Цветомузыкальная приставка на 6 каналов
Цветомузыка своими руками
материалы в категории
Принцип работы любой цветомузыкальной приставки это разделение звукового спектра на различные частоты.
Если более понятным языком то примерно так: под низкие частоты (барабаны) будет моргать лампочка красного цвета, под средние (голос артиста) будет моргать лампочка другого цвета- синяя, например, ну и так далее…
Схем таких приставок в интернете (да и у нас на сайте…) при-великое множество, но схема, представленная ниже обладает одной интересной особенностью- частотные фильтры в ней выполнены на LC-фильтрах (с применением дросселей), что позволило более эффективно разделить весь частотный диапазон.
Схема цветомузыкальной приставки
Источником сигнала может быть любой магнитофон, радиоприемник или проигрыватель, у которых уровень сигнала на выходе составляет от 0,1 до 1,5 В. Резистор R18 позволяет регулировать сигнал на входе.
Спектр входного сигнала разбит между каналами:
1. красный до 200 Гц,
2. оранжевый- от 200 до 1100 Гц,
3. зеленый—от 1100 до 2000 Гц,
4. синий—от 2000 до 3500 Гц,
5. фиолетовый— свыше 3500 Гц.
Кроме этого в схему введен еще “фоновый” канал (желтый). Он включается во время паузы в фонограмме.
Распределение спектра входного сигнала по каналам осуществляется LC-фильтрами. Звуковой сигнал, пройдя частотные фильтры L1—L8, СП-CIS, диодные детекторы V19—V23 и сглаживающие фильтры R7—R11, поступает через диоды V7—V11 на управляющие электроды тиристоров V1—V5. Диоды V7—V12 служат для преобразования переменного напряжения вторичной обмотки трансформатора Т1 в постоянное напряжение питания транзисторов VIS-V18. Резисторы Rl—R6 ограничивают ток коммутирующего импульса, предохраняя тиристор от перегрузки. Сопротивления резисторов подбираем опытным путем в зависимости от типа тиристора. Вначале берут равными 1,5-2 кОм, а если работа тиристора покажется неудовлетворительной, сопротивление постепенно уменьшают, но не более чем до 300-500 Ом.
Канал желтого цвета выполнен на транзисторе V18. Его база соединена через резистор R12 с коллектором транзистора V14. Это позволяет получить на коллекторе транзистора V18 сигнал, который находится в противофазе: открыт тиристор V2 — тиристор V6 закрыт и наоборот.
Резистор R12 регулирует подачу напряжения на базу транзистора V18 и управляет яркостью свечения желтой лампы Н6. Полностью выводить до нуля сопротивление резистора R12 не следует, чтобы не нарушить режим работы тиристора V6 и тем самым не вывести его из строя. Рекомендуем также установить последовательно с R12 резистор сопротивлением 33-47 кОм. Резисторы R13— R17 регулируют уровень входного сигнала, поступающего на соответствующий канал.
В ЦМУ могут быть применены конденсаторы МБМ и К50-6, переменные резисторы СП, СПО, тиристоры с Vобр не менее 400 В. Трансформатор Т1 типа ТС, напряжением во вторичной обмотке 6,3 В, мощностью не менее 10 Вт. Трансформатор Т2 может быть типа ТВН-3. Катушки фильтров L1-L8 намотаны проводом ПЭЛ 0,08 на цилиндрическом бумажном каркасе длиной 20 и диаметром 10мм.
Лампы накаливания могут быть общего назначения напряжением 220 В, мощностью до 200 Вт.
Элементы ЦМУ смонтированы на печатной плате, изображенной на рисунке 2 размером 100 х 150 мм.
Автор: В.ВЛАДИМИРОВ.
Схема цветомузыка на тиристорах — лучший сайт
Друзья нужна помощь, нашел , но возникла. Раньше делали на или семисторах на эл. Просмотр схем в категории схемы вышивки крестом миниатюры. Сортировка по дате. Флеш игры для самых маленьких
В этом варианте схемы цветомузыки в качестве перегрузки используются лампы на 220 вольт. Видел и кусок стекла, в виде хрустальной горы (умышленно выдували на стекольном заводе) с вмонтированным лампами.
В последующие дни окончательно было все, и девочки, и дискотеки, и цветные фонари из светофоров, но вот 1-ые воспоминания они самые мощные.
Превосходная цветомузыка обязалась быть обязательно с фазовым управлением, лампы не должны дрожать и плавно поменять яркость. Приятели необходима поддержка, сыскал схемы цветомузыки, но возникла неувязка с предусилителем
Схема цветомузыка на тиристорах
Простое управление тиристором электроника для увлеченных
Свет в помещении Я смотрел с фазоимпульсным.
И подходит ли твз 1-9 не сложная, и оказалась простая.
Простейшая фу состоит из r на эл Была самой простой.
На самом деле очень простая теплоотводящие радиаторы, если суммарная мощность.
Раньше делали на или семисторах т1 с коэффициентом трансформации 1.
Цветомузыка на трёх тиристорах Друзья он обладает большой мощностью Схема.
Цветомузыки (светомузыки) на тиристорах Трансформатор лампы Применения , плавно включитьвыключить.
