменного резистора R1 находится в нижнем положении по схеме, транзистор VT1 закрыт.

    Напряжение на его коллекторе высокое, в результате транзистор VT2 оказывается открытым, а значит, горит светодиод HL1. На резисторе R3 образуется падение напряжения.

    Рисунок: 7. Простой триггер Шмитта на двух транзисторах.

    Медленно перемещая ползунок переменного резистора вверх по цепи, можно будет достичь момента, когда транзистор VT1 внезапно откроется, а VT2 закроется, когда напряжение на базе VT1 превысит падение напряжения на резисторе R3.

    Светодиод погаснет. Если затем переместить ползунок вниз, триггер вернется в исходное положение - светодиод будет мигать. Это произойдет, когда напряжение на слайдере будет меньше напряжения выключения светодиода.

    Мультивибратор ожидания

    Такое устройство имеет одно стабильное состояние и переходит в другое только при подаче входного сигнала. В этом случае мультивибратор генерирует импульс собственной длительности независимо от длительности входного сигнала. Убедимся в этом, проведя эксперимент с компоновкой предлагаемого устройства.

    Рисунок: 8. Принципиальная схема ожидающего мультивибратора.

    В исходном состоянии транзистор VT2 открыт, светодиод HL1 горит.Теперь достаточно коротко замкнуть разъемы X1 и X2 для импульса тока через конденсатор C1, чтобы открыть транзистор VT1. Напряжение на его коллекторе уменьшится и конденсатор С2 будет подключен к базе транзистора VT2 с такой полярностью, что он закроется. Светодиод погаснет.

    Конденсатор начинает разряжаться, ток разряда будет течь через резистор R5, удерживая VT2 закрытым. Как только конденсатор разрядится, транзистор VT2 снова откроется, и мультивибратор вернется в режим ожидания.

    Длительность генерируемого мультивибратором импульса (длительность нахождения в нестабильном состоянии) не зависит от длительности триггера, а определяется сопротивлением резистора R5 и емкостью конденсатора С2.

    Если вы подключите конденсатор той же емкости параллельно с C2, светодиод останется выключенным вдвое дольше.

    И. Бокомчев. П-06-2000.

    Мы узнали, как устроен транзистор, в общих чертах изучили технологии изготовления германиевых и кремниевых транзисторов и разобрались, как они имеют маркировку .

    Сегодня мы проведем несколько экспериментов и убедимся, что биполярный транзистор действительно состоит из двух диодов , включенных в обратном направлении, и что транзистор представляет собой усилитель сигнала .

    Нам понадобится германиевый маломощный транзистор p-n-p структуры из серии MP39 - MP42, лампа накаливания на напряжение 2,5 Вольта и блок питания на 4 - 5 Вольт. В общем, начинающим радиолюбителям рекомендую собрать небольшую регулируемую, с помощью которой вы будете питать свои конструкции.

    1. Транзистор состоит из двух диодов.

    Чтобы в этом убедиться, соберем небольшую схему: базу транзистора VT1 подключить к минусу блока питания, а вывод коллектора - к одному из выводов лампы накаливания EL ... Теперь, если второй вывод лампы подключить к плюсу источника питания, то лампа загорится.

    Свет загорелся, потому что мы подали на коллекторный переход транзистора прямой - пропускное напряжение, которое открыло коллекторный переход и протекало через него постоянный ток коллектор Ik ... Величина этого тока зависит от сопротивления нитей ламп и внутреннего сопротивления источника питания.

    Теперь посмотрим на ту же схему, но изобразим транзистор в виде полупроводниковой пластины.

    Основные носители заряда в базе Электроны , преодолевая p-n переход, попадают в область отверстия коллектора и становятся второстепенными. Став меньшинством, основные электроны поглощаются основными носителями в дырочной области коллектора дырок ... Точно так же дырки из области коллектора, попадая в электронную область базы, становятся меньшинством и поглощаются основными носителями заряда в базе. электронов .

    Базовый штифт, подключенный к отрицательному полюсу источника питания , будет действовать на практически неограниченное количество электронов , восполняя распад электронов из базовой области. А коллекторный контакт, подключенный к положительному полюсу источника питания через нить накала лампы, способен принять такое же количество электронов , за счет чего происходит концентрация дырок в области основания .

    Таким образом, проводимость p-n-перехода станет большой, а сопротивление току будет небольшим, а это значит, что ток коллектора будет течь через коллекторный переход. Ik ... А что больше этот ток будет ярче лампа горит будет.

    Лампочка также будет гореть, если она включена в цепь эмиттерного перехода. На рисунке ниже показан именно такой вариант схемы.

    А теперь немного изменим схему и базу транзистора. VT1 подключается к источнику питания плюс . В этом случае лампа не будет гореть, так как мы включили p-n переход транзистора в обратном направлении . А это значит, что сопротивление pn перехода стало большим и через него проходит очень мало обратный ток коллектор икбо неспособен к лампе накаливания EL ... В большинстве случаев этот ток не превышает несколько микроампер.

    И чтобы окончательно в этом убедиться, снова рассмотрим схему с транзистором, показанную в виде полупроводниковой пластины.

