Электроника для начинающих. Электронные компонеты, обозначения на схемах, логические элементы, типы корпусов
| Основы |
Электронные компоненты
При создании электронных схем используется широкое разнообразие компонентов. Следующим шагом изучения электроники для начинающих будет рассмотрение наиболее распростаненных электронных деталей.
| Условное обозначение | Название и назначение элемента | Вид |
| Резистор | ||
| Переменный резистор |
|
|
| Конденсатор |
|
|
| Электролитический конденсатор |
| |
| Диод |
|
|
| Транзистор |
|
|
| Светодиод |
|
|
| Фотодиод |
|
|
| Фототранзистор |
|
Логические элементы
Для создания нейронных цепей и “мозга” BEAM-робота используются различные логические элементы.
Их обозначение на схемах может осуществляться в рамках российского ГОСТ, который не сильно отличается от европейского стандарта DIN, или в рамках американской системы ANSI.
|
Условное обозначение в системе ГОСТ / DIN |
Условное обозначение в системе ANSI | Название и назначение элемента |
| Элемент НЕ | ||
| Элемент И | ||
| Элемент ИЛИ | ||
| Элемент И-НЕ | ||
| Элемент ИЛИ-НЕ |
Электронные микросхемы
При создани электронных схем роботов широко применяются различные виды микросхем.
Микросхемы выпускаются в различных корпусах. Наиболее удобными для монтажа на макетных платах являются микросхемы в DIP-корпусах.
Типы корпусов микросхем
| DIP – типы корпусов микросхем, которые могут быть выполнены из пластика (PDIP) или керамики (CDIP). Предназначены для монтажа в отверстия печатной платы. Удобны при использовании с макетными платами, в том числе с контактными макетными платами. | |
SOIC, SO, SOP – корпуса микросхем предназначенные для поверхностного монтажа на печатные платы. Отличаются большей компактностью по сравнению с DIP.
|
|
| SOT-23 – также как и SOIC предназначен для поверхностного монтажа на печатной плате. | |
| QFP – корпус с четырьмя рядами контактов. Разновидностью является TQFP, имеющий малую высоту корпуса, и ряд других. Предназначен для поверхностного монтажа. При монтаже в любительских условиях требует развитых навыков пайки. В корпусах данного типа выпускаются мощные микроконтроллеры и программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС). |
При выборе корпусов полупроводниковых приборов и полупроводниковых сборок следует обращать внимание на удобство их монтажа, особенно если при создании схем роботов используются макетные платы.
Корпуса полупроводниковых приборов
TO-92 – малогабаритный корпус с гибкими выводами, удобен для монтажа на контактных макетных платах. В корпусах TO-92 выпускаются транзисторы малой и средней мощности, а также целый ряд других полупроводниковых приборов.
|
|
| TO-220 – корпус, в котором выпускаются мощные транзисторы и другие полупроводниковые приборы большой мощности. На мощных транзисторах в корпусах TO-220 строят, например, схемы управления электродвигателями (драйверы моторов). |
Элементы микросхем оу
Элементами микросхем называют их неделимые составные части, которые нельзя отделить от кристалла микросхемы. Вместе с тем, каждый из элементов: транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов выполняют свои функции, имея электрическую связь с подложкой, а иногда и друг с другом.
До недавнего
времени абсолютное большинство микросхем
ОУ изготовлялось по биполярной технологии,
предусматривающей создание в
приповерхностном слое кремния биполярных
транзисторов, полевых транзисторов с
управляющим p-n
переходом, а также резисторов и
конденсаторов небольших емкостей.
Биполярная технология предусматривает
изоляцию отдельных элементов друг от
друга и соединение их между собой только
с помощью тонких металлических пленок,
наносимых поверх окисла SiO2.
При использовании МОП – технологии изоляции элементов друг от друга в большинстве случаев не требуется. По этой причине, в частности, МОП – технология проще и дешевле. При ее использовании МОП – транзисторы могут располагаться близко друг от друга, т.е. повышается плотность компоновки элементов и коэффициент использования площади кристалла. Благодаря уменьшению размеров МОП – транзисторов их частотные свойства стали сравнимы с частотными свойствами транзисторов, выполненных по биполярной технологии. Все это привело к широкому использованию МОП – технологии при изготовлении микросхем ОУ. По нашим оценкам в настоящее время уже больше 40% всех выпускаемых микросхем ОУ изготовляется по МОП – технологии.
