LM431 — Меандр — занимательная электроника
В [1] была приведена схема простейшего индикатора состояния батареи аккумуляторов. Автор использовал ее для модели судна, но область применения этой схемы, естественно, может быть значительно шире. Основными условиями достижения длительных сроков эксплуатации аккумуляторов являются, в частности, ограничение максимального тока разряда… Продолжить чтение →
Устройство предназначено для звуковой сигнализации затопления подвальных помещений, заполнения накопительных емкостей воды для полива и т.п. Также может использоваться как аварийный звуковой сигнализатор при неполадках домашнего сантехнического оборудования. Кроме функции сигнализатора это устройство также можно использовать как сетевой источник питания… Продолжить чтение →
При ремонте, испытаниях и настройке электротехнических устройств, потребляющих от источника питания относительно большой ток, необходим соответствующий регулируемый источник питания, способный продолжительное время отдавать в нагрузку требуемую мощность. Когда по каким-то причинам нежелательно или невозможно использовать источник питания с импульсным стабилизатором… Продолжить чтение →
В статье описывается как доработать малогабаритный серийный ИП типа БП9/4 для увеличения его выходного тока и обеспечения регулировки выходного напряжения. Источник питания промышленного изготовления БП9/4 рассчитан на фиксированное выходное стабилизированное напряжение 9 5 постоянного тока (макс. 0,35 А), размеры корпуса… Продолжить чтение →
Эпоха расцвета оптических носителей информации, таких как CD и DVD, оказалась яркой, но недолгой. Сегодня DVD-проигрыватели после износа или поломки уже не ремонтируют, а выбрасывают или в лучшем случае разбирают на детали. Недорогие DVD-проигрыватели обычно содержат в виде отдельного модуля… Продолжить чтение →
Lm431 схема – 80zoqlm4b30.125mb.com
Скачать lm431 схема djvu
Регулируемый стабилитрон TL Схемы включения TL Микросхема стабилитрон TL lm431 использоваться не только в схемах lm431. Микросхема tl нашла широкое применение в бытовых приборах: мониторах, магнитофонах, планшетах.
Схема включения и принцип работы. Схема стабилизатора напряжения 5 В повышенной мощности на схеме TL Схема контроля уровня напряжения источника питания, заряда батареи на основе TL Схема прецизионного ограничителя тока на основе TL Схема стабилизатора тока на основе TL Время выполнения запроса: 0, секунд. Микросхема дает возможность изготовить различные виды сигнализации и зарядные устройства для повседневного применения. схема на TL Автор: Borodach, 20 марта в Аналоговые блоки питания и стабилизаторы lm431.
LMBCM. Регулируемый стабилитрон TL Схемы включения TL Микросхема стабилитрон TL может использоваться не только в схемах питания. На базе TL можно сконструировать всевозможные световые и звуковые сигнализаторы.
При помощи таких конструкций возможно контролировать множество разнообразных параметров. Выходное напряжение TL стабилизируется внутренним опорн. Первый связан с основной функцией TL как источника опорного напряжения. Обратимся к эквивалентной схеме генератора, изображенного на Рисунке 2. Величина постоянного тока I1 (см. Рисунок 3) зависит от напряжения приблизительно следующим образом: где VKA – напряжение «стабилитрона».
схема на TL Автор: Borodach, 20 марта в Аналоговые блоки питания и стабилизаторы напряжения. TL Хотелось бы собрать в этой ветке как можно больше информации и схем об этом радиоэлементе. Начнём со справочных данных: Он-лайн калькулятор TL datasheet (1).pdf.
80zoqlm4b30.125mb.com 5. Цитата. Схемы включения микросхемы TL в режиме стабилизации напряжения и тока. Полный datasheet на русском языке. Цоколевка и распиновка ножек в разных корпусах. Основные виды применения. напряжение на выходе от 2,5 до 36V; мощность 0,2W; температурный диапазон TLC от 0° до 70°; для TLA от ° до +85°; цена от 28руб за 1 штуку.
TL — интегральная схема (ИС) трёхвыводного регулируемого параллельного стабилизатора напряжения с улучшенной температурной стабильностью. С внешним делителем TL способна стабилизировать напряжения от 2,5 до 36 В при токах до мА. Типичное отклонение фактической величины опорного напряжения. от паспортного значения измеряется единицами мВ, предельно допустимое отклонение составляет несколько десятков мВ.
rtf, PDF, txt, rtf пчела спицами схема★ TL431 – cтатьи об электронике .. Информация
1.
В устройство и принцип работы. (The device and principle of work)TL431 – три-пороговый элемент, построенных на биполярных транзисторах, – это своеобразный аналог идеального транзистора с порога переключения ≈2.5 В (В.5). “База”, “коллектор” и “эмиттер” TL431 традиционно именуемых, соответственно, входного контроля R, катод C и анодом A. положительное управляющее напряжение U ref (У Реф) применяется между входного контроля и анода, и выходным сигналом является ток катод-анод I KA.
Функционально, на уровне абстракции, TL431 содержит источник опорного напряжения ≈2.5 В (В.5) и операционный усилитель, сравнивающий U ref (У Реф) со ссылкой на виртуальный внутренний узел. физически, обе функции тесно, неразрывно интегрированной в входной каскад TL431. виртуальная справочная уровне ≈2.5 В (В.5) не производится в любую точку схемы: корректный источник опорного напряжения является запрещенной зоны Widlar транзисторы Т3, Т4 и Т5, создает напряжение ≈1.2 В (В.2) и оптимизирован для работы совместно с эмиттерными повторителями Т1 и T6. дифференциальный усилитель, образованный двумя счетчик включен источник тока на транзисторах T8 и T9: положительная разница между токами коллекторов T8 и T9 на страницах базы данных T10, регулирование выходного каскада выходного каскада. TL431, непосредственно контролируют ток нагрузки, Дарлингтон-транзистор НПН-структуры с открытым коллектором, защищенные обратного диода. никакой защиты от перегрева или перегрузки по току не предусмотрено.
Если U ref (У Реф) не превышает порога переключения, выходной каскад закрыт и каскады потребляют одни тока типичное значение 100.200 МКА. С приближением U ref (У Реф) до порога переключения ток, потребляемый контроль этапов, достигает величины порядка 300.500 мкА, в то время как выходной каскад остается закрыты. после порога выходного каскада плавно открываются, I KA увеличивается с уклоном примерно 30 мА / в. когда U ref (У Реф) превышает пороговое значение приблизительно на 3 мВ, и I KA достигает примерно 500. 600 МКА, уклон резко возрастает до примерно 1 А / В. с номинальной склон, типичное значение которого составляет 1.1.4 А / в, Схема переходит в режим стабилизации, который ведет себя как классическая дифференциального напряжения в ток. рост тока прекращается, когда напряжение управления stabiliziruemost действия петли отрицательной обратной связи подключен между катодом и управляющим входом. установлено значение U ref (У Реф) ≈2.5 В (В.5) и называется ссылка U REF (У РЕФ). Менее синфазные реле компаратора цепи обратной связи отсутствует, и рост тока ограничивается только характеристиками источника питания и нагрузки.
Стабилизаторы TL431 разработаны таким образом, что чип всегда работали в активном режиме с высокой твердостью, для этого I KA не могу пойти ниже 1 мА. С точки зрения устойчивости контура управления может оказаться целесообразным увеличить минимальный ток даже больше, до 5 мА, но на практике это противоречит требованиям эффективности стабилизатора. втекающий ток входного контроля I ref (Я Реф) во всех режимах примерно постоянна, типичное значение 2 мкА. производитель рекомендует дизайн входной цепи TL431 таким образом, чтобы гарантировать, что I ref (Я Реф) не менее 4 мкА, функционирование цепей “висящим” входного контроля не допускается. обрыв или замыкание на массу каких-либо выводов и короткого замыкания любых двух терминалов не способно уничтожить TL431, но делать всего устройства непригодными для использования.
Перечень элементов принципиальной схемы выпрямителя — КиберПедия
Приложение А
Перечень элементов принципиальной схемы выпрямителя
ВБВ 24/3 – 2
Таблица П1 – Перечень элементов принципиальной схемы выпрямителя
ВБВ 24/3 – 2
Поз. обоз-начение | Наименование | Кол. | Примечание | |
S1 | Тумблер ПТ73–2–2 АГО. 360.077ТУ | |||
А1 | Плата преобразователя 6а5.282.037-02 | |||
Конденсаторы К73–17 ОЖО.461.104ТУ | ||||
Конденсаторы К50–35 ОЖО.464.214ТУ | ||||
Конденсаторы К15–5 ОЖО.460.147ТУ | ||||
С1…С4 | К73–17–400В–0.1мкФ ±10% | |||
С5 | К15–5–Н20–1.6кВт–330пФ ±10% | |||
С6 | КМН 450VN 220М 30D | NIPPON CHE | ||
C7 | К15–5–Н20–1.6кВ–330пФ ±10% | |||
С8 | К15–5–Н20В–1.6кВ–1000пФ ±10% | |||
С9, С10 | К50–35–40В–1000мкФ УХЛ | |||
С11, С12 | К73–17–250В–0.68мкФ ±10% | |||
С13 | К50–35–6.3В–220мкФ УХЛ | |||
F1, F2 | Вставка плавкая ВП2Б–1 УХЛ 3,15А | |||
ОЮО.481.005 ТУ | ||||
F3 | Вставка плавкая ВП2Б–1 УХЛ 5,0А | |||
ОЮО.481.005 ТУ | ||||
L1, L2 | Дроссель 2д4.759.209 | |||
L3 | Дроссель 2д4. 759.175 | |||
L4 | Дроссель 2д4.759.174 | |||
Резисторы С2–33Н ОЖО.467.173ТУ | ||||
R1…R3 | С2–33Н–2–120кОм ± 5% | |||
R4, R5 | С2–33Н–2–51Ом ±5% | |||
R6, R7 | C2–33Н–2–2Ом ±5% | |||
R8 | С2–33Н–0.125–10Ом ±5% | |||
R9 | С2–33Н–2–51Ом ± 5% | |||
R10 | С2–33Н–0.25–510Ом ±5% | |||
R11 | С2–33Н–0.125–3кОм ±5% | |||
R12 | С2–33Н–0.125–3кОм ±5% | |||
R13 | С2–33Н–0.125–10кОм ±5% | |||
Т1 | Трансформатор 2д4.730.118 | |||
V1…V4 | Диод КД226Д аАО.336.543 ТУ | |||
V5 | Транзистор КП707 В1 ( IRFBE30) | |||
АДБК.432140.140 ТУ | ||||
Продолжение таблицы П1 | ||||
V6 | Диод HFA 30 PA60C | Фирма IR | ||
V7 | Диод КД510А ТТ3.362.100 ТУ | |||
V8 | Транзистор КТ961А аАО.336.358 ТУ | |||
V9 | Стабилитрон КС210Ж аАО. 336.110 ТУ | |||
V10 | Транзистор КТ3117А1 аАО.336.262 ТУ | |||
V11 | Транзистор КТ961А аАО.336.358 ТУ | |||
V12 | Диод КД521А дР3.362.035 ТУ | |||
Х1 | Вилка РШ2Н–2–13 НЩО.364.003 ТУ | |||
А2 | Плата управления 6а5.282.038–02 | |||
Конденсаторы К10–73 ЯАВЦ 73511.004ТУ | ||||
С1 | К10–73–16–Н50–0,1мкФ | |||
С2 | К10–73–16–М47–200пФ ±5% | |||
С3, С4 | К10–73–16–Н50–0,1мкФ | |||
С5 | К10–73–16–Н90–1,5мкФ | |||
С6, С7 | К10–73–16–М47–200пФ ±5% | |||
С8, С9 | К10–73–16–Н50–0,1мкФ | |||
С10, С11 | К10–73–16–Н90–1,5мкФ | |||
Микросхемы | ||||
D1 | К1401СА1 бКО.348.651-03 ТУ | |||
D2 | К561ЛН2 бКО. 348.457-12 ТУ | |||
D3 | К561ТЛ1 бКО.348.457-16 ТУ | |||
D4 | КР1407УД2 бКО.348.725 ТУ | |||
D5 | КР1441ВИ1 АДБК.431280.421 ТУ | |||
Н1 | Индикатор единичный АЛ307 ГМ | |||
аАО.336.076 ТУ | ||||
Резисторы С2–33Н ОЖО.467.173 ТУ | ||||
Резисторы СП3–19б ОЖО.468.134 ТУ | ||||
R1 | С2–33Н–0.5–3.9МОм ±5% | |||
R2 | С2–33Н–0.5–1МОм ±5% | |||
R3* | С2–33Н–0.125–510Ом ±5% | |||
R3, R5 | СП3–19б–10 кОм ±10%–УХЛ | |||
Резисторы С2–33Н ОЖО.467.173 ТУ | ||||
Резисторы СП3–19б ОЖО.468.134 ТУ | ||||
Резисторы СП3–39а ОЖО.468.354 ТУ | ||||
Продолжение таблицы П1 | ||||
R6 | С2–33Н–0.125–39кОм ±5% | |||
R7 | С2–33Н–0.125–10Ом ±5% | |||
R8 | С2–33Н–0. 125–39кОм ±5% | |||
R9 | С2–33Н–0.125–56кОм ±5% | |||
R10 | С2–33Н–0.125–6.8кОм ±5% | |||
R11 | С2–33Н–0.125–10кОм ±5% | |||
R12 | С2–33Н–0.125–20кОм ±5% | |||
R13* | С2–33Н–0.125–130кОм ±5% | |||
R14 | С2–33Н–0.125–130кОм ±5% | |||
R15 | С2–33Н–0.125–7.5кОм ±5% | |||
R16 | С2–33Н–0.125–3кОм ±5% | |||
R17 | С2–33Н–0.125–2кОм ±5% | |||
R18 | С2–33Н–0.125–200кОм ±5% | |||
R19 | С2–33Н–0.125–2кОм ±5% | |||
R20 | С2–33Н–0.125–1кОм ±5% | |||
R21 | С2–33Н–0.125–200кОм ±5% | |||
R22 | С2–33Н–0.125–2кОм ±5% | |||
R23 | С2–33Н–0.125–3кОм ±5% | |||
R24 | СП3–39а–1–10кОм ±10% | |||
R25 | С2–33Н–0.125–1кОм ±5% | |||
R26 | С2–33Н–0.125–10кОм ±5% | |||
R27 | С2–33Н–0. 125–3кОм ±5% | |||
R28 | С2–33Н–0.125–5.1кОм ±5% | |||
R29 | С2–22Н–1–750Ом ±5% | |||
R30 | С2–33Н–0.125–22кОм ±5% | |||
R31 | С2–33Н–0.125–10кОм ±5% | |||
R32 | СП3–19б–1–10кОм ±5%–УХЛ | |||
R33 | С2–33Н–0.5–2кОм ±5% | |||
V1…V6 | Диод КД510А ТТ3.362.100 ТУ | |||
V7 | Стабилитрон КС512А аАо.336.002 ТУ | |||
V8 | Диод КД510А ТТ3.362.100 ТУ | |||
V9 | Оптопара диодная АОД130А | |||
аАО.336.565 ТУ | ||||
V10 | Оптопара симисторная АОУ163А | |||
АДБК.432 220.661 ТУ | ||||
V11 | Стабилитрон Д818Д СМ3.362.045 ТУ | |||
V12 | Транзистор КТ3107А аАО.336.170 ТУ | |||
V13 | Диод КД521А дР3.362.035 ТУ | |||
V14 | Диод КД510А ТТ3.362.100 ТУ | |||
V15 | Стабилитрон КС515А аАО.336.002 ТУ | |||
Приложение Б
Микросхема К1401СА1
Счетверенный компаратор среднего быстродействия и малого тока потребления. Диапазон питающих напряжений ±3…±16,5 В.
а) б)
Рисунок П1 – Цоколевка корпусов (а) и схема включения (б)
Электрические параметры микросхемы:
UСМ = 5мВ | U0ВЫХ =0,4В |
IВХ = 0,25мкА | IПОТР = 2мА (для четырех компараторов) |
ΔIВХ = 0,05мкА | UИП = ± 1В |
КУU = 50·103 | t ЗАД = 3мкС |
Таблица П2 – Назначение выводов
Назначение вывода | Номер вывода К1401СА1 |
Выход 2 | |
Выход 1 | |
Напряжение питания (Uп) | |
Инвертирующий вход 1(–) | |
Неинвертирующий вход 1 (+) | |
Вход 2(–) | |
Вход 2 (+) | |
Вход 3 (–) | |
Вход 3(+) | |
Вход 4 (–) | |
Вход 4(+) | |
Напряжение питания (–Uп) | |
Выход 4 | |
Выход 3 |
Приложение В
Микросхема К561ТЛ1
Четыре триггера Шмитта с входной логикой 2И – НЕ.