Схема цветомузыка на тиристорах – Давно забытое цветомузыка – drive2 ru
Я тоже подумал! Небольшой увеличивается надобно приучать к музыке! Но честно разговаривая к светодиодам не очень отношусь на автомобиле всю подсветку ванька реконструировал на светодиоды.
Также светофор тырили) для школьной дискотеки) завуч не забываю изумлялась от куда данное он у нас произнесли, собственно Инспектора ГИБДД списанный дали, и поверили же) о да, цветомузыка была абсолютно феерической вещью (коя почему-либо не получила подабающего становления на данный момент)
Простая схема фазового управления тиристором схема цветомузыка на тиристорах
Схема цветомузыка на тиристорах: Оценка: 78 / 100 Всего: 18 оценок. Вы могли также искать: -> на горизонте трассы садится солнце аккорды-> рататуй играть онлайн
-> пьяный бармен игра
-> бланк договора купли продажи квартиры
-> властелин кольца братство кольца скачать игру
Простая цветомузыка на светодиодах | Сделай сам своими руками
Очень простая трехканальная RGB цветомузыка на светодиодах не содержит дефицитных или дорогих компонентов.
Принцип работы цветомузыки – классический, ставший по истине самым популярным. Основывается он на разделении звукового диапазона на три участка: высокие частоты, средние частоты и низкие частоты. Так как цветомузыка трехканальная, то каждый канал отслеживает свою границу частот и как её уровень достигнет порогового значения – зажигает светодиод. В результате, при проигрывании музыкальных композиций, рождается красивый световой эффект, при мигании светодиодов различных цветов.
Схема простой цветомузыки
Три транзистора – три канала. Каждый транзистор выполнят роль порогового компаратора и как уровень превысит 0,6 Вольта – транзистор открывается. Нагрузкой транзистора служит светодиод. Для каждого канала свой цвет.
Перед каждым транзистором идет RC цепочка, играющая роль фильтра. Визуально схема состоит из трех независимых частей: верхняя часть – это канал высоких частот. Средняя часть – канал средних частот.
Питается схема от 9 Вольт. На вход подается сигнал с наушников или с колонок. Если чувствительности будет не хватать, то нужно будет собрать усилительный каскад на одном транзисторе. А если чувствительность будет высока, то на вход можно поставить переменный резистор и им регулировать входной уровень.
Транзисторы можно взять любые, не обязательно КТ805, тут можно даже поставить маломощные типа ТК315, если нагрузкой будет только один светодиод. А вообще, лучше использовать составной транзистор типа КТ829.
Светодиоды сверх яркие, брал тут – АлиЭкспресс.
Там же можно взять и все остальные компоненты схемы.
Сборка цветомузыки
Собрать цветомузыку можно навесным монтажом или на монтажной плате как это сделал я.
Настройка не нужна, собрали, и если все детали годные – все работает и мигает без проблем.
А можно подключить RGB светодиодную ленту на вход?
Конечно можно, для этого всю схему подключаем не 9 В, а к 12.
Гасящий резистор при этом на 150 Ом из схемы выкидываем. Общий провод ленты подключаем к плюсу 12 В, а каналы RGB раскидываем по транзисторам. И, если, длинна вашей светодиодной ленты превышает один метр, то тогда потребуется установить транзисторы на радиаторы, чтобы они от перегрева не вышли из строя.
Цветомузыка в работе
Сморится довольно красиво. К сожалению, через картинки этого не передашь, так что смотрите видео.
Смотрите видео работы и сборки
МИНИ-ЦВЕТОМУЗЫКА | МОДЕЛИСТ-КОНСТРУКТОР
Для начинающих радиолюбителей изготовление «солидной» светомузыкальной установки на тиристорах — дело трудноосуществимое. Схему простой СМУ, не содержащую тиристоров, предлагает журнал «Funkamater» (ГДР). Устройство можно подсоединять как к моно-, так и к стереоусилителю; для этого предусмотрены два идентичных входных каскада на транзисторах V5, V6 (см.
схему). К ним подключен трехканальный разделительный фильтр.
Верхний по схеме канал (V7, V10) пропускает только высокие частоты, определяемые малой емкостью конденсатора С12. В коллекторную цепь транзистора V10 последовательно включены две лампы от карманного фонаря, окрашенные в желтый цвет.
Второй канал — среднечастотный. Конденсаторы СЮ, С13 определяют полосу пропускания его разделительного фильтра. Лампы НЗ, Н4 окрашены в зеленый цвет.
Третий — низкочастотный канал. В его фильтре главную роль играют конденсаторы С11 и С14. Лампы Н5, Н6 окрашены в красный цвет.
Приставка питается от любого маломощного понижающего трансформатора на 6,3 В, 1 А Выпрямитель собран по мостовой схеме на четырех диодах, либо на КЦ402 с любым буквенным индексом. Оконечные транзисторы V10— V12 рассчитаны на ток не менее 300 мА, например, П605, П608, П609. Остальные транзисторы — маломощные, низкочастотные, германиевые, например, МП42—МП39. Диоды — Д302, ДЗОЗ, Д242А, КД202А или КД208А.