Рассмотрим
внутреннюю структуру элементов микросхем
ОУ.
На рис 1.1.а приведена внутренняя
структура n-p-n
транзистора, а на рис 1.1.б его топология
(вид сверху) [1].
Рис. 1.1. Внутренняя структура n-p-n транзистора (а, разрез по линии АА,
б, топология n-p-n транзистора )
Незаштрихованная
область n
на рис 1.1.а представляет собой так
называемый n
– карман, который снизу окружен подложкой
p
– типа, а с четырех боковых сторон p
– областями, образованными за счет
диффузии акцепторной примеси. Внутри
n
– кармана располагается p – область
базы, также полученная с помощью диффузии.
Внутри области базы располагается
область n+,
полученная путем второй диффузии, но
уже донорной примеси ( + означает высокую
степень легирования материала). Выводы
областей эмиттера, базы и коллектора,
выполненные металлическими полосками,
изображены на рисунке 1.1.а в Т – образном
виде, на рис 1.1.б они заштрихованы. Для
хорошего контакта коллекторного вывода
под металлической полоской область
коллектора высоколегированна.
На рис
1.1.б приведены примерные размеры
транзисторов в микрометрах.
При указанных размерах транзистора и типовом режиме его изготовление транзистор будет обладать параметрами приведенными в таблице 1.1. [1].
Таблица 1.1
Параметр | Значение | Допуск при изготовлении , % |
Коэффициент усиления базового тока Предельная частота f т1, МГц Коллекторная емкость, пФ Пробивное напряжение Uкб, В Пробивное напряжение Uэб, В | 100 – 200 200 – 500 0,3 – 0,5 40 – 50 7 – 8 |
Транзистор n–p–n
является основным элементом биполярной
технологии.
Изготовление всех других
элементов стараются совместить с
технологией изготовления n–p–n
транзисторов.
В качестве диодов можно использовать эмиттерный и коллекторный p–n переходы транзистора n–p–n типа. При этом возможно пять вариантов организации диодов: между базой и эмиттером ( коллекторный вывод транзистора не используется) Б–Э, между базой и коллектором (эмиттерный вывод не используется) Б–К, между соединенными между собой базой и коллектором с одной стороны и эмиттером с другой стороны (БК–Э), между соединенными между собой базой и эмиттером с одной стороны и коллектором с другой стороны (БЭ–К), между соединенными между собой эмиттером и коллектором с одной стороны и базой с другой стороны (ЭК–Б).
Параметры диодов приведены в таблице 1.2 Таблица 1.2
Параметр | Тип диода | ||||
БК–Э | Б – Э | БЭ – К | Б – К | Б – ЭК | |
Uпр, В Iобр, нА Сд, пФ Со, пФ tв, нс | 7 – 8 0,5 – 1 0,5 3 10 | 07 – 8 0,5 – 1 0,5 1,2 50 | 40 – 50 15 – 30 0,7 3 50 | 40 – 50 15 – 30 0,7 3 75 | 7 – 8 20 – 40 1,2 3 100 |
В таблице
использованы следующие обозначения
Uпр – напряжение пробоя диода, Iобр – ток закрытого диода, Cд – емкость закрытого диода, Cо
– емкость между базой диода и подложкой
(при этом база может быть соединена с
эмиттером или коллектором), tв
– время восстановления при переключении
диода из открытого в закрытое состояние.
Как видно из приведенных в таблице данных, наибольшим напряжением пробоя характеризуются диоды, использующие только коллекторный переход, поскольку области коллектора и базы менее легированы, чем область эмиттера. С другой стороны, эмиттерный переход имеет меньшую площадь и по этой причине меньший ток закрытого перехода и меньшую емкость перехода. Меньшее время восстановления имеет диод с закороченным коллекторным переходом (БК–Э), поскольку накопление неосновных носителей при открытом диоде происходит только в области базы, а в других случаях и в области коллектора.