Рисунок П2 – Цоколевка схемы
Таблица П3 – Назначение выводов
Назначение вывода | Номер вывода К561ТЛ1 |
Входы | 1,2,5,6,8,9,12,13 |
Выходы | 3,4,10,11 |
Общий | |
Напряжение питания |
Таблица П4 – Таблица истинности
Вход 1 | Вход 2 | Выход |
Напряжение переключения (при UП = 10В, t0 = 250C)
по фронту 5,2В
по срезу 4,2В.
Напряжение гистерезиса 1В.
Задержка распространения 40нС.
Приложение Г
Микросхема К561ЛН2
Шесть логических элементов НЕ с мощным выходным инвертором.
Рисунок П3 – Цоколевка схемы
Таблица П5 – Назначение выводов
Назначение вывода | Номер вывода К561ЛН2 |
Вход Х1 | |
Выход Y1 | |
Вход Х2 | |
Выход Y2 | |
Вход Х3 | |
Выход Y3 | |
Общий | |
Выход Y4 | |
Вход X4 | |
Выход Y5 | |
Вход Х5 | |
Выход Y6 | |
Вход Х6 | |
Напряжение питания |
I0ВЫХ = 8мА
I1ВЫХ = 1,25мА
Входная защита не имеет диодов, подключенных анодами к шине питания, это позволяет подавать на вход микросхемы напряжение, превы-шающее напряжение питания, т.е. до 15В.
Приложение Д
Микросхема КР1407УД2
Программируемый малошумящий ОУ. Электрические параметры нормируются током управления.
а) б)
Рисунок П4 – Функциональная схема (а) и цоколевка (б) микросхемы КР1407УД2
Таблица П6 – Назначение выводов
Назначение вывода | Номер вывода К1407УД2 |
Коррекция (баланс) | |
Вход (–) | |
Вход (+) | |
Напряжение питания (–Uп) | |
Коррекция (баланс) | |
Выход | |
Напряжение питания (Uп) | |
Ток управления |
Возможны различные варианты подключения вывода 1 для задания режима: подключение через нормирующий резистор к полюсу источника питания, или подключение опорного напряжения.
КУU = 50·103 | SUвых = 0,5В/мкС |
UСМ = 5мВ | UВЫХ = UПИТ – 2В |
IВХ = 300нА | RВЫХ = 2кОм |
f1 = 3МГц | IПОТ = 0,1мкА; UПИТ = ± 12В |
Приложение Е
Микросхема КР1441ВИ1
Универсальный таймер.
Рисунок П5 – Функциональная схема микросхемы КР1441ВИ1
Таблица П7 – Назначение выводов
Назначение вывода | Номер вывода КР1441ВИ1 |
Земля (общий) | |
Вход запуска | |
Выход | |
Вход сброса | |
Контроль делителя | |
Вход порог | |
Выход разряда | |
Напряжение питания |
Приложение Ж
Приложение З
Микросхема КР140УД17А
Прецизионный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией. Схема внешней балансировки представлена на рисунке П6.
Рисунок П6 – Схема внешней балансировки
Схема прецизионного суммирующего усилителя на КР140УД17А изображена на рисунке П7.
Рисунок П7 – Схема прецизионного суммирующего усилителя на КР140УД17А
Таблица П9 – Назначение выводов
Назначение вывода | Номер вывода КР140УД17А |
Балансировка | 1,2 |
Вход инвертирующий | |
Вход неинвертирующий | |
Напряжение питания (– UП) | |
Свободный | |
Выход | |
Напряжение питания (+UП) |
Приложение И
Микросхема UC1846/2846/3846
Семейство контроллеров UC1846/2846/3846 обеспечивает установку и регулировку фиксированной частоты преобразования и контроль состояния схемы. Контроллер нашел применение в линейных регуляторах напряжения, мощных преобразователях, благодаря хорошей регулировке сигналов, широкому спектру выходных характеристик и простоте монтажа. Преимуществом схемы является внутреннее ограничение импульса управления, автоматическая коррекция симметрии импульса и возможность корректировки длительности управляющего сигнала для разделения по току при параллельной работе конверторов или регуляторов. Схема защиты предусматривает минимальное предельное значение тока (около 0,5мА) и программирование предельного значения тока дополнительно к ограничению при “плавном пуске” источника. Существует также функция перезагрузки, с полным выключением и автоматическим включением и регулировкой подачи напряжения. Другой особенностью котроллера является полная блокировка посредством двойного подавления импульса управления и регулировка порога выключения. Погрешность задержки срабатывания при блокировке составляет ±1 %.
Преимуществом UC1846 является малое потребление в выключенном состоянии по сравнению с UC1847.
Эти устройства выполняются в корпусах SOIC-16 и DIL-16 (рисунок П8).
Рисунок П8– Цоколевка корпусов
Приложение К
Микросхема LM431
Микросхема LM431 – трехвыводной термоустойчивый параллельный регулятор напряжения. Регулятор сохраняет свою устойчивую работу в широком диапазоне температур. Выходное напряжение может быть установлено на любом уровне в диапазоне от 2,5 В до 36 В подбором резистора внешнего делителя напряжения, подключенного к выводу регулировки. Благодаря слабой зависимости напряжения от изменений температуры (рисунок П9) данная микросхема рекомендуется для замены зенеровских диодов.
Рисунок П10 – График зависимости выходного напряжения от температуры
Конструктивно драйвер размещен в трехвыводном пластмассовом корпусе TO – 92 (рисунок П10).
Рисунок П10 – Цоколевка корпуса
На рисунке П11 приведена функциональная схема параллельного регулятора LM431.
Рисунок П11 – Функциональная схема LM431
Приложение Л
Основные полупроводниковые приборы
Таблица П11 – Характеристики полупроводниковых приборов
Обозначение на схеме | Тип | Параметры |
VT3, VT4 | BC327 – 25 | Транзистор биполярный p-n-p типа UК-Б = 50В, IК = 10А, h21 Э =400, Fгр=100МГц, PРАС =0,6Вт. Корпус – TO-92 |
VT5, VT6 | 2SK2611 | Транзистор π – MOSIII типа с каналом n – типа UС-И = 900В, IC = 9А (постоянный), IC = 27А (импульсный), RC-И =1,1Ом, tНАР = tСП = 5нС, tВЫКЛ = 10мкС, dIС/dt = 100А/мкС, PС = 150Вт, UЗ-И = ±30В. Корпус SC – 65 (EIAJ) 2 – 16C1B (TOSHIBA) |
VD12,VD13 | MUR1640CT MURH840CT | Быстровосстанавливающая диодная сборка (два элемента в корпусе) UОБР МАКС = 400В, IПР. ПОСТ =8А, dI/dt = 50 А/мкС, tВОСС =60нС, UПР = 1,3В. Корпус – TO – 220 |
VT7, VT9 | 4N35 | Транзисторная оптопара UК-Э = 30В, Uизол = 2,5кВ, h21 Э = 100% при токе 10мА, Imax ВЫХ ТЕМН. К = 150мА Корпус – PDIP – 6 |
Приложение М
Схема кабеля управления
Схема кабеля управления ИБП5 (RS232C, 9 контактная вилка – розетка) приведена на рисунке П12.
Рисунок П12 – Схема кабеля управления ИБП5
Приложение Н
Силовые полупроводниковые приборы
Таблица П12 – Характеристики полупроводниковых приборов
Узел | Обозначение на схеме | Тип | Параметры |
ККМ | VT1, VT2 | IRFP – 450А | Транзистор MOSFET с каналом n– типа UС-И = 500В, IC = 14А, RC-И =0,4Ом, PСmax = 180Вт. Крутизна характе-ристики S = 9,3А/В, UЗ-И = 4В. Корпус – TO247AC |
VD6 | HFA15PB-60 | Диод Umax = 600В, IПР. СР =15А, IПР. УД =150А, dI/dt = 160 А/мкС, Pmax = 74Вт, UПР = 1,3В. Корпус – TO247AC | |
Преобразователь (инвертор и выпрямитель) | VT1…VT4 | SSh32N50A | Транзистор MOSFET с каналом n- типа UС-И = 500В, IC = 22А (t = 250С), IC = 13,4А (t =1000С), IC.ЭФФ = 88А, RC-И =0,25Ом, dU/dt = 3,5В/нС, PС = 278Вт, UЗ-И = ±30В. Корпус – TO – 3Р |
VD3, VD4 | STPS40H | Диод Шоттки сдвоенный. Umax = 100В, IПР = 2×20А, UПР = 0,61В, IПР. УД =300А (t = 10мС), IОБР = 10мкА Корпус – TО247 |
Приложение О
Микросхема UC1855/2855/3855
Семейство ИМС UC1855/2855 /3855 A/B обеспечивают все необходимые параметры управляющих сигналов для высокочастотных повышающих преобразователей (ККМ). Метод управления посредством усреднения входного тока обеспечивает стабилизацию, снижает искажения линейного переменного тока, компенсирует погрешности за счет отклонения мгновенного значения от огибающей. Кроме того, реализован режим ZVT (коммутация при нулевом напряжении) для того, чтобы значительно уменьшить время восстановления обратного сопротивления диода и потери при включении полевого транзистора (MOSFET). В результате снижается уровень помех и повышается КПД. При таком режиме возможно повышение частоты переключения преобразователя до 500 кГц, для этого требуется дополнительный полевой транзистор, диод, и индуктор, чтобы в резонансе мягко коммутировать мощный диод и ключ. Для контроля среднего значения тока применяется простой резистивный шунт или трансформатор тока. При этом синтезатор буферизует ток индуктора при открытом ключе и преобразует ток индуктора при закрытом ключе. Микросхема также имеет умножитель, квадратор и цепь делителя, которые обеспечивают программирование режима работы по току. Предел тока внутреннего умножителя ограничивает выходную мощность при низких уровнях входного напряжения. Цепь защиты от перенапряжения блокирует оба выхода контроллера в случае повышенного уровня на входе OVP.
Микросхема выполняется в пластмассовом корпусе различного типа (рисунок П13) и имеет 20 выводов.
Рисунок П13 – Цоколевка корпусов
Приложение П
Микросхема TC4427EPA
Семейство 4426/7/8 – это драйверы, созданные на основе BICMOS/DMOS технологий, с малым потреблением тока. Они способны выдерживать обратные токи до 500 мА (любой полярности) без запирания, до 5 А короткого замыкания (любой полярности) на выводах общей шины. Предназначены для управления силовыми MOSFET ключами с различными видами нагрузок (емкостные, индуктивные и т.д.), которые требуют малого выходного сопротивления, высокого пикового тока и высокого быстродействия.
Конструктивно драйвер размещен в восьмивыводном пластмассовом корпусе (рисунок П14).
Рисунок П14– Цоколевка корпуса
Приложение Р
Микросхема UC3875/6/7/8
Семейство микросхем, объединенных под названием UC3875, осуществляет управление мощным мостовым каскадом с помощью сдвига по фазе момента переключения одной половины моста относительно другой. Используется ШИМ– модуляция совместно с резонансными методами и переключением при нулевом напряжении для повышения эффективности источников электропитания на высоких частотах. Микросхемы этого семейства могут применяться в схемах управления источников электропитания с обратной связью, как по напряжению, так и по току и имеют встроенную схему токовой защиты.
Программируемая временная задержка обеспечивает паузу для работы в резонансном режиме и является независимо управляемой для каждой пары выходов (A–B, C–D).
Генератор способен работать на частотах более 2МГц, хотя практическая частота переключения около 1МГц. В дополнение к стандартному режиму свободных колебаний с помощью вывода CLS можно синхронизировать генератор внешним сигналом или при совместном соединении до 5 микросхем можно получить рабочую частоту, определяемую самым быстрым устройством.
Одна из особенностей защиты – это блокировка при понижении питания, которая поддерживает все выходы в активном состоянии НИЗКОГО уровня, пока напряжение питания не достигнет пороговой величины 10,75В. Схема блокировки при понижении питания имеет гистерезис равный 1,5В, что используется для надежного питания микросхемы в момент старта. Схема токовой защиты блокирует выходы в выключенном состоянии в течение 70нС после возникновения аварийной ситуации, а затем осуществляет повторный запуск после окончания перегрузки.
Дополнительные особенности: усилитель ошибки с полосой пропускания более 7МГц, источник опорного напряжения 5В, функция “мягкий запуск”, регулируемый генератор пилообразного напряжения и схема компенсации наклона “пилы”.
Эти устройства выполняются в корпусах DIP – 20, SOIC – 28 c дополнительными выводами GND для отвода тепла и мощном пластмассовом корпусе PLCC – 28 (рисунок П15).
Постоянный , А. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,5
импульсный (0,5 мкС) , А . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
Напряжение на аналоговых входах/выходах
(выводы 1…7, 15…19), В . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . .. . . . – 0,3…5,3
Рисунок П16– Цоколевка корпусов
Рабочая температура кристалла, °C | |
Температура соединений, °C | – 55… + 150 |
Диапазон температур хранения, °C | – 65… + 150 |
Температура вывода (пайка 10 с), °C | |
Максимальная частота генератора, МГц | |
Ширина импульсов тактовой частоты, нС | 0…100 |
Опорное напряжение, В | 4,95…5,05 |
Напряжение смещения усилителя ошибки, мВ | 5…15 |
Входной ток усилителя ошибки, мкА | 5…15 |
Напряжение нулевого фазового сдвига, В | 0,55…0,9 |
Относительная задержка выхода ШИМ – компаратора, нс | не более ± 20 |
Параметры схемы “мягкого запуска”: | |
ток заряда, мкА | – 20…– 3 |
тока разряда, мкА | – 20…– 3 |
Выходное напряжение формирователей: | |
НИЗКИЙ уровень, В | 0,2…0,4 |
ВЫСОКИЙ уровень, В | 1,5…2,6 |
Назначение выводов приведено в таблице П15.