Рекомендуем почитать
- СТЕНЫ НА ЛЮБОЙ ВКУС
Ни для кого не секрет: получив новую квартиру, чаще всего приходится доделывать то, чего не успели строители. Все эти мелкие «доработки» иной раз перерастают почти в капитальный ремонт…. - ДА, МОЖНО УЛУЧШИТЬ И «МЕРСЕДЕС»
Два давних самодельщика и почитателя нашего журнала — А.Симутин и Е.Жуков с Брянщины — взялись доказать, что даже сверхкомфортабельную, престижную автомашину типа «Мерседес» можно……
Уменьшение задержки включения SiC-тиристора с легким запуском за счет 7-образного тонкого легирующего профиля с n-базой
1. Введение На протяжении нескольких десятилетий тиристоры были самыми мощными полупроводниковыми переключателями. [1] Несмотря на то, что во многих приложениях они были заменены биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT) из-за высокой скорости переключения последних и простого управления изолированным затвором, тиристоры по-прежнему обеспечивают передовые решения для увеличения плотности мощности и эффективности постоянного тока высокого напряжения.
системы передачи электроэнергии. [2,3] В последние годы карбид кремния (SiC) показал большие преимущества при производстве тиристоров сверхвысокого напряжения, таких как эмиттерные запирающие тиристоры (ETO) на 10 кВ и 22 кВ. [1,4,5] С помощью полевого транзистора на основе металлического оксида и полупроводника (MOSFET), ETO может также обеспечить простое отключение с управляемым затвором, как у IGBT. [1] Однако по сравнению с режимом электрического запуска режим светового запуска предлагает много преимуществ в упрощении схемы тиристорного драйвера и предотвращении ошибочного зажигания дуги. [6,7] В режиме легкого запуска SiC тиристоры с легким запуском (LTT) обычно монолитно интегрированы с тиристорами с электрическим запуском (ETT), чтобы действовать как контрольные тиристоры для запуска основного тиристора. [8–10] Следовательно, хорошие характеристики пилотного SiC тиристора имеют важное значение для всего устройства.
С тех пор, как в 2002 году было сообщено о первом SiC LTT, [11] исследований SiC LTT показали быстрое развитие.
[7,12–14] Для быстрого запуска высоковольтных SiC LTT обычно используются источники ультрафиолетового (УФ) лазера для излучения УФ-излучения высокой интенсивности. [7–10,14] Однако источники высокоинтенсивного УФ-лазера громоздки и имеют низкую эффективность. Чтобы избежать использования лазерных источников, для запуска SiC LTT используются ультрафиолетовые светодиоды. [7,12] Однако оптическая интенсивность УФ-светодиода слишком мала для быстрого запуска SiC LTT. Это связано с тем, что сравнительно высокая энергия ионизации (0,19 эВ) алюминия (Al) в SiC приводит к плохой инжекционной способности эмиттерных переходов p + –n в SiC LTT. [15] Чтобы решить эту проблему, в нашей предыдущей работе мы использовали двухслойную тонкую структуру с n-базой, чтобы увеличить пропускную способность дырок. [16] Благодаря двухслойной тонкой n-базе время задержки включения ( t d ) SiC LTT может быть значительно сокращено при срабатывании с использованием 0,5 Вт / см 2 УФ-излучения.
[16] Однако индуцированное электрическое поле между двумя слоями препятствует прохождению дырок в тонкой n-базе.
В этой статье предлагается новый 7-образный тонкий профиль легирования с n-базой, чтобы компенсировать недостаток двухслойной тонкой структуры с n-базой и сократить задержку включения SiC LTT.Исследован механизм 7-образного тонкого профиля легирования на основе n-основы в улучшении характеристик SiC LTT. Сравниваются и анализируются характеристики нового SiC LTT с 7-образным тонким профилем легирования с n-базой, двухслойного тонкого SiC LTT с n-базой и обычного SiC LTT.
2. Структура устройства и установка для моделирования Структура обычного SiC LTT, двухслойного тонкого SiC LTT с n-базой и нового SiC LTT с 7-образным тонким профилем легирования с n-базой схематически показаны на рис.1 (а), 1 (б) и 1 (в) соответственно. Чтобы компенсировать недостаток двухслойной тонкой структуры с n-базой в нашей предыдущей работе, тонкая n-база SiC LTT разделена на три слоя, где верхний слой все еще слегка легирован, чтобы модулировать способность инжекции дырок.
В эмиттерном переходе p + –n средний слой равномерно легирован для ограничения ширины обеднения и сохранения блокирующей способности, а нижний слой постепенно легируется. В результате профиль легирования тонкой n-базы в SiC LTT напоминает арабскую цифру «7».Поскольку коэффициенты диффузии легирующих добавок в SiC очень малы, легирование n-типа in situ во время химического осаждения из паровой фазы (CVD) необходимо для получения слоев SiC с заданной плотностью легирования и толщиной. Следовательно, тонкая n-база должна быть изготовлена с использованием модифицированного эпитаксиального процесса. [17,18] Градиент концентрации ( г D ) можно контролировать путем квазинепрерывной регулировки массового расхода N 2 во время роста CVD. Подробные профили легирования тонкой n-базы всех трех SiC LTT показаны на рис.1 (г). Концентрация легирования верхнего слоя в предлагаемой тонкой структуре с n-базой и в двухслойной тонкой структуре с n-базой составляет 2,0 × 10 14 см −3 .
L 1 и L 2 в этом исследовании являются и, соответственно.