    Электроны в области основания переместятся к источнику питания плюс , удаляясь от pn перехода. Отверстия в области коллектора , также будут отодвигаться от p-n перехода, перемещаясь к отрицательному полюсу источника питания . В результате кажется, что граница областей расширится до , из-за чего образуется зона, обедненная дырками и электронами, которая обеспечит высокое сопротивление току.

    Но, поскольку в каждой из областей базы и коллектора есть неосновных носителей заряда, то небольшой обмен электронами и дырками между областями все равно будет происходить.Следовательно, через коллекторный переход будет протекать ток, который во много раз меньше постоянного тока, и этого тока будет недостаточно для зажигания нити накала лампы.

    2. Работа транзистора в коммутационном режиме.

    Проведем еще один эксперимент, показывающий один из режимов работы транзистора.
    Между коллектором и эмиттером транзистора подключаем последовательно включенный блок питания и такую ​​же лампу накаливания. Подключаем плюс блока питания к эмиттеру, а минус через нить накала лампы с коллектором.Лампа не горит. Почему?

    Все очень просто: если подать напряжение питания между эмиттером и коллектором, то при любой полярности один из переходов будет в прямом направлении, а другой - в обратном и будет мешать прохождению тока. В этом нетрудно убедиться, если вы посмотрите на следующий рисунок.

    На рисунке показано, что переход база-эмиттер-эмиттер включен в прямом направлении и открыт и готов принимать неограниченное количество электронов.Коллектор перехода база-коллектор, напротив, включен в обратном направлении и препятствует прохождению электронов к базе.

    Отсюда следует, что основные носители заряда в эмиттерной области дырок , отталкиваясь плюсом источника питания, устремляются в базовую область и там взаимно поглощают (рекомбинируют) с основными носителями заряда в базе электронов. ... В момент насыщения, когда с обеих сторон нет свободных носителей заряда, их движение прекратится, а значит, ток перестанет течь.Почему? Потому что со стороны коллектора не будет перезарядки электронов.

    Получается, что основные носители заряда в коллекторе отверстий притягиваются отрицательным полюсом источника питания, а некоторые из них взаимно поглощают электронов , идущих с отрицательной стороны источника питания. А в момент насыщения, когда не останется более свободных носителей заряда, дырки из-за своего преобладания в области коллектора будут блокировать дальнейший проход электронов к базе.

    Таким образом, между коллектором и базой образуется зона, обедненная дырками и электронами, которая обеспечит высокое сопротивление току.

    Конечно, благодаря магнитному полю и тепловым эффектам, скудный ток все равно будет течь, но сила этого тока настолько мала, что он не в состоянии накалить нить накаливания лампы.

    Теперь добавляем в схему перемычку и замыкаем к ней базу с эмиттером. Лампочка, включенная в коллекторную цепь транзистора, больше не загорится.Почему?

    Потому что, когда база и эмиттер замыкаются перемычкой, коллекторный переход становится просто диодом, у которого противоположное напряжение . Транзистор находится в закрытом состоянии и через него протекает лишь небольшой обратный коллекторный ток Ikbo .

    А теперь еще немного изменим схему и добавим резистор Rb, сопротивлением 200 - 300 Ом, и еще один источник напряжения GB в виде пальчиковой батареи.
    Соединить минус АКБ через резистор Rb, с базой транзистора, а плюс АКБ с эмиттером. Загорелась лампа.

    Лампа загорелась, потому что мы подключили батарею между базой и эмиттером и тем самым подали на эмиттерный переход прямое отпирающее напряжение. Эмиттерный переход открылся и по нему прошел прямой ток, который открыл коллекторный переход транзистора. Транзистор открывается и по цепи эмиттер-база-коллектор течет ток коллектора Ik , во много раз превышающий ток цепи эмиттер-база ... И благодаря этому току загорелся свет.

    Если поменять полярность аккума и подать плюс на базу, то эмиттерный переход закроется, а вместе с ним закроется и коллекторный переход. Обратный коллекторный ток будет протекать через транзистор Ikbo и свет погаснет.

    Резистор Rb ограничивает ток в цепи базы. Если ток не ограничен и все 1,5 вольта приложены к базе, то через эмиттерный переход будет протекать слишком большой ток, в результате чего тепловой пробой перехода и транзистор выйдет из строя.Как правило, для германиевых транзисторов напряжение разблокировки не более 0,2 вольт, а для кремния не более 0,7 вольт.

    И снова проанализируем ту же схему, но изобразим транзистор в виде полупроводниковой пластины.

    Когда напряжение разблокировки прикладывается к базе транзистора, он открывает эмиттер переход, и свободные дырки от эмиттера начинают взаимодействовать с электронами базы , создавая небольшой прямой базовый ток Ib .

    Но не все дырки, введенные из эмиттера в базу, рекомбинируют с его электронами. Обычно площадь базы выполняется тонкой , а при изготовлении транзисторов pnp-структуры концентрация дырок в эмиттере и коллектор делают во много раз больше, чем концентрация электронов в базе , поэтому только небольшая часть дырок поглощается электронами базы.

    Основная масса эмиттерных дырок проходит через базу и попадает под действие более высокого отрицательного напряжения, действующего в коллекторе, и уже вместе с коллекторными дырками движется к его отрицательному контакту, где взаимно поглощается введенными электронами электронами. отрицательный полюс источника питания ГБ .