Таблица П15 – Назначение выводов
Номер вывода | Условн. обознач. | Назначение |
GND | Сигнальная земля. Относительно этого вывода проводятся измерения всех напряжений. Часто-тозадающий конденсатор на выводе 16, шунти-рующий конденсатор на выводе 1, конденсаторы на выводах 11 и 19 должны быть непосредственно связаны с землей шиной около вывода сигнальной земли. | |
Продолжение таблицы П15 | ||
PGND | Мощная земля. Вывод 10 должен соединяться керамическим конденсатором с шиной мощной земли (связанной с выводом PGND). Электро-литический конденсатор большой емкости должен быть включен параллельно этому керамическому конденсатору. Шины мощной и сигнальной земли могут быть соединены в одной точке, чтобы оптимизировать подавление шумов и уменьшить падение напряжения постоянного тока. | |
VСС | Напряжение питания выходных ключей. Через этот вывод питаются мощные выходные формирователи и, связанные с ними, схемы смещения. Для нормальной работы необходимо соединить вывод 11 (VIN) с источником стабильного напряжения величиной большей чем 3В, а лучше около 12В. Этот вывод должен соединяться непосредственно с выводом GND через конденсатор с низкими эквивалентными последовательным сопротивлением и индуктивностью. | |
VIN | Напряжение питания остальной схемы. Через этот вывод питаются логические и аналоговые части микросхемы, которые непосредственно не связаны с работой мощных выходных формирователей. Для нормальной работы необходимо соединить вывод VIN с источником стабильного напряжения величиной около 12 В. Пока напряжение VIN не превысит верхнее пороговое напряжение “ схема блокировки при понижении питания”, все функциональные блоки микросхемы находятся в выключенном состоянии, чтобы гарантировать правильное выполнение своих функций. Этот вывод должен соединяться непосредственно с выводом GND через конденсатором с низкими эквива-лентными последовательным сопротивлением и индуктивностью. | |
FREQ | Вывод установки частоты генератора. Резистор и конденсатор, подключенные от вывода FREQ к выводу GND, будут устанавливать частоту генератора согласно следующим соотношениям: . | |
Продолжение таблицы П15 | ||
Номер вывода | Условн. обознач. | Назначение |
SYNC | Вывод тактовых импульсов/ вход синхронизации. Когда этот вывод используется как выход, он обеспечивает ввод импульсов синхронизации. При одновременном использовании нескольких микро-схем вывод тактовых импульсов, а когда как вход, он UC3875, каждая со своим собственным внутренним генератором, они могут быть связаны вместе с помощью выводов SYNC и синхронизированы самым быстрым из генераторов этих микросхем. Также вывод SYNC может использоваться для синхронизации микросхемы внешней тактовой частотой (сигнал ТТЛ/КМОП уровня), если внешний сигнал имеет более высокую стабильность. Чтобы минимизировать ширину тактового импульса, к этому выводу может понадобиться подключить нагрузочный резистор. | |
SLOPE | Установка наклона пилообразного напряжения/ компенсация наклона пилообразного напряжения. Резистор, подключенный между этим выводом и VIN, будет устанавливать ток, который используется для генерации пилообразного напряжения. Подключение этого резистора к источнику входного напряжения (VSLOPE )постоянного тока обеспечивает обратную связь по напряжению. | |
RAMP | Вход пилообразного напряжения. Этот вывод является входом ШИМ – компаратора. Необходимо подключить конденсатор от вывода RAMP к GND. Наклон пилообразного напряжения на этом выводе: . Количество вешних компонентов в режиме работы с обратной связью по току становится минимальным, когда этот вывод обеспечивает компенсацию наклона пилообразного напряжения. Так как между RAMP и ШИМ – компаратором существует напряжение смещения, равное 1,3В, выходное напряжение усилителя ошибки не может превышать эффективное значение пикового пилообразного напряжения, и фиксация длительности рабочего цикла легко достигается с соответствующими значениями RT и CT. | |
Продолжение таблицы П15 | ||
Номер вывода | Условн. обознач. | Назначение |
COMP | Вход усилителя ошибки. Усилитель ошибки пред-ставляет из себя часть схемы, полностью управ-ляемую напряжением обратной связи. Понижение уровня выходного напряжения усилителя ошибки ниже 1В вызывает нулевой фазовый сдвиг. Так как усилитель ошибки имеет относительно низкую нагрузочную способность, сигнал с его выхода может быть подавлен сигналом источника с достаточно низким импедансом. | |
E/A (–) | Инвертирующий вход усилителя ошибки. Этот вывод обычно соединяется с резистивным делителем напряжения, через который считывается уровень выходного напряжения источника питания. | |
E/A (+) | Неинвертирующий вход усилителя ошибки. Этот вывод обычно соединяется с источником опорного напряжения для сравнения с уровнем выходного напряжения источника питания, поступающим на вывод E/A (–). | |
S/S | Вывод для обеспечения функции “мягкого запуска”. Пока напряжение VIN не превысит пороговое напряжение “схемы блокировки при понижении питания”, на выводе S/S удерживается потенциал земли. Когда напряжение VIN достигает своего номинального значения (предполагается отсутствие аварийного режима), потенциал на выводе S/S подтянется до напряжения приблизительно 4,8В с помощью внутреннего источника тока равного 9мкА. При появлении сигнала ошибки от обратной связи по току (напряжение на выводе C/S+ превысило 2,5В), потенциал на выводе S/S будет опускаться до потенциала земли, а размах пилообразного нап-ряжения достигать 4,8В. Если сигнал ошибки появляется во время действия функции “мягкого запуска”, выходы будут немедленно выключены, и емкость на выводе S/S должна полностью зарядиться до переустановки триггера ошибки. При парал-лельном включении микросхем выводы S/S могут быть подключены к единственному конденсатору, но при этом зарядные токи будут складываться. | |
Продолжение таблицы П15 | ||
Номер вывода | Условн. обознач. | Назначение |
C/S+ | Неинвертирующий вход токосчитывающего компа-ратора. К инвертирующему входу подведено опорное напряжении (отдельно от VREF), равное 2,5В. Как только напряжение на выводе C/S+ превысит 2,5В, устанавливается триггер ошибки, выходы переводятся в выключенное состояние и включается функция “мягкий запуск”. Выходы будут находиться в выключенном состоянии до тех пор, пока напряжение на выводе C/S+ не опустится ниже 2,5В. Процесс переключения на выходах, при нулевом фазовом сдвиге, может начаться прежде, чем напряжение на выводе S/S начнет повышаться. В этих условиях мощность в нагрузку не будет передаваться. | |
OUT A OUT B OUT C OUT D | Выходы A, B, C, D. Выходы микросхемы пред-ставляют из себя выходы квазикомплементарных формирователей, рассчитанные на ток до двух ампер, оптимизированные для работы на затворы MOSFET–транзистров и на преобразователи уровня. Выходы работают попарно с номинальным рабочим циклом 50%. Пара A–B будет предназначена, чтобы возбуждать одну половину внешнего мощного мостового каскада синхронно с тактовыми импуль-сами. Пара C–D будет возбуждать другую половину моста, переключаясь со сдвигом по отношению к A–B выходам. | |
DLY A/B DLY C/D | Установка задержки включения выходов. Пользователь может программировать ток, текущий через эти выводы на землю (GND), устанавливая задержку включения для соответствующей пары выходов. Эта задержка вводится между выключением одного ключа и включением другого в том же самом плече моста, чтобы обеспечить “запрещенное время”, в течение которого происходит резонансный процесс переключения внешних мощных ключей. Пре-дусмотрена отдельная задержка для каждой половины моста, чтобы учесть различия зарядных токов в резонансном конденсаторе. | |
VREF | Конденсаторы емкостью 0,1мкФ с низкими экви-валентными последовательным сопротивлением и индуктивностью. |
Приложение С
Приложение Т
Приложение У
Системные параметры модуля–выпрямителя СБЭП
Таблица П17 – Значения системных параметров, установленные
на предприятии–изготовителе
Наименование параметра | Значение параметра |
Текущее опорное напряжение | |
U1 – напряжение буферного заряда батарей «Reference U1 normal» | Reference U1 normal |
Параметры опорных напряжений, поддерживаемые на выходах выпрямителей | |
U1 – напряжение буферного заряда батарей, В «U1 Norm voltage» | 54,5 |
U2 – напряжение ускоренного заряда батарей, В «U2 Boost voltage» | 54,5 |
U3 – напряжение при диагностике батарей, В «U3 Test voltage» | 45,8 |
U4 – напряжение, определяемое потребителем, В «U4 Spare voltage» | 54,5 |
Параметры диагностики батареи | |
Предельная величина асимметрии, В «Symmetry limit» | 2,0 |
Напряжение завершения теста, В «End voltage b.test» | 46,3 |
Продолжительность теста, мин «batt. test time:min» | |
Максимальное количество Ампер–часов, которое допустимо снять«Ah limit for test» | |
Время автоматического запуска теста «Time of test» | |
Номер теста «No of test/ year» | |
Тип батареи «Battery type» | 4 blocks (4 блока) |
Количество батарей «No of batteries» | |
Параметры ускоренного заряда | |
Длительность ускоренного заряда, час «Boost time» | 0,0 |
Интервал ускоренного заряда, недель «Boost interval» | 3,0 |
Коэффициент времени ускоренного заряда «Boost factor» | 2,0 |
Установка уровня tl, В «Boost tl» | 51,0 |
Установка уровня t2, В «Boost t2» | 52,0 |
Разрешение автоматического включения ускоренного заряда «Autoboost enable» | Off (запрещено) |
Прочие параметры | |
Разрешение температурной компенсации «Enable tempxomp.» | On (разрешено) |
Коэффициент температурной компенсации, В /10 °С «Сотр. factor» | 0,7 |
Ток шунта, А «Shunt current» | |
Напряжение шунта, мВ «Shunt voltage» | |
Ограничение тока заряда батарей «Battcurrent limit» | On (разрешено) |
Предельный ток заряда батарей, А «Battcurrent limit» | 66,0 |
Сетевой адрес «N | |
© cyberpedia.su 2017-2020 – Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста. |
Контроль напряжения на TL431 – Конструкции простой сложности – Схемы для начинающих
Контроль напряжения на TL431Автор: МАСТЕР, http://radio-hobby.org
TL 431 – регулируемый кремниевый стабилитрон с гарантируемой термостабильностью во всем температурном диапазоне. Его выходное напряжение может устанавливаться в любое значение между 2.5V и 36V с использованием двух внешних резисторов (действующие как делитель напряжения). Он обеспечивает остроконечную характеристику включения
Параметры:
Диапазон выходного напряжения от +2.5 В до +36 В
Температурный коэффициент 50 ppm/°C тип
Макс. потеря мощности 770 мВт
TL431 – превосходная альтернатива кремниевым стабилитронам во многих приложениях. В этой статье мы рассмотрим, как TL431 будет использоваться в простом контроле состояния батареи.
Заметьте, что TL431 также часто маркируется как LM431 и может также быть отмечен как программируемый кремниевый стабилитрон.
Использование TL431
TL431 наиболее распространен в корпусе TO-92, с тремя выводами. А так же испольтзуется восьмивыводная в корпусе SO8. Ниже показана маркировка выводов.
Схема контроля напряжения на TL431
Выше показана схема контроля напряжения на TL431. Цель контроля состоит в том, чтобы просто зажечь светодиод при достижении напряжения критического значения. Может быть использовано с зарядным устройством от солнечных батарей для индикации заряда батарей.
Простое уравнение, отображенное выше, поможет подобрать резисторы для желаемого напряжения, при котором зажжется светодиод. Так как опорное напряжение (Vref) установлено в 2.5В в TL431, эти два резистора подобраны, чтобы обеспечить желаемый результат.
Например, если вам необходимо зажечь светодиод при напряжении 7В, R1 можем взять 1,8 кОм и R2 – 1 кОм. Умножение 2.5 на(1 + (1800/1000)) дает 7.0 В. Точно как и требуется.
В идеале резисторы R1 и R2 должны быть более чем 1 кОм, чтобы гарантировать безопасный ток 10mA.
Резистор R4, подключенный параллельно со светодиодом, препятствует слабое свечение светодиода, когда входное напряжение все еще ниже порога включения. Мы использовали резистор 1 кОм в наших экспериментах.
Резистор R3 должен защитить светодиод от чрезмерного тока – мы использовали резистор 500 Ом, но его значение зависит от спецификации используемого светодиода и требуемой яркости.
Испытание.
Ниже приведена фотография контроля напряжения, собранного на макетной плате с помощью LM431. Зажигание светодиода настроено при достижении напряжения 6.25V.
Резистор 1,5 кОм и 1 кОм были использованы в качестве R1 и R2 соответственно, для достижения желаемого предела в 6,25 В.
Точность контроля напряжения зависит от точности используемых резисторов. Точная настройка может быть достигнута с помощью переменного резистора либо R1 или R2
Автор: МАСТЕР, http://radio-hobby.org
Интегральные источники опорного напряжения Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»
Интегральные источники
опорного напряжения
Михаил ПУШКАРЕВ
Первыми полупроводниковыми источниками опорного напряжения (ИОН) были стабилитроны, для которых характерны большой разброс напряжения стабилизации от образца к образцу, значительный температурный дрейф, довольно большое динамическое сопротивление, особенно при малых токах стабилизации. Даже прецизионные стабилитроны, предназначенные для применения в измерительной технике, не лишены многих из этих недостатков и обеспечивают заявленные характеристики только при поддержании стабильного тока через стабилитрон, в большинстве случаев довольно значительного — до 10 мА.
С появлением интегральных ИОН ситуация коренным образом изменилась. Особо следует отметить, что отличные характеристики обеспечиваются при низких значениях выходного напряжения, что дает интегральным ИОН абсолютное преимущество в современной аппаратуре, имеющей, как правило, низкие напряжения питания. По схемотехническому построению распространенные ИОН делятся на три группы: на стабилитронах, на ширине запрещенной зоны и на XFET-ячейке. Подробнее о вариантах исполнения ИОН можно узнать из специальной литературы [1, 2].
По способу включения в схему ИОН делятся на две группы: параллельные и последовательные.
Параллельные ИОН
Схема включения двухвыводного параллельного ИОН аналогична схеме включения стабилитрона. Наряду с двухвыводными имеется ряд микросхем так называемых «регулируемых стабилитронов», в том числе и популярнейшая разработка Texas Instruments — TL431. Наличие вывода регулировки позволяет с помощью двух резисторов получить ИОН с произвольным напряжением стабилизации в диапазоне напряжений от опорного до максимально допустимого рабочего напряжения микросхемы. В некоторых трехвыводных параллельных ИОН, таких как ADR512, LT1009, третий вывод предназначен для подстройки выходного напряжения в пределах от долей процента до единиц процентов.
Опорное напряжение в микросхеме TL431 и ее многочисленных версиях измеряется между выводом Ref и анодом, а в микросхемах AMS3100, LM185(285, 385), LM4041, LM4051 — между выводом Ref и катодом.
Рис. 1
Структурные схемы этих двух вариантов «регулируемых стабилитронов» показаны на рис. 1, 2 соответственно. Такое разнообразие дает разработчику дополнительные возможности при использовании трехвыводных ИОН в качестве элемента обратной связи.
Микросхема TL431 чаще всего используется в качестве элемента обратной связи, управляющего светодиодом оптрона в импульсных источниках питания, но ее использование затруднительно уже в источнике питания с выходным напряжением 5 В и менее. Это затруднение можно преодолеть с помощью микросхем LT1431 (Linear Technology), MIC4043 (Micrel), TS4431, TS4436 (STMicroelectronics), имеющих выход с открытым коллектором, и микросхемы NCP100 (ONSemiconductor) с минимальным напряжением стабилизации всего 0,9 В.
Параллельные ИОН перечислены в таблице 1, а их характеристики приведены в таблице 3.
Последовательные ИОН
В таблице 2 перечислены микросхемы последовательных ИОН, а в таблице 4 приведены их характеристики.
Последовательные ИОН включаются аналогично последовательным стабилизаторам напряжения. Существенным отличием для большинства микросхем последовательных ИОН является работоспособность не только при вытекающем, но и при втекающем токе нагрузки, что очень важно при совместной работе с ЦАП на переключаемых конденсаторах и в некоторых других приложениях.
Последовательные ИОН существенно экономичнее параллельных при большой разнице между напряжением питания и выходным напряжением, что дает преимущества при их использовании в аппаратуре с батарейным питанием. Дополнительные возможности по снижению энергопотребления дает наличие в ИОН (ADR318, ЦГ1461) вывода отключения.