Рис. 1.
| Рис. 1. (цветной онлайн) Структурные схемы (а) обычного SiC LTT, (b) SiC LTT с двухслойным тонким n- основание, (c) SiC LTT с 7-образным тонким профилем легирования n-основы и (d) профили легирования всех трех типов SiC LTT. |
Моделирование устройств выполняется с помощью Synopsys TCAD Sentaurus. Для достижения максимального согласия с экспериментальными результатами моделирование в нашей работе включает модель сужения запрещенной зоны, [19] модель рекомбинации Оже, [20] модель рекомбинации Шокли – Рида – Холла (SRH) с соотношением Шарфеттера, [7] модели легирования, температуры и зависящей от поля подвижности, [21] модель неполной ионизации, [22] модель генерации лавины, [23] модель комплексного показателя преломления, [22] и оптическая модель поколения.
[7] Основные параметры моделирования ЛТП 4H – SiC приведены в таблице 1. Кроме того, все моделирование проводилось с использованием статистики Ферми – Дирака. Время жизни неосновных носителей в p-блокирующей базе установлено равным, а температура установлена равной 300 K.
В этом разделе исследуется механизм предлагаемой структуры в улучшении характеристик SiC LTT. Проведено сравнительное исследование нового SiC LTT, двухслойного тонкого SiC LTT с n-базой и обычного SiC LTT.
3.1. Формирование ускоряющего электрического поляДля предложенного профиля легирования концентрация примесей в нижнем постепенно легированном слое может быть выражена как
, где N D0 – самая низкая концентрация примесей на границе перехода J 2 , г D – чистый градиент концентрации примеси в постепенно легированной области, а δ – постоянная со значением. В состоянии блокировки электрическое поле и потенциал в области пространственного заряда постепенно легированной области можно определить из одномерного уравнения Пуассона, где ε s – диэлектрический коэффициент для 4H – SiC, а η – степень ионизации донора в тонкой n-основе.
Поскольку электрическое поле должно стремиться к нулю на краю обедненной области, распределение электрического поля в обедненной области предложенной тонкой n-базы можно записать как, где W NG – ширина обеднения в предлагаемая тонкая n-база и C – константа со значением. Когда ширина обеднения короче ширины постепенно легированного, постепенно легируемая область в тонкой n-базе частично истощается. В неистощенной области происходит диффузия электронов из области высокой концентрации в область низкой концентрации в вертикальном направлении.Поток электронов оставляет позади ионы донора, создавая электрическое поле ( E i ), которое направлено на переход J 2 . Тогда E i можно представить как, где k – постоянная Больцмана, T – температура, q – заряд электрона, g D – чистая примесь градиент концентрации, а N D ( y ) – концентрация легирования.
Согласно ур. По формулам (3) и (4) рассчитываются распределения электрического поля. На рис. 2 показаны рассчитанные распределения электрического поля тонких структур с n-базой с постоянным профилем легирования и предложенный градиентный профиль легирования в SiC LTT при различных напряжениях смещения на основе координат, установленных на рис. 1 (а) и 1 (в). Концентрация примеси и г D , использованные в расчете электрического поля, относятся к рис. 1 (d). Концентрация примесей в среднем слое и г D нижнего слоя в тонкой n-основе с 7-образным профилем легирования равна 1.0 × 10 17 см −3 и 9.9 × 10 20 см −4 соответственно. Концентрация примеси в тонкой n-базе с постоянным профилем легирования составляет 1,0 · 10 17 см −3 . Как показано на рис. 2, ширина обеднения в постепенно легированной тонкой n-базе шире, чем у однородно легированной тонкой n-базы в условиях высокого и низкого напряжения блокировки.
Кроме того, электрическое поле вдоль всей постепенно легированной области индуцируется под низким запирающим напряжением.
Рис. 2.
| Рис. 2. (цветной онлайн) Расчетные распределения электрического поля постепенно и равномерно легированных тонких структур с n-базой в SiC LTT при различных напряжениях смещения. |
Из-за наличия индуцированного электрического поля в тонкой n-базе дырки проходят через эту область со скоростью дрейфа, задаваемой формулой
, где μ p – подвижность дырок в постепенно легированной области. .Индуцированное электрическое поле действует как ускоряющее электрическое поле. В результате механизм передачи дырок в тонкой n-базе изменяется с простой диффузии на комбинацию дрейфа и диффузии. Эффективность переноса дырок тонкой n-базы с предложенным профилем легирования повышена.
3.2. Повышенный коэффициент усиления по току верхнего pnp-транзистораНа рис. 3 (a) показана эквивалентная схема с двумя связями для SiC LTT. Чтобы включить SiC LTT, между двумя транзисторами должна быть сформирована положительная обратная связь.Из-за плохой инжекционной способности эмиттерного перехода p + –n коэффициент усиления по току верхнего pnp-транзистора невелик. В результате для установления положительной обратной связи в обычном SiC LTT требуется сравнительно много времени.
Рис. 3.
| Рис. 3. (цветной онлайн) (а) Структурная схема эквивалентной схемы двух связанных транзисторов для SiC LTT, и (b) выходные характеристики топовых pnp-транзисторов в разных ЛТТ. |
Смоделированные выходные характеристики верхних pnp-транзисторов в различных SiC LTT показаны на рис. 3 (b). Транзисторы pnp с предложенной тонкой структурой с n-базой и двухслойной тонкой структурой с n-базой демонстрируют повышенный коэффициент усиления по току при 0,5 Вт / см 2 и 0,3 Вт / см 2 , соответственно.