    В результате сопротивление коллекторной цепи эмиттер-база-коллектор будет уменьшаться, и в ней протекает прямой коллекторный ток Ik , во много раз превышающий базовый ток Ib цепи эмиттер-база .

    Чем больше больше дырок вводятся от эмиттера к базе, поэтому больше значительного тока в цепи коллектора. И наоборот, у меньше напряжения разблокировки на базе, у меньше тока в цепи коллектора.

    Если бы на время работы транзистора в цепи базы и коллектора включить миллиамперметр, то при замкнутом транзисторе токов в этих цепях практически не было бы.

    Когда транзистор открыт, базовый ток Ib будет 2-3 мА, а ток коллектора Ik будет примерно 60-80 мА. Все это говорит о том, что транзистор может быть усилителем тока .

    В этих экспериментах транзистор находился в одном из двух состояний: открытом или закрытом.Переключение транзистора из одного состояния в другое происходило под действием напряжения отпирания на базе ... Этот режим транзистора называется режимом переключения или ключом ... Этот режим работы транзистора есть используется в приборах и устройствах автоматики.

    На этом мы закончим, а в следующей части разберем работу транзистора на примере простого усилителя звуковой частоты, собранного на одном транзисторе.
    Удачи!

    Литература:

    1. Борисов В.Г. - Юный радиолюбитель. 1985
    2. Айсберг Э. - Транзистор? .. Все очень просто! 1964

    Транзистор - это полупроводниковое устройство, которое может усиливать, преобразовывать и генерировать электрические сигналы. Первый работоспособный биполярный транзистор был изобретен в 1947 году. Материалом для его изготовления был германий. А уже в 1956 году родился кремниевый транзистор.

    В биполярном транзисторе используются два типа носителей заряда - электроны и дырки, поэтому такие транзисторы называют биполярными.Помимо биполярных транзисторов, существуют униполярные (полевые) транзисторы, в которых используется только один тип носителей - электроны или дырки. Эта статья расскажет.

    Большинство кремниевых транзисторов имеют структуру n-p-n, что также объясняется технологией изготовления, хотя есть и кремниевые транзисторы p-n-p типа, но они несколько меньше, чем структуры n-p-n. Такие транзисторы используются в составе комплементарных пар (транзисторов разной проводимости с одинаковыми электрическими параметрами).Например, КТ315 и КТ361, КТ815 и КТ814, а в выходных каскадах транзисторов УМЗЧ КТ819 и КТ818. В импортных усилителях часто используется мощная комплементарная пара 2SA1943 и 2SC5200.

    Часто транзисторы структуры pnp называют транзисторами прямой проводимости, а структуры npn обратной ... В литературе такое название почему-то почти не встречается, но в кругу радиоинженеров и радиолюбителей используется повсеместно. , все сразу понимают, о чем идет речь.На рисунке 1 показано схематическое устройство транзисторов и их условные графические обозначения.

    Рисунок 1.

    Помимо разницы в типе проводимости и материалах, биполярные транзисторы классифицируются по мощности и рабочей частоте. Если рассеиваемая мощность на транзисторе не превышает 0,3 Вт, такой транзистор считается маломощным. При мощности 0,3 ... 3 Вт транзистор называют транзистором средней мощности, а при мощности более 3 Вт - большой.Современные транзисторы способны рассеивать мощность в несколько десятков и даже сотен ватт.

    Транзисторы не одинаково хорошо усиливают электрические сигналы: с увеличением частоты коэффициент усиления транзисторного каскада уменьшается, а на определенной частоте он вообще останавливается. Поэтому для работы в широком диапазоне частот выпускаются транзисторы с разными частотными свойствами.

    По рабочей частоте транзисторы делятся на низкочастотные, - рабочая частота не более 3 МГц, среднечастотная - 3... 30 МГц, высокочастотный - более 30 МГц. Если рабочая частота превышает 300 МГц, то это уже СВЧ-транзисторы.

    В целом в серьезных толстых справочниках приведено более 100 различных параметров транзисторов, что тоже говорит об огромном количестве моделей. А количество современных транзисторов таково, что разместить их целиком в каком-либо каталоге уже невозможно. Причем модельный ряд постоянно увеличивается, позволяя решать практически все задачи, поставленные разработчиками.

    Транзисторных схем много (достаточно вспомнить хотя бы количество бытовой техники) для усиления и преобразования электрических сигналов, но при всем разнообразии эти схемы состоят из отдельных каскадов, в основе которых лежат транзисторы. Для достижения необходимого усиления сигнала необходимо использовать несколько последовательно соединенных каскадов усиления. Чтобы понять, как работают усилительные каскады, необходимо более подробно ознакомиться со схемами переключения транзисторов.

    Сам по себе транзистор ничего усилить не может. Его усилительные свойства заключаются в том, что небольшие изменения входного сигнала (тока или напряжения) приводят к значительным изменениям напряжения или тока на выходе каскада из-за потребления энергии от внешнего источника. Это свойство широко используется в аналоговых схемах - усилителях, телевидении, радио, связи и т. Д.