Резистор в полупроводниковой интегральной схеме может быть изготовлен как и n-p-n транзистор, но с использованием всего одной диффузии акцепторной примеси. Внутренняя структура резистора приведена на рис. 1.2.
Рис. 1.2. Внутренняя структура резистора, выполненного с
использованием базовой области
Базовая область
n-p-n
транзистора в данном случае служит в
качестве резистора.
Для увеличения
сопротивления резистора его топологию
делают зигзагообразной. На рис 1.3
приведена возможная топология резистора.
В черный цвет закрашены контактные
площадки для подсоединения резистора
к другим элементам микросхемы.
Заштрихованная область p
находится под слоем SiO2.
Рис. 1.3. Зигзагообразная топология
полупроводникового резистора
Максимальное сопротивление резистора, выполненного указанным методом составляет 40-60 кОм, разброс в процессе изготовления , а температурный коэффициент изменения сопротивления составляет 0,15…0,3 % /оС.
Для получения
больших значений сопротивлений можно
использовать, как и при изготовлении
n-p-n
транзистора вторую донорную диффузию.
При этом ширина канала базовой области
между контактными площадками резистора
уменьшается и сопротивление может быть
получено порядка сотен кОм. Для получения
еще больших значений сопротивлений
может быть использована ионная
имплантация.
Для создания резисторов
малых сопротивлений можно использовать
низкоомный эмиттерный слой. При этом
удается получить минимальные
сопротивления, равные 3…5 Ом.
По биполярной технологии может быть изготовлен и полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Например, полевой транзистор с p-каналом может иметь внутреннюю структуру, приведенную на рис 1.4 [1].
Рис. 1.4. Внутренняя структура транзистора с р-каналом
Полевые транзисторы, полученные таким образом имеют сравнительно небольшую крутизну, равную примерно несколько мА/В.
Биполярные транзисторы типа p-n-p, полученные с использованием типовой технологии изготовления n-p-n типа транзисторов, имеют малые (<10) и низкие предельные частоты (fт < 10 МГц). Для изготовления более совершенных транзисторов необходимо использовать технологически более сложную тройную диффузию.
Рассмотренные
выше структуры биполярных и полевых
транзисторов изолированы от других
элементов с помощью обратно смещенного
p-n
перехода.
Более совершенной является
диэлектрическая изоляция. При этом
транзисторы обладают гораздо лучшими
параметрами (большие
иfт).
Как уже указывалось выше, МОП транзисторы могут использоваться без изоляции их друг от друга. При этом может быть уменьшено и количество технологических операций при их изготовлении.
На рис 1.5 приведена внутренняя структура МОП-транзистора с индуцируемым n-каналом [2].
Рис. 1.5. Внутренняя структура МОП-транзистора с
индуцируемым n-каналом
Как видно на рисунке, требуется использовать всего одну диффузию донорной примеси.
Как известно,
частотные свойства МОП-транзисторов
определяются значениями паразитных
емкостей, образующихся между выводами
транзистора, а также подложкой. В свою
очередь значения емкостей во многом
зависят от площади, занимаемой
МОП-транзистором на поверхности
кристалла.
Благодаря совершенствованию
технологических процессов изготовления
площади транзисторов все время
уменьшаются. В настоящее время при
изготовлении микропроцессоров на кристалле
размером 10х10 мм2 может быть
расположено 108 транзисторов,
т.е. площадь одного транзистора составляет
всего 1 мкм2 (площадь n-кармана
биполярного n-p-n
транзистора, выполненного по традиционной
биполярной технологии, топология,
которого приведена на рис 1.1.б, составляет
3500 мкм2).
Для изготовления
конденсаторов могут быть использованы
в биполярной технологии емкости p-n
переходов, в МОП технологии – подзатворные
емкости транзисторов. Электронно-дырочные
переходы при использовании их в качестве
емкостей должны быть закрыты. Значения
их емкостей будут зависеть от запирающего
напряжения. В этом отношении гораздо
удобнее использовать подзатворную
емкость МОП-транзистора, поскольку на
затвор может быть приложено как
положительное, так и отрицательное
напряжение.
