2N3904: 2N3904, Транзистор NPN 40В 0.2А 0.35Вт [TO-92 Ammo], Diotec

2N3904 от 8.8 рублей в наличии 392069 шт производства DIOTEC SEMICONDUCTOR 2N3904

всего в наличии 392069 шт

Количество	Цена ₽/шт
5	35
10	11500″> 28
100	20
500	05790″> 14
1000	10
5000	03620″> 8.8

В корзину

и получите

+1 балл

Бесплатная доставка

2N3904DB – Усилитель NPN общего назначения

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Title (2N3904DB – Усилитель NPN общего назначения) >

> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать приложение/pdf

ON Semiconductor

2N3904DB – Усилитель NPN общего назначения

Это устройство выполнено в виде усилителя и переключателя общего назначения.

Полезный динамический диапазон простирается до 100 мА в качестве переключателя и до 100 МГц в качестве усилителя.

2021-07-15T10:23:14+02:00BroadVision, Inc.2021-07-15T10:25:33+02:002021-07-15T10:25:33+02:00Acrobat Distiller 18.0 (Windows)uuid:2b573247- 0ff1-43eb-94c0-03da6294831fuuid:273c1c72-7e13-41de-934e-df99c17e617f конечный поток эндообъект 6 0 объект >

эндообъект 7 0 объект >

эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > эндообъект 23 0 объект > транслировать H|TnFȯG{_npĵn̶93s1 пВ%=0 s (T=U15$_1eQ!rXnM”-#9A>-y]$o14’Z*”‘K &_ICV|I΋DF6sPT{mSCeٶkn[?tj3RFj9QFp_)Locz[ Lz0 Tz8$r,𹍟(uh0-}( >��0bS#Ys)$W( u,m׮r,vϮx4̐S)vRy~R)n~

Сведения о продукте без штампа: 2n3904 – Устройства штамповки | Вафли | Кости

Биполярный транзистор NPN:
2N3904 разработан как универсальный усилитель и переключатель NPN. Полезный динамический диапазон простирается до 100 мА в качестве переключателя и до 100 МГц в качестве усилителя. Дополнение PNP: 2N3906.

Эти высоконадежные транзисторы подходят для сборки на толстопленочных и тонкопленочных гибридных схемах с высоким механическим качеством и золотой металлизацией. Электрически они характеризуются повышенной температурой и поставляются в нескольких вариантах исполнения.

Характеристики:

Непосредственно заменяет устаревшие транзисторы Fairchild, Microsemi, Motorola и National Semiconductor.
Подходит для использования в промышленной, медицинской, военной и аэрокосмической промышленности.
Небольшие размеры для высокой степени интеграции и близкого размещения к источнику сигнала.
Гарантированная долгосрочная поддержка без смены маски штампа.

Поставщик:
Силиконовые материалы

Электротехническое техническое описание
Физические данные штампа:
Площадь основания: 0,068 мм² (104,625 мил²)

Функциональный:
N/A
Спецификация:
V _{(BR) Генеральный директор}, V _CES: 40,0 В
I _{C (Max) 9008: 0.2008: 40,0 В
I _{C (Max) 9008: 0.200a
I _{C (Max) 9008: 0.2008: 40.0V
I _{C (Max) 9008: 0.2008: 40,0 В
I _{C (Max) 9008: 0,2008: 40,0 В
I _{C (Max) (мин.)} : 120
ч _{FE1 (макс.)}: 260
H _FE1 @ I _C: 10MA
H _{FE2 (мин)}: 40
H _FE2 @ I _C: 0,10 мА
V _{CE (SAT) 1 (максимальный : 0,200 В
В _CE(нас)1 I _C /I _B : 0,01/1 А/мА
В _{CE(нас)2(макс.)} : 0,30 В}}}}}}
В CE(нас) I _C /I _B : 0,05 / 5 А/мА
f _T(мин) : 300 МГц

Другая деталь: Важная информация об этом устройстве приведена в таблице ниже.