    Для упрощения изложения здесь мы будем рассматривать схемы на транзисторах n-p-n.Все, что будет сказано об этих транзисторах, в равной степени относится и к p-n-p транзисторам. Достаточно только поменять полярность блоков питания на обратную, и, если есть, получить исправную схему.

    Всего используется три таких схемы: схема с общим эмиттером (OE), схема с общим коллектором (OC) и схема с общей базой (OB). Все эти схемы показаны на рисунке 2.

    Рисунок 2.

    Но прежде чем перейти к рассмотрению этих схем, следует ознакомиться с принципом работы транзистора в ключевом режиме.Это знакомство должно облегчить понимание в режиме усиления. В некотором смысле ключевую схему можно рассматривать как своего рода схему оригинального оборудования.

    Работа транзистора в ключевом режиме

    Прежде чем изучать работу транзистора в режиме усиления сигнала, стоит вспомнить, что транзисторы часто используются в ключевом режиме.

    Такой режим работы транзистора рассматривался давно. В августовском номере журнала «Радио» за 1959 г. была опубликована статья Г.Лавров «Полупроводниковый триод в ключевом режиме». Автор статьи предложил изменить длительность импульса в обмотке управления (ОУ). Сейчас этот способ регулирования называется ШИМ и применяется довольно часто. Схема из журнала того времени представлена ​​на рис. 3.

    Рисунок 3.

    Но ключевой режим используется не только в системах ШИМ. Часто транзистор просто что-то включает и выключает.

    В этом случае в качестве нагрузки можно использовать реле: подан входной сигнал - реле включено, нет - реле выключено.Вместо реле в ключевом режиме часто используются лампочки. Обычно это делается для индикации: свет горит или выключен. Схема такой ключевой ступени показана на рисунке 4. Ключевые ступени также используются для работы со светодиодами или с оптопарами.

    Рисунок 4.

    На рисунке каскад управляется обычным контактом, хотя может быть цифровая микросхема или. Автомобильный свет, используется для освещения приборной панели в «Жигулях». Следует обратить внимание на то, что управляющее напряжение составляет 5В, а коммутируемое напряжение коллектора - 12В.

    В этом нет ничего странного, так как напряжения в этой схеме не играют никакой роли, имеют значение только токи. Следовательно, лампочка может быть не менее 220В, если транзистор рассчитан на работу при таких напряжениях. Напряжение коллектора-источника также должно соответствовать рабочему напряжению нагрузки. С помощью таких каскадов нагрузка подключается к цифровым микросхемам или микроконтроллерам.

    В этой схеме ток базы управляет током коллектора, который за счет энергии источника питания в несколько десятков или даже сотен раз превышает (в зависимости от нагрузки коллектора) ток базы.Нетрудно заметить, что есть усиление тока. Когда транзистор работает в ключевом режиме, обычно для расчета каскада используют значение, называемое в справочниках «текущий коэффициент усиления в режиме большого сигнала» - в справочниках оно обозначается буквой β. Это отношение тока коллектора, определяемого нагрузкой, к минимально возможному току базы. В виде математической формулы это выглядит так: β = Ik / Ib.

    Для большинства современных транзисторов коэффициент β довольно велик, как правило, от 50 и выше, поэтому при расчете ключевого каскада его можно принять равным всего 10.Даже если базовый ток окажется больше расчетного, то транзистор больше не откроется из этого, то из него и ключевого режима.

    Чтобы зажечь лампочку, показанную на рисунке 3, Ib = Ik / β = 100mA / 10 = 10mA, это не менее. При управляющем напряжении 5В на базовом резисторе Rb за вычетом падения напряжения на участке BE останется 5В - 0,6В = 4,4В. Сопротивление базового резистора составит: 4,4 В / 10 мА = 440 Ом. Резистор на 430 Ом выбирается из стандартного ряда.Напряжение 0,6 В - это напряжение на переходе B-E, и не стоит забывать об этом в расчетах!

    Чтобы база транзистора не оставалась «висящей в воздухе» при размыкании управляющего контакта, переход B-E обычно шунтируется резистором Rbe, который надежно закрывает транзистор. Не следует забывать об этом резисторе, хотя его почему-то нет в некоторых схемах, что может привести к ложному срабатыванию каскада от помех. Собственно, про этот резистор все знали, но почему-то забыли, и в очередной раз наступили на «грабли».

    Номинал этого резистора должен быть таким, чтобы при размыкании контакта напряжение на базе было не менее 0,6В, иначе каскад будет неуправляемым, как если бы секция BE была просто замкнута накоротко. На практике резистор Rbe устанавливается с номиналом примерно в десять раз больше, чем Rb. Но даже если номинал Rb равен 10 кОм, схема будет работать достаточно надежно: потенциалы базы и эмиттера будут равны, что приведет к закрытию транзистора.

    Такой ключевой каскад при исправной работе может включить лампочку на полный накал, либо выключить полностью.В этом случае транзистор может быть полностью включен (состояние насыщения) или полностью выключен (состояние отсечки). Сразу же, конечно, напрашивается вывод, что между этими «пограничными» состояниями есть такое, когда лампочка залита светом. В этом случае транзистор наполовину открыт или наполовину закрыт? Это как в задаче наполнения стакана: оптимист видит стакан наполовину, а пессимист видит его наполовину пустым. Такой режим работы транзистора называется усилительным или линейным.