Типичные параметры
интегральных конденсаторов приведены
в таблице 1.3 [1].
Таблица 1.3
Тип конденсатора | Смакс, пФ | Допуск при изготовле-нии, % | ТКЕ, %/оС | Пробивное напряже-ние, В | Q (1МГц) |
Переход БК Переход БЭ МОП-транзистор | 300 1200 500 | -0,1 -0,1 +0,02 | 50 7 20 | 50-100 1-20 200 |
В таблице
использованы следующие обозначения:
ТКЕ – температурный коэффициент
изменения емкости, Q
– добротность, определяемая на высоких
частотах как отношение реактивного
сопротивления к активному:
,
где,
аR
– сопротивление потерь, обусловлено
падением напряжения на последовательно
включенном с емкостью сопротивлением.
Как видно из приведенных в таблице 1.3 данных, несмотря на сравнительно большое значение максимальной емкости использовать переход БЭ в качестве диода нецелесообразно из-за малого пробивного напряжения и малой добротности на высоких частотах. Предпочтительно использовать емкость МОП-транзистора, имеющую малый ТКЕ и большую добротность.
В целом, следует отметить, что большинство параметров элементов микросхем имеют значительный разброс при изготовлении, к тому же они изменяются в пределах 10…50% при изменении температуры в диапазоне 100оС (например, от -50оС до +50оС). Это приводит к значительным разбросам параметров микросхем и их большой температурной нестабильности.
Вместе с тем,
необходимо подчеркнуть, что параметры
одинаковых элементов, расположенных
в кристалле микросхемы рядом друг с
другом, за счет сравнительно высокой
однородности материала и их изготовления
в едином технологическом процессе
получаются по значениям очень близкими.
Это используется при создании микросхем
операционных усилителей.
История интегральных схем (ИС) – изобретение микросхемы
Пожалуй, самым выдающимся изобретением за последние 60 лет было создание полупроводниковой микросхемы. Он был изобретен в 1958 г. американскими инженерами Д. Килби и Р. Нойсом, будущим основателем Intel. Независимо друг от друга, но практически одновременно, они предложили размещать отдельные электронные элементы на общей (интегральной) основе из полупроводниковых материалов. В 1961 г. компания Fairchild Semiconductor, возглавляемая Р. Нойсом, первой в мире наладила промышленное производство полупроводниковых микросхем, и с тех пор в электронной технике вместо большого количества транзисторов используются микросхемы. Электронные устройства уменьшились в размерах, и появились новые функциональные возможности.
Полупроводники – начало интегральной схемы Полупроводники – вещества, занимающие по своей электропроводности промежуточное положение между металлами и изоляторами.
В электронике используются в основном полупроводниковые материалы, такие как кремний, германий, арсенид галлия, селен. Носителями тока в них являются отрицательно заряженные свободные электроны, оторвавшиеся от своих атомных ядер; их количество сильно зависит от температуры. Пустые пространства, из которых высвобождаются электроны, физики условно называли «дырками».
Если соединить два слоя полупроводников с разным типом проводимости, электроны вытесняются из одного в другой, оставляя в первом «дырки». Между слоями с разным типом проводимости находится так называемый барьерный слой с повышенным электрическим сопротивлением, так как он обеднен носителями заряда, при этом свойствами барьерного слоя можно управлять, прикладывая к нему напряжение (а также свет) .
Комбинация полупроводников Сочетание полупроводников с разными типами проводимости имеет и другие замечательные свойства. Она может создать эл. и т.д. с. (электродвижущая сила) при падении света на прибор или, наоборот, излучают свет при прохождении тока определенной полярности, генерируют термоэлектричество, создают разность температур на разных концах (эффект Пельтье).
Полупроводниковые датчики температуры, тензодатчики (тензометрические датчики), датчики магнитного поля.