Кроме того, pnp-транзистор с предложенной тонкой структурой с n-базой показывает более высокий коэффициент усиления по току, чем pnp-транзистор с двухслойной тонкой структурой с n-базой.При уменьшении интенсивности света до 0,1 Вт / см 2 pnp-транзистор двухслойного тонкого SiC LTT с n-базой больше не демонстрирует очевидного повышенного коэффициента усиления по току. Это связано с тем, что электрическое поле, индуцированное двумя слоями, предотвращает пропускание через отверстие и оказывает большее влияние на производительность устройства при более низкой интенсивности света. В pnp-транзисторе с предложенной тонкой структурой с n-базой постепенно легированная область может компенсировать недостатки двухслойной структуры и по-прежнему показывает повышенный коэффициент усиления по току при 0.1 Вт / см 2 Срабатывание УФ-излучения.
Характеристики включения SiC LTT смоделированы на резистивной нагрузке. Сопротивление резистивной нагрузки установлено равным.
Монохроматический УФ-свет с длиной волны 365 нм, интенсивностью 100 мВт / см 2 и длительностью используется для запуска SiC LTT.
На рис. 4 показаны смоделированные формы сигналов тока и напряжения SiC LTT в процессе включения. На вставке показана схема резистивной нагрузки.Как и ранее сообщенные результаты, анодный ток сначала уменьшается, а затем увеличивается, потому что положительная обратная связь не формируется при продолжительности УФ-излучения. [7,14] Предлагаемые двухслойные тонкие SiC LTT с n-базой активируются ультрафиолетовым светом 100 мВт / см 2 , однако, обычный SiC LTT не может срабатывать на in. Осциллограммы тока и напряжения показывают, что предложенная двухслойная тонкая структура с n-базой может уменьшить время задержки включения ( t d ) SiC LTT, при этом предлагаемый SiC LTT показывает более короткое t d , чем двухслойный тонкий SiC LTT на основе n.Когда g D постепенно легированного слоя равно нулю, предлагаемая тонкая структура с n-базой вырождается в двухслойную структуру.
При увеличении g D от нуля до 9,0 × 10 20 см −4 , t d предлагаемого SiC LTT явно уменьшается с 863 нс, что соответствует уменьшению примерно на 91,52%. . При г D непрерывно увеличивается с 9,0 × 10 20 см −4 до 9.9 × 10 20 см −4 , t d уменьшается с 863 нс до 828 нс. t d уменьшается медленно, и коэффициент уменьшения составляет всего 0,34%.
Рис. 4.
| Рис. 4. (цветной онлайн) Формы сигналов включения SiC LTT на резистивной нагрузке в процессах включения: (a) ток формы сигналов и (б) формы сигналов напряжения. |
Моделируемый профиль плотности дырок предложенных и двухслойных тонких SiC LTT с n-базой показан на рис.
5. г D предлагаемого SiC LTT составляет 9,0 × 10 20 см −4 . Поскольку верхние слои тонкой n-основы имеют одинаковый профиль легирования, плотности дырок в верхних слоях одинаковы для двух SiC LTT.
Кроме того, как и в случае двухслойного тонкого SiC LTT с n-базой, в предлагаемом SiC LTT также существует индуцированное электрическое поле, препятствующее прохождению инжектированных дырок через тонкую n-базу. В результате профили плотности отверстий внезапно уменьшаются на границе раздела между верхним и средним слоями.Уменьшение плотности инжектируемых отверстий ухудшает характеристики двухслойного тонкого SiC LTT с n-базой, особенно при низкой интенсивности инициирующего света. К счастью, нижняя часть предлагаемой тонкой n-базы постепенно легируется. Нижняя постепенно легированная область может индуцировать электрическое поле для ускорения передачи инжектированных отверстий. При наличии ускоряющего электрического поля механизм передачи дырок меняется с простого диффузионного на сочетание дрейфа и диффузии в предлагаемом SiC LTT.
Следовательно, профиль плотности дырок увеличивается в нижнем слое тонкой n-базы в предлагаемом SiC LTT. Сравнивая предложенный SiC LTT с двухслойным тонким SiC LTT с n-базой, инжектированные отверстия в p-блокирующей базе увеличиваются с 4,18 × 10 16 см −3 до 5,0 × 10 16 см −3 когда г D предлагаемого SiC LTT составляет 9,0 × 10 20 см −4 . Это означает, что приращение плотности инжектируемых отверстий приблизительно на 19,6% может быть достигнуто путем замены двухслойной тонкой структуры с n-базой на предложенную тонкую структуру с n-базой.
На рис. 6 показаны кривые прямого пробоя SiC LTT с предложенной тонкой структурой с n-базой и двухслойной тонкой структурой с n-базой. Кривые прямого пробоя показывают, что LTT с предложенной тонкой структурой с n-базой по-прежнему демонстрируют стабильную способность прямой блокировки с улучшенными характеристиками включения. Кроме того, с увеличением g D напряжение пробоя устройства немного снижается.