    Работа транзистора в режиме усиления сигнала

    Практически все современное электронное оборудование состоит из микросхем, в которых «спрятаны» транзисторы. Достаточно просто выбрать режим работы операционного усилителя, чтобы получить необходимое усиление или полосу пропускания. Но, несмотря на это, часто используются каскады на дискретных («разветвленных») транзисторах, а потому понимание работы усилительного каскада просто необходимо.

    Наиболее частое включение транзистора по сравнению с ОК и ОБ - это схема с общим эмиттером (ОЭ).Причина такого преобладания - это, прежде всего, высокий коэффициент усиления по напряжению и току. Наибольший коэффициент усиления каскада OE обеспечивается, когда половина напряжения питания Epit / 2 падает на нагрузке коллектора. Соответственно, вторая половина приходится на К-Е секцию транзистора. Это достигается настройкой каскада, о чем будет сказано ниже. Этот режим усиления называется классом A.

    При включении транзистора с ОЭ выходной сигнал на коллекторе находится в противофазе с входным.Из недостатков можно отметить то, что входное сопротивление ОЭ небольшое (не более нескольких сотен Ом), а выходное сопротивление находится в пределах десятков кОм.

    Если в ключевом режиме транзистор характеризуется коэффициентом усиления по току в режиме большого сигнала β, то в режиме усиления используется «коэффициент усиления по току в режиме малого сигнала», обозначенный в справочниках h31e. Это обозначение произошло от представления транзистора в виде четырехполюсника. Буква «е» означает, что измерения производились при включенном транзисторе с общим эмиттером.

    Коэффициент h31e, как правило, несколько больше β, хотя его также можно использовать в расчетах в первом приближении. Тем не менее разброс параметров β и h31e даже для одного типа транзисторов настолько велик, что расчеты носят лишь приблизительный характер. После таких расчетов, как правило, требуется настройка схемы.

    Коэффициент усиления транзистора зависит от толщины базы, поэтому его нельзя изменить. Отсюда большой разброс коэффициентов усиления транзисторов, взятых даже из одного ящика (считайте одну партию).Для маломощных транзисторов этот коэффициент колеблется в пределах 100 ... 1000, а для мощных 5 ... 200. Чем тоньше база, тем выше коэффициент.

    Самая простая схема включения транзистора OE показана на рисунке 5. Это всего лишь небольшая часть рисунка 2, показанного во второй части статьи. Это называется схемой с фиксированным базовым током.

    Рисунок 5.

    Схема предельно проста. Входной сигнал подается на базу транзистора через блокирующий конденсатор С1 и, будучи усиленным, снимается с коллектора транзистора через конденсатор С2.Назначение конденсаторов - защита входных цепей от постоянной составляющей входного сигнала (вспомните угольный или электретный микрофон) и обеспечение необходимой полосы пропускания каскада.

    Резистор R2 является нагрузкой коллектора каскада, а R1 обеспечивает смещение постоянного тока на базу. С помощью этого резистора стараются сделать так, чтобы напряжение на коллекторе было Epit / 2. Это состояние называется рабочей точкой транзистора, в этом случае усиление каскада максимальное.

    Примерное сопротивление резистора R1 можно определить по простой формуле R1 ≈ R2 * h31e / 1,5 ... 1,8. Коэффициент 1,5 ... 1,8 подставляется в зависимости от напряжения питания: при низком напряжении (не более 9В) значение коэффициента не более 1,5, а начиная с 50В приближается к 1,8 ... 2,0. Но, действительно, формула настолько приблизительна, что чаще всего приходится подбирать резистор R1, иначе требуемое значение Epit / 2 на коллекторе не получится.

    Коллекторный резистор R2 устанавливается как условие проблемы, так как ток коллектора и коэффициент усиления каскада в целом зависят от его значения: чем больше сопротивление резистора R2, тем выше коэффициент усиления. Но с этим резистором нужно быть осторожным, ток коллектора должен быть меньше максимально допустимого для данного типа транзистора.

    Схема очень проста, но эта простота также придает ей отрицательные свойства, и эта простота имеет свою цену.Во-первых, усиление каскада зависит от конкретного экземпляра транзистора: если вы заменили транзистор при ремонте, снова выберите смещение, доведите его до рабочей точки.

    Во-вторых, от температуры окружающей среды - при повышении температуры увеличивается обратный ток коллектора Ico, что приводит к увеличению тока коллектора. А где же тогда половина питающего напряжения на коллекторе Epit / 2, та же рабочая точка? В результате транзистор еще больше нагревается, после чего выходит из строя.Чтобы избавиться от этой зависимости или хотя бы минимизировать ее, в транзисторный каскад вводятся дополнительные элементы отрицательной обратной связи - ООС.

    На рисунке 6 показана схема фиксированного смещения.

    Рисунок 6.

    Казалось бы, делитель напряжения Rb-k, Rb-e обеспечит необходимое начальное смещение каскада, но на самом деле такому каскаду присущи все недостатки схемы фиксированного тока. Таким образом, показанная схема представляет собой всего лишь разновидность схемы с фиксированным током, показанной на рисунке 5.

    Схемы термостабилизации

    Ситуация несколько лучше при использовании схем, показанных на рисунке 7.