Таблица 1. Параллельные ИОН
Выходное напряжение, В Обозначение Производитель
G,6 TS4436 STMicroelectronics
G,9-6 NCP1GG ON Semiconductor
1 ADR51G Analog Devices
1,2 ADR512 Analog Devices
AMS5G1G Advanted Monolitic Systems
1,22 LM113, LM313 National Semiconductor
MAX8G69 Maxim
1,22G5 MAX6138_12 Maxim
1,224 TS4431 STMicroelectronics
AD158G Analog Devices
AMS4G41 Advanted Monolitic Systems
LT1G34-1.2 Linear Technology
1,225 LM4G41-1.2 Maxim, Micrel, National Semiconductor
LM4G41_12 Texas Instruments
LM4G51-1.2 Maxim, National Semiconductor
TS821, TS824-1.2, TS4G41 STMicroelectronics
LM4G41 Texas Instruments
1,225-1G LM4G41-ADJ Micrel, National Semiconductor
LM4G51-ADJ National Semiconductor
1,23 ИС121 Сапфир
AD589 Analog Devices
AMS124, AMS285-1.2, AMS385-1.2, AMS1GG4-1.2, AMS31GG-1.2, AMS9491 Advanted Monolitic Systems
LM185-1.2 National Semiconductor
1,235 LM285-1.2, LM385-1.2 National Semiconductor, ON Semiconductor, Texas Instruments
LT1GG4-1.2 Linear Technology
REF1GG4-1.2 Texas Instruments
SPX385-1.2, SPX1GG4-1.2 Sipex
1,24 AMS285, AMS385 Advanted Monolitic Systems
SPX4G41 Sipex
1,24-5,3 LM185, LM285, LM385 National Semiconductor
1,24-6 TLV431 Texas Instruments
TS431 STMicroelectronics
1,24-1G TS432 STMicroelectronics
ZR431L, ZTLV431 Zetex
1,24-15 ZNT2431 Zetex
1,24-16 TLV431 ON Semiconductor
1,24-18 TLVh531, TLVh532 Texas Instruments
SC431 Semtech
1,24-2G SPX432 Sipex
К1156ЕР1 СИТ
1,24-24 TS3431 STMicroelectronics
1,24-3G LMV431 National Semiconductor
1,245 MIC4G43 Micrel
AMSG4 Advanted Monolitic Systems
LT1389-1. Кристалл
1,25-5,3 AMS31GG Advanted Monolitic Systems
1,2875 ADR15GG Analog Devices
ADR52G, ADR5G4G Analog Devices
2,G48 LM4G4G-2.1, LM4G5G-2.1, MAX6GG7, MAX6138_21 Maxim
LM4G4G_2G Texas Instruments
LM4G5G-2.G National Semiconductor
LM136-2.5 National Semiconductor
2,49 LM236-2.5 National Semiconductor, Texas Instruments
LM236, LM336 STMicroelectronics
LM336-2.5 Texas Instruments
Выходное напряжение, В Обозначение Производитель
LM431 National Semiconductor
2,495-36 TL431 Calogic, Philips, STMicroelectronics, Texas Instruments
TL1431 STMicroelectronics
К1156ЕР5 СИТ
ADR525, ADR5G41 Analog Devices
AMSG5, AMS236, AMS336, AMS255, AMS1GG4-2.5, AMS1GG9, AMS31GG-2.5, AMS31GGA-2.5 Advanted Monolitic Systems
AS285-2.5, AS385-2.5 Альфа
LM185-2.5 National Semiconductor
LM285-2.5, LM385-2.5 National Semiconductor, ON Semiconductor, Texas Instruments
LT1GG4-2.5 Linear Technology, Texas Instruments
LT1GG9, LT1G34, LT1389-2. Кристалл
2,5-18 SPX431LJ Sipex
2,5-2G SPX431L, SPX2431 Sipex
ZNT431, ZR431, ZTL431 Zetex
2,5-24 TS2431 STMicroelectronics
CL1431 Calogic
LT1431 Linear Technology
2,5-36 SPX431, SPX1431 Sipex
TL431 ON Semiconductor
TL1431 Texas Instruments
MIK431 Микрон
2,75-3G TL43G Texas Instruments
ADR53G, ADR5G43 Analog Devices
3 LM4G4G_3G Texas Instruments
LM4G4G-3.G, LM4G5G-3.G, MAX6GG9, MAX6138_3G Maxim
3,3 LM4G4G-3.3, LM4G5G-3.3 Maxim
ADR54G, ADR5G44 Analog Devices
LT1389-4.G96, LT1634-4.G96 Linear Technology
4,G96 LM4G4G_41 Texas Instruments
LM4G4G-4.1 Maxim, Micrel
LM4G5G-4.1 Maxim, National Semiconductor
MAX6138_41 Maxim
ADR55G, ADR5G45 Analog Devices
LM136-5, LM236-5, LM336-5 National Semiconductor
LT1G29, LT1389-5, LT1634-5 Linear Technology
5 LM4G4G_5G Texas Instruments
LM4G4G-5.5G1 Сапфир
6,9 LM329 National Semiconductor
6,95 LM199, LM299 National Semiconductor
LM399 Linear Technology, National Semiconductor
7 LTZ1GGGCH Linear Technology
8,192 LM4G4G_82 Texas Instruments
LM4G5G-8.2 National Semiconductor
1G LM4G4G_1G Texas Instruments
LM4G5G-1G National Semiconductor
Как и стабилизаторы напряжения, большинство последовательных ИОН с малым падением напряжения на регулирующем элементе, так называемые LDO, чувствительны к выбору выходного конденсатора.
Некоторые ИОН подключением соответствующих резисторов к выводу регулировки позволяют изменять выходное напряжение от опорного напряжения (LM4121-ADJ, МАХ6160) почти до напряжения питания. Выходное напряжение ИОН Х60250, DS4303, DS4305 сигналами на выводах программирования ус-
танавливается от нуля и почти до напряжения источника питания. Часть прецизионных ИОН (ІТ1236, МАХ6143, ИЕР02) имеет вывод подстройки для подключения потенциометра, который обеспечивает изменение выходного напряжения в небольших пределах.
Последовательные ИОН АБИ121, ЬТ1019, ИЕР02 и некоторые другие имеют встроенный датчик температуры, сигнал с которого может использоваться для коррекции температурного дрейфа выходного напряжения.
Выходное напряжение (напряжение стабилизации) Подавляющее большинство ИОН имеет выходное напряжение из ряда 1,2-1,25; 2,048; 2,5; 3; 3,3; 4,096; 5 В. Нижняя граница этого ряда близка к ширине запрещенной зоны кремния, другие значения получены соответствующим усилением.
Исключения представлены ADR510 с напряжением стабилизации 1 В, ADR130 с переключаемым выходным напряжением 0,5 или 1 В, ADR318 с выходным напряжением 1,8 В.
Таблица 2. Последовательные ИОН
Выходное напряжение, В Обозначение Производитель
G-1,25 X6G25G Intersil
G,3…(VCC-G,3) DS43G3, DS43G5 Maxim
G,5 ADR13G Analog Devices
1 ADR13G Analog Devices
ISL6GGG2 Intersil
1,G24 LM414G-1.G National Semiconductor
VRE411G Thaler
1,184-5 MAX6G37 ADJ Maxim
ADR28G Analog Devices
1,2 ISL6GGG2 Intersil
MAX612G, MAX652G Maxim
1,216-11,5 LM4121-ADJ National Semiconductor
1,23-12,4 MAX616G Maxim
1,247 MAX6G12 Maxim
1,248 MAX6G61 Maxim
ADR121 Analog Devices
ISL6GGG2 Intersil
LM4121-1.2, LM414G-1.2 National Semiconductor
1,25 LT179G-1.25 Linear Technology
MAX6GG1, MAX6G23 12, MAX6G37 12, MAX61G1, MAX6161, MAX619G Maxim
REF2912, REF3G12, REF3112, Texas Instruments
VRE4112 Thaler
1,263 MAX6G18-12 Maxim
1,6 MAX6G18-16 Maxim
ADR318 Analog Devices
1,8 ISL6GGG2 Intersil
LM412G-1.8, LM4128-1.8, LM4132-1.8 National Semiconductor
MAX6G18-18, MAX6G68, MAX61GG, MAX6168 Maxim
ADR29G, ADR36G, ADR37G, ADR38G, ADR39G, ADR42G, ADR43G, ADR44G Analog Devices
ISL6GGG2 Intersil
LM412G-2.G, LM4125-2.G, LM4128-2.G, LM4132-2.G, LM414G-2.G National Semiconductor
2,G48 LT179G-2.G48 Linear Technology
MAX6G18-21, MAX6G21, MAX6G23 21, MAX6G29 21, MAX6G34 21, MAX6G37 21, MAX6G62, MAX61G6, MAX6126 21, MAX6129 21, MAX6162, MAX6191 Maxim
REF191 Analog Devices
REF292G, REF3G2G, REF312G, REF322G Texas Instruments
VRE412G Thaler
2,385-12 LTC1258, LTC1798 Linear Technology
AD68G, AD78G, AD1582, ADRG1, ADR125, ADR291, ADR361, ADR381, ADR391, ADR421, ADR431, ADR441, REFG3, REF43, REF192 Analog Devices
ISL6GGG2 Intersil
LM412G-2.5, LM4125-2.5, LM4128-2.5, LM4132-2.5, LM414G-2.5 National Semiconductor
2,5 LI1G19, LI146G-2.5, LI1461-2.5, LI179G-2.5, LI666G-2.5, LTC1258-2.5, LTC1798-2.5 Linear Technology
MAX873, MAX6GG2, MAX6G23_25, MAX6G25, MAX6G29_25, MAX6G33_25, MAX6G34_25, MAX6G35_25, MAX6G37_25, MAX6G43 25, MAX6G66, MAX61G2, MAX6125, MAX6126 25, MAX6129 25, MAX6133 25, MAX6143 25, MAX6166, MAX6173, MAX6192, MAX622G_25, MAX6225, MAX6325 Maxim
MC14G3 ON Semiconductor
MCP1525 Microchip
Выходное напряжение, В Обозначение Производитель
REF2925, REF3G25, REF3125, REF3225 Texas Instruments
2,5 SG15G3, SG25G3, SG35G3 Microsemi
VRE4125 Thaler
AD78G, AD1583, ADRG2, ADR363, ADR423, ADR433, ADR443, REF193 Analog Devices
LM412G-3.G, LM4128-3.G, LM4132-3.G National Semiconductor
3 LT146G-3, LT1461-3, LT179G-3, LT666G-3, LTC1258-3, LTC1798-3 Linear Technology
MAX6GG3, MAX6G23_3G, MAX6G29_3G, MAX6G3G, MAX6G33 3G, MAX6G34 3G, MAX6G35 3G, MAX6G37 3G, MAX6G63, MAX61G3, MAX6126 3G, MAX6129 3G, MAX6133_3G, MAX6163, MAX6193 Maxim
REF293G, REF3G3G, REF313G, REF323G Texas Instruments
ADR364, REF194 Analog Devices
ISL6GGG2 Intersil
LM412G-3.3, LM4128-3.3, LM4132-3.3 National Semiconductor
3,3 LT146G-3.3, LT1461-3.3, LT179G-3.3, LT666G-3.3 Linear Technology
MAX6G29 33, MAX6G34 33, MAX6G37 33, MAX6G43 33, MAX6129_33, MAX6133_33, MAX6143_33, MAX6177 Maxim
REF2933, REF3G33, REF3133, REF3233 Texas Instruments
AD1584, ADR292, ADR365, ADR392, ADR434, ADR444, REF195 Analog Devices
LM412G-4.1, LM4125-4.1, LM4128-4.1, LM4132-4.1, LM414G-4.1 National Semiconductor
LT1461-4.1, LT179G-4.G96, LTC1258-4.1, LTC1798-4.1 Linear Technology
4,G96 MAX6GG4, MAX6G23_41, MAX6G29_41, MAX6G33_41, MAX6G34 41, MAX6G37 41, MAX6G41, MAX6G43 41, MAX6G64, MAX61G4, MAX6126 41, MAX6129 41, MAX6133 41, MAX6141, MAX6143 41, MAX6164, MAX6174, MAX6198, MAX622G_41, MAX6241, MAX6341 Maxim
MCP1541 Microchip
REF294G, REF3G4G, REF314G, REF324G Texas Instruments
VRE4141 Thaler
X6GGG3-41 Intersil
ADR435, REF196 Analog Devices
4,5 LT1G19 Linear Technology
MAX6G45, MAX6G67, MAX61G7, MAX6145, MAX6167, MAX6194 Maxim
AD588, AD1585, ADRG3, ADR127, ADR293, ADR366, ADR395, ADR425, ADR439, ADR445, REF198 Analog Devices
LM412G-5.G National Semiconductor
LT1G19, LT1G21-5, LT1G27, LT1236-5, LT146G-5, LT1461-5, LT179G-5, LT666G-5, LTC1258-5, LTC1798-5 Linear Technology
5 MAX675, MAX875, MAX6GG5, MAX6G23_5G, MAX6G29_5G, MAX6G33_5G, MAX6G35_5G, MAX6G43_5G, MAX6G5G, MAX6G65, MAX61G5, MAX6126 5G, MAX6129 5G, MAX6133_5G, MAX6143_5G, MAX615G, MAX6165, MAX6175, MAX622G_5G, MAX625G, MAX635G Maxim
REFG2 Analog Devices, Maxim, Texas Instruments
X6GGG3-5G Intersil
7 LT1G21-7 Linear Technology
AD581, AD587, AD588, AD688, ADRG6 Analog Devices
1G LT1G19, LT1G21-1G, LT1G31, LT1236-1G, LT146G-1G, LT666G-1G Linear Technology
MAX674, MAX6G43_1G, MAX6143_1G, MAX6176, REFG1 Maxim
REF1G2 Texas Instruments
-5 AD588 Analog Devices
-1G AD588, AD688 Analog Devices
Отклонение выходного напряжения от номинального значения Это одна из важнейших характеристик ИОН, которая определяет необходимость калибровки и пределы регулировки в собранном устройстве. Если первые микросхемы имели отклонение выходного напряжения от номинального значения до ±4% (ТЫ31), то в последних разработках лазерной подгонкой значение этого параметра доведено до ±0,02% (МАХ6126). Как уже было показано ранее, некоторые из ИОН имеют вывод подстройки, к которому подключается потенциометр, позволяющий подстроить выходное напряжение к необходимому пользователю значению без ухудшения других характеристик.
Температурный коэффициент выходного напряжения (температурный дрейф)
Не менее важной характеристикой ИОН, а для применения в высокоточной измерительной аппаратуре — зачастую и опреде-
ляющей, является зависимость выходного напряжения с изменением температуры окружающей среды. Обычным является измерение температурного коэффициента напряжения (ТКН) в млн-1/°С. Такой способ описания температурного дрейфа вполне корректен для стабилитронов, у которых напряжение стабилизации изменяется практически линейно с изменением температуры. Для интегральных ИОН характерна существенно нелинейная зависимость выходного напряжения от температуры. Существует несколько методик измерения ТКН [3]. Для многих параллельных ИОН температурный дрейф нормируется в абсолютных единицах. Часто температурный дрейф ИОН нормируется в нескольких диапазонах температур, что позволяет вполне объективно оценить качество ИОН применительно к конкретным условиям эксплуатации и точностным характеристикам аппаратуры. К примеру, для МАХ6035А максимальное значение ТКН составляет 20, 25 и 30 млн-1/°С
для температурных диапазонов 0…+70 °С, -40.. .+85 °С и -40.. . + 125 °С соответственно.
В ЬМ4132 температурный дрейф корректируется с использованием таблицы коэффициентов, записанных во встроенную ЕЕРИОМ, чем достигнуто значение ТКН менее 20 млн-1/°С в температурном диапазоне от -40 до +125 °С.
Температурный гистерезис
После нагрева или охлаждения ИОН и возвращения его к первоначальной температуре выходное напряжение возвращается к исходному значению с некоторой погрешностью, называемой температурным гистерезисом. Для прецизионных ИОН последних разработок эта характеристика обязательно приводится в справочных данных. Устранить влияние температурного гистерезиса в высокоточной аппаратуре можно термостатированием ИОН при температуре, заведомо большей максимально возможной температуры эксплуатации устройства, вплоть до термостатирования при транспортировке.
Таблица 3. Характеристики параллельных ИОН (полная версия таблицы на сайте http://www.finestreet.ru/magazine/compitech/specification.xls)
Напряжение стабилизации, В Отклонение напряжения от номинального значения, % ТКН, ppm/°C Температурный дрейф, мВ к, то Особенности Напряжение стабилизации, В Отклонение напряжения от номинального значения, % ТКН, ppm/°C Температурный дрейф, мВ к, то ос н X е б о Ос
Прибор типовой макси- мальный ой о макси- мальный ? S о б а CL Прибор типовой макси- мальный типовой макси- мальный ? S о б а CL
Analog Devices, Inc. ON Semiconductor
AD589 1,235 1,2 10-100 0,05-5 LM285 385-1.2 1,235 1-2 80 0,01-20
ADR1500 1,2875 0,2 170 220 0,05-10 1 LM285 385-2.5 2,5 1-2 80 0,015-20
AD1580 1,225 0,08-0,8 50-100 0,05-10 NCP100 0,9-6 1,7 1 12 0,01-20 3
ADR510 0,35 85 0,1-10 1, 2 NCV1009 2,5 0,32 15 1,8 0,4-10 1, 2
ADR512 1,2 0,3 60 0,1-10 1, 2 TL431 2,5-36 0,4-2,2 3-7 17-30 1-100 3
ADR520_25_30_40_50 2,048-5 0,2-0,4 15-25 40-70 0,05-15 1, 2 TLV431 1,24-16 0,5-1 7.2 20 0,1-20 ~Г~
ADR5040_1_3_4_5 2,048-5 0,1-0,2 10 75-100 0,05-15 Philips Semiconductors
Advanted Monolithic Systems, Inc. TL431 | 2,495-36 | 1-2 | | | 4-5 | 15-30 | 1-100 | 3
AMS04_05 1,25; 2,5 50-100 0,01-20 Semtech Corp.