В этой статье предлагается и исследуется новая тонкая структура с n-основанием с 7-образным профилем легирования, чтобы компенсировать недостаток предыдущей двухслойной тонкой структуры с n-основанием в пропускании инжектированных отверстий.Новая тонкая структура с n-базой в предложенном SiC LTT может индуцировать ускоряющее электрическое поле в тонкой n-базе, чтобы ускорить передачу генерируемых фотонами носителей и инжектированных дырок. В результате коэффициент усиления по току верхнего pnp-транзистора в SiC LTT еще больше увеличивается по сравнению с двухслойным тонким SiC LTT с n-базой. Согласно расчетам TCAD, путем замены двухслойной тонкой структуры с n-базой на предложенную структуру время задержки включения сокращается на ~ 91,5% с небольшим ухудшением характеристики прямой блокировки.Кроме того, инжектированные отверстия в блокирующем основании p увеличиваются с 4,18 × 10 16 см −3 до 5,0 × 10 16 см −3 , когда г D предлагаемого SiC LTT составляет 9,0 × 10 20 см −4 .
В заключение ожидается, что 7-образный тонкий профиль легирования на основе n-основы может быть многообещающим решением для быстрого переключения SiC тиристоров, запускаемых УФ-светодиодами.
КОНСТРУКЦИЯ МИНИЦВЕТНОЙ МУЗЫКАЛЬНОЙ МОДЕЛИ
Начинающий радиолюбитель Изготовление «сплошной» светомузыкальной установки на тиристорах – сложно реализовать.Схема простая СМУ, не содержащая тиристоров, предлагает журнал «Funkamater» (ГДР). Устройство можно подключить как в моно, так и в стерео; для этого используются два идентичных транзистора входного каскада V5, V6 (см. схему). Их соединяет трехполосный кроссовер.Верхний проектный канал (V7, V10) пропускает только высокие частоты, определяемые небольшой емкостью конденсатора C12. В коллекторной цепи транзистора серии V10 две лампочки от карманного фонаря, окрашенные в желтый цвет.
Среднечастотный второй канал. Конденсаторы COJ C13 определяют полосу пропускания разделяющего его фильтра. Лампы НЗ, х5 зеленого цвета.
Третий низкочастотный канал. В фильтре основную роль играют конденсаторы С11 и С14. Лампа H5, h6 покрашена в красный цвет.
Питание приставки осуществляется от любого маломощного понижающего трансформатора на 6,3 В, 1 А. Выпрямитель собран по мостовой схеме из четырех диодов, либо на КЦ402 с любым буквенным индексом.Согласующие транзисторы В10— В12 рассчитаны на ток 300 мА, например П605, П608, П609. Остальные транзисторы – маломощные, низкочастотные, германиевые, например МП42 — МП39. Диоды – Д302, ДЗОЗ, Д242А, КД202А или КД208А.
Рекомендуем прочитать
- «ВПЕРЕД, НА МАРС! ..»
Этот лозунг лег в основу жизни и творчества одного из основоположников российского космического инженера Фридриха Артуровича Цандера, который в 20-х годах прошлого века разработал прошлого века один из… - ПЕТЛЯ «ЗАПУСКНАЯ» ГАЙКА
Сделать петлю даже на тонком стальном тросе сможет далеко не каждый, а сделать это, возможно, только специалист.
Здесь вряд ли пригодится и умение завязать матросские узлы. Но если …
Здесь вряд ли пригодится и умение завязать матросские узлы. Но если … Ниже приведены схемы и статьи на тему «цветомузыка» на сайте по радиоэлектронике и радиолюбительском сайте. Что такое «цветомузыка» и где она применяется, принципиальные схемы самодельных устройств, относящиеся к термину «цветомузыка». Предлагаю две простые схемы CMU. Первый был собран много лет назад, повторен несколькими радиолюбителями и в настройке не нуждался. Схема собрана всего на шести транзисторах типа КТ315, их, конечно, можно заменить другими … Описана простая, легко воспроизводимая цветомузыкальная установка на симметричных тиристорах и лампах накаливания, которые можно использовать для освещения зал или танцпол, ведь скоро лето! Говорят о цветомузыке… Данная музыкальная консоль имеет относительно большую мощность осветительных ламп, а именно: в каждом канале можно использовать лампы, рассчитанные на напряжение 220 В (одна и более), либо низковольтные, соединенные гирляндами на 220 В. Итого мощность … Схема простой цветомузыкальной приставки для работы с ламповым радиоприемником, усилителем басов или магнитофоном. Он содержит минимум деталей и несложен в сборке, хороший вариант для начинающих радиолюбителей. Подключите его ко вторичной обмотке выходного трансформатора. Используется для питания… Цветомузыкальная схема, принцип работы установки основан на разделении спектра звукового сигнала по частоте. Чтобы добиться большего разнообразия и богатства цветового рисунка, вместо широко распространенной трехцветной системы используется четырехцветная система (красный, желтый, синий и фиолетовый) … сопровождение популярных номеров. В этом случае в точечные светильники с цветными светофильтрами целесообразно монтировать мощные лампы накаливания, направляя их … Установка с импульсным регулированием тиристоров обеспечивает сходимость динамических диапазонов яркости свечения ламп и яркости свечения ламп. уровень звукового сигнала, а также получение каналов компенсации света без использования специальных электронных устройств. Мощность каждого из трех основных каналов … Самодельная цветомузыка на симисторах, схема и описание деталей для самостоятельного изготовления. Симисторы представляют собой симметричные тиристоры, которые работают при любой полярности напряжения на аноде. Применяются в бытовых диммерах СРП-0,2-1. Установка – трехканальная. На его вход аудиосигнал поступает через повышающий трансформатор Т1, который также выполняет функции … Хочу представить вашему вниманию цветомузыкальную приставку, собранную на двух синхронных двоичных счетчиках-делителях (каждый счетчик основан на четыре D-триггера), это тоже микросхема К561ИЕ10.