    Рисунок 7.

    В схеме с коллекторной стабилизацией резистор смещения R1 подключен не к источнику питания, а к коллектору транзистора. В этом случае, если обратный ток увеличивается с ростом температуры, транзистор открывается сильнее, напряжение на коллекторе падает. Это уменьшение приводит к уменьшению напряжения смещения, приложенного к базе через R1.Транзистор начинает закрываться, ток коллектора снижается до допустимого значения, и рабочая точка восстанавливается.

    Совершенно очевидно, что такая мера стабилизации приводит к некоторому снижению усиления каскада, но это не проблема. Недостающее усиление обычно добавляется увеличением количества каскадов усилителя. С другой стороны, такая ООС позволяет существенно расширить диапазон рабочих температур каскада.

    Схемотехника каскада со стабилизацией эмиттера несколько сложнее.Усилительные свойства таких каскадов остаются неизменными в даже более широком диапазоне температур, чем у схемы со стабилизированным коллектором. И еще одно неоспоримое преимущество - при замене транзистора не нужно заново выбирать режимы работы каскада.

    Эмиттерный резистор R4, обеспечивающий стабилизацию температуры, также снижает коэффициент усиления каскада. Это для округа Колумбия. Чтобы исключить влияние резистора R4 на усиление переменного тока, резистор R4 зашунтирован конденсатором Се, который представляет собой пренебрежимо малое сопротивление для переменного тока.Его величина определяется частотным диапазоном усилителя. Если эти частоты находятся в звуковом диапазоне, то емкость конденсатора может составлять от единиц до десятков и даже сотен микрофарад. Для радиочастот это уже сотые или тысячные, но в некоторых случаях схема нормально работает и без этого конденсатора.

    Чтобы лучше понять, как работает стабилизация эмиттера, необходимо рассмотреть схему включения транзистора с общим коллектором ОК.

    Схема с общим коллектором (CC) Показана на рисунке 8. Эта схема представляет собой фрагмент рисунка 2 из второй части статьи, где показаны все три схемы переключения транзисторов.

    Рисунок 8.

    Нагрузкой каскада является эмиттерный резистор R2, входной сигнал подается через конденсатор C1, а выходной сигнал снимается через конденсатор C2. Здесь вы можете спросить, почему эта схема называется ОК? Действительно, если вспомнить схему OE, то хорошо видно, что эмиттер подключен к общему проводу схемы, относительно которого подается входной сигнал и снимается выходной сигнал.

    В схеме ОК коллектор просто подключается к источнику питания, и на первый взгляд кажется, что он не имеет никакого отношения к входным и выходным сигналам. Но на самом деле источник ЭДС (силовой аккумулятор) имеет очень маленькое внутреннее сопротивление, для сигнала это практически одна точка, один и тот же контакт.

    Более подробно работу схемы ОК можно увидеть на рисунке 9

    Рисунок 9.

    Известно, что для кремниевых транзисторов напряжение перехода b-e находится в диапазоне 0.5 ... 0,7 В, поэтому в среднем можно принять 0,6 В, если не ставить цель проводить расчеты с точностью до десятых долей процента. Следовательно, как видно на рисунке 9, выходное напряжение всегда будет меньше входного напряжения на величину Ub-e, а именно на те же 0,6 В. В отличие от схемы OE, эта схема не инвертирует входной сигнал, а просто повторяет его и даже снижает на 0,6 В. Эта схема также называется эмиттерным повторителем. Зачем нужна такая схема, в чем ее польза?

    Цепь ОК усиливает сигнал тока в h31e раз, что указывает на то, что входное сопротивление цепи в h31e раз больше, чем сопротивление в цепи эмиттера.Другими словами, вы можете подавать напряжение прямо на базу (без ограничивающего резистора), не опасаясь сжечь транзистор. Просто возьмите базовый штифт и подключите его к шине питания + U.

    Высокий входной импеданс позволяет подключать источник входного сигнала с высоким импедансом (комплексное сопротивление), например пьезоэлектрический датчик. Если такой датчик подключить к каскаду по схеме OE, то низкий входной импеданс этого каскада просто «утонет» сигнал датчика - «радио не будет играть».«

    Отличительной особенностью схемы ОК является то, что ее коллекторный ток Ik зависит только от сопротивления нагрузки и напряжения источника входного сигнала. В этом случае параметры транзистора здесь не играют никакой роли. Считается, что такие цепи покрываются 100% обратной связью по напряжению.

    Как показано на рисунке 9, ток в нагрузке эмиттера (он же ток эмиттера) Iн = Iк + Ib. Учитывая, что ток базы Ib ничтожно мал по сравнению с током коллектора Ik, можно предположить, что ток нагрузки равен току коллектора Iн = Iк.Ток нагрузки будет (Uin - Ube) / Rn. В этом случае мы будем считать, что Ube известно и всегда равно 0,6V.

    Отсюда следует, что ток коллектора Ik = (Uin - Ube) / Rn зависит только от входного напряжения и сопротивления нагрузки. Сопротивление нагрузки можно изменять в широких пределах, однако особо усердствовать не нужно. Ведь если вместо Rn поставить гвоздь - плетение, то ни один транзистор не выдержит!