Оригинальная гибридная интегральная схема Джека Килби из 1958
Необходимость уменьшения габаритов интегральной микросхемыИзобретенные в начале ХХ века ламповые диоды и триоды стали основой для множества электронных устройств – радиоприемников и передатчиков, усилителей, измерительных приборов и автоматики.
Кроме того, любая электронная микросхема содержит многочисленные резисторы, конденсаторы, соединительные провода, а часто еще и детали обмотки и механические узлы. Элементы соединяются между собой пайкой, иногда сваркой. Оборудование было трудоемким в производстве и дорогим.
Попытки обойти эти недостатки не очень увенчались успехом, и вполне естественно физики и инженеры стали искать другую элементную базу.
Изобретение полупроводникового диода
В начале 1920-х годов началась эра твердотельных полупроводниковых приборов.
Молодой физик О.В. Лосев разработал первый полупроводниковый диод – кристадин – в Нижегородской радиолаборатории. Он успешно использовался для усиления и генерации электрических колебаний. Позднее появились диоды других типов – выпрямительные, точечные, варикапы, стабилитроны, туннельные диоды, фотодиоды, светодиоды и др.
В 1948 г. американские изобретатели У. Шокли, У. Браттейн и Дж. Бардин создали новый усилительный полупроводниковый прибор – транзистор (триод) с управлением током, совершив фундаментальную революцию в электронике. В результате применения полупроводниковых диодов и триодов резко уменьшились габариты аппаратуры и энергопотребление, повысилась надежность.
Позднее (Шокли, США, 1952 г. и Тезнер, Франция, 1958 г.) были созданы другие типы многослойных полупроводниковых приборов — так называемые полевые транзисторы с управлением напряжением, аналогичные по характеристикам электронным лампам и имеющие огромный выигрыш по мощности.
Роберт Нойс изобрел первую монолитную интегральную схему в 1959 году.
Чип был сделан из кремния.
Дальнейшая работа по уменьшению габаритов интегральных микросхем
Однако жизнь настоятельно требовала дальнейшего совершенствования электронных устройств. Трудоемкость изготовления, материалоемкость и габариты были еще слишком высоки. Переход на печатные платы частично решил эти проблемы, но большое количество отдельных электронных компонентов наложило свои ограничения. Необходимо было минимизировать количество пайки, снижающей надежность, и длину соединительных проводников, снижающую производительность. Также нужно было хоть как-то избавиться от многочисленных резисторов и конденсаторов, хотя бы частично.
Дальнейший прогресс в электронике связан с использованием интегральных микросхем. Интегральная микросхема представляет собой миниатюрное электронное устройство, элементы которого неразрывно связаны конструктивно и электрически между собой.
«Сердцем» интегральной микросхемы является кристалл из особо чистого полупроводникового материала (чаще всего кремния), в структуру которого внесены сложные целенаправленные изменения.
Отдельные участки кристалла становятся элементами сложной системы. К определенным точкам кристалла крепятся выводы микросхемы (иногда их бывает несколько десятков), которые припаиваются к печатной плате электронного устройства. В кристалле специальными методами (диффузия, напыление, травление и др.) транзисторы (в современном микропроцессоре их много миллионов), диоды, резисторы, конденсаторы (разумеется, в ограниченном диапазоне емкостей).
Все процессы изготовления интегральных микросхем требуют высокого качества материалов и прецизионного оборудования, высочайшей культуры производства, стерильной чистоты.
В настоящее время интегральные микросхемы широко используются в компьютерах, контрольно-измерительных приборах, средствах связи, бытовых электронных устройствах… Устройства на основе твердотельных и цифровых технологий успешно заменяют традиционные устройства. Например, стали возможны часы, фотоаппарат и «магнитофон» без движущихся частей, плоский экран телевизора.
Микрочипы даже «зашивают» в документы и вживляют под кожу. Возможности микроэлектроники поистине огромны.