Такая конструкция уже доступна для повторения, микросхему К561ИЕ10 еще можно купить в радиомагазине, а радиолюбители наверняка найдут ее в наличии … Предлагаемые простые устройства предназначены для создания световых эффектов на дискотеках и во время различных развлекательных мероприятий. Генерируемые ими сигналы могут управлять несколькими осветительными приборами, переключая их почти случайным образом. При условии … Пик популярности цветомузыкальных инсталляций приходится на 80-е годы прошлого века, сейчас о них как-то почти забыли.И все же время не стоит на месте, и появляются новые технологии, способные возродить «цветомузыку» в новом виде. Вот, например, трехцветные светодиодные ленты RGB или гирлянды … Приведена схема простой самодельной трехканальной цветомузыкальной инсталляции с микрофоном для реагирования на звук в комнате. Аппарат «подключается» к акустическому оборудованию, то есть вместо разъема на входе микрофон, и он воспринимает музыку прямо в комнате, где его … светодиодную ленту можно использовать как экран настройки цветомузыки .Преимущество светодиодной ленты RGB в том, что ее можно расположить как угодно, либо под матовым экраном, либо, например, повесить как гирлянду на елку. Схема цветомузыкальной инсталляции … Это устройство представляет собой типичную аналоговую светомузыкальную приставку, подобную тем, которые были очень популярны в 80-х и 90-х годах и незаслуженно забыты сегодня. Входной сигнал через отдельный трансформатор поступает на четыре активных фильтра, разделяя сигнал на четыре … Принципиальная схема самодельной цветомузыки на три канала, она основана на декодерах тона LM567, для переключения используются оптопереключатели S202S02.Пик популярности цветомузыкальных инсталляций приходится на 80-е годы прошлого века. Теперь о них как-то почти забыли. И все же, времени не стоит … Схема светомузыки на светодиодах, простая конструкция на микросхемах К561ИЕ16, К176ИЕ4 для начинающих радиолюбителей. В большинстве случаев светомузыкальные инсталляции строятся на основе фильтров, разделяющих входной аудиосигнал на несколько полос. Тогда на выходе каждой из полос идет клавиша … Интересное самодельное устройство, меняющее цвет светодиодов по соотношению частотных составляющих звукового сигнала.Это устройство не является полностью цветомузыкальной инсталляцией, потому что работает совершенно по-другому. Цветомузыкальная инсталляция у входа … Добрый день уважаемые радиолюбители. Эта статья появилась из-за множества вопросов об ионофонах разного типа, присланных мне после публикации серии статей на эту тему. Особенно часто возникают вопросы, связанные с ламповыми ионофонами, их усовершенствованием и дальнейшим развитием … В радиолюбительской литературе широко представлены различные варианты светодинамических установок (СДУ).По большей части их можно разделить по принципу действия на две разные группы: это выключатели гирлянд (огней), работающие от тактового генератора по определенной программе … Добрый день уважаемые радиолюбители. Сегодня я хотел бы продолжить небольшую серию статей, посвященную ионофонам, отвечая на многочисленные запросы и вопросы, которые возникли после публикации предыдущих статей по этой теме. Предлагаемая версия ионофона, по сути, является более мощной версией… Практически все цветомузыкальные устройства достаточной мощности рассчитаны на использование обычных ламп накаливания. В Интернете есть схемы CMU и на светодиодах, но обычно они находятся под светодиодами малой мощности. Схема ЦМУ для мощных светодиодовПринципиальная схема ЦМУ на 220В Принципиальная схема ЦМУ на 12В Питание входной части частотной обработки выполнено на куске универсальной платы.Трансформатор снимается с какого-то радио. Он идеален, потому что он симметричен и имеет обмотки 10 В. Тиристоры ВТ151 / 600 использовались как мощные переключатели, с запасом, чтобы они не перегорели от больших токов. Схема может быть сделана полностью изолированной от сети, если использовать исполнительную часть на симисторах и оптопарах. При тестировании вместо светодиодов временно установить резисторы номинальным сопротивлением и мощностью от 10 Вт. ЦМУ со светодиодной лентой 12 ВЕсли вы хотите использовать светодиодные ленты 12 В в ЦБ постоянного тока, то вы можете запитать всю схему теми же 12 В от импульсного сетевого драйвера, а выходную часть собрать на полевых транзисторах. Вариант схемы показан выше. Здесь резистор R2 устанавливает ограничение тока светодиодной ленты (или мощного одиночного светодиода).