AMS124 1,235 50-100 0,05-5 SC431 | 1,24-20 | 0,25-2 | | | 10 | 25-35 10,08-1001 3
AMS236 2,5 1-2 3,5 9 0,4-10 1, 2 Sipex Corporation
AMS336 2-4 1,8 SPX385-1.2 1,235 1-2 30 50 0,01-20
AMS255 2,5 1-2 б0-100 0,1-5 SPX385-2.5 2,5 1-2 60 100 0,02-20
AMS285_385 1,24 1-2 25-100 0,009-20 SPX431 2,5-36 0,5-2 28 80 1-150 1, 3
AMS285-1.2 1,235 0,3-2 25-100 0,01-20 SPX431L 2,5-20 0,5-2 28 80 1-150 1, 3
AMS385-1.2 SPX431LJ 2,5-18 0,5-2 3 10 0,1-100 1, 3
AMS285-2.5 2,5 0,8-3 25-100 0,018-20 SPX432 1,24-20 0,5-1 2 б 1-80 1, 3
AMS385-2.5 SPX1004-1.2 1,235 0,4 20 0,1-20 1
AMS1004 1,235; 2,5 0,3-1,б 25-50 0,01-20 SPX1004-2.5 2,5 0,8 60 0,1-20 1
AMS1009 2,5 0,2-0,4 15 25 0,4-10 1, 2 SPX1431 2,5-36 0,4 28 80 1-10 1, 3
AMS3100 1,25-5,3 1-2 25-100 0,009-20 SPX2431 2,5-20 0,5-1 28 80 1-100 1, 3
AMS3100-1.2 1,235 0,5-2 25-75 50-100 0,01-20 SPX4040-2.5 2,5 0,5-1 100 12-25 25-49 0,16-15 1
AMS3100-2.5 2,5 25-100 150 0,02-20 SPX4041 1,24 1-2 100 12-25 25-49 0,1-15 1
AMS3100A-2.5 2,5 0,5-2 25-100 150 0,02-20 3 STMicroelectronics |
AMS4041 1,225 0,25-1 8 17-25 0,08-100 LM236_336 2,49 2-4 3 10-12 0,4-10 2
AMS5010 1,22 2,5 3-30 25-100 0,05-5 TL431 2,495-36 1-2 3-7 15-30 1-100 ”3“
AMS9491 1,235 1,6 50-100 0,01-20 TL1431 2,495-36 0,3-0,4 13-22 90-100 1-100 ”3“
Calogic Corporation TS431 1,24-6 0,5-2 21 0,06-30
CL1431 2,5-36 0,4 20 1-250 1, 3 TS432 1,24-10 0,5-1 7 16 0,06-12
TL431 2,495-36 21 1-250 TS821 1,225 0,5-2 120 0,045-12
Linear Technology Corp. TS822 2,5 1-2 30 100 0,04
LT1004 1,235; 2,5 0,3-0,8 20 0,01-20 TS824 1,225; 2,5 0,5-1 50 0,045-12
LT1009 2,5 0,2-0,4 15 25-35 0,4-10 1, 2 TS2431 2,5-24 0,5-2 50 100 1-100 3
LT1029 0,2-1 8-12 20-34 0,7-10 TS3431 1,24-24 0,25-2 100 21 0,5-100 ”3“
LT1034 1,225; 2,5 1,2—1,б 10-20 20-40 0,02-20 1, 4 TS4040 2,5 1-2 30 150 0,06-15
LT1389 1,25-5 0,05-0,075 4-12 10-50 0,0006-2 TS4041 1,225 0,5-2 150 0,065-12
LT1431 2,5-36 0,4 30-50 1-100 3, б TS4431 1,224 0,5-1 100 3, б
LT1634 1,25- 5 0,05-0,2 4-10 10-25 0,007-20 TS4436 0,6 0,5-1 150 3, б
LM399 6,95 0,3 0,5-10 1, 5 Texas Instruments Inc. |
LTZ1000CH 1-5 1, 5 LM236_336-2.5 2,49 2-4 1,8-3,5 б-9 0,4-10 2
Maxim Integrated Products LM285_385-1.2 1,235 1-2 20 0,01-20
LM4040 2,048-5 0,1-1 15 100-150 0,08-10 LM285_385-2.5 2,5 1-2 20 0,02-20
LM4041 1,225 0,1-1 15 100-150 0,06-12 LM4040 2,048-10 0,1-1 15 100-150 0,08-10 1
LM4050 2,048-5 0,1-0,5 15 50 0,06-10 LM4041-1.2 1,225 0,1-1 15 100-150 0,045-12 ~Т
LM4051 1,225 0,1-0,5 15 50 0,06-10 LM4041 1,225-10 0,2-1 1, 3
MAX6006 7 8 9 1,25-3 0,2-0,5 30-75 0,001-2 LT1004 1,235; 2,5 0,8—1,2 20 0,01-20
MAX6138 1,2205-5 0,1-0,5 25 0,06-15 LT1009 2,5 0,4 15-20 25-35 0,4-10
MAX8069 1,22 2,5 25-50 0,06-5 REF1004 1,235; 2,5 0,32-0,44 20 0,02-20
Мюге1, !пе. REF1112 1,25 0,2 15 0,0012-5 1
LM4040 2,5; 4,096; 5 0,5-1 100-150 0,06-15 1 TL430 2,75-30 0,9 120 2-100 ”3“
LM4041-1.2 1,225 0,5-1 100-150 0,06-15 TL431 2,495-36 4-5 25-50 1-100 ”3“
LM4041-ADJ 1,225-10 0,065-15 1, 3 TL1431 2,5-36 0,4—1,б 4-17 20-55 1-100 тг
MIC4043 1,245 0,065-15 3, б TLV431 1,24-6 0,5—1,5 4-11 12-31 0,1-15 ”3“
National Semiconductor Corp. TLVh531 1,24-18 0,5—1,5 4-11 12-31 0,1-80 3
LM113 313 1,22 0,5-2 100 0,5-20 TLVh532 1,24-18 0,5-1,5 4-11 12-31 0,1-80 3
LM199 299 399 6,95 0,2-5 0,5-10 0,5-10 1, 5 Zetex |
LM136_236-2.5 2,49 2-4 1,8-7,5 б-18 0,4-10 ZNT431 2,5-20 1-2 10 30 0,05-100 3
LM136_236_336-5 5 2-4 4-20 12-36 0,6-10 ZNT2431 1,24-15 2,5 5 15 0,1-50 3
LM185_285_385-1.2 1,235 1-2 30-150 0,02-20 ZR431 2,5-20 0,5-2 8 17 0,05-150 3
LM185_285_385-2.5 2,5 1-3 30-150 0,02-20 ZR431L 1,24-10 1-2,5 4 8 0,1-50 3
LM185_285_385 1,24-5,3 1-2 30-150 0,05-20 3 ZTL431 2,5-20 0,5-1 14 34 1-10 3
LM329 6,9 5 50 100 0,6-15 1 ZTLV431 1,24-10 0,5-1 11 31 0,1-10 3
LM431 2,495-36 0,5-2 8 17 1-10 3 Альфа
LM4041-1.2 1,225 0,1-2 15 100-150 0,06-12 1 АБ285_385-2.5 | 2,5 | 1,5-3 | 20 | 50-150 | | | 0,02-20 |
LM4041-ADJ 1,225-10 0,5-2 1, 3 Микрон
LM4050 2,048-10 0,1-0,5 15-20 50 0,06-15 1 М1К431 | 2,5-36 | 0,5-2 | | | 4 | 17 | 1-100 | 1, 3
LM4051-1.2 1,225 0,1-0,5 15 50 0,06-10 ~Г~ «НПП Сапфир», ОАО
LM4051-ADJ 1,225-10 — ИС121А_Б_В 1,23 5 25-100 0,1-5 1
LM4431 2,5 2,5 30 0,1-15 ИС251А_Б_В 2,5 5 25-100 0,1-5 ~Т
LMV431 1,24-30 0,5-1,5 4-б 12-20 0,08-10 ~1~ ИС501А_Б_В 5 5 25-100 0,1-5 ~Т
| «НВО Кристалл», ООО | «НТЦ СИТ», ЗАО |
УР1101ЕН01A_B_C_D 1,25 4 10-100 0,05-5 К1156ЕР1 1,24-20 1 20 0,3-200 1, 3
УР1101ЕН02A_B_C_D 2,5 0,32 10-100 □L К1156ЕР5 2,495-36 1 5 10 1-100 1, 3
В столбце «Особенности»: 1 — прецизионный, 2 — подстраиваемый, 3 — регулируемый, 4 — сдвоенный, 5 — термостабилизированный, 6 — с открытым коллектором
Таблица 4. Характеристики последовательных ИОН (полная версия таблицы на сайте http://www.finestreet.ru/magazine/compitech/specification.xls)
Прибор Выходное напряжение, В Отклонение напряжения от номинального значения, % ТКН, ppm/°C О із са их О с Максимальный выходной ток, мА Макс. входное напряжение, В Потребляемый ток, мкА, макс Особенности Прибор Выходное напряжение, В Отклонение напряжения от номинального значения, % ТКН, ppm/°C О із са их О с Максимальный выходной ток, мА еВ о, не ?! “ 1 . я * = ап Мана Потребляемый ток, мкА, макс ос н X е б о Ос
Analog Devices, Inc. Maxim Integrated Products
AD581 10 0,05-0,3 5-30 ±5 30 1000 DS4303 0,3- (Vcc-0,3) 28 62 ±1 3,6 1600 4, 7
AD587 10 0,05-0,1 5-20 ±10 Зб 4000 1, 3
AD588 -5, -10, 5, 10 0,01-0,05 1,5-3 ±10 Зб 10000 1, 3 DS4305 0,3- (Vcc-0,3) 34 60 ±1 5,5 2000 4, 7
AD680 2,5 0,2-0,4 20-30 10 Зб 250 MAX674 10 0,15 12-20 10 33 1400 1, 3, 5
AD688 -10, 10 0,02-0,05 3-8 ±10 Зб 12000 1, 3 MAX675 0,14 12-15 10 33 1400 1, 3, 5
AD780 2,5 (3) 0,04-0,2 3-7 ±10 Зб 1000 MAX873 5 2,5; 5 0,04-0,1 4-10 7-20 -2-10 18 280 1, 3, 5
AD1582_3_4_5 2,5-5 0,08-1 18-40 50-100 ±5 12 70 1, б MAX6001 2 3 4 5 1,25-5 1 20 100 ±0,4 12,6 45 б
ADR01_2_3_6 2,5-10 0,05-0,2 1-10 3-40 10 40 1000 1, 3, 5 MAX6012 21 25 30 41 45 50 1,247-5 0,32-0,48 20-30 ±0,5 12,6 35 1, б
ADR121_5_7 1,25-5 0,12-0,24 3-15 9-25 -2-5 18 95 1, б
ADR130 0,5; 1 0,35-0,7 5-15 25-50 -2-4 18 150 MAX6018 1,263-2,048 0,2-0,4 16 50 ±1 5,5 5 1, б
ADR280 1,2 0,4 10 40 5,5 16 MAX6023 1,25-5 0,24 10 30 ±0,4 12,6 35 1, б
ADR290_1_2 2,048-4,096 0,07-0,29 3-10 10-30 15 15 1, б MAX6029 2,048-5 0,15 30 -1-4 12,6 5,25-10,5 1, б
ADR293 0,06-0,2 3-10 8-25 18 15 MAX6033 2,5-5 0,04-0,2 7-10 15-40 15 12,6 60 1, б
ADR318 1,8 0,27 25 15 120 1, 2 MAX6034 2,048-4,096 0,2-0,4 30-75 -0,2-1 5,5 115-125 1, б
ADR360 1 3 4 5 6 2,048-5 0,08-0,29 9-25 -1-5 15 190 1, 3, б MAX6035 2,5-5 0,2-0,5 30-75 -2-10 33 95 1
ADR370 2,048 0,2-0,5 50-100 ±5 18 72 1, б MAX6037 1,25-4,096 0,2-0,5 25-50 ±5 5,5 275 1, б
ADR380_1 2,048; 2,5 0,24 5 25 18 120 1, б 1,184-5 250 1, 4, б
ADR390_1_2_5 2,048-5 0,12-0,29 9-25 18 120 1, 2, б MAX6043 2,5-10 0,06-0,5 3-10 15-65 -0,6-10 400 490 1
ADR420_1_3_5 2,048-5 0,04-0,15 1-2 3-10 ±10 18 500 1, 3 MAX6061 2 3 4 5 7 8 1,248-5 0,17-0,48 20-30 -2-5 12,6 125 1, б
ADR430 1 3 4 5 9 2,048-5 0,04-0,15 1-2 3-10 ±10 18 800 1, 3
ADR440_1_3_4_5 2,048-5 0,04-0,15 1-2 3-10 -5-10 18 3750 1, 3, б MAX6100 1 2 3 4 5 6 7 1,25-5 0,4 75 -2-5 12,6 125 б
REF02 0,3-2 3-70 8,5-250 10 40 1400-2000 1, 3, 5 MAX6120 1,2 1 30 100 -0,05-0,4 11 58 1
REF03 2,5 0,2 10 50 10 33 1400 1, 3, 5 MAX6125 41 45 50 2,5-5 1 15 50 1 12,6 100 б
REF43 2,5 0,06-0,1 6-10 10-25 -1,2-20 40 450 1, 3, 5 MAX6160 1,23-12,4 4, б
REF191 2 3 4 5 6 8 2,048-5 0,04-0,33 2-10 5-25 30 18 45 1, 2 MAX6126 2,048-5 0,02-0,1 1-3 5-12 ±10 12,6 550 1, б
I tersil MAX6129 2,048-5 0,4-1 40-100 -1-4 12,6 5,25 б
ISL60002 1,024-3,3 0,04-0,5 20 ±7 5,5 0,9 1, б MAX6133 2,5-5 0,04-0,08 2-4 7-10 -0,1-15 12,6 60 1, б
X60003 4,096; 5 0,02-0,12 10-20 ±10 0,9 MAX6143 2,5-10 0,06-0,1 1,5-3 3-10 -0,6-10 40 450-550 1, 3, 5
X60250 0-1,25 20 70 5,5 60 4, 7 MAX6161 2 3 4 5 6 7 8 1,25-5 0,04-0,32 2-4 -2-4 12,6 120 1, б
Linear Technology Corp.
LT1019 2,5-10 0,05-0,2 3-8 5-25 10 40 1200 1, 3, 5 MAX6173_4_5_6_7 2,5-10 0,06-0,1 1,5-3 3-10 -0,6-10 40 450-550 1, 3, 5
LT1021 5-10 0,05-1 2-3 5-20 10 40 1200 MAX6190 1 2 3 4 8 1,25-4,5 0,04-0,48 2-8 5-25 -0,5-0,5 12,6 35 1, б
LT1027 0,05-0,1 1-3 2-7,5 -10-15 40 3100 1, 3 MAX6220 2,5-5 0,1 20 ±15 40 2900 1, 3
LT1031 10 0,05-0,2 3-10 5-25 10 40 5000 MAX6225_41_50 2,5-5 0,04-0,12 1-2,5 2-8 ±15 Зб 2900 1, 3
LT1236 5; 10 0,05-0,1 2-10 5-15 10 40 1200 1, 3 MAX6325_41_50 2,5-5 0,02-0,04 0,5-1 1-2,5 ±15 Зб 2700- 3000 1, 3
LT1460 2,5-10 0,075-0,5 5-25 10-50 10 30 145-270
LT1461 2,5-5 0,04-0,15 1-7 3-20 50(10) 20 50 1, 2, б MAX6520 1,2 1 20 50 -0,05-0,4 11 58
LT1790 1,25-5 0,05-0,1 5-12 10-25 -1-5 60 1, б REF01 10 0,3-1 3-20 8,5-65 10 33 1600 1, 3
LT6660 2,5-10 0,2-0,5 10-25 20-50 10 20 145-350 REF02 0,15-0,5 3-20 8,5-65 10 33 1600 1, 3, 5
LTC1258 2,5-5 0,15-0,2 40-60 -2-10 12,6 6,5 1, б Microchip Technology Inc.
2,385-12 0,4-0,46 1, 4, б MCP1525_41 | 2,5; 4,096 | 1 | 27 | 50 | ±2 | | 100 |
LTC1798 2,5-5 0,15 15 40 -2-10 12,6 6,5 б Microsemi, Inc.
2,385-12 0,4 4, б SG1503_2503_3503 | 2,5 | 0,6-1 | 10 | | | 40 | 2000 | 1
ON Sem niconduc tor National Se miconduc tor Corp.
MC1403 | 2,5 | 1 | 10 | 40 | 10 | 40 | 1500 | 1 LM4120 1,8-5 0,2-0,5 14 50 ±5 12 250 1, 2, б
Texas Instruments Inc. LM4121 1,25 0,2-0,5 14 50 ±5 12 250 1, 2, б
REF2912 20_25_30_33_40 1,25-4,096 2 35 100 25 5,5 50 6 1,216-11,5 1, 2, 4, б
LM4125 2,048-4,096 0,2-0,5 14 50 ±5 б 257 1, б
REF3012 20_25_30_33_40 1,25-4,096 0,2 20-35 50-75 25 5,5 50 1, 6
LM4128 1,8-4,096 0,1-1 75-100 20 5,5 100 1, 2, б
REF3112 20_25_30_33_40 1,25-4,096 0,2 5-10 15-20 ±10 5,5 115 1, 6 LM4132 1,8-4,096 0,05-0,5 20 20 5,5 100 1, 2, б
LM4140 1,024-4,096 0,1 3-10 8 5,5 320 1, 2, б
REF3212 20_25_30_33_40 1,25-4,096 0,2 4-10,5 7-20 ±10 5,5 120 2, 6 Thaler Corp.