Интересные факты об изобретении интегральной схемы (ИС)
- Идея интегральной микросхемы пришла к изобретателю в один из июльских дней 1958 года прямо на рабочем месте. Поскольку Джек Килби был принят на работу в Texas Instruments всего пару месяцев назад, он не мог уйти в отпуск, как и большинство его коллег. Но он не отвлекался, и у Килби было достаточно времени подумать. Как рассказывал сам изобретатель, ему вдруг пришла в голову мысль: а что если все части микросхемы, а не только транзисторы, сделать из полупроводниковых материалов и собрать на одной плате? Боссу Texas Instruments идея понравилась, и он попросил Джека Килби изготовить микросхему по новому принципу.
- Первый прототип микросхемы Килби, изготовленный вручную, выглядел весьма непрезентабельно. Он состоял из германиевой пластины и закладных частей электронной пластины, преобразующей постоянный ток в переменный.
Для соединения блоков использовалась подвесная металлическая проволока. Однако после ряда доработок интегральная микросхема была готова к серийному производству. - Поначалу Texas Instruments медленно патентовала и коммерциализировала принцип интеграции Килби. Патент был получен лишь спустя пять месяцев, 6 февраля 19 г.59, на фоне слухов о том, что конкуренты, RCA, собираются запатентовать микрочип. Однако слухи оказались ложными.
- Однако история показала, что Texas Instruments волновалась не напрасно. В январе 1959 года изобретателю Роберту Нойсу, работавшему в небольшой калифорнийской фирме Fairchild Semiconductor и в то время не знавшему об изобретении Килби, пришла в голову мысль, что вся электронная микросхема может быть собрана на одном кристалле. Весной Fairchild Semiconductor подала в патентное ведомство заявку на защиту интеллектуальных прав на «единую микросхему», где вопрос соединения компонентов микросхемы был лучше, чем у Texas Instruments. Примечательно, что в 1966 Texas Instruments и Fairchild Semiconductor признали равные права на интегральную микросхему во избежание патентных войн.
- За изобретение интегральной микросхемы, благодаря которой электроника стала меньше, Джек Килби получил Нобелевскую премию по физике в 2000 году. Он также известен как изобретатель карманного калькулятора и термопринтера.
Для соединения блоков использовалась подвесная металлическая проволока. Однако после ряда доработок интегральная микросхема была готова к серийному производству.
Часто задаваемые вопросы about The History of the IC
25 апреля был выдан первый патент на интегральную схему. Его получил Роберт Нойс. Заявление Килби в то время все еще анализировалось. Однако сегодня признано, что они оба пришли к идее создания интегральной схемы независимо друг от друга
Подробнее
На сегодняшний день прототип Килби был очень примитивным, но работал. 12 сентября 1958 года Килби продемонстрировал первую работу интегральной схемы и подал заявку на патент 6 февраля 1959 года.
Die angeforderte Seite wurde nicht gefunden. Es wird einesuchanfrage für Sie gestartet.
Запрошенная страница не найдена. Для вас будет начат поиск.
Siesuchen nur auf www.scc.kit.edu . ➔KIT-weitsuchen
Print & Plot – Zentraler Druckdienst
Studierende und Beschäftigte des KIT können Hier A4- и A3-Dokumente sowie Großformate bis 890 mm kurze Seite drucken.
★ (Курзадрессе): scc.kit.edu/printundplot
Контакт: Allgemein: printundplot-cs∂scc kit edu
Клаусурен: klausurdruck∂scc kit edu Ответ: Harald Bauer Harald Meyer Hermann Wolf
[…] -S-
Централдракер
3 nur von den jeweiligen Pool-PCs erreichbar
[…]
Flyer von Print & Plot
Flyer 04.1 – Drucken am SCC (PDF, 248 kB)
Flyer 0900PDF Printing at 2SCC2 04.3 –
https://www.scc.kit.edu/dienste/printundplot.php
27.02.2023
Steinbuch Center for Computing (SCC) → Dienste → Arbeitsumgebung → Drucken → Print & Plot – Zentraler Druckdienst53
153 Auftragsstatus [
Auftragsstatus [★ scc.
kit.edu/pp-status ]
Hier finden Sie Informationen zu unserem Druckprozess und den Statusangaben der Auftragsstatusseiten. Über die blauen Schaltflächen gelangen Sie
[…]
zum …
Bündeln aller Aufträge eines Benutzers aus dem vergangenen 12 мин. Intervall zu einem PDF mit mehreren Teilaufträgen (Ersparnis an Druckkosten und Platz in den Ausgabefächern).