    Схема ОК позволяет легко измерить статический коэффициент передачи тока h31e.Как это сделать, показано на рисунке 10.

    Рисунок 10.

    Сначала измерьте ток нагрузки, как показано на рисунке 10a. В этом случае базу транзистора не нужно никуда подключать, как показано на рисунке. После этого измеряется базовый ток в соответствии с рисунком 10b. В обоих случаях измерения должны производиться в одних и тех же количествах: либо в амперах, либо в миллиамперах. Напряжение источника питания и нагрузка должны оставаться постоянными в обоих измерениях.Чтобы узнать статический коэффициент передачи тока, достаточно ток нагрузки разделить на ток базы: h31e ≈ In / Ib.

    Следует отметить, что с увеличением нагрузки ток h31e немного уменьшается, а с увеличением напряжения питания он увеличивается. Эмиттерные повторители часто имеют двухтактную конструкцию с использованием дополнительных пар транзисторов для увеличения выходной мощности устройства. Такой эмиттерный повторитель показан на рисунке 11.

    Рисунок 11.

    Рисунок 12.

    Включение транзисторов по схеме с общей базой OB

    Эта схема дает только усиление по напряжению, но имеет лучшие частотные характеристики по сравнению со схемой OE: те же транзисторы могут работать на более высоких частотах. Основное применение схемы OB - антенные усилители ДМВ-диапазонов. Схема антенного усилителя представлена ​​на рисунке 12.

    Пожалуй, сегодня сложно представить современный мир без транзисторов, практически в любой электронике, от радиоприемников и телевизоров до автомобилей, телефонов и компьютеров, так или иначе они используются.

    Существует два типа транзисторов: биполярный и полевой ... Биполярные транзисторы управляются током, а не напряжением. Существуют мощные и маломощные, высокочастотные и низкочастотные, pnp и npn структуры ... Транзисторы доступны в разных корпусах и бывают разных размеров, начиная от микросхемы SMD (на самом деле, их намного меньше, чем микросхема), которые предназначены для поверхностного монтажа, заканчивая очень мощными транзисторами ... По рассеиваемой мощности различают маломощные транзисторы до 100 мВт, средняя мощность от 0.От 1 до 1 Вт и мощные транзисторы более 1 Вт.

    Когда говорят о транзисторах, обычно имеют в виду биполярные транзисторы. Биполярные транзисторы изготавливаются из кремния или германия. Их называют биполярными, потому что их работа основана на использовании как электронов, так и дырок в качестве носителей заряда. Транзисторы на схемах обозначены следующим образом:

    Одна из самых удаленных областей структуры транзистора называется эмиттером. Промежуточная область называется базой, а другая крайняя - резервуаром.Эти три электрода образуют два pn перехода: между базой и коллектором - коллектор, и между базой и эмиттером - эмиттер. Как и обычный переключатель, транзистор может находиться в двух состояниях - «включен» и «выключен». Но это не значит, что у них есть движущиеся или механические части, они переключаются из выключенного состояния во включенное и обратно с помощью электрических сигналов.

    Транзисторы

    предназначены для усиления, преобразования и генерации электрических колебаний. Работу транзистора можно проиллюстрировать на примере водопровода.Представьте себе смеситель в ванной, один электрод транзистора - это труба к крану (смесителю), другой (второй) - труба после крана, по которой вытекает вода, а третий управляющий электрод - это как раз кран, с помощью которого мы включим воду.
    Транзистор можно представить себе как два диода, соединенных последовательно, в случае NPN аноды соединены вместе, а в случае PNP катоды соединены.

    Существуют транзисторы типов PNP и NPN, транзисторы PNP открываются напряжением отрицательной полярности, NPN - положительной.В транзисторах NPN основными носителями заряда являются электроны, а в PNP - дырки, которые менее подвижны, соответственно транзисторы NPN переключаются быстрее.

    Uke = напряжение коллектор-эмиттер
    Ube = напряжение база-эмиттер
    Ic = ток коллектора
    Ib = ток базы

    В зависимости от состояний, в которых находятся переходы транзистора, различают режимы его работы. Так как транзистор имеет два перехода (эмиттерный и коллекторный), и каждый из них может находиться в двух состояниях: 1) открыт, 2) закрыт.Есть четыре режима работы транзистора. Основным режимом является активный режим, при котором коллекторный переход закрыт, а эмиттерный переход открыт. В схемах усиления используются активные транзисторы. Помимо активного, различают обратный режим, при котором эмиттерный переход закрыт, а коллекторный переход открыт, режим насыщения, при котором оба перехода открыты, и режим отсечки, при котором оба перехода закрыты.

    При работе транзистора с высокочастотными сигналами время работы основных процессов (время движения носителей от эмиттера к коллектору) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала.В результате способность транзистора усиливать электрические сигналы уменьшается с увеличением частоты.

    Некоторые параметры биполярных транзисторов

    Коллектор - эмиттер постоянного / импульсного напряжения.
    Коллектор постоянного напряжения - база.
    Эмиттер постоянного напряжения - база.
    Предельная частота передаточного отношения основного тока
    Постоянный / импульсный ток коллектора.
    Коэффициент передачи тока
    Максимально допустимый ток
    Входное сопротивление
    Рассеиваемая мощность.
    Температура Pn перехода.
    Температура окружающей среды и т. Д.