VRE3025 2,5 0,01-0,02 0,3-1 0,6-2 ±15 40 4000 1, 3
REF02AU 5 0,13-0,19 4 10-15 10 40 1400 3, 5 VRE4110 12_20_25_41 1,024-4,096 0,05-0,08 0,5-1,5 1-3 8 5,5 320 1, 2, б
REF102AU 10 0,025-0,1 2,5-10 -5-10 Зб 1400 3
В столбце «Особенности»: 1 — прецизионный, 2 — с отключением, 3 — с подстройкой, 4 — регулируемый, 5 — сигнал температуры, 6 — ЮО, 7 — программируемый
Зависимость выходного напряжения от тока нагрузки
Зависимость выходного напряжения от тока нагрузки нормируется обычно для всего диапазона рабочих токов (для микромощных ИОН нередко диапазон рабочих токов разбивается на два поддиапазона с отдельным нормированием параметра в каждом поддиапазоне). Для последовательных ИОН параметр измеряется в мкВ/мА, %/мА, млн-1/мА, а для параллельных ИОН — в мВ.
Зависимость выходного напряжения от напряжения питания Для последовательных ИОН нормируется зависимость выходного напряжения от напряжения питания в мкВ/В, %/В, либо в абсолютных единицах при изменении напряжения питания в допустимых пределах. Для получения максимальной точности аппаратуры рекомендуется питать ИОН стабилизированным напряжением.
Долговременная стабильность Выходное напряжение ИОН изменяется со временем. Это изменение характеризуется параметром «долговременная стабильность», обычно нормируемым в млн-1/1000 ч при фиксированной, обычно повышенной, температуре. Изменение выходного напряжения со временем имеет нелинейный характер, и вовсе не значит, что через две тысячи часов работы оно будет в два раза больше, чем через 1000 часов. Многократными опытами
установлено, что временной дрейф выходного напряжения практически прекращается задолго до достижения 1000-часовой наработки [4]. Улучшить долговременную стабильность можно искусственным старением ИОН, предпочтительно в составе устройства, что позволит стабилизировать характеристики и других компонентов.
Шумы
Шумовые характеристики ИОН нормируются в виде напряжения шумов от пика до пика в частотном диапазоне от 0,1 до 10 Гц, либо в виде среднеквадратичного напряжения шумов в частотном диапазоне от 10 Гц до 10 кГц. Для большинства качественных ИОН в справочных данных приводятся обе величины. Для уменьшения уровня шумов некоторые последовательные ИОН (МАХ6126) имеют специальный вывод для подключения корректирующей емкости.
Ток потребления
Большое собственное энергопотребление характерно для ИОН на стабилитронах, особенно для микросхем первых разработок (до 12 мА для АБ688). Минимальным энергопотреблением отличаются ИОН, изготовленные по КМОП-технологии (0,9 мкА для КЬ60002). Минимальный рабочий ток параллельных ИОН находится в пределах от 0,6 мкА (т389-1.2) до 1 мА (ТЬ431).
Конструктивное исполнение
и монтаж
ИОН выпускаются в различных металлостеклянных, металлокерамических и пластмассовых корпусах для монтажа в отверстия и поверхностного монтажа с количеством выводов от двух до двадцати. Механические напряжения в кристалле, вызванные различиями температурных коэффициентов расширения (ТКР) кремния и материалов корпуса и печатной платы, изменяют геометрические размеры кристалла и электрические характеристики элементов интегральной схемы. Это сказывается на ТКН и долговременной стабильности. Наиболее стабильны ИОН в металлостеклянных коваровых корпусах,
у которых ТКР кристалла и корпуса имеют близкие значения, а проволочные выводы практически устраняют влияние деформации печатной платы.
В справочных данных на VRE41xx рекомендуется устанавливать микросхему на краю печатной платы, где минимальны механические напряжения и перегрев. Дополнительно уменьшить воздействия можно, сделав вокруг микросхемы и-образный вырез.
Области применения
Основные области применения ИОН — источники питания, зарядные устройства, измерительная техника. Если в источниках питания зачастую можно обойтись компонентами с не слишком высокими характеристиками, то в измерительной технике характеристики ИОН могут иметь определяющее значение. Особенно важны температурный дрейф и уровень шумов, значение которых возрастает с повышением точности измерительного устройства. Для обеспечения дополнительной температурной погрешности в схеме с 14-разрядным АЦП, равной 0,5 МЗР в диапазоне температур от -40 до +85 °С, ТКН ИОН должен быть не более 0,5 млн-1/°С [2]. На рис. 3 показана схема линейного стабилизатора напряжения с использованием ЫСР100. В [4] приведен пример
использования микросхемы VRE3G5G в качестве ИОН для 16-разрядного АЦП.
Ранее речь шла об интегральных ИОН, вся схема которых выполнена в одном кристалле. Фирмой Thaler по технологии гибридных интегральных схем выпускаются ИОН с исключительно высокими характеристиками. В качестве примера в таблицу 4 включены характеристики микросхемы VRE3G25.
Кроме отдельных ИОН производится ряд комбинированных микросхем, сочетающих в себе ИОН с операционными усилителями или компараторами. ■
Литература
1. Волович Г. И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. М.: Издательский дом «Додека-XXI». 2GG5.
2. Miller P., Moore D. Precision Voltage Reference. SLYT183. Texas Instruments Inc.
3. Шитиков А. Выбор источника опорного напряжения // Электронные компоненты. 2GG2. № 3.
4. The Effect of Long-Term Drift on Voltage Reference. Application Notes AN-713. Analog Devices Inc.
5. Miller P., Moore D. The Design and Performance of a Precision Voltage Reference Circuit for 14-bit and 16-bit A-to-D and D-to-A Converters. SLYT168. Texas Instruments Inc.
Регулируемый шунтирующий регуляторLM431: распиновка, схема, техническое описание [видео]
В сегодняшнем блоге я систематически представлю LM431 от распиновки, функций до производителя, таблицы данных и так далее.
LM431 – трехконтактный регулируемый шунтирующий регулятор с гарантированной температурной стабильностью во всем диапазоне рабочих температур. Выходное напряжение можно установить на любом уровне от 2,5 В (VREF) до 36 В, просто выбрав два внешних резистора, которые действуют как сеть с разделением напряжения.Благодаря резким характеристикам включения это устройство является отличной заменой для многих применений стабилитронов. LM431 выпускается в компактных корпусах SOIC-8, SOT-23 и TO-92.
Компонент прецизионного стабилитрона LM431 adj, подключенный к цепи индикатора низкого заряда батареи 9 В
Каталог
LM431 Конфигурация и функции контактов
LM431 Характеристики
Средний температурный коэффициент 50 ppm / ° C
Температурная компенсация для работы в полном диапазоне температур
Программируемое выходное напряжение
Fast Turnon Response
Низкий уровень шума
Низкий динамический выходной импеданс
Доступен в компактных корпусах SOIC-8, SOT-23 и TO-92
LM431 Альтернативы
LM432, NJM2820, NJM2821, NJM2822, ZXRE060
LM431 Функциональные эквиваленты
Номер детали | Описание | Производитель |
СИЛОВЫЕ ЦЕПИ LM431BIZ | 1-ВЫХОД двухтерминных опорного напряжения, 2.495V, PBCY3, ПЛАСТИК, TO-92, 3 PIN | Техасские инструменты |
СИЛОВЫЕ ЦЕПИ LM431AIZX | Два терминала опорного напряжения, выход 1, 2.5V, отделка / регулируемый, PBCY3, К-92, 3 PIN- | ООО «Рочестер Электроникс» |
СИЛОВЫЕ ЦЕПИ LM431BIZX | Два терминала опорного напряжения, выход 1, 2.495V, обрезной / регулируемый, PBCY3, TO-92, 3 PIN | ООО «Рочестер Электроникс» |
LM431BCZX СИЛОВЫЕ ЦЕПИ | Регулируемый / 2,5 В, шунтирующий регулятор с допуском 1%, 3 LD, TO92, ФОРМОВАННЫЙ ФОРМА LD 0.200 IN LINE SPACING, 2000 / AMMO | Fairchild Semiconductor Corporation |
LM431ACZ СИЛОВЫЕ ЦЕПИ | IC-1 ВЫХОД двухтерминных опорного напряжения, 2.495 В, PBCY3, пластмасса, К-92, 3 PIN-код, Опорное напряжение | Национальная полупроводниковая корпорация |
LM431AIZ СИЛОВЫЕ ЦЕПИ | Регулируемый шунтирующий регулятор 2,5 В, допуск 2%, 3LD, TO92, КОНФИГУРАЦИЯ ПРЯМОГО ВЫВОДА, СООТВЕТСТВУЮЩАЯ JEDEC TO-92 (СТАРЫЙ TO92AM3), 10000 / BULK | Fairchild Semiconductor Corporation |
LM431AIZ / NOPB СИЛОВЫЕ ЦЕПИ | 2%, 1% или 0.Точность 5%, регулируемая точность Шунтирующий стабилизатор стабилитрона 3-TO-92-40 до 85 | Техасские инструменты |
LM431CCZ СИЛОВЫЕ ЦЕПИ | IC-1 ВЫХОД двухтерминных опорного напряжения, 2,5 В, PBCY3, пластик, К-92, 3 PIN-код, Опорное напряжение | Национальная полупроводниковая корпорация |
СИЛОВЫЕ ЦЕПИ LM431ACZ / NOPB | 2%, 1% или 0.Точность 5%, регулируемая точность Шунтирующий стабилитрон 3-TO-92 от 0 до 70 | Техасские инструменты |
LM431CIZ / LFT1 СИЛОВЫЕ ЦЕПИ | Регулируемый прецизионный стабилизатор шунта на стабилитроне 3-TO-92 | Техасские инструменты |
LM431 Описание упаковки
LM431 (корпус SOIC-8)
LM431 (Комплект SOT-23)
LM431 (упаковка ТО-92)
LM431 Приложения
Регулируемые линейные и импульсные источники питания по напряжению или току
Контроль напряжения
Цепи источника и стока тока
Схемы, требующие точных ссылок
Замена стабилитрона
Как использовать LM431?
Прежде чем переходить к схеме приложения LM431 , давайте сначала разберемся с внутренней работой устройства и для этого рассмотрим функциональную схему устройства, как показано ниже.
На функциональной схеме LM431 мы видим три основных устройства, а именно операционный усилитель, транзистор NPN и источник напряжения +2,5 В. Исходя из работы операционного усилителя, выходное напряжение Vo / p будет положительным только при Vref> + 2,5 В, поскольку напряжение на инвертирующем выводе операционного усилителя составляет + 2,5 В.
Теперь давайте рассмотрим простую схему приложения для устройства, как показано ниже:
Здесь опорное напряжение (Vref) является напряжение на неинвертирующий терминал ОУ и это определяет, является ли напряжение ОУ выходы положительного напряжения или нет.Также Vref – это напряжение в средней точке сети делителя напряжения, образованной двумя резисторами R2 и R3. Исходя из концепции деления напряжения, мы имеем Vref = Vo (R3 / R2 + R3). Обмениваясь терминами, мы получаем Vo = Vref (R2 + R3 / R3) = Vref (1 + R2 / R3) = 2,5 (1 + R2 / R3). Основываясь на уравнении, вы можете отрегулировать два номинала резистора в цепи, чтобы получить желаемое выходное напряжение.
Принцип работы схемы:
Операционный усилитель здесь продолжает сравнивать напряжение на неинвертирующем выводе, равное Vref (которое напрямую связано с выходным напряжением), с +2.5 В (напряжение, подключенное к инвертирующей клемме по умолчанию), и в зависимости от результата операционный усилитель запускает транзистор, чтобы потреблять ток от источника V1. Когда выход пересекает порог (порог определяется значением R2 и R3), операционный усилитель получает обратную связь через Vref и включает транзистор. Когда транзистор включается, устройство потребляет ток, и из-за этого падения напряжения появляется на резисторе R1, который включен последовательно с источником напряжения V1.
Из-за этого падения Vo = V1 – (R1) * (Ic).Здесь Ic – ток, потребляемый транзистором. Кроме того, для простоты не учитывается ток, потребляемый операционным усилителем и цепью резисторов.
Операционный усилитель включает транзистор до точки, в которой потребление тока приводит к снижению Vo (на падение напряжения R1) с V1 до Vref (1 + R2 / R3).
Таким образом, в конечном результате Vo всегда будет плавно приближаться к измеренному значению с помощью настройки операционного усилителя (или LM431). Аналогичным образом мы можем настроить другие схемы приложений.
LM431 Производитель
Texas Instruments Incorporated (TI) – американская технологическая компания со штаб-квартирой в Далласе, штат Техас, которая разрабатывает и производит полупроводники и различные интегральные схемы, которые она продает разработчикам и производителям электроники по всему миру.По объему продаж она входит в десятку ведущих мировых производителей полупроводников. Компания специализируется на разработке аналоговых микросхем и встроенных процессоров, на которые приходится более 80% ее доходов. TI также производит продукты для цифровой обработки света и образовательные технологии, включая калькуляторы, микроконтроллеры и многоядерные процессоры. По состоянию на 2016 год компания имеет 45 000 патентов по всему миру.
Техническое описание компонентов
TL431 Схема защиты от перенапряжения, Защита от перенапряжения Принципиальная схема
Цепь автоматического выключения при повышенном напряжении
Схема защиты от перенапряжения с использованием микросхемы шунтирующего регулятора TL431Эта цепь защищает от высокого напряжения.Автоматическое оборудование отключается, когда мощность превышает уровень фиксированного напряжения. Это устройство защиты от перенапряжения.
Согласно спецификации – TL431A – это программируемая интегральная схема с тремя выводами. Это диод шунтирующего регулятора. Похож на транзистор. Это монолитная опорное напряжение IC работать в качестве коэффициента стабилитронов с низким уровнем температуры, который программируется от V исх до 36 V с двумя внешними резисторами. Это устройство демонстрирует широкий диапазон рабочего тока 1.От 0 мА до 100 мА с типичным динамическим импедансом 0,22 Вт. Характеристики делают его отличным заменителем стабилитронов во многих приложениях, таких как цифровые вольтметры, источники питания и схемы операционных усилителей. Ссылка 2.5 В делает его удобным для получения ссылки стабильной от 5,0 V логических материалов, а так как TL431, A, B работает как регулятор шунта, он может быть использован в качестве положительного или отрицательного опорного напряжения. Схема активного выхода обеспечивает очень резкое включение.
• Характеристика типичного температурного дрейфа (TL431B),
|
|
|
|
|
|
|
Это схема автоматического выключателя при перенапряжении
Об авторе
Админ
Привет, меня зовут Аман Бхарти, я интересуюсь изготовлением и изучением электроники, принципиальной схемы, проектированием и компоновкой печатных плат и т. Д.Мне нравится делиться знаниями и всеми идеями с людьми, которые я получаю из «Моего эксперимента» и из разных источников. Я стараюсь максимально подробно описать детали схемы с результатами испытаний. Если вы хотите что-то предложить или прокомментировать, оставьте свой комментарий в поле для комментариев на соответствующей странице.