Anschließend Übergabe des gebündelten
https://www.scc.kit.edu/dienste/8729.php
18.11.2022
Steinbuch Center for Computing (SCC) → Dienste → Arbeitsumgebung → Drucken → Print & Plot – Zentraler Druckdienst → Auftragsstatus
15
15
15 Добавлены в macOS
URL-адресов, которые были сохранены.
Hinweis: Seit dem 28.10.2020 verbinden sich allle KIT-Mitglieder (Studierende und Mitarbeiter) mit demselben neuen Druckserver scc-print-srv2!
Zentraldrucker Druckserver “scc-print-srv2.scc.kit.edu”
6.1 A3/A4 S/W Zentraldrucker :
[…]
Plattformunabhängiges Drucken
Объявление: Außerhalb des KIT-Netzes ist für diesen Dienst eine VPN-Verbindung notwendig!
Mit der Web-Schnittstelle webPRINT содержит PDF- и PostScript-данные для веб-браузера (например, Firefox, Safari) и формат A3/A4-Centraldrucker am CS geschickt werden.
Das gewünschte Seitenlayout (Hoch-/Querformat, “Mehrere
https://www.scc.kit.edu/dienste/6696.php
21.10.2022
Steinbuch Center for Computing (SCC) → Dienste → Arbeitsumgebung → Drucken → Print & Plot – Zentraler Druckdienst → FAQ / Hilfe → Drucken & Drucker → – под macOS
Drucken von außerhalb des KIT-Netzes
“A 9009füus folgendes eingeben:Hinweis: Seit dem 28.10.2020 verbinden sich allle KIT-Mitglieder (Studierende und Mitarbeiter) mit demselben neuen Druckserver scc-print-srv2!
\\scc-print-srv2.scc.kit.edu
* Tipp – “Ausführen” öffnen: Комбинация вкусов + заказ…
Startmenü öffnen und
[…]
Plattformunabhängiges Drucken
Hinweis: Außerhalb des KIT-Netzes ist für diesen Dienst eine VPN-Verbindung notwendig!
Mit der Web-Schnittstelle webPRINT содержит PDF- и PostScript-данные для веб-браузера (например, Firefox, Safari) и формат A3/A4-Centraldrucker am CS geschickt werden.
Das gewünschte Seitenlayout (Hoch-/Querformat, “Mehrere https://www.scc.kit.edu/dienste/6549.php
21.10.2022
Steinbuch Center for Computing (SCC) → Dienste → Arbeitsumgebung → Drucken → Печать и сюжет – Zentraler Druckdienst → FAQ / Hilfe → Drucken & Drucker → – von außerhalb des KIT
Allgemein
zur Verfügung?
Studierenden (Контотип: uabcd) sowie Mitarbeitern und “Gästen & Partnern” (Контотип: ab1234) des KIT stehen folgende, vom SCC (P&P) betriebenen Drucker zur Verfügung:
•
Aru-1 Dücker 9 Campus Nur am0 In jedem Pool-Raum steht
[…]
Campus Süd)
Großformat Normalpapier Farbdrucker
Großformat Fotopapier Farbdruckter
Virtuelle PDF-Drucker (PDF24 oder PDFCreator ) zur Erstellung eines PDFs über das “Drucken”-Menü der Anwendung (erzeugen Sie keine ПДФ миттели “Шпайхерн 9″0101 https://www.scc.kit.edu/dienste/8130.
php
02.08.2022
Steinbuch Center for Computing (SCC) → Dienste → Arbeitsumgebung → Drucken → Print & Plot – Zentraler Druckdienst → FAQ / Hilfe → Allgemein
Direktdruck [
Директдрак [★ scc.kit.edu/pp-direktdruck ]
Direktdruck aus der Anwendung ist nach einmaligem Einrichten der P&P-A3/A4-Zentraldrucker auf dem PC/Notebook nutzbar. Ауссерхальб
[…]
Direktdruck unter Linux
Direktdruck steht unter Linux leider nicht zur Verfügung. Bitte benutzen Sie zum Drucken den Web-Upload für PDF-Dateien webPRINT .