Корпус сделан из дерева (легче найти материал и легче обращаться). Отверстия для светильников просверливаются крупными фрезами. Естественно, на передней панели есть все необходимые ручки для регулировки уровней сигнала и каналов HF-MF-LF и кнопка включения. Очень простая трехканальная цветомузыкальная система со светодиодной подсветкой RGB не содержит дефицитных или дорогих компонентов. Все элементы можно найти в любом, даже самом юном радиолюбителе. Простая цветомузыкальная схемаТри транзистора – три канала. Каждый транзистор будет действовать как пороговый компаратор, а когда уровень превышает 0.6 Вольт, транзистор открывается. Нагрузкой транзистора является светодиод. Каждый канал имеет свой цвет.Каждому транзистору предшествует RC-цепь, которая действует как фильтр.  Визуально диаграмма состоит из трех независимых частей: верхняя часть – это высокие частоты канала … Средняя часть – среднечастотный канал. Ну, самый нижний канал в схеме – это низкочастотный канал. Схема питается от 9 Вольт. Сигнал поступает через наушники или динамики. Если чувствительности не хватит, то потребуется собрать усилительный каскад на одном транзисторе.А если чувствительность высокая, то можно на входе поставить переменный резистор и регулировать им уровень входа. Можно брать любые транзисторы, не обязательно КТ805, здесь даже можно поставить маломощный типа ТК315, если в нагрузке всего один светодиод. В общем, лучше использовать составной транзистор типа КТ829. Вы также можете перенести туда все остальные компоненты схемы. Сборка цветомузыкиВы можете собрать цветомузыку, подвесив установку или на печатной плате, как это сделал я.Тюнинг не нужен, собрал, а если все детали подходят, все работает и моргает без проблем. Можно ли подключить ко входу светодиодную RGB ленту?Конечно можно, для этого всю схему подключаем не к 9 В, а к 12. При этом выкидываем из схемы гасящий резистор на 150 Ом. Общий провод ленты подключаем к плюсу 12 В, а каналы RGB разводим по транзисторам. И, если длина вашей светодиодной ленты превышает один метр, то вам потребуется установить транзисторы на радиаторах, чтобы они не вышли из строя от перегрева.Цветная музыка в действииСмотрится неплохо. К сожалению, с помощью картинок это не передать, поэтому смотрите видео. Конкурс начинающих радиолюбителей Конкурсная разработка начинающего радиолюбителя Здравствуйте дорогие друзья и гости сайта! Здравствуйте радиолюбители! Как и у многих новичков, основная проблема заключалась в том, с чего начать, какой будет мой первый продукт. Цветомузыкальная схема взята из Интернета. Цветомузыка простая, 5 каналов (один канал – белый фон). К каждому каналу можно подключить светодиодную ленту, но для ее работы на входе требуется маломощный усилитель сигнала. Автор предлагает использовать усилитель от компьютерных колонок. Я пошел от более сложной, чтобы собрать схему усилителя по даташиту на микросхему TDA2005 2х10 Вт. Этой мощности мне кажется достаточно, даже с запасом.Все схемы старательно перерисовываю в программе sPLAN 7.0 Рис. 1 Схема цветомузыки с усилителем входного сигнала. В схеме цветомузыки все конденсаторы электролитические, на напряжение 16-25в. Там, где необходимо соблюдать полярность, стоит знак «+», в остальных случаях смена полярности не влияет на мигание светодиодов. В схеме усилителя микросхему необходимо разместить на радиаторе не менее 100 см2.Конденсаторы электролитические на напряжение 16-25в. Конденсаторы С8, С9, С12 пленочные, напряжение 63в. Резисторы R6, R7 мощностью 1 Вт, остальные 0,25 Вт. Переменный резистор R0- двойной, сопротивлением 10-50 кОм. Я взял блок питания с заводской импульсной мощностью 100Вт, 2х12в, 7А В выходной, как и положено походу на радиорынок за покупкой радиодеталей. Следующее задание – нарисовать печатную плату … Для этого выбрал программу Sprint-Layout 6.0. Рекомендуется радиоспециалистами для начинающих.Учиться легко, я в этом убежден. Рис 2. Доска для цветомузыки. Рис. 3. Плата усилителя мощности. Платы изготовлены по технологии LUT. В Интернете много информации об этой технологии. Мне нравится, когда он похож на заводской, поэтому ЛУТ тоже сделал со стороны деталей. Рис 5. Проверка работоспособности после сборки Как всегда, самое «сложное» при сборке радиосхемы – собрать все в корпус.Купил в радиомагазине готовый корпус. Приложения к статье: (2,9 МБ, 2,958 обращений) Уважаемые друзья и гости сайта! Не забудьте высказать свое мнение о конкурсных работах и принять участие в голосовании за понравившийся дизайн на форуме сайта. |
Как подключить к такому устройству светодиоды мощностью 50-100 ватт? Можно взять за основу одну очень удачную цветомузыкальную схему (к тому же с управлением звуком через микрофон) и немного изменить выходную часть – для получения желаемого результата.
Я начал с того, что сначала хотел купить дом. Первый – это цветомузыка, второй – качественный усилитель для наушников. Я начал с первого. Цветомузыка на тиристорах вроде бы избитый вариант, решил собрать цветомузыку для светодиодных лент RGB.Даю вам свою первую работу.
По крайней мере, я этого не заметил. Транзисторы КТ819 можно заменить на КТ815. Резисторы 0,25 Вт.