Сульфаметоксазол LM431 РЕГУЛИРУЕМОЕ ПРЕЦИЗИОННЫЙ ШУНТ РЕГУЛЯТОР же, как Fairchild Semiconductor LM431, Fairchild Semiconductor LM431SCCML, Fairchild Semiconductor LM431CIM, Fairchild Semiconductor LM431CCZX, Fairchild Semiconductor LM431CCZ, Fairchild Semiconductor LM431CCMX, Fairchild Semiconductor LM431CCM, Fairchild Semiconductor LM431C, Fairchild Semiconductor LM431BIZX, Fairchild Semiconductor LM431BIZ, Fairchild Semiconductor LM431BIMX, Fairchild Semiconductor LM431BIM, Fairchild Semiconductor LM431BCZX, Fairchild Semiconductor LM431BCZ, Fairchild Semiconductor LM431BCMX, Fairchild Semiconductor LM431BCM, Fairchild Semiconductor LM431SCCMLX, Fairchild Semiconductor LM431CIMX, Fairchild Semiconductor LM431SCCMFX, Fairchild Semiconductor LM431SCCMF, Fairchild Semiconductor LM431SC, Fairchild Semiconductor LM431SBCMLX, Fairchild Semiconductor LM431SBCML, Fairchild Semiconductor LM431SBCMFX, Fairchild Semiconductor LM431SBCMF, Fairchild Semiconductor LM431SB, Fairchild Semiconductor LM431SACMLX, ярмарка ребенок Semiconductor LM431SACML, Fairchild Semiconductor LM431SACMFX, Fairchild Semiconductor LM431SACMF, Fairchild Semiconductor LM431SA, Fairchild Semiconductor LM431CIZ, Fairchild Semiconductor LM431B, Fairchild Semiconductor LM431AIZ, Fairchild Semiconductor LM431, Fairchild Semiconductor LM431ACZX, Fairchild Semiconductor LM431ACZ, Fairchild Semiconductor LM431ACN, Fairchild Semiconductor LM431AIM, Fairchild Semiconductor LM431ACMX, Fairchild Semiconductor LM431ACZXA, Fairchild Semiconductor LM431A, Fairchild Semiconductor LM431ACM, Fairchild Semiconductor LM431AIMX, National Semiconductor LM431ACM, National Semiconductor LM431ACZ, National Semiconductor LM431CCZ, National Semiconductor LM431, National Semiconductor LM431CCMX, National Semiconductor LM431CIM3, National Semiconductor LM431CIM3N1A, National Semiconductor LM431A, National Semiconductor LM431CIM3X, National Semiconductor LM431ACMX, National Semiconductor LM431CIMX, National Semiconductor LM431AC MDC, National Semicondu т е р LM431CIZ, National Semiconductor LM431CIM, National Semiconductor LM431ACM3X, National Semiconductor LM431ACM3, National Semiconductor LM431CCM3X, National Semiconductor LM431CCM3N1B, National Semiconductor LM431AIM3, National Semiconductor LM431BCZ, National Semiconductor LM431AIM3N1E, National Semiconductor LM431BCMX, National Semiconductor LM431AIM3X, National Semiconductor LM431BCM3X, National Semiconductor LM431BCM3N1D , National Semiconductor LM431BCM3, National Semiconductor LM431BCM, National Semiconductor LM431AIMX, National Semiconductor LM431AIZ, National Semiconductor LM431AIM, National Semiconductor LM431BIM, National Semiconductor LM431BIM3, National Semiconductor LM431CCM3, National Semiconductor LM431CCM, National Semiconductor LM431ACM3N1F, National Semiconductor LM431AIBP, National Semiconductor LM431BIZ, Национальный Semiconductor LM431AIBPX, National Semiconductor LM431BIMX, National Semiconductor LM431BIM3X, National Semiconductor LM431BIM3N1C, Philips LM431ACM, Ph ilips LM431ACZU, Philips LM431AC, Philips LM431ACZ, Philips LM431, Philips LM431ACMD производства Semiconix Semiconductor – технология золотого чипа для заведомо исправных кристаллов, перевернутых кристаллов, голых кристаллов, литейных пластин для дискретных полупроводников, интегральных схем и интегрированных пассивных компонентов от Semiconix – Goldchiponductor Technology является товарным знаком Semiconix Corporation для известных хороших кристаллов, перевернутых кристаллов, голых кристаллов, литейных заводов для дискретных полупроводников, интегральных схем и интегрированных пассивных компонентов, производимых Semiconix Semiconductor.Золотая металлизация для межсоединений вместо алюминия или меди, для высоконадежных устройств для систем в корпусных приложениях с использованием кремниевых печатных плат, керамических подложек или микросхем на плате, собранных с помощью перевернутой микросхемы или микросхемы и провода. Fairchild Semiconductor LM431, National Semiconductor LM431, Philips LM431 РЕГУЛИРУЕМЫЙ ТОЧНЫЙ РЕГУЛЯТОР ШУНТА SMX LM431 такой же, как Fairchild Semiconductor LM431, Fairchild Semiconductor LM431SCCML, Fairchild Semiconductor LM431CIM, Fairchild Semiconductor LM431CCZX, Fairchild Semiconductor LM431CCZ, Fairchild Semiconductor LM431CCMX, Fairchild Semiconductor LM431CCM, Fairchild Semiconductor LM431C, Fairchild Semiconductor LM431BIZX, Fairchild Semiconductor LM431BIZ, Fairchild Semiconductor LM431BIMX, Fairchild Semiconductor LM431BIM, Fairchild Semiconductor LM431BCZX, Fairchild Semiconductor LM431BCZ, Fairchild Semiconductor LM431BCMX, Fairchild Semiconductor LM431BCM, Fairchild Semiconductor LM431SCCMLX, Fairchild Semiconductor LM431CIMX, Fairchild Semiconductor LM431SCCMFX, Fairchild Semiconductor LM431SCCMF, Fairchild Semiconductor LM431SC, Fairchild Semiconductor LM431SBCMLX, Fairchild Semiconductor LM431SBCML, Fairchild Semiconductor LM431SBCMFX, Fairchild Semiconductor LM431SBCMF, Fairchild Semiconductor LM431SB, Fairchild Semiconductor LM431SACMLX, Fairchild Semiconductor LM431SACML, Fairchild Semiconductor LM431SACMFX, Fairchild Semiconductor LM431SACMF, Fairchild Semiconductor LM431SA, Fairchild Semiconductor LM431CIZ, Fairchild Semiconductor LM431B, Fairchild Semiconductor LM431AIZ, Fairchild Semiconductor LM431, Fairchild Semiconductor LM431ACZX, Fairchild Semiconductor LM431ACZ, Fairchild Semiconductor LM431ACN, Fairchild Semiconductor LM431AIM, Fairchild Semiconductor LM431ACMX, Fairchild Semiconductor LM431ACZXA, Fairchild Semiconductor LM431A, Fairchild Semiconductor LM431ACM, Fairchild Semiconductor LM431AIMX, National Semiconductor LM431ACM, National Semiconductor LM431ACZ, National Semiconductor LM431CCZ, National Semiconductor LM431, National Semiconductor LM431CCMX, National Semiconductor LM431CIM3, National Semiconductor LM431CIM3N1A, National Semiconductor LM431A, National Semiconductor LM431CIM3X, National Semiconductor LM431ACMX, National Semiconductor LM431CIMX, National Semiconductor LM431AC MDC, National Semiconductor LM431CIZ, National Semiconductor LM431CIM, National Semiconductor LM431ACM3X, National Semiconductor LM431ACM3, National Semiconductor LM431CCM3X, National Semiconductor LM431CCM3N1B, National Semiconductor LM431AIM3, National Semiconductor LM431BCZ, National Semiconductor LM431AIM3N1E, National Semiconductor LM431BCMX, National Semiconductor LM431AIM3X, National Semiconductor LM431BCM3X, National Semiconductor LM431BCM3N1D, National Semiconductor LM431BCM3, National Semiconductor LM431BCM, National Semiconductor LM431AIMX, National Semiconductor LM431AIZ, National Semiconductor LM431AIM, National Semiconductor LM431BIM, National Semiconductor LM431BIM3, National Semiconductor LM431CCM3, National Semiconductor LM431CCM, National Semiconductor LM431ACM3N1F, National Semiconductor LM431AIBP, National Semiconductor LM431BIZ, National Semiconductor LM431AIBPX, National Semiconductor LM431BIMX, National Semiconductor LM431BIM3X, National Полупроводник LM431BIM3N1C, Philips LM431ACM, Philips LM431ACZU, Philips LM431AC, Philips LM431ACZ, Philips LM431, Philips LM431ACMD производства Semiconix Semiconductor – технология золотого чипа для заведомо исправных кристаллов, перевернутых кристаллов, голых кристаллов, литейных заводов для дискретных полупроводники, интегральные схемы и интегрированные пассивные компоненты от Semiconix Semiconductor – технология Goldchip является товарным знаком Semiconix Corporation для заведомо хороших кристаллов, перевернутых кристаллов, голых кристаллов, литейных заводов для дискретных полупроводников, интегральных схем и интегрированные пассивные компоненты производства Semiconix Semiconductor.Золотая металлизация для межсоединений вместо алюминия или медь, для устройств высокой надежности для систем в корпусных приложениях с использованием кремниевых печатных плат, керамических подложек или микросхем на Плата, собранная с помощью флип-чипа или чипа и провода. Fairchild Semiconductor LM431, National Semiconductor LM431, Philips LM431 РЕГИСТРАЦИЯ-ВХОД ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА ПРОДУКТОВ /cgi-bin/stock.pl?part=LM431″>INVENTORY /cgi-bin/rfq.cgi?site=4&rows=1&item_1=SMXLM431&c_item_1=”> ЗАПРОСИТЬ ЦИТАТУ smxrootwww.semiconix.com/cgi-bin/order.cgi?site=”> ЗАКАЗАТЬ КАРТУ САЙТА ОНЛАЙН semiconix semiconductor – будущее там сегодня – золотой чип технология SMX LM431 – ЗОЛОТАЯ ЧИП С ПОМОЩЬЮ ПЛАСТИНЫ TECHNOLOGY ™ РЕГУЛЯТОР РЕГУЛЯТОРА РЕГУЛИРУЕМАЯ ТОЧНОСТЬ ШУНТА ПРИМЕНЕНИЯ РЕГУЛИРУЕМЫЙ ТОЧНЫЙ ШУНТ РЕГУЛЯТОР Средний температурный коэффициент 50ppm / ° C Температурная компенсация для работы во всем температурном диапазоне Программируется выходное напряжение Быстрый отклик на включение Низкий выходной шум В форме матрицы это устройство является отличным выбором для многих микросхем и проводов HYBRID ЦЕПИ.LM431 LM431 РЕГУЛИРУЕМЫЙ ТОЧНЫЙ РЕГУЛЯТОР ПОДВЕСКИ SMXLM431 РЕГУЛИРУЕМЫЙ ТОЧНЫЙ РЕГУЛЯТОР ПОДВЕСКИ – ОПИСАНИЕ ИЗДЕЛИЯ SMX LM431 – трехконтактный регулируемый шунтирующий регулятор с гарантированной температурной стабильностью во всем рабочем температурном диапазоне. Это теперь доступен в корпусе размером с микросхему (4-Bump micro SMD) с использованием технологии корпусов Micro SMD от National. Выходное напряжение может быть установлено на любой уровень от более 2,5 В (VREF) до 36 В, просто выбрав два внешних резистора, которые действуют как сеть с разделением напряжения.Из-за Характеристики резкого включения это устройство является отличной заменой для многих приложений стабилитрона. ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ ГОЛЫХ МАТРИЦ И СИСТЕМА В УПАКОВКЕ – КОРОТКОЕ ЗАМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ COB (Chip on Board) и SiP (System-in-Package) объединяют проверенные зрелые продукты в чистом виде. кристалл смешанных технологий, то есть Si, GaAs, GaN, InP, пассивных компонентов и т. д., которые не могут быть легко реализованы в SOC (System-on-Chip) технологии. COB и SiP имеют небольшой размер, высокую плотность, более короткое время цикла проектирования, их легче перепроектировать и переделывать, проще использовать и менее затратный процесс сборки.Для экстремальных применений голый кристалл должен выдерживать также суровые условия окружающей среды без защита пакета. KGD, концепция Known Good Die больше не является удовлетворительной, если матрица не выдерживает суровых условий окружающей среды. и деградирует. Стандартные полупроводниковые устройства, поставляемые многими производителями в голом кристалле, имеют открытые алюминиевые прокладки, которые чрезвычайно чувствителен к влаге и агрессивным компонентам атмосферы. Semiconix модернизировал стандартные продукты, и теперь предлагает известный хороший кристалл для применений с голым кристаллом с золотым соединением и хорошо спроектированными материалами, которые еще больше улучшают кристалл надежность.Semiconix также предлагает технологию кремниевых печатных плат со встроенными пассивными компонентами в качестве высокотехнологичного оборудования. надежность SIP-решение для медицинских, военных и космических приложений. См. AN-SMX-001 ПРОИЗВОДСТВО ИНТЕГРИРОВАННЫХ ЦЕПЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКА ПРОЦЕСС Полупроводниковые интегральные схемы производятся с использованием Semiconix в собственных процессах производства полупроводников с высокой надежностью. Во всех полупроводниковых приборах используется прецизионное легирование посредством ионной имплантации, пассивация переходов нитридом кремния, силицированные платиной контакты. и золотая металлизация межсоединений для лучшей производительности и надежности.Конденсаторы MNOS, тонкопленочный нитрид тантала TaN или сихром SiCr резисторы легко интегрируются с другими полупроводниковыми приборами на одном кристалле, чтобы получить стандартные и нестандартные комплексные решения для устройств. СХЕМА LM431 Fairchild Semiconductor LM431 РЕГУЛИРУЕМЫЙ ТОЧНЫЙ РЕГУЛЯТОР ШУНТА LM431 МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ ПАРАМЕТР СИМВОЛ ЗНАЧЕНИЕ УСТАНОВКИ Диапазон температур хранения Tstg от 65 до +150 ° C Диапазон рабочих температур Промышленный (LM431xl) Коммерческий (LM431xC) Top 40 до +85 от 0 до +70 ° C Инфракрасный или конвекционный (20 сек.) 235 ° C Волновая пайка (10 сек.) Температура выводов 260 ° C Напряжение катода Vk 37 В ContinuousCathodeCurrent Ик от -10 до +150 мА Опорное напряжение Vref -0.5 В Опорный Входной ток 10 мА Iref ТОЛЬКО надлежащей обработки пресс-формы необходимо использовать оборудование и процедуры. Напряжения, превышающие указанные абсолютные максимальные значения, могут привести к необратимому повреждению устройства. LM431 Электрические характеристики ТА = 25 ° С, если иное не specificed ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ ПРОВЕДЕНИЯ ИСПЫТАНИЙ ОБОЗНАЧЕНИЕ МИН Тип Макс Единицы опорное напряжение VZ = VREF, II = 10 мА LM431A VZ = VREF, II = 10 мА LM431B VZ = VREF, II = 10 мА LM431C VREF 2.440 2,470 2,485 2,495 2,495 2,500 2,550 2,520 2,510 В Отклонение Ссылка входного напряжения Over Temperature (Note5) ВЗ = VREF, II = 10 мА TA = Full Range VDEV 8 17 мВ отношение изменения в ссылке Напряжение при изменении напряжения катода IZ = 10 мА, VZ от VREF до 10 В (AS431B) VZ от 10 до 36 В ΔVREF / ΔVZ -1,4 -1,0 -2,7 -2,0 мВ / В Ссылочный Входной ток R1 = 10 кОм, R2 = 0, IL = 10 мА (LM431B) IREF 2 4 мкА Отклонение опорного входного тока над температурой R1 = 10 кОм , R2 = 0, IL = 10 мА, TA = полный диапазон (AS431B) µIREF 0.4 1,2 мкА Минимальный ток катода для регулирования VZ = VREF (LM431A) IZ (MIN) 0,4 1 мкА в выключенном состоянии Ток VZ = 36 В, VREF = 0 В (LM431C) IZ (OFF) 0,3 1 мкА Динамическое выходное сопротивление (Примечание 6) VZ = VREF Частота = 0 Гц (LM431A) VZ = VREF Частота = 0 Гц (LM431B, LM431C) rZ 0,75 0,50 Ом (ПРИМЕЧАНИЕ 1) Абсолютные максимальные номинальные значения указывают пределы, за пределами которых может произойти повреждение устройства. Электрические технические характеристики не применяются при работе устройства за пределами номинальных условий эксплуатации. (ПРИМЕЧАНИЕ 2) Tjmax = 150 ° C (ПРИМЕЧАНИЕ 3) Применяются номинальные значения. до температуры окружающей среды 25 ° C.Выше этой температуры уменьшите мощность TO-92 на 6,2 мВт / ° C, SO-8 на 6,5 мВт / ° C, SOT-23 на 2,2 мВт / ° C и микро SMD в 3mW / ° С (Примечание 4) Отклонение опорного входного напряжения, VDEV, определяется как максимальное изменение входного напряжения опорного во всем температурном диапазоне. МОДЕЛЬ SPICE ПЕРЕКРЕСТНАЯ ИНФОРМАЦИЯ ДЕТАЛИ ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ о штампе Толщина основы [мил] Размер штампа, мил [мм] Контактные площадки Металлизация задней стороны Силикон 10 40,5 x 33,5 ± 1 [1,03 x 0,85] мин. 4×4 мил, толщина 1 мкм, алюминий. с покрытием 0.ЗОЛОТО 5 мкм, что делает его совместимым с присоединением матрицы AuSi или AuGe. ПЛАН МАТРИЦА LM431 – МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МАТРИЦА LM431 ПЛАН – МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ № контактной площадки ФУНКЦИЯ X (мил) X (мм) Y (мил) 1 Ссылка 0,159 6,26 0,158 2 Анод 0,524 20,63 0,203 3 Катод 0,872 34,331 0,158 ПРОЦЕСС СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКА – КРАТКОЕ ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Стандартные неизолированные кристаллы Semiconix предназначены для термозвуковое соединение GOLD-проволоки и прикрепление эвтектической матрицы AuSi. Для процесса присоединения матрицы AuSn или AuGe рекомендуется использовать Ti / Pt / Au или Ti / Pd / Au. металлизация тыльной стороны.