https://www.scc.kit.edu/dienste/8739.php
21.10.2022
Steinbuch Center for Computing (SCC) → Dienste → Arbeitsumgebung → Drucken → Print & Plot – Zentraler Druckdienst → FAQ / Hilfe → Drucken & Drucker → – mit Direktdruck
Drucken & Drucker [
Drucken & Drucker [★ scc.
kit.edu/pp-drucken ]
Der schnelle Überblick. In Hauptartikeln werden alle Themen ausführlich mit Hinweisen und Tipps behandelt. Beachten
[…]
anschließender Auswahl des/der “CS-A3_A4_SW-…” или “CS-A3_A4-Farb-Zentraldrucker”. Die grüne Schaltfläche führt zur Anleitung.
webPRINT
Über die Seite scc.kit.edu/webprint konnen PDF-Druckaufträge and die zentralen A3/A4-Einzelblatt- und Großformatdrucker hochgeladen werden. Die grüne Schaltfläche führt zur webPRINT-Infoseite, die wichtige Hinweise enthält und
https://www.scc.kit.edu/dienste/6542.php
21.10.2022
Steinbuch Center for Computing (SCC) → Dienste → Arbeitsumgebung → Drucken → Print & Plot – Zentraler Druckdienst → FAQ / Hilfe → Drucken & Drucker
A3/A4 Zentraldrucker
A3/A4 Zentraldrucker
Inhaltsübersicht
sprungmarken_marker_14666
Nutzungsbedingungen
KIT-Mitglieder erhalten automatisch Druckberechtigung für die zentralen Drucker des SCC.
Studierende müssen в Воркассе Третен (Дракконто).
“Gäste & Partner” в Abstimmung mit der gastgebenden OE.
[…]
-sw
Статус CS-A3/A4-Farbdrucker: ★ scc.kit.edu/pp-farbe
Статус CS-Normalpapierposter: ★ scc.kit.edu/pp-normalcs
Статус CS-Fotopapierposter:
[…]
Прямая посылка на A3/A4 Zentraldruckern ist auch auf den Pool-PCs eingerichtet.
webPRINT
Plattform- u. Standortunabhängiges Drucken von PDF-u. PostScript-Dateien для веб-загрузки. Zur Erstellung von PDFs beachten Sie unseren dringenden Hinweis weiter unten “Tipps – PDF-Generierung” .
Für
https://www.scc.kit.edu/dienste/14652.php
22.11.2022
Steinbuch Center for Computing (SCC) → Dienste → Arbeitsumgebung → Drucken → Print & Plot – Zentraler Druckdienst → FAQ / Hilfe → Drucken & Drucker → – A3/A4-Drucker
Drucken unter Windows
In “Ausführen”* folgendes eingeben:
Hinweis: Seit dem 28.
10.2020 verbinden sich alle KIT-Mitendglieder (Studierbeginden sich alle KIT-Mitendglieder) Druckserver scc-print-srv2!
\\scc-print-srv2.scc.kit.edu
* Tipp – “Ausführen” öffnen: Tastekombination + oder…
Startmenü öffnen und
[…]
Plattformunabhängiges Drucken
Hinweis: Außisterhalbze Быстрый доступ к VPN не работает!
Mit der Web-Schnittstelle webPRINT содержит PDF- и PostScript-данные для веб-браузера (например, Firefox, Safari) и формат A3/A4-Centraldrucker am CS geschickt werden. Das gewünschte Seitenlayout (Hoch-/Querformat, “Mehrere
https://www.scc.kit.edu/dienste/6547.php
14.10.2022
Steinbuch Center for Computing (SCC) → Dienste → Arbeitsumgebung → Drucken → Print & Plot – Zentraler Druckdienst → FAQ / Hilfe → Drucken & Drucker → – под Windows
Anzeige Druckfortschritt (“Auftragsstatus”)
∂scc kit edu) oder wenden Sie sich an den P&P-Helpdesk, Raum -151.
