Универсальный внешний накопитель для всех iOS-устройств, совместим с PC/Mac, Android
Header Banner
8 800 100 5771 | +7 495 540 4266
c 9:00 до 24:00 пн-пт | c 10:00 до 18:00 сб
0 Comments

Карточка серии 2Т633А N-P-N | Optochip: электронные компоненты

Артикул ТУ Завод Статус предприятия Максимально допустимый постоянный /импульсный/ ток коллектора, не более, А Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер /напряжение насыщения коллектор-эмиттер/, не более, В Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, не более, В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (при напряжении, Б-коллектор-база, Э-коллектор-эмиттер, В и токе, К-коллектора, Э-эмиттера, мА) /не менее/ Время: Р-рассасывания, В-включения, не более, нс

Перечень содержит преимущественно перспективную номенклатуру изделий военного назначения категорий качества "ВП", "ОС" и "ОСМ" с техническим уровнем и характеристиками, отвечающими требованиям действующих нормативных документов (НД) на изделия и позволяющими создавать образцы аппаратуры ВВСТ различного назначения.

Применение изделий в аппаратуре возможно на основании совместного Решения государственного заказчика ВВСТ, в интересах и по заказу которого выполняются работы по разработке (модернизации), производству, эксплуатации и ремонту аппаратуры, и государственного заказчика ЭКБ, при одноременном решении вопроса об освоении в производстве, восстановлении производства или воспроизводстве изделий до начала серийного выпуска аппаратуры. Освоение таких изделий осуществляется в соответствии с ГОСТ РВ 15.301-2003, восстановление производства или воспроизводство – в установленном порядке.

optochip.org

Транзистор 2Т633А | | Радиодетали в приборах

Транзистор 2Т633А
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2Т633А

Золото: 0.0492
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.

2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.

От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).

5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Похожее

priborazbor.ru

Кремниевый биполярный транзистор 2Т633А в Санкт-Петербурге

Кремниевый эпитаксиально-планарный быстродействующий импульсный n-p-n транзистор "2Т633А" в металлическом корпусе с изоляторами, предназначенный для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.007ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ2-7 (TO-39).

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма  
не менее не более  
Обратный ток коллектора, мкА, при UКБ = 30 В IКБО - 3  
Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4,5 В IЭБО - 3  
Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА, при UКЭ = 30 В. IКЭК - 3  
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, (IЭ = 10 мА, UКБ = 1 В) h31Э 40 140  
Граничное напряжение, В, (IЭ = 10 мА, IБ = 0) UКЭОгр 15 -  
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, (IК = 100 мА, IБ = 10 мА) UКЭ нас - 0,5  
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, (UКЭ = 10 В, IК = 100 мА, f = 100 МГц) fгр 500 -  
Емкость коллекторного перехода, пФ, (UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 10 МГц) Ск   4,5  
Емкость эмиттерного перехода, пФ, (UЭБ = 0,5 В, IК = 0, f = 10 МГц) Сэ   25  
Время рассасывания, нс, (IК = 10 мА, IБ1 = 10 мА, IБ2 = -10 мА, tи 30 мкс, Q 50) tрас   13  

spb.texnogaz.ru

Кремниевый биполярный транзистор 2Т633А

Кремниевый эпитаксиально-планарный быстродействующий импульсный n-p-n транзистор "2Т633А" в металлическом корпусе с изоляторами, предназначенный для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.007ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ2-7 (TO-39).

Электрические параметры
Наименование Буквенное обозначение Норма  
не менее не более  
Обратный ток коллектора, мкА, при UКБ = 30 В IКБО - 3  
Обратный ток эмиттера, мкА, при UЭБ = 4,5 В IЭБО - 3  
Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА, при UКЭ = 30 В. IКЭК - 3  
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, (IЭ = 10 мА, UКБ = 1 В) h31Э 40 140  
Граничное напряжение, В, (IЭ = 10 мА, IБ = 0) UКЭОгр 15 -  
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, (IК = 100 мА, IБ = 10 мА) UКЭ нас - 0,5  
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, (UКЭ = 10 В, IК = 100 мА, f = 100 МГц) fгр 500 -  
Емкость коллекторного перехода, пФ, (UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 10 МГц) Ск   4,5  
Емкость эмиттерного перехода, пФ, (UЭБ = 0,5 В, IК = 0, f = 10 МГц) Сэ   25  
Время рассасывания, нс, (IК = 10 мА, IБ1 = 10 мА, IБ2 = -10 мА, tи 30 мкс, Q 50) tрас   13  

texnogaz.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о