Для присоединения матрицы мягким припоем задняя металлизация может быть любой из Ti / Ni / Au, Ti / Pt / Au, Ti / Pd / Au. Для наполненного серебром может использоваться присоединение токопроводящей эпоксидной матрицы, AuSi, а также Ti / Ni / Au, Ti / Pt / Au, Ti / Pd / Au. Как правило, после прикрепления матрицы перед сваркой проводов Рекомендуется очистка кислородной высокочастотной плазмой. ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ: алюминиевую проволоку нельзя использовать с золотыми накладками из-за потенциальная проблема надежности, известная как пурпурная чума. То же самое и с алюминиевыми контактными площадками с золотой проволокой! При переходе от SnPb припой для бессвинцовых и совместимых с RoHS процессов упаковки и сборки, температура оплавления в некоторых случаях увеличилась с 180 ° C до 220 ° С.Это может вызвать увеличение скорости образования интерметаллических соединений золота и алюминия, которые являются хрупкими и способствуют повышенное контактное сопротивление и / или нарушение связи. См. Примечание по применению AN-SMX-000. LM431 СТАНДАРТНЫЙ ПРАЙС-ЛИСТ НА ПРОДУКЦИЮ USM ЧАСТЬ № МИНИМУМ КОЛИЧЕСТВО ДЛЯ ЗАКАЗА Вафельные упаковки U / P ($) USMAS431 100 шт. -WP 3,20 доллара США Продукты, продаваемые для космического, военного или медицинского применения, оценка элементов и / или уровень квалификации K или S зависит от минимального уровня заказа, который устанавливается в каждом конкретном случае.Для любых специальных применения, квалификационные требования KGD к уровню штампа, различная упаковка или индивидуальные конфигурации, обратитесь в отдел продаж. /cgi-bin/rfq.cgi “method =” post “target =” new “> МГНОВЕННАЯ ЦИТАТА Semiconix P / N Количество ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ – SEMICONIX приложил все усилия, чтобы иметь эту информацию как можно точнее. Тем не менее, SEMICONIX не несет ответственности ни за его использование, ни за какие-либо нарушения права третьих лиц, которые могут возникнуть в результате его использования.SEMICONIX оставляет за собой право пересматривать содержание или изменять свою продуктовую линейку. без предварительного уведомления. Продукты SEMICONIX не авторизованы и не должны использоваться в системах поддержки, которые предназначены для хирургические имплантаты в тело для поддержки или поддержания жизни в самолетах, космическом оборудовании, подводных лодках или ядерных установках без специального письменного согласия. ГЛАВНАЯ ПАКЕТЫ ДЕРЕВА ПРОДУКТОВ /cgi-bin/getpdf.pl?part=SMXLM431&idx=1″> ВЕРСИЯ PDF ПОИСК SEMICONIX ПОЛУПРОВОДНИК www.semiconix-semiconductor.com Тел: (408) 986-8026 Факс: (408) 986-8027 SEMICONIX SEMICONDUCTOR Последнее обновление: Настройки дисплея для наилучшего просмотра: Текущие настройки дисплея: Просмотры страниц: Разрешение экрана: 1124×864 Разрешение экрана: Всего посещений сайта: Качество цвета: 16 бит Качество цвета: бит © 1990- SEMICONIX SEMICONDUCTOR Все права защищены. Никакие материалы с этого сайта не могут быть использованы или воспроизводится без разрешения. Действительный XHTML 1.0 Transitional от http://validator.w3.org |
GirlTube – порно видео
GirlTube – порно видеоПоиск…
Просмотры: 19,860
30:36
Просмотры: 17,720
22:18
Просмотры: 15,660
30:40
Просмотры: 17,790
13:12
Просмотры: 13,750
28:20
Просмотры: 14,490
24:22
Просмотры: 15,290
15:12
Просмотры: 18,170
11:33
Просмотры: 14,590
28:50
Просмотры: 18,320
16:38
Просмотры: 16,140
26:01
Просмотры: 17,680
23:15
Просмотры: 15450
15:28
Просмотры: 19,180
25:46
Просмотры: 14,870
12:53
Просмотры: 17,970
18:36
Просмотры: 15,190
22:47
Просмотры: 13,920
23:19
Цепь лома | Проектирование с использованием тиристора, рабочий
В этом уроке мы узнаем о простой, но эффективной схеме, называемой Цепью лома.По сути, это схема защиты от перенапряжения. Мы рассмотрим концепцию схемы, ее конструкцию с использованием тиристора / SCR, работу схемы, а также некоторые важные ограничения.
Введение
Источники питания – важный компонент в электрических и электронных схемах. Обычно они очень надежны и могут обеспечить хорошее и чистое питание главной цепи. Фактически, срок службы, надежность и долговечность любой электронной системы зависит от хорошего источника питания.
Если источник питания выходит из строя по какой-либо причине, то подключенная к нему цепь будет значительно повреждена, иногда даже без возможности ремонта. Например, одной из распространенных проблем с линейными источниками питания является отказ последовательного транзистора.
При коротком замыкании между выводами коллектора и эмиттера проходного транзистора транзистор выходит из строя, и на выходе будет очень высокое и нерегулируемое напряжение. Если это высокое напряжение подается на основную систему, то чувствительные компоненты, такие как микросхемы, будут повреждены из-за значительного перенапряжения.
Таким образом, довольно часто на выходе источника питания реализуется простая схема защиты от перенапряжения, чтобы в случае неожиданного скачка напряжения не было причинено никакого вреда основной цепи или нагрузке. Это делается с помощью Crowbar Circuit.
Что такое цепь лома?
Цепь лома – это простая электрическая цепь, которая предотвращает повреждение цепей (нагрузку источника питания) в случае перенапряжения источника питания. Он защищает нагрузку, закорачивая выходные клеммы источника питания при обнаружении перенапряжения.
Когда выходные клеммы источника питания закорочены, сильный ток приводит к срабатыванию предохранителя и, таким образом, к отключению источника питания от остальной цепи. Следовательно, простыми словами, задача цепи лома заключается в обнаружении перенапряжения и срабатывании предохранителя (иногда срабатывает автоматический выключатель).
Обычно схемы лома конструируются с использованием тиристора (SCR) или TRIAC в качестве основного закорачивающего устройства.
Схема лома
Теперь, когда у нас есть базовое представление о схеме лома, мы приступим к ее проектированию.В этом уроке я покажу две типичные конструкции, в одной из которых используется тиристор / тиристор, а в другой в качестве закорачивающего устройства используется тиристор.
Лом с тиристором
На следующем изображении показана первая конструкция с тиристором. Все компоненты, необходимые для построения этой схемы, упомянуты ниже.
- Тиристор (Q1)
- Стабилитрон (ZD1)
- Диод Шоттки (SD1)
- Конденсатор фильтра (С1)
- Демпферный конденсатор (C2)
- Понижающий резистор (R1)
- Предохранитель (F1)
Рабочий
Работа этой схемы очень проста.Стабилитрон (ZD1) – это компонент, который обнаруживает перенапряжение. Обычно пороговое напряжение стабилитрона выбирается чуть выше выходного напряжения источника питания (на 1 В больше выходного напряжения).
Когда происходит перенапряжение и если напряжение достигает порогового напряжения стабилитрона, он начинает проводить. Если напряжение все еще увеличивается, падение напряжения на резисторе R1 и выводе затвора SCR (Q1) будет увеличиваться.
Первоначально, когда стабилитрон не проводит, резистор R1 действует как понижающий резистор для вывода затвора тиристора, чтобы он оставался в НИЗКОМ состоянии.Но когда стабилитрон начинает проводить и напряжение на резисторе R1 увеличивается, напряжение затвора также увеличивается.
Когда напряжение на выводе затвора превышает его пороговое напряжение (обычно от 0,6 В до 1 В), тиристор начинает проводить и по существу обеспечивает короткое замыкание между шинами питания. В результате этого короткого замыкания перегорает предохранитель.
Здесь следует помнить один важный момент: текущий рейтинг тиристора должен быть больше, чем у предохранителя.Кроме того, общее напряжение запуска является суммой порогового напряжения стабилитрона и порогового напряжения тиристора.
В схеме есть несколько других компонентов, и давайте посмотрим на их назначение в этой схеме. Во-первых, конденсатор C1 – это конденсатор фильтра, используемый для уменьшения шума и небольших скачков напряжения и предотвращения ненужного срабатывания цепей.
Конденсатор C2 является демпфирующим конденсатором и предотвращает случайное срабатывание тиристора во время включения цепей.Наконец, диод Шоттки действует как диод обратной защиты, чтобы предотвратить срабатывание основной цепи цепи лома.
Пример
Давайте теперь посмотрим на пример конструкции вышеуказанной схемы с использованием значений в реальном времени. Пусть на выходе блока питания будет 8В. Затем пороговое напряжение стабилитрона выбирается равным 9,1 В. Все остальные компоненты и их значения показаны на следующем изображении.
Лом с использованием TRIAC
Сетевой дизайн основан на TRIAC в качестве устройства короткого замыкания.Затвор TRIAC управляется регулируемым стабилитроном, таким как LM431 от Texas Instruments. Кроме того, есть несколько резисторов, чтобы установить опорное напряжение для стабилитрона регулятора.
рабочая
Резисторы R1 и R2 образуют делитель напряжения и установить опорное напряжение на LM431 Регулируемый Зенере регулятор. В обычных условиях эксплуатации, напряжение на R2 несколько ниже, чем опорное напряжение (V REF ) от LM431, так что он остается выключенным.
При правильном выборе катодного резистора R C напряжение на затворе TRIAC будет очень низким, так что он останется выключенным.
Когда напряжение увеличивается из-за состояния перенапряжения, падение напряжения на резисторе R2 превышает значение V REF , и стабилитрон LM431 начинает проводить. В результате катод LM431 начинает потреблять ток, который существенно увеличивает напряжение затвора TRIAC.
Как только напряжение затвора превышает пороговое напряжение, TRIAC защелкивается и замыкает накоротко шины питания и, таким образом, перегорает предохранитель.
Ограничения
Простая схема лома очень полезна для защиты от перенапряжения и, следовательно, является неотъемлемой частью настольных источников питания. Несмотря на то, что эта схема очень полезна, есть некоторые ограничения, которые мы должны принять во внимание.
В конструкции на основе тиристора напряжение срабатывания устанавливается стабилитроном и обычно не регулируется. Следовательно, выбор правильного стабилитрона очень важен. Напряжение триггера схемы должно быть немного выше выходного напряжения источника питания, чтобы выбросы и шум не могли случайно вызвать его.
Когда источник питания используется в радиочастотных конструкциях, например, радиочастотный передатчик, необходимо использовать надлежащую фильтрацию силовых линий до и после передатчика.
В случае перенапряжения цепь срабатывает и перегорает предохранитель. Следовательно, предохранители необходимо заменять каждый раз при возникновении перенапряжения.
Программируемый источник питанияна основе TL431 и двух биполярных транзисторов
TL431 и LM431 – относительно малошумящие, стабильные и недорогие шунтирующие регуляторы. Их можно использовать для создания всевозможных источников питания, включая программируемые источники питания, преимущества которых огромны.Вы можете запрограммировать выходное напряжение с помощью простых переключателей. Вы также можете запрограммировать выходное напряжение с помощью цифровых кодов, поступающих от микроконтроллера (MCU) или от порта принтера ПК. Вы можете индивидуально настроить любое выходное напряжение с помощью резисторов или подстроечных потенциометров до требуемых значений.
В этой статье представлен программируемый источник питания на основе TL431 (IC1) и двух биполярных транзисторов BD139 и TIP31 (T1 и T2).
Схема также включает инвертор 7406 (IC2), девять диодов 1N4007 (с D1 по D9), регулятор 7812 12 В (IC3), регулятор 7805 (IC4) на 5 В и несколько других компонентов.
Используя эту схему, вы можете получить около 18 В, 2 А на нерегулируемом выходе и от 3 до 15 В, 1 А регулируемый источник питания на основе цифрового программируемого входа, как показано в таблице I. CON4 соответственно.
Схема и работа программируемого источника питания с TL431Принципиальная схема программируемого источника питания показана на рис. 1. Питание от сети подается на трансформатор X1, который понижен до 18 В переменного тока, 2 А и подается на мостовой выпрямитель BR1.Предохранитель F1, резистор R15 и конденсатор C14 защищают X1 от внешнего перенапряжения. C6 – основной фильтрующий конденсатор, который должен быть не менее 2200 мкФ.
Рис. 1: Принципиальная схема программируемого источника питанияНапряжение, создаваемое TL431, регулируется потенциометрами VRx (VR1 – VR6) и может быть рассчитано по упрощенной формуле, приведенной ниже:
Vout = 2,5 В × (1 + R12 / (R13 + VRx))
Таким образом, максимальное выходное напряжение (Voutmax) рассчитывается как:
Voutmax = 2.5 В × (1 + 10 кОм / 2 кОм) = 2,5 В × 6 = 15 В
Потому что в данном случае R12 = 10 кОм, а R13 = 2 кОм. Минимальное выходное напряжение (Voutmin) рассчитывается как:
Voutmin = 2,5 В × (1 + 10 кОм / (2 кОм + 47 кОм) = 2,5 В x 1,2 = 3 В
Потому что в данном случае R12 = 10 кОм, R13 = 2 кОм и VRx = 47 кОм.
В таблице I показано, как можно установить выходное напряжение с помощью цифровых кодов от C0 до C5.
Максимальный выходной ток устанавливается переключателями S1, S2 и S3, как показано в Таблице II.
Строительство и испытанияОдносторонняя печатная плата реального размера для программируемого источника питания показана на рис. 2, а расположение компонентов – на рис. 3. После сборки всех компонентов поместите печатную плату в коробку, чтобы можно было подключить к сети переменного тока 230 В. схема легко. CON2, CON3 и CON4 можно установить на задней стороне шкафа. J1 – J3, показанные на печатной плате, представляют собой просто перемычки. Закрепите VR1 – VR6 на передней панели для настройки выходного напряжения.
Рис. 2: Односторонняя печатная плата программируемого блока питания фактического размера Рис. 3: Компонентная схема печатной платы Перед использованием схемы проверьте контрольные точки, указанные в Таблице III. После завершения схемы подключите CON5 к MCU или порту принтера ПК для установки различных выходных напряжений.
T1 и T2 следует устанавливать на общий радиатор с тепловой нагрузкой ниже 2 ° C / Вт.
Максимальная рассеиваемая мощность T2 может достигать 30 Вт, если у нас минимальное выходное напряжение 2.5 В и максимальный выходной ток 2 А.
Мы можем заменить Т1 и Т2 на силовой транзистор Дарлингтона с рассеиваемой мощностью не менее 75 Вт. Размер радиатора значительно уменьшится, если мы будем использовать охлаждающий вентилятор 12 В, подключенный к выходу вспомогательного регулятора напряжения 7812.
Регуляторы 7812 и 7805 следует устанавливать на радиаторах с тепловым сопротивлением ниже 20 ° C / Вт. Кроме того, мы можем установить максимальный выходной ток, используя комбинацию трех разомкнутых и замкнутых переключателей S1, S2 и S3.
Перед использованием схемы установите напряжение питания около 18–20 В от источника постоянного тока с защитой от короткого замыкания. Используйте VR1 и установите любое подходящее выходное напряжение, например 12 В. Теперь используйте VR2 и установите другое выходное напряжение, скажем, 10,8 В.
Аналогичным образом используйте остальные потенциометры для определения требуемых выходных напряжений. Установите функцию ограничения выходного тока, подключив S1, S2 и S3, как показано в Таблице II. Запрограммированное выходное напряжение доступно на CON2.
Загрузите PDF-файлы с компоновкой печатной платы и компонентов:
нажмите здесьПетре Цв Петров был исследователем и доцентом в Техническом университете Софии (Болгария) и экспертом-лектором в OFPPT (Casablance), Королевство Марокко.Сейчас работает инженером-электронщиком в частном секторе Болгарии
Схема выпрямителя регулятора мотоцикла