    Граничное напряжение Ukeo gr. - максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и тока коллектора. Напряжение коллектора, меньше Ukeo gr. характерны для импульсных режимов работы транзистора при токах базы отличных от нуля и соответствующих токах базы (для транзисторов n-p-n ток базы> 0, а для p-n-p, наоборот, Ib

    Однопереходные транзисторы

    можно отнести к биполярным транзисторам, например, КТ117.Такой транзистор представляет собой трехэлектродный полупроводниковый прибор с одним pn переходом. Однопереходный транзистор состоит из двух баз и эмиттера.

    В последнее время в схемах часто стали использовать составные транзисторы, их называют парными или транзисторами Дарлингтона, они имеют очень высокий коэффициент передачи тока, состоят из двух и более биполярных транзисторов, но готовые транзисторы также производятся в одна упаковка, например TIP140. Они включаются общим коллектором, если подключить два транзистора, они будут работать как один, включение показано на рисунке ниже.Использование подтягивающего резистора R1 улучшает некоторые характеристики составного транзистора.

    Некоторые недостатки составного транзистора: низкая производительность, особенно переход из открытого в закрытое. Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер почти в два раза больше, чем у обычного транзистора. Ну, конечно, вам нужно больше места на доске.

    Проверка биполярных транзисторов

    Поскольку транзистор состоит из двух переходов, каждый из которых является полупроводниковым диодом, вы можете проверить транзистор так же, как диод.Транзистор обычно проверяют омметром, проверяют оба pn перехода транзистора: коллектор - база и эмиттер - база. Для проверки прямого сопротивления переходов p-n-p транзистора отрицательный вывод омметра подключают к базе, а положительный вывод омметра подключают поочередно к коллектору и эмиттеру. Для проверки обратного сопротивления переходов положительный вывод омметра подключают к базе. При проверке транзисторов n-p-n подключение производится в обратном порядке: прямое сопротивление измеряется при подключении к базе положительного вывода омметра, а обратное сопротивление - при подключении к базе отрицательного вывода.Транзисторы также можно вызвать цифровым мультиметром в режиме проверки диодов. Для NPN красный щуп устройства «+» подключается к базе транзистора, а черный щуп «-» поочередно касается коллектора и эмиттера. Прибор должен показать какое-то сопротивление, примерно от 600 до 1200. Затем меняем полярность подключения щупов, в этом случае прибор не должен ничего показывать. Для структуры PNP порядок проверки будет обратным.

    Несколько слов о MOSFET-транзисторах (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор), (Metal Oxide Semiconductor (MOS)) - это полевые транзисторы, не путать с обычными полевыми работниками! Полевые транзисторы имеют три вывода: G - затвор, D - сток, S - исток.Различают канал N и P, в обозначении этих транзисторов присутствует диод Шоттки, он пропускает ток от истока к стоку и ограничивает напряжение сток - исток.

    Используются в основном для коммутации больших токов, управляются не током, как биполярные транзисторы, а напряжением, и, как правило, имеют очень низкое сопротивление открытого канала, сопротивление канала постоянно и не зависит по течению. MOSFET-транзисторы специально разработаны для ключевых схем, это можно сказать как замена реле, но в некоторых случаях может быть усилено, они используются в мощных усилителях низких частот.

    Преимущества этих транзисторов следующие:
    Минимальная мощность управления и высокий коэффициент усиления по току
    Лучшая производительность, например, более высокая скорость переключения.
    Устойчив к большим импульсам напряжения.
    Схемы на таких транзисторах обычно проще.

    Минусы:
    Дороже биполярных транзисторов.
    Боятся статического электричества.
    Чаще всего для переключения силовых цепей используется полевой МОП-транзистор с N-каналом. Управляющее напряжение должно превышать порог в 4 В, обычно 10-12 В требуется для надежного включения полевого МОП-транзистора.Управляющее напряжение - это напряжение, приложенное между затвором и истоком для включения полевого МОП-транзистора.

    Значения большинства параметров транзисторов зависят от реального режима работы и температуры, а при повышении температуры параметры транзисторов могут изменяться. Справочник содержит, как правило, типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. Д.

    Для обеспечения надежной работы транзисторов необходимо принять меры по исключению длительных электрических нагрузок, близких к предельно допустимым, например, заменять транзистор на аналогичный, но меньшей мощности не стоит, это касается не только мощности , но и к другим параметрам транзистора.В некоторых случаях для увеличения мощности транзисторы могут быть соединены параллельно, когда эмиттер подключен к эмиттеру, коллектор - к коллектору, а база - к базе. Перегрузки могут быть вызваны разными причинами, например, от перенапряжения; быстродействующие диоды часто используются для защиты от перенапряжения.

    Что касается нагрева и перегрева транзисторов, то температурный режим транзисторов не только влияет на значение параметров, но и определяет надежность их работы.Следует стремиться к тому, чтобы транзистор не перегревался во время работы; в выходных каскадах усилителей транзисторы необходимо устанавливать на радиаторы большой мощности. Защита транзисторов от перегрева должна быть обеспечена не только во время работы, но и при пайке.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *