Транзисторы 2N2222 и A1015 – маркировка, цоколевка, основные параметры.
Транзисторы 2N2222 и 2N2222A.
Транзисторы кремниевые структуры n-p-n,
высокочастотные переключающие.
Используются в качестве ключевых элементов и в схемах усиления постоянного тока.
Выпускаются в корпусе TO-18.
Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже – цоколевка 2N2222.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор-эмиттер 10 в – 75
Граничная частота передачи тока :
У транзисторов 2N2222
– 250МГц.
У транзисторов 2N2222A
– 300МГц.
Максимальное напряжение коллектор – эмиттер:
У транзисторов 2N2222
– 30 в.
У транзисторов 2N2222A – 40 в.
Максимальное напряжение коллектор – база:
У транзисторов 2N2222
– 60 в.
У транзисторов 2N2222A
– 75 в.
Максимальное напряжение эмиттер – база:
У транзисторов 2N2222
– 5 в.
У транзисторов 2N2222A
– 6 в.
Максимальный ток коллектора постоянный и пульсирующий – 800 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер :
У транзисторов 2N2222 при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА
– 0,4 в.
У транзисторов 2N2222A при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА
– 0,3
Напряжение насыщения база-эмиттер :
У транзисторов 2N2222 при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА
– 1,3 в.
У транзисторов 2N2222A при токе коллектора 150 мА, базы 15 мА
– 1,2 в.
Рассеиваемая мощность коллектора – 500 мВт.
Использованы материалы с Popular Transistors
Транзисторы A1015O, A1015Y, A1015GR.
Транзисторы A1015 кремниевые маломощные широкого применения, структуры p-n-p, Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно – цифровая, на корпусе. На рисунке ниже – цоколевка A1015.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока :
У транзисторов A1015Y – от 120 до 240
У транзисторов A1015GR – от 200 до 400
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер – 50 в.
Максимально допустимое напряжение коллектор-база – 50 в.
Максимально допустимое напряжение коллектор-база – 5 в.
Максимальный ток коллектора – 150 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер – 0,3 в.
Рассеиваемая мощность коллектора
– 0,4 Вт.Граничная частота передачи тока – 4 МГц.
На главную страницу
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.
2N2222 транзистор характеристики и его российские аналоги
Биполярный транзистор 2N2222 — описание производителя.
Основные параметры. Даташиты.Наименование производителя: 2N2222
Тип материала: Si
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
2N2222 Datasheet (PDF)
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2222AC1 • High Speed Saturated Switching • Hermetic Surface Mounted Package. • >1.2. 2n2222ahr.pdf Size:1138K _upd
2N2222AHR Hi-Rel 40 V, 0.8 A NPN transistor Datasheet — production data Features Parameter ESCC JANS 1 2 BVCEO min 40 V 50 V 3 IC (max) 0.
8 A TO-18 3 3 hFE at 10 V — 150 mA 100 4 1 1 2 2 • Hermetic packages LCC-3 UB • ESCC and JANS qualified Pin 4 in UB is connected to the metallic lid. • Up to 100 krad(Si) low dose ratee Description Figure 1. Internal schematic
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2222AC1 • High Speed Saturated Switching • Hermetic Surface Mounted Package. • >1.4. p2n2222ag.pdf Size:165K _upd
P2N2222A Amplifier Transistors NPN Silicon Features • These are Pb—Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (TA =25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Value Unit 2 BASE Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc 3 Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc EMITTER Collector Current — Continuous IC 600 mAdc Total Devi
SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas
SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package.
• Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM – 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD – 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP – 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA
SILICON SWITCHING NPN TRANSISTOR 2N2222AC3A, 2N2222AC3B 2N2222AC3C • High Speed Saturated Switching • Hermetic LCC3 Ceramic package. • Variant B to MIL-PRF-19500/255 outline • Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise stated) VCBO Collector – Base Voltage 75V VCEO Collector – Emitter Voltage 50V VEBO Emitter – Bas
1.9. mtp2n2222a.pdf Size:238K _motorola
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by P2N2222A/D Amplifier Transistors NPN Silicon P2N2222A COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Collector�Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 Collector�Base Voltage VCBO 75 Vdc CASE 29�04, STYLE 17 Emitter�Base Voltage VEBO 6.
1.10. p2n2222a.pdf Size:238K _motorola
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by P2N2222A/D Amplifier Transistors NPN Silicon P2N2222A COLLECTOR 1 2 BASE 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 1 2 Collector�Emitter Voltage VCEO 40 Vdc 3 Collector�Base Voltage VCBO 75 Vdc CASE 29�04, STYLE 17 Emitter�Base Voltage VEBO 6.0 Vdc TO�92 (TO�226AA) Collector Current � Continuous IC 600 mAdc
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D125 2N2222; 2N2222A NPN switching transistors 1997 May 29 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN switching transistors 2N2222; 2N2222A FEATURES PINNING � High current (max. 800 mA) PIN DESCRIPTION � Low voltage (max. 40 V). 1 emitter 2 ba
2N2218-2N2219 2N2221-2N2222 HIGH-SPEED SWITCHES DESCRIPTION The 2N2218, 2N2219, 2N2221 and 2N2222 are sili- con planar epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2218 and 2N2219) and in Jedec TO-18 (for 2N2221 and 2N2222) metal cases.
They are designed for high-speed switching applications at collector currents up to 500 mA, and feature use- ful current gain over a wide range of col
2N2219A 2N2222A � HIGH SPEED SWITCHES PRELIMINARY DATA DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A) metal case. They are designed for high speed switching application at collector current up to 500mA, and feature useful current gain over a wide range of collector current, low leakage cur
2N2219A 2N2222A � HIGH SPEED SWITCHES PRELIMINARY DATA DESCRIPTION The 2N2219A and 2N2222A are silicon Planar Epitaxial NPN transistors in Jedec TO-39 (for 2N2219A) and in Jedec TO-18 (for 2N2222A) metal case. They are designed for high speed switching application at collector current up to 500mA, and feature useful current gain over a wide range of collector current, low leakage cur
DATA SHEET 2N2221A 2N2222A NPN SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2221A, 2N2222A types are Silicon NPN Planar Epitaxial Transistors designed for small signal general purpose and switching applications.
MAXIMUM RATINGS: (TA=25�C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VCBO 75 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VEBO
MCC 2N2222 Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA 91311 2N2222A Phone: (818) 701-4933 Fax: (818) 701-4939 Features � High current (max.800mA) � Low voltage (max.40V) NPN Switching � Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) (“P” Suffix designates Transistors RoHS Compliant. See ordering information) Maximum Ratings Symbol Ra
1.17. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi
P2N2222A Amplifier Transistors NPN Silicon Features � These are Pb—Free Devices* http://onsemi.com COLLECTOR 1 MAXIMUM RATINGS (TA =25�C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Value Unit 2 BASE Collector—Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector—Base Voltage VCBO 75 Vdc 3 Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 Vdc EMITTER Collector Current — Continuous IC 600 mAdc Total Device Dis
1.18. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek
Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUB September 1996 Surface Mount NPN General Purpose Transistor Type JANTX, JANTXV, 2N2222AUB Feature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted) Collector-Base Voltage .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 V �Ceramic surface mount package Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . .
1.19. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek
1.20. p2n2222 a.pdf Size:240K _cdil
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS P2N2222 P2N2222A EBC TO-92 Complementary Silicon Transistors For Switching And Linear Applications DC Amplifier & Driver For Industrial Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL 2222 2222A UNIT Collecto
1.21. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon
SEMICONDUCTOR 2N2222AU TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SC-323/SC-70 package which 3 is designed for low power surface mount applications. Features 1 2 compliance with RoHS requirements.
• We declare that the material of product SC-70 / SOT– 323 ORDERING INFO
1.22. 2n2222ae.pdf Size:462K _first_silicon
SEMICONDUCTOR 2N2222AE TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon These transistors are designed for general purpose amplifier 3 applications. They are housed in the SC-89 package which is designed for low power surface mount applications. 1 Features 2 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product SC-89 ORDERING INFORMATION COLLECTOR
1.23. 2n2222as.pdf Size:446K _first_silicon
SEMICONDUCTOR 2N2222AS TECHNICAL DATA General Purpose Transistor NPN Silicon 3 compliance with RoHS requirements. • We declare that the material of product 2 1 ORDERING INFORMATION † SOT–23 Device Maring Shipping 2N2222AS 1P 3000 / Tape & Reel COLLECTOR 3 1 MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C) BASE Rating Symbol Max Unit 2 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc EMITTER Col
Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors 2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB 2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUB Features • Qualified to MIL-PRF-19500/255 • Levels: Commerical JANS JANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) • TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB Packages Absolute Maximum Ra
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
Юмор: Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N2222.Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора 2N2222 . Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора. Можно попробовать заменить транзистор 2N2222 транзистором MM513; Коллективный разум.Добавлено пользователями: пользователь: AMI , дата записи: 2015-05-20 15:09:22 дата записи: 2017-01-01 08:08:02 2N904 — аналог; 2SC1213 — возможный аналог; Добавить аналог транзистора 2N2222.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N2222? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения. Другие разделы справочника:Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Транзисторы 2N2222 и 2N2222A.Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высокочастотные переключающие. Используются в качестве ключевых элементов и в схемах усиления постоянного тока. Выпускаются в корпусе TO-18. Тип прибора указывается на корпусе. Наиболее важные параметры.Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор-эмиттер 10 в — 75 Граничная частота передачи тока : Максимальное напряжение коллектор — эмиттер: Максимальное напряжение коллектор — база: Максимальное напряжение эмиттер — база: Максимальный ток коллектора постоянный и пульсирующий — 800 мА. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер : Напряжение насыщения база-эмиттер : Рассеиваемая мощность коллектора — 500 мВт. Транзисторы A1015O, A1015Y, A1015GR.Транзисторы A1015 кремниевые маломощные широкого применения, структуры p-n-p, Корпус пластиковый TO-92. Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка A1015. Наиболее важные параметры. Коэффициент передачи тока : Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 50 в. Максимально допустимое напряжение коллектор-база — 50 в. Максимально допустимое напряжение коллектор-база — 5 в. Максимальный ток коллектора — 150 мА. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер — 0,3 в. Рассеиваемая мощность коллектора — 0,4 Вт. Граничная частота передачи тока — 4 МГц. Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”. |
/Н.Фоменко/
Только с ножками не всегда удобно.; 
|
2N2222 Производитель: CDIL Material: 2N2222-CDI NPN THT transistors |
под заказ 5212 шт срок поставки 7-14 дня (дней) |
|
2N2222 Производитель: MULTICOMP PRO Description: MULTICOMP PRO – 2N2222 – Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 800 mA, 500 mW, TO-18, Through Hole Transistor Polarity: NPN Product Range: – Power Dissipation Pd: 500 DC Current Gain hFE: 100 Operating Temperature Max: 200 Transistor Mounting: Through Hole MSL: – Automotive Qualification Standard: – DC Collector Current: 800 Transistor Case Style: TO-18 Transition Frequency ft: 250 No.  of Pins: 3Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
под заказ 59148 шт срок поставки 10-18 дня (дней) |
|
2N2222 Производитель: STMicroelectronics Description: TRANS NPN 30V 0.6A TO-18 Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Frequency – Transition: 250MHz Power – Max: 500mW DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current – Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.  6V @ 50mA, 500mAVoltage – Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current – Collector (Ic) (Max): 600mA Transistor Type: NPN Part Status: Obsolete Packaging: Tube Manufacturer: STMicroelectronics Base Part Number: 2N22 Supplier Device Package: TO-18 |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
2N2222 Производитель: STMicroelectronics Trans GP BJT NPN 30V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
2N2222 Производитель: ON Semiconductor Description: NPN MED GEN PUR AMP TO-18 Base Part Number: 2N2222 Supplier Device Package: TO-18 Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Power – Max: 500mW Transistor Type: NPN Current – Collector (Ic) (Max): 800mA Voltage – Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.  6V @ 50mA, 500mAPart Status: Obsolete Packaging: Bulk Manufacturer: onsemi |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
2N2222 Производитель: MICROSS/On Semiconductor Description: DIE TRANS NPN MED PWR GEN PURP Manufacturer: MICROSS/On Semiconductor Part Status: Active Packaging: Tray |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
2N2222 Производитель: STMicroelectronics Bipolar Transistors – BJT NPN General Purpose |
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину |
2N2222 Производитель: CDIL NPN 800mA 40V 500mW 300MHz Trans.  2N2222 TO18 T2N2222 |
под заказ 100 шт срок поставки 14-28 дня (дней) |
PN2222ATA транзистор (2222 NPN 0040V 1000mA TO-92 PN2222ATA Fairchild)
- Продукция
- Транзистори
- …2N…
Производитель: Fairchild
Код товара: Т0000009214
Маркировка: PN2222
Количество приборов:
Параметры
| Наименование | Значение | Единица измерения | Режим изменения |
|---|---|---|---|
| Проводимость | NPN | ||
| Функциональное назначение выводов | 1=E 2=B 3=K | ||
| Напряжение коллектор-база | 75 | V | @open emitter |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 40 | V | @open base |
| Напряжение эмиттер-база | 6 | V | @open collector |
| Ток коллектора max | 1 000 | mA | |
| Мощность | 625 | mW | |
| Обратный ток коллектора | 10 | nA | @Ie=0@Vcb=60V |
| Обратный ток эмиттера | 10 | nA | @Ic=0@Veb=3V |
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ | 100…300 | @Ic=150mA@Vce=10V | |
| Граничная частота | 300 | MHz | @Ic=20mA@Vce=20V |
| Температура рабочая | -55…+150 | *C |
2N2222 to-92 | Биполярные транзисторы
| Код товара : | M-161-7055 |
|---|---|
| Обновление: | 2019-09-14 |
| Тип корпуса : | TO-92 |
Дополнительная информация:
Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса.
На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2N2222 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.
На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить 2N2222 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.Что еще купить вместе с 2N2222 to-92 ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.
| Код | Наименование | Краткое описание | Розн. цена |
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара | |||
| 7055 | 2N2222 to-92 | Транзистор 2N2222A (2N2222) – NPN Transistor 40V, 800mA, 30 MHz, TO-92 | 1.6 pyб. |
| 1658 | Щупы для мультиметра (модель FC-136) | Набор из двух прочных универсальных щупов для различных мультиметров (тестеров). Длина провода 1 метр. | 127 pyб. |
| 7396 | S9014 to-92 | Транзистор S9014 – Plastic-Encapsulate Transistors NPN, 25V, 50mA, 0.2W, TO-92 | 1.4 pyб. |
| 7334 | 2N3904 to-92 | Транзистор 2N3904 – NPN Bipolar Transistor 40V, 200mA, TO-92 | 1.4 pyб. |
| 9659 | Конденсатор 1000uF 25V (JCCON) | Конденсаторы электролитические 1000 мкф 25в (JCCON, 105°C, размер 10×20мм) | 6. 5 pyб. |
| 9032 | Конденсатор 100uF 35V (JCCON) | Конденсаторы электролитические 100 мкф 35в (JCCON, 105°C, размер 6×12 мм) | 2.1 pyб. |
| 8973 | Конденсатор 2200uF 35V (JCCON) | Конденсаторы электролитические 2200 мкф 35в (JCCON, 105°C, размер 13×26 мм) | 16.5 pyб. |
| 7338 | BC557 | Транзистор BC557 – PNP Bipolar Transistor 50V, 100mA, TO-92 | 2 pyб. |
| 9804 | Конденсатор 100uF 50V (JCCON) | Конденсаторы электролитические 100 мкф 50в (JCCON, LOW ESR, 105°C, размер 8х12мм) | 3.2 pyб. |
| 9802 | Конденсатор 10uF 50V (JCCON) | Конденсатор электролитический 10 мкф 50в (JCCON, LOW ESR, 105°C, размер 5х11мм) | 1.8 pyб. |
Транзистор MMBT2222ALT1, NPN, 40V, 600mA, корпус SOT-23
Описание товара Транзистор MMBT2222ALT1, NPN, 40V, 600mA, корпус SOT-23Транзистор MMBT2222ALT1, NPN, 40V, 600mA, корпус SOT-23 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент.
Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.
Технические характеристики
- Тип транзистора: NPN
- Рабочее напряжение: 40V
- Рабочий ток: 600mA
- Тип корпуса: SOT-23
Особенности транзисторов MMBT2222ALT1, NPN, 40V, 600mA, корпус SOT-23
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.
Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов.
Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.
Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:
- В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
- Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.
- Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
- Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
- В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.
Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.
Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.
Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.
Экспериментальный средневолновый передатчик на транзисторе 2N2222
Схема маломощного передатчика на средние волны, собран на одном транзисторе.
Во многих регионах страны уже нет вещания на средневолновом диапазоне, но в советское время этот диапазон был достаточно густо населен. И выпускалось очень много радиовещательных приемников, работающих на средних и длинных волнах.
Увы, сейчас они просто один из видов антиквариата. Причем уже, без какой-либо практической ценности, ведь даже убедиться в работоспособности такого приемника не представляется возможным.
Но все же можно «оживить» старую «Селгу» или «Альпиниста», и даже приспособить их для работы, например, в качестве беспроводной компьютерной колонки, можно при помощи несложного устройства, схема которого здесь показана. Это простой однотранзисторный маломощный передатчик, работающий в диапазоне от 450 до 2000 кГц.
Это со значительным запасом перекрывает средневолновый диапазон. Мощность данного передатчика очень мала, так что беспокоиться о том, как бы случайно не «нарадиохулиганить», не о чем.
Мощность передатчика при работе на метровую суррогатную антенну позволяет принять его сигнал на «Селгу-405» с тояния не более пяти-шести метров.
Принципиальная схема
Схема представляет собой генератор «емкостная трехточка». Частота генерации задается контуром на катушке L1 и переменном конденсаторе С5. В качестве катушки L1 взят готовый ВЧ дроссель типа RLB0914-221KL, индуктивностью 220 мкГн.
Поэтому катушка никак не подстраивается, – вся настройка исключительно при помощи переменного конденсатора С5, в качестве которого используется конденсатор с воздушным диэлектриком, применявшийся в ламповых радиолах.
Рис. 1. Принципиальная схема маломощного средневолнового радиопередатчика на транзисторе 2N2222A.
Сигнал в антенну снимается с коллектора VТ1. Модулирующий сигнал подается на базу транзистора через конденсатор С2. Он изменяет напряжение смещения на базе транзистора, тем самым, изменяя амплитуду генерируемого сигнала.
Переменный резистор R1 служит для регулировки уровня входного НЧ сигнала, то есть, практически, для регулировки глубины амплитудной модуляции.
Детали и конструкция
Передатчик был сделан исключительно с экспериментальными целями, поэтому печатная плата или монтаж для него не разрабатывался, только все было собрано «на весу», задней стороной к переменному конденсатору, как к наиболее тяжелой детали.
Но, конечно же, передатчик можно оформить и в виде законченной конструкции на печатной плате или шасси. Источником питания может быть любой источник постоянного тока, хорошо профильтрованного напряжения 5-15V.
Данная схема одинаково хорошо работала как при питании от батареи типа «Крона», так и от лабораторного блока питания. Схема заработала сразу же после первого включения.
Но, подбором сопротивления R2 можно выбрать оптимальный режим работы транзистора, при котором сигнал звучит из приемника с минимальными искажениями. Следует заметить, что антенна здесь подключена непосредственно к контуру, задающему частоту, поэтому она влияет и на его настройку.
То есть, если вы, например, пройдете близко от антенны, это может привести к временному уходу частоты. Впрочем, при очень близком расположении к приемнику, прием возможен и вообще без антенны. Причем, весьма неплохой прием.
Андреев С. РК-12-19.
2N2222A Распиновка, характеристики, эквивалент и техническое описание
2N2222A Конфигурация выводовНомер контакта | Имя контакта | Описание |
1 | Излучатель | Ток утечки через эмиттер |
2 | База | Управляет смещением транзистора |
3 | Коллектор | Ток протекает через коллектор |
- Биполярный сильноточный NPN-транзистор
- Коэффициент усиления постоянного тока (ч FE) составляет 100
- Постоянный ток коллектора (I C ) составляет 800 мА
- Напряжение базы эмиттера (В BE ) составляет 6 В
- Напряжение коллектор-эмиттер (В CE ) 30 В
- Базовый ток (I B ) не более 5 мА
- Доступен в пакете To-92
Примечание: Полные технические подробности можно найти в листе данных 2N2222A , приведенном в конце этой страницы.
BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200
2N2222A Эквивалентные транзисторы2N2907 (PNP), 2N3904 (PNP), 2N3906 (PNP), BC637, S9014, BC148, 2N4403, MPS2222, PN2222, KN2222, KTN2222
2N2222A Краткое описание 2N2222A – это NPN-транзистор , поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (обратное смещение), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (прямое смещение), когда сигнал подается на базовый вывод.2N2222A имеет значение усиления от 110 до 800, это значение определяет усилительную способность транзистора. Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 800 мА, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 800 мА, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (I B ) должен быть ограничен до 5 мА.
Когда этот транзистор полностью смещен, через коллектор и эмиттер может протекать максимум 800 мА.Эта стадия называется областью насыщения, и типичное напряжение, допустимое на коллектор-эмиттер (V CE ) или база-эмиттер (V BE ), может составлять 200 и 900 мВ соответственно. Когда ток базы снимается, транзистор полностью отключается, этот этап называется областью отсечки, и напряжение на базе эмиттера может составлять около 660 мВ.
Где использовать 2N2222AТранзистор 2N2222A очень похож на обычно используемый NPN-транзистор BC547.Но есть две важные особенности, которые отличают обоих. 2N2222A может пропускать ток коллектора до 800 мА, а также имеет рассеиваемую мощность 652 мВт, которая может использоваться для управления большими нагрузками, чем по сравнению с BC547.
Итак, если вы ищете транзистор NPN, который мог бы переключать нагрузки с более высоким током, тогда 2N2222A может быть правильным выбором для вашего проекта.
Этот транзистор, как и все, можно использовать либо как переключатель, либо как усилитель.Напряжение база-эмиттер этого транзистора составляет 6 В, поэтому вам просто нужно подать это напряжение на базу и эмиттер транзистора, чтобы вызвать ток базы в транзистор. Этот транзистор смещает его в прямом направлении и, таким образом, замыкает соединение между коллектором и эмиттером. Однако одна важная вещь, на которую следует обратить внимание, – это базовый резистор, также известный как токоограничивающий резистор. Как следует из названия, этот резистор ограничивает ток, протекающий через транзистор, чтобы предотвратить его повреждение. Значение этого резистора можно рассчитать по формуле
R B = V BE / I B
Чтобы упростить задачу, я показал упрощенную схему, позволяющую сделать транзистор переключателем.В реальных схемах могут потребоваться модификации.
Я использовал базовое напряжение 5 В и номинал 1 кОм в качестве токоограничивающего резистора.
Обратите внимание, что двигатель здесь потребляет около 500 мА от источника питания 12 В, поскольку 2N2222 имеет номинальный ток коллектора до 800 мА, эта схема возможна, если бы это был BC547, транзистор должен был сгореть.
Приложения- Может использоваться для переключения сильноточных (до 800 мА) нагрузок
- Может также использоваться в различных коммутационных приложениях.
- Контроль скорости двигателей
- Инверторные и другие выпрямительные схемы
- Может использоваться в паре Дарлингтона.
2D помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на монтажной плате или печатной плате.
P2N2222A – Усилитель на транзисторах NPN Silicon
% PDF-1.
4
%
1 0 объект
>
эндобдж
5 0 obj
>
эндобдж
2 0 obj
>
эндобдж
3 0 obj
>
ручей
BroadVision, Inc.2020-08-11T13: 15: 24 + 02: 002013-01-10T10: 59: 36-07: 002020-08-11T13: 15: 24 + 02: 00application / pdf
}-HH_4 # zSDH9% D @ (8ei.
// hF +
Основы 2N2222
Привет, друзья, надеюсь, у вас все отлично. В сегодняшнем уроке я расскажу о новом электронном компоненте под названием 2N2222. Я собираюсь обсудить все основные детали этого транзистора. Это биполярный транзистор NPN, с которым связан широкий спектр приложений.
Вот схема расположения выводов 2N2222, а затем я начну с ее основных деталей:
Основы 2N2222
- 2N2222 – это NPN-транзистор, что означает, что он имеет один легированный P слой, расположенный между двумя легированными N слоями.
- Это транзистор с биполярным переходом, сокращенно BJT.
- Он имеет три терминала с именами:
- Излучатель.
- Коллектор.
- База.
- Это транзистор, управляемый током.
- Имеет ток коллектора 800 мА.
- Рассеиваемая мощность 2N2222 составляет 500 мВт.
- Может работать при температуре от -65 ° C до 200 ° C.
- Напряжение коллекторной базы 2n2222 равно 60.
- Напряжение коллектор-эмиттер 2n2222 равно 30.
- Напряжение базы эмиттера 2n2222 равно 5.
Работа 2Н2222
- Как я уже упоминал ранее, это транзистор, управляемый током.
- Итак, небольшой ток на базовом выводе используется для управления большим током между двумя другими выводами.
- Используется для коммутации из-за быстрого времени отклика.
Приложения 2N2222
Он имеет широкий спектр применений, и я собираюсь обсудить некоторые из них здесь:
- Используется для усиления тока.
- Он также используется в качестве переключателя для автоматического включения или выключения любых приборов.
- Благодаря малому времени отклика его можно использовать для широтно-импульсной модуляции.
- В основном используется во встроенных проектах и проектах автоматизации.
Итак, это все, что касается транзистора с биполярным переходом, названного 2N2222.
Если у вас, ребята, возникнут проблемы во время работы над транзистором, спрашивайте в комментариях, и я постараюсь их решить. Встретимся, ребята, в следующем уроке.А пока береги себя и развлекайся !!! 🙂
2N2222 Распиновка транзистора, эквивалент, особенности, применение и применение
Распиновка транзистора2N2222, аналог, особенности, применение, применение, описание транзистора и информация о том, как и где его использовать.
Характеристики / технические характеристики:- Тип упаковки: TO-92
- Тип транзистора: NPN
- Максимальный ток коллектора (I C ): 600 мА
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 40 В
- Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 75 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 В
- Макс.рассеиваемая мощность коллектора (шт.): 625 милливатт
- Максимальная частота перехода (fT): 300 МГц
- Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 35-300
- Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
PNP Дополнением к 2N2222 является 2N2907
Аналог:2N2219, 2N1613, 2N2218, 2N2792, NTE123A, 2N3904 (конфигурация выводов НЕКОТОРЫХ транзисторов отличается от 2N2222, проверьте конфигурацию выводов перед заменой в цепи)
2N2222 Описание транзистора / Описание:2N2222 также является одним из широко используемых транзисторов в коммерческих приборах, образовательных и хобби-проектах.Транзистор содержит одни из лучших особенностей в своем маленьком корпусе. Например, ток коллектора транзистора составляет 600 мА, что неплохо для использования его в качестве переключателя для одновременного управления множеством нагрузок в электронной схеме. Максимальное рассеивание коллектора транзистора составляет 625 мВт, что делает этот транзистор идеальным для использования в каскадах аудиоусилителя и в качестве выходного усилителя для управления небольшим аудиодинамиком. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора составляет 40 В, поэтому пользователь может использовать его в любой цепи, работающей ниже 40 В постоянного тока.
Где и как использовать:Благодаря своим хорошим характеристикам 2N2222 может использоваться в самых разных электронных проектах, большой ток коллектора 600 мА делает этот транзистор идеальным для использования в ваших электронных проектах для управления реле, мощными светодиодами, другими мощными транзисторами и ИС одновременно. время. 2N2222 также может использоваться для усиления аудиосигналов, например, его можно использовать в каскадах предусилителя звука, а также в каскадах аудиоусилителя.Его также можно использовать в качестве небольшого аудиоусилителя или для управления небольшим динамиком в электронных проектах.
Заявки:
Предусилители звука
Ступени усилителя звука
Одновременное переключение множества нагрузок (благодаря выходу 600 мА в небольшом корпусе TO-92)
Пары Дарлингтона
RF Схемы
Цепи датчика
Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:Чтобы получить максимальную производительность с транзистором 2N2222, пользователь не должен устанавливать нагрузку более 600 мА, напряжение коллектор-эмиттер транзистора должно быть ниже 40 В.Используйте подходящий базовый резистор, который обеспечивает требуемый ток на базе транзистора. Не храните и не используйте транзистор ниже -55 и выше +150 по Цельсию.
2N2222A Транзистор: конфигурация контактов – Envirementalb.com
2N2222A Транзистор – это обычный NPN, широко используемый в маломощных усилительных или переключающих схемах общего назначения. Он содержит одни из лучших функций в своем маленьком пакете. Упакован в тип ТО-18. Максимальное рассеивание коллектора транзистора составляет 625 МВт, что делает его идеальным для использования в каскадах аудиоусилителя и выходном усилителе для управления небольшими аудиоколонками.
Транзистор 2222, используемый во всех типах схем, работающих под напряжением 40 В постоянного тока, поскольку максимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора составляет 40 В. Он допускает максимум 800 мА при полном смещении (стадия насыщения). Когда ток базы пропал, транзистор 2n2222 полностью отключился, этот этап называется областью отсечки.
Характеристики / технические характеристики 2N2222A- Тип упаковки: TO-92
- Тип транзистора: Биполярный сильноточный NPN-транзистор
- Максимальный ток коллектора (I C ): Непрерывный ток коллектора (I C ) составляет 800 мА
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (V CE ): 40V
- Максимальное напряжение коллектор-база (V CB ): 75V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO): Базовый ток 6 В (I B ) не более 5 мА
- Рассеиваемая мощность коллектора (ПК): 625 милливатт
- Максимальная частота перехода (fT): 300 МГц
- Коэффициент усиления постоянного тока: (ч FE) составляет 100
- Рабочая температура Должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
Эквивалент транзисторов 2N2222A
MPS2222, PN2222, BC637, S9014, 2N2907 (PNP), 2N3904 (PNP), 2N3906 (PNP), BC148, 2N4403, KN2222, KTN2222.
Комплимент транзистора 2Н2222А
BC557 является хорошим дополнением к транзистору 2n2222a.
Где использовать этот транзистор
Этот транзистор аналогичен обычно используемому транзистору BC547. Но есть две важные особенности, которые отличают 2N2222A от BC547. Ток коллектора до 800 мА, а также рассеиваемая мощность 652 мВт, поэтому он может выдерживать большие нагрузки, чем по сравнению с BC547.
Приложения
- Используется в коммутационных приложениях, потому что имеет хорошую коммутационную способность.
- Контроль скорости двигателей.
- Используется в инверторах и других выпрямительных схемах.
- Может использоваться в паре Дарлингтона из-за высокой производительности.
Подробнее
Произведено в Германии Пакет из 25 Juried Engineering 2N2222A 2N2222 2222 Транзистор BJT NPN 75V 0,6A 625 мВт 3-контактный TO-92 Эпитаксиальные кремниевые биполярные транзисторы коммерческого класса
Произведено в Германии Пакет из 25 инженеров Juried Engineering 2N2222A 2N2222 2222 Транзистор BJT NPN 75V 0,6A 625 мВт 3-контактный TO-92 Эпитаксиальные кремниевые биполярные транзисторы коммерческого класса
Разъем L16-20 Блокировка заземления NEMA Powertronics Connections Connector 20A 480V 3Pole4Wire.1 X 12-дюймовый штекер N для MCX Мужской прямоугольный коаксиальный кабель RF-антенны 30 см RG174 Сборка для беспроводных кораблей из США, BULUSHI 4 шт. 9 см x 15 см односторонняя универсальная печатная плата для прототипа бумажной печатной платы, упаковка из 20 светодиодов для маяков 12v 0805 Chip / Micro SMD широкоугольный предварительно смонтированный чистый зеленый светодиод 10 В, 11 В, 12 В, 13 В, 14 В, 15 В, 16 В, 17 В, 18 В Ультра яркий. Произведено в Германии Пакет из 25 инженеров 2N2222A 2N2222 2222 Транзистор BJT NPN 75V 0,6A 625 мВт 3-контактный TO-92 Эпитаксиальные кремниевые биполярные транзисторы Коммерческий класс , TEMCo 2 Морская термоусадочная трубка 3: 1 Клейкая подкладка 4 фута черного цвета, 6 -24 В постоянного тока Датчик переключателя нулевой скорости Phares Electric Коммутационная способность 5 А Реле NO / NC ZS09P1-D, G-NiceRF 2PCS RF4463F30 470 МГц 1 Вт SPI SI4463 3.ВЧ-модуль 5 км, INDUSTRIAL MRO 5C-13-K24 NSNP, Произведено в Германии Пакет из 25 Juried Engineering 2N2222A 2N2222 2222 Транзистор BJT NPN 75V 0.6A 625 мВт 3-контактный эпитаксиальный кремниевый биполярный транзистор TO-92 коммерческого класса . 5-миллиметровый круглый верхний рассеянный желтый / оранжевый светодиодный блок из 50 сверхярких, T8AL250VP 8A, 250 В, медленный стеклянный предохранитель, 630 мм, 5 шт. 20 Pack LW CESS проходной тип RJ45 RJ-45 8P8C CAT5 CAT5e Модульные кабельные разъемы с позолоченной сеткой для сети Ethernet, ETL и Energy Star, сертифицированные IC Ультратонкий светодиодный встраиваемый светильник с распределительной коробкой, замена 45 Вт.OSTWIN, 4 дюйма, 9 Вт, 630 лм, не требуется, регулируемая яркость 4000K, круглая панель, вафельный светильник. Произведено в Германии Пакет из 25 инженерных специалистов 2N2222A 2N2222 2222 Транзистор BJT NPN 75V 0.6A 625 мВт 3-контактный TO-92 Эпитаксиальные кремниевые биполярные транзисторы Коммерческий класс , diymore 5PCS 0.36 Синий светодиодный дисплей Цифровая трубка 74HC595 Десятичные точки 7 сегментов 8-разрядные часы Модуль последовательного драйвера для Arduino, Taiss 3590S-2-201L 200 Ом, 10-поворотный многооборотный поворотный прецизионный потенциометр с проволочной обмоткой, 10 кольцевых регулируемых резисторов, счетный диск Поворотная ручка,
Произведено в Германии Пакет из 25 инженеров 2N2222A 2N2222 2222 Транзистор BJT NPN 75V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Эпитаксиальные кремниевые биполярные транзисторы коммерческого класса
Произведено в Германии Пакет из 25 инженеров Juried Engineering 2N2222A 2N2222 2222 Транзистор BJT NPN 75V 0,6A 625 мВт 3-контактный TO-92 Эпитаксиальные кремниевые биполярные транзисторы коммерческого класса
Желаю хорошо провести время на берегу моря. Подошва из вулканизированной резины обеспечивает надежное сцепление, брелок – Подарки для животных и другие вешалки для сумочек, юбка из тюля, украшенная бантом на эластичном поясе, квадратная скатерть 60 дюймов с каждой стороны, цельные жаккардовые эластичные чехлы для диванов Subrtex.Т-образный инструмент для скейтборда происходит от одного из пользующихся наибольшим доверием имени в скейтбординге, Линия продуктов: Spacer Couplings; Серии: 71 серия; Модель = 150, и, пожалуйста, подтвердите информацию о размере в соответствии с нашим описанием, а не фотографиями: Пользовательские дверные наклейки Виниловые наклейки разных размеров Все, что должно быть сделано до даты Рождество Бизнес Рождественские продажи Наружные наклейки для багажа и бампера для автомобилей Красные 30X20 дюймов Набор из 10: Офис Продукция, дата первого упоминания: 10 января. Отверждается с помощью процесса термообработки, чтобы гарантировать стойкость цвета и долговечность дизайна.Banana King Alpaca Llama Baby Beanie Hat Зимняя теплая вязаная шерстяная шапка для мальчиков и девочек в магазине мужской одежды, купите YUNY Womens Print Stand Up Collar Baseball Pockets Long Sleeve Zip Outwear Jacket Pattern3 S и другие повседневные куртки в, Cricket Evolution Мужская забавная толстовка с капюшоном Толстовка с капюшоном в магазине мужской одежды. Наша обувь имеет фаски для бесшумного торможения. Произведено в Германии Пакет из 25 инженеров Juried Engineering 2N2222A 2N2222 2222 Транзистор BJT NPN 75V 0.6A 625mW 3-контактный TO-92 Эпитаксиальные кремниевые биполярные транзисторы товарного сорта , для сохранения качества вашей кружки.Пожалуйста, не стесняйтесь просматривать нашу политику и отзывы, легко читаемые надписи можно прочитать на расстоянии, Браслет-браслет Ldurian для матери и дочери – мамы и дочери никогда не расстаются на расстоянии, может быть, на расстоянии, но никогда не в сердце Браслет-манжета для мамы от дочери: Одежда, она защищает вашу спину и заботится о вашем ноутбуке и других ценностях. Размер открытия ботинка составляет примерно 11 дюймов. * Большая часть моих украшений ручной работы также доступна в других цветах. Время обработки 2 дня Срок доставки 15-20 дней Обычной доставкой 7-9 дней может быть доставлено через Срочную доставку Этот веер сделан вручную из перьев марабу индейки , надежно застегивается на посеребренную латунную поворотную застежку-лобстер. Пожалуйста, спросите у меня стоимость доставки в вашу страну.3) Доказательства будут отправлены в выбранные сроки (после предоставления всей информации). 7) Размер XLarge: 50 x 70 дюймов / 127 x 177 см, мне нравится внешний вид гончарных / керамических бусин, но они такие тяжелые. После загрузки вы можете распечатать файлы столько раз, сколько захотите, нажмите кнопку «Rush». “Заказать” в левой части моего магазина. и они никогда не потеряют свою растяжку, Произведено в Германии Пакет из 25 Juried Engineering 2N2222A 2N2222 2222 Транзистор BJT NPN 75V 0.6A 625 мВт 3-контактный эпитаксиальный кремниевый биполярный транзистор TO-92 товарного сорта .Blue Starfish Designs Качественные украшения ручной работы, изготовленные вручную в Англии, с отметкой 925 пробы, в разгар туристического сезона. Вы влюбитесь в уникальную личность каждого персонажа. Наша свадебная куртка-болеро Loraina изготовлена из мягчайшего кружева шантильи и разработана таким образом, чтобы обеспечить необходимую степень защиты, не закрывая никаких деталей великолепного платья без бретелек, вы можете надеть больше на бобину Jumbo. Очень хороший подарок для ваших детей, и пусть они с удовольствием рисуют в детстве. Каждый PowerLock подходит только для одноразового применения.Попрощайтесь с громоздкими продуктами, которые сложно установить, – соломинки из нержавеющей стали: кухня и столовая. Официальная бейсбольная коллекционная карточка Louis Cardinals MLB ЭКСКЛЮЗИВ ДЛЯ БЛАСТЕРА: Предметы коллекционирования и изобразительное искусство. : Детская кроватка Боковое спальное место Прикроватная складная переносная люлька (серая): Baby. 2 Pit Bike Нейлоновый протектор поворотного рычага для 110cc 125cc 140cc 160cc: Автомобиль и мотоцикл. Подходит для ситуации, когда кабель HDMI необходимо изгибать. Движущей силой для серии Aero является конструкция балки Aeromodular для уменьшения сопротивления ветру и увеличения скорости головки ракетки, TT ELECTRONICS / WELWYN RESISTOR.1 карта увеличенного размера с изображением Lunala-GX. Произведено в Германии Пакет из 25 Juried Engineering 2N2222A 2N2222 2222 Transistor BJT NPN 75V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Эпитаксиальные кремниевые биполярные транзисторы товарного класса , Элегантный вид в винном шкафу и современный дизайн дополняют эстетику любого стола, Простота использования: скалка для тиснения высшего качества, разработанная для простоты использования.
PN2222 NPN-транзистор: схема расположения выводов, техническое описание, эквивалент [FAQ]
PN2222 – это биполярный соединительный транзистор NPN , который используется в обычных схемах усиления или перестановки цепей с пониженным энергопотреблением.
В этом блоге содержится основная информация о PN2222, включая его распиновку, функции, эквиваленты использования, принцип работы и различия между 2N2222 и так далее. В любом случае, надеюсь, этот блог поможет, и спасибо за чтение!
Каталог
PN2222 Распиновка
| PN2222 | PN2222 Распиновка |
| Номер контакта | Имя контакта | Описание |
| 1 | Коллектор | Эмиттер для текущего движения внутрь. |
| 2 | База | База управляет смещением транзистора. |
| 3 | Эмиттер | Эмиттер для отвода тока. |
PN2222 Характеристики
Это биполярный пользовательский NPN-транзистор с более высоким током.
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) равен 100.
Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 800 мА.
Его (VBE) Напряжение эмиттер-база составляет шесть вольт.
Его напряжение между коллектором и эмиттером составляет тридцать вольт.
Максимальный базовый ток Ib составляет 5 мА.
Доступен в Компендиуме To-92.
Коэффициент несдержанности коллектора составляет 0,625 Вт.
Частота переключения 300 МГц.
Имеет рабочий и запоминающий диапазон температур подключения от -55 до +150 ° C.
PN2222 Абсолютные характеристики
PN2222 Эквивалент
| Номер детали | Описание | Производитель |
| PN2222 / D27Z ТРАНЗИСТОРЫ | 500мА, 30В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 | Техасские инструменты |
| PN2222 / J18Z ТРАНЗИСТОРЫ | 500мА, 30В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 | Техасские инструменты |
| PN2222 / D74Z ТРАНЗИСТОРЫ | 500мА, 30В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 | Техасские инструменты |
| PN2222 / J05Z ТРАНЗИСТОРЫ | 500мА, 30В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 | Техасские инструменты |
| PN2222 / D81Z ТРАНЗИСТОРЫ | 500мА, 30В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 | Техасские инструменты |
| PN2222 ТРАНЗИСТОРЫ | Биполярный транзистор малой мощности, 0.6A I (C), 30V V (BR) CEO, 1-элемент, NPN, кремний, TO-92, TO-92, 3 PIN | Fairchild Semiconductor Corporation |
| PN2222BU ТРАНЗИСТОРЫ | Биполярный транзистор малой мощности, 0,6 А I (C), 30 В (BR) CEO, 1-элементный, NPN, кремний, TO-92, БЕСПРОВОДНЫЙ, TO-92, 3 контакта | Fairchild Semiconductor Corporation |
| PN2222TAR ТРАНЗИСТОРЫ | Биполярный транзистор малой мощности, 0,6 А I (C), 30 В (BR) CEO, 1-элементный, NPN, кремний, TO-92, БЕСПРОВОДНЫЙ, TO-92, 3 контакта | Fairchild Semiconductor Corporation |
| PN2222TFR ТРАНЗИСТОРЫ | 600 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92, БЕСПРОВОДНЫЙ, TO-92, 3 КОНТАКТА | ООО «Рочестер Электроникс» |
| PN2222_J61Z ТРАНЗИСТОРЫ | Биполярный транзистор малой мощности, 0.6A I (C), 30V V (BR) CEO, 1-элементный, NPN, кремний, TO-92, БЕЗ СВИНЦА, TO-92, 3 PIN | Fairchild Semiconductor Corporation |
PN2222 против 2N2222
2N2222 – наиболее распространенный биполярный переходной транзистор NPN, доступный на рынке. Как и PN2222, он может использоваться для усиления аналоговых сигналов, а также для коммутации. В большинстве случаев они взаимозаменяемы.
Но между ними есть тонкие различия.
Во-первых, корпус , PN2222 в формованной эпоксидной смоле ТО-92; 2Н2222 находится в металлической банке ТО-18.
Во-вторых, характеристики усиления и утечки . , PN2222A – это правильная переупаковка 2N2222A, лучшей версии 2N2222.
Где использовать транзистор PN2222
PN2222, как обычно используемый NPN-транзистор BC547. Тем не менее, есть две важные топографии, которые их различают.Он может пропускать ток коллектора до 800 мА, а также имеет номинальную мощность 652 мВт. По этой причине он используется для больших нагрузок, чем BC547.
Итак, если вы подумываете о транзисторе NPN, который может коммутировать нагрузки с большим током пользователя, то PN2222 будет правильным вариантом для ваших промышленных разработок.
PN2222 Принцип работы
Как и другие транзисторы, PN2222 может использоваться как усилитель и переключатель.
Перекрестки напряжения базы и эмиттера составляют шесть вольт, поэтому мы должны применить эти перекрестки напряжения на базе и эмиттере, чтобы убедить базовый ток транзистора.
Это изменит его на прямое смещение и, следовательно, завершит соединение между коллектором и эмиттером. Одна важная вещь в этой схеме – это базовый резистор, который является резистором, предотвращающим ток. Этот резистор в цепи предназначен для ограничения тока, который может повредить транзистор. Его значение можно найти по заданному уравнению.
РБ = VBE / IB
Чтобы отметить скромность, я выставил базовую схему транзистора в виде переключателя.В реальной схеме изменения должны быть жизненно важными. В этой схеме я подавал пять вольт на базу и резистор 1K для ограничения тока.
Обратите внимание, что в этой схеме двигатель потребляет около 500 мА от источника питания 12 В, в то время как номинал коллектора PN2222 достигает 800 мА, что показывает важность того, что, если у нас есть BC547 в цепи, он будет поврежден.
PN2222 Приложения
Используется там, где в цепи нагружены потребители с более высоким током.
Он используется в многочисленных подачах обмена.
Используется для управления скоростью различных типов двигателей.
Используется в схемах инверсии и выпрямления.
Он также используется в парах Дарлингтона.
PN2222 Упаковка
PN2222 Популярность по регионам
PN2222 Производитель
ON Semiconductor продвигает энергоэффективные инновации, давая клиентам возможность сократить глобальное потребление энергии.Компания предлагает комплексный портфель энергоэффективных решений для управления питанием и сигналами, логических, дискретных и индивидуальных решений, чтобы помочь инженерам-конструкторам решить свои уникальные задачи проектирования в автомобильной, коммуникационной, вычислительной, потребительской, промышленной, светодиодной, медицинской, военной / аэрокосмической и энергетической отраслях. Поставка приложений.
Техническое описание компонентов
Часто задаваемые вопросы
PN2222 – это объединенный биполярный переходной транзистор NPN, который используется для обычных применений с пониженным энергопотреблением для усиления или переключения схем.Он предназначен для низкого и среднего тока, мощности приседания, промежуточного напряжения и может активироваться на умеренно более высокой скорости. |
В зависимости от того, что добавлено в кремний, он будет либо N-типа, либо P-типа. NPN-транзистор имеет кусок кремния P-типа (основание), зажатый между двумя частями N-типа (коллектор и эмиттер).В транзисторе PNP типы слоев поменяны местами. |
Транзистор – это полупроводниковое устройство, используемое для усиления или переключения электронных сигналов и электроэнергии. |
